JP2023039795A - 電子回路モジュールおよび製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】金属カバーの下縁部と回路基板の実装面との間からの電磁波ノイズの侵入および漏出を抑制すること。【解決手段】電子回路モジュールは、回路基板と、回路基板の実装面を覆う金属カバーと、回路基板の実装面において、金属カバーの下縁部に沿って枠状に形成された第１ランドと、回路基板の実装面において、第１ランドの全周に亘り、第１ランドに沿って並べて形成された複数の第２ランドとを備える。【選択図】図３

Description

本発明は、電子回路モジュールおよび製造方法に関する。

従来、回路基板に実装された電子部品に対する電磁波ノイズの侵入および漏出を抑制できるように、回路基板の実装面を金属カバーによって覆う技術が知られている。例えば、下記特許文献１には、半田の頂点部分がシールドケースの側壁部の外側または内側に位置するように、基板において複数のケース固定ランドをシールドケースに沿って並べて配置し、当該複数のケース固定ランドに対し、シールドケースを半田によって固定する技術が開示されている。また、下記特許文献２には、回路基板においてシールド部品に沿ってシールド部品の内側と外側に交互に並べて配置された複数のランドに対し、シールド部品を半田付けによって固定する技術が開示されている。

特開２０１３－２３５９６１号公報 特開２０１５－１９２０７６号公報

しかしながら、従来技術では、回路基板に反りが生じた場合、金属カバーの下縁部と回路基板の実装面との間に、半田付けがなされない隙間が生じ、当該隙間から電磁波ノイズの侵入および漏出してしまう虞がある。

一実施形態に係る電子回路モジュールは、回路基板と、回路基板の実装面を覆う金属カバーと、回路基板の実装面において、金属カバーの下縁部に沿って枠状に形成された第１ランドと、回路基板の実装面において、第１ランドの全周に亘り、第１ランドに沿って並べて形成された複数の第２ランドとを備える。

一実施形態によれば、金属カバーの下縁部と回路基板の実装面との間からの電磁波ノイズの侵入および漏出を抑制することができる。

一実施形態に係る電子回路モジュールの外観斜視図 一実施形態に係る電子回路モジュールの外観斜視図 一実施形態に係る電子回路モジュールが備える回路基板一部拡大図 一実施形態に係る電子回路モジュールの製造方法の手順を示すフローチャート 一実施形態に係る回路基板（部品用ランド、第１ランド、および第２ランドが形成された状態）の外観斜視図 一実施形態に係る回路基板（部品用ランド、第１ランド、および第２ランドが形成された状態）の平面図 一実施形態に係る回路基板（部品用ランドおよび第２ランドの表面に半田層が形成された状態）の外観斜視図 一実施形態に係る回路基板（部品用ランドおよび第２ランドの表面に半田層１１３が形成された状態）の平面図 一実施形態に係る回路基板（部品用ランドに電子部品が載置された状態）の外観斜視図 一実施形態に係る回路基板（部品用ランドに電子部品が載置された状態）の平面図 一実施形態に係る回路基板および金属カバー（金属カバーの下縁部にクリーム半田が付着した状態）の一部拡大断面図 一実施形態に係る回路基板および金属カバー（金属カバーの下縁部が第１ランドに載置された状態）の一部拡大断面図 一実施形態に係る回路基板および金属カバー（金属カバーの下縁部が第１ランドおよび第２ランドに半田付けされた状態）の一部拡大断面図 一実施形態に係る回路基板の一部拡大平面図 一実施形態に係る回路基板の一部拡大平面図

以下、図面を参照して、一実施形態について説明する。なお、以下の説明では、本発明の特徴を判り易く説明するために、便宜的に回路基板の実装面のある側を上側、背面のある側を下側として説明を進めるが、このことは電子回路モジュールの使用時の方向を限定するものではなく、上下を逆転して使用したり、横に向けて使用したり、斜めに傾けて使用したりしても構わない。

