JP2023062208A - 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 - Google Patents
離型フィルムおよび電子装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023062208A JP2023062208A JP2020020009A JP2020020009A JP2023062208A JP 2023062208 A JP2023062208 A JP 2023062208A JP 2020020009 A JP2020020009 A JP 2020020009A JP 2020020009 A JP2020020009 A JP 2020020009A JP 2023062208 A JP2023062208 A JP 2023062208A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- release film
- release
- layer
- electronic components
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 38
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 24
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 12
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 11
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920013653 perfluoroalkoxyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000010702 perfluoropolyether Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 4
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006367 Neoflon Polymers 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920006361 Polyflon Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920006027 ternary co-polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
- B32B15/082—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising vinyl resins; comprising acrylic resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスに優れた離型フィルムを提供する。【解決手段】非導電性接着フィルムを介した電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、金属層（Ａ）と、金属層（Ａ）の一面上に配置され、かつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）と、を備える離型フィルム。【選択図】図１
Description
本発明は、離型フィルムおよび電子装置の製造方法に関する。
電子装置の製造工程には、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）や非導電性接着フィルム（ＮＣＦ：Non Conductive Adhesive Film）等の接着フィルムを用いて、電子装置に用いられる各種の部品や部材（以下、電子部品とも呼ぶ。）同士を加熱圧着により電気的に接続する工程がある。
ＡＣＦやＮＣＦ等の接着フィルムは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含んでいる。２つの電子部品の間に接着フィルムを配置し、電子部品同士を加熱圧着すると、接着フィルムに含まれる熱硬化性樹脂が熱によって硬化して、電子部品同士を接合することができる。
ここで、電子部品同士を加熱圧着する工程では、加熱加圧するための加熱加圧ヘッド部と電子部品との間に、加熱加圧ヘッド部と電子部品との接着を防止するための離型フィルムが配置される。
ＡＣＦやＮＣＦ等の接着フィルムは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含んでいる。２つの電子部品の間に接着フィルムを配置し、電子部品同士を加熱圧着すると、接着フィルムに含まれる熱硬化性樹脂が熱によって硬化して、電子部品同士を接合することができる。
ここで、電子部品同士を加熱圧着する工程では、加熱加圧するための加熱加圧ヘッド部と電子部品との間に、加熱加圧ヘッド部と電子部品との接着を防止するための離型フィルムが配置される。
このような離型フィルムに関する技術としては、例えば、特許文献１（特許第６４７０４６１号）に記載のものが挙げられる。
特許文献１には、熱加圧ヘッドによる圧着対象物の熱圧着時に上記圧着対象物と上記熱加圧ヘッドとの間に供給及び配置されて、上記圧着対象物と上記熱加圧ヘッドとの固着を防ぐ耐熱離型シートであって、ポリイミド基材と、上記ポリイミド基材の一方の主面上に配置されたポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）層とを有し、上記ＰＴＦＥ層を構成するＰＴＦＥの数平均分子量が６００万以上であり、上記ポリイミド基材から上記ＰＴＦＥ層を剥離するのに要する剥離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以上である耐熱離型シートが記載されている。
ところで近年、半導体デバイスの高密度化および小型化が可能になるシリコン貫通電極（ＴＳＶ）技術が注目され、開発が進められている。本技術を用いることで、半導体チップ等の電子部品を積層し、３次元構造を形成することができるため、従来のデバイスに比べて、大幅な高密度化および小型化を達成することができる。
本技術では、複数の電子部品を積み上げた後に加熱圧着するため、下層のチップにまで熱が伝わるように、従来よりもヒーターを高温化している。特に、３以上の電子部品をプレボンディングにより積層し、次いで、ポストボンディングにより、積層した３以上の電子部品を一括接合する多段一括ボンディングプロセスにおいて、ヒーター温度は従来よりもさらに高温化している。それに伴い、離型フィルムにおいても、更なる耐熱性が要求されている。
本技術では、複数の電子部品を積み上げた後に加熱圧着するため、下層のチップにまで熱が伝わるように、従来よりもヒーターを高温化している。特に、３以上の電子部品をプレボンディングにより積層し、次いで、ポストボンディングにより、積層した３以上の電子部品を一括接合する多段一括ボンディングプロセスにおいて、ヒーター温度は従来よりもさらに高温化している。それに伴い、離型フィルムにおいても、更なる耐熱性が要求されている。
本発明者らの検討によれば、離型フィルムを介してヒーターにより電子部品同士を加熱圧着する場合、電子部品を構成する半導体や金属材料と離型フィルムが、高温になるほど剥離し難くなることが見出された。
従来、フッ素系樹脂フィルム等が、当該用途の離型フィルムとして使用されている。２つの電子部品の間にＡＣＦやＮＣＦ等の接着フィルムを配置して、高温下で電子部品同士を加熱圧着する場合、高温になるほど接着フィルムを構成する樹脂成分と、離型フィルムとが溶融して融着するため、接着フィルムの一部が離型フィルムに付着してしまう場合があることが明らかになった。
