JP2023072699A - 電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】可搬性に優れた電子機器を提供する。または一覧性に優れた電子機器を提供する。【解決手段】可撓性フィルム上に発光素子を有する表示部を形成し、ヒンジを回転させて表示部を折り曲げ、小型化させた状態とすることのできる電子機器を提供する。電子機器を小型化させた状態では、表示部が筐体を包むように設けられ、電子機器の表面、側面、及び裏面に表示可能な領域を有する構成となっている。また、表示部を展開することができる。【選択図】図３

Description

本発明の一態様は、表示装置に関する。特に、可撓性を有し、湾曲させることのできる
表示装置に関する。また、本発明の一態様は、表示装置を備える電子機器に関する。

なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、
記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることがで
きる。

近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が進められている。例
えば、携帯用途の電子機器などに用いられる表示装置は薄型であること、軽量であること
、または破損しにくいこと等が求められている。また、従来にない新たな用途が求められ
ている。

また、特許文献１には、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有
機ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている
。

特開２００３－１７４１５３号公報

近年、表示装置の表示領域を大型化させることで表示する情報量を増やし、表示の一覧
性の向上を図ることが検討されている。一方、携帯機器用途では、表示装置を大型化させ
ると可搬性（ポータビリティともいう）が低下してしまう。そのため表示の一覧性の向上
と高い可搬性を両立することは困難であった。

本発明の一態様は、可搬性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または
、一覧性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い電子
機器を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置、または電子機器を提供
することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を
抽出することが可能である。

本発明の一態様は、可撓性フィルム上に発光素子を有する表示部と、表示部の中央部と
固定された第１の支持体と、第１の支持体の両端に２つのヒンジと、第１の支持体を間に
挟む第２の支持体及び第３の支持体と、第２の支持体は、表示部の端部を隠す第１カバー
部を有し、第２の支持体はヒンジの回転によって第１の支持体となす角度が変わり、第１
カバー部で隠されていた端部が露出し、表示部の面積が広くなる電子機器である。

上記構成において、第１カバー部で隠されていた端部の幅ａは、第２の支持体はヒンジの
回転によって表示部が曲げられた領域における曲率半径ｒとπの積よりも広い。本明細書
で開示する電子機器は、表面、側面、及び裏面に表示部が設けられ、トータルの厚さは、
曲率半径ｒの２倍程度と薄くできる。従って、電子機器の厚さを薄くする場合には、曲率
半径ｒを小さくすることが好ましく、曲率半径ｒは、１０ｍｍ以下、好ましくは５ｍｍ以
下とする。

また、上記構成において、ヒンジの回転によって可撓性フィルムは、第２の支持体の面と
スライドする機構を有する。また、もう一方のヒンジの回転によって可撓性フィルムは、
第３の支持体の面とスライドする機構を有する。

また、他の構成は、可撓性フィルム上に発光素子を有する表示部と、表示部の中央部と固
定された第１の支持体と、第１の支持体の両端に２つのヒンジと、第１の支持体を間に挟
む第２の支持体及び第３の支持体と、第２の支持体は、表示部の第１の端部と互いに重な
る第１カバー部を有し、第３の支持体は、表示部の第２の端部と互いに重なる第２カバー
部を有し、第２の支持体はヒンジの回転によって第１の支持体となす角度が変わり、ヒン
ジと互いに重なる表示部の一部が曲げられ、第１カバー部と互いに重なる表示部の第１の
端部の面積が縮小し、第３の支持体はヒンジの回転によって第１の支持体となす角度が変
わり、ヒンジと互いに重なる表示部の一部が曲げられ、第２カバー部と互いに重なる表示
部の第２の端部の面積が縮小する電子機器である。

また、ヒンジを回転させて表示部を折り曲げ、小型化させた状態の構成も特徴の一つであ
り、その構成は、第１の領域と、第１の領域と隣接する第２の領域と、第１の領域と隣接
する第３の領域と、第２の領域と隣接する第４の領域と、第３の領域と隣接する第５の領
域とを有する表示部を備えた電子機器であり、表示部は、同一の可撓性フィルム上に形成
され、第２の領域は、電子機器の第１側面であり、第３の領域は、電子機器の第２側面で
あり、第４の領域は、第１の領域と互いに重なり、第５の領域は、第１の領域と互いに重
なり、第４の領域と第５の領域は重ならない電子機器である。

電子機器を小型化させた状態では、表示部が筐体を包むように設けられ、電子機器の表面
、側面、及び裏面に表示可能な領域を有する構成となっている。また、表示部を展開する
ことができる。

可搬性に優れた電子機器を提供できる。または、一覧性に優れた電子機器を提供できる
。または、信頼性の高い電子機器を提供できる。または、新規な表示装置を提供できる。
または電子機器を提供できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるも
のではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はな
い。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかと
なるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出するこ
とが可能である。

本発明の一態様を示す斜視図である。 本発明の一態様を示す斜視図である。 本発明の一態様を示す断面図である。 本発明の一態様を示す平面図及び断面図である。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する投影図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る検知回路１９および変換器ＣＯＮＶの構成および駆動方法を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。

なお、本明細書等において、Ａ面がＢ面に平行とはＡ面の法線とＢ面の法線がなす角度
が－２０°以上２０°以下の状態を指すものとする。また、本明細書等において、Ｃ面が
Ｂ面と垂直とは、Ｃ面の法線とＢ面の法線がなす角度が７０°以上１１０°以下の状態を
指すものとする。また、本明細書等において、Ｃ線がＢ面に垂直とはＣ線とＢ面の法線が
なす角度が－２０°以上２０°以下の状態を指すものとする。また、本明細書等において
、Ｃ線がＢ面に平行とはＣ線とＢ面の法線がなす角度が７０°以上１１０°以下の状態を
指すものとする。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成例について、図面を参照して説明
する。

図１（Ａ）は、本構成例で示す電子機器２００の構成の一部（表示パネル、支持体、ヒ
ンジ）を示した斜視図である。電子機器２００は、表示部２０１、支持体２０２ａ、支持
体２０２ｂ、支持体２０２ｃ、及びヒンジ２０３ａ、ヒンジ２０３ｂを備える。

支持体２０２ａと支持体２０２ｂは、ヒンジ２０３ａにより接続されている。支持体２
０２ａと支持体２０２ｂとは、ヒンジ２０３ａの回転軸２１１ａを中心に、相対的に回転
させることが可能である。図１（Ａ）に示す構成例では、支持体２０２ａと支持体２０２
ｂを水平にした状態から、回転軸２１１ａを中心に９０°以上の角度で回転させることが
できる。

ここで、ヒンジ２０３ａの回転軸２１１ａとは、ヒンジ２０３ａが有する回転機構の回
転軸と一致する直線とする。例えば、図１（Ｂ）に示すように、ヒンジ２０３ａが有体物
（例えば、心棒など）の軸２１１ｃを中心に回転する機構を有する場合には、軸の延長方
向と一致する直線を回転軸２１１ａとする。図１（Ａ）が表示面側からの斜視図であるの
に対して、図１（Ｂ）は、表示面とは反対側からの斜視図である。

