JP2022552109A - 吸収体フィルムを有する低ｅ整合性コーティングされた物品及び対応する方法 - Google Patents

Abstract

低Ｅコーティングは、熱処理（ＨＴ）時の良好な色安定性（低いΔＥ*値）を有する。熱安定性は、銀の若しくは銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層のすぐ下に、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた、酸化亜鉛の若しくは酸化亜鉛を含む、蒸着された時点で結晶質若しくは実質的に結晶質の層を設けることによって、及び／又はジルコニウムの酸化物の若しくはそれを含む少なくとも１つの誘電体層を設けることよって、改善することができる。これらは、コーティングの熱安定性を著しく改善する（すなわち、ΔＥ*値を下げる）効果を有する。吸収体フィルムは、可視光透過率を調整し、耐久性及び／又は熱安定性を維持しながら望ましい着色を提供するように設計され得る。熱安定性を改善するために、（例えば、Ｚｒの酸化物の又はそれを含む）誘電体層は、単斜晶相を有するようにスパッタリング蒸着され得る。

Description

本出願は、２０１９年１０月８日出願の米国特許出願第１６／５９６，６３２号の利益を主張し、これは、２０１９年３月１８日出願の米国特許出願第１６／３５５，９６６号の一部継続出願（Continuation-in-Part、ＣＩＰ）であり、これは、２０１８年１２月１４日出願の米国特許出願第１６／２２０，０３７号の一部継続出願（ＣＩＰ）であり、これは、２０１８年７月１６日出願の米国特許出願第１６／０３５，８１０号の一部継続出願（ＣＩＰ）であり（現在は米国特許第１０，０３１，２１５号である）、これらの開示はすべて参照によりその全体が本明細書に組み込まれている。

本発明は、熱処理（例えば、熱焼戻し）の前及び後の両方に肉眼で見た場合にほぼ同じ色特性を有する、低Ｅコーティングされた物品並びに対応する方法に関する。そのような物品は、特定の例示的実施形態で、（１）望ましい可視光透過特性、（２）熱処理前及び／若しくは熱処理後の良好な耐久性、（３）熱処理（heat treatment、ＨＴ）時の色安定性を示す低ΔＥ^*値、並びに／又は（４）可視光透過を調整し、耐久性及び／若しくは熱安定性を維持しながらコーティングされた物品に望ましい着色を提供するように設計された吸収体フィルム、のうちの２つ以上を組み合わせ得る。このようなコーティングされた物品は、窓用に、絶縁ガラス（insulating glass、ＩＧ）窓ユニット、積層された窓ユニット、車両ウィンドシールド及び／又は他の車両若しくは建築用若しくは住宅用窓用途に、モノリシックで使用することができる。

実質的な整合性（熱処理前と熱処理後との対比）の必要性が存在している。ガラス基材は、多くの場合、大量に製造され、新しい多重窓のオフィスビル、車両窓での需要などの特定の状況の需要を満たすために、サイズに合わせて切断される。このような用途においては、多くの場合、窓及び／又はドアのうちのいくつかは、熱処理（すなわち、焼戻し、熱強化又は熱屈曲）することが望ましいが、その必要がないものもある。オフィスビルは、安全性及び／又は熱制御のために、ＩＧユニット及び／又は積層体を用いることが多い。熱処理（ＨＴ）されたユニット及び／又は積層体は、建築目的及び／又は審美的目的のために、それらの熱処理されていない対応物と（例えば、少なくとも建物の外から見る側の色、反射率、透過率などに関して）実質的に整合することが望ましい。

共同所有の米国特許第５，６８８，５８５号は、ガラス／Ｓｉ₃Ｎ₄／ＮｉＣｒ／Ｓｉ₃Ｎ₄を含む太陽光制御コーティングされた物品を開示している。’５８５特許の１つの目的は、熱処理（ＨＴ）後に、その熱処理されていない対応物との色整合可能なスパッタリングコーティングされた層系を提供することである。’５８５特許のコーティング系は、それらの意図される目的には優れているが、これらは特定の欠点を抱えている。具体的には、それらは、むしろ高い放射率及び／又はシート抵抗値を有する傾向がある（例えば、’５８５特許には銀（Ａｇ）層が開示されていないため）。

従来技術では、前述の’５８５特許のもの以外の系において、一方が熱処理されており、他方が熱処理されていない、２つの異なる層系の間で、整合性を達成することが可能となっている。整合性を達成するためには２つの異なる層系を開発及び使用する必要があるため、更なる製造費用及び在庫の必要性が生じ、これは、望ましくない。

米国特許第６，０１４，８７２号及び同第５，８００，９３３号（実施例Ｂを参照されたい）は、ガラス／ＴｉＯ₂／Ｓｉ₃Ｎ₄／ＮｉＣｒ／Ａｇ／ＮｉＣｒ／Ｓｉ₃Ｎ₄を含む、熱処理可能な低Ｅ層系を開示している。残念ながら、熱処理した場合、この低Ｅ層系は、その熱処理されていない対応物とあまり整合性のある色ではない（ガラス側から見た場合）。これは、この低Ｅ層系が、４．１を超えるΔＥ^*（ガラス側）値を有するためである（すなわち、実施例Ｂについて、Δａ^* _Gは、１．４９であり、Δｂ^*Ｇは、３．８１であり、ΔＬ^*（ガラス側）は、測定されていないが、以下の式（１）を使用すると、ガラス側のΔＥ^*は、必ず４．１より大きくなるはずであり、おそらくはそれよりもはるかに高い）。

米国特許第５，５６３，７３４号は、基材／ＴｉＯ₂／ＮｉＣｒＮｘ／Ａｇ／ＮｉＣｒＮ_x／Ｓｉ₃Ｎ₄を含む、低Ｅコーティング系を開示している。残念ながら、ＮｉＣｒＮ_x層を形成する場合には、高い窒素（Ｎ）流量が使用され（’７３４特許の表１における１４３ｓｃｃｍという高いＮ流量を参照されたく、これは、約２２ｓｃｃｍ／ｋＷに変換される）、結果として得られるコーティングされた物品は、熱処理時に色安定性とならない（すなわち、それらは、６．０より大きいΔＥ^*（ガラス側）値を有する傾向にある）ことが見出されている。換言すると、ＨＴに供した場合、’７３４特許の低Ｅ層系は、（ガラス側から見たときに）その熱処理されていない対応物とあまり整合性のある色にならない。

更に、コーティングされた物品は、望ましい可視光透過特性並びに／又は良好な耐久性（機械的及び／若しくは化学的）を有することが望ましい場合がある。残念ながら、可視光透過特性及び／若しくはＨＴ前の耐久性を調整する、又は改善するために取られる特定の既知の工程は、ＨＴ後の耐久性及び熱安定性を劣化させる傾向がある。したがって、多くの場合、望ましい可視光透過値、色の熱安定性及び良好な耐久性の組み合わせを得ることは困難である。

上記を考慮すると、ＨＴ後に、色及び／又は反射（ヒトの肉眼で見た場合）がその熱処理されていない対応物と実質的に整合する、低Ｅコーティング又は層系の必要性が存在することが、当業者には明らかであろう。換言すると、当技術分野には、低Ｅ整合性コーティング又は積層系に対する必要性が存在する。当技術分野では、（１）望ましい可視光透過特性（例えば、モノリシックで測定された約３０～７５％、及び／若しくはＩＧユニットで測定された３０～７０％）、（２）熱処理前及び／若しくは熱処理後の良好な耐久性、（３）熱処理（ＨＴ）時の色安定性を示す低ΔＥ^*値、並びに／又は（４）可視光透過を調整し、耐久性及び／若しくは熱安定性を維持しながらコーティングされた物品に望ましい着色を提供するように設計された吸収体フィルム、のうちの１つ以上を組み合わせることができる、熱処理可能系の必要性も存在する。

上記の必要性のうちの１つ以上を満たすこと及び／又は以下の開示が提供された後に当業者により明らかとなるであろう他の必要性を満たすことが、本発明の目的である。

本発明の例示的な目的は、熱処理（ＨＴ）時の良好な色安定性（低いΔＥ^*値）を有する、低Ｅコーティング又は層系を提供することである。本発明の別の例示的な目的は、低Ｅ整合性コーティング又は積層系を提供することである。特定の例示的実施形態では、別の例示的な目的は、可視光透過を調整し、耐久性及び／又は熱安定性を維持しながら、コーティングされた物品に望ましい着色を提供するように設計された低Ｅコーティング内に吸収体フィルムを提供することである。

本発明の例示的な実施形態は、熱処理（例えば、熱焼戻し）の前及び後の両方に肉眼で見た場合にほぼ同じ色特性を有する、低Ｅコーティングされた物品並びに対応する方法に関する。そのような物品は、特定の例示的実施形態で、（１）望ましい可視光透過特性、（２）熱処理前及び／若しくは熱処理後の良好な耐久性、（３）熱処理（ＨＴ）時の色安定性を示す低ΔＥ^*値、並びに／又は（４）可視光透過を調整し、耐久性及び／若しくは熱安定性を維持しながらコーティングされた物品に望ましい着色を提供するように設計された吸収体フィルム、のうちの２つ以上を組み合わせてもよい。

特定の例示的実施形態で、任意選択の吸収体フィルムは、銀（Ａｇ）の又はＡｇを含む第１の層と、部分的若しくは完全に酸化され得るＮｉＣｒの又はＮｉＣｒを含む（ＮｉＣｒＯ_x）第２の層と、を含む多層吸収体フィルムであり得る。したがって、そのような多層吸収体フィルムは、特定の例示的実施形態で、Ａｇ／ＮｉＣｒＯ_xの層配列で構成され得る。この層配列は、特定の例示的事例で繰り返され得る。吸収体フィルム内の銀系層は、その主要な機能が可視光を吸収して望ましい着色を提供することであるように（はるかに厚く、主にＩＲ反射層として機能するのとは対照的に）、十分に薄いことが好ましい。ＮｉＣｒ又はＮｉＣｒＯ_xは、銀を保護するために、及び吸収に寄与するためにも、吸収体フィルムの銀の上に接触して設けられる。

本発明の特定の例示的実施形態で、ＮｉＣｒ（又は他の好適な材料）の単一層を低Ｅコーティングの吸収体フィルムとして使用してもよい。しかしながら、驚くべきことに、吸収体フィルム（単層、又は多層の吸収体フィルム）に銀を使用することは、吸収体としてのＮｉＣｒの単一層と比較して、いくつかの予想外の利点を提供することがわかった。第１に、吸収体としてのＮｉＣｒの単一層が、特定の低Ｅコーティングされた物品において黄色がかった着色を引き起こす傾向があり、特定の事例では望ましくない場合があることがわかった。それに対し、驚くべきことに、吸収体フィルムに銀を使用することは、そのような黄色がかった着色を回避する傾向があり、及び／又は代わりに、得られたコーティングされた物品のより望ましい偏りのない着色を提供することがわかった。したがって、吸収体フィルムでの銀の使用は、改善された光学特性を提供することがわかっている。第２に、吸収体としてのＮｉＣｒの単一層の使用はまた、ＮｉＣｒの両側に窒化ケイ素系層を設けることを伴い、それらの間にＮｉＣｒを直接挟み、接触させる傾向がある。コーティングスタックの特定の位置に窒化ケイ素を提供することは、ＨＴ時の熱安定性の低下をもたらし得ることが見出された。それに対し、驚くべきことに、吸収体フィルムに銀を使用する場合、一対の直接隣接する窒化ケイ素層が必要とされないため、ＨＴ時の熱安定性が改善され得ることがわかった。したがって、吸収体フィルム中の銀の使用は、より低いΔＥ^*値、及び同じコーティングのＨＴバージョンと非ＨＴバージョンとの間の改善された整合性を含む改善された熱安定性を提供することが見出されている。吸収体フィルム中の銀の使用はまた、特定の状況で改善された製造性を提供し得る。

特定の例示的実施形態で、驚くべきことに、また予想外なことに、低Ｅコーティングにおいて銀の若しくは銀を含む赤外線（infrared、ＩＲ）反射層のすぐ下に、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の若しくは酸化亜鉛を含む、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）の層を設けることは、コーティングの熱安定性を著しく改善する（すなわち、ΔＥ^*値を低下させる）効果を有することが見出された。１つ以上のそのような結晶質又は実質的に結晶質（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）の層は、本発明の様々な実施形態では、銀を含む１つ以上の対応するＩＲ反射層の下に設けられてもよい。したがって、銀の若しくは銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層のすぐ下の、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の若しくは酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層は、本発明の様々な実施形態では、単一の銀の低Ｅコーティング、二重の銀の低Ｅコーティング又は三重の銀の低Ｅコーティングにおいて使用されてもよい。特定の例示的実施形態では、酸化亜鉛の若しくは酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層は、約１～３０％のＳｎ、より好ましくは約１～２０％のＳｎ、最も好ましくは約５～１５％、例としては約１０％のＳｎ（重量％単位）がドープされている。Ｓｎがドープされた酸化亜鉛は、Ｚｎ及びＳｎの又はＺｎ及びＳｎを含む少なくとも１つのスパッタリングターゲット（複数可）からスパッタリング蒸着技法などによって蒸着された時点で、（非晶質又はナノ結晶質とは対照的な）結晶化又は実質的に結晶化された相にある。蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層の結晶化相は、銀とガラスとの間の層（複数可）と組み合わせることにより、コーティングされた物品が、任意選択のＨＴ時の熱安定性の改善を実現すること（ΔＥ^*値を低下させること）が可能である。蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層の結晶化相（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）は、ＩＲ反射層とガラスとの間の層（複数可）と組み合わせることにより、ＩＲ反射層の銀が、テクスチャを有するが、いくつかのランダムに配向された粒（grain）を有する改善された結晶構造を有することが可能となり、その結果、その屈折率（ｎ）が、任意選択のＨＴ時にあまり変化しなくなり、それによって、熱安定性の改善を実現することが可能となると考えられる。

特定の例示的実施形態では、驚くべきことに、また予想外なことに、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物（silicon zirconium oxide）及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（silicon zirconium oxynitride）（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層（複数可）を設けることが、コーティングされた物品の熱安定性の改善をもたらし、したがって、熱焼戻しなどの熱処理（ＨＴ）時のΔＥ^*値の低下をもたらすことも見出されている。特定の例示的実施形態では、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ケイ素ジルコニウム酸化物及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む少なくとも１つの誘電体層（複数可）は、（ｉ）すべての銀系ＩＲ反射層（複数可）の下のコーティングの底部誘電体部分、及び／又は（ｉｉ）一対の銀系ＩＲ反射層間のコーティングの中間誘電体部分に設けられ得る。例えば、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物の又はそれらを含む誘電体層は、本発明の特定の例示的実施形態で最下部のドープ酸化亜鉛系層のすぐ下に接触して、かつ／又は低Ｅコーティングの中間誘電体部分中の一対の酸化亜鉛含有層の間に、設けられ得る。

酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物の又はそれらを含む誘電体層（複数可）は、本発明の様々な例示的実施形態で、赤外線（ＩＲ）反射層のすぐ下の、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の若しくは酸化亜鉛を含む、蒸着された時点で結晶質若しくは実質的に結晶質（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）の層（複数可）と組み合わせて設けられてもよく、又は設けられなくてもよい。

特定の例示的実施形態で、驚くべきことに、また予想外なことに、単斜晶相結晶構造を含むように、酸化ジルコニウム（例えば、ＺｒＯ₂）、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層（複数可）を最初にスパッタリング蒸着することは、それが熱処理（ＨＴ）時のコーティングされた物品の改善された熱安定性（より低いΔＥ^*値）及び／又は可視光透過（例えば、Ｔ_vis又はＴＹ）の変化の低減をもたらすという点で有利であることがわかった。特定の例示的実施形態で、誘電体層の単斜晶相（例えば、ＺｒＯ₂）は、その層のスパッタリング蒸着処理中にその層に非常に高い酸素ガス流を使用することと、金属スパッタリングターゲット（例えば、Ｚｒターゲット）を使用することによって得ることができる。例えば、単斜晶相を有する層を形成するために層２及び／又は２”をスパッタリング蒸着するとき、その層のスパッタリング処理は、少なくとも５ｍＬ／ｋＷ、より好ましくは少なくとも６ｍＬ／ｋＷ、より好ましくは少なくとも８ｍＬ／ｋＷ、最も好ましくは少なくとも１０ｍＬ／ｋＷの酸素ガス流を実施でき、ｍＬはチャンバ内の総酸素ガス流を示し、ｋＷはターゲットへの電力を示す。この場合の特定の例示的実施形態で所望されるそのような高い酸素ガス流は、蒸着速度を低下させ、したがってコーティングされた物品を作製する際に追加の時間及び費用がかかるので、直感に反するものであり、従来望ましくないことに留意されたい。特定の種類のスパッタリング装置が使用される特定の例示的実施形態で、高い酸素ガス流を使用して、金属ターゲットに関連して単斜晶相を得られるが、本発明はそれに限定されない。なぜなら、特定の種類のスパッタリング装置によって単斜晶相を低い又はより低い酸素ガス流でも得ることができることがわかっているからである。

