JP2023065085A - Method for manufacturing electroless plating silicon wafer - Google Patents

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Abstract

To provide a method for manufacturing an electroless plating silicon wafer, capable of easily cutting a bottom surface resin film of the electroless plating silicon wafer, easily peeling the cut bottom surface resin film and preventing a plating film from being formed in the end part of the silicon wafer when performing electroless plating, and provide a method for manufacturing an electroless plating layer containing silicon wafer.SOLUTION: A method for manufacturing an electroless plating silicon wafer comprises: providing a device surface resin film 2 including a flange 2a and an opening 2b projected from an end part 1d of a silicon wafer 1 on a device surface 1a of the silicon wafer 1; providing a bottom surface resin film 3 including a flange 3a projected from the end part 1d of the silicon wafer 1 on a bottom surface 1b of the silicon wafer 1; and forming a space 4 in a boundary among the end part 1d of the silicon wafer 1, the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 to integrate the flange 2a of the device surface resin film 2 and the flange 3a of the bottom surface resin film 3.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、無電解めっき用シリコンウェハの製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、例えば、半導体チップなどのデバイスを搭載するために用いられる配線用基板、半導体ウェハなどに好適に使用することができる無電解めっき用シリコンウェハの製造方法および無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a silicon wafer for electroless plating. More specifically, the present invention provides a method for producing a silicon wafer for electroless plating, which can be suitably used for, for example, wiring substrates and semiconductor wafers used for mounting devices such as semiconductor chips, and electroless plating. It relates to a method for manufacturing layer-containing silicon wafers.

なお、本発明において、無電解めっき層含有シリコンウェハは、シリコンウェハのデバイス面に無電解めっき層が形成されているシリコンウェハを意味する。 In the present invention, the silicon wafer containing an electroless plating layer means a silicon wafer having an electroless plating layer formed on the device surface of the silicon wafer.

一般に、配線用基板に用いられるシリコンウェハの表面上のめっき皮膜は、シリコンウェハ上に感光性レジストなどの液レジストを塗布し、形成されたレジスト膜上に所定形状を有するマスクを介して露光し、ドライエッチングによって露光されていないレジストを除去した後、無電解めっきを行なうことによって形成されている（例えば、特許文献１の請求項１および段落［００３７］参照）。 In general, a plating film on the surface of a silicon wafer used as a substrate for wiring is formed by applying a liquid resist such as a photosensitive resist onto the silicon wafer and exposing the formed resist film through a mask having a predetermined shape. , are formed by performing electroless plating after removing the unexposed resist by dry etching (see, for example, claim 1 and paragraph [0037] of Patent Document 1).

しかし、シリコンウェハに液レジストを塗布したとき、シリコンウェハの端部に液レジストが均一に付着しないことがある。特に、近時のシリコンウェハの薄肉化のもとでは、シリコンウェハの端部がナイフエッジ状になるため、液レジストが当該ナイフエッジ状の端部に付着し難い。このように液レジストがシリコンウェハの端部に均一に付着せずにシリコンウェハが露出しているとき、当該シリコンウェハに無電解めっきを施した際に、露出しているシリコンウェハにめっき皮膜が形成され、当該めっき皮膜が容易にシリコンウェハから剥離して脱離することから、例えば、ダイシングなどの後工程でめっき皮膜がシリコンウェハから剥離し、デバイス面に付着することによって当該デバイス面を汚染することがある。 However, when the liquid resist is applied to the silicon wafer, the liquid resist may not adhere uniformly to the edges of the silicon wafer. In particular, with the recent thinning of silicon wafers, the edge of the silicon wafer becomes knife-edge-shaped, and the liquid resist is less likely to adhere to the knife-edge-shaped edge. When the silicon wafer is exposed without the liquid resist uniformly adhering to the edge of the silicon wafer, when electroless plating is applied to the silicon wafer, a plating film is formed on the exposed silicon wafer. Since the plating film is easily peeled off and detached from the silicon wafer, for example, in a post-process such as dicing, the plating film peels off from the silicon wafer and adheres to the device surface, thereby contaminating the device surface. I have something to do.

シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハとして、シリコンウェハのデバイス面の外周面に当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成するデバイス面用樹脂フィルムが設けられ、前記シリコンウェハの底面に当該底面全体を覆うとともに当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成する底面用樹脂フィルムが設けられ、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されている無電解めっき用シリコンウェハが提案されている（例えば、特許文献２参照）。 As a silicon wafer for electroless plating that can prevent the formation of a plating film at the edge of the silicon wafer when electroless plating is applied to the silicon wafer, the silicon wafer is coated on the outer peripheral surface of the device surface of the silicon wafer. A device surface resin film that protrudes from the edge of the wafer and forms a flange is provided, and the bottom surface resin that covers the entire bottom surface of the silicon wafer and forms a flange that protrudes from the edge of the silicon wafer. A silicon wafer for electroless plating has been proposed in which a film is provided and a flange portion of a device surface resin film and a flange portion of a bottom surface resin film are integrated (see, for example, Patent Document 2).

前記無電解めっき用シリコンウェハは、シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができるという優れた効果を奏する。 The silicon wafer for electroless plating has the excellent effect of being able to prevent the formation of a plating film on the edge of the silicon wafer when electroless plating is applied to the silicon wafer.

しかし、前記無電解めっき用シリコンウェハを用いた場合、デバイス面に無電解めっきを施した後、デバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離させるために前記鍔部に刃物で切れ目を入れ、当該切れ目からデバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離させるとき、デバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離させるのに高度の技術を要する。 However, when the silicon wafer for electroless plating is used, after electroless plating is applied to the device surface, a cut is made in the collar with a knife in order to separate the device surface resin film from the silicon wafer. When the device surface resin film is peeled from the silicon wafer, a high level of technique is required to peel the device surface resin film from the silicon wafer.

したがって、近年、無電解めっき用シリコンウェハのデバイス面に無電解めっきを施した後、底面用樹脂フィルムとともにデバイス面用樹脂フィルムを容易にシリコンウェハから剥離することができる無電解めっき用シリコンウェハの製造方法および無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法の開発が待ち望まれている。 Therefore, in recent years, there has been developed a silicon wafer for electroless plating in which the device surface resin film and the bottom resin film can be easily peeled off from the silicon wafer after electroless plating is applied to the device surface of the silicon wafer for electroless plating. Development of a manufacturing method and a manufacturing method of a silicon wafer containing an electroless plated layer is eagerly awaited.

特開２０１２－２４３８９７号公報JP 2012-243897 A 実用新案登録第３１８７５７３号公報Utility Model Registration No. 3187573

本発明は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、無電解めっき用シリコンウェハの底面に貼付されている底面用樹脂フィルムを容易に切断することができ、切断された底面用樹脂フィルムをシリコンウェハから容易に剥離することができるとともに、無電解めっきを施したときにシリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハの製造方法および無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the prior art described above, and is capable of easily cutting the bottom resin film attached to the bottom surface of a silicon wafer for electroless plating, and the cut bottom resin film can be easily cut. A method for producing a silicon wafer for electroless plating, which can be easily separated from a silicon wafer and which can prevent the formation of a plating film on the edge of the silicon wafer when electroless plating is applied, and a non-electrolytic plating method. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a silicon wafer containing an electrolytic plating layer.

