JP2023051413A - 光コヒーレント送受信機及び光変調器の消光方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光変調器での消光状態を高精度に維持できる光コヒーレント送受信機等を提供することを目的とする。【解決手段】光コヒーレント送受信機は、単一光源のレーザ光を共有する光送信器及び光受信器を有する。光送信器は、バイアス電圧に応じてレーザ光を直交変調する、光変調器内の少なくとも1組の親側MZIと、バイアス電圧に応じてレーザ光を位相変調する、光変調器内の少なくとも2組の子側MZIとを有する。光送信器は、親側MZI及び子側MZIに印加するバイアス電圧を制御する制御回路を有する。制御回路は、光送信器の光出力をオフする際に、データ信号の入力をオフにした状態で、親側MZI間の位相差を90度付近、組毎の子側MZI間の位相差が180度になるように、親側MZI干渉計及び子側MZIに印加するバイアス電圧を制御する。【選択図】図2
Description
本発明は、光コヒーレント送受信機及び光変調器の消光方法に関する。
光コヒーレント送受信機は、レーザ光を発光する光源と、レーザ光に基づき、データ信号を直交位相変調して送信光を出力する光送信器内の光変調器と、レーザ光に基づき、入力した受信光からデータ信号を復調する光受信器とを有する。光変調器は、例えば、マッハツェンダ型変調器(Mach-Zehnder Modulator:MZM)を用いて送信光を直交位相変調する光変調器である。更に、光受信器は、ローカル光としてのレーザ光と受信光とを干渉させることで、受信光からデータ信号を得る光ハイブリッド回路を有する。光源は、光変調器に入力するレーザ光と、光ハイブリッド回路に入力するローカル光としてのレーザ光とを発光する光源である。
MZMは、光源からのレーザ光をデータ信号で光変調する直交変調器であって、光源からのレーザ光を位相変調する2個の子側光変調器と、光源からのレーザ光を直交変調する1個の親側光変調器と、電圧出力部と、変調部とを有する。各子側光変調器は、1組の子マッハツェンダ型干渉計(Mach-Zehnder Interferometer:MZI)を有する。子側光変調器は、子MZIと子MZIとの間の位相差に応じて信号光を位相変調する。親側光変調器も、1組の親MZIを有する。親側光変調器は、親MZIと親MZIとの間の位相差に応じて信号光を直交変調する。電圧出力部は、各MZIが適切に変調できるように各MZIの最適バイアス点を調整するバイアス電圧を各MZIに印加する出力部である。尚、MZIの最適バイアス点は、データ信号の基準電位となる電圧である。変調部は、直交位相変調後の信号光をデータ信号で変調する。
光コヒーレント送受信機では、光送信器及び光受信器にレーザ光を供給する光源を共有化して装置の小型化を図っている。この際、光送信器は、光送信器の光出力をオフにする光出力オフ機能が求められている。しかしながら、光受信器では、光送信器と光源を共有しているため、光送信器の光出力オフ機能で光源の動作を停止した場合、光ハイブリッド回路で受信光を得る受信動作が継続できなくなる。そこで、光送信器側の出力段に光減衰器を配置し、光源の動作を停止することなく、光受信器の受信動作を継続しながら、光減衰器で光送信器の光出力をオフする方法が知られている。
しかしながら、光コヒーレント送受信機では、光減衰器を内蔵した場合に大型化することも考えられるため、光減衰器の減衰率に依存することなく、MZMの機能で光送信器の光出力をオフすることが求められている。そこで、MZMの機能で光送信器の光出力をオフにする機能を備えた光コヒーレント送受信機が知られている。光コヒーレント送受信機では、光減衰器の減衰率に依存することなく、MZMの機能で光送信器の光出力をオフにして高い消光状態を維持できる。
光コヒーレント送受信機では、光源の動作を停止することなく、光送信器の光出力をオフする場合、親側光変調器内の親MZIの最適バイアス点をNull点にして子側光変調器内の子MZIの最適バイアス点を調整することでMZMの光出力をオフにしている。高い消光状態を維持するためには、親MZIの最適バイアス点をNull点に制御した状態で子MZIの最適バイアス点を調整することになる。
しかしながら、光コヒーレント送受信機では、親MZIの最適バイアス点をNull点に設定した状態で子MZIの最適バイアス点を調整する場合、子MZIの最適バイアス点が時間経過に応じてシフトしてしまう。子MZIの最適バイアス点が時間経過に応じてシフトする場合には、単純なピーク・ボトムサーチでは子MZIの最適バイアス点を調整しきれなくなる。その結果、MZMの機能で光送信器の光出力をオフできなくなるため、光送信器で消光状態を維持することが困難となる。
開示の技術は、かかる点に鑑みてなされたものであって、光変調器での消光状態を高精度に維持できる光コヒーレント送受信機及び光変調器の消光方法を提供することを目的とする。
本願が開示する光コヒーレント送受信機は、1つの態様において、光源と、光変調器を備えた光送信器と、光受信器とを有する。光源は、レーザ光を発光する。光変調器は、レーザ光に基づき、データ信号を直交位相変調して送信光を出力する。光受信器は、レーザ光に基づき、入力した受信光からデータ信号を得る。光送信器は、光変調器内の少なくとも1組の親側マッハツェンダ干渉計と、光変調器内の少なくとも2組の子側マッハツェンダ干渉計と、制御回路とを有する。1組の親側マッハツェンダ干渉計は、バイアス電圧に応じてレーザ光を直交変調する。2組の子側マッハツェンダ干渉計は、バイアス電圧に応じてレーザ光を位相変調する。制御回路は、親側マッハツェンダ干渉計及び子側マッハツェンダ干渉計に印加するバイアス電圧を制御する。制御回路は、光送信器の光出力をオフする際に、データ信号の入力をオフにした状態で、親側マッハツェンダ干渉計間の位相差が90度付近、組毎の子側マッハツェンダ干渉計間の位相差が180度になるように、親側マッハツェンダ干渉計及び子側マッハツェンダ干渉計に印加するバイアス電圧を制御する。
本願が開示する光コヒーレント送受信機等の1つの態様によれば、光変調器での消光状態を高精度に維持できる。
以下、本願が開示する光コヒーレント送受信機等の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。
<光コヒーレント送受信機の構成>
図1は、実施例1の光コヒーレント送受信機1の構成の一例を示すブロック図である。図1に示す光コヒーレント送受信機1は、出力側の光ファイバ2A(2)及び入力側の光ファイバ2B(2)と接続する。光コヒーレント送受信機1は、DSP(Digital Signal Processor)3と、光源4と、光送信器5と、光受信器6とを有する。DSP3は、デジタル信号処理を実行する電気部品である。DSP3は、例えば、送信データの符号化等の処理を実行し、実行後の送信データに相当するデータ信号を光送信器5に出力する。また、DSP3は、光受信器6から得たデータ信号に相当する受信データに対して復号化等の処理を実行する。
