JP2022190871A - 化合物の製造方法、中間体及び化合物 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 225
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 31
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 25
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 11
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims abstract description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 85
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 75
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 58
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 48
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 42
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 38
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 36
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 17
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 16
- -1 oxime sulfonate Chemical class 0.000 description 26
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 25
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 22
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 16
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 16
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 15
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 13
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 9
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 8
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 7
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 7
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 6
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005750 substituted cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 3-(cycloundecen-1-yl)-1,2-diazacycloundec-2-ene Chemical compound C1CCCCCCCCC=C1C1=NNCCCCCCCC1 WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 2
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- PFKFTWBEEFSNDU-UHFFFAOYSA-N carbonyldiimidazole Chemical compound C1=CN=CN1C(=O)N1C=CN=C1 PFKFTWBEEFSNDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 2
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDNKZNFMNDZQMI-UHFFFAOYSA-N 1,3-diisopropylcarbodiimide Chemical compound CC(C)N=C=NC(C)C BDNKZNFMNDZQMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMDZBCPBFSXMTL-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide Substances CCN=C=NCCCN(C)C LMDZBCPBFSXMTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006218 1-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004293 19F NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004924 2-naphthylethyl group Chemical group C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)CC* 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- AZYTZQYCOBXDGY-UHFFFAOYSA-N 2-pyrrolidin-1-ylpyridine Chemical compound C1CCCN1C1=CC=CC=N1 AZYTZQYCOBXDGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDFXRVAOBHEBGJ-UHFFFAOYSA-N 3-(cyclononen-1-yl)-4,5,6,7,8,9-hexahydro-1h-diazonine Chemical compound C1CCCCCCC=C1C1=NNCCCCCC1 QDFXRVAOBHEBGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPQQSJJWHUJYPU-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)propyliminomethylidene-ethylazanium;chloride Chemical compound Cl.CCN=C=NCCCN(C)C FPQQSJJWHUJYPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229960000549 4-dimethylaminophenol Drugs 0.000 description 1
- HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 8-[3-(1-cyclopropylpyrazol-4-yl)-1H-pyrazolo[4,3-d]pyrimidin-5-yl]-3-methyl-3,8-diazabicyclo[3.2.1]octan-2-one Chemical class C1(CC1)N1N=CC(=C1)C1=NNC2=C1N=C(N=C2)N1C2C(N(CC1CC2)C)=O HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQJUJGAVDBINPI-UHFFFAOYSA-N 9H-thioxanthene Chemical group C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3SC2=C1 PQJUJGAVDBINPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100326791 Caenorhabditis elegans cap-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical compound C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- DWAQJAXMDSEUJJ-UHFFFAOYSA-M Sodium bisulfite Chemical compound [Na+].OS([O-])=O DWAQJAXMDSEUJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000956368 Trittame loki CRISP/Allergen/PR-1 Proteins 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000005192 alkyl ethylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000037396 body weight Effects 0.000 description 1
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N nitro(phenyl)methanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C([N+]([O-])=O)C1=CC=CC=C1 IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 150000004010 onium ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 description 1
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- GJSGGHOYGKMUPT-UHFFFAOYSA-N phenoxathiine Chemical group C1=CC=C2OC3=CC=CC=C3SC2=C1 GJSGGHOYGKMUPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical group C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229910001419 rubidium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229940079827 sodium hydrogen sulfite Drugs 0.000 description 1
