JP2023013004A - 積層デバイスウェーハの形成方法 - Google Patents

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Abstract

Figure 2023013004000001
【課題】デバイスチップに対応する矩形状の領域内に位置合わせ用のアライメントマークを形成することなくデバイスウェーハ同士を位置合わせして貼り合わせる積層デバイスウェーハの形成方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせ装置３０における層デバイスウェーハの形成方法は、第１デバイスウェーハ１１と第２デバイスウェーハ２１とを貼り合わせる貼り合わせステップを備える。貼り合わせステップは、第１デバイスウェーハの表面側の外周部に形成されておりデバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第１の所定ラインと、第２デバイスウェーハの表面側の外周部に形成されておりデバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第２の所定ラインと、を撮像ユニットで撮像し、第１の所定ライン及び第２の所定ラインを利用して、第１デバイスウェーハ及び第２デバイスウェーハの相対的な位置を調整する位置調整ステップを含む。
【選択図】図５

Description

本発明は、複数のデバイスウェーハが積層された積層デバイスウェーハを形成する積層デバイスウェーハの形成方法に関する。
近年、半導体デバイスチップを含む半導体装置が搭載される製品では、スマートフォン、タブレット等のモバイル機器に代表される様に、小型化、薄型化及び軽量化が進んでいる。これに伴い、半導体装置にも、小型化、薄型化及び高密度化が要求されている。
この要求に応えるために、複数の半導体デバイスが各々形成されている第１及び第２の半導体ウェーハを、接着層を介して貼り合わせてウェーハ・オン・ウェーハ（Wafer On Wafer：ＷＯＷ）構造の積層デバイスウェーハとした後、ダイシング等を経て、積層マルチチップパッケージ（Multi Chip Package：ＭＣＰ）を製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１では、第１及び第２の半導体デバイスウェーハを正確に位置合わせして貼り合わせるために、まず、第１及び第２のシリコンウェーハの全体に熱酸化膜を形成し、次いで、フォトリソグラフィー工程により、熱酸化膜においてデバイスチップに対応する矩形状の領域内にアライメントマークを形成する。
アライメントマークは、矩形状の領域内に形成される素子等に対する基準位置を表示する機能を有すると共に、第１及び第２の半導体デバイスウェーハの位置合わせを行う際に各デバイスウェーハの位置を示す位置決めマークとしても機能する。
しかし、フォトリソグラフィー工程を行うために、アライメントマークを形成するための専用のフォトマスクが必要となるし、フォトリソグラフィー工程を行う分だけ、製造コストも上がる。
更に、このアライメントマークは、半導体デバイス自体の機能には寄与しないので、アライメントマークが存在することで、半導体回路、配線層等を含む半導体デバイスを形成可能な有効面積が減少する。
特開２００８－１５３４９９号公報
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、デバイスチップに対応する矩形状の領域内に位置合わせ用のアライメントマークを形成することなくデバイスウェーハ同士を位置合わせして貼り合わせることを目的とする。
本発明の一態様によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に設定され該複数の分割予定ラインによって区画された各々矩形状の複数の領域の各々にデバイスがそれぞれ形成されている第１デバイスウェーハ及び第２デバイスウェーハを貼り合わせて、複数のデバイスウェーハが積層された積層デバイスウェーハを形成する積層デバイスウェーハの形成方法であって、該第１デバイスウェーハを加工して、該第１デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されている面取り部を少なくとも除去する除去ステップと、該除去ステップの後、該第１デバイスウェーハの裏面側を研削して薄化する薄化ステップと、該薄化ステップの後、該第１デバイスウェーハと、該第２デバイスウェーハと、を貼り合わせる貼り合わせステップと、を備え、該貼り合わせステップは、該第１デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第１の所定ラインと、該第２デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第２の所定ラインと、を撮像ユニットで撮像し、該第１の所定ライン及び該第２の所定ラインを利用して、該第１デバイスウェーハ及び該第２デバイスウェーハの相対的な位置を調整する位置調整ステップを含む積層デバイスウェーハの形成方法が提供される。
好ましくは、該貼り合わせステップでは、該第１デバイスウェーハの該裏面側と、該第２デバイスウェーハの該表面側と、を貼り合わせる。
好ましくは、該位置調整ステップでは、該第１の所定ラインと該第２の所定ラインとを、撮像ユニットで同時に撮像する。
また、好ましくは、該第１の所定ラインは、該第１デバイスウェーハの該表面に設定された第１の分割予定ラインであり、該第２の所定ラインは、該第２デバイスウェーハの該表面に設定された第２の分割予定ラインであり、該第１の分割予定ラインと、該第２の分割予定ラインとは、同じ形状及び大きさを有し、該位置調整ステップでは、該第１の分割予定ラインと、該第２の分割予定ラインとを、位置合わせする。
また、好ましくは、該位置調整ステップでは、該第１の所定ライン及び該第２の所定ラインに加えて、該第１の所定ラインと直交する位置関係にあり、該第１デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており、該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第３の所定ラインと、該第２の所定ラインと直交する位置関係にあり、該第２デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており、該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第４の所定ラインと、を用いて該第１デバイスウェーハ及び該第２デバイスウェーハの相対的な位置を調整する。
本発明の他の態様によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に設定され該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域の各々にデバイスがそれぞれ形成されている第１デバイスウェーハ及び第２デバイスウェーハを貼り合わせて、複数のデバイスウェーハが積層された積層デバイスウェーハを形成する積層デバイスウェーハの形成方法であって、該第１デバイスウェーハの外周部において、該第１デバイスウェーハの厚さ方向における所定の深さに、該第１デバイスウェーハを透過する波長を有するレーザービームの集光点を位置付けて、改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップの後、該第１デバイスウェーハの裏面側を研削して薄化すると共に、該第１デバイスウェーハの外周部を除去する薄化ステップと、該薄化ステップの後、該第１デバイスウェーハと、該第２デバイスウェーハと、を貼り合わせる貼り合わせステップと、を備え、該貼り合わせステップは、該第１デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第１の所定ラインと、該第２デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第２の所定ラインと、を撮像ユニットで撮像し、該第１の所定ライン及び該第２の所定ラインを利用して、該第１デバイスウェーハ及び該第２デバイスウェーハの相対的な位置を調整する位置調整ステップを含む積層デバイスウェーハの形成方法が提供される。
本発明の一態様に係る積層デバイスウェーハの形成方法では、第１デバイスウェーハと、第２デバイスウェーハと、を貼り合わせる（貼り合わせステップ）。貼り合わせステップは、位置調整ステップを含む。
位置調整ステップでは、第１デバイスウェーハの表面側の外周部に形成されておりデバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第１の所定ラインと、第２デバイスウェーハの表面側の外周部に形成されておりデバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第２の所定ラインと、を撮像ユニットで撮像し、第１の所定ライン及び第２の所定ラインを利用して、第１デバイスウェーハ及び第２デバイスウェーハの相対的な位置を調整する。
つまり、デバイスウェーハの位置調整のために、デバイスに対応する矩形状の領域内に位置合わせ用のアライメントマークを形成することなく、デバイスウェーハ同士を位置合わせできる。それゆえ、アライメントマークを形成するためのフォトリソグラフィー工程を省略できることに加え、アライメントマークによりデバイスの有効面積が減少することもない。
図１（Ａ）は第１デバイスウェーハの斜視図であり、図１（Ｂ）は第１デバイスウェーハの外周部の断面図である。 積層デバイスウェーハの形成方法のフロー図である。 図３（Ａ）は除去ステップを示す一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は除去ステップ後の第１デバイスウェーハの断面図である。 図４（Ａ）は薄化ステップを示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は薄化ステップ後の第１デバイスウェーハ等の断面図である。 位置調整ステップを示す一部断面側面図である。 第１デバイスウェーハ及び第２デバイスウェーハの斜視図である。 図７（Ａ）は第１及び第２の分割予定ラインの位置がずれている場合における領域Ａでの画像の模式図であり、図７（Ｂ）は第１及び第２の分割予定ラインの位置が一致している場合における領域Ａでの画像の模式図である。 図８（Ａ）は第３及び第４の分割予定ラインの位置がずれている場合における領域Ｂでの画像の模式図であり、図８（Ｂ）は第３及び第４の分割予定ラインの位置が一致している場合における領域Ｂでの画像の模式図である。 図９（Ａ）は降下及び固定ステップを示す一部断面側面図であり、図９（Ｂ）は仮固定基板除去後の第１及び第２デバイスウェーハの断面図である。 第２の実施形態に係る積層デバイスウェーハの形成方法のフロー図である。 第１及び第２の加工予定ラインを示す第１デバイスウェーハの上面図である。 第１の改質層を形成する様子を示す図である。 第２の改質層を形成する様子を示す図である。 図１４（Ａ）はデバイス領域及び外周余剰領域を用いて位置調整ステップを行う場合を示す図であり、図１４（Ｂ）はデバイス領域同士を用いて位置調整ステップを行う場合を示す図である。 ５つのデバイスウェーハが積層された積層デバイスウェーハの断面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まずは、第１デバイスウェーハ１１（図１参照）及び第２デバイスウェーハ２１（図５参照）について説明するが、両者は概ね同じ形状を有するので、第１デバイスウェーハ１１について説明する。
図１（Ａ）は、第１デバイスウェーハ１１の斜視図であり、図１（Ｂ）は、第１デバイスウェーハ１１の外周部の断面図である。第１デバイスウェーハ１１は、主としてシリコンで形成された円板状のウェーハ１３を有する。
第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ（ウェーハ１３の表面に対応する）には、格子状に複数の分割予定ライン（ストリート）１５が設定されている。複数の分割予定ライン１５は、第１方向１７ａにそれぞれ平行な複数の分割予定ライン１５ａを含む。
複数の分割予定ライン１５ａには、第１方向１７ａと直交する第２方向１７ｂにそれぞれ平行な複数の分割予定ライン１５ｂが交差している。複数の分割予定ライン１５ａ、１５ｂにより、表面１１ａは、複数の矩形状の領域１９Ａに区画されている。
各矩形状の領域１９Ａの表面１１ａ側には、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイス１９が形成されている。第１デバイスウェーハ１１の外周部には、ウェーハ１３の結晶方位を示すノッチ１１ｃが形成されている。
また、表面１１ａ側の外周部と、裏面１１ｂ側の外周部とには、それぞれ面取り部１１ｄが形成されている。ウェーハ１３の厚さ方向において、表面１１ａ側の面取り部１１ｄと、裏面１１ｂ側の面取り部１１ｄと、の間には、ウェーハ１３の径を規定する外周縁１１ｅが存在する。
なお、第２デバイスウェーハ２１は、第１デバイスウェーハ１１と概ね同じ形状を有するが、第２デバイスウェーハ２１のデバイス１９の構造は、第１デバイスウェーハ１１のデバイス１９の構造と、同じでもよいし、異なってもよい。
次に、図２から図９（Ｂ）を参照し、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１が積層された積層デバイスウェーハ２３（図９（Ｂ）参照）を形成する積層デバイスウェーハ２３の形成方法について説明する。
図２は、第１の実施形態に係る積層デバイスウェーハ２３の形成方法のフロー図である。まず、第１デバイスウェーハ１１の外周部を切削（加工）して、第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側の外周部に形成されている面取り部１１ｄを除去する（除去ステップＳ１０）。
図３（Ａ）は、除去ステップＳ１０を示す一部断面側面図である。除去ステップＳ１０では、切削装置２を用いる。切削装置２は、円板状のチャックテーブル（不図示）を有する。チャックテーブルの上面は、略平坦な保持面として機能する。
保持面には、エジェクタ等の吸引源（不図示）から負圧が伝達される。チャックテーブルの下部には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。回転駆動源により、チャックテーブルは、切り込み送り方向（例えば、Ｚ軸方向）に略平行に配置された所定の回転軸４の周りに回転可能である。
チャックテーブルの上方には、切削ユニットが配置されている。切削ユニットは、ボールねじ式の切り込み送りユニット（不図示）により、切り込み送り方向に移動可能に構成されている。
更に、切削ユニットは、ボールねじ式の割り出し送りユニット（不図示）により、割り出し送り方向（例えば、Ｙ軸方向）に移動可能に構成されている。切削ユニットは、長手方向が割り出し送り方向に沿って配置された角筒状のスピンドルハウジングを有する。
スピンドルハウジングには、円柱状のスピンドル６の一部が回転可能に収容されている。スピンドル６の基端部には、モータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。スピンドル６の先端部は、スピンドルハウジングから突出しており、この先端部には、円環状の切り刃を有する切削ブレード８が装着されている。
除去ステップＳ１０では、まず、第１デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側を保持面で吸引保持する。次いで、純水等の切削水を切削ブレード８に供給しながら、高速（例えば、約３０，０００ｒｐｍ）で回転する切削ブレード８の下端部を表面１１ａ側の外周部に切り込むと共に、所定の速度（例えば、３°／ｓ（即ち、１８０°／ｍｉｎ））でチャックテーブルを回転させる。
これにより、表面１１ａ側の面取り部１１ｄを除去し、表面１１ａ側に環状の段差部１１ｆを形成する。図３（Ｂ）は、除去ステップＳ１０後の第１デバイスウェーハ１１の断面図である。
なお、除去ステップＳ１０では、少なくとも表面１１ａ側の面取り部１１ｄを除去するが、代替的に、切削ブレード８の切り込み深さを裏面１１ｂと略同じ高さに位置付け、表面１１ａ側及び裏面１１ｂ側の各面取り部１１ｄを除去してもよい。
除去ステップＳ１０の後、スピンナ塗布装置（不図示）を用いて紫外線硬化型樹脂、熱可塑性樹脂等の仮接着剤を、仮固定基板３３に塗布する。これにより仮接着層３５を形成した後、仮接着層３５を介して、表面１１ａ側に円板状の仮固定基板３３を固定する（仮固定ステップＳ２０）。
本実施形態では、仮固定基板３３として、可視光に対して透明なガラス基板を使用する。但し、代替的に、仮固定基板３３として、シリコン基板を使用してもよい。なお、シリコン基板は赤外線に対して透明であるので、シリコン基板を用いる場合には、後述の顕微鏡カメラユニット３２において、赤外線カメラを利用する。
第１のチャックテーブルで仮固定基板３３を吸引保持した後、裏面１１ｂ側を研削して第１デバイスウェーハ１１を薄化する（薄化ステップＳ３０）。図４（Ａ）は、薄化ステップＳ３０を示す第１デバイスウェーハ１１及び研削研磨装置１０の一部断面側面図である。
研削研磨装置１０は、円板状の第１のチャックテーブル（不図示）を有する。第１のチャックテーブルは、モータ等の回転駆動源により所定の回転軸１２の周りに回転可能である。
第１のチャックテーブルの上方には、粗研削ユニット１４が設けられている。粗研削ユニット１４は、ボールねじ式の研削送りユニット（不図示）により研削送り方向（例えば、Ｚ軸方向）に移動可能に構成されている。粗研削ユニット１４は、長手方向が研削送り方向に沿って配置された円筒状のスピンドルハウジング１６を有する。
スピンドルハウジング１６には、円柱状のスピンドル１８の一部が回転可能に収容されている。スピンドル１８の上端部には、モータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。スピンドル１８の下端部は、スピンドルハウジング１６から突出しており、この下端部には、円板状のマウント２０の上面側が固定されている。
マウント２０の下面側には、円環状の粗研削ホイール２２が装着されている。粗研削ホイール２２は、円環状のホイール基台２２ａを有する。ホイール基台２２ａの下面側には、各々ブロック状の複数の粗研削砥石２２ｂが、ホイール基台２２ａの周方向に沿って離散的に配置されている。
研削研磨装置１０は、更に、第１のチャックテーブルに隣接して配置され、第１のチャックテーブルと略同じ構造の第２のチャックテーブル（不図示）を有する。第２のチャックテーブルも、同様に、所定の回転軸の周りに回転可能である。
第２のチャックテーブルの上方には、仕上げ研削ユニット（不図示）が設けられている。仕上げ研削ユニットは、粗研削砥石２２ｂに代えて、粗研削砥石２２ｂよりも平均粒径が小さい砥粒を有する仕上げ研削砥石を備える。
研削研磨装置１０は、更に、第１及び第２のチャックテーブルに隣接して配置され、第１のチャックテーブルと略同じ構造の第３のチャックテーブル（不図示）を有する。第３のチャックテーブルも、同様に、所定の回転軸の周りに回転可能である。
第３のチャックテーブルの上方には、研磨ユニット（不図示）が設けられている。研磨ユニットは、粗研削ホイール２２に代えて、円板状の研磨パッド（不図示）を有する。
薄化ステップＳ３０では、まず、第１のチャックテーブルを回転軸１２の周りに所定の速度（例えば、約３００ｒｐｍ）で回転させると共に、スピンドル１８を回転軸として粗研削ホイール２２を所定の速度（例えば、約３，０００ｒｐｍ）で回転させる。
純水等の研削水を粗研削ホイール２２から加工点に供給しながら、粗研削ユニット１４を下方へ研削送りすることで、裏面１１ｂ側が粗研削される。所定の厚さとなるまで粗研削を行った後、第２のチャックテーブル及び仕上げ研削ユニットを用いて、裏面１１ｂ側を仕上げ研削する。
仕上げ研削の後、第３のチャックテーブル及び研磨ユニットを用いて、裏面１１ｂ側に対して化学機械研磨（ＣＭＰ）を施す。粗研削、仕上げ研削及び研磨を経て、裏面１１ｂからデバイス１９の最表面までの厚さが１０μｍ程度となる様に、ウェーハ１３を薄化すると共に、研削痕（ソーマーク）を除去する。
薄化ステップＳ３０において段差部１１ｆに対応する位置まで裏面１１ｂ側が研削及び研磨されることで、第１デバイスウェーハ１１の外径は、外周縁１１ｅで規定される薄化ステップＳ３０前の外径に比べて小さくなる。
図４（Ｂ）は、薄化ステップＳ３０後の第１デバイスウェーハ１１等の断面図である。薄化ステップＳ３０の後、第１デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側と、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側とを、接着剤を介して貼り合わせる（貼り合わせステップＳ４０）。
貼り合わせステップＳ４０では、貼り合わせ装置３０（図５参照）が用いられる。貼り合わせ装置３０は、真空チャンバ（不図示）を有する。真空チャンバ内には、仮固定基板３３を吸引保持する円板状の保持部（不図示）が設けられている。
保持部は多孔質体を含み、この多孔質体には、エジェクタ等の吸引源から負圧が伝達される。また、保持部は、連結されているＺ軸方向移動機構（不図示）によりＺ軸方向（上下方向）に沿って移動可能に構成されている。
保持部の近傍には、顕微鏡カメラユニット（撮像ユニット）３２が設けられている。顕微鏡カメラユニット３２は、レンズ、撮像素子等を含み、２０μｍから３０μｍ程度の焦点深度を有する。
顕微鏡カメラユニット３２は、保持部で吸引された仮固定基板３３よりも上方において、Ｘ、Ｙ及びＺ軸方向に移動可能に構成されている。保持部及び顕微鏡カメラユニット３２の下方には、保持テーブル（不図示）が設けられている。
保持テーブルは、各々ボールねじ式のＸ軸方向移動機構及びＹ軸方向移動機構（いずれも不図示）により、Ｘ及びＹ軸方向に沿って移動可能に構成されている。
更に、保持テーブルはＺ軸方向に沿う回動軸の周りに所定の角度範囲で回動可能（即ち、θ方向調整可能）に構成されている。また、保持テーブルには、ヒータ等の加熱源（不図示）も設けられている。
貼り合わせステップＳ４０では、まず、スピンナ塗布装置（不図示）を用いて、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）等の樹脂製の接着剤を第１デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側に塗布し、所定厚さ（例えば、１０μｍ未満の厚さ）を有する接着層３７を形成する。
その後、真空チャンバ内を減圧し、第２デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂ側を、保持リング（不図示）等を用いて保持テーブルで保持すると共に、仮固定基板３３を吸引保持した保持部を、下方に移動させる。
そして、表面２１ａ側のデバイス１９の上端と、接着層３７とが、少なくとも数μｍの距離３９ａだけ離れる様に、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａと、接着層３７とを、対面させて接近させる（図５参照）。このとき、表面１１ａ及び表面２１ａは、顕微鏡カメラユニット３２で同時に撮像可能な程度に近接した距離３９ｂに位置する。
次いで、第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側の外周部と、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側の外周部とを、顕微鏡カメラユニット３２で撮像すると共に、第１デバイスウェーハ１１に対する第２デバイスウェーハ２１の相対的な位置を調整する（位置調整ステップＳ４２）。
図５は、位置調整ステップＳ４２を示す一部断面側面図であり、図６は、位置調整ステップＳ４２における第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１の斜視図である。なお、図６では、仮固定基板３３及び仮接着層３５を省略している。
本実施形態の位置調整ステップＳ４２では、表面１１ａの外周部に形成されている第１方向１７ａと平行な第１の分割予定ライン（第１の所定ライン）１５ａ１と、表面２１ａの外周部に形成されている第１方向１７ａと平行な第２の分割予定ライン（第２の所定ライン）１５ａ２と、を同時に撮像する。
第１の分割予定ライン１５ａ１及び第２の分割予定ライン１５ａ２は、ウェーハ１３をデバイス１９単位に分割するときの分割位置を示し、デバイス１９に対応する矩形状の領域１９Ａ外に位置する。この点、上述の位置合わせ用のアライメントマークとは異なる。
図７（Ａ）は、第１の分割予定ライン１５ａ１の位置と、第２の分割予定ライン１５ａ２の位置とが、第２方向１７ｂでずれている場合における領域Ａでの画像の模式図である。
図７（Ａ）の場合、第２デバイスウェーハ２１を第２方向１７ｂに移動することで、第１の分割予定ライン１５ａ１と、第２の分割予定ライン１５ａ２とを、第２方向１７ｂで位置合わせする。
図７（Ｂ）は、第１の分割予定ライン１５ａ１の位置と、第２の分割予定ライン１５ａ２の位置とが、第２方向１７ｂで一致している場合における領域Ａでの画像の模式図である。第１の分割予定ライン１５ａ１と、第２の分割予定ライン１５ａ２とは、同じ形状、同じ大きさ（幅）を有しているので、位置合わせの目印に適している。
続いて、領域Ｂ（図６参照）に顕微鏡カメラユニット３２を位置付ける。そして、第１の分割予定ライン１５ａ１と直交する位置関係にある第３の分割予定ライン（第３の所定ライン）１５ｂ３と、第２の分割予定ライン１５ａ２と直交する位置関係にある第４の分割予定ライン（第４の所定ライン）１５ｂ４と、を同時に撮像する。
勿論、第３の分割予定ライン１５ｂ３は表面１１ａ側の外周部に形成されており、第４の分割予定ライン１５ｂ４も表面２１ａ側の外周部に形成されている。また、第３の分割予定ライン１５ｂ３及び第４の分割予定ライン１５ｂ４も、デバイス１９に対応する矩形状の領域１９Ａ外に位置する。
図８（Ａ）は、第３の分割予定ライン１５ｂ３の位置と、第４の分割予定ライン１５ｂ４の位置とが、ずれている場合における領域Ｂでの画像の模式図である。図８（Ａ）の場合、第２デバイスウェーハ２１を第１方向１７ａに移動することで、第３の分割予定ライン１５ｂ３と、第４の分割予定ライン１５ｂ４とを、第１方向１７ａで位置合わせする。
図８（Ｂ）は、第３の分割予定ライン１５ｂ３の位置と、第４の分割予定ライン１５ｂ４の位置とが、一致している場合における領域Ｂでの画像の模式図である。第３の分割予定ライン１５ｂ３と、第４の分割予定ライン１５ｂ４とは、同じ形状、同じ大きさ（幅）を有しているので、位置合わせの目印に適している。
特に、直交する位置関係にある複数の分割予定ライン１５を利用して位置調整を行うことで、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１の位置調整を、第１方向１７ａ及び第２方向１７ｂにおいて正確に位置合わせできる。
なお、領域Ａ及び領域Ｂは、第１デバイスウェーハ１１の周方向で１／４周以上離れていることが好ましい。この様に、領域Ａ及び領域Ｂを離すことで、領域Ａ及び領域Ｂが近接している場合に比べて、ずれを検出しやすくなる。
ところで、位置調整ステップＳ４２では、表面１１ａ側及び表面２１ａ側の各分割予定ライン１５を利用して第１デバイスウェーハ１１と第２デバイスウェーハ２１とのθ方向のずれを解消してもよい。
位置調整ステップＳ４２では、この様にして、第１の分割予定ライン１５ａ１及び第２の分割予定ライン１５ａ２を利用して第２方向１７ｂでの位置調整を行うと共に、第３の分割予定ライン１５ｂ３及び第４の分割予定ライン１５ｂ４を基準にして第１方向１７ａでの位置調整を行う。
つまり、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１の位置調整のためにデバイス１９に対応する矩形状の領域１９Ａ内にアライメントマークを形成することなく、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１同士を位置合わせできる。
それゆえ、アライメントマークを形成するためのフォトリソグラフィー工程を省略できることに加え、アライメントマークによりデバイス１９の有効面積が減少することもないという利点がある。
図９（Ａ）は、位置調整ステップＳ４２後の降下及び固定ステップＳ４４を示す一部断面側面図である。降下及び固定ステップＳ４４では、仮固定基板３３を降下させ裏面１１ｂ側を表面２１ａ側に押し当てると共に、接着層３７を固化させる。
例えば、裏面１１ｂ側を表面２１ａ側に押し当てた状態で第２デバイスウェーハ２１を２５０℃で１時間程度加熱することで、接着層３７が固化する。これにより、第１デバイスウェーハ１１と、第２デバイスウェーハ２１とを、接着固定する。
降下及び固定ステップＳ４４の後、仮接着層３５の粘着力を低下させ、仮固定基板３３を表面１１ａ側から剥離する（剥離ステップＳ５０）。図９（Ｂ）は、剥離ステップＳ５０後における積層デバイスウェーハ２３の断面図である。
例えば、仮接着剤が紫外線硬化樹脂の場合、表面１１ａ側に紫外線を照射して接着力を低減させた後、仮固定基板３３を剥離する。これにより、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１が積層された積層デバイスウェーハ２３が形成される。
本実施形態では、デバイス１９に対応する矩形状の領域１９Ａ内にアライメントマークを形成することなく、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１を位置合わせできる。それゆえ、アライメントマークを形成するためのフォトリソグラフィー工程を省略できるし、アライメントマークによりデバイス１９の有効面積が減少することもない。
（第１変形例）ところで、第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側におけるデバイス１９を含む回路パターンと、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側におけるデバイス１９を含む回路パターンとが、鏡像対象である場合、表面１１ａ側と表面２１ａ側とを、貼り合わせることもできる。
この場合、除去ステップＳ１０の後、表面１１ａ側を樹脂製の保護テープ（不図示）等で保護した上で裏面１１ｂ側を研削することで、薄化ステップＳ３０を行う。そして、薄化ステップＳ３０後の第１デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側に、仮接着層３５を介して仮固定基板３３を固定する（仮固定ステップ）。
次いで、第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側に接着層３７を形成し、表面１１ａ側の接着層３７と、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａとが、少なくとも数μｍの距離３９ａだけ離れる様に、接着層３７と、表面２１ａとを、対面させて接近させる。
そして、位置調整ステップＳ４２では、赤外線カメラを搭載した顕微鏡カメラユニット３２を用いて、第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側の外周部と、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側の外周部とを、撮像すると共に、第１デバイスウェーハ１１に対する第２デバイスウェーハ２１の相対的な位置を調整する。
この様に赤外線カメラを用いることにより、第１デバイスウェーハ１１を透過する態様で表面１１ａ側を撮像すると共に、表面２１ａ側を撮像できる。その後、降下及び固定ステップＳ４４と、剥離ステップＳ５０とを経て、表面１１ａ側と表面２１ａ側とが貼り合わされた積層デバイスウェーハを形成できる。
（第２変形例）また、上述の様に、表面１１ａ側の回路パターンと、表面２１ａ側の回路パターンとが、鏡像対象である場合、裏面１１ｂ側と裏面２１ｂ側とを、貼り合わせることもできる。
裏面１１ｂ側及び裏面２１ｂ側を貼り合わせる場合、上述の除去ステップＳ１０から薄化ステップＳ３０を経て薄化されており、表面１１ａ側が仮固定基板３３に固定された第１デバイスウェーハ１１を準備する。
また、同様に、表面２１ａ側の面取り部を除去した後、仮接着層３５により表面２１ａ側が仮固定基板（不図示）に固定された第２デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂ側を研削することで、薄化された第２デバイスウェーハ２１を準備する。
なお、表面２１ａ側の面取り部を除去する際には、薄化後の第２デバイスウェーハ２１の径が、第１デバイスウェーハ１１の径よりも大きくなる様に、表面２１ａ側の除去範囲を調整する。
そして、裏面１１ｂ側に接着層３７が設けられた第１デバイスウェーハ１１の仮固定基板３３を保持部で吸引保持し、第２デバイスウェーハ２１に固定された仮固定基板を保持テーブルで吸引保持し、第１デバイスウェーハ１１を第２デバイスウェーハ２１の上方に配置する。
次いで、第１デバイスウェーハ１１の接着層３７と、第２デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂとが、少なくとも数μｍの距離３９ａだけ離れる様に、接着層３７と、裏面２１ｂとを、対面させて接近させる。
特に、位置調整ステップＳ４２では、赤外線カメラを搭載した顕微鏡カメラユニット３２を用いて、第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側の外周部と、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側の外周部とを、撮像すると共に、第１デバイスウェーハ１１に対する第２デバイスウェーハ２１の相対的な位置を調整する。
この様に、赤外線カメラを用いることにより、第２デバイスウェーハ２１を透過する態様で表面２１ａ側を撮像すると共に、表面１１ａ側を撮像できる。その後、降下及び固定ステップＳ４４と、剥離ステップＳ５０とを経て、裏面１１ｂ側と裏面２１ｂ側とが貼り合わされた積層デバイスウェーハを形成できる。
（第３変形例）また、第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側と、第２デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂ側とを、貼り合わせてもよい。この場合、第１変形例と同様に、薄化ステップＳ３０後の第１デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側に、仮接着層３５を介して仮固定基板３３を固定する（仮固定ステップ）。
また、第２変形例と同様に、表面２１ａ側の面取り部を除去した後、仮接着層３５により表面２１ａ側が仮固定基板（不図示）に固定された第２デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂ側を研削することで、薄化された第２デバイスウェーハ２１を準備する。なお、第２変形例と同様に、薄化後の第２デバイスウェーハ２１の径を、第１デバイスウェーハ１１の径よりも大きくする。
そして、裏面１１ｂ側に接着層３７が設けられた第１デバイスウェーハ１１の仮固定基板３３を保持部で吸引保持し、第２デバイスウェーハ２１に固定された仮固定基板を保持テーブルで吸引保持し、第１デバイスウェーハ１１を第２デバイスウェーハ２１の上方に配置する。
次いで、第１デバイスウェーハ１１の接着層３７と、第２デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂとが、少なくとも数μｍの距離３９ａだけ離れる様に、接着層３７と、裏面２１ｂとを、対面させて接近させる。
特に、位置調整ステップＳ４２では、赤外線カメラを搭載した顕微鏡カメラユニット３２を用いて、第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側の外周部と、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側の外周部とを、撮像すると共に、第１デバイスウェーハ１１に対する第２デバイスウェーハ２１の相対的な位置を調整する。
この様に、赤外線カメラを用いることにより、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１を透過する態様で、表面１１ａ側と表面２１ａ側とを撮像できる。その後、降下及び固定ステップＳ４４と、剥離ステップＳ５０とを経て、表面１１ａ側と裏面２１ｂ側とが貼り合わされた積層デバイスウェーハを形成できる。
次に、第２の実施形態について説明する。図１０は、第２の実施形態に係る積層デバイスウェーハ２３の形成方法のフロー図である。第２の実施形態では、まず、仮接着層３５を介して表面１１ａ側を仮固定基板３３に固定する（仮固定ステップＳ２０）。
次いで、第１の加工予定ライン４５ａ及び第２の加工予定ライン４５ｂ（図１１参照）に沿って、第１デバイスウェーハ１１の外周部に第１の改質層４３ａ、第２の改質層４３ｂ（図１２、図１３参照）を形成する（改質層形成ステップＳ２２）。
図１１は、改質層４３（図１３参照）が各々形成される第１の加工予定ライン４５ａ及び第２の加工予定ライン４５ｂを示す第１デバイスウェーハ１１の上面図である。なお、図１１では、分割予定ライン１５、デバイス１９等を省略している。
改質層形成ステップＳ２２では、レーザー加工装置４０を用いる（図１２参照）。レーザー加工装置４０は、円板状のチャックテーブル（不図示）を有する。チャックテーブルの下部には、モータ等の回転駆動源（不図示）が設けられており、チャックテーブルは回転軸４２の周りに回転可能である。
また、チャックテーブルの下部には、ボールねじ式の加工送り機構（Ｘ軸方向移動機構）が設けられている。チャックテーブルの上方には、レーザービーム照射ユニット４４が配置されている。レーザービーム照射ユニット４４は、レーザー発振器（不図示）と、集光レンズ（不図示）を含む集光器４６と、を有する。
改質層形成ステップＳ２２では、第１デバイスウェーハ１１の径方向において外周縁１１ｅから所定距離だけ内側に位置する環状の第１の加工予定ライン４５ａ（図１１参照）に沿ってレーザービームＬを照射して、環状の第１の改質層４３ａを形成する。
図１２は、第１の改質層４３ａを形成する様子を示す図であり、図１１のＣ－Ｃ断面図に対応する。第１の改質層４３ａを形成するために、まず、第１デバイスウェーハ１１に固定された仮固定基板３３をチャックテーブルの保持面で吸引保持する。
次いで、集光器４６を、第１の加工予定ライン４５ａの直上に配置し、ウェーハ１３を透過する波長を有するパルス状のレーザービームＬの集光点を、ウェーハ１３の厚さ方向の所定の深さに位置付ける。この状態で、回転軸４２の周りに第１デバイスウェーハ１１を回転させる。加工条件は、例えば、下記の様に設定される。
波長 ：１０６４ｎｍ
平均出力 ：１Ｗ
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
回転速度 ：１８０°／ｓ
集光点及びその近傍では多光子吸収が生じるので、第１の加工予定ライン４５ａに沿って環状の第１の改質層４３ａが形成される。なお、集光点の深さ位置を変えて、ウェーハ１３の厚さ方向に第１の改質層４３ａを複数形成してもよい。
図１２では、第１の改質層４３ａを便宜的に丸で示す。第１の改質層４３ａを形成すると、第１の改質層４３ａを起点として、表面１１ａ及び裏面１１ｂへ延伸するクラック４７が形成される。
改質層形成ステップＳ２２では、更に、第１の加工予定ライン４５ａから外周縁１１ｅまでの環状領域において、外周縁１１ｅに沿って略等間隔で放射状に設定された複数（図１１に示す例では１８本）の第２の加工予定ライン４５ｂに沿ってレーザービームＬを照射して、第２の改質層４３ｂを形成する。
図１３は、第２の改質層４３ｂを形成する様子を示す図であり、図１１のＣ－Ｃ断面図に対応する。第２の改質層４３ｂを形成するために、まず、１つの第２の加工予定ライン４５ｂをＸ軸方向と略平行にする。
そして、１つの第２の加工予定ライン４５ｂ下の所定の深さにレーザービームＬの集光点を位置付けて、１つの第２の加工予定ライン４５ｂの一端から他端まで集光点が移動する様に、チャックテーブルをＸ軸方向に沿って移動させる。加工条件は、例えば、下記の様に設定される。
波長 ：１０６４ｎｍ
平均出力 ：１Ｗ
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
加工送り速度 ：８００ｍｍ／ｓ
この様にして、全ての第２の加工予定ライン４５ｂに沿って、第２の改質層４３ｂを形成する。図１３では、１つの第２の改質層４３ｂを便宜的に複数の丸で示す。第２の改質層４３ｂを形成すると、第２の改質層４３ｂを起点として、表面１１ａ及び裏面１１ｂへ延伸するクラック４７が形成される。なお、改質層４３とは、例えば、レーザービームＬの非照射領域に比べて、機械的強度が弱く、クラック４７の起点となる領域を指す。
改質層形成ステップＳ２２の後、第１デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して薄化する（薄化ステップＳ３０、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）参照）。薄化ステップＳ３０では、研削の衝撃に伴い、第１の改質層４３ａ及び第２の改質層４３ｂを起点にクラック４７が延伸する。
そして、研削時に第１デバイスウェーハ１１に作用する振動、遠心力等により、第１デバイスウェーハ１１の外周部が分離され除去される。貼り合わせステップＳ４０以降は、第１の実施形態と同じであるので、説明を省略する。
第２の実施形態でも、デバイス１９に対応する矩形状の領域１９Ａ内にアライメントマークを形成することなく、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１を位置合わせできる。それゆえ、アライメントマークを形成するためのフォトリソグラフィー工程を省略できるし、アライメントマークによりデバイス１９の有効面積が減少することもない。
第２の実施形態でも、第１変形例で述べた様に表面１１ａ側と表面２１ａ側とを貼り合わせてよいし、第２変形例で述べた様に裏面１１ｂ側と裏面２１ｂ側とを貼り合わせてよいし、第３変形例で述べた様に表面１１ａ側と裏面２１ｂ側とを貼り合わせてもよい。
次に、位置調整ステップＳ４２に関する二つの例を、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）を用いて説明する。図１４（Ａ）は、デバイス領域１９ａ及び外周余剰領域２９ｂを用いて位置調整ステップＳ４２を行う場合を示す図である。
第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側には、複数のデバイス１９が形成されている円形のデバイス領域１９ａが存在する。また、第１デバイスウェーハ１１の径方向においてデバイス領域１９ａの外側には、円環状の外周余剰領域が存在する。
同様に、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側には、複数のデバイス１９が形成されている円形のデバイス領域２９ａが存在する。また、第２デバイスウェーハ２１の径方向においてデバイス領域２９ａの外側には、外周余剰領域２９ｂが存在する。
一般的に、直径３００ｍｍ（１２インチ）のウェーハの表面側において、外周縁から直径方向に沿って内側に２．０ｍｍまでの環状領域では、その平坦性が製造メーカによって保証されていない。この環状領域は、一般に、外周余剰領域と呼ばれる。
外周余剰領域には、分割予定ライン１５、デバイス１９、配線層、回路等をそもそも形成しないか、仮に、形成したとしても、この外周余剰領域に形成された回路等は、最終的にデバイスチップとして使用されない。
また、直径方向に沿って外周余剰領域よりも更に内側１．０ｍｍの範囲（即ち、外周余剰領域の内周を起点とし、外周縁１１ｅから直径方向に沿って内側に３．０ｍｍまで）の環状領域は、デバイス領域に含まれるけれども、当該環状領域に位置する回路等は、最終的にデバイスチップとして使用されない。
上記の事情を踏まえ、まず、図１４（Ａ）を参照し、第２デバイスウェーハ２１における第２の分割予定ライン１５ａ２及び第４の分割予定ライン１５ｂ４が、デバイス領域２９ａから外周余剰領域２９ｂに亘って形成されている場合について説明する。
この場合、第１デバイスウェーハ１１の表面１１ａ側の外周部に形成されている第１の分割予定ライン１５ａ１及び第３の分割予定ライン１５ｂ３と、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側の外周部に形成されている第２の分割予定ライン１５ａ２及び第４の分割予定ライン１５ｂ４と、を用いて位置調整ステップＳ４２を行うことができる。
しかし、図１４（Ｂ）に示す様に、第２デバイスウェーハ２１における第２の分割予定ライン１５ａ２及び第４の分割予定ライン１５ｂ４が、デバイス領域２９ａの外周部には形成されているが外周余剰領域２９ｂには形成されていない場合もある。
この場合、図１４（Ｂ）に示す様に、図１４（Ａ）に示すデバイス領域１９ａの直径を更に１．０ｍｍ小さくすることで、デバイス領域２９ａの外周部を、デバイス領域１９ａの外側に露出させる（図１４（Ｂ）の左向き矢印参照）。
図１４（Ｂ）は、デバイス領域１９ａ、２９ａ同士を用いて位置調整ステップＳ４２を行う場合を示す図である。デバイス領域１９ａ、２９ａのそれぞれの外周部を顕微鏡カメラユニット３２で撮像しながら、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１の位置を調整する。
図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）いずれの場合でも、デバイス１９に対応する矩形状の領域１９Ａ内にアライメントマークを形成することなく、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１を位置合わせできる。
また、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）の場合でも、第１変形例で述べた様に表面１１ａ側と表面２１ａ側とを貼り合わせてよいし、第２変形例で述べた様に裏面１１ｂ側と裏面２１ｂ側とを貼り合わせてよいし、第３変形例で述べた様に表面１１ａ側と裏面２１ｂ側とを貼り合わせてもよい。
次に、３つ以上のデバイスウェーハを積層する例について説明する。図１５は、５つのデバイスウェーハ（第１デバイスウェーハ１１、第２デバイスウェーハ２１、第３デバイスウェーハ３１、第４デバイスウェーハ４１、第５デバイスウェーハ５１）が積層された積層デバイスウェーハ５３の断面図である。
図１５に示す様に、薄化された上段のデバイスウェーハの直径を、下段のデバイスウェーハの直径に比べて小さくすることにより、貼り合わせステップＳ４０の手法を適用できる。
それゆえ、デバイス１９に対応する矩形状の領域１９Ａ内にアライメントマークを形成することなく、積層方向で隣接するデバイスウェーハ同士を位置合わせできる。また、デバイスウェーハの表裏面のどちらを上（又は下）にするかは、適宜決定してよい。
その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
上述の除去ステップＳ１０に代えて、第１デバイスウェーハ１１に吸収される波長（例えば、３５５ｎｍ）を有するパルス状のレーザービームを用いて、少なくとも表面１１ａ側の外周部に形成されている面取り部１１ｄをレーザーアブレーションにより除去してもよい。
また、上述の除去ステップＳ１０に代えて、プラズマエッチングにより、少なくとも表面１１ａ側の外周部に形成されている面取り部１１ｄを除去してもよい。つまり、第１デバイスウェーハ１１を加工する除去ステップＳ１０では、レーザーアブレーション又はプラズマエッチングを利用してもよい。
更に、貼り合わせステップＳ４０では、接着層３７に代えて、第１デバイスウェーハ１１の裏面１１ｂ側に酸化シリコン層を形成し、更に、第２デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側にも酸化シリコン層を形成してこれを平坦化した上で、酸化シリコン層同士を接合してもよい。
ところで、位置調整ステップＳ４２では、表面１１ａ側を撮像した後に顕微鏡カメラユニット３２の焦点をＺ軸方向で移動させて表面２１ａ側を撮像することで、表面１１ａ側及び表面２１ａ側を同時ではなく、異なるタイミングで撮像してもよい。但し、同時に撮像する方が、位置調整がより容易になる。
また、位置調整ステップＳ４２では，第１の分割予定ライン１５ａ１から第４の分割予定ライン１５ｂ４に代えて、又は、これらと共に、ＴＥＧ（Test Element Group）、メモリセル（Memory Cell）、行デコーダ、列デコーダ等を含むコア（Core）、ペリフェラル（Peripheral）、配線層等の所定のパターンを用いることもできる。
つまり、第１デバイスウェーハ１１及び第２デバイスウェーハ２１の位置調整に用いる第１から第４の所定ラインとしては、分割予定ライン１５に限定されず、デバイス１９に対応する矩形状の領域１９Ａ外に位置する任意のパターンを利用できる。
２：切削装置、４：回転軸、６：スピンドル、８：切削ブレード、１０：研削研磨装置
１１：第１デバイスウェーハ、１１ａ：表面、１１ｂ：裏面、１１ｃ：ノッチ
１１ｄ：面取り部、１１ｅ：外周縁、１１ｆ：段差部、１３：ウェーハ
１２：回転軸、１４：粗研削ユニット、１６：スピンドルハウジング、１８：スピンドル
１５，１５ａ，１５ｂ：分割予定ライン
１５ａ１：第１の分割予定ライン（第１の所定ライン）
１５ａ２：第２の分割予定ライン（第２の所定ライン）
１５ｂ３：第３の分割予定ライン（第３の所定ライン）
１５ｂ４：第４の分割予定ライン（第４の所定ライン）
１７ａ：第１方向、１７ｂ：第２方向
１９：デバイス、１９Ａ：領域、１９ａ：デバイス領域
２０：マウント、２２：粗研削ホイール、２２ａ：ホイール基台、２２ｂ：粗研削砥石
２１：第２デバイスウェーハ、２１ａ：表面、２１ｂ：裏面
２３：積層デバイスウェーハ、２９ａ：デバイス領域、２９ｂ：外周余剰領域
３０：貼り合わせ装置、３２：顕微鏡カメラユニット（撮像ユニット）
３３：仮固定基板、３５：仮接着層、３７：接着層、３９ａ，３９ｂ：距離
４０：レーザー加工装置、４２：回転軸
４４：レーザービーム照射ユニット、４６：集光器
４３：改質層、４３ａ：第１の改質層、４３ｂ：第２の改質層
４５ａ：第１の加工予定ライン、４５ｂ：第２の加工予定ライン、４７：クラック
３１：第３デバイスウェーハ、４１：第４デバイスウェーハ
５１：第５デバイスウェーハ、５３：積層デバイスウェーハ
Ａ，Ｂ：領域、Ｌ：レーザービーム

Claims (6)

  1. 表面に複数の分割予定ラインが格子状に設定され該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域の各々にデバイスがそれぞれ形成されている第１デバイスウェーハ及び第２デバイスウェーハを貼り合わせて、複数のデバイスウェーハが積層された積層デバイスウェーハを形成する積層デバイスウェーハの形成方法であって、
    該第１デバイスウェーハを加工して、該第１デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されている面取り部を少なくとも除去する除去ステップと、
    該除去ステップの後、該第１デバイスウェーハの裏面側を研削して薄化する薄化ステップと、
    該薄化ステップの後、該第１デバイスウェーハと、該第２デバイスウェーハと、を貼り合わせる貼り合わせステップと、
    を備え、
    該貼り合わせステップは、該第１デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第１の所定ラインと、該第２デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第２の所定ラインと、を撮像ユニットで撮像し、該第１の所定ライン及び該第２の所定ラインを利用して、該第１デバイスウェーハ及び該第２デバイスウェーハの相対的な位置を調整する位置調整ステップを含むことを特徴とする積層デバイスウェーハの形成方法。
  2. 該貼り合わせステップでは、該第１デバイスウェーハの該裏面側と、該第２デバイスウェーハの該表面側と、を貼り合わせることを特徴とする請求項１に記載の積層デバイスウェーハの形成方法。
  3. 該位置調整ステップでは、該第１の所定ラインと該第２の所定ラインとを、撮像ユニットで同時に撮像することを特徴とする請求項１又は２に記載の積層デバイスウェーハの形成方法。
  4. 該第１の所定ラインは、該第１デバイスウェーハの該表面に設定された第１の分割予定ラインであり、
    該第２の所定ラインは、該第２デバイスウェーハの該表面に設定された第２の分割予定ラインであり、
    該第１の分割予定ラインと、該第２の分割予定ラインとは、同じ形状及び大きさを有し、
    該位置調整ステップでは、該第１の分割予定ラインと、該第２の分割予定ラインとを、位置合わせすることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の積層デバイスウェーハの形成方法。
  5. 該位置調整ステップでは、該第１の所定ライン及び該第２の所定ラインに加えて、該第１の所定ラインと直交する位置関係にあり、該第１デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており、該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第３の所定ラインと、該第２の所定ラインと直交する位置関係にあり、該第２デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており、該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第４の所定ラインと、を用いて該第１デバイスウェーハ及び該第２デバイスウェーハの相対的な位置を調整することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の積層デバイスウェーハの形成方法。
  6. 表面に複数の分割予定ラインが格子状に設定され該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域の各々にデバイスがそれぞれ形成されている第１デバイスウェーハ及び第２デバイスウェーハを貼り合わせて、複数のデバイスウェーハが積層された積層デバイスウェーハを形成する積層デバイスウェーハの形成方法であって、
    該第１デバイスウェーハの外周部において、該第１デバイスウェーハの厚さ方向における所定の深さに、該第１デバイスウェーハを透過する波長を有するレーザービームの集光点を位置付けて、改質層を形成する改質層形成ステップと、
    該改質層形成ステップの後、該第１デバイスウェーハの裏面側を研削して薄化すると共に、該第１デバイスウェーハの外周部を除去する薄化ステップと、
    該薄化ステップの後、該第１デバイスウェーハと、該第２デバイスウェーハと、を貼り合わせる貼り合わせステップと、
    を備え、
    該貼り合わせステップは、該第１デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第１の所定ラインと、該第２デバイスウェーハの該表面側の外周部に形成されており該デバイスに対応する矩形状の領域外に位置する第２の所定ラインと、を撮像ユニットで撮像し、該第１の所定ライン及び該第２の所定ラインを利用して、該第１デバイスウェーハ及び該第２デバイスウェーハの相対的な位置を調整する位置調整ステップを含むことを特徴とする積層デバイスウェーハの形成方法。
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