JP2023017577A5

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Publication number: JP2023017577A5
Application number: JP2021121925A
Authority: JP
Filing date: 2021-07-26
Publication date: 2023-06-22

Description

本開示は、基板処理方法および基板処理装置に関する。

半導体ウエハ（以下、ウエハという）などの基板の表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、薬液洗浄あるいはウエットエッチング等の液処理が行われる。こうした液処理にてウエハの表面に付着した液体などを除去する際に、近年では、超臨界状態の処理流体を用いた乾燥方法が用いられつつある（例えば特許文献１を参照）。

特開２０１４－１０１２４１号

本開示は、基板上へのパーティクルの付着を抑制することができる、技術を提供する。

本開示の一実施形態によれば、表面に液体が付着した基板を超臨界流体状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理方法であって、前記基板処理方法は、処理容器と、前記処理容器内で、前記基板の前記表面を上向きにして前記基板を水平に保持する基板保持部と、前記処理容器内に処理流体を吐出する流体吐出部と、前記処理容器から処理流体を排出する流体排出部と、前記流体吐出部に接続され、超臨界状態の処理流体を供給する流体供給源から前記流体吐出部に処理流体を供給する供給ラインと、前記流体排出部に接続された排出ラインと、前記供給ラインおよび前記排出ラインの少なくとも一方に設けられ、前記処理容器内を前記流体吐出部から前記流体排出部に向けて流れる処理流体の流れを制御する流れ制御機構と、を備えた基板処理装置を用いて実行され、前記基板処理方法は、前記基板保持部により保持された前記基板の表面に沿って処理流体が流れるように前記流体吐出部から前記流体排出部へと処理流体を流す流通工程を備え、前記流通工程は、前記処理容器内に第１流通モードで処理流体を流す第１流通段階と、前記処理容器内に第２流通モードで処理流体を流す第２流通段階とを含み、前記第１流通モードと前記第２流通モードとで、前記基板の表面の法線方向で見たときに、前記処理容器内において前記基板の表面に沿って流れる処理流体の流れ方向分布が異なっており、前記第１流通モードと前記第２流通モードとの切り替えは前記流れ制御機構により行われる、基板処理方法が提供される。

本開示によれば、基板上へのパーティクルの付着を抑制することができる。

基板処理装置の一実施形態に係る超臨界乾燥装置の処理ユニットの構成の一例を示す概略縦断面図である。図１に示した処理ユニットの概略横断面図である。図１に示した処理ユニットを含む配管系統の一例を示す概略配管系統図である。図１の超臨界乾燥装置の動作を説明するための図であって、昇圧工程を示す図である。図１の超臨界乾燥装置の動作を説明するための図であって、流通工程の流通モード１を示す図である。図１の超臨界乾燥装置の動作を説明するための図であって、流通工程の流通モード２を示す図である。図１の超臨界乾燥装置の動作を説明するための図であって、流通工程の流通モード３を示す図である。処理ユニットの第１変形実施形態を示す要部概略平面図である。処理ユニットの第２変形実施形態を示す概略縦断面図である。図５の処理ユニットにおける流通工程における処理流体の流れを説明する大略斜視図である。

基板処理装置の一実施形態としての超臨界乾燥装置を、添付図面を参照して説明する。超臨界乾燥装置は、表面に液体（例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール））の液膜が形成された基板Ｗを、超臨界状態の処理流体（例えば二酸化炭素）を用いて乾燥させる超臨界乾燥処理を行うために用いることができる。基板Ｗは例えば半導体ウエハであるが、半導体装置製造の技術分野で用いられる他の種類の基板（ガラス基板、セラミック基板）等であってもよい。超臨界乾燥技術は、パターン倒壊を生じさせ得る表面張力がパターンに作用しないことから、微細かつ高アスペクト比のパターンが形成された基板の乾燥に有利に用いることができる。

以下においては、方向および位置の説明を容易にするため、ＸＹＺ直交座標系を設定し、必要に応じて当該座標系を参照して説明を行うこととする。なお、Ｘ方向を前後方向（Ｘ正方向が前方）、Ｙ方向を左右方向（Ｙ正方向が左方）、Ｚ方向を上下方向（Ｚ正方向が上方）とも呼ぶこともあることに留意されたい。

図１および図２に示すように、超臨界乾燥装置は、処理ユニット１０を備えている。処理ユニット１０の内部で、超臨界乾燥処理が行われる。処理ユニット１０は、処理容器１１と、処理容器１１内で基板Ｗを保持する基板保持トレイ１２（以下、単に「トレイ１２」と呼ぶ）とを有している。

一実施形態において、トレイ１２は、処理容器１１の側壁に設けられた開口を塞ぐ蓋部１３と、蓋部１３に連結された水平方向に延びる基板保持部１４とを有する。基板保持部１４はプレート１５と、プレート１５の上面に設けられた複数の支持ピン１６とを有している。基板Ｗは、その表面（デバイスないしパターンが形成された面）を上向きにした状態で、支持ピン１６上に水平姿勢で載置される。基板Ｗが支持ピン１６上に載置されると、プレート１５の上面と基板Ｗの下面（裏面）との間に隙間１７が形成される。

プレート１５は、全体として例えば長方形または正方形である。プレート１５の面積は基板Ｗより大きく、基板保持部１４の所定位置に基板Ｗが載置されたときにプレート１５を真下から見ると、基板Ｗはプレート１５に完全に覆われる。

プレート１５には、当該プレート１５を上下に貫通する複数の貫通穴１８が形成されている。複数の貫通穴１８は、プレート１５の下方の空間に供給された処理流体をプレート１５の上方の空間に流入される役割を果たす。複数の貫通穴１８のいくつかは、基板保持部１４と処理ユニット１０の外部の基板搬送機構（図示せず）との間で基板Ｗの受け渡しを行うリフトピン（図示せず）を通過させる役割も果たすが、本明細書ではこの点についての説明は省略する。

トレイ１２（蓋部１３および基板保持部１４の組立体）は、図示しないトレイ移動機構により、処理位置（図１および図２に示す閉位置）と、基板受け渡し位置（図示しない開位置）との間で水平方向（Ｘ方向）に移動することができる。

トレイ１２の処理位置では、基板保持部１４が処理容器１１の内部空間内に位置し、かつ蓋部１３が処理容器１１の側壁の開口を閉鎖する。トレイ１２の基板受け渡し位置では、基板保持部１４が処理容器１１の外に出ており、基板保持部１４と図示しない基板搬送アームとの間で、前述した図示しないリフトピンを介して基板Ｗの受け渡しを行うことが可能である。

トレイ１２が処理位置にあるとき、プレート１５により、処理容器１１の内部空間が、処理中に基板Ｗが存在するプレート１５の上方の上方空間１１Ａと、プレート１５の下方の下方空間１１Ｂとに分割される。但し、上方空間１１Ａと下方空間１１Ｂとが完全に分離されているわけではない。

すなわち、図示された実施形態では、前述した貫通穴１８により、また、プレート１５と蓋部１３との接続部の近傍に設けられた長穴１９（これも貫通穴である）により、上方空間１１Ａと下方空間１１Ｂとが連通している。プレート１５の周縁部と処理容器１１の内壁面との間の隙間によっても、上方空間１１Ａと下方空間１１Ｂとが連通している。上述した隙間、貫通穴１８および長穴１９などが上方空間１１Ａと下方空間１１Ｂとが連通させる連通路であるとも言える。

上述したように処理容器１１の内部空間が上方空間１１Ａと下方空間１１Ｂとに分割され、かつ、上方空間１１Ａと下方空間１１Ｂとを連通させる連通路が設けられているならば、可動のトレイ１２に代えて、処理容器１１内に移動不能に固定された基板載置台（基板保持部）設けてもよい。この場合、処理容器１１に設けられた図示しない蓋を開けた状態で、図示しない基板搬送アームが容器本体内に侵入して、基板載置台と基板搬送アームとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる。

処理容器１１には、第１吐出部２１および第２吐出部（流体吐出部）２２が設けられている。第１吐出部２１および第２吐出部２２は、超臨界流体（超臨界状態にある処理流体）の供給源３０から供給された処理流体（ここでは二酸化炭素（簡便のため「ＣＯ２」とも記す））を処理容器１１の内部空間に吐出する。

第１吐出部２１は、処理位置にあるトレイ１２のプレート１５の下方に設けられている。第１吐出部２１は、プレート１５の下面に向けて（上向きに）、下方空間１１Ｂ内にＣＯ２（処理流体）を吐出する。第１吐出部２１は、処理容器１１の底壁に形成された貫通孔により構成することができる。第１吐出部２１は処理容器１１の底壁に取り付けられたノズル体であってもよい。

第２吐出部２２は、処理位置にあるトレイ１２の基板保持部１４上に載置された基板Ｗの前方（Ｘ正方向）に位置するように設けられている。第２吐出部２２は、上方空間１１Ａ内にＣＯ２を供給する。図示された実施形態では、第２吐出部２２は、蓋部１３と反対側の処理容器１１の側壁に設けられている。

第２吐出部２２は、棒状のノズル体により構成されている。詳細には、第２吐出部２２は、基板Ｗの幅方向（Ｙ方向）に延びる管２２ａに、複数の吐出口２２ｂを穿つことにより形成されている。複数の吐出口２２ｂは、例えばＹ方向に等間隔で並んでいる。各吐出口２２ｂは、プレート１５の先端（蓋部１３から最も遠い前端部）に形成された傾斜面１５ａに向けてＣＯ２を吐出するように、斜め下方を向いている。なお、傾斜面１５ａは、その最先端部の高さが基板Ｗの表面より低く、かつ、基板Ｗに近づくに従って高くなるように傾斜している。

処理容器１１には、さらに、処理容器１１の内部空間から処理流体を排出する流体排出部２４が設けられている。流体排出部２４は、第２吐出部２２と概ね同じ構成を有するヘッダーとして構成されている。詳細には、流体排出部２４は、水平方向に延びる管２４ａに、複数の排出口２４ｂを穿つことにより形成されている。複数の排出口２４ｂは、例えばＹ方向に等間隔で並んでいる。各排出口２４ｂは、上方を向いており、かつ、プレート１５の長穴１９の方を向いている。

第２吐出部２２および流体排出部２４は、第２吐出部２２から処理容器１１内に供給されたＣＯ２が基板Ｗの表面の略全体の上方の領域を略水平方向に通過した後に流体排出部２４から排出されるならば、任意の位置に配置することができる。例えば、第２吐出部２２および流体排出部２４を、基板Ｗを挟んで、基板Ｗの左右方向両側（Ｙ方向両側）に配置してもよい。

次に、超臨界乾燥装置において、処理容器１１に対してＣＯ２の供給および排出を行う供給／排出系について、図３の配管系統図を参照して説明する。なお、超臨界乾燥装置の供給／排出系には、図３に示されたもの以外の分岐ライン（処理流体回収用ライン、パージ用ライン等）、弁、オリフィス、フィルタ、センサ類などが設けられているが、本開示の要旨に直接関係無い物については記載を省略している。

超臨界乾燥装置は、超臨界処理流体（超臨界ＣＯ２）の供給源（３０）としての超臨界流体供給装置３０を有する。超臨界流体供給装置３０は、例えば炭酸ガスボンベ、加圧ポンプ、ヒータ等を備えた周知の構成を有している。超臨界流体供給装置３０は、後述する超臨界状態保証圧力（具体的には約１６ＭＰａ）を超える圧力で超臨界ＣＯ２を送り出す能力を有している。

超臨界流体供給装置３０には主供給ライン３２が接続されている。超臨界流体供給装置３０から超臨界状態でＣＯ２が主供給ライン３２に流出するが、その後の膨張あるいは温度変化により、ガス状態にもなり得る。本明細書において、「ライン」と呼ばれる部材は例えばパイプ（配管部材）により構成することができる。

主供給ライン３２は分岐点（第１分岐点）３３において、第１供給ライン３４と第２供給ライン３６とに分岐している。第１供給ライン３４は、処理容器１１の第１吐出部２１に接続されている。

第２供給ライン３６は、第１分岐点３３の下流側にある分岐点３６Ｊにおいて、さらに第１サブ供給ライン３６Ａと第２サブ供給ライン３６Ｂとに分岐している。第１サブ供給ライン３６Ａは第２吐出部２２を構成する管２２ａの第１端（接続部）２３Ａに、そして第２サブ供給ライン３６Ｂは管２２ａの第２端（接続部）２３Ｂに、それぞれ接続されている。第１サブ供給ライン３６Ａおよび第２サブ供給ライン３６Ｂにはそれぞれ、供給流れ制御機器として、開閉弁Ｖ１Ａおよび開閉弁Ｖ１Ｂが介設されている。

処理容器１１の流体排出部２４に、排出ライン３８が接続されている。詳細には、流体排出部２４を構成する管２４ａの第１端（接続部）２５Ａに第１サブ排出ライン３８Ａが接続され、管２４ａの第２端（接続部）２５Ｂに第２サブ排出ライン３８Ｂが接続されている。参照符号２５Ａ，２５Ｂは図３にのみ表示されている。第１サブ排出ライン３８Ａと第２サブ排出ライン３８Ｂにはそれぞれ、排出流れ制御機器として、開閉弁Ｖ２Ａおよび開閉弁Ｖ２Ｂが介設されている。第１サブ排出ライン３８Ａと第２サブ排出ライン３８Ｂとは合流点３８Ｊにおいて合流し、１本の排出ライン３８となる。

「供給流れ制御機器」および「排出流れ制御機器」の組み合わせは「流れ制御機器」とも呼ばれる。

合流点３８Ｊの近傍において、排出ライン３８には圧力センサ３９が設けられている。圧力センサ３９で検出される圧力は、概ね処理容器１１内の圧力と一致しているものと見なしてよい。第１サブ排出ライン３８Ａおよび第２サブ排出ライン３８Ｂにそれぞれ圧力センサ３９を設けてもよい。

排出ライン３８には、圧力制御弁４０が設けられている。圧力制御弁４０の開度を調節することにより、圧力制御弁４０の一次側圧力を調節することができ、従って、処理容器１１内の圧力を調節することができる。また、圧力制御弁４０の開度を調節することにより、処理容器１１からの処理流体の排出速度も調節することができる。

第１サブ供給ライン３６Ａ、第２サブ供給ライン３６Ｂ、開閉弁Ｖ１Ａおよび開閉弁Ｖ１Ｂは、実質的に左右対称に（例えば平面視で基板Ｗの中心を通りＸ方向に延びる対称軸に関して）配置することが好ましい。そうすることにより、分岐点３６Ｊから管２２ａの第１端２３Ａまでの流れ抵抗（例えば管の内径および長さにより決定される）と、分岐点３６Ｊから管２２ａの第２端２３Ｂまでの流れ抵抗とが実質的に等しくなる。また、第２吐出部２２の形状および吐出口２２ｂの配置も左右対称とすることが好ましい。

同様に、第１サブ排出ライン３８Ａ、第２サブ排出ライン３８Ｂ、開閉弁Ｖ２Ａ、開閉弁Ｖ２Ｂも、実質的に左右対称に配置することが好ましい。そうすることにより、管２４ａの第１端２５Ａから合流点３８Ｊまでの流れ抵抗と、管２４ａの第２端２５Ｂから合流点３８Ｊまでの流れ抵抗とが実質的に等しくなる。また、流体排出部２４の形状および排出口２４ｂの配置も左右対称とすることが好ましい。

図３に概略的に示された制御部１００が、処理容器１１内の圧力の測定値（ＰＶ）と設定値（ＳＶ）とのの偏差に基づいて、処理容器１１内の圧力が設定値に維持されるように、圧力制御弁４０の開度（具体的には弁体の位置）をフィードバック制御する。処理容器１１内の圧力の測定値としては、排出ライン３８に設けられた圧力センサ３９の検出値を用いることができる。

処理容器１１内の圧力は、処理容器１１内に設けた圧力センサにより直接的に測定してもよい。圧力制御弁４０は、制御部１００からの指令値に基づいて（フィードバック制御ではなく）固定開度に設定することができる。

制御部１００は、たとえばコンピュータからなり、演算部１０１と記憶部１０２とを備えている。記憶部１０２には、超臨界乾燥装置（または超臨界乾燥装置を含む基板処理システム）において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。演算部１０１は、記憶部１０２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって、記憶部１０２に記憶された処理レシピに定義された動作が実現されるように、超臨界乾燥装置の動作を制御する。プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部１００の記憶部１０２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

第１供給ライン３４上に設定された分岐点４２において、第１供給ライン３４からバイパスライン４４が分岐している。バイパスライン４４は、排出ライン３８に設定された接続点（合流点）４６において、排出ライン３８に接続されている。接続点４６は、圧力制御弁４０の上流側にある。

第１供給ライン３４には開閉弁Ｖ３およびオリフィス３５が設けられ、バイパスライン４４には開閉弁Ｖ４が設けられている。

分岐点３３より上流側において、主供給ライン３２には開閉弁Ｖ５が設けられている。圧力制御弁４０の下流側において、排出ライン３８には開閉弁Ｖ６が設けられている。

次に、上述した超臨界乾燥装置を用いた超臨界乾燥方法（基板処理方法）の一例について図４Ａ～図４Ｄを参照して説明する。以下に説明する手順は、記憶部１０２に記憶された処理レシピ及び制御プログラムに基づいて、制御部１００の制御の下で、自動的に実行される。図４Ａ～図４Ｄにおいて、灰色に塗りつぶされた開閉弁は閉状態となっており、塗りつぶされていない開閉弁は開状態となっていることを意味している。

＜搬入工程＞
半導体ウエハ等の基板Ｗが、その表面のパターンの凹部内がＩＰＡに充填されかつその表面にＩＰＡのパドル（液膜）が形成された状態で、図示しない基板搬送アームにより、基板受け渡し位置で待機しているトレイ１２の基板保持部１４上に載置される。なお、この基板Ｗは、例えば、図示しない枚葉式洗浄装置において（１）ウエットエッチング、薬液洗浄等の薬液処理、（２）薬液をリンス液により洗い流すリンス処理、（３）リンス液をＩＰＡに置換してＩＰＡのパドル（液膜）を形成するＩＰＡ置換処理が順次施されたものである。基板Ｗが載置されたトレイ１２が処理位置に移動すると、処理容器１１内に密閉された処理空間が形成され、基板Ｗは処理空間内に位置する。

＜昇圧工程＞
次に昇圧工程が実施される。なお、昇圧工程の開始後から超臨界乾燥処理の終了までの間、開閉弁Ｖ５はずっと開き続けている。また、開閉弁Ｖ６はずっと開き続けていてもよいし、昇圧工程時のみ閉じていてもよい。特に必要が無い限り、これ以降は、開閉弁Ｖ５，Ｖ６に対しての言及は行わないものとする。

まず、図４Ａに示すように、開閉弁Ｖ３を開き、開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂ，Ｖ４を閉じた状態とする。これにより、超臨界流体供給装置３０から主供給ライン３２に超臨界状態で送り出されたＣＯ２は、分岐点３３を通ってオリフィス３５が設けられた第１供給ライン３４に入り、第１吐出部２１を介して処理容器１１内に流入する。これにより、処理容器１１内にＣＯ２が充填されてゆき、処理容器１１内の圧力が比較的緩やかに上昇してゆく。

昇圧工程の初期においては、処理容器１１内の圧力が低い（大気圧である）ため、第１吐出部２１から吐出されるＣＯ２はガス状態となりかつその流速が高くなる。高流速のＣＯ２の流れが基板Ｗの表面に衝突すると、ＩＰＡのパドルの崩壊（局所的蒸発または揺らぎ）が生じ、パターン倒壊が生じるおそれがある。しかし、第１吐出部２１から処理容器１１の下方空間１１Ｂに吐出されたＣＯ２は、プレート１５の下面に衝突した後に、プレート１５の貫通穴１８、長穴１９、プレート１５と処理容器１１の内壁面との間の隙間などを通って、上方空間１１Ａに流入する。このため、高流速のＣＯ２の流れが基板Ｗの表面に衝突することはない。

昇圧工程の初期において、開閉弁Ｖ４を開くとともに圧力制御弁４０を小開度（固定開度）で開き、第１供給ライン３４を流れるＣＯ２の一部をバイパスライン４４を介して排出ライン３８に逃がしてもよい。こうすることにより、昇圧工程の初期における処理容器１１内へのＣＯ２の流入速度をさらに小さくすることができる。この場合、開閉弁Ｖ４は適当なタイミングで閉じられる。

処理容器１１内の圧力がＣＯ２の臨界圧力（約８ＭＰａ）を越えると、処理容器１１内に存在するＣＯ２（ＩＰＡと混合されていないＣＯ２）は、超臨界状態となる。処理容器１１内のＣＯ２が超臨界状態となると、基板Ｗ上のＩＰＡが超臨界状態のＣＯ２に溶け込み始める。

昇圧工程は、処理容器１１内の圧力が基板Ｗ上の混合流体（ＣＯ２＋ＩＰＡ）中のＩＰＡ濃度および当該混合流体の温度に関わらず、当該混合流体が超臨界状態に維持されることが保証される圧力（超臨界状態保証圧力）となるまで継続される。超臨界状態保証圧力は概ね１６ＭＰａ程度である。

＜流通工程＞
昇圧工程が終了したら流通工程を開始する。流通工程では、第２吐出部２２から処理容器１１内にＣＯ２を吐出するとともに、流体排出部２４からＣＯ２（これにはＩＰＡが含まれる）を排出する。これにより、処理容器１１内には、第２吐出部２２から流体排出部２４に向かう流れが生じる（図１中の矢印を参照）。詳細には、基板Ｗの表面と略平行に（概ね水平方向に）流動する超臨界ＣＯ２の層流が形成される。超臨界ＣＯ２の層流に晒された基板Ｗの表面上の混合流体（ＩＰＡ＋ＣＯ２）中のＩＰＡは超臨界ＣＯ２に置換されてゆく。最終的には、基板Ｗの表面上に存在していたＩＰＡの全てあるいはほぼ全ては、超臨界ＣＯ２に置換される。なお、流通工程では、開閉弁Ｖ３，Ｖ４は常に閉じた状態とされ、第１吐出部２１から処理容器１１内にＣＯ２が供給されることはない。

流体排出部２４から排出されたＩＰＡおよび超臨界ＣＯ２からなる混合流体は、排出ライン３８の下流側で回収される。混合流体中に含まれるＩＰＡは分離して再利用することができる。

流通工程の間は、排出ライン３８に設けられた圧力制御弁４０はフィードバック制御モードで動作する。つまり、制御部１００（またはその下位コントローラ）は、処理容器１１内の圧力が設定値（設定値ＳＶ＝１６ＭＰａ）に維持されるように、圧力センサ３９により検出された処理容器１１内の圧力（測定値ＰＶ）と設定値ＳＶとの偏差に基づいて圧力制御弁４０の開度（操作量ＭＶ）を調節するフィードバック制御を実行する。上記の圧力制御に関しては、下記のいずれの流通モードにおいても同様に行われる。

流通工程においては、各吐出口２２ｂから、プレート１５の先端（蓋部１３から最も遠い端部）に形成された傾斜面１５ａに向けて、斜め下向きにＣＯ２が吐出され、ＣＯ２は傾斜面１５ａによって転向された後に、基板Ｗの上方に向かって流れる。このため、基板Ｗの表面上の混合流体ＩＰＡの液膜に超臨界ＣＯ２の流れが直接的に衝突せず、かつ、より良好に液膜の近傍に沿って流れるようになる。上記のことは好ましいのであるが、各吐出口２２ｂは、水平方向（Ｘ負方向）にＣＯ２を吐出するようになっていても構わない。

流通工程は複数の（例えば以下の３つの）流通モードを適宜組み合わせて行うことができる。流通工程では、常に開閉弁Ｖ３，Ｖ４を閉じた状態とし、開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂの状態を適宜変更することにより、各流通モードを実現する。流通モードが異なると、処理容器１１内において基板Ｗの上方を概ね水平方向に流れるＣＯ２の水平方向の流速分布、あるいは、ＣＯ２の水平方向の流れ方向分布が異なる。

（流通モード１（第１流通モード））
流通モード１では、図４Ｂに示すように、開閉弁Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ａを閉じ、開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ２Ｂを開いた状態とする。これにより、超臨界流体供給装置３０から主供給ライン３２を流れてきたＣＯ２は、分岐点３３を通って第２供給ライン３６に入り、さらに分岐点３６Ｊを通って第１サブ供給ライン３６Ａを通って、第２吐出部２２に流入する。第２サブ供給ライン３６Ｂからは第２吐出部２２にＣＯ２は流入しない。

このため、第２吐出部２２の第１端２３Ａに最も近い吐出口２２ｂからの処理容器１１内へのＣＯ２の吐出流量が最も高く、第１端２３Ａから遠い吐出口２２ｂほどＣＯ２の吐出流量が低くなるという吐出流量分布が生じる。

また、処理容器１１からは第２サブ排出ライン３８Ｂを介してＣＯ２（これはＩＰＡを含有する）が排出され、第１サブ排出ライン３８Ａを介してＣＯ２は排出されない。

このため、流体排出部２４の第２端２５Ｂに最も近い排出口２４ｂからの排出流量が最も高く、第２端２５Ｂから遠い排出口２４ｂほどＣＯ２の排出流量が低くなるという排出流量分布が生じる。

上記の吐出流量分布および排出流量分布のため、平面視で、第２吐出部２２の第１端２３Ａ側から流体排出部２４の第２端２５Ｂ側に向かう流れを主流とするＣＯ２の流れ分布が生じる。図４Ｂにおいて、主流を模式的に矢印Ｆ１で示した。主流Ｆ１のベクトルはＹ負方向成分を有する。なお、本明細書において、「平面視」とは、基板Ｗの表面の法線方向から（特に上方から）基板Ｗを見ることを意味する。

（流通モード２（第２流通モード））
流通モード２では、図４Ｃに示すように、開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ２Ｂを閉じ、開閉弁Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ａを開いた状態とする。この場合、平面視で、第２吐出部２２の第２端２３Ｂ側から流体排出部２４の第１端２５Ａ側に向かう流れを主流とするＣＯ２の流れ分布が生じる。すなわち、平面視で、流通モード１の流れ分布と流通モード２の流れ分布は、基板Ｗの中心を通るＸ軸方向に延びる直線を対称軸として、左右対称（鏡面対称）である。図４Ｃにおいて、流通モード２における主流を模式的に矢印Ｆ２で示した。主流Ｆ２のベクトルはＹ正方向成分を有する。

（流通モード３（第３流通モード））
流通モード３では、開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂを開いた状態とする。この場合、第１端２３Ａおよび第２端２３Ｂから概ね均等に第２吐出部２２にＣＯ２が流入する。また、流体排出部２４の第１端２５Ａおよび第２端２５Ｂから排出されるＣＯ２の流量も概ね均等となる。このため、第２吐出部２２の各吐出口２２ｂからの処理容器１１内へのＣＯ２の吐出流量は概ね均等となり、流体排出部２４の各排出口２４ｂを通るＣＯ２の吐出流量は概ね均等となる。このため、平面視で、概ねＸ方向に平行なＣＯ２の流れ分布が生じる。図４Ｄにおいて、主流を模式的に矢印Ｆ３で示した。主流Ｆ３のベクトルは実質的にＹ方向成分を有しない。

流通モード１および流通モード２からなるセットを１回、または２回以上交互に実行することにより流通工程を行うことができる。流通モード１および流通モード２からなるセットを１回または複数回繰り返した後に流通モード３を実行してもよい。流通工程において、流通モード１の一回当たりの実行時間と、流通モード２の一回当たりの実行時間とは互いに等しいことが好ましく、この場合、流通モード１の実行回数と流通モード２の実行回数とは互いに等しいことが好ましい。

しかしながら、流通モード１の実行時間（実行回数）を流通モード２の実行時間（実行回数）と多少異ならせても構わない。その理由として、例えば、機差により、処理容器１１およびその周囲の配管が完全に対称であるとは限らない、ということが挙げられる。

以下のように流通モード１を改変してもよい。例えば、流通モード１’（流通モード１の第１変形例）において、開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ｂを開いた状態とし、開閉弁Ｖ２Ａを閉じた状態としてもよい。この場合、主流のベクトルは、流通モード１と同様にＹ負方向成分を有するが、Ｙ負方向成分の大きさは小さくなる。

流通モード１”（流通モード１の第２変形例）において、開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂを開いた状態とし、開閉弁Ｖ１Ｂを閉じた状態としてもよい。この場合も、主流のベクトルは、流通モード１と同様にＹ負方向成分を有するが、Ｙ負方向成分の大きさは小さくなる。

同様に流通モード２を改変してもよい。例えば、流通モード２’（流通モード２の第１変形例）において、開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ａを開いた状態とし、開閉弁Ｖ２Ｂを閉じた状態としてもよい。この場合、主流のベクトルは、流通モード２と同様にＹ正方向成分を有するが、Ｙ正方向成分の大きさは小さくなる。

流通モード２”（流通モード２の第２変形例）において、開閉弁Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂを開いた状態とし、開閉弁Ｖ１Ａを閉じた状態としてもよい。この場合も、主流のベクトルは、流通モード２と同様にＹ正方向成分を有するが、Ｙ正方向成分の大きさは小さくなる。

上記において、同じ変形例同士を組み合わせることが好ましい。すなわち、流通モード１’（第１変形例）と流通モード２’ （第１変形例）とを組み合わせてセットを形成することが好ましく、流通モード１”（第２変形例）と流通モード２” （第２変形例）とを組み合わせてセットを形成することが好ましい。つまり、セットを構成する流通モード同士の主流のベクトルのＹ方向成分は、方向が互いに逆向きで、かつ大きさは互いにほぼ等しいことが好ましい。

［排出工程］
基板Ｗ上のＩＰＡの超臨界ＣＯ２への置換が完了したら、開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂを閉じて処理容器１１へのＣＯ２の供給を停止し、開閉弁Ｖ２ＡおよびＶ２Ｂの両方を開いた状態として、処理容器１１の設定圧力を常圧まで下げる。これにより圧力制御弁４０の開度が大幅に大きくなり（例えば全開となり）、処理容器１１内の圧力が常圧まで低下してゆく。これに伴い、基板Ｗのパターン内にあった超臨界ＣＯ２が気体となりパターン内から離脱し、気体状態のＣＯ２は処理容器１１から第１サブ排出ライン３８Ａ、第２サブ排出ライン３８Ｂおよび排出ライン３８を通って排出されてゆく。最後に、バイパスライン４４の開閉弁Ｖ４を開き、開閉弁Ｖ３と開閉弁Ｖ４との間に残留していたＣＯ２を抜く。以上により基板Ｗの乾燥が終了する。

［搬出工程］
乾燥した基板Ｗを載置しているトレイ１２の基板保持部１４が処理容器１１から出て基板受け渡し位置に移動する。基板Ｗは、図示しない基板搬送アームにより基板保持部１４から取り出され、例えば図示しない基板処理容器に収容される。

＜実施形態の効果＞
上記実施形態によれば、乾燥処理の終了後に基板Ｗの表面にパーティクルが残留することを抑制することができる。特に、パーティクルが例えば基板Ｗの表面の特定の領域に集中して残留する（その領域のデバイスは不良となる）ことを防止することができる。このことについて以下に説明する。

昇圧工程初期において、処理容器１１内に高流速でＣＯ２が流入するときに、基板Ｗの裏面、処理容器１１の内壁面、基板保持部１４の表面、第１吐出部２１および第１供給ライン３４の内壁面などに付着していたパーティクル原因物質が剥離して、ＣＯ２と一緒に基板Ｗの表面に回り込むことがある。基板Ｗの表面に回り込んだパーティクル原因物質は、基板Ｗの表面のＩＰＡ液膜に混入する。

パーティクルが特定の領域に残留する原因として以下の２つのモデルが考えられる。

（モデル１）
昇圧工程においてパーティクル原因物質が基板Ｗの表面に概ね均一に回り込み、上記流通モード３のみで流通工程が行われた場合を想定する。

処理容器１１、第２吐出部２２、流体排出部２４およびそれに接続される配管を完全に左右対称に形成することは製造技術上必ずしも容易でなく、多少の非対称性が生じることもある。この非対称性を原因として、流れ分布の左右方向に関する均一性を確保できないことがある。例えば、基板Ｗの上方の空間を通って第２吐出部２２から流体排出部２４に向かうＣＯ２の流れの流速が例えば処理容器１１の右側の領域で大きく、処理容器１１の左側の領域で小さいことがありうる。

ＩＰＡの液膜（超臨界ＣＯ２を含む）中にパーティクル原因物質が存在したとき、パーティクル原因物質は、基板Ｗの上方を流れる超臨界ＣＯ２と一緒に処理容器１１から排出される。ここで、上記のようなＣＯ２の流速の不均一が生じていると、ＣＯ２の流速が小さい領域でパーティクル原因物質の排出が滞り、その結果として、ＣＯ２の流速が小さい領域にパーティクルが多く残留することになる。

（モデル２）
昇圧工程においてパーティクル原因物質が基板Ｗの表面に不均一に（例えば処理容器１１の右側の領域に多く）回り込み、上記流通モード３のみで流通工程が行われるにあたってＣＯ２の流速分布が左右方向に関して均一であった場合を想定する。この場合、パーティクル原因物質が多く回り込んだ領域に、より多くのパーティクルが残留することになる。

上記実施形態によれば、流通工程の途中で流れ第２吐出部２２から流体排出部２４に向かうＣＯ２の流れの方向を変化させているため、流通工程を実施しているときにパーティクル原因物質が左右方向（Ｙ方向）に移動させられる（図４Ｂおよび図４Ｃを参照）。このため、例えば流通モード１と流通モード２とを交互に実施することにより、左右方向に関するパーティクル原因物質の分布がより均一となる。これにより、特定の領域に局所的にパーティクルが残留することを防止することができる。さらに、流通工程の途中でパーティクル原因物質の分布が均一化されると、パーティクル原因物質の排出効率も向上するため、パーティクルの総量も減少させることができる。つまり、モデル１およびモデル２のいずれのメカニズムによりパーティクルの問題が生じていたとしても、その問題を解決することができる。

処理ユニットの変形実施形態として、以下の構成を採用することもできる。

図５は、第１変形実施形態に係る処理ユニット１１０において流通工程に関与する部材のみを抜き出して示した模式図である。ここでは、第２吐出部２２が複数例えば２つのサブ要素２２Ａ，２２Ｂに分割されており、サブ要素２２Ａ，２２Ｂに第１サブ供給ライン３６Ａおよび第２サブ供給ライン３６Ｂがそれぞれ接続されている。また、流体排出部２４が複数例えば２つのサブ要素２４Ａ，２４Ｂに分割されており、サブ要素２４Ａ，２４Ｂに第１サブ排出ライン３８Ａおよび第２サブ排出ライン３８Ｂがそれぞれ接続されている。図５に図示された構成例に代えて、第２吐出部２２および流体排出部２４のうちの一方が、前述した実施形態と同様に単一の要素から構成されていてもよい。

上記第１変形実施形態においも、流通工程において、先に説明した流通モードあるいはその変形例と同様に開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂを操作することにより、主流のベクトルのＹ方向成分を変化させてもよい。

図６は第２変形実施形態に係る処理ユニット２１０の構成を示す模式図である。図６に示す処理ユニット２１０は、処理容器２１１を備えている。処理容器２１１の天井壁には、当該天井壁のやや下方で基板Ｗを支持する複数例えば３つの基板支持体２１４（基板保持部）が設けられている。各基板支持体２１４は基板Ｗの下面の周縁部を下方から支持する。処理容器２１１の底壁のやや上方には例えば円板状の邪魔板２０２が設けられている。

処理容器２１１の底壁には、第１吐出部２２１および流体排出部２２４が設けられている。第１吐出部２２１および流体排出部２２４は邪魔板２０２の直下にある。処理容器２１１の天井壁には、２つの第２吐出部２２２Ａ，２２２Ｂが設けられている。第１吐出部２２１、第２吐出部２２２Ａ，２２２Ｂおよび流体排出部２２４は、処理容器２１１の壁（底壁または天井壁）に形成された穴であってもよいし、このような穴に通されたパイプまたはノズルのようなものであってもよい。

図６に示す処理ユニット２１０を図３に示した配管系統に組み込むことができる。この場合、第１供給ライン３４の下流端を第１吐出部２２１に接続することができ、２つの第２吐出部２２２Ａ，２２２Ｂをそれぞれ第１サブ供給ライン３６Ａおよび第２サブ供給ライン３６Ｂの下流端に接続することができる。また、流体排出部２２４を排出ライン３８の上流端に接続することができ、この場合、排出ライン３８を第１サブ排出ライン３８Ａと第２サブ排出ライン３８Ｂとに分岐させる必要は無い。

図６に示す処理ユニット２１０においても、前述した実施形態と同様の手順で昇圧工程、流通工程および排出工程を実施することが可能である。特に流通工程においても、先に説明した流通モードあるいはその変形例と同様に開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂを操作することにより、主流のベクトルのＹ方向成分を変化させることができる。

昇圧工程においては、第１吐出部２２１から処理ユニット２１０内にＣＯ２を吐出する。吐出されたＣＯ２は邪魔板２０２に衝突した後に、邪魔板２０２の下面に沿って邪魔板２０２の周縁部に向けて流れた後に上方に向けて流れる。従って、昇圧工程において、基板Ｗの周囲を高流速でＣＯ２が流れることはない。

流通工程においては、第２吐出部２２２Ａおよび２２２Ｂから例えば交互にＣＯ２を吐出する。つまり、図５の実施形態と同様に２つの吐出部から交互にＣＯ２を吐出する。これと同時に、流体排出部１２４からＣＯ２（これはＩＰＡを含有する）を排出する。

第２吐出部２２２Ａおよび２２２ＢのいずれからＣＯ２を吐出した場合においても、吐出されたＣＯ２はその真下の基板Ｗの上面に衝突した後に、基板Ｗの表面に沿って基板Ｗの周縁に向けて流れる。このとき、図７に概略的に示されるように、第２吐出部２２２Ａ，２２２Ｂから吐出されたＣＯ２は、基板Ｗの表面への衝突点Ｐを中心として、基板Ｗの表面に沿って基板周縁に向けて拡散するように流れる。ＣＯ２が第２吐出部２２２Ａから吐出された場合（モード１）と第２吐出部２２２Ｂから吐出された場合（モード２）とでは、基板Ｗの表面上における衝突点Ｐの位置および表面に沿った流れの分布が異なる。なお、モード１とモード２の流れの分布は、平面視で、基板の中心を通る直線を対称軸とした鏡面対称である。このため、流通工程において、異なる第２吐出部２２２Ａ，第２吐出部２２２Ｂから例えば交互にＣＯ２を吐出することにより、前述した実施形態と同様にパーティクル原因物質の分布が均一化およびパーティクル原因物質の排出効率向上が得られる。

供給／排出系に設けた供給制御機器／排出制御機器の変形実施形態として、開閉弁Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂに開度調節機能を設けてもよい。第１サブ供給ライン３６Ａに開閉弁Ｖ１Ａと流量制御機能を有する弁（例えば定圧弁）とを直列に設け、第２サブ供給ライン３６Ｂに開閉弁Ｖ１Ｂと流量制御機能を有する弁とを直列に設けてもよい。第１サブ排出ライン３８Ａに開閉弁Ｖ２Ａと流量制御機能を有する弁とを直列に設け、第２サブ排出ライン３８Ｂに開閉弁Ｖ２Ｂと流量制御機能を有する弁とを直列に設けてもよい。

前述した流通モード１および流通モード２において、開閉弁を閉じることなく流量制御機能を有する弁の開度を適宜調整することにより、前述したように主流のベクトルがＹ方向負成分およびＹ方向正成分を有する流れ分布を形成することができる。具体的には例えば、流通モード１において、第１端２３Ａから第２吐出部２２に流入するＣＯ２の流量が相対的に大きく、第２端２３Ｂから第２吐出部２２に流入するＣＯ２の流量が相対的に小さくなるように、第１サブ供給ライン３６Ａおよび第２サブ供給ライン３６Ｂに設けた流量制御機能（開度調節機能）を有する弁の開度を調節してもよい。流体排出部２４側においても流量制御機能を有する弁を用いて同様の調節を行うことが可能である。流通モード２においても流量制御機能を有する弁を用いて同様の調節を行うことが可能である。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等の半導体装置の製造において用いられる他の種類の基板であってもよい。

Ｗ基板
１１処理容器
１４基板保持部
２２、２２Ａ，２２Ｂ流体吐出部（第２吐出部）
２４流体排出部
３６Ａ，３６Ｂ供給ライン
３８Ａ，３８Ｂ排出ライン
３６Ａ，３６Ｂ，３８Ａ，３８Ｂ流れ制御機構（開閉弁）

Claims

表面に液体が付着した基板を超臨界流体状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理方法であって、
前記基板処理方法は、
処理容器と、
前記処理容器内で、前記基板の前記表面を上向きにして前記基板を水平に保持する基板保持部と、
前記処理容器内に処理流体を吐出する流体吐出部と、
前記処理容器から処理流体を排出する流体排出部と、
前記流体吐出部に接続され、超臨界状態の処理流体を供給する流体供給源から前記流体吐出部に処理流体を供給する供給ラインと、
前記流体排出部に接続された排出ラインと、
前記供給ラインおよび前記排出ラインの少なくとも一方に設けられ、前記処理容器内を前記流体吐出部から前記流体排出部に向けて流れる処理流体の流れを制御する流れ制御機構と、
を備えた基板処理装置を用いて実行され、
前記基板処理方法は、前記基板保持部により保持された前記基板の表面に沿って処理流体が流れるように前記流体吐出部から前記流体排出部へと処理流体を流す流通工程を備え、
前記流通工程は、前記処理容器内に第１流通モードで処理流体を流す第１流通段階と、前記処理容器内に第２流通モードで処理流体を流す第２流通段階とを含み、前記第１流通モードと前記第２流通モードとで、前記基板の表面の法線方向で見たときに、前記処理容器内において前記基板の表面に沿って流れる処理流体の流れ方向分布が異なっており、前記第１流通モードと前記第２流通モードとの切り替えは前記流れ制御機構により行われる、基板処理方法。
前記第１流通段階と前記第２流通段階とが交互に繰り返される、請求項１記載の基板処理方法。
前記基板の表面の法線方向で見たときに、前記第１流通モードにおける処理流体の流れと前記第２流通モードにおける処理流体の流れが交差する、請求項１または２記載の基板処理方法。
前記基板の表面の法線方向で見たときに、前記基板の中心を通る直線を対称軸として、前記第１流通モードにおける流れ方向分布と前記第２流通モードにおける流れ方向分布とが鏡面対称となっている、請求項３記載の基板処理方法。
前記流体吐出部は、その第１端と第２端との間に水平方向に間隔を開けて配置された複数の吐出口を有するノズル体を備えており、前記供給ラインは、前記ノズル体の前記第１端および前記第２端に接続された第１サブ供給ラインと第２サブ供給ラインとを備え、前記第１サブ供給ラインにおよび前記第２サブ供給ラインにそれぞれ供給流れ制御機器が設けられ、前記供給流れ制御機器は前記流れ制御機構の少なくとも一部を構成し、
前記供給流れ制御機器を用いて、
前記第１流通モードにおける前記第１サブ供給ラインから前記ノズル体への処理流体の供給流量を前記第２サブ供給ラインから前記ノズル体への処理流体の供給流量より大きくし、
前記第２流通モードにおける前記第１サブ供給ラインから前記ノズル体への処理流体の供給流量を前記第２サブ供給ラインから前記ノズル体への処理流体の供給流量より小さくする、請求項１から４のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記第１サブ供給ラインおよび前記第２サブ供給ラインにそれぞれ設けられた前記供給流れ制御機器は開閉弁であり、前記第１流通モードでは前記第１サブ供給ラインの開閉弁が開かれるとともに前記第２サブ供給ラインの開閉弁が閉じられ、前記第２流通モードでは前記第１サブ供給ラインの開閉弁が閉じられるとともに前記第２サブ供給ラインの開閉弁が開かれる、請求項５に記載の基板処理方法。
前記第１サブ供給ラインおよび前記第２サブ供給ラインにそれぞれ設けられた前記供給流れ制御機器は可変開度の弁であり、前記第１流通モードでは前記第１サブ供給ラインの可変開度の弁の開度を前記第２サブ供給ラインの可変開度の弁の開度より大きくし、前記第２流通モードでは前記第１サブ供給ラインの可変開度の弁の開度を前記第２サブ供給ラインの可変開度の弁の開度より小さくする、請求項５に記載の基板処理方法。
前記流体排出部は、その第１端と第２端との間に水平方向に間隔を開けて配置された複数の排出口を有するマニホルドを備えており、前記排出ラインは、前記マニホルドの前記第１端および前記第２端に接続された第１サブ排出ラインと第２サブ排出ラインとを備え、前記第１サブ排出ラインおよび前記第２サブ排出ラインにそれぞれ排出流れ制御機器が設けられ、前記排出流れ制御機器は前記流れ制御機構の少なくとも一部を構成し、
前記排出流れ制御機器を用いて、
前記第１流通モードにおける前記マニホルドを介した前記第１サブ排出ラインへの処理流体の排出流量を、前記マニホルドを介した前記第２サブ排出ラインへの処理流体の排出流量より小さくし、
前記第２流通モードにおける前記マニホルドを介した前記第１サブ排出ラインへの処理流体の排出流量を、前記マニホルドを介した前記第２サブ排出ラインへの処理流体の排出流量より大きくする、
請求項１から７のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記第１サブ排出ラインおよび前記第２サブ排出ラインにそれぞれ設けられた前記排出流れ制御機器は開閉弁であり、前記第１流通モードでは前記第１サブ排出ラインの開閉弁が閉じられるとともに前記第２サブ排出ラインの開閉弁が開かれ、前記第２流通モードでは前記第１サブ排出ラインの開閉弁が開かれるとともに前記第２サブ排出ラインの開閉弁が閉じられる、請求項８に記載の基板処理方法。
前記第１サブ排出ラインおよび前記第２サブ排出ラインにそれぞれ設けられた前記排出流れ制御機器は可変開度の弁であり、前記第１流通モードでは前記第１サブ排出ラインの可変開度の弁の開度を前記第２サブ排出ラインの可変開度の弁の開度より小さくし、前記第２流通モードでは前記第１サブ排出ラインの可変開度の弁の開度を前記第２サブ排出ラインの可変開度の弁の開度より大きくする、請求項８に記載の基板処理方法。
前記基板の表面の法線方向で見たときに、前記ノズル体と前記マニホルドは、前記基板を挟んで互いに反対側に、かつ、互いに平行に設けられている、請求項５に従属する請求項８に記載の基板処理方法。
前記流体吐出部は、別々に設けられた第１の吐出要素および第２の吐出要素を有し、
前記供給ラインは、前記第１の吐出要素および前記第２の吐出要素にそれぞれ接続された第１サブ供給ラインと第２サブ供給ラインとを備え、前記第１サブ供給ラインおよび前記第２サブ供給ラインにそれぞれ供給流れ制御機器が設けられ、前記供給流れ制御機器は前記流れ制御機構の少なくとも一部を構成し、
前記供給流れ制御機器を用いて、
前記第１流通モードにおける前記第１サブ供給ラインから前記第１の吐出要素への処理流体の供給流量を前記第２サブ供給ラインから前記第２の吐出要素への処理流体の供給流量より大きくし、
前記第２流通モードにおける前記第１サブ供給ラインから前記第１の吐出要素への処理流体の供給流量を前記第２サブ供給ラインから前記第２の吐出要素への処理流体の供給流量より小さくする、請求項１から４のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記流体排出部は、別々に設けられた第１の排出要素および第２の排出要素を有し、
前記排出ラインは、前記第１の排出要素および前記第２の排出要素にそれぞれ接続された第１サブ排出ラインと第２サブ排出ラインとを備え、前記第１サブ排出ラインおよび前記第２サブ排出ラインにそれぞれ排出流れ制御機器が設けられ、前記排出流れ制御機器は前記流れ制御機構の少なくとも一部を構成し、
前記排出流れ制御機器を用いて、
前記第１流通モードにおける前記第１の排出要素から前記第１サブ排出ラインへの処理流体の排出流量を前記第２の排出要素から前記第２サブ排出ラインへの処理流体の排出流量より小さくし、
前記第２流通モードにおける前記第１の排出要素から前記第１サブ排出ラインへの処理流体の排出流量を前記第２の排出要素から前記第２サブ排出ラインへの処理流体の排出流量より大きくする、請求項１から４のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記基板処理装置は、前記排出ラインに設けられ、前記処理容器の圧力を制御する機能を有する開度調節可能な弁をさらに備えており、
前記第１流通段階および前記第２流通段階は、前記弁によって処理容器内を予め設定された圧力に維持して状態で行われる、請求項１から１３のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
前記基板保持部の先端部に、基板に近づくに従って高くなるように傾斜した傾斜面が設けられ、前記流体吐出部は、前記傾斜面に向けて処理流体を吐出する複数の吐出口を有しており、前記流通工程において、前記複数の吐出口から吐出された処理流体が前記傾斜面によって転向された後に前記基板保持部により保持された前記基板の表面に沿って流れる、請求項１から１４のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
表面に液体が付着した基板を超臨界流体状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理装置であって、
処理容器と、
前記処理容器内で、前記基板の前記表面を上向きにして前記基板を水平に保持する基板保持部と、
前記処理容器内に処理流体を吐出する流体吐出部と、
前記処理容器から処理流体を排出する流体排出部と、
前記流体吐出部に接続され、超臨界状態の処理流体を供給する流体供給源から前記流体吐出部に処理流体を供給する供給ラインと、
前記流体排出部に接続された排出ラインと、
前記供給ラインおよび前記排出ラインの少なくとも一方に設けられ、前記処理容器内を前記流体吐出部から前記流体排出部に向けて流れる処理流体の流れを制御する流れ制御機構と、
前記流れ制御機構の動作を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記流れ制御機構の動作を制御することにより請求項１から１５のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法を実行するように構成されている、基板処理装置。