支持体２０２ａと支持体２０２ｃは、ヒンジ２０３ｂにより接続されている。支持体２
０２ａと支持体２０２ｃとは、ヒンジ２０３ｂの回転軸２１１ｂを中心に、相対的に回転
させることが可能である。図１（Ａ）に示す構成例では、支持体２０２ａと支持体２０２
ｃを水平にした状態から、回転軸２１１ｂを中心に９０°以上の角度で回転させることが
できる。

表示部２０１は、使用者が視認する画像等が表示される表示面を有する。なお本明細書
等において、表示面とは表示パネルの表面のうち、画像等が表示される側の面をいう。

表示部２０１は、少なくともその一部が可撓性を有する。したがって、表示面が平面で
ある状態から、曲面を有する状態に可逆的に表示部２０１を変形することが可能である。
表示部２０１は、２つの支持体の相対位置の変化に伴って変形する部分が少なくとも可撓
性を有していればよく、他の部分は可撓性を有していなくてもよい。

表示部２０１は、その一部が支持体２０２ｂに支持されており、固定されている。一方
、表示部２０１は、支持体２０２ａや支持体２０２ｃとは支持されているが、固定されて
おらず、表示パネルの周縁と重なるカバー部２０２ｄ、２０２ｅを有するフレームである
。カバー部２０２ｄ、２０２ｅは、表示領域の一部、表示駆動回路、ＦＰＣとの接続部分
などを隠す役目を果たしている。

本発明の一態様の電子機器２００は、可撓性を有する表示部２０１が、３つの支持体に
よって支持された構成を有する。表示部２０１は曲げるなどの変形を加えることが可能で
ある。例えば表示部２０１を表示面が曲面の外側になるように２箇所で曲げることができ
る。回転軸２１１ａ付近で曲げた場合には、支持体２０２ａと表示部２０１がスライドす
る機構となっている。また、回転軸２１１ｂで曲げた場合には、支持体２０２ｃと表示部
２０１がスライドする機構となっている。このような支持方法を用いることで、例えば表
示部２０１を平面にした状態、即ち図２（Ｃ）から表示部の２箇所で曲げて小型化した状
態、即ち図２（Ａ）に各支持体を相対的に回転させる際に、表示部２０１に生じる収差を
スライド動作により補い、表示部２０１が破損してしまうことを抑制できる。また、図２
（Ｂ）に示すように、表示部２０１を２箇所で曲げることで小型化することができる。本
発明の一態様の電子機器２００は、図２（Ａ）に示すように表示部２０１を折りたたんだ
状態では可搬性に優れ、図２（Ｃ）に示すように展開した状態では、継ぎ目のない広い表
示領域により、表示の一覧性に優れる。

図２（Ａ）、図２（Ｂ）、及び図２（Ｃ）も、本構成例で示す電子機器２００の構成の一
部（表示パネル、支持体、ヒンジ）を示した斜視図である。図２（Ａ）、図２（Ｂ）、及
び図２（Ｃ）においては、各構成がわかりやすいようにヒンジを図示しているが、電子機
器２００のデザイン性を優先して見えにくくなるように筐体内にヒンジを収納してもよい
。図２（Ｂ）は、折りたたんだ状態として、メインの表示面とは反対側から見た場合の斜
視図である。なお、図２（Ｂ）に示す状態を維持するために、支持体２０２ａと支持体２
０２ｃと接触させ、互いを磁石などで固定してもよい。

また表示部２０１と各支持体とを固定する場合には、例えば接着する方法、ねじ等で固定
する方法、部材により表示部２０１を挟んで機械的に固定する方法等が挙げられる。

図３（Ａ）は、電子機器２００の展開時における断面概略図である。また図３（Ｂ）は
、電子機器の表示部２０１の２箇所で曲げて小型化した状態における断面概略図である。
なお、各構成がわかりやすいようにヒンジを大きく図示しているが、図３（Ｂ）において
曲率半径ｒは５ｍｍ以下であり、幅Ｌに対して十分小さい値である。

表示部２０１のうち、電子機器２００の筐体２０７と重なり、支持体２０２ｂと重なる第
１領域は、メインの表示領域であり、第１領域の幅Ｌの部分は曲げられることがない。

表示部２０１のうち、曲げられる箇所（第２領域）は２箇所あり、第２領域のそれぞれの
幅は、πｒである。また、折り曲げられて第１領域の裏面側に位置することのできる領域
（第３領域）の幅はそれぞれ幅Ｄであり、固定されておらずスライドする領域である。

また、支持体２０２ａ、２０２ｃのカバー部２０２ｄ、２０２ｅと重なる第４領域の幅は
、それぞれ幅ａである。この幅ａは式ａ＞πｒ、という関係を有する。図３（Ａ）及び図
３（Ｂ）に示すように、支持体２０２ａ、２０２ｃのカバー部２０２ｄ、２０２ｅで隠れ
る第４領域があるため、折り曲げた場合において図３（Ｂ）に示す表示部２０１の露出す
る面積は、展開時よりも広くなる。

また、図４（Ａ）に展開時のそれぞれの領域の幅の関係を示している。第４領域の幅ａの
部分は表示可能な領域とすることもでき、展開時にカバー部２０２ｄ、２０２ｅと重なっ
ていて表示が見えないが、表示部を折り曲げた時に裏面側に表示領域として利用すること
もできる。表示部などが形成されている一枚の可撓性フィルムの周縁を鎖線２０９で示す
。図４（Ａ）に示すように、可撓性フィルムの周縁はカバー部２０２ｄ、２０２ｅ、及び
枠部２０２ｆ、２０２ｇで隠れるように設計される。枠部２０２ｆ、２０２ｇは、支持体
２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃの一部で構成してもよいし、別途設けてもよい。枠部２０
２ｆと枠部２０２ｇの間隔Ｗが表示部２０１の一辺の長さとして決定される。電子機器の
展開時における表示部２０１の表示領域は、一辺がＷであり、もう一辺が（Ｌ＋２πｒ＋
２Ｄ）である矩形となっている。例えば、表示領域のアスペクト比を９：１６とする場合
、展開時においてＷ：（Ｌ＋２πｒ＋２Ｄ）が９：１６となるようにすればよい。また、
電子機器のヒンジを回転させて小型化させた場合、表示領域の面積は、一辺がＷであり、
もう一辺がＬである矩形の第１領域と、該領域と隣接して曲面であり、一辺がＷでありも
う一辺がπｒである２つの第２領域及び一辺がＷでありもう一辺がＤである２つの第３領
域とを合計した面積となる。

また、図４（Ｂ）は、軸２１１ｃ及び回転軸２１１ａに沿って電子機器を切った場合の断
面模式図を示している。

なお、筐体２０７に、バッテリ、画像処理回路や演算装置や駆動回路などの各種ＩＣが
実装されたプリント配線基板、無線受信器、無線送信機、無線受電器、加速度センサなど
を含む各種センサなどの電子部品を適宜組み込むことにより、電子機器２００を携帯端末
、携帯型の画像再生装置、携帯型の照明装置などとして機能させることができる。また筐
体２０７には、カメラ、スピーカ、電源供給端子や信号供給端子等を含む各種入出力端子
、光学センサなどを含む各種センサ、操作ボタンなどを組み込んでもよい。

