JP2022536660A - 微小電気機械システム構造及びそれらの応用 - Google Patents
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Abstract
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス及びデバイスを操作する方法が開示される。デバイスは、基板プラットホームと、複数の蛇状アームを有する電極プレートとを含み、電極プレートは、複数の蛇状アームを介して基板プラットホームに取り付けられ、電極プレートは、静止位置において平面上に設けられる。デバイスは、電極プレート上に実質的に垂直に配置される鋭い部材を含む。様々な実装において、電極プレート及び基板プラットホームは共平面にある。様々な実装において、電極プレートは、静止位置から離れて平面に対して垂直方向に移動するように構成される。デバイスは、対電極も含む。デバイスを操作する方法は、電源を介して、デバイスの電極及び対電極に亘って直流（ＤＣ）を供給して、電極及び対電極に亘って静電場を生成することを含む。
Description
細胞形質転換(cellular transformations)を介した遺伝子治療のような医学的治療アプローチは、遺伝性疾患、ある種の癌、特定のウイルス感染症を含む、多くの疾患についての有望な治療選択肢である。遺伝子治療は有望であるが、現在、それは、薬物や手術を用いる代わりに、患者の細胞に遺伝物質（遺伝子）を挿入することに基づく、実験的治療である。この技術は、生細胞に遺伝物質（又は任意の生体分子）を導入することを中心にしているので、それは、特に細胞に損傷を与える危険性のために、本質的にリスクが高く、困難である。
遺伝子療法剤に対する現在の製造アプローチは、例えば、生細胞に非常に高い電場を印加して細胞の膜に一過性の開口を作り出すエレクトロポレーション(electroporation)プロセスを含む。電場は、典型的には、キュベット内で多数の細胞に全体的に印加され、所与の細胞についての電場も、細胞に入る材料の量も、いずれの個々の細胞についても制御されない。遺伝子療法に用いられる別のアプローチは、改変されたウイルスを用いて、新しい遺伝物質を細胞に導入することである。この方法において、ウイルスの存在は、ウイルスがどのタイプの細胞を改変するかを制御できないことを含む、多くの可能な副作用を引き起こし得る。その上、改変されたウイルスを用いた遺伝子療法の臨床的応用は、癌の発達を含む重大な副作用を有している。
細胞形質転換及び遺伝子療法のために現在使用中の上述の技術は、有意な欠点を有するので、遺伝子療法のような有望な治療技術を進歩させるためには、上述のアプローチに存在する有害な副作用を伴わない、遺伝物質を生細胞に挿入する代替的なアプローチが必要である。
本開示の少なくとも１つの態様は、デバイスに向けられる。デバイスは、基板プラットホームと、複数の蛇状アームを有するベースプレートとを含み、ベースプレートは、複数の蛇状アームを介して基板プラットホームに取り付けられ、ベースプレートは、静止位置において平面上に設けられる。デバイスは、ベースプレート上に配置される鋭い部材を含み、鋭い部材は、平面に対して実質的に垂直に配置される。様々な実装において、ベースプレート及び基板プラットホームは、共平面にある。様々な実装において、ベースプレートは、静止位置から離れて平面に対して垂直な方向に移動するように構成される。
様々な実装において、ベースプレートは、ベースプレートから外方に延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、２つの蛇状アームを含む。様々な実装において、ベースプレートは、ベースプレートから外方に延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、３つの蛇状アームを含む。様々な実装において、ベースプレートは、ベースプレートから外方に延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、４つの蛇状アームを含む。様々な実装において、蛇状アームは、ベースプレートと基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約２倍の直線長を有する。様々な実装において、蛇状アームは、ベースプレートと基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約３倍又は少なくとも約４倍の直線長を有する。様々な実装において、蛇状アームは、ベースプレートと基板プラットホームとの間の分離距離の約１０００倍までの直線長を有する。
様々な実装において、ベースプレート及び基板プラットホームは、同心状(concentric)である。様々な実装において、ベースプレートは、円形、楕円形、正方形、長方形、五角形、又は六角形からなる形状を有する。様々な実装において、ベースプレートは、約１００ｎｍ～約１０ｃｍの間の横方向寸法を有する。様々な実装において、ベースプレートは、約５μｍ～約５００μｍの間の横方向寸法を有する。
様々な実装において、ベースプレートは、約０．１ｎｍ～約１０ｍｍの間の距離に亘って静止位置から移動する。様々な実装において、ベースプレートは、約１ｎｍ～約１ｍｍの距離に亘って静止位置から移動する。
様々な実装において、ベースプレートは、第１の厚さを有し、基板プラットホームは、第２の厚さを有する。様々な実装において、第１の厚さは、第２の厚さと異なる。様々な実装において、ベースプレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、ベースプレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約０．１μｍ～約１０μｍの間の厚さを有する。
様々な実装において、ベースプレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は水素化アモルファスシリコンのうちの１つを含む。
様々な実装において、ベースプレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、ベースプレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０１１原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。
様々な実装において、ベースプレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０－４Ω－ｃｍから約１０４Ω－ｃｍの間のシート抵抗値を有する。様々な実装において、ベースプレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０－３Ω－ｃｍから約１０３Ω－ｃｍの間のシート抵抗値を有する。様々な実装において、ベースプレートと基板プラットホームとの間の電気インピーダンスは、約１０２Ω～約１０１２Ωの間である。様々な実装において、ベースプレートと基板プラットホームとの間の電気インピーダンスは、約１０３Ω～約１０８Ωの間である。
様々な実装において、鋭い部材は、約５０ｎｍ～約１ｍｍの間の長さを有する。様々な実装において、鋭い部材は、約２μｍ～約５０μｍの間の長さを有する。
様々な実装において、鋭い部材は、第１の鋭い部材であり、デバイスは、第２の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、デバイスは、約１０個の鋭い部材までの、ベースプレート上に配置された複数の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、デバイスは、約１００個の鋭い部材までの、ベースプレート上に配置された複数の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、デバイスは、約５００，０００，０００個の鋭い部材までの、ベースプレート上に配置された複数の鋭い部材を更に含む。
様々な実装において、ベースプレートは、第１のベースプレートであり、デバイスは、第２のベースプレートを更に含む。様々な実装において、デバイスは、複数のベースプレートを更に含む。
様々な実装において、ベースプレートは、電極である。様々な実装において、デバイスは、電極に対して平行に配置される対電極を更に含む。
様々な実装において、対電極は、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、対電極は、約０．１μｍ～約１０μｍの間の厚さを有する。
様々な実装において、対電極は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、水素化アモルファスシリコン、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、金属膜、ドープ半導体膜、無機半導体、複合材料、有機導電膜、又は様々なタイプのグラフェン、グラフェン酸化物、不整合グラフェン、又はそれらの任意の組み合わせを含む炭素同素体のうちの１つを含む。
様々な実装において、対電極は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、対電極は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。
様々な実装において、電極及び対電極は、約０．１μＶ～１０ｋＶの間の電位差（ＶＯ）を受けるように構成される。様々な実装において、電極及び対電極は、約１Ｖ～１００Ｖの間の電位差（ＶＯ）を受けるように構成される。様々な実装において、電極及び対電極は、約１０Ｖ～５０Ｖの間の電位差（ＶＯ）を受けるように構成される。
様々な実装において、システムは、複数の上述のようなデバイスを含む。システムの様々な実装において、複数のデバイスは、約１～約１０８のデバイスに及び、各デバイスは、それぞれの鋭い部材を有する。システムの様々な実装において、複数のデバイスは、約０．１μｍ～１０ｃｍの間だけ互いから分離される。
様々な実装において、対電極は、対電極の中心に開口を有し、開口は、鋭い部材の一部を受け入れるように構成される。
本開示の少なくとも１つの態様は、デバイスを操作する(作動させる)方法に向けられている。方法は、電源を提供することと、基板プラットホームと、複数の蛇状アームを有する電極とを含む、デバイスを提供することとを含み、電極は、複数の蛇状アームを介して基板プラットホームに取り付けられる。様々な実装において、デバイスは、電極上に実質的に垂直に配置される鋭い部材も含む。様々な実装において、デバイスは、電極に対して実質的に平行に配置される対電極も含む。また、デバイスを操作する方法は、電源を介して、デバイスの電極及び対電極に亘って直流（ＤＣ）を供給して、デバイスの電極及び対電極に亘って静電場(静電界)を生成することも含む。
様々な実装において、電極及び基板プラットホームは、共平面にある。様々な実装において、電極は、静止位置において平面上に設けられ、静止位置から離れて平面に対して垂直の方向に移動するように構成される。
様々な実装において、電極は、電極から外方に延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、２つの蛇状アームを含む。様々な実装において、電極は、電極から外方に延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、３つの蛇状アームを含む。様々な実装において、電極は、電極から外方に延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、４つの蛇状アームを含む。
様々な実装において、蛇状アームは、電極と基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約２倍の線形長(linear length)を有する。様々な実装において、蛇状アームは、電極と基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約３倍の線形長を有する。様々な実装において、蛇状アームは、電極と基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約４倍の線形長を有する。様々な実装において、蛇状アームは、電極と基板プラットホームとの間の分離距離の約１０００倍までの線形長を有する。
様々な実装において、電極と基板プラットホームは、同心状である。様々な実装において、電極は、円形ディスク、楕円形、正方形、長方形、五角形、又は六角形からなる形状を有する。様々な実装において、電極は、約１００ｎｍ～約１０ｃｍの間の横方向寸法を有する。様々な実装において、電極は、約５μｍ～約５００μｍの間の横方向寸法を有する。
様々な実装において、電極は、約０．１ｎｍ～約１０ｍｍの間の距離に亘って静止位置から移動する。様々な実装において、電極は、約１ｎｍ～約１ｍｍの間の距離に亘って静止位置から移動する。
様々な実装において、電極は、第１の厚さを有し、基板プラットホームは、第２の厚さを有する。様々な実装において、第１の厚さは、第２の厚さと異なる。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約０．１μｍ～約１０μｍの間の厚さを有する。
様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも一方は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は水素化アモルファスシリコンのうちの１つを含む。
様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０１１原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０－３Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。様々な実装において、電極及び基板プラットホームに亘る電気インピーダンスは、約１０２Ω～約１０１２Ωの間である。様々な実装において、電極及び基板プラットホームに亘る電気インピーダンスは、約１０３Ω～約１０８Ωの間である。
様々な実装において、鋭い部材は、約５０ｎｍ～約１ｍｍの間の長さを有する。様々な実装において、鋭い部材は、約２μｍ～約５０μｍの間の長さを有する。
様々な実装において、鋭い部材は、第１の鋭い部材であり、デバイスは、第２の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、デバイスは、約１０個の鋭い部材までの、複数の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、デバイスは、約１００個の鋭い部材までの、複数の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、デバイスは、約５００，０００，０００個の鋭い部材までの、複数の鋭い部材を更に含む。
様々な実装において、電極は、第１の電極であり、デバイスは、第２の電極を更に含む。様々な実装において、デバイスは、複数の電極を更に含む。
様々な実装において、対電極は、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、対電極は、約０．１μｍ～約１０μｍの間の厚さを有する。
様々な実装において、対電極は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、水素化アモルファスシリコン、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、金属膜、ドープ半導体膜、無機半導体、複合材料、有機伝導膜、様々なタイプのグラフェン、グラフェン酸化物、不整合グラフェン、及びそれらの任意の組み合わせを含む炭素同素体のうちの１つを含む。
様々な実装において、対電極は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、対電極は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。
様々な実装において、方法は、電源を介して、電極及び対電極に亘って約０．１μＶ～１０ｋＶの間の電位差（ＶＯ）を供給することを更に含む。
様々な実装において、方法は、電源を介して、電極及び対電極に亘って約１Ｖ～１００Ｖの間の電位差（ＶＯ）を供給することを更に含む。様々な実装において、方法は、電源を介して、電極及び対電極に亘って約１０Ｖ～５０Ｖの間の電位差（ＶＯ）を供給することを含む。
様々な実装において、デバイスは、第１のデバイスであり、方法は、更に、複数のデバイスを含み、電源を介して、複数のデバイスの各々のそれぞれの電極及びそれぞれの対電極に亘って直流（ＤＣ）を供給して、複数のデバイスの各々のそれぞれの電極及び各々のそれぞれの対電極に亘って複数の静電場を生成することを含む。
様々な実装において、複数のデバイスは、約１～約１０８のデバイスに及び、デバイスの各々は、それぞれの鋭い部材を有する。様々な実装において、複数のデバイスは、約０．１μｍ～１０ｃｍの間だけ互いから分離される。
様々な実装において、対電極は、対電極の中心に開口を有し、開口は、鋭い部材の一部を受け入れるように構成される。
本開示の少なくとも１つの態様は、コンポーネントに向けられている。コンポーネントは、基板プラットホームと、複数の蛇状アームを有する電極プレート(電極板)とを含み、電極プレートは、複数の蛇状アームを介して基板プラットホームに取り付けられ、電極プレートは、静止位置において平面上に設けられる。様々な実装において、電極プレート及び基板プラットホームは、共平面にある。様々な実装において、電極プレートは、静止位置から離れて平面に対して垂直な方向に移動するように構成される。
様々な実装において、コンポーネントは、電極プレート上に配置される鋭い部材を更に含む。様々な実装において、電極プレート及び基板プラットホームは同心状であり、複数の蛇状アームは、電極プレートから基板プラットホームまで延びる。
様々な実装において、複数の蛇状アームの少なくとも一部は、電極プレート又は基板プラットホームのいずれかと共平面である。様々な実装において、複数の蛇状アームは、互いから半径方向に等しく離間する。
様々な実装において、複数の蛇状アームは、約２本のアーム～約１０本のアームまで及ぶ。様々な実装において、蛇状アームは、電極プレートと基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約２倍の線形長を有する。様々な実装において、蛇状アームは、電極プレートと基板プラットホームとの間の離間距離の少なくとも約４倍の線形長を有する。様々な実装において、蛇状アームは、電極プレートと基板プラットホームとの間の分離距離の約１０００倍までの線形長を有する。
様々な実装において、電極プレートは、約１μｍ～約１０ｍｍの間の距離に亘って平面から離れて移動する。様々な実装において、電極プレートは、約１０μｍ～約１ｍｍの間の距離にわたって平面から離れて移動する。様々な実装において、電極プレートは、円形ディスク、楕円形、正方形、長方形、五角形、又は六角形からなる形状を有する。
様々な実装において、電極プレートは、約１００ｎｍ～約１０ｃｍの間の横方向寸法を有する。様々な実装において、電極プレートは、約５μｍ～約５００μｍの間の横方向寸法を有する。様々な実装において、電極プレートは、第１の厚さを有し、基板プラットホームは、第２の厚さを有する。様々な実装において、第１の厚さは、第２の厚さと異なる。
様々な実装において、電極プレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、電極プレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約０．１μｍ～約１０μｍの間の厚さを有する。
様々な実装において、電極プレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は水素化アモルファスシリコンのうちの１つを含む。
様々な実装において、電極プレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、電極プレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０１１原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。
様々な実装において、電極プレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。様々な実装において、電極プレート又は基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０－３Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。様々な実装において、電極プレート及び基板プラットホームに亘る電気インピーダンスは、約１０２Ω～約１０１２Ωの間である。様々な実装において、電極プレート及び基板プラットホームに亘る電気インピーダンスは、約１０３Ω～約１０８Ωの間である。
様々な実装において、鋭い部材は、約５０ｎｍ～約１ｍｍの間の長さを有する。様々な実装において、鋭い部材は、約２μｍ～約５０μｍの間の長さを有する。
様々な実装において、鋭い部材は、第１の鋭い部材であり、デバイスは、第２の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、コンポーネントは、約１０個の鋭い部材までの複数の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、コンポーネントは、約１００個の鋭い部材までの複数の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、コンポーネントは、約５００，０００，０００個の鋭い部材までの複数の鋭い部材を更に含む。
様々な実装において、電極プレートは、第１の電極プレートであり、コンポーネントは、第２の電極プレートを更に含む。様々な実装において、コンポーネントは、複数の電極プレートを更に含む。
様々な実装において、コンポーネントは、電極プレートに対して実質的に平行に配置される対電極を更に含む。
様々な実装において、対電極は、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、対電極は、約０．１μｍ～約１０μｍの間の厚さを有する。
様々な実装において、対電極は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、水素化アモルファスシリコン、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、金属膜、ドープ半導体膜、無機半導体、複合材料、有機伝導膜、様々なタイプのグラフェン、グラフェン酸化物、不整合グラフェン、及びそれらの任意の組み合わせを含む炭素同素体のうちの１つを含む。
様々な実装において、対電極は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、対電極は、１０１１原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、対電極は、約１０－４Ω－ｃｍから約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。
様々な実装において、電極及び対電極は、約０．１μＶ～１０ｋＶの間の電位差（ＶＯ）を受けるように構成される。様々な実装において、電極及び対電極は、約１Ｖ～１００Ｖの間の電位差（ＶＯ）を受けるように構成される。様々な実装において、電極及び対電極は、約１０Ｖ～５０Ｖの間の電位差（ＶＯ）を受けるように構成される。
システムの様々な実装において、システムは、上述のような複数のコンポーネントを含む。システムの様々な実装において、複数のコンポーネントは、約１～約１０８個のコンポーネントに及び、コンポーネントの各々は、それぞれの鋭い部材を含む。システムの様々な実装において、複数のコンポーネントは、約０．１μｍ～１０ｃｍの間だけ互いから分離される。
様々な実装において、対電極は、対電極の中心に開口を有し、開口は、電極プレート上に配置される鋭い部材の一部を受け入れるように構成される。
これらの及び他の態様及び実装は、以下で詳細に議論される。前述の情報及び以下の詳細な記述は、様々な態様及び実装の例示的な例を含み、特許請求される態様及び実装の性質及び特徴を理解するための概観又は枠組みを提供する。図面は、様々な態様及び実装の例示及びさらなる理解を提供し、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する。
添付の図面は、縮尺通りに描かれることを意図していない。様々な図面における同等の参照番号及び呼称は、同等の要素を示している。明瞭性のために、あらゆるコンポーネント(構成要素)があらゆる図面に印されないことがある。
本明細書に記載する技術は、遺伝子物質(genetic materials)を挿入するためのより安全なアプローチを可能にする。開示する技術は、機械的手段によって生細胞への遺伝子物質（一般的には生体分子）の制御可能な導入を可能にすることができる一方で、細胞に対する最小限の損傷を引き起こすか或いは全く引き起こさないので、高いパーセンテージの細胞が無傷である。例示的な遺伝子物質は、例えば、遺伝高分子、ならびに、例えば、タンパク質、ペプチド、小分子、ＲＮＡ又はＤＮＡとのタンパク質複合体、及びそれらの任意の組合せを含む、他の分子クラスを含み得る。機械的挿入の使用による有意な利点は、機械的ツールによって輸送されるべき活性分子、例えば、新しい遺伝物質の正確な量を制御することに加えて、挿入ツールの正確な機械的制御を有することを含む。
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）ベースの製造技術は、細胞呼掛け(cell interrogation)のために使用されることができる機械的ツールのような、微小コンポーネントの製造を可能にし得ることがよく知られている。ＭＥＭＳベースの製造方法は、顕微鏡的に鋭利なツール、例えば、他の可能な用途の中でも、遺伝子療法において使用されることができるニードル(針)（本明細書では、マイクロニードル又はナノニードルと呼ぶ）を製造するのに特に適している。（ＭＥＭＳベースの又はその他の）ニードルは、表皮層又は培養付着細胞(cultured adherent cells)の層のような、生物学的細胞中に分子物質を挿入するために使用されることができることが示されている。これらのタイプの挿入は、典型的には、細胞又は表皮組織の層に手動でニードルを押し込むことによって行われる。
しかしながら、機械的挿入を利用する現在利用可能なアプローチは、いかなる種類の作動機構(actuation mechanisms)とも統合されておらず、注入されるべき細胞に対する挿入ニードルの位置の個々の制御は存在しない。細胞修飾(cellular modification)に使用される現在利用可能なアプローチにおいて、挿入システムは、ニードルのための作動機構を含まず、挿入ニードルは、技術者によって手動で標的細胞内に押し込まれる。挿入ニードルの動きは技術者によって手動で制御されるので、各個々のニードルが標的細胞を貫通するときに、各個々のニードルの高さの正確な制御を達成することは困難である。加えて、技術者が挿入を行うので、細胞内への遺伝子物質の挿入は個別に行われ、自動化能力を欠いている。よって、現在のアプローチは、遺伝子療法の機械的アプローチにおけるスケーラビリティ(scalability)を提供しない。
