JP3187573U

JP3187573U - Silicon wafer for electroless plating

Info

Publication number: JP3187573U
Application number: JP2013005465U
Authority: JP
Inventors: 正二郎本多; 純一郎西出; 敬史伊部; 肇清川
Original assignee: Kiyokawa Plating Industries Co Ltd
Current assignee: Kiyokawa Plating Industries Co Ltd
Priority date: 2013-09-22
Filing date: 2013-09-22
Publication date: 2013-12-05
Anticipated expiration: 2023-09-22

Abstract

【課題】シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハを提供する。
【解決手段】無電解めっきに用いられるシリコンウェハ１であって、シリコンウェハ１のデバイス面１ａの外周面に当該シリコンウェハ１の端部から突出して鍔部２ａを形成するデバイス面用樹脂フィルム２が設けられ、シリコンウェハ１の底面に当該底面全体を覆うとともに当該シリコンウェハ１の端部から突出して鍔部３ａを形成する底面用樹脂フィルム３が設けられ、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとが一体化されていることを特徴とする。
【選択図】図１A silicon wafer for electroless plating capable of preventing a plating film from being formed at an end portion of the silicon wafer when electroless plating is applied to the silicon wafer.
A silicon wafer 1 used for electroless plating, wherein a device surface resin film 2 is formed on an outer peripheral surface of a device surface 1a of the silicon wafer 1 so as to protrude from an end of the silicon wafer 1 to form a flange 2a. The bottom surface of the silicon wafer 1 is provided with a bottom surface resin film 3 that covers the entire bottom surface and protrudes from the end of the silicon wafer 1 to form a flange portion 3a. 2a and the flange part 3a of the resin film 3 for bottom surfaces are integrated.
[Selection] Figure 1

Description

本考案は、無電解めっき用シリコンウェハに関する。さらに詳しくは、本考案は、例えば、半導体チップなどを搭載するために用いられる配線用基板などに好適に使用することができる無電解めっき用シリコンウェハに関する。 The present invention relates to a silicon wafer for electroless plating. More specifically, the present invention relates to an electroless plating silicon wafer that can be suitably used for, for example, a wiring substrate used for mounting a semiconductor chip or the like.

一般に、配線用基板に用いられるシリコンウェハは、当該シリコンウェハ上に感光性レジストなどの液レジストを塗布し、形成されたレジスト膜上に所定形状を有するマスクを介して露光し、ドライエッチングによって露光されていないレジストを除去した後、無電解めっきによってその表面上にめっき皮膜が形成されている（例えば、特許文献１の請求項１および段落［００３７］参照）。 In general, a silicon wafer used for a wiring substrate is coated by applying a liquid resist such as a photosensitive resist on the silicon wafer, exposed on a formed resist film through a mask having a predetermined shape, and exposed by dry etching. After removing the resist that has not been formed, a plating film is formed on the surface by electroless plating (see, for example, claim 1 and paragraph [0037] of Patent Document 1).

しかし、シリコンウェハに液レジストを塗布したとき、シリコンウェハの端部に液レジストが均一に付着しないことがある。特に、近時のシリコンフェハの薄肉化のもとでは、シリコンウェハの端部がナイフエッジ状になるため、液レジストが当該ナイフエッジ状の端部に付着し難い。このように液レジストがシリコンウェハの端部に均一に付着せずにシリコンウェハが露出しているとき、当該シリコンウェハに無電解めっきを施した際に、露出しているシリコンウェハにめっき皮膜が形成され、当該めっき皮膜が容易に剥離して脱離することから、例えば、ダイシングなどの後工程でめっき皮膜が剥離し、デバイス面に付着することによって当該デバイス面を汚染することがある。 However, when a liquid resist is applied to a silicon wafer, the liquid resist may not adhere uniformly to the edge of the silicon wafer. In particular, under the recent thinning of the silicon wafer, the end portion of the silicon wafer has a knife edge shape, so that the liquid resist hardly adheres to the knife edge end portion. As described above, when the silicon wafer is exposed without the liquid resist uniformly adhering to the edge of the silicon wafer, when the electroless plating is performed on the silicon wafer, a plating film is formed on the exposed silicon wafer. Since the plating film is formed and easily peeled and detached, the device surface may be contaminated by peeling off and adhering to the device surface in a subsequent process such as dicing.

特開２０１２−２４３８９７号公報JP 2012-243897 A

本考案は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハを提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above-described prior art, and electroless plating capable of preventing the formation of a plating film at the end of the silicon wafer when the electroless plating is applied to the silicon wafer. It is an object to provide a silicon wafer for use.

本考案は、無電解めっきに用いられるシリコンウェハであって、前記シリコンウェハのデバイス面の外周面に当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成するデバイス面用樹脂フィルムが設けられ、前記シリコンウェハの底面に当該底面全体を覆うとともに当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成する底面用樹脂フィルムが設けられ、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されていることを特徴とする無電解めっき用シリコンウェハに関する。 The present invention is a silicon wafer used for electroless plating, provided on the outer peripheral surface of the device surface of the silicon wafer is provided with a resin film for a device surface that protrudes from an end of the silicon wafer to form a flange portion, A bottom surface resin film is provided on the bottom surface of the silicon wafer so as to cover the entire bottom surface and project from the end of the silicon wafer to form a collar portion, and a collar portion of the resin film for the device surface and a collar portion of the resin film for the bottom surface, It is related with the silicon wafer for electroless plating characterized by these being integrated.

本考案の無電解めっき用シリコンウェハによれば、シリコンウェハに無電解めっきを施したときに当該シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができるという優れた効果が奏される。 According to the silicon wafer for electroless plating of the present invention, when the silicon wafer is subjected to electroless plating, it is possible to prevent a plating film from being formed at the end of the silicon wafer. Is done.

本考案の一実施態様を示す無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中央部における概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view in the center part of the surface direction of the silicon wafer for electroless plating which shows one embodiment of this invention.

本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、前記したように、無電解めっきに用いられるシリコンウェハであり、前記シリコンウェハのデバイス面の外周面に当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成するデバイス面用樹脂フィルムが設けられ、前記シリコンウェハの底面に当該底面全体を覆うとともに当該シリコンウェハの端部から突出して鍔部を形成する底面用樹脂フィルムが設けられ、デバイス面用樹脂フィルムの鍔部と底面用樹脂フィルムの鍔部とが一体化されていることを特徴とする。本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、前記構成を有するので、シリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができるという優れた効果を奏する。 As described above, the silicon wafer for electroless plating according to the present invention is a silicon wafer used for electroless plating, and a flange is formed on the outer peripheral surface of the device surface of the silicon wafer so as to protrude from the end of the silicon wafer. A resin film for a device surface is provided, and a resin film for a bottom surface is provided on the bottom surface of the silicon wafer so as to cover the entire bottom surface and project from an end portion of the silicon wafer to form a flange. The collar portion and the collar portion of the bottom surface resin film are integrated. Since the silicon wafer for electroless plating according to the present invention has the above-described configuration, it has an excellent effect that a plating film can be prevented from being formed at the end of the silicon wafer.

以下に、本考案の無電解めっき用シリコンウェハを図面に基づいて説明する。図１は、本考案の一実施態様を示す無電解めっき用シリコンウェハの面方向の中央部における概略縦断面図である。 The silicon wafer for electroless plating according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view of a central portion in the surface direction of a silicon wafer for electroless plating showing an embodiment of the present invention.

図１において、シリコンウェハ１のデバイス面１ａの外周面にシリコンウェハ1の端部から突出して鍔部２ａを形成するデバイス面用樹脂フィルム２が設けられている。シリコンウェハ１の底面１ｂに当該底面１ｂ全体を覆うとともにシリコンウェハ１の端部から突出して鍔部３ａを形成する底面用樹脂フィルム３が設けられている。図１に示されるように、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとは、一体化されている。 In FIG. 1, a device surface resin film 2 is provided on the outer peripheral surface of a device surface 1 a of a silicon wafer 1 so as to protrude from an end of the silicon wafer 1 and form a flange 2 a. The bottom surface 1b of the silicon wafer 1 is provided with a bottom surface resin film 3 that covers the entire bottom surface 1b and protrudes from an end portion of the silicon wafer 1 to form a flange 3a. As shown in FIG. 1, the flange portion 2 a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3 a of the bottom surface resin film 3 are integrated.

シリコンウェハ１の大きさは、配線用基板の用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該配線用基板の用途などに応じて適宜決定することが好ましい。また、シリコンウェハ１の形状は、特に限定されないが、通常、円形ないし楕円形である。 Since the size of the silicon wafer 1 varies depending on the usage of the wiring substrate and the like and cannot be determined unconditionally, it is preferable to appropriately determine the size of the silicon wafer 1 according to the usage of the wiring substrate. The shape of the silicon wafer 1 is not particularly limited, but is usually circular or elliptical.

シリコンウェハ１の厚さは、配線用基板の用途などによって異なるので一概には決定することができないことから、当該配線用基板の用途などに応じて適宜決定することが好ましいが、通常、３０〜８００μｍ程度である。 Since the thickness of the silicon wafer 1 varies depending on the use of the wiring substrate and the like, and cannot be determined unconditionally, it is preferable to appropriately determine the thickness depending on the use of the wiring substrate, etc. It is about 800 μm.

デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン；ナイロン１、ナイロン１２、ナイロン６、ナイロン６６などのポリアミド；ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂；塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂などの樹脂からなる樹脂フィルム、ポリウレタンエラストマーなどのエラストマーからなるフィルム、天然ゴム、スチレン−ブタジエンゴムなどの合成ゴムなどからなるゴムシートなどが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３として、紫外線硬化性樹脂フィルム、熱硬化性樹脂フィルムなどの硬化性樹脂フィルムを用いた場合、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを重ね合わせた後、デバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３とを硬化させることにより、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させることができる。 Examples of the resin film 2 for the device surface and the resin film 3 for the bottom surface include, for example, polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate; polyolefins such as polyethylene and polypropylene; polyamides such as nylon 1, nylon 12, nylon 6, nylon 66; Acrylic resins such as methyl methacrylate; resin films made of resins such as vinyl chloride resin and vinylidene chloride resin; films made of elastomers such as polyurethane elastomer; rubber sheets made of synthetic rubber such as natural rubber and styrene-butadiene rubber However, the present invention is not limited to such examples. When a curable resin film such as an ultraviolet curable resin film or a thermosetting resin film is used as the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3, the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the bottom surface resin are used. After overlapping the flange portion 3a of the film 3, the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 are cured, whereby the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 are folded. The part 3a can be integrated.

デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３の厚さは、特に限定されないが、通常、１０〜２００μｍ程度であることが好ましい。 Although the thickness of the resin film 2 for device surfaces and the resin film 3 for bottom surfaces is not specifically limited, Usually, it is preferable that it is about 10-200 micrometers.

デバイス面用樹脂フィルム２は、シリコンウェハ１のデバイス面１ａを完全には被覆しないが、シリコンウェハ１の外周面を覆うことができるようにするために、例えば、シリコンウェハ１の平面形状が円形である場合には、いわゆるリング状の樹脂フィルムであることが好ましい。デバイス面用樹脂フィルム２の直径は、鍔部２ａを形成するために、シリコンウェハ１の直径よりも大きくなるように設定される。図１に示される鍔部２ａの長さ（シリコンウェハ１の端部から樹脂フィルム２ａの端部までの長さ）Ｘは、鍔部２ａと鍔部３ａとを十分に一体化させるとともに、シリコンウェハ１の変形を防止し、取り扱い性を向上させる観点から、１〜２０ｍｍ程度であることが好ましい。 The device surface resin film 2 does not completely cover the device surface 1a of the silicon wafer 1, but in order to cover the outer peripheral surface of the silicon wafer 1, for example, the planar shape of the silicon wafer 1 is circular. In this case, a so-called ring-shaped resin film is preferable. The diameter of the device surface resin film 2 is set to be larger than the diameter of the silicon wafer 1 in order to form the flange 2a. The length (the length from the end portion of the silicon wafer 1 to the end portion of the resin film 2a) X shown in FIG. 1 is sufficient to integrate the flange portion 2a and the flange portion 3a together with silicon. From the viewpoint of preventing the deformation of the wafer 1 and improving the handleability, it is preferably about 1 to 20 mm.