また、表示部２０１の厚さは５μｍ以上２０００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上１０
００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、さらに好ましくは２０ｍｍ
以上３００μｍ以下とすることが好ましい。表示部２０１が薄いほど、許容できる最少の
曲率半径を小さくすることができ、電子機器２００を薄くすることが可能となる。

また、表示部２０１が薄すぎて機械的な強度が不足する場合には、表示部２０１の少な
くとも湾曲する部分に可撓性を有するシート等を貼り付け、強度を補ってもよい。例えば
、硬質ゴムなどの弾性体のほか、プラスチック、アルミニウムなどの金属、ステンレスや
チタン合金などの合金、シリコーンゴムなどのゴム等を用いることができる。当該シート
には、表示部２０１よりも可撓性の低い材料を用いることが好ましい。また、当該シート
が透光性を有さない場合には、表示部２０１の裏面側または表示面よりも外側の領域に配
置すればよい。表示面と重なる部分に開口を有するシートを表示面側に配置し、２枚のシ
ートで表示パネルを挟持する構成としてもよい。

２つの支持体を折り畳んだ状態、すなわち表示部２０１の湾曲部が最も小さい曲率半径
で湾曲している状態における、曲率半径ｒは、０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下、好ましくは
０．５ｍｍ以上１５ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定することが
好ましく、代表的には４ｍｍ以下に設定することが好ましい。

ここで、表示部２０１の湾曲部における曲率半径ｒは、湾曲した表示面が有する曲率半
径のうち、最も小さい値をいう。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な発光パ
ネルの構成例及び作製方法例について説明する。

＜具体例１＞
図５（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図５（Ａ）における一点鎖線Ａ１－Ａ２間の
断面図の一例を図５（Ｃ）に示す。具体例１で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を
用いたトップエミッション型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パネルは
、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成や、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が
適用できる。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷ以外の色を用いてもよく、例えば
、イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。

図５（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘ
ｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）８０８を有する。発光部８０４及び駆動回
路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、及び封止層８
２３によって封止されている。

図５（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のト
ランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２
１、封止層８２３、オーバーコート８４９、着色層８４５、遮光層８４７、絶縁層８４３
、接着層８４１、及び基板８０３を有する。封止層８２３、オーバーコート８４９、絶縁
層８４３、接着層８４１、及び基板８０３は可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３
１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有す
る。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視
光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重な
る遮光層８４７と、を有する。着色層８４５及び遮光層８４７はオーバーコート８４９で
覆われている。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は封止層８２３で充填されて
いる。

絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏
する。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能
を有する絶縁層を選択することが好適である。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図５（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１
つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。また、絶縁層
８４３と基板８０３は接着層８４１によって貼り合わされている。絶縁層８１３や絶縁層
８４３に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純
物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、ス
タート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。
ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防
ぐため、導電層８５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の
工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成
する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図５（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体８
２５は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び
絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２
５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は
電気的に接続する。導電層８５７と基板８０３とが重なる場合には、基板８０３を開口す
る（又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦＰ
Ｃ８０８を電気的に接続させることができる。

具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８
１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示
している。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８４３、着色層８４５
及び遮光層８４７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８４１を用いて基板８０３上に
絶縁層８４３、着色層８４５及び遮光層８４７を転置することで作製できる発光パネルを
示している。

基板に、耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に高温をかける
ことが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また
、基板に透水性が高い材料（樹脂など）を用いる場合、高温をかけて、透水性の低い膜を
形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトラ
ンジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水
性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板８０１や基板８０３へと転置
することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、
軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。作製方法の詳細は後述
する。

＜具体例２＞
図５（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図５（Ｂ）における一点鎖線Ａ３－Ａ４間の
断面図の一例を図５（Ｄ）に示す。具体例２で示す発光パネルは、具体例１とは異なる、
カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは、具体
例１と異なる点のみ詳述し、具体例１と共通する点は説明を省略する。

図５（Ｄ）に示す発光パネルは、図５（Ｃ）に示す発光パネルと下記の点で異なる。

図５（Ｄ）に示す発光パネルは、絶縁層８２１上にスペーサ８２７を有する。スペーサ
８２７を設けることで、基板８０１と基板８０３の間隔を調整することができる。

また、図５（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１と基板８０３の大きさが異なる。接
続体８２５が絶縁層８４３上に位置し、基板８０３と重ならない。接続体８２５は、絶縁
層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導
電層８５７と接続している。基板８０３に開口を設ける必要がないため、基板８０３の材
料が制限されない。

＜具体例３＞
図６（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図６（Ａ）における一点鎖線Ａ５－Ａ６間の
断面図の一例を図６（Ｃ）に示す。具体例３で示す発光パネルは、塗り分け方式を用いた
トップエミッション型の発光パネルである。

図６（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を有
する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０
１、基板８０３、枠状の封止層８２４、及び封止層８２３によって封止されている。

図６（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のト
ランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２
１、封止層８２３、枠状の封止層８２４、及び基板８０３を有する。封止層８２３及び基
板８０３は可視光を透過する。

枠状の封止層８２４は、封止層８２３よりもガスバリア性が高い層であることが好まし
い。これにより、外部から水分や酸素が発光パネルに侵入することを抑制できる。したが
って、信頼性の高い発光パネルを実現することができる。また、封止層８２４及び封止層
８２３は、防水防塵の効果を有する。

具体例３では、封止層８２３を介して発光素子８３０の発光が発光パネルから取り出さ
れる。したがって、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて透光性が高いことが好
ましい。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて屈折率が高いことが好まし
い。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこ
とが好ましい。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３
１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有す
る。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視
光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図６（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１
つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３
に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物が侵
入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、
同一の工程で作製した例を示す。

図６（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体８
２５は、基板８０３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口
を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続してい
る。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。

具体例３では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８
１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示
している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて
、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、
それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現で
きる。

＜具体例４＞
図６（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図６（Ｂ）における一点鎖線Ａ７－Ａ８間の
断面図の一例を図６（Ｄ）に示す。具体例４で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を
用いたボトムエミッション型の発光パネルである。

図６（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のト
ランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１
７ｂ、導電層８１６、複数の発光素子、絶縁層８２１、封止層８２３、及び基板８０３を
有する。基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、及
び絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０、トランジスタ８２２、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層
８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上
部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はド
レイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている
。上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過す
る。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶
縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設ければ
よい。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図６（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、２
つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３
に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０、８２２に水等の不
純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層８５７を、導電層８１６と同一の材料、同一の工程で作製した
例を示す。

具体例４では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層
８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０等を転置することで作製できる発光パネル
を示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をか
けて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そし
て、それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。こ
れにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実
現できる。

＜具体例５＞ 図６（Ｅ）に具体例１、具体例２、具体例３、及び具体例４とは異なる発
光パネルの例を示す。

図６（Ｅ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、導電層８
１４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、絶縁層８２１、封止層８２３
、及び基板８０３を有する。

導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、発光パネルの外部接続電極であり、ＦＰＣ等と
電気的に接続させることができる。

発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下
部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッシ
ョン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の
電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１
と電気的に接続する。

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ
、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基
板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率
を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。

導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降
下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電
気的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに
設けてもよい。

導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジ
ム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする
合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の膜厚は
、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０
．５μｍ以下である。

