JP2023044406A - 圧電素子 - Google Patents

Abstract

【課題】検出帯域が狭くなることを抑制できる圧電素子を提供する。【解決手段】支持体１０と、支持体１０上に配置され、圧電膜４０および圧電膜４０と接続される電極膜５０を含み、支持体１０に支持される支持領域２１ａと、支持領域２１ａと繋がっていると共に支持体１０から浮遊している浮遊領域２１ｂとを有する振動部２０と、を備える。そして、浮遊領域２１ｂは、スリット３０によって区画された複数の振動領域２２ａ～２２ｄを有し、隣合う振動領域２２ａ～２２ａは、支持領域２１ａ側の部分で繋がるようにする。【選択図】図１

Description

本発明は、振動部を有する圧電素子に関するものである。

従来より、振動部を有する圧電素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、この圧電素子は、支持体上に、圧電膜および圧電膜と電気的に接続される電極膜を有する振動部が積層された構成とされている。そして、圧電素子は、支持体に凹部が形成されており、振動部の一部が支持体から浮遊した浮遊領域となっている。また、この圧電素子では、浮遊領域にスリットが形成されることにより、浮遊領域が複数の領域に分割されて振動領域が構成されている。なお、この圧電素子は、浮遊領域を完全に４つの領域に分割するようにスリットが形成されている。

このような圧電素子は、振動領域に音圧等の圧力が印加されることで振動領域が振動し、圧電膜に発生する電荷を検出信号として出力する。

特許第５９３６１５４号公報

しかしながら、上記の圧電素子では、スリットを介して圧力が抜け出るため、検出帯域が狭くなる可能性がある。

本発明は上記点に鑑み、検出帯域が狭くなることを抑制できる圧電素子を提供することを目的とする。

上記目的を達成するための請求項１では、支持体（１０）上に振動部（２０）が配置された圧電素子であって、支持体と、支持体上に配置され、圧電膜（４０）および圧電膜と接続される電極膜（５０）を含み、支持体に支持される支持領域（２１ａ）と、支持領域と繋がっていると共に支持体から浮遊している浮遊領域（２１ｂ）とを有する振動部と、を備え、浮遊領域は、スリット（３０）によって区画された複数の振動領域（２２ａ～２２ｄ）を有し、隣合う振動領域は、支持領域側の部分で繋がっている。

これによれば、隣合う各振動領域が支持領域側の部分にて繋がった状態となっている。このため、隣合う各振動領域が完全に分離されている場合と比較して、スリットの開口面積を小さくできる。したがって、低周波ロールオフ周波数を小さくすることで検出帯域が狭くなることを抑制できる。また、隣合う各振動領域が支持領域側と反対側の部分にて繋がった状態となっている場合と比較して、各振動領域を繋げることによる各振動領域の振動への影響が小さくなり易く、検出感度が低下することを抑制できる。

なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態における圧電素子の平面図である。 図１中のII－II線に沿った断面図である。 図１中のIII－III線に沿った断面図である。 付加薄膜のスリットの被覆率と、ロールオフ周波数および感度低下との関係を示す図である。 第２実施形態における圧電素子の平面図である。 図５中のVI－VI線に沿った振動部および付加薄膜の断面模式図である。 図５中のVII－VII線に沿った振動部および付加薄膜の断面模式図である。 第３実施形態における圧電素子の平面図である。 第３実施形態の変形例における圧電素子の平面図である。 第４実施形態における圧電素子の平面図である。 第５実施形態における圧電素子の平面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
第１実施形態の圧電素子について、図１～図３を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の圧電素子は、スマートフォンやＡＩ（artificial intelligenceの略）スピーカ等に搭載される圧電マイク等に用いられると好適である。また、本実施形態の圧電素子は、超音波センサ等に用いられると好適である。

圧電素子は、図１～図３に示されるように、支持体１０と、支持体１０上に配置された振動部２０とを備え、平面形状が矩形状とされている。支持体１０は、一面１１ａを有する支持基板１１と、支持基板１１の一面１１ａ上に形成された絶縁膜１２とを有している。なお、支持基板１１は、例えば、シリコン基板等で構成され、絶縁膜１２は、酸化膜等で構成されている。

支持体１０には、振動部２０における内縁側を浮遊させるための凹部１０ａが形成されている。このため、振動部２０は、支持体１０上に配置された支持領域２１ａと、支持領域２１ａと繋がっていると共に凹部１０ａ上で浮遊する浮遊領域２１ｂとを有する構成となっている。本実施形態の凹部１０ａは、振動部２０側の開口端の形状が平面矩形状とされている。したがって、浮遊領域２１ｂの全体は、平面矩形状とされている。

また、本実施形態の振動部２０には、外縁部分に絶縁膜１２の外縁部分を露出させる開口部２０ａが形成されている。絶縁膜１２には、外縁部分に支持基板１１の外縁部分を露出させる開口部１２ａが形成されている。このため、支持基板１１の外縁部分は、絶縁膜１２および振動部２０から露出した状態となっている。なお、絶縁膜１２に形成された開口部１２ａおよび振動部２０に形成された開口部２０ａは、圧電素子を製造する際のダイシング工程を容易にするものであり、必ずしも形成されていなくてもよい。

浮遊領域２１ｂには、当該浮遊領域２１ｂを厚さ方向に貫通するスリット３０が形成されている。本実施形態のスリット３０は、浮遊領域２１ｂを４分割するように形成されている。詳しくは、スリット３０は、浮遊領域２１ｂの中心部Ｃを通り、浮遊領域２１ｂの相対する角部に向かって延設されるように、２本形成されている。言い換えると、スリット３０は、平面矩形状とされた浮遊領域２１ｂの各角部から中心部Ｃに向かって延設されると共に、中心部Ｃにて各スリット３０が交差するように形成されている。これにより、浮遊領域２１ｂは、略平面三角形状とされた第１～第４振動領域２２ａ～２２ｄに分離されている。特に限定されるものではないが、本実施形態では、各振動領域２２ａ～２２ｄ同士の間隔（すなわち、スリット３０の幅）が１μｍ程度とされている。また、本実施形態では、スリット３０は、支持領域２１ａまで延設されているが、浮遊領域２１ｂと支持領域２１ａとの境界部で終端するように形成されていてもよい。

そして、第１～第４振動領域２２ａ～２２ｄは、上記の構成とされることにより、支持領域２１ａ側の端部が固定端とされ、支持領域２１ａと反対側の先端部（以下では、単に先端部ともいう）が自由端とされたカンチレバーとされている。

振動部２０は、圧電膜４０および圧電膜４０と接続される電極膜５０を有する構成とされている。具体的には、圧電膜４０は、下層圧電膜４１と、下層圧電膜４１上に積層される上層圧電膜４２とを有している。なお、下層圧電膜４１および上層圧電膜４２は、窒化スカンジウムアルミニウム（ＳｃＡｌＮ）や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の鉛フリーの圧電セラミックス等を用いて構成されている。また、下層圧電膜４１および上層圧電膜４２は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等を用いて構成される。

電極膜５０は、圧電膜４０と接続されるように各振動領域２２ａ～２２ｄに形成されており、モリブデン（Ｍｏ）を用いて構成されている。但し、電極膜５０は、モリブデンの他に、チタン（Ｔｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属材料を用いて構成されていてもよい。

そして、本実施形態では、電極膜５０として、下層圧電膜４１の下方に形成された下層電極膜５１と、下層圧電膜４１と上層圧電膜４２との間に形成された中間電極膜５２と、上層圧電膜４２の上方に形成された上層電極膜５３とが形成されている。なお、下層電極膜５１と中間電極膜５２とは、下層圧電膜４１を挟んで対向するように配置されている。中間電極膜５２と上層電極膜５３とは、上層圧電膜４２を挟んで対向するように配置されている。

ここで、本実施形態の圧電素子は、後述するように、各振動領域２２ａ～２２ｄが振動することで変化する電荷を検出信号として出力する。そして、本実施形態の圧電素子は、第１～第４振動領域２２ａ～２２ｄにおける電荷の変化を１つの圧力検出信号として出力するように構成されている。具体的には、第１～第４振動領域２２ａ～２２ｄの電極膜５０は、図示しない配線部を介して電気的に直列に接続されている。より詳しくは、第１振動領域２２ａ～２２ｄは、いわゆるバイモルフ構造とされており、各振動領域２２ａ～２２ｄに形成される各下層電極膜５１、各中間電極膜５２、各上層電極膜５３がそれぞれ並列に接続されつつ、各振動領域２２ａ～２２ｄ間が直列に接続されている。

そして、圧電素子には、第１～第４振動領域２２ａ～２２ｄの電極膜５０が直列に接続されたものの端部となる部分と接続されるように、第１電極部６１および第２電極部６２が形成されている。具体的には、第１電極部６１は、第１貫通電極６１ｂおよび第１パッド部６１ｃを有する構成とされており、支持領域２１ａにて、第１振動領域２２ａに形成された下層電極膜５１および上層電極膜５３と接続されるように形成されている。第２電極部６２は、第２貫通電極６２ｂおよび第２パッド部６２ｃを有する構成とされており、支持領域２１ａにて、第４振動領域２２ｄに形成された中間電極膜５２と電気的に接続されるように形成されている。

より詳しくは、図２に示されるように、第１振動領域２２ａに形成された下層電極膜５１および上層電極膜５３は、支持領域２１ａまで延設されている。そして、上層圧電膜４２、下層圧電膜４１を貫通して下層電極膜５１を露出させるように第１孔部６１ａが形成され、第１貫通電極６１ｂは、下層電極膜５１と電気的に接続されるように第１孔部６１ａに配置されている。第１パッド部６１ｃは、第１貫通電極６１ｂおよび上層電極膜５３と電気的に接続されるように、上層圧電膜４２上に配置されている。

また、図３に示されるように、第４振動領域２２ｄに形成された中間電極膜５２は、支持領域２１ａまで延設されている。そして、上層圧電膜４２を貫通して中間電極膜５２を露出させるように第２孔部６２ａが形成され、第２貫通電極６２ｂは、中間電極膜５２と電気的に接続されるように第２孔部６２ａに配置されている。第２パッド部６２ｃは、第２貫通電極６２ｂと電気的に接続されるように、上層圧電膜４２上に配置されている。

さらに、本実施形態の振動部２０は、支持体１０側に、下層圧電膜４１および下層電極膜５１が配置されるバッファ層７０を有している。なお、バッファ層７０は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等で構成される。

そして、本実施形態の圧電素子では、浮遊領域２１ｂに形成されたスリット３０の一部を被覆するように付加薄膜８１が備えられている。具体的には、付加薄膜８１は、スリット３０のうちの支持領域２１ａ側に位置する部分に配置されている。また、付加薄膜８１は、スリット３０を介して隣合う振動領域２２ａ～２２ｄを繋ぐように形成されている。このため、各振動領域２２ａ～２２ｄは、支持領域２１ａ側の部分で繋がった状態となっている。

本実施形態では、付加薄膜８１は、支持領域２１ａ側から浮遊領域２１ｂに渡って形成されている。但し、付加薄膜８１は、浮遊領域２１ｂのみに形成されていてもよく、スリット３０における支持領域２１ａ側の端部が付加薄膜８１から露出するように配置されていてもよい。

なお、この付加薄膜８１は、スリット３０から圧力を抜け難くするためのものである。このため、付加薄膜８１は、スリット３０内にも配置されるようにしてもよいし、スリット３０内に配置されないようにしてもよい。また、付加薄膜８１は、各振動領域２２ａ～２２ｄの振動に影響し難くなるように、ヤング率が低い材料で構成されることが好ましく、例えば、ウレタンを含有する有機材料を用いて構成される。

以上が本実施形態における圧電素子の構造である。このような圧電素子は、各振動領域２２ａ～２２ｄに音圧等の圧力が印加されると、各振動領域２２ａ～２２ｄが振動する。そして、例えば、各振動領域２２ａ～２２ｄの先端部側（すなわち、自由端側）が上方に変位した場合、下層圧電膜４１には引張応力が発生し、上層圧電膜４２には圧縮応力が発生する。したがって、第１電極部６１および第２電極部６２から当該電荷を取り出すことにより、音圧等の圧力が検出される。

この際、本実施形態では、付加薄膜８１によってスリット面積が小さくされている。このため、圧力がスリット３０から抜け難くなり、図４に示されるように、ロールオフ周波数を小さくすることで検出帯域を広くすることができる。なお、図４中の感度低下は、音圧を１ＫＨｚとした際のシミュレーション結果を示している。また、ここでのスリット面積とは、支持体１０と振動部２０との積層方向から視た際のスリット３０の面積のことであり、スリット３０の開口面積のことである。

この場合、付加薄膜８１が被覆するスリット３０が大きくなるほどロールオフ周波数を小さくできるが、付加薄膜８１が被覆するスリット３０が大きくなるほど各振動領域２２ａ～２２ｄの振動が阻害されるために感度が低下する。したがって、付加薄膜８１が被覆するスリット３０の面積は、要求される性能に応じて調整されることが好ましい。

例えば、図１に示されるように、スリット３０の長手方向に沿った長さを長さＬ１とし、付加薄膜８１におけるスリット３０の長手方向に沿った長さを長さＬ２とする。この場合、本発明者らの検討によれば、スリット３０の長さＬ１を４７７μｍにした場合には、付加薄膜８１の長さＬ２を２５０μｍにすることにより、ロールオフ周波数を２０Ｈｚ程度にすることができることが確認された。なお、ロールオフ周波数を２０Ｈｚにするとは、可聴域における低周波数側の周波数にロールオフ周波数を合わせることである。

また、付加薄膜８１は、図１に示されるように、スリット３０の長手方向と交差する方向の長さを幅ｄとすると、幅ｄが狭いほど各振動領域２２ａ～２２ｄの振動に影響し難くなる。ここで、本実施形態の付加薄膜８１は、上記のように有機材料を用いて構成される。そして、この付加薄膜８１は、例えば、有機材料が塗布されてパターニングされることで構成される。このため、付加薄膜８１は、製造限界や製造工程の簡略化を加味すると、幅ｄがスリット３０の幅と１５μｍとの和より少なくなるように形成されることが好ましい。

以上説明した本実施形態によれば、スリット３０のうちの支持領域２１ａ側の部分を被覆するように付加薄膜８１が備えられており、隣合う各振動領域２２ａ～２２ｄが支持領域２１ａ側の部分にて繋がった状態となっている。このため、スリット３０の開口面積を小さくでき、低周波ロールオフ周波数を小さくすることで検出帯域が狭くなることを抑制できる。

また、付加薄膜８１は、スリット３０のうちの支持領域２１ａ側の部分を被覆するように備えられている。このため、付加薄膜８１がスリット３０のうちの支持領域２１ａと反対側の部分に備えられている場合と比較して、付加薄膜８１が各振動領域２２ａ～２２ｄの振動に影響し難くなり、検出感度が低下することを抑制できる。

（１）本実施形態では、スリット３０のうちの支持領域２１ａ側の部分を被覆するように付加薄膜８１を備えている。このため、容易にスリット３０の開口面積を調整できる。

（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、付加薄膜を追加したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の圧電素子では、図５～図７に示されるように、浮遊領域２１ｂに形成されたスリット３０のうちの支持領域２１ａ側と反対側の部分を被覆する付加薄膜８２が配置されている。言い換えると、圧電素子は、スリット３０のうちの第１～第４振動領域２２ａ～２２ｄの自由端側を区画する部分にも付加薄膜８２が配置されている。このため、各振動領域２２ａ～２２ｄは、自由端側の部分も繋がった状態となっている。以下、本実施形態では、スリット３０のうちの支持領域２１ａ側を被覆する付加薄膜８１を固定端側付加薄膜８１とし、スリット３０のうちの支持領域２１ａ側と反対側の部分を被覆する付加薄膜８２を自由端側付加薄膜８２とする。

なお、図６および図７は、振動部２０の形状を簡略化して示しているが、実際には、図２および図３のように振動部２０が形成されている。また、図６では、自由端側付加薄膜８２がスリット３０を埋め込むように配置されている図が示されているが、自由端側付加薄膜８２は、スリット３０を埋め込むように配置されていなくてもよい。同様に、図７では、固定端側付加薄膜８１がスリット３０を埋め込むように配置されている図が示されているが、固定端側付加薄膜８１は、スリット３０を埋め込むように配置されていなくてもよい。

そして、自由端側付加薄膜８２は、固定端側付加薄膜８１よりも厚さが厚くされている。また、自由端側付加薄膜８２は、固定端側付加薄膜８１よりもヤング率が大きくされている。例えば、自由端側付加薄膜８２は、ヤング率が４ＧＰａ程度であるポリイミド等で構成され、厚さが３μｍ程度とされる。一方、固定端側付加薄膜８１は、ヤング率が０．１ＧＰａ程度であるウレタン等で構成され、厚さが１μｍ程度とされる。

以上説明した本実施形態によれば、スリット３０のうちの支持領域２１ａ側の部分を被覆するように付加薄膜８１が備えられているため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（１）本実施形態では、スリット３０のうちの支持領域２１ａ側と反対側の部分に自由端側付加薄膜８２が配置されている。このため、圧電素子を製造した際に発生する各振動領域２２ａ～２２ｄの残留応力により、振動領域２２ａ～２２ｄの自由端側が反ることを抑制できる。したがって、スリット面積が大きくなることを抑制でき、検出帯域が低下することを抑制できる。

（２）本実施形態では、自由端側付加薄膜８２は、固定端側付加薄膜８１よりも、厚さが厚くされていると共にヤング率が大きくされている。このため、自由端側付加薄膜８２が、固定端側付加薄膜８１よりも厚さが薄くされていると共にヤング率が小さくされている場合と比較して、残留応力による反りをさらに低減できる。

（第２実施形態の変形例）
上記第２実施形態の変形例について説明する。上記第２実施形態において、自由端側付加薄膜８２は、固定端側付加薄膜８１よりも、厚さが薄くされていると共にヤング率が小さくされていてもよい。これによれば、自由端側付加薄膜８２が固定端側付加薄膜８１よりも厚さが厚くされていると共にヤング率が大きくされている場合と比較して、自由端側付加薄膜８２が各振動領域２２ａ～２２ｄの振動に影響することを抑制でき、検出感度が低下することを抑制できる。

（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対し、各振動領域２２ａ～２２ｄにおける先端部側の形状を変更したものである。その他に関しては、第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の圧電素子は、図８に示されるように、各振動領域２２ａ～２２ｄは、積層方向において、自由端側付加薄膜８２と重なる部分が少なくなるように、先端部側が丸みを帯びた形状とされている。言い換えると、各振動領域２２ａ～２２ｄは、先端部が面取りされた形状とされている。

以上説明した本実施形態によれば、スリット３０のうちの支持領域２１ａ側の部分を被覆するように付加薄膜８１が備えられているため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（１）本実施形態では、各振動領域２２ａ～２２ｄは、積層方向において、自由端側付加薄膜８２と重なる部分が少なくなるように、先端部側が丸みを帯びた形状とされている。このため、自由端側付加薄膜８２が各振動領域２２ａ～２２ｄの振動にさらに影響し難くなり、検出感度が低下することをさらに抑制できる。

（第３実施形態の変形例）
上記第３実施形態の変形例について説明する。上記第３実施形態において、各振動領域２２ａ～２２ｄは、先端部側が面取りされた平面台形状とされていてもよい。このような圧電素子としても、自由端側付加薄膜８２が各振動領域２２ａ～２２ｄの振動に影響し難くなるため、上記第３実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、付加薄膜８１の形状を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の圧電素子では、図１０に示されるように、付加薄膜８１は、積層方向において、平面楕円形状とされている。言い換えると、付加薄膜８１は、角部が面取りされた平面形状とされている。

以上説明した本実施形態によれば、スリット３０のうちの支持領域２１ａ側の部分を被覆するように付加薄膜８１が備えられているため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（１）本実施形態では、付加薄膜８１は、積層方向において、角部が面取りされた平面形状とされている。このため、付加薄膜８１の所定箇所に応力が集中することを抑制でき、付加薄膜８１が剥がれることを抑制できる。なお、特に図示しないが、上記第２実施形態や上記第３実施形態の自由端側付加薄膜８２においても、角部が面取りされた平面形状とされることにより、自由端側付加薄膜８２が剥がれることを抑制できる。

（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、スリット３０の形状を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の圧電素子では、図１１に示されるように、スリット３０は、平面矩形状とされた浮遊領域２１ｂの各角部に達するようには形成されておらず、浮遊領域２１ｂ内で終端する形状とされている。このため、各振動領域２２ａ～２２ｄは、支持領域２１ａ側の部分で繋がった状態となっている。

以上説明した本実施形態によれば、各振動領域２２ａ～２２ｄが支持領域２１ａ側の部分で繋がるようにスリット３０を形成しているため、スリット３０の開口面積を少なくできる。したがって、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（他の実施形態）
本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

例えば、上記各実施形態において、浮遊領域２１ｂは、平面形状が矩形状ではなく、五角形状、六角形状、八角形状等の多角形状とされていてもよい。また、浮遊領域２１ｂに形成される振動領域２２ａ～２２ｄの数は適宜変更可能である。さらに、圧電素子は、平面形状が矩形状ではなく、五角形状や六角形状等の多角形状とされていてもよい。

また、上記各実施形態において、振動部２０は、少なくとも１層の圧電膜４０と、１層の電極膜５０とを有する構成とされていればよい。

そして、上記各実施形態において、圧電素子には、振動部２０に形成される開口部２０ａや絶縁膜１２に形成される開口部１２ａが形成されていなくてもよい。

さらに、上記各実施形態において、各振動領域２２ａ～２２ｄは、それぞれの電荷を検出信号として出力するようにしてもよい。この場合には、各振動領域２２ａ～２２ｄの下層電極膜５１および上層電極膜５３に第１電極部６１が接続され、各振動領域２２ａ～２２ｄの中間電極膜５２に第２電極部６２が接続される。

そして、上記各実施形態を組み合わせることもできる。例えば、上記第２、第３実施形態を上記第４実施形態に組み合わせ、自由端側付加薄膜８２の平面形状を角部が面取りされた形状とするようにしてもよい。

１０ 支持体
２０ 振動部
２１ａ 支持領域
２１ｂ 浮遊領域
２２ａ～２２ｄ 振動領域
３０ スリット
４０ 圧電膜
５０ 電極膜

Claims (7)

1. 支持体（１０）上に振動部（２０）が配置された圧電素子であって、
   前記支持体と、
   前記支持体上に配置され、圧電膜（４０）および前記圧電膜と接続される電極膜（５０）を含み、前記支持体に支持される支持領域（２１ａ）と、前記支持領域と繋がっていると共に前記支持体から浮遊している浮遊領域（２１ｂ）とを有する前記振動部と、を備え、
   前記浮遊領域は、スリット（３０）によって区画された複数の振動領域（２２ａ～２２ｄ）を有し、
   隣合う前記振動領域は、前記支持領域側の部分で繋がっている圧電素子。
2. 前記スリットは、前記浮遊領域から前記支持領域に達するように形成されており、
   隣合う前記振動領域は、前記スリットのうちの前記支持領域側の部分を被覆する付加薄膜（８１）が配置されることにより、前記支持領域側の部分が繋がっている請求項１に記載の圧電素子。
3. 隣合う前記振動領域は、前記スリットのうちの前記支持領域側と反対側の部分を被覆する付加薄膜（８２）が配置されることより、前記支持領域側と反対側の部分が繋がっている請求項２に記載の圧電素子。
4. 前記支持領域側と反対側に配置される付加薄膜は、前記支持領域側に配置される付加薄膜より、厚さが厚くされていると共にヤング率が大きくされている請求項３に記載の圧電素子。
5. 前記支持領域側と反対側に配置される付加薄膜は、前記支持領域側に配置される付加薄膜より、厚さが薄くされていると共にヤング率が小さくされている請求項３に記載の圧電素子。
6. 前記付加薄膜は、角部が面取りされた平面形状とされている請求項２ないし５のいずれか１つに記載の圧電素子。
7. 隣合う前記振動領域は、前記スリットが前記浮遊領域内で終端することにより、前記支持領域側の部分で繋がっている請求項１に記載の圧電素子。

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