図1は、実施例1の光コヒーレント送受信機1の構成の一例を示すブロック図である。図1に示す光コヒーレント送受信機1は、出力側の光ファイバ2A(2)及び入力側の光ファイバ2B(2)と接続する。光コヒーレント送受信機1は、DSP(Digital Signal Processor)3と、光源4と、光送信器5と、光受信器6とを有する。DSP3は、デジタル信号処理を実行する電気部品である。DSP3は、例えば、送信データの符号化等の処理を実行し、実行後の送信データに相当するデータ信号を光送信器5に出力する。また、DSP3は、光受信器6から得たデータ信号に相当する受信データに対して復号化等の処理を実行する。
光源4は、例えば、波長可変のレーザダイオード等を備え、所定の波長の光を発生させて光送信器5及び光受信器6へ供給する、例えば、ITLA(Integrated Tunable Laser Assembly)である。
<光送信器の構成>
図2は、光送信器5の構成の一例を示すブロック図である。光送信器5は、光変調器10と、モニタ素子12と、制御回路13とを有する。光変調器10は、例えば、直交位相変調する偏波多重方式のMZMである。光変調器10は、例えば、アームと電極とを備え、光源4から供給されるレーザ光がアームを通過する際に、DSP3からの送信データに対応するデータ信号(駆動電圧信号)を電極に印加することでレーザ光を直交位相変調する。光変調器10は、レーザ光を直交位相変調することで、偏波多重方式の送信光を生成する。尚、電極は、例えば、駆動電圧信号の印加に応じてアームを加熱するヒータ電極である。
図2は、光送信器5の構成の一例を示すブロック図である。光送信器5は、光変調器10と、モニタ素子12と、制御回路13とを有する。光変調器10は、例えば、直交位相変調する偏波多重方式のMZMである。光変調器10は、例えば、アームと電極とを備え、光源4から供給されるレーザ光がアームを通過する際に、DSP3からの送信データに対応するデータ信号(駆動電圧信号)を電極に印加することでレーザ光を直交位相変調する。光変調器10は、レーザ光を直交位相変調することで、偏波多重方式の送信光を生成する。尚、電極は、例えば、駆動電圧信号の印加に応じてアームを加熱するヒータ電極である。
光変調器10は、第1の分岐部21と、X偏波光変調器10Aと、Y偏波光変調器10Bと、第1の合波部30と、2個のDRV26とを有する。第1の分岐部21は、光源4からのレーザ光を2本のアームに分岐し、分岐した一方のレーザ光をX偏波光変調器10Aに出力すると共に、分岐した他方のレーザ光をY偏波光変調器10Bに出力する。
X偏波光変調器10Aは、レーザ光をX偏波の信号光に直交位相変調し、直交位相変調後のX偏波の信号光をデータ信号で変調し、変調後のX偏波の信号光を第1の合波部30に出力する。Y偏波光変調器10Bは、レーザ光をY偏波の信号光に直交位相変調し、直交位相変調後のY偏波の信号光をデータ信号で変調し、変調後のY偏波の信号光を第1の合波部30に出力する。第1の合波部30は、X偏波光変調器10AからのX偏波の信号光と、Y偏波光変調器10BからのY偏波の信号光とを合波し、偏波多重信号光を送信光として光ファイバ2Aに出力する。
DRV26は、DSP3からの送信データをデータ信号に変換し、データ信号をX偏波光変調器10A及びY偏波光変調器10Bに入力するドライバ回路である。DRV26は、DRV26Aと、DRV26Bとを有する。一方のDRV26Aは、DSP3の送信データを同相成分であるI成分のデータ信号に変換し、I成分のデータ信号をX偏波光変調器10A及びY偏波光変調器10Bに入力する。他方のDRV26Bは、DSP3の送信データを直交成分であるQ成分のデータ信号に変換し、Q成分のデータ信号をX偏波光変調器10A及びY偏波光変調器10Bに入力する。
X偏波光変調器10Aは、第2の分岐部21Aと、1個の親側光変調器11A1(11A)と、2個の第3の分岐部23と、2個の子側光変調器11Bと、4個の変調部25とを有する。X偏波光変調器10Aは、2個の第2の合波部26と、第3の合波部27A(27)と、電圧出力部29A(29)とを有する。親側光変調器11A1は、1組の親MZI22A1(22)及び親MZI22A2(22)を有する。第2の分岐部21Aは、第1の分岐部21からのレーザ光を親MZI22A1及び親MZI22A2に分岐出力する。
親側光変調器11A1内の親MZI22A1は、電圧出力部29Aからのバイアス電圧に応じてレーザ光をX偏波の信号光に直交変調し、直交変調後のX偏波の信号光を第3の分岐部23A1に出力する。また、親側光変調器11A1内の親MZI22A2は、電圧出力部29Aからのバイアス電圧に応じてレーザ光をX偏波の信号光に直交変調し、直交変調後のX偏波の信号光を第3の分岐部23A2に出力する。つまり、親側光変調器11A1は、親MZI22A1と親MZI22A2との間の位相差に応じてX偏波の信号光を出力する。
子側光変調器11Bは、子側光変調器11B1と、子側光変調器11B2とを有する。第3の分岐部23A1は、直交変調後のX偏波の信号光を子側光変調器11B1内の子MZI24A1及び子MZI24A2に分岐出力する。子側光変調器11B1内の子MZI24A1は、電圧出力部29Aからのバイアス電圧に応じてX偏波の信号光を位相変調し、位相変調後のX偏波の信号光を変調部25A1に出力する。子側光変調器11B1内の子MZI24A2は、電圧出力部29Aからのバイアス電圧に応じてX偏波の信号光を位相変調し、位相変調後のX偏波の信号光を変調部25A2に出力する。つまり、子側光変調器11B1は、子MZI24A1と子MZI24A2との間の位相差に応じてX偏波の信号光を位相変調する。
変調部25A1は、位相変調後のX偏波の信号光をI成分のデータ信号で変調し、変調後のX偏波のI成分の信号光を第2の合波部26A1に出力する。また、変調部25A2は、位相変調後のX偏波の信号光をI成分のデータ信号で変調し、変調後のX偏波のI成分の信号光を第2の合波部26A1に出力する。第2の合波部26A1は、変調部25A1からの変調後のX偏波のI成分の信号光と、変調部25A2からの変調後のX偏波のI成分の信号光とを合波し、合波後のX偏波のI成分の信号光を第3の合波部27Aに出力する。
また、第3の分岐部23A2は、直交変調後のX偏波の信号光を子側光変調器11B2内の子MZI24A3及び子MZI24A4に分岐出力する。子側光変調器11B2内の子MZI24A3は、電圧出力部29Aからのバイアス電圧に応じてX偏波の信号光を位相変調し、位相変調後のX偏波の信号光を変調部25A3に出力する。また、子側光変調器11B2内の子MZI24A4は、電圧出力部29Aからのバイアス電圧に応じてX偏波の信号光を位相変調し、位相変調後のX偏波の信号光を変調部25A4に出力する。つまり、子側光変調器11B2は、子MZI24A3と子MZI24A4との間の位相差に応じてX偏波の信号光を位相変調する。
