JP2022500974A - 時間的および空間的コントラストを画像化するための画像センサおよびセンサデバイス - Google Patents
時間的および空間的コントラストを画像化するための画像センサおよびセンサデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022500974A JP2022500974A JP2021538897A JP2021538897A JP2022500974A JP 2022500974 A JP2022500974 A JP 2022500974A JP 2021538897 A JP2021538897 A JP 2021538897A JP 2021538897 A JP2021538897 A JP 2021538897A JP 2022500974 A JP2022500974 A JP 2022500974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- converter
- electronic
- photoelectric
- converters
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 title description 22
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 102100028626 4-hydroxyphenylpyruvate dioxygenase Human genes 0.000 description 6
- 229920002469 poly(p-dioxane) polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- MPLZNPZPPXERDA-UHFFFAOYSA-N [4-(diethylamino)-2-methylphenyl]azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[NH+](CC)C1=CC=C(N)C(C)=C1 MPLZNPZPPXERDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011551 log transformation method Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/571—Control of the dynamic range involving a non-linear response
- H04N25/573—Control of the dynamic range involving a non-linear response the logarithmic type
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/44—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
- H04N25/443—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading pixels from selected 2D regions of the array, e.g. for windowing or digital zooming
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
2 電子コンバータ
3 信号コンバータ、トランスデューサ
4 アナログ−ディジタルコンバータ、エンコーダ
5 インターコネクト
6 出力トランジスタ
51、54 シリコン基板
52、53 金属層
tx1、tx2、tx3、tx4 スイッチング素子、トランファゲート、スイッチング信号
Claims (15)
- 時間に依存する画像データを検出するための画像センサであって、多数の光電コンバータ(1)と、アレイに配置され、スイッチング素子(tx1、tx2、...)によってリンクされた多数の電子コンバータ(2)とを備え、前記光電コンバータ(1)の各々および前記電子コンバータ(2)のうちの1つが、前記光電コンバータ(1)上の光強度に応じてディジタル情報を発生する対を形成し、前記スイッチング素子(tx1、tx2、...)が、前記光電コンバータ(1)のうちの少なくとも2つを前記電子コンバータ(2)のうちの1つに選択的に接続し、前記電子コンバータ(2)のうちの少なくとも2つを前記光電コンバータ(1)のうちの1つに選択的に接続するように構成される、画像センサ。
- 前記対の前記電子コンバータ(2)が、前記対の前記光電コンバータ(1)と組み合わせて前記光電コンバータ(1)上の光強度に応じてアナログ電子信号を発生するように構成される電子信号コンバータ(3)を備えることを特徴とする、請求項1に記載の画像センサ。
- 前記信号コンバータ(3)が、前記発生されたアナログ電子信号が光電コンバータ(1)上の光強度に対数的に依存するように構成されることを特徴とする、請求項2に記載の画像センサ。
- 前記電子コンバータ(2)が、前記光電コンバータ(1)上の光強度に応じたアナログ電子信号をディジタル信号に変換するように構成されるアナログ−ディジタルコンバータ(4)を備えることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の画像センサ。
- 前記アナログ−ディジタルコンバータ(4)が、パルス密度変調を使用して、前記アナログ電子信号を前記ディジタル信号に変換するように構成されることを特徴とする、請求項4に記載の画像センサ。
- 光電コンバータ(1)および電子コンバータ(2)の、前記対が、2つの別々の半導体ダイ上に製造され、かつ、前記2つの半導体ダイの間のインターコネクト(5)を介して電気的に接続される、信号コンバータ(3)およびアナログ−ディジタルコンバータ(4)を備えることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の画像センサ。
- 前記スイッチング素子(tx1、tx2、...)が、前記光電コンバータ(1)を前記電子コンバータ(2)の入力に対して時間多重化するように構成されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の画像センサ。
- 前記スイッチング素子(tx1、tx2、...)が、前記光電コンバータ(1)を周期的に前記電子コンバータ(2)の入力に対して時間多重化するように構成されることを特徴とする、請求項7に記載の画像センサ。
- 前記電子コンバータ(2)が、前記光電コンバータ(1)のうちの2つの上の光強度の間の相対的な差異または不均衡に応じて、ディジタル情報を発生するように構成されることを特徴とする、請求項7または8に記載の画像センサ。
- 前記電子コンバータ(2)に隣接して設置された隣接する電子コンバータ(2)が、前記スイッチング素子(tx1、tx2、...)により前記電子コンバータ(2)および前記隣接する電子コンバータ(2)の両方にリンクされた同じ2つの光電コンバータ(1)上の光強度の間の相対的な差異または不均衡に応じて、少なくとも1つのディジタル情報を発生するように構成されることを特徴とする、請求項9に記載の画像センサ。
- 2対のスイッチング素子(tx1、tx2、...)は、スイッチングイベントの前に、前記光電コンバータ(1)が前記電子コンバータ(2)に接続され、前記隣接する光電コンバータ(1)が前記隣接する電子コンバータ(2)に接続され、前記スイッチングイベントの後で、前記光電コンバータ(1)が前記隣接する電子コンバータ(2)に接続され、前記隣接する光電コンバータ(1)が前記電子コンバータ(2)に接続されるように、前記光電コンバータ(1)および前記隣接する光電コンバータ(1)を前記電子コンバータ(2)および前記隣接する電子コンバータ(2)に選択的に接続するように配置され構成されることを特徴とする、請求項9または10に記載の画像センサ。
