JP2023034682A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】温度検出素子１１に対する静電保護回路に電気的に接続する抵抗部を設けても、配線のレイアウトに対する影響が小さい電気光学装置および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置において、第１基板１０は、第１方向Ｙに延在する第１辺１０ｗ１に沿うように走査線駆動回路１０４が設けられ、第２方向Ｘに延在する第２辺１０ｗ２と走査線駆動回路１０４との間に基板間導通用電極１４ｔが設けられている。走査線駆動回路１０４と第２辺１０ｗ２との間には、走査線駆動回路１０４と隣り合う温度検出素子１１が設けられ、基板間導通用電極１４ｔと第２辺１０ｗ２との間に静電保護回路１２が配置され、静電保護回路１２には、静電保護回路１２と第１辺１０ｗ１との間に抵抗部Ｒ０を有する配線Ｌ０が電気的に接続されている。【選択図】図５

Description

本発明は、温度検出素子が設けられた電気光学装置、および電子機器に関するものである。

液晶装置等の電気光学装置において、表示領域の外側に温度検出素子を設け、温度検出素子での検出結果に基づいて、駆動条件を補正する等の技術が提案されている。また、温度検出素子に並列に電気的に接続したトランジスターを備えた静電保護回路を設け、静電気に起因するサージ電流から温度検出素子を保護する構成が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１では、アノード端子からトランジスターまで延在するアノード線に保護抵抗を設け、カソード端子からトランジスターまで延在するカソード線に保護抵抗を設け、温度検出素子に侵入するサージを緩和する構成が記載されている。また、温度検出素子を構成するダイオードは、表示領域と走査線駆動回路との間に配置され、保護抵抗は、静電保護回路に対して端子側に配置されている。

特開２０１８－１９４６６６公報

しかしながら、静電保護回路に対して端子側は多数の配線が集中して配置されているため、静電保護回路に対して端子側に保護抵抗を配置するスペースを確保すると、電気光学装置が大型化するという課題がある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、第１方向に延在する第１辺、および前記第１方向に交差する第２方向に延在する第２辺を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、を備え、前記第１基板は、前記第１方向に沿って配置された走査線駆動回路と、前記走査線駆動回路と前記第２辺との間に配置され、前記第１基板と第２基板とを導通させる基板間導通用電極と、前記走査線駆動回路と前記第２辺との間で前記走査線駆動回路と隣り合う温度検出素子と、前記基板間導通用電極と前記第２辺との間に配置された静電保護回路と、前記静電保護回路に電気的に接続され、前記静電保護回路と前記第１辺との間に抵抗部を有する配線と、を有することを特徴とする。

本発明に係る電気光学装置は電子機器に用いられる。

本発明の実施形態１に係る電気光学装置の構成例を示す平面図。 図１に示す電気光学装置の断面を模式的に示す説明図。 図１に示す第１基板等の電気的な構成を示す回路ブロック図。 図３に示す温度検出回路の説明図。 図４に示す温度検出回路等の平面構成を示す説明図。 図５に示す温度検出素子の平面構成を模式的に示す平面図。 図６に示す温度検出素子の断面を模式的に示す断面図。 本発明の実施形態２に係る電気光学装置の説明図。 本発明を適用した投射型表示装置の構成例を示すブロック図。 図９に示す光路シフト素子の説明図。

図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、平面視とは第１基板１０または第２基板２０に対する法線方向からみた様子を意味する。また、第１基板１０の面内方向において互いに交差する２方向のうちの一方を第１方向Ｙとし、他方を第２方向Ｘとして説明する。

１．実施形態
１－１．電気光学装置１００の具体的構成
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の構成例を示す平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面を模式的に示す説明図である。図１および図２に示す電気光学装置１００は液晶装置であり、電気光学パネル１００ｐを有している。電気光学装置１００では、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。電気光学装置１００において、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、液晶層からなる電気光学層５０が設けられている。シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。なお、液晶材料を滴下法で封入する場合は、途切れ部分１０７ｃは形成されない。第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。

以下の説明では、第１基板１０において、第１方向Ｙに延在する辺を第１辺１０ｗ１とし、第１辺１０ｗ１と隣り合って第２方向Ｘに延在する辺を第２辺１０ｗ２とする。また、第１基板１０において、第１辺１０ｗ１に第２方向Ｘで対向するように第１方向Ｙに延在する辺を第３辺１０ｗ３とし、第２辺１０ｗ２に第１方向Ｙで対向するように第２方向Ｘに延在する辺を第４辺１０ｗ４とする。

第１基板１０の外周領域１０ｃには、第１基板１０の第１辺１０ｗ１と表示領域１０ａとの間、および第１基板１０の第３辺１０ｗ３と表示領域１０ａとの間の各々に走査線駆動回路１０４が設けられている。また、第１基板１０の第２辺１０ｗ２と表示領域１０ａとの間にデータ線駆動回路１０１が設けられ、第１基板１０の第４辺１０ｗ４と表示領域１０ａの第２辺１０ａ２との間に検査回路１０５が設けられている。第１基板１０において、第２辺１０ｗ２とデータ線駆動回路１０１との間には第２辺１０ｗ２に沿って複数の実装用の端子１０２が配列されており、端子１０２には配線基板７０が接続されている。配線基板７０には、画像信号等を電気光学パネル１００ｐを出力する駆動用ＩＣ７５が実装されている。配線基板７０は、コネクタ６１を介して上位回路６０に電気的に接続される。上位回路６０には、駆動用ＩＣ７５に画像データ等を出力する画像制御回路６５が設けられている。また、上位回路６０には、後述する温度検出回路１を駆動する温度検出用駆動回路６６が設けられている。上位回路６０は、後述する電子機器において、電気光学装置１００に対する上位装置に設けられる。

第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗを有しており、第１基板１０において第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側には、表示領域１０ａに、複数の画素トランジスター、および複数の画素トランジスターの各々に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。画素電極９ａの上層側には第１配向膜１６が形成されている。第１基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａの外縁とシール材１０７との間に沿って延在する四角形の枠状領域１０ｂには、表示領域１０ａの各辺に沿って延在する部分に、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。

第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗを有しており、第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１の表面には第２配向膜２６が積層されている。共通電極２１は、第２基板２０の一方面２０ｓの側の略全面に形成されている。第２基板２０の一方面２０ｓの側において、枠状領域１０ｂには、共通電極２１の下層側に遮光層からなる表示端遮光領域２９が形成され、表示端遮光領域２９の内縁によって、表示領域１０ａが規定されている。表示端遮光領域２９と共通電極２１との間には透光性の平坦化膜２２が形成されている。表示端遮光領域２９を構成する遮光層は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆと平面視で重なるブラックマトリクス部として形成されることもある。表示端遮光領域２９はダミー画素電極９ｂと平面視で重なっている。表示端遮光領域２９は、遮光性の金属膜や黒色の樹脂によって構成されている。

第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯ_Ｘ（ｘ≦２）、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、カラムと称せられる柱状体が第１基板１０および第２基板２０に対して斜めに形成された柱状構造体層からなる。従って、第１配向膜１６および第２配向膜２６は、電気光学層５０に用いた負の誘電異方性を備えたネマチック液晶分子を第１基板１０および第２基板２０に対して斜めに傾斜配向させ、液晶分子にプレチルトを付している。このようにして、電気光学装置１００は、ノーマリブラックのＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。

第１基板１０においてシール材１０７より外側には、第２基板２０の４つの角部分２４ｔ付近と重なる位置に基板間導通用電極１４ｔが形成されている。基板間導通用電極１４ｔには共通電位配線６ｇが導通しており、共通電位配線６ｇは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ｇに導通している。基板間導通用電極１４ｔと共通電極２１との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１４ｔおよび基板間導通材１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位ＬＣＣＯＭが印加されている。

本実施形態の電気光学装置１００は透過型液晶装置である。従って、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型液晶装置では、例えば、第２基板２０の側から入射した光源光が第１基板１０から出射される間に変調されて画像を表示する。

１－２．電気光学装置１００の電気的構成
図３は、図１に示す第１基板１０等の電気的な構成を示す回路ブロック図である。図３に示すように、電気光学装置１００において、電気光学パネル１００ｐに用いた第１基板１０は、その中央領域に複数の画素回路１００ａがマトリクス状に配列された表示領域１０ａを備えている。表示領域１０ａの内側には、走査線駆動回路１０４から第２方向Ｘに延在する複数本の走査線３ａ、およびデータ線駆動回路１０１から第１方向Ｙに延在する複数本のデータ線６ａが設けられており、走査線３ａとデータ線６ａとの交差に対応して画素回路１００ａが構成されている。複数本のデータ線６ａは検査回路１０５に電気的に接続している。検査回路１０５はトランジスターアレイであり、トランジスターの一方のソース・ドレインがデータ線６ａに電気的に接続され、他方のソース・ドレインが検査線（図示せず）に電気的に接続され、ゲートが制御信号配線に電気的に接続されている。

複数の画素回路１００ａの各々には、電界効果型トランジスター等からなる画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続された画素電極９ａが設けられている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには画像信号が供給され、走査線３ａには走査信号が供給される。

各画素回路１００ａにおいて、画素電極９ａは、図２を参照して説明した第２基板２０の共通電極２１と電気光学層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素回路１００ａには、液晶容量で保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態では、保持容量５５を構成するために、第１基板１０には、複数の画素回路１００ａに跨って延在する容量線８ａが形成されており、容量線８ａには共通電位ＬＣＣＯＭが供給されている。容量線８ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａの少なくとも一方と重なるように設けられている。図３には、容量線８ａが走査線３ａおよびデータ線６ａの双方と重なる態様が例示されている。図示を省略するが、容量線８ａは、図１で説明した共通電位配線６ｇに電気的に接続される。

第１基板１０において、表示領域１０ａの外側には温度検出回路１が構成されている。従って、複数の端子１０２には、温度検出回路１に電気的に接続された第１端子１０２ａ、および第２端子１０２ｃが含まれている。

また、複数の端子１０２には、第１基板１０の第１辺１０ｗ１の側から第３辺１０ｗ３に向かって、例えば、端子１０２ｇ、１０２ｔ、１０２ｓ、第１端子１０２ａ、第２端子１０２ｃ、端子１０２ｅ、１０２ｆ、１０２ｈが順に配置されている。端子１０２ｇは、共通電位ＬＣＣＯＭを供給するための端子１０２である。端子１０２ｔは、走査線駆動回路１０４に高レベルの定電位ＶＤＤＹを供給するための端子である。端子１０２ｓは、走査線駆動回路１０４に低レベルの定電位ＶＳＳＹを供給するための端子である。端子１０２ｅ、１０２ｆは検査用の端子であり、端子１０２ｈは、ダミー画素電極９ｂに定電位を印加するための端子である。

１－３．温度検出回路１等の構成
図４は、図３に示す温度検出回路１の説明図である。図４に示すように、温度検出回路１は温度検出素子１１を備えている。温度検出素子１１は、例えば、直列に接続された複数のダイオードＤを備えている。図４には、５つのダイオードＤが直列に電気的に接続された形態を例示してある。以下、５つのダイオードＤを各々、第１ダイオードＤ１、第２ダイオードＤ２、第３ダイオードＤ３、第４ダイオードＤ４、および第５ダイオードＤ５とする。温度検出素子１１の第５ダイオードＤ５のアノード１１ａには、第１端子１０２ａから延在する第１配線Ｌａが電気的に接続されている。温度検出素子１１の第１ダイオードＤ１のカソード１１ｃには、第２端子１０２ｃから延在する第２配線Ｌｃが電気的に接続されている。

従って、電気光学装置１００を電子機器に搭載した状態で温度を検出する際、第１基板１０に接続された配線基板７０を介して温度検出用駆動回路６６から第１端子１０２ａおよび第２端子１０２ｃを介して温度検出回路１の温度検出素子１１に１０ｎＡ～数μＡ程度の微小な順方向の駆動電流Ｉｔを供給する。ここで、５個のダイオードＤからなる温度検出素子１１の順方向の電圧は、温度に対してほぼ線形特性を有して変化する。従って、第１端子１０２ａと第２端子１０２ｃとの間の電圧を検出すれば、電気光学パネル１００ｐの温度を検出することができる。その際、温度検出素子１１は、表示領域１０ａの近傍に配置されているため、温度検出素子１１は、表示領域１０ａの温度を適正に検出することができる。それ故、温度検出回路１の検出した温度に基づいて、画像信号の補正等を行えば、表示領域１０ａの温度に対応した適正な条件で電気光学装置１００を駆動することができるので、品位の高い画像を表示することができる。なお、温度検出用駆動回路６６は、定電流回路６６１と、定電流回路６６１とグランドとの間に安定化容量６６２を備えている。安定化容量６６２は、第１端子１０２ａに電気的に接続する配線と、第２端子１０２ｃに電気的に接続する配線とに電気的に接続されており、出力電圧ＶＦの測定値を安定させる。安定化容量６６２の静電容量は、例えば、０．１μＦである。

本形態において、温度検出回路１は、さらに、温度検出素子１１を保護するための静電保護回路１２を有しており、第１配線Ｌａおよび第２配線Ｌｃには、保護抵抗として、第１抵抗部Ｒ１および第２抵抗部Ｒ２が設けられている。

静電保護回路１２は、第１配線Ｌａと第２配線Ｌｃとの間に接続されたトランジスターＴｒを備えており、トランジスターＴｒは、温度検出素子１１に並列に電気的に接続されている。トランジスターＴｒの一方のソース・ドレインは、第１配線Ｌａのうち、第１端子１０２ａと温度検出素子１１との間に電気的に接続され、トランジスターＴｒの他方のソース・ドレインは、第２配線Ｌｃのうち、第２端子１０２ｃと温度検出素子１１との間に電気的に接続されている。本形態において、トランジスターＴｒは画素トランジスター３０と同様、Ｎチャネル型薄膜トランジスターからなる。

静電保護回路１２は、第１配線Ｌａと第２配線Ｌｃとの間で直列に電気的に接続された第１容量素子Ｃ１と第２容量素子Ｃ２とを備えている。より具体的には、第１配線Ｌａに第１容量素子Ｃ１の一端が電気的に接続され、第２配線Ｌｃに第２容量素子Ｃ２の一端が電気的に接続され、第１容量素子Ｃ１の他端と第２容量素子Ｃ２の他端とが電気的に接続されている。静電保護回路１２において、第１容量素子Ｃ１と第２容量素子Ｃ２との接続ノードＣｎは、トランジスターＴｒのゲートに電気的に接続されている。静電保護回路１２は、第１容量素子Ｃ１に並列に電気的に接続された第３抵抗部Ｒ３を有する。より具体的には、トランジスターＴｒのゲートから延在するゲート配線Ｌｇは、第１容量素子Ｃ１と第２容量素子Ｃ２との接続ノードＣｎに電気的に接続し、第３抵抗部Ｒ３を介して第２配線Ｌｃに電気的に接続している。

温度検出回路１において、第１抵抗部Ｒ１は、第１配線Ｌａのうち、第１端子１０２ａから第１配線Ｌａと第１容量素子Ｃ１との接続位置までの間に挿入され、第２抵抗部Ｒ２は、第２配線Ｌｃのうち、第２端子１０２ｃから第２配線Ｌｃと第２容量素子Ｃ２との接続位置までの間に挿入された第２抵抗部Ｒ２が挿入されている。

本形態において、温度検出回路１に用いた各回路素子のサイズ等は、例えば、以下の通りである。但し、これらは、下記の条件に限定されるものではない。
トランジスターＴｒ：チャネル幅Ｗ＝８００μｍ、チャネル長Ｌ＝５μｍ
第１容量素子Ｃ１の静電容量＝５ｐＦ
第２容量素子Ｃ２の静電容量＝５ｐＦ
第１抵抗部Ｒ１の抵抗値＝１０ｋΩ
第２抵抗部Ｒ２の抵抗値＝１０ｋΩ
第３抵抗部Ｒ３の抵抗値＝５００ｋΩ

このように構成した電気光学装置１００において、第１端子１０２ａから静電気によるサージ電流が侵入した際、静電保護回路１２は、温度検出素子１１を静電気から保護する。より具体的には、静電保護回路１２において、静的状態ではトランジスターＴｒのゲート・ソース間電圧は０Ｖであり、トランジスターＴｒはオフである。これに対して、第１端子１０２ａから静電気によるサージ電流が侵入すると、第１抵抗部Ｒ１によって電圧変動が抑制されながら、第１容量素子Ｃ１と第２容量素子Ｃ２との接続ノードＣｎの電位であるトランジスターＴｒのゲートの電位が上昇する。このため、トランジスターＴｒがオン状態となるので、サージ電流は、トランジスターＴｒおよび第２配線Ｌｃを介して第２端子１０２ｃに流れる。その際、第１抵抗部Ｒ１は、第１端子１０２ａから侵入するサージ電流を緩和し、第２抵抗部Ｒ２は、第２端子１０２ｃから侵入するサージ電流を緩和する。また、トランジスターＴｒがオンとなる期間は、第１容量素子Ｃ１、第２容量素子Ｃ２、第３抵抗部Ｒ３、およびトランジスターＴｒのゲート容量等で決まる。放電後は、トランジスターＴｒのゲートの電位が第３抵抗部Ｒ３によってオフ電位に復帰する。よって、温度検出素子１１に流れるサージ電流は、静電保護回路１２によって抑制されるので、温度検出素子１１を保護することができる。なお、第１抵抗部Ｒ１と第２抵抗部Ｒ２は、温度検出素子１１の駆動電流Ｉｔによる電圧降下を発生させる。但し、駆動電流Ｉｔは極めて小さいので、第１抵抗部Ｒ１と第２抵抗部Ｒ２による電圧降下の影響はほとんど無視することができる。

１－４．温度検出回路１等のレイアウト等
図５は、図４に示す温度検出回路１等の平面構成を示す説明図である。図５に示すように、第１基板１０は、表示領域１０ａと第１辺１０ｗ１との間で第１方向Ｙに沿って配置された走査線駆動回路１０４を有しており、走査線駆動回路１０４と第２辺１０ｗ２との間には、第１基板１０と第２基板２０とを導通させる基板間導通用電極１４ｔが設けられている。

また、第１基板１０は、表示領域１０ａと第２辺１０ｗ２との間で第２方向Ｘに沿って配置されたデータ線駆動回路１０１を有しており、複数のデータ線６ａは、データ線駆動回路１０１から第１方向Ｙに延在して、図３を参照して説明した表示領域１０ａの画素回路１００ａと電気的に接続されている。従って、データ線駆動回路１０１と表示領域１０ａとの間は、複数のデータ線６ａがデータ線駆動回路１０１から表示領域１０ａまで延在する配線領域１０３になっている。

本形態において、データ線駆動回路１０１では、最も表示領域１０ａの側の端部において、デマルチプレクサを構成する選択回路１０１ａが設けられており、選択回路１０１ａからはデータ線６ａが第１方向Ｙに沿って延在している。選択回路１０１ａは、データ線６ａと画像信号配線６ｊとの電気的な接続を制御するトランジスター３０ｅを備える。本実施形態において、デマルチプレクサは、例えば、８個の選択回路１０１ａを備える。かかるデータ線駆動回路１０１では、図３に示す駆動用ＩＣ７５から端子１０２および画像信号配線６ｊを経由して画像信号ＶＩＤが供給される。その際、選択回路１０１ａのトランジスター３０ｅは、駆動用ＩＣ７５から制御信号配線６ｉを介して供給される選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２、…ＳＥＬ８に基づいて、画像信号ＶＩＤを各データ線６ａに時分割的に供給する。

本形態において、温度検出素子１１は、走査線駆動回路１０４に対して第１方向Ｙに設けられている。より具体的には、温度検出素子１１は、走査線駆動回路１０４と第２辺１０ｗ２との間で走査線駆動回路１０４と第１方向Ｙで隣り合うように配置されている。また、温度検出素子１１は、データ線駆動回路１０１、または配線領域１０３に対して第２方向Ｘで隣り合うように配置されている。本形態において、温度検出素子１１は、配線領域１０３に対して第２方向Ｘに沿う方向において第１辺１０ｗ１の側で隣り合うように配置されている。ここで、温度検出素子１１を構成する複数のダイオードＤは、一定の方向配列されている。本形態において、温度検出素子１１を構成する複数のダイオードＤは、第２方向Ｘに配列されている。従って、温度検出素子１１の第１方向Ｙにおける寸法Ｌ１１は、配線領域１０３の第１方向Ｙにおける寸法Ｌ１０３より小さい。

本形態では、以下に説明するように、第１配線Ｌａおよび第２配線Ｌｃは、静電保護回路１２に電気的に接続された配線Ｌ０として纏めて引き回されており、第１抵抗部Ｒ１および第２抵抗部Ｒ２は、配線Ｌ０に電気的に接続された抵抗部Ｒ０として纏めて配置されている。なお、第１配線Ｌａを第１端子１０２ａと電気的に接続し、第２配線Ｌｃを第２端子１０２ｃと電気的に接続するにあたって、第１配線Ｌａと第２配線Ｌｃとを多層配線構造を利用して、絶縁を確保しつつ交差させてある。

静電保護回路１２は全体が纏めて配置されている。従って、第１容量素子Ｃ１および第２容量素子Ｃ２は、静電保護回路１２の容量素子Ｃ０として纏めて配置され、容量素子Ｃ０、トランジスターＴｒ、および第３抵抗部Ｒ３は纏めて配置されている。

より具体的には、基板間導通用電極１４ｔと第２辺１０ｗ２との間には静電保護回路１２が纏めて配置されている。本形態において、第１方向Ｙに沿う方向からみたとき、静電保護回路１２は、基板間導通用電極１４ｔより第２方向Ｘに沿う方向において第１辺１０ｗ１とは反対側にずれた位置に配置されているが、第２方向Ｘに沿う方向からみたとき、静電保護回路１２は、基板間導通用電極１４ｔと第２辺１０ｗ２との間に設けられている。本形態においては、基板間導通用電極１４ｔの側から第２辺１０ｗ２の側に向けて、静電保護回路１２を構成する容量素子Ｃ０（第１容量素子Ｃ１、第２容量素子Ｃ２）、トランジスターＴｒ、および第３抵抗部Ｒ３は順に並ぶように配置されている。また、容量素子Ｃ０（において、第１容量素子Ｃ１と第２容量素子Ｃ２は、第２方向Ｘに沿う方向で並ぶように配置されている。本形態において、第１容量素子Ｃ１は、第２容量素子Ｃ２に対して第１辺１０ｗ１の側に配置されている。

トランジスターＴｒでは、一体に形成された半導体層を利用して複数の単位トランジスター素子Ｔｒ０が形成され、複数の単位トランジスター素子Ｔｒ０を並列に電気的に接続することによってトランジスターＴｒが構成されている。なお、図５には、計４つの複数の単位トランジスター素子Ｔｒ０が並列に電気的に接続されている態様が例示されているが、並列に電気的に接続された単位トランジスター素子Ｔｒ０の数は４つに限定されない。

静電保護回路１２に電気的に接続された配線Ｌ０において、抵抗部Ｒ０も、基板間導通用電極１４ｔと第２辺１０ｗ２との間に設けられている。より具体的には、抵抗部Ｒ０は、静電保護回路１２と第１辺１０ｗ１との間に配置されている。本形態において、配線Ｌ０は、温度検出素子１１に電気的に接続される第１配線Ｌａおよび第２配線Ｌｃを含み、抵抗部Ｒ０は、第１配線Ｌａに電気的に接続された第１抵抗部Ｒ１と、第２配線Ｌｃに電気的に接続された第２抵抗部Ｒ２とを含み、第１抵抗部Ｒ１および第２抵抗部Ｒ２は、静電保護回路１２と第１辺１０ｗ１との間で第１方向Ｙに並ぶように配置されている。本形態において、第１抵抗部Ｒ１は、第２抵抗部Ｒ２より基板間導通用電極１４ｔの側に配置されている。

このように構成した電気光学装置１００において、第１基板１０は、温度検出素子１１に対して第１辺１０ｗ１とは反対側で隣り合う位置で第１方向Ｙに延在する第１定電位配線６ｈを備える。第１定電位配線６ｈは、例えば、図２に示すダミー画素電極９ｂに共通電位ＬＣＣＯＭを共通するための定電位配線である。第１基板１０は、第１定電位配線６ｈと温度検出素子１１との間で第１方向Ｙに延在して検査回路１０５まで到達した検査用配線６ｅ、６ｆを備える。本形態において、第１定電位配線６ｈは、データ線駆動回路１０１と静電保護回路１２との間、および配線領域１０３と温度検出素子１１との間で第２方向Ｘに延在している。

第１基板１０は、温度検出素子１１と走査線駆動回路１０４との間で第２方向Ｘに延在する第２定電位配線６ｓを備える。第２定電位配線６ｓは、走査線駆動回路１０４に低レベルの定電位ＶＳＳＹを供給する定電位配線であり、端子１０２ｓから第１抵抗部Ｒ１と第１辺１０ｗ１との間を経由した後、温度検出素子１１と走査線駆動回路１０４との間で第２方向Ｘに延在し、さらに、走査線駆動回路１０４に向けて第１方向Ｙに延在している。

なお、第２定電位配線６ｓに対して第１辺１０ｗ１の側には、走査線駆動回路１０４に高レベルの定電位ＶＤＤＹを供給する定電位配線６ｔ、および基板間導通用電極１４ｔに共通電位ＬＣＣＯＭを供給する共通電位配線６ｇが設けられている。共通電位配線６ｇは、多層配線構造によって容量線８ａに電気的に接続されている。また、容量線８ａは、表示領域１０ａの外側で比較的広い幅の配線として、遮光やシールドに用いられる。

１－５．温度検出素子１１の構成例
図６は、図５に示す温度検出素子１１の平面構成を模式的に示す平面図である。図７は、図６に示す温度検出素子１１の断面を模式的に示す断面図である。図７は、図６のＡ１－Ａ１′断面に相当する。なお、図６および図７において、温度検出素子１１を構成する半導体層３１ｈに設けたＮ型領域およびＰ型領域のうち、一方が第１不純物領域に相当し、他方が第２不純物領域に相当する。本形態では、半導体層３１ｈに設けたＮ型領域およびＰ型領域のうち、Ｎ型領域が第１不純物領域に相当し、Ｐ型領域が第２不純物領域に相当する。また、図７では、第１基板１０に形成した温度検出素子１１の上層側の層等の図示を説明上支障のない範囲で省略してある。

本形態においては、図５に示す温度検出素子１１を構成するにあたっては、図６および図７に示すように、互いに島状に分離した複数の半導体層３１ｈを一定の方向に配列し、複数の半導体層３１ｈの各々を用いてダイオードＤを構成する。本形態では、複数の半導体層３１ｈ１～３１ｈ５を一定の方向として第２方向Ｘに配列し、複数の半導体層３１ｈの各々を用いてダイオードＤを構成する。より具体的には、複数の半導体層３１ｈの各々にＮ型領域およびＰ型領域が第２方向Ｘに沿って並んで配置されている。本形態において、Ｎ型領域は、高濃度Ｎ型領域３１ｎ１と低濃度Ｎ型領域３１ｎ２とを備え、Ｐ型領域は、高濃度Ｐ型領域３１ｐ１と低濃度Ｐ型領域３１ｐ２とを備えており、低濃度Ｎ型領域３１ｎ２と低濃度Ｐ型領域３１ｐ２との接続部がＰＮ接合面を構成している。なお、接合部の構成は本構成に限定されない。

絶縁膜４５の上層にはダイオードＤを電気的に接続する中継電極６ｂが形成されている。本形態では、４個の中継電極６ｂ１～６ｂ４が各々、ゲート絶縁膜３２および絶縁膜４２、４３、４４、４５を貫通するコンタクトホール４５ｐ、４５ｎを介して半導体層３１ｈの高濃度Ｐ型領域３１ｐ１と、隣りの半導体層３１ｈの高濃度Ｎ型領域３１ｎ１とに電気的に接続されている。また、半導体層３１ｈのうち、両端に位置する２つの半導体層３１ｈには、ゲート絶縁膜３２および絶縁膜４２、４３、４４、４５を貫通するコンタクトホール４５ｐ、４５ｎを介して第１配線Ｌａおよび第２配線Ｌｃが電気的に接続されている。

本形態において、第１配線Ｌａは、第１方向Ｙに延在した第１接続部Ｌａ１と、第１接続部Ｌａ２の端部から第２方向Ｘに延在する第１延在部Ｌａ２とを備えており、第１接続部Ｌａ１は、温度検出素子１１の一方の極に電気的に接続している。第２線Ｌｃは、第１方向Ｙに延在した第２接続部Ｌｃ１と、第２接続部Ｌｃ１から第２方向Ｘに延在する第２延在部Ｌｃ２とを備えており、第２接続部Ｌｃ１は、温度検出素子１１の他方の極に電気的に接続している。本形態において、温度検出素子１１の一方の極はアノード１１ａであり、温度検出素子１１の他方の極はカソード１１ｃである。

第１配線Ｌａ、第２配線Ｌｃ、および中継電極６ｂは、図５に示す第１定電位配線６ｈ、第２定電位配線６ｓ、定電位配線６ｔ、共通電位配線６ｇ、制御信号配線６ｉ、および画像信号配線６ｊと同様、データ線６ａと同一層に形成された配線であり、アルミニウムを主体とする低抵抗配線である。

温度検出素子１１において、複数の半導体層３１ｈは、複数の中継電極６ｂのうち、第１接続部Ｌａ１と隣り合う中継電極６ｂと第１接続部Ｌａ１との間にＮ型領域およびＰ型領域を備え、複数の中継電極６ｂのうち、第２接続部Ｌｃ１と隣り合う中継電極６ｂと第２接続部Ｌｃ１との間にＮ型領域およびＰ型領域を備える。また、複数の半導体層３１ｈは、複数の中継電極６ｂのうち、隣り合う２つの中継電極６ｂの間にＮ型領域およびＰ型領域を備える。すなわち、中継電極６ｂの第２方向Ｘにおける幅が狭い。従って、中継電極６ｂとノイズ源との間に寄生する容量が小さい。

１－６．本実施形態の主な効果
以上説明したように、本実施形態の電気光学装置１００では、温度検出素子１１が走査線駆動回路１０４と第２辺１０ｗ２との間で走査線駆動回路１０４と隣り合うように配置されているため、温度検出素子１１を表示領域１０ａの近くに配置することができる。従って、表示領域１０ａの電気光学層５０の温度を適正に検出することができる。また、温度検出素子１１、および温度検出素子１１に電気的に接続する配線Ｌ０（第１配線Ｌａ、および第２配線Ｌｃ）を走査線３ａから離間させることができるので、走査線３ａから配線Ｌ０へのノイズの影響を低減することができる。それ故、温度検出素子１１での検出精度が高い。

また、静電保護回路１２が基板間導通用電極１４ｔと第２辺との間に配置され、配線Ｌ０において抵抗部Ｒ０が静電保護回路１２と第１辺１０ｗ１との間に配置されている。従って、抵抗部Ｒ０を端子１０２から離間する領域のうち、第１辺１０ｗ１近くの空き領域に抵抗部Ｒ０を配置することができるため、抵抗部Ｒ０の存在が配線のレイアウトに大きな影響を及ぼさないので、電気光学装置１００の大型化を回避することができる。

また、抵抗部Ｒ０の第１抵抗部Ｒ１と第２抵抗部Ｒ２とは、静電保護回路１２と第１辺１０ｗ１との間のうち、基板間導通用電極１４ｔと第２辺１０ｗ２との間で第１方向Ｙに沿って並んで配置されている。従って、抵抗部Ｒ０を第２方向Ｘの狭い範囲に配置することができる。それ故、抵抗部Ｒ０の存在が配線のレイアウトに大きな影響を及ぼさない。

また、静電保護回路１２を構成するトランジスターＴｒ、容量素子Ｃ０、および第３抵抗部Ｒ３は、基板間導通用電極１４ｔと第２辺１０ｗ２との間で第１方向Ｙに沿って並んで配置されている。従って、静電保護回路１２を第２方向Ｘの狭い範囲に配置することができる。それ故、静電保護回路１２の存在が配線のレイアウトに大きな影響を及ぼさない。

さらに、温度検出素子１１では、複数のダイオードＤが直列に電気的に接続されているため、ノイズの影響を受けやすいが、温度検出素子１１の近傍では、第１定電位配線６ｈおよび第２定電位配線６ｓが延在している。従って、第１定電位配線６ｈおよび第２定電位配線６ｓをシールドに利用できるので、温度検出素子１１は、データ線６ａ等の信号線等からノイズの影響を受けにくい。

また、温度検出素子１１は、一定の方向に並んで設けられた複数の半導体層３１ｈを有するため、温度検出素子１１では、複数のダイオードＤを直列に電気的に接続することが比較的容易である。また、複数の半導体層３１ｈは、第２方向Ｘに並ぶように配列されているため、ダイオードＤを直列に電気的に接続する個数を増やす場合でも、スペース的な制約を受けにくい。また、複数の半導体層３１ｈは、第２方向Ｘに並ぶように配列されているため、温度検出素子１１の第１方向Ｙにおける寸法Ｌ１１は、配線領域１０３の第１方向Ｙにおける寸法Ｌ１０３より小さくすることができる。それ故、温度検出素子１１の全体を表示領域１０ａの近くに配置することができる。

２．実施形態２
図８は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。実施形態１では、データ線駆動回路１０１において、第２方向Ｘに延在する制御信号配線６ｉが第１方向Ｙで並列していたが、図８に示すように、第２方向Ｘに延在する画像信号配線６ｊが第１方向Ｙで並列している電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。

３．電気光学装置の別の実施形態
本発明は、電気光学装置１００は液晶装置に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置等、液晶装置以外の電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。

４．電子機器の構成例
図９は、本発明を適用した投射型表示装置１０００の構成例を示すブロック図である。図１０は、図９に示す光路シフト素子１１０の説明図である。なお、図９には、偏光板等の図示を省略してある。図９に示す投射型表示装置１０００は、本発明が適用される電子機器の一例であり、照明装置１９０、分離光学系１７０、３個の電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ、および投射光学系１６０を備えている。電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは各々、図１～図８を参照して説明した電気光学装置１００からなる。

照明装置１９０は白色光源であり、例えば、レーザー光源やハロゲンランプが用いられる。分離光学系１７０は、３個のミラー１７１、１７２、１７５と、ダイクロイックミラー１７３、１７４とを含む。分離光学系１７０は、照明装置１９０から射出された白色光を、赤色Ｒ、緑色Ｇ、青色Ｂの３原色に分離する。具体的には、ダイクロイックミラー１７４は、赤色Ｒの波長域の光を透過し、緑色Ｇおよび青色Ｂの波長域の光を反射する。ダイクロイックミラー１７３は、青色Ｂの波長域の光を透過し、緑色Ｇの波長域の光を反射する。赤色Ｒ、緑色Ｇ、および青色Ｂに対応する光は各々、電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに導かれる。

ダイクロイックプリズム１６１には、電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによって変調された光が各々、三方向から入射する。ダイクロイックプリズム１６１は、赤色Ｒ、緑色Ｇ、および青色Ｂの画像が合成される合成光学系を構成している。従って、投射レンズ系１６２は、光路シフト素子１１０から射出された合成像をスクリーン１８０等の被投射部材に拡大投射し、スクリーン１８０等の被投射部材にカラー画像を表示することができる。

その際、制御部１５０は、温度検出回路１での温度検出結果に基づいて電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに供給する画像信号に補正を行うことができる。それ故、環境温度等が変動しても、品位の高い投射画像を表示することができる。また、ダイクロイックプリズム１６１において光が出射される側において、一点鎖線で示す光路シフト素子１１０を投射光学系１６０に設け、投射画素が視認される位置を所定の期間毎にシフトさせる技術によって解像度を高める構成を採用した場合、液晶層を高速駆動することが必要となる。この場合でも、温度検出回路１での温度検出結果に基づいて、電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに供給する画像信号に補正を行う構成や、電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの電気光学パネル１００ｐの温度を調整する構成を採用すれば、液晶層から電気光学層５０を高速駆動することができる。

光路シフト素子１１０は、図１０に示すように、ダイクロイックプリズム１６１から出射された光を予め定められた方向にシフトさせる光学素子である。図１０には、電気光学パネル１００ｐの各画素回路１００ａから出射された光が視認される投射画素Ｐｉの位置を光路シフト素子１１０によってＸ方向の一方側Ｘ１に０．５画素ピッチ（＝Ｐ／２）、かつ、Ｙ方向の一方側Ｙ１に０．５画素ピッチ（＝Ｐ／２）に相当する距離をシフトさせた様子を例示してある。光路シフト素子１１０は透光板を備え、アクチュエータは、制御部１５０の指令の下、透光板を第１方向に延在する軸線周り、および第２方向に延在する軸線周りの一方あるいは双方に揺動させることによって、電気光学パネル１００ｐの各画素回路１００ａから出射された光の光路を光路ＬＡと光路ＬＢとにシフトさせる。

５．電子機器の他の実施形態
投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、ＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）やＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

１…温度検出回路、３ａ…走査線、６ａ…データ線、６ｂ、６ｂ１～６ｂ４…中継電極、６ｅ、６ｆ…検査用配線、６ｇ…共通電位配線、６ｈ…第１定電位配線、６ｉ…制御信号配線、６ｊ…画像信号配線、６ｓ…第２定電位配線、６ｔ…定電位配線、８ａ…容量線、９ａ…画素電極、９ｂ…ダミー画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１１…温度検出素子、１１ａ…アノード、１１ｃ…カソード、１２…静電保護回路、１４ｔ…基板間導通用電極、２０…第２基板、２１…共通電極、３０…画素トランジスター、３１ｈ、３１ｈ１～３１ｈ５…半導体層、４５ｎ、４５ｐ…コンタクトホール、５０…電気光学層、６０…上位回路、６１…コネクタ、６５…画像制御回路、６６…温度検出用駆動回路、７０…配線基板、７５…駆動用ＩＣ、１００、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…電気光学装置、１００ａ…画素回路、１００ｐ…電気光学パネル、１０１…データ線駆動回路、１０１ａ…選択回路、１０２、１０２ｅ、１０２ｆ、１０２ｇ、１０２ｈ、１０２ｓ、１０２ｔ…端子、１０２ａ…第１端子、１０２ｃ…第２端子、１０３…配線領域、１０４…走査線駆動回路、１０５…検査回路、１１０…光路シフト素子、１５０…制御部、１６０…投射光学系、１６１…ダイクロイックプリズム、１９０…照明装置、１０００…投射型表示装置、Ｃ０…容量素子、Ｃ１…第１容量素子、Ｃ２…第２容量素子、Ｄ…ダイオード、Ｌ０…配線、Ｌａ…第１配線、Ｌ１１、Ｌｃ…第２配線、Ｒ０…抵抗部、Ｒ１…第１抵抗部、Ｒ２…第２抵抗部、Ｒ３…第３抵抗部、ＬＡ、ＬＢ…光路、Ｘ…第２方向、Ｙ…第１方向、Ｌａ１…第１接続部、Ｌｃ１…第２接続部、Ｃｎ…接続ノード、ＶＩＤ…画像信号、Ｌｇ…ゲート配線、ＳＥＬ…選択信号、Ｐｉ…投射画素、Ｔｒ、３０ｅ…トランジスター、Ｔｒ０…単位トランジスター素子、ＬＣＣＯＭ…共通電位、ＶＤＤＹ、ＶＳＳＹ…定電位

Claims (9)

1. 第１方向に延在する第１辺、および前記第１方向に交差する第２方向に延在する第２辺を備えた第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   を備え、
   前記第１基板は、前記第１方向に沿って配置された走査線駆動回路と、前記走査線駆動回路と前記第２辺との間に配置され、前記第１基板と第２基板とを導通させる基板間導通用電極と、前記走査線駆動回路と前記第２辺との間で前記走査線駆動回路と隣り合う温度検出素子と、前記基板間導通用電極と前記第２辺との間に配置された静電保護回路と、前記静電保護回路に電気的に接続され、前記静電保護回路と前記第１辺との間に抵抗部を有する配線と、を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記配線は、前記静電保護回路に電気的に接続された第１配線および第２配線を含み、
   前記抵抗部は、前記第１配線に電気的に接続された第１抵抗部と、前記温度検出素子に電気的に接続された第２抵抗部と、を含み、
   前記第１抵抗部と前記第２抵抗部とは、前記静電保護回路と前記第１辺との間において、前記基板間導通用電極と前記第２辺との間で前記第１方向に沿って並んで配置されていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１または２に記載の電気光学装置において、
   前記静電保護回路は、トランジスターと、容量素子と、第３抵抗部と、を備え、
   前記トランジスター、前記容量素子、および前記第３抵抗部が、前記基板間導通用電極と前記第２辺との間で前記第１方向に沿って並んで配置されていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載の電気光学装置において、
   前記容量素子、前記トランジスター、および前記第３抵抗は、前記第１辺の延在方向に沿って、前記基板間導通用電極の側から前記第２辺の側に向けて前記容量素子、前記トランジスター、および前記第３抵抗の順に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項３に記載の電気光学装置において、
   請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記温度検出素子に対して前記第１辺とは反対側で隣り合う位置では、第１定電位配線が前記第１方向に延在していることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項５に記載の電気光学装置において、
   前記第１基板は、前記第１定電位配線と前記温度検出素子との間で前記第１方向に延在する検査用配線を備えることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項５または６に記載の電気光学装置において、
   前記第１基板は、前記第２方向に沿って配置されたデータ線駆動回路と、前記データ線駆動回路から前記第１方向に延在して表示領域の画素回路と電気的に接続された複数のデータ線と、備え、
   前記温度検出素子は、前記データ線駆動回路、または前記データ線が前記データ線駆動回路と前記表示領域との間で延在する部分に対して前記第２方向で隣り合うように配置され、
   前記第１定電位配線は、前記データ線駆動回路と前記温度検出素子との間で前記第１方向に延在していることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１から７までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第１基板は、前記走査線駆動回路と前記温度検出素子との間で前記第２方向に延在する第２定電位配線を備えていることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項１から８までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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