JP2022545224A - ファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム - Google Patents
ファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022545224A JP2022545224A JP2022510959A JP2022510959A JP2022545224A JP 2022545224 A JP2022545224 A JP 2022545224A JP 2022510959 A JP2022510959 A JP 2022510959A JP 2022510959 A JP2022510959 A JP 2022510959A JP 2022545224 A JP2022545224 A JP 2022545224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- faraday
- capacitor
- stage
- attached
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 46
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 10
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 7
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3341—Reactive etching
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
反応チャンバーと、バイアス電極と、ウェーハと、チャンバー蓋と、洗浄機構と、を含み、
前記チャンバー蓋は前記反応チャンバーの上端面に取り付けられ、前記バイアス電極は前記反応チャンバーの内側に取り付けられ、前記ウェーハは前記バイアス電極の上端面に取り付けられ、前記洗浄機構は前記チャンバーカバーの上面側に設けられ、
前記洗浄機構は、結合窓、ガス入口ノズル、垂直コイルおよびファラデー層を含み、前記結合窓は前記チャンバー蓋の上端面に取り付けられ、前記ガス入口ノズルは前記結合窓の内側に取り付けられ、前記ファラデー層は前記結合窓の上端面に取り付けられ、前記垂直コイルは前記ファラデー層の上端面に取り付けられている。
図6に示されるように、垂直コイル80の中央およびエッジにある2つの独立した部分の2つの単一の垂直コイルは、それぞれ、一端が外部高周波数装置に一緒に接続され、他端が一緒に接地されている。内側と外側のコイルの接地されていない端部は、両方とも高周波数整合器の配電ボックスに接続されている。配電ボックスは、中央およびエッジに分配される電力を設定し、さまざまなプロセス要件にしたがって中央およびエッジの電力を調整することにより、チャンバー内のプラズマの密度を調整する。さらに、高周波数整合器と配電ボックスとの間には、RF切換ボックスが設けられ、RF切換ボックスから2つのパスが引き出され、一方のパスが配電ボックスに接続され、他方のパスがファラデー層100に接続される。装置においてプロセスの準備ができたら、RF切換ボックスは高周波数整合器のすべての電力を配電ボックスに出力し、ファラデー層100には電力が供給されない。続いて、配電ボックスは、必要に応じて中央およびエッジのコイルに電力を分配する。プロセスが終了し、チャンバーの洗浄が開始されると、RF切換ボックスはすべての電力をファラデー層100に出力し、内側コイルおよび外側コイルのそれぞれにおける電力はゼロになる。この場合、チャンバーについて洗浄を行い、同時に結合窓10について完全な洗浄を行うことにより、上部への不揮発性金属粒子の堆積を減らす。図7は、本実施形態に係る動作フローチャートである。
図8には実施形態2が示され、図9には本実施形態に係るプロセスおよび洗浄のフローチャートが示されている。2つの高周波数整合器を含み、1つの整合器は高周波数電力をファラデー層に出力し、他の1つの整合器は内側コイルおよび外側コイルに高周波数電力を出力する。2つの高周波数整合器は1つの高周波数電源により制御され、高周波数電源と高周波数整合器との間のRF切換ボックスにより、どちらの整合器の動作を開始させるかを制御する。チャンバー内においてプロセスが開始される場合、RF切換ボックスは高周波数電源をコイル高周波数整合器に接続させ、ファラデー高周波数整合器は通電されない。コイル整合器からの電力は、配電ボックスを介して中央およびエッジのコイルに出力され、チャンバー内のプロセスガスがイオン化されてプラズマエッチングプロセスシートを形成する。プロセスが終了したら、チャンバーの洗浄を開始し、RF切換ボックスは高周波数電源をファラデー高周波数整合器に接続させ、コイル整合器は通電されない。ファラデー整合器からのすべての電力は、ファラデー層100に出力され、チャンバーの上部において洗浄ガスがイオン化されて活性プラズマが形成され、反応チャンバー1、特に結合窓10の下表面について完全に洗浄する。
図10には実施形態3が示され、図11には本実施形態に係るプロセスおよび洗浄のフローチャートが示されている。2つの高周波数電源および2つの整合器を含み、1つの高周波数電源および整合器は、内側コイルおよび外側コイルのみに使用され、他の1つの高周波数電源および整合器は、ファラデー層100のみに使用され、両者は互いに干渉しない。チャンバー内においてプロセスが開始される場合、コイル高周波数電源がオンになり、ファラデー高周波数電源がオフになる。コイル整合器は、電力分配ボックスを介して、高周波数電力を垂直コイル80の中央およびエッジのコイルに出力する。チャンバー内のプロセスガスがイオン化されて、エッチングするためのプラズマが形成される。プロセスが終了したら、チャンバーの洗浄を開始し、コイル高周波数電源がオフになり、ファラデー高周波数電源がオンになり、すべての高周波数電力がファラデー層100に出力され、チャンバーの上部において洗浄ガスがイオン化されて活性プラズマが形成され、反応チャンバー1、特に結合窓10の下表面について完全に洗浄する。このように、本発明の実用性が向上される。
2 バイアス電極、
3 ウェーハ、
4 チャンバー蓋、
5 簡単な洗浄機構、
10 結合窓、
11 ガス入口ノズル、
80 垂直コイル、
100 ファラデー層、
110 中央ファラデー、
120 エッジファラデー、
130 ファラデーコンデンサ、
140 ファラデー電極シート、
50 導電性リング、
51 花弁形状アセンブリ、
150 内側ファラデー、
160 中央ファラデー、
170 外側ファラデー、
181 内側コンデンサ、
182 内側電極シート、
183 外側コンデンサ、
184 外側電極シート。
Claims (7)
- 反応チャンバーと、バイアス電極と、ウェーハと、チャンバー蓋と、洗浄機構と、を含み、
前記チャンバー蓋は前記反応チャンバーの上端面に取り付けられ、前記バイアス電極は前記反応チャンバーの内側に取り付けられ、前記ウェーハは前記バイアス電極の上端面に取り付けられ、前記洗浄機構は前記チャンバーカバーの上面側に設けられ、
前記洗浄機構は、結合窓、ガス入口ノズル、垂直コイルおよびファラデー層を含み、前記結合窓は前記チャンバー蓋の上端面に取り付けられ、前記ガス入口ノズルは前記結合窓の内側に取り付けられ、前記ファラデー層は前記結合窓の上端面に取り付けられ、前記垂直コイルは前記ファラデー層の上端面に取り付けられている、
ファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム。 - 前記ファラデー層は、2段ファラデーまたは3段ファラデーである、ことを特徴とする請求項1に記載のファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム。
- 前記2段ファラデーは、中央ファラデー、エッジファラデー、ファラデーコンデンサおよびファラデー電極シートを含み、前記2段ファラデーの最も外側の直径は、前記チャンバー蓋に露出された前記結合窓の最大直径よりも0%~10%大きく、前記中央ファラデーの最大直径は、前記2段ファラデー全体の40%~65%を占め、前記2段ファラデーのファラデー電極シートのサイズは、前記ファラデーコンデンサのサイズと一致し、厚さは、前記中央ファラデーおよび前記エッジファラデーのそれぞれの厚さと一致する、ことを特徴とする請求項2に記載のファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム。
- 前記ファラデーコンデンサの厚さ、前記中央ファラデーと前記エッジファラデーとの重なり合う部分のサイズおよび前記中央ファラデーと前記エッジファラデーとの間の隙間は、必要に応じて調整でき、具体的な調整および計算方法は、C=εS/4πkd との静電容量計算式により行い、ここで、εは定数、Sはコンデンサ極板の対向面積、dはコンデンサ極板間の距離、kは静電力定数であり、平行平板コンデンサの場合、静電容量は C=εS/d であり、ここで、εは極板間の誘電体の誘電率、Sは極板面積、dは極板間の距離である、ことを特徴とする請求項3に記載のファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム。
- 前記2段ファラデーの中央ファラデーは、2組の同一の扇形導電性部材からなり、前記2組の扇形導電性部材の間には隙間があり、前記2組の扇形導電性部材はそれぞれ、導電性リングおよび互いの間に隙間がある花弁形状アセンブリからなり、前記花弁形状アセンブリは、互いに分離されており、垂直軸を中心に周りを回転しながら均一に対称分布され、前記花弁形状アセンブリの間の隙間の形状およびサイズは、同じである、ことを特徴とする請求項3に記載のファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム。
- 前記3段ファラデーは、内側ファラデー、中央ファラデー、外側ファラデー、内側コンデンサ、内側電極シート、外側コンデンサおよび外側電極シートを含み、前記3段ファラデーの最も外側の直径は、前記チャンバー蓋に露出された前記結合窓の最大直径よりも0%~10%大きく、前記内側ファラデーの最大直径は、前記3段ファラデー全体の15%~35%を占め、前記中央ファラデーの範囲は、前記3段ファラデー全体の15%~35%を占め、前記3段ファラデーの前記内側電極シートおよび前記外側電極シートのサイズはそれぞれ、前記内側コンデンサおよび前記外側コンデンサのサイズと一致し、厚さは、前記内側ファラデー、前記中央ファラデーおよび前記外側ファラデーの厚さと一致する、ことを特徴とする請求項2に記載のファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム。
- 前記内側コンデンサおよび前記外側コンデンサの厚さ、前記内側ファラデーと、前記中央ファラデーと、前記外側ファラデーとの三者それぞれの重なり合う部分のサイズ、前記内側ファラデーと、前記中央ファラデーと、前記外側ファラデーとの三者それぞれの間の隙間は、必要に応じて調整でき、具体的な調整および計算方法は、C=εS/4πkd との静電容量計算式により行い、ここで、εは定数、Sは対コンデンサ極板の対向面積、dはコンデンサ極板間の距離、kは静電力定数であり、平行平板コンデンサの場合、静電容量は C=εS/d であり、ここで、εは極板間の誘電体の誘電率、Sは極板面積、dは極板間の距離である、ことを特徴とする請求項6に記載のファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910783185.0A CN110491760B (zh) | 2019-08-23 | 2019-08-23 | 一种法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
CN201910783185.0 | 2019-08-23 | ||
PCT/CN2020/076761 WO2021036214A1 (zh) | 2019-08-23 | 2020-02-26 | 一种法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022545224A true JP2022545224A (ja) | 2022-10-26 |
JP7461672B2 JP7461672B2 (ja) | 2024-04-04 |
Family
ID=68553269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022510959A Active JP7461672B2 (ja) | 2019-08-23 | 2020-02-26 | ファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11735400B2 (ja) |
JP (1) | JP7461672B2 (ja) |
KR (1) | KR102659364B1 (ja) |
CN (1) | CN110491760B (ja) |
TW (1) | TWI746119B (ja) |
WO (1) | WO2021036214A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023509261A (ja) * | 2020-01-09 | 2023-03-08 | 江蘇魯▲もん▼儀器股▲ふん▼有限公司 | 開閉式ファラデーアセンブリを有するプラズマ処理システムおよび開閉式ファラデーアセンブリ |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110491760B (zh) * | 2019-08-23 | 2020-09-15 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
CN111081524B (zh) | 2019-12-31 | 2022-02-22 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种可旋转的法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
CN113130285B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-04-15 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种陶瓷进气接射频清洗装置 |
CN113709959A (zh) * | 2020-05-22 | 2021-11-26 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种防击穿离子源放电装置 |
CN113972125B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-07-29 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子体处理系统及其多段式法拉第屏蔽装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011253916A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
US20130186568A1 (en) * | 2011-04-28 | 2013-07-25 | Maolin Long | Faraday Shield Having Plasma Density Decoupling Structure Between TCP Coil Zones |
JP2014154421A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および高周波発生器 |
US20170053782A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | Lam Research Corporation | Application of powered electrostatic faraday shield to recondition dielectric window in icp plasmas |
JP2018014337A (ja) * | 2013-09-06 | 2018-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 誘導結合プラズマ(icp)リアクタの電力堆積制御 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2001247889A1 (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-15 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for actively controlling rf peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system |
US6677549B2 (en) * | 2000-07-24 | 2004-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus having permeable window covered with light shielding film |
US6459066B1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-10-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance |
US6685799B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-02-03 | Applied Materials Inc. | Variable efficiency faraday shield |
US20030160024A1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-08-28 | Tadayashi Kawaguchi | Plasma processing method and apparatus |
US20040173314A1 (en) | 2003-03-05 | 2004-09-09 | Ryoji Nishio | Plasma processing apparatus and method |
SG2013075437A (en) | 2012-10-23 | 2014-05-29 | Lam Res Corp | Faraday shield having plasma density decouplingstructure between tcp coil zones |
US20160118284A1 (en) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
JP6715129B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102658739B1 (ko) * | 2017-05-03 | 2024-04-17 | 램 리써치 코포레이션 | 컨디셔닝 챔버 컴포넌트 |
US10354883B2 (en) * | 2017-10-03 | 2019-07-16 | Mattson Technology, Inc. | Surface treatment of silicon or silicon germanium surfaces using organic radicals |
CN110491760B (zh) | 2019-08-23 | 2020-09-15 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
-
2019
- 2019-08-23 CN CN201910783185.0A patent/CN110491760B/zh active Active
-
2020
- 2020-02-26 WO PCT/CN2020/076761 patent/WO2021036214A1/zh active Application Filing
- 2020-02-26 KR KR1020227005671A patent/KR102659364B1/ko active IP Right Grant
- 2020-02-26 JP JP2022510959A patent/JP7461672B2/ja active Active
- 2020-02-26 US US17/627,129 patent/US11735400B2/en active Active
- 2020-08-19 TW TW109128251A patent/TWI746119B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011253916A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
US20130186568A1 (en) * | 2011-04-28 | 2013-07-25 | Maolin Long | Faraday Shield Having Plasma Density Decoupling Structure Between TCP Coil Zones |
JP2014154421A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および高周波発生器 |
JP2018014337A (ja) * | 2013-09-06 | 2018-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 誘導結合プラズマ(icp)リアクタの電力堆積制御 |
US20170053782A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | Lam Research Corporation | Application of powered electrostatic faraday shield to recondition dielectric window in icp plasmas |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023509261A (ja) * | 2020-01-09 | 2023-03-08 | 江蘇魯▲もん▼儀器股▲ふん▼有限公司 | 開閉式ファラデーアセンブリを有するプラズマ処理システムおよび開閉式ファラデーアセンブリ |
JP7364292B2 (ja) | 2020-01-09 | 2023-10-18 | 江蘇魯▲もん▼儀器股▲ふん▼有限公司 | 開閉式ファラデーアセンブリを有するプラズマ処理システムおよび開閉式ファラデーアセンブリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110491760A (zh) | 2019-11-22 |
KR102659364B1 (ko) | 2024-04-23 |
TW202109612A (zh) | 2021-03-01 |
KR20220035246A (ko) | 2022-03-21 |
US20220375733A1 (en) | 2022-11-24 |
JP7461672B2 (ja) | 2024-04-04 |
TWI746119B (zh) | 2021-11-11 |
US11735400B2 (en) | 2023-08-22 |
CN110491760B (zh) | 2020-09-15 |
WO2021036214A1 (zh) | 2021-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2022545224A (ja) | ファラデー洗浄装置を含むプラズマ処理システム | |
TWI588864B (zh) | 電漿處理裝置 | |
TWI431683B (zh) | Plasma processing device and plasma processing method | |
WO2021017463A1 (zh) | 一种电感耦合等离子体处理系统 | |
US7112926B2 (en) | Matching unit and plasma processing system | |
US8438990B2 (en) | Multi-electrode PECVD source | |
JP5199595B2 (ja) | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 | |
CN201465987U (zh) | 等离子体处理装置 | |
JP2018082149A (ja) | 酸素適合性プラズマ源 | |
US20150170879A1 (en) | Semiconductor system assemblies and methods of operation | |
US20080308041A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20150243486A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US7153387B1 (en) | Plasma processing apparatus and method of plasma processing | |
TW200423249A (en) | A system and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit | |
TW201719710A (zh) | 施加通電的靜電法拉第屏蔽以重整感應耦合電漿中的介電窗 | |
JP2000323456A (ja) | プラズマ処理装置およびそれに用いられる電極 | |
JP2004537839A (ja) | 誘導結合型プラズマ発生装置のアンテナ構造 | |
TW201946150A (zh) | 可調節邊緣射頻等離子體分佈的ccp刻蝕裝置及其方法 | |
JP2011124293A (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2003030241A1 (fr) | Appareil de traitement de plasma | |
CN101042991B (zh) | 等离子体处理装置 | |
TW201448031A (zh) | 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置 | |
CN104754851B (zh) | 多频匹配器及等离子体装置 | |
TWI793776B (zh) | 半導體處理設備及方法 | |
JP2014072508A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230307 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230607 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231013 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240315 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7461672 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |