JP2023039295A - Efem - Google Patents
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Abstract
【課題】基板搬送空間に設けられる装置の内部で巻き上がるパーティクルを帰還路内で除去して、筐体内で差圧が形成される帰還路から基板搬送空間へ流れ込むパーティクルの量を削減可能なEFEMを提供する。【解決手段】循環経路21をガスが循環している状態において基板搬送空間2Saよりも高圧となる帰還路22に設けられ且つ当該帰還路22を流れるガスに含まれるパーティクルを捕獲するフィルタ22gと、基板搬送空間2Saに配置される装置(基板搬送ロボットR、アライナ7)の内部を流れたガスを帰還路22に導く接続管R12、76とを備え、接続管R12、74を帰還路22のうちフィルタ22gよりもガス流動方向上流側に接続した。【選択図】図1
Description
本発明は、基板の自動搬送に用いられるEFEM(Equipment Front End Module)、特にEFEMの本体部である筐体内に窒素ガス等の不活性ガスを循環させる機能を有するEFEMに関する。
半導体の製造工程においては、歩留まりや品質の向上のため、クリーンルーム内で基板の処理がなされている。近年では、基板の周囲の局所的な空間についてのみ清浄度をより向上させる「ミニエンバイロメント方式」を取り入れ、基板の搬送その他の処理を行う手段が採用されている。ミニエンバイロメント方式では、略閉止された基板搬送空間(以下「搬送空間」)を内部に有する筐体に隣接してロードポート(Load Port)を設け、高清浄な内部空間に基板が収納された容器であるFOUP(Front-Opening Unified Pod)をロードポートに載置し、FOUPのドア(以下「FOUPドア」)に密着した状態で当該FOUPドアをロードポートによって開閉可能に構成している。
筐体及びロードポートからなるEFEMは、FOUPドアに係合可能であってFOUPドアを開閉させるロードポートのドア(ロードポートドア)を開放した状態で、筐体内の基板搬送空間に配置された基板搬送ロボットによって、FOUP内の基板を筐体内に取り出したり、筐体内からFOUP内に基板を収納することができるように構成されている。
また、筐体内を窒素ガス雰囲気に置換することで基板の劣化を防止・抑制を図るEFEMも知られている。例えば特許文献1には、基板搬送空間を含む筐体の内部において窒素ガスを循環させる循環流路と、循環流路に窒素ガスを供給するガス供給手段と、循環流路から窒素ガスを排出するガス排出手段とを備え、循環流路内の酸素濃度等の変動に応じて窒素ガスを適宜供給及び排出することで、筐体内を窒素ガス雰囲気に保つことができるように構成されたEFEMが開示されている。
ところで、筐体内には基板搬送ロボットやアライナ等の装置が設けられており、これらの装置の動作時に当該装置内で巻き上がるパーティクルが基板搬送空間に流入したり、滞留すると基板が劣化する要因になる。
筐体の内部において、循環経路を構成する帰還路(リターンダクト)と基板搬送空間を隔壁で仕切る構成である場合、隔壁を境界に帰還路内の圧力が基板搬送空間の圧力よりも高くなるため、このような差圧に起因して、帰還路内のパーティクル(基板搬送空間を流れてきたガスに含まれるパーティクルや、基板搬送ロボットやアライナ等の装置の内部を流れてきたガスに含まれるパーティクルであって、且つ、帰還路内に流入したパーティクル)を含むガス(雰囲気)が隔壁の隙間を通じて帰還路内から漏出してしまい、パーティクルが基板搬送空間に入り込んで当該空間を汚染するおそれがある。
本発明は、このような課題に着目してなされたものであって、主たる目的は、基板搬送空間に設けられる装置の内部で巻き上がるパーティクルを帰還路内で除去して、筐体内において差圧が形成される帰還路から基板搬送空間へ流れ込むパーティクルの量を効果的に削減し、基板搬送空間のパーティクルが基板に悪影響を及ぼす事態を回避可能なEFEMを提供することにある。
すなわち、本発明は、筐体の内部に形成された基板搬送空間、及び基板搬送空間の一方側から他方側に流れたガスを帰還させる帰還路を含んで構成される循環経路を備えたEFEMに関するものである。そして、本発明に係るEFEMは、基板搬送空間と帰還路を仕切る壁隔と、循環経路をガスが循環している状態において基板搬送空間よりも高圧となる帰還路に設けられ且つ当該帰還路を流れるガスに含まれるパーティクルを捕獲する捕獲部と、基板搬送空間に配置される所定の装置の内部を流れたガスを帰還路に導く接続管とを備え、接続管を帰還路のうち捕獲部よりもガス流動方向上流側に接続していることを特徴としている。