接着フィルムの一部が離型フィルムに付着してしまうと、離型フィルムに付着した接着フィルムが、製造ライン中に脱落し、製造ラインの汚染や停止が起こり、製品の歩留まりが低下してしまう懸念がある。
接着フィルムの一部が離型フィルムに付着してしまう詳細な理由は明らかではないが、以下の理由が考えられる。電子部品同士を加熱圧着する場合、例えば、離型フィルムは３００℃以上に加熱される。このとき、接着フィルムを構成する樹脂成分は溶融状態になっており、さらに離型フィルムの離型層が軟化して溶融状態に近い状態になっていると考えられる。そして、溶融した接着フィルムの一部と、溶融状態に近い離型層の一部とが相溶してしまう。これにより、電子部品から離型フィルムを剥離した際に、接着フィルムの一部が離型フィルムの離型層の表面に残ってしまい、その結果、接着フィルムの一部が離型フィルムに付着してしまうと考えられる。
従来、フッ素系樹脂フィルム等が、当該用途の離型フィルムとして使用されている。２つの電子部品の間にＡＣＦやＮＣＦ等の接着フィルムを配置して、高温下で電子部品同士を加熱圧着する場合、高温になるほど接着フィルムを構成する樹脂成分と、離型フィルムとが溶融して融着するため、接着フィルムの一部が離型フィルムに付着してしまう場合があることが明らかになった。
接着フィルムの一部が離型フィルムに付着してしまうと、離型フィルムに付着した接着フィルムが、製造ライン中に脱落し、製造ラインの汚染や停止が起こり、製品の歩留まりが低下してしまう懸念がある。
接着フィルムの一部が離型フィルムに付着してしまう詳細な理由は明らかではないが、以下の理由が考えられる。電子部品同士を加熱圧着する場合、例えば、離型フィルムは３００℃以上に加熱される。このとき、接着フィルムを構成する樹脂成分は溶融状態になっており、さらに離型フィルムの離型層が軟化して溶融状態に近い状態になっていると考えられる。そして、溶融した接着フィルムの一部と、溶融状態に近い離型層の一部とが相溶してしまう。これにより、電子部品から離型フィルムを剥離した際に、接着フィルムの一部が離型フィルムの離型層の表面に残ってしまい、その結果、接着フィルムの一部が離型フィルムに付着してしまうと考えられる。
一方、支持体層にポリイミド等の耐熱性樹脂を用いることにより、離型フィルムの耐熱性を向上させることができる。しかし、本発明者らの検討によれば、このような耐熱性離型フィルムは、電子部品同士を加熱圧着する工程において、２つの電子部品の間に位置する接着フィルムに熱を上手く伝えられない場合があることが明らかになった。よって、耐熱性離型フィルムは電子部品への熱伝導性に劣っていた。
すなわち、本発明者らは、従来の離型フィルムには、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と、電子部品からの離型性とのバランスを良好にするという観点において、改善の余地があることを見出した。
すなわち、本発明者らは、従来の離型フィルムには、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と、電子部品からの離型性とのバランスを良好にするという観点において、改善の余地があることを見出した。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスに優れた離型フィルムを提供するものである。
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、金属層（Ａ）と、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）とを備える離型フィルムが、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスに優れることを見出し、本発明に至った。
本発明によれば、以下に示す離型フィルムおよび電子装置の製造方法が提供される。
［１］
非導電性接着フィルムを介した電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、
金属層（Ａ）と、
上記金属層（Ａ）の一面上に配置され、かつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）と、を備える離型フィルム。
［２］
上記［１］に記載の離型フィルムにおいて、
上記金属層（Ａ）が銅箔を含む離型フィルム。
［３］
上記［２］に記載の離型フィルムにおいて、
上記銅箔が圧延銅箔を含む離型フィルム。
［４］
上記［１］乃至［３］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記フッ素系樹脂がパーフルオロアルキル基およびパーフルオロポリエーテル骨格からなる群から選択される一種または二種以上の構造を含む離型フィルム。
［５］
上記［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体、およびテトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体からなる群から選択される一種または二種以上を含む離型フィルム。
［６］
上記［１］乃至［５］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記金属層（Ａ）の厚みが３０μｍ以下である離型フィルム。
［７］
上記［１］乃至［６］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記離型層（Ｂ）の厚みが３０μｍ以下である離型フィルム。
［８］
上記［１］乃至［７］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記離型フィルムの厚みが５０μｍ以下である離型フィルム。
［９］
上記［１］乃至［８］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
３以上の電子部品を一括接合するために用いられる離型フィルム。
［１０］
３以上の電子部品が非導電性接着フィルムを介して接合された電子装置を製造するための製造方法であって、
上記非導電性接着フィルムを介して、３以上の上記電子部品が積層された積層体を準備する準備工程と、
上記積層体と、加熱ヘッドとの間に、上記［１］乃至［９］のいずれか一つに記載の離型フィルムを上記離型層（Ｂ）側が上記積層体に向くように配置した状態で、上記加熱ヘッドにより上記積層体を押圧することにより、隣接する上記電子部品同士を加熱圧着により電気的に接続する一括接合工程と、
を含む電子装置の製造方法。
［１１］
上記［１０］に記載の電子装置の製造方法において、
上記一括接合工程における上記加熱ヘッドの加熱温度が３００℃以上である電子装置の製造方法。
非導電性接着フィルムを介した電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、
金属層（Ａ）と、
上記金属層（Ａ）の一面上に配置され、かつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）と、を備える離型フィルム。
［２］
上記［１］に記載の離型フィルムにおいて、
上記金属層（Ａ）が銅箔を含む離型フィルム。
［３］
上記［２］に記載の離型フィルムにおいて、
上記銅箔が圧延銅箔を含む離型フィルム。
［４］
上記［１］乃至［３］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記フッ素系樹脂がパーフルオロアルキル基およびパーフルオロポリエーテル骨格からなる群から選択される一種または二種以上の構造を含む離型フィルム。
［５］
上記［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体、およびテトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体からなる群から選択される一種または二種以上を含む離型フィルム。
［６］
上記［１］乃至［５］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記金属層（Ａ）の厚みが３０μｍ以下である離型フィルム。
［７］
上記［１］乃至［６］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記離型層（Ｂ）の厚みが３０μｍ以下である離型フィルム。
［８］
上記［１］乃至［７］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記離型フィルムの厚みが５０μｍ以下である離型フィルム。
［９］
上記［１］乃至［８］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
３以上の電子部品を一括接合するために用いられる離型フィルム。
［１０］
３以上の電子部品が非導電性接着フィルムを介して接合された電子装置を製造するための製造方法であって、
上記非導電性接着フィルムを介して、３以上の上記電子部品が積層された積層体を準備する準備工程と、
上記積層体と、加熱ヘッドとの間に、上記［１］乃至［９］のいずれか一つに記載の離型フィルムを上記離型層（Ｂ）側が上記積層体に向くように配置した状態で、上記加熱ヘッドにより上記積層体を押圧することにより、隣接する上記電子部品同士を加熱圧着により電気的に接続する一括接合工程と、
を含む電子装置の製造方法。
［１１］
上記［１０］に記載の電子装置の製造方法において、
上記一括接合工程における上記加熱ヘッドの加熱温度が３００℃以上である電子装置の製造方法。
本発明によれば、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスに優れた離型フィルムを提供することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。また、数値範囲の「Ａ～Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。
１．離型フィルム
以下、本実施形態に係る離型フィルム５０について説明する。
図１は、本発明に係る実施形態の離型フィルム５０の構造の一例を模式的に示した断面図である。
以下、本実施形態に係る離型フィルム５０について説明する。
図１は、本発明に係る実施形態の離型フィルム５０の構造の一例を模式的に示した断面図である。
図１に示すように、本実施形態に係る離型フィルム５０は、非導電性接着フィルムを介した電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、金属層（Ａ）と、金属層（Ａ）の一面上に配置され、かつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）と、を備える。
本発明者らは、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスに優れた離型フィルムを実現するために、鋭意検討を重ねた。その結果、金属層（Ａ）と、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）とを備えることにより、電子部品同士を加熱圧着する際に接着フィルムの付着を抑制でき、離型性を向上できるとともに、電子部品への熱伝導性を良好できることを初めて見出した。
本実施形態に係る離型フィルム５０は、金属層（Ａ）を備えることにより、離型フィルム５０の耐熱性を向上させつつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）および離型フィルム５０の厚みを相対的に薄くすることができ、その結果、離型フィルム５０の熱伝導性を良好に維持することができる。
すなわち、本実施形態に係る離型フィルム５０は、金属層（Ａ）と、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）とを備えることにより、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスを良好にすることが可能となる。
本実施形態に係る離型フィルム５０は、金属層（Ａ）を備えることにより、離型フィルム５０の耐熱性を向上させつつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）および離型フィルム５０の厚みを相対的に薄くすることができ、その結果、離型フィルム５０の熱伝導性を良好に維持することができる。
すなわち、本実施形態に係る離型フィルム５０は、金属層（Ａ）と、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）とを備えることにより、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスを良好にすることが可能となる。
本実施形態に係る離型フィルム５０全体の厚みは、機械的特性、熱伝導性、取扱い性のバランスの観点から、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは４０μｍ以下であり、さらに好ましくは３０μｍ以下であり、特に好ましくは２５μｍ以下である。
本実施形態に係る離型フィルム５０は電子部品の加熱圧着による接合に用いられる。より具体的には、２つの電子部品の間に非導電性接着フィルム（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ；ＮＣＦとも呼ぶ）を配置して、電子部品同士を加熱圧着する工程で使用する離型フィルムとして用いることができる。さらに、本実施形態に係る離型フィルム５０は、３以上の電子部品を一括接合する工程で使用する離型フィルムとして好適に用いることができる。
ここで、３以上の電子部品を一括接合する工程としては、３以上の電子部品をプレボンディングにより積層し、次いで、ポストボンディングにより、積層した３以上の電子部品を一括接合する多段一括ボンディングプロセスが挙げられる。
ここで、３以上の電子部品を一括接合する工程としては、３以上の電子部品をプレボンディングにより積層し、次いで、ポストボンディングにより、積層した３以上の電子部品を一括接合する多段一括ボンディングプロセスが挙げられる。
接合する電子部品の種類は特に限定されないが、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ、ディスクリート、発光ダイオード、受光素子等の半導体チップや半導体パネル、半導体パッケージ、インターポーザー；金属基板やガラス基板等の各種基板類（基板上に電極が設けられていてもよい）；プリント回路基板、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等の各種回路類（ＴＣＰやＦＰＣ上にＩＣ等が設けられていてもよい）；ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層等の透明導電層；等が挙げられる。
離型フィルム５０は、複数の異なる電子部品がモジュール化された電子部品の接合にも用いることができる。
離型フィルム５０は、複数の異なる電子部品がモジュール化された電子部品の接合にも用いることができる。
次に、本実施形態に係る離型フィルム５０を構成する各層について説明する。
＜金属層（Ａ）＞
金属層（Ａ）は、電子部品同士を加熱圧着により接合する際に、熱源（例えば加熱加圧ヘッド部）の熱を電子部品に効率よく伝えるための層であり、熱源により加熱される側、すなわち加熱加圧ヘッド部と接する側の層である。
金属層（Ａ）を備えることにより、離型フィルム５０の機械的特性が向上し、離型フィルム５０の搬送性やハンドリング性を向上させることができる。さらに、電子部品同士を加熱圧着する際の離型層（Ｂ）の軟化を抑制でき、その結果、溶融した接着フィルムの一部と、離型層（Ｂ）の一部とが相溶してしまうことを抑制することができる。
金属層（Ａ）は、電子部品同士を加熱圧着により接合する際に、熱源（例えば加熱加圧ヘッド部）の熱を電子部品に効率よく伝えるための層であり、熱源により加熱される側、すなわち加熱加圧ヘッド部と接する側の層である。