（電子回路モジュール１００の構成）
図１および図２は、一実施形態に係る電子回路モジュール１００の外観斜視図である。図１は、回路基板１１０に金属カバー１３０が固定された後の電子回路モジュール１００を示す。図２は、回路基板１１０に金属カバー１３０が固定される前の電子回路モジュール１００を示す。

図１および図２に示す電子回路モジュール１００は、各種電気製品に実装されることにより、当該電子回路モジュール１００が備える電子回路によって、特定の機能（例えば、ＬＴＥ（Long Term Evolution）（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）等の無線通信機能）を実現するための装置である。

図１および図２に示すように、電子回路モジュール１００は、全体的に薄型の直方体形状を有している。電子回路モジュール１００は、回路基板１１０、複数の電子部品１２０、および金属カバー１３０を備える。

回路基板１１０は、平板状且つ矩形状の部材である。回路基板１１０の表面は、ＩＣ１２１を含む複数の電子部品１２０が実装される実装面１１０Ａとなっている。回路基板１１０としては、例えば、ＰＷＢ（Printed Wiring Board）が用いられる。例えば、回路基板１１０は、その平板状の基材に絶縁性樹脂が用いられて形成される。

図２に示すように、実装面１１０Ａには、第１ランド１１１および複数の第２ランド１１２が形成されている。

第１ランド１１１は、実装面１１０Ａの外周部および金属カバー１３０の下縁部に沿って、複数の電子部品１２０を取り囲むように矩形枠状に形成された、電極である。第１ランド１１１は、金属カバー１３０の下縁部と対向して形成されており、金属カバー１３０の下縁部と同形状（すなわち、本実施形態では矩形状）および同サイズの枠状を有する。第１ランド１１１には、金属カバー１３０の下縁部が半田付けによって固定される。例えば、第１ランド１１１は、各種導電膜（例えば、銅箔等）が用いられて形成される。

複数の第２ランド１１２は、実装面１１０Ａにおいて、第１ランド１１１の全周に亘って、第１ランド１１１に沿って、第１ランド１１１の内周側に並べて配置されている。複数の第２ランド１１２の各々は、矩形状の電極である。複数の第２ランド１１２は、金属カバー１３０をより確実に固定するために、第１ランド１１１に対して補助的に設けられている。複数の第２ランド１１２は、万が一、回路基板１１０に反りが生じて、金属カバー１３０の下縁部の一部が第１ランド１１１に半田付けできない場合であっても、当該金属カバー１３０の下縁部の一部を、第２ランド１１２に半田付けできるように、第１ランド１１１に近接して設けられている。

複数の電子部品１２０は、ＩＣ（Integrated Circuit）１２１を含む。ＩＣ１２１は、電子回路モジュール１００の電子回路が備える主要構成部品である。ＩＣ１２１は、回路基板１１０の実装面１１０Ａに実装される。例えば、ＩＣ１２１は、通信回路、プロセッサ、メモリ等を備えて構成されている。例えば、ＩＣ１２１は、メモリに記憶されたプログラムを、プロセッサが実行することにより、電子回路モジュール１００の各種機能を実現する。本実施形態では、ＩＣ１２１として、集積回路素子を絶縁性樹脂で封止した通信用ＩＣを用いている。

なお、本実施形態では、実装面１１０Ａに実装される電子部品１２０の一例として、ＩＣ１２１を用いているが、これに限らず、実装面１１０Ａには、その他の電子部品１２０（例えば、抵抗、インダクタ、キャパシタ等の受動部品）や配線用の部材等も実装され得る。