このような本発明に係るEFEMであれば、基板搬送空間に配置される所定の装置の内部から接続管を通じてガスを帰還路に導入することで、当該ガスに含まれるパーティクル(装置の内部で発生したパーティクル)を捕獲部によって捕獲することができ、相対的に高圧である帰還路内から相対的に低圧である基板搬送空間に向けてガスの漏出が生じたとしても、基板搬送空間のパーティクル量が増加し難く、基板搬送空間にある基板へのパーティクルの付着を防止・抑制することができる。しかも、本発明では、装置の内部を流れたガスが捕獲部よりもガス流動方向上流側の位置で帰還路に導入されるように構成しているため、基板搬送空間を流れてきたガスと、装置の内部を流れてきたガスとを含む集合ガスに含まれるパーティクルを捕獲部によって効率的に捕獲することができる。
本発明に係るEFEMにおいて、基板搬送空間に配置され且つ接続管で帰還路に接続される所定の装置としては、基板搬送ロボットやアライナを挙げることができる。基板搬送ロボットやアライナの内部には、摺動したり、往復動する駆動機構部品が内蔵されているため、これらの部品が配置されている箇所からパーティクルが発生したり、巻き上がることがあるが、本発明によればこれらの装置の内部で発生したパーティクルを含むガスを接続管を通じて帰還路に吸引するように構成しているため、パーティルクルを捕獲部で捕獲することができる。
特に、基板搬送空間内のガスを吸い込んで帰還路内に送出するファンを帰還路の上流端または上流端近傍に設けることで、帰還路内に向かってガスを効率良く送り出すことができ、さらに、捕獲部をファンよりもガス流動方向下流側に設けた構成であれば、基板搬送空間所定の装置の内部で発生したパーティクルをより一層効率良く捕獲部で捕獲することが可能である。
本発明によれば、循環経路をガスが循環している状態において基板搬送空間よりも高圧となる帰還路のうち捕獲部よりもガス流動方向上流側に、基板搬送空間に配置される所定の装置の内部を流れたガスを帰還路に導く接続管を接続しているため、基板搬送空間に配置される所定の装置の内部で発生したパーティクルを効率良く捕獲部で捕獲することができ、基板搬送空間に配置される所定の装置の内部から帰還路に流れたパーティクルを含むガスが帰還路内から基板搬送空間へ漏出した場合であっても基板搬送空間のパーティクル量が増加し難く、基板搬送空間の清浄度を所定の基準値以上に維持可能なEFEMを提供することができる。
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
本実施形態に係るEFEM1(Equipment Front End Module)は、図1に示すように、半導体の製造工程において、クリーンルームに配置される本体部である筐体2及びロードポート3を備えたものである。図1には、EFEM1とその周辺装置の相対位置関係を模式的に示す。同図に示すFOUP4は、基板収納容器の一種であり、EFEM1とともに用いられるものである。
筐体2のうちロードポート3を配置した前面壁2aに対向する背面壁2bには処理装置M(半導体処理装置)が隣接して設けられる。つまり、筐体2の前面壁2aに設けられた開口(図1に示す前面側開口2A)にロードポート3が接続され、且つ背面壁2bに設けられた開口に処理装置Mが接続されることで、筐体2の内部に略閉止された空間(基板搬送空間2Sa、FFU配置空間2Sb)が形成される。
クリーンルームにおいて、処理装置Mの内部空間MS、筐体2の内部空間である基板搬送空間2Sa、FFU配置空間2Sb、及びロードポート3上に載置されるFOUP4の内部空間4Sは高清浄度に維持される。
本実施形態では、図1に示すように、EFEM1の前後方向Xにおいてロードポート3、筐体2、処理装置Mをこの順で相互に密接させて配置している。なお、EFEM1の作動は、EFEM1全体のコントローラ(図1に示す制御部1C)や、ロードポート3のコントローラ(図1に示す制御部3C)によって制御され、処理装置Mの作動は、処理装置Mのコントローラ(図1に示す制御部MC)によって制御される。ここで、処理装置M全体のコントローラである制御部MCや、EFEM1全体のコントローラである制御部1Cは、ロードポート3の制御部3Cの上位コントローラである。これら各制御部1C,3C,MCは、CPU、メモリ及びインターフェースを備えた通常のマイクロプロセッサ等により構成されるもので、メモリには予め処理に必要なプログラムが格納してあり、CPUは逐次必要なプログラムを取り出して実行し、周辺ハードリソースと協働して所期の機能を実現するものとなっている。
ロードポート3に載置されるFOUP4は、図1に示すように、搬出入口41を通じて内部空間4Sを後方にのみ開放可能なFOUP本体42と、搬出入口41を開閉可能なFOUPドア43を備えている。FOUP4は、内部に多段式スロットを設け、各スロットに搬送対象物である基板Wを収容可能に構成され、搬出入口41を介してこれら基板Wを出し入れ可能に構成された既知のものである。FOUP本体42の上向面には、FOUP4を自動で搬送する装置(例えばOHT:Over Head Transport)等に把持されるフランジ部44を設けている。FOUP4は、ロードポート3の載置台35に載置される。