シリコンウェハ１のデバイス面１ａにデバイス面用樹脂フィルム２を設ける方法としては、例えば、デバイス面用樹脂フィルム２として熱可塑性樹脂からなるデバイス面用樹脂フィルム２を用い、当該デバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１のデバイス面１ａに載置し、加熱、加圧または真空引きすることによってデバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１のデバイス面１ａに接着させる方法、デバイス面用樹脂フィルム２として粘着層を有するデバイス面用樹脂フィルム２を用い、当該デバイス面用樹脂フィルム２の粘着層が設けられている面とシリコンウェハ１のデバイス面１ａとを重ね合わせることにより、デバイス面用樹脂フィルム２をシリコンウェハ１のデバイス面１ａに接着させる方法などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。 As a method of providing the device surface resin film 2 on the device surface 1a of the silicon wafer 1, for example, a device surface resin film 2 made of a thermoplastic resin is used as the device surface resin film 2, and the device surface resin film 2 is used. Is mounted on the device surface 1a of the silicon wafer 1, and the device surface resin film 2 is adhered to the device surface 1a of the silicon wafer 1 by heating, pressurizing, or vacuuming, and the device surface resin film 2 is adhesive. Using the device surface resin film 2 having a layer, the device surface resin film 2 is overlapped with the device surface 1a of the silicon wafer 1 by overlapping the surface on which the adhesive layer of the device surface resin film 2 is provided. A method of bonding to the device surface 1a of the silicon wafer 1 can be mentioned. It is not limited only to those exemplified.

底面用樹脂フィルム３は、シリコンウェハ１の底面１ｂ全体を覆うとともにシリコンウェハ１の端部から突出して鍔部３ａを形成することができるようにするために、例えば、シリコンウェハ１の平面形状が円形である場合には、円形の樹脂フィルムであることが好ましい。底面用樹脂フィルム３の直径は、鍔部３ａを形成するために、シリコンウェハ１の直径よりも大きくなるように設定される。鍔部３ａの長さは、鍔部２ａと鍔部３ａとを十分に一体化させるとともに、シリコンウェハ１の変形を防止し、取り扱い性を向上させる観点から、鍔部２ａの長さＸと同様に、１〜２０ｍｍ程度であることが好ましく、鍔部２ａの長さＸと同一であることがより好ましい。 The bottom surface resin film 3 covers the entire bottom surface 1b of the silicon wafer 1 and protrudes from the end portion of the silicon wafer 1 to form the flange 3a. In the case of a circular shape, it is preferably a circular resin film. The diameter of the bottom surface resin film 3 is set to be larger than the diameter of the silicon wafer 1 in order to form the flange 3a. The length of the flange portion 3a is the same as the length X of the flange portion 2a from the viewpoint of sufficiently integrating the flange portion 2a and the flange portion 3a, preventing deformation of the silicon wafer 1, and improving the handleability. Furthermore, it is preferable that it is about 1-20 mm, and it is more preferable that it is the same as the length X of the collar part 2a.

シリコンウェハ１の底面１ｂに底面用樹脂フィルム３を設ける方法としては、例えば、底面用樹脂フィルム３として熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用い、底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１の底面１ｂに載置し、加熱、加圧または真空引きすることによって底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１の底面１ｂに接着させる方法、底面用樹脂フィルム３として粘着層を有する底面用樹脂フィルム３を用い、底面用樹脂フィルム３の粘着層が設けられている面とシリコンウェハ１の底面１ｂとを重ね合わせることにより、底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１の底面１ｂに接着させる方法などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。 As a method for providing the bottom surface resin film 3 on the bottom surface 1 b of the silicon wafer 1, for example, a resin film made of a thermoplastic resin is used as the bottom surface resin film 3, and the bottom surface resin film 3 is mounted on the bottom surface 1 b of the silicon wafer 1. A method of bonding the bottom surface resin film 3 to the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 by placing, heating, pressurizing or evacuating, using a bottom surface resin film 3 having an adhesive layer as the bottom surface resin film 3, Although the method etc. which adhere | attach the resin film 3 for bottom surfaces on the bottom face 1b of the silicon wafer 1 by superimposing the surface in which the adhesion layer of the resin film 3 is provided and the bottom face 1b of the silicon wafer 1 are mentioned, this invention is mentioned. Is not limited to such examples.

デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させる方法としては、例えば、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３として熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用い、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をシリコンウェハ１に載置し、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを重ね合せた後、加熱、加圧または真空引きすることによってデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させる方法、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３として、粘着層を有するデバイス面用樹脂フィルム２および粘着層を有する底面用樹脂フィルム３を用い、デバイス面用樹脂フィルム２の粘着層および底面用樹脂フィルム３の粘着層がそれぞれシリコンウェハ１のデバイス面１ａおよび底面１ｂと接するように、デバイス面用樹脂フィルム２および底面用樹脂フィルム３をそれぞれシリコンウェハ１のデバイス面１ａおよび底面１ｂに載置し、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａの粘着層と底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａの粘着層とを重ね合せることによってデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させる方法などが挙げられるが、本考案は、かかる例示のみに限定されるものではない。 Examples of a method for integrating the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3 include a resin made of a thermoplastic resin as the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3. Using the film, the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 were placed on the silicon wafer 1, and the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3 were overlapped. Thereafter, heating, pressurization, or vacuum drawing is performed to integrate the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3, the device surface resin film 2, and the bottom surface resin film. 3, the resin film for device surface 2 having an adhesive layer and the resin film for bottom surface 3 having an adhesive layer were used. The device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 are respectively connected to the device of the silicon wafer 1 so that the adhesive layer of the rumm 2 and the bottom surface resin film 3 are in contact with the device surface 1a and the bottom surface 1b of the silicon wafer 1, respectively. The ridges of the device-side resin film 2 are placed on the surface 1a and the bottom surface 1b, and the adhesive layer of the flange portion 2a of the device-side resin film 2 and the adhesive layer of the flange portion 3a of the bottom-surface resin film 3 are overlapped. Although the method etc. which integrate the part 2a and the collar part 3a of the resin film 3 for bottom surfaces are mentioned, this invention is not limited only to this illustration.

なお、図１に示される実施態様では、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとは、シリコンウェハ１の厚さ方向の中心部分で一体化されているが、本発明は、当該実施態様のみによって限定されるのではなく、シリコンウェハ１の厚さ方向のいずれの位置にデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａおよび底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａが存在していてもよい。したがって、例えば、平板状の底面用樹脂フィルム３とシリコンウェハ１の底面１ｂとが接するように平板状の底面用樹脂フィルム３の上にシリコンウェハ１が載置され、シリコンウェハ１のデバイス面１ａとデバイス面用樹脂フィルム２とが接し、シリコンウェハ１の上にデバイス面用樹脂フィルム２がシリコンウェハ１の外周面を覆うように載置され、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとが一体化されていてもよく、あるいはシリコンウェハ１のデバイス面１ａに平板状のデバイス面用樹脂フィルム２がシリコンウェハ１の外周面を覆うように載置され、シリコンウェハ１の底面１ｂに底面用樹脂フィルム３がシリコンウェハ１の底面１ｂを覆うように載置され、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとが一体化されていてもよい。 In the embodiment shown in FIG. 1, the flange portion 2 a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3 a of the bottom surface resin film 3 are integrated at the central portion in the thickness direction of the silicon wafer 1. However, the present invention is not limited only to the embodiment, and the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3 are located at any position in the thickness direction of the silicon wafer 1. May be present. Therefore, for example, the silicon wafer 1 is placed on the flat bottom resin film 3 so that the flat bottom resin film 3 and the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 are in contact with each other, and the device surface 1a of the silicon wafer 1 is placed. And the device surface resin film 2 are in contact with each other, and the device surface resin film 2 is placed on the silicon wafer 1 so as to cover the outer peripheral surface of the silicon wafer 1, and the flange portion 2a and the bottom surface of the device surface resin film 2 are placed. The flange 3a of the resin film 3 may be integrated, or a flat device surface resin film 2 is placed on the device surface 1a of the silicon wafer 1 so as to cover the outer peripheral surface of the silicon wafer 1. The bottom surface resin film 3 is placed on the bottom surface 1 b of the silicon wafer 1 so as to cover the bottom surface 1 b of the silicon wafer 1. Part 2a and the flange portion 3a of the bottom resin film 3 may be integrated.

以上説明したように、本考案の無電解めっき用シリコンウェハ１は、シリコンウェハ１のデバイス面１ａの外周面に当該シリコンウェハ１の端部から突出して鍔部２ａを形成するデバイス面用樹脂フィルム２が設けられ、シリコンウェハ１の底面１ｂに当該底面１ｂ全体を覆うとともに当該シリコンウェハ１の端部から突出して鍔部３ａを形成する底面用樹脂フィルム３が設けられ、デバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとが一体化されているので、無電解めっきを施したときにシリコンウェハ１の端部でめっき皮膜が形成されることを効果的に防止することができる。 As described above, the electroless plating silicon wafer 1 of the present invention is a device surface resin film that protrudes from the end of the silicon wafer 1 on the outer peripheral surface of the device surface 1a of the silicon wafer 1 to form the flange 2a. 2 is provided, and the bottom surface 1b of the silicon wafer 1 is provided with a bottom surface resin film 3 that covers the entire bottom surface 1b and protrudes from the end of the silicon wafer 1 to form a flange 3a. Since the flange 2a and the flange 3a of the bottom surface resin film 3 are integrated, it is possible to effectively prevent a plating film from being formed at the end of the silicon wafer 1 when electroless plating is performed. can do.

また、本考案の無電解めっき用シリコンウェハ１は、その周囲にデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａおよび底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａが形成されているので、当該シリコンウェハ１の変形、損傷などを防止することができる。さらに、無電解めっき用シリコンウェハのデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａおよび底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａは、無電解めっきをシリコンウェハに施す際に用いられるめっき槽内のキャリアに固定する際の支持体として有効利用することができる。 In addition, the silicon wafer 1 for electroless plating of the present invention is formed with the flange portion 2a of the resin film 2 for device surface and the flange portion 3a of the resin film 3 for bottom surface on the periphery thereof. Can prevent damage, etc. Further, the flange portion 2a of the device surface resin film 2 and the flange portion 3a of the bottom surface resin film 3 of the silicon wafer for electroless plating are fixed to a carrier in a plating tank used when electroless plating is applied to the silicon wafer. It can be effectively used as a support for this.

したがって、本考案の無電解めっき用シリコンウェハは、例えば、半導体チップなどを搭載するために用いられる配線用基板などを工業的に製造する際に好適に使用することができる。 Therefore, the silicon wafer for electroless plating according to the present invention can be suitably used, for example, when industrially manufacturing a wiring substrate used for mounting a semiconductor chip or the like.

１シリコンウェハ
１ａシリコンウェハのデバイス面
１ｂシリコンウェハの底面
２デバイス面用樹脂フィルム
２ａデバイス面用樹脂フィルムの鍔部
３底面用樹脂フィルム
３ａ底面用樹脂フィルムの鍔部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Silicon wafer 1a Silicon wafer device surface 1b Silicon wafer bottom surface 2 Device surface resin film 2a Device surface resin film collar 3 Bottom resin film 3a Bottom resin film collar

Claims

A silicon wafer used for electroless plating, wherein a device surface resin film is provided on an outer peripheral surface of the device surface of the silicon wafer so as to protrude from an end of the silicon wafer to form a flange, and the bottom surface of the silicon wafer Is provided with a bottom surface resin film that covers the entire bottom surface and protrudes from the edge of the silicon wafer to form a flange portion, and the flange portion of the resin film for the device surface and the flange portion of the resin film for the bottom surface are integrated. A silicon wafer for electroless plating, characterized in that