上部電極８３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用い
ると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗
く隙間の多い構成となり、ＥＬ層８３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極
と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。

具体例５では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３や発光素子８３０等を作製し、
該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３や発光素子８３
０等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、
高温をかけて、十分に透水性の低い絶縁層８１３等を形成し、基板８０１へと転置するこ
とで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又
は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な、折り
曲げ可能なタッチパネルの構成について、図７、図８、図９を用いて説明する。

＜構成例１＞図７（Ａ）はタッチパネルの上面図である。図７（Ｂ）は図７（Ａ）の一点
鎖線Ａ－Ｂ間及び一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面図である。図７（Ｃ）は図７（Ａ）の一点鎖線
Ｅ－Ｆ間の断面図である。

図７（Ａ）に示すように、タッチパネル３９０は表示部３０１を有する。

表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８
は表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用
いてタッチセンサを構成することができる。

画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子及び
発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。

画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができ
る配線と電気的に接続される。

また、タッチパネル３９０は選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動
回路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回
路３０３ｓ（１）を備える。

撮像画素３０８は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。

撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することが
できる配線と電気的に接続される。

制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択すること
ができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検
知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。

タッチパネル３９０は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動
回路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える
。

図７（Ｂ）に示すように、タッチパネル３９０は、基板５１０及び基板５１０に対向す
る基板５７０を有する。

可撓性を有する材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。

不純物の透過が抑制された材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができ
る。例えば、水蒸気の透過率が１０^－５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^－６ｇ／
ｍ^２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。

線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる
。例えば、線膨張率が１×１０^－３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^－５／Ｋ以下、より好
ましくは１×１０^－５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

基板５１０は、基材５１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５１０ａ、及び
基材５１０ｂと絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃが積層された積層体である
。

基板５７０は、可撓性基板５７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５７０ａ
、及び可撓性基板５７０ｂと絶縁層５７０ａを貼り合わせる接着層５７０ｃの積層体であ
る。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリ
イミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合
を有する樹脂を含む材料を接着層に用いることができる。

封止層５６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。封止層５６０は空気より
大きい屈折率を備える。また、封止層５６０側に光を取り出す場合は、封止層５６０は光
学接合の機能を有する。画素回路及び発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）は基板
５１０と基板５７０の間にある。

画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ及び副画素３０２Ｂを有する（図７（
Ｃ））。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発光
モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。

例えば副画素３０２Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒ及び第１の発光素子３５０Ｒに電力
を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図７（Ｂ））。
また、発光モジュール３８０Ｒは第１の発光素子３５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層３
６７Ｒ）を備える。

発光素子３５０Ｒは、第１の下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、下部電極３５１Ｒと
上部電極３５２の間のＥＬ層３５３を有する（図７（Ｃ））。

ＥＬ層３５３は、第１のＥＬ層３５３ａ、第２のＥＬ層３５３ｂ、及び第１のＥＬ層３
５３ａと第２のＥＬ層３５３ｂの間の中間層３５４を備える。

発光モジュール３８０Ｒは、第１の着色層３６７Ｒを基板５７０に有する。着色層は特
定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する
光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのま
ま透過する領域を設けてもよい。

例えば、発光モジュール３８０Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒと第１の着色層３６７Ｒ
に接する封止層３６０を有する。

第１の着色層３６７Ｒは第１の発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発
光素子３５０Ｒが発する光の一部は、光学接合の機能を有する封止層３６０及び第１の着
色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール３８０Ｒの外部に射出
される。

タッチパネル３９０は、遮光層３６７ＢＭを基板５７０に有する。遮光層３６７ＢＭは
、着色層（例えば第１の着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチパネル３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反
射防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

タッチパネル３９０は、絶縁層３２１を備える。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔ
を覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層とし
て用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制すること
ができる層が積層された絶縁層を、絶縁層３２１に適用することができる。

タッチパネル３９０は、発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）を絶縁層３２１上
に有する。

タッチパネル３９０は、第１の下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁層３
２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔
壁３２８上に有する。

画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む
。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図７（
Ｂ）に示すようにトランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有して
いてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続されて
いてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第２
のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ、トランジスタ３０２ｔ等に設けてもよい。

撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び光電変換素子３０８ｐに照射された光を
検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを
含む。

例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。

タッチパネル３９０は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が
配線３１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することがで
きるＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。なお、ＦＰＣ３０９（
１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３
ｔ、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。

また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各
種配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニ
ッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステ
ン等の単体金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例
えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層す
る二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム
－アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構
造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチ
タン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチ
タン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そ
のモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さら
にその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化
インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを
含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

＜構成例２＞図８（Ａ）、（Ｂ）は、タッチパネル５０５の斜視図である。なお明瞭化の
ため、代表的な構成要素を示す。図９は、図８（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間の断面
図である。

タッチパネル５０５は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図８（Ｂ））。
また、タッチパネル５０５は、基板５１０、基板５７０及び基板５９０を有する。なお、
基板５１０、基板５７０及び基板５９０はいずれも可撓性を有する。

表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素及び当該画素に信号を供給す
ることができる複数の配線５１１を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部に
まで引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１
）と電気的に接続する。

基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数
の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部
は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお
、図８（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０側）に設けられるタッ
チセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。

タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図８（Ｂ）を
用いて説明する。

なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適
用することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極
５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８
の他のいずれかと電気的に接続する。

電極５９２は、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の
四辺形が角部で接続された形状を有する。

電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置
されている。

配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電
極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これによ
り、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結
果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。

なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例え
ば、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５
９２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよ
い。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー
電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。

タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された電極５９１及
び電極５９２、電極５９１及び電極５９２を覆う絶縁層５９３並びに隣り合う電極５９１
を電気的に接続する配線５９４を備える。

接着層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、基板５９０を基
板５７０に貼り合わせている。

電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有
する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。な
お、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形
成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法として
は、熱を加える方法等を挙げることができる。

透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォ
トリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９
１及び電極５９２を形成することができる。

また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、
シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム
などの無機絶縁材料を用いることもできる。

また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極
５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高めること
ができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９
２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることが
できる。

一の電極５９２は一方向に延在し、複数の電極５９２がストライプ状に設けられている
。

配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。

一対の電極５９１が一の電極５９２を挟んで設けられ、配線５９４は一対の電極５９１
を電気的に接続している。

なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要
はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。

一の配線５９８は、電極５９１又は電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一
部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀
、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラ
ジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護
することができる。

また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。

接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

接着層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いるこ
とができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する
樹脂などの樹脂を用いることができる。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表
示素子を駆動する画素回路を備える。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子に適用する場合につい
て説明するが、表示素子はこれに限られない。有機ＥＬ素子に代えて液晶表示素子や、電
子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示装置としてもよい。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機ＥＬ素子を副
画素毎に適用してもよい。

基板５１０、基板５７０、及び封止層５６０は、構成例１と同様の構成が適用できる。

画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒ及び第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給
することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール
５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にＥＬ層を有する
。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。

また、封止層５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層５６０は、第１の
発光素子５５０Ｒと第１の着色層５６７Ｒに接する。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発
光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の
方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは
、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７
ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆っ
ている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用い
ることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適
用することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性
の低下を抑制できる。