本実施形態に係るロードポート3は、図1に示すように、筐体2の前面壁2aの一部を構成し、且つ筐体2の内部空間(基板搬送空間2Sa)を開放するための開口部31が形成された板状をなすフレーム32と、フレーム32の開口部31を開閉するロードポートドア33と、ロードポートドア33を筐体2側に後退したドア開放位置に移動させることによりフレーム32の開口部31を開状態にするドア開閉機構34と、フレーム32に略水平姿勢で設けた載置台35とを備えている。
フレーム32は、起立姿勢で配置され、載置台35上に載置したFOUP4の搬出入口41と連通し得る大きさの開口部31を有する略矩形板状のものである。図1にフレーム32の開口部31を模式的に示している。
載置台35は、フレーム32のうち高さ方向中央よりもやや上方寄りの位置に略水平姿勢で配置される水平基台351(支持台)の上部に設けられ、FOUP本体42の内部空間4Sを開閉可能とするFOUPドア43をロードポートドア33に対向させる向きでFOUP4を載置可能なものである。また、載置台35は、FOUP本体42の開口部とフレーム32の開口部31を密着させ、ロードポートドア33とFOUPドア43を一体化させて開閉する所定のドッキング位置と、FOUPドア43をドッキング位置よりもフレーム32から所定距離離間した位置(図1参照)との間で、フレーム32に対して進退移動可能に構成されている。本実施形態では、載置台35に載置したFOUP4とフレーム32が並ぶ前後方向X(図1等参照)において、FOUP4側を前方と定義し、フレーム32側を後方と定義する。
ロードポートドア33は、ドア開閉機構34によって、FOUPドア43との係合状態を維持したまま、フレーム32の開口部31を密閉する全閉位置と、全閉位置よりも筐体2側に後退したドア開放位置と、開口部31の開口スペースを後方に全開放させる全開位置との間でFOUPドア43と一体的に移動可能に構成されている。なお、図1に示すように、ロードポートドア33及びドア開閉機構34は、側面視において後述する循環経路21の帰還路22に重なる位置に配置される。しかしながら、実際には、循環経路21を筐体2の幅方向に所定ピッチで設け、幅方向に並ぶ循環経路21同士の間に形成されるスペースであって且つ基板搬送空間2Saに連通するスペースにおいてロードポートドア33がドア開閉機構34によりFOUPドア43と一体的に移動するように構成している。したがって、ロードポートドア33がFOUPドア43とともに帰還路22で移動することはない。
ロードポート3は、FOUP4の内部空間4Sに窒素ガス等の不活性ガスからなるパージ用気体を注入し、FOUP4の内部空間4Sの気体雰囲気をパージ用気体に置換可能なボトムパージ装置を備えたものであってもよいし、ボトムパージ装置を備えていないものであってもよい。
このようなロードポート3を筐体2の前面壁2aに複数台(本実施形態では例えば3台)所定の間隔で配置している。
本実施形態のEFEM1では、基板W(半導体ウェーハ)をFOUP4と処理装置Mとの間で搬送可能な基板搬送ロボットRを筐体2の基板搬送空間2Saに設けている(図1参照)。
筐体2の内部空間のうち基板搬送空間2Saよりも上側の空間であるFFU配置空間2SbにはFFU23(ファンフィルタユニット)を設け、FFU23を駆動させることにより、筐体2の基板搬送空間2Saに下降気流を生じさせ、清浄度の高い気体である窒素ガス等の不活性ガス(環境ガス)を基板搬送空間2Saで循環させることが可能である。筐体2の内部には、窒素ガスを循環させるための循環経路21が形成されている。循環経路21は、基板搬送空間2Saと、FFU設置空間2Sbと、帰還路22とによって構成されている。循環経路21において、清浄な窒素ガスがFFU設置空間2SbからFFU23を通じて下方へ送り出され、基板搬送空間2Saの下端部まで到達した後、帰還路22を通って上昇し、FFU設置空間2Sbに戻るように設定されている。
FFU23は、ファンによってFFU設置空間2Sbの窒素ガスを下方に送出しつつ、窒素ガスに含まれるパーティクルをフィルタによって除去するものである。FFU23を駆動すると、フィルタを通過して清浄化された窒素ガスがFFU設置空間2Sbから基板搬送空間2Saに送り出されて層流(ダウンフロー)を形成し、下方へ流れる。本実施形態では、FFU設置空間2SbのうちFFU23の上流側または下流側(図示例では上流側)に、活性ガスや分子状汚染物質等を除去するケミカルフィルタ24を配置している。したがって、本実施形態の循環経路21によれば、FFU設置空間2Sbに流入した窒素ガスがケミカルフィルタ24及びFFU23を通過する際に、当該窒素ガスとともにFFU設置空間2Sbに流入した活性ガスや分子状汚染物質等をケミカルフィルタ24及びFFU23のフィルタの二段階で捕獲して除去することができ、清浄度が極めて高いダウンフローを形成することができる。
基板搬送空間2Saの下端部に到達した窒素ガスは、帰還路22の下端部に形成した開口22aを通じて帰還路22内に流入する。帰還路22は、隔壁22cによって基板搬送空間2Sa及びFFU設置空間2Sbから隔離された経路であり、帰還路22の下端に形成した開口22aのみが基板搬送空間2Saに連通し、帰還路22の上端のみがFFU設置空間2Sbに連通するように構成している。本実施形態では、筐体2の前面壁2aを基板搬送空間2Sa側から支持する中空筒状の支柱22dによって隔壁22cを形成している。本実施形態のEFEM1は、支柱22dの下端部近傍に、基板搬送空間2Saに連通し且つ開口端に向かって漸次開口断面積が増大する形状に設定した下向き開口部22eを有し、この下向き開口部22eにダクト22fを取り付け、ダクト22fの開口端(下端)を、基板搬送空間2Saに連通する帰還路22の開口22aに設定している。開口部22eは、帰還路22を構成する支柱22dに沿って下方に延在し、下向きに開口する開口22aと連通している。これにより、帰還路22は、開口22aを通じて基板搬送空間2Saに連通している。
本実施形態では、このような支柱22dを筐体2の幅方向に所定ピッチで配置している。具体的には、筐体2の前面壁2aのうちロードポート3が接続される前面側開口と重ならない所定の位置であって、筐体2の前面壁2aと側面壁の交差部分(角)と、3台のロードポート3のうち幅方向中央のロードポート3が接続される前面側開口の両サイドの合計4箇所に支柱22dを配置し、各支柱22dの内部空間を帰還路22として機能させている。
本実施形態では、支柱22dの開口22a近傍にファン22bを設け、当該ファン22bによって窒素ガスを帰還路22に吸い込んで上方に送り出し、FFU設置空間2Sbに戻す。特に、本実施形態では、帰還路22のうちファン22bよりもガス流動方向下流側に捕獲部であるフィルタ22gを配置している。フィルタ22gは、分子状汚染物質等のパーティクルを除去する物理フィルタである。したがって、ファン22bによって帰還路22に吸い込んで上方に送り出される窒素ガスは、フィルタ22gによって清浄化される。
本実施形態のEFEM1は、循環経路21内に窒素ガスを供給する供給部5を備えている。供給部5Aは、窒素ガスの供給源50と、上流端が供給源に接続され且つ下流端が循環経路21内に接続されて窒素ガスを供給する供給路51とを備えている。本実施形態では、FFU設置空間2Sbの側部に供給路51を接続している。なお、FFU設置空間2Sbの側部以外の箇所に供給路51を接続した構成を採用してもよい。供給路51の所定箇所には、単位時間あたりのガス供給量を変更可能な供給バルブ52を設け、制御部1Cからの指令に応じて供給路51を流れるガスの量(ガス供給量)を変更可能に構成している。
制御部1Cは、筐体2内に設置された酸素濃度計2e、圧力計2f、湿度計2g等と電気的に接続されており、これらの計測機器の計測結果を受信して、筐体2内の雰囲気に関する情報を把握する(図1では、説明の便宜上、酸素濃度計2e、圧力計2f、湿度計2gを制御部1Cとともに筐体2の外部に示している)。したがって、基板搬送空間2Saに設けた酸素濃度計2eや湿度計2g等による計測数値に基づいて制御部1Cが供給バルブ51bの開度を制御することで、基板搬送空間2Saの酸素濃度や水分濃度等を所定値以下に維持することができる。具体的には、例えば酸素濃度が所定値を超えた場合に、供給バルブ51bを制御して循環経路21に供給する窒素ガスの流量を増加させることで酸素濃度を低下させることができる。
また、本実施形態のEFEM1は、循環経路21内の気体を排出する排出部6を備えている。排出部6は、上流端を循環経路21内に接続した排出管61を備え、排出管61の下流端を循環経路21外である外部空間に連通させたものである。排出管61の所定箇所に、循環経路21内の気体の単位時間あたりの排出量を変更可能な排出バルブ62を設けている。本実施形態では、循環経路21内の気体を排出するための排出管61を基板搬送空間2Saの前端部に接続している。基板搬送空間2Saに設けた圧力計2f等による計測数値に基づいて制御部1Cが排出バルブ62の開度を制御することで、圧力計2fを設置した位置の圧力が所定の適正範囲内に維持することができる。具体的には、例えば圧力値が所定値を超えた場合に排出バルブ62の開度を大きくし、圧力値が所定値を下回った場合に排出バルブ62の開度を小さくする。制御部1Cによる適切な制御が実行されている状態では、基板搬送空間2Saの圧力は、筐体2の外部空間の圧力よりも僅かに高圧となる。すなわち、基板搬送空間2Saの圧力値の適正範囲は、筐体2の外部空間の圧力値よりも僅かに高い値に設定され、基板搬送空間2Saから筐体2の外部空間へ窒素ガスが漏出する事態を防止・抑制しつつ、筐体2の外部区間から基板搬送空間2Saに外気が侵入することを防止している。
以上の構成により、本実施形態に係るEFEM1は、窒素ガスを循環経路21内で循環させることが可能であり、循環経路21に窒素ガスを適宜供給及び排出して、筐体2の内部空間の酸素濃度を調整する処理(筐体内パージ処理、またはEFEMパージ処理とも称される)を実行することが可能になる。
また、本実施形態に係るEFEM1は、図1に示すように、基板搬送空間2Saに基板搬送ロボットRを配置している。
基板搬送ロボットRは、基板搬送空間2Sa内に固定した基台部R1と、基端部を基台部R1に旋回可能に支持されたアームR2とを有し、アームR2を構成する複数のアーム要素R3,R4,R5及びハンドR6を順次旋回可能に接続した多関節ロボットである。本実施形態のアームR2は、3つのアーム要素R3,R4,R5と、2つ(2段状)のハンドR6とを有し、アーム要素R3,R4,R5が旋回することで、基板Wを保持するハンドR6を水平移動させるものである。なお、アーム要素及びハンドの数はこれに限定されない。アーム要素R3,R4,R5は、この順番で下方から配置されている。具体的には、最下段のアーム要素R3の基端部は基台部R1に旋回可能に連結され、中段のアーム要素R4の基端部が最下段のアーム要素R3の先端部に旋回可能に連結され、最上段のアーム要素R5の基端部が中段のアーム要素R4の先端部に旋回可能に連結され、ロボットハンドR6が最上段のアーム要素R5の先端部に旋回可能に連結されている。
各アーム要素R3,R4,R5の内部空間は所定器の隙間を介して相互に連通している。ロボットハンドR6に内蔵されたシリンダ等の機構部品が作動することによってロボットハンドR6に基板Wを保持することができる。
また、本実施形態の基板搬送ロボットRは、アームR2の基端部を昇降柱R8に接続し、昇降柱R8を基台部R1に対して昇降移動させることによってアームR2の高さ位置を調整・変更可能に構成している。基台部R1の内部空間R1aには、昇降柱R8を昇降駆動させたり、アームR1を旋回駆動させるモータ等の駆動機構R9を配置している。なお、駆動機構R9はそれぞれのアーム内に設置されてもよい。基台部R1の上向き面には、昇降柱R8の昇降移動を許容する開口が形成され、昇降柱R8の下端部を基台部R1の内部空間1aで駆動機構R9に接続している。
また、搬送ロボットRの基台部R1の所定箇所には、循環経路21へ窒素ガスを送り出すための送出口R11を形成し、送出口R11を接続路R12によって帰還路22に接続している。本実施形態では、接続管R12を帰還路22のうち捕獲部であるフィルタ22gよりもガス流動方向上流側に接続している。図1では、ダクト22fに接続管R12を接続した構成を示している。
送出口R11の近傍には、一定の回転速度で回転駆動するファンR13を設けている。ファンR13が駆動することで、搬送ロボットRの内部空間(基台部R1の内部空間R1a、アーム要素R3,R4,R5の内部空間)のガスは接続管R12に排出され、帰還路22に向かって流れる。したがって、搬送ロボットRの内部空間(基台部R1の内部空間R1a、アーム要素R3,R4,R5の内部空間)でパーティクルが発生しても、このパーティクルが基板搬送空間2Sa内に漏れることを抑制できる。さらに、帰還路22に排出されたパーティクルは、帰還路22の上流側に配置されたフィルタ22gによって除去され、さらに帰還路22の下流側に配置されたFFU23及びケミカルフィルタ24によっても除去される。したがって、基板搬送ロボットRの内部空間(基台部R1の内部空間R1a、アーム要素R3,R4,R5の内部空間)で発生したパーティクルによって基板搬送空間2Saが汚染されることを抑制できる。
本実施形態のEFEM1は、図1に示すように、搬送ロボットRのアームR2に保持されている基板Wの保持位置に関して目標保持位置からのずれ量を検出するとともに、位置ずれを是正するための位置補正(アライメント)を行うアライナ7を基板搬送空間2Saに設置している。アライナ7は、アライメントの対象である基板Wを載置するアライメントテーブル71と、アライメントテーブル71を回転駆動させる駆動機構73を内蔵したアライメントケース72と、下端部をアライメントテーブル71内において駆動機構73に接続した回転柱74とを備え、回転柱74の上端にアライメントテーブル71を固定している。アライメントケース72は、基板搬送空間2Saに固定した支持台(図示省略)に支持され、アライメントケース72の側壁に形成した貫通口75を接続路76で帰還路22に接続している。本実施形態では、接続管76を帰還路22のうち捕獲部であるフィルタ22gよりもガス流動方向上流側に接続している。図1では、ダクト22fに接続管76を接続した構成を示している。また、本実施形態では、アライメントケース72の貫通口75付近にはファン77を設け、ファン77が回転駆動すると、アライメントケース72内のガスがアライメントケース72内で発生したパーティクルとともに接続路76に向かって排出されるように構成している。本実施形態では、基板搬送空間2Saのうち何れか一方の側方に張り出したスペースにアライナ7を配置している。
次に、EFEM1の動作フローを説明する。
先ず、OHT等の容器搬送装置によりFOUP4がロードポート3の上方まで搬送され、載置台35上に載置される。この際、例えば載置台35に設けた位置決め用突起がFOUP4の位置決め用凹部に嵌まり、載置台35上のロック爪をロック状態にする(ロック処理)。本実施形態では、筐体2の幅方向に3台並べて配置したロードポート3の載置台35にそれぞれFOUP4を載置することができる。また、FOUP4が載置台35上に所定の位置に載置されているか否かを検出する着座センサ(図示省略)によりFOUP4が載置台35上の正規位置に載置されたことを検出するように構成することもできる。
本実施形態のロードポート3では、載置台35上の正規位置にFOUP4が載置された時点で、載置台35に設けた例えば加圧センサの被押圧部をFOUP4のうち底面部が押圧したことを検出する。これをきっかけに、ボトムパージ装置(図示省略)によりパージFOUP4の内部空間4Sに窒素ガスを供給して、FOUP4の内部空間4Sを窒素ガスに置換する処理(ボトムパージ処理)を行うことで、FOUP4内の水分濃度及び酸素濃度をそれぞれ所定値以下にまで低下させてFOUP4内における基板Wの周囲環境を低湿度環境及び低酸素環境にする。
本実施形態のロードポート3は、ロック処理後に、図1に示す位置にある載置台35を所定のドッキング位置まで移動させて、FOUPドア43をロードポートドア33とともに移動させて、フレーム32の開口部31及びFOUP4の搬出入口41を開放して、FOUP4内の密閉状態を解除する処理(ドアオープン処理)を実行する。
ドアオープン処理を実行することによって、FOUP本体42の内部空間4Sと筐体2の基板搬送空間2Saとが連通した状態になり、筐体2の基板搬送空間2Saに設けた基板搬送ロボットRがFOUP本体42のスロットから基板Wを取り出したり、特定のスロットに基板Wを収納する処理(搬送処理)を実施する。
本実施形態のロードポート3は、FOUP4内の基板Wが全て処理装置Mによる処理工程を終えたものになると、ドア駆動機構34によりロードポートドア33を全閉位置に移動させて、フレーム32の開口部31及びFOUP4の搬出入口41を閉止して、FOUP4の内部空間4Sを密閉する処理(ドアクローズ処理)を実行する。以上の処理により、フレーム32の開口部31及びFOUP4の搬出入口41はそれぞれロードポートドア33、FOUPドア43によって閉止されて、FOUP4の内部空間4Sは密閉状態になる。
続いて、本実施形態のロードポート3は、載置台35をフレーム32から離間する方向に移動させて、FOUP4をロックしている状態を解除する。これにより、所定の処理を終えた基板Wを格納したFOUP4は、各ロードポート3の載置台35上から容器搬送装置に引き渡され、次工程へと運び出される。
このような処理を行う本実施形態に係るEFEM1は、上述したように、筐体2の内部に形成された基板搬送空間2Sa、及び基板搬送空間2Saの一方側(上方)から他方側(下方)に流れたガスを基板搬送空間2Saの一方側(上方)に向かって帰還させる帰還路22を含んで構成される循環経路21を備えている。そして、本実施形態に係るEFEM1は、基板搬送空間2Saと帰還路22を仕切る壁隔22cと、循環経路21をガスが循環している状態において基板搬送空間2Saよりも高圧となる帰還路22に設けられ且つ当該帰還路22を流れるガスに含まれるパーティクルを捕獲する捕獲部であるフィルタ22gと、基板搬送空間2Saに配置される装置(基板搬送ロボットR、アライナ7)の内部を流れたガスを帰還路22に導く接続管R12、76とを備え、接続管R12、76を帰還路22のうちフィルタ22gよりもガス流動方向上流側に接続している。このような構成を有する本実施形態に係るEFEM1によれば、帰還路22を流れるガス(主な例としては窒素ガス)に含まれるパーティクルをフィルタ22gによって捕獲することができる。したがって、本実施形態に係るEFEM1において、基板搬送空間2Saに配置される所定の装置(基板搬送ロボットR、アライナ7)の内部を流れたガスを、接続管R12、76を通じて帰還路22に導入することで、当該ガスに含まれるパーティクル(基板搬送ロボットRやアライナ7の内部に設けられた駆動機構部品が配置されている箇所から生じたり、巻き上がったパーティクル)をフィルタ22gによって捕獲することができ、帰還路22内に回収したパーティクルが基板搬送空間2Saに放出されて基板Wに付着するという事態の発生を防止・抑制することができる。しかも、本実施形態のEFEM1では、基板搬送ロボットR、アライナ7の内部を流れたガスがフィルタ22gよりも上流の位置で帰還路22に導入されるように構成しているため、基板搬送空間2Saを流れてきたガスと、基板搬送ロボットR、アライナ7の内部を流れてきたガスとを含む集合ガスに含まれるパーティクルをフィルタ22gによって効率的に捕獲することができる。
以上の構成により、本実施形態に係るEFEM1では、相対的に高圧である帰還路22内から相対的に低圧である基板搬送空間2Saに向けてガスの漏出が生じたとしても、基板搬送空間2Saのパーティクル量が増加し難く、基板搬送空間2Saにある基板Wへのパーティクルの付着を防止・抑制することができる。
特に、本実施形態に係るEFEM1によれば、基板搬送ロボットRやアライナ7の内部で発生したパーティクルを含むガスを接続管R12、76を通じて帰還路22に吸引するように構成しているため、パーティルクルをフィルタ22gで効率良く捕獲することができる。
さらに、本実施形態に係るEFEM1は、基板搬送空間2Saに配置される所定の装置(基板搬送ロボットR、アライナ7)の内部を流れたガスを帰還路22に導入する接続管R12、76にそれぞれ捕獲部(ケミカルフィルタ)R14、78を設けている。これにより、接続管R12、76の上流端近傍のファンR13、77によって接続管R12、76に送り出されたガスに含まれるパーティルクルを捕獲部R14、78で効率良く捕獲することができ、基板搬送空間2Saに配置される所定の装置(基板搬送ロボットR、アライナ7)の内部から帰還路22に導入されるパーティクルの量を削減することができる。
加えて、本実施形態に係るEFEM1によれば、帰還路22に流れるガスを吸い込んで基板搬送空間2Saの一方側(上方)に向かう気流を形成するファン22bを帰還路22の上流端または上流端近傍に設けているため、帰還路22から基板搬送空間2Saの一方側に向かってガスを効率良く送り出すことができ、さらに、フィルタ22gをファン22bよりもガス流動方向下流側に設けたことで、基板搬送空間2Saや基板搬送ロボットRやアライナ7の内部で発生したパーティクルをより一層効率良くフィルタ22gで捕獲することが可能である。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態の構成に限られるものではない。例えば、上述の実施形態では循環経路に循環させる不活性ガスとして窒素ガスを例にしたが、これに限定されず、乾燥ガス、アルゴンガスなど所望のガスを用いることができる。
上述した実施形態では、搬送室の前面壁に3台のロードポートを接続した構成を例示したが、3台未満または4台以上のロードポートを接続した構成を採用することもできる。
基板は、半導体ウェーハに限定されず、ガラス基板等であってもよい。
上述の実施形態では、支柱を構成する隔壁によって帰還路を形成した構成を例示したが、支柱以外のパーツを構成する隔壁によって帰還路を形成したり、専用の隔壁(帰還路を形成するための専用隔壁)によって帰還路を形成しても構わない。
また、帰還路のガス流動方向上流端は、隔壁に形成した開口や穴によって基板搬送空間と連通する構成であればよく、上述の実施形態で例示した「開口端に向かって漸次開口断面積が増大する形状に設定した下向き開口部22e」や、「ダクト22f」を備えていない帰還路であってもよい。
基板搬送空間に配置される所定の装置が基板搬送ロボットのみである構成も本発明に含まれる。また、基板搬送空間に配置される所定の装置が基板搬送ロボット、アライナ以外の装置であっても、当該所定の装置の内部を流れたガスを帰還路に導く接続管を帰還路のうち捕獲部よりもガス流動方向上流側に接続した構成であれば本発明に含まれる。
また、循環経路が複数の帰還路(上述の実施形態における複数本の支柱)を備えたものである場合、基板搬送空間に配置される所定の装置ごとに専用の帰還路を個別に設定することも可能である。例えば、基板搬送ロボット専用の帰還路には、基板搬送ロボットの内部に連通する接続管のみを接続して、アライナ専用の帰還路には、アライナの内部に連通する接続管のみを接続する構成を挙げることができる。
その他、各部の具体的構成についても上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。
1…EFEM
2…筐体
21…循環経路
22…帰還路
22b…ファン
22c…壁隔
22g…捕獲部(フィルタ)
2Sa…基板搬送空間
R、7…所定の装置(基板搬送ロボット、アライナ)
R12、76…接続管
2…筐体
21…循環経路
22…帰還路
22b…ファン
22c…壁隔
22g…捕獲部(フィルタ)
2Sa…基板搬送空間
R、7…所定の装置(基板搬送ロボット、アライナ)
R12、76…接続管
Claims (4)
- 筐体の内部に形成された基板搬送空間、及び前記基板搬送空間の一方側から他方側に流れたガスを帰還させる帰還路を含んで構成される循環経路を備えたEFEMであって、
前記基板搬送空間と前記帰還路を仕切る壁隔と、
前記循環経路をガスが循環している状態において前記基板搬送空間よりも高圧となる前記帰還路に設けられ且つ当該帰還路を流れるガスに含まれるパーティクルを捕獲する捕獲部と、
前記基板搬送空間に配置される所定の装置の内部を流れたガスを前記帰還路に導く接続管とを備え、
前記接続管を前記帰還路のうち前記捕獲部よりもガス流動方向上流側に接続していることを特徴とするEFEM。 - 前記所定の装置が基板搬送ロボットであり、当該基板搬送ロボットの内部のガスを前記接続管を通じて前記帰還路に吸引するように構成している請求項1に記載のEFEM。
- 前記所定の装置がアライナであり、当該アライナの内部のガスを前記接続管を通じて前記帰還路に吸引するように構成している請求項1または2に記載のEFEM。
- 前記帰還路の上流端または上流端近傍に前記基板搬送空間内のガスを吸い込んで前記帰還路内に送出するファンを設け、前記捕獲部を前記ファンよりもガス流動方向下流側に設けている請求項1乃至3の何れかに記載のEFEM。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021146406A JP2023039295A (ja) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | Efem |
KR1020220110620A KR20230036977A (ko) | 2021-09-08 | 2022-09-01 | 이에프이엠 |
US17/902,148 US20230073234A1 (en) | 2021-09-08 | 2022-09-02 | Efem |
TW111133591A TW202312324A (zh) | 2021-09-08 | 2022-09-05 | 設備前端模組 |
CN202211096469.0A CN115775760A (zh) | 2021-09-08 | 2022-09-06 | 设备前端模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021146406A JP2023039295A (ja) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | Efem |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023039295A true JP2023039295A (ja) | 2023-03-20 |
Family
ID=85386668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021146406A Pending JP2023039295A (ja) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | Efem |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230073234A1 (ja) |
JP (1) | JP2023039295A (ja) |
KR (1) | KR20230036977A (ja) |
CN (1) | CN115775760A (ja) |
TW (1) | TW202312324A (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6349750B2 (ja) | 2014-01-31 | 2018-07-04 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efem |
-
2021
- 2021-09-08 JP JP2021146406A patent/JP2023039295A/ja active Pending
-
2022
- 2022-09-01 KR KR1020220110620A patent/KR20230036977A/ko unknown
- 2022-09-02 US US17/902,148 patent/US20230073234A1/en active Pending
- 2022-09-05 TW TW111133591A patent/TW202312324A/zh unknown
- 2022-09-06 CN CN202211096469.0A patent/CN115775760A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230036977A (ko) | 2023-03-15 |
US20230073234A1 (en) | 2023-03-09 |
TW202312324A (zh) | 2023-03-16 |
CN115775760A (zh) | 2023-03-10 |
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