JP2022502283A - 光学可変エレメント、セキュリティ文書、光学可変エレメントの製造方法、セキュリティ文書の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
・2つ以上の仮想ピクセルを含む少なくとも1つの仮想ピクセルアレイを提供するステップ、
・前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの前記2つ以上の仮想ピクセルのうちの1つ以上の仮想ピクセルに、少なくとも1つの立体角を割り当てるステップ、
・前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の少なくとも1つの領域または少なくとも1つのセグメント内/上に1つ以上の仮想フィールドソースを配置するステップであって、前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の少なくとも1つの領域または少なくとも1つのセグメントを、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの前記2つ以上の仮想ピクセルのうちの前記1つ以上の仮想ピクセルから第1の距離に配置するステップ、
・前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの前記2つ以上の仮想ピクセルのうちの前記1つ以上の仮想ピクセル内/上、および/または、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイが広がる表面、特に平面内/上において、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの前記2つ以上の仮想ピクセルのうちの前記1つ以上の仮想ピクセルから所定の距離で、前記1つ以上の仮想フィールドソースから発せられる1つ以上の仮想電磁場を算出するステップ、
・前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの前記2つ以上の仮想ピクセルのうちの前記1つ以上の仮想ピクセル内/上、および/または、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイが広がる表面、特に平面内/上における前記1つ以上の仮想電磁場の重ね合わせからなる全仮想電磁場から、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの前記2つ以上の仮想ピクセルのうちの前記1つ以上の仮想ピクセルの1つ以上の位相画像を算出するステップ、
・前記1つ以上の位相画像から、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの前記2つ以上の仮想ピクセルのうちの前記1つ以上の仮想ピクセルの仮想構造プロファイルを算出するステップ、
・2つ以上のピクセルを含む少なくとも1つのピクセルアレイとして、基板内/上に、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの前記2つ以上の仮想ピクセルのうちの前記1つ以上の仮想ピクセルの前記仮想構造プロファイルを形成するステップであって、前記少なくとも1つのピクセルアレイの前記2つ以上のピクセルのうちの1つ以上のピクセルは、光学可変エレメントを提供する1つ以上の構造を有する。
2nd cos(θ)=mλ
ここで、θは照明方向と観察方向との間の角であり、λは光または視野の波長であり、mは整数である。これらの層は、好ましくは、特に吸収層と反射層との間に配置されたスペーサ層を含む。
蒸着、スパッタリング、または化学蒸着(CVD)によって、特に全面または部分的に適用される、ZnS、TiO2などを含む1つ以上のHRI層;
グラビア印刷によって、特に全面または部分的に印刷される、(例えば、透過における光学的効果のための)1つ以上のHRIまたはLRIワニス層;
全面または部分的に、蒸着またはスパッタリング、特に、カソードスパッタリングによってスパッタリングされる、および/またはナノ粒子を含むインクとして印刷される、アルミニウム、銀、銅、および/もしくはクロム、並びに/またはこれらの合金を含む1つ以上の金属;
HLH(HRI層、LRI層、HRI層からなるシーケンス)、HLHLH(HRI層、LRI層、HRI層、LRI層、HRI層からなるシーケンス)を含む1つ以上の干渉層構造;
好ましくはHRI層およびLRI層が交互に並べられた1つ以上のHRI層およびLRI層からなるシーケンスと、特に1つ以上のPVDおよび/またはCVDスペーサ層を含むファブリペロー三層システム;
1つ以上の液晶層;
体積ホログラムの露出マスターとしての利用;
1つ以上のグレージングインク層との重ね合わせ;および/または
Aztec構造の生成用テンプレート、および/または少なくとも1つの色効果を提供する多段位相レリーフへの変換用テンプレートとしての利用。
2つ以上の仮想ピクセルを含む少なくとも1つの仮想ピクセルアレイを提供するステップ;
少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの2つ以上の仮想ピクセルのうちの1つ以上の仮想ピクセルに、少なくとも1つの立体角を割り当てるステップ;
少なくとも1つの割り当てられた立体角の少なくとも1つの領域および/または少なくとも1つのセグメント内/上に1つ以上の仮想フィールドソースを配置するステップであって、少なくとも1つの割り当てられた立体角の少なくとも1つの領域または少なくとも1つのセグメントを、少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの2つ以上の仮想ピクセルのうちの1つ以上の仮想ピクセルから第1の距離に配置するステップ;
少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの2つ以上の仮想ピクセルのうちの1つ以上の仮想ピクセル内/上、および/または、少なくとも1つの仮想ピクセルアレイが広がる表面、特に平面内/上において、少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの2つ以上の仮想ピクセルのうちの1つ以上の仮想ピクセルから所定の距離で、1つ以上の仮想フィールドソースから発せられる1つ以上の仮想電磁場を算出するステップ;
少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの2つ以上の仮想ピクセルのうちの1つ以上の仮想ピクセル内/上、および/または、少なくとも1つの仮想ピクセルアレイが広がる表面、特に平面内/上における1つ以上の仮想電磁場の重ね合わせからなる全仮想電磁場から、少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの2つ以上の仮想ピクセルのうちの1つ以上の仮想ピクセルの1つ以上の位相画像を算出するステップ;
1つ以上の位相画像から、少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの2つ以上の仮想ピクセルのうちの1つ以上の仮想ピクセルの仮想構造プロファイルを算出するステップ;
2つ以上のピクセルを含む少なくとも1つのピクセルアレイとして、基板内/上に、少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの2つ以上のピクセルのうちの1つ以上の仮想ピクセルの仮想構造プロファイルを形成するステップであって、少なくとも1つのピクセルアレイの2つ以上のピクセルのうちの1つ以上のピクセルは、光学可変エレメントを提供する1つ以上の構造を有するステップ。
1つ以上の光学可変エレメントを、積層フィルムおよび/またはエンボスフィルムとして、セキュリティ文書および/またはセキュリティ文書の1つ以上の層に適用および/または導入するステップ。
1b セキュリティエレメント
1b’ 帯状セキュリティエレメント
1c 装飾エレメント
1d セキュリティ文書
10 基板
2 ピクセルアレイ
2aa〜2dd、2e〜2f ピクセル
20aa〜20dd 出射光
200 光点
3aa〜3dd、3e〜3f 構造
30aa、30ad、30cc 微細構造
31aa、31ad、31cc 微細構造
4 仮想ピクセルアレイ
4aa〜4dd 仮想ピクセル
6 入射光
9、9a、9b、9c、9d、9e モチーフ
91、92、93,94、95 モチーフ
96、97 モチーフ
98、99 モチーフ
Δx,Δy 横方向寸法
ΔZ 構造深さ
P 焦点
F 焦点面
f 距離
θ、φ、α、Ω 角度
S セグメント
R、R’、R’’ 方向
G ピクセルグループ
B 観察者
S センサ
L 光源
GF ベース表面
EF エレメント表面
Claims (63)
- 光学可変エレメント(1a)、特にセキュリティエレメント(1b)および/または装飾エレメント(1c)、好ましくはセキュリティ文書(1d)であって、
前記光学可変エレメント(1a)は、2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)を含む少なくとも1つのピクセルアレイ(2)を有し、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルは、1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)を有し、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、1つ以上の立体角で入射電磁放射(6)を投影、回折、および/または散乱する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、入射電磁放射(6)を1つ以上の立体角で無彩色に投影、回折、および/または散乱する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1または2に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記光学可変エレメント(1)は、1つ以上の層を含み、
特に、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)は、前記1つ以上の層の少なくとも1つの層の上または内部に配置され、
前記1つ以上の層のうちの1つ以上の層は、好ましくは、HRI層、特に、HRIおよび/またはLRIワニス層を含む層、金属層、干渉層、特に、干渉層シーケンス、好ましくは、HLHまたはHLHLH、さらに好ましくは、ファブリペロー三層システムまたは多層システム、液晶層、着色層、特に、グレージングインク層から選択される、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)の各ピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)に割り当てられ、
ピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)に割り当てられた前記1つ以上の構造は、入射電磁放射(6)を1つ以上の所定の立体角で投影、回折、および/または散乱させ、
特に、1つの方向、好ましくは1つの所定の方向が、前記1つ以上の所定の立体角にそれぞれ割り当てられる、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造、および/または前記1つ以上の割り当てられた構造のうちの1つ以上の割り当てられた構造は、互いに異なる、前記1つ以上の立体角のうちの1つ以上の立体角および/または前記1つ以上の所定の立体角のうちの1つ以上の所定の立体角において、投影、回析、および/または散乱させ、
ピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)の周りに配置された球体、特に1の単位半径を有する球体に投影された、前記1つ以上の立体角のうちの1つ以上の立体角および/または前記1つ以上の所定の立体角のうちの所定の立体角は、好ましくは、円形表面、楕円形表面、三角形表面、正方形表面、長方形表面、多角形表面、環状表面から選択される、特に同一または異なる1つ以上の形状を形成する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項5に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の形状のうちの1つ以上の形状は、開放または閉鎖され、および/または1つ以上の部分形状からなり、
特に、少なくとも2つの部分形状が、互いに組み合わされるか、または重ね合わされる、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
特に、観察者および/またはセンサによって検出可能な、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルが入射電磁放射(6)を投影、回折、および/または散乱させる、前記1つ以上の立体角のうちの1つ以上の立体角、または前記1つ以上の所定の立体角のうちの所定の立体角は、関数に従い、
前記関数は、観察者が、前記立体角または所定の立体角を、波のように動く輝度の帯域、好ましくは正弦波状に動く輝度の帯域として検出するように定立される、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の立体角のうちの1つ以上もしくは全ての立体角、および/または前記1つ以上の所定の立体角のうちの1つ以上もしくは全ての所定の立体角は、少なくとも1つの方向において、70°まで、好ましくは50°まで、さらに好ましくは40°までであり、および/または、
1つ以上または全ての立体角の前記開口角は、好ましくは最大20°、さらに好ましくは最大15°、特に好ましくは最大10°である、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の立体角のうちの1つ以上または全ての立体角および/または前記1つ以上の所定の立体角のうちの1つ以上または全ての所定の立体角は、少なくとも1つの方向において、70°まで、好ましくは50°まで、さらに好ましくは40°までである、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つのピクセルに割り当てられた構造および/または前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、光学的に可変な情報のアイテムを提供、特に、1つ以上の3D効果および/または移動効果を提供し、好ましくは、無彩色または単色の3D効果および/または移動効果を提供するように形成される、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つのピクセルに割り当てられた構造に割り当てられた前記構造(3aa〜3dd、3e〜3f)および/または前記1つ以上の構造のうちの1つ以上の構造は、電磁放射、特に入射電磁放射(6)を立体角、特に点状立体角で投影、回折、および/または散乱させる、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の割り当てられた構造のうちの1つ以上の割り当てられた構造を含む、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルおよび/または前記1つ以上の構造のうちの1つ以上の構造は、2つ以上のピクセルグループおよび/または2つ以上の構造グループに割り当てられ、
特に、前記2つ以上の構造グループのグループおよび/または前記2つ以上のピクセルグループのグループは、互いに異なる、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項12に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記2つ以上の構造グループのうちの2つ以上の構造グループおよび/または前記2つ以上のピクセルグループ(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの2つ以上のピクセルグループは、同一または異なる立体角および/または所定の立体角、特に点状立体角、好ましくは0°に近い開口角、および/または所定の立体角、好ましくは異なる形状の立体角および/または所定の立体角で、電磁放射、特に入射電磁放射(6)を投影、回折、および/または散乱する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項12または13に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記2つ以上の構造グループのうちの2つ以上の構造グループおよび/または前記2つ以上のピクセルグループのうちの2つ以上のピクセルグループは、3D効果を含む光学的に可変な情報のアイテムを提供する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記構造(3aa〜3dd、3e〜3f)の1つ以上または全ておよび/または前記割り当てられた構造の1つ以上または全ては、電磁放射、特に入射電磁放射(6)を回析的に散乱、偏向、および/または投影する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)は、少なくとも領域において、少なくとも1つの方向においてゼロとは異なる曲率を有する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜16のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)内の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルの少なくとも1つの横方向寸法は、5μm〜500μm、好ましくは10μm〜300μm、好ましくは20μm〜150μmである、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)内の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルの1つ以上の横方向寸法は、前記ピクセルアレイ(2)内、特に少なくとも領域内の1つ以上の空間方向において、周期的に、非周期的に、擬似ランダムに、および/またはランダムに変化する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜18のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)内の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルの1つ以上の横方向寸法は、前記ピクセルアレイ(2)内、特に少なくとも領域内の1つ以上の空間方向において、平均値を中心に、最大±70%、好ましくは最大±50%変動する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)内の前記1つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)の1つ以上のピクセルは、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)内、特に少なくとも領域内に、周期的に、非周期的に、ランダムに、および/または擬似ランダムに配置される、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、特に、前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)の最大横方向寸法、好ましくは、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセルの最大横方向寸法の半分よりも小さい、好ましくは3分の1よりも小さい、さらに好ましくは4分の1よりも小さい格子周期を有することを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜21のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、制限最大構造深さを有し、
前記制限最大構造深さは、特に15μm未満、好ましくは10μm未満、さらに好ましくは7μm以下、さらに好ましくは4μm以下、特に好ましくは2μm以下である、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項22に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の50%を超える前記ピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)、特に70%を超えるピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)、好ましくは90%を超えるピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)において、前記1つ以上の構造の前記制限最大構造深さが15μm以下、特に7μm以下、好ましくは2μm以下となるように、前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造が形成されることを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項22または23に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
全てのピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)において、前記1つ以上の構造の前記制限最大構造深さが15μm以下、特に7μm以下、好ましくは2μm以下となるように、前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造が形成される、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜24のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、互いに異なるか、類似しているか、または同一である、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜25のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、無彩色回折構造として、好ましくはブレーズド格子、特に線形ブレーズ格子として形成され、
特に、前記無彩色回折構造の前記格子周期は3μmより大きく、好ましくは5μmより大きく、および/または
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの70%を超えるピクセル、特に90%を超えるピクセル、好ましくは全てのピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)が少なくとも2つの格子周期を含む、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜26のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルにおいて、前記無彩色回折構造は、別の微細構造および/またはナノ構造、特に線形格子構造、好ましくは交差格子構造、さらに好ましくはサブ波長格子構造と重ね合わされる、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜27のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造のうちの1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)は、凸状または凹状に作用するマイクロレンズおよび/またはマイクロレンズの部分領域、特に反射作用するマイクロレンズおよび/またはマイクロレンズの部分領域として形成され、
特に、前記1つ以上の構造の前記焦点距離は、0.04mm〜5mm、特に0.06mm〜3mm、好ましくは0.1mm〜2mmであり、および/または
特に、Xおよび/またはY方向の前記焦点距離は、以下の式によって決定される、ことを特徴とする光学可変エレメント。
ΦX,Yは、それぞれ前記1つ以上の構造が入射電磁波を投影、回折、および/または散乱する、X方向またはY方向におけるそれぞれの立体角である。 - 請求項1〜28のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は円筒レンズとして形成され、
特に、前記1つ以上の構造の焦点距離は無限に大きい、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜29のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、フレネルマイクロレンズ構造、特に反射作用するフレネルマイクロレンズ構造として形成され、
特に、前記フレネルマイクロレンズ構造の格子線は、曲線格子線として形成される、および/または格子周期が変化する格子線を有する、および/または
特に、少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)の各ピクセル(2aa〜2d、2e〜2f)は、少なくとも1つの空間方向において少なくとも2つの格子周期を含むことが好ましい、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜30のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、好ましくはピクセル当たり(2aa〜2dd、2e〜2f)少なくとも2つの隆起、特に少なくとも3つの隆起、好ましくは少なくとも4つの隆起を有する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜31のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)の70%を超えるピクセル、特に90%を超えるピクセルは、前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造であって、好ましくはピクセル当たり(2aa〜2dd、2e〜2f)少なくとも2つの隆起、特に少なくとも3つの隆起、好ましくは少なくとも4つを有する構造を有する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜32のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、色格子構造として、特に線形格子として、好ましくは正弦波プロファイルおよび/またはナノテキストおよび/またはミラー表面を有する線形格子として形成される、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜33のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、サブ波長格子として、特に線形サブ波長格子として、および/または蛾の目風構造として形成され、
前記サブ波長格子、特に線形サブ波長格子および/または蛾の目風構造の格子周期は、好ましくは450nm未満であり、および/または
特に、この種の少なくとも1つのピクセルアレイ(2)は、前記光学可変エレメントおよび/または前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)が傾けられたとき、観察者により検出可能な光学可変効果、特に観察者により検出可能な追加的光学可変効果を提供する、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜34のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、金属層を備え、および/または入射電磁放射を吸収し、
特に、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルは、反射により、観察者が暗灰色から黒色で検出可能である、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜35のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、HRI層を有し、
特に、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルは、反射により、観察者がカラーで検出可能である、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜36のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は、入射電磁放射を全ての空間方向に擬似ランダムまたはランダムに投影、回折、および/または散乱し、
特に、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルは、反射により、観察者が等方性白色で、好ましくは等方性無彩色で検出可能である、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 請求項1〜37のいずれか一項に記載の光学可変エレメント(1a)であって、
前記エレメントおよび/または前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)が屈曲されると、前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)のうちの1つ以上の構造は光学可変効果を提供し、
特に、前記エレメントおよび/または前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の非屈曲状態で第1のモチーフが検出可能であり、前記エレメントおよび/または前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の屈曲状態で第2のモチーフが検出可能である、ことを特徴とする光学可変エレメント。 - 特に1つ以上の光学可変エレメント(1a)、特に、請求項1〜38のいずれか一項に記載の光学可変エレメントを含む、ことを特徴とするセキュリティ文書(1d)。
- 請求項39に記載のセキュリティ文書(1d)であって、
前記セキュリティ文書(1d)は、1つ以上の領域、特に1つ以上の帯状領域、好ましくは1つ以上の糸状領域に、1つ以上の光学可変エレメント(1a)を有する、ことを特徴とするセキュリティ文書。 - 請求項39または40に記載のセキュリティ文書(1d)であって、
それぞれ1つ以上の光学可変エレメント(1a)を含む前記1つ以上の領域のうちの1つ以上の領域は、帯状および/またはパッチ状に形成される、ことを特徴とするセキュリティ文書。 - 請求項39〜41のいずれか一項に記載のセキュリティ文書(1d)であって、
前記セキュリティ文書(1d)を、当該セキュリティ文書(1d)が広がる表面の法線ベクトルに沿って見たとき、1つ以上の光学可変エレメント(1a)は、少なくとも部分的に重なり合って配置される、ことを特徴とするセキュリティ文書。 - 好ましくはセキュリティ文書(1d)、特に請求項39〜42のいずれか一項に記載のセキュリティ文書に用いられる光学可変エレメント(1a)、特に請求項1〜38のいずれか一項に記載の光学可変エレメント、好ましくはセキュリティエレメント(1b)および/または装飾エレメント(1c)の製造方法であって、
2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)を含む少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)を提供し、
前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)の前記2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)のうちの1つ以上の仮想ピクセルに、少なくとも1つの立体角を割り当て、
前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の少なくとも1つの領域または少なくとも1つのセグメント内/上に1つ以上の仮想フィールドソースを配置するものであって、前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の前記少なくとも1つの領域または前記少なくとも1つのセグメントを、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)の前記2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)のうちの前記1つ以上の仮想ピクセルから第1の距離に配置し、
前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)の前記2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)のうちの前記1つ以上の仮想ピクセル内/上、および/または、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)が広がる表面、特に平面内/上において、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)の前記2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)のうちの前記1つ以上の仮想ピクセルから所定の距離で、前記1つ以上の仮想フィールドソースから発せられる1つ以上の仮想電磁場を算出し、
前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイの前記2つ以上の仮想ピクセルのうちの前記1つ以上の仮想ピクセル内/上、および/または、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイが広がる表面、特に平面内/上における前記1つ以上の仮想電磁場の重ね合わせからなる全仮想電磁場から、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)の前記2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)のうちの前記1つ以上の仮想ピクセルの1つ以上の位相画像を算出し、
前記1つ以上の位相画像から、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)の前記2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)のうちの前記1つ以上の仮想ピクセルの仮想構造プロファイルを算出し、
2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)を含む少なくとも1つのピクセルアレイ(2)として、基板内/上に、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)の前記2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)のうちの前記1つ以上の仮想ピクセルの前記仮想構造プロファイルを形成するものであって、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルは、光学可変エレメント(1a)を提供する1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)を有する、ことを特徴とする製造方法。 - 請求項43に記載の方法であって、
前記少なくとも1つの割り当てられた立体角および/または前記少なくとも1つの割り当てられた立体角前記の少なくとも1つの領域は、少なくとも1つのセグメントにまたがり、
特に、前記少なくとも1つのセグメントは、球体の少なくとも1つのセグメント、好ましくは少なくとも1つの円錐セグメントに対応し、
前記少なくとも1つのセグメントの開口角の半分は、20°未満、好ましくは15°未満、さらに好ましくは10°未満である、ことを特徴とする方法。 - 請求項43または44に記載の方法であって、
特に、前記少なくとも1つのセグメントの1つ以上の部分領域内/上、および/または前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の前記少なくとも1つの領域の1つ以上の部分領域内/上に配置される、前記仮想フィールドソースは、前記少なくとも1つのセグメントの前記1つ以上の部分領域のうちの1つ以上の部分領域上、および/または前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の前記少なくとも1つの領域の1つ以上の部分領域上で、少なくとも1つの方向に、周期的および/または擬似ランダムにおよび/またはランダムに配置される、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜45のいずれか一項に記載の方法であって、
前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の前記少なくとも1つの領域の1つ以上の部分領域および/または前記少なくとも1つのセグメントの前記1つ以上の部分領域のうちの1つ以上の部分領域内/上における、隣接する仮想フィールドソース間の前記距離は、0.01mm〜100mm、特に0.1mm〜50mm、好ましくは0.25mm〜20mmであり、および/または
前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の前記少なくとも1つの領域の1つ以上の部分領域および/または前記少なくとも1つのセグメントの前記1つ以上の部分領域のうちの1つ以上の部分領域内/上における、隣接する仮想フィールドソース間の前記距離は、特に、平均して0.01mm〜100mm、特に0.1mm〜50mm、好ましくは0.25mm〜20mmである、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜46のいずれか一項に記載の方法であって、
交差グリッド、好ましくは等距離交差グリッドとしての前記仮想フィールドソース、特に前記仮想点フィールドソースの前記配置は、前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の前記少なくとも1つの領域の1つ以上の部分領域および/または前記少なくとも1つのセグメント前記の1つ以上の部分領域のうちの1つ以上の部分領域内/上で実現され、
隣接する仮想フィールドソース間の前記相互距離は、0.01μm〜100μm、特に0.1μm〜50μmであり、および/または
隣接する仮想フィールドソース間の前記角度、特に前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)の前記2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)のうちの1つ以上の仮想ピクセルの前記位置に対する2つの隣接する仮想フィールドソース間の角度は、1°未満、好ましくは0.5°未満である、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜47のいずれか一項に記載の方法であって、
前記1つ以上の仮想フィールドソースのうちの1つ以上の仮想フィールドソースは、マイクロシンボル、特に、文字、ポートレート、画像、英数字、幾何学的自由形状、正方形、三角形、円、曲線、アウトラインから選択されるマイクロシンボルの形成を有する、ことを特徴とする方法。 - 請求項48に記載の方法であって、
前記少なくとも1つのセグメントの前記1つ以上の部分領域のうちの1つ以上の部分領域において、前記マイクロシンボルの前記横方向寸法は、好ましくは0.1°〜10°、特に0.2°〜5°である、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜49のいずれか一項に記載の方法であって、
前記1つ以上の仮想フィールドソースのうちの1つ以上の仮想フィールドソースの第1のグループは、0.3m、特に0.15m〜0.45mの距離からスクリーン上に投影することができず、および/または
前記1つ以上の仮想フィールドソースのうちの1つ以上の仮想フィールドソースの第2のグループは、1.0m、特に0.8m〜1.2mの距離からスクリーン上に投影することができる、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜50のいずれか一項に記載の方法であって、
1つ以上の仮想フィールドソース、特に全ての前記仮想フィールドソースから発せられる前記仮想電磁場は、前記少なくとも1つの割り当てられた立体角にわたって、および/または前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の前記少なくとも1つの領域にわたって、同じ強度および/または同じ強度分布を有する、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜51のいずれか一項に記載の方法であって、
1つ以上の仮想フィールドソース、特に全ての前記仮想フィールドソースから発せられる前記仮想電磁場は、前記少なくとも1つの割り当てられた立体角にわたって、および/または前記少なくとも1つのセグメントにわたって、および/または前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の前記少なくとも1つの領域にわたって、ガウス分布またはスーパーガウス分布を有する強度分布を有する、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜52のいずれか一項に記載の方法であって、
2つ以上の仮想フィールドソース、特に全ての前記仮想フィールドソースから発せられる前記仮想電磁場は、前記少なくとも1つの割り当てられた立体角にわたって、および/または前記少なくとも1つのセグメントにわたって、および/または前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の前記少なくとも1つの領域にわたって、異なる強度および/または異なる強度分布を有する、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜53のいずれか一項に記載の方法であって、
1つ以上の仮想フィールドソース、特に全ての前記仮想フィールドソースから発せられる前記仮想電磁場は、前記少なくとも1つの割り当てられた立体角にわたって、および/または前記少なくとも1つのセグメントにわたって、および/または前記少なくとも1つの割り当てられた立体角の前記少なくとも1つの領域にわたって、等方性または異方性強度分布を有する、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜54のいずれか一項に記載の方法であって、
1つ以上の前記仮想フィールドソース、特に全ての前記仮想フィールドソースは、仮想点フィールドソースを形成し、
前記仮想点フィールドソースは、好ましくは仮想球面波を放射する、ことを特徴とする方法。 - 請求項56に記載の方法であって、
前記仮想電磁場Uiは、1つ以上の波長、特に380nm〜780nm、好ましくは430nm〜690nmの可視スペクトル範囲にある前記1つ以上の波長を含み、
1つ以上の波長のうちの隣接する1つ以上の波長、好ましくは可視スペクトル範囲の波長は、互いに、好ましくは等距離に離間している、ことを特徴とする方法。 - 請求項56または57に記載の方法であって、
前記仮想電磁場Uiは、1つ以上の波長、特に赤外、可視および/または紫外線スペクトル範囲にある1つ以上の波長を含み、
1つ以上の波長のうちの隣接する1つ以上の波長、好ましくは赤外、可視および/または紫外線スペクトル範囲にある前記隣接する1つ以上の波長は、互いに、好ましくは等距離に離間している、ことを特徴とする方法。 - 請求項56〜58のいずれか一項に記載の方法であって、
前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)の前記2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)のうちの1つ以上の仮想ピクセル内/上、および/または、前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)が広がる表面、特に平面内/上の前記全仮想電磁場Upは、以下の式により算出される、ことを特徴とする方法。
- 請求項43〜59のいずれか一項に記載の方法であって、
前記1つ以上の位相画像のうちの1つ以上の位相画像は、仮想構造プロファイルに変換され、
位相値0は、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルの前記形成された1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)の最小深さに対応し、位相値2πはその最大深さに対応する、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜60のいずれか一項に記載の方法であって、
前記少なくとも1つの仮想ピクセルアレイ(4)の前記2つ以上の仮想ピクセル(4aa〜4dd)のうちの1つ以上の仮想ピクセルの前記仮想構造プロファイルは、前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの1つ以上のピクセルの前記1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)として、フォトレジストでコーティングされたプレート上のレーザー露光および現像によって、および/または電子ビームリソグラフィによって、形成される、ことを特徴とする方法。 - 請求項43〜61のいずれか一項に記載の方法であって、
前記少なくとも1つのピクセルアレイ(2)の前記2つ以上のピクセル(2aa〜2dd、2e〜2f)のうちの複数のピクセルに形成される1つ以上の構造(3aa〜3dd、3e〜3f)は、前記仮想電磁場および/または前記全仮想電磁場の前記平均波長の半分の光学的深さ、特に空気中の光学的深さを有する、ことを特徴とする方法。 - 好ましくは1つ以上の層、好ましくは1つ以上の光学可変エレメント(1a)、特に請求項1〜39のいずれか一項に記載の光学可変エレメントおよび/または特に請求項43〜62のいずれか一項に記載の方法により製造される光学可変エレメントを含む1つ以上の層を含むセキュリティ文書(1d)、特に請求項39〜42のいずれか一項に記載のセキュリティ文書の製造方法であって、
1つ以上の光学可変エレメント(1a)を、積層フィルムおよび/またはエンボスフィルムとして、前記セキュリティ文書(1d)および/または前記セキュリティ文書(1d)の前記1つ以上の層に適用および/または導入する、ことを特徴とする方法。
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