本発明は、
（１） シリコンウェハと当該シリコンウェハのデバイス面に設けられるデバイス面用樹脂フィルムと当該シリコンウェハの底面に設けられる底面用樹脂フィルムとを有する無電解めっき用シリコンウェハの製造方法であって、
前記シリコンウェハのデバイス面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部およびデバイスを搭載するための開口部を有するデバイス面用樹脂フィルムを設けるとともに、前記シリコンウェハの底面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部を有する底面用樹脂フィルムを設け、
前記シリコンウェハの端部とデバイス面用樹脂フィルムと底面用樹脂フィルムとの境界に空間を形成させてデバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とを一体化させる
ことを特徴とする無電解めっき用シリコンウェハの製造方法、
（２） 前記空間でシリコンウェハおよびデバイス面用樹脂フィルムの双方と非接触である底面用樹脂フィルムのシリコンウェハの直径方向における長さが０．１～８ｍｍである前記（１）に記載の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法、
（３） 底面用樹脂フィルムの上面から前記空間の上端部までの高さが０．０５～１ｍｍである前記（１）または(２)に記載の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法、
（４） シリコンウェハの底面が平面であるか、またはシリコンウェハの底面に凹部が形成されている前記（１）～（３）のいずれかに記載の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法、
（５） シリコンウェハの底面でシリコンウェハが露出している前記（１）～（４）のいずれか記載の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法、
（６） シリコンウェハと当該シリコンウェハのデバイス面に設けられるデバイス面用樹脂フィルムおよび無電解めっき層と当該シリコンウェハの底面に設けられる底面用樹脂フィルムとを有する無電解めっき層含有シリコンウェハを製造する方法であって、
前記シリコンウェハのデバイス面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部およびデバイスを搭載するための開口部およびを有するデバイス面用樹脂フィルムを設けるとともに、前記シリコンウェハの底面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部を有する底面用樹脂フィルムを設け、
前記シリコンウェハの端部とデバイス面用樹脂フィルムと底面用樹脂フィルムとの境界に空間を形成させてデバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とを一体化させて無電解めっき用シリコンウェハを作製し、
当該無電解めっき用シリコンウェハのデバイス面に無電解めっきを施し、無電解めっき層を形成させた後、前記空間が存在している箇所で底面用樹脂フィルムを切断し、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されている切断片を形成させ、形成された切断片を用いて切断されている底面用樹脂フィルムおよびデバイス面用樹脂フィルムを前記シリコンウェハから剥離して除去する
ことを特徴とする無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法、
（７） 切断された底面用樹脂フィルムとともにデバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離して除去した後、シリコンウェハに残存している底面用樹脂フィルムを除去する前記（６）に記載の無電解めっき層を有する無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法、
（８） 前記空間でシリコンウェハおよびデバイス面用樹脂フィルムの双方と非接触である底面用樹脂フィルムのシリコンウェハの直径方向における長さが０．１～８ｍｍである前記（６）または(７)に記載の無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法、
（９） 底面用樹脂フィルムの上面から前記空間の上端部までの高さが０．０５～１ｍｍである前記（６）～（８）のいずれかに記載の無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法、
（１０） シリコンウェハの底面が平面であるか、またはシリコンウェハの底面に凹部が形成されている前記（６）～（９）のいずれかに記載の無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法、および
（１１） シリコンウェハの底面でシリコンウェハが露出している前記（６）～（１０）のいずれか記載の無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法
に関する。 The present invention
(1) A method for producing a silicon wafer for electroless plating, comprising a silicon wafer, a device surface resin film provided on the device surface of the silicon wafer, and a bottom surface resin film provided on the bottom surface of the silicon wafer, comprising:
A device surface resin film having a collar portion projecting from the edge of the silicon wafer and an opening for mounting a device is provided on the device surface of the silicon wafer, and an edge of the silicon wafer is provided on the bottom surface of the silicon wafer. Provide a bottom resin film having a flange protruding from
A space is formed at the edge of the silicon wafer and the boundary between the device surface resin film and the bottom surface resin film, and the brim portion of the device surface resin film and the brim portion of the bottom surface resin film are integrated with each other. A method for producing a silicon wafer for electroless plating,
(2) The device according to (1) above, wherein the length in the diameter direction of the silicon wafer of the bottom surface resin film that is not in contact with both the silicon wafer and the device surface resin film in the space is 0.1 to 8 mm. A method for producing a silicon wafer for electrolytic plating,
(3) The method for producing a silicon wafer for electroless plating according to (1) or (2) above, wherein the height from the upper surface of the resin film for bottom surface to the upper end of the space is 0.05 to 1 mm;
(4) The method for producing a silicon wafer for electroless plating according to any one of (1) to (3) above, wherein the bottom surface of the silicon wafer is flat or the bottom surface of the silicon wafer is formed with recesses;
(5) The method for producing a silicon wafer for electroless plating according to any one of (1) to (4), wherein the silicon wafer is exposed at the bottom surface of the silicon wafer.
(6) Manufacturing an electrolessly plated layer-containing silicon wafer having a silicon wafer, a device surface resin film provided on the device surface of the silicon wafer, an electroless plated layer, and a bottom surface resin film provided on the bottom surface of the silicon wafer. a method for
A device surface resin film having a collar portion protruding from an edge of the silicon wafer and an opening for mounting a device is provided on the device surface of the silicon wafer, and an edge of the silicon wafer is provided on the bottom surface of the silicon wafer. Provide a resin film for the bottom surface having a flange protruding from the part,
A space is formed at the edge of the silicon wafer and the boundary between the device surface resin film and the bottom surface resin film, and the brim portion of the device surface resin film and the brim portion of the bottom surface resin film are integrated to form an electroless process. Produce a silicon wafer for plating,
After electroless plating is applied to the device surface of the silicon wafer for electroless plating to form an electroless plating layer, the resin film for the bottom surface is cut at the location where the space exists, and the resin film for the device surface is cut. A cut piece in which the collar portion and the collar portion of the bottom resin film are integrated is formed, and the bottom resin film and the device surface resin film are cut from the silicon wafer using the cut piece thus formed. A method for producing an electroless plated layer-containing silicon wafer, characterized by removing by peeling,
(7) The electroless process according to (6) above, wherein the device surface resin film is removed from the silicon wafer together with the cut bottom surface resin film, and then the bottom surface resin film remaining on the silicon wafer is removed. A method for producing an electroless plating layer-containing silicon wafer having a plating layer,
(8) The above (6) or (7), wherein the length in the diameter direction of the silicon wafer of the bottom surface resin film that is not in contact with both the silicon wafer and the device surface resin film in the space is 0.1 to 8 mm. A method for producing an electroless plated layer-containing silicon wafer according to
(9) Manufacturing an electroless plated layer-containing silicon wafer according to any one of (6) to (8) above, wherein the height from the upper surface of the resin film for the bottom surface to the upper end of the space is 0.05 to 1 mm. Method,
(10) The method for producing an electroless plated layer-containing silicon wafer according to any one of (6) to (9) above, wherein the silicon wafer has a flat bottom surface or a concave portion is formed on the silicon wafer bottom surface; and (11) The method for producing an electroless plated layer-containing silicon wafer according to any one of (6) to (10) above, wherein the bottom surface of the silicon wafer is exposed.

本発明によれば、無電解めっき用シリコンウェハの底面に貼付されている底面用樹脂フィルムを容易に切断することができ、切断された底面用樹脂フィルムをシリコンウェハから容易に剥離することができるとともに、無電解めっきを施したときにシリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハの製造方法および無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法が提供される。 According to the present invention, the bottom resin film attached to the bottom surface of the silicon wafer for electroless plating can be easily cut, and the cut bottom resin film can be easily peeled off from the silicon wafer. In addition, a method for producing a silicon wafer for electroless plating and a method for producing a silicon wafer containing an electroless plating layer, which can prevent the formation of a plating film on the edge of the silicon wafer when electroless plating is applied. provided.

本発明における無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。1 is a schematic vertical cross-sectional view of a silicon wafer for electroless plating according to the present invention at the center in the plane direction; FIG. 本発明における無電解めっき用シリコンウェハの他の実施態様の面方向の中心部における概略縦断面図である。FIG. 3 is a schematic vertical cross-sectional view of another embodiment of the silicon wafer for electroless plating according to the present invention, taken at the center in the plane direction. 本発明における無電解めっき用シリコンウェハの他の実施態様の面方向の中心部における概略縦断面図である。FIG. 3 is a schematic vertical cross-sectional view of another embodiment of the silicon wafer for electroless plating according to the present invention, taken at the center in the plane direction. 本発明における無電解めっき用シリコンウェハの他の実施態様の面方向の中心部における概略縦断面図である。FIG. 3 is a schematic vertical cross-sectional view of another embodiment of the silicon wafer for electroless plating according to the present invention, taken at the center in the plane direction. 本発明における無電解めっき層が形成されている無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。1 is a schematic vertical cross-sectional view of a silicon wafer for electroless plating on which an electroless plating layer is formed according to the present invention, at the central portion in the plane direction; FIG. 本発明における無電解めっき層が形成されている無電解めっき用シリコンウェハの底面用樹脂フィルムを切断するときの無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。FIG. 2 is a schematic vertical cross-sectional view of the silicon wafer for electroless plating at the center in the plane direction when cutting the resin film for the bottom surface of the silicon wafer for electroless plating on which the electroless plating layer is formed according to the present invention. 本発明における無電解めっき層が形成されている無電解めっき用シリコンウェハの底面用樹脂フィルムを切断した後、切断された底面用樹脂フィルムとともにデバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離して除去するときの無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。After cutting the bottom resin film of the silicon wafer for electroless plating on which the electroless plating layer of the present invention is formed, the device surface resin film is peeled off from the silicon wafer together with the cut bottom resin film. 1 is a schematic vertical cross-sectional view of a silicon wafer for electroless plating at the central portion in the surface direction at that time. FIG.

（１）無電解めっき用シリコンウェハの製造方法
本発明の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法は、前記したように、シリコンウェハと当該シリコンウェハのデバイス面に設けられるデバイス面用樹脂フィルムと当該シリコンウェハの底面に設けられる底面用樹脂フィルムとを有する無電解めっき用シリコンウェハを製造する方法である。 (1) Method for producing a silicon wafer for electroless plating The method for producing a silicon wafer for electroless plating of the present invention comprises, as described above, a silicon wafer, a device surface resin film provided on the device surface of the silicon wafer, and the A method for manufacturing a silicon wafer for electroless plating, which has a resin film for bottom surface provided on the bottom surface of the silicon wafer.

本発明においては、シリコンウェハのデバイス面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部および当該シリコンウェハにデバイスを搭載するための開口部を有するデバイス面用樹脂フィルムを設けるとともに、前記シリコンウェハの底面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部を有する底面用樹脂フィルムを設け、前記シリコンウェハの端部とデバイス面用樹脂フィルムと底面用樹脂フィルムとの境界に空間を形成させてデバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とを一体化させるという操作が採られている。 In the present invention, the device surface of a silicon wafer is provided with a device surface resin film having a flange projecting from the edge of the silicon wafer and an opening for mounting a device on the silicon wafer. A bottom surface resin film having a flange protruding from the edge of the silicon wafer is provided on the bottom surface, and a space is formed between the edge of the silicon wafer, the device surface resin film, and the bottom surface resin film to form a device surface. An operation is adopted in which the flange portion of the resin film for the bottom surface and the flange portion of the resin film for the bottom surface are integrated.

本発明の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法によれば、前記操作が採られているので、無電解めっき用シリコンウェハの底面に貼付されている底面用樹脂フィルムを容易に切断することができ、切断された底面用樹脂フィルムをシリコンウェハから容易に剥離することができるとともに、無電解めっきを施したときにシリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができるという優れた効果が奏される。 According to the method for manufacturing a silicon wafer for electroless plating of the present invention, since the above operation is adopted, the resin film for bottom surface attached to the bottom surface of the silicon wafer for electroless plating can be easily cut. Furthermore, the cut resin film for the bottom surface can be easily peeled off from the silicon wafer, and the formation of a plating film on the edge of the silicon wafer can be prevented when electroless plating is applied. effect is played.

以下に本発明の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法を図面に基づいて説明するが、本発明は、当該図面に記載されている実施態様のみに限定されるものではなく、本発明の範囲内で他の実施態様を包含していてもよい。 The method for producing a silicon wafer for electroless plating according to the present invention will be described below with reference to the drawings. may encompass other embodiments.

図１は、本発明における無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図であるが、本発明は、かかる実施態様のみに限定されるものではない。 FIG. 1 is a schematic vertical cross-sectional view of a silicon wafer for electroless plating in the present invention at the center in the plane direction, but the present invention is not limited to this embodiment.

シリコンウェハ１は、通常、シリコンで構成されているが、必要により炭化ケイ素、窒化ガリウム、酸化ガリウム、ヒ化ガリウムなどの化合物がシリコンウェハ１に含有されていてもよい。 The silicon wafer 1 is usually made of silicon, but if necessary, the silicon wafer 1 may contain compounds such as silicon carbide, gallium nitride, gallium oxide, and gallium arsenide.

シリコンウェハ１の大きさは、無電解めっき用シリコンウェハの用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該無電解めっき用シリコンウェハの用途などに応じて適宜決定することが好ましい。また、シリコンウェハ１の平面形状は、特に限定されないが、通常、円形ないし楕円形であり、好ましくは円形である。 Since the size of the silicon wafer 1 varies depending on the use of the silicon wafer for electroless plating and the like, it cannot be determined unconditionally. . The planar shape of the silicon wafer 1 is not particularly limited, but is usually circular or elliptical, preferably circular.

シリコンウェハ１の厚さは、無電解めっき用シリコンウェハの用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該無電解めっき用シリコンウェハの用途などに応じて適宜決定することが好ましいが、通常、３０～８００μｍ程度である。 Since the thickness of the silicon wafer 1 varies depending on the use of the silicon wafer for electroless plating and the like, it cannot be determined unconditionally. is usually about 30 to 800 μm.

シリコンウェハ１のデバイス面１ａは、シリコンウェハ１の表面（平面）であり、半導体チップなどのデバイスが搭載される面である。シリコンウェハ１のデバイス面１ａには、後述するように無電解めっき層（図示せず）が形成される。 The device surface 1a of the silicon wafer 1 is the surface (flat surface) of the silicon wafer 1, and is the surface on which devices such as semiconductor chips are mounted. An electroless plated layer (not shown) is formed on the device surface 1a of the silicon wafer 1 as described later.

シリコンウェハ１のデバイス面１ａの領域の大きさおよび形状は、無電解めっき用シリコンウェハの用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該無電解めっき用シリコンウェハの用途などに応じて適宜決定することが好ましい。シリコンウェハ１のデバイス面１ａは、通常、シリコンウェハ１の端部よりも内側に形成される。デバイス面１ａの平面形状としては、例えば、円形、楕円形、正方形などの多角形などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。本発明においては、シリコンウェハ１およびデバイス面１ａがいずれも同心円の円形であることが好ましい。 Since the size and shape of the region of the device surface 1a of the silicon wafer 1 differ depending on the use of the silicon wafer for electroless plating and the like, they cannot be determined unconditionally. It is preferable to determine as appropriate. The device surface 1 a of the silicon wafer 1 is normally formed inside the edge of the silicon wafer 1 . Examples of the planar shape of the device surface 1a include circular, elliptical, square and other polygonal shapes, but the present invention is not limited to such examples. In the present invention, both the silicon wafer 1 and the device surface 1a are preferably circular concentric circles.

シリコンウェハ１の端部１ｄの縦断面の形状は、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させることができるようにする観点から、図１に示されるように、円弧状であることが好ましい。 The vertical cross-sectional shape of the end portion 1d of the silicon wafer 1 is as shown in FIG. Moreover, it is preferably arc-shaped.

シリコンウェハ１の底面１ｂは、図１に示されるように平面であってもよく、図２に示されるように凹部１ｃが形成されていてもよい。なお、図２は、無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。 The bottom surface 1b of the silicon wafer 1 may be flat as shown in FIG. 1, or may be formed with a recess 1c as shown in FIG. In addition, FIG. 2 is a schematic vertical cross-sectional view at the central portion in the surface direction of the silicon wafer for electroless plating.

図２に示される凹部１ｃの平面形状は、特に限定されないが、例えば、シリコンウェハ１の平面形状が円形であるとき、シリコンウェハ１と同心円の円形であることが好ましい。凹部１ｃが円形である場合、凹部１ｃの直径ｄは、特に限定されず、デバイス面１ａの直径Ｄと同一であってもよく、デバイス面１ａの直径Ｄよりも小さくてもよく、デバイス面１ａの直径Ｄよりも大きくてもよい。 Although the planar shape of the concave portion 1c shown in FIG. 2 is not particularly limited, for example, when the planar shape of the silicon wafer 1 is circular, it is preferably circular concentric with the silicon wafer 1 . When the concave portion 1c is circular, the diameter d of the concave portion 1c is not particularly limited, and may be the same as the diameter D of the device surface 1a or may be smaller than the diameter D of the device surface 1a. may be larger than the diameter D of the

凹部１ｃの底面は、通常、平滑であるが、必要により、凹凸、波形などが形成されていてもよい。 The bottom surface of the concave portion 1c is normally smooth, but may have irregularities, corrugations, or the like, if necessary.

デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン；ナイロン１、ナイロン１２、ナイロン６、ナイロン６６などのポリアミド；ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂；塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂などの樹脂からなる樹脂フィルム、ポリウレタンエラストマーなどのエラストマーからなるフィルム、天然ゴム、スチレン－ブタジエンゴムなどの合成ゴムなどからなるゴムシートなどが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。 Examples of the device surface resin film 2 and the bottom resin film 3 include polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate; polyolefins such as polyethylene and polypropylene; polyamides such as nylon 1, nylon 12, nylon 6 and nylon 66; Acrylic resin such as methyl methacrylate; resin film made of resin such as vinyl chloride resin and vinylidene chloride resin; film made of elastomer such as polyurethane elastomer; rubber sheet made of synthetic rubber such as natural rubber and styrene-butadiene rubber; However, the invention is not limited to only such exemplifications.

デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３の厚さは、特に限定されないが、通常、それぞれ１０～２００μｍ程度であることが好ましい。 Although the thicknesses of the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 are not particularly limited, they are preferably about 10 to 200 μm each.

シリコンウェハ１のデバイス面１ａには、シリコンウェハ１の端部１ｄからデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａが突出するようにデバイス面用樹脂フィルム２が設けられる。 A device surface resin film 2 is provided on the device surface 1a of the silicon wafer 1 so that a collar portion 2a of the device surface resin film 2 protrudes from an end portion 1d of the silicon wafer 1. As shown in FIG.

デバイス面用樹脂フィルム２は、シリコンウェハ１にデバイスを搭載するための開口部２ｂおよびシリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部２ａを有する。デバイス面用樹脂フィルム２は、シリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部２ａを有することから、シリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっきを施したときにシリコンウェハ１の端部１ｄでめっき皮膜が形成されることを防止することができる。 The device surface resin film 2 has an opening 2b for mounting a device on the silicon wafer 1 and a flange 2a protruding from the edge 1d of the silicon wafer 1. As shown in FIG. Since the device surface resin film 2 has a flange portion 2a protruding from the edge portion 1d of the silicon wafer 1, when the device surface 1a of the silicon wafer 1 is subjected to electroless plating, the edge portion 1d of the silicon wafer 1 is It is possible to prevent the formation of a plating film.

デバイス面用樹脂フィルム２は、シリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっきを施したときにシリコンウェハ１の端部１ｄでめっき皮膜が形成されることを効果的に防止し、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させるために、シリコンウェハ１のデバイス面１ａを被覆しないが、シリコンウェハ１の端部１ｄを覆うとともに、シリコンウェハ１にデバイスを搭載するための開口部２ｂおよびシリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部２ａを有することが好ましい。 The device surface resin film 2 effectively prevents the formation of a plating film on the edge 1d of the silicon wafer 1 when the device surface 1a of the silicon wafer 1 is subjected to electroless plating. In order to easily separate the film 2 and the bottom resin film 3 from the silicon wafer 1, the device surface 1a of the silicon wafer 1 is not covered, but the edge 1d of the silicon wafer 1 is covered, and the device is mounted on the silicon wafer 1. It is preferable to have an opening 2b for connecting and a flange 2a protruding from the edge 1d of the silicon wafer 1. As shown in FIG.

例えば、シリコンウェハ１の平面形状が円形である場合、デバイス面用樹脂フィルム２は、デバイスを搭載するための開口部２ｂを有する環状の樹脂フィルムであることが好ましい。デバイス面用樹脂フィルム２の直径は、鍔部２ａを形成するために、シリコンウェハ１の直径よりも大きくなるように設定される。図１に示される鍔部２ａの長さ（デバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３とが接触している部分の長さ）Ｘは、デバイス面用樹脂フィルム２の大きさによって異なるので一概には決定することができないが、鍔部２ａと鍔部３ａとを十分に一体化させるとともに、シリコンウェハ１の変形を防止し、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させることができるようにする観点から、１～２０ｍｍ程度であることが好ましく、３～１５ｍｍであることがより好ましい。 For example, when the planar shape of the silicon wafer 1 is circular, the device surface resin film 2 is preferably an annular resin film having an opening 2b for mounting a device. The diameter of the device surface resin film 2 is set to be larger than the diameter of the silicon wafer 1 in order to form the flange portion 2a. 1 (the length of the portion where the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 are in contact) X shown in FIG. Although it cannot be determined unconditionally, it is possible to sufficiently integrate the flanges 2a and 3a, prevent deformation of the silicon wafer 1, and form the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 on the silicon wafer. 1 to 20 mm, preferably 3 to 15 mm.

シリコンウェハ１のデバイス面１ａにデバイス面用樹脂フィルム２を設ける方法としては、例えば、デバイス面用樹脂フィルム２として熱可塑性樹脂からなるデバイス面用樹脂フィルム２を用い、デバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１のデバイス面１ａに載置し、加熱、加圧または真空引きすることによってデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１のデバイス面１ａに接着させる方法、デバイス面用樹脂フィルム２として粘着面を有するデバイス面用樹脂フィルム２を用い、当該デバイス面用樹脂フィルム２の粘着面とシリコンウェハ１のデバイス面１ａとを重ね合わせることにより、デバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１のデバイス面１ａに接着させる方法などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。 As a method of providing the device surface resin film 2 on the device surface 1a of the silicon wafer 1, for example, the device surface resin film 2 made of a thermoplastic resin is used as the device surface resin film 2, and the device surface resin film 2 is A method in which the device surface resin film 2 is adhered to the device surface 1a of the silicon wafer 1 by placing it on the device surface 1a of the silicon wafer 1 and applying heat, pressure, or vacuum, and an adhesive surface as the device surface resin film 2. is used, and the adhesive surface of the device surface resin film 2 and the device surface 1a of the silicon wafer 1 are overlapped to form the device surface resin film 2 on the device surface 1a of the silicon wafer 1. However, the present invention is not limited only to such examples.

シリコンウェハ１の底面１ｂには、シリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部３ａを有する底面用樹脂フィルム３が設けられる。なお、シリコンウェハ１の底面１ｂは、シリコンウェハ１のデバイス面１ａとは反対側の面を意味する。 The bottom surface 1b of the silicon wafer 1 is provided with a bottom surface resin film 3 having a flange portion 3a protruding from the edge portion 1d of the silicon wafer 1. As shown in FIG. The bottom surface 1b of the silicon wafer 1 means the surface of the silicon wafer 1 opposite to the device surface 1a.

底面用樹脂フィルム３は、図１および図３に示されるようにシリコンウェハ１の底面１ｂ全体を被覆するように設けられていてもよく、図２および図４に示されるようにシリコンウェハ１の底面１ｂを完全に被覆するのではなく、シリコンウェハ１の底面１ｂが露出するように設けられていてもよい。 The bottom surface resin film 3 may be provided so as to cover the entire bottom surface 1b of the silicon wafer 1 as shown in FIGS. Instead of completely covering the bottom surface 1b, the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 may be exposed.

なお、図３は、本発明における無電解めっき用シリコンウェハの他の実施態様を示し、面方向の中心部における概略縦断面図であり、シリコンウェハ１の底面に凹部１ｃが形成されている。また、図４は、本発明における無電解めっき用シリコンウェハの他の実施態様を示し、面方向の中心部における概略縦断面図であり、シリコンウェハ１の底面１ｂが露出している。 FIG. 3 shows another embodiment of the silicon wafer for electroless plating according to the present invention, which is a schematic vertical cross-sectional view at the central portion in the plane direction, in which a concave portion 1c is formed in the bottom surface of the silicon wafer 1. As shown in FIG. Further, FIG. 4 shows another embodiment of the silicon wafer for electroless plating according to the present invention, which is a schematic vertical cross-sectional view at the central portion in the plane direction, in which the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 is exposed.

底面用樹脂フィルム３として、シリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部３ａを有する底面用樹脂フィルム３が用いられる。 As the bottom resin film 3, a bottom resin film 3 having a flange portion 3a protruding from the end portion 1d of the silicon wafer 1 is used.

底面用樹脂フィルム３は、シリコンウェハ１の底面１ｂを被覆し、シリコンウェハ１の端部１ｄを覆うとともに、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させるために、シリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部３ａを有する。 The bottom surface resin film 3 covers the bottom surface 1 b of the silicon wafer 1 and covers the edge 1 d of the silicon wafer 1 . , there is a collar portion 3a protruding from the edge portion 1d of the silicon wafer 1. As shown in FIG.

例えば、シリコンウェハ１の平面形状が円形である場合、底面用樹脂フィルム３は、シリコンウェハ１と同心円の円形の樹脂フィルムであることが好ましい。 For example, when the silicon wafer 1 has a circular planar shape, the bottom resin film 3 is preferably a circular resin film concentric with the silicon wafer 1 .

シリコンウェハ１および底面用樹脂フィルム３の平面形状が円形である場合、底面用樹脂フィルム３の直径は、鍔部３ａを形成するために、シリコンウェハ１の直径よりも大きくなるように設定される。鍔部３ａの長さは、デバイス面用樹脂フィルム２の大きさによって異なるので一概には決定することができないが、鍔部２ａと鍔部３ａとを十分に一体化させるとともに、シリコンウェハ１の変形を防止し、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させることができるようにする観点から、鍔部２ａの長さＸと同様に、１～２０ｍｍ程度であることが好ましく、３～１５ｍｍであることがより好ましい。鍔部３ａの長さは、鍔部２ａの長さＸと同一であることが好ましい。 When silicon wafer 1 and bottom resin film 3 have circular planar shapes, the diameter of bottom resin film 3 is set to be larger than the diameter of silicon wafer 1 in order to form flange 3a. . The length of the flange portion 3a varies depending on the size of the device surface resin film 2 and cannot be determined unconditionally. From the viewpoint of preventing deformation and allowing the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 to be easily separated from the silicon wafer 1, the length X of the flange portion 2a is about 1 to 20 mm. and more preferably 3 to 15 mm. The length of the collar portion 3a is preferably the same as the length X of the collar portion 2a.

図２および図４に示されるように、シリコンウェハ１の底面１ｂが露出している場合、シリコンウェハ１の底面１ｂの露出している箇所に無電解金属めっきを施してもよい。 When the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 is exposed as shown in FIGS. 2 and 4, the exposed portions of the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 may be electroless metal plated.

シリコンウェハ１の底面１ｂが外部に露出している場合、例えば、シリコンウェハ１の平面形状が円形であるとき、シリコンウェハ１の底面１ｂの露出している箇所の形状は、シリコンウェハ１と同心円の円形であることが好ましい。この場合、底面用樹脂フィルム３は、シリコンウェハ１を外部に露出させるための開口部（図示せず）を有しており、底面用樹脂フィルム３の外周（図示せず）および開口部の中心がシリコンウェハ１の中心と同一である同心円の環状の樹脂フィルムであることが好ましい。 When the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 is exposed to the outside, for example, when the planar shape of the silicon wafer 1 is circular, the shape of the exposed portion of the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 is concentric with the silicon wafer 1. is preferably circular. In this case, the bottom surface resin film 3 has an opening (not shown) for exposing the silicon wafer 1 to the outside. is preferably a concentric ring-shaped resin film in which is the same as the center of the silicon wafer 1 .

シリコンウェハ１の底面１ｂに底面用樹脂フィルム３を設ける方法としては、例えば、底面用樹脂フィルム３として熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用い、底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１の底面１ｂに載置し、加熱、加圧または真空引きすることによって底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１の底面１ｂに接着させる方法、底面用樹脂フィルム３として粘着面を有する底面用樹脂フィルム３を用い、底面用樹脂フィルム３の粘着面とシリコンウェハ１の底面１ｂとを重ね合わせることにより、底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１の底面１ｂに接着させる方法などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。 As a method for providing the bottom surface resin film 3 on the bottom surface 1 b of the silicon wafer 1 , for example, a resin film made of a thermoplastic resin is used as the bottom surface resin film 3 and the bottom surface resin film 3 is placed on the bottom surface 1 b of the silicon wafer 1 . A method of bonding the bottom surface resin film 3 to the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 by heating, pressurizing, or vacuuming, using a bottom surface resin film 3 having an adhesive surface as the bottom surface resin film 3, and A method of adhering the bottom surface resin film 3 to the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 by overlapping the adhesive surface of the resin film 3 and the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 can be exemplified. It is not limited.

シリコンウェハ１のデバイス面１ａにシリコンウェハ１の端部１ｄからデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａを突出させてデバイス面用樹脂フィルム２を設ける操作、およびシリコンウェハ１の底面１ｂにシリコンウェハ１の端部から底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａを突出させて底面用樹脂フィルム３を設ける操作は、いずれを先に行なってもよい。 An operation of providing the device surface resin film 2 on the device surface 1a of the silicon wafer 1 by protruding the collar portion 2a of the device surface resin film 2 from the end portion 1d of the silicon wafer 1, and providing the device surface resin film 2 on the bottom surface 1b of the silicon wafer 1. Either of the operations of protruding the flange portion 3a of the bottom resin film 3 from the end portion of the bottom surface 1 and providing the bottom resin film 3 may be performed first.

次に、シリコンウェハ１の端部１ｄとデバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３との境界に空間４を形成させてデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させる。このようにシリコンウェハ１の端部１ｄとデバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３との境界に空間４を形成させる点に、本発明の特徴の１つがある。 Next, a space 4 is formed at the boundary between the end portion 1d of the silicon wafer 1, the device surface resin film 2, and the bottom surface resin film 3, and the brim portion 2a of the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 are separated. It is integrated with the flange portion 3a. One of the characteristics of the present invention is that the space 4 is formed at the boundary between the end portion 1d of the silicon wafer 1, the device surface resin film 2, and the bottom surface resin film 3 as described above.

本発明では、シリコンウェハ１の端部１ｄとデバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３との境界に空間４を形成させるので、後述するように空間４が存在している箇所で底面用樹脂フィルム３を切断し、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとが一体化されている切断片７を形成させ、形成された切断片７を用いて切断されている底面用樹脂フィルム３およびデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から容易に剥離して除去することができる。 In the present invention, the space 4 is formed at the boundary between the end portion 1d of the silicon wafer 1 and the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3. The resin film 3 is cut to form a cut piece 7 in which the collar portion 2a of the device surface resin film 2 and the collar portion 3a of the bottom surface resin film 3 are integrated, and the cut piece 7 thus formed is used. The cut bottom resin film 3 and device surface resin film 2 can be easily peeled off and removed from the silicon wafer 1 .

図１において、空間４でシリコンウェハ１およびデバイス面用樹脂フィルム２の双方と非接触である底面用樹脂フィルム３のシリコンウェハ１の直径方向における長さＬは、特に限定されない。長さＬは、空間４が存在している箇所で底面用樹脂フィルム３を容易に切断することができるようにする観点から、好ましくは０．１ｍｍ以上、より好ましくは０．３ｍｍ以上、さらに好ましくは０．５ｍｍ以上であり、シリコンウェハ１の変形を防止し、底面用樹脂フィルム３が切断された箇所で底面用樹脂フィルム３とともにデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から容易に剥離することができるようにする観点から、好ましくは８ｍｍ以下、より好ましくは５ｍｍ以下、さらに好ましくは３ｍｍ以下である。 In FIG. 1, the length L in the diameter direction of the silicon wafer 1 of the bottom surface resin film 3 which is not in contact with both the silicon wafer 1 and the device surface resin film 2 in the space 4 is not particularly limited. The length L is preferably 0.1 mm or more, more preferably 0.3 mm or more, and still more preferably 0.3 mm or more, from the viewpoint of allowing the bottom resin film 3 to be easily cut at a location where the space 4 exists. is 0.5 mm or more to prevent deformation of the silicon wafer 1 and to easily separate the device surface resin film 2 together with the bottom surface resin film 3 from the silicon wafer 1 at the location where the bottom surface resin film 3 is cut. is preferably 8 mm or less, more preferably 5 mm or less, and even more preferably 3 mm or less, from the viewpoint of enabling

図１において、底面用樹脂フィルム３の上面から空間４の上端部までの高さＨは、シリコンウェハ１の厚さなどによって異なるので一概には決定することができないが、底面用樹脂フィルム３のみを切断装置で効率よく切断するとともに、シリコンウェハ１の変形を防止する観点から、好ましくは０．０５～１ｍｍ、より好ましくは０．１～０．８ｍｍ、さらに好ましくは０．２～０．８ｍｍである。 In FIG. 1, the height H from the upper surface of the bottom surface resin film 3 to the upper end of the space 4 varies depending on the thickness of the silicon wafer 1, etc., and cannot be determined unconditionally. is efficiently cut by a cutting device, and from the viewpoint of preventing deformation of the silicon wafer 1, it is preferably 0.05 to 1 mm, more preferably 0.1 to 0.8 mm, and even more preferably 0.2 to 0.8 mm. is.

デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させる方法としては、例えば、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３としてそれぞれ熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用い、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１に載置し、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを重ね合せた後、加熱、加圧または真空引きすることによってデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させる方法、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３として、少なくともいずれか一方に粘着面を有する樹脂フィルムを用い、当該粘着面を介してデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させる方法などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。 As a method for integrating the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3, for example, the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 are each made of a thermoplastic resin. Using resin films, the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 are placed on the silicon wafer 1, and the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3 are overlapped. After that, a method of integrating the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3 by heating, pressurizing, or vacuuming, the device surface resin film 2 and the bottom surface resin A method in which a resin film having an adhesive surface on at least one side is used as the film 3, and the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3 are integrated via the adhesive surface. etc., but the present invention is not limited only to such examples.

なお、図１～４に示される無電解めっき用シリコンウェハの実施態様では、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａは、底面用樹脂フィルム３の平面状を有する鍔部３ａの上面で一体化されているが、本発明は、当該実施態様のみによって限定されるものではなく、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３の双方を屈曲させて鍔部２ａと鍔部３ａとを接触させて一体化させてもよい。より具体的には、例えば、底面用樹脂フィルム３の上にシリコンウェハ１を載置し、シリコンウェハ１の端部１ｄを覆うようにシリコンウェハ１の上にデバイス面用樹脂フィルム２を載置し、空間４が形成されるようにデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａおよび底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａの双方を屈曲させてデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させてもよい。また、シリコンウェハ１の端部１ｄを覆うようにシリコンウェハ１のデバイス面１ａにデバイス面用樹脂フィルム２を載置し、シリコンウェハ１の底面１ｂを覆うようにシリコンウェハ１の底面１ｂに底面用樹脂フィルム３を載置し、空間４が形成されるように底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａを屈曲させてデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させてよい。以上のようにして無電解めっき用シリコンウェハを製造することができる。 In the embodiment of the silicon wafer for electroless plating shown in FIGS. 1 to 4, the flange 2a of the device surface resin film 2 is integrated with the upper surface of the planar flange 3a of the bottom surface resin film 3. However, the present invention is not limited only to this embodiment, and both the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 are bent to bring the flanges 2a and 3a into contact with each other. may be integrated with each other. More specifically, for example, the silicon wafer 1 is placed on the bottom resin film 3, and the device surface resin film 2 is placed on the silicon wafer 1 so as to cover the edge 1d of the silicon wafer 1. Then, both the collar portion 2a of the device surface resin film 2 and the collar portion 3a of the bottom surface resin film 3 are bent so as to form a space 4, and the collar portion 2a of the device surface resin film 2 and the bottom surface resin are bent. The flange portion 3a of the film 3 may be integrated. Further, a device surface resin film 2 is placed on the device surface 1a of the silicon wafer 1 so as to cover the edge 1d of the silicon wafer 1, and the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 is covered with the bottom surface 1b. The collar portion 3a of the bottom resin film 3 is bent so as to form a space 4 to form the collar portion 2a of the device surface resin film 2 and the collar portion 3a of the bottom resin film 3. and may be integrated. A silicon wafer for electroless plating can be manufactured as described above.

（２）無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法
本発明の無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法では、前記で得られた無電解めっき用シリコンウェハのデバイス面に無電解めっきを施し、無電解めっき層を形成させた後、前記空間が存在している箇所で底面用樹脂フィルムを切断し、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されている切断片を形成させ、形成された切断片を用いて切断されている底面用樹脂フィルムおよびデバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離して除去することにより、無電解めっき層含有シリコンウェハを製造することができる。 (2) Method for producing an electroless plating layer-containing silicon wafer In the method for producing an electroless plating layer-containing silicon wafer of the present invention, electroless plating is applied to the device surface of the silicon wafer for electroless plating obtained above, and After the electroplating layer is formed, the bottom resin film is cut at the location where the space exists, and the collar portion of the device surface resin film and the collar portion of the bottom resin film are integrated. A silicon wafer containing an electroless plated layer is produced by forming pieces, and peeling and removing the bottom resin film and the device surface resin film which have been cut using the formed cut pieces from the silicon wafer. can be done.

以下に本発明の無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法を図面に基づいて説明するが、本発明は、当該図面に記載されている実施態様のみに限定されるものではなく、本発明の範囲内で他の実施態様を包含していてもよい。 The method for producing an electroless plated layer-containing silicon wafer of the present invention will be described below with reference to the drawings, but the present invention is not limited only to the embodiments described in the drawings, and the scope of the present invention may include other embodiments within.

図５は、本発明において、無電解めっき層６が形成されている無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。図６は、本発明において、無電解めっき層６が形成されている無電解めっき用シリコンウェハの底面用樹脂フィルム３を切断装置５で切断するときの無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。図７は、本発明において、無電解めっき層６が形成されている無電解めっき用シリコンウェハの底面用樹脂フィルム３を切断した後、形成された切断片７で底面用樹脂フィルム３およびデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から剥離して除去するときの無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中心部における概略縦断面図である。 FIG. 5 is a schematic vertical cross-sectional view of a silicon wafer for electroless plating on which an electroless plating layer 6 is formed in the present invention at the central portion in the plane direction. FIG. 6 shows the center of the surface direction of the silicon wafer for electroless plating when the bottom resin film 3 of the silicon wafer for electroless plating on which the electroless plating layer 6 is formed is cut by the cutting device 5 in the present invention. It is a schematic vertical cross-sectional view in the part. FIG. 7 shows, in the present invention, after cutting the bottom resin film 3 of the silicon wafer for electroless plating on which the electroless plating layer 6 is formed, the formed cut piece 7 cuts the bottom resin film 3 and the device surface. 2 is a schematic vertical cross-sectional view at the center of the silicon wafer for electroless plating when the resin film 2 for electroless plating is peeled off from the silicon wafer 1 and removed. FIG.

まず、図１に示されるシリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっきを施すことにより、図５に示されるように無電解めっき層６をデバイス面１ａで形成させる。 First, the device surface 1a of the silicon wafer 1 shown in FIG. 1 is subjected to electroless plating to form an electroless plated layer 6 on the device surface 1a as shown in FIG.

無電解めっきは、電気化学的酸化還元反応によって金属を析出させる方法である。本発明においては、無電解めっき法として一般に採用されている無電解めっきの方法を用いることができ、本発明は、無電解めっき法によって限定されるものではない。無電解めっきは、例えば、シリコンウェハ１の表面上にアルミナ、銅などの薄膜をスパッタリングなどによって形成させた後、レジスト開口部の周辺領域に施すことができる。 Electroless plating is a method of depositing metals by electrochemical oxidation-reduction reactions. In the present invention, an electroless plating method generally employed as an electroless plating method can be used, and the present invention is not limited to the electroless plating method. Electroless plating can be performed, for example, on the peripheral regions of the resist openings after forming a thin film of alumina, copper, or the like on the surface of the silicon wafer 1 by sputtering or the like.

無電解めっき層６を構成する金属としては、例えば、ＮｉＰ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｐｄ－Ｐ、Ｃｕ、ＮｉＷＰ、ＮｉＢ、ＮｉＢＰなどが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。これらの金属は、それぞれ単独で用いてもよく、併用してもよい。無電解めっき層６の厚さは、特に限定されないが、通常、０．５～５０μｍ程度である。 Examples of metals forming the electroless plated layer 6 include NiP, Au, Pt, Pd, Pd—P, Cu, NiWP, NiB, and NiBP, but the present invention is limited only to such examples. not a thing These metals may be used alone or in combination. Although the thickness of the electroless plated layer 6 is not particularly limited, it is usually about 0.5 to 50 μm.

無電解めっき層６をシリコンウェハ１のデバイス面１ａで形成させた後、図６に示されるように、空間４が存在している箇所で底面用樹脂フィルム３を切断装置５で切断する。例えば、空間４の平面形状が円形である場合、空間４が存在している箇所で底面用樹脂フィルム３を切断装置５で円周状に切断することができる。その際、シリコンウェハ１およびデバイス面用樹脂フィルム２に切断装置５による傷などをつけないようにする観点から、底面用樹脂フィルム３のみを切断装置５で切断し、切断装置５がシリコンウェハ１およびデバイス面用樹脂フィルム２と接触しないようにすることが好ましい。例えば、切断装置５を治具などに固定しておき、移動装置などを用いてシリコンウェハ１を機械的に移動させることにより、空間４が存在している箇所の底面用樹脂フィルム３のみが切断装置５で切断されるようにしてもよい。 After the electroless plating layer 6 is formed on the device surface 1a of the silicon wafer 1, the bottom resin film 3 is cut by a cutting device 5 at the locations where the spaces 4 are present, as shown in FIG. For example, when the planar shape of the space 4 is circular, the bottom resin film 3 can be circumferentially cut by the cutting device 5 at the location where the space 4 exists. At this time, from the viewpoint of preventing the silicon wafer 1 and the device surface resin film 2 from being damaged by the cutting device 5, only the bottom surface resin film 3 is cut by the cutting device 5, and the cutting device 5 cuts the silicon wafer 1. and contact with the device surface resin film 2 is preferable. For example, by fixing the cutting device 5 to a jig or the like and mechanically moving the silicon wafer 1 using a moving device or the like, only the resin film 3 for the bottom surface where the space 4 exists is cut. You may make it cut|disconnect by the apparatus 5. FIG.

切断装置５としては、例えば、カッターナイフなどの刃物、レーザー光線などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。 Examples of the cutting device 5 include cutting tools such as cutter knives and laser beams, but the present invention is not limited to such examples.

底面用樹脂フィルム３を切断装置５で切断したとき、図７に示されるように、切断された底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａとが一体となっている切断片７が形成される。 When the bottom surface resin film 3 is cut by the cutting device 5, as shown in FIG. 7, the cut collar portion 3a of the bottom surface resin film 3 and the collar portion 2a of the device surface resin film 2 are integrated. A cutting piece 7 is formed.

次に、切断片７をシリコンウェハ１から剥離することにより、切断されている底面用樹脂フィルム３およびデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から除去する。切断片７は、例えば、切断片７を手指、ピンセットなどで挟み、矢印Ａ方向に移動させることにより、シリコンウェハ１から容易に除去することができる。 Next, the cut pieces 7 are separated from the silicon wafer 1 to remove the cut bottom resin film 3 and device surface resin film 2 from the silicon wafer 1 . The cut piece 7 can be easily removed from the silicon wafer 1 by, for example, pinching the cut piece 7 with fingers or tweezers and moving it in the arrow A direction.

なお、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３がシリコンウェハ１の表面上で粘着し、剥離しがたい場合には、例えば、デバイス面用樹脂フィルム２に紫外線を照射したり、加熱したりすることにより、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３を軟化または硬化させてシリコンウェハ１の表面から剥がれやすくしてもよい。 If the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 adhere on the surface of the silicon wafer 1 and are difficult to separate, for example, the device surface resin film 2 may be irradiated with ultraviolet rays or heated. The device-surface resin film 2 and the bottom-surface resin film 3 may be softened or hardened by heating and peeling off from the surface of the silicon wafer 1 .

シリコンウェハ１から切断片７を除去した後、シリコンウェハ１に存在している底面用樹脂フィルム３の端部３ｂは、シリコンウェハ１の端部１ｄから突出している。したがって、後工程で底面用樹脂フィルム３の端部３ｂを手指、ピンセットなどで挟み、引っ張ることにより、底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１から容易に剥離させることができる。 After removing the cut piece 7 from the silicon wafer 1 , the end 3 b of the bottom resin film 3 existing on the silicon wafer 1 protrudes from the end 1 d of the silicon wafer 1 . Therefore, the bottom surface resin film 3 can be easily peeled off from the silicon wafer 1 by pinching and pulling the end portion 3b of the bottom surface resin film 3 with fingers, tweezers, or the like in a post-process.

また、シリコンウェハ１に存在しているデバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３は、各樹脂フィルムの表面に粘着ロールを転動させることにより、シリコンウェハ１から容易に剥離することができる。 Further, the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 existing on the silicon wafer 1 can be easily separated from the silicon wafer 1 by rolling an adhesive roll on the surface of each resin film. .

以上説明したように、本発明によれば、シリコンウェハ１のデバイス面１ａにデバイス面用樹脂フィルム２を設けるとともに、シリコンウェハ１の底面１ｂに底面用樹脂フィルム３を設け、シリコンウェハ１の端部１ｄとデバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３との境界に空間４を形成させてデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させ、シリコンウェハ１のデバイス面１ａに無電解めっきを施した後、底面用樹脂フィルム３を切断装置５で切断することによって得られた切断片７を剥離するという操作が採られているので、底面用樹脂フィルム３とともにデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１から容易に除去することができる。 As described above, according to the present invention, the device surface resin film 2 is provided on the device surface 1a of the silicon wafer 1, the bottom surface resin film 3 is provided on the bottom surface 1b of the silicon wafer 1, and the edge of the silicon wafer 1 is provided. A space 4 is formed at the boundary between the portion 1d, the device surface resin film 2, and the bottom resin film 3, and the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3 are integrated. , after applying electroless plating to the device surface 1a of the silicon wafer 1, the bottom surface resin film 3 is cut by a cutting device 5, and the cut piece 7 obtained by peeling off is adopted. The device surface resin film 2 can be easily removed from the silicon wafer 1 together with the device surface resin film 3 .

また、本発明の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法および無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法によれば、シリコンウェハ１の周囲にデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａおよび底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａが形成されるので、シリコンウェハ１の変形、損傷などを防止することができるとともに、無電解めっきを施したときにシリコンウェハ１の端部１ｄでめっき皮膜が形成されることを防止することができる。さらに、シリコンウェハ１のデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａおよび底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａは、無電解めっきをシリコンウェハ１に施す際に用いられるめっき槽内のキャリアに固定する際の支持体として利用することができる。 Further, according to the method for producing a silicon wafer for electroless plating and the method for producing a silicon wafer containing an electroless plating layer of the present invention, the silicon wafer 1 is surrounded by the collar portion 2a of the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film. Since the flange portion 3a of 3 is formed, deformation and damage of the silicon wafer 1 can be prevented, and a plating film is formed on the end portion 1d of the silicon wafer 1 when electroless plating is performed. can be prevented. Further, the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3 of the silicon wafer 1 are fixed to a carrier in a plating tank used when electroless plating is applied to the silicon wafer 1. can be used as a support for

したがって、本発明で得られた無電解めっき用シリコンウェハおよび当該無電解めっき用シリコンウェハが用いられている無電解めっき層含有シリコンウェハは、例えば、半導体チップなどを搭載するために用いられる配線用基板、半導体ウェハなどを工業的に製造する際に好適に使用することができる。 Therefore, the silicon wafer for electroless plating obtained by the present invention and the silicon wafer containing the electroless plating layer in which the silicon wafer for electroless plating is used are used for wiring used for mounting semiconductor chips and the like, for example. It can be suitably used for industrial production of substrates, semiconductor wafers and the like.

１ シリコンウェハ
１ａ シリコンウェハのデバイス面
１ｂ シリコンウェハの底面
１ｃ シリコンウェハの底面に形成されている凹部
１ｄ シリコンウェハ１の端部
２ デバイス面用樹脂フィルム
２ａ デバイス面用樹脂フィルムの鍔部
２ｂ デバイス面用樹脂フィルムの開口部
３ 底面用樹脂フィルム
３ａ 底面用樹脂フィルムの鍔部
３ｂ 底面用樹脂フィルムの端部
４ 空間
５ 切断装置
６ 無電解めっき層
７ 切断片 REFERENCE SIGNS LIST 1 silicon wafer 1a device surface of silicon wafer 1b bottom surface of silicon wafer 1c concave portion formed in bottom surface of silicon wafer 1d edge of silicon wafer 1 2 resin film for device surface 2a flange of resin film for device surface 2b device surface opening of bottom resin film 3 bottom resin film 3a flange of bottom resin film 3b edge of bottom resin film 4 space 5 cutting device 6 electroless plated layer 7 cut piece

Claims (11)

シリコンウェハと当該シリコンウェハのデバイス面に設けられるデバイス面用樹脂フィルムと当該シリコンウェハの底面に設けられる底面用樹脂フィルムとを有する無電解めっき用シリコンウェハの製造方法であって、
前記シリコンウェハのデバイス面に当該シリコンウェハにデバイスを搭載するための開口部および当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部を有するデバイス面用樹脂フィルムを設けるとともに、前記シリコンウェハの底面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部を有する底面用樹脂フィルムを設け、
シリコンウェハの端部とデバイス面用樹脂フィルムと底面用樹脂フィルムとの境界に空間を形成させてデバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とを一体化させる
ことを特徴とする無電解めっき用シリコンウェハの製造方法。 A method for producing a silicon wafer for electroless plating, comprising a silicon wafer, a device surface resin film provided on the device surface of the silicon wafer, and a bottom surface resin film provided on the bottom surface of the silicon wafer,
A device surface resin film having an opening for mounting a device on the silicon wafer and a flange protruding from the edge of the silicon wafer is provided on the device surface of the silicon wafer, and the silicon film is provided on the bottom surface of the silicon wafer. providing a bottom resin film having a flange protruding from the edge of the wafer,
A space is formed at the edge of the silicon wafer and the boundary between the device-surface resin film and the bottom-surface resin film, and the flange portion of the device-surface resin film and the bottom-surface resin film are integrated with each other. A method for manufacturing a silicon wafer for electroless plating. 前記空間でシリコンウェハおよびデバイス面用樹脂フィルムの双方と非接触である底面用樹脂フィルムのシリコンウェハの直径方向における長さが０．１～８ｍｍである請求項１に記載の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法。 2. The silicon for electroless plating according to claim 1, wherein the length in the diameter direction of the silicon wafer of the bottom surface resin film that is not in contact with both the silicon wafer and the device surface resin film in the space is 0.1 to 8 mm. Wafer manufacturing method. 底面用樹脂フィルムの上面から前記空間の上端部までの高さが０．０５～１ｍｍである請求項１または２に記載の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法。 3. The method for producing a silicon wafer for electroless plating according to claim 1, wherein the height from the upper surface of the bottom surface resin film to the upper end of the space is 0.05 to 1 mm. シリコンウェハの底面が平面であるか、またはシリコンウェハの底面に凹部が形成されている請求項１～３のいずれかに記載の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法。 4. The method for producing a silicon wafer for electroless plating according to claim 1, wherein the bottom surface of the silicon wafer is flat or has recesses formed in the bottom surface of the silicon wafer. シリコンウェハの底面でシリコンウェハが露出している請求項１～４のいずれか記載の無電解めっき用シリコンウェハの製造方法。 5. The method for producing a silicon wafer for electroless plating according to claim 1, wherein the bottom surface of the silicon wafer is exposed. シリコンウェハと当該シリコンウェハのデバイス面に設けられるデバイス面用樹脂フィルムおよび無電解めっき層と当該シリコンウェハの底面に設けられる底面用樹脂フィルムとを有する無電解めっき層含有シリコンウェハを製造する方法であって、
前記シリコンウェハのデバイス面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部およびデバイスを搭載するための開口部およびを有するデバイス面用樹脂フィルムを設けるとともに、前記シリコンウェハの底面に当該シリコンウェハの端部から突出する鍔部を有する底面用樹脂フィルムを設け、
前記シリコンウェハの端部とデバイス面用樹脂フィルムと底面用樹脂フィルムとの境界に空間を形成させてデバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とを一体化させて無電解めっき用シリコンウェハを作製し、
当該無電解めっき用シリコンウェハのデバイス面に無電解めっきを施し、無電解めっき層を形成させた後、前記空間が存在している箇所で底面用樹脂フィルムを切断し、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されている切断片を形成させ、形成された切断片を用いて切断されている底面用樹脂フィルムおよびデバイス面用樹脂フィルムを前記シリコンウェハから剥離して除去する
ことを特徴とする無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法。 A method for producing an electroless plating layer-containing silicon wafer having a silicon wafer, a device surface resin film provided on the device surface of the silicon wafer, an electroless plating layer, and a bottom surface resin film provided on the bottom surface of the silicon wafer There is
A device surface resin film having a collar portion protruding from an edge of the silicon wafer and an opening for mounting a device is provided on the device surface of the silicon wafer, and an edge of the silicon wafer is provided on the bottom surface of the silicon wafer. Provide a resin film for the bottom surface having a flange protruding from the part,
A space is formed at the edge of the silicon wafer and the boundary between the device surface resin film and the bottom surface resin film, and the brim portion of the device surface resin film and the brim portion of the bottom surface resin film are integrated to form an electroless process. Produce a silicon wafer for plating,
After electroless plating is applied to the device surface of the silicon wafer for electroless plating to form an electroless plating layer, the resin film for the bottom surface is cut at the location where the space exists, and the resin film for the device surface is cut. A cut piece in which the collar portion and the collar portion of the bottom resin film are integrated is formed, and the bottom resin film and the device surface resin film are cut from the silicon wafer using the cut piece thus formed. A method for producing an electroless plated layer-containing silicon wafer, wherein the silicon wafer is removed by peeling. 切断された底面用樹脂フィルムとともにデバイス面用樹脂フィルムをシリコンウェハから剥離して除去した後、シリコンウェハに残存している底面用樹脂フィルムを除去する請求項６に記載の無電解めっき層を有する無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法。 After peeling and removing the device surface resin film together with the cut bottom surface resin film from the silicon wafer, the bottom surface resin film remaining on the silicon wafer is removed. A method for producing a silicon wafer containing an electroless plated layer. 前記空間でシリコンウェハおよびデバイス面用樹脂フィルムの双方と非接触である底面用樹脂フィルムのシリコンウェハの直径方向における長さが０．１～８ｍｍである請求項６または７に記載の無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法。 8. The electroless plating according to claim 6 or 7, wherein the length in the diameter direction of the silicon wafer of the bottom resin film, which is not in contact with both the silicon wafer and the device surface resin film in the space, is 0.1 to 8 mm. A method for producing a layer-containing silicon wafer. 底面用樹脂フィルムの上面から前記空間の上端部までの高さが０．０５～１ｍｍである請求項６～８のいずれかに記載の無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法。 9. The method for producing an electroless plated layer-containing silicon wafer according to claim 6, wherein the height from the upper surface of the bottom surface resin film to the upper end of the space is 0.05 to 1 mm. シリコンウェハの底面が平面であるか、またはシリコンウェハの底面に凹部が形成されている請求項６～９のいずれかに記載の無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法。 10. The method for producing an electroless plated layer-containing silicon wafer according to any one of claims 6 to 9, wherein the silicon wafer has a flat bottom surface or a concave portion formed in the bottom surface of the silicon wafer. シリコンウェハの底面でシリコンウェハが露出している請求項６～１０のいずれか記載の無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法。 11. The method for producing an electroless plated layer-containing silicon wafer according to any one of claims 6 to 10, wherein the silicon wafer is exposed at the bottom surface of the silicon wafer.
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