金属カバー１３０は、回路基板１１０の実装面１１０Ａを覆う金属製の部材である。金属カバー１３０は、回路基板１１０の実装面１１０Ａと対向する矩形状の天板部１３０Ａと、天板部１３０Ａの四辺の各々から下方（実装面１１０Ａ側）へ垂設された４つの側壁部１３０Ｂとを有する。金属カバー１３０は、下部が開口した、薄型の直方体形状を有する。金属カバー１３０は、第１ランド１１１の全周に亘って、４つの側壁部１３０Ｂの各々の下縁部が、第１ランド１１１および複数の第２ランド１１２に対して半田付けによって固定されるとともにグラウンドへ接続される。金属カバー１３０は、回路基板１１０の実装面１１０Ａを覆うことにより、複数の電子部品１２０を外部の衝撃等から保護するとともに、ＩＣ１２１からの電磁波ノイズの漏出およびＩＣ１２１への電磁波ノイズの侵入を抑制する。金属カバー１３０は、鉄等の金属板をプレス加工することによって形成される。

（第２ランド１１２の配置部分の構成）
図３は、一実施形態に係る電子回路モジュール１００が備える回路基板１１０の一部拡大図である。

図３に示すように、第１ランド１１１には、当該第１ランド１１１の全周に亘り、第１ランド１１１の内周縁部１１１Ａに沿って、複数の切り欠き部１１１Ｃが形成されている。複数の切り欠き部１１１Ｃの各々は、第１ランド１１１の内周縁部１１１Ａから、第１ランド１１１の外周縁部１１１Ｂ側に向かって切り欠かれた形状を有することにより、第１ランド１１１の幅を部分的に狭める。そして、複数の第２ランド１１２の各々は、その一部が複数の切り欠き部１１１Ｃの各々の内側に設けられており、且つ、切り欠き部１１１Ｃの内縁部から所定距離離間して設けられている。

これにより、一実施形態に係る電子回路モジュール１００は、第１ランド１１１を矩形枠状に残しつつ、複数の第２ランド１１２の各々を、金属カバー１３０の下縁部により近づけることができるようになっている。すなわち、一実施形態に係る電子回路モジュール１００は、金属カバー１３０の下縁部を、第１ランド１１１と、複数の第２ランド１１２との双方に、半田接合し易くなっている。

また、図３に示すように、複数の第２ランド１１２の各々の表面には、半田層１１３が形成されている。これにより、金属カバー１３０の下縁部に付着した半田が、第２ランド１１２に形成されている半田層１１３と接合することで、金属カバー１３０の下縁部が第２ランド１１２に接続され易くなっている。

なお、図３に示すように、本実施形態では、複数の第２ランド１１２の各々は、矩形状を有する。但し、これに限らず、複数の第２ランド１１２の各々は、その他の形状（例えば、円形状）を有してもよい。

また、図３に示すように、本実施形態では、複数の切り欠き部１１１Ｃの各々は、第１ランド１１１の内周縁部１１１Ａに形成され、複数の第２ランド１１２の各々は、その一部が複数の切り欠き部１１１Ｃの各々の内側に設けられている。但し、これに限らず、複数の切り欠き部１１１Ｃの各々は、第１ランド１１１の外周縁部１１１Ｂに形成され、複数の第２ランド１１２の各々は、その一部が複数の切り欠き部１１１Ｃの各々の内側に設けられてもよい。

すなわち、本実施形態では、複数の第２ランド１１２は、第１ランド１１１の内周側に並べて配置されているが、これに限らず、複数の第２ランド１１２は、第１ランドの外周側に並べて配置されてもよい。

また、図３に示すように、本実施形態では、回路基板１１０の実装面１１０Ａにおける複数の電子部品１２０の各々の配置位置に、複数の部品用ランド１１４の各々が形成されている。複数の部品用ランド１１４の各々の表面には、電子部品１２０を半田付けするための半田層１１３が形成される。

（電子回路モジュール１００の製造方法）
図４は、一実施形態に係る電子回路モジュール１００の製造方法の手順を示すフローチャートである。

まず、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、回路基板１１０の実装面１１０Ａに、複数の部品用ランド１１４、第１ランド１１１、および複数の第２ランド１１２を形成する（ステップＳ４０１：ランド形成工程）。図５Ａは、一実施形態に係る回路基板１１０（部品用ランド１１４、第１ランド１１１、および第２ランド１１２が形成された状態）の外観斜視図である。図５Ｂは、一実施形態に係る回路基板１１０（部品用ランド１１４、第１ランド１１１、および第２ランド１１２が形成された状態）の平面図である。図５Ａおよび図５Ｂに示すように、ランド形成工程では、内周縁部１１１Ａに複数の切り欠き部１１１Ｃを有する矩形枠状の第１ランド１１１と、第１ランド１１１の内周縁部１１１Ａに沿って並べて配置された複数の第２ランド１１２と、第１ランド１１１の内側に配置された複数の部品用ランド１１４とを、回路基板１１０の実装面１１０Ａに形成する。

次に、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、複数の部品用ランド１１４および複数の第２ランド１１２の各々の表面に、クリーム半田を塗布することにより、半田層１１３を形成する（ステップＳ４０２：半田層形成工程）。図６Ａは、一実施形態に係る回路基板１１０（部品用ランド１１４および第２ランド１１２の表面に半田層１１３が形成された状態）の外観斜視図である。図６Ｂは、一実施形態に係る回路基板１１０（部品用ランド１１４および第２ランド１１２の表面に半田層１１３が形成された状態）の平面図である。

次に、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、複数の部品用ランド１１４の各々に、複数の電子部品１２０（ＩＣ１２１を含む）の各々を載置する（ステップＳ４０３：電子部品載置工程）。図７Ａは、一実施形態に係る回路基板１１０（部品用ランド１１４に電子部品１２０が載置された状態）の外観斜視図である。図７Ｂは、一実施形態に係る回路基板１１０（部品用ランド１１４に電子部品１２０が載置された状態）の平面図である。

次に、リフロー方式によって複数の部品用ランド１１４の各々の半田層１１３を加熱して溶融することにより、複数の部品用ランド１１４の各々に複数の電子部品１２０の各々を半田付けする（ステップＳ４０４：第１半田付け工程）。

次に、図８に示すように、金属カバー１３０の下縁部の全周に亘り、クリーム半田１３１を付着させる（ステップＳ４０５：半田付着工程）。図８は、一実施形態に係る回路基板１１０および金属カバー１３０（金属カバー１３０の下縁部にクリーム半田１３１が付着した状態）の一部拡大断面図である。例えば、金属カバー１３０よりも大きい容器にクリーム半田１３１を満たし、金属カバー１３０の下縁部の全体を容器内のクリーム半田１３１に浸けることにより、金属カバー１３０の下縁部の全周に亘り、一括してクリーム半田１３１を付着させることができる。

次に、図９に示すように、第１ランド１１１に、クリーム半田１３１が付着した状態の金属カバー１３０の下縁部を載置する（ステップＳ４０６：金属カバー載置工程）。図９は、一実施形態に係る回路基板１１０および金属カバー１３０（金属カバー１３０の下縁部が第１ランド１１１に載置された状態）の一部拡大断面図である。図９に示すように、第１ランド１１１の内周側には、第２ランド１１２が設けられており、当該第２ランド１１２の表面には、半田層１１３が形成されている。そして、半田層１１３の表面の高さ位置は、第１ランド１１１の表面の高さ位置よりも高くなっている。さらに、半田層１１３は、ステップＳ４０４：第１半田付け工程の後に冷却されて固体となっている。このため、図９に示すように、回路基板１１０に反りが生じるなどで、クリーム半田１３１が付着した状態の金属カバー１３０の下縁部が第１ランド１１１には完全には着地しない場合でも、第１ランド１１１の表面の高さ位置よりも高い第２ランド１１２の半田層１１３の表面上に載置される。

次に、図１０に示すように、リフロー方式によって、金属カバー１３０の下縁部に付着されたクリーム半田１３１と、複数の第２ランド１１２の各々の半田層１１３とを加熱して溶融することにより、第１ランド１１１および複数の第２ランド１１２に金属カバー１３０を半田付けする（ステップＳ４０７：第２半田付け工程）。図１０は、一実施形態に係る回路基板１１０および金属カバー１３０（金属カバー１３０の下縁部が第１ランド１１１および第２ランド１１２に半田付けされた状態）の一部拡大断面図である。図１０に示すように、クリーム半田１３１と半田層１１３とが溶融することにより、金属カバー１３０の自重によって、金属カバー１３０の下縁部が、第１ランド１１１に着地し、クリーム半田１３１を介して、第１ランド１１１に半田付けされる。また、クリーム半田１３１と半田層１１３とが互いに融合することにより、金属カバー１３０の下縁部が、クリーム半田１３１および半田層１１３を介して、第２ランド１１２にも半田付けされる（図１０のＡ部参照）。このため、回路基板１１０に反りが生じるなどで、金属カバー１３０の下縁部と第１ランド１１１との間に隙間が生じた場合であっても、当該隙間を部分的に埋めることができ、当該隙間の幅を波長の１／２未満にすることができる。よって、当該隙間からの電磁波ノイズの侵入および漏出を抑制することができる。

以上により、電子回路モジュール１００の製造方法の説明は終了する。

（各部の寸法例）
以下、図１１を参照して、一実施形態に係る回路基板１１０の各部の寸法例を説明する。図１１は、一実施形態に係る回路基板１１０の一部拡大平面図である。

＜第２ランド１１２の設置間隔Ｄ１の一例＞
図１１に示すように、一実施形態に係る電子回路モジュール１００は、所定の設置間隔Ｄ１を有して、複数の第２ランド１１２が並べて配置されている。特に、一実施形態に係る電子回路モジュール１００は、第２ランド１１２の設置間隔Ｄ１が、電子回路モジュール１００が使用する電波の波長の１／２未満（例えば、１．５ｍｍ未満）である。これにより、一実施形態に係る電子回路モジュール１００は、隣り合う２つの第２ランド１１２の間において、金属カバー１３０の下縁部と回路基板１１０の実装面１１０Ａとの間に隙間が生じた場合であっても、当該隙間から電波が漏出しないようになっている。

＜第１ランド１１１の寸法の一例＞
図１１に示すように、一実施形態に係る電子回路モジュール１００は、第１ランド１１１が一定の幅Ｗを有して帯状に延在する形状を有する。一例として、第１ランド１１１の幅Ｗは「４５０μｍ」である。

＜第２ランド１１２の寸法の一例＞
図１１に示すように、一実施形態に係る電子回路モジュール１００は、第２ランド１１２が矩形状を有する。一例として、第２ランド１１２における第１ランド１１１の延在する方向と並行な方向の幅Ｗ１は「３００μｍ」であり、第２ランド１１２における第１ランド１１１の延在する方向と直交する方向の幅Ｗ２は「２００μｍ」である。

＜切り欠き部１１１Ｃの寸法の一例＞
図１１に示すように、一実施形態に係る電子回路モジュール１００は、切り欠き部１１１Ｃが、第２ランド１１２の一部を内側に収めることが可能な矩形状を有する。一例として、切り欠き部１１１Ｃにおける第１ランド１１１の延在する方向と並行な方向の幅Ｗ３は「４５０μｍ」であり、切り欠き部１１１Ｃにおける第１ランド１１１の延在する方向と直交する方向の幅Ｗ４は「１２５μｍ」である。

＜第２ランド１１２の離間距離の一例＞
図１１に示すように、第２ランド１１２は、切り欠き部１１１Ｃの内側において、切り欠き部１１１Ｃから所定の離間距離Ｄ２を有して設けられている。一例として、離間距離Ｄ２は「７５μｍ」である。

（金属カバー１３０と切り欠き部１１１Ｃとの位置関係）
図１２は、一実施形態に係る回路基板１１０の一部拡大平面図である。図１２では、金属カバー１３０の側壁部１３０Ｂの配置位置が重ねて示されている。図１２に示すように、第１ランド１１１は、切り欠き部１１１Ｃによって幅が狭められた部分である狭幅部１１１Ｄを有する。そして、狭幅部１１１Ｄにおける内周側の縁部である内縁部１１１Ｄａは、金属カバー１３０の側壁部１３０Ｂの内周側の表面である内表面１３０Ｂａと同じ位置に形成されている。これにより、金属カバー１３０の下縁部に塗布されたクリーム半田１３１を、第２ランド１１２の表面に形成されている半田層１１３に接合し易くすることができる。

なお、切り欠き部１１１Ｃを第１ランド１１１の外周縁部１１１Ｂに形成する場合、狭幅部１１１Ｄにおける外周側の縁部である外縁部を、金属カバー１３０の側壁部１３０Ｂの外周側の表面である外表面１３０Ｂｂと同じ位置に形成してもよい。この場合も、金属カバー１３０の下縁部に塗布されたクリーム半田１３１を、第２ランド１１２の表面に形成されている半田層１１３に接合し易くすることができる。

以上説明したように、一実施形態に係る電子回路モジュール１００は、回路基板１１０と、回路基板１１０の実装面１１０Ａを覆う金属カバー１３０と、回路基板１１０の実装面１１０Ａにおいて、金属カバー１３０の下縁部に沿って枠状に形成された第１ランド１１１と、回路基板１１０の実装面１１０Ａにおいて、第１ランド１１１の全周に亘り、第１ランド１１１に沿って並べて形成された複数の第２ランド１１２とを備える。

これにより、一実施形態に係る電子回路モジュール１００は、回路基板１１０に反りが生じて、金属カバー１３０の下縁部と第１ランド１１１との間に、半田付けがなされない隙間が生じた場合であっても、金属カバー１３０の下縁部と第２ランド１１２とが半田付けされることで、当該隙間を部分的に埋めることができる。したがって、一実施形態に係る電子回路モジュール１００によれば、金属カバー１３０の下縁部と回路基板１１０の実装面１１０Ａとの間からの電磁波ノイズの侵入および漏出を抑制することができる。

また、一実施形態に係る製造方法は、回路基板１１０の実装面１１０Ａに、部品用ランド１１４と、金属カバー１３０の下縁部に沿った枠状の第１ランド１１１と、第１ランド１１１の全周に亘り第１ランド１１１に沿って並べて配置された複数の第２ランド１１２と、を形成するランド形成工程と、部品用ランド１１４および複数の第２ランド１１２の各々の表面に半田層１１３を形成する半田層形成工程と、部品用ランド１１４に電子部品１２０を載置する電子部品載置工程と、リフロー方式によって部品用ランド１１４の半田層１１３を溶融することにより、部品用ランド１１４に電子部品１２０を半田付けする第１半田付け工程と、金属カバー１３０の下縁部にクリーム半田１３１を付着させる半田付着工程と、金属カバー１３０を第１ランド１１１に載置する金属カバー載置工程と、リフロー方式によって、金属カバー１３０の下縁部に付着されたクリーム半田１３１と、複数の第２ランド１１２の各々の半田層１１３とを溶融することにより、第１ランド１１１および複数の第２ランド１１２に金属カバー１３０の下縁部を半田付けする第２半田付け工程とを含む。

これにより、一実施形態に係る製造方法は、回路基板１１０に反りが生じて、金属カバー１３０の下縁部と第１ランド１１１との間に、半田付けがなされない隙間が生じた場合であっても、金属カバー１３０の下縁部と第２ランド１１２とが半田付けされることで、当該隙間を部分的に埋めることができる。したがって、一実施形態に係る製造方法によれば、金属カバー１３０の下縁部と回路基板１１０の実装面１１０Ａとの間からの電磁波ノイズの侵入および漏出を抑制することができる。

以上、本発明の一実施形態について詳述したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形又は変更が可能である。

１００ 電子回路モジュール
１１０ 回路基板
１１０Ａ 実装面
１１１ 第１ランド
１１１Ａ 内周縁部
１１１Ｂ 外周縁部
１１１Ｃ 切り欠き部
１１１Ｄ 狭幅部
１１１Ｄａ 内縁部
１１２ 第２ランド
１１３ 半田層
１１４ 部品用ランド
１２０ 電子部品
１２１ ＩＣ
１３０ 金属カバー
１３０Ａ 天板部
１３０Ｂ 側壁部
１３０Ｂａ 内表面
１３０Ｂｂ 外表面
１３１ クリーム半田

Claims (9)

1. 回路基板と、
   前記回路基板の実装面を覆う金属カバーと、
   前記回路基板の前記実装面において、前記金属カバーの下縁部に沿って枠状に形成された第１ランドと、
   前記回路基板の前記実装面において、前記第１ランドの全周に亘り、前記第１ランドに沿って並べて形成された複数の第２ランドと
   を備えることを特徴とする電子回路モジュール。
2. 前記第１ランドは、
   当該第１ランドの全周に亘り、部分的に幅を狭める複数の切り欠き部を有し、
   前記複数の第２ランドの各々は、少なくとも一部が、前記複数の切り欠き部の各々の内側に配置されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の電子回路モジュール。
3. 前記複数の切り欠き部は、前記第１ランドの内周縁部に形成されており、
   前記複数の第２ランドは、前記第１ランドの内周側に設けられている
   ことを特徴とする請求項２に記載の電子回路モジュール。
4. 前記第１ランドは、前記切り欠き部によって幅が狭められた部分である狭幅部を有し、
   前記狭幅部における内周側の縁部は、前記金属カバーの側壁部の内周側の表面と同じ位置に形成されている
   ことを特徴とする請求項３に記載の電子回路モジュール。
5. 前記複数の切り欠き部は、前記第１ランドの外周縁部に形成されており、
   前記複数の第２ランドは、前記第１ランドの外周側に設けられている
   ことを特徴とする請求項２に記載の電子回路モジュール。
6. 前記第１ランドは、前記切り欠き部によって幅が狭められた部分である狭幅部を有し、
   前記狭幅部における外周側の縁部は、前記金属カバーの側壁部の外周側の表面と同じ位置に形成されている
   ことを特徴とする請求項５に記載の電子回路モジュール。
7. 前記複数の第２ランドの各々の表面に、半田層が形成されている
   ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電子回路モジュール。
8. 前記第２ランドの設置間隔が、前記電子回路モジュールが使用する電波の波長の１／２未満である
   ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電子回路モジュール。
9. 回路基板の実装面に、部品用ランドと、金属カバーの下縁部に沿った枠状の第１ランドと、前記第１ランドの全周に亘り前記第１ランドに沿って並べて配置された複数の第２ランドと、を形成するランド形成工程と、
   前記部品用ランドおよび前記複数の第２ランドの各々の表面に半田層を形成する半田層形成工程と、
   前記部品用ランドに電子部品を載置する電子部品載置工程と、
   リフロー方式によって前記部品用ランドの前記半田層を溶融することにより、前記部品用ランドに前記電子部品を半田付けする第１半田付け工程と、
   前記金属カバーの下縁部に半田を付着させる半田付着工程と、
   前記金属カバーを前記第１ランドに載置する金属カバー載置工程と、
   リフロー方式によって、前記金属カバーの下縁部に付着された前記半田と、前記複数の第２ランドの各々の前記半田層とを溶融することにより、前記第１ランドおよび前記複数の第２ランドに前記金属カバーの下縁部を半田付けする第２半田付け工程と
   を含む製造方法。

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