- 235000010267 sodium hydrogen sulphite Nutrition 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 description 1
- 125000002345 steroid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001427 strontium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical group C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- GVIJJXMXTUZIOD-UHFFFAOYSA-N thianthrene Chemical group C1=CC=C2SC3=CC=CC=C3SC2=C1 GVIJJXMXTUZIOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003258 trimethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物の高収率な製造方法の提供。【解決手段】一般式（Ｃ－１）で表される化合物、及び、一般式（Ｃ－２）で表される化合物を縮合反応させて、一般式（ｂ０ｐ）で表される化合物（Ｂ０ｐ）を得る工程と、化合物（Ｂ０ｐ）、及び、一般式（Ｃ－３）で表される化合物をイオン交換反応させて、一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を得る工程とを有する、化合物の製造方法。TIFF2022190871000077.tif44170（式中、Ｘ０は、Ｉ等、Ｒｍは、ヒドロキシ基等、ａ及びｂは、ヒドロキシ基、又はカルボキシ基、Ｌ０２及びＶｂ０は、単結合等、Ｒ０は、Ｈ等、Ｍｐｍ’＋は、有機アンモニウムカチオン等、Ｌ００１は、エステル結合、Ｘ－は、対アニオン、Ｍｍ＋は、有機カチオン）【選択図】なし
Description
本発明は、化合物の製造方法、中間体及び化合物に関する。
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
レジストパターンの形成においては、露光により酸発生剤成分から発生する酸の挙動がリソグラフィー特性に大きな影響を与える一要素とされる。
化学増幅型レジスト組成物において使用される酸発生剤としては、これまで多種多様なものが提案されている。例えば、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤などが知られている。
オニウム塩系酸発生剤としては、主に、カチオン部にトリフェニルスルホニウム等のオニウムイオンを有するものが用いられている。オニウム塩系酸発生剤のアニオン部には、一般的に、アルキルスルホン酸イオンやそのアルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたフッ素化アルキルスルホン酸イオンが用いられている。
化学増幅型レジスト組成物において使用される酸発生剤としては、これまで多種多様なものが提案されている。例えば、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤などが知られている。
オニウム塩系酸発生剤としては、主に、カチオン部にトリフェニルスルホニウム等のオニウムイオンを有するものが用いられている。オニウム塩系酸発生剤のアニオン部には、一般的に、アルキルスルホン酸イオンやそのアルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたフッ素化アルキルスルホン酸イオンが用いられている。
リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が進むなか、リソグラフィー特性向上のため、多種多様な酸発生剤が開発されている。そして、該酸発生剤を高収率で得ることのできる製造方法が求められている。
例えば、特許文献１には、第１のアンモニウム塩化合物に、孤立電子対を有する含窒素化合物を反応させて製造される第２のアンモニウム塩化合物の製造方法であって、前記第１のアンモニウム塩化合物は、１級、２級又は３級の第１のアンモニウムカチオンを有し、前記含窒素化合物の共役酸は、前記第１のアンモニウムカチオンよりも酸解離定数（ｐＫａ）が大きいことを特徴とする、アンモニウム塩化合物の製造方法、及び、この製造方法により製造されるアンモニウム塩化合物と、当該含窒素化合物の共役酸よりも疎水性が高いスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンと、を塩交換させる工程を有する化合物の製造方法が開示されている。また、特許文献１の実施例では、アニオン部に比較的親水性の高い－ＳＯ２－含有環式基を有する化合物の製造方法が開示されている。この化合物の製造方法によれば、不純物の少ない酸発生剤を高収率で得られると開示されている。
リソグラフィー特性のさらなる向上のため、オニウム塩系酸発生剤のアニオン部の構造について、様々な検討がされている。例えば、ヨウ素原子又は臭素原子を有するベンゼン環をアニオン部に含み、比較的疎水性の高いオニウム塩系酸発生剤が開発されている。このようなアニオン部が特定の構造を有するオニウム塩系酸発生剤においては、特許文献１に記載されたような従来の化合物の製造方法では、収率が十分ではなく、この所望とする構造に応じた最適な製造方法が求められている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物を高収率で得られる化合物の製造方法、該化合物の中間体、及び、該化合物の製造方法により用いられる化合物を提供することを課題とする。
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物、及び、下記一般式（Ｃ－２）で表される化合物を縮合反応させて、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される化合物（Ｂ０ｐ）を得る工程と、前記化合物（Ｂ０ｐ）、及び、下記一般式（Ｃ－３）で表される化合物をイオン交換反応させて、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を得る工程とを有する、化合物の製造方法である。
すなわち、本発明の第１の態様は、下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物、及び、下記一般式（Ｃ－２）で表される化合物を縮合反応させて、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される化合物（Ｂ０ｐ）を得る工程と、前記化合物（Ｂ０ｐ）、及び、下記一般式（Ｃ－３）で表される化合物をイオン交換反応させて、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を得る工程とを有する、化合物の製造方法である。
本発明の第２の態様は、本発明の第１の態様の化合物の製造方法に用いられる中間体であって、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される、中間体である。
本発明の第３の態様は、下記一般式（ｂ０－ｐ－１）で表される、化合物である。
本発明によれば、レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物を高収率で得ることができる。
本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン原子」は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子（－Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（－ＣＨ２－）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン原子」は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子（－Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（－ＣＨ２－）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
本明細書及び本特許請求の範囲において、化学式で表される構造によっては、不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒ）やジアステレオ異性体（ｄｉａｓｔｅｒｅｏｍｅｒ）が存在し得るものがある。その場合は一つの化学式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。
（化合物の製造方法）
本実施形態の化合物の製造方法は、下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物、及び、下記一般式（Ｃ－２）で表される化合物を縮合反応させて、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される化合物（Ｂ０ｐ）を得る工程（以下、「工程Ａ」ともいう）と、前記化合物（Ｂ０ｐ）、及び、下記一般式（Ｃ－３）で表される化合物をイオン交換反応させて、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を得る工程（以下、「工程Ｂ」ともいう）とを有する。
本実施形態の化合物の製造方法は、下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物、及び、下記一般式（Ｃ－２）で表される化合物を縮合反応させて、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される化合物（Ｂ０ｐ）を得る工程（以下、「工程Ａ」ともいう）と、前記化合物（Ｂ０ｐ）、及び、下記一般式（Ｃ－３）で表される化合物をイオン交換反応させて、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を得る工程（以下、「工程Ｂ」ともいう）とを有する。
本実施形態の化合物の製造方法により製造される化合物は、レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物である。具体的には、該化合物は、アニオン部にＥＵＶやＥＢに対する高い吸収断面積を有するヨウ素原子を有する。よって、従来のヨウ素原子を有さない酸発生剤よりもＥＵＶやＥＢに対する感度を向上させることができる。また、アニオン部にヨウ素原子を有するため、現像液に対する溶解性も適度に調整できる。
したがって、レジスト組成物に該化合物を含有させることで、リソグラフィー特性をより向上させることができる。
したがって、レジスト組成物に該化合物を含有させることで、リソグラフィー特性をより向上させることができる。
＜工程Ａ＞
工程Ａは、下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物（以下、「化合物（Ｃ１）」ともいう）、及び、下記一般式（Ｃ－２）で表される化合物（以下、「化合物（Ｃ２）」ともいう）を縮合反応させて、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される化合物（Ｂ０ｐ）（以下、「化合物（Ｂ０ｐ）」ともいう）を得る工程である。
工程Ａは、下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物（以下、「化合物（Ｃ１）」ともいう）、及び、下記一般式（Ｃ－２）で表される化合物（以下、「化合物（Ｃ２）」ともいう）を縮合反応させて、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される化合物（Ｂ０ｐ）（以下、「化合物（Ｂ０ｐ）」ともいう）を得る工程である。
≪化合物（Ｃ１）≫
化合物（Ｃ１）は、下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物である。
化合物（Ｃ１）は、下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物である。
上記一般式（Ｃ－１）中、Ｘ０は、臭素原子又はヨウ素原子であり、ヨウ素原子であることが好ましい。
上記一般式（Ｃ－１）中、Ｒｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。Ｒｍにおけるアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。
上記一般式（Ｃ－１）中、Ｒｍは、上記の中でも、ヒドロキシ基、又は、フッ素原子であることが好ましい。
上記一般式（Ｃ－１）中、Ｒｍは、上記の中でも、ヒドロキシ基、又は、フッ素原子であることが好ましい。
上記一般式（Ｃ－１）中、ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。
ｎｂ１は、１～３の整数であることが好ましい。
ｎｂ２は、０～３の整数であることが好ましく、０又は１であることがより好ましい。
ｎｂ１は、１～３の整数であることが好ましい。
ｎｂ２は、０～３の整数であることが好ましく、０又は１であることがより好ましい。
上記一般式（Ｃ－１）中、ａは、ヒドロキシ基、又は、カルボキシ基であり、ａ及び後述するｂは、一方は、ヒドロキシ基であり、他方は、カルボキシ基である。
本実施形態の化合物の製造方法における化合物（Ｃ１）の具体例を以下に示す。
≪化合物（Ｃ２）≫
化合物（Ｃ２）は、下記一般式（Ｃ－２）で表される化合物である。
化合物（Ｃ２）は、下記一般式（Ｃ－２）で表される化合物である。
上記一般式（Ｃ－２）中、ｂは、ヒドロキシ基、又は、カルボキシ基であり、上述したａ及びｂは、一方は、ヒドロキシ基であり、他方は、カルボキシ基である。
上記一般式（Ｃ－２）中、ｚは、０～１０の整数であり、０～５の整数であることが好ましく、０～３の整数であることがより好ましい。
上記一般式（Ｃ－２）中、Ｌ０２は、単結合、アルキレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒａ）－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｎ（Ｒａ）－、－Ｃ（Ｒａ）（Ｒａ）－Ｎ（Ｒａ）－、－Ｃ（Ｒａ）（Ｎ（Ｒａ）（Ｒａ））－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒａ）－である。Ｒａは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。
Ｌ０２におけるアルキレン基、及び、Ｒａにおけるアルキル基は、それぞれ、炭素原子数１～４であることが好ましく、炭素原子数１～３であることがより好ましい。
Ｌ０２におけるアルキレン基、及び、Ｒａにおけるアルキル基は、それぞれ、炭素原子数１～４であることが好ましく、炭素原子数１～３であることがより好ましい。
上記一般式（Ｃ－２）中、Ｌ０２は、上記の中でも、単結合、－ＯＣＯ－、又は、－ＣＯＯ－であることが好ましく、単結合、又は、－ＣＯＯ－であることがより好ましく、単結合であることがさらに好ましい。
上記一般式（Ｃ－２）中、Ｖｂ０は、アルキレン基、フッ素化アルキレン基又は単結合である。
Ｖｂ０におけるアルキレン基、フッ素化アルキレン基は、それぞれ、炭素原子数１～４であることが好ましく、炭素原子数１～３であることがより好ましい。Ｖｂ０におけるフッ素化アルキレン基としては、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。なかでも、Ｖｂ０は、炭素原子数１～４のアルキレン基、炭素原子数１～４のフッ素化アルキレン基又は単結合であることが好ましく、炭素原子数１～３のアルキレン基の水素原子の一部がフッ素原子で置換された基又は単結合であることがより好ましい。
Ｖｂ０におけるアルキレン基、フッ素化アルキレン基は、それぞれ、炭素原子数１～４であることが好ましく、炭素原子数１～３であることがより好ましい。Ｖｂ０におけるフッ素化アルキレン基としては、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。なかでも、Ｖｂ０は、炭素原子数１～４のアルキレン基、炭素原子数１～４のフッ素化アルキレン基又は単結合であることが好ましく、炭素原子数１～３のアルキレン基の水素原子の一部がフッ素原子で置換された基又は単結合であることがより好ましい。
上記一般式（Ｃ－２）中、Ｒ０は、水素原子、炭素数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｒ０は、フッ素原子又は炭素原子数１～５のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子がより好ましい。
上記一般式（Ｃ－２）中、Ｍｐｍ’＋は、金属カチオン、又は、ＬｏｇＰが４．８以下の有機アンモニウムカチオンである。ｍ’は１以上の整数である。
・金属カチオン
金属カチオンとしては、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ルビジウムイオン、ストロンチウムイオン、イットリウムイオン等が挙げられる。
その中でも、アルカリ金属イオン、又は、アルカリ土類金属イオンであることが好ましく、アルカリ金属イオンであることがより好ましく、ナトリウムイオン又はリチウムイオンがさらに好ましく、ナトリウムイオンが特に好ましい。
金属カチオンとしては、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ルビジウムイオン、ストロンチウムイオン、イットリウムイオン等が挙げられる。
その中でも、アルカリ金属イオン、又は、アルカリ土類金属イオンであることが好ましく、アルカリ金属イオンであることがより好ましく、ナトリウムイオン又はリチウムイオンがさらに好ましく、ナトリウムイオンが特に好ましい。
・ＬｏｇＰが４．８以下の有機アンモニウムカチオン
有機アンモニウムカチオンとしては、ＬｏｇＰが４．８以下であれば、特に限定されない。なお、該有機アンモニウムカチオンの下限値は、特に限定されず、例えば、－１．０以上である。
有機アンモニウムカチオンとしては、ＬｏｇＰが４．８以下であれば、特に限定されない。なお、該有機アンモニウムカチオンの下限値は、特に限定されず、例えば、－１．０以上である。
「ＬｏｇＰ値」とは、オクタノール／水分配係数（Ｐｏｗ）の対数値をいう。「ＬｏｇＰ値」は、広範囲の化合物に対し、その親水性／疎水性を特徴づけることのできる有効なパラメータである。一般的には、実験によらず計算によって分配係数は求められ、本発明においては、ＣＡＣｈｅ Ｗｏｒｋ Ｓｙｓｔｅｍ Ｐｒｏ Ｖｅｒｓｉｏｎ ６．１．１２．３３により計算された値を意味する。
ＬｏｇＰ値が０をはさんでプラス側に大きくなると疎水性が増し、マイナス側で絶対値が大きくなると水溶性が増す（高極性である）ことを意味する。ＬｏｇＰ値は、有機化合物の水溶性と負の相関があり、有機化合物の親疎水性を見積もるパラメータとして広く利用されている。
ＬｏｇＰ値が０をはさんでプラス側に大きくなると疎水性が増し、マイナス側で絶対値が大きくなると水溶性が増す（高極性である）ことを意味する。ＬｏｇＰ値は、有機化合物の水溶性と負の相関があり、有機化合物の親疎水性を見積もるパラメータとして広く利用されている。
本実施形態の化合物の製造方法における化合物（Ｃ２）のカチオン部が有機アンモニウムカチオンであり、かつ、ＬｏｇＰが４．８以下である場合、後述する工程Ｂの反応が円滑に進行し、収率が向上する。また、不純物少なく目的の化合物を得ることができる。
該有機アンモニウムカチオンとして、具体的には、下記一般式（ｃａ－ｐ－１）で表されるカチオン、又は、下記一般式（ｃａ－ｐ－２）で表されるカチオン等が挙げられる。
上記一般式（ｃａ－ｐ－１）中、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭化水素基、又は、水素原子である。Ｒ１～Ｒ４における炭化水素基としては、それぞれ独立に、炭素原子数１～１５の炭化水素基が好ましく、炭素原子数１～１０の炭化水素基がより好ましい。また、Ｒ１～Ｒ４における炭化水素基の炭素原子数の合計は、１～２０であることが好ましく、３～１８であることがより好ましく、４～１５であることがさらに好ましい。
該炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は環状の炭化水素基が挙げられる。
該直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基としては、炭素原子数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。
該環状の炭化水素基としては、肪族炭化水素基でも芳香族炭化水素基でもよい。
環状の肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
環状の肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
環状の芳香族炭化水素基としては、フェニル基が好ましい。
Ｒ１～Ｒ４における炭化水素基が有してもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、オキソ基（＝Ｏ）、アミノ基等が挙げられる。
上記一般式（ｃａ－ｐ－２）中、Ｒ１１は、当該Ｒ１１が結合した窒素原子と共に芳香環を形成する基である。該芳香環は、４～７員環が好ましく、４～６員環がより好ましく、６員環がさらに好ましい。
上記一般式（ｃａ－ｐ－２）中、Ｒ１２はアルキル基であり、上記Ｒ１～Ｒ４における直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基と同様のものが挙げられる。
上記一般式（ｃａ－ｐ－２）中、ｙは０～５の整数であり、１又は０であることが好ましく、０であることがより好ましい。
化合物（Ｃ２）のカチオン部の具体例、及び、ＣＡＣｈｅ Ｗｏｒｋ Ｓｙｓｔｅｍ Ｐｒｏ Ｖｅｒｓｉｏｎ ６．１．１２．３３により計算されたＬｏｇＰ値を以下に示す。
上記一般式（Ｃ－２）中、Ｍｐｍ’＋は、上記の中でも、より不純物が少なく、高収率で目的の化合物を製造できる観点から、ＬｏｇＰが４．８以下の有機アンモニウムカチオンであることが好ましく、ＬｏｇＰが４．８以下の上記一般式（ｃａ－ｐ－１）又は（ｃａ－ｐ－２）で表されるカチオンがより好ましい。
本実施形態の化合物の製造方法における化合物（Ｃ２）の具体例を以下に示す。
≪化合物（Ｂ０ｐ）≫
化合物（Ｂ０ｐ）は、上述した化合物（Ｃ１）及び化合物（Ｃ２）縮合反応させることにより得られる、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される化合物である。
化合物（Ｂ０ｐ）は、上述した化合物（Ｃ１）及び化合物（Ｃ２）縮合反応させることにより得られる、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される化合物である。
上記一般式（ｂ０－ｐ）中のＸ０、Ｒｍ、ｎｂ１及びｎｂ２は、上述した一般式（Ｃ－１）中のＸ０、Ｒｍ、ｎｂ１及びｎｂ２とそれぞれ同一である。
上記一般式（ｂ０－ｐ）中のｚ、Ｌ０２、Ｖｂ０、Ｒ０、Ｍｐｍ’＋及びｍ’は、上述した一般式（Ｃ－２）中のｚ、Ｌ０２、Ｖｂ０、Ｒ０、Ｍｐｍ’＋及びｍ’とそれぞれ同一である。
上記一般式（ｂ０－ｐ）中のＬ００１は、上述した化合物（Ｃ１）におけるａと、化合物（Ｃ２）におけるｂとが縮合反応することにより形成されるエステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－］である。
本実施形態の化合物の製造方法における化合物（Ｂ０ｐ）の具体例を以下に示す。
工程Ａにおける縮合反応は、縮合剤及び塩基触媒（添加剤）存在下で行ってもよい。
縮合剤として、具体的には、Ｎ，Ｎ’－ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ，Ｎ’－ジイソプロピルカルボジイミド（ＤＩＣ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、カルボニルジイミダゾール（ＣＤＩ）等が挙げられる。
塩基触媒としては、具体的には、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどの三級アミン類、ピリジン、ピロリジノピリジン、４－（ジメチルアミノ）ピリジン（ＤＭＡＰ）などの芳香族アミン類、ジアザビシクロノネン（ＤＢＮ）、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）等が挙げられる。
縮合剤として、具体的には、Ｎ，Ｎ’－ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ，Ｎ’－ジイソプロピルカルボジイミド（ＤＩＣ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、カルボニルジイミダゾール（ＣＤＩ）等が挙げられる。
塩基触媒としては、具体的には、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどの三級アミン類、ピリジン、ピロリジノピリジン、４－（ジメチルアミノ）ピリジン（ＤＭＡＰ）などの芳香族アミン類、ジアザビシクロノネン（ＤＢＮ）、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）等が挙げられる。
また、工程Ａにおける縮合反応は、酸触媒存在下で行ってもよい。
酸触媒としては、具体的には、五酸化二リン、メタンスルホン酸等が挙げられる。
酸触媒としては、具体的には、五酸化二リン、メタンスルホン酸等が挙げられる。
工程Ａの反応時間は、例えば、５分間以上２４時間以下が好ましく、１０～１２０分間がより好ましく、１０～６０分間がさらに好ましい。
工程Ａの反応温度は、０～５０℃が好ましく、１０～３０℃がより好ましい。
工程Ａの反応温度は、０～５０℃が好ましく、１０～３０℃がより好ましい。
工程Ａの反応溶媒としては、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、プロピオニトリル、Ｎ，Ｎ’－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
縮合反応が終了した後、反応液中の化合物を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、例えば、濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等を適宜組み合わせて用いることができる。
＜工程Ｂ＞
工程Ｂは、上述した化合物（Ｂ０ｐ）、及び、下記一般式（Ｃ－３）で表される化合物をイオン交換反応させて、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を得る工程である。
工程Ｂは、上述した化合物（Ｂ０ｐ）、及び、下記一般式（Ｃ－３）で表される化合物をイオン交換反応させて、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を得る工程である。
≪化合物（Ｃ３）≫
化合物（Ｃ３）は、下記一般式（Ｃ－３）で表される化合物である。
化合物（Ｃ３）は、下記一般式（Ｃ－３）で表される化合物である。
上記一般式（Ｃ－３）中、Ｘ－は、対アニオンである。Ｘ－としては、化合物（Ｂ０ｐ）よりも酸性度が低い酸になり得るイオンが挙げられ、具体的には、臭素イオン、塩素イオン等のハロゲンイオン、ＢＦ４
－、ＡｓＦ６
－、ＳｂＦ６
－、ＰＦ６
－、ＣｌＯ４
－等が挙げられる。
上記一般式（Ｃ－３）中、Ｍｍ＋は、ｍ価の有機カチオンを表す。ｍは１以上の整数である。この中でも、Ｍｍ＋は、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが好ましい。
好ましいカチオン部（（Ｍｍ＋）１／ｍ）としては、下記の一般式（ｃａ－１）～（ｃａ－５）でそれぞれ表される有機カチオンが挙げられる。
上記の一般式（ｃａ－１）～（ｃａ－５）中、Ｒ２０１～Ｒ２０７、およびＲ２１１～Ｒ２１２におけるアリール基としては、炭素原子数６～２０の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
Ｒ２０１～Ｒ２０７、およびＲ２１１～Ｒ２１２におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素原子数１～３０のものが好ましい。
Ｒ２０１～Ｒ２０７、およびＲ２１１～Ｒ２１２におけるアルケニル基としては、炭素原子数が２～１０であることが好ましい。
Ｒ２０１～Ｒ２０７、およびＲ２１０～Ｒ２１２が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、シアノ基、アミノ基、アリール基、下記の一般式（ｃａ－ｒ－１）～（ｃａ－ｒ－７）でそれぞれ表される基が挙げられる。
Ｒ２０１～Ｒ２０７、およびＲ２１１～Ｒ２１２におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素原子数１～３０のものが好ましい。
Ｒ２０１～Ｒ２０７、およびＲ２１１～Ｒ２１２におけるアルケニル基としては、炭素原子数が２～１０であることが好ましい。
Ｒ２０１～Ｒ２０７、およびＲ２１０～Ｒ２１２が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、シアノ基、アミノ基、アリール基、下記の一般式（ｃａ－ｒ－１）～（ｃａ－ｒ－７）でそれぞれ表される基が挙げられる。
置換基を有してもよい環式基：
該環式基は、環状の炭化水素基であることが好ましく、該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。また、脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
該環式基は、環状の炭化水素基であることが好ましく、該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。また、脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
Ｒ’２０１における芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素原子数は３～３０であることが好ましく、炭素原子数５～３０がより好ましく、炭素原子数５～２０がさらに好ましく、炭素原子数６～１５が特に好ましく、炭素原子数６～１０が最も好ましい。ただし、該炭素原子数には、置換基における炭素原子数を含まないものとする。
Ｒ’２０１における芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ビフェニル、又はこれらの芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環などが挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
Ｒ’２０１における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香環から水素原子を１つ除いた基（アリール基：例えばフェニル基、ナフチル基など）、前記芳香環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えばベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記アルキレン基（アリールアルキル基中のアルキル鎖）の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、炭素原子数１～２がより好ましく、炭素原子数１が特に好ましい。
Ｒ’２０１における芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ビフェニル、又はこれらの芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環などが挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
Ｒ’２０１における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香環から水素原子を１つ除いた基（アリール基：例えばフェニル基、ナフチル基など）、前記芳香環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えばベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記アルキレン基（アリールアルキル基中のアルキル鎖）の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、炭素原子数１～２がより好ましく、炭素原子数１が特に好ましい。
Ｒ’２０１における環状の脂肪族炭化水素基は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基が挙げられる。
この構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を１個除いた基）、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素原子数が３～２０であることが好ましく、３～１２であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～３０のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン；ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。
この構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を１個除いた基）、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素原子数が３～２０であることが好ましく、３～１２であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～３０のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン；ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。
なかでも、Ｒ’２０１における環状の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンから水素原子を１つ以上除いた基が好ましく、ポリシクロアルカンから水素原子を１つ除いた基がより好ましく、アダマンチル基、ノルボルニル基が特に好ましく、アダマンチル基が最も好ましい。
脂環式炭化水素基に結合してもよい、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が１～１０であることが好ましく、炭素原子数１～６がより好ましく、炭素原子数１～４がさらに好ましく、炭素原子数１～３が特に好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［－ＣＨ２－］、エチレン基［－（ＣＨ２）２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ２）３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ２）４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ２）５－］等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２－ＣＨ２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［－ＣＨ２－］、エチレン基［－（ＣＨ２）２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ２）３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ２）４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ２）５－］等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２－ＣＨ２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。
また、Ｒ’２０１における環状の炭化水素基は、複素環等のようにヘテロ原子を含んでもよい。具体的には、下記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、下記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される－ＳＯ２－含有環式基、その他下記の化学式（ｒ－ｈｒ－１）～（ｒ－ｈｒ－１６）でそれぞれ表される複素環式基が挙げられる。
Ｒ’２０１の環式基における置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が最も好ましい。
置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
置換基としてのカルボニル基は、環状の炭化水素基を構成するメチレン基（－ＣＨ２－）を置換する基である。
置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が最も好ましい。
置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
置換基としてのカルボニル基は、環状の炭化水素基を構成するメチレン基（－ＣＨ２－）を置換する基である。
置換基を有してもよい鎖状のアルキル基：
Ｒ’２０１の鎖状のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよい。
直鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が１～２０であることが好ましく、炭素原子数１～１５であることがより好ましく、炭素原子数１～１０が最も好ましい。
分岐鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が３～２０であることが好ましく、炭素原子数３～１５であることがより好ましく、炭素原子数３～１０が最も好ましい。具体的には、例えば、１－メチルエチル基、１－メチルプロピル基、２－メチルプロピル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基などが挙げられる。
Ｒ’２０１の鎖状のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよい。
直鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が１～２０であることが好ましく、炭素原子数１～１５であることがより好ましく、炭素原子数１～１０が最も好ましい。
分岐鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が３～２０であることが好ましく、炭素原子数３～１５であることがより好ましく、炭素原子数３～１０が最も好ましい。具体的には、例えば、１－メチルエチル基、１－メチルプロピル基、２－メチルプロピル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基などが挙げられる。
置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基：
Ｒ’２０１の鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素原子数が２～１０であることが好ましく、炭素原子数２～５がより好ましく、炭素原子数２～４がさらに好ましく、炭素原子数３が特に好ましい。直鎖状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基（アリル基）、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば、１－メチルビニル基、２－メチルビニル基、１－メチルプロペニル基、２－メチルプロペニル基などが挙げられる。
鎖状のアルケニル基としては、上記の中でも、直鎖状のアルケニル基が好ましく、ビニル基、プロペニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。
Ｒ’２０１の鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素原子数が２～１０であることが好ましく、炭素原子数２～５がより好ましく、炭素原子数２～４がさらに好ましく、炭素原子数３が特に好ましい。直鎖状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基（アリル基）、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば、１－メチルビニル基、２－メチルビニル基、１－メチルプロペニル基、２－メチルプロペニル基などが挙げられる。
鎖状のアルケニル基としては、上記の中でも、直鎖状のアルケニル基が好ましく、ビニル基、プロペニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。
Ｒ’２０１の鎖状のアルキル基またはアルケニル基における置換基としては、たとえば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、上記Ｒ’２０１における環式基等が挙げられる。
Ｒ’２０１の置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基は、上述したものの他、置換基を有してもよい環式基又は置換基を有してもよい鎖状のアルキル基として、下記式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基であってもよい。
Ｒａ’４～Ｒａ’６の炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、鎖状もしくは環状のアルケニル基、又は、環状の炭化水素基が挙げられる。
なかでも、Ｒ’２０１は、置換基を有してもよい環式基が好ましく、置換基を有してもよい環状の炭化水素基であることがより好ましい。より具体的には、例えば、フェニル基、ナフチル基、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；前記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表されるラクトン含有環式基；前記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される－ＳＯ２－含有環式基などが好ましい。
上記の一般式（ｃａ－１）～（ｃａ－５）中、Ｒ２０１～Ｒ２０３、Ｒ２０６～Ｒ２０７、Ｒ２１１～Ｒ２１２は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、硫黄原子、酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子や、カルボニル基、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、－ＳＯ３－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－または－Ｎ（ＲＮ）－（該ＲＮは炭素原子数１～５のアルキル基である。）等の官能基を介して結合してもよい。形成される環としては、式中のイオウ原子をその環骨格に含む１つの環が、イオウ原子を含めて、３～１０員環であることが好ましく、５～７員環であることが特に好ましい。形成される環の具体例としては、例えばチオフェン環、チアゾール環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、９Ｈ－チオキサンテン環、チオキサントン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、テトラヒドロチオフェニウム環、テトラヒドロチオピラニウム環等が挙げられる。
Ｒ２０８～Ｒ２０９は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数１～５のアルキル基を表し、水素原子又は炭素原子数１～３のアルキル基が好ましく、アルキル基となる場合、相互に結合して環を形成してもよい。
Ｒ２１０は、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、又は置換基を有してもよいＳＯ２－含有環式基である。
Ｒ２１０におけるアリール基としては、炭素原子数６～２０の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
Ｒ２１０におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素原子数１～３０のものが好ましい。
Ｒ２１０におけるアルケニル基としては、炭素原子数が２～１０であることが好ましい。
Ｒ２１０における、置換基を有してもよいＳＯ２－含有環式基としては、「－ＳＯ２－含有多環式基」が好ましく、上記一般式（ａ５－ｒ－１）で表される基がより好ましい。
Ｒ２１０におけるアリール基としては、炭素原子数６～２０の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
Ｒ２１０におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素原子数１～３０のものが好ましい。
Ｒ２１０におけるアルケニル基としては、炭素原子数が２～１０であることが好ましい。
Ｒ２１０における、置換基を有してもよいＳＯ２－含有環式基としては、「－ＳＯ２－含有多環式基」が好ましく、上記一般式（ａ５－ｒ－１）で表される基がより好ましい。
Ｙ２０１は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基又はアルケニレン基を表す。
Ｙ２０１におけるアリーレン基は、炭素原子数６～２０の無置換のアリーレン基が挙げられる。
Ｙ２０１におけるアルキレン基、アルケニレン基は、炭素原子数６～２０の無置換のアルキレン基、アルケニレン基が挙げられる。
Ｙ２０１におけるアリーレン基は、炭素原子数６～２０の無置換のアリーレン基が挙げられる。
Ｙ２０１におけるアルキレン基、アルケニレン基は、炭素原子数６～２０の無置換のアルキレン基、アルケニレン基が挙げられる。
前記式（ｃａ－４）中、ｘは、１または２である。
Ｗ２０１は、（ｘ＋１）価、すなわち２価または３価の連結基である。
Ｗ２０１における２価の連結基としては、置換基を有してもよい２価の炭化水素基が例示できる。Ｗ２０１における２価の連結基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、環状であることが好ましい。なかでも、アリーレン基の両端に２個のカルボニル基が組み合わされた基が好ましい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、フェニレン基が特に好ましい。
Ｗ２０１における３価の連結基としては、前記Ｗ２０１における２価の連結基から水素原子を１個除いた基、前記２価の連結基にさらに前記２価の連結基が結合した基などが挙げられる。Ｗ２０１における３価の連結基としては、アリーレン基に２個のカルボニル基が結合した基が好ましい。
Ｗ２０１は、（ｘ＋１）価、すなわち２価または３価の連結基である。
Ｗ２０１における２価の連結基としては、置換基を有してもよい２価の炭化水素基が例示できる。Ｗ２０１における２価の連結基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、環状であることが好ましい。なかでも、アリーレン基の両端に２個のカルボニル基が組み合わされた基が好ましい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、フェニレン基が特に好ましい。
Ｗ２０１における３価の連結基としては、前記Ｗ２０１における２価の連結基から水素原子を１個除いた基、前記２価の連結基にさらに前記２価の連結基が結合した基などが挙げられる。Ｗ２０１における３価の連結基としては、アリーレン基に２個のカルボニル基が結合した基が好ましい。
前記式（ｃａ－１）で表される好適なカチオンとして具体的には、下記の化学式（ｃａ－１－１）～（ｃａ－１－７２）でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。
前記式（ｃａ－２）で表される好適なカチオンとして具体的には、ジフェニルヨードニウムカチオン、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムカチオン等が挙げられる。
前記式（ｃａ－３）で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式（ｃａ－３－１）～（ｃａ－３－６）でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。
前記式（ｃａ－４）で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式（ｃａ－４－１）～（ｃａ－４－２）でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。
前記式（ｃａ－５）で表される好適なカチオンとして具体的には、下記一般式（ｃａ－５－１）～（ｃａ－５－３）でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。
上記の中でも、カチオン部（（Ｍｍ＋）１／ｍ）は、一般式（ｃａ－１）又は（ｃａ－２）で表されるカチオンが好ましい。
≪化合物（Ｂ０）≫
化合物（Ｂ０）は、上述した化合物（Ｂ０ｐ）、及び、化合物（Ｃ３）イオン交換反応させることにより得られる、下記一般式（ｂ０）で表される化合物である。
化合物（Ｂ０）は、上述した化合物（Ｂ０ｐ）、及び、化合物（Ｃ３）イオン交換反応させることにより得られる、下記一般式（ｂ０）で表される化合物である。
化合物（Ｂ０）のアニオン部は、上述した化合物（Ｂ０ｐ）のアニオン部と同一である。
化合物（Ｂ０）のカチオン部は、上述した化合物（Ｃ３）のカチオン部と同一である。
化合物（Ｂ０）のカチオン部は、上述した化合物（Ｃ３）のカチオン部と同一である。
本実施形態の化合物の製造方法における化合物（Ｂ０）の具体例を以下に示す。
工程Ｂの反応時間は、例えば、０．５分間以上２４時間以下が好ましく、５分間以上１２時間以下がより好ましく、１０～６０分間がさらに好ましい。
工程Ｂの反応温度は、０～５０℃が好ましく、１０～３０℃がより好ましい。
工程Ｂの反応温度は、０～５０℃が好ましく、１０～３０℃がより好ましい。
工程Ｂの反応溶媒としては、例えば、有機溶媒と水との混合溶媒であることが好ましい。該有機溶媒としては、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン等のケトン系溶媒；ジエチルエーテル、ｔ－ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒；テトラヒドロフラン、１，３－ジオキソラン、ジクロロメタン、１，２－ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒；酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒、プロピオニトリル又はこれらの混合溶剤等が挙げられる。
塩交換反応が終了した後、反応液中の化合物を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、例えば、濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等を適宜組み合わせて用いることができる。
上記のようにして得られる化合物の構造は、１Ｈ－核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトル法、１３Ｃ－ＮＭＲスペクトル法、１９Ｆ－ＮＭＲスペクトル法、赤外線吸収（ＩＲ）スペクトル法、質量分析（ＭＳ）法、元素分析法、Ｘ線結晶回折法等の一般的な有機分析法により同定できる。
上記のようにして得られる化合物の構造は、１Ｈ－核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトル法、１３Ｃ－ＮＭＲスペクトル法、１９Ｆ－ＮＭＲスペクトル法、赤外線吸収（ＩＲ）スペクトル法、質量分析（ＭＳ）法、元素分析法、Ｘ線結晶回折法等の一般的な有機分析法により同定できる。
各工程で用いられる原料は、市販のものを用いてもよく、合成したものを用いてもよい。
以上説明した本実施形態の化合物の製造方法は、工程Ａにおいて、縮合反応を採用しているため、従来の製造方法（例えば、カルボキシラートアニオンとハロゲン化アルキルによるＳＮ２反応）に比べて、化合物（Ｂ０ｐ）の収率を向上させることができる。
加えて、工程Ｂにおいて、該化合物（Ｂ０ｐ）と反応させる化合物（Ｃ３）のカチオン部として、金属カチオン、又は、ＬｏｇＰが４．８以下の有機アンモニウムカチオンという比較的親水性の高いカチオンを採用しているため、工程Ｂのイオン交換反応が円滑に進行し、化合物（Ｂ０）の収率を向上させることができる。
したがって、本実施形態の化合物の製造方法によれば、レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物を高収率で得ることができる。
また、化合物（Ｂ０ｐ）と反応させる化合物（Ｃ３）のカチオン部として、ＬｏｇＰが４．８以下の有機アンモニウムカチオン有するものを採用した場合、レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物をより不純物（例えば、異性体、金属）が少なく高収率で得ることができる。
加えて、工程Ｂにおいて、該化合物（Ｂ０ｐ）と反応させる化合物（Ｃ３）のカチオン部として、金属カチオン、又は、ＬｏｇＰが４．８以下の有機アンモニウムカチオンという比較的親水性の高いカチオンを採用しているため、工程Ｂのイオン交換反応が円滑に進行し、化合物（Ｂ０）の収率を向上させることができる。
したがって、本実施形態の化合物の製造方法によれば、レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物を高収率で得ることができる。
また、化合物（Ｂ０ｐ）と反応させる化合物（Ｃ３）のカチオン部として、ＬｏｇＰが４．８以下の有機アンモニウムカチオン有するものを採用した場合、レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物をより不純物（例えば、異性体、金属）が少なく高収率で得ることができる。
（中間体）
本実施形態の中間体は、上述した化合物の製造方法に用いられる中間体であって、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される、中間体である。
本実施形態の中間体は、上述した化合物の製造方法に用いられる中間体であって、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される、中間体である。
本実施形態の中間体は、上述した化合物（Ｂ０ｐ）と同一である。
本実施形態の中間体は、上述した化合物の製造方法の途中で製造される化合物であり、本実施形態の中間体を経由して、化合物（Ｂ０）を製造することによって、化合物（Ｂ０）の収率を向上させることができる。
本実施形態の中間体は、上述した化合物の製造方法の途中で製造される化合物であり、本実施形態の中間体を経由して、化合物（Ｂ０）を製造することによって、化合物（Ｂ０）の収率を向上させることができる。
（化合物）
本実施形態の化合物は、下記一般式（ｂ０－ｐ－１）で表される、化合物である。
本実施形態の化合物は、下記一般式（ｂ０－ｐ－１）で表される、化合物である。
本実施形態の化合物は、上述した化合物（Ｂ０ｐ）のＬ０２が単結合である化合物である。本実施形態の化合物の好ましい態様は、上述した化合物（Ｂ０ｐ）のＬ０２が単結合であることに限定されたこと以外は、上述した化合物（Ｂ０ｐ）と同様である。
本実施形態の化合物は、上述した化合物の製造方法の途中で製造される化合物であり、本実施形態の化合物を経由して、化合物（Ｂ０）を製造することによって、化合物（Ｂ０）の収率をより向上させることができる。
本実施形態の化合物は、上述した化合物の製造方法の途中で製造される化合物であり、本実施形態の化合物を経由して、化合物（Ｂ０）を製造することによって、化合物（Ｂ０）の収率をより向上させることができる。
本実施形態の化合物の製造方法としては、下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物、及び、下記一般式（Ｃ’－２）で表される化合物を縮合反応させて得ることができる。
本実施形態の化合物の製造方法は、上述した工程Ａと同様である。
本実施形態の化合物の製造方法は、上述した工程Ａと同様である。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
本実施例では、化学式（Ｃ－１－１）で表される化合物を「化合物（Ｃ－１－１）」と表記し、他の化学式で表される化合物についても同様に表記する。
以下に、原料として使用した化合物（Ｃ－１－１）～（Ｃ－１－１４）、化合物（Ｃ－２－１）～（Ｃ－２－１１）、化合物（Ｘ－１）～（Ｘ－３）、化合物（Ｃ－３－１）～（Ｃ－３－６）を示す。
なお、原料の組み合わせ、得られた中間体（化合物（Ｂ０ｐ）等）、及び、最終目的物（化合物（Ｂ０）等）については、表１～４に示す。
また、化合物（Ｃ－２－１）～（Ｃ－２－１１）、及び、化合物（Ｘ－１）については、カチオン部のＬｏｇＰ値を併記する。
なお、原料の組み合わせ、得られた中間体（化合物（Ｂ０ｐ）等）、及び、最終目的物（化合物（Ｂ０）等）については、表１～４に示す。
また、化合物（Ｃ－２－１）～（Ｃ－２－１１）、及び、化合物（Ｘ－１）については、カチオン部のＬｏｇＰ値を併記する。
＜工程Ａ：化合物（Ｂ０ｐ）を得る工程＞
（実施例１）
１００ｍＬナスフラスコに、化合物（Ｃ－１－１）を２．００ｇ、Ｄ－１を１．０６ｇ、Ｅ－１を０．１ｇ、化合物（Ｃ－２－１）を２．５１ｇ、ＣＨ２Ｃｌ２を１０．０ｇ入れ、室温下で撹拌した。原料の消失を確認後、減圧ろ過により固形分を除去した。ろ液を分液ロートに移し、３回水洗し、有機層を減圧濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチル１０ｇに加熱溶解した後に冷却し、ｔＢｕＯＭｅを３０ｇ加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（Ｂ０ｐ－１）を３．９７ｇ得た。
（実施例１）
１００ｍＬナスフラスコに、化合物（Ｃ－１－１）を２．００ｇ、Ｄ－１を１．０６ｇ、Ｅ－１を０．１ｇ、化合物（Ｃ－２－１）を２．５１ｇ、ＣＨ２Ｃｌ２を１０．０ｇ入れ、室温下で撹拌した。原料の消失を確認後、減圧ろ過により固形分を除去した。ろ液を分液ロートに移し、３回水洗し、有機層を減圧濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチル１０ｇに加熱溶解した後に冷却し、ｔＢｕＯＭｅを３０ｇ加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（Ｂ０ｐ－１）を３．９７ｇ得た。
（実施例２～３０、３２～３９）
使用した原料を表１～３に示す化合物に変更した以外は、実施例１の化合物（Ｂ０ｐ－１）を得る工程と同様の方法で化合物（Ｂ０ｐ－２）～（Ｂ０ｐ－１９）、（Ｂ０ｐ－２１）～（Ｂ０ｐ－２６）をそれぞれ得た。
使用した原料を表１～３に示す化合物に変更した以外は、実施例１の化合物（Ｂ０ｐ－１）を得る工程と同様の方法で化合物（Ｂ０ｐ－２）～（Ｂ０ｐ－１９）、（Ｂ０ｐ－２１）～（Ｂ０ｐ－２６）をそれぞれ得た。
（実施例３１）
１００ｍＬナスフラスコに五酸化二リンを１．８０ｇ、クロロホルムを１５ｇ、ジエチルエーテルを０．４７ｇ入れ、室温下で１時間撹拌した。化合物（Ｃ－１－１４）を３．００ｇ、化合物（Ｃ－２－７）を２．６ｇ入れ、室温下で２４時間撹拌した。原料の消失を確認後、分液ロートに移し４回水洗後、有機層を減圧濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチル１０ｇに加熱溶解したのちに冷却し、ｔＢｕＯＭｅ３０ｇを加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（Ｂ０ｐ－２０）を４．５８ｇ得た。
１００ｍＬナスフラスコに五酸化二リンを１．８０ｇ、クロロホルムを１５ｇ、ジエチルエーテルを０．４７ｇ入れ、室温下で１時間撹拌した。化合物（Ｃ－１－１４）を３．００ｇ、化合物（Ｃ－２－７）を２．６ｇ入れ、室温下で２４時間撹拌した。原料の消失を確認後、分液ロートに移し４回水洗後、有機層を減圧濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチル１０ｇに加熱溶解したのちに冷却し、ｔＢｕＯＭｅ３０ｇを加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（Ｂ０ｐ－２０）を４．５８ｇ得た。
（比較例１）
１００ｍＬナスフラスコに化合物（Ｃ－１－１２）を２２．００ｇ、Ｄ－１を０．５３ｇ、Ｅ－１を０．０５ｇ、化合物（Ｘ－２）を０．５０ｇ、ＣＨ２Ｃｌ２を１０．０ｇ入れ、室温下で撹拌した。原料の消失を確認後、減圧ろ過により固形分を除去した。ろ液を分液ロートに移し、３回水洗し、有機層を減圧濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチルに加熱溶解した後に冷却し、ｔＢｕＯＭｅを３０ｇ加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（ｂ１－ｐｒｅ）を１．９６ｇ得た。
次いで、１００ｍＬ三口フラスコに化合物（ｂ１－ｐｒｅ）を１．９６ｇ、亜硫酸水素ナトリウムを０．４４ｇ、亜硫酸ナトリウムを０．５３ｇ、水を１０ｇ加え、４０時間加熱還流した。室温に冷却し、ＣＨ２Ｃｌ２１０ｇで３回抽出した。有機層を濃縮し、化合物（Ｂ０ｐ－２６）を１．２８ｇ得た。
１００ｍＬナスフラスコに化合物（Ｃ－１－１２）を２２．００ｇ、Ｄ－１を０．５３ｇ、Ｅ－１を０．０５ｇ、化合物（Ｘ－２）を０．５０ｇ、ＣＨ２Ｃｌ２を１０．０ｇ入れ、室温下で撹拌した。原料の消失を確認後、減圧ろ過により固形分を除去した。ろ液を分液ロートに移し、３回水洗し、有機層を減圧濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチルに加熱溶解した後に冷却し、ｔＢｕＯＭｅを３０ｇ加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（ｂ１－ｐｒｅ）を１．９６ｇ得た。
次いで、１００ｍＬ三口フラスコに化合物（ｂ１－ｐｒｅ）を１．９６ｇ、亜硫酸水素ナトリウムを０．４４ｇ、亜硫酸ナトリウムを０．５３ｇ、水を１０ｇ加え、４０時間加熱還流した。室温に冷却し、ＣＨ２Ｃｌ２１０ｇで３回抽出した。有機層を濃縮し、化合物（Ｂ０ｐ－２６）を１．２８ｇ得た。
（比較例２）
１００ｍＬナスフラスコに化合物（Ｃ－１－１２）を２２．００ｇ、ヨウ化ナトリウムを０．６０ｇ、炭酸カリウムを０．５５ｇ、化合物（Ｘ－３）を１．５０ｇ、ジメチルホルムアミドを１０．０ｇ入れ、内温９０℃で２４時間加熱撹拌した。原料の消失を確認後、分液ロートに移し、ＣＨ２Ｃｌ２３０ｇと水３０ｇとを加えて分液し、有機層を減圧濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチルに加熱溶解したのちに冷却し、ｔＢｕＯＭｅ３０ｇを加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（Ｂ０ｐ－２６）を１．８５ｇ得た。
１００ｍＬナスフラスコに化合物（Ｃ－１－１２）を２２．００ｇ、ヨウ化ナトリウムを０．６０ｇ、炭酸カリウムを０．５５ｇ、化合物（Ｘ－３）を１．５０ｇ、ジメチルホルムアミドを１０．０ｇ入れ、内温９０℃で２４時間加熱撹拌した。原料の消失を確認後、分液ロートに移し、ＣＨ２Ｃｌ２３０ｇと水３０ｇとを加えて分液し、有機層を減圧濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチルに加熱溶解したのちに冷却し、ｔＢｕＯＭｅ３０ｇを加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（Ｂ０ｐ－２６）を１．８５ｇ得た。
（比較例３）
化合物（Ｃ－１－１）を化合物（Ｃ－１－１２）に変更し、化合物（Ｃ－２－１）を上記化合物（Ｘ－１）に変更した以外は、実施例１の化合物（Ｂ０ｐ－１）を得る工程と同様の方法で化合物（Ｂ１ｐ－１）を得た。
化合物（Ｃ－１－１）を化合物（Ｃ－１－１２）に変更し、化合物（Ｃ－２－１）を上記化合物（Ｘ－１）に変更した以外は、実施例１の化合物（Ｂ０ｐ－１）を得る工程と同様の方法で化合物（Ｂ１ｐ－１）を得た。
以下に、得られた化合物（Ｂ０ｐ－１）～（Ｂ０ｐ－２６）、（Ｂ１ｐ－１）をそれぞれ示す。
本実施例では、化学式（ｂ０－ｐ－１）で表される化合物を「化合物（Ｂ０ｐ－１）」と表記し、他の化学式で表される化合物についても同様に表記する。
本実施例では、化学式（ｂ０－ｐ－１）で表される化合物を「化合物（Ｂ０ｐ－１）」と表記し、他の化学式で表される化合物についても同様に表記する。
＜工程Ｂ：化合物（Ｂ０）を得る工程＞
（実施例１）