- 前記光電コンバータ(1)のアレイ、前記電子コンバータ(2)のアレイおよび前記スイッチング素子(tx1、tx2、...)は、第1の光電コンバータ(1)が第1のアクティブなスイッチング素子(tx1、tx2、...)を介して第1の電子コンバータ(2)に接続され、第2の光電コンバータ(1)が第2のアクティブなスイッチング素子(tx1、tx2、...)を介して第2の電子コンバータ(2)に接続されるときにはいつでも、第1の光電コンバータ(1)および第2の光電コンバータ(1)が第1の電子コンバータ(2)および第2の電子コンバータ(2)と同じ相対的な距離を有するように構成されることを特徴とする、請求項9または10に記載の画像センサ。
- 光電コンバータ(1)の数が、電子コンバータ(2)の数に実質的に等しいことを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載の画像センサ。
- 時間に依存する画像データを検出するためのセンサデバイスであって、請求項1から13のいずれか一項に記載の画像センサと、前記画像センサの前記スイッチング素子(tx1、tx2、...)に接続され、スイッチング信号を発生して前記スイッチング素子(tx1、tx2、...)を制御するように構成されたスイッチコントローラとを備える、センサデバイス。
- ゲインミスマッチが補償された画像データを得るための方法であって、以下のステップ、
− 光電コンバータ(1)のアレイの2つの光電コンバータ(1)上の光強度の相対的な差異に応じた第1の基準情報を含む第1のディジタル情報を、電子コンバータ(2)のアレイの中の第1の電子コンバータ(2)から得るステップ、
− 前記2つの光電コンバータ(1)上の光強度の相対的な差異に応じた第2の基準情報を含む第2のディジタル情報を、電子コンバータ(2)のアレイの中の第2の電子コンバータ(2)から得るステップ、
− 前記第1および第2のディジタル情報において、前記第1の基準情報および前記第2の基準情報から得られた調節係数を用いて、前記第1のディジタル情報および/または前記第2のディジタル情報を調節することにより、前記第1の電子コンバータ(2)と前記第2の電子コンバータ(2)との間のゲインミスマッチを補償するステップ
を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18195192.2 | 2018-09-18 | ||
EP18195192.2A EP3627830A1 (en) | 2018-09-18 | 2018-09-18 | Image sensor and sensor device for imaging temporal and spatial contrast |
PCT/EP2019/070919 WO2020057846A1 (en) | 2018-09-18 | 2019-08-02 | Image sensor and sensor device for imaging temporal and spatial contrast |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022500974A true JP2022500974A (ja) | 2022-01-04 |
JP7175051B2 JP7175051B2 (ja) | 2022-11-18 |
Family
ID=63794275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021538897A Active JP7175051B2 (ja) | 2018-09-18 | 2019-08-02 | 時間的および空間的コントラストを画像化するための画像センサおよびセンサデバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11546543B2 (ja) |
EP (1) | EP3627830A1 (ja) |
JP (1) | JP7175051B2 (ja) |
KR (1) | KR102598514B1 (ja) |
CN (1) | CN112740655A (ja) |
WO (1) | WO2020057846A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009508085A (ja) * | 2005-06-03 | 2009-02-26 | ウニヴェルズィテート チューリッヒ | 時間依存性の画像データを検出するフォトアレイ |
JP2014183588A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-29 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージ獲得装置及びイメージ獲得装置の動作方法 |
WO2017009944A1 (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-19 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4704632A (en) * | 1986-03-20 | 1987-11-03 | Terminal Data Corporation | Electronic camera for digital processing of CCD data |
US6828540B2 (en) | 2000-07-06 | 2004-12-07 | California Institute Of Technology | Image sensor system operating with small amplitude scanning |
FR2844129B1 (fr) | 2002-09-03 | 2004-10-29 | Suisse Electronique Microtech | Procede et capteur pour determiner le contraste local d'une scene observee, par detection de la luminance emanant de cette scene |
EP2093996A1 (fr) | 2008-02-22 | 2009-08-26 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA Recherche et Développement | Capteur de vision pour la mésure d'invariants tels les contrastes et méthode pour effecture une telle mésure |
JP5696513B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2015-04-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2013090139A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Sony Corp | 撮像素子およびカメラシステム |
JP5960279B2 (ja) | 2011-12-19 | 2016-08-02 | ウニヴェルズィテート チューリッヒ | サンプル抽出された輝度の検知と時間依存性の画像データの非同期検出との同時実施などのためのフォトアレイ |
JP5984018B2 (ja) | 2013-02-21 | 2016-09-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および撮像装置 |
US20140347442A1 (en) | 2013-05-23 | 2014-11-27 | Yibing M. WANG | Rgbz pixel arrays, imaging devices, controllers & methods |
EP3047647B1 (en) * | 2013-09-16 | 2020-05-27 | Prophesee | Dynamic, single photodiode pixel circuit and operating method thereof |
