JP2022553459A - 波長可変型の超広帯域近赤外発光装置 - Google Patents
波長可変型の超広帯域近赤外発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022553459A JP2022553459A JP2020558475A JP2020558475A JP2022553459A JP 2022553459 A JP2022553459 A JP 2022553459A JP 2020558475 A JP2020558475 A JP 2020558475A JP 2020558475 A JP2020558475 A JP 2020558475A JP 2022553459 A JP2022553459 A JP 2022553459A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- emission
- light emitting
- infrared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 137
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 27
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 102000001554 Hemoglobins Human genes 0.000 description 1
- 108010054147 Hemoglobins Proteins 0.000 description 1
- 238000004497 NIR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005090 crystal field Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L33/504—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
-
- H01L33/08—
-
- H01L33/50—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本発明は色温度の高い白色ＬＥＤで励起された近赤外蛍光体の発光を呈する２種類の発光素子の組み合わせにより近紫外から近赤外波長領域（３８０ｎｍ～１０００ｎｍ）に渡って滑らかな発光スペクトル分布を有する高出力の超広帯域発光素子及び発光装置に関するものである。【選択図】図５
Description
本発明は、波長可変型の超広帯域近赤外発光装置（Tunable ultra-broad band near-infrared light-emitting device）に関するものである。
近年、７００ｎｍから２５００ｎｍ領域の近赤外線は、医療、食品管理、健康維持等の領域で使われている。従来の一般照明用白色ＬＥＤには、この波長領域は含まれていない。特に、近赤外線の分光は、食品管理において重要である。また、センシング技術において不可欠であるＳｉフォトダイオードは４００ｎｍ～１１００ｎｍの波長域に対応し、最大感度は９００ｎｍ付近である。
近赤外の発光のためには、これまでは単体の半導体ＬＥＤが用いられていた。そのため、発光ダイオードの発光の幅が狭く、分光スペクトル光源としては適していない。更に、近年、ハロゲン電球の製造も中止となったために、世界各国から小型代替電球として新しいブロードバンド固体光源の実用化が切実に求められている状況である。
最近、７００ｎｍから１１５０ｎｍに発光帯を有する近赤外蛍光体が開発されている。２０１６年にはOsram Opto Semiconductors社が世界で始めて青色ＬＥＤと近赤外蛍光体を利用した広帯域近赤外ＬＥＤ（SFH4735）を実用化している。
しかし、このタイプの近赤外ＬＥＤは、青色波長に比べて近赤外の発光強度が約１，０００倍弱く、更に、発光スペクトル分布は、可視光から近赤外領域において不連続的である。また、本発明者たちは、これまで複数の近赤外蛍光体を混合し、幅広い発光の近赤外ＬＥＤの実用化を目標に開発を進めているが、８１０ｎｍの蛍光体発光が消光してしまうため、滑らかな発光帯を得ることはできずにいる。
本発明は、８１０ｎｍの発光機構を解明し、更には、７００ｎｍ～１０００ｎｍの波長領域に於いて凹凸のない滑らかな発光分布を持つ発光素子の実用化を目的とし、４００ｎｍ～４１０ｎｍに発光のピークを有する近紫外半導体ＬＥＤチップからの光によって励起された色温度の高い白色ＬＥＤと、複数の高効率近赤外蛍光体との組み合わせにより、近紫外、可視光、及び近赤外領域に渡って連続的に光を放射することのできる超広帯域発光素子及び発光モジュールに関するものである。
本発明は、色温度の高い白色を励起光源として用い、それぞれ別の近赤外蛍光体を発光させ、それぞれのスペクトル波長分布を制御した蛍光体変換方式によって連続的に凹凸の無い幅広い発光スペクトルを呈することのできる超広帯域近赤外発光素子及び前記素子を含む近赤外発光装置を提供することを目的とする。
しかしながら、本発明が解決しようとする技術的課題は、以上にて述べた課題に限られるものではなく、記述の無い他の課題も下記の記載から、当業者に於いて明確に理解できるものと思われる。
本発明は、
色温度３０００Ｋ～４０００Ｋの白色ＬＥＤチップ、
前記白色ＬＥＤチップからの発光波長により励起されて発光する３種類以上の近赤外蛍光体が分散された蛍光体層を含む第１発光素子、及び、
前記白色ＬＥＤチップからの発光波長により励起されて発光する２種類以上の近赤外蛍光体が分散された蛍光体層を含む第２発光素子を含み、
前記近赤外蛍光体は、４５０ｎｍ乃至６３０ｎｍの波長領域から励起されて、７１０ｎｍに発光のピークを有する第１蛍光体、４７０ｎｍ乃至６３０ｎｍの波長領域から励起されて、８１０ｎｍに発光のピークを有する第２蛍光体、及び６３０ｎｍの波長領域から励起されて、９１０ｎｍに発光のピークを有する第３蛍光体からなる組み合わせから選ばれるものである、近赤外発光装置を提供する。
色温度３０００Ｋ～４０００Ｋの白色ＬＥＤチップ、
前記白色ＬＥＤチップからの発光波長により励起されて発光する３種類以上の近赤外蛍光体が分散された蛍光体層を含む第１発光素子、及び、
前記白色ＬＥＤチップからの発光波長により励起されて発光する２種類以上の近赤外蛍光体が分散された蛍光体層を含む第２発光素子を含み、
前記近赤外蛍光体は、４５０ｎｍ乃至６３０ｎｍの波長領域から励起されて、７１０ｎｍに発光のピークを有する第１蛍光体、４７０ｎｍ乃至６３０ｎｍの波長領域から励起されて、８１０ｎｍに発光のピークを有する第２蛍光体、及び６３０ｎｍの波長領域から励起されて、９１０ｎｍに発光のピークを有する第３蛍光体からなる組み合わせから選ばれるものである、近赤外発光装置を提供する。
本発明の一実施例として、前記第１発光素子は、第１蛍光体、第２蛍光体及び第３蛍光体が分散された蛍光体層を含むものであり、
前記第２発光素子は、第１蛍光体及び第２蛍光体が分散された蛍光体層を含むものであることを特徴とする。
前記第２発光素子は、第１蛍光体及び第２蛍光体が分散された蛍光体層を含むものであることを特徴とする。
本発明のもう一つの実施例として、前記第１蛍光体は７１０ｎｍに中心発光ピークを有するＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ｃｒであり、前記第２蛍光体は８１０ｎｍに発光のピークを有するＳｃＢＯ３：Ｃｒであり、前記第３蛍光体は９１０ｎｍに発光のピークを有するＣａＣｕＳｉ４Ｏ１０であることを特徴とする。
本発明のもう一つの実施例として、前記第１発光素子の蛍光体層には、
第１蛍光体、第２蛍光体及び第３蛍光体が１６～２４：５～２４：４～７の重量比で含まれることを特徴とする。
第１蛍光体、第２蛍光体及び第３蛍光体が１６～２４：５～２４：４～７の重量比で含まれることを特徴とする。
本発明のもう一つの実施例として、前記白色ＬＥＤチップは、６００ｎｍ乃至７００ｎｍ以下の発光波長の中心ピークを有することを特徴とする。
本発明のもう一つの実施例として、前記白色ＬＥＤチップには、
青緑色蛍光体として（Ｓｒ，Ｂｒ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ：Ｅｕ、
緑色蛍光体としてＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ、
黄色蛍光体として（Ｂａ，Ｓｒ）Ｓｉ２（Ｏ，Ｃｌ）２Ｎ２：Ｅｕ、及び
赤色蛍光体としてＣａＡｌＳｉ（ＯＮ）２：Ｅｕが含まれることを特徴とする。
青緑色蛍光体として（Ｓｒ，Ｂｒ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ：Ｅｕ、
緑色蛍光体としてＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ、
黄色蛍光体として（Ｂａ，Ｓｒ）Ｓｉ２（Ｏ，Ｃｌ）２Ｎ２：Ｅｕ、及び
赤色蛍光体としてＣａＡｌＳｉ（ＯＮ）２：Ｅｕが含まれることを特徴とする。
本発明のもう一つの実施例として、前記青緑色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体及び赤色蛍光体は、８～１０：１：０．１～０．９：４～８の重量比で含まれることを特徴とする。
本発明のもう一つの実施例として、前記近赤外発光装置は、３８０ｎｍ～１２００ｎｍに於いて広範囲の発光スペクトル分布を有することを特徴とする。
本発明による超広帯域発光素子は、３８０ｎｍ～１２００ｎｍ の波長領域をカバーすることができるので、白熱電球、ハロゲン電球、キセノン電球などの小型光源の代替ができる。更に、太陽光スペクトル分布（ＡＭ１．５）に類似した分布を有する。
本発明による発光素子は、発光スペクトルがブロードであるために、単体の近赤外ＬＥＤとは異なり、順方向電流及び温度による影響を受けない。また、ＬＥＤ光によって蛍光体を発光させる方式を採用しているため、パルス駆動が可能である。２種の発光分布の異なるＬＥＤの組み合わせにより構成されるので、任意の発光スペクトル及びその強度の調整ができる。更に、順方向電流が増加すると発光強度はほぼ比例して増加するので、計測用光源としての発光強度の制御が容易である。
本発明は、６３０ｎｍに発光のピークを有する白色ＬＥＤにより励起される３種類の近赤外蛍光体を含む発光素子に関するものである。より詳しくは、本発明は、上記の素子を含む近赤外装置として、色温度３０００Ｋ～４０００Ｋの白色ＬＥＤチップ、上記白色ＬＥＤチップの発光波長により励起されて発光する３種類以上の近赤外蛍光体が分散された蛍光体層を含む第１発光素子、及び上記白色ＬＥＤチップの発光波長により励起されて発光する２種類以上の近赤外蛍光体が分散された蛍光体層を含む第２発光素子を含み、上記近赤外蛍光体は、４５０ｎｍ乃至６３０ｎｍの波長領域から励起されて、７１０ｎｍに発光のピークを有する第１蛍光体、４７０ｎｍ乃至６３０ｎｍの波長領域から励起されて、８１０ｎｍに発光のピークを有する第２蛍光体、及び６３０ｎｍの波長領域から励起されて、９１０ｎｍに発光のピークを有する第３蛍光体からなる群から選択されることを特徴とする近赤外発光装置を提供するものである。
前記白色ＬＥＤチップは、３８０ｎｍ以上４１０ｎｍ以下に発光のピークを有する半導体ＬＥＤチップにより励起され、透明樹脂層に分散された蛍光体層を含む色温度が３０００Ｋ～４０００Ｋである発光素子である。前述の蛍光体層には、以下の４種類の蛍光体が含まれる。
青緑色蛍光体として（Ｓｒ，Ｂｒ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ：Ｅｕ、
緑色蛍光体としてＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ、
黄色蛍光体として（Ｂａ，Ｓｒ）Ｓｉ２（Ｏ，Ｃｌ）２Ｎ２：Ｅｕ、及び
赤色蛍光体としてＣａＡｌＳｉ（ＯＮ）２：Ｅｕが含まれることを特徴とする。
青緑色蛍光体として（Ｓｒ，Ｂｒ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ：Ｅｕ、
緑色蛍光体としてＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ、
黄色蛍光体として（Ｂａ，Ｓｒ）Ｓｉ２（Ｏ，Ｃｌ）２Ｎ２：Ｅｕ、及び
赤色蛍光体としてＣａＡｌＳｉ（ＯＮ）２：Ｅｕが含まれることを特徴とする。
前記蛍光体は、色温度３０００Ｋ～４０００Ｋの白色ＬＥＤの製造のために、８～１０：１：０．１～０．９：４～８の重量比で含まれ、より好ましくは、９．２３：１：０．４６：５．７７の重量比で含まれる。前記白色ＬＥＤチップの発光効率は５３ｌｍ／Ｗ以上、平均演色評価数（Ｒａ）は９４以上である。
前記白色ＬＥＤに実装された半導体ＬＥＤチップは、４０５ｎｍに中心波長を有するＩｎＧａＮ系化合物半導体から構成され、発光の半値幅は１５ｎｍ、外部量子効率は５０％以上であるものを用いることができる。前記のチップは、チップを反転させ、基板にソルダーバンプ、金バンプ、導電性ペーストなどを用いてフリップチップ実装される。また、このチップは、基板に設計された配線導体にワイヤーボンディングにて接続されても良い。
本発明の超広帯域発光素子は、前記の白色ＬＥＤ素子からの発光エネルギーにより３種類の近赤外蛍光体を含む透明樹脂層が励起される。従って、青緑色、緑色、黄色、赤色及び近赤外蛍光体の７種類が一緒に含まれていても良い。又は、４種類の蛍光体層と３種類の蛍光体層との２重構造になっていても良い。
３種類の近赤外蛍光体は、
第１蛍光体として、４５０ｎｍと６３０ｎｍの波長領域から励起されて、好ましくは、７１０ｎｍに発光のピークを有する近赤外蛍光体としてＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ｃｒが望ましい。
第２蛍光体として、４７０ｎｍと６３０ｎｍの波長領域から励起されて、好ましくは、８１０ｎｍに発光のピークを有する近赤外蛍光体としてＳｃＢＯ３：Ｃｒが望ましい。
第３蛍光体として、６３０ｎｍの波長領域から励起されて、好ましくは、９１０ｎｍに発光のピークを有する近赤外蛍光体としてＣａＣｕＳｉ４Ｏ１０が望ましい。
第１蛍光体として、４５０ｎｍと６３０ｎｍの波長領域から励起されて、好ましくは、７１０ｎｍに発光のピークを有する近赤外蛍光体としてＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ｃｒが望ましい。
第２蛍光体として、４７０ｎｍと６３０ｎｍの波長領域から励起されて、好ましくは、８１０ｎｍに発光のピークを有する近赤外蛍光体としてＳｃＢＯ３：Ｃｒが望ましい。
第３蛍光体として、６３０ｎｍの波長領域から励起されて、好ましくは、９１０ｎｍに発光のピークを有する近赤外蛍光体としてＣａＣｕＳｉ４Ｏ１０が望ましい。
更に、本発明の超広帯域発光素子に用いられる蛍光体の重量比（ｗｔ％）は、第１蛍光体：第２蛍光体：第３蛍光体＝１６～２４：５～２４：４～７であることが望ましい。
本発明の広帯域発光素子の発光部は、前記蛍光体と封止材であるシリコーン透明樹脂が含まれているものである。従って、前記７種類の蛍光体は、シリコーン樹脂内に均一に拡散されていることが望ましい。
前記近赤外蛍光体だけは、別途シリコーン樹脂に拡散させ、薄膜状に塗布しても良い。
前記広帯域発光素子は、一般照明用光源として用いられる場合、平均演色評価数Ｒａが８０以上１００未満であることが望ましい。配光角は１１０度以上１２０度未満であることが望ましい。
本発明は、更に、前記超広帯域発光素子を含む発光モジュールを提供するものであり、前記発光モジュールは、それぞれ色温度の異なる超広帯域発光装置の組み合わせからなるものである。
前記広帯域発光素子は、一般照明用光源として用いられる場合、平均演色評価数Ｒａが８０以上１００未満であることが望ましい。配光角は１１０度以上１２０度未満であることが望ましい。
本発明は、更に、前記超広帯域発光素子を含む発光モジュールを提供するものであり、前記発光モジュールは、それぞれ色温度の異なる超広帯域発光装置の組み合わせからなるものである。
以下の実施例を以って、本発明のより詳細な説明を行う。これらの実施例は本発明をより具体的に説明するためのものであり、本発明の範囲がこれらの実施例に限られるものではないことは、本発明の属する技術分野に於ける通常の知識を有する者に於いて明白なものである。
［実施例］
発光モジュールの製造
半導体ＬＥＤチップ、封止材、蛍光体材料として下記材料を用いて白色ＬＥＤ及び超広帯域発光素子及び発光モジュールの作製及び評価を行った。
発光モジュールの製造
半導体ＬＥＤチップ、封止材、蛍光体材料として下記材料を用いて白色ＬＥＤ及び超広帯域発光素子及び発光モジュールの作製及び評価を行った。
（１）半導体ＬＥＤチップ
半導体ＬＥＤチップとして、発光のピーク波長が４０５ｎｍ、発光の半値幅が１５ｎｍであるＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸構造を発光層として有するものを用いている。外部量子効率は５０％以上である。
半導体ＬＥＤチップとして、発光のピーク波長が４０５ｎｍ、発光の半値幅が１５ｎｍであるＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸構造を発光層として有するものを用いている。外部量子効率は５０％以上である。
（２）封止材
シリコーン樹脂と共に、沈降材としてシリコンパウダー（ＳｉＯ２）を用いた。
シリコーン樹脂と共に、沈降材としてシリコンパウダー（ＳｉＯ２）を用いた。
（３）蛍光体
蛍光体として、下記蛍光体材料を用いた。
１．青緑色蛍光体：（Ｓｒ，Ｂｒ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ
２．緑色蛍光体：ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ
３．黄色蛍光体：（Ｂａ，Ｓｒ）Ｓｉ２（Ｏ，Ｃｌ）２Ｎ２：Ｅｕ
４．赤色蛍光体：ＣａＡｌＳｉ（ＯＮ）２：Ｅｕ
５．近赤外第１蛍光体：Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ｃｒ
６．近赤外第２蛍光体：ＳｃＢＯ３：Ｃｒ
７．近赤外第３蛍光体：ＣａＣｕＳｉ４Ｏ１０
蛍光体として、下記蛍光体材料を用いた。
１．青緑色蛍光体：（Ｓｒ，Ｂｒ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ
２．緑色蛍光体：ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ
３．黄色蛍光体：（Ｂａ，Ｓｒ）Ｓｉ２（Ｏ，Ｃｌ）２Ｎ２：Ｅｕ
４．赤色蛍光体：ＣａＡｌＳｉ（ＯＮ）２：Ｅｕ
５．近赤外第１蛍光体：Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ｃｒ
６．近赤外第２蛍光体：ＳｃＢＯ３：Ｃｒ
７．近赤外第３蛍光体：ＣａＣｕＳｉ４Ｏ１０
（４）白色ＬＥＤ作製
前記ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸構造を有する半導体ＬＥＤチップを、電極配線したセラミックスパッケージ（ＰＫＧ）にフリップチップ実装し、前記１～４の４種類の蛍光体をそれぞれの配合比通り、前記シリコーン樹脂に分散させた蛍光体含有組成物を用いて封止した。蛍光体混合液は、ディスペンサー装置を用いて半導体ＬＥＤチップ上に直接隈なく塗布した。
前記ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸構造を有する半導体ＬＥＤチップを、電極配線したセラミックスパッケージ（ＰＫＧ）にフリップチップ実装し、前記１～４の４種類の蛍光体をそれぞれの配合比通り、前記シリコーン樹脂に分散させた蛍光体含有組成物を用いて封止した。蛍光体混合液は、ディスペンサー装置を用いて半導体ＬＥＤチップ上に直接隈なく塗布した。
（５）超広帯域発光素子及びモジュールの作製
同じく、３種類の近赤外蛍光体とシリコーン樹脂の混合液をディスペンサーにて塗布した。発光モジュールは、図４に示した様に、２種類の発光スペクトルの異なる発光素子を１つのＰＫＧに組立て、発光モジュールを作製した。
同じく、３種類の近赤外蛍光体とシリコーン樹脂の混合液をディスペンサーにて塗布した。発光モジュールは、図４に示した様に、２種類の発光スペクトルの異なる発光素子を１つのＰＫＧに組立て、発光モジュールを作製した。
発光モジュールの特性確認
発光スペクトルの測定は、６５ｍＡ～１５０ｍＡの順方向電流、３．１９Ｖ～３．４８Ｖの順方向電圧の印加条件で室温に於いて行った。単体の発光素子はセラミックスＰＫＧに実装し、放熱基板に搭載して室温にて電気的光学的特性の測定を行った。２種類の異なる発光素子は、１つのＰＫＧ構造に作製（２ｉｎ１ ＰＫＧ）し、同じく、発光スペクトルの測定は、波長領域３５０ｎｍから１０００ｎｍに渡って光電子精密製、WHITELIGHT分光器（韓国製OPI-100）を用いて室温で行った。
発光スペクトルの測定は、６５ｍＡ～１５０ｍＡの順方向電流、３．１９Ｖ～３．４８Ｖの順方向電圧の印加条件で室温に於いて行った。単体の発光素子はセラミックスＰＫＧに実装し、放熱基板に搭載して室温にて電気的光学的特性の測定を行った。２種類の異なる発光素子は、１つのＰＫＧ構造に作製（２ｉｎ１ ＰＫＧ）し、同じく、発光スペクトルの測定は、波長領域３５０ｎｍから１０００ｎｍに渡って光電子精密製、WHITELIGHT分光器（韓国製OPI-100）を用いて室温で行った。
表１は、参照サンプル（比較例１）、サンプルＡ（実施例１）、サンプルＢ（実施例２）の、７１０ｎｍ（第１蛍光体）、８１０ｎｍ（第２蛍光体）、９１０ｎｍ（第３蛍光体）近赤外蛍光体の含有量を示したものである。４０５ｎｍの半導体ＬＥＤチップ（発光の半値幅１５ｎｍ）を励起源にする白色ＬＥＤは、色温度が３３００Ｋ、平均演色評価数Ｒａは９４以上、発光効率は５３ｌｍ／Ｗ以上であり、用いた蛍光体は前記の青緑色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、赤色蛍光体の４種類である。それぞれの蛍光体の重量比は、緑色蛍光体の重量に対し、９．２３：１：０．４６：５．７７であった。
＜蛍光体の励起/発光特性＞
本発明にて用いた上記表１の３種類の近赤外蛍光体の最大励起のピーク及び発光波長のピークを表２に示した。特に、ＣａＣｕＳｉ４Ｏ１０蛍光体は、５００ｎｍ～７００ｎｍの励起帯で励起され、最大励起波長は６３０ｎｍである。表２で分かるように、３種類の近赤外蛍光体は、６３０ｎｍの励起で発光することを特徴とする。
本発明にて用いた上記表１の３種類の近赤外蛍光体の最大励起のピーク及び発光波長のピークを表２に示した。特に、ＣａＣｕＳｉ４Ｏ１０蛍光体は、５００ｎｍ～７００ｎｍの励起帯で励起され、最大励起波長は６３０ｎｍである。表２で分かるように、３種類の近赤外蛍光体は、６３０ｎｍの励起で発光することを特徴とする。
第１蛍光体と第２蛍光体は、発光中心としてＣｒ３＋を含んでいるため、励起過程は、Ｃｒイオンのｄ電子軌道が結晶場の影響を受け、励起状態が二つに分裂されて４Ａ２準位→４Ｔ１準位及び４Ｔ２準位→４Ｔ２準位の遷移に起因する。一方、第３蛍光体には具体的な発光センサーが含まれていないために、欠陥準位又は伝導帯と価電子帯間による光吸収による励起過程が寄与していると考えられる。
＜比較例１＞
図１は、表１に示した参照サンプル（比較例１）の発光スペクトルの順方向電流（Ｉｆ）依存性を示したものである。発光素子の相関色温度Ｔｃｃは３２８６Ｋであり、第１蛍光体（７１０ｎｍ）と第３蛍光体（９１０ｎｍ）の近赤外蛍光体を含む。第２蛍光体（８１０ｎｍ）は含まれていないため、８１０ｎｍの波長領域に於いては発光の谷間が出現する。
図１は、表１に示した参照サンプル（比較例１）の発光スペクトルの順方向電流（Ｉｆ）依存性を示したものである。発光素子の相関色温度Ｔｃｃは３２８６Ｋであり、第１蛍光体（７１０ｎｍ）と第３蛍光体（９１０ｎｍ）の近赤外蛍光体を含む。第２蛍光体（８１０ｎｍ）は含まれていないため、８１０ｎｍの波長領域に於いては発光の谷間が出現する。
しかしながら、図１からも分かるように、微かながらも８１０ｎｍの発光は観察される。この原因は、７１０ｎｍの長波長側の発光の尾と９１０ｎｍの短波長側の発光の尾が重なり出現した外観上の発光帯である。Ｉｆ＝６５ｍＡに於いて、８１０ｎｍと９１０ｎｍの発光強度の高さの比（Ｈ＝γ／β）は０．２で、電流を増加させても、この比は殆ど変わらなかった。６５ｍＡに於いてＲａは８６、光出力は２１．４ｍＷであった。
＜実施例１＞
図２は、表１に示した重量比で作製した実施例１（サンプルＡ）に８１０ｎｍの蛍光体を２４％含有させた時の発光素子のＩｆ依存性である。図から分かるように、８１０ｎｍの蛍光体を添加しても、８１０ｎｍにピークを呈する新しい発光帯は出現しなかった。電流を増加させても、比較例１の参照サンプルとの差はあまりなく、Ｈ＝０．４と一定であった。図１のスペクトルに比べて８１０ｎｍ付近の発光は若干増加してはいるものの、８１０ｎｍに中心波長を有する新しい発光帯の出現までには至らなかった。この原因に関しては、後述の「発光メカニズム」に於いて説明する。光出力は６５ｍＡに於いて２２．８ｍＷ、１５０ｍＡに於いて４２．９ｍＷであった。配光角は１１０度であった。
図２は、表１に示した重量比で作製した実施例１（サンプルＡ）に８１０ｎｍの蛍光体を２４％含有させた時の発光素子のＩｆ依存性である。図から分かるように、８１０ｎｍの蛍光体を添加しても、８１０ｎｍにピークを呈する新しい発光帯は出現しなかった。電流を増加させても、比較例１の参照サンプルとの差はあまりなく、Ｈ＝０．４と一定であった。図１のスペクトルに比べて８１０ｎｍ付近の発光は若干増加してはいるものの、８１０ｎｍに中心波長を有する新しい発光帯の出現までには至らなかった。この原因に関しては、後述の「発光メカニズム」に於いて説明する。光出力は６５ｍＡに於いて２２．８ｍＷ、１５０ｍＡに於いて４２．９ｍＷであった。配光角は１１０度であった。
＜実施例２＞
図３は、表１に示した重量比で作製した実施例（サンプルＢ）の、７１０ｎｍと８１０ｎｍの２種の蛍光体は含まれ、９１０ｎｍ蛍光体は含まれていない場合の発光スペクトルのＩｆ依存性を示すものである。この図から、明らかに８１０ｎｍにピークを有する発光帯が出現する。電流増加に伴い、発光のピークは明確に分離して現れるようになる。光出力は６５ｍＡに於いて３１．９ｍＷ、１５０ｍＡに於いては６１．８ｍＷであった。配光角は１１５度であった。
図３は、表１に示した重量比で作製した実施例（サンプルＢ）の、７１０ｎｍと８１０ｎｍの２種の蛍光体は含まれ、９１０ｎｍ蛍光体は含まれていない場合の発光スペクトルのＩｆ依存性を示すものである。この図から、明らかに８１０ｎｍにピークを有する発光帯が出現する。電流増加に伴い、発光のピークは明確に分離して現れるようになる。光出力は６５ｍＡに於いて３１．９ｍＷ、１５０ｍＡに於いては６１．８ｍＷであった。配光角は１１５度であった。
以上にて、本発明の比較例１と実施例１及び実施例２とから、９１０ｎｍの蛍光体が含まれる発光素子に於いては８１０ｎｍの蛍光体が含まれているにも関わらず、８１０ｎｍの発光は出現しないことが明白になったため、実施例１のサンプルと実施例２のサンプルを１つのＰＫＧに実装（２ｉｎ１ ＰＫＧ）して、図４のような発光モジュール構造のサンプルを作製し、発光スペクトルの測定を行った。
＜実施例３＞
図４は、表１のサンプルＡとサンプルＢを１つのＰＫＧ（２ｉｎ１ ＰＫＧ）に実装し、発光スペクトルの測定を行ったものである。この発光モジュール（サンプルＣ）のＰＫＧ構造を模式的に示すものである。
図４は、表１のサンプルＡとサンプルＢを１つのＰＫＧ（２ｉｎ１ ＰＫＧ）に実装し、発光スペクトルの測定を行ったものである。この発光モジュール（サンプルＣ）のＰＫＧ構造を模式的に示すものである。
＜実施例４＞
図５は、サンプルＡにＩｆ＝６５ｍＡ、サンプルＢにＩｆ＝１５０ｍＡを流した時の発光スペクトルである。８１０ｎｍの発光の強度は相当増加するが、ピークまでには至らなかった。Ｈは０．７まで増加しているが、発光のピークまでには至らなかった。光出力は６３ｍＷ、Ｒａは８６であった。
図５は、サンプルＡにＩｆ＝６５ｍＡ、サンプルＢにＩｆ＝１５０ｍＡを流した時の発光スペクトルである。８１０ｎｍの発光の強度は相当増加するが、ピークまでには至らなかった。Ｈは０．７まで増加しているが、発光のピークまでには至らなかった。光出力は６３ｍＷ、Ｒａは８６であった。
＜実施例５＞
図６は、サンプルＡとサンプルＢを並列に接続させ、Ｉｆ＝６５ｍＡ、１００ｍＡ、１５０ｍＡを流したときの発光スペクトルである。図６から分かるように、７００ｎｍから９５０ｎｍの波長領域は完全に繋がり、８１０ｎｍと９１０ｎｍの両方のピークが出現している。電流の増加に伴い、このピークは明瞭になる。発光の全幅は約４５０ｎｍにまで至り、非常に幅広い分布を持つことが分かる。Ｈの値はほぼ１に近くなっている。Ｒａは８７、光出力は６３ｍＷ（０．５Ｗ）であった。光出力は、単体発光素子（実施例１と実施例２）より高い。配光角は１１５度であった。
図６は、サンプルＡとサンプルＢを並列に接続させ、Ｉｆ＝６５ｍＡ、１００ｍＡ、１５０ｍＡを流したときの発光スペクトルである。図６から分かるように、７００ｎｍから９５０ｎｍの波長領域は完全に繋がり、８１０ｎｍと９１０ｎｍの両方のピークが出現している。電流の増加に伴い、このピークは明瞭になる。発光の全幅は約４５０ｎｍにまで至り、非常に幅広い分布を持つことが分かる。Ｈの値はほぼ１に近くなっている。Ｒａは８７、光出力は６３ｍＷ（０．５Ｗ）であった。光出力は、単体発光素子（実施例１と実施例２）より高い。配光角は１１５度であった。
この構造は、個々の発光素子の組み合わせで構成されたモジュールであり、２種類の発光スペクトルはそれぞれ異なる色温度を有する。しかしながら、同時に点灯することによって発光スペクトルは混色された。このような現象を利用した発光モジュールは、波長可変型発光素子（tunable light-emitting element）と呼ばれる。
図６から分かるように、発光スペクトルは、太陽光であるＡＭ１．５のスペクトル分布に非常に類似している。また、血液中の還元ヘモグロビンの吸収曲線と酷似している。
表３に、サンプルＡ、サンプルＢ及び実施例５のサンプルＣの色温度と光学的特性を示した。サンプルＣの色温度は、両方のサンプルの中間値である。また、サンプルＣは、サンプルＡ及びサンプルＢに比べてＲａ／Ｒ９及び光出力が高くなっている。
本発明に於いて、両方の発光スペクトルを合成することによって、光学的特性が明らかに改善されることが分かる。
＜発光メカニズムに関して＞
表２及び発光スペクトル（比較例１と実施例１及び実施例２）で示しているように、近赤外蛍光体における励起/発光過程は、第１蛍光体と第２蛍光体に於いては発光中心としてＣｒ３＋イオンを含むために、殆ど同じ特性を呈しているが、第３蛍光体の励起過程は全く異なるものである。従って、第３蛍光体を有効に励起させるためには、白色ＬＥＤの発光の分布をできる限り第３蛍光体の励起特性（吸収曲線）に類似させることが、本発明の重要なポイントである。
表２及び発光スペクトル（比較例１と実施例１及び実施例２）で示しているように、近赤外蛍光体における励起/発光過程は、第１蛍光体と第２蛍光体に於いては発光中心としてＣｒ３＋イオンを含むために、殆ど同じ特性を呈しているが、第３蛍光体の励起過程は全く異なるものである。従って、第３蛍光体を有効に励起させるためには、白色ＬＥＤの発光の分布をできる限り第３蛍光体の励起特性（吸収曲線）に類似させることが、本発明の重要なポイントである。
（１）第１蛍光体：この蛍光体には、発光センサーとしてＣｒ３＋が含まれる。４０５ｎｍに於いても微かに励起されるが、４５０ｎｍの可視光に於いて最も強く励起される。更に、６３０ｎｍに於いても励起される。その結果、７１０ｎｍにピークを有する発光を呈する。発光の全幅は、約１１０ｎｍである。
（２）第２蛍光体：この蛍光体は、第１蛍光体同様、発光中心にＣｒ３＋イオンが含まれている。４０５ｎｍに於いては、殆ど励起されない。４７０ｎｍの可視光に於いて最も強く励起される。更に、６３０ｎｍに於いても励起される。その結果、８１０ｎｍに発光のピークを有する。発光の全幅は、約１２０ｎｍである。
（３）第３蛍光体：この蛍光体には、特別な発光センサーは含まれていない。４０５ｎｍの光では直接励起されない。４５０ｎｍ～７００ｎｍの可視光により励起されるが、励起の最大波長は、約６３０ｎｍである。その結果、９１０ｎｍにピークを有する発光を呈する。発光の全幅は約１５０ｎｍである。
以上の（１）～（３）の近赤外蛍光体の励起／発光過程を考慮すると、本発明の超広帯域発光素子は、Ｃｒ３＋発光センサーが含まれる近赤外蛍光体と、欠陥に由来する発光中心が含まれる近赤外蛍光体とを混合した蛍光体を有することになる。従って、３種類の励起効率（吸収効率）は重なり合い、特に共通の励起波長である６３０ｎｍにおける第２蛍光体と第３蛍光体の効率には約２倍もの差ができる。つまり、第２蛍光体の吸収効率が低いため、第３蛍光体を混合することによって６３０ｎｍの励起エネルギーが殆ど第３蛍光体を励起させることに消費され、このせいで第２蛍光体と第３蛍光体を同時に混合する方法では８１０ｎｍの発光を効率的に発生させることは困難である。従って、８１０ｎｍの近赤外発光を効率良く発生させるためには、本発明によって作成した個々の発光素子を組み合わせた波長可変型発光モジュールが有効である。
以上において、本発明の好ましい実施例に対する詳細な説明をしてきたが、本発明の権利は、これに限定されるものではなく、次の請求の範囲において定義する本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態もまた、本発明の権利範囲に属するものである。
Claims (8)
- 色温度３０００Ｋ～４０００Ｋの白色ＬＥＤチップ、
前記白色ＬＥＤチップの発光波長により励起されて発光する３種類以上の近赤外蛍光体が分散された蛍光体層を含む第１発光素子、及び
前記白色ＬＥＤチップの発光波長により励起されて発光する２種類以上の近赤外蛍光体が分散された蛍光体層を含む第２発光素子を含み、
前記近赤外蛍光体は、４５０ｎｍ乃至６３０ｎｍの波長領域から励起されて、７１０ｎｍに発光のピークを有する第１蛍光体、４７０ｎｍ乃至６３０ｎｍの波長領域から励起されて、８１０ｎｍに発光のピークを有する第２蛍光体、及び６３０ｎｍの波長領域から励起されて、９１０ｎｍに発光のピークを有する第３蛍光体からなる群から選択されるものである、
近赤外発光装置。 - 前記第１発光素子は、第１蛍光体、第２蛍光体及び第３蛍光体が分散された蛍光体層を含むものであり、
前記第２発光素子は、第１蛍光体及び第２蛍光体が分散された蛍光体層を含むものであることを特徴とする、
請求項１に記載の近赤外発光装置。 - 前記第１蛍光体は、７１０ｎｍに中心発光のピークを有するＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ｃｒであり、前記第２蛍光体は、８１０ｎｍに発光のピークを有するＳｃＢＯ３：Ｃｒであり、前記第３蛍光体は、９１０ｎｍに発光のピークを有するＣａＣｕＳｉ４Ｏ１０であることを特徴とする、
請求項１に記載の近赤外発光装置。 - 前記第１発光素子の蛍光体層は、
第１蛍光体、第２蛍光体及び第３蛍光体が１６～２４：５～２４：４～７の重量比で含まれていることを特徴とする、
請求項２に記載の近赤外発光装置。 - 前記白色ＬＥＤチップは、６００ｎｍ乃至７００ｎｍ以下の発光波長の中心ピークを有することを特徴とする、
請求項１に記載の近赤外発光装置。 - 前記白色ＬＥＤチップは、
青緑色蛍光体として（Ｓｒ，Ｂｒ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ：Ｅｕ、
緑色蛍光体としてＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ、
黄色蛍光体として（Ｂａ，Ｓｒ）Ｓｉ２（Ｏ，Ｃｌ）２Ｎ２：Ｅｕ、及び
赤色蛍光体としてＣａＡｌＳｉ（ＯＮ）２：Ｅｕが含まれていることを特徴とする、
請求項５に記載の近赤外発光装置。 - 前記青緑色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体及び赤色蛍光体は８～１０：１：０．１～０．９：４～８の重量比で含まれていることを特徴とする、
請求項６に記載の近赤外発光装置。 - 前記近赤外発光装置は、３８０ｎｍ～１２００ｎｍに渡って広範囲な発光スペクトルを有することを特徴とする、
請求項１に記載の近赤外発光装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200117845A KR102408688B1 (ko) | 2020-09-14 | 2020-09-14 | 파장 가변 초광대역 근적외 발광 장치 |
| KR10-2020-0117845 | 2020-09-14 | ||
| PCT/KR2020/012421 WO2022055009A1 (ko) | 2020-09-14 | 2020-09-15 | 파장 가변 초광대역 근적외 발광 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022553459A true JP2022553459A (ja) | 2022-12-23 |
Family
ID=80631869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020558475A Pending JP2022553459A (ja) | 2020-09-14 | 2020-09-15 | 波長可変型の超広帯域近赤外発光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022553459A (ja) |
| KR (1) | KR102408688B1 (ja) |
| WO (1) | WO2022055009A1 (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007080880A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| WO2008140181A1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Lumimicro Corp., Ltd. | White led device capable of adjusting correlated color temperature |
| JP2009289957A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Yamaguchi Univ | 半導体発光装置、および撮像装置 |
| JP2018200884A (ja) * | 2013-01-31 | 2018-12-20 | 株式会社東芝 | 発光装置及びｌｅｄ電球 |
| WO2019208562A1 (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 大電株式会社 | 近赤外発光蛍光体、蛍光体混合物、発光素子、および発光装置 |
| WO2019240150A1 (ja) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 発光装置 |
| JP2020515025A (ja) * | 2018-03-21 | 2020-05-21 | オーリックス シーオー．， エルティーディー． | 発光スペクトルを制御した超高演色白色発光素子及びこれを用いた照明装置 |
| JP2021150360A (ja) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4982751B2 (ja) | 2007-01-29 | 2012-07-25 | 国立大学法人名古屋大学 | 赤外ガラス蛍光体及び半導体発光素子で構成した光干渉断層撮影装置用光源。 |
| KR100924912B1 (ko) | 2008-07-29 | 2009-11-03 | 서울반도체 주식회사 | 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈 |
| US9028957B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-12 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Metal silicate nanosheets, methods of making metal silicate nanosheets, and methods of use |
| KR102100193B1 (ko) | 2014-11-10 | 2020-04-13 | 엘지전자 주식회사 | 발광 장치 |
| US11292964B2 (en) | 2016-03-14 | 2022-04-05 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Phosphor |
| JP6477779B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7090462B2 (ja) | 2018-04-23 | 2022-06-24 | 大電株式会社 | 近赤外発光蛍光体、蛍光体混合物、発光素子、および発光装置 |
| KR20200024604A (ko) * | 2018-08-28 | 2020-03-09 | 주식회사 올릭스 | 박물관 조명용 스펙트럼 제어 led 소자 및 조명장치 |
-
2020
- 2020-09-14 KR KR1020200117845A patent/KR102408688B1/ko active IP Right Grant
- 2020-09-15 WO PCT/KR2020/012421 patent/WO2022055009A1/ko active Application Filing
- 2020-09-15 JP JP2020558475A patent/JP2022553459A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007080880A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| WO2008140181A1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Lumimicro Corp., Ltd. | White led device capable of adjusting correlated color temperature |
| JP2009289957A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Yamaguchi Univ | 半導体発光装置、および撮像装置 |
| JP2018200884A (ja) * | 2013-01-31 | 2018-12-20 | 株式会社東芝 | 発光装置及びｌｅｄ電球 |
| JP2020515025A (ja) * | 2018-03-21 | 2020-05-21 | オーリックス シーオー．， エルティーディー． | 発光スペクトルを制御した超高演色白色発光素子及びこれを用いた照明装置 |
| WO2019208562A1 (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 大電株式会社 | 近赤外発光蛍光体、蛍光体混合物、発光素子、および発光装置 |
| WO2019240150A1 (ja) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 発光装置 |
| JP2021150360A (ja) * | 2020-03-17 | 2021-09-27 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20220036409A (ko) | 2022-03-23 |
| KR102408688B1 (ko) | 2022-06-16 |
| WO2022055009A1 (ko) | 2022-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI758615B (zh) | 全頻譜白光發光裝置 | |
| US10109773B2 (en) | Light-emitting devices having closely-spaced broad-spectrum and narrow-spectrum luminescent materials and related methods | |
| CN105814699B (zh) | 具有高显色性的白光发光装置 | |
| CN111615753B (zh) | 可调光固态光发射装置 | |
| US8847507B2 (en) | Illuminating device | |
| JP7504980B2 (ja) | フルスペクトル白色発光デバイス | |
| US20050156510A1 (en) | Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based and group IIA element gallium sulfide-based phosphor materials | |
| US20130015461A1 (en) | Light-emitting Device Capable of Producing White Light And Light Mixing Method For Producing White Light With Same | |
| WO2021007123A1 (en) | Full spectrum white light emitting devices | |
| KR102193591B1 (ko) | 광대역 발광 장치 | |
| US11887973B2 (en) | Full spectrum white light emitting devices | |
| JP2022553459A (ja) | 波長可変型の超広帯域近赤外発光装置 | |
| US9054278B2 (en) | Lighting apparatuses and driving methods regarding to light-emitting diodes | |
| JP7009879B2 (ja) | 発光装置 | |
| EP4411842A1 (en) | Full spectrum white light emitting devices | |
| TWI742462B (zh) | 用於植物照明之發光二極體元件及其應用 | |
| US20220389313A1 (en) | High Color Rendering, High Efficacy White Light Emitting Devices | |
| US20050167684A1 (en) | Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based phosphor material | |
| TWI251943B (en) | A method of making yellow-white light source by UV-LED |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201020 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230704 |