１００ｍＬ分液ロートに、化合物（Ｂ０ｐ－１）を３．９７ｇ、化合物（Ｃ－３－１）を２．１９ｇ、ＣＨ２Ｃｌ２を２５ｇ、水を２５ｇ入れ、分液した。水層を除去し、有機層を塩酸洗浄、水洗した後に減圧濃縮した。濃縮残渣をＣＨ２Ｃｌ２５ｇに溶解し、撹拌した。この溶液にｔＢｕＯＭｅを１５ｇ加え、結晶を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（Ｂ０－１）４．４１ｇを得た。
（実施例１）
１００ｍＬ分液ロートに、化合物（Ｂ０ｐ－１）を３．９７ｇ、化合物（Ｃ－３－１）を２．１９ｇ、ＣＨ２Ｃｌ２を２５ｇ、水を２５ｇ入れ、分液した。水層を除去し、有機層を塩酸洗浄、水洗した後に減圧濃縮した。濃縮残渣をＣＨ２Ｃｌ２５ｇに溶解し、撹拌した。この溶液にｔＢｕＯＭｅを１５ｇ加え、結晶を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（Ｂ０－１）４．４１ｇを得た。
（実施例２～３６、比較例１～３）
実施例１の化合物（Ｂ０－１）の製造における化合物（Ｂ０ｐ－１）と、塩交換用化合物（Ｃ－３－１）との組み合わせを、それぞれ上述した化合物（Ｂ０ｐ－１）～（Ｂ０ｐ－２６）と、上記塩交換用化合物（Ｃ－３－１）～（Ｃ－３－６）に変更したこと以外は、上記の実施例１の化合物（Ｂ０－１）の製造方法と同様にして、以下に示す化合物（Ｂ０－２）～（Ｂ０－３１）を得た。
実施例１の化合物（Ｂ０－１）の製造における化合物（Ｂ０ｐ－１）と、塩交換用化合物（Ｃ－３－１）との組み合わせを、それぞれ上述した化合物（Ｂ０ｐ－１）～（Ｂ０ｐ－２６）と、上記塩交換用化合物（Ｃ－３－１）～（Ｃ－３－６）に変更したこと以外は、上記の実施例１の化合物（Ｂ０－１）の製造方法と同様にして、以下に示す化合物（Ｂ０－２）～（Ｂ０－３１）を得た。
以下に、得られた化合物（Ｂ０－１）～（Ｂ０－３１）をそれぞれ示す。
本実施例では、化学式（ｂ０－１）で表される化合物を「化合物（Ｂ０１）」と表記し、他の化学式で表される化合物についても同様に表記する。
本実施例では、化学式（ｂ０－１）で表される化合物を「化合物（Ｂ０１）」と表記し、他の化学式で表される化合物についても同様に表記する。
なお、上述した化合物（Ｂ０ｐ－１４）の原料として用いた化合物（Ｃ－２－１１）は以下の方法で合成した。
１００ｍＬナスフラスコにＢｕｔａｎｏｉｃ ａｃｉｄ，４－［（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ－２Ｈ－ｐｙｒａｎ－２－ｙｌ）ｏｘｙ］－を２．００ｇ、化合物Ｄ－１を１．２ｇ、化合物Ｅ－１を０．２ｇ、化合物（Ｃ－２－４）を２．５ｇ、ＣＨ２Ｃｌ２を１０．０ｇ入れ、室温下で撹拌した。原料の消失を確認後、減圧ろ過により固形分を除去した。ろ液を分液ロートに移し、３回水洗し、有機層を減圧濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチル１０ｇに加熱溶解したのちに冷却し、ｔＢｕＯＭｅ３０ｇを加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより中間体３．９７ｇを得た。
この中間体を１００ｍＬナスフラスコに入れ、ＴｓＯＨ１．０ｇ、ジクロロメタン１０ｇを加えて室温下で撹拌した。原料消失を確認後、５％炭酸水素ナトリウム水溶液１０ｇを加えて反応を停止し、分液ロートに移送した。水層を除去し、水で３回洗浄したのちに有機層を濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチル１０ｇに加熱溶解した後に冷却し、ｔＢｕＯＭｅ３０ｇを加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（Ｃ－２－１１）を３．８０ｇ得た。
１００ｍＬナスフラスコにＢｕｔａｎｏｉｃ ａｃｉｄ，４－［（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ－２Ｈ－ｐｙｒａｎ－２－ｙｌ）ｏｘｙ］－を２．００ｇ、化合物Ｄ－１を１．２ｇ、化合物Ｅ－１を０．２ｇ、化合物（Ｃ－２－４）を２．５ｇ、ＣＨ２Ｃｌ２を１０．０ｇ入れ、室温下で撹拌した。原料の消失を確認後、減圧ろ過により固形分を除去した。ろ液を分液ロートに移し、３回水洗し、有機層を減圧濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチル１０ｇに加熱溶解したのちに冷却し、ｔＢｕＯＭｅ３０ｇを加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより中間体３．９７ｇを得た。
この中間体を１００ｍＬナスフラスコに入れ、ＴｓＯＨ１．０ｇ、ジクロロメタン１０ｇを加えて室温下で撹拌した。原料消失を確認後、５％炭酸水素ナトリウム水溶液１０ｇを加えて反応を停止し、分液ロートに移送した。水層を除去し、水で３回洗浄したのちに有機層を濃縮した。濃縮残渣を酢酸エチル１０ｇに加熱溶解した後に冷却し、ｔＢｕＯＭｅ３０ｇを加え、固形分を析出させた。減圧ろ過により固形分をろ取し、減圧乾燥することにより化合物（Ｃ－２－１１）を３．８０ｇ得た。
上述した各例の化合物の製造方法で用いた原料、中間体（化合物（Ｂ０ｐ）等）、最終的に得られる化合物（化合物（Ｂ０）等）を表1～４に示す。
表１～４中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。
Ｃ－１－１～Ｃ－１－１４：上述した化合物（Ｃ－１－１）～（Ｃ－１－１４）
Ｃ－２－１～Ｃ－２－１１：上述した化合物（Ｃ－２－１）～（Ｃ－２－１１）
Ｘ－１～Ｘ－３：上述した化合物（Ｘ－１）～（Ｘ－３）
Ｃ－３－１～Ｃ－３－６：上述した化合物（Ｃ－３－１）～（Ｃ－３－６）
Ｃ－１－１～Ｃ－１－１４：上述した化合物（Ｃ－１－１）～（Ｃ－１－１４）
Ｃ－２－１～Ｃ－２－１１：上述した化合物（Ｃ－２－１）～（Ｃ－２－１１）
Ｘ－１～Ｘ－３：上述した化合物（Ｘ－１）～（Ｘ－３）
Ｃ－３－１～Ｃ－３－６：上述した化合物（Ｃ－３－１）～（Ｃ－３－６）
Ｄ－１～Ｄ－７：下記化学式Ｄ－１～Ｄ－７でそれぞれ表される化合物Ｄ－１～Ｄ－７
Ｅ－１～Ｅ－３：下記化学式Ｅ－１～Ｅ－３でそれぞれ表される化合物Ｅ－１～Ｅ－３
Ｅ－１～Ｅ－３：下記化学式Ｅ－１～Ｅ－３でそれぞれ表される化合物Ｅ－１～Ｅ－３
各例の化合物の製造方法における収率（工程Ａの収率、工程Ｂの収率、総収率（工程Ａの収率×工程Ｂの収率））、及び、下記測定方法により求めた異性体量、Ｎａ残量を表５～８に示す。
なお、比較例の製造方法は、工程Ａ又は工程Ｂを有さないものであるが、便宜上、実施例の工程Ａに相当する工程を工程Ａと表記し、実施例の工程Ｂに相当する工程を工程Ｂと表記する。
なお、比較例の製造方法は、工程Ａ又は工程Ｂを有さないものであるが、便宜上、実施例の工程Ａに相当する工程を工程Ａと表記し、実施例の工程Ｂに相当する工程を工程Ｂと表記する。
［異性体量の測定］
各例の化合物の製造方法によって得られた化合物について、ＬＣ－ＭＳにより不純物量（異性体量）を定量した。「n.d.」は検出限界未満であったことを意味する。
各例の化合物の製造方法によって得られた化合物について、ＬＣ－ＭＳにより不純物量（異性体量）を定量した。「n.d.」は検出限界未満であったことを意味する。
［Ｎａ残量の測定］
各例の化合物の製造方法によって得られた化合物について、ＩＣＰ－ＭＳによりＮａ残量を定量した。
各例の化合物の製造方法によって得られた化合物について、ＩＣＰ－ＭＳによりＮａ残量を定量した。
表５～８に示す通り、実施例１～３９の化合物の製造方法は、比較例１～３の化合物の製造方法に比べて、高い収率で目的の化合物を製造できることが確認できた。
また、実施例の中でも、実施例１～３７の化合物の製造方法は、化合物（Ｃ２）として、有機アンモニウム塩を用いているため、さらに、Ｎａ残量を低くすることができた。
また、実施例の中でも、実施例１～３７の化合物の製造方法は、化合物（Ｃ２）として、有機アンモニウム塩を用いているため、さらに、Ｎａ残量を低くすることができた。
比較例１の化合物の製造方法は、化合物（Ｃ２）の代わりに化合物（Ｘ－２）を用いており、化合物（Ｃ１－１－１２）と化合物（Ｘ－２）とを縮合反応させた後に、末端をスルホネート化する製造方法であるため、異性体が多く発生し、工程Ａにおける収率が低かった。
比較例２の化合物の製造方法は、化合物（Ｃ２）の代わりに末端が塩素原子の化合物（Ｘ－３）を用いているため、工程Ａにおける収率が低かった。
比較例３の化合物の製造方法は、化合物（Ｃ２）の代わりにカチオン部のＬｏｇＰ値が高く（ＬｏｇＰ値：７.８１）、比較的疎水性の高い化合物（Ｘ－１）を用いているため、塩交換反応が十分に進行せず、工程Ｂにおける収率が低かった。
比較例２の化合物の製造方法は、化合物（Ｃ２）の代わりに末端が塩素原子の化合物（Ｘ－３）を用いているため、工程Ａにおける収率が低かった。
比較例３の化合物の製造方法は、化合物（Ｃ２）の代わりにカチオン部のＬｏｇＰ値が高く（ＬｏｇＰ値：７.８１）、比較的疎水性の高い化合物（Ｘ－１）を用いているため、塩交換反応が十分に進行せず、工程Ｂにおける収率が低かった。
Claims (3)
- 下記一般式（Ｃ－１）で表される化合物、及び、下記一般式（Ｃ－２）で表される化合物を縮合反応させて、下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される化合物（Ｂ０ｐ）を得る工程と、
前記化合物（Ｂ０ｐ）、及び、下記一般式（Ｃ－３）で表される化合物をイオン交換反応させて、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を得る工程と、
を有する、化合物の製造方法。
- 請求項１に記載の化合物の製造方法に用いられる中間体であって、
下記一般式（ｂ０－ｐ）で表される、中間体。
- 下記一般式（ｂ０－ｐ－１）で表される、化合物。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2021099364A JP2022190871A (ja) | 2021-06-15 | 2021-06-15 | 化合物の製造方法、中間体及び化合物 |
| TW111122039A TW202319376A (zh) | 2021-06-15 | 2022-06-14 | 阻劑組成物、阻劑圖型形成方法、化合物之製造方法、中間物及化合物 |
| PCT/JP2022/023904 WO2022265034A1 (ja) | 2021-06-15 | 2022-06-15 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物の製造方法、中間体及び化合物 |
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| JP (1) | JP2022190871A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102023133363A1 (de) | 2022-11-30 | 2024-06-06 | Renesas Electronics Corporation | Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung desselben |
-
2021
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