金属層（Ａ）を備えることにより、離型フィルム５０の機械的特性が向上し、離型フィルム５０の搬送性やハンドリング性を向上させることができる。さらに、電子部品同士を加熱圧着する際の離型層（Ｂ）の軟化を抑制でき、その結果、溶融した接着フィルムの一部と、離型層（Ｂ）の一部とが相溶してしまうことを抑制することができる。
金属層（Ａ）としては、熱伝導性に優れるとともに、粒子の脱落等がない点等から、金属箔が好ましい。金属箔としては、例えばニッケル箔、ステンレス箔、チタン箔、銀箔、金箔、モリブデン箔、銅箔およびアルミニウム箔等が挙げられる。これらの中でも、さらに安価である点等の観点から、銅箔およびアルミニウム箔から選択される少なくとも一種が好ましく、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において表面に錆びが発生し難く、表面に発生する錆びによる粉吹きを抑制できる点から、銅箔がより好ましく、圧延銅箔がさらに好ましい。
金属層（Ａ）は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
金属層（Ａ）の厚さは、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性をより一層向上させる観点から、好ましくは３０μｍ以下であり、より好ましくは２５μｍ以下であり、さらに好ましくは２０μｍ以下である。
また、金属層（Ａ）の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは８μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。金属層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性、搬送性、ハンドリング性等を向上させることができる。さらに、金属層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性がより一層向上し、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品からの離型性をより一層良好にすることができる。
金属層（Ａ）は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
また、金属層（Ａ）の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは８μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。金属層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性、搬送性、ハンドリング性等を向上させることができる。さらに、金属層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性がより一層向上し、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品からの離型性をより一層良好にすることができる。
金属層（Ａ）は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
＜離型層（Ｂ）＞
離型層（Ｂ）は離型性を有する層であり、電子部品同士を加熱圧着により接合する際に、電子部品と対向するように配置される層（すなわち、電子部品側に配置される層）であり、電子部品同士の加熱圧着後に電子部品から離型フィルム５０を剥離するために設けられる層である。
離型層（Ｂ）は特に限定されないが、例えば、コーティング層や樹脂フィルム等が挙げられる。
ここで、本実施形態において、離型性を有するとは、例えば、水に対する接触角が８０°以上である場合をいう。
離型層（Ｂ）は離型性を有する層であり、電子部品同士を加熱圧着により接合する際に、電子部品と対向するように配置される層（すなわち、電子部品側に配置される層）であり、電子部品同士の加熱圧着後に電子部品から離型フィルム５０を剥離するために設けられる層である。
離型層（Ｂ）は特に限定されないが、例えば、コーティング層や樹脂フィルム等が挙げられる。
ここで、本実施形態において、離型性を有するとは、例えば、水に対する接触角が８０°以上である場合をいう。
離型層（Ｂ）は、フッ素系樹脂を含む。
本実施形態に係るフッ素系樹脂は、離型性をより一層良好にする観点から、パーフルオロアルキル基およびパーフルオロポリエーテル骨格からなる群から選択される一種または二種以上の構造を含む樹脂がより好ましい。
本実施形態に係るフッ素系樹脂は、離型性をより一層良好にする観点から、パーフルオロアルキル基およびパーフルオロポリエーテル骨格からなる群から選択される一種または二種以上の構造を含む樹脂がより好ましい。
フッ素系樹脂の数平均分子量は、電子部品表面へのフッ素成分の付着を抑制する観点や高温時における離型性の観点から、１０万以上が好ましく、２０万以上がより好ましく、５０万以上がさらに好ましく、１００万以上がさらにより好ましい。
また、フッ素系樹脂の数平均分子量の上限は６００万未満が好ましく、５００万以下がより好ましく、４５０万以下がさらに好ましく、４００万以下がさらにより好ましい。数平均分子量の上限が上記範囲にあると、フッ素系樹脂の分散液や溶液を製膜するときに均質な離型層（Ｂ）を形成できる点で好ましい。
フッ素系樹脂の数平均分子量は、Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253-3257 (1973) に記載の手法に基づいて、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定することができる。
また、フッ素系樹脂の数平均分子量の上限は６００万未満が好ましく、５００万以下がより好ましく、４５０万以下がさらに好ましく、４００万以下がさらにより好ましい。数平均分子量の上限が上記範囲にあると、フッ素系樹脂の分散液や溶液を製膜するときに均質な離型層（Ｂ）を形成できる点で好ましい。
フッ素系樹脂の数平均分子量は、Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253-3257 (1973) に記載の手法に基づいて、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定することができる。
本実施形態に係るフッ素系樹脂としては、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）、ＰＶＦ（ポリフッ化ビニル）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体）、ＥＴＦＥ（テトラフルオロエチレンとエチレンとの共重合体）、ＥＣＴＦＥ（クロロトリフルオロエチレンとエチレンとの共重合体）、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとフッ化ビニリデンとの３元共重合体、フッ素ゴム等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
これらの中でも、離型性に優れる点から、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体）およびＰＦＡ（テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体）からなる群から選択される一種または二種以上のフッ素系樹脂がより好ましい。
ポリテトラフルオロエチレンとしては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ポリフロンＰＴＦＥ」、三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＰＴＦＥ」等を挙げることができる。
テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体としては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ネオフロンＦＥＰ」、または三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＦＥＰ」等を挙げることができる。
テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体としては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ネオフロンＰＦＡ」、または三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＰＦＡ」等を挙げることができる。
これらの中でも、離型性に優れる点から、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体）およびＰＦＡ（テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体）からなる群から選択される一種または二種以上のフッ素系樹脂がより好ましい。
ポリテトラフルオロエチレンとしては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ポリフロンＰＴＦＥ」、三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＰＴＦＥ」等を挙げることができる。
テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体としては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ネオフロンＦＥＰ」、または三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＦＥＰ」等を挙げることができる。
テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体としては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ネオフロンＰＦＡ」、または三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＰＦＡ」等を挙げることができる。
本実施形態に係るフッ素系樹脂は、金属層（Ａ）およびプライマー層（Ｐ）等の離型層（Ｂ）と接する、離型フィルムを構成する層と２００℃未満の温度にて結合可能な反応基を有することが好ましい。離型層（Ｂ）と接する層と２００℃未満の温度にて結合可能な反応基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、ビニル基、スチリル基、（メタ）アクリル基、エポキシ基、メルカプト基、アルコキシシリル基、イソシアネート基等が挙げられる。中でもアルコキシシリル基が、離型フィルム表面のフッ素系樹脂の濃度を高めることができるため好ましい。
アルコキシシリル基としては、例えば、メトキシシリル基、エトキシシリル基、イソプロポキシシリル基等が挙げられる。反応性の観点から、メトキシシリル基、エトキシシリル基が好ましい。
アルコキシシリル基としては、例えば、メトキシシリル基、エトキシシリル基、イソプロポキシシリル基等が挙げられる。反応性の観点から、メトキシシリル基、エトキシシリル基が好ましい。
また、離型層（Ｂ）は、導電性材料を含んでもよい。これにより、電子部品同士を加熱圧着により接合する工程における離型フィルム５０への静電気の発生を抑制でき、電子部品の接合をより安定して行うことができる。導電性材料としては特に限定されないが、例えば、カーボン粒子等が挙げられる。
また、離型層（Ｂ）は、離型層（Ｂ）の厚みを薄くすることが可能な点から、フッ素系コーティング層であることが好ましい。フッ素系コーティング層であると、離型層（Ｂ）の厚みを薄くすることができるため、電子部品同士を加熱圧着する際の離型層（Ｂ）の軟化をより一層抑制でき、その結果、溶融した接着フィルムの一部と、離型層（Ｂ）の一部とが相溶してしまうことをより一層抑制することができる。これにより、電子部品同士を加熱圧着する際の接着フィルムの付着をより一層抑制することが可能となる。
フッ素系コーティング層は、例えば、フッ素系樹脂を含むフッ素系コーティング剤を金属層（Ａ）に塗工して乾燥することにより形成することができる。また、フッ素系コーティング剤はフッ素系樹脂のラテックスであってもよいし、フッ素系樹脂の溶液であってもよい。
フッ素系コーティング層は、例えば、フッ素系樹脂を含むフッ素系コーティング剤を金属層（Ａ）に塗工して乾燥することにより形成することができる。また、フッ素系コーティング剤はフッ素系樹脂のラテックスであってもよいし、フッ素系樹脂の溶液であってもよい。
離型層（Ｂ）の厚みは、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性をより一層向上させる観点や接着フィルムの付着をより一層抑制する観点から、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。また、離型層（Ｂ）の厚みが上記上限値以下であると、電子部品同士を加熱圧着する際の離型層（Ｂ）の軟化を抑制でき、その結果、溶融した接着フィルムの一部と、離型層（Ｂ）の一部とが相溶してしまうことを抑制することができる。
離型層（Ｂ）は単層であっても、二種以上の層であってもよい。
また、離型層（Ｂ）は、他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
また、離型層（Ｂ）は、他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
＜プライマー層（Ｐ）＞
本実施形態に係る離型フィルム５０は、離型層（Ｂ）の塗布性および離型性を向上させる観点から、離型層（Ｂ）の下層すなわち離型層（Ｂ）と金属層（Ａ）の間にプライマー層（Ｐ）を有してもよい。プライマー層（Ｐ）はシロキサン結合（－Ｓｉ－Ｏ－）やシロキサン結合を有するシラン系化合物の前駆体、またはシラノール基を有していることが好ましい。
シロキサン結合やシラノール基を有するプライマー層は、例えば、ペルヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）を、大気中または、水蒸気雰囲気下で加熱して得られるシリカ膜や、アルコキシシランのゾルゲル反応により得られるシリカ膜等が挙げられる。
本実施形態に係る離型フィルム５０は、離型層（Ｂ）の塗布性および離型性を向上させる観点から、離型層（Ｂ）の下層すなわち離型層（Ｂ）と金属層（Ａ）の間にプライマー層（Ｐ）を有してもよい。プライマー層（Ｐ）はシロキサン結合（－Ｓｉ－Ｏ－）やシロキサン結合を有するシラン系化合物の前駆体、またはシラノール基を有していることが好ましい。
シロキサン結合やシラノール基を有するプライマー層は、例えば、ペルヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）を、大気中または、水蒸気雰囲気下で加熱して得られるシリカ膜や、アルコキシシランのゾルゲル反応により得られるシリカ膜等が挙げられる。
プライマー層（Ｐ）の厚さは、例えば０．００１μｍ以上１μｍ以下である。
＜その他の層＞
本実施形態に係る離型フィルム５０は、本実施形態の効果を損なわない範囲で、金属層（Ａ）と離型層（Ｂ）との間に、例えば接着層や凹凸吸収層、衝撃吸収層等をさらに有してもよい。
本実施形態に係る離型フィルム５０は、本実施形態の効果を損なわない範囲で、金属層（Ａ）と離型層（Ｂ）との間に、例えば接着層や凹凸吸収層、衝撃吸収層等をさらに有してもよい。
２．離型フィルム５０の製造方法