US20160093273A1 (en) | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dynamic vision sensor with shared pixels and time division multiplexing for higher spatial resolution and better linear separable data |
CN106209091B (zh) | 2015-07-18 | 2019-07-19 | 芯视达系统公司 | 斜率持续变化的斜坡信号的实现方法 |
US9509332B1 (en) * | 2015-11-06 | 2016-11-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Dual sigma-delta analog-to-digital converter |
ES2755814T3 (es) * | 2016-04-04 | 2020-04-23 | Prophesee | Sensor de visión de contraste temporal basado en muestreos y retenciones |
JP6789678B2 (ja) | 2016-06-06 | 2020-11-25 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム |
WO2019078483A1 (ko) * | 2017-10-19 | 2019-04-25 | 광주과학기술원 | 프레임 레이트의 향상이 가능한 압축 센싱 이미지 센서 및 그의 동작 방법 |
US11330218B2 (en) * | 2018-08-22 | 2022-05-10 | Gigajot Technology, Inc. | Split-readout image sensor |
-
2018
- 2018-09-18 EP EP18195192.2A patent/EP3627830A1/en active Pending
-
2019
- 2019-08-02 CN CN201980060774.4A patent/CN112740655A/zh active Pending
- 2019-08-02 KR KR1020217006092A patent/KR102598514B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-02 WO PCT/EP2019/070919 patent/WO2020057846A1/en active Application Filing
- 2019-08-02 US US17/277,246 patent/US11546543B2/en active Active
- 2019-08-02 JP JP2021538897A patent/JP7175051B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009508085A (ja) * | 2005-06-03 | 2009-02-26 | ウニヴェルズィテート チューリッヒ | 時間依存性の画像データを検出するフォトアレイ |
JP2014183588A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-29 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージ獲得装置及びイメージ獲得装置の動作方法 |
WO2017009944A1 (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-19 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11546543B2 (en) | 2023-01-03 |
CN112740655A (zh) | 2021-04-30 |
EP3627830A1 (en) | 2020-03-25 |
KR102598514B1 (ko) | 2023-11-03 |
US20210352238A1 (en) | 2021-11-11 |
KR20210033045A (ko) | 2021-03-25 |
JP7175051B2 (ja) | 2022-11-18 |
WO2020057846A1 (en) | 2020-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10931905B2 (en) | Pixel array included in three-dimensional image sensor and method of operating three-dimensional image sensor | |
CN106101586B (zh) | 固态成像装置 | |
KR102159256B1 (ko) | 픽셀 어레이 및 이를 포함하는 이미지 센서 | |
TWI592016B (zh) | 固態成像器件及成像裝置,以及驅動影像感測器之方法 | |
US11381768B2 (en) | Image sensor with pixels including photodiodes sharing floating diffusion region | |
KR20110014089A (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 아날로그-디지털 변환 방법 및 전자기기 | |
US9544513B2 (en) | Image sensor having pixel architecture for capturing depth image and color image | |
CN104272723A (zh) | 特别用于将时变图像数据的取样亮度感测和异步检测相结合的光电阵列 | |
JP2011041091A (ja) | 固体撮像素子及び撮像システム | |
CN101010944A (zh) | 摄像装置及摄像结果的输出方法 | |
KR20100047825A (ko) | 고체 촬상 장치 | |
WO2009096313A1 (ja) | 固体撮像装置及びそれを含むx線ct装置 | |
CN102625059A (zh) | 用于移动式应用的cmos图像传感器的动态范围扩展 | |
TW201347530A (zh) | 圖像感測器、及圖像感測器之控制方法 | |
WO2018012068A1 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器 | |
US20230261025A1 (en) | Image sensor and electronic camera | |
KR20100135705A (ko) | 고체 촬상 장치 및 x선 검사 시스템 | |
KR20110005770A (ko) | 고체 촬상 장치 및 x선 검사 시스템 | |
TWI418213B (zh) | Solid-state imaging device | |
TWI822641B (zh) | 光感測裝置 | |
WO2010007962A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR20100103784A (ko) | 고체 촬상 장치 및 프레임 데이터 보정 방법 | |
JP2019514307A (ja) | 撮像センサおよび画像情報を読み出すための方法 | |
CN110336953B (zh) | 四元像素结构图像传感器及读取控制方法 | |
KR102598514B1 (ko) | 시간 종속 이미지 데이터를 검출하는 이미지 센서 및 센서 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7175051 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |