JP2023035644A - 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023035644A JP2023035644A JP2021142659A JP2021142659A JP2023035644A JP 2023035644 A JP2023035644 A JP 2023035644A JP 2021142659 A JP2021142659 A JP 2021142659A JP 2021142659 A JP2021142659 A JP 2021142659A JP 2023035644 A JP2023035644 A JP 2023035644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- channel layer
- layer
- terminal
- magnetoresistive element
- channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 34
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 30
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 5
- -1 WOx Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002673 PdOx Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002842 PtOx Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010016275 Fear Diseases 0.000 description 1
- 102220543961 RBPJ-interacting and tubulin-associated protein 1_M12A_mutation Human genes 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/80—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1659—Cell access
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/18—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using Hall-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/80—Constructional details
- H10N52/85—Magnetic active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【課題】低消費電力で、高速読み出しが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子100は、積層された参照層14と障壁層13と記録層12とチャネル層11と、参照層14に接続され第1の端子T1と、チャネル層11に接続された第2と第3の端子T2,T3を備える。チャネル層11は第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bとを備える。第1のチャネル層11Aの電気抵抗RAは第2のチャネル層11Bの電気抵抗RBより大きい。第2の端子T2は第1のチャネル層11Aに接続され、第3の端子T3は第2のチャネル層11Bに接続される。書込電流は第2の端子T2と第3の端子T3との間に、第1のチャネル層11A及び第2のチャネル層11Bを介して流れる。読出電流は第1の端子T1と第3の端子T3との間に、参照層14と障壁層13と記録層12とチャネル層11とを介して流れる。【選択図】図3
Description
この発明は、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置に関する。
磁気抵抗効果素子を利用した不揮発性の記憶装置(MRAM)は、次世代の論理集積回路として注目されている。MRAMの中で、3端子型SOT-MRAM(スピン軌道トルク磁気メモリ)は、書き込みに高速性が要求される不揮発性メモリに適していることが知られている。例えば、特許文献1には、チャネル層と記録層と障壁層と参照層との積層体から構成された3端子型のSOT(Spin Orbit Torque)-MRAM(Magnetic Random Access Memory)が開示されている。
図19に、特許文献1に開示されているSOT-MRAMの基本構成を示す。
図示するように、このSOT-MRAM1000は、チャネル層1111と記録層1112と障壁層1113と参照層1114との積層体から構成され、3つの端子T11、T12、T13を備える。
図示するように、このSOT-MRAM1000は、チャネル層1111と記録層1112と障壁層1113と参照層1114との積層体から構成され、3つの端子T11、T12、T13を備える。
チャネル層1111は、重金属等から構成された導電層であり、書込電流が流れると、スピン起動トルクを発生する領域である。
記録層1112は、磁性体から構成され、その磁化M1112は、チャネル層1111を流れる書込電流により生成されるスピン起動トルクにより、+X軸方向と-X軸方向の間で可変な磁性層である。
記録層1112は、磁性体から構成され、その磁化M1112は、チャネル層1111を流れる書込電流により生成されるスピン起動トルクにより、+X軸方向と-X軸方向の間で可変な磁性層である。
障壁層1113は、トンネル絶縁層から構成される非磁性層である。
参照層1114は、磁性体から構成され、その磁化M1114の方向は固定されている。
SOT-MRAM1000にデータを書き込む際には、端子T12と端子T13との間に書き込むデータに対応する電圧を印加し、チャネル層1111に書込電流を流す。すると、スピン軌道トルクが作用し、記録層1112の磁化M1112の方向が、書込電流の向きに応じて、変化する。
記録層1112の磁化M1112と参照層1114の磁化M1114の向きが等しい場合(平行状態)には、参照層1114と記録層1112の間の抵抗が小さくなる。一方、記録層1112の磁化M1112と参照層1114の磁化M1114の向きが反対の場合(反平行状態)には、参照層1114と記録層1112の間の抵抗が相対的に大きくなる。変化する抵抗値にデータが割り当てられる。
SOT-MRAM1000からデータを読み出す際には、端子T11とT12又はT13(ここでは、T13とする)との間に読出電圧を印加し、流れる読出電流IRの大きさに対応するデータを出力する。
チャネル層1111は導体である重金属から構成されている。このため、データを書き込む際に、チャネル層1111を流れる書込電流が大きく、消費電力が大きい。
書込電流を小さくするため、チャネル層1111の抵抗を大きくすることが考えられる。
しかし、読み出しの際に、読出電流IRがチャネル層1111の一部領域を流れるため、チャネル層1111の抵抗値を大きくすると、その一部領域の抵抗成分が負荷抵抗となり、読出電流が小さくなってしまう。このため、TMR比(トンネル磁気抵抗比)が小さくなり、読み出し速度が遅くなる。この問題は、SOT-MRAMの集積度が高まるに従って顕著となる。
しかし、読み出しの際に、読出電流IRがチャネル層1111の一部領域を流れるため、チャネル層1111の抵抗値を大きくすると、その一部領域の抵抗成分が負荷抵抗となり、読出電流が小さくなってしまう。このため、TMR比(トンネル磁気抵抗比)が小さくなり、読み出し速度が遅くなる。この問題は、SOT-MRAMの集積度が高まるに従って顕著となる。
平行状態における参照層1114から記録層1112までの抵抗をRP、反平行状態における参照層1114から記録層1112までの抵抗をRAP、記録層1112とチャネル層1111との接触面から端子T13までの負荷抵抗をRLとすると、TMR比は次式で表される。
TMR=[(RAP+RL)-(RP+RL)]/(RP+RL)
=(RAP-RP)/(RP+RL)
TMR=[(RAP+RL)-(RP+RL)]/(RP+RL)
=(RAP-RP)/(RP+RL)
この式から明らかなように、負荷抵抗RLが大きくなるに従って、TMR比が小さくなる。また、TMR比の低下に伴い、読出時間(読み出しに要する時間)も長くなる。このため、高速な読出し動作が困難となる。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、低消費電力で、高速読み出しが可能な磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気メモリ装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の磁気抵抗効果素子は、
積層された参照層と障壁層と記録層とチャネル層と、
前記参照層に接続され第1の端子と、前記チャネル層に接続された第2と第3の端子と、
を備え、
前記チャネル層は第1のチャネル層と第2のチャネル層とを備え、
前記第1のチャネル層の電気抵抗は前記第2のチャネル層の電気抵抗より大きく、
前記第2の端子は前記第1のチャネル層に接続され、前記第3の端子は前記第2のチャネル層に接続され、
書込電流は前記第2の端子と前記第3の端子との間に、前記第1のチャネル層及び前記第2のチャネル層を介して流れ、
読出電流は前記第1の端子と前記第3の端子との間に流れる。
積層された参照層と障壁層と記録層とチャネル層と、
前記参照層に接続され第1の端子と、前記チャネル層に接続された第2と第3の端子と、
を備え、
前記チャネル層は第1のチャネル層と第2のチャネル層とを備え、
前記第1のチャネル層の電気抵抗は前記第2のチャネル層の電気抵抗より大きく、
前記第2の端子は前記第1のチャネル層に接続され、前記第3の端子は前記第2のチャネル層に接続され、
書込電流は前記第2の端子と前記第3の端子との間に、前記第1のチャネル層及び前記第2のチャネル層を介して流れ、
読出電流は前記第1の端子と前記第3の端子との間に流れる。
例えば、前記参照層は磁化の方向が固定された強磁性層から構成され、前記障壁層はトンネル絶縁膜から構成され、前記記録層は、前記チャネル層を流れる書込電流により発生するスピン軌道トルクにより、磁化の方向が可変する強磁性層から構成され、前記チャネル層は、重金属を含み、前記第2の端子は、前記チャネル層の一端部に接続され、前記第3の端子は、前記チャネル層の他端部に接続され、前記第1のチャネル層は、前記チャネル層のうち、前記チャネル層と前記記録層との接合面から前記第2の端子の接続点に至る領域を含み、前記第2のチャネル層は、前記チャネル層のうち、前記接合面から前記第3の端子の接続点に至る領域を含む。
前記チャネル層は、例えば、W、Ta、Pt、Pd、WOx、TaOx、PtOx、又はPdOxを含む。
前記第1のチャネル層は、例えば、第2のチャネル層より膜厚が薄い。
前記第1のチャネル層は、例えば、第2のチャネル層よりも長い。前記第1のチャネル層は螺旋状パターンに形成されてもよい。
前記第1のチャネル層は、例えば、第2のチャネル層より幅が狭い。
前記第1のチャネル層は、例えば、第2のチャネル層より抵抗率が高い。
前記第2の端子に接続された回路要素は、例えば、前記第3の端子に接続された回路要素よりも抵抗が高い。回路要素は、例えば、トランジスタであり、前記第2の端子に接続された回路要素を構成するトランジスタのオン抵抗は、前記第3の端子に接続された回路要素を構成するトランジスタのオン抵抗よりも高い。
本発明の磁気メモリ装置は、上述の磁気抵抗効果素子を記憶セルとして備える。
本発明によれば、チャネル層が、抵抗値が互いに異なる第1のチャネル層と第2のチャネル層を有する。これにより、チャネル層全体としての抵抗値は、第1のチャネル層と第2のチャネル層の合成抵抗により、消費電力を抑える適切な値に設定できる。一方、第1の端子と第3の端子の間に流れる読出電流の電流路の抵抗値は、第2のチャネル層の抵抗により抑えることができ、読み出し電流を相対的に大きくして、高速読み出しを可能にできる。
本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を記憶セルとして用いた磁気メモリを、図面を参照して説明する。
本実施の形態に係る磁気抵抗効果素子100は、3端子型のSOT(Spin Orbit Torque)-MRAM(Magnetic Random Access Memory)であり、図1(a)に正面図、(b)に平面図、図2に斜視図で示すように、チャネル層11と記録層12と障壁層13と参照層14とがこの順又はその逆順に積層された構成を有する。なお、この構成は、基本構成であり、層間に他の層が追加されてもよく、また、1つの層が複数の層から構成されていてもよい。さらに、他の部材を備えていてもよい。
以下の説明において、チャネル層11の長手(延伸)方向をX軸方向、チャネル層11の短手方向をY軸方向、各層が積層された高さ方向をZ軸方向とするXYZ直交座標系を設定し、適宜参照する。
チャネル層11は、重金属を含み、X軸方向に長い平板形状を有する。チャネル層11は、例えば、厚さ0.5nm~40nm、X軸方向に長さ50nm~300nm、Y軸方向に幅20~150nm程度に形成された層である。
チャネル層11の長手方向(±X軸方向)に書込電流を流して発生するスピン軌道トルクによって、記録層12の磁化M12の方向が書き換えられる。このため、チャネル層11は、スピン軌道相互作用の大きい重金属又は重金属の酸化物、例えば、W、Ta、Pt、Pd、WOx、TaOx、PtOx、又はPdOxを含む。その他、Hf、Re、Os、Ir、Pb、あるいは、これらの合金を含んでも良い。また、他の材料に、これらの重金属又は合金をドープしたものを使用してもよい。他の材料は導電性でも非導電性でもよい。チャネル層11全体としては導電性である。また、所望の電気特性や構造を得るため、適宜、B、C、N、O、Al、Si、P、Ga、Ge等の材料を添加してもよい。
記録層12は、チャネル層11の上に積層された強磁性体から形成された強磁性層であり、CoFeB、FeB、Fe、Co、Ni、Mn等の強磁性材料から形成される。記録層12の磁化M12は、チャネル層11を流れる書込電流により発生するスピン軌道トルクにより、+X軸方向と-X軸方向との間で可変である。
なお、本実施の形態では、記録層12は、一例として、平面視で楕円形状に形成されており、長軸がX軸に対してθ傾いている。θは、例えば、±2°~±35°程度である。このため、本実施形態には、外部磁場は不要である。ただし、θ=0°とし、外部磁場を配置する等してもよい。
記録層12は、例えば、アスペクト比が2.5~5.0、厚さ1.30nm~1.60nm程度に形成されている。アスペクト比は、図1(b)に示すように、記録層12の層面の長軸La/短軸Lbを意味する。記録層12は、このアスペクト比が得られるように、短軸方向に幅10~60nm程度、長軸方向に40~300nm程度に形成されている。この程度のアスペクト比を有することにより、記録層12は、単体では、磁化M12が記録層12の長軸方向を向く形状磁気異方性を有する。
障壁層13は、トンネル絶縁材料、例えば、MgとOとを含む材料、特にMgOから構成されたトンネル絶縁膜である。障壁層13は、例えば、記録層12と同一の平面形状を有し、厚さ0.1nm~5nmに形成されている。
参照層14は、障壁層13の上に積層され、強磁性体から形成された強磁性層である。参照層14の磁化M14の方向は+X軸方向に設定されている。参照層14は、例えば、記録層12と同様の材料により構成される。参照層14と障壁層13とは同一の外形形状に形成されている。
参照層14上には、第1の端子(電極)T1が配置及び接続されている。また、チャネル層11の延伸方向の一端部には、第2の端子(電極)T2が配置及び接続され、チャネル層11の延伸方向の他端部には、第3の端子(電極)T3が配置及び接続されている。
本実施の形態では、第2の端子T2と第3の端子T3は、書き込み動作に使用され、第2の端子T2と第3の端子T3との間に、書込電圧が印加され、第2の端子T2と第3の端子T3との間に、チャネル層11を介して書込電流が流れる。また、第1の端子T1と第3の端子T3は、読み出し動作に使用され、第1の端子T1と第3の端子T3との間に、読出電圧が印加され、第1の端子T1と第3の端子T3との間に、参照層14、障壁層13、記録層12、チャネル層11を介して読み出し電流が流れる。
チャネル層11は、図3に示すように、記録層12との楕円形状の接合面の重心CGを基準に第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bに論理的又は物理的に区画されている。第1のチャネル層11Aは、チャネル層11のうち、書込電流は流れるが、読出電流は流れない領域である。第2のチャネル層11Bは、チャネル層11のうち、書込電流と読出電流が共に流れる領域である。
第1のチャネル層11Aの電気抵抗の抵抗値、より正確には、第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bとの境界領域と第2の端子T2と第1のチャネル層11Aとの接続点との間の抵抗値をRAとする。また、第2のチャネル層11Bの電気抵抗の抵抗値、より正確には、第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bとの境界領域と第3の端子T3と第2のチャネル層11Bとの接続点との間の抵抗値をRBとする。第1のチャネル層11Aの抵抗値RAは、第2のチャネル層11Bの抵抗RBよりも大きく、1より大きい実数であるα倍、例えば、2~12倍程度に調整されている。
一般的には、第2の端子T2と第3の端子T3との間の抵抗値は、おおよそ200~500Ω程度、例えば400Ωである。従って、抵抗値RAは150~460Ω、抵抗値RBは20~200Ω程度に設定される。ただし、限定されるものではない。
なお、第1のチャネル層11Aの抵抗値RAと第2のチャネル層11Bの抵抗値RBを異ならせる手法については、後述する。
次に、上記構成を有する磁気抵抗効果素子100の動作を説明する。
まず、図4と図5を参照して書き込み動作を説明する。
まず、図4と図5を参照して書き込み動作を説明する。
まず、磁気抵抗効果素子100の第2の端子T2と第3の端子T3を書込回路110に接続する。
ここでは、図4(a)に示すように、記録層12の磁化M12の向きと参照層14の磁化M14の向きとが同一の平行状態にあるとする。この場合、磁気抵抗効果素子100は、データ“0”を記憶している状態にある。
書込回路110は、磁気抵抗効果素子100にデータ“1”を書き込む際には、図4(a)に示すように、第2の端子T2と第3の端子T3との間に書込電圧+VWをパルス幅TWだけ印加する。これにより、チャネル層11の-X軸方向に、図4(b)に示すようにパルス幅TWの書込電流IWが流れる。図4(c)の等価回路で示されるように、書込電流IWは、抵抗RAとRBの直列回路を流れ、その大きさは、IW=VW/(RA+RB)となる。書込電流IWは、図6に示す-X軸方向の書込電流IWの閾値IC1以上であり、パルス幅TWは書き換えに要する時間以上の時間に設定される。
図4(a)に示すように、書込電流IWが流れると、スピンホール効果によって、±Z軸方向にスピン流(スピン角運動の流れ)JSが発生する。このため、スピンが偏在し、スピン軌道トルクが作用し、記録層12の磁化M12の向きが、図5(a)に示すように、参照層14の磁化M14と反対の-X軸方向を向いて反平行状態となる。これにより、参照層14から記録層12に至る回路の抵抗値は高抵抗RAPとなる。即ち、磁気抵抗効果素子100にデータ“1”が書き込まれる。
図5(a)に示すように、反平行状態にありデータ“1”を記憶している磁気抵抗効果素子100にデータ“0”を書き込む際には、第3の端子T3と第2の端子T2との間に書込電圧+VWをパルス幅TWだけ印加する。これにより、チャネル層11の+X軸方向に、図5(b)に示すようにパルス幅TWの書込電流IWが流れる。図5(c)の等価回路で示されるように、書込電流IWは、抵抗RAとRBの直列回路を流れ、その大きさは、IW=VW/(RA+RB)となる。書込電流IWは、図6に示す+X軸方向の書込電流IWの閾値IC0以上であり、パルス幅TWは書き換えに要する時間以上の時間に設定される。
書込電流IWが流れると、スピンホール効果等によって、スピン流JSが発生し、記録層12の磁化M12の向きが反転し、図4(a)に示すように、参照層14の磁化M14と同一の+X軸方向を向く。これにより、参照層14から記録層12に至る回路の抵抗値は低抵抗RPとなる。即ち、磁気抵抗効果素子100にデータ“0”が書き込まれる。
次に、磁気抵抗効果素子100からデータを読み出す動作を説明する。
まず、図7(a)、図8(a)に示すように、磁気抵抗効果素子100の第1の端子T1と第3の端子T3を読出回路120に接続する。
まず、図7(a)、図8(a)に示すように、磁気抵抗効果素子100の第1の端子T1と第3の端子T3を読出回路120に接続する。
まず、図7(a)に示すように、記録層12の磁化M12と参照層14の磁化M14とが共に+X軸方向を向いている(平行状態)とする。この場合、記録層12から参照層14に至る回路(電流路)の抵抗は低抵抗RPであり、磁気抵抗効果素子100は“0”を記憶した状態にある。
読出回路120は、第3の端子T3と第1の端子T1との間に、読出電圧VRを印加し、流れる読出電流IRを求める。図7(b)の等価回路から明らかなように、読出電流IRは次式で表される。
IR=VR/(RP+RB)
IR=VR/(RP+RB)
一方、図8(a)の状態においては、記録層12の磁化M12は-X軸方向を向いており、参照層14の磁化M14は+X軸方向を向いている(反平行状態)。このため、記録層12から参照層14に至る電流路の抵抗は高抵抗RAPであり、磁気抵抗効果素子100は“1”を記憶した状態にある。
読出回路120は、第3の端子T3と第1の端子T1との間に、読出電圧VRを印加し、流れる読出電流IRを求める。図8(b)の等価回路から明らかなように、読出電流IRは次式で表される。
IR=VR/(RAP+RB)
IR=VR/(RAP+RB)
読出回路120は、読出電流IRと予め設定されている基準電流ISとを比較し、
読出電流IR>基準電流IS ならば、読み出しデータ=0、
読出電流IR<基準電流IS ならば、読み出しデータ=1、と判別する。
読出電流IR>基準電流IS ならば、読み出しデータ=0、
読出電流IR<基準電流IS ならば、読み出しデータ=1、と判別する。
ここで、比較のため、図9(a)、(b)に示すように、第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bが共に高抵抗RAの比較例1のMRAM191と、第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bが共に低抵抗RBの比較例2のMRAM192を想定する。なお、抵抗RA=α・RBであり、αは1より大きい実数である。
書込電流IWについて比較検討する
実施の形態では、書込電流IWは、(1)式で表される。
IW=VW/(RA+RB)=VW/[(α+1)RB]・・・(1)
比較例1では、書込電流IWは、(2)式で表される。
IW=VW/(RA+RA)=VW/(2・α・RB) ・・・(2)
比較例2では、書込電流IWは、(3)式で表される。
IW=VW/(RB+RB)=VW/(2・RB) ・・・(3)
実施の形態では、書込電流IWは、(1)式で表される。
IW=VW/(RA+RB)=VW/[(α+1)RB]・・・(1)
比較例1では、書込電流IWは、(2)式で表される。
IW=VW/(RA+RA)=VW/(2・α・RB) ・・・(2)
比較例2では、書込電流IWは、(3)式で表される。
IW=VW/(RB+RB)=VW/(2・RB) ・・・(3)
(1)式から、実施の形態に係る磁気抵抗効果素子100は、αを適当に設定することにより、書込電流IWを大きすぎず、小さすぎない適切な大きさに設定できることがわかる。このため、書込時間TWが長くなる事態も避けることができる。従って、消費電力を抑えつつ、高速書き込みが可能である。
一方、比較例1では、(2)式から、書込電流IWを抑えることはできるものの、書込電流IWが小さくなりすぎ、データの書き込みに失敗したり、書き込みに要する時間が長くなる恐れがあることが分かる。
また、比較例2では、(3)式から、書込電流IWが抑えることができず、省エネルー化が困難であることが分かる。
また、比較例2では、(3)式から、書込電流IWが抑えることができず、省エネルー化が困難であることが分かる。
次に、読出電流IRについて比較検討する。
実施の形態では、読出電流IRは、(4)、(5)式で表される。
データが“1”のとき:IR=VR/(RAP+RB)・・・(4)
データが“0”のとき:IR=VR/(RP+RB)・・・(5)
データが“1”のとき:IR=VR/(RAP+RB)・・・(4)
データが“0”のとき:IR=VR/(RP+RB)・・・(5)
比較例1では、読出電流IRは、(6)、(7)式で表される。
データが“1”のとき:IR=VR/(RAP+RA)=VR/(RAP+α・RB)・・・(6)
データが“0”のとき:IR=VR/(RP+RA)=VR/(RP+α・RB)・・・(7)
データが“1”のとき:IR=VR/(RAP+RA)=VR/(RAP+α・RB)・・・(6)
データが“0”のとき:IR=VR/(RP+RA)=VR/(RP+α・RB)・・・(7)
比較例2では、読出電流IRは、(8)、(9)式で表される。
データが“1”のとき:IR=VR/(RAP+RB)・・・(8)
データが“0”のとき:IR=VR/(RP+RB)・・・(9)
データが“1”のとき:IR=VR/(RAP+RB)・・・(8)
データが“0”のとき:IR=VR/(RP+RB)・・・(9)
(4)~(9)式から、実施の形態と比較例2では、読出電流IRが相対的に大きく、高速読み出しが可能であることが分かる。これに対し、比較例1では、読出電流IRが小さく、従って、読出時間が長くなるおそれがあることが分かる。
次に、TMR比について比較検討する。
実施の形態のTMR比は(10)式で表される。
TMR=[(RAP+RB)-(RP+RB)]/(RP+RB)
=(RAP-RP)/(RP+RB)・・・(10)
実施の形態のTMR比は(10)式で表される。
TMR=[(RAP+RB)-(RP+RB)]/(RP+RB)
=(RAP-RP)/(RP+RB)・・・(10)
比較例1のTMR比は(11)式で表される。
TMR=[(RAP+RA)-(RAP+RA)]/(RP+RA)
=(RAP-RP)/(RP+RA)=(RAP-RP)/(RP+α・RB)・・・(11)
TMR=[(RAP+RA)-(RAP+RA)]/(RP+RA)
=(RAP-RP)/(RP+RA)=(RAP-RP)/(RP+α・RB)・・・(11)
比較例2のTMR比は(12)式で表される。
TMR=[(RAP+RB)-(RP+RB)]/(RP+RB)
=(RAP-RP)/(RP+RB)・・・(12)
(10)~(12)式から、実施の形態と比較例2では、TMR比が相対的に大きく、データの判別が容易で、高速読み出しが可能であることが分かる。これに対し、比較例1では、TMR比が相対的に小さく、データの判別が困難で、読み出しに時間がかかるおそれがあることが分かる。
TMR=[(RAP+RB)-(RP+RB)]/(RP+RB)
=(RAP-RP)/(RP+RB)・・・(12)
(10)~(12)式から、実施の形態と比較例2では、TMR比が相対的に大きく、データの判別が容易で、高速読み出しが可能であることが分かる。これに対し、比較例1では、TMR比が相対的に小さく、データの判別が困難で、読み出しに時間がかかるおそれがあることが分かる。
これらの検討から、実施の形態に係る磁気抵抗効果素子100は、第1のチャネル層11Aの抵抗RAと第2のチャネル層11Bの抵抗RBを適当に設定することにより、書込電流IWを抑えつつ高速な書き込みが可能で、また、高速読み出しが可能となることがわかる。
なお、この発明の磁気抵抗記憶素子は、上記実施の形態に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。
例えば、上記実施の形態では、記録層12とチャネル層11との接合領域の重心CGを基準に第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bとに区画したが、区画する位置は任意である。ポイントは、i)チャネル層11全体としては書込電流IWを抑えるために必要な抵抗値を確保しつつ、ii)チャネル層11のうち、読出電流IRが流れる領域の抵抗値を読出電流IRが流れない領域の抵抗値をよりも小さく設定することである。
例えば、上記実施の形態では、記録層12とチャネル層11との接合領域の重心CGを基準に第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bとに区画したが、区画する位置は任意である。ポイントは、i)チャネル層11全体としては書込電流IWを抑えるために必要な抵抗値を確保しつつ、ii)チャネル層11のうち、読出電流IRが流れる領域の抵抗値を読出電流IRが流れない領域の抵抗値をよりも小さく設定することである。
適切な書込電流IWを得るために必要なチャネル層11の抵抗値(RA+RB)は、実験或いはシミュレーションにより求めればよい。また、チャネル層11のうち、読出電流IRが流れる領域の抵抗値については、適切な読出電流IR及びTMR比が得られるように、適切な抵抗値RBを実験或いはシミュレーションにより求めればよい。
上記実施の形態においては、データの読み出しのために、第1の端子T1と第3の端子T3とを使用したが、第2の端子T2を読み出しに使用することも可能である。さらに、第2の端子T2からの読み出しと第3の端子T3からの読み出しとを並行に実行可能とし、デュアルポートメモリとしてもよい。ただし、この場合、第2の端子T2からの読み出しは、第3の端子T3からの読み出しと比較して、読出電流IRが小さくなるため、適切な信号処理が必要となる。
次に、上記構成を有する磁気抵抗効果素子100を、メモリセルとして使用する記憶回路の構成例を図10(a)を参照して説明する。
図10(a)は、1ビット分のメモリセル回路200の構成を示す。
メモリセル回路200は、1ビット分のメモリセルを構成する磁気抵抗効果素子100と、一対のビット線BL1とBL2と、ワード線WLと、ソース線SLと、第1の選択トランジスタTr1と第2の選択トランジスタTr2とを備える。
図10(a)は、1ビット分のメモリセル回路200の構成を示す。
メモリセル回路200は、1ビット分のメモリセルを構成する磁気抵抗効果素子100と、一対のビット線BL1とBL2と、ワード線WLと、ソース線SLと、第1の選択トランジスタTr1と第2の選択トランジスタTr2とを備える。
磁気抵抗効果素子100の第1の端子T1はソース線SLに接続されている。第2の端子T2は第1の選択トランジスタTr1のドレインに接続され、第3の端子T3は第2の選択トランジスタTr2のドレインに接続されている。第1の選択トランジスタTr1と第2の選択トランジスタTr2のゲート電極はワード線WLに共通に接続されている。また、第1の選択トランジスタTr1のソースは第1のビット線BL1に接続され、第2の選択トランジスタTr2のソースは第2のビット線BL2に接続されている。
磁気抵抗効果素子100にデータを書き込む際には、まず、磁気抵抗効果素子100を選択するため、ワード線WLに選択トランジスタTr1,Tr2をオンさせるアクティブレベルの信号を印加する。ここでは、選択トランジスタTr1とTr2がNチャネルMOSトランジスタから構成されていることとし、ワード線WLはHighレベルに設定される。これによって第1の選択トランジスタTr1と第2の選択トランジスタTr2はオン状態になる。一方、書き込み対象のデータに応じて、第1のビット線BL1と第2のビット線BL2の一方をHighレベルに設定し、他方をグランドレベルに設定する。
具体的には、データ“1”を書き込む場合は、第1のビット線BL1をLowレベルとし、第2のビット線BL2をHighレベルとする。これにより、図4(a)に示すように、書込電流IWが-X軸方向に流れ、データ“1”が書き込まれる。
一方、データ“0”を書き込む場合は、第1のビット線BL1をHighレベルとし、第2のビット線BL2をLowレベルとする。これにより、図5(a)に示すように、書込電流IWが流れ、データ“0”が書き込まれる。このようにして、磁気抵抗効果素子100へのビットデータの書き込みが行われる。
一方、磁気抵抗効果素子100に記憶されている情報を読み出す際には、ワード線WLをアクティブレベルに設定し、第1の選択トランジスタTr1と第2の選択トランジスタTr2とをオン状態とする。また、ビット線BL1を開放状態に、ビット線BL2をロー(グランド)レベルに設定する。また、ソース線SLに読出電圧VRを印加する。これにより、ソース線SL→第1の端子T1→参照層14~チャネル層11→第3の端子T3→第2の選択トランジスタTr2→第2のビット線BL2と読出電流IRが流れる。図示せぬオペアンプ等により、読出電流IRと基準電流ISとを比較することにより、記憶データが求められる。
なお、以上の回路構成と動作は一例であって、適宜変更されうる。
例えば、磁気抵抗効果素子100をデュアルポートメモリとして使用する場合には、図10(b)に示すように、第1の選択トランジスタTr1のゲートを第1のワード線WL1に、第2の選択トランジスタTr2のゲートを第2のワード線WL2に接続してもよい。この構成とすると、第1のワード線WL1と第2のワード線WL2を独立して駆動することにより、第2の端子T2を介したデータの読み出しと、第3の端子T3を介したデータの読み出しとを、個別に且つ並列して実行可能となる。この場合、第3の端子T3を介した読み出しについては、上述のように、大きい読出電流IRと大きいTMR比を得ることができる。
例えば、磁気抵抗効果素子100をデュアルポートメモリとして使用する場合には、図10(b)に示すように、第1の選択トランジスタTr1のゲートを第1のワード線WL1に、第2の選択トランジスタTr2のゲートを第2のワード線WL2に接続してもよい。この構成とすると、第1のワード線WL1と第2のワード線WL2を独立して駆動することにより、第2の端子T2を介したデータの読み出しと、第3の端子T3を介したデータの読み出しとを、個別に且つ並列して実行可能となる。この場合、第3の端子T3を介した読み出しについては、上述のように、大きい読出電流IRと大きいTMR比を得ることができる。
一方、第2の端子T2を介した読み出しについては、相対的に大きな負荷抵抗RAを介した読み出しとなる。ただし、デュアルポートメモリの場合、ポート毎に負荷抵抗が異なることは一般的であり、負荷抵抗に対応する回路構成を採用することが望ましい。
次に、図10(a)、(b)に示すメモリセル回路200を複数備える磁気メモリ装置300の構成を図11を参照して説明する。
磁気メモリ装置300は、図示するように、メモリセルアレイ311、Xドライバ312、Yドライバ313、コントローラ314を備えている。メモリセルアレイ311はN行M列のアレイ状に配置されたメモリセル回路200を有している。各列のメモリセル回路200は対応する列の第1のビット線BL1と第2のビット線BL2の対に接続されている。また、各行のメモリセル回路200は、対応する行のワード線WLとソース線SLに接続されている。Xドライバ312とYドライバ313はメモリセルを選択する選択回路である。
磁気メモリ装置300は、図示するように、メモリセルアレイ311、Xドライバ312、Yドライバ313、コントローラ314を備えている。メモリセルアレイ311はN行M列のアレイ状に配置されたメモリセル回路200を有している。各列のメモリセル回路200は対応する列の第1のビット線BL1と第2のビット線BL2の対に接続されている。また、各行のメモリセル回路200は、対応する行のワード線WLとソース線SLに接続されている。Xドライバ312とYドライバ313はメモリセルを選択する選択回路である。
Xドライバ312は、複数のワード線WLとソース線SLに接続されており、ローアドレスをデコードして、アクセス対象の行のワード線WLをアクティブレベルに駆動する。また、ソース線SLの電圧を動作に応じて設定する。図面を見やすくするため、ワード線WLを1本で表現しているが、図10(b)の構成の場合、2本のワード線が配置されている。
Yドライバ313は、複数の第1のビット線BL1と第2のビット線BL2に接続されており、カラムアドレスをデコードして、アクセス対象のメモリセル回路200に接続されている第1のビット線BL1と第2のビット線BL2を所望のデータを書き込み状態或いは読み出し状態に設定する。さらに、メモリセル回路200に記憶されているデータを読み出す際には、Yドライバ313は、第1のビット線BL1を開放状態に、第2のビット線BL2をLOWレベルに設定し、ビット線BL1,BL2を流れる読出電流と基準電流とを比較して、各列のメモリセル回路200の抵抗を判別し、これにより、記憶データを読み出す。
コントローラ314は、データ書き込み、あるいはデータ読み出しに応じて、Xドライバ312とYドライバ313のそれぞれを制御する。
個々の磁気抵抗効果素子100の読み出し時のビット線駆動能力は小さい。このため、図11に示すように、1本のビット線BLに複数の磁気抵抗効果素子100を接続した場合、読み出し対象の1個の磁気抵抗効果素子100がビット線BLを駆動するのに要する時間(配線駆動時間)tcirが長くなって、アクセス速度に影響を与えるおそれがある。これは、1本のビット線BLに接続される磁気抵抗効果素子100の数が増加するに従って顕著になる。
図12に1本のビット線に接続される磁気抵抗効果素子100の数と、総容量と、配線駆動時間tcirと、磁気抵抗効果素子100に流れる電流Icellの典型的な関係を示す。
このグラフは、次式に基づく。
tcir=C×Vcell/Icell
ここで、Cは1本のビット線の容量(配線容量)を表す。配線容量Cは、ビット線の単位長さあたりの配線容量×磁気抵抗効果素子100を接続するために必要な長さ、から求めることができる。ここでは、一例として、ビット線の単位長さあたりの配線容量を208aF(=208×10-18F)/μmとする。これは、"International Roadmap for Devices and Systems (IRDS) 2018 Update"に基づく値である。また、磁気抵抗効果素子100のセルサイズを4F×4F=16F2、F=40nmと仮定する。これは、1メモリセルあたり、X軸方向及びY軸方向にそれぞれ2本ずつ配線が通せる回路を示し、図10に示す構成に合致している。ビット線の長さは、4F×接続メモリセル数で求められる。
このグラフは、次式に基づく。
tcir=C×Vcell/Icell
ここで、Cは1本のビット線の容量(配線容量)を表す。配線容量Cは、ビット線の単位長さあたりの配線容量×磁気抵抗効果素子100を接続するために必要な長さ、から求めることができる。ここでは、一例として、ビット線の単位長さあたりの配線容量を208aF(=208×10-18F)/μmとする。これは、"International Roadmap for Devices and Systems (IRDS) 2018 Update"に基づく値である。また、磁気抵抗効果素子100のセルサイズを4F×4F=16F2、F=40nmと仮定する。これは、1メモリセルあたり、X軸方向及びY軸方向にそれぞれ2本ずつ配線が通せる回路を示し、図10に示す構成に合致している。ビット線の長さは、4F×接続メモリセル数で求められる。
Vcellは、反平行状態の磁気抵抗効果素子100が設定するビット線BLの電圧であり、Vcell=0.8Vと仮定する。Icellは磁気抵抗効果素子100を流れる読出電流の値である。
図12からわかるように、読出電流Icell=14μAを達成できれば、ビット線1本当たりのメモリセル数がおおよそ500個で、1Gビット級のビットサイズにおいても、0.5ns程度の配線駆動時間tcirを実現できることがわかる。
近時の平行状態での磁気抵抗効果素子の抵抗RPはおおよそ14,000Ω程度、反平行状態での磁気抵抗効果素子の抵抗RAPはおおよそ34,000Ω程度である。従って、0.8/34,000=23.5μAの読出電流Icellが得られる。従って、実施の形態によれば、配線駆動時間tcirが0.5ns以下の高速読み出しと低消費電力が実現できることがわかる。
次に、第1のチャネル層11Aの抵抗値RAと第2のチャネル層11Bの抵抗値RBとを異ならせるための具体的な構造の例について図13から図17を参照して説明する。なお、図13から図17では、記録層12~参照層14を単にMTJと表示する。
構成例1:
薄膜の長さL、厚さt、幅Wを図13(a)に示すように定義する。
この場合、薄膜の抵抗値Rは、R=ρ・L/(t・W)で表される。
ρ:抵抗率(Ω・m)、L:薄膜の長さ(m)、t:薄膜の膜厚(m)、W:薄膜の幅(m)
これは、他の構成例にも共通である。
薄膜の長さL、厚さt、幅Wを図13(a)に示すように定義する。
この場合、薄膜の抵抗値Rは、R=ρ・L/(t・W)で表される。
ρ:抵抗率(Ω・m)、L:薄膜の長さ(m)、t:薄膜の膜厚(m)、W:薄膜の幅(m)
これは、他の構成例にも共通である。
図13(b)に示すように、第1のチャネル層11Aを薄く、第2のチャネル層11Bを厚く形成することにより、厚さtを異ならせて、抵抗値の異なる領域を有するチャネル層11を実現できる。
第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bを異なる厚さに形成するためには、例えば、段差を有する下地層を形成し、この下地層の上に重金属をスパッタリングにより堆積し、堆積層の表面を平坦化処理した後、パターニングすればよい。
第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bを異なる厚さに形成するためには、例えば、段差を有する下地層を形成し、この下地層の上に重金属をスパッタリングにより堆積し、堆積層の表面を平坦化処理した後、パターニングすればよい。
構成例2:
図14(a)に示すように、第1のチャネル層11Aを長く、第2のチャネル層11Bを短く形成することにより、長さLを異ならせて、抵抗値の異なる領域を有するチャネル層11を実現できる。第1のチャネル層11A及び第2のチャネル層11Bを直線状に形成する必要はなく、図14(b)に示すように螺旋状に形成する等、必要な長さLを確保できるならば、任意のパターン形状を採用可能である。
図14(a)に示すように、第1のチャネル層11Aを長く、第2のチャネル層11Bを短く形成することにより、長さLを異ならせて、抵抗値の異なる領域を有するチャネル層11を実現できる。第1のチャネル層11A及び第2のチャネル層11Bを直線状に形成する必要はなく、図14(b)に示すように螺旋状に形成する等、必要な長さLを確保できるならば、任意のパターン形状を採用可能である。
構成例3:
図15に示すように、第1のチャネル層11Aを狭く、第2のチャネル層11Bを広く形成することにより、Wを異ならせて、チャネル層11を実現できる。
図15に示すように、第1のチャネル層11Aを狭く、第2のチャネル層11Bを広く形成することにより、Wを異ならせて、チャネル層11を実現できる。
構成例4:
図16に模式的に示すように、第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bの外形形状を共通とする場合でも、第1のチャネル層11Aを構成する材料と、第2のチャネル層11Bを構成する材料を異ならせることにより、抵抗率ρを異ならせて、チャネル層11を実現できる。この場合は、前述した様々な重金属及び添加物の配合を調整することにより、適切な抵抗率を求めることができる。製造方法としては、例えば、i)抵抗率ρ1の第1の重金属層を形成し、これをパターニングして、第1のチャネル層11Aを形成し、ii)続いて、第1のチャネル層11Aをマスクし、iii)抵抗率ρ2の第2の重金属を堆積して重金属層を形成し、これをパターニングして、第2のチャネル層11Bを形成し、iv)マスクを除去することにより、チャネル層11を形成できる。
図16に模式的に示すように、第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bの外形形状を共通とする場合でも、第1のチャネル層11Aを構成する材料と、第2のチャネル層11Bを構成する材料を異ならせることにより、抵抗率ρを異ならせて、チャネル層11を実現できる。この場合は、前述した様々な重金属及び添加物の配合を調整することにより、適切な抵抗率を求めることができる。製造方法としては、例えば、i)抵抗率ρ1の第1の重金属層を形成し、これをパターニングして、第1のチャネル層11Aを形成し、ii)続いて、第1のチャネル層11Aをマスクし、iii)抵抗率ρ2の第2の重金属を堆積して重金属層を形成し、これをパターニングして、第2のチャネル層11Bを形成し、iv)マスクを除去することにより、チャネル層11を形成できる。
構成例5:
同一の第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bとを形成する場合でも、第2の端子T2に接続する回路要素の抵抗値を大きく、第3の端子T3に接続する回路要素の抵抗を小さく形成することにより、チャネル層11を実現できる。図17は、回路要素の例として、図10(a)、(b)に示す選択トランジスタTr1とTr2のオン抵抗を異ならせる例を示す。オン抵抗を異ならせる手法は、例えば、トランジスタのサイズ(チャネル幅またはチャネル長)を互いに異ならせる手法、チャネル領域に不純物をドープする手法等、任意の手法を採用できる。
同一の第1のチャネル層11Aと第2のチャネル層11Bとを形成する場合でも、第2の端子T2に接続する回路要素の抵抗値を大きく、第3の端子T3に接続する回路要素の抵抗を小さく形成することにより、チャネル層11を実現できる。図17は、回路要素の例として、図10(a)、(b)に示す選択トランジスタTr1とTr2のオン抵抗を異ならせる例を示す。オン抵抗を異ならせる手法は、例えば、トランジスタのサイズ(チャネル幅またはチャネル長)を互いに異ならせる手法、チャネル領域に不純物をドープする手法等、任意の手法を採用できる。
なお、構成例1から5は、組みあわせて使用可能である。
以上の説明では、記録層12の磁化M12の向きと参照層14の磁化M14の向きとが、チャネル層11の延伸方向(X軸方向)にほぼ平行(例えば、θ=0~±35°度程度)の構成の磁気抵抗効果素子100を例にこの発明を説明した。この発明はこれに限定されない。例えば、図18(a)に示すように、記録層12の磁化M12Aの向きと参照層14の磁化M14Aの向きとが、記録層12と参照層14の面にほぼ平行で且つチャネル層11の延伸方向(X軸方向)にほぼ垂直な方向(±Y軸方向)を向く構成の磁気抵抗効果素子100Aにもこの発明を適用可能である。また、図18(b)に示すように、記録層12の磁化M12Bの向きと参照層14の磁化M14Bの向きとが、記録層12と参照層14の面にほぼ垂直な方向(±Z軸方向)を向く構成の磁気抵抗効果素子100Bにもこの発明を適用可能である。
以上説明したように、実施の形態によれば、書込電流IWを抑えて省電力化を図りつつ、高速書き込み及び高速読み出しが可能な磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気メモリ装置を提供できる。
11 チャネル層
11A 第1のチャネル層
11B 第2のチャネル層
12 記録層
13 障壁層
14 参照層
100 磁気抵抗効果素子
200 メモリセル回路
300 磁気メモリ装置
311 メモリセルアレイ
312 Xドライバ
313 Yドライバ
314 コントローラ
11A 第1のチャネル層
11B 第2のチャネル層
12 記録層
13 障壁層
14 参照層
100 磁気抵抗効果素子
200 メモリセル回路
300 磁気メモリ装置
311 メモリセルアレイ
312 Xドライバ
313 Yドライバ
314 コントローラ
Claims (11)
- 積層された参照層と障壁層と記録層とチャネル層と、
前記参照層に接続され第1の端子と、前記チャネル層に接続された第2と第3の端子と、
を備え、
前記チャネル層は第1のチャネル層と第2のチャネル層とを備え、
前記第1のチャネル層の電気抵抗は前記第2のチャネル層の電気抵抗より大きく、
前記第2の端子は前記第1のチャネル層に接続され、前記第3の端子は前記第2のチャネル層に接続され、
書込電流は前記第2の端子と前記第3の端子との間に、前記第1のチャネル層及び前記第2のチャネル層を介して流れ、
読出電流は前記第1の端子と前記第3の端子との間に流れる、
磁気抵抗効果素子。 - 前記参照層は磁化の方向が固定された強磁性層から構成され、
前記障壁層はトンネル絶縁膜から構成され、
前記記録層は、前記チャネル層を流れる書込電流により発生するスピン軌道トルクにより、磁化の方向が可変する強磁性層から構成され、
前記チャネル層は、重金属を含み、
前記第2の端子は、前記チャネル層の一端部に接続され、前記第3の端子は、前記チャネル層の他端部に接続され、
前記第1のチャネル層は、前記チャネル層のうち、前記チャネル層と前記記録層との接合面から前記第2の端子の接続点に至る領域を含み、
前記第2のチャネル層は、前記チャネル層のうち、前記接合面から前記第3の端子の接続点に至る領域を含む、
請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記チャネル層はW、Ta、Pt、Pd、WOx、TaOx、PtOx、又はPdOxを含む、
請求項1又は2に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1のチャネル層は、前記第2のチャネル層より膜厚が薄い、
請求項1から3の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1のチャネル層は、前記第2のチャネル層よりも長い、
請求項1から4の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1のチャネル層は螺旋状のパターンに形成されている、
請求項5に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1のチャネル層は、前記第2のチャネル層より幅が狭い、
請求項1から6の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1のチャネル層は、前記第2のチャネル層より抵抗率が高い、
請求項1から7の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第2の端子に接続された回路要素は、前記第3の端子に接続された回路要素よりも抵抗が高い、
請求項1から8の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記回路要素はトランジスタを含み、前記第2の端子に接続された回路要素を構成するトランジスタのオン抵抗は、前記第3の端子に接続された回路要素を構成するトランジスタのオン抵抗よりも高い、
請求項9に記載の磁気抵抗効果素子。 - 請求項1から10の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子を記憶セルとして備える磁気メモリ装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021142659A JP2023035644A (ja) | 2021-09-01 | 2021-09-01 | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 |
US17/899,868 US20230147268A1 (en) | 2021-09-01 | 2022-08-31 | Magnetoresistive element and magnetic memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021142659A JP2023035644A (ja) | 2021-09-01 | 2021-09-01 | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023035644A true JP2023035644A (ja) | 2023-03-13 |
Family
ID=85505127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021142659A Pending JP2023035644A (ja) | 2021-09-01 | 2021-09-01 | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230147268A1 (ja) |
JP (1) | JP2023035644A (ja) |
-
2021
- 2021-09-01 JP JP2021142659A patent/JP2023035644A/ja active Pending
-
2022
- 2022-08-31 US US17/899,868 patent/US20230147268A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230147268A1 (en) | 2023-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10622550B2 (en) | Magnetoresistance effect element including a recording layer with perpendicular anisotropy and a bias layer comprised of an antiferromagnetic material, magnetic memory device, manufacturing method, operation method, and integrated circuit | |
JP6280195B1 (ja) | 磁気メモリ | |
JP4682585B2 (ja) | 記憶素子及びメモリ | |
KR100885184B1 (ko) | 전기장 및 자기장에 의해 독립적으로 제어될 수 있는 저항특성을 갖는 메모리 장치 및 그 동작 방법 | |
US8514605B2 (en) | MRAM diode array and access method | |
US8213216B2 (en) | Shared bit line and source line resistive sense memory structure | |
JP6861996B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 | |
WO2016021468A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ装置 | |
CN107204201A (zh) | 磁存储器 | |
WO2020166722A1 (ja) | スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置 | |
JP7168241B2 (ja) | 集積回路装置 | |
JP6530527B1 (ja) | 磁気記憶装置 | |
JP5160724B2 (ja) | メモリ | |
US8068359B2 (en) | Static source plane in stram | |
JP2006501587A (ja) | 磁気抵抗メモリセルアレイとこのアレイを含むmramメモリ | |
JP2005526351A (ja) | 読み出し信号が最大で且つ電磁妨害を低減するmramセルおよびアレイ構造 | |
US20030161180A1 (en) | Shared bit lines in stacked MRAM arrays | |
JP6553224B1 (ja) | 磁気記憶装置 | |
KR100434958B1 (ko) | 마그네틱 램 | |
US10418414B2 (en) | Variable resistance memory devices | |
US20220208853A1 (en) | Magnetic memory and reading/writing method thereof | |
JP2023035644A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 | |
CN117321975A (zh) | 一种磁性随机存储器及电子设备 | |
CN114649016A (zh) | 磁阻式随机存取存储器 | |
CN113451355A (zh) | 基于自旋轨道矩的磁性存储器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240823 |