JP2022531785A - 表示パネル及び表示装置 - Google Patents

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Abstract

本願は、表示パネル及び表示装置を開示している。当該表示パネルは、中心領域と中心領域に隣接するエッジ領域とを含む第１表示領域と、第２表示領域と、を有し、第１表示領域の光透過率は、第２表示領域の光透過率より大きく、表示パネルは複数の繰り返しユニットを含み、各繰り返しユニットは少なくとも２つの画素を含み、各画素は少なくとも３色のサブ画素を含み、各サブ画素は、順番に積層された第１電極、発光構造、及び第２電極を含み、第１表示領域において、繰り返しユニットのうち同一色の隣接するサブ画素の第１電極が接続構造により電気的に接続されて同色画素群を形成し、中心領域において、少なくとも一色の同色画素群の接続構造は、透明導電構造である。本願の実施例による表示パネルによれば、中心領域の光透過率をさらに向上させることができる。

Description

本願は、表示分野に関し、特に、表示パネル及び表示装置に関する。
本願は、２０１９年１０月２９日に提出した名称が「表示パネル及び表示装置」という中国特許出願第２０１９１１０３８９６２．５号の優先権を主張し、当該出願の全ての内容が本明細書に組み込まれている。
電子機器の急速な発展に伴い、画面占有比例に対するユーザーのニーズが高まり、電子機器のフルスクリーン表示が業界で注目されている。
携帯電話、タブレットＰＣ等の電子機器は、必要に応じてフロントカメラや、イヤホン、赤外線センサ素子等を集積する必要がある。従来技術において、表示スクリーンにノッチ（Ｎｏｔｃｈ）や穴を開設することにより、外部の光線がスクリーンにおけるノッチや穴を通じて、スクリーンの下部に位置するセンサ素子に入射している。
しかしながら、これらの電子機器は本当の意味でのフルスクリーンではなく、スクリーン全体の各領域でいずれも表示を行うことはできず、例えば、当該フロントカメラ対応する領域には画面が表示されていない。
本願の第１様態は、表示パネルを提供し、それは、中心領域と、中心領域に隣接するエッジ領域と、を含む第１表示領域と、第２表示領域と、を有し、第１表示領域の光透過率は、第２表示領域の光透過率より大きく、表示パネルは複数の繰り返しユニットを含み、各繰り返しユニットは少なくとも２つの画素を含み、各画素は少なくとも３色のサブ画素を含み、各サブ画素は、順番に積層された第１電極、発光構造、及び第２電極を含み、第１表示領域において、繰り返しユニットのうち同一色の隣接するサブ画素の第１電極が接続構造により電気的に接続されて同色画素群を形成する。
本願の第１様態のいずれかの実施形態によれば、中心領域において、少なくとも１つの色の同色画素群の接続構造が透明導電構造である。
本願の実施例の表示パネルによれば、第１表示領域の光透過率が第２表示領域の光透過率より大きくすることで、表示パネルが第１表示領域の裏面に感光アセンブリを集積できるようにし、これにより、例えばカメラのような感光アセンブリをスクリーンの下に集積することができるとともに、第１表示領域に画面を表示させることができ、表示パネルの表示面積を大きくして、表示装置のフルスクリーンデザインを実現することができる。
本願の実施例の表示パネルによれば、第１表示領域内の繰り返しユニットにおいて、同じ色の隣接するサブ画素の第１電極が接続構造により電気的に接続されて、同色画素群を形成する。このように、第１表示領域内の繰り返しユニットに含まれる複数の画素が１つの画素となることで、第１表示領域の実際の画素密度（Ｐｉｘｅｌ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ、ＰＰＩ）を低減させることができ、そのうち、繰り返しユニットにおける同色画素群の複数のサブ画素を１つの画素回路に接続することのみを必要とするため、第１表示領域における配線数を減らすことができ、第１表示領域の光透過率を向上させることができる。
中心領域において、少なくとも一色の同色画素群の接続構造を透明導電構造とすることによって、第１表示領域の中心領域の光透過率をさらに向上させることができる。
添付図面が参照されて行われた非限定的な実施例に対する以下の詳細な説明を閲読することにより、本明細書の他の特徴、目的、及び利点がより明確になり、ここで、同一又は類似の符号は、同一又は類似の特徴を表し、添付図面は、実際の尺度では描かれていない。
本願の実施例に係る表示パネルの上面図である。 一例に係る図１のＱ領域を示す部分拡大図である。 他一例に係る図１のＱ領域を示す部分拡大図である。 第１例に係る図２のＢ－Ｂ方向の断面図である。 第２例に係る図２のＢ－Ｂ方向の断面図である。 第３例に係る図２のＢ－Ｂ方向の断面図である。 第４例に係る図２のＢ－Ｂ方向の断面図である。 本願の実施例に係る表示装置の上面図である。 一例に係る図８のＣ－Ｃ方向の断面図である。
以下、本明細書の様々な態様の特徴及び例示的な実施例を詳細に説明し、本明細書の目的、態様、及び利点をより明確にするために、以下、添付図面及び具体的な実施例を組み合わせて、本明細書をさらに詳細に説明する。本明細書に記載の具体的な実施例は、単に、本願を解釈するものであり、本願を限定するものではない。当業者にとって、本願は、これは、これらの特定の詳細の幾つかを必要とせずに実施される。以下、実施例に対する記載は、単に、本願の例を示すことによって、本願のより良い理解を提供することを意図している。
携帯電話やタブレット等の電子機器においては、表示パネルが設置される一側に、例えば、フロントカメラ、赤外光センサ、近接光センサ等のような感光アセンブリを集積する必要がある。幾つかの実施例では、上記電子機器に光透過表示領域を設け、光透過表示領域の裏面に感光アセンブリを設けて、感光アセンブリが正常に動作することを保証する前提で、電子機器のフルスクリーン表示を実現する。
光透過表示領域の光透過率を向上させ、光透過表示領域内のサブ画素の画素駆動回路の設置を容易にするために、光透過表示領域内のサブ画素を結合させる必要がある。しかしながら、光透過表示領域内のサブ画素の結合方式は、光透過表示領域の光透過率が高くないという問題がある。
上記問題を解決するために、本願の実施例は、表示パネル及び表示装置を提供するが、以下、図面と組み合わせて、表示パネル及び表示装置の各実施例を説明する。
本願の実施例は、表示パネルを提供するが、当該表示パネルは、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）表示パネルであってもよい。
図１は、本願の一実施例に係る表示パネルの上面図を示し、図２は、一例に係る図１のＱ領域の部分拡大図を示す。図３は、他の例に係る図１のＱ領域の部分拡大図を示す。図４乃至図７は、４つの例に係る図２のＢ－Ｂ方向の断面図を示す。
図１に示すように、表示パネル１００は、第１表示領域ＡＡ１と、第２表示領域ＡＡ２と、第１表示領域ＡＡ１及び第２表示領域ＡＡ２を囲む非表示領域ＮＡと、を有し、第１表示領域ＡＡ１は、第２表示領域ＡＡ２よりも光透過率が高い。
ここで、第１表示領域ＡＡ１の光透過率は１５％以上であることが好ましい。第１表示領域ＡＡ１の光透過率を１５％以上、ひいては４０％以上、さらに高い光透過率にするために、本実施例の表示パネル１００は、各機能膜層の光透過率をいずれも８０％以上、少なくとも一部の機能膜層の光透過率をいずれも９０％より大きくする。
本願の実施例の表示パネル１００によれば、第１表示領域ＡＡ１の光透過率が第２表示領域ＡＡ２の光透過率より大きくすることで、表示パネル１００が第１表示領域ＡＡ１の裏面に感光アセンブリを集積できるようにし、これにより、例えばカメラのような感光アセンブリをスクリーンの下に集積することができるとともに、第１表示領域ＡＡ１に画面を表示させることができ、表示パネル１００の表示面積を大きくして、表示装置のフルスクリーンデザインを実現することができる。
第１表示領域ＡＡ１は、中心領域ＡＡ１１と、中心領域ＡＡ１１に隣接するエッジ領域ＡＡ１２とを含む。第１表示領域ＡＡ１の裏面には感光アセンブリが集積されており、中心領域ＡＡ１１の光透過率に対する要求は、エッジ領域ＡＡ１２より高い。中心領域ＡＡ１１の具体的な位置、形状及びサイズは、感光アセンブリの具体的な位置に応じて設定することができる。
図２、図４に示すように、表示パネル１００は複数の繰り返しユニット１０を有し、繰り返しユニット１０は少なくとも２つの画素１１０を有する。各画素１１０は、少なくとも３色のサブ画素１０１、１０２、１０３を含む。各サブ画素１０１、１０２、１０３は、順番に積層して設けられている第１電極１１２、発光構造１１１、及び第２電極１１３を含む。
第１表示領域ＡＡ１において、繰り返しユニット１０における同じ色の隣接するサブ画素１０１、１０２、１０３の第１電極１１２は、接続構造２０１、２０２、２０３を介して電気的に接続されて、同色画素群０１、０２、０３を形成する。例えば、図２には、同色画素群０１が４つの第１色のサブ画素１０１と３つの接続構造２０１とを含み、同色画素群０２が４つの第２色のサブ画素１０２と３つの接続構造２０２とを含み、同色画素群０３が４つの第３色のサブ画素１０３と３つの接続構造２０３とを含むことが示されている。このように、第１電極１１２が接続された複数のサブ画素は、画素結合構造を形成する。１色の同色画素群に含まれる複数のサブ画素は、同一の画素回路に電気的に接続されて、１つの画素回路により、複数の相互接続のサブ画素の表示が制御され、第１表示領域ＡＡ１の実際のＰＰＩをさらに低減し、第１表示領域ＡＡ１内の駆動配線を減少させ、その光透過率を向上させる。
さらに、中心領域ＡＡ１１において、少なくとも一色の同色画素群の接続構造が透明導電構造であると、中心領域ＡＡ１１の光透過率をより高めることができる。
透明導電構造は、ＩＴＯで製造されてもよい。
表示パネルは、基板３０１を有し、画素１１０は、基板３０１上に設けられている。画素１１０は、第１色のサブ画素１０１と、第２色のサブ画素１０２と、第３色のサブ画素１０３との３色のサブ画素を含む。それに対応して、同色画素群は、第１色の第１同色画素群０１と、第２色の第２同色画素群０２と、第３色の第３同色画素群０３と、を有する。
第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２は、基板３０１における正射影が交差しない。さらに、第３同色画素群０３の接続構造と、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２とは、基板３０１における正射影がいずれも交差している。或いは、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２は、基板３０１における正射影が交差しない。さらに、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２のうちの１つと、第３同色画素群０３の接続構造とは、基板３０１における正射影が交差している（未図示）。
３色のうちの２色の同色画素群の接続構造は、基板上の正射影が交差しないように設置されている。このように、２色の同色画素群の接続構造は、同じ層に設置されることができ、これらの接続構造は、同一工程ステップで形成可能であるため、製造工程の複雑度を低減することができる。さらに、基板上の正射影が交差している接続構造は、異なる層に設置されることができるため、基板上の正射影が交差している接続構造が同じ層に設置される際に同色画素群の正常な動作に影響を及ぼすことを回避することができる。
図２、図４乃至図７を参照すると、中心領域ＡＡ１１のうち、少なくとも一色の同色画素群の接続構造は透明導電構造であり、中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２の接続構造は、少なくとも次の設置方法を含むことができる。
幾つかの実施例において、中心領域ＡＡ１１の接続構造は、少なくとも以下の２種類の方式で設置することができる。
第１種類の設置方法
中心領域ＡＡ１１において、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２は、第１電極１１２と同じ層に設けられた透明導電構造である。第３同色画素群０３の接続構造２０３と、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２とは、異なる層である。
第２種類の設置方法
中心領域ＡＡ１１において、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２は、第１電極１１２の下方に設置された透明導電構造であり、第３色同色画素群０３の接続構造２０３と、第１色同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２とは、異なる層である。一例として、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２は、第１電極１１２の下方に設けられた同じ層又は異なる層である。
幾つかの実施例において、エッジ領域ＡＡ１２の接続構造は、少なくとも以下の２種類の方法で設置することができる。
第１種類の設置方法
エッジ領域ＡＡ１２において、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２と、第１電極１１２とは、同じ層に設置されている。第３同色画素群０３の接続構造２０３と、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２とは、異なる層に設置されている。
選択可能な例として、エッジ領域ＡＡ１２において、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２と第１電極１１２とが同じ層に設置されている場合、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２の材料は、第１電極１１２と同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよいし、透明導電構造であってもよい。
第２種類の設置方法
エッジ領域ＡＡ１２において、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２は、第１電極１１２の下方に設置された透明導電構造である。第３同色画素群０３の接続構造２０３と、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２とは、異なる層に設置されている。一例として、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２は、第１電極１１２の下方に設けられた同じ層又は異なる層であってもよい。
幾つかの実施例において、第１表示領域ＡＡ１の各同色画素群は、リード線を介して対応する画素回路に接続されている。リード線は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅｓ）等の透明導電構造であってもよい。図３に示すように、第１同色画素群０１は、リード線２０１１を介して対応する画素回路（未図示）に接続され、第２同色画素群０２は、リード線２０２１を介して対応する画素回路に接続され、第３同色画素群０３は、リード線２０３１を介して対応する画素回路に接続されている。画素回路は、対応するリード線により同色画素群の各サブ画素表示を制御する。リード線２０１１、２０２１、２０３１は、一例として、いずれも、透明導電構造であることで、第１表示領域ＡＡ１の光透過率を向上させてもよい。
上記中心領域ＡＡ１１の２種類の設置方法のいずれかを選択してもよいし、上記エッジ領域ＡＡ１２の２種類の設置方法のいずれかを選択してもよいし、上記中心領域ＡＡ１１の２種類の設置方法とエッジ領域ＡＡ１２の２種類の設置方法を任意に組み合わせてもよい。例えば、上記中心領域ＡＡ１１の２種類の設置方法と、エッジ領域ＡＡ１２の２種類の設置方法を以下のように組み合わせてもよい。
第１種類の組み合わせ方法
幾つかの実施例において、第１表示領域ＡＡ１の画素密度が、例えば１００ＰＰＩのように相対的小さく、又は１００ＰＰＩより小さい場合、サブ画素間の間隔が相対的大きくなり、リード線を配置するための十分なスペースを有する。図４に示すように、中心領域ＡＡ１１の第１種類の設置方法及びエッジ領域ＡＡ１２の第１種類の設置方法を利用する。このとき、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２の材料は、第１電極１１２の材料と同じでも異なってもよく、透明導電構造であってもよい。
幾つかの実施例において、中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２は、同じ設置方法を利用することができ、即ち、中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２は、第１組み合わせ方式を利用することができ、中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２の第１同色画素群０１、第２同色画素群０２に対応するリード線２０１１、２０２１を、第１電極１１２と同じ層の透明導電構造として設けることができる。さらに、中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２の第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２を、いずれも透明導電構造とすることができる。このように、第１表示領域ＡＡ１全体の接続構造２０１、２０２、及びリード線２０１１、２０２１を同一工程ステップで形成することができるため、製造工程の複雑度を低減させる。また、第１表示領域ＡＡ１全体の光透過率を向上させることができる。
幾つかの実施例において、中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２の第３同色画素群０３に対応するリード線２０３１は、第１電極１１２と同じ層の透明導電構造とするか、或いは、中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２の第３同色像素群０３に対応するリード線２０３１は、第３同色画素群０３の接続構造２０３と同じ層の透明導電構造とすることができる。
第２種類の組み合わせ方法
幾つかの実施例において、第１表示領域ＡＡ１の画素密度が例えば１００ＰＰＩより大きいような相対的大きい場合、サブ画素間の間隔が相対的小さいため、リード線を設置する十分なスペースを有さない。図５に示すように、中心領域ＡＡ１１の第２種類の設置方法及びエッジゾーンＡＡ１２の第１種類の設置方法を利用する。このとき、第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２の材料は、第１電極１１２の材料と同じでも異なってもよく、透明導電構造であってもよい。
中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２は、異なる設置方法を利用し、エッジ領域ＡＡ１２の接続構造２０１、２０２は、第１電極１１２と同じ層に設置されており、エッジ領域ＡＡ１２の第１電極１１２の下方に十分なスペースを設けてリード線を設置することができる。
幾つかの実施例において、エッジ領域ＡＡ１２の第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２を、いずれも第１電極１１２と同じ材料になるように設置し、エッジ領域ＡＡ１２の接続構造２０１、２０２及び第１電極１１２を同一工程ステップで形成することができるため、製造工程の複雑度を低減することができる。
幾つかの実施例において、中心領域ＡＡ１１の第１同色画素群０１、第２同色画素群０２に対応するリード線２０１１、２０２１は、中心領域ＡＡ１１の第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２と同じ層に設けられた透明導電構造である。即ち、中心領域ＡＡ１１の接続構造２０１、２０２及び対応するリード線２０１１、２０２１は、いずれも第１電極１１２の下方の同じ層に設置され、且つ、いずれも透明導電構造であり、中心領域ＡＡ１１の接続構造２０１、２０２及びリード線２０１１、２０２１を同一工程ステップで形成することができるため、製造工程の複雑度を低減させることができる。
第３種類の組み合わせ方法
幾つかの実施例において、第１表示領域ＡＡ１の画素密度は、例えば１００ＰＰＩのように相対的小さく、又は１００ＰＰＩより小さい場合、サブ画素間の間隔は相対的大きくなり、リード線を配置するための十分なスペースを有する。図６に示すように、中心領域ＡＡ１１の第２種類の設置方法及びエッジ領域ＡＡ１２の第２種類の設置方法を利用する。
このように、中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２の接続構造２０１、２０２は、いずれも第１電極１１２の下方に位置する。好ましくは、中心領域ＡＡ１１の第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２と、エッジ領域ＡＡ１２の第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２とは、第１電極１１２の下方の同じ層に位置する。
幾つかの実施例において、中心領域ＡＡ１１の第１同色画素群０１、第２同色画素群０２に対応するリード線２０１１、２０２１は、中心領域ＡＡ１１の第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２と同じ層に設置された透明導電構造である。幾つかの実施例において、エッジ領域ＡＡ１２の第１同色画素群０１、第２同色画素群０２に対応するリード線２０１１、２０２１は、エッジ領域ＡＡ１２の第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２と同じ層に設けられた透明導電構造である。
幾つかの例において、中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２の第１同色画素群０１の接続構造２０１及び対応するリード線２０１１と、第２同色画素群０２の接続構造２０２及び対応するリード線２０２１とは、同じ層に位置する透明導電構造として設けられてもよい。このように、第１表示領域ＡＡ１全体の接続構造２０１、２０２及びリード線２０１１、２０２１を同一工程ステップで形成することにより、製造工程の複雑度を低減させることができる。また、第１表示領域ＡＡ１全体の光透過率を向上させることができる。
第４種類の組み合わせ方法
幾つかの実施例において、第１表示領域ＡＡ１の画素密度が例えば１００ＰＰＩより大きいような相対的大きい場合、サブ画素間の間隔が相対的小さいため、リード線を設置する十分なスペースを有さない。図７に示すように、中心領域ＡＡ１１の第１種類の設置方法及びエッジ領域ＡＡ１２の第２種類の設置方法を利用する。
中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２は、異なる設置方法を利用しており、エッジ領域ＡＡ１２の接続構造２０１、２０２は、第１電極１１２の下方に設置され、エッジ領域ＡＡ１２の第１電極１１２が位置する層に十分なスペースを残してリード線を設置することができる。
さらに、エッジ領域ＡＡ１２の第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２を、いずれも透明導電構造として設けることにより、第１表示領域ＡＡ１全体の光透過率を向上させる。
幾つかの実施例において、中心領域ＡＡ１１の第１同色画素群０１、第２同色画素群０２に対応するリード線２０１１、２０２１は、第１電極１１２と同じ層に設けられた透明導電構造である。中心領域ＡＡ１１の接続構造２０１、２０２及び対応するリード２０１１、２０２１は、第１電極１１２と同じ層であり、中心領域ＡＡ１１の接続構造２０１、２０２及び対応するリード２０１１、２０２１を同一工程ステップで形成することができるため、製造工程の複雑度を低減させることができる。
幾つかの実施例において、エッジ領域ＡＡ１２の第１同色画素群０１、第２同色画素群０２に対応するリード線２０１１、２０２１は、エッジ領域ＡＡ１２の第１同色画素群０１の接続構造２０１及び第２同色画素群０２の接続構造２０２と同じ層に設置された透明導電構造である。このように、エッジ領域ＡＡ１２の接続構造２０１、２０２及び対応するリード線２０１１、２０２１を同一工程ステップで形成することができるため、製造工程の複雑度を低減させることができる。
図４乃至図７に示すように、表示パネルは、基板３０１と、素子層３０２と、画素定義層３０３と、を有する。素子層３０２は、基板３０１上に設置されており、画素定義層３０３は、素子層３０２上に設置されている。第１表示領域ＡＡ１の各サブ画素に対応する画素回路が第２表示領域ＡＡ２の素子層３０２（未図示）に位置する。素子層３０２は、平坦化層３０２２と、平坦化層３０２２と基板３０１との間に位置する少なくとも１層の金属層３０２１と、を含む。
少なくとも１層の金属層３０２１のうちの１層の金属層３０２１は、前述の中心領域ＡＡ１１及びエッジ領域ＡＡ１２の第３同色画素群０３の接続構造２０３である。第３同色画素群０３の接続構造２０３は、貫通孔を介して、対応する第１電極１１２に電気的に接続されている。金属層３０２１は、コンデンサの上部極板であってもよく、第３同色画素群０３の接続構造２０３を形成するために、製造工程で貫通孔構造を形成して、対応する第１電極とコンデンサの上部極板とを接続すればよいので、製造工程を簡略化することができる。
前述の中心領域ＡＡ１１及び／又はエッジ領域ＡＡ１２の接続構造２０１、２０２は、第１電極１１２と同じ層に設置される場合、平坦化層３０２２の上方に位置することができる。上述中心領域ＡＡ１１及び／又はエッジ領域ＡＡ１２の接続構造２０１、２０２は、１電極１１２の下方に位置する場合、平坦化層３０２２の下方に位置することができる。接続構造２０１、２０２は、第１電極１１２の下方に位置する場合、貫通孔を介して対応する第１電極１１２に電気的に接続される。
第２表示領域ＡＡ２は、第１サブ表示領域ＡＡ２１と、第１サブ表示領域ＡＡ２１及び第１表示領域ＡＡ１に隣接する第２サブ表示領域ＡＡ２２と、を含み、第１表示領域ＡＡ１のサブ画素に対応する画素回路は、第２サブ表示領域ＡＡ２２内に設けられている。第１表示領域ＡＡ１のサブ画素に対応する画素回路の数は複数であってもよく、それぞれ対応する同色画素群に対応的に電気的に接続されていることは、理解すべきである。
画素回路の回路構成は、１つの薄膜トランジスタ、２つの薄膜トランジスタ及び１つのコンデンサ、３つの薄膜トランジスタ及び１つのコンデンサ、６つの薄膜トランジスタ及び１つのコンデンサ、６つの薄膜トランジスタ及び２つのコンデンサ、７つの薄膜トランジスタ及び１つのコンデンサ、７つの薄膜トランジスタ及び２つのコンデンサ、又は、９つの薄膜結晶及び１つのコンデンサのいずれか１種を含む。ここで、画素回路の回路構成は、２つの薄膜トランジスタ（Ｔ）及び１つのコンデンサ（Ｃ）を含むが、これは画素回路の回路構成が「２Ｔ１Ｃ回路」であることを意味し、その他の「７Ｔ１Ｃ回路」、「７Ｔ２Ｃ回路」、「９Ｔ１Ｃ回路」等は、この順に類推できる。
本願の実施例の表示パネル１００によれば、同色画素群の各サブ画素が駆動されて表示される画素回路が、第２サブ表示領域ＡＡ２２に位置するため、第１表示領域ＡＡ１内の配線構造を小さくし、第１表示領域ＡＡ１の光透過率を向上させることができる。
繰り返しユニット１０に含まれる少なくとも２つの画素１１０は、第１方向Ｄ１において交互に分布し、任意の隣接する２つの画素１１０の各サブ画素は、いずれも、第２方向Ｄ２に沿って配列され、且つ、第１方向Ｄ１においてずれており、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２は交差する。好ましくは、第１方向Ｄ１は、第２方向Ｄ２に対して垂直であり、第１方向Ｄ１は、行方向又は列方向であり、対応する第２方向Ｄ２は、列方向又は行方向であってもよい。
任意の隣接する２つの画素１１０の各サブ画素は、第２方向Ｄ２に沿って配列される色順が異なる。一例として、図２に示すように、繰り返しユニット１０は４つの画素１１０を有し、各画素１１０は３色のサブ画素を含む。１つの繰り返しユニット１０を例にすると、左から１番目の画素１１０の各サブ画素が第２方向Ｄ２に沿って配列される色順は、赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素であってもよい。左から２番目の画素１１０の各サブ画素が第２方向Ｄ２に沿って配列される色序は、青色サブ画素、赤色サブ画素、緑色サブ画素であってもよい。右から１番目の画素１１０の各サブ画素が第２方向Ｄ２に沿って配列される色順は、左から２番目の画素１１０と同じ順番であり、右から２番目の画素１１０の各サブ画素が第２方向Ｄ２に沿って配列される色順は、左から１番目の画素１１０と同じ順番である。
このようにすることで、第１表示領域ＡＡ１において、第２方向に隣接して設置されたサブ画素の色を異ならせることができ、同一色のサブ画素の分布をより均一にすることができるため、第１表示領域ＡＡ１のある領域内で複数の同一色のサブ画素が隣接することにより第１表示領域ＡＡ１が表示を行う際に色分布にムラが生じ、さらに、当該領域に単色の明るいストリップが現れる問題を避けることができ、第１表示領域ＡＡ１の表示効果を高めることができる。
基板３０１は、ガラス、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）等の光透過性の材料を用いて形成することができる。第２表示領域ＡＡ２の素子層３０２は、サブ画素の表示を駆動するための画素回路を含んでもよい。画素定義層３０３は、第１表示領域ＡＡ１に位置する第１画素開口Ｋ１を含む。幾つかの実施例において、画素定義層３０３は、第２表示領域ＡＡ２に位置する第２画素開口を含む。
各サブ画素１０１、１０２、１０３は、発光構造１１１と、第１電極１１２と、第２電極１１３と、を含む。第１表示領域ＡＡ１における発光構造１１１は、第１画素開口Ｋ１内に設置され、第１電極１１２は、発光構造１１１における基板３０１に対向する一側に設置され、第２電極１１３は、発光構造１１１における基板３０１に背向する一側に設置されている。
第１電極１１２、第２電極１１３は、１つが陽極であり、他の１つが陰極である。本実施例において、第１電極１１２が陽極、第２電極１１３が陰極である例について説明する。
発光構造１１１は、ＯＬＥＤ発光層を含んでいてもよく、発光構造１１１の設計上、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層又は電子輸送層の少なくとも１つを含んでいてもよい。
第１電極１１２は、光透過電極である。幾つかの実施例において、第１電極１１２は、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）層又は酸化インジウム亜鉛層を含む。幾つかの実施例において、第１電極１１２は、反射電極であって、第１光透過導電層と、第１光透過導電層上に位置する反射層と、反射層上に位置する第２光透過導電層と、を含む。ここで、第１光透過導電層、第２光透過導電層は、ＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛等であってもよく、反射層は金属層でもよく、例えば銀材質で製造されている。
第２電極１１３は、マグネシウム－銀合金層を含む。幾つかの実施例において、第２電極１１３は、共通の電極として相互接続されていてもよい。
第１表示領域ＡＡ１における各発光構造１１１は、基板３０１上の正射影が、１つの第１グラフィックユニットにより構成されるか、又は２つ以上の第１グラフィックユニットでつなぎ合わせて構成され、第１グラフィックユニットは、円形、楕円形、ダンベル、ヒョウタン、矩形からなる群から選択される少なくとも１つを含む。
第１表示領域ＡＡ１における各第１電極１１２は、基板３０１上の正射影が、１つの第２グラフィックユニットにより構成されるか、又は２つ以上の第２グラフィックユニットでつなぎ合わせて構成され、第２グラフィックユニットは、円形、楕円形、ダンベル、ヒョウタン、矩形からなる群から選択される少なくとも１つを含む。
上記の形状は、回折による周期構造を変えることができ、即ち回折界の分布を変えることができるため、外部入射光が第１表示領域ＡＡ１を通過する際に発生する回折効果を弱め、第１表示領域ＡＡ１の下部に設けられたカメラで撮影された画像の解像度を相対的高く確保することができる。
一例として、表示パネル１００は、封止層と、封止層の上方に設置された偏光板及びカバープレートと、を備えていてもよいし、偏光板を設ける必要がなく、封止層の上方に直接カバープレートを設けてもよいし、或いは、偏光板を設ける必要がなく、少なくとも第１表示領域ＡＡ１の封止層の上方に直接カバープレートを設けてもよいため、偏光板が対応する第１表示領域ＡＡ１の下方に設置された受光素子の光線の収集量に影響を与えることを避けることができる。勿論、第１表示領域ＡＡ１の封止層の上方に偏光板を設けてもよい。
本願の実施例は、さらに、前述のいずれかの実施形態の表示パネル１００を含むことができる表示装置を提供する。以下、前述の実施例の表示パネル１００を備える一実施例の表示装置を例として説明する。
図８は、本願の一実施例に係る表示装置の上面図である。図９は、一実施例に係る図８のＣ－Ｃ方向の断面図である。本実施例の表示装置において、表示パネル１００は、前述の一実施例の表示パネル１００であってもよい。表示パネル１００は、第１表示領域ＡＡ１と、第２表示領域ＡＡ２とを有し、第１表示領域ＡＡ１の光透過率は、第２表示領域ＡＡ２よりも光透過率が高い。
表示パネル１００は、対向する第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とを有する。そのうち、第１表面Ｓ１は、表示面である。表示装置は、さらに、感光アセンブリ２００を備える。この感光アセンブリ２００は、表示パネル１００の第２面Ｓ２側に位置し、第１表示領域ＡＡ１の位置に対応する。
感光アセンブリ２００は、外部画像情報を収集する画像収集装置であってもよい。本実施例において、感光アセンブリ２００は、相補型金属酸化膜半導体（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、ＣＭＯＳ）撮像素子であり、他の幾つかの実施例において、感光アセンブリ２００は、電荷結合素子（Ｃｈａｒｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ、ＣＣＤ）画像収集装置等他の形式の画像収集装置であってもよい。感光アセンブリ２００は、画像収集装置に限定されるものではなく、例えば、幾つかの実施例において、赤外線センサ、近接センサ、赤外線レンズ、投光照明感応素子（Ｆｌｏｏｄ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｏｒ）、環境光センサ、ドットマトリクスプロジェクタ等の光センサであってもよい。また、表示装置は、表示パネル１００の第２面Ｓ２に、イヤホンやスピーカ等の他の部材を集積してもよい。
本願の実施例の表示装置によれば、第１表示領域ＡＡ１の光透過率が、第２表示領域ＡＡ２の光透過率よりも大きいため、表示パネル１００の第１表示領域ＡＡ１の裏面において、感光アセンブリ２００を集積させて、例えば画像取得装置のような感光アセンブリ２００のスクリーンの下方での集積を実現するとともに、第１表示領域ＡＡ１に画面を表示させることができ、表示パネル１００の表示面積を増大させ、表示装置のフルスクリーンデザインを実現することができる。
本願の実施例の表示装置によれば、第１表示領域ＡＡ１内の繰り返しユニット１０において、同じ色の隣接するサブ画素の第１電極が接続構造により電気的に接続されて、同色画素群を形成する。このように、第１表示領域内の繰り返しユニットに含まれる複数の画素が１つの画素となることで、第１表示領域ＡＡ１の実際のＰＰＩ（Ｐｉｘｅｌ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ、画素密度）を低減させることができる。そのうち、繰り返しユニットにおける同色画素群の複数のサブ画素を１つの画素回路に接続することのみを必要とするため、第１表示領域ＡＡ１における配線数を減らすことができ、第１表示領域ＡＡ１の光透過率を向上させることができる。
第１表示領域ＡＡ１の中心領域ＡＡ１１において、少なくとも一色の同色画素群の接続構造を透明導電構造とすることによって、第１表示領域ＡＡ１の中心領域ＡＡ１１の光透過率をさらに向上させ、撮影効果への影響を低減することができる。
本願の前述の実施例によれば、これらの実施例は、すべての詳細を具体的に記述したものではなく、また、本願に記載の特定の実施例のみに限定されるものでもない。勿論、以上の説明から、当業者であれば、多くの修正及び変更が可能であることは明らかである。本明細書がこれらの実施例を選択して具体的に説明した理由は、本明細書の原理及び実際の使用をよりよく解釈し、当業者が本願をよく利用でき、本願の基礎における修正をよく使用できるようにするためである。本願の範囲は、添付した特許請求の範囲のみによって定義される。

Claims (20)

  1. 表示パネルであって、
    中心領域と、前記中心領域に隣接するエッジ領域と、を含む第１表示領域と、
    第２表示領域と、
    を有し、
    前記第１表示領域の光透過率は、前記第２表示領域の光透過率より大きく、
    前記表示パネルは複数の繰り返しユニットを含み、各前記繰り返しユニットは少なくとも２つの画素を含み、各前記画素は少なくとも３色のサブ画素を含み、各前記サブ画素は、順番に積層された第１電極、発光構造、及び第２電極を含み、
    前記第１表示領域において、前記繰り返しユニットのうち同一色の隣接するサブ画素の第１電極が接続構造により電気的に接続されて同色画素群を形成する、
    表示パネル。
  2. 前記中心領域において、少なくとも１つの色の前記同色画素群の接続構造が透明導電構造である、
    請求項１に記載の表示パネル。
  3. 複数の前記サブ画素は、前記第１電極と相互接続して画素結合構造を形成し、前記同色画素群の複数のサブ画素は、同一の画素回路に電気的に接続されて、１つの画素回路によって複数の相互接続されたサブ画素を制御する、
    請求項１に記載の表示パネル。
  4. 前記表示パネルは、前記画素が設置された基板をさらに含み、
    前記画素は、三つの色のサブ画素を含み、
    対応する前記同色画素群は、第１色の第１同色画素群、第２色の第２同色画素群、及び第３色の第３同色画素群を有し、
    前記第１同色画素群の接続構造と前記第２同色画素群の接続構造とは、前記基板における正射影が交差せず、
    前記第３同色画素群の接続構造と、前記第１同色画素群の接続構造及び／又は前記第２同色画素群の接続構造とは、前記基板における正射影が交差する、
    請求項２に記載の表示パネル。
  5. 前記中心領域において、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造は、前記第１電極と同じ層に設けられた透明導電構造であり、前記第３同色画素群の接続構造は、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造とは異なる層に設置され、
    前記エッジ領域において、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造は、前記第１電極と同じ層に設けられ、前記第３同色画素群の接続構造は、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造とは異なる層に設置され、
    前記エッジ領域において、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造は、前記第１電極と同じ材料であるか、又は透明導電構造である、
    請求項４に記載の表示パネル。
  6. 前記中心領域及び前記エッジ領域の第１同色画素群、第２同色画素群に対応するリード線は、前記第１電極と同じ層に設けられた透明導電構造である、
    請求項５に記載の表示パネル。
  7. 前記中心領域において、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造は、前記第１電極の下方に設けられた透明導電構造であり、前記第３同色画素群の接続構造は、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造とは異なる層に設置され、
    前記エッジ領域において、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造は、前記第１電極と同じ層に設置され、前記第３同色画素群の接続構造は、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造とは異なる層に設置され、
    前記エッジ領域において、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造は、前記第１電極と同じ材料であるか、又は透明導電構造である、
    請求項４に記載の表示パネル。
  8. 前記中心領域の第１同色画素群、第２同色画素群に対応するリード線は、前記中心領域の第１同色画素群の接続構造及び第２同色画素群の接続構造と同じ層に設けられた透明導電構造である、
    請求項７に記載の表示パネル。
  9. 前記中心領域において、第１同色画素群の接続構造及び第２同色画素群の接続構造は、前記第１電極の下方に設置された透明導電構造であり、第３同色画素群の接続構造は、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造とは異なる層に設置され、
    前記エッジ領域において、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造は、前記第１電極の下方に設置された透明導電構造であり、前記第３同色画素群の接続構造は、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造とは異なる層に設置され、
    前記中心領域の前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造は、前記エッジ領域の前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造と同じ層に位置する、
    請求項３に記載の表示パネル。
  10. 前記中心領域の第１同色画素群、第２同色画素群に対応するリード線は、前記中心領域の第１同色画素群の接続構造及び第２同色画素群の接続構造と同じ層に設けられた透明導電構造である、
    請求項９に記載の表示パネル。
  11. 前記エッジ領域の第１同色画素群、第２同色画素群に対応するリード線は、前記エッジ領域の第１同色画素群の接続構造及び第２同色画素群の接続構造と同じ層に設けられた透明導電構造である、
    請求項９に記載の表示パネル。
  12. 前記中心領域において、第１同色画素群の接続構造及び第２同色画素群の接続構造は、前記第１電極と同じ層で設けられた透明導電構造であり、第３同色画素群の接続構造は、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造とは異なる層に設置され、
    前記エッジ領域において、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造は、前記第１電極の下方に設けられた透明導電構造であり、前記第３同色画素群の接続構造は、前記第１同色画素群の接続構造及び前記第２同色画素群の接続構造とは異なる層に設置されている、
    請求項３に記載の表示パネル。
  13. 前記中心領域の第１同色画素群、第２同色画素群に対応するリード線は、前記第１電極と同じ層に設けられた透明導電構造である、
    請求項１２に記載の表示パネル。
  14. 前記エッジ領域の第１同色画素群、第２同色画素群に対応するリード線は、前記エッジ領域の第１同色画素群の接続構造及び第２同色画素群の接続構造と同じ層に設けられた透明導電構造である、
    請求項１２に記載の表示パネル。
  15. 前記表示パネルは、基板上に設置された素子層をさらに含み、
    前記素子層は、平坦化層と少なくとも１層の金属層とを含み、前記金属層は、前記基板と前記平坦化層との間に設置され、
    前記少なくとも１層の金属層のうちの１層の金属層は、貫通孔を介して対応する前記第１電極に電気的に接続された第３同色画素群の接続構造である、
    請求項３乃至１４のいずれか一項に記載の表示パネル。
  16. 前記第２表示領域は、第１サブ表示領域と、前記第１サブ表示領域及び前記第１表示領域に隣接する第２サブ表示領域と、を含み、
    前記第１表示領域のサブ画素に対応する画素回路は、前記第２サブ表示領域内に設けられており、
    前記第１表示領域のサブ画素に対応する画素回路の回路構成は、１つの薄膜トランジスタ、２つの薄膜トランジスタ及び１つのコンデンサ、３つの薄膜トランジスタ及び１つのコンデンサ、６つの薄膜トランジスタ及び１つのコンデンサ、６つの薄膜トランジスタ及び２つのコンデンサ、７つの薄膜トランジスタ及び１つのコンデンサ、７つの薄膜トランジスタ及び２つのコンデンサ、又は、９つの薄膜トランジスタ及び１つのコンデンサのうちのいずれか一種を含む、
    請求項１に記載の表示パネル。
  17. 前記表示パネルは基板を更に備え、前記画素は前記基板上に設置され、
    前記繰り返しユニットの少なくとも２つの画素は、第１方向に交互に分布し、任意の隣接する２つの画素の各サブ画素は、いずれも、第２方向に配列され、且つ、前記第１方向においてずれている、
    請求項１に記載の表示パネル。
  18. 前記第１表示領域の発光構造は、基板上の正射影が、第１グラフィックユニットからなるか、又は、２つ以上の第１グラフィックユニットでつなぎ合わせて構成され、前記第１グラフィックユニットは、円形、楕円形、ダンベル、ヒョウタン、矩形からなる群から選択される少なくとも１つを含む、
    請求項１６に記載の表示パネル。
  19. 前記第１表示領域の第１電極は、基板上の正射影が、第２グラフィックユニットからなるか、又は２つ以上の第２グラフィックユニットでつなぎ合わせて構成され、前記第２グラフィックユニットは、円形、楕円形、ダンベル、ヒョウタン、長方形からなる群から選択される少なくとも１つを含むている、
    請求項１６に記載の表示パネル。
  20. 前記第１表示領域の第１電極が光透過電極であるか、
    或いは、前記第１表示領域の第１電極が反射電極であるか、
    或いは、前記第１表示領域の第１電極が酸化インジウムスズ層又は酸化インジウム亜鉛層を含み、及び／又は、前記第１表示領域の第２電極がマグネシウム銀合金層を含む、
    請求項１６に記載の表示パネル。
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