表示部５０１は、発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有す
る。

表示部５０１は、第１の下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する
。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。

走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔ及び容量５０３ｃを含む。な
お、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５
１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦ
ＰＣ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良
い。

表示部５０１は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜
を配線に用いることができる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジス
タを表示部５０１に適用する場合の構成を、図９（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図９（Ａ）に図示
するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体
層を、図９（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用する
ことができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図９（
Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜
等を含む半導体層を、図９（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０
３ｔに適用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができ
る。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図１０および図１１を
参照しながら説明する。

図１０は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する投影図である。

図１０（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置５００の投影図であり、図１０（Ｂ）は入出
力装置５００が備える検知ユニット２０Ｕの構成を説明する投影図である。

図１１は本発明の一態様の入出力装置５００の構成を説明する断面図である。

図１１（Ａ）は図１０に示す本発明の一態様の入出力装置５００のＺ１－Ｚ２における断
面図である。

なお、入出力装置５００はタッチパネルということもできる。

＜入出力装置の構成例１．＞本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過
する窓部１４を具備し且つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット２０Ｕ、行方向
（図中に矢印Ｒで示す）に配置される複数の検知ユニット２０Ｕと電気的に接続する走査
線Ｇ１、列方向（図中に矢印Ｃで示す）に配置される複数の検知ユニット２０Ｕと電気的
に接続する信号線ＤＬならびに、検知ユニット２０Ｕ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬを支
持する可撓性の第１の基材１６を備える可撓性の入力装置１００と、窓部１４に重なり且
つマトリクス状に配設される複数の画素５０２および画素５０２を支持する可撓性の第２
の基板５１０を備える表示部５０１と、を有する（図１０（Ａ）乃至図１０（Ｃ）参照）
。

検知ユニット２０Ｕは、窓部１４に重なる検知素子Ｃおよび検知素子Ｃと電気的に接続さ
れる検知回路１９を備える（図１０（Ｂ）参照）。

検知素子Ｃは、絶縁層２３、絶縁層２３を挟持する第１の電極２１および第２の電極２２
を備える（図１１（Ａ）参照）。

検知回路１９は、選択信号を供給され且つ検知素子Ｃの容量の変化に基づいて検知信号Ｄ
ＡＴＡを供給する。

走査線Ｇ１は、選択信号を供給することができ、信号線ＤＬは、検知信号ＤＡＴＡを供給
することができ、検知回路１９は、複数の窓部１４の間隙に重なるように配置される。

また、本実施の形態で説明する入出力装置５００は、検知ユニット２０Ｕおよび検知ユニ
ット２０Ｕの窓部１４と重なる画素５０２の間に、着色層を備える。

本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過する窓部１４を具備する検知
ユニット２０Ｕを複数備える可撓性の入力装置１００と、窓部１４に重なる画素５０２を
複数備える可撓性の表示部５０１と、を有し、窓部１４と画素５０２の間に着色層を含ん
で構成される。

これにより、入出力装置は容量の変化に基づく検知信号およびそれを供給する検知ユニッ
トの位置情報を供給すること、検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表示
すること、ならびに曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な
入出力装置を提供することができる。

また、入出力装置５００は、入力装置１００が供給する信号を供給されるＦＰＣ１または
／および画像情報を含む信号を表示部５０１に供給するＦＰＣ２を備えていてもよい。

また、傷の発生を防いで入出力装置５００を保護する保護層１７ｐまたは／および入出力
装置５００が反射する外光の強度を弱める反射防止層５６７ｐを備えていてもよい。

また、入出力装置５００は、表示部５０１の走査線に選択信号を供給する走査線駆動回路
５０３ｇ、信号を供給する配線５１１およびＦＰＣ２と電気的に接続される端子５１９を
有する。

以下に、入出力装置５００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成
は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合が
ある。

例えば、複数の窓部１４に重なる位置に着色層を備える入力装置１００は、入力装置１０
０であるとともにカラーフィルタでもある。

また、例えば入力装置１００が表示部５０１に重ねられた入出力装置５００は、入力装置
１００であるとともに表示部５０１でもある。

入出力装置５００は、入力装置１００と、表示部５０１と、を備える（図１０（Ａ）参照
）。

入力装置１００は複数の検知ユニット２０Ｕおよび検知ユニットを支持する可撓性の基材
１６を備える。例えば、４０行１５列のマトリクス状に複数の検知ユニット２０Ｕを可撓
性の基材１６に配設する。

窓部１４は可視光を透過する。

窓部１４に重なる位置に所定の色の光を透過する着色層を備える。例えば、青色の光を透
過する着色層ＣＦＢ、緑色の光を透過する着色層ＣＦＧまたは赤色の光を透過する着色層
ＣＦＲを備える（図１０（Ｂ）参照）。

なお、青色、緑色または／および赤色に加えて、白色の光を透過する着色層または黄色の
光を透過する着色層などさまざまな色の光を透過する着色層を備えることができる。

着色層に金属材料、顔料または染料等を用いることができる。

窓部１４を囲むように遮光性の層ＢＭを備える。遮光性の層ＢＭは窓部１４より光を透過
しにくい。

カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光性
の層ＢＭに用いることができる。

遮光性の層ＢＭと重なる位置に走査線Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳおよび
配線ＶＲＥＳならびに検知回路１９を備える。

なお、着色層および遮光性の層ＢＭを覆う透光性のオーバーコート層を備えることができ
る。

検知素子Ｃは、第１の電極２１、第２の電極２２および第１の電極２１と第２の電極２２
の間に絶縁層２３を有する（図１１（Ａ）参照）。

第１の電極２１は他の領域から分離されるように、例えば島状に形成される。特に、入出
力装置５００の使用者に第１の電極２１が識別されないように、第１の電極２１と同一の
工程で作製することができる層を第１の電極２１に近接して配置する構成が好ましい。よ
り好ましくは、第１の電極２１および第１の電極２１に近接して配置する層の間隙に配置
する窓部１４の数をできるだけ少なくするとよい。特に、当該間隙に窓部１４を配置しな
い構成が好ましい。

第１の電極２１と重なるように第２の電極２２を備え、第１の電極２１と第２の電極２２
の間に絶縁層２３を備える。

例えば、大気中に置かれた検知素子Ｃの第１の電極２１または第２の電極２２に、大気と
異なる誘電率を有するものが近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。具体的には、指な
どのものが検知素子Ｃに近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。これにより、近接検知
器に用いることができる。

例えば、変形することができる検知素子Ｃの容量は、変形に伴い変化する。

具体的には、指などのものが検知素子Ｃに触れることにより、第１の電極２１と第２の電
極２２の間隔が狭くなると、検知素子Ｃの容量は大きくなる。これにより、接触検知器に
用いることができる。

具体的には、検知素子Ｃを折り曲げることにより、第１の電極２１と第２の電極２２の間
隔が狭くなる。これにより、検知素子Ｃの容量は大きくなる。これにより、屈曲検知器に
用いることができる。

第１の電極２１および第２の電極２２は、導電性の材料を含む。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを第１の
電極２１および第２の電極２２に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン
、ニッケル、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合
金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を用いることができる。

検知回路１９は例えばトランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３を含む。また、検知回路１
９は電源電位および信号を供給する配線を含む。例えば、配線ＶＰＩ、配線ＣＳ、走査線
Ｇ１、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳおよび信号線ＤＬなどを含む。なお、検知回路１９の具
体的な構成は実施の形態５で詳細に説明する。

なお、検知回路１９を窓部１４と重ならない領域に配置してもよい。例えば、窓部１４と
重ならない領域に配線を配置することにより、検知ユニット２０Ｕの一方の側から他方の
側にあるものを視認し易くできる。

例えば、同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭ１乃至トラン
ジスタＭ３に用いることができる。

トランジスタＭ１は半導体層を有する。例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物
半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウム
ヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態５において
詳細に説明する。

導電性を有する材料を配線に適用できる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線に
用いることができる。具体的には、第１の電極２１および第２の電極２２に用いることが
できる材料と同一の材料を適用できる。

アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、
鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を走査線
Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳおよび配線ＶＲＥＳに用いることができる。

基材１６に形成した膜を加工して、基材１６に検知回路１９を形成してもよい。

または、他の基材に形成された検知回路１９を基材１６に転置してもよい。

なお、検知回路の作製方法を、実施の形態５において詳細に説明する。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を可撓性の基材１６に用いるこ
とができる。

５μｍ以上２５００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上６８０μｍ以下、より好ましくは５
μｍ以上１７０以下、より好ましくは５μｍ以上４５μｍ以下、より好ましくは５μｍ以
上４５μｍ以下、より好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下の厚さを有する材料を、基材１
６に用いることができる。

また、不純物の透過が抑制された材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、
水蒸気の透過率が１０^－５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^－６ｇ／ｍ^２・ｄａｙ
以下である材料を好適に用いることができる。

また、線膨張率がおよそ等しい材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、線
膨張率が１×１０^－３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^－５／Ｋ以下、より好ましくは１×
１０^－５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチックフィルム等の有機材料を、基材１６に用
いることができる。

例えば、金属板または厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の薄板状のガラス板等の無機材料を
、基材１６に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料の膜を、樹脂層を用いて樹脂フィルム
等に貼り合せて形成された複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料を樹脂または樹脂フィルム
に分散した複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を樹脂層に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス若しくはクリスタルガラ
ス等を用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を用いることができ
る。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。

具体的には、開口部が設けられたＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。

具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの
樹脂を用いることができる。

例えば、可撓性を有する基材１６ｂと、不純物の拡散を防ぐバリア膜１６ａと、基材１６
ｂおよびバリア膜１６ａを貼り合わせる樹脂層１６ｃと、が積層された積層体を基材１６
に好適に用いることができる（図１１（Ａ）参照）。

具体的には、６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜が積層され
た積層材料を含む膜を、バリア膜１６ａに用いることができる。

具体的には、厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜、厚さ２０
０ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化
窒化珪素膜がこの順に積層された積層材料を含む膜を、バリア膜１６ａに用いることがで
きる。

ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはア
クリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基材１６ｂに用いることができる
。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイ
ミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を
有する樹脂を含む材料を樹脂層１６ｃに用いることができる。

可撓性の保護基材１７または／および保護層１７ｐを備えることができる。可撓性の保護
基材１７または保護層１７ｐは傷の発生を防いで入力装置１００を保護する。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若
しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を保護基材１７に用いるこ
とができる。

例えば、ハードコート層またはセラミックコート層を保護層１７ｐに用いることができる
。具体的には、ＵＶ硬化樹脂または酸化アルミニウムを含む層を第２の電極２２に重なる
位置に形成してもよい。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素５０２を備える（図１０（Ｃ）参
照）。

例えば、画素５０２は副画素５０２Ｂ、副画素５０２Ｇおよび副画素５０２Ｒを含み、そ
れぞれの副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

なお、画素５０２の副画素５０２Ｂは着色層ＣＦＢと重なる位置に配置され、副画素５０
２Ｇは着色層ＣＦＧと重なる位置に配置され、副画素５０２Ｒは着色層ＣＦＲと重なる位
置に配置される。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子に
適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。

また、表示部において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画
素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いること
が出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦ
Ｄ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子
、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。

可撓性を有する材料を基板５１０に用いることができる。例えば、基材１６に用いること
ができる材料を基板５１０に適用することができる。

例えば、可撓性を有する基材５１０ｂと、不純物の拡散を防ぐ絶縁層５１０ａと、基材５
１０ｂおよび絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃと、が積層された積層体を基
板５１０に好適に用いることができる（図１１（Ａ）参照）。

封止層５６０は基材１６と基板５１０を貼り合わせる。封止層５６０は空気より大きい屈
折率を備える。また、封止層５６０側に光を取り出す場合は、封止層５６０は光学接合の
機能を有する。

画素回路および発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）は基板５１０と基材１６の間にある
。

副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒおよび発光素子５５０Ｒに電力を供給することがで
きるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発
光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層ＣＦＲ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合
物を含む層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層ＣＦＲを有する。着色層は特定の
波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光
を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層が設けられて
いない窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出さ
せてもよい。

また、封止層５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層５６０は、発光素子
５５０Ｒと着色層ＣＦＲに接する。

着色層ＣＦＲは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが
発する光の一部は着色層ＣＦＲを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８
０Ｒの外部に射出される。

着色層（例えば着色層ＣＦＲ）を囲むように遮光性の層ＢＭがある。

画素回路に含まれるトランジスタ５０２ｔを覆う絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１は
画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物
の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これによ
り、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

絶縁膜５２１の上に下部電極が配置され、下部電極の端部に重なるように隔壁５２８が絶
縁膜５２１の上に配設される。

下部電極は、上部電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持して発光素子（例えば
発光素子５５０Ｒ）を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給する。

また、隔壁５２８上に、基材１６と基板５１０の間隔を制御するスペーサを有する。

走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。な
お、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができるトランジスタを駆動回路
に用いることができる。

検知ユニット２０Ｕが供給する検知信号ＤＡＴＡを変換してＦＰＣ１に供給することがで
きるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる（図１０（Ａ）および図１
１（Ａ）参照）。

例えば、トランジスタＭ４を変換器ＣＯＮＶに用いることができる。

《他の構成》表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防
止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１
１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるＦ
ＰＣ２が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

表示部５０１は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。様々な導電膜を配線に
用いることができる。

具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン
、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上
述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いる
ことができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合
金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム
、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、またはそれらから選ばれた複数を有す
る合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。

また、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透光性を有する導電材料を用いても
よい。

＜表示部の変形例＞様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。

ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を図１１（Ａ）およ
び図１１（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を図１１（Ａ）に図示す
るトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を、図１１（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用す
ることができる。

トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１１（Ｃ）に
図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等
を含む半導体層を、図１１（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５
０３ｔに適用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の検知ユニットに用いることができる検
知回路の構成および駆動方法について、図１２を参照しながら説明する。

図１２は本発明の一態様の検知回路１９および変換器ＣＯＮＶの構成および駆動方法を説
明する図である。

図１２（Ａ）は本発明の一態様の検知回路１９および変換器ＣＯＮＶの構成を説明する回
路図であり、図１２（Ｂ－１）および図１２（Ｂ－２）は駆動方法を説明するタイミング
チャートである。

本発明の一態様の検知回路１９は、ゲートが検知素子Ｃの第１の電極２１と電気的に接続
され、第１の電極が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続さ
れる第１のトランジスタＭ１を備える（図１２（Ａ）参照）。

また、ゲートが選択信号を供給することができる走査線Ｇ１と電気的に接続され、第１の
電極が第１のトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が例えば検
知信号ＤＡＴＡを供給することができる信号線ＤＬと電気的に接続される第２のトランジ
スタＭ２を備える構成であってもよい。

また、ゲートがリセット信号を供給することができる配線ＲＥＳと電気的に接続され、第
１の電極が検知素子Ｃの第１の電極２１と電気的に接続され、第２の電極が例えば接地電
位を供給することができる配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第３のトランジスタＭ３を
備える構成であってもよい。

検知素子Ｃの容量は、例えば、第１の電極２１または第２の電極２２にものが近接するこ
と、もしくは第１の電極２１および第２の電極２２の間隔が変化することにより変化する
。これにより、検知器２０は検知素子Ｃの容量の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡを供給す
ることができる。

また、検知器２０は、検知素子Ｃの第２の電極の電位を制御することができる制御信号を
供給することができる配線ＣＳを備える。

なお、検知素子Ｃの第１の電極２１、第１のトランジスタＭ１のゲートおよび第３のトラ
ンジスタの第１の電極が電気的に接続される結節部をノードＡという。

配線ＶＲＥＳおよび配線ＶＰＩは例えば接地電位を供給することができ、配線ＶＰＯおよ
び配線ＢＲは例えば高電源電位を供給することができる。

また、配線ＲＥＳはリセット信号を供給することができ、走査線Ｇ１は選択信号を供給す
ることができ、配線ＣＳは検知素子の第２の電極２２の電位を制御する制御信号を供給す
ることができる。

また、信号線ＤＬは検知信号ＤＡＴＡを供給することができ、端子ＯＵＴは検知信号ＤＡ
ＴＡに基づいて変換された信号を供給することができる。

なお、検知信号ＤＡＴＡを変換して端子ＯＵＴに供給することができるさまざまな回路を
、変換器ＣＯＮＶに用いることができる。例えば、変換器ＣＯＮＶを検知回路１９と電気
的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカレントミラー回路などが構成され
るようにしてもよい。

具体的には、トランジスタＭ４を用いた変換器ＣＯＮＶを用いて、ソースフォロワ回路を
構成できる（図１２（Ａ）参照）。なお、第１のトランジスタＭ１乃至第３のトランジス
タＭ３と同一の工程で作製することができるトランジスタをトランジスタＭ４に用いても
よい。

また、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３は半導体層を有する。例えば、４族の元素
、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリ
コンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体など
を適用できる。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態５において
詳細に説明する。

＜検知回路１９の駆動方法＞検知回路１９の駆動方法について説明する。《第１のステッ
プ》第１のステップにおいて、第３のトランジスタを導通状態にした後に非導通状態にす
るリセット信号をゲートに供給し、検知素子Ｃの第１の電極の電位を所定の電位にする（
図１２（Ｂ－１）期間Ｔ１参照）。

具体的には、リセット信号を配線ＲＥＳに供給させる。リセット信号が供給された第３の
トランジスタは、ノードＡの電位を例えば接地電位にする（図１２（Ａ）参照）。

《第２のステップ》第２のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を導通状態にする
選択信号をゲートに供給し、第１のトランジスタの第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接
続する。

具体的には、走査線Ｇ１に選択信号を供給させる。選択信号が供給された第２のトランジ
スタＭ２は、第１のトランジスタの第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する（図１２
（Ｂ－１）期間Ｔ２参照）。

《第３のステップ》第３のステップにおいて、制御信号を検知素子の第２の電極に供給し
、制御信号および検知素子Ｃの容量に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１の
ゲートに供給する。

具体的には、配線ＣＳに矩形の制御信号を供給させる。矩形の制御信号を第２の電極２２
に供給された検知素子Ｃは、検知素子Ｃの容量に基づいてノードＡの電位を上昇する（図
１２（Ｂ－１）期間Ｔ２の後半を参照）。

例えば、検知素子が大気中に置かれている場合、大気より誘電率の高いものが、検知素子
Ｃの第２の電極２２に近接して配置された場合、検知素子Ｃの容量は見かけ上大きくなる
。

これにより、矩形の制御信号がもたらすノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高い
ものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる（図１２（Ｂ－２）実線参照）
。

《第４のステップ》第４のステップにおいて、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の
変化がもたらす信号を信号線ＤＬに供給する。

例えば、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす電流の変化を信号線Ｄ
Ｌに供給する。

変換器ＣＯＮＶは、信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換して供給する。

《第５のステップ》第５のステップにおいて、第２のトランジスタを非導通状態にする選
択信号をゲートに供給する。

なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形
態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施
の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを行うことが出来る。

なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて
述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。

なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、
その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、明細書の中の図面や文章において規定されていない内容について、その内容を除く
ことを規定した発明の一態様を構成することが出来る。または、ある値について、上限値
と下限値などで示される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めることで
、または、その範囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明の一態様を規定
することができる。これらにより、例えば、従来技術が本発明の一態様の技術的範囲内に
入らないことを規定することができる。

具体例としては、ある回路において、第１乃至第５のトランジスタを用いている回路図が
記載されているとする。その場合、その回路が、第６のトランジスタを有していないこと
を発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していない
ことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造をとってい
るような第６のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる。
または、その回路が、ある特定の接続構造をとっている容量素子を有していない、と規定
して発明を構成することができる。例えば、ゲートが第３のトランジスタのゲートと接続
されている第６のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。ま
たは、例えば、第１の電極が第３のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を有
していない、と発明を規定することが可能である。

別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であ
ることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、－２Ｖ
以上１Ｖ以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、
例えば、ある電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。なお、例えば、その電圧が、５Ｖ以上８Ｖ以下であると発明を規定することも
可能である。なお、例えば、その電圧が、概略９Ｖであると発明を規定することも可能で
ある。なお、例えば、その電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であるが、９Ｖである場合を除く
と発明を規定することも可能である。なお、ある値について、「このような範囲であるこ
とが好ましい」、「これらを満たすことが好適である」となどと記載されていたとしても
、ある値は、それらの記載に限定されない。つまり、「好ましい」、「好適である」など
と記載されていたとしても、必ずしも、それらの記載には、限定されない。

別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、１０Ｖであることが好適
である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、－２Ｖ以上１Ｖ以下
である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、ある
電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。

別の具体例としては、ある物質の性質について、例えば、「ある膜は、絶縁膜である」と
記載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が、有機絶縁膜である場合を除く
、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が、無機絶
縁膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、
その膜が、導電膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。また
は、例えば、その膜が、半導体膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。

別の具体例としては、ある積層構造について、例えば、「Ａ膜とＢ膜との間に、ある膜が
設けられている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、４層以上の積
層膜である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、Ａ膜とそ
の膜との間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能である
。

なお、本明細書等において記載されている発明の一態様は、さまざまな人が実施すること
が出来る。しかしながら、その実施は、複数の人にまたがって実施される場合がある。例
えば、送受信システムの場合において、Ａ社が送信機を製造および販売し、Ｂ社が受信機
を製造および販売する場合がある。別の例としては、トランジスタおよび発光素子を有す
る発光装置の場合において、トランジスタが形成された半導体装置は、Ａ社が製造および
販売する。そして、Ｂ社がその半導体装置を購入して、その半導体装置に発光素子を成膜
して、発光装置として完成させる、という場合がある。

このような場合、Ａ社またはＢ社のいずれに対しても、特許侵害を主張できるような発明
の一態様を、構成することが出来る。つまり、Ａ社のみが実施するような発明の一態様を
構成することが可能であり、別の発明の一態様として、Ｂ社のみが実施するような発明の
一態様を構成することが可能である。また、Ａ社またはＢ社に対して、特許侵害を主張で
きるような発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断する事が出
来る。例えば、送受信システムの場合において、送信機のみの場合の記載や、受信機のみ
の場合の記載が本明細書等になかったとしても、送信機のみで発明の一態様を構成するこ
とができ、受信機のみで別の発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様
は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。別の例としては
、トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の場合において、トランジスタが形成さ
れた半導体装置のみの場合の記載や、発光素子を有する発光装置のみの場合の記載が本明
細書等になかったとしても、トランジスタが形成された半導体装置のみで発明の一態様を
構成することができ、発光素子を有する発光装置のみで発明の一態様を構成することがで
き、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断すること
が出来る。

なお、本明細書等においては、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（
容量素子、抵抗素子など）などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなく
ても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続
先を特定しなくても、発明の一態様が明確であると言える。そして、接続先が特定された
内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細
書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先が複数の
ケース考えられる場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。した
がって、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子な
ど）などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明の
一態様を構成することが可能な場合がある。

なお、本明細書等においては、ある回路について、少なくとも接続先を特定すれば、当業
者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少な
くとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つ
まり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であると言える。そして、機能が特定され
た発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。し
たがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態
様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または
、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。

なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、
ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り
出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成する
ことが可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であると言える。そのた
め、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子、
抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作方
法、製造方法などが単数もしくは複数記載された図面または文章において、その一部分を
取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎは
整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（
Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構成
される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構成
することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成さ
れるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態
様を構成することは可能である。さらに別の例としては、「Ａは、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、また
は、Ｆを有する」と記載されている文章から、一部の要素を任意に抜き出して、「Ａは、
ＢとＥとを有する」、「Ａは、ＥとＦとを有する」、「Ａは、ＣとＥとＦとを有する」、
または、「Ａは、ＢとＣとＤとＥとを有する」などの発明の一態様を構成することは可能
である。

なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは
、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる
図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概
念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可
能である。そして、その発明の一態様は、明確であると言える。

なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）は
、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能で
ある。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていな
くても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構
成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様と
して開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、そ
の発明の一態様は明確であると言える。

１ ＦＰＣ
２ ＦＰＣ
１４ 窓部
１６ 基材
１６ａ バリア膜
１６ｂ 基材
１６ｃ 樹脂層
１７ 保護基材
１７ｐ 保護層
１９ 検知回路
２０ 検知器
２０Ｕ 検知ユニット
２１ 電極
２２ 電極
２３ 絶縁層
１００ 入力装置
２００ 電子機器
２０１ 表示部
２０２ａ 支持体
２０２ｂ 支持体
２０２ｃ 支持体
２０２ｄ カバー部
２０２ｅ カバー部
２０２ｆ 枠部
２０２ｇ 枠部
２０３ａ ヒンジ
２０３ｂ ヒンジ
２０７ 筐体
２０９ 鎖線
２１１ａ 回転軸
２１１ｂ 回転軸
２１１ｃ 軸
３０１ 表示部
３０２ 画素
３０２Ｂ 副画素
３０２Ｇ 副画素
３０２Ｒ 副画素
３０２ｔ トランジスタ
３０３ｃ 容量
３０３ｇ（１） 走査線駆動回路
３０３ｇ（２） 撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１） 画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２） 撮像信号線駆動回路
３０３ｔ トランジスタ
３０４ ゲート
３０８ 撮像画素
３０８ｐ 光電変換素子
３０８ｔ トランジスタ
３０９ ＦＰＣ
３１１ 配線
３１９ 端子
３２１ 絶縁層
３２８ 隔壁
３２９ スペーサ
３５０Ｒ 発光素子
３５１Ｒ 下部電極
３５２ 上部電極
３５３ ＥＬ層
３５３ａ ＥＬ層
３５３ｂ ＥＬ層
３５４ 中間層
３６０ 封止層
３６７ＢＭ 遮光層
３６７ｐ 反射防止層
３６７Ｒ 着色層
３８０Ｂ 発光モジュール
３８０Ｇ 発光モジュール
３８０Ｒ 発光モジュール
３９０ タッチパネル
５００ 入出力装置
５０１ 表示部
５０２ 画素
５０２Ｂ 副画素
５０２Ｇ 副画素
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５０５ タッチパネル
５０９ ＦＰＣ
５１０ 基板
５１０ａ 絶縁層
５１０ｂ 基材
５１０ｃ 接着層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止層
５６７ＢＭ 遮光層
５６７ｐ 反射防止層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 基板
５７０ａ 絶縁層
５７０ｂ 可撓性基板
５７０ｃ 接着層
５８０Ｒ 発光モジュール
５９０ 基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 接着層
５９８ 配線
５９９ 接続層
８０１ 基板
８０３ 基板
８０４ 発光部
８０６ 駆動回路部
８０８ ＦＰＣ
８１１ 接着層
８１３ 絶縁層
８１４ 導電層
８１５ 絶縁層
８１６ 導電層
８１７ 絶縁層
８１７ａ 絶縁層
８１７ｂ 絶縁層
８２０ トランジスタ
８２１ 絶縁層
８２２ トランジスタ
８２３ 封止層
８２４ 封止層
８２５ 接続体
８２７ スペーサ
８３０ 発光素子
８３１ 下部電極
８３３ ＥＬ層
８３５ 上部電極
８４１ 接着層
８４３ 絶縁層
８４５ 着色層
８４７ 遮光層
８４９ オーバーコート
８５７ 導電層
８５７ａ 導電層
８５７ｂ 導電層
ＢＲ 配線
ＣＦＢ 着色層
ＣＦＧ 着色層
ＣＦＲ 着色層
ＣＳ 配線
Ｇ１ 走査線
Ｍ１ トランジスタ
Ｍ２ トランジスタ
Ｍ３ トランジスタ
Ｍ４ トランジスタ
ＲＥＳ 配線
ＯＵＴ 端子
Ｔ１ 期間
Ｔ２ 期間
ＶＰＩ 配線
ＶＰＯ 配線
ＶＲＥＳ 配線

Claims (1)

1. 可撓性フィルム上に発光素子を有する表示部と、
   前記表示部の中央部と固定された第１の支持体と、
   前記第１の支持体の両端に２つのヒンジと、
   前記第１の支持体を間に挟む第２の支持体及び第３の支持体と、を有し、
   前記第２の支持体は、前記表示部の端部を隠す第１カバー部を有し、
   前記第２の支持体は、ヒンジの回転によって前記第１の支持体となす角度が変わり、前記第１カバー部で隠されていた端部が露出し、表示部の面積が広くなる、電子機器。

Images