ＨＴ時の層の単斜晶から正方晶若しくは立方晶結晶構造への有意な部分的又は完全な相変化、及び対応する密度変化は、ＨＴ時の銀層（複数可）の結晶構造の変化を補う傾向があり、これは、ＨＴ時のコーティングされた物品の改善された熱安定性（より低いΔＥ^*値）及び／又は可視光透過（例えば、Ｔ_vis又はＴＹ）の変化の低減をもたらすようにみえることがわかった。驚くべきことに、単斜晶相結晶構造を含むように、酸化ジルコニウム、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層（複数可）を最初にスパッタリング蒸着させることは、ＨＴ時の、少なくとも約０．２５ｇ／ｃｍ³、より好ましくは少なくとも約０．３０ｇ／ｃｍ³、及び最も好ましくは少なくとも約０．３５ｇ／ｃｍ³（例えば、約５．７～約６．１ｇ／ｃｍ³）の層の高密度変化をもたらし、これにより、ＨＴ時の銀層（複数可）の結晶構造の変化が補われ、熱処理（ＨＴ）時のコーティングされた物品の改善された熱安定性（より低いΔＥ^*値）及び／又は可視光透過（Ｔ_vis又はＴＹ）の変化の低減がもたらされるという点で有益であることがわかった。特定の例示的実施形態では、これは、ＨＴに起因した、コーティングされた物品の可視光透過（Ｔ_vis又はＴＹ）の変化を１．２％以下、より好ましくは１．０％以下、最も好ましくは０．５％以下に低減すること、及び／又はΔＥ^*値を低減することを可能にする。

また、驚くべきことに、また予想外なことに、窒化ケイ素系層が、ガラス基材と最下部の銀系層との間の最下部のドープ酸化亜鉛系層のすぐ下に接触して設けられないことを、蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層の結晶化相と組み合わせることにより、熱処理時の熱安定性の改善（より低いΔＥ^*値）を実現することが可能となることが、見出されている。また、驚くべきことに、また予想外なことに、２つの銀系ＩＲ反射層間のスタックの中間部に窒化ケイ素系層を設けないことにより、熱処理時の熱安定性が改善される（より低いΔＥ^*値）ことが実現することがわかった。

特定の例示的実施形態で、モノリシックでかつ／又は２つのペインを備えたＩＧユニットで測定される場合、コーティングされた物品は、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．０以下（より好ましくは２．８以下、及び最も好ましくは２．５又は２．３以下）の透過ΔＥ^*値（透過光学特性が測定される場合）、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．０以下（より好ましくは２．５以下、より好ましくは２．０以下、及び最も好ましくは１．５以下、１．０以下、及び／又は０．６以下）のガラス側反射ΔＥ^*値（ガラス側反射光学特性が測定される場合）、並びに／又は（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間、１６分間及び／若しくは２０分間のＨＴ時の、３．５以下（より好ましくは３．０以下、及び最も好ましくは２．０以下、又は１．５若しくは１．３以下）のフィルム側反射ΔＥ^*値（フィルム側反射光学特性が測定される場合）のうちの１つ以上を実現するように構成される。当然のことながら商業的には、ベイキング時間は、異なる／他の期間であり得て、これらは参照目的のためである。特定の例示的実施形態では、モノリシックで測定される場合、コーティングされた物品は、任意選択のＨＴの前又は後に、少なくとも約３０％、より好ましくは少なくとも約４０％、及び最も好ましくは少なくとも約５０％（例えば、約４５～６０％）の可視光透過（Ｔ_vis又はＹ）を有するように構成される。本明細書のコーティングされた物品は、例えば、モノリシックで測定された約３０～７５％、及び／又はＩＧユニットで測定された３０～７０％の可視光透過を有し得る。とりわけ、吸収体層の厚さ、構成、及び／又は数は、可視光透過を調整するように調整され得る。特定の例示的実施形態では、モノリシックで測定される場合、コーティングされた物品は、任意選択のＨＴの前又は後に、モノリシックで測定される場合、約２０％以下のガラス側可視光反射（Ｒ_gＹ又はＲＧＹ）を有するように構成される。

本発明の例示的実施形態で、ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品が提供され、コーティングは、ガラス基材上に設けた、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む、第１の結晶質又は実質的に結晶質の層と、ガラス基材上に配置され、かつ約１～３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層であって、窒化ケイ素系層が、約１～３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ下に接触して配置されない、第１のＩＲ反射層と、単斜晶相を有し、かつジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層であって、単斜晶相を有し、及びジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層は、（１）少なくともガラス基材と、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質若しくは実質的に結晶質の層との間、かつ／又は（２）少なくとも銀を含む第１のＩＲ反射層と、コーティングの銀を含む第２のＩＲ反射層との間に位置している、誘電体層と、銀を含む層を含む任意選択の吸収体フィルムであって、銀を含む第１のＩＲ反射層の物理的厚さと吸収体フィルムの銀を含む層の物理的厚さとの比は、少なくとも５：１（より好ましくは少なくとも８：１、更により好ましくは少なくとも１０：１、最も好ましくは少なくとも１５：１）である、吸収体フィルムと、を含み、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されている。

このようなコーティングされた物品は、窓用に、絶縁ガラス（ＩＧ）窓ユニット（例えば、ＩＧ窓ユニット用途における表面＃２若しくは表面＃３に）、積層された窓ユニット、車両ウィンドシールド及び／又は他の車両若しくは建築用若しくは住宅用窓用途に、モノリシックで使用することができる。

本発明を、これより、以下の図面に示されるように、その特定の実施形態に関して説明する。

本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例１の光学特性を示す表である。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例２の光学特性を示す表である。 ３．１ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例３の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 ３．１ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例４の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で８分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１２分間のＨＴ後（ＨＴＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２０分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例３～４の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例５の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例５の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例６の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例６の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例７の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例７の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例８の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 コーティングされた時点（ＡＣ）の状態から熱処理された（ＨＴ）状態までの実施例８の銀層の屈折率の変化を示す、波長（ｎｍ）対屈折率（ｎ）のグラフである。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例９の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）及び右端のデータ列の６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）の、実施例９の光学特性を示す表である。 第１の比較例のコーティングされた物品の断面図である。 実施例１～１０のコーティングを示す、本発明の実施形態によるコーティングされた物品の断面図である。 ３．１ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１０の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）及び図１０によって示されている。 実施例１０の、ＨＴに起因するＡｇ（１１１）のピーク高さにおける比較的小さな６６％の変化を示す、ＸＲＤ Ｌｉｎ（Ｃｐｓ）対２θスケールのグラフである。 第１の比較例（Comparative Example、ＣＥ）の、ＨＴに起因するＡｇ（１１１）のピーク高さにおける比較的大きな１６６％の変化を示す、ＸＲＤ Ｌｉｎ（Ｃｐｓ）対２θスケールのグラフである。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１１の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されている。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１２の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されている。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１３の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されている。 それぞれの左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及びそれぞれの右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例１１～１３の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１４の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例１４の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１５及び１６の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、これらの実施例の低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されており、最下部のＺｒＯ₂の誘電体層を有する。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）及び右端のデータ列の６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）の、実施例１５及び１６の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１７及び１８の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、これらの実施例の低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されており、最下部のＳｉＯ₂の誘電体層は約８％のＡｌ（重量％）がドープされている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）及び右端のデータ列の６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）の、実施例１７及び１８の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への比較例２（ＣＥ２）の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表である。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、比較例２（ＣＥ２）の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１９の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例１９の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２０の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｅ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例２０の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２１の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｅ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例２１の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２２の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｄ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例２２の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２３の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｆ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例２３の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２４の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｆ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例２４の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２５の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｇ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例２５の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２６の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｈ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例２６の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２７の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例２７の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２８の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｅ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例２８の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２９の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、層２”が実施例２９に提供されていないことを除いて、概して、図１（ｈ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）、及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の実施例２９の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さの透明ガラス基材上への実施例３０の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｉ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）及び６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）のモノリシックで測定された実施例３０の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さの透明ガラス基材上への実施例３１の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｉ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）及び６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）のモノリシックで測定された実施例３１の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さの透明ガラス基材上への実施例３２の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｉ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）及び６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）のモノリシックで測定された実施例３２の光学特性を示す表である。 上部は、６ｍｍの厚さの透明ガラス基材上への実施例３３の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｉ）によって示されている。下部は、熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた、ＡＣ）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）及び６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）のモノリシックで測定された実施例３３の光学特性を示す表である。 ＨＴの前及び後の金属Ｚｒターゲット（上部グラフ）及びセラミックＺｒＯ_xターゲット（下部グラフ）を使用するＺｒＯ₂層をスパッタリング蒸着させるためのグラフである。金属ターゲットが使用されたとき、当該層が単斜晶相を含み（ｍ－ＺｒＯ₂でのピークを参照）、この特定の例でセラミックターゲットが使用されたときにそれはない。 実施例３４～４２及び比較例（ＣＥ）４３～４７の層スタックを含む、ある点では図１（ｉ）と同様の、本発明の例示的実施形態によるコーティングされた物品の断面図である。 実施例３４～４２の光学データを示す表である。各実施例の左端のデータ列に熱処理前のコーティングされた（ＡＣ、アニーリングされた）時点、及び各実施例の右データ列に６５０℃での１２分間の熱処理（ＨＴ）後の光学データを示し、実施例３４～４２は、金属ターゲットで蒸着した単斜晶ＺｒＯ₂層を有する図１（ｉ）及び図５２に示すようなコーティングスタックを有し、実施例３４～４２の層厚さは図５５に示すとおりである。試料７９８２は実施例３４であり、試料８０７７は実施例３５であり、試料８０８５は実施例３６であり、試料８０９０は実施例３７であり、試料８０９１は実施例３８であり、試料８０９７は実施例３９であり、試料８１８６は実施例４０であり、試料８１８７は実施例４１であり、試料８２０２は実施例４２である。 比較例（ＣＥ）４３～４７の光学データを示す表である。各比較例の左端のデータ列に熱処理前のコーティングされた（ＡＣ、アニーリングされた）時点、及び各比較例の右データ列に６５０℃での１２分間の熱処理後（ＨＴ）の光学データを示し、比較例４３～４７は、セラミックターゲットで蒸着した非単斜晶ＺｒＯ₂層を有する図１（ｉ）及び図５２に示すようなコーティングスタックを有し、比較例４３～４７の層厚さは図５６に示すとおりである。試料８３９２はＣＥ４３であり、試料８３９４はＣＥ４４であり、試料８３９５はＣＥ４５であり、試料８３９６はＣＥ４６であり、試料８３９７はＣＥ４７である。 単斜晶ＺｒＯ₂層を有する実施例３７の蒸着処理条件及び層厚さを示す表である。各層のスパッタリング処理中の総酸素流量（ｍＬ）はＯ₂設定値、Ｏ₂チューン、及びＯ₂オフセットの合計によって示され、ＺｒＯ₂層のスパッタリング蒸着中の高い酸素ガス流は、実施例３７のＺｒＯ₂層の単斜晶相を提供するのに役立つ（単斜晶実施例３４～３６及び３８～４２は同様処理条件を有した）。 非単斜晶ＺｒＯ₂層を有する比較例（ＣＥ）４４の蒸着処理条件及び層厚さを示す表である。各層のスパッタリング処理中の総酸素流量（ｍＬ）はＯ₂設定値、Ｏ₂チューン、及びＯ₂オフセットの合計によって示され、セラミックターゲットによるＺｒＯ₂層のスパッタリング蒸着中の低い酸素ガス流は、比較例４４のＺｒＯ₂層の非単斜晶相を提供するのに役立つ（非単斜晶比較例４３及び４５～４７は同様処理条件を有した）。 セラミックターゲットを介して蒸着された単斜晶ＺｒＯ₂層を有する実施例４８の蒸着処理条件及び層厚さを示す表である。 異なる熱処理時間による実施例４８のΔＥ^*値を示す表である。 実施例４８のコーティングの光学データ及びシート抵抗データを示す表である。

ここで添付の図面をより詳細に参照すると、同様の参照番号は、いくつかの図を通して同様の部分／層／材料を示す。

本発明の特定の実施形態は、窓用に、絶縁ガラス（ＩＧ）窓ユニット（例えば、ＩＧ窓ユニット用途における表面＃２又は表面＃３）、積層窓ユニット、車両ウィンドシールド及び／又は他の車両若しくは建築用若しくは住宅用窓用途にモノリシックで使用され得るコーティングされた物品において使用することができる、コーティング又は層系を提供する。本発明の特定の実施形態は、ＨＴの前及び／又は後の高い可視光透過、良好な耐久性（機械的及び／又は化学的）、並びに熱処理時の良好な色安定性のうちの１つ以上を組み合わせる層系を提供する。本明細書において、特定の層がどのように積み重なるかが、驚くべきことに、この固有の組み合わせを可能にすることが示される。

色安定性に関して、本発明の特定の実施形態は、モノリシックで、かつ／又はＩＧユニット若しくはウィンドシールドなどの二重ペイン環境の状況において、熱処理（例えば、熱焼戻し又は熱屈曲）時に優れた色安定性（すなわち、低いΔＥ^*の値、ここで、Δは、熱処理による変化を示す）を有する。このような熱処理（ＨＴ）は、多くの場合、コーティングされた基材を、少なくとも約１１００°Ｆ（５９３℃）及び最大１４５０°Ｆ（７８８℃）［より好ましくは約１１００～１２００°Ｆ、及び最も好ましくは１１５０～１２００°Ｆ］の温度まで、加熱することを必要とする。本発明の特定の実施形態は、（ｉ）熱処理時の色安定性及び（ｉｉ）選択的ＩＲ反射のための銀を含む層の使用のうちの１つ以上を組み合わせる。

本発明の例示的な実施形態は、熱処理（例えば、熱焼戻し）の前及び後の両方に肉眼で見た場合にほぼ同じ色特性を有する、低Ｅコーティングされた物品並びに対応する方法に関する。そのような物品は、特定の例示的実施形態では、（１）望ましい可視光透過特性、（２）熱処理前及び／若しくは熱処理後の良好な耐久性、（３）熱処理（ＨＴ）時の色安定性を示す低ΔＥ^*値、並びに／又は（４）可視光透過を調整し、耐久性及び／若しくは熱安定性を維持しながらコーティングされた物品に望ましい着色を提供するように設計された吸収体フィルム、のうちの１つ以上を組み合わせてもよい。

特定の例示的実施形態では、吸収体フィルムは、銀（Ａｇ）の又は銀（Ａｇ）を含む第１の層５７と、ＮｉＣｒの又はＮｉＣｒを含む第２の層５９と、を含む多層吸収体フィルムであり得、ＮｉＣｒは、部分的若しくは完全に酸化され得る（ＮｉＣｒＯ_x）。例えば、図１（ｉ）を参照されたい。したがって、そのような多層吸収体フィルム５７、５９は、特定の例示的実施形態では、Ａｇ／ＮｉＣｒＯ_xの層配列で作製され得る。１つの層からの元素は、ＨＴ又は他の要因に起因して隣接する層に拡散し得る。吸収体のＮｉＣｒ系層５９は、特定の例示的実施形態では、最初に金属形態で、又は亜酸化物として蒸着され得る。銀系層５７は、特定の例示的実施形態では、連続層であってもよい、かつ／又は任意選択的にドープされてもよい。更に、吸収体フィルム内の銀系層５７は、その主要な機能が可視光を吸収して望ましい着色を提供することであるように（はるかに厚く、主にＩＲ反射層として機能するのとは対照的に）、十分に薄いことが好ましい。ＮｉＣｒ又はＮｉＣｒＯ_x５９は、銀を保護するために、かつ吸収に寄与するためにも、吸収体フィルムの銀５７の上に接触して設けられる。特定の例示的実施形態では、吸収体フィルムの銀系層５７は、本発明の特定の例示的実施形態では、約６０Å以下の厚さ、より好ましくは約３０Å以下の厚さ、より好ましくは約２０Å以下の厚さ、及び最も好ましくは約１５Å以下の厚さであり得、また場合により約１２Å以下の厚さであり得る。特定の例示的実施形態では、吸収体フィルムのＮｉＣｒ系層５９は、約５～２００Åの厚さ、より好ましくは約１０～１１０Åの厚さ、及び最も好ましくは約４０～９０Åの厚さであり得る。

本発明の特定の例示的実施形態では、ＮｉＣｒ（又は他の好適な材料）の単一層を低Ｅコーティングの吸収体フィルムとして使用してもよい。例えば、図１（ｄ）及び図１（ｆ）の吸収体フィルム４２を参照されたい。しかしながら、驚くべきことに、吸収体フィルム（単一層、又は多層の吸収体フィルム）に銀５７を使用することは、吸収体としてのＮｉＣｒの単一層と比較して、いくつかの予想外の利点を提供することが見出された。第１に、吸収体としてのＮｉＣｒの単一層が、特定の低Ｅコーティングされた物品において黄色がかった着色を引き起こす傾向があり、特定の事例では望ましくない場合があることが見出された。それに対し、驚くべきことに、吸収体フィルムに銀５７を使用することは、そのような黄色がかった着色を回避し、かつ／又は代わりに、得られたコーティングされた物品のより望ましい偏りのない着色を提供する傾向があることが見出されている。したがって、吸収体フィルムでの銀５７の使用は、改善された光学特性を提供することが見出されている。第２に、吸収体としてのＮｉＣｒ４２の単一層の使用はまた、ＮｉＣｒの両側に窒化ケイ素系層を提供することを伴い、それらの間にＮｉＣｒを直接挟み、接触させるのに役立つ。例えば、図１（ｄ）及び図１（ｆ）を参照されたい。コーティングスタックの特定の位置に窒化ケイ素を設けることは、ＨＴ時の熱安定性の低下をもたらし得ることが見出された。それに対し、驚くべきことに、吸収体フィルム中に銀を使用する場合、一対の直接隣接する窒化ケイ素層が必要とされないため、ＨＴ時の熱安定性が改善され得ることがわかった。したがって、吸収体フィルム中の銀５７の使用は、より低いΔＥ^*値、及び同じコーティングのＨＴバージョンと非ＨＴバージョンとの間の改善された整合性を含む改善された熱安定性を提供することが見出された。吸収体フィルム中の銀の使用はまた、特定の状況で改善された製造性を提供し得る。

驚くべきことに、また予想外なことに、低Ｅコーティング３０中の銀の若しくは銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層７（及び／又は１９）のすぐ下に直接接触して、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質の層３、３”（及び／又は１３）（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）を設けることは、コーティングの熱安定性を著しく改善する（すなわち、ΔＥ^*値を低下させる）効果を有することが見出された。本明細書に使用される場合、「実質的に結晶質」は、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質、及び最も好ましくは少なくとも７０％結晶質を意味する。１つ以上のそのような結晶質又は実質的に結晶質の層３、３”１３は、本発明の様々な例示的実施形態では、銀を含む１つ以上の対応するＩＲ反射層７、１９の下に設けられてもよい。したがって、銀の又は銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層７及び／又は１９のすぐ下に、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層３（又は、３”）及び／又は１３が、本発明の様々な実施形態における単一の銀の低Ｅコーティング、（例えば、図１若しくは図２０に示されるような）二重の銀の低Ｅコーティング又は三重の銀の低Ｅコーティングにおいて使用されてもよい。特定の例示的実施形態では、酸化亜鉛の又は酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層３及び／又は１３は、約１～３０％のＳｎ、より好ましくは約１～２０％のＳｎ、より好ましくは約５～１５％のＳｎ、例としては約１０％のＳｎ（重量％単位）がドープされている。Ｓｎがドープされた酸化亜鉛は、Ｚｎ及びＳｎの又はそれらを含む少なくとも１つのスパッタリングターゲット（複数可）からスパッタリング蒸着技法などによって蒸着された時点で、層３及び／又は１３において（非晶質又はナノ結晶質とは対照的な）結晶化又は実質的に結晶化された相にある。蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層３及び／又は１３の結晶化相を、銀７及び／又は１９とガラス１との間の層（複数可）と組み合わせることにより、コーティングされた物品は、任意選択のＨＴ時の改善された熱安定性を実現する（ΔＥ^*値を低下させる）ことが可能となる。蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層３及び／又は１３の結晶化相を、銀とガラスとの間の層（複数可）と組み合わせることにより、その上に蒸着される銀７及び／又は１９が、テクスチャを有するが、いくつかのランダムに配向された粒を有する結晶構造を有することが可能となり、その結果、その屈折率（ｎ）が、任意選択のＨＴ時にあまり変化しなくなり、それによって、熱安定性の改善を実現することが可能となると考えられる。

驚くべきことに、また予想外なことに、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ケイ素ジルコニウム酸化物及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層（複数可）（例えば、２及び／又は２”）を設けることが、例えば、図１（ｂ）～図１（ｉ）に示すようにコーティングされた物品の熱安定性の改善をもたらし、したがって、熱焼戻しなどの熱処理（ＨＴ）時のΔＥ^*値の低下をもたらすことも見出されている。特定の例示的実施形態では、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ケイ素ジルコニウム酸化物及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む少なくとも１つの誘電体層（例えば、２及び／又は２”）は、（ｉ）すべての銀系ＩＲ反射層（複数可）の下のコーティングの底部誘電体部分（例えば、図１（ｂ）～図１（ｉ）を参照されたい）、及び／又は（ｉｉ）一対の銀系ＩＲ反射層の間のコーティングの中間誘電体部分（例えば、図１（ｅ）～図１（ｉ）を参照されたい）に設けられ得る。例えば、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物の又はそれらを含む誘電体層（例えば、２及び／又は２”）は、本発明の特定の例示的実施形態では、最下部のドープ酸化亜鉛系層（例えば、３）のすぐ下に接触して、かつ／又は低Ｅコーティングの中間誘電体部分中の一対の酸化亜鉛含有層の間に（例えば、１１と１３の間に若しくは１１と３”の間に）設けられ得る。

酸化ケイ素（例えば、ＳｉＯ₂）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物の又はそれらを含む誘電体層（複数可）（例えば、２及び／又は２”）は、本発明の様々な例示的実施形態で、赤外線（ＩＲ）反射層のすぐ下の、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の若しくは酸化亜鉛を含む、蒸着された時点で結晶質若しくは実質的に結晶質（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）層（複数可）（例えば、３及び／若しくは１３）と組み合わせて設けられてもよいか、又は設けられなくてもよい。一緒に使用され得るが、一緒に使用される必要はない両方のアプローチは、熱安定性を改善し、それによってΔＥ^*値を低下させる。例えば、酸化ケイ素（例えば、ＳｉＯ₂）、酸化ジルコニウム（例えば、ＺｒＯ₂）、ケイ素ジルコニウム酸化物及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物の又はそれらを含む誘電体層（複数可）（例えば、２及び／又は２”）が使用される、特定の実施形態では、一方又は両方の銀（複数可）のすぐ下の接触／シード層が、アルミニウムで（Ｓｎの代わりに）ドープされた酸化亜鉛の層であり得て又は酸化亜鉛を含み得て、その接触／シード層が結晶質である必要はない（例えば、図４２、図４３、及び図４６、並びに実施例２５、２６、及び２９を参照されたい）。

特定の例示的実施形態では、驚くべきことに、また予想外なことに、単斜晶相結晶構造を含むように、酸化ジルコニウム、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層（複数可）２及び／又は２”を最初にスパッタリング蒸着することは、それが熱処理（ＨＴ）時のコーティングされた物品の改善された熱安定性（より低いΔＥ^*値）及び／又は可視光透過（例えば、Ｔ_vis又はＴＹ）の変化の低減をもたらすという点で有利であることが見出されている。例えば、図１（ａ）～図１（ｉ）、図５１～図５３、及び図５５を参照されたい。誘電体層（複数可）２及び／又は２”は、特定の例示的実施形態では、Ｔｉ及び／又はＮｂなどの他の材料（複数可）を更に含み得る。特定の例示的実施形態では、誘電体層（例えば、ＺｒＯ₂）２及び／又は２”の単斜晶相（例えば、図５１の上部グラフのｍ－ＺｒＯ₂ピークを参照されたい）は、その層のスパッタリング蒸着処理中にその層に非常に高い酸素ガス流量を使用し、金属スパッタリングターゲット（例えば、金属Ｚｒターゲット又はＳｉＺｒターゲット）を使用することによって得ることができる（例えば、図５５を参照されたい）。この場合の特定の例示的実施形態では、所望されるそのような高い酸素ガス流量は、蒸着速度を低下させ、したがってコーティングされた物品を作製する際に追加の時間及び費用がかかるので、酸化ジルコニウム層について直感に反するものであり、従来望ましくないことに留意されたい。ＨＴ時の層２及び／又は２”の単斜晶相（例えば、図５１の上部グラフのｍ－ＺｒＯ₂ピークを参照されたい）から正方晶若しくは立方晶結晶構造（図５１のｃ－ＺｒＯ₂を参照されたい）への有意な部分的又は完全な相変化、及び対応する密度変化は、当該ＨＴ時の銀系層（複数可）７、５７、及び／又は１９の結晶構造の変化を補償するのに役立ち、これは、ＨＴ時のコーティングされた物品の改善された熱安定性（より低いΔＥ^*値）及び／又は可視光透過（例えば、Ｔ_vis又はＴＹ）の変化の低減をもたらすように思われることが見出された。図５１では、単斜晶相（図５１の上部グラフのｍ－ＺｒＯ₂ピークを参照されたい）が上のグラフ（蒸着中の高い酸素流量、及び金属Ｚｒターゲット）ではどの程度存在しているか、一方、下のグラフ（蒸着中の低い酸素流量、及びセラミックＺｒＯ_xターゲット）では存在していないかに留意されたい。また、図５１の上のグラフでも、単斜晶相（ｍ－ＺｒＯ₂ピークを参照されたい）がどの程度ＨＴ前に高く、ＨＴ後に低いかが理解できる。驚くべきことに、単斜晶相結晶構造を含むように、酸化ジルコニウム、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層（複数可）２及び／又は２”を最初にスパッタリング蒸着させることは、ＨＴに起因して、少なくとも約０．２５ｇ／ｃｍ³、より好ましくは少なくとも約０．３０ｇ／ｃｍ³、及び最も好ましくは少なくとも約０．３５ｇ／ｃｍ³（例えば、約５．７～約６．１ｇ／ｃｍ³）の層２及び／又は２”の高密度変化をもたらすという点で有利であり、同様に、当該ＨＴに起因して銀系層（複数可）７、１９及び／又は５７の結晶構造の変化が補償され、熱処理（ＨＴ）時のコーティングされた物品の改善された熱安定性（より低いΔＥ^*値）及び／又は可視光透過（Ｔ_vis又はＴＹ）の変化の低減をもたらすことが見出されている。特定の例示的実施形態では、これは、ＨＴ及び／又は低減したΔＥ^*値に起因して、コーティングされた物品の可視光透過（Ｔ_vis又はＴＹ）の変化を１．２％以下、より好ましくは１．０％以下、及び最も好ましくは０．５％以下に低減することを可能にする。

驚くべきことに、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層（複数可）２及び／又は２”の厚さの増加が、ＨＴ時のシート抵抗（Ｒｓ）及び可視光透過の変化を小さくし、したがって、コーティングされた物品のΔＥ^*値が低くなる傾向があることが見出されている。特定の例示的実施形態では、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層（複数可）２及び／又は２”のうちの一方又は両方はそれぞれ、約１０～４００オングストローム（Å）、より好ましくは約４０～１７０Å、及び最も好ましくは約８０～１４０Åの物理的厚さを有し得る。

驚くべきことに、また予想外なことに、窒化ケイ素系層（例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄、任意選択的に１～１０％のＡｌなどがドープされている）を、ガラス基材１と最下部の銀系層７との間の最下部のドープ酸化亜鉛系層３のすぐ下に接触して設けず、蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層３の結晶化又は実質的に結晶化された相と組み合わせることにより、熱処理時の熱安定性の改善（より低いΔＥ^*値）の実現を可能にすることもまた見出されている。例えば、図１（ａ）～図１（ｄ）及び図１（ｉ）のコーティングを参照されたい。更に、特定の例示的な実施形態では、ガラス基材１と銀を含む第１のＩＲ反射層７との間に配置される非晶質又は実質的に非晶質の層は、存在しない。驚くべきことに、また予想外なことに、２つの銀系ＩＲ反射層間のスタックの中間部に窒化ケイ素系層７及び１９を設けないことにより、熱処理時の熱安定性の改善（より低いΔＥ^*値）が実現されることもまた見出された（例えば、図１（ａ）～図１（ｉ）を参照されたい）。

特定の例示的実施形態ではまた、ガラス基材と、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ケイ素ジルコニウム酸化物及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層２との間に、吸収体層（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｂＺｒ及び／又はＮｂＺｒＮ_x）４２を設けることにより、有益なことに、コーティングされた物品のガラス側可視光反射（Ｒ_gＹ）が望ましい様式で低減され、可視光透過を望ましい様式で調整することが可能となることも見出されている。吸収体層４２は、例えば、図１（ｄ）及び図１（ｆ）に示されるような特定の例示的実施形態では、一対の窒化ケイ素系層（例えば、任意選択的に１～１０％のＡｌなどがドープされ、任意選択的に０～１０％の酸素を含む、Ｓｉ₃Ｎ₄の又はＳｉ₃Ｎ₄を含む層）４１と４３との間に接触して設けられてもよい。例えば、図３９及び実施例２２も参照されたい。他の例示的実施形態では、窒化物系誘電体層４１と４３との間の吸収体層４２から作製されたスタックは、スタック内の他の位置（複数可）に配置され得る。

特定の例示的実施形態では、モノリシックで測定される場合、上述の構造（例えば、図１（ａ）～図１（ｉ）を参照されたい）を考慮すると、コーティングされた物品は、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．０以下（より好ましくは２．８又は２．５以下、及び最も好ましくは２．３以下）の透過ΔＥ^*値（透過光学特性が測定される場合）、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．０以下（より好ましくは２．５以下、より好ましくは２．０以下、更により好ましくは１．５以下、及び最も好ましくは１．０又は０．６以下）のガラス側反射ΔＥ^*値（ガラス側反射光学特性が測定される場合）、並びに／又は（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．５以下（より好ましくは３．０以下、及び最も好ましくは２．０以下、より好ましくは１．５以下、及び場合により１．２以下）のフィルム側反射ΔＥ^*値（フィルム側反射光学特性が測定される場合）のうちの１つ以上を実現するように構成されている。

特定の例示的実施形態では、モノリシックで測定される場合、コーティングされた物品は、任意選択のＨＴの前又は後に、少なくとも約３０％、より好ましくは少なくとも約３５％、より好ましくは少なくとも約４０％、及びより好ましくは少なくとも約５０％の可視光透過（Ｔ_vis又はＹ）を有するように構成されている。特定の例示的実施形態では、低Ｅコーティングは、任意選択の熱処理の前及び／又は後に、２０オーム／スクエア以下、より好ましくは１０オーム／スクエア以下、及び最も好ましくは２．５又は２．２オーム／スクエア以下のシート抵抗（ＳＲ又はＲ_s）を有する。特定の例示的実施形態では、低Ｅコーティングは、０．０８以下、より好ましくは０．０５以下、及び最も好ましくは０．０４以下の半球放射率／放射（Ｅ_h）を有する。

値ΔＥ^*は、本発明の文脈において、熱処理（ＨＴ）時に整合性又は実質的な整合性があるかどうかを判定する際に重要である。本明細書における色は、従来のａ^*値、ｂ^*値を参照して説明され、この値は、本発明の特定の実施形態では、青色緑色象限に入る傾向にある所望される実質的に中間色範囲の色を得るために、いずれも負である。例示目的で、用語Δａ^*は、単純に、熱処理に起因して色値ａ^*がどれだけ変化するかを示す。

ΔΕ^*（及びΔΕ）という用語は、当技術分野において十分に理解されており、それを決定するための様々な技法とともに、ＡＳＴＭ２２４４－９３に報告されており、同様に、Ｈｕｎｔｅｒ ｅｔ．ａｌ．，「Ｔｈｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｏｆ Ａｐｐｅａｒａｎｃｅ」，２ｎｄ Ｅｄ．Ｃｐｔｒ．９，ｐａｇｅ １６２ ｅｔ ｓｅｑ．［Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，１９８７］に報告されている。当技術分野において使用される場合、ΔＥ^*（及びΔＥ）は、熱処理後の又は熱処理による、物品の反射率及び／又は透過率（したがって、同様に色の見た目）の変化（又はその欠如）を適切に表す手段である。ΔＥは、「ａｂ」法によって又はＨｕｎｔｅｒ法（下付き文字「Ｈ」を用いた表記）によって、計算することができる。ΔＥは、Ｈｕｎｔｅｒ ＬａｂのＬ、ａ、ｂのスケール（又は、Ｌ_h、ａ_h、ｂ_h）に対応する。同様に、ΔＥ^*は、ＣＩＥ ＬＡＢのスケールＬ^*、ａ^*、ｂ^*に対応する。いずれも、本発明の目的で、有用かつ等価であると考えられる。例えば、上記で参照したＨｕｎｔｅｒ ｅｔ．ａｌ．において報告されているように、Ｌ^*、ａ^*、ｂ^*スケールとして知られている直交座標／スケール技法（ＣＩＥ ＬＡＢ １９７６）を使用してもよく、ここで、
Ｌ^*は、（ＣＩＥ １９７６）明度単位であり、
ａ^*は、（ＣＩＥ １９７６）赤－緑単位であり、
ｂ^*は、（ＣＩＥ １９７６）黄－青単位であり、
Ｌ^* _oａ^* _oｂ^* _oとＬ^* ₁ａ^* ₁ｂ^* ₁との間の距離ΔＥ^*は、
ΔＥ^*＝［（ΔＬ^*）²＋（Δａ^*）²＋（Δｂ^*）²］^1/2 （１）
であり、
式中、
ΔＬ^*＝Ｌ^* ₁－Ｌ^* _o （２）
Δａ^*＝ａ^* ₁－ａ^* _o （３）
Δｂ^*＝ｂ^* ₁－ｂ^* _o （４）
であり、
下付き文字「ｏ」は、熱処理前のコーティングされた物品を表し、下付き文字「１」は、熱処理後のコーティングされた物品を表し、用いられる数字（例えば、ａ^*、ｂ^*、Ｌ^*）は、前述の（ＣＩＥ ＬＡＢ １９７６）Ｌ^*、ａ^*、ｂ^*座標技法によって計算されるものである。同様に、ΔＥは、ａ^*、ｂ^*、Ｌ^*をＨｕｎｔｅｒ Ｌａｂの値ａ_h、ｂ_h、Ｌ_hで置き換えることによって、式（１）を使用して計算することができる。上記で定義されたものと同じΔＥ^*の概念を使用する任意の他の技法で計算されたものに変換された場合の同等の数もまた、本発明の範囲及びΔＥ^*の定量化に含まれる。

本発明の特定の例示的実施形態では、低Ｅコーティング３０は、２つの銀系ＩＲ反射層（例えば、図１（ａ）～図１（ｉ）を参照されたい）を含むが、本発明は、すべての事例で限定されるものではない（例えば、３つの銀系ＩＲ反射層を特定の事例で使用してもよい）。図１（ａ）～図１（ｉ）のコーティングされた物品は、モノリシック形態で図示されていることが認識されるであろう。しかしながら、これらのコーティングされた物品はまた、例えば、ＩＧ窓ユニットで使用されてもよい。

材料の安定性に起因して、高温（例えば、５８０～６５０℃）での焼成は、誘電体層材料の化学組成、結晶化度及び微細構造又は更には相に、変化を引き起こす。高温はまた、界面拡散又は更には反応を引き起こし、結果として、組成、粗さ及び屈折率が、界面位置において変化する。結果として、屈折率ｎ／ｋ及び光学厚さなどの光学特性が、熱処理時に変化する。ＩＲ材料、例えば、Ａｇもまた、変化を受ける。典型的には、Ａｇ材料は、熱処理時に、結晶化、粒成長又は更には配向の変化を受ける。これらの変化は、多くの場合、低Ｅコーティングの光学特性及び熱特性に大きな影響を及ぼす、導電率及び特に屈折率ｎ／ｋの変化を引き起こす。加えて、誘電体及び誘電体の変化もまた、熱処理を受ける銀などのＩＲ反射層に有意な影響を及ぼす。更に、銀は、単に材料及び層スタック自体に起因して、１つの層スタックにおいて、その他のものよりも多くの変化を有し得る。銀の変化が何らかの限界を超えた場合、それは、熱処理後に審美的に許容されないおそれがある。本発明者らは、低Ｅコーティングの熱安定性を得るために、直接的又は間接的にのいずれかで薄い改質層（複数可）を有するガラス上のドープ酸化亜鉛の結晶化材料を、ＩＲ反射層の銀の下に使用することができることを見出した。これらの位置における結晶質又は実質的に結晶質のドープ酸化亜鉛は、熱処理時にあまり変化せず、屈折率（例えば、ｎ及び／又はｋ）などの特性に関して、銀の変化がより小さく、したがって、熱処理時の全体的な色変化が少なくなることが、見出された。

図１（ａ）は、本発明の例示的な非限定的な実施形態によるコーティングされた物品の側面断面図であり、低Ｅコーティング３０は、２つの銀系ＩＲ反射層７及び１９を有する。コーティングされた物品は、基材１（例えば、約１．０～１０．０ｍｍ、より好ましくは約３．０ｍｍ～８．０ｍｍの厚さの透明、緑色、青銅色又は青緑色のガラス基材）及び基材１上に直接的又は間接的に設けられる低Ｅコーティング（又は層系）３０を含む。コーティング（又は層系）３０は、図１（ａ）において、例えば、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質である、少なくとも１種の金属ドーパント（例えば、Ｓｎ及び／又はＡｌ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む誘電体層３と、層３の上に直接接触して配置される、銀の又は銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層７と、ＩＲ反射層７上の直接接触する、Ｎｉ及び／若しくはＣｒ（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＯ_x、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｉＣｒＯＮ、ＮｉＣｒＭ、ＮｉＣｒＭｏＯ_xなど）、Ｔｉ又は他の好適な材料の又はそれを含む接触層９と、蒸着された時点で非晶質又は実質的に非晶質であってもよい、スズ酸亜鉛（例えば、ＺｎＳｎＯ、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄若しくは他の好適な化学量論）又は他の好適な材料の又はそれらを含む誘電体層１１と、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質である、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はそれを含む別の誘電体層１３と、層１３の上に直接接触して配置される、銀の又は銀を含む別の赤外線（ＩＲ）反射層１９と、ＩＲ反射層１９上の直接接触する、Ｎｉ及び／若しくはＣｒ（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＯ_x、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｉＣｒＯＮ、ＮｉＣｒＭ、ＮｉＣｒＭｏＯ_xなど）、Ｔｉ又は他の好適な材料の又はそれらを含む別の接触層２１と、蒸着された時点で非晶質又は実質的に非晶質であり得る、スズ酸亜鉛（例えば、ＺｎＳｎＯ、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄若しくは他の好適な化学量論）又は他の好適な材料、例えば、酸化スズの又はそれらを含む別の誘電体層２３と、任意選択的にＡｌ及び／又はＯがドープされていてもよい窒化ケイ素（例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄又は他の好適な化学量論）の又はそれらを含む非晶質又は実質的に非晶質の誘電体層２５と、を含む。図１（ａ）に示される層は、スパッタリング蒸着によって又は任意の他の好適な様式で蒸着されてもよい。

本明細書に説明されるように、低Ｅコーティング３０における、銀の又は銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層７及び／又は１９のすぐ下の直接接触する、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質の層３及び／又は１３の存在は、コーティングの熱安定性を有意に改善する（すなわち、ΔＥ^*値を低下させる）効果を有することが、見出された。特定の例示的な実施形態では、酸化亜鉛の又は酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層３及び／又は１３は、約１～３０％のＳｎ、より好ましくは約１～２０％のＳｎ、より好ましくは約５～１５％のＳｎ、例としては約１０％のＳｎ（重量％単位）がドープされている。

特定の例示的実施形態では、スズ酸亜鉛（例えば、ＺｎＳｎＯ、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄など）系誘電体層１１及び２３は、非晶質又は実質的に非晶質の状態で蒸着されてもよい（その誘電体層は、熱処理時に結晶質又は実質的に結晶質となり得る）。層中に同様の量のＺｎ及びＳｎを有すること又は層中にＺｎよりも多くのＳｎを有することは、層が非晶質又は実質的に非晶質の状態で確実に蒸着されるのに役立つことが見出されている。例えば、非晶質スズ酸亜鉛系層１１及び２３の金属含量としては、（層中の酸素に加えて、重量％で）約３０～７０％のＺｎ及び約３０～７０％のＳｎ、より好ましくは約４０～６０％のＺｎ及び約４０～６０％のＳｎが挙げられ得、例としては、本発明の特定の例示的実施形態では、約５２％のＺｎ及び約４８％のＳｎ又は約５０％のＺｎ及び５０％のＳｎである。したがって、例えば、非晶質又は実質的に非晶質のスズ酸亜鉛系層１１及び／又は２３は、本発明の特定の例示的実施形態では、約５２％のＺｎ及び約４８％のＳｎ又は約５０％のＺｎ及び約５０％のＳｎを含む金属ターゲットを使用してスパッタリング蒸着されてもよい。任意選択的に、スズ酸亜鉛系層１１及び２３は、Ａｌなどの他の金属がドープされてもよい。層１１及び２３を非晶質又は実質的に非晶質の状態で蒸着し、一方で層３及び１３を結晶質又は実質的に結晶質の状態で蒸着することにより、有益なことに、熱安定性の改善を、許容可能な透過、色及び反射などの良好な光学特性と組み合わせて実現することが可能となることが、見出されている。スズ酸亜鉛層１１及び／又は２３は、酸化スズ、酸化亜鉛、１～２０％のＳｎでドープされた酸化亜鉛（層１１、１３に関して本明細書の他の箇所で論じられている）などの他の材料（複数可）のそれぞれの層（複数可）で置き換えられ得ることに留意されたい。

オーバーコートであってもよい誘電体層２５は、本発明の特定の実施形態では、コーティングされた物品の熱処理性及び／又は耐久性を改善するために、窒化ケイ素（例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄又は他の好適な化学量論）のものであってもよいか、又は窒化ケイ素を含んでもよい。窒化ケイ素は、任意選択的に、特定の例示的実施形態では、Ａｌ及び／又はＯがドープされていてもよく、また、特定の例示的実施形態では、酸化ケイ素又は酸化ジルコニウムなどの他の材料で置き換えられてもよい。

赤外線（ＩＲ）反射層７及び１９は、好ましくは実質的に又は完全に金属及び／又は導電性であり、銀（Ａｇ）、金又は任意の他の好適なＩＲ反射材料を含んでもよいか又は本質的にそれらからなってもよい。ＩＲ反射層７及び１９は、コーティングが低Ｅ特性及び／又は優れた太陽光制御特性を有することを可能にするのを補助する。ＩＲ反射層は、しかしながら、本発明の特定の実施形態では、わずかに酸化されていてもよい。

図１に図示されているコーティングの下又は上の他の層（複数可）もまた、設けられてもよい。したがって、層組織又はコーティングが基材１「の上にある」か、又は基材１「により支持されている」（直接的又は間接的に）が、他の層（複数可）を、それらの間に提供することが可能であり得る。したがって、例えば、図１（ａ）のコーティングは、他の層（複数可）が層３と基材１との間に設けられている場合であっても、基材１「の上に」あり、基材１「によって支持されている」と考えることができる。更に、図示されているコーティングの特定の層が、特定の実施形態では除去されてもよく、一方で、本発明の他の実施形態では、本発明の特定の実施形態の全体的な趣旨から逸脱することなく、他の層（複数可）が、様々な層の間に追加されてもよいか、又は様々な層（複数可）が、分割された部分に他の層（複数可）を追加することによって分割されてもよい。

本発明の異なる施形態では、様々な厚さ及び材料が、層に使用され得るが、図１（ａ）の実施形態におけるガラス基材１上のそれぞれの層の例示的な厚さ及び材料は、ガラス基材から外側に向かって、以下のとおりである。

図１（ｂ）の実施形態は、上記及び本明細書の他の箇所で考察されている図１（ａ）の実施形態と同じであるが、図１（ｂ）の実施形態おける低Ｅコーティング３０はまた、ケイ素ジルコニウム酸化物、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯｘ、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＡｌＯ２及び／又はＳｉＺｒＯｘＮｙ）の又はそれらを含む実質的に透明な誘電体層２を、ドープ酸化亜鉛系層３の下に直接接触して含むことを除く。この追加の層２は、コーティングされた物品の熱安定性の更なる改善をもたらし、したがって、熱焼戻しなどの熱処理（ＨＴ）時のΔＥ^*値の更なる低下（例えば、より低いガラス側反射ΔＥ^*値）をもたらすことが、見出されている。ケイ素ジルコニウム酸化物、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯｘ、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＡｌＯ２及び／又はＳｉＺｒＯｘＮｙ）の又はそれらを含む誘電体層２は、図１（ｂ）に示されるように、本発明の特定の例示的な実施形態では、最下部のドープ酸化亜鉛系層３のすぐ下に接触して設けられてもよい。本発明の特定の例示的実施形態では、ケイ素ジルコニウム酸化物、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯｘ、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＡｌＯ２及び／若しくはＳｉＺｒＯｘＮｙ）の又はそれらを含む誘電体層２は、約２０～６００Åの厚さ、より好ましくは約４０～４００Åの厚さ、及び最も好ましくは約５０～３００Åの厚さであってもよい。図１（ａ）の実施形態に関する上記の厚さはまた、図１（ｂ）～図１（ｉ）にも適用されてもよい。

層２（又は２’、又は２”）が、ＳｉＺｒＯ_x及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_yの層である又はそれらを含む層である場合、その層にＺｒよりも多くのＳｉを提供することは、低屈折率（ｎ）及び改善された反射防止特性並びに他の光学特性を伴う光学的観点から有利であることが見出されている。例えば、特定の例示的実施形態では、層２（又は２’、又は２”）が、ＳｉＺｒＯ_x及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_yの層である又はそれらを含む層である場合、層の金属含量は、５１～９９％のＳｉ、より好ましくは７０～９７％のＳｉ、及び最も好ましくは８０～９０％のＳｉ、並びに１～４９％のＺｒ、より好ましくは３～３０％のＺｒ、及び最も好ましくは１０～２０％のＺｒ（原子％）で構成されてもよい。例示的な実施形態では、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_yの又はそれを含む透明な誘電体層２は、５５０ｎｍで測定される場合、約１．４８～１．６８、より好ましくは約１．５０～１．６５、及び最も好ましくは約１．５０～１．６２の屈折率（ｎ）を有してもよい。

図１（ｃ）の実施形態は、上記及び本明細書の他の箇所で考察されている図１（ｂ）の実施形態と同じであるが、図１（ｃ）の実施形態における低Ｅコーティング３０はまた、ガラス基材１と誘電体層２との間に接触して配置される、窒化ケイ素（例えば、任意選択的に１～１０％のＡｌなどがドープされ、任意選択的に０～１０％の酸素を含む、Ｓｉ₃Ｎ₄若しくは他の好適な化学量論）及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物の又はそれらを含む実質的に透明な誘電体層２も含むことを除く。層２’はまた、窒化アルミニウム（例えば、ＡｌＮ）の層であってもよいか、又はそれを含んでもよい。

図１（ｄ）の実施形態は、上記及び本明細書の他の箇所で考察されている図１（ｂ）の実施形態と同じであるが、図１（ｄ）の実施形態における低Ｅコーティング３０はまた、窒化ケイ素系層（例えば、任意選択的に１～１０％のＡｌなどがドープされ、また任意選択的に０～１０％の酸素を含む、Ｓｉ₃Ｎ₄）４１と４３との間に挟まれて接触している、金属又は実質的に金属の吸収体層４２も含むことを除く。誘電体層（複数可）４１及び／又は４３はまた、特定の例示的実施形態では、窒化アルミニウム（例えば、ＡｌＮ）の層であってもよいか、又はそれを含んでもよい。吸収体層４２は、本発明の例示的実施形態では、ＮｉＣｒ、ＮｂＺｒ、Ｎｂ、Ｚｒ若しくはこれらの窒化物、若しくは他の好適な金属の層であってもよいか、又はそれらを含んでもよい。吸収体層４２は、好ましくは、０～１０％の酸素（原子％）、より好ましくは０～５％の酸素を含有する。特定の例示的実施形態では、ガラス基材と、ケイ素ジルコニウム酸化物、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、ＳｉＡｌＯ₂及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層２との間に、吸収体層（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｂＺｒ及び／又はＮｂＺｒＮ_x）４２を設けることにより、有益なことに、コーティングされた物品のガラス側可視光反射（ＲｇＹ）が望ましい様式で低減され、可視光透過を望ましい様式で調整することが可能となることが見出されている。例えば、図３９及び実施例２２を参照されたい。特定の例示的実施形態では、吸収体層４２は、約１０～１５０Åの厚さ、より好ましくは約３０～８０Åの厚さであってもよい。特定の例示的実施形態では、窒化ケイ素系層４１及び４３は、約５０～３００Åの厚さ、より好ましくは約７０～１４０Åの厚さであってもよい。例えば、実施例２２及び図３９では、吸収体層４２は、ＮｉＣｒの窒化物であり、厚さ約１．４８ｎｍである。他の例示的実施形態では、窒化物系誘電体層４１と４３との間の吸収体層４２から作製されたスタックは、スタック内の他の位置（複数可）に配置され得る。

図１（ａ）～図１（ｄ）を参照すると、ＺｒＯ₂、ＳｉＺｒＯ_x及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_yの又はそれらを含む別の透明な誘電体層（図示せず）が、層１１及び層１３のいずれかの間に設けられてもよい。特定の例示的実施形態では、スズ酸亜鉛を含む層１１は、省略されてもよいか、又はＺｒＯ₂、ＳｉＺｒＯ_x及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_yの若しくはそれらを含むそのような別の透明な誘電体層と置き換えられてもよい。ドープ酸化亜鉛層１３は、ＺｒＯ₂、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_yの又はそれらを含むそのような別の層の透明な誘電体層で分割することもまた可能である。例えば、特定の例示的実施形態では、そのような追加の層が、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_yの層である又はそれらを含む層である場合、層の金属含量は、５１～９９％のＳｉ、より好ましくは７０～９７％のＳｉ、及び最も好ましくは８０～９０％のＳｉ、並びに１～４９％のＺｒ、より好ましくは３～３０％のＺｒ、及び最も好ましくは１０～２０％のＺｒ（原子％）を含んでもよく、０～２０％の窒素、より好ましくは０～１０％の窒素、及び最も好ましくは０～５％の窒素（原子％）を含有してもよい。例えば、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む少なくとも１つの誘電体層（例えば、２及び／又は２”）は、（ｉ）すべての銀系ＩＲ反射層（複数可）の下のコーティングの底部誘電体部分（例えば、図１（ｂ）～図１（ｉ）を参照されたい）、及び／又は（ｉｉ）一対の銀系ＩＲ反射層の間のコーティングの中間誘電体部分（例えば、図１（ｅ）～図１（ｉ）を参照されたい）に設けられ得る。

上記で説明され、図に示されるように、コーティングされた物品は、図１（ｂ）～図１（ｄ）に示される誘電体層（複数可）２、２”（例えば、ＺｒＯ₂又はＳｉＺｒＯ_x）を含んでもよく、誘電体層は、場合により約１～３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質若しくは実質的に結晶質の層３の下に直接接触して、かつ／又は酸化亜鉛含有層３”の下に位置してもよい。誘電体層（複数可）２（及び２”）は、任意選択的にＡｌでドープされた酸化ケイ素、酸化ジルコニウム（例えば、ＺｒＯ₂）、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）であってもよいか、又はそれらを含んでもよい。誘電体層２（又は２”）は、ガラス基材１と直接接触し得る（例えば、図１（ｂ）、図１（ｅ）、図１（ｇ）、図１（ｈ）を参照されたい）。誘電体層（複数可）２、２”はそれぞれ、約１０～６００Å、より好ましくは約４０～４００Å、より好ましくは約５０～３００Å、及び最も好ましくは約５０～２００Å、又は約４０～１７０若しくは８０～１４０Åの物理的厚さを有し得る。誘電体層（複数可）２、２”は、好ましくは酸化物系誘電体層であり、好ましくは窒素をほとんど含まないか、又は全く含まない。例えば、誘電体層（複数可）２、２”はそれぞれ、０～２０％の窒素、より好ましくは０～１０％の窒素、及び最も好ましくは０～５％の窒素（原子％）を含んでもよい。

図１（ｉ）の実施形態は、本明細書で考察される図１（ａ）～（ｂ）、図１（ｅ）、及び図１（ｈ）の実施形態に基づいており、それらの実施形態に関する層及び性能説明はまた、図１（ｉ）にも適用される。しかしながら、図１（ｉ）の実施形態はまた、層５７及び５層９から作製された吸収体フィルムを含み、吸収体フィルムは、本明細書に記載されるように、層スタックの中央部分に、かつ誘電体層１１、２”及び３”の上に設けられる。層３”は、本発明の異なる実施形態で上述したように、スズ酸亜鉛、酸化亜鉛、亜鉛アルミニウム酸化物、又はドープ亜鉛酸化物であり得る。層２”は前述されており、任意選択的にＡｌでドープされた酸化ケイ素、酸化ジルコニウム（例えば、ＺｒＯ₂）、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の層であってもよいか、又はそれらを含んでもよい。

図１（ｉ）の実施形態で、吸収体フィルムは、銀（Ａｇ）の又は銀（Ａｇ）を含む第１の層５７と、ＮｉＣｒの又はＮｉＣｒを含む第２の層５９と、を含む多層吸収体フィルムであり得、ＮｉＣｒは、部分的又は完全に酸化され得る（ＮｉＣｒＯ_x）、また場合によりわずかに窒化され得る。したがって、そのような多層吸収体フィルム５７、５９は、特定の例示的実施形態では、Ａｇ／ＮｉＣｒＯ_xの層配列で作製され得る。この層配列は、特定の例示的事例で繰り返され得る。例えば、吸収体フィルムは、本発明の特定の例示的実施形態では、Ａｇ／ＮｉＣｒＯ_x／Ａｇ／ＮｉＣｒＯ_x、又はＡｇ／ＮｉＣｒＯ_x／Ａｇ／ＮｉＣｒＯ_x／Ａｇ／ＮｉＣｒＯ_xの層配列で作製され得て、配列中の層のそれぞれが光吸収に寄与する。１つの層からの元素は、ＨＴ又は他の要因に起因して隣接する層に拡散し得る。吸収体のＮｉＣｒ系層５９は、特定の例示的実施形態では、最初に金属形態で、又は亜酸化物として蒸着され得る。銀系層５７は、特定の例示的実施形態では、連続層であってもよく、かつ／又は任意選択的にドープされてもよい。本発明の例示的実施形態の実施例３０～４７は、少なくとも図１（ｉ）の実施形態に関する（図４７～図５６を参照されたい）。更に、本明細書に説明されるように、特定の例示的実施形態では、特定の例示的実施形態では、驚くべきことに、また予想外なことに、単斜晶相結晶相（例えば、図５１の上部グラフのｍ－ＺｒＯ₂ピークを参照されたい）を含むように、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層（複数可）２及び／又は２”を最初にスパッタリング蒸着することは、それが熱処理（ＨＴ）時のコーティングされた物品の改善された熱安定性（より低いΔＥ^*値）及び／又は可視光透過（例えば、Ｔ_vis又はＴＹ）の変化の低減をもたらすという点で有利であることが見出されている。

吸収体フィルム内の銀系層５７は、その主要な機能が可視光を吸収して望ましい着色を提供することであるように（はるかに厚く、主にＩＲ反射層として機能するのとは対照的に）、十分に薄いことが好ましい。ＮｉＣｒ又はＮｉＣｒＯ_x５９は、銀を保護するために、かつ吸収に寄与するためにも、吸収体フィルムの銀５７の上に接触して設けられる。特定の例示的実施形態では、吸収体フィルムの銀系層５７は、本発明の特定の例示的実施形態では、約３０Å以下の厚さ、より好ましくは約２０Å以下の厚さ、及び最も好ましくは約１５Å以下の厚さ、また場合により約１２Å以下の厚さであり得る。特定の例示的実施形態では、吸収体フィルムのＮｉＣｒ系層５９は、約５～２００Åの厚さ、より好ましくは約１０～１１０Åの厚さ、及び最も好ましくは約４０～９０Åの厚さであり得る。特定の例示的実施形態では、吸収体フィルム中のＡｇ／ＮｉＣｒＯ_xの比は、１：Ｚ（０．１＜Ｚ＜２０、より好ましくは２＜Ｚ＜１５、及び最も好ましくは３＜Ｚ＜１２）であってもよく、一実施例では約１：５である。

吸収体フィルムの銀系層５７が、その主要な機能が可視光を吸収して望ましい着色を提供することであるように（はるかに厚く、主にＩＲ反射層として機能するのとは対照的に）十分に薄いことに関して、ＩＲ反射層７（例えば、銀）の物理的厚さと銀系層５７の物理的厚さとの比は、好ましくは少なくとも５：１、より好ましくは少なくとも約８：１、更により好ましくは少なくとも約１０：１、及び更により好ましくは少なくとも約１５：１である。同様に、ＩＲ反射層１９（例えば、銀）の物理的厚さと銀系層５７の物理的厚さとの比は、好ましくは少なくとも５：１、より好ましくは少なくとも約８：１、更により好ましくは少なくとも約１０：１、及び更により好ましくは少なくとも約１５：１である。

ＮｉＣｒ（又は他の好適な材料）の単一層はまた、本発明の特定の例示的実施形態（例えば、図１（ｄ）及び図１（ｆ）の吸収体フィルム４２を参照されたい）の低Ｅコーティングされた吸収体フィルムとして使用され得るが、驚くべきことに、図１（ｉ）の吸収体フィルム（単一層又は多層、吸収体フィルム）中の銀５７を使用して、吸収体としてＮｉＣｒの単一層と比較していくつかの予想外の利点を提供することが見出された。第１に、吸収体としてのＮｉＣｒの単一層が、特定の低Ｅコーティングされた物品において黄色がかった着色を引き起こす傾向があり、特定の事例では望ましくない場合があることが見出されている。それに対し、驚くべきことに、吸収体フィルムに銀５７を使用することは、そのような黄色がかった着色を回避する、かつ／又は代わりに、得られたコーティングされた物品のより望ましい偏りのない着色を提供する傾向があることが見出されている。したがって、吸収体フィルムでの銀５７の使用は、改善された光学特性を提供することが見出されている。第２に、吸収体としてのＮｉＣｒ４２の単一層の使用はまた、ＮｉＣｒの両側に窒化ケイ素系層を提供することを伴い、それらの間にＮｉＣｒを直接挟み、接触させるのに役立つ。例えば、図１（ｄ）及び図１（ｆ）を参照されたい。コーティングスタックの特定の位置に窒化ケイ素を設けることは、ＨＴ時の熱安定性の低下をもたらし得ることが見出されている。それに対し、驚くべきことに、例えば、図１（ｉ）に示すように吸収体フィルムに銀を使用する場合、一対の直接隣接する窒化ケイ素層が必要とされないため、ＨＴでの熱安定性が改善され得ることが見出されている。したがって、吸収体フィルム中の銀５７の使用は、より低いΔＥ^*値、及び同じコーティングのＨＴバージョンと非ＨＴバージョンとの間の改善された整合性を含む改善された熱安定性を提供することが見出されている。吸収体フィルム中の銀の使用はまた、特定の状況で改善された製造性を提供し得る。

図１（ｉ）の吸収体フィルム５７、５９は、ＩＲ反射層７とＩＲ反射層１９との間の層スタックの中央部分に設けられているが、そのような吸収体フィルム５７、５９は、底部ＩＲ反射層７の下の、又は別の好適な位置にある層スタックの下部に代わりに設けることも可能である。例えば、図１（ｉ）の実施形態は、層５７及び層５９を層２と層３との間の位置に直接隣接して接触させることによって変更され得て、その結果、層２及び層５７は互いに接触し、層５９及び層３は互いに接触する。別の例として、図１（ｉ）の実施形態は、３つの連続する層３”／５７／５９をスタックの中央部分から図１（ｉ）の層２と層３との間の位置に移動させることによって変更され得て、その結果、層２及び層３”は互いに接触し、層５９及び層３は互いに接触する。しかしながら、驚くべきことに、図１（ｉ）に示すように、層スタックの中央部分に吸収体フィルム５７、５９を設けることによって、ＳＨＧＣ及びガラス側反射率などの光学特性が改善され得ることが見出されている。

図１（ｉ）は、（部分的又は完全に酸化された）ＮｉＣｒＯｘの又はそれを含む吸収体フィルムの層５９を示す。しかしながら、吸収体フィルムの層５９は、他の金属系材料（例えば、ＮｉＣｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒＯ_x、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｉＣｒＯＮ、ＮｉＣｒＭ、ＮｉＣｒＭｏＯ_x、Ｔｉ、又は他の好適な材料）であってもよいか、又はそれらを含んでもよい。

スズ酸亜鉛層１１及び／又は２３は、本明細書の任意の実施形態で、酸化スズ、酸化亜鉛、１～２０％のＳｎでドープされた酸化亜鉛（層３、３”、１３に関して本明細書の他の箇所で論じられている）などの他の材料（複数可）のそれぞれの層（複数可）で置き換えられ得ることに留意されたい。

本発明の異なる実施形態では、様々な厚さ及び材料が、層に使用され得るが、図１（ｉ）の実施形態におけるガラス基材１上のそれぞれの層の例示的な厚さ及び材料は、ガラス基材から外側に向かって、以下のとおりである。

本発明の特定の実施形態では、透明なモノリシックガラス基材（例えば、例示的な参照目的で、６ｍｍの厚さのガラス基材）上に設けられる本明細書の層系（例えば、図１（ａ）～図１（ｉ）を参照されたい）は、コーティングされた物品のガラス側から見たときに、熱処理前には、以下のような色を有する（ＲＧ％）（Ｉｌｌ．Ｃ、２度観測者）。

比較例１及び２
図１９は、第１の比較例（ＣＥ）のコーティングされた物品の断面図であり、図２３は、第１の比較例（ＣＥ）について、熱処理に起因する、Ａｇ（１１１）ピーク高さにおける比較的大きな１６６％の変化を示す、ＸＲＤ Ｌｉｎ（Ｃｐｓ）対２θスケールのグラフである。

第１の比較例コーティング（図１９を参照されたい）と、以下の実施例１～２４、２７～２８及び３０～３３との間の差は、第１の比較例におけるコーティングの最下部の誘電体スタックが、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄層と、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛系層と、から作製されていることである。スズ酸亜鉛層（Ｚｎ₂ＳｎＯ₄は、スズ酸亜鉛の形態である）の金属含量は、約５０％のＺｎ及び約５０％のＳｎ（重量％）であり、したがって、スズ酸亜鉛層は、非晶質形態でスパッタリング蒸着されている。第１のＣＥにおける最下部の誘電体スタックの全体的な厚さは、約４００～５００オングストロームであり、スズ酸亜鉛層が、その厚さの大部分を占めている。図２３は、第１の比較例（ＣＥ）について、熱処理中の銀層の構造における著しい変化を示す、約６５０℃での熱処理に起因するＡｇ（１１１）ピーク高さにおける比較的大きな１６６％の変化を示し、これは、比較例によって実現されるΔＥ^*値が４．０を上回ることと一貫性がある。したがって、第１のＣＥは、熱処理に起因するＡｇ（１１１）ピークの有意な変化及び４．０を上回る高いΔＥ^*値のため、望ましいものではなかった。第１の比較例とは対照的に、下記の実施例１～２４、２７～２８、及び３０～３３は、銀７、１９のすぐ下に接触する９０（Ｚｎ）／１０（Ｓｎ）若しくは８５（Ｚｎ）／１５（Ｓｎ）のうちのいずれかの金属含量を備えた結晶質又は実質的に結晶質の層３、１３を有し、著しく改善された／より低いΔＥ^*値を実現した。

第２の比較例（ＣＥ２）を、図３４～図３５に示す。図３４は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への比較例２（ＣＥ２）の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表である。ＣＥ２の層スタックは、本出願の図１（ｂ）に示されるものと同じであるが、ＣＥ２における最下部の誘電体層が、図１（ｂ）に示されるＳｉＺｒＯ_xの代わりに、窒化ケイ素（約８％のアルミニウムがドープされている）で作製されることを除く。したがって、ＣＥ２の下部の誘電体スタックは、この窒化ケイ素系層と、約１０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛層３と、のみから作製されている。ＣＥ２のコーティングの層の厚さは、図３４の右端の列にある。例えば、（Ａｒガス及びＮ₂ガスの雰囲気中でＳｉＡｌターゲットからスパッタリングされた）Ａｌがドープされた下部の窒化ケイ素系層は、ＣＥ２では１０．５ｎｍの厚さであり、下部の銀のすぐ下の約１０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛層３は、ＣＥ２では３２．６ｎｍの厚さなどとなる。

図３５では、ＣＥ２は、１２分間、１６分間及び２４分間の熱処理に起因する、４．０を上回る比較的高いガラス側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^* Ｒ_g）及びフィルム側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^* Ｒｆ）の問題を有することが理解できる。例えば、図３５は、ＣＥが、１２分間の熱処理に起因する、４．９という比較的高いガラス側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^* Ｒｇ）及び５．５という比較的高いフィルム側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^* Ｒｆ）を有することを示す。図３５は、左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、比較例２（ＣＥ２）の光学特性を示す表である。ＣＥ２のこれらの比較的高いΔＥ^*値は、望ましくない。

したがって、図３４～図３５における比較例２（ＣＥ２）は、約１０％のＳｎがドープされた結晶質又は実質的に結晶質の酸化亜鉛層３が、下部の銀層７のすぐ下に設けられた場合であっても、層３とガラス基材１との間の唯一の層が窒化ケイ素系層である場合には、望ましくないほどに高いΔＥ^*値が実現されることを示す。ＣＥ２のコーティングと以下の実施例１～２４、２７～２８、及び３０～３３との間の差は、以下の実施例１～２４、２７～２８、及び３０～３３が、驚くべきことに、また予想外なことに、約１０％若しくは１５％のＳｎがドープされた結晶質又は実質的に結晶質の酸化亜鉛層３のすぐ下に接触して配置される窒化ケイ素系層を有さないことにより、約１０％若しくは１５％のＳｎがドープされた結晶質又は実質的に結晶質の酸化亜鉛層３を使用して、はるかに改善された（低い）ΔＥ^*値を実現することができたことである。

以下の実施例１１～１４、１９～２１、及び２６～３３もまた、ＣＥ２の下部の窒化ケイ素系層をＳｉＺｒＯ_x又はＺｒＯ₂層２に置き換えることによって、予想外の様式でΔＥ^*値を劇的に改善／低下させることも示している。

実施例１～４８
驚くべきことに、また予想外なことに、図１９における比較例（ＣＥ）の最下部の誘電体スタック５、６（大部分が、蒸着された時点で非晶質であるスズ酸亜鉛層でできている）を、銀系層と接触する類似の厚さの結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３と、結晶質又は実質的に結晶質の層３のすぐ下の接触する窒化ケイ素系層なしで置き換えた場合（スタックの残りは、実質的に同じままである）、約６５０℃での熱処理に起因するΔＥ^*値が有意に低く、Ａｇ（１１１）ピーク高さの変化がはるかに小さい、はるかに熱安定性の生成物が得られたことが、見出された。実施例１～２４、２７～２８、及び３０～４８における結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３の金属含量は、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）（実施例１９の層１３に関する「８５」について８５％のＺｎ、及び１５％のＳｎの金属含量も参照されたい）であり、これが、実施例１～２４、２７～２８、３０～４８におけるＳｎドープ酸化亜鉛層３、１３が、結晶質又は実質的に結晶質の形態で（ＣＥにおける非晶質形態とは対照的に）スパッタリング蒸着されるのを可能にするのに役立った。例えば、図２０は、実施例１０の層スタックを示し、図２１は、実施例１０のスパッタリング蒸着条件及び層厚さを示し、図２２は、実施例１０に関して、約６５０℃での熱処理に起因するＡｇ（１１１）ピーク高さの変化がはるかに小さい６６％であったことを示し、これは、実施例１～２４、２７～２８、及び３０～３３によって実現されるはるかに低いΔＥ^*値と一貫性がある。図１６はまた、実施例８に関して、熱処理時の比較的小さな屈折率（ｎ）シフトを示す。

例示的なコーティングされた物品（それぞれ、アニーリング及び熱処理されている）である実施例１～４８を、本発明の特定の例示的実施形態に従って作製した。示される例示的なコーティング３０は、スパッタリング条件（例えば、ガスフロー、電圧及び電力）、スパッタリングターゲットにより、並びに図２、図３、図６、図７、図９、図１１、図１３、図１５、図２１、図２４～図２６、図２８、図３０、図３２及び図３６～図５７に示される層厚さ（ｎｍ）に、スパッタリング蒸着した。例えば、図２は、実施例１のコーティングのスパッタリング条件、スパッタリング蒸着に使用されるスパッタリングターゲット及び層厚さを示し、図３は、実施例２のコーティングのスパッタリング条件、スパッタリング蒸着に使用されるスパッタリングターゲット及び層厚さを示し、図６は、実施例３のコーティングのスパッタリング条件、スパッタリング蒸着に使用されるスパッタリングターゲット及び層厚さを示し、図７は、実施例４のコーティングのスパッタリング条件、スパッタリング蒸着に使用されるスパッタリングターゲット及び層厚さを示すなどである。一方で、示される実施例のデータは、可視光透過（ＴＹ又はＴ_vis）、ガラス側可視光反射率（Ｒ_gＹ又はＲＧＹ）、フィルム側可視光反射率（Ｒ_fＹ又はＲＦＹ）、ａ^*及びｂ^*色値、Ｌ^*値並びにシート抵抗（ＳＲ又はＲ_s）を含み、図４、図５、図８、図１０、図１２、図１４、図１８、図２７、図２９、図３１、図３３及び図３６～図５６に示されている。上述のように、ΔＥ^*値を、所与の例について、熱処理前及び後に得られたＬ^*値、ａ^*値及びｂ^*値を使用して計算する。例えば、ガラス側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^* _G又はΔＥ^* Ｒ_g）を、所与の例について、熱処理前及び後に得られたガラス側反射Ｌ^*値、ａ^*値及びｂ^*値を使用して計算する。別の例として、フィルム側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^* _F又はΔＥ^* Ｒ_f）を、所与の例について、熱処理前及び後に得られたガラス側反射Ｌ^*値、ａ^*値及びｂ^*値を使用して計算する。別の例として、透過ΔＥ^*値（ΔＥ^* _T）を、所与の例について、熱処理前及び後に得られたガラス側反射Ｌ^*値、ａ^*値及びｂ^*値を使用して計算する。

図４、図５、図８、図１０、図１２、図１４及び図１８における約３ｍｍの厚さのガラス基材を有する例について、「ＨＴ」は、６５０度で約８分間の熱処理を指し、「ＨＴＸ」は、６５０度で約１２分間の熱処理を指し、「ＨＴＸＸＸ」は、６５０度で約２０分間の熱処理を指す。また、図４、図５、図８、図１０、図１２、図１４、図１８、図２７、図２９、図３１、図３３及び図３６～図５６における約６ｍｍの厚さのガラス基材を有する例については、「ＨＴ」は、６５０度で約１２分間の熱処理を指し、「ＨＴＸ」は、６５０度で約１６分間の熱処理を指し、「ＨＴＸＸＸ」は、６５０度で約２４分間の熱処理を指す。熱処理の温度及び時間は、基準目的（例えば、異なる焼戻し及び／又は熱屈曲プロセスの例をシミュレートするため）のものにすぎない。

図４及び図５は、例えば、それぞれ、実施例１及び２のΔＥ^*値を示す。実施例１のデータは、例示及び説明の目的で以下に詳細に説明され、その考察はまた、実施例２～３３のデータにも適用される。

図４に示されるように、コーティングされた時点（熱処理前）の実施例１は、７４．７％の可視光透過（ＴＹ又はＴ_vis）、８９．３の透過Ｌ^*値、－４．７の透過ａ^*色値、５．８の透過ｂ^*色値、９．６％のガラス側反射率（Ｒ_gＹ）、３７．１のガラス側反射Ｌ^*値、－１．１のガラス側反射ａ^*色値、－１０．１のガラス側反射ｂ^*色値、９．９％のフィルム側反射率（Ｒ_fＹ）、３７．７のフィルム側反射Ｌ^*値、－１．５のフィルム側反射ａ^*色値、－５．７のフィルム側反射ｂ^*色値、２．０９オーム／スクエアのシート抵抗（ＳＲ）を有していた。図２は、実施例１の層の厚さを示す。特に、図２は、実施例１の層厚さが以下のとおりであることを示す。ガラス／結晶質ＳｎドープＺｎＯ（４７．０ｎｍ）／Ａｇ（１５．１ｎｍ）／ＮｉＣｒＯ_x（４．１ｎｍ）／非晶質スズ酸亜鉛（７３．６ｎｍ）／結晶質ＳｎドープＺｎＯ（１７．７ｎｍ）／Ａｇ（２３．２ｎｍ）／ＮｉＣｒＯ_x（４．１ｎｍ）／非晶質スズ酸亜鉛（１０．８ｎｍ）／アルミニウムがドープされた窒化ケイ素（１９．１ｎｍ）。

次に、厚さ６ｍｍのガラス基材１を有する実施例１のコーティングされた物品を、熱処理した。図４に示されるように、６５０℃で約１２分間の熱処理後の実施例１は、７７．０％の可視光透過（ＴＹ又はＴ_vis）、９０．３の透過Ｌ^*値、－３．５の透過ａ^*色値、４．９の透過ｂ^*色値、９．８％のガラス側反射率（Ｒ_gＹ）、３７．５のガラス側反射Ｌ^*値、－０．７のガラス側反射ａ^*色値、－１０．５のガラス側反射ｂ^*色値、１０．２％のフィルム側反射率（Ｒ_fＹ）、３８．１のフィルム側反射Ｌ^*値、－１．４のフィルム側反射ａ^*色値、－８．０のフィルム側反射ｂ^*色値、１．７５のシート抵抗（ＳＲ）、１．８の透過ΔＥ^*値、０．７のガラス側反射ΔＥ^*値、２．４のフィルム側反射ΔＥ^*値を有していた。

実施例１のこれらのΔＥ^*値（及び実施例２～４８のΔＥ^*値も同様）は、背景技術において考察された先行技術のΔＥ^*値よりも、また上記で考察された比較例（ＣＥ）の４．０を上回る値と比較して、はるかに改善されている（著しく低い）ことが理解されるであろう。したがって、実施例から得られたデータは、例えば、比較例の最下部の誘電体スタックを、類似の厚さの少なくとも結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層と、結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３のすぐ下の接触する窒化ケイ素系層なしで置き換えた場合（スタックの残りは、実質的に同じままである）、熱処理に起因するΔＥ^*値が著しく低く、Ａｇ（１１１）ピーク高さの変化がはるかに小さい、はるかに熱安定性の生成物が得られたことを示す。

他の実施例は、比較例と比較して、これらの同じ予想外の結果を示す。概して、実施例は、結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層、及び／又はＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ_x、ＳｉＯ₂の若しくはそれらを含む層（複数可）２、２”がΔＥ^*値を著しく改善したことを示す。例えば、実施例１～１０は、概ね図１（ａ）によって示される層スタックを有し、下部の銀の下の唯一の誘電体層が、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）の金属含量を有する結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３である。実施例１１～１４、１９～２４、２７～２８では、ＳｉＺｒＯ_x層２のすぐ上にある結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３の金属含量は、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）であり、層２の金属含量は、約８５％のＳｉ及び１５％のＺｒ（原子％）である。実施例３０～４８では、結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３は、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）であり、図１（ｉ）及び図５２に示すように、ＺｒＯ₂層２上に直接設けられた。実施例１５～１６では、ＺｒＯ₂層２のすぐ上にある結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３の金属含量は、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）であり、実施例１７～１８では、約８％のＡｌ（原子％）がドープされたＳｉＯ₂層２のすぐ上にある結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３の金属含量は、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）であった。これらの例は、驚くべきことに、また予想外なことに、比較例１～２と比較してはるかに改善されたΔＥ^*値を実現した。

実施例１～１０の層スタックは、概ね図１（ａ）によって示される。実施例１１～１４、１９、及び２７の層スタックは、概ね図１（ｂ）によって示され、層２は、ＳｉＺｒＯ_xである。実施例１５～１６の層スタックは、概ね図１（ｂ）によって示され、層２は、ＺｒＯ₂である。実施例１７～１８の層スタックは、概ね図１（ｂ）によって示され、層２は、ＳｉＯ₂である。実施例２０～２１及び２８の層スタックは、概ね図１（ｅ）によって示され、層２及び２”は、ＳｉＺｒＯ_xである。実施例２３～２４の層スタックは、概ね図１（ｆ）によって示され、層２及び２”は、ＳｉＺｒＯ_xである。実施例２５の層スタックは、概ね図１（ｇ）によって示され、層２及び２”は、ＳｉＺｒＯ_xである。実施例２２の層スタックは、概ね図１（ｄ）によって示され、層２は、ＳｉＺｒＯ_xである。実施例２６の層スタックは、概ね図１（ｈ）によって示され、層２及び２”は、ＳｉＺｒＯ_xであり、酸化物層３’は、９０％のＺｎ及び１０％のＳｎの金属含量を有し、酸化物層３、１３は、約４～８％のＡｌでドープされた酸化亜鉛である。実施例２９の層スタックは、層２”が実施例２９では存在しないことを除いて、概ね図１（ｈ）によって示され、層２はＳｉＺｒＯ_xであり、酸化物層３’は９０％のＺｎ及び１０％のＳｎの金属含有量を有し、酸化物層３、１３は約４～８％のＡｌでドープされた酸化亜鉛である。実施例３０～４８の層スタックは、概ね図１（ｉ）及び図５２によって示され、層２及び２”は、ＺｒＯ₂である。これらの例は、驚くべきことに、また予想外なことに、比較例１～２と比較してはるかに改善されたΔＥ^*値を実現した。これらの実施例は、結晶質若しくは実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層（複数可）（例えば、層３及び／又は１３）、及び／又はＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ_x、ＳｉＯ₂の若しくはそれらを含む誘電体層（複数可）２、２”が、ΔＥ^*値を著しく改善／低下させることを示す。

例えば、実施例２３～２４（図１（ｆ）に示すように、コーティングの中央誘電体部分にＳｉＺｒＯ_x層２”を追加）を実施例２２（図１（ｄ）に示すように、中央誘電体部分にそのような層２”がない）と比較すると、実施例２３～２４でのＳｉＺｒＯ_x層２”の追加により、少なくともガラス側反射ΔＥ^*値が予想外に改善／低下したことを示し、かつ証明する。したがって、ＳｉＺｒＯ_x層２”の追加は、予想外の結果を提供することが理解されるであろう。

更に、実施例２８（図１（ｅ）に示すように、コーティングの中央誘電体部分にＳｉＺｒＯ_x層２”を追加）を実施例２７（図１（ｂ）に示すように、中央誘電体部分にそのような層２”がない）と比較すると、実施例２８でのＳｉＺｒＯ_x層２”の追加により、ガラス側反射ΔＥ^*値が予想外に改善／低下したことを更に示し、かつ証明する。したがって、ＳｉＺｒＯ_x又はＺｒＯ₂層２”の追加が、熱安定性の改善に関して予想外の結果を提供することが、再び理解されるであろう。

実施例３０～４８は、概ね、吸収体フィルム５７、５９を含む、図１（ｉ）及び図５２によって示され、これらの実施例では、層２及び２”は、ＺｒＯ₂である。これらの例は、驚くべきことに、また予想外なことに、比較例１～２と比較してはるかに改善されたΔＥ^*値を実現した。実施例３０～４８は、結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層（例えば、層３及び／又は１３）、及びＺｒＯ₂の又はそれを含む誘電体層（複数可）２、２”が、予想外の様式で、ΔＥ^*値を著しく改善／低下させることを示している。実施例３０～４８は、銀含有層５７及びＮｉＣｒＯ_x含有層５９を含む吸収体フィルムを提供することによって、得られるコーティングされた物品の熱安定性又は所望の色を犠牲にすることなく、可視光透過を望ましい値に調整するのを可能にすることを更に示している。例えば、図１（ｉ）に示すように、Ａｇ／ＮｉＣｒＯ_x吸収体フィルム（５７、５９）を用いた実施例３０～４８は、単一のＮｉＣｒ層吸収体を利用した実施例２３～２４と比較して、驚くほど偏りのないガラス側反射ｂ^*値（Ｒｇ ｂ^*又はＲ－ｏｕｔ ｂ^*）値を有する。

実施例３４～４２及び４８を比較例（ＣＥ）４３～４７と比較すると、驚くべきことに、また予想外なことに、実施例３４～４２及び４８の単斜晶相結晶構造を含むように、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ジルコニウム酸窒化物、ケイ素ジルコニウム酸化物、及び／若しくはケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層（複数可）２及び／又は２”を最初にスパッタリング蒸着することは、それが熱処理（ＨＴ）時のコーティングされた物品の改善された熱安定性（より低いΔＥ^*値）及び／又は可視光透過（例えば、Ｔ_vis又はＴＹ）の変化の低減をもたらすという点で有利であることが見出されていることが理解できる。一般的に述べると、やはり本発明の特定の例示的実施形態によるものであり得るＣＥ４３～４７は、単斜晶ＺｒＯ₂層２、２”を有し、したがってΔＥ^*値が改善／低下した実施例３４～４２及び４８と比較して、非単斜晶ＺｒＯ₂層２、２”による、あまり好ましくない（より高い）ΔＥ^*値を有していた。特定の例示的実施形態では、特定のスパッタリング装置に関連して、誘電体層（例えば、ＺｒＯ₂）２及び／又は２”の単斜晶相（例えば、図５１の上部グラフのｍ－ＺｒＯ₂ピークを参照されたい）は、実施例３４～４２のように、その層のスパッタリング蒸着処理中にその層に高い酸素ガス流量を使用し、金属スパッタリングターゲット（例えば、金属Ｚｒターゲット又はＳｉＺｒターゲット）を使用することによって得ることができる（例えば、図５５を参照されたい）。この点で、図５１は、ＨＴの前及び後の金属Ｚｒターゲット（上部グラフ）及びセラミックＺｒＯ_xターゲット（下部グラフ）を使用するＺｒＯ₂層をスパッタリング蒸着させるためのグラフを示し、高いガス流による金属ターゲット（例えば、図５５を参照されたい）が使用されたとき、層が単斜晶相を含み（ｍ－ＺｒＯ₂でのピークを参照されたい）、この特定の状況でセラミックターゲットが使用されたときに含まないことを示す。しかしながら、層２及び／又は２”の単斜晶相は、使用されるスパッタリング装置のタイプに応じて、低い又は高い酸素ガス流量で、実施例４８でのようなセラミックターゲットを使用してスパッタリング蒸着する場合、実際に達成され得ることが見出されていることに留意されたい。

図５２（図１（ｉ）も参照されたい）は、実施例３４～４２、４８、及び比較例（ＣＥ）４３～４７によるコーティングされた物品の断面図である。図５３は、実施例３４～４２の光学データを示し、各実施例の左端のデータ列に熱処理前のコーティングされた（ＡＣ、アニーリングされた）時点、及び各実施例の右データ列に６５０℃（ＨＴ）での１２分間の熱処理後の光学データを示し、実施例３４～４２は、金属Ｚｒターゲットで蒸着した単斜晶ＺｒＯ₂層２及び２”を有する図１（ｉ）及び図５２に示すようなコーティングスタックを有し、実施例３４～４２の層厚さは、図５５に示すとおりである。試料７９８２は実施例３４であり、試料８０７７は実施例３５であり、試料８０８５は実施例３６であり、試料８０９０は実施例３７であり、試料８０９１は実施例３８であり、試料８０９７は実施例３９であり、試料８１８６は実施例４０であり、試料８１８７は実施例４１であり、試料８２０２は実施例４２である。図５５は、単斜晶ＺｒＯ₂を有する実施例３７の蒸着処理条件及び層厚さを示す表である。各層のスパッタリング処理中の総酸素流量（ｍＬ）は、Ｏ₂設定値、Ｏ₂チューン、及びＯ₂オフセットの合計によって示され、ＺｒＯ₂層のスパッタリング蒸着中の高い酸素ガス流は、実施例３７のＺｒＯ₂層２及び２”の単斜晶相を提供するのに役立つ（単斜晶実施例３４～３６及び３８～４２は、同様の処理条件を有した）。図５２及び図１（ｉ）の実施形態では、例えば、中央ＺｒＯ₂層２”が、特定の例示的事例では省略され得ることに留意されたい。

図５７は、単斜晶ＺｒＯ₂層２（層２”が省略されている）を有する実施例４８の蒸着処理条件及び層厚さを示す表であり、単斜晶相を有するＺｒＯ層２は、セラミックＺｒＯ₂ターゲットを使用してスパッタリング蒸着された。実施例４８の層スタックを図１（ｉ）及び図５２（層２”が省略されている）に示し、それぞれの層厚さを図５７に示す。図５８は、様々な熱処理時間後の実施例４８によるコーティングのΔＥ^*値を示し、図５９は、実施例４８によるコーティングの光学データ及びシート抵抗データを示す。

図５４は、比較例（ＣＥ）４３～４７の光学データを示し、各比較例の左端のデータ列に熱処理前のコーティングされた（ＡＣ、アニーリングされた）時点、及び各比較例の右データ列に６５０℃（ＨＴ）での１２分間の熱処理後の光学データを示し、比較例４３～４７は、セラミックターゲットで蒸着した非単斜晶ＺｒＯ₂層を有する図１（ｉ）及び図５２に示すようなコーティングスタックを有し、比較例４３～４７の層厚さは図５６に示すとおりである。試料８３９２はＣＥ４３であり、試料８３９４はＣＥ４４であり、試料８３９５はＣＥ４５であり、試料８３９６はＣＥ４６であり、試料８３９７はＣＥ４７である。図５６は、非単斜晶ＺｒＯ₂層２及び２”を有する比較例（ＣＥ）４４の蒸着処理条件及び層厚さを示す表である。各層のスパッタリング処理中の総酸素流量（ｍＬ）は、Ｏ₂設定値、Ｏ₂チューン、及びＯ₂オフセットの合計によって示され、セラミックＺｒＯ_xターゲットによるＺｒＯ₂層のスパッタリング蒸着中の低い酸素ガス流は、実施例４４のＺｒＯ₂層の非単斜晶相を提供するのに役立つ（非単斜晶実施例４３及び４５～４７は、同様の処理条件を有した）。

実施例３４～４２、４８を比較例（ＣＥ）４３～４７と比較すると、蒸着された時点での単斜晶ＺｒＯ₂層２及び２”を用いた実施例３４～４２、４８が、より低い／良好なΔＥ^*値を実現し、したがって、非単斜晶相ＺｒＯ₂層２及び２”を有していた実施例４３～４７よりもＨＴ時の熱安定性及び色整合性を改善したことが理解できる。

ガラスコーティングの分野において、特に、コーティングされたガラスの特性及び太陽光管理特性を定義するときに、特定の用語が、主として使用されている。そのような用語は、それらの周知の意味に従って本明細書に使用されている。例えば、本明細書に使用される場合、
反射される可視波長光の強度、すなわち「反射率」は、そのパーセンテージによって定義され、Ｒ_xＹ又はＲ_x（すなわち、以下のＡＳＴＭ Ｅ－３０８－８５において引用されるＹ値）として報告され、「Ｘ」は、ガラス側の「Ｇ」又はフィルム側の「Ｆ」のいずれかである。「ガラス側」（例えば、「Ｇ」又は「ｇ」）は、ガラス基材の側面から見たときに、コーティングが存在する側面とは反対側を意味し、「フィルム側」（すなわち、「Ｆ」又は「ｆ」）は、ガラス基材の側面から見たときに、コーティングが存在する側を意味する。

色特性は、本明細書において、ＣＩＥ ＬＡＢ ａ^*、ｂ^*座標及びスケール（すなわち、ＣＩＥ ａ^*ｂ^*図、Ｉｌｌ．ＣＩＥ－Ｃ、２度観測者））を使用して、測定され、報告される。Ｈｕｎｔｅｒ Ｌａｂスケールの従来の使用を示すための下付き文字「ｈ」によるもの、又はＩｌｌ．ＣＩＥ－Ｃ、１０°観測者又はＣＩＥ ＬＵＶ ｕ^*ｖ^*座標など、他の同様の座標が、同等に使用されてもよい。これらのスケールは、本明細書において、ＡＳＴＭ Ｅ－３０８－８５，Ａｎｎｕａｌ Ｂｏｏｋ ｏｆ ＡＳＴＭ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ，Ｖｏｌ．０６．０１ 「Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ ｔｈｅ Ｃｏｌｏｒｓ ｏｆ Ｏｂｊｅｃｔｓ ｂｙ １０ Ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ＣＩＥ Ｓｙｓｔｅｍ」によって補足されるＡＳＴＭ Ｄ－２２４４－９３「Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｔｅｓｔ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｌｏｒ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅｓ Ｆｒｏｍ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｌｌｙ Ｍｅａｓｕｒｅｄ Ｃｏｌｏｒ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅｓ」９／１５／９３に従って及び／又はＩＥＳ ＬＩＧＨＴＩＮＧ ＨＡＮＤＢＯＯＫ １９８１ Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｖｏｌｕｍｅに報告されているように、定義される。

可視光透過率は、既知の従来の技法を使用して測定することができる。例えば、Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｌａｍｂｄａ ９００又はＨｉｔａｃｈｉ Ｕ４００１などの分光光度計を使用することにより、透過のスペクトル曲線が得られる。次いで、前述のＡＳＴＭ ３０８／２２４４－９３の手法を使用して、可視光透過を計算する。所望される場合、所定よりも少ない数の波長点を用いてもよい。可視光透過率を測定するための別の技法は、Ｐａｃｉｆｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって製造されている市販入手可能なＳｐｅｃｔｒｏｇａｒｄ分光光度計などの分光計を用いることである。この装置は、可視光透過率を直接測定し、報告する。本明細書において報告及び測定される場合、可視光透過率（すなわち、ＣＩＥ三刺激系におけるＹ値、ＡＳＴＭ Ｅ－３０８－８５）並びにａ^*値、ｂ^*値及びＬ^*値並びにガラス側／フィルム側反射率値は、本明細書では、Ｉｌｌ．Ｃ．２度観測者標準を使用する。

本明細書に使用される別の用語は、「シート抵抗」である。シート抵抗（Ｒｓ）は、当技術分野において周知の用語であり、その周知の意味に従って本明細書に使用される。これは、本明細書では、スクエア毎オームの単位で報告される。一般的に述べると、この用語は、ガラス基材上の層系の任意の大きさの正方形について、層系に流れる電流に対する抵抗を、オーム単位で指す。シート抵抗は、層又は層系がどのくらい良好に赤外線エネルギーを反射しているかの指標であり、したがって、多くの場合、この特性の尺度として放射率とともに使用される。「シート抵抗」は、例えば、Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｃｏｒｐ．のヘッドを有する分配可能な４端子抵抗性プローブ、Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ，ＣａｌｉｆｏｒｎｉａのＳｉｇｎａｔｏｎｅ Ｃｏｒｐ．によって製造されたモデルＭ－８００などの４端子プローブのオーム計を使用することによって、便宜的に測定することができる。

本明細書に使用される場合、「熱処理（heat treatment）」及び「熱処理する（heat treating）」という用語は、コーティングされた物品を含めたガラスの熱焼戻し、熱屈曲及び／又は熱強化を達成するのに十分な温度まで、物品を加熱することを意味する。この定義は、例えば、コーティングされた物品を、オーブン又は炉内で、少なくとも約５８０℃、より好ましくは少なくとも約６００℃、６５０℃を含む温度で、焼戻し、屈曲及び／又は熱強化を可能にするのに十分な期間、加熱することを含む。特定の例では、熱処理は、本明細書に考察されるように、少なくとも約８分間以上であってもよい。

本発明の例示的実施形態では、ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品が提供されており、コーティングは、ガラス基材上に設けられる、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層と、ガラス基材上に配置され、かつ約１～３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層であって、窒化ケイ素系層は、約１～３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ下に接触して配置されていない、第１の赤外線（ＩＲ）反射層と、単斜晶相を有し、及びジルコニウムの酸化物（例えば、ＺｒＯ₂）を含み、また任意選択的にＳｉなどの他の元素（複数可）を更に含む、少なくとも１つの誘電体層であって、ジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層は、（１）少なくともガラス基材と、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質若しくは実質的に結晶質の層との間、かつ／又は（２）少なくとも銀を含む第１のＩＲ反射層と、コーティングの銀を含む第２のＩＲ反射層との間に位置している、誘電体層と、任意選択的に、銀を含む層を含む吸収体フィルムであって、銀を含む第１のＩＲ反射層の物理的厚さと吸収体フィルムの銀を含む層の物理的厚さとの比は、少なくとも５：１（より好ましくは少なくとも８：１、更により好ましくは少なくとも１０：１、及び最も好ましくは少なくとも１５：１）である、吸収体フィルムと、を含み、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値、のうちの少なくとも２つを有するように構成されている。

直前の先行する段落に記載のコーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値の３つすべてを有するように構成されてもよい。

先行する２つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、ジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層は、少なくとも、ガラス基材と、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層との間に配置されてもよい。

先行する３つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、ジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層は、少なくとも、少なくとも銀を含む第１のＩＲ反射層と、コーティングの銀を含む第２のＩＲ反射層との間に配置されてもよい。

先行する４つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、ジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層は、ジルコニウムの酸化物を含む第１の層及びジルコニウムの酸化物を含む第２の層の両方を含んでもよく（それぞれがＳｉなどの追加の元素（複数可）を更に含んでもよい）、第１の層は、少なくとも、ガラス基材と、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層との間に配置されてもよく、第２の層は、少なくとも、銀を含む第１のＩＲ反射層と、コーティングの銀を含む第２のＩＲ反射層との間に配置されてもよい。

先行する５つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、少なくとも１つの誘電体層は、ジルコニウムの酸化物及び／若しくはケイ素とジルコニウムの酸化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x）を含んでもよいか、又は本質的にそれからなっていてもよい。例えば、ケイ素とジルコニウムの酸化物を含む誘電体層は、５１～９９％のＳｉ及び１～４９％のＺｒ、より好ましくは７０～９７％のＳｉ及び３～３０％のＺｒ（原子％）の金属含量を有してもよい。

先行する６つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、少なくとも１つの誘電体層は、ＺｒＯ₂を含んでもよい。

先行する７つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、約１～２０％のＳｎ、より好ましくは約５～１５％のＳｎ（重量％）がドープされていてもよい。

先行する８つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、Ｓｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、スパッタリング蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質であってもよい。

先行する９つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、２．５以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、２．５以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のすべてを有するように構成されてもよい。

先行する１０個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理に起因する、２．３以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理に起因する、２．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されてもよい。

先行する１１個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品は、コーティングが、２０オーム／スクエア以下、より好ましくは１０オーム／スクエア以下、及び最も好ましくは２．５オーム／スクエア以下のシート抵抗（Ｒ_s）を有し得るように構成されてもよい。

先行する１２個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、少なくとも３５％、より好ましくは少なくとも５０％、より好ましくは少なくとも６８％の可視光透過を有してもよい。

先行する１３個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、蒸着された時点のコーティングは、ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む第１のＩＲ反射層の上に配置される、スズ酸亜鉛を含む第１の非晶質又は実質的に非晶質の層を更に含んでもよい。スズ酸亜鉛を含む第１の非晶質又は実質的に非晶質の層は、約４０～６０％のＺｎ及び約４０～６０％のＳｎ（重量％）の金属含量を有し得る。

先行する１４個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、コーティングは、銀を含む第１のＩＲ反射層の上に直接接触して配置される接触層を更に含んでもよい。接触層は、Ｎｉ及び／又はＣｒを含んでもよく、酸化されかつ／若しくは窒化されていてもよいか、又はされていなくてもよい。

先行する１５個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、コーティングは、ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む第１のＩＲ反射層の上に配置される、銀を含む第２のＩＲ反射層と、銀を含む第２のＩＲ反射層の下に直接接触して配置される、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第２の結晶質又は実質的に結晶質の層と、を更に含んでもよく、窒化ケイ素系層は、ガラス基材と、銀を含む第２のＩＲ反射層との間に配置される必要はない。

先行する１６個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、コーティングは、ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む第２のＩＲ反射層の上に配置される、スズ酸亜鉛を含む、蒸着された時点で非晶質又は実質的に非晶質の層を更に含んでもよい。蒸着された時点で非晶質又は実質的に非晶質である、スズ酸亜鉛を含む非晶質又は実質的に非晶質の層は、約４０～６０％のＺｎ及び約４０～６０％のＳｎ（重量％）の金属含量を有してもよい。特定の例示的実施形態では、コーティングは、少なくとも、スズ酸亜鉛を含む非晶質又は実質的に非晶質の層の上に配置される、窒化ケイ素を含む層を更に含んでもよい。

先行する１７個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品は、熱焼戻しされていてもよい。

先行する１８個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品は、ガラス基材と第１のＩＲ反射層との間に位置する金属又は実質的に金属の吸収体層を更に含んでもよい。吸収層は、窒化ケイ素を含む第１の層と第２の層との間に挟まれて接触していてもよい。吸収体層は、Ｎｉ及びＣｒ（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＭｏ）、又はＮｂＺｒなどの任意の他の好適な材料を含んでもよい。（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）のうちの少なくとも１つを含む誘電体層は、少なくとも吸収体層と、酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層との間に配置されてもよい。

先行する１９個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、ジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層は、０～２０％の窒素、より好ましくは０～１０％の窒素、及び最も好ましくは０～５％の窒素（原子％）を含んでもよい。

先行する２０個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、吸収体フィルムは、吸収体層の銀を含む層の上に直接接触して配置される、Ｎｉ及び／又はＣｒの酸化物を含む層を更に含んでもよい。

先行する２１個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、吸収体フィルムは、第１のＩＲ反射層の上に配置されてもよく、その結果、第１のＩＲ反射層は、少なくとも吸収体フィルムとガラス基材との間に配置される。

先行する２２個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、銀を含む第１のＩＲ反射層の物理的厚さと吸収体フィルムの銀を含む層の物理的厚さとの比は、少なくとも８：１、より好ましくは少なくとも１０：１、及び更により好ましくは少なくとも１５：１であり得る。

先行する２３個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、吸収体フィルムの銀を含む層は、３０Å未満の厚さ、より好ましくは２０Å未満の厚さ、及び更により好ましくは１５Å未満の厚さであり得る。

先行する２４個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、コーティングされた物品は、熱焼戻しされる必要はない。

先行する２５個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、単斜晶相を有し、及びジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層は、酸化ジルコニウムを含む２つのそのような層を含んでもよく、（１）少なくともガラス基材と、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質若しくは実質的に結晶質の層との間、及び（２）少なくとも、銀を含む第１のＩＲ反射層と、吸収体フィルムとの間の両方に位置してもよい。

先行する２６個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層は、０～５％の窒素（原子％）を含んでもよい。

先行する２７個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層は、ジルコニウムの酸化物（例えば、ＺｒＯ₂）を含んでもよく、任意選択的にＳｉを更に含んでもよい。

先行する２７個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層は、ジルコニウムの酸化物から本質的になってもよい。

先行する２８個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層は、当該基準熱処理時に少なくとも０．２５ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現する、より好ましくは当該基準熱処理時に少なくとも０．３０ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現する、及び最も好ましくは当該基準熱処理時に少なくとも０．３５ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現するように構成されてもよい。

先行する２９個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層は、ジルコニウムの酸化物を含んでもよく、少なくとも８０％のＺｒの金属含量を有してもよい。

先行する３０個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層は、ジルコニウムの酸化物を含んでもよく、並びに／又は４０～２５０Å、より好ましくは４０～１７０Å、及び最も好ましくは８０～１４０Åの厚さを有してもよい。

先行する３１個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に１．５以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に１．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つ又は３つを有するように構成されてもよい。

先行する３２個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品は、モノリシック窓として、又は別のガラス基材に結合されたＩＧ窓ユニットに提供されてもよい。

先行する３３個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品では、単斜晶相を含む少なくとも１つの誘電体層は、基準熱処理の前及び／又は後に正方晶相を更に含んでもよい。

例示的実施形態では、ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品の製造方法が提供され、本方法は、ガラス基材上に亜鉛を含む層をスパッタリング蒸着させることと、ガラス基材上に、酸化亜鉛を含む層の上に接触する、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層をスパッタリング蒸着させることと、ガラス基材上に単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層（例えば、ＺｒＯ₂などのジルコニウムの酸化物）をスパッタリング蒸着することであって、単斜晶相を有する誘電体層は、ジルコニウムの酸化物を含む（かつ、Ｓｉなどの他の元素（複数可）を更に含んでもよい）、スパッタリング蒸着することと、を含み、単斜晶相を有し、及びジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層は、（１）少なくともガラス基材と、酸化亜鉛を含む層との間、かつ／又は（２）少なくとも、銀を含む第１のＩＲ反射層と、コーティングの銀を含む第２のＩＲ反射層との間に位置しており、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されている。Ｔ
直前の先行する段落に記載の方法では、ガラス基材上に単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層の当該スパッタリング蒸着は、少なくとも６ｍＬ／ｋＷ、より好ましくは少なくとも８又は１０ｍＬ／ｋＷの酸素ガス流量を使用してもよい。

先行する２つの段落のうちのいずれかに記載の方法では、単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層は、ＺｒＯ₂を含んでもよく、Ｓｉを更に含んでもよい。

先行する３つの段落のうちのいずれかに記載の方法では、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に１．５以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に１．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つ又は３つすべてを有するように構成されてもよい。

先行する４つの段落のうちのいずれかに記載の方法は、当該基準熱処理を介して、コーティングされた物品を熱処理することを更に含んでもよく、その結果、単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層は、当該基準熱処理時に少なくとも０．２５ｇ／ｃｍ³、より好ましくは少なくとも０．３０ｇ／ｃｍ³、及び最も好ましくは少なくとも０．３５ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現する。

先行する５つの段落のうちのいずれかに記載の方法では、ガラス基材上の単斜晶相を有する少なくとも１つの誘電体層の当該スパッタリング蒸着は、金属ターゲット又はセラミックターゲットを使用してもよい。先行する６つの段落のうちのいずれかに記載の方法では、単斜晶相を含む当該少なくとも１つの誘電体層は、当該基準熱処理の前及び／又は後に正方晶相を更に含んでもよい。

先行する７つの段落のうちのいずれかに記載の方法では、単斜晶相を含む少なくとも１つの誘電体層は、当該基準熱処理時に低減する、その単斜晶ピークを有するように構成されてもよい。

上記の開示を考慮すると、多くのその他の特徴、修正及び改善が、当業者には明らかになるであろう。したがって、そのような他の特徴、修正及び改善は、本発明の一部であると見なされ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定されるべきである。

Claims (62)

1. ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、前記コーティングは、
   前記ガラス基材上に設けた、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む、第１の結晶質又は実質的に結晶質の層と、
   前記ガラス基材上に配置され、かつ約１～３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層であって、
   窒化ケイ素系層が、約１～３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ下に接触して配置されない、第１のＩＲ反射層と、
   単斜晶相を有し、かつジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層であって、
   単斜晶相を有し、及び前記ジルコニウムの酸化物を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、（１）少なくとも前記ガラス基材と、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質若しくは実質的に結晶質の層との間、かつ／又は（２）少なくとも銀を含む前記第１のＩＲ反射層と、前記コーティングの銀を含む第２のＩＲ反射層との間に位置している、誘電体層と、
   銀を含む層を含む吸収体フィルムであって、銀を含む前記第１のＩＲ反射層の物理的厚さと前記吸収体フィルムの銀を含む前記層の物理的厚さとの比は、少なくとも５：１であり、前記吸収体フィルムの銀を含む前記層は、前記第１のＩＲ反射層に直接接触しない、吸収体フィルムと、を含み、
   前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されている、コーティングされた物品。
2. 前記吸収体フィルムは、前記吸収体フィルムの銀を含む前記層の上に直接接触して位置するＮｉ及び／又はＣｒの酸化物を含む層を更に含む、請求項１に記載のコーティングされた物品。
3. 前記吸収体フィルムは、前記第１のＩＲ反射層の上に位置し、その結果、前記第１のＩＲ反射層は、少なくとも前記吸収体フィルムと前記ガラス基材との間に位置する、請求項１又は２に記載のコーティングされた物品。
4. 銀を含む前記第１のＩＲ反射層の前記物理的厚さと前記吸収体フィルムの銀を含む前記層の前記物理的厚さとの比は、少なくとも８：１である、請求項１～３のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
5. 銀を含む前記第１のＩＲ反射層の前記物理的厚さと前記吸収体フィルムの銀を含む前記層の前記物理的厚さとの比は、少なくとも１０：１である、請求項１～４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
6. 銀を含む前記第１のＩＲ反射層の前記物理的厚さと前記吸収体フィルムの銀を含む前記層の前記物理的厚さとの比は、少なくとも１５：１である、請求項１～５のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
7. 前記吸収体フィルムの銀を含む前記層は、６０Å未満の厚さである、請求項１～６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
8. 前記吸収体フィルムの銀を含む前記層は、３０Å未満の厚さである、請求項１～７のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
9. 前記吸収体フィルムの銀を含む前記層は、１５Å未満の厚さである、請求項１～８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
10. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値の３つすべてを有するように構成されている、請求項１～９のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
11. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、少なくとも前記ガラス基材と、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層との間に少なくとも配置される、請求項１～１０のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
12. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、少なくとも銀を含む前記第１のＩＲ反射層と、前記コーティングの銀を含む前記第２のＩＲ反射層との間に少なくとも位置する、請求項１～１１のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
13. 酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、約１～２０％のＳｎ（重量％）がドープされている、請求項１～１２のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
14. 酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、約５～１５％のＳｎ（重量％）がドープされている、請求項１～１３のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
15. Ｓｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、スパッタリング蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質である、請求項１～１４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
16. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、２．５以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、２．５以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．０以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のすべてを有するように構成されている、請求項１～１５のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
17. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理時に、２．３以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１６分間の前記基準熱処理時に、２．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１６分間の前記基準熱処理時に、３．０以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されている、請求項１～１６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
18. 前記コーティングは、１０オーム／スクエア以下のシート抵抗（Ｒ_s）を有する、請求項１～１７のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
19. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、少なくとも４０％の可視光透過を有する、請求項１～１８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
20. 蒸着された時点の前記コーティングは、前記ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む前記第１のＩＲ反射層の上に配置される、スズ酸亜鉛を含む第１の非晶質又は実質的に非晶質の層を更に含む、請求項１～１９のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
21. スズ酸亜鉛を含む前記第１の非晶質又は実質的に非晶質の層は、約４０～６０％のＺｎ及び約４０～６０％のＳｎ（重量％）の金属含量を有する、請求項２０に記載のコーティングされた物品。
22. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、前記基準熱処理時に、前記誘電体層の単斜晶ピークを低減させるように構成され得る、請求項１～２１のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
23. 前記コーティングが、
    前記ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む前記第１のＩＲ反射層の上に配置される、銀を含む第２のＩＲ反射層と、
    銀を含む前記第２のＩＲ反射層の下に直接接触して配置される、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第２の結晶質又は実質的に結晶質の層と、を更に含み、
    窒化ケイ素系層が、前記ガラス基材と銀を含む前記第２のＩＲ反射層との間に配置されず、
    前記吸収体フィルムの銀を含む前記層は、前記第１のＩＲ反射層及び前記第２のＩＲ反射層のいずれかと直接接触しない、請求項１～２２のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
24. 前記コーティングされた物品は、熱焼戻しされていない、請求項１～２３のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
25. 単斜晶相を含み、及びジルコニウムの酸化物を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、（１）少なくとも前記ガラス基材と、約１～３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質若しくは実質的に結晶質の層との間、及び（２）少なくとも銀を含む前記第１のＩＲ反射層と、前記吸収体フィルムとの間、の両方に位置する、請求項１～２４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
26. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、０～５％の窒素（原子％）を含む、請求項２５に記載のコーティングされた物品。
27. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、ＺｒＯ₂を含む、請求項１～２４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
28. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、ジルコニウムの酸化物から本質的になる、請求項１～２５のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
29. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、前記基準熱処理時に、少なくとも０．２５ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現するように構成されている、請求項１～２６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
30. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、前記基準熱処理時に、少なくとも０．３０ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現するように構成されている、請求項１～２７のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
31. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、前記基準熱処理時に、少なくとも０．３５ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現するように構成されている、請求項１～２８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
32. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、ジルコニウムの酸化物を含み、及び少なくとも８０％のＺｒの金属含量を有する、請求項１～２９のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
33. 単斜晶相を含み、かつ前記ジルコニウムの酸化物を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、４０～１７０Åの厚さを有する、請求項１～３０のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
34. 単斜晶相を含み、かつ前記ジルコニウムの酸化物を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、Ｓｉを更に含む、請求項１～３１のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
35. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、１．５以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、１．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されている、請求項１～３２のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
36. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、１．５以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、１．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値の３つすべてを有するように構成されている、請求項１～３３のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
37. ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、前記コーティングは、
    前記ガラス基材上に設けた酸化亜鉛を含む層と、
    前記ガラス基材上に配置され、かつ酸化亜鉛を含む前記層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層であって、
    窒化ケイ素系層が、酸化亜鉛を含む前記層のすぐ下に接触して配置されない、第１のＩＲ反射層と、
    単斜晶相を含み、及びジルコニウムの酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層であって、
    単斜晶相を含み、かつ前記ジルコニウムの酸化物を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、（１）少なくとも前記ガラス基材と、酸化亜鉛を含む前記層との間、かつ／又は（２）少なくとも銀を含む前記第１のＩＲ反射層と、前記コーティングの銀を含む第２のＩＲ反射層との間に位置している、誘電体層と、を含み、
    前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されている、コーティングされた物品。
38. 前記コーティングされた物品は、熱焼戻しされていない、請求項３５に記載のコーティングされた物品。
39. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、酸化ジルコニウムを含む２つの層を含み、一方は、（１）少なくとも前記ガラス基材と、酸化亜鉛を含む前記層との間に位置するものであり、他方は、（２）少なくとも銀を含む前記第１のＩＲ反射層と前記第２のＩＲ反射層との間に位置するものである、請求項３５又は３６に記載のコーティングされた物品。
40. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、０～５％の窒素（原子％）を含む、請求項３５～３７のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
41. 単斜晶相を含み、かつ前記ジルコニウムの酸化物を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、Ｓｉを更に含む、請求項３５～３８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
42. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、ジルコニウムの酸化物から本質的になる、請求項３５～３８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
43. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、前記基準熱処理時に、少なくとも０．２５ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現するように構成されており、
    単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、前記基準熱処理時に、前記誘電体層の単斜晶ピークを低減させるように構成され得る、請求項３５～４０のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
44. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、前記基準熱処理時に、少なくとも０．３０ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現するように構成されている、請求項３５～４１のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
45. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、前記基準熱処理時に、少なくとも０．３５ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現するように構成されている、請求項３５～４２のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
46. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、少なくとも８０％のＺｒの金属含量を有する、請求項３５～４３のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
47. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、４０～２５０Åの厚さを有する、請求項３５～４４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
48. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、正方晶相を更に含む、請求項３５～４５のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
49. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、１．５以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、１．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されている、請求項３５～４６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
50. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、１．５以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、１．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値の３つすべてを有するように構成されている、請求項３５～４７のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
51. ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品の製造方法であって、前記方法は、
    前記ガラス基材上に亜鉛を含む層をスパッタリング蒸着させることと、
    前記ガラス基材上に、酸化亜鉛を含む前記層の上にあり、前記層と接触する、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層をスパッタリング蒸着させることと、
    前記ガラス基材上に単斜晶相を含む少なくとも１つの誘電体層をスパッタリング蒸着させることであって、単斜晶相を含む前記誘電体層は、ジルコニウムの酸化物を含む、ことと、を含み、
    単斜晶相を含み、かつ前記ジルコニウムの酸化物を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、（１）少なくとも前記ガラス基材と、酸化亜鉛を含む前記層との間、かつ／又は（２）少なくとも銀を含む前記第１のＩＲ反射層と、前記コーティングの銀を含む第２のＩＲ反射層との間に位置しており、
    前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成される、方法。
52. 前記ガラス基材上に単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層をスパッタリング蒸着させることは、少なくとも６ｍＬ／ｋＷの酸素ガス流を使用する、請求項４９に記載の方法。
53. 前記ガラス基材上に単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層をスパッタリング蒸着させることは、少なくとも８ｍＬ／ｋＷの酸素ガス流を使用する、請求項４９又は５０に記載の方法。
54. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、ＺｒＯ₂を含む、請求項４９～５１のいずれか一項に記載の方法。
55. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、１．５以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、１．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値の３つすべてを有するように構成される、請求項４９～５２のいずれか一項に記載の方法。
56. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層が、前記基準熱処理時に、少なくとも０．２５ｇ／ｃｍ³の密度変化を実現するように、前記基準熱処理を介して前記コーティングされた物品を熱処理することを更に含む、請求項４９～５３のいずれか一項に記載の方法。
57. 前記ガラス基材上に単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層をスパッタリング蒸着させることは、金属ターゲットを使用する、請求項４９～５４のいずれか一項に記載の方法。
58. 前記ガラス基材上に単斜晶相を含む少なくとも１つの誘電体層をスパッタリング蒸着させることは、少なくとも６ｍＬ／ｋＷの酸素ガス流を使用する、請求項４９～５５のいずれか一項に記載の方法。
59. 前記ガラス基材上に単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層をスパッタリング蒸着させることは、セラミックターゲットを使用する、請求項４９～５４のいずれか一項に記載の方法。
60. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、正方晶相を更に含む、請求項４９～５７のいずれか一項に記載の方法。
61. 単斜晶相を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、前記基準熱処理時に、前記誘電体層の単斜晶ピークを低減させるように構成されている、請求項４９～５８のいずれか一項に記載の方法。
62. ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、前記コーティングは、
    前記ガラス基材上に設けた酸化亜鉛を含む層と、
    前記ガラス基材上に配置され、かつ酸化亜鉛を含む前記層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層であって、
    窒化ケイ素系層が、酸化亜鉛を含む前記層のすぐ下に接触して配置されない、第１のＩＲ反射層と、
    単斜晶相を含み、かつ金属酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層であって、
    単斜晶相を含み、かつ金属酸化物を含む前記少なくとも１つの誘電体層は、（１）少なくとも前記ガラス基材と、酸化亜鉛を含む前記層との間、かつ／又は（２）少なくとも銀を含む前記第１のＩＲ反射層と、前記コーティングの銀を含む第２のＩＲ反射層との間に位置している、誘電体層と、を含み、
    前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理時に、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理時に、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されている、コーティングされた物品。

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