本実施形態に係る離型フィルム５０の製造方法は特に限定されず、一般的に公知の積層フィルムの製造方法を採用することができる。例えば、本実施形態に係る離型フィルム５０は、ラミネート法、押出コーティング法、塗布法等の公知の製造方法を１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることによって作製することができる。離型層（Ｂ）の種類によって、公知の積層フィルムの製造方法から適切な製造方法を選択することができる。
さらに、本実施形態に係る離型フィルム５０は、例えば金属層（Ａ）上にプライマー層（Ｐ）を形成後、離型層（Ｂ）をコーティングすることにより得ることもできる。プライマー層（Ｐ）および離型層（Ｂ）の形成法は特に限定されないが、各層を形成する化合物溶液を塗布乾燥する方法が挙げられる。
本実施形態に係る離型フィルム５０の製造方法は特に限定されず、一般的に公知の積層フィルムの製造方法を採用することができる。例えば、本実施形態に係る離型フィルム５０は、ラミネート法、押出コーティング法、塗布法等の公知の製造方法を１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることによって作製することができる。離型層（Ｂ）の種類によって、公知の積層フィルムの製造方法から適切な製造方法を選択することができる。
さらに、本実施形態に係る離型フィルム５０は、例えば金属層（Ａ）上にプライマー層（Ｐ）を形成後、離型層（Ｂ）をコーティングすることにより得ることもできる。プライマー層（Ｐ）および離型層（Ｂ）の形成法は特に限定されないが、各層を形成する化合物溶液を塗布乾燥する方法が挙げられる。
３．電子装置の製造方法
本実施形態に係る離型フィルム５０は、電子部品の加熱圧着による接合に用いられる。より具体的には、本実施形態に係る離型フィルム５０は、第１電子部品と第２電子部品とが熱硬化型の非導電性接着フィルムを介して接合された電子装置を製造するために好適に用いることができる。
本実施形態に係る離型フィルム５０を用いた電子装置の製造方法は、例えば、非導電性接着フィルムを介して第１電子部品上に配置された第２電子部品と、加熱ヘッドとの間に、離型フィルム５０を離型層（Ｂ）側が第２電子部品に向くように配置した状態で、加熱ヘッドにより第２電子部品を第１電子部品に向けて押圧することにより、第１電子部品および第２電子部品を加熱圧着により電気的に接続する工程を含む。
本実施形態に係る離型フィルム５０は、電子部品の加熱圧着による接合に用いられる。より具体的には、本実施形態に係る離型フィルム５０は、第１電子部品と第２電子部品とが熱硬化型の非導電性接着フィルムを介して接合された電子装置を製造するために好適に用いることができる。
本実施形態に係る離型フィルム５０を用いた電子装置の製造方法は、例えば、非導電性接着フィルムを介して第１電子部品上に配置された第２電子部品と、加熱ヘッドとの間に、離型フィルム５０を離型層（Ｂ）側が第２電子部品に向くように配置した状態で、加熱ヘッドにより第２電子部品を第１電子部品に向けて押圧することにより、第１電子部品および第２電子部品を加熱圧着により電気的に接続する工程を含む。
また、本実施形態に係る離型フィルム５０を、３以上の電子部品を一括接合する工程で使用する離型フィルムとして用いる場合の電子装置の製造方法としては、以下の方法が挙げられる。
３以上の電子部品が非導電性接着フィルムを介して接合された電子装置を製造するための製造方法は、非導電性接着フィルムを介して、３以上の電子部品が積層された積層体を準備する準備工程と、上記積層体と、加熱ヘッドとの間に、本実施形態に係る離型フィルム５０を離型層（Ｂ）側が積層体に向くように配置した状態で、加熱ヘッドにより積層体を押圧することにより、隣接する電子部品同士を加熱圧着により電気的に接続する一括接合工程と、を含む。
ここで、準備工程では、プレボンディングにより、電子部品同士を仮接着してもよい。この場合、加熱ヘッドの加熱温度は、例えば、３３０℃未満であり、加熱ヘッドにより積層体を押圧する時間は、例えば、１秒以下である。
また、一括接合工程では、３以上の電子部品を一括で十分に接合させるために、一括接合工程における加熱ヘッドの加熱温度は、例えば３００℃以上であり、３３０℃以上であることが好ましい。また、一括接合工程における加熱ヘッドにより積層体を押圧する時間は、例えば、５秒以上、好ましくは８秒以上である。
３以上の電子部品が非導電性接着フィルムを介して接合された電子装置を製造するための製造方法は、非導電性接着フィルムを介して、３以上の電子部品が積層された積層体を準備する準備工程と、上記積層体と、加熱ヘッドとの間に、本実施形態に係る離型フィルム５０を離型層（Ｂ）側が積層体に向くように配置した状態で、加熱ヘッドにより積層体を押圧することにより、隣接する電子部品同士を加熱圧着により電気的に接続する一括接合工程と、を含む。
ここで、準備工程では、プレボンディングにより、電子部品同士を仮接着してもよい。この場合、加熱ヘッドの加熱温度は、例えば、３３０℃未満であり、加熱ヘッドにより積層体を押圧する時間は、例えば、１秒以下である。
また、一括接合工程では、３以上の電子部品を一括で十分に接合させるために、一括接合工程における加熱ヘッドの加熱温度は、例えば３００℃以上であり、３３０℃以上であることが好ましい。また、一括接合工程における加熱ヘッドにより積層体を押圧する時間は、例えば、５秒以上、好ましくは８秒以上である。
非導電性接着フィルムとしては、例えば、公知の非導電性接着フィルムを用いることができる。電子部品（第１電子部品および第２電子部品）としては特に限定されないが、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ、ディスクリート、発光ダイオード、受光素子等の半導体チップや半導体パネル、半導体パッケージ、インターポーザー；金属基板やガラス基板等の各種基板類（基板上に電極が設けられていてもよい）；プリント回路基板、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等の各種回路類（ＴＣＰやＦＰＣ上にＩＣ等が設けられていてもよい）；ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層等の透明導電層；等を挙げることができる。
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
＜材料＞
離型フィルムの作製に用いた材料の詳細は以下の通りである。
離型フィルムの作製に用いた材料の詳細は以下の通りである。
（金属層または耐熱性樹脂層（Ａ））
Ａ１：銅箔（厚み：１８μｍ）
Ａ２：ポリイミド製フィルム（東レ・デュポン株式会社社製、製品名：カプトン１００Ｈ、厚み：２５μｍ）
Ａ３：ポリイミド製フィルム（東レ・デュポン株式会社社製、製品名：カプトン８０ＥＮ、厚み：２０μｍ）
Ａ１：銅箔（厚み：１８μｍ）
Ａ２：ポリイミド製フィルム（東レ・デュポン株式会社社製、製品名：カプトン１００Ｈ、厚み：２５μｍ）
Ａ３：ポリイミド製フィルム（東レ・デュポン株式会社社製、製品名：カプトン８０ＥＮ、厚み：２０μｍ）
（離型層（Ｂ））
Ｂ１：ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）分散液１（ダイキン社製、製品名：Ｐｏｌｙｆｌｕｏｎ－Ｄ、ＰＴＦＥの数平均分子量：３４０万）
Ｂ２におけるＰＴＦＥの数平均分子量は、Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253-3257 (1973) に記載の手法に基づいて、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定した。
Ｂ２：ポリテトラフルオロエチレンフィルム（日東電工社製、製品名：ニトフロンＮｏ．９００ＵＬ、ＰＴＦＥの数平均分子量：７５０万）
また、離型層（Ｂ）の厚みはダイヤルゲージを用いて測定し、塗工幅方向で両端部および中央部３点の平均値を採用した。
Ｂ１：ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）分散液１（ダイキン社製、製品名：Ｐｏｌｙｆｌｕｏｎ－Ｄ、ＰＴＦＥの数平均分子量：３４０万）
Ｂ２におけるＰＴＦＥの数平均分子量は、Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253-3257 (1973) に記載の手法に基づいて、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定した。
Ｂ２：ポリテトラフルオロエチレンフィルム（日東電工社製、製品名：ニトフロンＮｏ．９００ＵＬ、ＰＴＦＥの数平均分子量：７５０万）
また、離型層（Ｂ）の厚みはダイヤルゲージを用いて測定し、塗工幅方向で両端部および中央部３点の平均値を採用した。
［実施例１］
金属層（Ａ１）上にＰＴＦＥ分散液１を塗布した。その後１００℃の温度で５分間乾燥させたのち、３５０℃で１０分焼成し、厚み１μｍ未満の離型層（Ｂ１）を形成し、離型フィルムを得た。
金属層（Ａ１）上にＰＴＦＥ分散液１を塗布した。その後１００℃の温度で５分間乾燥させたのち、３５０℃で１０分焼成し、厚み１μｍ未満の離型層（Ｂ１）を形成し、離型フィルムを得た。
［実施例２］
金属層（Ａ１）上にＰＴＦＥ分散液１を塗布した。その後、１００℃の温度で５分乾燥させたのち、３５０℃で１０分焼成し、厚み５μｍの離型層（Ｂ２）を形成し、離型フィルムを得た。
金属層（Ａ１）上にＰＴＦＥ分散液１を塗布した。その後、１００℃の温度で５分乾燥させたのち、３５０℃で１０分焼成し、厚み５μｍの離型層（Ｂ２）を形成し、離型フィルムを得た。
［比較例１］
市販のポリテトラフルオロエチレンフィルム（日東電工社製、製品名：ニトフロンＮｏ．９００ＵＬ、ＰＴＦＥの数平均分子量：７５０万、厚み３０μｍ）をそのまま用いた。
市販のポリテトラフルオロエチレンフィルム（日東電工社製、製品名：ニトフロンＮｏ．９００ＵＬ、ＰＴＦＥの数平均分子量：７５０万、厚み３０μｍ）をそのまま用いた。
［比較例２］
金属層（Ａ１）の代わりに耐熱樹脂層（Ａ２）を用い、離型層（Ｂ１）の厚みを表１に示す厚さに変えた以外は実施例１と同様にして離型フィルムを得た。
金属層（Ａ１）の代わりに耐熱樹脂層（Ａ２）を用い、離型層（Ｂ１）の厚みを表１に示す厚さに変えた以外は実施例１と同様にして離型フィルムを得た。
［比較例３］
金属層（Ａ１）の代わりに耐熱樹脂層（Ａ３）を用い、離型層（Ｂ１）の厚みを表１に示す厚さに変えた以外は実施例１と同様にして離型フィルムを得た。
金属層（Ａ１）の代わりに耐熱樹脂層（Ａ３）を用い、離型層（Ｂ１）の厚みを表１に示す厚さに変えた以外は実施例１と同様にして離型フィルムを得た。
＜評価＞
実施例および比較例で得られた離型フィルムについて以下の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。
実施例および比較例で得られた離型フィルムについて以下の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。
（１）電子部品同士を加熱圧着する際の接着フィルムの付着評価（離型性評価）
シリコンウェハ―上にＮＣＦ（特開２０１８－２２８１９号公報の実施例１に記載のアンダーフィル絶縁フィルム）を接着した。次いで、ＮＣＦ上に実施例および比較例で得られた離型フィルムを積層し、得られた積層体を３５０℃、圧着圧力０．６ＭＰａの条件で、３０秒間プレスした。次いで、積層体を室温まで冷却してから離型フィルムをＮＣＦから剥離した。次いで、離型フィルムの表面を観察し、ＮＣＦの付着の有無を以下の基準で評価した。なお、離型フィルムおよびＮＣＦのサイズはそれぞれ１ｘ５ｃｍ、１ｘ１ｃｍである。試験後にＮＣＦと接触した１ｘ１ｃｍの部位を観察した。
◎：離型フィルムの表面にＮＣＦの接触痕がわずかに観察された以外は付着物が全く観察されなかった。
○：離型フィルムの表面にＮＣＦの接触痕が観察されたが、付着物は無かった。試験後もフィルムの表面は平滑であった。
×：離型フィルムの表面に粉状０．５～２ｍｍの付着物が観察された。試験後のフィルムの試験部位に触れると付着物が脱落した。
シリコンウェハ―上にＮＣＦ（特開２０１８－２２８１９号公報の実施例１に記載のアンダーフィル絶縁フィルム）を接着した。次いで、ＮＣＦ上に実施例および比較例で得られた離型フィルムを積層し、得られた積層体を３５０℃、圧着圧力０．６ＭＰａの条件で、３０秒間プレスした。次いで、積層体を室温まで冷却してから離型フィルムをＮＣＦから剥離した。次いで、離型フィルムの表面を観察し、ＮＣＦの付着の有無を以下の基準で評価した。なお、離型フィルムおよびＮＣＦのサイズはそれぞれ１ｘ５ｃｍ、１ｘ１ｃｍである。試験後にＮＣＦと接触した１ｘ１ｃｍの部位を観察した。
◎：離型フィルムの表面にＮＣＦの接触痕がわずかに観察された以外は付着物が全く観察されなかった。
○：離型フィルムの表面にＮＣＦの接触痕が観察されたが、付着物は無かった。試験後もフィルムの表面は平滑であった。
×：離型フィルムの表面に粉状０．５～２ｍｍの付着物が観察された。試験後のフィルムの試験部位に触れると付着物が脱落した。
（２）実装用ボンダーを用いた熱伝導性試験
１０ｍｍ角のシリコンウェハと、高さ３μｍのバンプを有する１０ｍｍ角のチップ（ウォルツ社製）の間に熱電対を挟んだチップ形状物を、５０℃に熱したステージに置き、その上に離型フィルムを配置した。次に、３１０℃に設定した実装用ボンダーを用いて、荷重１０Ｎで離型フィルムを介してチップ形状物を加圧し、加圧開始から１５秒後のチップ形状物の温度を測定した。
１０ｍｍ角のシリコンウェハと、高さ３μｍのバンプを有する１０ｍｍ角のチップ（ウォルツ社製）の間に熱電対を挟んだチップ形状物を、５０℃に熱したステージに置き、その上に離型フィルムを配置した。次に、３１０℃に設定した実装用ボンダーを用いて、荷重１０Ｎで離型フィルムを介してチップ形状物を加圧し、加圧開始から１５秒後のチップ形状物の温度を測定した。
実装用ボンダーを用いた熱伝導性試験において、実施例のフィルムの方が、比較例の離型フィルムよりも、チップ形状物の温度が大きいためチップ形状物に熱を良好に伝えることができ、熱伝導性に優れることが確認された。
Ａ 金属層
Ｂ 離型層
５０ 離型フィルム
Ｂ 離型層
５０ 離型フィルム
Claims (11)
- 非導電性接着フィルムを介した電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、
金属層（Ａ）と、
前記金属層（Ａ）の一面上に配置され、かつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）と、を備える離型フィルム。 - 請求項１に記載の離型フィルムにおいて、
前記金属層（Ａ）が銅箔を含む離型フィルム。 - 請求項２に記載の離型フィルムにおいて、
前記銅箔が圧延銅箔を含む離型フィルム。 - 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の離型フィルムにおいて、
前記フッ素系樹脂がパーフルオロアルキル基およびパーフルオロポリエーテル骨格からなる群から選択される一種または二種以上の構造を含む離型フィルム。 - 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の離型フィルムにおいて、
前記フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体、およびテトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体からなる群から選択される一種または二種以上を含む離型フィルム。 - 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の離型フィルムにおいて、
前記金属層（Ａ）の厚みが３０μｍ以下である離型フィルム。 - 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の離型フィルムにおいて、
前記離型層（Ｂ）の厚みが３０μｍ以下である離型フィルム。 - 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の離型フィルムにおいて、
前記離型フィルムの厚みが５０μｍ以下である離型フィルム。 - 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の離型フィルムにおいて、
３以上の電子部品を一括接合するために用いられる離型フィルム。 - ３以上の電子部品が非導電性接着フィルムを介して接合された電子装置を製造するための製造方法であって、
前記非導電性接着フィルムを介して、３以上の前記電子部品が積層された積層体を準備する準備工程と、
前記積層体と、加熱ヘッドとの間に、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の離型フィルムを前記離型層（Ｂ）側が前記積層体に向くように配置した状態で、前記加熱ヘッドにより前記積層体を押圧することにより、隣接する前記電子部品同士を加熱圧着により電気的に接続する一括接合工程と、
を含む電子装置の製造方法。 - 請求項１０に記載の電子装置の製造方法において、
前記一括接合工程における前記加熱ヘッドの加熱温度が３００℃以上である電子装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020020009A JP2023062208A (ja) | 2020-02-07 | 2020-02-07 | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 |
| PCT/JP2021/002451 WO2021157406A1 (ja) | 2020-02-07 | 2021-01-25 | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020020009A JP2023062208A (ja) | 2020-02-07 | 2020-02-07 | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023062208A true JP2023062208A (ja) | 2023-05-08 |
Family
ID=77200467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020020009A Pending JP2023062208A (ja) | 2020-02-07 | 2020-02-07 | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023062208A (ja) |
| WO (1) | WO2021157406A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4684502B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2011-05-18 | 日東電工株式会社 | 導電接続方法及びそれに用いる離型シート |
| JP2006142611A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Nitto Denko Corp | 加熱圧着用複合シート及びその製造方法 |
| WO2015052860A1 (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | 日東電工株式会社 | 薄層転写用シート、電極触媒層付薄層転写用シート、薄層転写用シートの製造方法、および膜電極接合体の製造方法 |
-
2020
- 2020-02-07 JP JP2020020009A patent/JP2023062208A/ja active Pending
-
2021
- 2021-01-25 WO PCT/JP2021/002451 patent/WO2021157406A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021157406A1 (ja) | 2021-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2013133015A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
| JP2014060241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI788093B (zh) | 耐熱離型片材、與其之製造方法及使用方法 | |
| WO2007052584A1 (ja) | 積層回路基板の製造方法、回路板およびその製造方法 | |
| US10062625B2 (en) | Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same | |
| JP2009283606A (ja) | 配線部材の接続構造体及び配線部材の接続方法 | |
| TWI770330B (zh) | 安裝結構體之製造方法及其所用之片材 | |
| WO2020045338A1 (ja) | 離型フィルム | |
| JP2015095499A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US11410898B2 (en) | Manufacturing method of mounting structure, and sheet therefor | |
| JP7441298B2 (ja) | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 | |
| WO2021157406A1 (ja) | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 | |
| TWI494038B (zh) | Method of manufacturing a connecting structure | |
| JP7254512B2 (ja) | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 | |
| JP2007190802A (ja) | 複合シート | |
| JP2015084352A (ja) | 回路部材接着用積層シートおよび半導体装置の製造方法 | |
| WO2018212215A1 (ja) | アンダーフィル材、アンダーフィルフィルム、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP7393874B2 (ja) | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 | |
| JP7408286B2 (ja) | 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 | |
| JP2010245418A (ja) | 電子素子、電子素子の実装方法および電子装置の製造方法 | |
| Kim et al. | Effects of ACFs modulus and adhesion strength on the bending reliability of CIF (chip-in-flex) packages at humid environment | |
| WO2021131905A1 (ja) | はんだバンプ形成用部材、はんだバンプ形成用部材の製造方法、及びはんだバンプ付き電極基板の製造方法 | |
| JP2020044696A (ja) | 離型フィルム、およびそれを用いた電子部品アッセンブリーの製造方法 | |
| JP2007296727A (ja) | 離型シート | |
| JP5399130B2 (ja) | 電子部品内蔵基板の製造方法 |