JP2022544409A - ガラス製造装置及び方法 - Google Patents

Abstract

ガラス製造装置は管を備える形成デバイスを備えうる。その管は流れ通路を画定する管壁と、前記管壁を通って延在するスロットとを有しうる。ガラス製造装置は熱制御路を画定する熱制御装置を更に備えうる。前記熱制御路の投影は前記スロットの外周縁によって外接された設置面と交差しうる。ガラス製造方法は溶融した材料を前記流れ通路の流れ方向に沿って流すステップを含みうる。この方法はまた、前記スロットの前記設置面を通して前記溶融した材料を流すステップを含みうる。この方法は熱制御路を画定する熱制御装置を動作させるステップを更に含みうる。前記熱制御路の投影は前記設置面と交差しうる。この方法は前記熱制御路が前記溶融した材料と交差する位置における前記溶融した材料の温度を調整するステップを更に含みうる。

Description

関連出願

本出願は、２０１９年８月１２日に出願された米国仮特許出願第６２／８８５４７８号の米国特許法第１１９条の下の優先権の利益を主張するものであり、その内容全体を本明細書に援用する。

本開示は概ね、ガラス製造装置及び方法に関し、特に、熱制御装置を備えるガラス製造装置とスロットの設置面を通って流れる溶融した材料の温度の調整を含むガラス製造方法とに関する。

溶融した材料をガラスリボンに形成装置を用いて加工することは知られている。従来の形成装置はある量の溶融した材料を形成装置からガラスリボンとして下方ドローするように動作すると知られている。ガラスリボンはガラスシートに分離されうる。ガラスシートは通常、例えば表示用途、例えば液晶表示器（ＬＣＤ）、電気泳動表示器（ＥＰＤ）、有機発光ダイオード表示器（ＯＬＥＤ）、プラズマ表示パネル（ＰＤＰ）、触覚センサー、太陽電池などで使用される。

下記は本開示の単純化された概要を提示し、詳細な説明に記載された幾つかの代表的な実施形態の基本的な理解を提供する。

幾つかの実施形態では、ガラス製造装置は形成デバイスを備えうる。前記形成デバイスは流れ通路を画定する管壁を有する管を備えうる。前記形成デバイスは前記流れ通路と流体連通し前記管壁を通って延在するスロットを備えうる。前記スロットは前記スロットの外周縁によって外接された設置面を有しうる。ガラス製造装置はまた、熱制御路を画定する熱制御装置を備えうる。前記熱制御路の投影は前記設置面と交差する。

他の実施形態では、前記形成デバイスは第１外面を有する第１壁を更に備えうる。前記第１壁は前記管壁の外面の第１外周位置において取り付けられうる。前記形成デバイスはまた、第２外面を有する第２壁を備えうる。前記第２壁は前記管壁の外面の第２外周位置において取り付けられうる。前記第１外面及び前記第２外面は前記形成デバイスの根元で集束しうる。一体接合部は前記形成デバイスの根元から成りうる。

他の実施形態では、前記投影は前記設置面によって限界が定められうる。

他の実施形態では、前記熱制御装置は前記流れ通路の流れ方向に沿って配置された複数の熱制御装置を含みうる。

他の実施形態では、前記管壁は約０．５ミリメートルから約１０ミリメートルの範囲内の厚みを有しうる。

他の実施形態では、前記管壁は白金又は白金合金から成りうる。

他の実施形態では、前記熱制御装置は電気加熱器を備えうる。

他の実施形態では、前記電気加熱器は複数の電気加熱器を含みうる。断熱体が前記複数の電気加熱器のうち第１電気加熱器と第２電気加熱器の間に配置されうる。

他の実施形態では、前記電気加熱器は二ケイ化モリブデン、炭化ケイ素、又は亜クロム酸ランタンのうち１つ以上から成りうる。

他の実施形態では、前記熱制御装置はガスノズルを備えうる。

他の実施形態では、前記熱制御装置はレーザーを備えうる。

更に他の実施形態では、前記レーザーは約７６０ナノメートルから約５０００ナノメートルの範囲内の波長を有するレーザービームを放出するように構成されうる。

更に他の実施形態では、鏡が前記レーザーから放出された前記レーザービームが前記設置面を走査するように前記レーザービームを反射するように構成されうる。

更に他の実施形態では、前記鏡は回転可能でありうる。

更に他の実施形態では、前記鏡は多面鏡から成りうる。

更に他の実施形態では、前記レーザーは複数のレーザーダイオードを含みうる。

他の実施形態では、ガラス製造装置は内部領域を画定する壁と前記壁を貫通する壁通路とを有するハウジングを更に備えうる。前記形成デバイスは前記内部領域内に配置されうる。

更に他の実施形態では、前記熱制御路は前記壁通路と位置合わせされうる。

更に他の実施形態では、ガラス製造装置は前記壁通路内に配置された筒を更に備えうる。

更に他の実施形態では、前記熱制御装置はガスノズルを備えうる。

更に他の実施形態では、前記ハウジングは前記形成デバイスに面する内面と前記内面と反対側の外面とを有うる。断熱体が前記外面から延在しうる。

更に他の実施形態では、前記熱制御装置は電気加熱器を備えうる。

更に他の実施形態では、前記電気加熱器は複数の電気加熱器を含みうる。前記断熱体が前記複数の電気加熱器のうち第１電気加熱器と第２電気加熱器の間に配置されうる。

更に他の実施形態では、前記電気加熱器は軸の周りを回転可能でありうる。

更に他の実施形態では、前記壁通路は長さと前記長さより小さい幅とを有するスロットを有しうる。

更に他の実施形態では、前記熱制御装置はレーザーを備えうる。

更に他の実施形態では、前記レーザーは約７６０ナノメートルから約５０００ナノメートルの範囲内の波長を有するレーザービームを放出するように構成されうる。

更に他の実施形態では、前記レーザーは前記壁通路を通して前記レーザービームを放出することで、前記管の長さを走査するように構成されうる。

更に他の実施形態では、前記レーザーはレーザーダイオードから成りうる。前記レーザーダイオードは光ファイバーの第１端に光学的に結合されうる。前記光ファイバーの第２端は前記スロットに面しうる。

更に他の実施形態では、前記光ファイバーは部分的に前記壁通路を通って延在しうる。

幾つかの実施形態では、ガラス製造方法は溶融した材料を管の管壁によって画定された流れ通路の流れ方向に沿って流すステップを含みうる。スロットが前記管壁を通って延在し、前記スロットの外周縁によって外接される設置面を有しうる。この方法は前記スロットの前記設置面を通して前記溶融した材料を流すステップを含みうる。この方法はまた、熱制御路を画定する熱制御装置を動作させるステップであって、前記熱制御路の投影は前記設置面と交差する、ステップを含みうる。この方法は前記熱制御路が前記溶融した材料と交差する位置における前記溶融した材料の温度を調整するステップを更に含みうる。

他の実施形態では、この方法は前記位置からの前記溶融した材料の第１流れを第１方向に形成デバイスの第１外面に沿って流し、前記位置からの前記溶融した材料の第２流れを第２方向に前記形成デバイスの第２外面に沿って流すステップを更に含みうる。前記第１流れと前記第２流れは集束しガラスリボンを形成しうる。

他の実施形態では、前記位置は、前記スロットから前記流れ方向に垂直な方向で外方へ延びる前記設置面の投影内に完全に位置しうる。

他の実施形態では、前記位置における前記溶融した材料の温度を調整するステップは、前記溶融した材料の前記温度を下げることを含みうる。

更に他の実施形態では、前記熱制御装置を動作させるステップは、ガスノズルからガスを放出することを含みうる。

更に他の実施形態では、前記位置における前記溶融した材料の温度を調整するステップは、前記溶融した材料の前記温度を上げることを含みうる。

更に他の実施形態では、前記熱制御装置を動作させるステップは、加熱素子に電気を流すことを含みうる。

更に他の実施形態では、この方法は前記加熱素子を軸の周りを回転させるステップを含みうる。

更に他の実施形態では、前記熱制御装置を動作させるステップは、レーザーからレーザービームを放出させることを含みうる。

更に他の実施形態では、前記溶融した材料における前記レーザービームの吸収深さは約５０マイクロメートルから約１０ミリメートルの範囲内でありうる。

更に他の実施形態では、前記レーザービームは約７６０ナノメートルから約５０００ナノメートルの範囲内の波長を有しうる。

更に他の実施形態では、この方法は前記レーザービームを前記スロットの長さに亘って走査するステップを含みうる。

更に他の実施形態では、この方法は前記レーザーから放出された前記レーザービームを鏡で反射するステップを含みうる。

更に他の実施形態では、この方法は前記鏡を回転させるステップを含みうる。

更に他の実施形態では、前記鏡は多面鏡から成りうる。

本明細書に開示された実施形態の追加の特徴と利点は下記の詳細な説明において記述され、その説明から当業者にとって容易に明白となるか、又は下記の詳細な説明、請求項、及び添付図面を含めて本明細書に記載した開示を実施することにより認識されるであろう。上記概要説明と下記の詳細な説明の両方とも、本明細書に開示された実施形態の特質及び特性を理解するための概観又は枠組みを提供するよう意図された実施形態を提示していることは理解されるべきである。添付図面は更なる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれ一部をなしている。図面は本開示の様々な実施形態を例示し、記述内容と共にそれらの原理と動作を説明する。

本開示のこれら及び他の特徴、実施形態、及び利点は、添付の図面を参照して読まれる時、更に理解されうる。
本開示の実施形態に係るガラス製造装置の代表的な実施形態を概略的に示す。 形成デバイスの図１の線２‐２に沿った断面図を示す。 図２の３の拡大図である。 形成デバイスの図２の線４‐４に沿った断面図を示す。 本開示の実施形態に係る図２の５の拡大図である。 本開示の実施形態に係る図２の５の拡大図である。 本開示の実施形態に係る図２の５の拡大図である。 本開示の実施形態に係る図２の５の拡大図である。 熱制御装置の図６の線９‐９に沿った図を示す。 本開示の実施形態に係る熱制御装置の側面図を示す。 熱制御装置の図７の線１１‐１１に沿った断面図を示す。

代表的な実施形態が示された添付の図面を参照しながら、実施形態をより完全に下記に記述する。可能ならいつでも、同じ又は類似の部品を指すために同じ符号を全図面に亘って使用する。しかし、本開示は多くの異なる形態で具体化されてよく、本明細書に明記された実施形態に限定されると解釈されるべきではない。そうでないと記述されない限り、本開示の１つの実施形態の特徴の説明は本開示の他の実施形態の対応する特徴に等しく当てはまる。これらの実施形態のいずれのガラスリボンも後で分割され、用途（例えば、表示用途）に向け更に加工されるのに適した複数のガラス物品（例えば、分離されたガラスリボン）が提供される。例えば、ガラス物品（例えば、分離されたガラスリボン）は液晶表示器（ＬＣＤ）、電気泳動表示器（ＥＰＤ）、有機発光ダイオード表示器（ＯＬＥＤ）、プラズマ表示パネル（ＰＤＰ）、触覚センサー、太陽電池などを含む広範囲の用途で使用されうる。

本書に記載の本開示の実施形態は、形成デバイスの管のスロットを出る溶融した材料の質量流量、粘度、及び／又は温度を熱制御装置を使って調整することの技術的利益を提供しうる。本開示の実施形態は、溶融した材料の質量流量、粘度、及び／又は温度の局所化された制御及び／又は調整を提供しうる。溶融した材料の質量流量、粘度、及び／又は温度が制御されうる部位は完全にスロットの外周によって画定される設置面の投影内でありうる。また、スロットを出る溶融した材料に作用することは、ガラス製造プロセスにおける後の追加の熱制御の必要を低減しうる。スロットのデザインは熱制御装置が溶融した材料に作用する領域を減らすのに使用されうる。薄い管壁（例えば、約０．５ミリメートル～約１０ミリメートル）を備える実施形態は、熱制御装置が溶融した材料に作用する位置の周りの形成デバイスの蓄熱質量を低減でき、これは熱制御装置の効果を増加させうる。本開示の実施形態によれば、溶融した材料の質量流量、粘度、及び／又は温度を調整することはまた、溶融した材料の第１流れ及び溶融した材料の第２流れの同時制御も許しうる。また、ハウジングの内部領域内に形成デバイスを設けることは、制御されない熱損失及び／又は熱気流が製造されたガラスリボンの品質に影響するのを低減する（例えば、最小にする、防ぐ）と共に、熱制御装置の効果の局所化を増加させうる。ハウジングの壁を通る通路を設けることは、内部領域外に少なくとも部分的に位置する熱制御装置が溶融した材料に作用するのを許しうる。前記通路に筒を設けることは、熱制御装置の調整（例えば、再配置、除去、挿入、交換）を許し、また制御されない熱損失及び／又は熱気流を更に低減できる。ハウジングの壁の外面から延びる断熱体を設けることは、熱制御装置の効果を更に局所化できる。

図１に概略的に示されているように、幾つかの実施形態では、ガラス製造装置１００はガラス溶融・出力装置１０２とある量の溶融した材料１２１からガラスリボン１０３を作製するように設計された形成デバイス１４０を備える形成装置１０１とを含みうる。本書で使用されるように、用語「ガラスリボン」は、形成デバイス１４０から引き出された後の材料（その材料がガラス状態（例えば、ガラス遷移温度超の）でない場合でも）を指す。幾つかの実施形態では、ガラスリボン１０３は、ガラスリボン１０３の第１外縁１５３及び第２外縁１５５に沿って形成された互いに反対側の縁ビーズ間に位置する中央部１５２を含みうる。また、幾つかの実施形態では、個別ガラスリボン１０４はガラスリボン１０３から分離線１５１に沿ってガラス分離器１４９（例えば、スクライブ、切り込み輪、ダイヤモンド先端、レーザー）によって分離されうる。幾つかの実施形態では、ガラスリボン１０３からの個別ガラスリボン１０４の分離前又は後に、第１外縁１５３及び第２外縁１５５に沿って形成された縁ビーズを除去して中央部１５２をより均一な厚みを有する個別ガラスリボン１０４として提供できる。

幾つかの実施形態では、ガラス溶融・出力装置１０２は貯蔵容器１０９からバッチ材料１０７を受け取るのに適合した溶融容器１０５を備えうる。バッチ材料１０７はモーター１１３により動力が供給されるバッチ送出装置１１１によって導入されうる。幾つかの実施形態では、制御器１１５は任意選択でモーター１１３を作動させてある量のバッチ材料１０７を溶融容器１０５内に導入する（矢印１１７で示す）ように動作させられうる。溶融容器１０５はバッチ材料１０７を加熱して溶融した材料１２１を供給できる。幾つかの実施形態では、ガラス溶融探針１１９が立て管１２３内の溶融した材料１２１のレベルを測定し測定した情報を制御器１１５に通信線１２５を介して通信するのに使用されうる。

また、幾つかの実施形態では、ガラス溶融・出力装置１０２は溶融容器１０５の下流に位置し第１接続管１２９を介して溶融容器１０５に結合された清澄槽１２７を含む第１調整ステーションを含みうる。幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は溶融容器１０５から清澄槽１２７へ第１接続管１２９を介して重力により供給されうる。例えば、幾つかの実施形態では、重力は第１接続管１２９の内部通路を通って溶融容器１０５から清澄槽１２７へ溶融した材料１２１を移動させうる。また、幾つかの実施形態では、泡が清澄槽１２７内の溶融した材料１２１から様々な手法で除去されうる。

幾つかの実施形態では、ガラス溶融・出力装置１０２は清澄槽１２７の下流に位置しうる混合槽１３１を含む第２調整ステーションを更に含みうる。混合槽１３１は溶融した材料１２１の均質組成物を供給するのに使用され、清澄槽１２７を出る溶融した材料１２１にさもなければ存在しうる不均質さを低減又は無くしうる。図示のように、清澄槽１２７は混合槽１３１に第２接続管１３５を介して結合されうる。幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は清澄槽１２７から混合槽１３１へ第２接続管１３５を介して重力により供給されうる。例えば、幾つかの実施形態では、重力は第２接続管１３５の内部通路を通って清澄槽１２７から混合槽１３１へ溶融した材料１２１を移動させうる。

また、幾つかの実施形態では、ガラス溶融・出力装置１０２は混合槽１３１の下流に位置しうる送出容器１３３を含む第３調整ステーションを含みうる。幾つかの実施形態では、送出容器１３３は溶融した材料１２１を入口管１４１に供給されるように調整しうる。例えば、送出容器１３３は溶融した材料１２１の安定した流れを調整し入口管１４１に供給する蓄積器及び／又は流れ制御器として機能しうる。図示のように、混合槽１３１は送出容器１３３に第３接続管１３７を介して結合されうる。幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は混合槽１３１から送出容器１３３へ第３接続管１３７を介して重力により供給されうる。例えば、幾つかの実施形態では、重力は第３接続管１３７の内部通路を通って混合槽１３１から送出容器１３３へ溶融した材料１２１を移動させうる。更に図示のように、幾つかの実施形態では、送出管１３９が溶融した材料１２１を形成装置１０１、例えば形成デバイス１４０の入口管１４１へ送出するように配置されうる。

形成装置１０１は、ガラスリボン１０３を引っ張る（例えば、融合ドロー）ための成形ウェッジ（例えば、図２の成形ウェッジ２０９）を有する形成デバイス１４０を備えうる。図２を参照する例示として、下記に示され開示される形成デバイス１４０は、溶融した材料１２１を根元２３５として画定された成形ウェッジ２０９の底縁を離れて引っ張る（例えば、融合ドロー）ために設けられ、引っ張られてガラスリボン１０３に成りうる溶融した材料１２１のリボンを作製しうる。例えば、幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は入口管１４１から形成デバイス１４０へ送出されうる。次に溶融した材料１２１は部分的に形成デバイス１４０の構造に基づいてガラスリボン１０３に形成されうる。例えば、図示のように、溶融した材料１２１は形成デバイス１４０の底縁（例えば、根元２３５）を離れてガラス製造装置１００のドロー方向１５４に延びるドロー路に沿って引っ張られうる。幾つかの実施形態では、エッジ誘導部材２３７、２３８（図４参照）は溶融した材料１２１を形成デバイス１４０から離れるよう誘導し少なくとも部分的にガラスリボン１０３の幅Ｗを定めうる。幾つかの実施形態では、ガラスリボン１０３の幅Ｗはガラスリボン１０３の第１外縁１５３と第２外縁１５５の間に延在しうる。幾つかの実施形態では、ガラスリボン１０３の幅Ｗは約２０ミリメートル（ｍｍ）以上、約５０ｍｍ以上、約１００ｍｍ以上、約５００ｍｍ以上、約１０００ｍｍ以上、約２０００ｍｍ以上、約３０００ｍｍ以上、約４０００ｍｍ以上でありえるが、他の実施形態では、他の幅が提供されうる。幾つかの実施形態では、ガラスリボン１０３の幅Ｗは約２０ｍｍから約４０００ｍｍ、約５０ｍｍから約４０００ｍｍ、約１００ｍｍから約４０００ｍｍ、約５００ｍｍから約４０００ｍｍ、約１０００ｍｍから約４０００ｍｍ、約２０００ｍｍから約４０００ｍｍ、約３０００ｍｍから約４０００ｍｍ、約２０ｍｍから約３０００ｍｍ、約５０ｍｍから約３０００ｍｍ、約１００ｍｍから約３０００ｍｍ、約５００ｍｍから約３０００ｍｍ、約１０００ｍｍから約３０００ｍｍ、約２０００ｍｍから約３０００ｍｍ、約２０００ｍｍから約２５００ｍｍの範囲内、又はそれらの間の任意の範囲及び部分範囲内でありうる。

図２は形成装置１０１（例えば、形成デバイス１４０）の図１の線２‐２に沿った断面図を示す。幾つかの実施形態では、形成デバイス１４０は溶融した材料１２１を入口管１４１から受け取るのに適合した管２０１を備えうる。形成デバイス１４０は、一対の下方傾斜集束面部分を構成する第１壁２１３及び第２壁２１４を有する成形ウェッジ２０９を更に備えうる。第１壁２１３及び第２壁２１４は、ドロー方向１５４に沿って集束し形成デバイス１４０の根元２３５に沿って交差する成形ウェッジ２０９の一対の下方傾斜集束面部分を構成しうる。本書で使用されるように、本開示の形成デバイス１４０及びその中の部品上の位置は、ドロー方向１５４に基づいて別の位置に対して上流又は下流と呼ばれる。また、幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は形成デバイス１４０の管２０１内に及び管２０１に沿って流れうる。図２に示すように、管２０１は、流れ通路２０７を画定する内面２０６を有する管壁２０５を有しうる。図示のように、管壁２０５は、流れ通路２０７に部分的に外接して流れ通路２０７を画定する。図示のように、管２０１は、流れ通路２０７と流体連通し管壁２０５を通って延びるスロット２０３を備えうる。図示のように、スロット２０３は、管壁２０５の外面２０４の開口、管壁２０５の内面２０６の開口、及び管壁２０５の外面２０４と内面２０６の間の厚みを通って延びうる。スロット２０３は一つの切れ目のないスロットから成ってもよいが、流れ通路２０７の流れ方向２０８（図４参照）に沿って整列した複数のスロットが設けられてもよい。幾つかの実施形態では、図示しないが、スロット２０３は拡大した端を有してもよい。幾つかの実施形態では、図示しないが、スロット２０３は、例えば間欠的に減少することで、又は中間部から第１外端部及び第２外端部へ連続的に減少することで流れ方向２０８に沿って変化してもよい。また、図示しないが、スロット２０３は流れ方向２０８に延び互いに平行な複数のスロット列を含みうる。

図３に示すように、スロット２０３はスロット２０３の外周縁３０３によって外接される設置面３０１を有しうる。本出願の目的のために、スロット２０３の設置面３０１は、スロット２０３を外接する外周縁３０３の最内部分によって画定される最小スロット領域であると考えられる。スロット２０３の外周縁３０３の最内部分は、管壁２０５の外面２０４と内面２０６の間（これらの面を含む）における最外縁を成しうる。例えば、図３に示すように、設置面３０１は、管壁２０５の内面２０６におけるスロット２０３の最内縁３０５によって画定される。図示のように、最内縁３０５は流れ方向２０８に垂直な方向のスロット幅３０７を画定する。

図２及び４に示すように、スロット２０３は管壁２０５を通って延びる貫通スロットから成ってもよい。図示のように、幾つかの実施形態では、スロット２０３は管壁２０５の外面２０４と内面２０６へ開口し、流れ通路２０７と管壁２０５の外面２０４の間の流体連通を提供する。図２及び４で理解されうるように、本開示の実施形態のいずれでも、スロット２０３（任意選択で複数のスロットから成る）は管２０１の最上頂点において管壁２０５の外面２０４に設けられうる。他の実施形態では、スロット（任意選択で複数のスロットから成る）はそのスロットを２等分するスロット平面に沿って延び、更に管２０１及び／又は根元２３５を２等分してもよい。理論によって束縛されるのを望まないが、管２０１及び／又は根元２３５をスロット平面で管２０１の最上頂点に沿って２等分する（例えば、スロットを２等分する）ことは、そのスロットを出る溶融した材料を互いに反対側を流れる流れ（例えば、溶融した材料１２１の第１流れ２１１と第２流れ２１２）に等分割するのを助けうる。

管２０１の管壁２０５は電気導電性材料から成ってもよい。本書で使用するように、材料が２０℃で約０．０００１オームメートル（Ωｍ）以下の抵抗率（例えば、約１００００ジーメンス／メートル（Ｓ／ｍ）以上の導電率）を有する場合、その材料は電気導電性である。電気導電性材料の実施形態はマンガン、ニッケル・クロム合金（例えば、ニクロム）、鋼、チタン、鉄、ニッケル、亜鉛、タングステン、金、銅、銀、白金、ロジウム、イリジウム、オスミウム、パラジウム、ルテニウム、及びそれらの組み合わせを含む。他の実施形態では、管２０１の管壁２０５は白金又は白金合金から成ってもよいが、溶融した材料と親和性があり高温で構造的完全性を提供する他の材料であってもよい。幾つかの実施形態では、白金合金は白金ロジウム、白金イリジウム、白金パラジウム、白金・金、白金オスミウム、白金ルテニウム、及びそれらの組み合わせから成ってもよい。幾つかの実施形態では、白金又は白金合金は耐熱金属、例えばモリブデン、レニウム、タンタル、チタン、タングステン、ルテニウム、オスミウム、ジルコニウム、二酸化ジルコニウム（ジルコニア）、及び／又はそれらの合金も含んでもよい。他の実施形態では、白金又は白金合金は酸化物分散強化材料から成りうる。他の実施形態では、管壁２０５全体が白金又は白金合金から成る又は本質的に成ってもよい。このように、幾つかの実施形態では、導管は、流れ通路２０７を画定する管壁２０５を有する白金管２０１から成りうる。幾つかの実施形態では、管壁は白金を含まない上記材料のうち１つ以上から成ってもよい。管壁２０５の厚みは管壁２０５の外面２０４と内面２０６に間に画定されうる。管２０１（例えば、白金管）の材料コストを低減するために、導管の管壁２０５の厚みは約０．５ミリメートル（ｍｍ）から約１０ｍｍ、約０．５ｍｍから約７ｍｍ、約０．５ｍｍから約３ｍｍ、約１ｍｍから約１０ｍｍ、約１ｍｍから約７ｍｍ、約３ｍｍから約１０ｍｍ、約３ｍｍから約７ｍｍの範囲内、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内でありうる。管２０１に上記範囲のいずれか内の厚みの管壁２０５を設けることは、所望のレベルの構造的完全性を管２０１に提供するのに十分大きい厚みを提供すると共に、管２０１（例えば、白金管）を製造する材料のコストを低減し最小になりうる厚みも提供しうる。管壁２０５に薄い厚み（例えば、約０．５ｍｍから約１０ｍｍ）を提供することは、熱制御装置２５１が溶融した材料１２１にそこで作用する位置３１５（図３参照）の周りの形成デバイス１４０の蓄熱質量を低減でき、熱制御装置２５１の効果を増加させうる。

管２０１の管壁２０５は広範囲のサイズ、形状、及び構成を有し製造及び／又は組み立てコストを低減し、及び／又は管２０１の機能を増加させうる。例えば、図示のように、管壁２０５の外面２０４及び／又は内面２０６は円形形状を有してよいが、他の実施形態では他の曲線形状（例えば、楕円形）又は多角形形状であってもよい。外面２０４及び内面２０６両方を曲線形状（例えば、円形形状）とすることは、管壁２０５に一定の厚みを与え管壁２０５に高い構造強度を提供し、管２０１の流れ通路２０７を通る溶融した材料１２１の安定した流れを促進するのを助けうる。また、図２及び４から理解されるであろうように、管２０１の外面２０４及び／又は内面２０６は、図２及び４に示した図に垂直な方向の長さに沿って幾何学的に類似の円形形状（又は他の形状）を有しうる。このような実施形態では、スロット２０３を通る流量はスロット２０３の幅を変えることで制御され（例えば、ほぼ同じに保たれ）うる。

本開示の実施形態のいずれの管２０１も連続管からなりうるが、他の実施形態ではセグメントに分かれた管を設けてもよい。例えば、管２０１は長さに沿ってセグメントに分かれていない連続管からなりうる。そのような連続管は継ぎ目のない管に増加した構造強度を提供するのに有用でありうる。幾つかの実施形態では、セグメントに分かれた管が使用されてもよい。例えば、形成デバイス１４０の管２０１は、直列に互いに隣接する管セグメント同士の当接する端間の接続点で接続されうる管セグメントから任意選択で成りうる。幾つかの実施形態では、接続点は溶接された継ぎ目から成り、管セグメントを一体管として一体接合してもよい。幾つかの実施形態では、接続点は拡散接合継ぎ目、雄／雌継ぎ目、又はねじ継ぎ目から成ってもよい。管２０１を一連の管セグメントとすることは、幾つかの用途における管２０１の製造を簡略化する場合がある。

図２に示すように、成形ウェッジ２０９は第１外面２２３を画定する第１壁２１３と第２外面２２４を画定する第２壁２１４とを有しうる。図２に示すように、幾つかの実施形態では、第１壁２１３（例えば、白金壁）が管２０１（例えば、白金管）の管壁２０５に管２０１の外面２０４の第１外周位置２０８ａにある第１界面を介して取り付けられうる。同様に、第２壁２１４（例えば、白金壁）が管２０１（例えば、白金管）の管壁２０５に管２０１の外面２０４の第２外周位置２０８ｂにある第２界面を介して取り付けられうる。図示のように、第１外周位置２０８ａ及び第２外周位置２０８ｂは管２０１のスロット２０３の下流に位置してよい。その結果、スロット２０３は第１外周位置２０８ａ及び第２外周位置２０８ｂの間の円弧上に位置する。幾つかの実施形態では、第１壁２１３の上流端と第２壁２１４の上流端とは管２０１の管壁２０５に一体に結合され、管２０１の外面２０４とそれら壁の外面（例えば、第１壁２１３の第１外面２２３、第２壁２１４の第２外面２２４）の間に滑らかな対応する界面を有するように加工されうる。幾つかの実施形態では、第１壁２１３の上流端と第２壁２１４の上流端とを管壁２０５に一体に結合することは、継ぎ目、例えば溶接された継ぎ目、拡散接合継ぎ目、雄／雌継ぎ目、又はねじ継ぎ目を形成することであってもよい。

幾つかの実施形態では、図２、３に示すように、第１壁２１３の上流部と第２壁２１４の上流部とは、管２０１との対応する界面からドロー方向１５４に沿って初めは互いに離れてよい。理論によって束縛されるのを望まないが、第１壁と第２壁とを互いから離すことは、ドロー方向に沿った溶融した材料の流れを容易にし、また、幾つかの実施形態では、支持梁のためのスペースを増大させうる。幾つかの実施形態では、図示しないが、第１壁と第２壁の上流部は互いに平行でありうる。

幾つかの実施形態では、図２に示すように、第１外面２２３と第２外面２２４はドロー方向１５４に集束し成形ウェッジ２０９の根元２３５を形成しうる。幾つかの実施形態では、根元２３５は第１外面２２３と第２外面２２４の集束点における一体接合から成りうる。幾つかの実施形態では、一体接合は単一の（例えば、モノリシックな）材料、又は接合部から成ってもよい。他の実施形態では、接合部は拡散接合継ぎ目、雄／雌継ぎ目、又はねじ継ぎ目から成ってもよい。

幾つかの実施形態では、形成デバイス１４０の第１壁２１３及び／又は第２壁２１４は上述したように電気導電性材料から成りうる。他の実施形態では、第１壁２１３及び／又は第２壁２１４は管２０１の上記組成に類似又は同一の白金及び／又は白金合金から成ってよいが、別の実施形態では、異なる組成が使用されてもよい。更に他の実施形態では、第１壁２１３及び第２壁２１４はそれぞれ白金から成りうる。他の実施形態では、第１壁２１３及び／又は第２壁２１４は管２０１について上述した材料のうち白金以外の１つ以上から成ってよい。第１壁２１３の厚み２２５は第１外面２２３と第１内面２３３の間に定められうる。第２壁２１４の厚み２２６は第２外面２２４と第２内面２３４の間に定められうる。材料コストを低減するために、第１壁２１３の厚み２２５及び／又は第２壁２１４（例えば、白金壁）の厚み２２６は、例えば０．５ｍｍから約１０ｍｍ、約０．５ｍｍから約７ｍｍ、約０．５ｍｍから約３ｍｍ、約１ｍｍから約１０ｍｍ、約１ｍｍから約７ｍｍ、約３ｍｍから約１０ｍｍ、約３ｍｍから約７ｍｍの範囲内、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内でありうる。低減された厚みは全材料コストを低減しうる。

図２に示すように、第１壁２１３は第１壁２１３の第１外面２２３と反対側の第１内面２３３を有してよい。図示のように、第２壁２１４は第２壁２１４の第２外面２２４と反対側の第２内面２３４を有してよい。第１内面２３３と第２内面２３４は図２に示すように、形成デバイス１４０内に空洞２２０を部分的に画定してよい。幾つかの実施形態では、空洞２２０は管２０１の管壁２０５によって更に画定されてよい。下記のように、支持梁１５７は、第１内面２３３と第２内面２３４によって部分的に画定された空洞２２０内に配置されてよい。

図２及び４に示すように、空洞２２０内に配置された支持梁１５７は、管２０１と流れ通路２０７内の溶融した材料１２１との重みを支えうる。他の実施形態では、管２０１と管２０１に関連する溶融した材料１２１との重みを支えるのに加えて、支持梁１５７は管２０１の形状及び／又は寸法、例えばスロット２０３の形状及び寸法を維持するのを助けるように構成されてよい。幾つかの実施形態では、支持梁１５７は横方向に根元２３５の幅の外へ延びて図１に示す互いに反対側の位置１５８ａ、１５８ｂにおいて支持され（例えば、単に支持され）うる。このように、支持梁１５７は形成されたガラスリボン１０３の幅Ｗより長く、形成デバイス１４０を横方向に通って延びる空洞２２０を通って延びて形成デバイス１４０を完全に支えてもよい。また、図２に示すように、支持梁１５７は形成デバイス１４０の洞２２０内の第１壁２１３と第２壁２１４の間に配置され、第１壁２１３及び／又は第２壁２１４の小さい厚みにも拘らずそれらの壁に使用時の変形に抵抗するのに十分な構造完全性を提供しうる。このように、第１壁２１３と第２壁２１４の構造はその間に配置された支持梁１５７によって維持されうる。また、第１壁２１３と第２壁２１４はドロー方向１５４に集束し根元２３５を形成して、強い三角形構造が第１壁２１３と第２壁２１４によって形成されうる。このように、構造的に硬い構成が、上記指定された範囲内の薄い壁で実現されうる。

本開示の支持梁は、例えば単一で一体の支持梁として設けられうる。幾つかの実施形態では、図示されないが、支持梁は任意選択で第１支持梁と第１支持梁を支える第２支持梁とを含みうる。他の実施形態では、第１支持梁と第２支持梁は、第１支持梁が第２支持梁の上に積み重ねられた支持梁の積み重ねを構成しうる。支持梁の積み重ねを設けることは、製造を簡単にし及び／又はそのコストを低減しうる。例えば、幾つかの実施形態では、第２支持梁は第１支持梁より長く、第２支持梁の両端部は根元２３５の幅の外へ横方向に延びて互いに反対側の位置（例えば、位置１５８ａ、１５８ｂ）において支持されうる（例えば、単に支持されうる）。このように、第２支持梁はガラスリボン１０３の幅Ｗより長く、形成デバイス１４０を横方向に通って延びる空洞２２０を通って延びて形成デバイス１４０を完全に支えうる。また、第２支持梁は、例えば例示の矩形形状を有してもよいが、中空形状、Ｉ梁形状、又は別の形状であってもよく、材料コストを低減する一方、それでも慣性の高い曲げモーメントを支持梁に提供する。また、第１支持梁は導管を支える形状を持つよう製造され、上述のような導管の形状及び寸法を維持するのを助けうる。

幾つかの実施形態では、支持梁１５７は１つ以上のセラミックを含む支持材料から成りうる。支持梁のセラミック材料の代表的な実施形態は炭化ケイ素（ＳｉＣ）から成る。幾つかの実施形態では、他のセラミック（例えば、酸化物、炭化物、窒化物、オキシ窒化物）が支持梁に使用されてもよい。幾つかの実施形態では、支持材料は、約１２００℃以上、約１３００℃以上、約１４００℃以上、約１５００℃以上、約１６００℃以上、又は約１７００℃以下の温度でその機械的特性及び寸法安定性を維持するように設計されうる。他の実施形態では、支持梁１５７は約１メガパスカル（ＭＰａ）から５ＭＰａの範囲の圧力下、約１４００℃以上の温度で１×１０^－１２ｓ^－１から１×１０^－１４ｓ^－１のクリープ速度で支持材料から製造されうる。このような支持材料は管及び導管によって運ばれる高温（例えば、１４００℃）の溶融した材料に最小のクリープで十分な支えを提供でき、溶融した材料を汚染することなく溶融した材料に物理的に接触するのに理想的な白金又は他の高価な耐熱性材料の使用を最少にする形成デバイス１４０を提供する一方、形成デバイス１４０と形成デバイス１４０によって運ばれる溶融した材料１２１との重みの下で大きな応力に耐えうる安価な材料からできた支持梁１５７を提供する。同時に、上記材料からできた支持梁１５７は高応力及び温度の下でクリープに抗し、導管及び導管に関連する壁（例えば、白金壁）の位置及び形状の維持を許しうる。他の実施形態では、支持梁１５７は第１支持梁及び第２支持梁から成ってもよく、第１支持梁及び第２支持梁は概ね同じ又は同一の材料から製造されてよいが、別の実施形態では、異なる材料が使用されてもよい。

幾つかの実施形態では、第１壁２１３及び／又は第２壁２１４の材料は、支持梁１５７の材料との物理的接触のためには不適合であってもよい。例えば、幾つかの実施形態では、第１壁２１３及び／又は第２壁２１４は白金（例えば、白金合金）から成り、支持梁１５７は、もし白金が支持梁１５７と接触すると第１壁２１３及び／又は第２壁２１４の白金により腐食又はそれ以外で化学的に反応しうる支持材料（例えば、炭化ケイ素）から成ってもよい。このように、幾つかの実施形態では、不適合な材料間の接触を避けるために、壁（例えば、第１壁２１３、第２壁２１４）のどんな部分も及び管２０１のどんな部分も支持梁１５７のどんな部分とも物理的に接触するのを防いでよい。図示のように、例えば、図２で、第１壁２１３及び第２壁２１４はそれぞれ支持梁１５７のどんな部分とも物理的に接触しないよう離される。また、管２０１は支持梁１５７のどんな部分とも物理的に接触しないよう離されうる。様々な手法が壁を支持梁１５７から離すのに使用されうる。例えば、柱又はリブが離すのに設けられてもよい。

幾つかの実施形態では、図示のように、中間材料２１０の層が壁（例えば、第１壁２１３、第２壁２１４）と支持梁１５７の間に設けられ、対応する壁（例えば、第１壁２１３、第２壁２１４）を支持梁１５７と接触しないように離してもよい。他の実施形態では、中間材料２１０の層は第１壁２１３及び／又は第２壁２１４の全ての部分と支持梁１５７の近接する離れた部分の間に連続的に設けられてもよい。幾つかの実施形態では、図示のように、中間材料２１０の層は管２０１と支持梁１５７の間に設けられ管２０１が支持梁１５７と接触しないよう離されてもよい。他の実施形態では、中間材料２１０の層は管２０１の全ての部分と支持梁１５７の近接する離れた部分の間に連続的に設けられてもよい。理論によって束縛されるのを望まないが、中間材料２１０の連続層を設けることは、上記構造から離された支持梁１５７による第１壁２１３、第２壁２１４、及び管２０１の全ての部分に亘って均一な支えを可能にしうる。壁（例えば、第１壁２１３、第２壁２１４）と支持梁１５７の材料に依って様々な材料が、中間材料２１０として使用されうる。例えば、中間材料２１０は、溶融した材料１２１を形成デバイス１４０に納め誘導することに関連する高温及び圧力条件下で管２０１、第１壁２１３、及び／又は第２壁２１４（例えば、白金）及び支持部材（例えば、炭化ケイ素）に接触するのに適合する材料から成りうる。幾つかの実施形態では、中間材料２１０は耐熱材料から成りうる。適切な耐熱材料の代表的な実施形態はジルコニア及びアルミナを含む。幾つかの実施形態では、他の耐熱材料（例えば、酸化物、石英、ムライト）が使用されてもよい。従って、他の実施形態では、白金又は白金合金壁（例えば、第１壁２１３、第２壁２１４）及び白金管（例えば、管２０１）は支持梁１５７（例えば、炭化ケイ素から成る）のどんな部分にも物理的に接触しないように中間材料２１０（例えば、アルミナ）の層によって離なされうる。

幾つかの実施形態では、図２及び４～１０に示すように、ガラス製造装置１００は内面２４３と内面２４３と反対側の外面２４５の間に画定されたハウジング壁２４１を有するハウジング２４０を備えうる。幾つかの実施形態では、ハウジング２４０の内部領域２４７はハウジング壁２４１の内面２４３によって画定されうる。幾つかの実施形態では、ハウジング壁２４１の内面２４３は形成デバイス１４０に面しうる。幾つかの実施形態では、ハウジング壁２４１は少なくとも部分的に形成デバイス１４０を囲い、形成デバイス１４０及びガラスリボン１０３の一部はハウジング２４０の内部領域２４７内に位置する。図示のように、ハウジング２４０の内面２４３と外面２４５の間のバルク材はセラミック又は低熱伝導率の他の材料であってよい第１材料から成りうる。理論によって束縛されるのを望まないが、より低い熱伝導率の材料は、より高い熱伝導率の材料より良い絶縁特性を有する傾向がある。幾つかの実施形態では、第１材料は約０．０１Ｗｍ^－１Ｋ^－１から約１５０Ｗｍ^－１Ｋ^－１の範囲内、約０．０１Ｗｍ^－１Ｋ^－１から約５０Ｗｍ^－１Ｋ^－１の範囲内、又は約０．２５Ｗｍ^－１Ｋ^－１から約３０Ｗｍ^－１Ｋ^－１の範囲内、又はその間の範囲及び部分範囲内の約１５０Ｗｍ^－１Ｋ^－１以下、５０Ｗｍ^－１Ｋ^－１以下、約３０Ｗｍ^－１Ｋ^－１以下の熱伝導率を有するが、他の実施形態では他の熱伝導率も許容されてよい。ハウジング２４０は、製造されるガラスリボン１０３の品質に影響する制御されない熱損失及び／又は熱気流を低減する（例えば、最少にする、防ぐ）技術的恩恵を提供しうる。

また、第１材料は、溶融した材料１２１が形成デバイス１４０内にある時にハウジング２４０の内部領域２４７の動作温度において構造完全性を維持し、寸法安定性を提供しうる。幾つかの実施形態では、動作温度は約５００℃以上、約８００℃以上、約１０００℃以上、約１２００℃以上、約１５００℃以上、約１７００℃以下、又は約１６００℃以下であってもよい。幾つかの実施形態では、動作温度は約５００℃から約１７００℃、約８００℃から約１７００℃、約１０００℃から約１７００℃、約１２００℃から約１７００℃、約５００℃から約１６００℃、約８００℃から約１６００℃、約１０００℃から約１６００℃、又は約１２００℃から約１６００℃の範囲内、又はそれらの間の任意の範囲及び部分範囲内であってよい。幾つかの実施形態では、第１材料は１６００℃超の溶融温度を有する。第１材料は非晶質材料である場合、動作温度はその材料のガラス遷移温度未満であてもよい。幾つかの実施形態では、第１材料は窒化ホウ素（ＢＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、ＳｉＡｌＯＮ（即ち、アルミナと窒化ケイ素の化合物でＳｉ_{１２－ｍ－ｎ}Ａｌ_ｍ＋ｎＯ_ｎＮ_{１６－ｎ、}Ｓｉ_６－ｎＡｌ_ｎＯ_ｎＮ_８－ｎ、又はＳｉ_２－ｎＡｌ_ｎＯ_１＋ｎＮ_２－ｎなどの化学式を有しうり、ｍ、ｎ、及び下付き文字式は全て非負整数である）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、グラファイト、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、溶融石英、ムライト（即ち、酸化アルミニウムと二酸化ケイ素の化合物から成る鉱物）、又は上記材料のうち２つ以上の組み合わせから成る。

図示しないが、もしあれば、ハウジング２４０と熱制御装置２５１（例えば、熱制御装置２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ、２５１ｄ）は外側ハウジングの内部領域内に配置されうることは理解されるべきである。幾つかの実施形態では、外側ハウジングはハウジング２４０について上述した材料、熱伝導率、及び／又は構造特性の１つ以上を有してよい。幾つかの実施形態では、外側ハウジングは内部領域からの熱損失を低減しうる。

幾つかの実施形態では、図２及び４～１０に示すように、壁通路２４９（例えば、壁通路２４９ａ、２４９ｂ、２４９ｃ、２４９ｄ）がハウジング壁２４１の外面２４５の開口からハウジング壁２４１の内面２４３の開口までハウジング２４０を通って延在する。ハウジング壁２４１を貫通する壁通路２４９を設けることは、内部領域２４７の外に少なくとも部分的に熱制御装置２５１を配置するのを許しうり、熱制御装置２５１はそれでも内部領域２４７内の溶融した材料１２１に作用しうる。また、壁通路２４９は熱制御装置２５１の効果を局所化して溶融した材料１２１の局所調整を可能にする技術的恩恵を提供しうる。

幾つかの実施形態では、図５に示すように、第２材料から成る筒５０３は壁通路２４９内に配置され整合されうるが、他の実施形態では壁通路２４９は筒５０３がなくてもよい（例えば、図６～１０参照）。幾つかの実施形態では、筒５０３は、ハウジング壁２４１の第１材料と同じでありうる第２材料から成る。幾つかの実施形態では、筒５０３の第２材料は壁通路２４９の第１材料の熱伝導率とほぼ同じかより大きい熱伝導率を有してもよい。他の実施形態では、第２材料は約１６００℃以上の融点を有してもよい。例えば、第１材料は約２５Ｗｍ^－１Ｋ^－１より小さい熱伝導率を有し（例えば、溶融石英、溶融シリカ、二酸化ジルコニウム、ムライト、ＳｉＡｌＯＮ、グラファイト）、第２材料は約３０Ｗｍ^－１Ｋ^－１以上の熱伝導率を有してもよい（例えば、窒化ケイ素、窒化ホウ素、アルミナ、炭化ケイ素、窒化アルミニウム）。幾つかの実施形態では、第２材料は、第２材料のない（例えば、筒５０３のない）通路に比べて壁通路２４９内の温度を均一にするように働く場合がある。幾つかの実施形態では、図示しないが、もし設けられれば、筒５０３は複数の管を含みうり、それぞれ複数の壁通路のうち対応する通路に位置する（例えば、ハウジング２４０の第１材料によって囲われる）。幾つかの実施形態では、それらの管のうち１つ以上は対応する壁通路内に固定装着されてもよい。固定装着は、例えば壁通路内に管を圧入することで達成されてもよい。幾つかの実施形態では、筒５０３は壁通路２４９を覆いうる壁通路２４９の裏張りであってもよい。筒５０３は、制御されない熱損失及び／又は熱気流を更に低減する技術的恩恵を提供しうる。また、筒５０３は熱制御装置２５１の調整（例えば、再配置、除去、挿入、置換え）を可能にしうる。

幾つかの実施形態では、図５に示すように、筒５０３は、筒５０３の外面と反対側の内面の間の厚み５０５を有しうる。幾つかの実施形態では、筒５０３の厚み５０５は約１００ｎｍ以上、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２０００μｍ以下、約９９０μｍ以下、約４９０μｍ以下、約４００μｍ以下、約３００μｍ以下、約２００μｍ以下、又は約１００μｍ以下でありうる。幾つかの実施形態では、筒５０３の厚み５０５は約１００ｎｍから約２０００μｍ、約１μｍから約２０００μｍ、約１０μｍから約２０００μｍ、約５０μｍから約２０００μｍ、約１００ｎｍから約９９０μｍ、約１μｍから約９９０μｍ、約１０μｍから約９９０μｍ、約５０μｍから約９９０μｍ、約１００ｎｍから約４９０μｍ、約１μｍから約４９０μｍ、約１０μｍから約４９０μｍ、約５０μｍから約４９０μｍ、約１００ｎｍから約４００μｍ、約１μｍから約４００μｍ、約１０μｍから約４００μｍ、約５０μｍから約４００μｍ、約１００ｎｍから約３００μｍ、約１μｍから約３００μｍ、約１０μｍから約３００μｍ、約５０μｍから約３００μｍ、約１００μｍから約２００μｍ、約１μｍから約２００μｍ、約１０μｍから約２００μｍ、約５０μｍから約２００μｍ、約１００ｎｍから約１００μｍ、約１μｍから約１００μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、又は約５０μｍから約１００μｍの範囲内、又はそれらの間の任意の範囲及び部分範囲内であってよい。他の実施形態では、図示しないが、筒５０３なしで第２材料が壁通路２４９を囲うハウジング２４０の部分を成してもよい。幾つかの実施形態では、壁通路２４９はハウジング壁２４１の第２材料から成る部分にあってもよい。幾つかの実施形態では、図２、４、６～８に示すように、壁通路２４９に筒５０３が設けられないことがある。幾つかの実施形態では、図示しないが、第２材料から成る上記筒５０３は任意選択で第２材料から成る壁通路２４９内に配置されうり、筒５０３はハウジング２４０から独立して調整又は交換されうる。

壁通路２４９は断面通路面積を持つ断面（例えば、壁通路２４９の長軸に垂直な）を有しうる。幾つかの実施形態では、断面通路面積は約０．０１ｍｍ^２以上、約０．０４ｍｍ^２以上、約０．１ｍｍ^２以上、約５００ｍｍ^２以下、約１００ｍｍ^２以下、約５０ｍｍ^２以下、約１０ｍｍ^２以下、約５ｍｍ^２以下、約１ｍｍ^２以下、約０．８ｍｍ^２以下、約０．４ｍｍ^２以下、約０．２ｍｍ^２以下、又は約０．１ｍｍ^２以下でありうる。幾つかの実施形態では、断面通路面積は約０．０１ｍｍ^２から約５００ｍｍ^２、約０．０４ｍｍ^２から約５００ｍｍ^２、約０．１ｍｍ^２から約５００ｍｍ^２、約０．０１ｍｍ^２から約１００ｍｍ^２、約０．０４ｍｍ^２から約１００ｍｍ^２、約０．１ｍｍ^２から約１００ｍｍ^２、約０．０１ｍｍ^２から約５０ｍｍ^２、約０．０４ｍｍ^２から約５０ｍｍ^２、約０．１ｍｍ^２から約５０ｍｍ^２、約０．０１ｍｍ^２から約１０ｍｍ^２、約０．０４ｍｍ^２から約１０ｍｍ^２、約０．１ｍｍ^２から約１０ｍｍ^２、約０．０１ｍｍ^２から約５ｍｍ^２、約０．０４ｍｍ^２から約５ｍｍ^２、約０．１ｍｍ^２から約５ｍｍ^２、約０．０１ｍｍ^２から約１ｍｍ^２、約０．０４ｍｍ^２から約１ｍｍ^２、約０．１ｍｍ^２から約１ｍｍ^２、約０．０１ｍｍ^２から約０．８ｍｍ^２、約０．０４ｍｍ^２から約０．８ｍｍ^２、約０．１ｍｍ^２から約０．８ｍｍ^２、約０．０１ｍｍ^２から約０．４ｍｍ^２、約０．０４ｍｍ^２から約０．４ｍｍ^２、約０．１ｍｍ^２から約０．４ｍｍ^２、約０．０１ｍｍ^２から約０．２ｍｍ^２、約０．０４ｍｍ^２から約０．２ｍｍ^２、約０．１ｍｍ^２から約０．２ｍｍ^２、約０．０１ｍｍ^２から約０．１ｍｍ^２、約０．０４ｍｍ^２から約０．１ｍｍ^２、又は約０．１ｍｍ^２から約０．６ｍｍ^２の範囲内、又はそれらの間の任意の範囲及び部分範囲内であってよい。幾つかの実施形態では、断面通路面積は壁通路２４９を通って移動する熱の量を低減するために最小にされると共に、壁通路２４９、もしあれば筒５０３、及び熱制御装置２５１（下記で説明する）内に延びうる光ファイバー７０３（下記で説明する）をそれでも収容できる。

幾つかの実施形態では、図９に示すように、断熱体９０３ａ、９０３ｂ、及び／又は９０３ｃがハウジング壁２４１の外面２４５から延びうる。例えば、図示のように、断熱体９０３ａ、９０３ｂ、及び／又は９０３ｃはハウジング壁２４１の外面２４５に取り付けられ、内部領域２４７から離れる方向に外面２４５から延在しうる。他の実施形態では、複数の壁通路（例えば、壁通路２４９ａ、２４９ｂ、２４９ｃ、及び２４９ｄ）がハウジング壁２４１を通って延在してもよい。更に他の実施形態では、断熱体（例えば、断熱体９０３ａ）が隣接する対の壁通路（例えば、壁通路２４９ａ、壁通路２４９ｂ）間に横方向に配置されうる。他の実施形態では、複数の断熱体（例えば、断熱体９０３ａ、９０３ｂ、及び９０３ｃ）は外面２４５に取り付けられハウジング壁２４１の外面２４５から延びうる。更に他の実施形態では、壁通路（例えば、壁通路２４９ｂ）は隣接する対の断熱体（例えば、断熱体９０３ａ、９０３ｂ）間に横方向に配置されてよい。幾つかの実施形態では、断熱体９０３ａ、９０３ｂ、及び／又は９０３ｃは第１材料及び／又は第２材料について上に列挙した材料のうち１つ以上から成りうる。断熱体９０３ａ～９０３ｃは熱制御装置２５１の効果を局所化する技術的恩恵を提供しうる。

ガラス製造装置１００は１つ以上の熱制御装置２５１を備える。幾つかの実施形態では、図４に示すように、ガラス製造装置１００は複数の熱制御装置（例えば、熱制御装置２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ、及び２５１ｄ）を備えうる。他の実施形態では、図４に示すように、複数の熱制御装置は流れ通路２０７の流れ方向２０８に沿って配置（例えば、一列に）されうる。

図２に示すように、熱制御路２５３は熱制御装置２５１からスロット２０３に向かって延在しうる。幾つかの実施形態では、図２、３及び５～７に示すように、熱制御路２５３は線形路であってもよい。幾つかの実施形態では、図８及び１０に示すように、熱制御路２５３は複数の線形路セグメントから成ってもよい。幾つかの実施形態では、図４及び９に示すように、複数の熱制御路（例えば、熱制御路２５３ａ、２５３ｂ、２５３ｃ、及び２５３ｄ）が存在してもよい。他の実施形態では、熱制御路２５３の数は熱制御装置２５１の数と同じであってよい。更に他の実施形態では、１つの熱制御路２５３は１つの熱制御装置２５１と関連してもよい。更に他の実施形態では、１つの熱制御装置２５１は１つの熱制御路２５３と関連してもよい。幾つかの実施形態では、図示されていないが、１つの熱制御装置が複数の熱制御路と関連してもよい。

幾つかの実施形態では、図２に示すように、熱制御装置２５１はハウジング２４０の内部領域２４７の外に配置されうる。他の実施形態では、熱制御路２５３は壁通路２４９を通って延びてもよい。更に他の実施形態では、図示のように、熱制御路は壁通路２４９と位置合わせされてよい。本書で使用するように、熱制御路２５３の壁通路２４９を通る部分の方向が壁通路２４９の中心線の方向であれば、熱制御路２５３は壁通路と位置合わせされる。更に他の実施形態では、熱制御路２５３は壁通路と位置合わせされ壁通路２４９の中心線を含みうる。

図３に示すように、熱制御路２５３の投影３０９は設置面３０１と交差してよい。本書で使用するように、熱制御路２５３の投影３０９は熱制御路２５３に沿って延び、熱制御装置２５１と反対側の熱制御路２５３の端３１１を熱制御路２５３の方向（３１３）に越えて続く。幾つかの実施形態では、熱制御路２５３の投影３０９は設置面３０１によって限界が定められうる。熱制御路２５３の投影３０９が設置面３０１によって限界が定められるように熱制御路２５３を配置することは、ガラス製造プロセス内の後で追加の熱制御の必要を低減しうる。また、熱制御路２５３の投影３０９が設置面３０１によって限界が定められるように熱制御路２５３を配置することは、溶融した材料１２１の第１流れ２１１及び第２流れ２１２の流量、粘度、及び／又は温度の同時制御（例えば、単一の熱制御装置を使った、一列に並んだ熱制御装置を使った）を許す。

熱制御装置２５１はガスノズル、電気加熱器、又はレーザーのうち１つ以上を備えうる。一種類の熱制御装置がどの図にも示されているが、異なる種類の熱制御装置の組み合わせが使用されうることは理解されるべきである。例えば、同じガラス製造装置１００で複数の電気加熱器が複数のガスノズルと同時に動作してもよい。

幾つかの実施形態では、図５に示すように、熱制御装置はガスノズル５０１を備えうる。ガスノズル５０１は壁通路２４９内に延在するか及び／又は壁通路２４９からある距離離れていてよい。例えば、図５に示すように、ガスノズル５０１の外側端は部分的に壁通路２４９を通って延在してよいが、ガスノズル５０１の端は完全に壁通路２４９を通って延びるか又はガスノズル５０１のどの部分も壁通路２４９を通って延在することなく壁通路２４９の外に位置してよい。他の実施形態では、図５に示すように、筒５０３は壁通路２４９内に配置されてよい。更に他の実施形態では、図示のように、熱制御装置の少なくとも一部（例えば、ガスノズル５０１）は筒５０３内に配置されてよい。更に他の実施形態では、熱制御路２５３は少なくとも部分的に筒５０３を通って延在してよい。更に他の実施形態では、熱制御路２５３は筒５０３と位置合わせされてもよい。更に他の実施形態では、明示的に示されていないが、熱制御装置２５１は複数のガスノズルを備えうる。更に他の実施形態では、図示されていないが、複数のガスノズルは流れ通路２０７の流れ方向２０８に沿って配置（例えば、一列に）されうる（図４参照）。他の実施形態では、図５に示すように、ガスノズル５０１はガスノズル５０１からガス５０７を熱制御路２５３に沿って進むように放出するように構成されうる。更に他の実施形態では、ガス５０７は、例えば空気、窒素、ヘリウム、アルゴン、及び二酸化炭素のうち１つ以上を含みうる。更に他の実施形態では、図示されていないが、ガス５０７はガス供給源、例えばポンプ、キャニスター、カートリッジ、ボイラー、圧縮器、及び圧力容器のうち１つ以上によって供給されうる。

幾つかの実施形態では、図６に示すように、熱制御装置２５１は電気加熱器６０１を備えうる。幾つかの実施形態では、単一の電気加熱器が設けられるが、他の実施形態では、複数の電気加熱器が設けられ、スロットの長さに沿って熱プロファイルが生成されるのを許してもよい。例えば、図９に示すように、熱制御装置は複数の電気加熱器（例えば、電気加熱器６０１ａ、６０１ｂ、６０１ｃ、及び６０１ｄ）を備えうる。更に他の実施形態では、図９に示すように、複数の電気加熱器が流れ通路２０７の流れ方向２０８に沿って配置（例えば、一列に）されうる（図４参照）。更に他の実施形態では、電気加熱器（例えば、電気加熱器６０１ａ）は別の電気加熱器（例えば、電気加熱器６０１ｂ）から独立して動作しうる。更に他の実施形態では、図９に示すように、断熱体（例えば、断熱体９０３ａ）は複数の電気加熱器のうち第１電気加熱器（例えば、電気加熱器６０１ａ）と第２電気加熱器（例えば、電気加熱器６０１ｂ）の間に配置されてよい。更に他の実施形態では、図示のように、断熱体（例えば、断熱体９０３ａ）は隣接する対の電気加熱器（例えば、電気加熱器６０１ａ、電気加熱器６０１ｂ）間に配置されうる。更に他の実施形態では、図示のように、断熱体（例えば、断熱体９０３ａ）はハウジング２４０の外面２４５から延在してもよい。例えば、図示のように、各断熱体９０３ａ、９０３ｂ、及び９０３ｃはハウジング２４０に取り付けられハウジング２４０の外面２４５から延在しうる。ハウジングに断熱体を取り付けることは、各スロットを通してのそのスロットに関連する加熱素子による加熱を制御するのを更に助けうる。更に他の実施形態では、図示のように、ハウジング２４０の外面２４５から延在する断熱体（例えば、断熱体９０３ａ）は隣接する対の電気加熱器（例えば、電気加熱器６０１ａ、電気加熱器６０１ｂ）間に配置されうる。更に他の実施形態では、図示のように、ハウジング２４０の外面２４５から延在する断熱体（例えば、断熱体９０３ａ）は複数の電気加熱器のうち各隣接する対の電気加熱器間に配置されてよい。

幾つかの実施形態では、電気加熱器６０１は熱を放出（例えば、放射）するように構成される。他の実施形態では、電気が図６の矢印６０３で示すように電気加熱器６０１を通って流される時に生成されうる。更に他の実施形態では、電気加熱器６０１から放出された熱は熱制御路２５３に沿って進みうる。

幾つかの実施形態では、電気加熱器６０１は所望の熱出力に迅速に合わされ溶融した材料に供給されている熱を迅速に調整するように設計されてよい。例えば、幾つかの実施形態では、加熱器は軸の周りを回転し、管のスロットから出る溶融した材料に供給されている放射熱を速やかに変えるように設計されてよい。１つの実施形態では、図６及び９に示すように、電気加熱器６０１は長さ６０５ａ（図６参照）と長さ６０５ａより小さい幅６０５ｂ（図９参照）とを有する平面に沿って延在するコイルを備えてもよい。壁通路２４９はまた、長さ６０７ａと長さより小さい幅６０７ｂとを有するスロットを備えうる。図示のように、幅６０７ｂは流れ通路２０７の流れ方向２０８に延びうるが、他の実施形態では、長さ６０７ａが流れ通路２０７の流れ方向２０８に延びてもよい。最大加熱を提供するために、複数の電気加熱器６０１は図６の６０１ａ及び図９の６０１ｂ、６０１ｃ、及び６０１ｄに示すように整列した位置に配置されてよく、電気加熱器のコイルの長さ６０５ａと壁開口２４９の長さ６０７ａは同じ方向に延びる。そのような位置では、電気加熱器６０１の熱制御路２５３は下にある溶融した材料にスロットを通して完全に曝され、溶融した材料の最大加熱を許しうる。溶融した材料に加えられている放射熱の量を調節したい場合は、電気加熱器６０１は少なくとも部分的に軸の周りを６０９で示す方向に回転させられ、電気加熱器６０１の長さ６０５ａを壁開口２４９の長さ６０７ａから少なくとも部分的にずらしてもよい。例えば、幾つかの実施形態では、図６に示す電気加熱器６０１ａは図６に示す位置合わせされた位置（電気加熱器６０１ａの長さ６０５ａは壁開口の長さ６０７ａと位置合わせされる）から図９に示すずれた位置（電気加熱器６０１ａの長さ６０５ａは壁開口２４９の幅６０７ｂの方向に延在する）へ（例えば、９０度）回転させられてよい。壁開口２４９の幅６０７ｂは壁開口２４９の長さ６０７ａより小さいので、ハウジング２４０のハウジング壁２４１は、図６に示す位置合わせされた位置で阻止されるより多くの電気加熱器６０１ａからの放射熱移動を阻止する。電気加熱器を回転させることで熱移動の調節を許すことは、加熱素子が冷めるのを待つ必要なく電気加熱器によって供給されている放射熱移動を直ちに低減して加熱素子から放射する熱移動を調節する技術的恩恵を提供しうる。

幾つかの実施形態では、電気加熱器６０１は金属又は耐熱性材料（例えば、セラミック）から成ってもよい。金属の代表的な実施形態はクロム、モリブデン、タングステン、白金、白金、ロジウム、イリジウム、オスミウム、パラジウム、ルテニウム、金、及びそれらの組み合わせ（例えば、合金）を含む。金属（例えば、合金）の追加の代表的な実施形態はニッケル・クロム合金（例えば、ニクロム）、鉄クロム・アルミニウム合金、及び上述した白金合金を含む。セラミックの代表的な実施形態は炭化ケイ素、二ケイ化クロム（ＣｒＳｉ_２）、二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ_２）、二ケイ化タングステン（ＷＳｉ_２）、亜クロム酸ランタン、アルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、ジルコニア、酸化イットリウム、及びそれらの組み合わせを含む。幾つかの実施形態では、電気加熱器６０１は白金又は白金合金から成りうる。幾つかの実施形態では、電気加熱器６０１は炭化ケイ素から成りうる。幾つかの実施形態では、電気加熱器６０１は二ケイ化モリブデンから成りうる。幾つかの実施形態では、電気加熱器６０１は亜クロム酸ランタンから成りうる。

図７、８及び１０、１１に示すように、熱制御装置２５１はレーザー（例えば、レーザーダイオード７０１、レーザー８０１、レーザー１００１）から成りうる。レーザーはガスレーザー、エキシマーレーザー、色素レーザー、又は固体レーザーから成りうる。ガスレーザーの実施形態は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ヘリウム・ネオン（ＨｅＮｅ）、キセノン・ネオン（ＸｅＮｅ）、二酸化炭素（ＣＯ_２）、銅（Ｃｕ）蒸気、金（Ａｕ）蒸気、カドミウム（Ｃｄ）蒸気、アンモニア、フッ化水素（ＨＦ）、及びフッ化重水素（ＤＦ）を含む。エキシマーレーザーの実施形態は、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、又はそれらの組み合わせから成る不活性環境内の塩素、フッ素、ヨウ素、又は一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）を含む。色素レーザーの実施形態は、液体溶剤に溶解されたローダミン、フルオレセイン、クマリン、スチルベン、ウンベリフェロン、テトラセン、又はマラカイトグリ－ンなどの有機色素を使用するレーザーを含む。固体レーザーの実施形態は、結晶レーザー、ファイバーレーザー、及びレーザーダイオードを含む。結晶系レーザーはランタニド又は遷移金属が添加された母体結晶から成る。母体結晶の実施形態はイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、イットリウム・リチウム・フッ化物（ＹＬＦ）、イットリウム・オーソアルミ酸塩（ＹＡＬ）、イットリウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット（ＹＳＳＧ）、リチウム・アルミニウム・六フッ化物（ＬｉＳＡＦ）、リチウム・カルシウム・アルミニウム・六フッ化物（ＬｉＣＡＦ）、亜鉛セレン（ＺｎＳｅ）、ルビー、苦土カンラン石、及びサファイアを含む。ドープ剤の実施形態はネオジウム（Ｎｄ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、エルビウム（Ｅｒ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、セリウム（Ｃｅ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、及びテルビウム（Ｔｂ）を含む。固体結晶の実施形態はルビー、アレキサンドライト、フッ化クロム、苦土カンラン石、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、及び塩化ルビジウム（ＲｂＣｌ）を含む。レーザーダイオードはヘテロ接合又はｐ型、真性、及びｎ型半導体層として３つ以上の物質を有するＰＩＮダイオードから成りうる。レーザーダイオードの実施形態はＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓＮ、ＩｎＧａＡｓＮＳｂ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＡｓＳｂ、及び鉛（Ｐｂ）塩を含む。幾つかのレーザーダイオードはそれらのサイズ、調節可能な出力パワー、及び室温（例えば、約２０℃～約２５℃）で動作する能力の故に代表的な実施形態でありうる。下記に説明するように、ファイバーレーザーは結晶レーザー又はレーザーダイオードについて上に列挙した材料のいずれかによる被覆を更に有する光ファイバーから成る。

レーザー（例えば、レーザーダイオード７０１、レーザー８０１、レーザー１００１）はある波長のレーザービームを放出するように構成される。レーザー（例えば、レーザーダイオード７０１、レーザー８０１、レーザー１００１）はレーザービームの波長を半分に（即ち、周波数２倍）、３分の２だけ低減（即ち、周波数３倍）、４分の３だけ低減（即ち、周波数４倍）、又はそのレーザーが生成するレーザービームの本来の波長からそれら以外の比率で低減するように動作してもよい。幾つかの実施形態では、レーザービームの波長は約７６０ナノメートル（ｎｍ）以上、約９００ｎｍ以上、約９８０ｎｍ以上、約５０００ｎｍ以下、約４０００ｎｍ以下、約３０００ｎｍ以下、約１７００ｎｍ以下、約１６６０ｎｍ以下、約１５７０ｎｍ以下、約１３３０ｎｍ以下、又は約１１００ｎｍ以下であってよい。幾つかの実施形態では、レーザービームの波長は約７６０ｎｍから約５０００ｎｍ、約７６０ｎｍから約４０００ｎｍ、約７６０ｎｍから約３０００ｎｍ、約７６０ｎｍから約１７００ｎｍ、約７６０ｎｍから約１６６０ｎｍ、約７６０ｎｍから約１５７０ｎｍ、約７６０ｎｍから約１３３０ｎｍ、約７６０ｎｍから約１１００ｎｍ、約９００ｎｍから約５０００ｎｍ、約９００ｎｍから約４０００ｎｍ、約９００ｎｍから約３０００ｎｍ、約９００ｎｍから約１７００ｎｍ、約９００ｎｍから約１６６０ｎｍ、約９００ｎｍから約１５７０ｎｍ、約９００ｎｍから約１３３０ｎｍ、約９００ｎｍから約１１００ｎｍ、約９８０ｎｍから約５０００ｎｍ、約９８０ｎｍから約４０００ｎｍ、約９８０ｎｍから約３０００ｎｍ、約９８０ｎｍから約１７００ｎｍ、約９８０ｎｍから約１６６０ｎｍ、約９８０ｎｍから約１５７０ｎｍ、約９８０ｎｍから約１３３０ｎｍ、又は約９８０ｎｍから約１１００ｎｍの範囲内、又はそれらの間の任意の範囲及び部分範囲内であってよい。上記範囲内の波長のレーザービームを生成できるレーザーダイオード（例えば、レーザーダイオード７０１）の代表的な実施形態は、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓＮレーザーダイオードを含む。上記範囲内の波長のレーザービームを生成できるレーザー（レーザーダイオード以外）（例えば、レーザー８０１、レーザー１００１）の代表的な実施形態は、Ｈｅ‐Ｎｅガスレーザー、Ａｒガスレーザー、ヨウ素エキシマーレーザー、Ｎｄ添加ＹＡＧ固体レーザー、Ｎｄ添加ＹＬＦ固体レーザー、Ｎｄ添加ＹＡＰ固体レーザー、Ｔｉ添加サファイア固体レーザー、Ｃｒ添加ＬｉＳＡＦ固体レーザー、フッ化クロム固体レーザー、苦土カンラン石固体レーザー、ＬｉＦ固体レーザー、及びＮａＣｌ固体レーザーを含む。周波数２倍時の上記範囲内の波長のレーザービームを生成できるレーザー（例えば、レーザーダイオード７０１、レーザー８０１、レーザー１００１）の代表的な実施形態は、ＸｅＮｅガスレーザー、ＨＦガスレーザー、Ｈｏ添加ＹＡＧ固体レーザー、Ｅｒ添加ＹＡＧ固体レーザー、Ｔｍ添加ＹＡＧ固体レーザー、ＫＣｌ固体レーザー、ＲｂＣｌ固体レーザー、及びＡｌＧａＩｎレーザーダイオードを含む。周波数３倍時の上記範囲内の波長のレーザービームを生成できるレーザー（例えば、レーザー８０１、レーザー１００１）の代表的な実施形態は、ＨｅＮｅガスレーザー、ＤＦガスレーザー、及びＰｂ塩レーザーダイオードを含む。

レーザー（例えば、レーザーダイオード７０１、レーザー８０１、レーザー１００１）は熱制御路２５３に沿って進み溶融した材料１２１の１つの位置（例えば、位置３１５）に当たるレーザービームを放出するように構成されうる。溶融した材料１２１はレーザービームの波長における吸収深さを有してもよい。本開示において、材料の吸収深さは、レーザービームの強度（例えば、パワー、パワー密度）がレーザービームの初めの強度の３６．８％（即ち、１／ｅ）に減少するその材料の厚みとして定義される。理論によって束縛されるのを望まないが、ランベルト・ベールの法則を使って吸収深さを推定することは可能である。この法則は強度が吸収深さで割った材料の厚みと共に指数関数的に減少すると予測する。幾つかの材料の場合、吸収深さは温度と共に変化することがある。そうでないと明示されない場合、吸収深さは約１０００℃で測定された。幾つかの実施形態では、レーザービームの波長における溶融した材料１２１内のレーザービームの吸収深さは、約５０μｍ以上、約５００μｍ以上、約１０００μｍ以上、約２０００μｍ以上、約５０００μｍ以上、約１００００μｍ以下、約５０００μｍ以下、又は約２０００μｍ以下でありうる。幾つかの実施形態では、レーザービームの波長における溶融した材料１２１内のレーザービームの吸収深さは、約５０μｍから約１００００μｍ、約５００μｍから約１００００μｍ、約１０００μｍから約１００００μｍ、約２０００μｍから約１００００μｍ、約５０００μｍから約１００００μｍ、約５０μｍから約５０００μｍ、約５００μｍから約５０００μｍ、約１０００μｍから約５０００μｍ、約２０００μｍから約５０００μｍ、約５０μｍから約２０００μｍ、約５００μｍから約２０００μｍ、約１０００μｍから約２０００μｍの範囲内、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内であってよい。

図８及び１０に示すように、鏡（例えば、鏡８０３、多面鏡１００３）はレーザー（例えば、レーザー８０１、１００１）から放出されたレーザービームを反射するように構成され、レーザービームは、熱制御路２５３が溶融した材料１２１と交差する位置３１５（図３参照）において溶融した材料１２１に当たりうる。幾つかの実施形態では、鏡（例えば、鏡８０３、多面鏡１００３）は回転可能でレーザー（例えば、レーザー８０１、１００１）から放出されたレーザービームを反射し設置面３０１を走査する（図３参照）ように構成される。他の実施形態では、図８に示すように、鏡８０３はガルバノメーター８０５を使って回転可能でありうる。更に他の実施形態では、ガルバノメーター８０５は第１方向（８０７）に回転するように構成されうる。例えば、鏡８０３をガルバノメーター８０５で第１方向（８０７）に回転することは、レーザービームに流れ方向２０８（図４参照）とほぼ反対方向に管２０１（例えば、スロット２０３）の長さを走査させうる。更に他の実施形態では、ガルバノメーター８０５は第１方向８０７と反対の第２方向（８０９）に回転するように構成されうる。例えば、鏡８０３をガルバノメーター８０５で第２方向（８０９）に回転することは、レーザービームに流れ方向２０８（図４参照）とほぼ平行な方向に管２０１（例えば、スロット２０３）の長さを走査させうる。更に他の実施形態では、ガルバノメーターは第１方向（８０７）と（それと反対の）第２方向（８０９）に交互に回転するように構成されうる。

他の実施形態では、図１０に示すように、その鏡は多面鏡１００３でありうる。図示のように、多面鏡１００３は複数の反射表面を含みうる。図示のように、多面鏡１００３はモーター１００５によって回転されて、多面鏡１００３の回転軸１００９の周りに第１方向（１００７）に回転しうる。例えば、多面鏡１００３をモーター１００５で第１方向（１００７）に回転することは、レーザービームに流れ方向２０８（図４参照）とほぼ反対方向に管２０１（例えば、スロット２０３）の長さを走査させうる。幾つかの実施形態では、図１０に示すように、モーター１００５は制御装置１０１５（例えば、プログラム可能論理制御器）によって任意選択で作動させられてよく、制御装置１０１５はコマンド信号を通信線１０１７を介してモーター１００５に送り多面鏡１００３の回転軸１００９の周りにほぼ一定の角速度で回転させるように構成される（例えば、プログラム、コード化、設計される、及び／又は作られる）。多面鏡１００３をほぼ一定の角速度で回転させることは、モーター１００５の損傷（頻繁に多面鏡１００３の角速度を変えることで発生しうる）を防ぐのを助けうる。幾つかの実施形態では、レーザー（例えば、レーザー８０１、１００１）はパルスレーザービームを生成するように構成されうる。他の実施形態では、図１０に示すように、レーザー１００１は制御装置１０１１（例えば、プログラム可能論理制御器）によって任意選択で作動させられてよく、制御装置１０１１はコマンド信号を通信線１０１３を介してそのレーザーに送るように構成される（例えば、プログラム、コード化、設計される、及び／又は作られる）。制御装置１０１１又は１０１５及び対応する通信線１０１３又は１０１７は図８のレーザー８０１及び／又はガルバノメーター８０５とそれぞれ結合されうることは理解されるべきである。

幾つかの実施形態では、図８及び１０に示すように、レーザービームがレーザー８０１又は１００１から放出され、鏡（例えば、鏡８０３、多面鏡１００３）によって反射され、熱制御路２５３に沿って壁通路２４９を通って進み管２０１（例えば、スロット２０３）の長さを走査する。他の実施形態では、走査される長さは、スロット２０３の長さ４０１（図４参照）の約１０％以上、約２５％以上、約５０％以上、約１００％以下、約７５％以下、又は約５０％以下であってもよい。他の実施形態では、走査される長さは、スロット２０３の長さ４０１（図４参照）の割合として、約１０％から約１００％、約１０％から約７５％、約１０％から約５０％、約２５％から約１００％、約２５％から約７５％、約２５％から約５０％、約５０％から約１００％、約５０％から約７５％の範囲内、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内であってよい。他の実施形態では、走査される長さは、スロット２０３の長さ４０１（図４参照）に概ね等しくてもよい。他の実施形態では、壁通路２４９の形状は 回転鏡（例えば、鏡８０３、多面鏡１００３）から反射後、熱制御路２５３に沿って進むレーザービームの掃引弧に対応してもよい。

図７に示すように、レーザー（例えば、レーザーダイオード７０１）は光ファイバー７０３に光学的に結合されうる。光ファイバー７０３は第１端７０５及び第１端７０５と反対側の第２端７０７を有しうる。幾つかの実施形態では、図７に示すように、レーザーは光ファイバー７０３の第１端７０５に光学的に結合されたレーザーダイオード７０１から成りうり、光ファイバーの第２端７０７はスロット２０３に面しうる。幾つかの実施形態では、図７に示すように、光ファイバー７０３は壁通路２４９内に部分的に延在してよい。図示しないが、第１端７０５は壁通路２４９内にもその中へも延在しないことがある。そのような実施形態では、第１端７０５は壁通路２４９からある距離離れ光ファイバー７０３は壁通路２４９内になくてもよい。他の実施形態では、第１端７０５は内部領域２４７内に位置し、光ファイバー７０３は壁通路２４９を通って延在してもよい。幾つかの実施形態では、図１１に示すように、光ファイバー７０３は複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄを含みうる。他の実施形態では、複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄはそれぞれ、レーザー（例えば、レーザー７０１a～７０１ｄ）に光学的に結合された第１端７０５a～７０５ｄを有しうる。他の実施形態では、複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄはそれぞれ、スロット２０３に面する第２端７０７a～７０７ｄを有しうる。他の実施形態では、複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの１つ以上は部分的に壁通路２４９ａ～２４９ｄを通って延在し、内部領域２４７内又は外に位置しうる。

本開示において、光ファイバーの長さは、光ファイバー７０３が真直ぐにされ長軸と整列し光ファイバー７０３の第１端７０５における第１点と第２端７０７における第２点が可能な限り離れた時の第１点と第２点の間の距離として定義される。幾つかの実施形態では、図１１に示すように、光ファイバー７０３は複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄを含みうり、光ファイバー７０３が真直ぐにされ長軸と整列する時、複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄはそれぞれ光ファイバーの第１端７０５a～７０５ｄと第２端７０７a～７０７ｄの間の距離として定義される長さを有しうる。幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３の長さ（例えば、複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄのうち１つの長さ）は約１００ｍｍ以上、約１ｍ以上、約２ｍ以上、約５ｍ以上、約１０００ｍ以下、約５０ｍ以下、約３０ｍ以下、約２０ｍ以下、又は約１０ｍ以下であってもよい。幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３の長さは約１００ｍｍから約１０００ｍ、約１００ｍｍから約５０ｍ、約１００ｍｍから約３０ｍ、約１００ｍｍから約２０ｍ、約１００ｍｍから約１０ｍ、約１ｍから約１０００ｍ、約１ｍから約５０ｍ、約１ｍから約３０ｍ、約１ｍから約２０ｍ、約１ｍから約１０ｍ、約２ｍから約３０ｍ、約２ｍから約２０ｍ、約２ｍから約１０ｍ、又は約５ｍから約１０ｍの範囲内であってよい。幾つかの実施形態では、複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄは全て概ね同じ長さを有してもよい。他の実施形態では、複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄのうち少なくとも１つは複数の光ファイバーのうち他の光ファイバーと異なる長さを有してもよい。

光ファイバー７０３（例えば、複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄのそれぞれ）は光学材料から成るコア（例えば、中央）を有しうる。本開示において、光ファイバーのコアの幅は、光ファイバーの第２端における第１点とその第２端における第２点の間の距離であって、第１点と第２点は光ファイバーの第２端の中心と同じ材料から成り可能な限り離れている、距離として定義される。例えば、光ファイバーのコアの幅は、光ファイバーの第２端のコアが円形の時、直径に等しくてよい。光ファイバーの第２端のコアが楕円形の時、幅は長半径の２倍に等しい。幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３のコアの幅は、約１μｍ以上、約５μｍ以上、約９μｍ以上、約５０μｍ以上、約６２．５μｍ以上、約５５０μｍ以下、約４９０μｍ以下、約４００μｍ以下、約３６０μｍ以下、約２５５μｍ以下、又は約１４５μｍ以下であってもよい。幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３のコアの幅は、約１μｍから約５５０μｍ、約１μｍから約４９０μｍ、約１μｍから約４００μｍ、約１μｍから約３６０μｍ、約１μｍから約２５５μｍ、約１μｍから約１４５μｍ、約５μｍから約５５０μｍ、約５μｍから約４９０μｍ、約５μｍから約２５５μｍ、約９μｍから約５５０μｍ、約９μｍから約４９０μｍ、約９μｍから約４００μｍ、約９μｍから約３６０μｍ、約９μｍから約２５０μｍ、約９μｍから約１４４μｍ、約５０μｍから約５５０μｍ、約５０μｍから約４９０μｍ、約５０μｍから約４００μｍ、約５０μｍから約１４４μｍ、約６２．５μｍから約５５０μｍ、約６２．５μｍから約５５０μｍ、約６２．５μｍから約４９０μｍ、約６２．５μｍから約４００μｍ、約６２．５μｍから約３６０μｍ、約６２．５μｍから約２５５μｍ、約６２．５μｍから約１５０μｍの範囲内でありうる。

幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３（例えば、複数の光ファイバーのそれぞれ）のコアの光学材料はサファイア、溶融シリカ、石英、又はそれらの組み合わせから成ってよい。他の実施形態では、光学材料にエルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ネオジウム（Ｎｄ）、又は二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２）などの光増幅子を添加してもよい。幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３はコアを囲む被覆層を備えてもよい。他の実施形態では、被覆層はコアの屈折より低い屈折率を有してよい。更に他の実施形態では、被覆層は溶融シリカ、石英、サファイア、又はガス、例えば空気、窒素、又はアルゴンから成ってよい。更に他の実施形態では、被覆層はレーザーダイオード又は結晶レーザーについて上に列挙した材料のいずれかから成ってよい。添加、被覆、又はこれらの組み合わせが光ファイバー７０３（例えば、光ファイバーはファイバーレーザーであってもよい）によって伝搬されるレーザービームの振幅を変えるのに望ましい場合がある。幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３のコアは円形断面を有してもよい。円形断面を持つコアを有する光ファイバーは、光ファイバー７０３の第２端７０７を出るレーザービームに滑らかな（例えば、均一で対称な）強度プロファイルを提供しうる。幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３の第１端７０５は円形断面を有し、光ファイバー７０３の第２端７０７は円形断面を有してよい。幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３に円形断面を提供することは、円形断面を有する壁通路２４９及び／又は筒５０３（図５参照）と共に使用されうる。

図１１に示すように、幾つかの実施形態では、レーザー（例えば、レーザーダイオード７０１）は複数のレーザー７０１ａ～７０１ｄを含みうる。幾つかの実施形態では、該複数のレーザーには１つ以上、２つ以上、４つ以上、９つ以上、１００個以下、５０個以下、４０個以下、３０個以下、又は２０個以下のレーザーが存在してよい。幾つかの実施形態では、該複数のレーザーにおけるレーザーの数は１から１００、１から５０、１から４０、１から３０、１から２０、２から１００、２から５０、２から４０、２から３０、２から２０、４から１００、４から５０、４から４０、４から３０、４から２０、９から１００、９から５０、９から４０、９から３０、又は９から２０でありうる。幾つかの実施形態では、図１１に示すように、複数のレーザー７０１ａ～７０１ｄにおけるレーザーの数は複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄにおける光ファイバーの数に等しくてもよく、複数のレーザー７０１ａ～７０１ｄのそれぞれは、複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄのうち対応する光ファイバーに光学的に結合されうる。幾つかの実施形態では、図示されないが、複数のレーザーにおけるレーザーの数は、複数の光ファイバーにおける光ファイバーの数より小さくてもよい。図示のように、幾つかの実施形態では、複数のレーザー７０１ａ～７０１ｄはそれぞれ対応する光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの第１端７０５a～７０５ｄに光学的に結合されうる。このように、複数のレーザー７０１ａ～７０１ｄのそれぞれによって生成されたレーザービームの少なくとも一部は対応する光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの第１端７０５a～７０５ｄ内へ伝搬され、そしてその光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの長さを通って、その対応する光ファイバーの第２端７０７a～７０７ｄから放出されうる。幾つかの実施形態では、複数のレーザー７０１ａ～７０１ｄのそれぞれは複数の光ファイバー７０３ａ～７０３ｄのうち対応する光ファイバーの第１端７０５a～７０５ｄに光学的に結合されうる（それらの間にレンズも他の光学部品もなしに）。他の実施形態では、レンズ又は他の光学部品がレーザー７０１ａ～７０１ｄと光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの第１端７０５a～７０５ｄの間に配置されレーザービームを光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの第１端７０５a～７０５ｄのコア（例えば、中央）に向けうる。光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの第１端７０５a～７０５ｄのコアへレーザービームを向けることは、レーザービームが光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの第１端７０５a～７０５ｄから第２端７０７a～７０７ｄへ伝搬する間のレーザービームの減衰（即ち、強度損失）を低減でき、望ましい場合がある。レンズの焦点距離は、レーザー７０１ａ～７０１ｄからのレーザービームを光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの第１端７０５a～７０５ｄに望ましく結合するように光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの特性（例えば、コア部分の直径、開口数）、レーザー７０１ａ～７０１ｄの特性（例えば、発散）、レーザー７０１ａ～７０１ｄからレンズまでの距離、及びレンズから光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの第１端７０５a～７０５ｄまでの距離に基づいて選択されうる。他の実施形態では、レンズは、レーザー７０１ａ～７０１ｄ（例えば、レーザーダイオード）が均一な（即ち、収差のない）レーザービームを生成する場合に望ましい球面レンズであってもよい。更に他の実施形態では、レンズは、レーザービームのどんな収差も補正するために非球面（例えば、楕円）であってもよい。幾つかの実施形態では、図示しないが、レーザー７０１ａ～７０１ｄを光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの第１端７０５a～７０５ｄに光学的に結合するために、ビームスプリッター及び中継ファイバーを備える。ビームスプリッターの代表的な実施形態は、光ファイバー又は中継ファイバー内のレーザービームのビームスプリッターとして働くファイバー光結合器であってもよい。ビームスプリッターの他の実施形態は、光ファイバー又は中継ファイバー外のレーザービームに作用し、金属被覆鏡（例えば、半透鏡）、又はペリクル、又は導波管から成りうる。ビームスプリッターは上記実施形態のいずれでも使用されうることは理解されるべきである。幾つかの実施形態では、レンズから光ファイバー７０３ａ～７０３ｄの第１端７０５a～７０５ｄまでの距離は、光ファイバー７０３ａ～７０３ｄに結合されるレーザービームの割合を制御するために変えられてよい。幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３ａ～７０３ｄは単一モード光ファイバーから成りうる。幾つかの実施形態では、光ファイバー７０３ａ～７０３ｄは多モードファイバーから成りうる。幾つかの実施形態では、図示しないが、パージガス（例えば、ガスノズルについて列挙したガスのいずれか）がレーザーに関連する光学素子上の凝結を減らす（例えば、緩和、防止する）ために循環されうる。

溶融した材料１２１の一部に当たるレーザービームのパワー密度及び／又はサイズは、広範囲のやり方、例えば光ファイバー７０３の第２端７０７の位置、光学素子の種類、又は光学素子の位置を調整することのうち１つ以上で実現されうる。本開示において、溶融した材料１２１の一部に当たるレーザービームの幅は、溶融した材料１２１上のレーザービームの最大強度の約１３．５％（即ち、１／ｅ^２）の強度でレーザービームが当たる溶融した材料１２１上の第１点と、その強度でレーザービームが当たる溶融した材料１２１上の第２点であって、第１点と第２点ができる限り離れている、第２点との間の距離として定義される。幾つかの実施形態では、レーザービームの最大幅は約１００μｍ以上、約５００μｍ以上、約１ｍｍ以上、約５ｍｍ以上、約１０ｍｍ以上、約３０ｍｍ以下、又は約１５ｍｍ以下であってもよい。幾つかの実施形態では、レーザービームの最大幅は約１００μｍから約３０ｍｍ、約１００μｍから約１５ｍｍ、約５００μｍから約３０ｍｍ、約５００μｍから約１５ｍｍ、約１ｍｍから約３０ｍｍ、約１ｍｍから約１５ｍｍ、約５ｍｍから約３０ｍｍ、約５ｍｍから約１５ｍｍ、約１０ｍｍから約３０ｍｍの範囲内、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内であってよい。本開示において、レーザービームが当たる溶融した材料１２１の面積は、レーザービームの最大強度の約１３．５％（即ち、１／ｅ^２）の強度でレーザービームが当たる溶融した材料１２１の部分として定義され、その面積は光ファイバー７０３の第２端７０７に最も近い溶融した材料１２１の表面において測られる。

本開示において、レーザービームのパワーは、光ファイバー７０３の第２端７０７から放出され熱電対列を使って測定されるレーザービームの平均パワーである。幾つかの実施形態では、レーザービームのパワーはレーザー（例えば、レーザーダイオード７０１）と光ファイバー７０３の第２端７０７の間の光学素子を制御することで制御されうる。幾つかの実施形態では、レーザービームのパワーはレーザーのパラメータ（例えば、電流又は電圧、光ポンピング条件）を調整することで制御されうる。本開示において、上記で定義したように、レーザービームのパワー密度は、レーザービームが当たる溶融した材料１２１の面積で割ったレーザービームのパワーである。幾つかの実施形態では、レーザービームのパワー密度は約１ワット／センチメートル^２（Ｗ／ｃｍ^２）以上、約５Ｗ／ｃｍ^２以上、約１０Ｗ／ｃｍ^２以上、約２０００Ｗ／ｃｍ^２以下、約１０００Ｗ／ｃｍ^２以下、約５００Ｗ／ｃｍ^２以下、約１００Ｗ／ｃｍ^２以下、又は約５０Ｗ／ｃｍ^２以下であってもよい。幾つかの実施形態では、レーザービームのパワー密度は約１Ｗ／ｃｍ^２から約２０００Ｗ／ｃｍ^２、約１Ｗ／ｃｍ^２から約１０００Ｗ／ｃｍ^２、約１Ｗ／ｃｍ^２から約５００Ｗ／ｃｍ^２、約１Ｗ／ｃｍ^２から約１００Ｗ／ｃｍ^２、約１Ｗ／ｃｍ^２から約５０Ｗ／ｃｍ^２、約５Ｗ／ｃｍ^２から約２０００Ｗ／ｃｍ^２、約５Ｗ／ｃｍ^２から約１０００Ｗ／ｃｍ^２、約５Ｗ／ｃｍ^２から約５００Ｗ／ｃｍ^２、約５Ｗ／ｃｍ^２から約１００Ｗ／ｃｍ^２、約５Ｗ／ｃｍ^２から約５０Ｗ／ｃｍ^２、約１０Ｗ／ｃｍ^２から約２０００Ｗ／ｃｍ^２、約１０Ｗ／ｃｍ^２から約１０００Ｗ／ｃｍ^２、約１０Ｗ／ｃｍ^２から約５００Ｗ／ｃｍ^２、約１０Ｗ／ｃｍ^２から約１００Ｗ／ｃｍ^２、約１０Ｗ／ｃｍ^２から約５０Ｗ／ｃｍ^２の範囲内、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内であってよい。

上記ガラス製造装置１００のいずれかを使用してある量の溶融した材料１２１からガラスを製造する方法は、管２０１の管壁２０５によって画定された流れ通路２０７の流れ方向２０８に沿って溶融した材料１２１を流すことを含みうる。上述のように、スロット２０３は管壁２０５を貫通しうる。スロット２０３はスロット２０３の外周縁３０３によって外接されうる設置面３０１を有してよい。本方法は、管２０１の流れ通路２０７からスロット２０３の設置面３０１を通って溶融した材料１２１を流すことを更に含みうる。本方法は、熱制御装置２５１を動作させることを更に含みうる。熱制御装置２５１はガスノズル、電気加熱器、及びレーザー（例えば、レーザーダイオード）のうち１つ以上を備えうる。熱制御装置２５１は熱制御路２５３を定めうる。上述したように、熱制御路２５３の投影は設置面３０１と交差し設置面３０１に外接しうる。本方法は、熱制御路２５３が溶融した材料１２１と交差する位置３１５における溶融した材料１２１の温度を調整することを更に含みうる。幾つかの実施形態では、位置３１５は、スロット２０３から外方へ流れ方向２０８に垂直な外方方向３１９に延在する設置面３０１の投影３１７内に位置しうる。

幾つかの実施形態では、位置３１５における溶融した材料１２１の温度を調整することは、溶融した材料１２１の温度を下げることを含みうる。例えば、図５に示すように、熱制御装置２５１を動作させることは、ガスノズル５０１からガス５０７を放出することを含みうる。位置３１５における溶融した材料１２１の温度を下げることは、その位置における溶融した材料１２１の粘度を増加させ、その位置における溶融した材料１２１の質量流量を減少させうる。

幾つかの実施形態では、位置３１５における溶融した材料１２１の温度を調整することは、溶融した材料１２１の温度を上げることを含みうる。例えば、図６及び９に示すように、熱制御装置２５１を動作させることは、電気加熱器６０１に矢印６０３で示すように電気を流すことを含みうる。更に他の実施形態では、図示のように、本方法は、電気加熱器を軸の周りを６０９で示す方向に回転させ、電気加熱器からの放射熱移動を調整することで、位置３１５における溶融した材料の温度と粘度と質量流量を調節することを更に含みうる。他の実施形態では、図７、８及び１０、１１に示すように、熱制御装置２５１を動作させることは、レーザー（例えば、レーザーダイオード７０１、レーザー８０１、レーザー１００１）からレーザービームを放出することを含みうる。更に他の実施形態では、レーザービームは溶融した材料１２１における上述した範囲（例えば、約５０μｍから約１０ｍｍ）内でありうる吸収深さを有しうる。更に他の実施形態では、レーザービームは上述した範囲（例えば、約７６０ｎｍから約５０００ｎｍ）内でありうる波長を有しうる。上記のように、更に他の実施形態では、本方法はレーザービームをスロット２０３の長さに亘って走査することを更に含みうる。更に他の実施形態では、図８及び１０に示すように、本方法はレーザー（例えば、レーザーダイオード７０１、レーザー８０１、レーザー１００１）から放出されたレーザービームを鏡（例えば、鏡８０３、多面鏡１００３）で反射することを含みうる。更に他の実施形態では、図８に示すように、本方法は鏡（例えば、鏡８０３、多面鏡１００３）をガルバノメーター８０５を使って回転させることを含みうる。更に他の実施形態では、図１０に示すように、鏡は多面鏡１００３から成りうる。位置３１５における溶融した材料１２１の温度を上げることは、その位置における溶融した材料１２１の粘度を減少させうる。位置３１５における溶融した材料１２１の温度を上げることは、その位置における溶融した材料１２１の質量流量を増加させうる。

幾つかの実施形態では、本方法は熱制御路２５３が溶融した材料１２１と交差する位置３１５から溶融した材料１２１の第１流れ２１１を形成デバイス１４０の第１外面２２３に沿って第１方向に流すことを更に含みうる。幾つかの実施形態では、本方法は位置３１５から溶融した材料１２１の第２流れ２１２を形成デバイス１４０の第２外面２２４に沿って第２方向に流すことを更に含みうる。他の実施形態では、本方法は溶融した材料１２１の第１流れ２１１と溶融した材料１２１の第２流れ２１２を集束させてガラスリボン１０３を形成することを含みうる。

幾つかの実施形態では、ガラスリボン１０３はドロー方向１５４に沿って、例えば約１ミリメートル／秒（ｍｍ／ｓ）から約５００ｍｍ／ｓ、約１０ｍｍ／ｓから約５００ｍｍ／ｓ、約５０ｍｍ／ｓから約５００ｍｍ／ｓ、約１００ｍｍ／ｓから約５００ｍｍ／ｓの範囲内、及びそれらの間の全ての範囲及び部分範囲内で約１ｍｍ／ｓ以上、約１０ｍｍ／ｓ以上、約５０ｍｍ／ｓ以上、約１００ｍｍ／ｓ以上、又は約５００ｍｍ／ｓ以上で進行しうる。幾つかの実施形態では、次にガラス分離器１４９（図１参照）はガラスリボン１０３から分離線１５１に沿ってガラスシートを分離できる。図示のように、幾つかの実施形態では、分離線１５１はガラスリボン１０３の幅Ｗに沿って第１外縁１５３と第２外縁１５５の間を延在しうる。また、幾つかの実施形態では、分離線１５１はガラスリボン１０３のドロー方向１５４に垂直に延在しうる。また、幾つかの実施形態では、ドロー方向１５４はガラスリボン１０３が形成デバイス１４０から引っ張られうる方向を表しうる。

図２に示すように、ガラスリボン１０３は根元２３５から引っ張られうり、ガラスリボン１０３の第１主面２１５及び第２主面２１６は互いに反対方向に面しガラスリボン１０３の厚み２２７（例えば、平均厚み）を画定する。幾つかの実施形態では、ガラスリボン１０３の厚み２２７は約２ミリメートル（ｍｍ）以下、約１．５ｍｍ以下、約１．２ｍｍ以下、約１ｍｍ以下、約０．５ｍｍ以下、約３００マイクロメートル（μｍ）以下、又は約２００μｍ以下でありうるが、他の実施形態では、他の厚みが提供されてもよい。幾つかの実施形態では、ガラスリボン１０３の厚み２２７は約１００μｍ以上、約２００μｍ以上、約３００μｍ以上、約６００μｍ以上、約１ｍｍ以上、約１．２ｍｍ以上、又は約１．５ｍｍ以上でありうるが、他の実施形態では、他の厚みが提供されてもよい。例えば、幾つかの実施形態では、ガラスリボン１０３の厚み２２７は約１００μｍから約２ｍｍ、約２００μｍから約２ｍｍ、約３００μｍから約２ｍｍ、約６００μｍから約２ｍｍ、約１ｍｍから約２ｍｍ、約１００μｍから約１．５ｍｍ、約２００μｍから約１．５ｍｍ、約３００μｍから約１．５ｍｍ、約６００μｍから約１．５ｍｍ、約１ｍｍから約１．５ｍｍ、約１００μｍから約１．２ｍｍ、約２００μｍから約１．２ｍｍ、約６００μｍから約１．２ｍｍの厚み範囲内、又はそれらの間の任意の範囲又は部分範囲内でありうる。

酸化リチウムを含んでも含まなくてもよい代表的な溶融した材料は、ソーダ石灰溶融材料、アルミノケイ酸塩溶融材料、アルカリ・アルミノケイ酸塩溶融材料、ホウケイ酸塩溶融材料、アルカリ・ホウケイ酸塩溶融材料、アルカリ・アルミノリンケイ酸塩溶融材料、及びアルカリ・アルミノホウケイ酸塩ガラス溶融材料を含む。１つ以上の実施形態では、溶融した材料１２１はモルパーセント（モル％）で約４０モル％から約８０％の範囲内のＳｉＯ_２、約１０モル％から約３０モル％の範囲内のＡｌ_２Ｏ_３、約０モル％から約１０モル％の範囲内のＢ_２Ｏ_３、約０モル％から約５モル％の範囲内のＺｒＯ_２、約０モル％から約１５モル％の範囲内のＰ_２Ｏ_５、約０モル％から約２モル％の範囲内のＴｉＯ_２、約０モル％から約２０モル％の範囲内のＲ_２Ｏ、及び約０モル％から約１５モル％の範囲内のＲＯを含んでもよい。本書で使用されるように、Ｒ_２Ｏはアルカリ金属酸化物、例えばＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｒｂ_２Ｏ、及びＣｓ_２Ｏを指しうる。本書で使用されるように、ＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、及びＺｎＯを指しうる。幾つかの実施形態では、溶融した材料１２１は約０モル％から約２モル％の範囲内でＮａ_２ＳＯ_４、ＮａＣｌ、ＮａＦ、ＮａＢｒ、Ｋ_２ＳＯ_４、ＫＣｌ、ＫＦ、ＫＢｒ、Ａｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｎＯ、ＭｎＯ_２、ＭｎＯ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、Ｍｎ_３Ｏ_４、Ｍｎ_２Ｏ_７のそれぞれを任意選択で更に含んでもよい。幾つかの実施形態では、ガラスリボン１０３及び／又はそれから形成されたガラスシートは透明の場合があり、溶融した材料１２１から引き出されたガラスリボン１０３は４００ナノメートル（ｎｍ）～７００ｎｍの光学波長に亘る約８５％以上、約８６％以上、約８７％以上、約８８％以上、約８９％以上、約９０％以上、約９１％以上、又は約９２％以上の平均光透過率を有しうる。

本書の開示の実施形態は、形成デバイスの管のスロットを出る溶融した材料の質量流量、粘度、及び／又は温度を熱制御装置を使って調整する技術的恩恵を提供しうる。本開示の実施形態は溶融した材料の質量流量、粘度、及び／又は温度の局所化された制御及び／又は調整を提供しうる。溶融した材料の質量流量、粘度、及び／又は温度が制御されうる位置は完全にスロットの外周縁によって画定される設置面の投影内にあってよい。また、加熱器又は複数の加熱器が本開示の実施形態のいずれにも設けられてよく（例えば、図４及び９参照）スロット２０３の長さ４０１に沿った加熱プロファイルの調整を許し、位置３１５に沿った所望の温度プロファイルを提供し、それにより溶融した材料の所望の粘度と対応する質量流量プロファイルを位置３１５において提供する。質量流量プロファイルを調整することは、形成デバイスから引っ張られているガラスリボンの所望の厚みプロファイルを可能にしうる。また、スロットから出る溶融した材料に作用することは、ガラス製造プロセス内の後で追加の熱制御の必要を低減しうる。スロットの寸法は熱制御装置が溶融した材料に作用する領域を減らすのに使用されうる。薄い管壁（例えば、約０．５ｍｍ～約１０ｍｍ）を有する実施形態は、熱制御装置が溶融した材料に作用する位置の周りの形成デバイスの蓄熱質量を低減して熱制御装置の効果を増加させうる。本開示の実施形態によれば、溶融した材料の質量流量、粘度、及び／又は温度を調整することはまた、溶融した材料の第１流れと第２流れの両方の同時制御を許しうる。

ハウジングの内部領域内に形成デバイスを設けることは、制御されない熱損失及び／又は熱気流が製造されるガラスリボンの品質に影響するのを低減（例えば、最小に、防止）しうる一方、熱制御装置の効果の局所化を増加させうる。ハウジングの壁を通る通路を設けることは、内部領域外に少なくとも部分的に位置する熱制御装置が溶融した材料に作用するのを許しうる。その通路に管を設けることは、制御されない熱損失及び／又は熱気流を更に低減し、熱制御装置の調整（例えば、再配置、除去、挿入、置換え）を可能にしうる。ハウジングの壁の外面から延在する断熱体を設けることは、熱制御装置の効果を更に局所化しうる。

様々な開示された実施形態は特定の実施形態と関連して記述された特定の特徴、要素、又はステップを含んでもよいことは理解されるであろう。また、特定の実施形態に関して記述されているが特定の特徴、要素、又はステップは、様々な非例示の結合又は並べ替えによって他の実施形態と置き換え又は組み合わされてもよいことは理解されるであろう。

また、本明細書で使用されるように、そうでないと明らかに指示されない限り、英語の用語「the」、「a」、又は「an」は「少なくとも１つ」を意味し「１つだけ」に限定されるべきでないと理解されるべきである。例えば、１つの部品への言及は、文脈からそうでないと明らかに示されない限り、２つ以上のそのような部品を有する実施形態を含む。同様に、「複数の」は「２つ以上の」を表すように意図されている。

本明細書で使用されるように、用語「約」は、量、サイズ、配合、パラメータ、並びに他の数量及び特性は正確でなくまた正確である必要がなく、要望通り、許容誤差、換算率、丸め、測定誤差など、及び当業者に既知の他の因子を反映して、おおよそ及び／又はより大きいか小さい場合があることを意味する。範囲は本明細書で「約」特定の値から及び／又は「約」別の特定の値までとして表されうる。そのような範囲を表す時、別の実施形態はその特定の値から及び／又はその別の特定の値までを含む。同様に、先行する「約」の使用により値が近似値として表される時、その特定の値は別の実施形態を形成することは理解されるであろう。各範囲の端点は他の端点と関連してまた他の端点と独立して意味があることも理解されるであろう。

本明細書で使用される用語「実質的な」、「概ね」及びそれらのバリエーションは記述された特徴が、ある値又は記述に等しい又はほぼ等しいことを表すよう意図されている。例えば、「概ね平面の」表面は、平面又はほぼ平面である表面を示すよう意図されている。また、上記のように、「概ね等しい」は２つの値が等しい又はほぼ等しいことを示すよう意図されている。幾つかの実施形態では、「概ね等しい」は互いから約１０％以内の値、例えば互いから約５％以内、又は互いから約２％以内の値を示す場合がある。

そうでないと明確に記述されていない限り、本書で明らかにされるどんな方法も、特定の順序でそのステップが実行されることを要求していると解釈されることを決して意図していない。従って、方法請求項がそのステップが従う順序を実際に明記しない場合、又は請求項又は説明でステップが特定の順序に限定されるべきであると明記されていない場合、どんな特定の順序も推測されることは決して意図されていない。

特定の実施形態の様々な特徴、要素、又はステップが移行句「comprising」を使用して開示されることがあるが、移行句「consisting」又は「consisting essentially of」を使用して記載される可能性がある特徴、要素、又はステップを含む別の実施形態が示唆されることは理解されるべきである。従って、例えば、Ａ＋Ｂ＋Ｃを含む（comprises）装置の示唆される他の実施形態は、装置がＡ＋Ｂ＋Ｃから成る（consists of）実施形態、及び装置はＡ＋Ｂ＋Ｃから基本的に成る（consists essentially of）実施形態を含む。本書で使用されるように、用語「comprising」及び「including」、及びそれらのバリエーションは、そうでないと示されない限り、同義でオープンエンドであると解釈されるべきである。

添付の請求項の要旨及び範囲から逸脱することなく、様々な部分変更及び変形が本開示にされうることは当業者には明らかであろう。従って、実施形態の部分変更及び変形が添付の請求項及びそれらの等価物の範囲内に入る場合、本開示はそれらの部分変更及び変形を包含するように意図されている。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
ガラス製造装置であって、
流れ通路を画定する管壁と、前記流れ通路と流体連通し前記管壁を通って延在するスロットであって、該スロットの外周縁によって外接された設置面を有するスロットとを有する管を備えた形成デバイスと、
熱制御路を画定する熱制御装置と
を備え、
前記熱制御路の投影は前記設置面と交差する、ガラス製造装置。

実施形態２
前記形成デバイスは
第１外面を有し前記管壁の外面の第１外周位置において取り付けられた第１壁と、
第２外面を有し前記管壁の外面の第２外周位置において取り付けられた第２壁と
を更に備え、
前記第１外面及び前記第２外面は前記形成デバイスの根元で集束する、実施形態１記載のガラス製造装置。

実施形態３
前記投影は前記設置面によって限界が定められる、実施形態１及び２のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態４
前記熱制御装置は前記流れ通路の流れ方向に沿って配置された複数の熱制御装置を含む、実施形態１～３のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態５
前記管壁は約０．５ミリメートルから約１０ミリメートルの範囲内の厚みを有する、実施形態１～４のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態６
前記管壁は白金又は白金合金から成る、実施形態１～５のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態７
前記熱制御装置は電気加熱器を備える、実施形態１～６のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態８
前記電気加熱器は複数の電気加熱器を含み、断熱体が前記複数の電気加熱器のうち第１電気加熱器と第２電気加熱器の間に配置される、実施形態７記載のガラス製造装置。

実施形態９
前記電気加熱器は二ケイ化モリブデン、炭化ケイ素、又は亜クロム酸ランタンのうち１つ以上から成る、実施形態７及び８のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態１０
前記熱制御装置はガスノズルを備える、実施形態１～６のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態１１
前記熱制御装置はレーザーを備える、実施形態１～６のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態１２
前記レーザーは約７６０ナノメートルから約５０００ナノメートルの範囲内の波長を有するレーザービームを放出するように構成される、実施形態１１記載のガラス製造装置。

実施形態１３
前記レーザーから放出された前記レーザービームが前記設置面を走査するように前記レーザービームを反射するように構成された鏡を更に備える実施形態１２記載のガラス製造装置。

実施形態１４
前記鏡は回転可能である、実施形態１３記載のガラス製造装置。

実施形態１５
前記鏡は多面鏡から成る、実施形態１３及び１４のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態１６
前記レーザーは複数のレーザーダイオードを含む、実施形態１１及び１２のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態１７
内部領域を画定する壁と前記壁を貫通する壁通路とを有するハウジングを更に備え、
前記形成デバイスは前記内部領域内に配置される、実施形態１～４のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態１８
前記熱制御路は前記壁通路と位置合わせされる、実施形態１７記載のガラス製造装置。

実施形態１９
前記壁通路内に配置された筒を更に備える実施形態１７及び１８のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態２０
前記熱制御装置はガスノズルを備える、実施形態１７～１９のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態２１
前記ハウジングは前記形成デバイスに面する内面と前記内面と反対側の外面とを有し、断熱体が前記外面から延在する、実施形態１７～２０のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態２２
前記熱制御装置は電気加熱器を備える、実施形態２１記載のガラス製造装置。

実施形態２３
前記電気加熱器は複数の電気加熱器を含み、前記断熱体が前記複数の電気加熱器のうち第１電気加熱器と第２電気加熱器の間に配置される、実施形態２２記載のガラス製造装置。

実施形態２４
前記電気加熱器は軸の周りを回転可能である、実施形態２２及び２３のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態２５
前記壁通路は長さと前記長さより小さい幅とを有するスロットを有する、実施形態２４記載のガラス製造装置。

実施形態２６
前記熱制御装置はレーザーを備える、実施形態１７～１９のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態２７
前記レーザーは約７６０ナノメートルから約５０００ナノメートルの範囲内の波長を有するレーザービームを放出するように構成される、実施形態２６記載のガラス製造装置。

実施形態２８
前記レーザーは前記壁通路を通して前記レーザービームを放出することで、前記管の長さを走査するように構成される、実施形態２７記載のガラス製造装置。

実施形態２９
前記レーザーはレーザーダイオードから成り、前記レーザーダイオードは光ファイバーの第１端に光学的に結合され、前記光ファイバーの第２端は前記スロットに面する、実施形態２６及び２７のいずれかに記載のガラス製造装置。

実施形態３０
前記光ファイバーは前記壁通路を通って延在する、実施形態２９記載のガラス製造装置。

実施形態３１
ガラス製造方法であって、
溶融した材料を管の管壁によって画定された流れ通路の流れ方向に沿って流すステップであって、スロットが前記管壁を通って延在し前記スロットの外周縁によって外接される設置面を有する、ステップと、
前記スロットの前記設置面を通して前記溶融した材料を流すステップと、
熱制御路を画定する熱制御装置を動作させるステップであって、前記熱制御路の投影は前記設置面と交差する、ステップと、
前記熱制御路が前記溶融した材料と交差する位置における前記溶融した材料の温度を調整するステップと
を含むガラス製造方法。

実施形態３２
前記位置からの前記溶融した材料の第１流れを第１方向に形成デバイスの第１外面に沿って流し、前記位置からの前記溶融した材料の第２流れを第２方向に前記形成デバイスの第２外面に沿って流すステップを更に含み、前記第１流れと前記第２流れは集束しガラスリボンを形成する、実施形態３０記載の方法。

実施形態３３
前記位置は、前記スロットから前記流れ方向に垂直な方向で外方へ延びる前記設置面の投影内に完全に位置する、実施形態３１及び３２のいずれかに記載の方法。

実施形態３４
前記位置における前記溶融した材料の温度を調整するステップは、前記溶融した材料の前記温度を下げることを含む、実施形態３１～３３のいずれかに記載の方法。

実施形態３５
前記熱制御装置を動作させるステップは、ガスノズルからガスを放出することを含む、実施形態３１～３４のいずれかに記載の方法。

実施形態３６
前記位置における前記溶融した材料の温度を調整するステップは、前記溶融した材料の前記温度を上げることを含む、実施形態３１～３３のいずれかに記載の方法。

実施形態３７
前記熱制御装置を動作させるステップは、加熱素子に電気を流すことを含む、実施形態３６記載の方法。

実施形態３８
前記加熱素子を軸の周りを回転させるステップを更に含む実施形態３７記載の方法。

実施形態３９
前記熱制御装置を動作させるステップは、レーザーからレーザービームを放出させることを含む、実施形態３６記載の方法。

実施形態４０
前記溶融した材料における前記レーザービームの吸収深さは約５０マイクロメートルから約１０ミリメートルの範囲内である、実施形態３９記載の方法。

実施形態４１
前記レーザービームは約７６０ナノメートルから約５０００ナノメートルの範囲内の波長を有する、実施形態３９記載の方法。

実施形態４２
前記レーザービームを前記スロットの長さに亘って走査するステップを更に含む実施形態３９～４１のいずれかに記載の方法。

実施形態４３
前記レーザーから放出された前記レーザービームを鏡で反射するステップを更に含む実施形態３９～４２のいずれかに記載の方法。

実施形態４４
前記鏡を回転させるステップを更に含む実施形態４３記載の方法。

実施形態４５
前記鏡は多面鏡から成る、実施形態４３及び４４のいずれかに記載の方法。

１００ ガラス製造装置
１０１ 形成装置
１０２ ガラス溶融・出力装置
１０３ ガラスリボン
１０４ 個別ガラスリボン
１０５ 溶融容器
１０７ バッチ材料
１０９ 貯蔵容器
１１１ バッチ送出装置
１１３ モーター
１１５ 制御器
１２１ 溶融した材料
１２７ 清澄槽
１２９ 第１接続管
１３１ 混合槽
１３３ 送出容器
１３５ 第２接続管
１３７ 第３接続管
１４０ 形成デバイス
１４１ 入口管
１４９ ガラス分離器
１５１ 分離線
１５２ 中央部
１５３ 第１外縁
１５５ 第２外縁
１５７ 支持梁
２０１ 管
２０３ スロット
２０４ 外面
２０５ 管壁
２０６ 内面
２０７ 流れ通路
２０９ 成形ウェッジ
２１０ 中間材料
２１３ 第１壁
２１４ 第２壁
２２０ 空洞
２２３ 第１外面
２２４ 第２外面
２３３ 第１内面
２３４ 第２内面
２３５ 根元
２４０ ハウジング
２４１ ハウジング壁
２４３ 内面
２４５ 外面
２４７ 内部領域
２４９ 壁通路
２５１ 熱制御装置
２５３ 熱制御路
３０１ 設置面
３０３ 外周縁
３０９、３１７ 投影

Claims (12)

1. ガラス製造装置であって、
   流れ通路を画定する管壁と、前記流れ通路と流体連通し前記管壁を通って延在するスロットであって、該スロットの外周縁によって外接された設置面を有するスロットとを有する管を備えた形成デバイスと、
   熱制御路を画定する熱制御装置と
   を備え、
   前記熱制御路の投影は前記設置面と交差する、ガラス製造装置。
2. 前記形成デバイスは
   第１外面を有し前記管壁の外面の第１外周位置において取り付けられた第１壁と、
   第２外面を有し前記管壁の外面の第２外周位置において取り付けられた第２壁と
   を更に備え、
   前記第１外面及び前記第２外面は前記形成デバイスの根元で集束する、請求項１記載のガラス製造装置。
3. 前記投影は前記設置面によって限界が定められる、請求項１及び２のいずれかに記載のガラス製造装置。
4. 前記熱制御装置は前記流れ通路の流れ方向に沿って配置された複数の熱制御装置を含む、請求項１～３のいずれかに記載のガラス製造装置。
5. 前記管壁は約０．５ミリメートルから約１０ミリメートルの範囲内の厚みを有する、請求項１～４のいずれかに記載のガラス製造装置。
6. 前記管壁は白金又は白金合金から成る、請求項１～５のいずれかに記載のガラス製造装置。
7. 前記熱制御装置は電気加熱器を備える、請求項１～６のいずれかに記載のガラス製造装置。
8. 前記電気加熱器は複数の電気加熱器を含み、断熱体が前記複数の電気加熱器のうち第１電気加熱器と第２電気加熱器の間に配置される、請求項７記載のガラス製造装置。
9. 前記熱制御装置はガスノズルを備える、請求項１～６のいずれかに記載のガラス製造装置。
10. 前記熱制御装置はレーザーを備える、請求項１～６のいずれかに記載のガラス製造装置。
11. 内部領域を画定する壁と前記壁を貫通する壁通路とを有するハウジングを更に備え、
    前記形成デバイスは前記内部領域内に配置される、請求項１～４のいずれかに記載のガラス製造装置。
12. 前記熱制御路は前記壁通路と位置合わせされる、請求項１１記載のガラス製造装置。

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