変調部25A3は、位相変調後のX偏波の信号光をQ成分のデータ信号で変調し、変調後のX偏波のQ成分の信号光を第2の合波部26A2に出力する。また、変調部25A4は、位相変調後のX偏波の信号光をQ成分のデータ信号で変調し、変調後のX偏波のQ成分の信号光を第2の合波部26A2に出力する。第2の合波部26A2は、変調部25A3からの変調後のX偏波のQ成分の信号光と、変調部25A4からの変調後のX偏波のQ成分の信号光とを合波し、合波後のX偏波のQ成分の信号光を第3の合波部27Aに出力する。
第3の合波部27Aは、第2の合波部26A1からのX偏波のI成分の信号光と、第2の合波部26A2からのX偏波のQ成分の信号光とを合波し、合波後のX偏波のIQ成分の信号光を第1の合波部30に出力する。
また、Y偏波光変調器10Bは、第2の分岐部21Bと、1個の親側光変調器11A2(11A)と、2個の第3の分岐部23B1及び23B2と、2個の子側光変調器11B3及び11B4と、4個の変調部25とを有する。更に、Y偏波光変調器10Bは、2個の第2の合波部26B1及び26B2と、第3の合波部27B(27)と、電圧出力部29B(29)とを有する。親側光変調器11A2は、1組の親MZI22B1(22)及び親MZI22B2(22)を有する。第2の分岐部21Bは、第1の分岐部21からのレーザ光を親MZI22B1及び親MZI22B2に分岐出力する。
親側光変調器11A2内の親MZI22B1は、電圧出力部29Bからのバイアス電圧に応じてレーザ光をY偏波の信号光に直交変調し、直交変調後のY偏波の信号光を第3の分岐部23B1に出力する。また、親側光変調器11A2内の親MZI22B2は、電圧出力部29Bからのバイアス電圧に応じてレーザ光をY偏波の信号光に直交変調し、直交変調後のY偏波の信号光を第3の分岐部23B2に出力する。つまり、親側光変調器11A2は、親MZI22B1と親MZI22B2との間の位相差に応じてY偏波の信号光を出力する。
子側光変調器11Bは、子側光変調器11B3と、子側光変調器11B4とを有する。第3の分岐部23B1は、直交変調後のY偏波の信号光を子側光変調器11B3内の子MZI24B1及び子MZI24B2に分岐出力する。子側光変調器11B2内の子MZI24B1は、電圧出力部29Bからのバイアス電圧に応じてY偏波の信号光を位相変調し、位相変調後のY偏波の信号光を変調部25B1に出力する。子側光変調器11B3内の子MZI24B2は、電圧出力部29Bからのバイアス電圧に応じてY偏波の信号光を位相変調し、位相変調後のY偏波の信号光を変調部25B2に出力する。つまり、子側光変調器11B3は、子MZI24B1と子MZI24B2との間の位相差に応じてY偏波の信号光を位相変調する。
変調部25B1は、位相変調後のY偏波の信号光をI成分のデータ信号で変調し、変調後のY偏波のI成分の信号光を第2の合波部26B1に出力する。また、変調部25B2は、位相変調後のY偏波の信号光をI成分のデータ信号で変調し、変調後のY偏波のI成分の信号光を第2の合波部26B1に出力する。第2の合波部26B1は、変調部25B1からの変調後のY偏波のI成分の信号光と、変調部25B2からの変調後のY偏波のI成分の信号光とを合波し、合波後のY偏波のI成分の信号光を第3の合波部27Bに出力する。
また、第3の分岐部23B2は、直交変調後のY偏波の信号光を子側光変調器11B4内の子MZI24B3及び子MZI24B4に分岐出力する。子側光変調器11B4内の子MZI24B3は、電圧出力部29Bからのバイアス電圧に応じてY偏波の信号光を位相変調し、位相変調後のY偏波の信号光を変調部25B3に出力する。子側光変調器11B4内の子MZI24B4は、電圧出力部29Bからのバイアス電圧に応じてY偏波の信号光を位相変調し、位相変調後のY偏波の信号光を変調部25B4に出力する。つまり、子側光変調器11B4は、子MZI24B3と子MZI24B4との間の位相差に応じてY偏波の信号光を位相変調する。
変調部25B3は、位相変調後のY偏波の信号光をQ成分のデータ信号で変調し、変調後のY偏波のQ成分の信号光を第2の合波部26B2に出力する。また、変調部25B4は、位相変調後のY偏波の信号光をQ成分のデータ信号で変調し、変調後のY偏波のQ成分の信号光を第2の合波部26B2に出力する。第2の合波部26B2は、変調部25B3からの変調後のY偏波のQ成分の信号光と、変調部25B4からの変調後のY偏波のQ成分の信号光とを合波し、合波後のY偏波のQ成分の信号光を第3の合波部27Bに出力する。
第3の合波部27Bは、第2の合波部26B1からのY偏波のI成分の信号光と、第2の合波部26B2からのY偏波のQ成分の信号光とを合波し、合波後のY偏波のIQ成分の信号光を第1の合波部30に出力する。
第1の合波部30は、第3の合波部27Aからの合波後のX偏波のIQ成分の信号光と、第3の合波部27Bからの合波後のY偏波のIQ成分の信号光とを合波し、偏波多重信号光を送信光として光ファイバ2Aに出力する。
また、電圧出力部29は、親MZI22及び子MZI24の最適バイアス点を調整するバイアス電圧を各親MZI22及び各子MZI24に印加する。尚、バイアス電圧には、後述するABCに使用するディザ信号を加えるものとする。電圧出力部29は、電圧出力部29Aと、電圧出力部29Bとを有する。電圧出力部29Aは、X偏波光変調器10A内の親側光変調器11A1、子側光変調器11B1及び子側光変調器11B2内の親MZI22及び子MZI24にバイアス電圧を印加する。また、電圧出力部29Bは、Y偏波光変調器10B内の親側光変調器11A2、子側光変調器11B3及び子側光変調器11B4内の親MZI22及び子MZI24にバイアス電圧を印加する。
モニタ素子12は、第3の合波部27の出力段に配置し、第3の合波部27の正相の直交位相変調後の信号光を電気変換して信号光からディザ信号に対する光出力パワーの応答を検出する。モニタ素子12は、モニタ素子12Aと、モニタ素子12Bとを有する。モニタ素子12Aは、第3の合波部27Aの正相の直交位相変調後の信号光を電気変換して信号光からディザ信号に対する光出力パワーの応答を検出する。また、モニタ素子12Bは、第3の合波部27Bの正相の直交位相変調後の信号光を電気変換して信号光からディザ信号に対する光出力パワーの応答を検出する。
制御回路13は、モニタ素子12で検出したディザ信号に対する光出力パワーの応答に基づき、各親MZI22及び各子MZI24のバイアス電圧が最適バイアス点となるように電圧出力部29を制御する。制御回路13は、制御回路13Aと、制御回路13Bとを有する。制御回路13Aは、モニタ素子12Aで検出したディザ信号に対する光出力パワーの応答に基づき、X偏波光変調器10A内の電圧出力部29Aを制御する。また、制御回路13Bは、モニタ素子12Bで検出したディザ信号に対する光出力パワーの応答に基づき、Y偏波光変調器10B内の電圧出力部29Bを制御する。
