JP2022546822A - 金属窒化物薄膜の形成方法 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- -1 metal halide compound Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 45
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 16
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 16
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 15
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019804 NbCl5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 150000002822 niobium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I pentachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)(Cl)Cl YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- ASRAWSBMDXVNLX-UHFFFAOYSA-N pyrazolynate Chemical compound C=1C=C(Cl)C=C(Cl)C=1C(=O)C=1C(C)=NN(C)C=1OS(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 ASRAWSBMDXVNLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- FNKQXYHWGSIFBK-RPDRRWSUSA-N sapropterin Chemical compound N1=C(N)NC(=O)C2=C1NC[C@H]([C@@H](O)[C@@H](O)C)N2 FNKQXYHWGSIFBK-RPDRRWSUSA-N 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
Abstract
本発明の一実施形態によれば，金属窒化物薄膜を形成する方法は，基板に金属前駆体を供給して前記基板の表面に選択的に堆積させる堆積工程; 前記基板にハロゲンガスを供給して前記基板の表面に金属ハロゲン化合物を形成するハロゲン処理工程; 前記基板に窒素源を供給して前記金属ハロゲン化合物と反応させ，金属窒化物を形成する窒化工程を含む。
Description
本発明は，金属窒化物薄膜の形成方法に関し，特にハロゲンガスを用いた金属窒化物薄膜の形成方法に関する。
ニオブナイトライド（窒化ニオブ，ＮｂＮx，式中ｘは約１である）などの金属ナイトライドフィルム（金属窒化フィルム）が様々な技術分野で広く利用されてきた。
従来，これらのナイトライド（窒化物）はハードコーティング及び装飾コーティングとして適用されてきたが，ここ数十年間，これらはマイクロエレクトロニクスデバイスにおいて徐々に拡散障壁(diffusion barrier)及び接着（グルー）層(glue layer)として利用されてきた[Applied Surface Science 120 (1997）199-212]。
例えば，ＮｂＣｌ5はＮｂＮの原子層エピタキシャル成長のニオブ源として調査されたが，この方法は還元剤としてＺｎを要求した[Applied Surface Science 82/83 (1994) 468-474]。 ＮｂＮxフィルムはまた，ＮｂＣｌ5及びＮＨ3を用いた原子層堆積によって堆積された［Thin Solid Films 491（2005）235-241］。 ５００℃で堆積したフィルムはほぼ塩素が不在であるように，塩素含有量は強い温度依存性を示したが，堆積温度が２５０℃ほど低い場合，塩素含有量は８％であった（上記文献）。 ＮｂＣｌ5の高融点はまた，前駆体を蒸着プロセスで使用するのが難しい。
Gust et alは，ピラゾラート配位子を保持するニオブ及びタンタルイミド錯体の合成，構造及び特徴，並びに，ＣＶＤによる窒化タンタル膜（tantalum nitride films）の成長のためのそれらの潜在的な使用が開示されている。 Elorriaga et alは，アミンの触媒的グアニル化における中間体としての非対称ニオブグアニジネートが開示されている（Dalton Transactions，2013，Vol. 42，Issue 23 pp. 8223-8230）。
Tomson et alは，カチオン性Ｎｂ及びＴａモノメチル錯体[(BDI)MeM(NtBu)][X](BDI=2,6-iPr2C6H3-N-C(Me)CH-C(Me)-N(2,6-iPr2C6H3); X = MeB（C6F5）3又はB（C6F5）4）の合成及び反応性が開示されている（Dalton Transactions 2011 Vol. 40，Issue 30，pp. 7718-7729）。
DE102006037955（Starck）は式R4R5R6M（R1NNR2R3）2（ここで，MはTa又はNbであり；R1-R3＝C1-12アルキル，C5-12シクロアルキル，C6-10アリール，アルケニル，C1-4トリオルガノシリルであり；Ｒ４－Ｒ６＝ハロ，（シクロ）アルコキシ，アリールオキシ，シロキシ，ＢＨ4，アリル，インデニル，ベンジル，シクロペンタジエニル，ＣＨ2ＳｉＭｅ3，シリルアミド，アミド又はイミノ）を有するタンタル化合物及びニオブ化合物を開示している。
Maestre et alは，NbCp(NH(CH2)2-NH2)Cl3及びNbCpCl2(N-(CH2)2-N)を形成するシクロペンタジエニル-シリル-アミドチタン化合物と第５族金属モノシクロペンタジエニル錯体の反応を開示している。
高温で厚さ及び組成制御を伴う気相フィルム堆積に適した，新規の液体又は低融点（標準圧力で＜５０℃）であり，高熱安定性を有数Ｖ族含有前駆体分子の開発が依然として必要とされている。また，微細な金属配線等を形成するためにスパッタリング（sputtering）のような物理的蒸着法が用いられたが，このような物理的蒸着法の場合には段差被覆性(step coverage)が不良である。
近年，半導体素子の超集積化，超薄膜化傾向に伴い，均一な蒸着特性と段差被覆性を有する薄膜蒸着技術で化学気相蒸着法（Chemical vapor deposition，ＣＶＤ）が開発された。 しかし，化学気相蒸着法の場合，薄膜形成に必要な全ての物質が同時にプロセスチャンバ内に供給され，所望の組成比の物性を有する膜を形成することが難しく，高温でプロセスが進行するため，素子の電気的特性を劣化させたり，蓄電容量を低下させたりする。 これらの問題を解決するために，プロセスガスを連続的に供給せずに独立して供給する原子層堆積法（ＡＬＤ）が開発された。
発明の詳細な説明
技術的課題
本発明の目的は，金属窒化物薄膜を効果的に形成することができる方法を提供することにある。
技術的課題
本発明の目的は，金属窒化物薄膜を効果的に形成することができる方法を提供することにある。
本発明の他の目的は，下記発明の詳細な説明と添付した図面からより明確にされる。
課題解決手段
本発明の一実施形態によれば，金属窒化物薄膜を形成する方法は，基板に金属前駆体を供給して前記基板の表面に選択的に堆積させる堆積工程; 前記基板にハロゲンガスを供給して前記基板の表面に金属ハロゲン化合物を形成するハロゲン処理工程; 前記基板に窒素源を供給して前記金属ハロゲン化合物と反応させ，金属窒化物を形成する窒化工程を含む。
本発明の一実施形態によれば，金属窒化物薄膜を形成する方法は，基板に金属前駆体を供給して前記基板の表面に選択的に堆積させる堆積工程; 前記基板にハロゲンガスを供給して前記基板の表面に金属ハロゲン化合物を形成するハロゲン処理工程; 前記基板に窒素源を供給して前記金属ハロゲン化合物と反応させ，金属窒化物を形成する窒化工程を含む。
前記金属前駆体は，ＭＸn（ＮＲ1Ｒ2）5-n（１≦ｎ≦４），ＭＸ（ＮＲ1Ｒ2）2ＮＲ3，ＭＸ2（ＮＲ1Ｒ2）ＮＲ3及び，Ｍ（ＮＲ1Ｒ2）2（ＮＲ3）Ｒ4のいずれか一つ以上であってもよい。
前記ＭＸn（ＮＲ1Ｒ2）5-nにおいて，ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗのうちの１つであり，ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む１７族のうちの１つであり，Ｒ1，Ｒ2はそれぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状の炭化水素，枝分かれ状の炭化水素又は，環状の炭化水素のうちの１つであり，互いに同じでも異なっていてもよい。
前記ＭＸ（ＮＲ1Ｒ2）2ＮＲ3において，ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗのうちの１つであり，ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む１７族のうちの１つであり， Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状の炭化水素，枝分かれ状の炭化水素又は，環状の炭化水素のうちの１つであり，互いに同一又は異なっており，下記＜化学式１＞で表される。
前記ＭＸ2（ＮＲ1Ｒ2）ＮＲ3において，ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗのうちの１つであり，ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む１７族のうちの１つであり， Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状の炭化水素，枝分かれ状の炭化水素又は，環状の炭化水素基のうちの１つであり，互いに同一又は異なっており，下記＜化学式２＞で表される。
前記Ｍ（ＮＲ1Ｒ2）2（ＮＲ3）Ｒ4において，ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗのうちの１つであり，ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む１７族のうちの１つであり， Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は，それぞれ独立して炭素数１～１０の直鎖状の炭化水素，枝分かれ状の炭化水素又は，環状の炭化水素のうちの１つであり，互いに同一又は異なっており，下記＜化学式３＞で表される。
前記金属前駆体はキャリアガスと共に供給され，前記キャリアガスは窒素（Ｎ2），アルゴン（Ａｒ），ヘリウム（Ｈｅ）を含む不活性ガスのうちの１つ以上であっても良い。
前記ハロゲンガスは，Ｘ2，ＨＸのうちの１つ以上であっても良い。
前記窒素源は，ＮＨ3 ，ＮＨＲ2 （ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），ＮＨ2Ｒ（ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），ＮＲ3（ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），ヒドラジン（Hydrazine，Ｈ4Ｎ2），Ｒ－ヒドラジン（ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），Ｈ2プラズマ，Ｎ2プラズマ，ＮＨ3プラズマのうちの１つ以上であっても良い。
前記堆積工程，前記ハロゲン処理工程及び，前記窒化工程は，２５０～６００℃でそれぞれ進行させることができる。
前記堆積工程，前記ハロゲン処理工程及び，前記窒化工程は１サイクルを形成し，前記サイクルを繰り返すことができる。
発明の効果
本発明の一実施形態によれば，前記金属前駆体は，金属窒化物（例えば，ニオブ薄膜）を蒸着に適していることを確認することができ，前記金属前駆体が持続的な加温でも特性が劣化しない高い熱的安定性とともに高い蒸気圧（vapor pressure）を有することにより，有機金属化学気相蒸着法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, ＭＯＣＶＤ）及び原子層堆積法（Atomic Layer Deposition，ＡＬＤ）を用いた金属窒化物薄膜を蒸着する半導体製造工程に有用に適用できることが分かる。
本発明の一実施形態によれば，前記金属前駆体は，金属窒化物（例えば，ニオブ薄膜）を蒸着に適していることを確認することができ，前記金属前駆体が持続的な加温でも特性が劣化しない高い熱的安定性とともに高い蒸気圧（vapor pressure）を有することにより，有機金属化学気相蒸着法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, ＭＯＣＶＤ）及び原子層堆積法（Atomic Layer Deposition，ＡＬＤ）を用いた金属窒化物薄膜を蒸着する半導体製造工程に有用に適用できることが分かる。
また，金属前駆体を用いた金属窒化物薄膜の形成方法は，炭素及びハロゲン不純物のない金属窒化物薄膜の形成に有利に適用できることが分かる。
以下，本発明の好ましい実施例を添付した図１及び図３を参照してより詳細に説明する。本発明の実施例は様々な形態に変形されてもよく，本発明の範囲が以下で説明する実施例に限定されるものと解釈されてはならない。本実施例は，当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示した各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されて表現されている可能性がある。
まず，従来使用されている前駆体ＮｂＣｌ5は固体であるため，蒸着装置内の配管の目詰まりが発生し，気体に昇華させて一定量を蒸着チャンバへ搬送することに困難がある。また，他の有機金属前駆体は炭素含有量が多く，不純物が膜質に影響を与える問題点を有している。
以下で説明する金属（Ｖ）窒化物薄膜の形成方法は，原子層堆積法（ＡＬＤ）又は有機金属化学気相蒸着法を介して基板の表面に薄膜を形成する方法であり，以下の一般式は，液体前駆体を用いても，既存の固体前駆体を使用した場合と比較して，炭素及びハロゲンの不純物のない薄膜を形成する反応式を示す。
図１は 本発明の一実施形態による金属窒化物薄膜の形成方法を概略的に示すフローチャートであり，図２及び図３は本発明の一実施形態による金属窒化物薄膜の形成過程を概略的に示す図である。
Ｍ＝Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ（前記Ｍの酸化状態は（Ｉ～Ｖ）又は混合（Mixed）状態）。
Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む周期律表上の１７族のうちの１つ。
Ｒ1，Ｒ2＝それぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，環状のアルキル基のうちの１つであり，互いに同じでも異なっていてもよい。
1≦n≦4
1≦a≦4
1≦b≦5
Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む周期律表上の１７族のうちの１つ。
Ｒ1，Ｒ2＝それぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，環状のアルキル基のうちの１つであり，互いに同じでも異なっていてもよい。
1≦n≦4
1≦a≦4
1≦b≦5
前記ＭＸn(ＮＲ1Ｒ2)5-nは，金属窒化物薄膜を形成するための金属（Ｖ）前駆体である。図１～図３に示すように（Ｍ＝Ｎｂの場合），基板はチャンバ内に供給され（「基板供給工程」），前記金属前駆体がチャンバ内の前記基板に供給され，前記基板の表面に選択的に堆積される（「堆積工程」）。前記金属前駆体は，液体供給装置（Liquid Delivery System）を介して前記チャンバ内に供給することができ，その時点で適切な温度で気化して均一なガス状に送達することができる。
このほか，バブリング方式，気相（vapor phase）マスフローコントローラ(mass flow controller），直接液体注入（DLI：Direct Liquid Injection）や前駆体化合物を有機溶媒に溶かして移送する液体移送方法を含む様々な供給方法を適用することができる。前記金属前駆体を供給するためのキャリアガスとして，窒素（Ｎ2），アルゴン（Ａｒ），ヘリウム（Ｈｅ）又は水素（Ｈ2）のうちの１つ又は２つ以上の混合物を使用することができる。
その後，ハロゲンガス（Ｘ2又はＨＸ）が前記チャンバ内の前記基板に供給され，前記ハロゲンガスは前記基板の表面に金属ハロゲン化合物を形成すると同時に例えばＲ－Ｃｌの形態で不純物を除去することができる（ハロゲン処理工程）。
その後，前記基板に窒素源を供給して反応副生成物及び未反応物質を除去すると同時に，前記金属ハロゲン化合物と反応して金属窒化物を形成する（「窒化工程」）。前記窒素源はＮＨ3 ，ＮＨＲ2 （ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），ＮＨ2Ｒ（ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基 ，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），ＮＲ3（ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），ヒドラジン（Hydrazine，Ｈ4Ｎ2），Ｒ－ヒドラジン（ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），Ｈ2/Ｎ2混合プラズマ，ＮＨ3 プラズマの１つ以上を使用することができ，不純物は（Ｒ3Ｎ）－ＨＣｌ塩で除去することができる（Ｒ＝炭素数１～５の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，環状のアルキル基）。
一方，前記堆積工程，前記ハロゲン処理工程及び，前記窒化工程は，２５０～６００℃でそれぞれ進行させることができる。さらに，前記堆積工程，前記ハロゲン処理工程及び，前記窒化工程は１サイクルを形成し，サイクルは数回繰り返すことができる。
Ｍ＝Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ（前記Ｍの酸化状態は（Ｉ～Ｖ）又は混合（Mixed）状態）。
Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む周期律表上の１７族のうちの１つ。
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3＝それぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状アルキル基又は，環状のアルキル基のうちの１つであり，互いに同じでも異なっていてもよい。
1≦n≦4
1≦a≦4
1≦b≦5
Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む周期律表上の１７族のうちの１つ。
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3＝それぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状アルキル基又は，環状のアルキル基のうちの１つであり，互いに同じでも異なっていてもよい。
1≦n≦4
1≦a≦4
1≦b≦5
前記ＭＸ（ＮＲ1Ｒ2）2ＮＲ3は，金属窒化物薄膜を形成するための金属（Ｖ）前駆体であり，下記＜化学式１＞で表される。
Ｍ＝Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ（前記Ｍの酸化状態は（Ｉ～Ｖ）又は混合（Mixed）状態）。
Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む周期律表上の１７族のうちの１つ。
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3＝それぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，環状のアルキル基のうちの１つであり，互いに同じでも異なっていてもよい。
1≦n≦4
1≦a≦4
1≦b≦5
Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む周期律表上の１７族のうちの１つ。
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3＝それぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，環状のアルキル基のうちの１つであり，互いに同じでも異なっていてもよい。
1≦n≦4
1≦a≦4
1≦b≦5
前記ＭＸ2（ＮＲ1Ｒ2）ＮＲ3は，金属窒化物薄膜を形成するための金属（Ｖ）前駆体であり，下記＜化学式２＞で表される。
Ｍ＝Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ（前記Ｍの酸化状態は（Ｉ～Ｖ）又は混合（Mixed）状態）。
Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む周期律表上の１７族のうちの１つ。
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4＝それぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖線状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，環状のアルキル基のうちの１つであり，互いに同じでも異なっていてもよい。
1≦n≦4
1≦a≦4
1≦b≦5
Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む周期律表上の１７族のうちの１つ。
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4＝それぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖線状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，環状のアルキル基のうちの１つであり，互いに同じでも異なっていてもよい。
1≦n≦4
1≦a≦4
1≦b≦5
前記Ｍ（ＮＲ1Ｒ2）2（ＮＲ3）Ｒ4は，金属窒化物薄膜を形成するための金属（Ｖ）前駆体であり，下記＜化学式３＞で表される。
以上，本発明を実施例を通じて詳細に説明したが，他の形態の実施形態も可能である。したがって，以下に記載される特許請求の範囲の技術的思想と範囲は実施形態に限定されない。
本発明は，多様な形態の半導体の製造方法に応用される。
Claims (12)
- 金属窒化物薄膜を形成する方法において，
基板に金属前駆体を供給して前記基板の表面に選択的に堆積させる堆積工程;
前記基板にハロゲンガスを供給して前記基板の表面に金属ハロゲン化合物を形成するハロゲン処理工程;及び
前記基板に窒素源を供給して前記金属ハロゲン化合物と反応させ，金属窒化物を形成する窒化工程を含む，金属窒化物薄膜を形成する方法。 - 前記金属窒化物は，ＭaＮb（ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗのうちの１つ，１≦ａ≦４，１≦ｂ≦５）である，請求項１記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
- 前記金属前駆体は，ＭＸn（ＮＲ1Ｒ2）5-n（１≦ｎ≦４），ＭＸ（ＮＲ1Ｒ2）2ＮＲ3，ＭＸ2（ＮＲ1Ｒ2）ＮＲ3及び，Ｍ（ＮＲ1Ｒ2）2（ＮＲ3）Ｒ4のいずれか一つ以上である，請求項１記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
- 前記ＭＸn（ＮＲ1Ｒ2）5-nにおいて，ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗのうちの１つであり，ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む１７族のうちの１つであり，Ｒ1，Ｒ2はそれぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状の炭化水素，枝分かれ状の炭化水素又は，環状の炭化水素のうちの１つであり，互いに同一又は異なる，請求項３記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
- 前記ＭＸ（ＮＲ1Ｒ2）2ＮＲ3において，ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗのうちの１つであり，ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む１７族のうちの１つであり， Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状の炭化水素，枝分かれ状の炭化水素，環状の炭化水素のうちの１つであり，互いに同一又は異なっており，下記＜化学式１＞で表される，請求項３記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
- 前記ＭＸ2（ＮＲ1Ｒ2）ＮＲ3において，ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗのうちの１つであり，ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む１７族のうちの１つであり， Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3はそれぞれ互いに独立して炭素数１～１０の直鎖状の炭化水素，枝分かれ状の炭化水素，環状の炭化水素のうちの１つであり，互いに同一又は異なっており，下記＜化学式２＞で表される，請求項３記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
- 前記Ｍ（ＮＲ1Ｒ2）2（ＮＲ3）Ｒ4において，ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗのうちの１つであり，ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉを含む１７族のうちの１つであり， Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は，それぞれ独立して炭素数１～１０の直鎖状の炭化水素，枝分かれ状の炭化水素，環状の炭化水素のうちの１つであり，互いに同一又は異なっており，下記＜化学式３＞で表される，請求項３記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
- 前記金属前駆体はキャリアガスと共に供給され，前記キャリアガスは窒素（Ｎ2），アルゴン（Ａｒ），ヘリウム（Ｈｅ）を含む不活性ガスのうちの少なくとも１つである，請求項１～７いずれか１項記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
- 前記ハロゲンガスは，Ｘ2，ＨＸのうちの少なくとも１つである，請求項１～７いずれか１項記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
- 前記窒素源は，ＮＨ3 ，ＮＨＲ2 （ＲはＣ1 ～Ｃ5の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），ＮＨ2Ｒ（ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基 ，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），ＮＲ3（ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），ヒドラジン（Hydrazine，Ｈ4Ｎ2），Ｒ－ヒドラジン（ＲはＣ1～Ｃ5の直鎖状のアルキル基，枝分かれ状のアルキル基又は，芳香族アルキル基のうちの少なくとも１つ），Ｈ2プラズマ，Ｎ2プラズマ又は，ＮＨ3プラズマのうちの１つ以上である，請求項１～７いずれか１項記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
- 前記堆積工程，前記ハロゲン処理工程及び，前記窒化工程は，２５０～６００℃でそれぞれ進行させる，請求項１～７いずれか１項記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
- 前記堆積工程，前記ハロゲン処理工程及び，前記窒化工程は１サイクルを形成し，前記サイクルを繰り返す，請求項１～７いずれか１項記載の金属窒化物薄膜を形成する方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2019-0108609 | 2019-09-03 | ||
| KR1020190108609A KR20210027770A (ko) | 2019-09-03 | 2019-09-03 | 금속 질화물 박막의 형성 방법 |
| PCT/KR2020/009806 WO2021045385A2 (ko) | 2019-09-03 | 2020-07-24 | 금속 질화물 박막의 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022546822A true JP2022546822A (ja) | 2022-11-09 |
Family
ID=74852027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022514271A Pending JP2022546822A (ja) | 2019-09-03 | 2020-07-24 | 金属窒化物薄膜の形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220333243A1 (ja) |
| JP (1) | JP2022546822A (ja) |
| KR (1) | KR20210027770A (ja) |
| CN (1) | CN114341396A (ja) |
| WO (1) | WO2021045385A2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010541276A (ja) * | 2007-10-04 | 2010-12-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｍｏｃｖｄとｈｖｐｅを用いたｉｉｉ−ｖ族窒化膜の成長における寄生粒子抑制 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000024977A (ko) * | 1998-10-07 | 2000-05-06 | 닛폰 파이오닉스 가부시키가이샤 | 질화막의 제조방법 |
| CA2490548A1 (en) | 2002-06-26 | 2004-01-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Genes encoding proteins with pesticidal activity |
| JP4379893B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2009-12-09 | キヤノンアネルバ株式会社 | 多元金属化合物膜の作製方法及び多元金属化合物膜作製装置 |
| KR101721931B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2017-04-03 | (주)아이작리서치 | 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법 |
| KR102627456B1 (ko) * | 2015-12-21 | 2024-01-19 | 삼성전자주식회사 | 탄탈럼 화합물과 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-09-03 KR KR1020190108609A patent/KR20210027770A/ko not_active IP Right Cessation
-
2020
- 2020-07-24 US US17/640,330 patent/US20220333243A1/en not_active Abandoned
- 2020-07-24 CN CN202080062228.7A patent/CN114341396A/zh active Pending
- 2020-07-24 JP JP2022514271A patent/JP2022546822A/ja active Pending
- 2020-07-24 WO PCT/KR2020/009806 patent/WO2021045385A2/ko active Application Filing
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010541276A (ja) * | 2007-10-04 | 2010-12-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｍｏｃｖｄとｈｖｐｅを用いたｉｉｉ−ｖ族窒化膜の成長における寄生粒子抑制 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220333243A1 (en) | 2022-10-20 |
| CN114341396A (zh) | 2022-04-12 |
| WO2021045385A2 (ko) | 2021-03-11 |
| WO2021045385A3 (ko) | 2021-05-20 |
| KR20210027770A (ko) | 2021-03-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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|
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|
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