遺伝子治療に対する機械的アプローチの制御及びスケーラビリティを改善するための１つの可能な解決策は、ＭＥＭＳベースの製造方法を使用して、多くの鋭利なツールを製造することであり、各々の鋭利なツールは、鋭利なツールの正確な作動(actuation)のための機構を支持することができるプラットホーム上に取り付けられる。ニードルのような、ＭＥＭＳベースの鋭利なツールが、統合された作動機構を介してそれらの機械的な動きの正確な制御を提供するならば、遺伝子治療への高スループットの及びおそらく並行したアプローチが、本明細書に記載する技術で達成されることができる。
本明細書に記載する技術は、一般には、ＭＥＭＳ構造及びその応用に関する。具体的には、本開示は、その上に配置される（中実な先端又は中空の先端を含む）ＭＥＭＳニードルのような、鋭利なツールを有するＭＥＭＳ構造と、例えば、限定されるわけではないが、遺伝子療法及び／又は細胞形質転換における使用に適した構造を操作する(operating)方法とに関する。具体的には、本開示は、超低バネ定数及び精密作動を有するコンパクトな作動機構を備える（ＭＥＭＳデバイス又はＭＥＭＳコンポーネントと呼ぶこともできる）ＭＥＭＳ構造に関する。本明細書に記載するＭＥＭＳ構造の様々な実装は、フォトリソグラフィ(写真平版技術)、蒸着及びプラズマエッチング等を含むが、これらに限定されない、マイクロ製造技術及びナノ製造技術を用いて製造される。ＭＥＭＳベースの製造方法は、一般的には、フォトリソグラフィを含むので、数十万のコンポーネント又はデバイスを製造するためのスケーリングは、製造プロセスの流れにおいてフォトリソグラフィマスクを単に修正することによって容易に達成されることができる。本明細書ではＭＥＭＳ構造と呼ぶが、開示する技術は、ナノメートルスケールの構造、コンポーネント又はデバイスの製造も含むので、ＭＥＭＳ構造という用語は、ナノ電気機械システム（ＮＥＭＳ）構造も指し、従って、ＭＥＭＳ及びＮＥＭＳという用語は、別段の規定がない限り、本開示を通じて互換性があり、様々な実装及び実施形態に適用可能である。
本明細書に記載するように、ＭＥＭＳ構造又はデバイスは、基板プラットホーム(substrate platform)と、複数の蛇状アーム(serpentine arms)を有するベースプレート(base plate)とを含み、ベースプレートは、複数の蛇状アームを介して基板プラットホームに取り付けられ、ベースプレートは、静止位置において平面上に設けられる。デバイスは、ベースプレート上に配置される鋭い部材(sharp member)を含み、鋭い部材は、静止位置から離れて平面に対して実質的に垂直に配置される。様々な実装において、ベースプレート及び基板プラットホームは、共平面(co-planar)である。様々な実装において、ベースプレートは、平面に対して垂直な方向に移動するように構成される。様々な実施態様において、ベースプレートは、ベースプレートから外向きに延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、少なくとも２つの蛇状アームを含む。様々な実装において、蛇状アームは、バネ定数が低く、コンパクトであるが正確な作動を可能にするよう正確に制御されるように、構成される。
例えば、インビトロ(in-vitro)細胞形質転換において、遺伝子療法のためにＭＥＭＳ構造を利用するために、細胞は、典型的には、挿入の前に、収集され、選択され、所定の場所に保持される（さもなければ、所定の場所で懸濁される）。本明細書に記載する様々な実装は、細胞寸法のスケール、すなわち、ナノメートル範囲での（一般的には、本明細書において、鋭利なツール又は鋭利な部材と呼ぶ）ＭＥＭＳニードルを使用する機械的挿入方法を含む。所望の精度及び制御性のために、開示するＭＥＭＳニードル（又は一般的にニードル）は、ニードルが細胞膜及び例えば真核細胞の核膜を貫通するようにニードルを動かす作動機構に連結されなければならない。本明細書に記載するようなＭＥＭＳニードル及びその作動機構の特定の動きは、以下の通りである。すなわち、ニードルは、貫通点の外側にある細胞に対する最小限の力及び最小限の破壊で細胞膜及び核膜を貫通するのに十分な程に鋭く、ニードルは、典型的には、細胞寸法のオーダにおける十分な距離、すなわち、約２μｍ～約２０μｍ、好ましくは、約４μｍ～約８μｍに亘って作動可能であり、ニードルは、所定の場所に保持されている細胞に対して正確な動きを可能にする個々の作動機構を有し、各ＭＥＭＳニードルのための作動機構は、ニードルの総面積及びその作動機構が小さいようにコンパクトである。本明細書に記載する様々な実装において、ニードル及び作動機構の両方を含むＭＥＭＳデバイスは、上述のデバイスパラメータを有し、上記の任意の２つの番号の間のデバイスの数の任意の範囲を含む、１平方センチメートル当たり１００デバイス（デバイス／ｃｍ２）を超える、好ましくは、１０００デバイス／ｃｍ２を超える、又は最大で約１０，０００デバイス、約５０，０００デバイス、約１００，０００デバイス、約５００，０００デバイス、約１，０００，０００デバイス、約５，０００，０００デバイス、約１０，０００，０００デバイス、約５０，０００，０００デバイス、約１００，０００，０００デバイス、又は約５００，０００，０００デバイスに番号を付す。
本明細書に記載する様々な実装によれば、開示するＭＥＭＳ構造は、ＭＥＭＳ構造の静電作動を含む任意の適切な作動アプローチを介して作動されることができる。他の適切な作動アプローチも作動のために使用することができる。例えば、外部から印加された電圧に応答して移動する圧電コンポーネントを作動のために使用することができる。外部磁場を加えた後に移動することができるアクチュエータに磁石を取り付けることによって、磁力も幾つかの方法で使用することができる。同様に、バイメタル素子又は形状記憶合金ベースのものを使用することによるような温度差に基づいて、ＭＥＭＳ構造の作動を行うことができる。作動に必要とされる温度は、デバイスの選択された場所において作製された抵抗ヒータによって生成されることができる。
開示するＭＥＭＳ構造の作動のための例示的なアプローチとして、静電作動が本開示を通じて使用されるが、本明細書に記載する技術は静電作動に限定されず、従って、ＭＥＭＳ構造は、本明細書に開示する技術に従って任意の形態の作動と共に使用されることができる。
静電作動と共に使用するために、ＭＥＭＳ構造は、静電作動機構のための電気接触パッドを含むように構成される。静電作動は、幾つかの利点を提供する。１つの主要な利点は、構造の製造において最小限のリソグラフィ層及び処理ステップを必要とする、平行プレート静電作動デバイスアーキテクチャの構成によって提供される。別の利点は、ＭＥＭＳ構造の特定の構成及び印加電圧によって決定される、静電的に作動される運動に関連する大きな範囲の運動に関する。別の利点は、ＭＥＭＳ構造自体のコンポーネントを導電体として構成することができ、従って、それはそれらの作動機構のいずれかが利用される場合に必要とされる磁石、コイル、又は圧電材料のような、追加の要素の必要性を排除することである。静電作動のために、コンポーネントを単にドープすることによってシリコンで作られるＭＥＭＳコンポーネントのいずれかを導電体に変換する可能性は、ＭＥＭＳ構造の様々な部分を設計する特異な能力を提供する。
本明細書に記載する様々な実装によれば、開示するＭＥＭＳ構造は、作動力が加えられるときにＭＥＭＳニードルが動くことを可能にし、作動力が除去されるときにＭＥＭＳニードルをその初期の静止位置に戻す復元力を生成する、バネ又はバネ状のフレキシブル(可撓)構造を含む。この出願における使用に適したバネ定数を決定することは、以下の２つの方程式を介して関連付けることができる。平行板コンデンサの二つのプレート(板)に亘って電位電圧が印加されるときに生じる静電作動力を記述する最初の方程式は、以下のように記述されることができる。
ここで、Ａは、（ＭＥＭＳニードルがその上に配置された１つのプレートを備える）プレートの面積であり、ｄは、２つの平行なプレートの間の距離であり、Ｖは、印加される電圧であり、εは、自由空間の誘電率である。例えば、１００μｍ×１００μｍのＭＥＭＳ構造の表面積、１０μｍの分離距離、及び５０Ｖの印加電圧のような、これらの変数についての典型的なオーダの大きさを挿入することによって、１μＮのオーダの力を生成することができるのが分かる。ＭＥＭＳニードルは、１０μｍのオーダであるので、ＭＥＭＳニードルの適切な作動を可能にするためには、０．１Ｎ／ｍのオーダのバネ定数が必要とされる。
図１Ａは、０．１Ｎ／ｍのオーダのバネ定数ｋを有するカンチレバービーム１５０ａ(片持ち梁)の寸法を決定するために使用される単純なカンチレバー構造１００ａの概略図を示している。図１Ａに示すように、カンチレバービーム１５０ａは、基板プラットホーム１１０ａから懸架され、カンチレバービーム１５０ａの寸法は、単独締付けカンチレバービーム理論(singly clamped cantilever beam theory)に基づいている第２の方程式を介して、そのバネ定数ｋに関連付けられる。
ここで、Ｅは、ヤング率であり、Ｗは、カンチレバービームの幅であり、Ｈは、高さであり、Ｌは、長さである。例えば、典型的な２μｍの高さ及び５μｍの幅を有する単結晶シリコンで作られたカンチレバービーム１５０ａについて、長さが１００μｍの長さのシリコンビーム１５０ａは、第２の方程式によれば、６Ｎ／ｍのバネ定数を有すると決定される。６Ｎ／ｍのバネ定数は、５０Ｖの印加電圧でＭＥＭＳニードルの適切な作動を可能にするのに必要とされる０．１Ｎ／ｍのバネ定数よりもはるかに剛性である。バネ定数を約０．１Ｎ／ｍまで減少させるためには、各ＭＥＭＳニードルの安定した支持を提供するために必要とされる少なくとも２つのカンチレバービームが存在すると仮定すると、シリコンカンチレバービームは、約５００μｍの長さを有さなければならない。デバイスの総寸法は、結果的に、１０００μｍを超え、それは、２つの５００μｍのカンチレバーがサポートするように構成される１００μｍ×１００μｍのＭＥＭＳ構造よりも、１０倍大きいか或いは長い。
本明細書に記載するような様々な実装によれば、解決策は、開示するＭＥＭＳ構造が、図１Ａに示す直線ビームとは異なるバネ又はバネ状の構造を含むことである。バネ又はバネ状の構造は、例えば、蛇のような(serpentine like)ビーム構造を含むことができる。ＭＥＭＳ構造に取り付けられた蛇状構造は、長いカンチレバービームをコンパクトな蛇状パターンに効果的に折り畳んで（ここでは一般的に蛇状アームと呼ぶ）蛇状構造を形成することによって、コンパクトでありながら、より低いバネ定数を提供する。バネ又はバネ状の構造の他の可能な幾何学的形状は、例えば、長く、コンパクトであり、フレキシブルである、螺旋形状バネのセットを含む。様々な実装において、螺旋形状バネのセットは、蛇状でないことがあり、或いは曲がりくねって(meandering)いないことがある。
図１Ｂは、様々な実施形態に従った蛇状カンチレバー構造１００ｂの概略図を示している。図１Ｂに示すように、構造１００ｂは、基板プラットホーム１１０ｂに取り付けられた幅１５０ｗを有する蛇状カンチレバービーム１５０ｂを含む。蛇状カンチレバービーム１５０ｂは、その剛性を有意に低下させるように、すなわち、そのバネ定数を低下させるように構成される。蛇状構造１５０ｂは、カンチレバービーム１５０ｂは基板プラットホーム１１０ｂに取り付けられる、蛇状カンチレバービーム１５０ｂの先端と蛇状カンチレバービーム１５０ｂのベースとの間の実際の距離を減少させるために折り曲げられる、より一層長い線形（有効）長さを有する。
図１Ｃは、図１Ｂの蛇状カンチレバー構造の幅１５０ｗの関数として剛性減少を示すグラフプロット１００ｃである。図１Ｃに示すように、図１Ａに示すカンチレバービーム１５０ａの剛性は、図１Ｂの蛇状カンチレバービーム１５０ｂに示すように、蛇状構造がビーム構造に含まれるならば、低下し得る。図１Ｃに示す関係によれば、剛性は、蛇状カンチレバー構造の幅１５０ｗが増大するにつれて指数関数的に減少し、従って、剛性の大きな減少の比率は、ビーム構造内に適度な蛇状幅１５０ｗを有することによって容易に達成されることができる。換言すれば、プロット１００ｃは、よりコンプライアント(compliant)でコンパクトなカンチレバーアーム構造（バネ）が、カンチレバービーム内に蛇状構造を含めることによって設計され得ることを図示している。
図１Ｄは、偏向されている(deflected)蛇状カンチレバー構造１００ｂのシミュレーション結果を示すグラフ図１００ｄである。図１Ｄに示すように、蛇状カンチレバー構造１００ｂの有限要素シミュレーションは、蛇状カンチレバー構造の厚さよりもかなり高い偏向(たわみ)(deflections)を達成する蛇状曲げ(serpentine flexures)の能力を実証する。例示１００ｄに示す下向き偏向は、カンチレバー構造１００ｂ内に蛇状構造を有することが、構造１００ｂのより長い有効長によって可能とされるより低いバネ定数の故に、より一層高いコンプライアンスを可能にすることを図示し且つ検証する。
図２Ａは、本明細書に開示する様々な実装に従った蛇状アームを有する例示的なＭＥＭＳ構造２００の概略図を示している。図２Ａに示すように、構造２００は、基板プラットホーム２１０と、複数の蛇状アーム２５０を有するベースプレート２３０とを含む。図２Ａに示すように、ベースプレート２３０は、ベースプレート２３０は、ピット２１２の上方の静止位置にあるよう、複数の蛇状アーム２５０を介して基板プラットホーム２１０に取り付けられる。構造２００は、ベースプレート２３０上に配置された鋭い部材２６０を含む。図２Ａに示すように、鋭い部材２６０は、ベースプレート２３０の平面に対して実質的に垂直に配置される。最初に、ベースプレート及び基板プラットホームは、共平面にある。様々な実装において、ベースプレート２３０は、電極であり、ベースプレート２３０及び基板プラットホーム２１０に対して垂直な方向に静電作動に基づいて静止位置から離れて上又は下に移動するように構成される。基板２７０及び底電極又は対電極２８０(counter electrode)も見える。
様々な実装において、基板プラットホーム２１０は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は水素化アモルファスシリコンのうちの１つを含む。様々な実装において、基板プラットホーム２１０は、金属、金属合金、セラミック、複合材料、又はポリマを含むことができる。様々な実装において、基板プラットホーム２１０は、ドープされたシリコン、シリコンの任意の同素体、任意の無機ガラス状材料又は混合物、任意の無機多結晶性材料又は混合物、任意の無機単結晶性材料又は混合物、金属酸化物、半金属酸化物、金属又は半金属窒化物、窒素又は他の非半金属又は金属元素を有する金属又は半金属酸化物を含む任意のセラミック材料、上記材料の任意のドープされた組み合わせ、上記材料の任意の層状積層体又は構造的組み合わせを含むことができる。
様々な実装において、基板プラットホーム２１０は、単一の材料層である。様々な実装において、基板プラットホーム２１０は、複数の層を有する複合材料である。様々な実装では、基板プラットホーム２１０は、複合材料中の空の空隙層、又は１つ以上の空隙を含むことができる。
様々な実装において、基板プラットホーム２１０は、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実施態様において、基板プラットホーム２１０は、約０．０１μｍ～約１ｍｍ、約０．０１μｍ～約５００μｍ、約０．０１μｍ～約１００μｍ、約０．０１μｍ～約７５μｍ、約０．０１μｍ～約５０μｍ、約０．０１μｍ～約２５μｍ、約０．０１μｍ～約１０μｍ、約０．１μｍ～約１０μｍ、約０．１μｍ～約２５μｍ、約０．１μｍ～約５０μｍ、約０．１μｍ～約７５μｍと、約０．１μｍ～約１００μｍ、約０．１μｍ～約２５０μｍ、約０．１μｍ～約５００μｍ、又は約０．１μｍ～約１ｍｍの間の厚さを有し、それらの間の任にの厚さを含む。
様々な実施態様において、基板プラットホーム２１０は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、基板プラットホーム２１０は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３、１０１１原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３、又は約１０１１原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、基板プラットホーム２１０は、ホウ素、リン、ヒ素、インジウム、ガリウム、アンチモン、ビスマス、リチウム、ゲルマニウム、窒素、及び金のリストからのドーパントでドープされることができる。
様々な実施態様において、基板プラットホーム２１０は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。様々な実装において、基板プラットホーム２１０は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍ、約１０－３Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍ、又は約１０－３Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。
図２Ａに示すように、ベースプレート２３０は、ベースプレート２３０から外方に延び、互いから半径方向に均等に配置される、２つの蛇状アーム２５０を含む。様々な実装において、ベースプレート２３０は、３つの蛇状アーム、４つの蛇状アーム、５つの蛇状アーム、又は任意の数の蛇状アームを含むことができる。様々な実施態様によれば、蛇状アーム２５０は、ベースプレート２３０から外方に延び、互いから半径方向に均等に配置される。
様々な実装において、蛇状アーム２５０は、ベースプレート２３０と基板プラットホーム２１０との間の（経路２５４に沿った）分離距離の少なくとも約２倍の経路２５２に沿った線形長を有する。経路２５２は、蛇状アーム２５０の長さに沿って続く破線として示されるのに対し、経路２５４は、蛇状アーム２５０が取り付けられるベースプレート２３０と基板プラットホーム２１０との間の距離として示されることに留意のこと。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、ベースプレート２３０と基板プラットホーム２１０との間の分離距離の少なくとも約３倍、少なくとも約４倍、少なくとも約５倍、少なくとも約８倍、少なくとも約１０倍、又は少なくとも約１５倍の線形長、及び以下に示す任意の２つの数の間の分離距離の線形長の任意の範囲を含む、最大約２５倍、約５０倍、約１００倍、約１５０倍、約２００倍、約２５０倍、約３００倍、約３５０倍、約４００倍、約４５０倍、約５００倍、約５５０倍、約６００倍、約６５０倍、約７００倍、約７５０倍、約８００倍、約８５０倍、約９００倍、約９５０倍、又は約１０００倍の線形長を有する。
様々な実装において、蛇状アーム２５０は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は水素化アモルファスシリコンのうちの１つを含む。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、金属、金属合金、セラミック、複合材料、又はポリマを含むことができる。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、ドープされたシリコン、シリコンの任意の同素体、任意の無機ガラス状材料又は混合物、任意の無機多結晶性材料又は混合物、任意の無機単結晶性材料又は混合物、金属酸化物、半金属酸化物、金属又は半金属窒化物、窒素又は他の非半金属又は金属元素を有する金属又は半金属酸化物を含む任意のセラミック材料、上記材料の任意のドープされた組み合わせ、上記材料の任意の層状積層体又は構造的組み合わせを含むことができる。
様々な実装において、蛇状アーム２５０は、単一層の材料を含む。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、複数の層を有する複合材料を含む。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、複合材料中の空の空隙層、又は１つ以上の空隙を含むことができる。
様々な実装において、蛇状アーム２５０は、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、約０．０１μｍ～約１ｍｍ、約０．０１μｍ～約５００μｍ、約０．０１μｍ～約１００μｍ、約０．０１μｍ～約７５μｍ、約０．０１μｍ～約５０μｍ、約０．０１μｍ～約２５μｍ、約０．０１μｍ～約１０μｍ、約０．１μｍ～約１０μｍ、約０．１μｍ～約２５μｍ、約０．１μｍ～約５０μｍ、約０．１μｍ～約７５μｍ、約０．１μｍ～約１００μｍ、約０．１μｍ～約２５０μｍ、約０．１μｍ～約５００μｍ、約０．１μｍ～約５００μｍ、又は約０．１μｍ～約１ｍｍの間の厚さを有し、それらの間の任意の厚さの範囲を含む。
様々な実装において、蛇状アーム２５０は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３、１０１１原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３、又は約１０１１原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３のドーピング濃度を有する。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、ホウ素、リン、ヒ素、インジウム、ガリウム、アンチモン、ビスマス、リチウム、ゲルマニウム、窒素、及び金のリストからのドーパントでドープされることができる。
様々な実装において、蛇状アーム２５０は、例えば、反復運動後の蛇状アーム２５０における塑性変形、材料疲労、及び破壊を伴わない曲げのために、フレキシブル(可撓)であるように構成される。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、ベースプレート２３０の機械的振動を支持するように構成される。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、ベースプレート２３０と同じ材料層から製造される。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、ベースプレート２３０と同じ電気的特性、例えば、電気抵抗及びインピーダンスを有する。
様々な実装において、蛇状アーム２５０は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。様々な実装において、蛇状アーム２５０は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍ、約１０－３Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍ、又は約１０－３Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。
様々な実装において、ベースプレート２３０及び基板プラットホーム２１０は同心状である。様々な実装において、ベースプレート２３０は、基板プラットホーム２１０の内部にある。換言すれば、ベースプレート２３０は、図２Ａに示すように、蛇状アーム２５０を介して基板プラットホーム２１０から懸架される。
図２Ａに示すように、ベースプレート２３０は、正方形のプレート又は長方形のプレートである。様々な実装において、ベースプレート２３０は、円形、楕円形、正方形、長方形、五角形、又は六角形からなる形状を有する。
様々な実装において、ベースプレート２３０は、約１００ｎｍ～約１０ｃｍの間の横方向寸法を有する。様々な実装において、ベースプレートは、約１μｍ～約１ｃｍ、約１μｍ～約１ｍｍ、約１μｍ～約８００μｍ、約１μｍ～約６００μｍ、約１μｍ～約５００μｍ、約１μｍ～約４００μｍ、約１μｍ～約３００μｍ、約１μｍ～約２００μｍ、約１μｍ～約１００μｍ、約５μｍ～約５００μｍ、約１０μｍ～約５００μｍ、約２５μｍ～約５００μｍ、約５０μｍ～約５００μｍ、約１００μｍ～約５００μｍの間の横方向寸法を有し、それらの間の全ての寸法を含む。
様々な実装において、ベースプレート２３０は、約０．１ｎｍ～約１０ｍｍの間の距離に亘って静止位置(resting position)から移動する。様々な実装において、ベースプレート２３０は、以下の間の任意の距離範囲を含む、約１ｎｍ～約８ｍｍ、約１ｎｍ～約１ｍｍ、約１０ｎｍ～約６ｍｍ、約１００ｎｍ～約５ｍｍ、約１μｍ～約４ｍｍ、約１μｍ～約３ｍｍ、約１μｍ～約２ｍｍ、約１μｍ～約１ｍｍ、約１０μｍ～約１ｍｍ、約２５μｍ～約１ｍｍ、約５０μｍ～約１ｍｍ、又は約５０μｍ～約２ｍｍの間の距離に亘って、静止位置から移動する。
様々な実装において、ベースプレート２３０は、約１ｎｍ～約１０ｍｍの間の距離の静的変位(static displacement)のために静止位置から移動する。様々な実装において、ベースプレート２３０は、約０．１ｎｍ～約１００μｍの間の距離の動的変位(dynamic displacement)のために静止位置から移動する。様々な実装において、ベースプレート２３０は、重畳振動動的移動(superimposed vibrational dynamic movement)を同時に有しながら静的な方法において作動される。様々な実装において、ベースプレート２３０の動的移動は、例えば、撹拌増強拡散、又は望ましいことがある他の動力学的作用を介して、ペイロード解放動力学の変調を容易にするためのような用途を感知又は測定するために構成される。
様々な実装において、ベースプレート２３０は、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、ベースプレート２３０は、約０．０１μｍ～約１ｍｍ、約０．０１μｍ～約５００μｍ、約０．０１μｍ～約１００μｍ、約０．０１μｍ～約７５μｍ、約０．０１μｍ～約５０μｍ、約０．０１μｍ～約２５μｍ、約０．０１μｍ～約１０μｍ、約０．１μｍ～約１０μｍ、約０．１μｍ～約２５μｍ、約０．１μｍ～約５０μｍ、約０．１μｍ～約７５μｍ、約０．１μｍ～約１００μｍ、約０．１μｍ～約２５０μｍ、約０．１μｍ～約５００μｍ、又は約０．１μｍ～約１ｍｍの間の厚さを有し、それらの間の任意の厚さの範囲を含む。
様々な実装において、ベースプレート２３０は、第１の厚さを有し、基板プラットホームは、第２の厚さを有する。様々な実装において、第１の厚さは、第２の厚さと異なる。
様々な実装において、ベースプレート２３０は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は水素化アモルファスシリコンのうちの１つを含む。様々な実装において、ベースプレート２３０は、金属、金属合金、セラミック、複合材料、又はポリマを含むことができる。様々な実装において、ベースプレート２３０は、ドープされたシリコン、シリコンの任意の同素体、任意の無機のガラス状材料又は混合物、任意の無機多結晶性材料又は混合物、任意の無機単結晶性材料又は混合物、金属酸化物、半金属酸化物、金属又は半金属窒化物、窒素又は他の非半金属又は金属元素を有する金属又は半金属酸化物を含む任意のセラミック材料、上記材料の任意のドープされた組み合わせ、上記材料の任意の層状積層体又は構造的組み合わせを含むことができる。
様々な実装において、ベースプレート２３０は、単一の材料層である。様々な実装において、ベースプレート２３０は、多層を有する複合材料である。様々な実装において、ベースプレート２３０は、複合材料中に空の空隙層、又は１つ以上の空隙を含むことができる。
様々な実装において、ベースプレート２３０は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、ベースプレート２３０は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３、１０１１原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３、又は約１０１１原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実施において、ベースプレート２３０は、ホウ素、リン、ヒ素、インジウム、ガリウム、アンチモン、ビスマス、リチウム、ゲルマニウム、窒素、及び金のリストからのドーパントでドープされることができる。
様々な実装において、ベースプレート２３０は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。様々な実装において、ベースプレート２３０は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍ、約１０－３Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍ、又は約１０－３Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。
様々な実装において、ベースプレート２３０及び基板プラットホーム２１０に亘る電気インピーダンスは、約１０２Ω～約１０１２Ωの間にある。様々な実装において、ベースプレート２３０及び基板プラットホーム２１０に亘る電気インピーダンスは、約１０２Ω～約１０１１Ω、約１０２Ω～約１０１０Ω、約１０２Ω～約１０９Ω、約１０２Ω～約１０８Ω、約１０３Ω～約１０８Ω、約１０３Ω～約１０９Ω、約１０３Ω～約１０１０Ω、約１０３Ω～約１０１１Ω、又は約１０３Ω～約１０１２Ωの間にあり、それらの間の任意のインピーダンスの範囲を含む。
様々な実装において、鋭い部材２６０は、ニードル、マイクロニードル、ナノニードル、ナノチューブ、ピラー、マイクロピラー、ナノピラー、又は約２～約１，０００，０００の直径対高さのアスペクト比を有する任意の物理的突起である。様々な実装において、鋭い部材２６０は、約１～約１，０００，０００、約１～約５００，０００、約１～約１００，０００、約１～約５０，０００、約１～約１０，０００、約１～約５，０００、約１～約１，０００、約１～約１，０００、約１～約９００、約１～約８００、約１～約７００、約１～約６００、約１～約５００、約１～約４００、約１～約３００、約１～約２００、約１～約１００、約１～約９０、約１～約８０、約１～約７０、約１～約６０、約１～約５０、約１～約４０、約１～約３０、約１～約２０、約１～約１０、約１～約９、約１～約８、約１～約７、約１～約６、約１～約５、約１～約４、約１～約３、約１～約２、約１０～約１，０００，０００、約１０～約５００，０００、約１０～約１００，０００、約１０～約５０，０００、約１０～約１０，０００、約１０～約５，０００、約１０～約１，０００、約１０～約９００、約１０～約８００、約１０～約７００、約１０～約６００、約１０～約４００、約１０～約３００、約１０～約２００、約１０～約１００、約１０～約９０、約１０～約８０、約１０～約７０、約１０～約６０、約１０～約５０、約１０～約４０、約１０～約３０、約１０～約２０、又は約５～約２０の高さ対直径のアスペクト比を有する。
様々な実装において、鋭い部材２６０は、絶縁材料、例えば、酸化ケイ素又は窒化ケイ素、又はハフニウムもしくは酸化アルミニウムのような他の金属酸化物を含む。様々な実装において、鋭い部材２６０は、化学的不活性及び／又は電気的絶縁のためのコーティング(被膜)で被覆される。様々な実装において、コーティングは、気相又は液相堆積技術のいずれかを介して堆積されることができる。様々な実装において、コーティングは、例えば、酸化物又は窒化物のような無機絶縁体、及びインサイチュ(in-situ)で堆積又は重合されることができる様々なポリマのような、コーティング材料を含む。様々な実装において、コーティングは、例えば、パリレンのような気相堆積ポリマーコーティングを含む。様々な実装において、コーティングは、分子を付着させるための表面特性を修飾する材料又は反応基を提供する材料を含むこともできる。これらは、アルキルシラン、ジクロロシラン又はトリクロロシラン又はトリメトキシシランのようなオルガノシラン、フッ素化アルキルシラン、及びアミノシランのような表面特性を変化させるように設計された反応基を有するシラン、及びメトキシ又はエトキシシランを含む。液相で塗布されることができるコーティングの別のカテゴリは、ポリアクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミド、アガロースのような電気泳動、及びグアラン又はローカストビーンガムのような他の多糖類に使用されるものである。表面コーティングの更に別のカテゴリは、界面活性剤分子、特に、プルロニック（登録商標）、ポリプロピレンオキシド及びポリエチレンオキシドセグメントとのトリブロック共重合体のような、非イオン性界面活性剤を含むことができる。様々な実装において、コーティングは、電気的絶縁層の後に分子結合を促進する層が続くことのような様々な目標を達成するのを助ける、多層のコーティングを含む。様々な実装において、鋭い部材２６０上のコーティングは、細胞に挿入される特定の化学物質の結合を促進するのを助けることが意図される。
様々な実装において、コーティングは、化学的不活性、電気的絶縁、及び／又は（例えば、接触角制御のための）流体濡れ性を提供するのに適した任意の材料であることができる。様々な実装において、コーティングは、例えば、物理的に吸収され及び／又は堆積された、或いは化学的に共有結合もしくは非共有結合された、任意の組み合わせの又は任意の組み合わせを含む、例えば、任意の小分子、タンパク質、ペプチド、ペプチド、ポリマ、又はシリコン、アルミナ、セラミック、金、酸化シリコン、金属、ポリマ、これらの材料の積層体のような無機材料を含む、ある範囲の材料クラスを含む、親水性コーティングを含むことができる。様々な実装において、コーティングは、例えば、約９５°～約１６５°の間の接触角を有する疎水性コーティングを含むことができる。様々な実装において、疎水性コーティングは、約９５°～約１６５°の間、約１００°～約１６５°の間、約１０５°～約１６５°の間、約１１０°～約１６５°の間、約１２０°～約１６５°の間、約９５°～約１５０°の間、約９５°～約１４０°の間、又は約９５°～約１３０°の間の接触角を有し、それらの間の任意の接触角の範囲を含む。
様々な実装において、親水性コーティングは、約２０°～約８０°の間の接触角を有する。様々な実装において、親水性コーティングは、約２５°～約８０°、約３０°～約８０°、約３５°～約８０°、約４０°～約８０°、約２０°～約７０°、約２０°～約６０°又は約２０°～約５０°の接触角を有し、それらの間の任意の接触角の範囲を含む。
様々な実装において、鋭い部材２６０は、パターン化された親水性コーティングと疎水性コーティングとの組み合わせを有する。疎水性コーティングは、アジド、オルガノシラン、炭化水素、又はフルオロカーボン、又は共有結合又は非共有結合した有機分子のような、様々なクラスを含むことができる。様々な実装において、鋭い部材２６０上のコーティングは、細胞に挿入されるべき特定の化学物質の結合を促進するのを助けることを意図する。
様々な実装において、鋭い部材２６０は、約５０ｎｍ～約１ｍｍの長さを有する。様々な実装において、鋭い部材２６０は、約１μｍ～約１ｍｍ、約１μｍ～約５００μｍ、約１μｍ～約２５０μｍ、約１μｍ～約１００μｍ、約１μｍ～約７５μｍ、約１μｍ～約５０μｍ、約２μｍ～約５０μｍ、約２μｍ～約７５μｍ、約２μｍ～約１００μｍ、約２μｍ～約１００μｍ、約２μｍ～約２５０μｍ、約２μｍ～約５００μｍ、又は約２μｍ～約１ｍｍの間の長さを有し、それらの間の任意の長さの範囲を含む。
様々な実装において、構造２００は、約５個の鋭い部材までの、約１０個の鋭い部材までの、約５０個の鋭い部材までの、約１００個の鋭い部材までの、約５００個の鋭い部材までの、約１，０００個の鋭い部材までの、約５，０００個の鋭い部材までの、約１０，０００個の鋭い部材までの、約５０，０００個の鋭い部材までの、約１００，０００個の鋭い部材までの、約５００，０００個の鋭い部材までの、約１、０００，０００個の鋭い部材までの、約５，０００，０００個の鋭い部材までの、約１０，１００，０００個の鋭い部材までの、約５０，０００，０００，０００個の鋭い部材までの、約１００，０００，０００個の鋭い部材までの又は約５００，０００，０００個の鋭い部材までの、複数の鋭い部材を含むことができ、上記の任意の２つの数の間の任意の範囲の鋭い部材を含む。様々な実装において、ベースプレート２３０は、約５個までの、約１０個の鋭い部材までの、約５０個の鋭い部材までの、約１００個の鋭い部材までの、約５００個の鋭い部材までの、約１，０００個の鋭い部材までの、約５，０００個の鋭い部材までの、約１０，０００個の鋭い部材までの、約５０，０００個の鋭い部材までの、約１００，０００個の鋭い部材までの、約５００，０００個の鋭い部材までの、約１，０００，０００個の鋭い部材までの、約５，０００，０００個の鋭い部材までの、約１０，０００，０００個の鋭い部材までの、約５０，０００，０００個の鋭い部材までの、約１００，０００，０００個の鋭い部材までの、約５００，０００，０００個の鋭い部材までの、複数の鋭い部材を収容することができ、上記の任意の２つの数の間の任意の範囲の鋭い部材を含む。
様々な実装において、構造２００は、複数のベースプレート２３０を含む。
様々な実装において、構造２００は、ベースプレート２３０（電極）に平行に配置される対電極２８０を更に含む。様々な実装において、対電極２８０は、鋭い部材２６０の近くでベースプレート２３０の上方に懸架される。様々な実装において、対電極２８０は、ピット２１２内のベースプレート２３０の下方に配置される。様々な実装において、構造２００は、鋭い部材２６０の近くでのベースプレート２３０の上方に２つの別々に又は共通にアドレス指定可能な対電極を含む。様々な実装において、構造２００は、ピット２１２内のベースプレート２３０の下方に２つの別々に又は共通にアドレス指定可能な対電極を含む。様々な実装において、構造２００は、鋭い部材２６０の近くでベースプレート２３０の上方にある対電極と、ピット２１２内のベースプレート２３０の下方にある対電極とを含む。様々な実装において、対電極は、異なる厚さ、形態(morphology)、幾何学的形状、材料、抵抗、インピーダンス、光透過性、又はそれらの任意の組み合わせであることができる。様々な実装において、対電極の幾何学的形状は、変化させられることができ、分岐されることができ、三枝に分けられることができ、或いは概ねセグメント化されることができ、個々のセグメントは個別にアドレス指定される。様々な実装において、ベースプレートのセグメント化アドレス指定可能性は、鋭い部材のピッチにおける横方向補正及び／又は平面外角度傾斜補正（ナノ加工欠陥が使用中に能動的補正を必要とする場合）を可能にする。これは、図６Ｂの下方に示すように、ニードルプラットホームと対電極との間に面外（ｚ軸）の差動力を作り出すために、各対電極セグメントに対する電圧を変化させることによって実施される。様々な実装において、ベースプレート２３０（電極）及び対電極は、約１μｍ～約１ｍｍ、約１μｍ～約５００μｍ、約１μｍ～約２５０μｍ、約１μｍ～約１００μｍ、約１μｍ～約７５μｍ、約１μｍ～約５０μｍ、約２μｍ～約５０μｍ、約２μｍ～約７５μｍ、約２μｍ～約１００μｍ、約２μｍ～約２５０μｍ、約２μｍ～約５００μｍ、又は約２μｍ～約１ｍｍの間の分離距離を有し、それらの間の任意の分離距離の範囲を含む。
様々な実装において、対電極２８０は、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、対電極２８０は、約０．０１μｍ～約１ｍｍ、約０．０１μｍ～約５００μｍ、約０．０１μｍ～約１００μｍ、約０．０１μｍ～約７５μｍ、約０．０１μｍ～約５０μｍ、約０．０１μｍ～約２５μｍ、約０．０１μｍ～約１０μｍ、約０．１μｍ～約１０μｍ、約０．１μｍ～約２５μｍ、約０．１μｍ～約５０μｍ、約０．１μｍ～約７５μｍ、約０．１μｍ～約１００μｍ、約０．１μｍ～約２５０μｍ、約０．１μｍ～約５００μｍ、約０．１μｍ～約５００μｍ、又は約０．１μｍ～約１ｍｍの間の厚さを有し、それらの間の任意の厚さの範囲を含む。
様々な実装において、対電極２８０は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は水素化アモルファスシリコンのうちの１つを含む。様々な実装において、対電極２８０は、金属、金属合金、セラミック、複合材料、又はポリマを含むことができる。様々な実装において、対電極は、ドープされたシリコン、シリコンの任意の同素体、任意の無機ガラス状材料又は混合物、任意の無機多結晶性材料又は混合物、任意の無機単結晶性材料又は混合物、金属酸化物、半金属酸化物、金属又は半金属窒化物、窒素又は他の非半金属又は金属元素を有する金属又は半金属酸化物を含む任意のセラミック材料、上記材料の任意のドープされた組み合わせ、上記材料の任意の層状積層体又は構造的組み合わせを含むことができる。様々な実装において、対電極２８０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、金属膜、ドープ半導体膜、無機半導体、複合材料、有機伝導膜、様々なタイプのグラフェン、グラフェン酸化物、不整合グラフェン、及びそれらの任意の組み合わせを含む任意の炭素同素体を含むことができる。
様々な実装において、対電極２８０は、単一の材料層である。様々な実装において、対電極２８０は、複数の層を有する複合材料である。様々な実装において、対電極２８０は、複合材料中に空の空隙層、又は１つ以上の空隙を含むことができる。
様々な実装において、対電極２８０は、約１０１０原子／ｃｍ３から約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、対電極２８０は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３、１０１１原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３、又は約１０１１原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、対電極２８０は、ホウ素、リン、ヒ素、インジウム、ガリウム、アンチモン、ビスマス、リチウム、ゲルマニウム、窒素、及び金のリストからのドーパントでドープされることができる。
様々な実装において、対電極２８０は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。様々な実装において、対電極２８０は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍの間、約１０－３Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍの間、又は約１０－３Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。
様々な実装によれば、電源（図示せず）をベースプレート２３０又は基板プラットホーム２１０（電極）及び対電極２８０に電気的に接続して、約０．１μＶ～１０ｋＶの間の電位差（ＶＯ）、例えば、直流電圧（ＤＣ）を提供することができる。様々な実装において、電極及び対電極は、約１Ｖ～１００Ｖの間の電位差（ＶＯ）を受けるように構成される。様々な実装において、電極及び対電極は、約１０Ｖ～５０Ｖの間の電位差（ＶＯ）を受けるように構成される。様々な実装において、電極（ベースプレート２３０及び／又は基板プラットホーム２１０）及び複数の対電極は、重畳されることができ、電極／対電極の各々の間で変化させられることができる、電圧信号を受信するように構成される。
様々な実装によれば、電源（図示せず）をベースプレート（電極）及び対電極に電気的に接続して、ベースプレート（電極）及び対電極を横切る交流（ＡＣ）を提供して、感知、インピーダンス感知、作動のために或いは測定を行うために振動電場を生成することができる。
様々な実装において、ベースプレート（電極）及び対電極を横切るＡＣは、約５０ｍＶ～約３００Ｖの間の電圧で供給される。様々な実装において、ベースプレート（電極）及び対電極を横切るＡＣは、約５０ｍＶ～約５０Ｖ、約２５０ｍＶ～約５Ｖ、約５００ｍＶ～約５０Ｖ、約７５０ｍＶ～約５０Ｖ、約１Ｖ～約５０Ｖ、約５Ｖ～約５０Ｖ、約１０Ｖ～約５０Ｖ、約２５０ｍＶ～約４０Ｖ、約２５０ｍＶ～約３０Ｖ、約２５０ｍＶ～約２０、約２５０ｍＶ～約１０Ｖ、約２５０ｍＶ～約８Ｖ、約２５０ｍＶ～約６Ｖ、約２５０ｍＶ～約５Ｖ、約３００ｍＶ～約５Ｖ、約１Ｖ～約５Ｖ、約０Ｖ～約３０Ｖ、又は約０Ｖ～約３００Ｖの間の電圧で供給され、それらの間の任意の電圧の範囲を含む。なお、ベースプレートがその静止位置にあるとき、電圧は０Ｖであってよいことに留意のこと。
様々な実装において、ベースプレート（電極）及び対電極を横切るＡＣは、約１Ｈｚ～約１ＴＨｚの間の振動周波数で供給される。様々な実装において、ベースプレート（電極）及び対電極を横切るＡＣは、約１０Ｈｚ～約１００ＧＨｚ、約１００Ｈｚ～約１０ＧＨｚ、約１ｋＨｚ～約１ＧＨｚ、約１０ｋＨｚ～約１ＧＨｚ、約１００ｋＨｚ～約１ＧＨｚ、約５００ｋＨｚ～約１ＧＨｚ、約１ＭＨｚ～約１ＧＨｚ、約１０ＭＨｚ～約１ＧＨｚ、約１００ＭＨｚ～約１ＧＨｚ、約１０ｋＨｚ～約５００ＭＨｚ、約１０ｋＨｚ～約１００ＭＨｚ、約１０ｋＨｚ～約５０ＭＨｚ、約１０ｋＨｚ～約３０ＭＨｚ、約１０ｋＨｚ～約２０ＭＨｚ、約１０ｋＨｚ～約１０ＭＨｚ、約１００ｋＨｚ～約１０ＭＨｚ、約５００ｋＨｚ～約１０ＭＨｚ、又は約１ＭＨｚ～約１０ＭＨｚの間の振動周波数で供給され、それらの間の任意の周波数の範囲を含む。
図２Ｂは、様々な実装に従った図２Ａの例示的なＭＥＭＳ構造２００のアレイ２０５の概略図を示している。図２Ｂに示すように、アレイ２０５は、複数の構造２００を含むシステムの一部である。システムの様々な実装において、複数の構造２００は、約１～約１０８の構造に及ぶ。様々な実装によれば、システム内の構造２００の各々は、それぞれの鋭い部材（又は複数の鋭い部材）を含む。システムの様々な実装において、複数の構造２００は、約０．１μｍ～１０ｃｍ、約０．１μｍ～１ｃｍ、約０．１μｍ～１ｍｍ、約０．１μｍ～５００μｍ、約０．１μｍ～１００μｍ、約０．１μｍ～７５μｍ、約０．１μｍ～５０μｍ、約０．１μｍ～２５μｍ、約０．１μｍ～１０μｍ、約１０μｍ～１ｍｍ、又は約２０μｍ～１ｍｍの間によって互いから分離され、それらの間の任意の距離範囲を含む。
図３Ａは、様々な実装に従った蛇状アームを有する別の例示的なＭＥＭＳ構造３００ａの概略的な頂面図を示している。図３Ａに示すように、構造３００ａは、基板プラットホーム３１０ａと、円形ベースプレート３３０ａとを含み、円形ベースプレート３３０ａは、円形ベースプレート３３０ａの周囲に湾曲させられた複数の蛇状アーム３５０ａを有する。図３Ａに示すように、円形ベースプレート３３０ａは、ベースプレート３３０ａが静止位置にあるように、複数の湾曲する蛇状アーム３５０ａを介して基板プラットホーム３１０ａに取り付けられる。図２Ａの構造２００とは異なり、構造３００ａは、円形であり、円形ベースプレート３３０ａに基づいており、湾曲する蛇状アーム３５０ａ及び基板プラットホーム３１０ａは、よりコンパクトな設計を達成するために、円形ベースプレート３３０ａを収容するように設計される。図３Ａに示すように、鋭い部材３６０ａは、円形ベースプレート３３０ａの平面に対して実質的に垂直に配置される。構造２００と同様に、最初に、ベースプレート３３０ａ及び基板プラットホーム３１０ａは共平面にある。様々な実装において、円形ベースプレート３３０ａは、電極であり、静電作動に基づいて静止位置から円形ベースプレート３３０ａ及び基板プラットホーム３１０ａの平面に垂直な方向に上又は下に移動するように構成される。（例えば、図２Ａに示すような２つの蛇状アームではなく）複数の蛇状アーム３５０ａを利用することによって、ベースプレート又はニードルプラットホーム３３０ａ、よって、鋭い部材又は針３６０ａの回転移動及び平面外移動が最小限に抑えられる。
図３Ｂは、様々な実装に従った蛇状アームを有する更に別の例示的なＭＥＭＳ構造３００ｂの概略的な頂面図を示している。図３Ｂに示すように、構造３００ｂは、基板プラットホーム３１０ｂと、円形ベースプレート３３０ｂとを含み、円形ベースプレート３３０ｂは、円形ベースプレート３３０ｂの周囲に湾曲させられた複数の蛇状アーム３５０ｂを有する。図３Ａに示すように、円形ベースプレート３３０ｂは、ベースプレート３３０ｂが静止位置にあるように、複数の湾曲する蛇状アーム３５０ｂを介して基板プラットホーム３１０ｂに取り付けられる。図２Ａの構造２００とは異なり、そして、図３Ａの構造３００ａと同様に、構造３００ｂは、円形であり、円形ベースプレート３３０ｂに基づいており、湾曲する蛇状アーム３５０ｂ及び基板プラットホーム３１０ｂは、よりコンパクトな設計を達成するために、円形ベースプレート３３０ｂを収容するように設計される。図３Ａの構造３００ａとは異なり、構造３００ａは、僅かにより大きい円形ベースプレート３３０ｂを含み、従って、湾曲する蛇状アーム３５０ｂは、蛇状アーム３５０ｂ内で、より広い幅及びより近接した蛇状構造を有する。例えば、基板プラットホーム３１０ａ及び基板プラットホーム３１０ｂが、実質的に同じ（又は正確に同じ）寸法を有すると仮定すると、円形ベースプレート３３０ｂはより大きいので、円形ベースプレート３３０ｂは、図３Ａの構造３００ａと比較して、基板プラットホーム３１０ｂにより一層近い。その結果、この特定の例について、構造３００ｂの分離距離は、構造３００ａのための分離距離よりも小さい。
図３Ｂに示すように、鋭い部材３６０ｂは、円形ベースプレート３３０ｂの平面に対して実質的に垂直に配置される。構造２００及び構造３００ａと同様に、最初に、円形ベースプレート３３０ｂ及び基板プラットホーム３１０ｂは、共平面にある。様々な実装において、円形ベースプレート３３０ｂは、電極であり、静電作動に基づいて静止位置から円形ベースプレート３３０ｂ及び基板プラットホーム３１０ｂの平面に対して垂直な方向に上又は下に移動するように構成される。
図３Ａの構造３００ａ及び図３Ｂの構造３００ｂに関して記載した材料、物理的、化学的及び機械的特性を含む、全ての他のパラメータは、図２Ａに関して記載した構造２００に含まれるパラメータと類似しているか或いは実質的に類似しており、従って、これ以上詳細には提供されない。
図３Ｃは、偏向されている蛇状カンチレバー構造のシミュレーション結果を示すグラフ図３００ｃである。図３００ｃは、構造３００ｂ及び（図３Ｂには示されていない）対電極を横切る１３Ｖの印加電圧での偏向の有限要素シミュレーション結果を示している。シミュレーション結果は、０．７５μｍの厚さを有する単結晶シリコンで作られた循環ベースプレート３３０ｂから約２０μｍの距離に配置された対電極に基づいている。シミュレーションに示すように、円形ベースプレート３３０ｂの偏向は、約５．６μｍである。
図３Ｄは、様々な実装に従った図３Ａの例示的なＭＥＭＳ構造３００ａのアレイ３０５ｄの概略図を示している。図３Ｄに示すように、アレイ３０５ｄは、六角形タイルに配列された複数の構造３００ａを含むシステムの一部である。システムの様々な実装において、複数の構造３００ａは、約１～約１０８の構造に及ぶ。様々な実装によれば、システム内の構造３００ａの各々は、それぞれの鋭い部材３６０ａを含む。システムの様々な実装において、複数の構造３００ａは、例えば、２つの隣接する構造３００ａの間の中心間距離が、約０．１μｍと１０ｃｍ、約０．１μｍと１ｃｍ、約０．１μｍと１ｍｍ、約０．１μｍと１ｍｍ、約０．１μｍと５００μｍ、約０．１μｍと１００μｍ、約０．１μｍと７５μｍ、約０．１μｍと５０μｍ、約０．１μｍと２５μｍ、約０．１μｍと１０μｍ、約１０μｍと１ｍｍ、又は約２０μｍと１ｍｍだけ、互いに分離され、それらの間の任意の分離距離の範囲を含む。
同様に、図３Ｅは、様々な実装に従った図３Ｂの例示的なＭＥＭＳ構造３００ｂのアレイ３０５ｅの概略図を示している。図３Ｅに示すように、アレイ３０５ｅは、六角形タイルに配列された複数の構造３００ｂを含むシステムの一部である。システムの様々な実装において、複数の構造３００ｂは、約１～約１０８の構造に及ぶ。様々な実装によれば、システム内の構造３００ｂの各々は、それぞれの鋭い部材（図示せず）を含む。システムの様々な実装において、複数の構造３００ｂは、例えば、２つの隣接する構造３００ｂ間の中心間距離が、約０．１μｍと１０ｃｍ、約０．１μｍと１ｃｍ、約０．１μｍと１ｍｍ、約０．１μｍと１ｍｍ、約０．１μｍと５００μｍ、約０．１μｍと１００μｍ、約０．１μｍと７５μｍ、約０．１μｍと５０μｍ、約０．１μｍと２５μｍ、約０．１μｍと１０μｍ、約１０μｍと１ｍｍ、又は約２０μｍと１ｍｍだけ、互いに分離され、それらの間の任意の分離距離の範囲を含む。所与のＭＥＭＳ構造３００ｂのニードルプラットホーム内では、複数のニードル３６０を備えるか或いは１つのニードル３６０を備えるかに拘わらず、全てのニードル３６０は、それらが同じプラットホーム３３０によって動かされるならば、互いにアドレス指定されることがある。しかしながら、アレイ３０５ｅの各デバイス３００ｂは、アレイ３０５ｅの他のデバイス３００ｂ内のニードルプラットホーム３３０の移動と同期して、そのような移動との発射パターンにおいて、或いはそのような移動とは独立して、そのニードルプラットホーム３３０を移動させることができる。換言すれば、アレイ３０５ｅの複数のデバイス３００ｂは、異なる信号とは独立して多重化されることがある。
図４は、例示的な実装に従った蛇状アームを有する例示的なＭＥＭＳデバイスを操作する方法４００のためのフローチャートである。図４に示すように、方法４００は、ステップ４１０で、電源を提供することを含む。様々な実装において、電源は、一般に、ＤＣ源、ＡＣ源又は混合信号の組み合わせから或いは電極／アクチュエータへの電気／信号通信手段として印加信号を提供するように構成される。様々な実装において、電源は、出力信号の感知と同様に、混合信号（ＤＣ及びＡＣ信号成分）を印加するように構成される。様々な実装では、高周波信号が、電極／アクチュエータのインピーダンスに適切に整合するように入力される。様々な実装において、高周波信号は、電極／アクチュエータを作動させるＤＣ成分上に重畳される。高周波信号は、電極／アクチュエータの偏向動力学(deflection kinetics)と時間的に完全に不整合であるが、アクチュエータが偏向されると、示差原子格子間隔(differential atomic lattice spacing)の故に、材料の抵抗及び対応するインピーダンスは変更される。様々な実装において、キャリア移動度は、材料の偏向によって変更されるので、インピーダンス変化が、インサイチュに(その場で)測定され、偏向値と相関させられる。様々な実装において、この値は、命令セットを介して印加ＤＣ電圧信号成分の関数として記録されることができる。様々な実装において、読出し(readout)は、アクチュエータのリアルタイム変位を決定するために使用される。
方法４００は、ステップ４２０で、基板プラットホームと、複数の蛇状アームを有する電極と、電極上に実質的に垂直に配置された鋭い部材と、電極に対して実質的に平行に配置された対電極とを有し、電極は複数の蛇状アームを介して基板プラットホームに取り付けられる、デバイスを提供することを含む。様々な実装において、電極及び基板プラットホームは、共平面にある。様々な実装において、電極は、静止位置において平面上に設けられ、静止位置から離れて平面に対して垂直な方向に移動するように構成される。
この方法は、ステップ４３０で、電源を介して、デバイスの電極及び対電極を横切る直流（ＤＣ）を供給し、それによって、電極及びデバイスの対電極を横切る静電場を生成する。
様々な実装において、方法４００は、ステップ４４０で、電源を介して、電極及び対電極を横切って約０．１μＶ～１０ｋＶの間の電位差（ＶＯ）を供給することを任意に含む。様々な実装において、方法４００は、ステップ４５０で、電源を介して、複数のデバイスの各々のそれぞれの電極及びそれぞれの対電極を横切って直流（ＤＣ）を供給し、それによって、複数のデバイスの各々のそれぞれの電極及び各々のそれぞれの対電極を横切って複数の静電場を生成することを任意に含む。幾つかの実装において、ベースプレート電極（従って、ベースプレートに取り付けられた鋭利にされた部材）の偏向は、電源の正及び負のリード間で測定されるインピーダンスのレベルの変化に基づいて、任意に推定されてよい。そのような推定は、デバイスの作動に必要とされないことがあるが、ベースプレートの偏向に関する知識は、例えば、注入されるセルのサイズに基づいて、又は鋭い部材又はニードルの不整列又は閉塞を検出するために、有利なことがある。
様々な実装において、電極は、電極から外方に延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、２つの蛇状アームを含む。様々な実装において、電極は、電極から外方に延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、３つの蛇状アームを含む。様々な実装において、電極は、電極から外方に延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、４つの蛇状アームを含む。
様々な実装において、蛇状アームは、電極と基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約２倍の線形長を有する。様々な実装において、蛇状アームは、電極と基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約３倍の線形長を有する。様々な実装において、蛇状アームは、電極と基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約４倍の線形長を有する。様々な実装において、蛇状アームは、電極と基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約５倍、少なくとも約８倍、少なくとも約１０倍、又は少なくとも約１５倍の線形長を有する。様々な実装において、蛇状アームは、電極と基板プラットホームとの間の分離距離の約１０００倍までの線形長を有する。
様々な実装において、電極と基板プラットホームは、同心状である。様々な実装において、電極は、円形ディスク、楕円形、正方形、長方形、五角形、又は六角形からなる形状を有する。様々な実装において、電極は、約１００ｎｍ～約１０ｃｍの間の横方向寸法を有する。様々な実装において、電極は、約５μｍ～約５００μｍの横方向寸法を有する。
様々な実装において、電極は、約０．１ｎｍ～約１０ｍｍの間の距離に亘って静止位置から移動する。様々な実装において、電極は、約１ｎｍ～約１ｍｍの間の距離に亘って静止位置から移動する。
様々な実装において、電極は、第１の厚さを有し、基板プラットホームは、第２の厚さを有する。様々な実装において、第１の厚さは、第２の厚さと異なる。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも１つは、約０．００１μｍ～約１０ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも１つは、約０．１μｍ～約１０μｍの間の厚さを有する。
様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも１つは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は水素化アモルファスシリコンのうちの１つを含む。
様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも１つは、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも１つは、約１０１１原子／ｃｍ３～約１０２０原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも１つは、ホウ素、リン、ヒ素、インジウム、ガリウム、アンチモン、ビスマス、リチウム、ゲルマニウム、窒素、及び金のリストからのドーパントでドープされることができる。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも１つは、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。様々な実装において、電極又は基板プラットホームの少なくとも１つは、約１０－３Ω－ｃｍ～約１０３Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。様々な実装において、電極及び基板プラットホームに亘る電気インピーダンスは、約１０２Ω～約１０１２Ωの間である。様々な実装において、電極及び基板プラットホームに亘る電気インピーダンスは、約１０３Ω～約１０８Ωの間である。
様々な実装において、鋭い部材は、約５０ｎｍ～約１ｍｍの間の長さを有する。様々な実装において、鋭い部材は、約２μｍ～約５０μｍの間の長さを有する。
様々な実装において、鋭い部材は、第１の鋭い部材であり、デバイスは、第２の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、デバイスは、約１０個までの複数の鋭い部材を更に含む。様々な実装において、デバイスは、約１００個までの複数の鋭い部材を更に複数個含む。様々な実装において、デバイスは、約５００，０００，０００個までの複数の鋭い部材を更に含む。
様々な実装において、電極は、第１の電極であり、デバイスは、更に第２の電極を含む。様々な実装において、デバイスは、複数の電極を更に含む。
様々な実装において、対電極は、約０．０１μｍ～約１ｍｍの間の厚さを有する。様々な実装において、対電極は、約０．１μｍ～約１０μｍの間の厚さを有する。
様々な実装において、対電極は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は水素化アモルファスシリコンのうちの１つを含む。
様々な実装において、対電極は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する。様々な実装において、対電極は、約１０－４Ω－ｃｍから約１０４Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する。
様々な実装において、方法は、電源を介して、電極及び対電極に亘って約０．１μＶ～１０ｋＶの間の電位差（ＶＯ）を供給することを更に含む。
様々な実装において、方法は、電源を介して、電極及び対電極に亘って約１Ｖ～１００Ｖの間の電位差（ＶＯ）を供給することを更に含む。様々な実装において、方法は、電源を介して、電極及び対電極に亘って約１０Ｖ～５０Ｖの間の電位差（ＶＯ）を供給することを更に含む。
様々な実装において、デバイスは、第１のデバイスであり、方法は、複数のデバイスを更に含み、電源を介して、複数のデバイスの各々のそれぞれの電極及びそれぞれの対電極に亘って直流（ＤＣ）を供給して、複数のデバイスの各々のそれぞれの電極及び各々のそれぞれの対電極に亘る複数の静電場を生成することを更に含む。
様々な実装において、複数のデバイスは、約１～約１０８のデバイスに及び、各デバイスは、それぞれの鋭い部材を有する。様々な実装において、複数のデバイスは、約０．１μｍ～１０ｃｍの間によって互いから分離される。
図５は、様々な実装に従った例示的なＭＥＭＳ構造又はＭＥＭＳデバイス５００の斜視図である。基板プラットホーム５１０、ピット又はキャビティ５１２、ベースプレート又はニードルプラットホーム５３０、複数の蛇状アーム５５０、ベースプレート又はニードルプラットホーム５３０上に配置された鋭い部材５６０、底基板５７０、頂基板５７５、底電極又は対電極５８０、及びベースプレート又はニードルプラットホーム５３０内に配置された複数の穴５９０が見える。これらの穴５９０は、化学物質（例えば、フッ化水素酸のようなエッチング液）が製造中に下に位置する材料の層にアクセスすることを可能にすることができるので、例えば、底板又はニードルプラットホーム５３０が製造された後に、ピット５１２が、ベースプレート又はニードルプラットホーム５３０の下で、底基板５７０に形成されることができる。実装に依存して、穴５９０は、全て同じサイズであってよく、或いは異なるサイズであり、様々なパターンで規則的に離間させられてよく、或いは無作為(ランダム)に離間させられてよい。幾つかの実装において、穴５９０は、第１の製造ステップで生成されてよく、第２の製造ステップで充填されるか(filled)或いは被覆されて(covered)よく、第３の製造ステップで空にされるか(unfilled)或いは露わにされて(uncovered)よい。
幾つかの実装において、鋭い部材５６０は、製造プロセス中にプラットホームに追加される。鋭利な部材のための例示的な製造ステップは、例えば、以下のステップ、すなわち、１）ＳｉＯ２上のＳｉからプラットホームをエッチングすること、２）酸化物を堆積させて、プラットホームをカプセル化すること、３）平坦化すること(planarize)、４）厚いポリＳｉ（ニードル材料）を堆積させること、５）ポリＳｉをエッチングして、酸化物カプセル化プラットホームに至るまで、鋭い部材５６０及び鋭い部材５６０の周りのトレンチを形成すること、６）ＨＦエッチングして、犠牲酸化物を除去することを含んでよい。図示のように、構造を形成するために、他のプロセスが代替的に又は追加的に使用されてよい。
図６Ａは、様々な実装に従った例示的ＭＥＭＳ構造又はＭＥＭＳデバイス６００Ａの少なくとも一部の斜視図である。基板プラットホーム５１０、複数の蛇状アーム５５０、及びベースプレート又はニードルプラットホーム５３０が見える。図６Ａに示す例において、ベースプレート又はニードルプラットホーム５３０は、複数の鋭い部材又はニードル５６０を含む。単一の鋭い部材５６０とは対照的に、複数の鋭い部材は、より多数の細胞が単一のデバイスによって治療されることを可能にすることによって、ＭＥＭＳ構造６００Ａのためのより高いスループットに寄与することがある。実装に依存して、鋭い部材又はニードル５６０は、実質的に同じ長さであってよく、パターンに従って長さが変化してよく、或いは無作為に分配された長さであってよい。
底電極（又は対電極）５８０及び頂電極（又は対電極又は膜）６８０も見える。ニードルプラットホーム５３０の上下両方に電極を含めることは、ニードルプラットホーム５３０と２つの電極５８０及び６８０との間の電位を変化させることによって、ニードルプラットホーム５３０が両方のＺ方向（上下）に引っ張られることを可能にする。この構成は、（例えば、上述のようなインピーダンスの測定による）追加の力感知フィードバック制御、及びニードルプラットホームの移動に対するより厳格な制御も可能にする。
幾つかの実装において、頂電極６８０は、ベースプレート又はニードルプラットホーム５３０が上方に偏向される場合に、鋭い部材５６０が穴又は孔開口６９０を通過することができるように、鋭い部材５６０に整列させられた複数の穴又は孔開口６９０を含む。そのような実施形態は、単一のニードルプラットホーム５３０上の複数のニードル又は鋭い部材５６０が、頂電極６８０の上方のマイクロ流体領域６０２(microfluidic region)に入ることを可能にする。複数のニードル５６０を備えるならば、複数のニードル５６０と整列させられた対電極又は頂電極及び膜６８０内の複数の関連する孔開口６９０を有することが有利であり得る。単一の鋭い部材又はニードル５６０を備えるならば、単一の孔開口６９０は、鋭い部材又はニードル５６０がマイクロ流体領域６０２にアクセスさせるのに十分なことがある。孔開口６９０は、ニードル５６０の整列を助けるために或いはニードル５６０の不整列を検出するために使用されてもよい。例えば、ベースプラットホーム５３０が特定の高さを超えて上方に偏向しないならば、これはニードル５６０及び孔６９０が互いに閉塞されているか或いは不整列であることを示すことがある。
図６Ｂは、様々な実装に従った例示的なＭＥＭＳ構造又はＭＥＭＳデバイス６００Ｂの断面斜視図である。頂基板５７５の厚さを完全に通じて並びに底基板５７０の厚さを部分的に通じて突出するピット５１２を画定する、底基板５７０及び頂基板５７５が見える。底基板５７０と頂基板５７５との間に挟まれているのは基板プラットホーム５１０であり、ベースプレート又はニードルプラットホーム５３０を支持する複数の蛇状アーム５５０が基板プラットホーム５１０から突出する。この例において、ベースプレート又はニードルプラットホーム５３０は、構造分離器及び電気絶縁体／絶縁体の両方として機能することがある３つに分枝されたセパレータ６１０によって、３つの電気的に絶縁されたセクション５３０Ａ、５３０Ｂ、及び５３０Ｃに分割される。各セクション５３０Ａ、５３０Ｂ、及び５３０Ｃは、（例えば、そのセクションを接続する対応する蛇状アーム５５０を通じて）別々に電気的にアドレス指定されてよい。ベースプレート又はニードルプラットホーム５３０は、複数の鋭い部材５６０を含む。
セパレータ６１０によって分離された、３つの電気的に絶縁された独立してアドレス指定可能な部分５８０Ａ、５８０Ｂ、及び５８０Ｃに同様に分割された、底対電極５８０も見える。鋭い部材５６０と整列させられた複数の穴６９０を含む頂対電極６８０も見える。頂対電極６８０は、３つに分枝されたセパレータ６１０によって分離された、３つの独立してアドレス指定可能なセクション６８０Ａ、６８０Ｂ、及び６８０Ｃに同様に分割される。ベースプレート５３０、底対電極５８０、及び頂対電極６８０の各セクションは、独立してアドレス指定されることができるので、ベースプレート５３０と対電極５８０及び６８０との間に横方向及び垂直方向の力を生成することができる。この構成は、横方向位置補正並びに面外角度傾斜補正を可能にする。これは、例えば、各対電極セグメント上の電圧を変化させて、ベースプレート又はニードルプラットホーム５３０と対電極５８０及び６８０との間に面外（ｚ軸）の差動力を作り出すことによって、実施される。そのような差動電圧は、頂対電極及び底対電極の両方の間に、同時に又は独立して印加されることができる。幾つかの実装において、セグメント５３０Ａ、５３０Ｂ、５３０Ｃ、５８０Ａ、５８０Ｂ、５８０Ｃ、６８０Ａ、６８０Ｂ及び６８０Ｃは、それぞれ、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のような典型的な絶縁材料、酸化ハフニウム、ＳＩＣＯＨ、ＳｉＮｘ、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、チタン酸鉛ジルコニウム、チタン酸バリウム、セラミック、ガラス、プラスチックのような誘電体材料、又は様々な金属もしくは半金属酸化物中に結合及びカプセル化されることがある。同様に、窒化物、炭化物、又はカルコゲナイドが、酸素の代わりに、又は上記の半金属又は金属ベースの絶縁材料、例えば、窒化タンタル、セレン化タンタル、窒化アルミニウム、炭化ジルコニウム、又は酸窒化アルミニウムと組み合わせにおいて、使用されてよい。
各セグメントは、関連する導電性アーム６８５によってアドレス指定されてよいが、任意の所定の導電性トレース６８５が、例えば、面外補正に対処するために、単一セグメント又は他の複数セグメントのいずれかをアドレス指定してよい。セグメントは、全て同じ材料であることができ、或いは、代替的に、少なくとも２つのセグメントは、異なる材料から作られることができる。例えば、各対電極セグメント６８０Ａ、６８０Ｂ、６８０Ｃ、５８０Ａ、５８０Ｂ、５８０Ｃは、例えば、関連する導電性トレース６８５及び対応する電源に亘る電圧信号によって、独立してアドレス指定されてよい。別の例において、各プラットホームセグメント５３０Ａ、５３０Ｂ、５３０Ｃは、空間的に関連付けられた並びに導電性又は部分的に導電性の蛇状アームを介して供給される対応する電力供給信号で独立してアドレス指定されてよい。このデバイス内マルチプレックス構成(intradevice multiplexed configuration)は、正確な移動制御、変位フィードバック、ならびに傾斜及び平面プラットホーム補正を可能にする。これらのコンポーネントは、ベースプラットホームについて上記で列挙したものと類似の材料で構成されてよい。これらの材料は、例えば、図６Ｂの実装を提供するために、上記で列挙した絶縁材料と機能的に結合（層状化(layered)又は横方向にセグメント化(laterally segmented)）されてよい。
ＭＥＭＳデバイス６００Ｂは、層当たり３つのセグメントと、セグメント当たり１つの導電性トレース６８５とを有するものとして、図６Ｂに示されているが、実装に依存して、他のセグメントの数、導電性トレースの数、導電性トレース当たりのセグメントの数、及びセグメント当たりの導電性トレースの数が、代替的に又は追加的に利用されてよい。幾つかの場合、所与のプラットホーム５３０又は対電極５８０もしくは６８０の各セグメントは、複数の電極及び／又は対電極がＭＥＭＳ装置６００Ｂを制御するために使用されてよいように、別個の電極又は対電極と考えられてよい。
幾つかの実装において、ニードルプラットホーム５３０は、可変電圧を有することができる一方で、対電極５８０及び６８０の電圧は、一定のままである。そのような構成の１つの利点は、頂対電極又は膜６８０の上方に並びにそれらに近接して存在することがある他の電子コンポーネント（例えば、図示しない誘電泳動又はＤＥＰ電極）との干渉を制限することである。幾つかのＭＥＭＳデバイスにおいて、頂対電極又は膜６８０は、ＤＥＰ電極又は他の電子コンポーネントに非常に近接することができるのに対し、ニードルプラットホーム５３０は、比較的より離れていることがあり、より少ないアーク放電又は信号干渉のリスクを作り出すことがある。
幾つかの実装において、各ニードル又は一群のニードル５６０は、異なる電圧を有するか、或いは、幾つかのニードル又は一群のニードル５６０は、マルチニードルプラットホームシステムにおいて異なって印加された電圧又は信号を有する。可変信号は、局所的に関連する蛇状アーム５５０によって供給されることができる。
図７は、様々な実装に従った例示的なＭＥＭＳ構造又はＭＥＭＳデバイス７００の頂面斜視図である。基板７７０と、基板プラットホーム７１０と、複数の穴７９０を含み、少なくとも１つのニードル（図示せず）を支持する、ベースプレート又はニードルプラットホーム７３０と、ベースプレート７３０を基板プラットホーム７１０に接続し、ベースプレート７３０を基板プラットホーム７１０から懸架する働きをする、２つの異なるタイプの蛇状アーム７５０Ａ及び７５０Ｂとが見える。図７に示す例において、２つの蛇状アーム７５０Ａは、２つの蛇状アーム７５０Ｂよりも小さな断面積及び長い経路長を有する。この構成は、ベースプレート又はニードルプラットホーム７３０の面外Ｚ軸移動のための複数の蛇状アームの全体的な剛性を増加させることなく、ベースプレート又はニードルプラットホーム７３０の回転及び面外移動を制限するために、利用されることができる。２つのタイプの蛇状アーム７５０Ａ及び７５０Ｂが示されているが、より多い又はより少ない異なるタイプが代替的に又は追加的に使用されてよい。蛇状隅は、図示のように鋭い９０度の隅であってよく、或いは、実装に依存して、他の角度又は丸みを帯びた曲がりを含んでよい。
図８は、様々な実装に従った例示的なＭＥＭＳ構造又はＭＥＭＳデバイス８００の断面斜視図である。図示のように、基板８７０と、基板プラットホーム８１０と、複数の穴８９０を含み、少なくとも１つのニードル（図示せず）を支持する、ベースプレート又はニードルプラットホーム８３０と、２つの異なるタイプの蛇状アーム８５０Ａ及び８５０Ｂとが見える。この例において、基板プラットホーム８１０、ベースプレート又はニードルプラットホーム８３０、及び蛇状アーム８５０Ａ及び８５０Ｂは、２つの異なる材料層８０１及び８０２を使用して製造されている。導電性、電気絶縁又は隔離、高周波シールド、構造補強、剛性補強、又は可撓性(フレキシビリティ)補強を含むが、これらに限定されない、ニードルプラットホーム８３０上に異なる材料の積層を有することが望ましいことがある多くの理由がある。
この明細書は、多くの具体的な実装の詳細を含むが、これらは、いずれかの発明の範囲又は特許請求されることがあるものに限定されるものではなく、むしろ特定の発明の特定の実装に特有の構成の記述として解釈されるべきである。別々の実装のコンテキストでこの明細書において記載される特定の構成は、単一の実装における組み合わせにおいて実装されることもできる。逆に、単一の実装のコンテキストにおいて記載される様々な構成は、複数の実装において別々に或いは任意の適切なサブ組み合わせにおいて実装されることもできる。その上、構成は、特定の組み合わせにおいて作用するものとして上記で記載されることがあり、最初にそのように特許請求されることさえあるが、特許請求される組み合わせからの１つ以上の構成は、場合によっては、組み合わせから切り出されることができ、特許請求される組み合わせは、サブ組み合わせのサブ組み合わせ又はバリエーションに向けられることがあり。
同様に、操作(operations)は特定の順序で図面に示されているが、これは、所望の結果を達成するために、そのような操作が図示の特定の順序で行われるべきこと又は全ての図示の操作が実行されるべきことを要求するものとして理解されるべきではない。特定の状況の下では、マルチタスク及び並列処理が有利なことがある。その上、上述の実装における様々なシステムコンポーネントの分離は、全ての実装においてそのような分離を必要とされるものとして理解されるべきでなく、記載のプログラムコンポーネント及びシステムは、一般的に、単一のソフトウェア製品内に一緒に統合され得るか或いは複数のソフトウェア製品内にパッケージ化され得ることが理解されるべきである。
「又は(or)」への言及は、「又は」を使用して記載されるあらゆる用語が、記載される用語のうちの単一、１つよりも多く、及び全てのうちのいずれかを示すことがあるように、包括的であると解釈されてよい。「第１(first)」、「第２(second)」、「第３(third)」などの印は、必ずしも順序を示すことを意図せず、単に同等又は類似の品目又は要素を区別するために概ね使用される。
この開示に記載する実装に対する様々な修正は、当業者には容易に明らかであることがあり、本明細書で定義される一般的な原理は、この開示の精神又は範囲から逸脱することなく、他の実装に適用されてよい。よって、特許請求の範囲は、本明細書に示す実装に限定されることが意図されておらず、この開示、原理及び本明細書に開示する新規な構成と一致して、最も広い範囲に与えられるべきである。
Claims (20)
- 基板プラットホームと、
複数の蛇状アームを有するベースプレートと、
前記ベースプレート上に配置される鋭い部材と、を含み、
前記ベースプレートは、前記複数の蛇状アームを介して前記基板プラットホームに取り付けられ、前記ベースプレートは、静止位置において平面上に設けられ、
前記鋭い部材は、前記平面に対して実質的に垂直に配置され、
前記ベースプレート及び前記基板プラットホームは、共平面にあり、
前記ベースプレートは、前記静止位置から離れて前記平面に対して垂直な方向に移動するように構成される、
デバイス。 - 前記ベースプレートは、前記ベースプレートから外方に延び、互いから半径方向に等しく離間して配置される、２つの蛇状アームを含む、請求項１に記載のデバイス。
- 前記蛇状アームは、前記ベースプレートと前記基板プラットホームとの間の分離距離の少なくとも約２倍の線形長を有する、請求項１に記載のデバイス。
- 前記ベースプレート及び前記基板プラットホームは、同心状である、請求項１に記載のデバイス。
- 前記ベースプレートは、円形ディスク、楕円形、正方形、長方形、五角形、又は六角形からなる形状を有する、請求項１に記載のデバイス。
- 前記ベースプレートは、約１００ｎｍ～約１０ｃｍの間の横方向寸法を有する、請求項１に記載のデバイス。
- 前記ベースプレートは、約０．１ｎｍ～約１０ｍｍの間の距離に亘って前記静止位置から移動する、請求項１に記載のデバイス。
- 前記ベースプレートは、第１の厚さを有し、前記基板プラットホームは、第２の厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
- 前記ベースプレート又は前記基板プラットホームの少なくとも一方は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、アモルファスシリコン、又は水素化アモルファスシリコンのうちの１つを含む、請求項１に記載のデバイス。
- 前記ベースプレート又は前記基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０１０原子／ｃｍ３～約１０２１原子／ｃｍ３の間のドーピング濃度を有する、請求項１に記載のデバイス。
- 前記ベースプレート又は前記基板プラットホームの少なくとも一方は、約１０－４Ω－ｃｍ～約１０４－Ω－ｃｍの間の抵抗値を有する、請求項１に記載のデバイス。
- 前記ベースプレート及び前記基板プラットホームに亘る電気インピーダンスが、約１０２Ω～約１０１２Ωの間である、請求項１に記載のデバイス。
- 前記鋭い部材は、約５０ｎｍ～約１ｍｍの間の長さを有する、請求項１に記載のデバイス。
- 約５００，０００，０００個の鋭い部材まで、前記ベースプレート上に配置される複数の鋭い部材を更に含む、請求項１に記載のデバイス。
- 前記ベースプレートは、電極であり、当該デバイスは、前記電極に対して平行に配置される対電極を更に含む、請求項１に記載のデバイス。
- 前記電極及び前記対電極は、約０．１μＶ～約１０ｋＶの間の電位差（ＶＯ）を有する、請求項１５に記載のデバイス。
- デバイスを操作する方法であって、
電源を提供することと、
前記デバイスを提供することであって、前記デバイスは、
基板プラットホームと、
複数の蛇状アームを有するベースプレートを含む電極と、
前記電極上に実質的に垂直に配置される鋭い部材と、
前記電極に対して実質的に平行に配置される対電極と、を含み、
前記電極は、前記複数の蛇状アームを介して前記基板プラットホームに取り付けられる、
提供することと、
前記電源を介して、前記デバイスの前記電極及び前記対電極に亘って直流（ＤＣ）を供給し、それによって、前記デバイスの前記電極及び前記対電極に亘って電場を生成することと、を含む、
方法。 - 前記電源を介して、前記電極及び前記対電極に亘って０．１μＶ～約１０ｋＶの間の電位差（ＶＯ）を供給することを更に含む、請求項１７に記載の方法。
- 前記デバイスは、第１のデバイスであり、当該方法は、更に、
複数のデバイスを含み、
前記電源を介して、前記複数のデバイスの各々の電極及び各々の対電極に亘って前記直流（ＤＣ）を供給し、それによって、前記複数のデバイスの各々の電極及び各々の対電極に亘って複数の電場を生成することを含む、
請求項１７に記載の方法。 - 基板プラットホームと、
複数の蛇状アームを有するベースプレート電極と、
前記ベースプレート電極に対して平行に且つ前記ベースプレート電極と非共平面に配置される対電極とを含み、
前記ベースプレート電極は、前記複数の蛇状アームを介して前記基板プラットホームに取り付けられ、
前記ベースプレート電極は、静止位置において平面上に設けられ、
前記ベースプレート電極及び前記基板プラットホームは、共平面にあり、
前記ベースプレート電極は、電位差が前記ベースプレート電極と前記対電極との間に印加されるときに、前記静止位置から離れて前記平面に対して垂直な方向に移動するように構成される、
デバイス。
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