<光受信器の構成>
光受信器6は、光ファイバ2Bから偏波多重信号光を受信し、光源4から供給されるレーザ光(局発光)を用いて偏波多重信号光から所望の受信光を復調する。そして、光受信器6は、復調した受信光をデータ信号に変換し、変換後のデータ信号の受信データをDSP3に出力する。光受信器6は、光ハイブリッド回路31と、2個の光電変換部32と、2個のTIA33とを有する。光ハイブリッド回路31は、光ファイバ2Bから受信した偏波多重信号光と光源4からの局発光とを干渉させ、偏波多重信号光から局発光と同一波長のI成分及びQ成分の受信光を抽出する。
光受信器6は、光ファイバ2Bから偏波多重信号光を受信し、光源4から供給されるレーザ光(局発光)を用いて偏波多重信号光から所望の受信光を復調する。そして、光受信器6は、復調した受信光をデータ信号に変換し、変換後のデータ信号の受信データをDSP3に出力する。光受信器6は、光ハイブリッド回路31と、2個の光電変換部32と、2個のTIA33とを有する。光ハイブリッド回路31は、光ファイバ2Bから受信した偏波多重信号光と光源4からの局発光とを干渉させ、偏波多重信号光から局発光と同一波長のI成分及びQ成分の受信光を抽出する。
光電変換部32は、光ハイブリッド回路31で抽出した受信光をデータ信号に電気変換する。光電変換部32は、光電変換部32Aと、光電変換部32Bとを有する。光電変換部32Aは、光ハイブリッド回路31で抽出したI成分の受信光をI成分のデータ信号に変換する。また、光電変換部32Bは、光ハイブリッド回路31で抽出したQ成分の受信光をQ成分のデータ信号に変換する。
TIA33は、各光電変換部32からのデータ信号を増幅し、増幅後のデータ信号をデジタル変換し、デジタル変換後の受信データをDSP3に出力する。TIA33は、TIA33Aと、TIA33Bとを有する。TIA33Aは、光電変換部32AからのI成分のデータ信号を増幅し、増幅後のI成分のデータ信号をデジタル変換し、デジタル変換後のI成分の受信データをDSP3に出力する。また、TIA33Bは、光電変換部32BからのQ成分の電気信号を増幅し、増幅後のQ成分の電気信号をデジタル変換し、デジタル変換後のQ成分の受信データをDSP3に出力する。DSP3は、TIA33Aから得たI成分の受信データと、TIA33Bから得たQ成分の受信データとで受信データを取得する。
光コヒーレント送受信機1では、光源4の動作を停止することなく、光源4からのレーザ光を光送信器5及び光受信器6に供給しながら、光送信器5内の光変調器10の機能で光送信器5の光出力をオフする機能を備えている。
制御回路13は、光送信器5の光出力がオン中の場合、親側光変調器11A内の親MZI22の最適バイアス点をQuad点に制御した後、子側光変調器11B内の子MZI24の最適バイアス点がNull点になるようにバイアス電圧を調整する。制御回路13は、バイアス電圧を調整すべく、電圧出力部29を制御する。子側光変調器11B内の各子MZI24の最適バイアス点がNull点の場合とは、例えば、同一偏波側の子MZI24A1と子MZI24A2との間の位相差が180度となる状態である。また、親側光変調器11A内の各親MZI22の最適バイアス点がQuad点の場合とは、例えば、親MZI22A1と親MZI22A2との間の位相差が90度となる状態である。
制御回路13は、光送信器5の光出力がオン中の場合、親MZI22のバイアス点をQuad点に制御した状態で、各子MZI24のバイアス点をNull点に保持するために、バイアス電圧に微小な変動(ディザ信号)を加える。更に、制御回路13は、ディザ信号に対する光出力パワーの応答をモニタする。そして、制御回路13は、光出力パワーの応答が最小になるように子MZI24の最適バイアス点をバイアス制御できる。尚、バイアス制御は、動作条件や経時変動に応じて各親MZI22及び各子MZI24の最適バイアス点が変動するため、例えば、最適バイアス点を探索するABC(Auto Bias Control)のサーチを使用する。その結果、制御回路13は、光送信器5及び光受信器6の通信動作を継続しながら、ABCを使用して各親MZI22及び各子MZI24の最適バイアス点を調整できる。
図3は、MZIの光出力パワーと位相差との関係の一例を示す説明図である。尚、縦軸は1組のMZIの光出力パワー、横軸は、組内のMZI間の位相差である。Null点は、1組のMZIの光出力パワーが最小、かつ、組内のMZI間の位相差が180度となるバイアス点である。Peak点は、1組のMZIの光出力パワーが最大、かつ、組内のMZI間の位相差が0度となるバイアス点である。また、Quad点は、1組のMZIの光出力パワーが最大の1/2、かつ、組内のMZI間の位相差が90度となるバイアス点である。
<子MZIのバイアス制御>
子MZI24は、光出力パワーが最小となるNull点が最適バイアス点となる。制御回路13は、子MZI24の最適バイアス点がNull点になるようにボトムサーチを実行する場合、位相を振って光出力パワーが下がる方向に位相を変化させることになる。しかしながら、この「位相を振る」動作は信号品質を劣化させることにもなるため、位相変化は極力小さくする必要がある。従って、小さなディザ信号をバイアス電圧に加えて、できるだけ大きな応答を取り出す技術が用いられることになる。子MZI24のバイアス制御では、バイアス電圧に周波数成分f0のディザ信号を加えて、光出力パワーの応答からディザ信号の同期信号を検出する。バイアス電圧にボトム中心のディザ信号を加えると、光出力パワーの応答は2倍の周波数で変化する。従って、バイアス電圧がボトムからずれていると、光出力パワーが歪む(f0成分と2*f0成分の2つが出てくる)。制御回路13は、光出力パワーの応答からディザ信号の同期信号を抽出し、同期信号がゼロになるようにフィードバック制御をかけることで子MZI24の最適バイアス点をNull点に近づけることができる。
子MZI24は、光出力パワーが最小となるNull点が最適バイアス点となる。制御回路13は、子MZI24の最適バイアス点がNull点になるようにボトムサーチを実行する場合、位相を振って光出力パワーが下がる方向に位相を変化させることになる。しかしながら、この「位相を振る」動作は信号品質を劣化させることにもなるため、位相変化は極力小さくする必要がある。従って、小さなディザ信号をバイアス電圧に加えて、できるだけ大きな応答を取り出す技術が用いられることになる。子MZI24のバイアス制御では、バイアス電圧に周波数成分f0のディザ信号を加えて、光出力パワーの応答からディザ信号の同期信号を検出する。バイアス電圧にボトム中心のディザ信号を加えると、光出力パワーの応答は2倍の周波数で変化する。従って、バイアス電圧がボトムからずれていると、光出力パワーが歪む(f0成分と2*f0成分の2つが出てくる)。制御回路13は、光出力パワーの応答からディザ信号の同期信号を抽出し、同期信号がゼロになるようにフィードバック制御をかけることで子MZI24の最適バイアス点をNull点に近づけることができる。
尚、子MZI24のバイアス制御では、子MZI24の最適バイアス点がNull点になるように制御するが、例えば、親MZI22の最適バイアス点がPeak点又はNull点付近にある場合、子MZI24のNull点を探索するサーチの動作が不安定になる。そこで、本実施例の子MZI24のバイアス制御では、親MZI22の最適バイアス点をQuad点付近にすることで、子MZI24のNull点を探索するボトムサーチ動作が安定化できる。
制御回路13は、光送信器5の光出力がオン中の場合、親MZI22の最適バイアス点をQuad点、子MZI24の最適バイアス点をNull点になるようにABCを実行する。これに対して、制御回路13は、光送信器5の光出力がオフ中の場合、親MZI22の最適バイアス点をQuad点付近、子MZI24の最適バイアス点をNull点になるようにABCを実行することになる。尚、光送信器5の光出力がオフ中の場合は、光送信器5の光出力がオン中の場合に比較して、親MZI22の最適バイアス点を厳密にQuad点にする必要はなく、Quad点付近であればよい。従って、制御回路13は、光送信器5の光出力がオン中の場合、第1の合波部30の正相出力の光出力パワーの応答を使用する必要があるが、光送信器5の光出力がオフ中の場合、第1の合波部30の逆相出力の光パワーの応答を使用しても良い。
制御回路13は、光送信器5の光出力がオン中の変調時では、親MZI22の最適バイアス点をQuad点に設定した後、子MZI24の最適バイアス点がNull点になるように変調時の後述する第1のサーチを実行する。変調時とは、光送信器5の光出力がオン中で変調部25がオン中の場合である。また、変調部25がオン中の場合とは、データ信号の印加をオンする状態である。これに対して、制御回路13は、光送信器5の光出力がオフする機能を起動した無変調時では、親MZI22の最適バイアス点をQuad点付近に設定した後、子MZI24の最適バイアス点がNull点になるように無変調時の後述する第2のサーチを実行する。無変調時とは、光送信器5の光出力がオフ中で変調部25をオフ中の場合である。また、変調部25がオフ中の場合とは、データ信号の印加をオフする状態である。
図4は、変調時及び無変調時におけるMZIの光出力パワーと位相差との関係の一例を示す説明図である。変調時では、光出力パワーの変動幅が狭くなる特性になる。これに対して、無変調時では、光出力パワーの変動幅が広くなる特性になる。
図5は、変調時のコンスタレーションの一例を示す説明図である。尚、説明の便宜上、コンスタレーションはQPSKのコンスタレーションを例示する。コンスタレーションの原点(I、Q)は、子MZI24の最適バイアス点がNull点に相当し、光出力パワーは原点からの距離に比例することになる。子MZI24の最適バイアス点がNull点から外れると、符号の位置がずれることになる。更に、親MZI22の最適バイアス点がQuad点から外れると、符号の位置関係がゆがむことになる。図5に示す変調時のコンスタレーションでは、原点からの平均距離となる円の中がモニタできる光パワーとなる。変調時の子MZI24の光出力パワーは、各符号における光出力パワーの平均値によって光出力パワーが概ね決まる。尚、厳密には符号間を遷移する過渡状態も光出力パワーの平均値に影響するが、結論は同じである。
図6は、無変調時のコンスタレーションの一例を示す説明図である。図6に示す無変調時のコンスタレーションでは、光パワーが零付近まで小さくなる。無変調時の子MZI24の光出力パワーは、子MZI24の最適バイアス点をNull点付近に調整すると、ほぼゼロになる。
そこで、制御回路13は、ボトムサーチによって子MZI24の最適バイアス点をNull点に追い込める点では変調時でも無変調時でも同じである。しかしながら、変調時と無変調時とでは、「位相を振った時にどの程度光出力パワーが変化するのか」が変化するため、フィードバック制御のループゲインは変調時と無変調時とで適切に変更する必要がある。
従って、変調時に実行する第1のサーチでは、変動量が小さくなる特性の光出力パワーを対象とし、ディザ信号に対する光出力パワーの応答を強くし、第1のループゲインで子MZI24のNull点をサーチする。その結果、制御回路13は、変調時に子MZI24のNull点に高精度に探索できる。
これに対して、無変調時に実行する第2のサーチでは、変動量が大きくなる特性の光出力パワーを対象とし、ディザ信号に対する光出力パワーの応答を弱くし、第2のループゲインで子MZI24のNull点をサーチする。尚、第2のループゲインは、第1のループゲインに比較して小さいループゲインである。その結果、制御回路13は、無変調時に子MZI24のNull点を探索できる。
<光変調器の光出力パワー>
例えば、無変調時のX偏波光変調器10Aの動作を仮定する。尚、無変調時のY偏波光変調器10Bの動作も、無変調時のX偏波光変調器10Aの動作と同一であるため、その重複する説明は省略する。X偏波光変調器10A内の各MZIの位相差をMZC-I、MZC-Q、MZPとする。位相差MZC-Iは、例えば、子側光変調器11B1の場合、子側光変調器11B1内の子MZI24A1と子MZI24A2との間の位相差ΦIである。位相差MZC-Qは、例えば、子側光変調器11B2の場合、子側光変調器11B2内の子MZI24A3と子MZI24A4との間の位相差ΦQである。位相差MZPは、例えば、親側光変調器11A1の場合、親側光変調器11A1内の親MZI22A1と親MZI22A2との間の位相差ΦPである。そして、X偏波光変調器10Aの光出力パワーPoutは、例えば、(数1)の式に比例する。
例えば、無変調時のX偏波光変調器10Aの動作を仮定する。尚、無変調時のY偏波光変調器10Bの動作も、無変調時のX偏波光変調器10Aの動作と同一であるため、その重複する説明は省略する。X偏波光変調器10A内の各MZIの位相差をMZC-I、MZC-Q、MZPとする。位相差MZC-Iは、例えば、子側光変調器11B1の場合、子側光変調器11B1内の子MZI24A1と子MZI24A2との間の位相差ΦIである。位相差MZC-Qは、例えば、子側光変調器11B2の場合、子側光変調器11B2内の子MZI24A3と子MZI24A4との間の位相差ΦQである。位相差MZPは、例えば、親側光変調器11A1の場合、親側光変調器11A1内の親MZI22A1と親MZI22A2との間の位相差ΦPである。そして、X偏波光変調器10Aの光出力パワーPoutは、例えば、(数1)の式に比例する。
子MZI24の最適バイアス点がNull点、かつ、親MZI22の最適バイアス点がQuad点という条件では、子MZI24間の位相差ΦI、子MZI24間の位相差ΦQ及び親MZI22間の位相差ΦPは、(数2)の通りである。尚、n、m、lは整数とする。
そこで、計算の見通しを良くするため、光パワー計算式の位相差を(数3)のように置き換える。
(数3)の位相差を代入した場合、光出力パワーの計算式は(数4)の通りである。
ABCにおいては、事前に把握している各MZIの位相特性に基づいて初期位相差はΦ’I=Φ’Q=Φ’P=0の近傍に設定され、制御ブロックは位相バイアス最適条件の1つであるΦ’I=Φ’Q=Φ’P=0に近づくようフィードバック制御をかけている。
<親MZIのバイアス制御>
次に親MZI22の最適バイアス点をQuad点に設定するバイアス制御について説明する。制御回路13は、各MZIのバイアス電圧にディザ信号を重畳する。先ず、制御回路13は、第1の期間でMZC-Q位相のディザ信号の重畳をOFF、MZC-I位相のディザ信号(D1)の重畳をONにするMZC-I制御を実行する。尚、MZC-Q位相のディザ信号の重畳OFFとは、子側光変調器11B内のQ成分側の各子MZI24に印加するバイアス電圧へのディザ信号の重畳をOFFにする状態である。MZC-I位相のディザ信号の重畳ONとは、子側光変調器11B内のI成分側の各子MZI24に印加するバイアス電圧へのディザ信号の重畳をONにする状態である。
次に親MZI22の最適バイアス点をQuad点に設定するバイアス制御について説明する。制御回路13は、各MZIのバイアス電圧にディザ信号を重畳する。先ず、制御回路13は、第1の期間でMZC-Q位相のディザ信号の重畳をOFF、MZC-I位相のディザ信号(D1)の重畳をONにするMZC-I制御を実行する。尚、MZC-Q位相のディザ信号の重畳OFFとは、子側光変調器11B内のQ成分側の各子MZI24に印加するバイアス電圧へのディザ信号の重畳をOFFにする状態である。MZC-I位相のディザ信号の重畳ONとは、子側光変調器11B内のI成分側の各子MZI24に印加するバイアス電圧へのディザ信号の重畳をONにする状態である。
次に、制御回路13は、第1の期間経過後の第2の期間で、MZC-I位相のディザ信号の重畳をOFF、MZC-Q位相のディザ信号(D2)の重畳をONにするMZC-Q制御を実行する。尚、MZC-I位相のディザ信号の重畳OFFとは、子側光変調器11B内のI成分側の各子MZI24に印加するバイアス電圧へのディザ信号の重畳をOFFにする状態である。MZC-Q位相のディザ信号の重畳ONとは、子側光変調器11B内のQ成分側の各子MZI24に印加するバイアス電圧へのディザ信号の重畳をONにする状態である。
次に、制御回路13は、第2の期間経過後の第3の期間で、MZC-I位相の基準信号を+方向に所定分だけ高くし、MZC-Q位相のディザ信号(D3)の重畳をONにするMZP制御を実行する。更に、制御回路13は、第3の期間経過後の第4の期間で、MZC-I位相の基準信号を-方向に所定分だけ低くし、MZC-Q位相のディザ信号(D4)の重畳をONにするMZP制御を実行する。尚、第1の期間、第2の期間、第3の期間及び第4の期間は、例えば、同一時間幅である。
制御回路13は、図示せぬBPF(Band Pass Filter)を用いて第1の期間で重畳したディザ信号D1に対する光出力パワー応答の同期信号(D1応答)をMZC-I制御情報として検出する。更に、制御回路13は、BPFを用いて第2の期間で重畳したディザ信号D2に対する光出力パワー応答の同期信号(D2応答)をMZC-Q制御情報として検出する。更に、制御回路13は、BPFを用いて第3の期間で重畳したディザ信号D3に対する光出力パワー応答の同期信号(D3応答)を検出する。更に、制御回路13は、BPFを用いて第4の期間で重畳したディザ信号D4に対する光出力パワー応答の同期信号(D4応答)を検出する。そして、制御回路13は、(D3応答-D4応答)でMZP制御情報を得る。そして、制御回路13は、MZC-I制御情報、MZC-Q制御情報及びMZP制御情報に基づき、親MZI22の最適バイアス点がQuad点となるようにバイアス調整する。
そこで、計算上は以下のように説明できる。MZC-I位相に±ΦdI DCのバイアス電圧を加え、MZC-Q位相にΦdQのディザ信号を加えた場合には、光出力パワーの計算式は(数5)に比例する。
制御回路13は、各々のディザ信号ΦdQから同期成分(同期信号)を抽出するとは(数6)の通りである。尚、f(Φ)は、例えば、Φからディザ周波数に同期した成分を抽出した結果である。
(数6)内の2つの式の引き算は(数7)の通りである。ある程度、最適バイアス点(Φ’I=Φ’Q=Φ’P=0)に近ければ、これはΦ’Pに近似的に比例するため、線形のフィードバック制御をかけることができる。変調がかかると傾斜が変化するのは子MZI24と同じだが、基本的な考え方は同じである。
そして、光出力パワーの計算式は、(数8)の通りである。
親MZI22の最適バイアス点がQuad点にいる場合の光出力パワーの計算式は、(数9)の通りである。その結果、IとQとは独立になっており、それぞれボトムサーチをかけることで、子MZI24の最適バイアス点をNull点にキープできる。
<親MZIの最適バイアス点をNull点に設定した場合の問題>
光送信器5の光出力をオフする機能を実行する際に、例えば、親側光変調器11A内の親MZI22の最適バイアス点をNull点、子MZI24の最適バイアス点をNull点にバイアス制御する場合も考えられる。つまり、原理的に、親MZI22間の位相差を180度、子MZI24間の位相差を180度にすることで、光源4を停止しなくても、光送信器5の光出力をゼロにすることも考えられる。
光送信器5の光出力をオフする機能を実行する際に、例えば、親側光変調器11A内の親MZI22の最適バイアス点をNull点、子MZI24の最適バイアス点をNull点にバイアス制御する場合も考えられる。つまり、原理的に、親MZI22間の位相差を180度、子MZI24間の位相差を180度にすることで、光源4を停止しなくても、光送信器5の光出力をゼロにすることも考えられる。
しかしながら、親MZI22の最適バイアス点がNull点にいる場合の光出力パワーの計算式は、(数10)の通りである。この式はΦ’I=-Φ’Qの条件を満たせば最小になるため、安定化しない。
IQ位相はNull点においてゼロとする条件とした場合、親MZI22の最適バイアス点がQuad点にいれば、子MZI24の最小点(Null点)で安定化できる。また、例えば、親MZI22の最適バイアス点がQuad点から多少ずれている場合、すなわち、親MZI22の最適バイアス点がQuad点付近の場合、子MZI24の最適バイアス点をNull点に安定化できる。しかしながら、親MZI22の最適バイアス点がNull点にいる場合、時間の経過に応じてΦ’I=-Φ’Qの間で子MZI24の最適バイアス点がシフトしてしまう。その結果、光出力パワーが最小に保たれているものの、どこかで位相制御の限界に達して破綻するリスクがある。
そこで、光送信器5の光出力をオフする機能を実行する際に、親MZI22の最適バイアス点をNull点又はPeak点付近にある場合に、子MZI24の最適バイアス点をNull点にバイアス制御する際の不具合につき、さらに詳細に説明する。
親MZI22の最適バイアス点をNull点(又はPeak点)付近に維持した状態で子MZI24の最適バイアス点をNull点になるようにボトムサーチを実行することになる。図8は、親MZI22の最適バイアス点がQuad点+80度、例えば、Peak点付近の場合に子MZI24の最適バイアス点を探索するヒータ電力の変動の一例を示す説明図である。尚、横軸は時間、縦軸は子MZI24のNull点からのズレ量(ΔΦI、ΔΦQ)に相当するヒータ電力量を示す。親MZI22の最適バイアス点がPeak点付近の場合、図8に示すように各子MZI24のNull点は、ΔΦI=+ΔΦQを維持した状態で時間が経過するに連れて徐々にシフトしてしまう。その結果、時間経過に応じて各子MZI24のNull点がズレてしまう。
図9は、親MZI22の最適バイアス点がQuad点-80度、例えば、Null点付近の場合に子MZI24の最適バイアス点を探索するヒータ電力の変動の一例を示す説明図である。尚、横軸は時間、縦軸は子MZI24のNull点からのズレ量(ΔΦI、ΔΦQ)に相当するヒータ電力量を示す。親MZI22の最適バイアス点がNull点付近の場合、図9に示すように子MZI24のNull点は、ΔΦI=-ΔΦQを維持した状態で時間が経過するに連れて徐々にシフトしてしまう。その結果、時間経過に応じて各子MZI24のNull点がズレてしまう。
つまり、親MZI22の最適バイアス点がPeak点又はNull点付近にある場合、子MZI24の制御エラーがΔΦI=-ΔΦQないしΔΦI=+ΔΦQの条件でほとんどゼロになるため、子MZI24の最適バイアス点をNull点に維持できないのが実情である。この状況を定量的に考えると、本実施例の親MZI22の最適バイアス点をQuad点に制御した後、子MZI24の最適バイアス点がNull点である場合に得られる光送信器5の光出力パワーを計算する計算式は、(数1)の通りである。
(数1)の計算式は、親MZI22の最適バイアス点がQuad点にある場合、(数1)内の第3項がほぼ零になるため、各子MZI24の最適バイアス点がそれぞれNull点にいるときにΦI及びΦQが最小の値となる。
これに対して、親MZI22の最適バイアス点がNull点付近にある場合に得られる光送信器5の光出力パワーを計算する計算式は、(数11)の通りである。
(数11)の計算式は、ΦI=ΦQであれば、子MZI24の最適バイアス点がNull点になくても、ΦI、ΦQがほぼゼロになる。言い換えると、親MZI22の最適バイアス点をNull点(又はPeak点)付近に維持した状態で子MZI24の最適バイアス点のNull点を探索するボトムサーチを実行したとしても、ΦI、ΦQがほぼ零になる。そして、ΦI、ΦQがほぼ零になるため、子MZI24の最適バイアス点をNull点に維持することができない。従って、親MZI22の最適バイアス点がNull点付近にある場合には子MZI24の最適バイアス点をNull点に維持できないため、光送信器5の光出力をオフする機能を起動した場合でも、光送信器11の光出力を減衰できない。
そこで、本実施例では、光送信器5の光出力をオフする場合、親MZI22の最適バイアス点をQuad点付近にバイアス制御した後、子MZI24の最適バイアス点をNull点にバイアス制御する。
本実施例の光コヒーレント送受信機1内の制御回路13は、光送信器5の光出力をオフする機能を起動した場合、親MZI22の最適バイアス点をQuad点付近に制御した後、子MZI24の最適バイアス点がNull点になるように電圧出力部29を制御する。つまり、制御回路13は、親MZI22間の位相差を90度付近に制御した後、子MZI24間の位相差が180度になるようにバイアス制御する。この際、光送信器5の光出力がオフ中の場合でも、光変調器10の動作を継続しながら、各変調部25は、送信データに対応するデータ信号の印加をオフする。そして、各子MZI24の最適バイアス点がNull点になるため、子側光変調器11B内の各子MZI24を通過する信号光同士が打ち消し合うことで、光送信器5が出力する偏波多重信号光の光出力パワーがほぼ零になる。しかも、光源4の動作を停止することなく、光送信器5からの偏波多重信号光の出力パワーをゼロにした状態で、光受信器6の受信動作を継続できる。つまり、光コヒーレント送受信機1では、光送信器5の光出力をオフした状態でも、光変調器10の動作を継続して光出力パワーを大きく減衰できる。その結果、光源4の動作を停止することなく、高い消光性能を確保できる。
制御回路13は、光変調器10内の第1の合波部30の出力段の正相出力の光出力パワーの応答に基づき、子MZI24間の位相差が180度付近になるように、子MZI24に印加するバイアス電圧を制御する。その結果、光源4の動作を停止することなく、高い消光性能を確保できる。
制御回路13は、光送信器5の光出力がオン中の場合(変調時)、子MZI24間の位相差が180度になるように子MZI24の最適バイアス点を探索する第1のサーチを実行する。更に、制御回路13は、光送信器5の光出力がオフ中の場合(無変調時)、子MZI24間の位相差が180度になるように子MZI24の最適バイアス点を、第1のサーチに比較してループゲインを小さくして探索する第2のサーチを実行する。その結果、制御回路13は、変調時又は無変調時でも、子MZI24のNull点を探索できる。
尚、実施例1の光コヒーレント送受信機1では、光変調器10の機能で光送信器5の光出力をオフする場合を例示したが、光変調器10の機能の他に、第1の合波部30の正相出力にVOA(Variable Optical Amplifier)を配置しても良く、この場合の実施の形態につき、実施例2として以下に説明する。
図10は、実施例2の光コヒーレント送受信機1の構成の一例を示すブロック図である。尚、実施例1の光コヒーレント送受信機1と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。図10に示す光コヒーレント送受信機1と図1に示す光コヒーレント送受信機1とが異なるところは、第1の合波部30の出力段に配置するVOA15と、VOA15の逆相出力段に配置する第1のモニタ素子16とを有する点にある。VOA15は、無変調時に第1の合波部30の正相出力の光出力パワーを減衰する光減衰器である。その結果、無変調時に光変調器10の機能で光送信器5の光出力をオフしながら、VOA15で光送信器5の光出力を完全にオフできる。
第1のモニタ素子16は、無変調時のVOA15の逆相出力の光出力パワーの応答を検出する。制御回路13は、無変調時の逆相出力の光出力パワーに基づき、親MZI22の最適バイアス点をQuad点に調整する。
実施例2の光コヒーレント送受信機1では、無変調時にVOA15を用いて光送信器5の光出力をオフにした場合でも、VOA15の逆相出力の光出力パワーの応答に基づき、親MZI22の最適バイアス点をQuad点に調整する。その結果、無変調時でも、逆相出力の光出力パワーの応答に基づき、親MZI22の最適バイアス点をQuad点に調整できる。
尚、説明の便宜上、制御回路13は、無変調時に親MZI22の最適バイアス点をQuad点付近に維持するように親MZI22の最適バイアス点を調整するフィードバック制御を実行する場合を例示した。しかしながら、制御回路13は、無変調時に親MZI22の最適バイアス点をQuad点付近に維持するように親MZI22の最適バイアス点を調整するフィードフォワード制御を実行しても良く、適宜変更可能である。
本実施例では、X偏波光変調器10AからのX偏波の信号光と、Y偏波光変調器10BからのY偏波の信号光とを偏波多重する偏波多重方式を例示したが、例えば、偏波多重しない方式の光変調器にも適用可能である。
実施例1の制御回路13では、第1の合波部30の正相出力の偏波多重信号光の光出力パワーの応答に基づき、親MZI22及び子MZI24の最適バイアス点を調整する場合を例示した。しかしながら、制御回路13は、第1の合波部30の正相出力の光出力パワーの応答に基づき、子MZI24の最適バイアス点を調整し、第1の合波部30の逆相出力の光出力パワーの応答に基づき、親MZI22の最適バイアス点を調整しても良い。
1 光コヒーレント送受信機
3 DSP
4 光源
5 光送信器
6 光受信器
10 光変調器
10A X偏波光変調器
10B Y偏波光変調器
12 モニタ素子
13 制御回路
22 親MZI
24 子MZI
25 変調部
29 電圧出力部
3 DSP
4 光源
5 光送信器
6 光受信器
10 光変調器
10A X偏波光変調器
10B Y偏波光変調器
12 モニタ素子
13 制御回路
22 親MZI
24 子MZI
25 変調部
29 電圧出力部
Claims (6)
- レーザ光を発光する光源と、前記レーザ光に基づき、データ信号を直交位相変調して送信光を出力する光変調器を備えた光送信器と、前記レーザ光に基づき、入力した受信光からデータ信号を得る光受信器と、を有する光コヒーレント送受信機であって、
前記光送信器は、
バイアス電圧に応じて前記レーザ光を直交変調する、前記光変調器内の少なくとも1組の親側マッハツェンダ干渉計と、
前記バイアス電圧に応じて前記レーザ光を位相変調する、前記光変調器内の少なくとも2組の子側マッハツェンダ干渉計と、
前記親側マッハツェンダ干渉計及び前記子側マッハツェンダ干渉計に印加する前記バイアス電圧を制御する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、
前記光送信器の光出力をオフする際に、前記データ信号の入力をオフにした状態で、前記親側マッハツェンダ干渉計間の位相差が90度付近、組毎の前記子側マッハツェンダ干渉計間の位相差が180度になるように、前記親側マッハツェンダ干渉計及び前記子側マッハツェンダ干渉計に印加する前記バイアス電圧を制御することを特徴とする光コヒーレント送受信機。 - 前記制御回路は、
前記光送信器の光出力をオフする際に、前記データ信号の入力をオフにした状態で、前記親側マッハツェンダ干渉計間の位相差を90度付近に前記親側マッハツェンダ干渉計に印加する前記バイアス電圧を制御した後、組毎の前記子側マッハツェンダ干渉計間の位相差が180度になるように、前記子側マッハツェンダ干渉計に印加する前記バイアス電圧を制御することを特徴とする請求項1に記載の光コヒーレント送受信機。 - 前記制御回路は、
前記光送信器の光出力をオフする際に、前記データ信号の入力をオフにした状態で、前記光変調器の前記送信光の正相出力の光出力パワーに基づき、前記子側マッハツェンダ干渉計間の位相差が180度になるように、前記子側マッハツェンダ干渉計に印加する前記バイアス電圧を制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の光コヒーレント送受信機。 - 前記光変調器の出力段に配置され、前記光変調器からの前記送信光を減衰する光減衰器を備え、
前記制御回路は、
前記光送信器の光出力をオフする際に、前記データ信号の入力をオフにした状態で、前記光減衰器の前記送信光の逆相出力の光出力パワーに基づき、前記親側マッハツェンダ干渉計間の位相差が90度付近になるように前記親側マッハツェンダ干渉計に印加する前記バイアス電圧を制御することを特徴とする請求項1~3の何れか一つに記載の光コヒーレント送受信機。 - 前記制御回路は、
前記光送信器の光出力をオンする際に前記子側マッハツェンダ干渉計間の位相差が180度になるように前記子側マッハツェンダ干渉計の最適バイアス点を探索する第1のサーチを実行すると共に、前記光送信器の光出力をオフする際に前記子側マッハツェンダ干渉計間の位相差が180度になるように前記子側マッハツェンダ干渉計の最適バイアス点を、前記第1のサーチに比較してゲインを小さくして探索する第2のサーチを実行することを特徴とする請求項1~4の何れか一つに記載の光コヒーレント送受信機。 - レーザ光を発光する光源と、前記レーザ光に基づき、データ信号を直交位相変調して送信光を出力する光変調器を備えた光送信器と、前記レーザ光に基づき、入力した受信光からデータ信号を得る光受信器と、を有する光コヒーレント送受信機での前記光送信器の光出力をオフする前記光変調器の消光方法であって、
前記光送信器は、
バイアス電圧に応じて前記レーザ光を直交変調する、前記光変調器内の少なくとも1組の親側マッハツェンダ干渉計と、
前記バイアス電圧に応じて前記レーザ光を位相変調する、前記光変調器内の少なくとも2組の子側マッハツェンダ干渉計と、
前記親側マッハツェンダ干渉計及び前記子側マッハツェンダ干渉計に印加する前記バイアス電圧を制御する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、
前記光送信器の光出力をオフする際に、前記データ信号の入力をオフにした状態で、前記親側マッハツェンダ干渉計間の位相差が90度付近、組毎の前記子側マッハツェンダ干渉計間の位相差が180度になるように、前記親側マッハツェンダ干渉計及び前記子側マッハツェンダ干渉計に印加する前記バイアス電圧を制御することで、前記光送信器の前記光出力をオフすることを特徴とする光変調器の消光方法。
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