JP2022186591A - 新規な架橋剤、硬化性組成物、プリプレグ、積層体、金属張積層板および配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】硬化性組成物に用いて好適で、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）が効果的に低減され、熱膨張係数（ＣＴＥ）が充分に低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が充分に高い（半）硬化物を得ることが可能な新規な架橋剤の提供。【解決手段】下式（Ｘ）で表される架橋剤。TIFF2022186591000036.tif4091（Ｌは単結合、置換/無置換の芳香環、置換/無置換のＣ１～Ｃ２０のアルキレン基、または、置換/無置換のＣ１～Ｃ２０のアルキレン基と置換/無置換の芳香環との組合せ；ｎは２～４の整数；ＲはＨ、ＯＨ、有機基であり、Ｒが有機基であるとき、Ｓｉと結合した原子はＣ。）【選択図】なし
Description
本発明は、新規な架橋剤、硬化性組成物、プリプレグ、積層体、金属張積層板および配線基板に関する。
電気機器および電子機器等の用途に、配線基板（プリント配線板とも言う。）が使用される。配線基板は例えば、以下のようにして、製造できる。硬化性組成物を繊維基材に含浸させ、硬化性組成物を（半）硬化させて、プリプレグを作製する。１つ以上のプリプレグを一対の金属箔で挟み、得られた第１の仮積層体を加熱加圧して、金属張積層板を作製する。この金属張積層板の最表面にある金属箔を用いて、配線等の導体パターン（回路パターンとも言う。）を形成する。最表面の金属箔は、第１の仮積層体の片面側にのみ配置してもよい。
得られた配線基板に対してさらに、１つ以上のプリプレグを重ね、これを一対の金属箔で挟み、得られた第２の仮積層体を加熱加圧し、最表面にある金属箔を用いて配線等の導体パターンを形成することで、多層配線基板（多層プリント配線板とも言う。）を製造できる。最表面の金属箔は、第２の仮積層体の片面側にのみ配置してもよい。
プリプレグの加熱加圧物は、繊維基材、樹脂および無機充填材（フィラーとも言う。）等を含み、コンポジット基材とも呼ばれる。配線基板において、コンポジット基材は、絶縁層として機能する。
プリプレグに含まれる樹脂は硬化性組成物の（半）硬化物であり、コンポジット基材に含まれる樹脂は硬化性組成物の硬化物である。
プリプレグに含まれる樹脂は硬化性組成物の（半）硬化物であり、コンポジット基材に含まれる樹脂は硬化性組成物の硬化物である。
近年、携帯用電子機器等の用途では、通信の高速化と大容量化が進み、信号の高周波化が進んでいる。この用途に用いられる配線基板には、高周波領域での伝送損失の低減が求められる。伝送損失には、主に金属箔の表面抵抗に起因する導体損失と、コンポジット基材の誘電正接（Ｄｆ）に起因する誘電損失とがある。このため、上記用途に用いられる配線基板のコンポジット基材に含まれる樹脂には、高周波領域での誘電損失の低減が求められる。一般的に、誘電正接（Ｄｆ）は周波数に依存し、同じ材料であれば、周波数が高くなる程、誘電正接（Ｄｆ）が大きくなる傾向がある。コンポジット基材に含まれる樹脂は、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）が低いことが好ましい。
プリプレグまたはコンポジット基材と金属箔との熱膨張係数（ＣＴＥ）の差が大きいと、プリプレグと金属箔とを含む第１の仮積層体、またはコンポジット基材とプリプレグと金属箔とを含む第２の仮積層体を加熱加圧する際に、金属箔のずれまたは剥離が生じる恐れがある。プリプレグまたはコンポジット基材と金属箔との熱膨張係数（ＣＴＥ）の差は、小さい方が好ましい。一般的に、樹脂は金属箔より熱膨張係数（ＣＴＥ）が大きいので、プリプレグおよびコンポジット基材の熱膨張係数（ＣＴＥ）は小さい方が好ましい。
配線基板は、比較的高温の環境下で使用される場合がある。この場合でも、配線基板の信頼性を確保するために、プリプレグおよびコンポジット基材に含まれる樹脂は、充分な高さのガラス転移温度（Ｔｇ）を有することが好ましい。
配線基板においては、コンポジット基材と金属箔との密着性が重要である。従来、コンポジット基材と金属箔との密着性向上のために、金属箔のコンポジット基材側の表面を粗面化する技術がある。しかしながら、この技術では、高周波電流の損失が生じやすく、好ましくない。
金属箔のコンポジット基材側の表面を粗面化せずに、コンポジット基材と金属箔との密着性を高める技術として、特許文献１には、ポリフェニレンオキサイドおよびトリアルケニルイソシアヌレートからなるポリフェニレンオキサイド系樹脂と、トリメトキシビニルシラン（ＴＭＶＳ）およびトリエトキシビニルシラン（ＴＥＶＳ）等のビニルシランとを含む配線基板用樹脂組成物およびこれを用いて得られた配線基板が開示されている（請求項１～４）。
金属箔のコンポジット基材側の表面を粗面化せずに、コンポジット基材と金属箔との密着性を高める技術として、特許文献１には、ポリフェニレンオキサイドおよびトリアルケニルイソシアヌレートからなるポリフェニレンオキサイド系樹脂と、トリメトキシビニルシラン（ＴＭＶＳ）およびトリエトキシビニルシラン（ＴＥＶＳ）等のビニルシランとを含む配線基板用樹脂組成物およびこれを用いて得られた配線基板が開示されている（請求項１～４）。
JOURNAL OF POLYMER SCIENCE, PART A: POLYMER CHEMISTRY 2015, 53, 1707-1718.
J. Org. Chem. 2013, 78, 3329-3335.
特許文献１で用いられているトリメトキシビニルシラン（ＴＭＶＳ）およびトリエトキシビニルシラン（ＴＥＶＳ）等のビニルシランは、Ｓｉと極性原子である酸素原子（Ｏ）との結合を含むシランカップリング剤である。
本発明者らが検討したところ、硬化性組成物に、Ｓｉと極性原子である酸素原子（Ｏ）との結合を含むシランカップリング剤を添加した場合、得られるコンポジット基材は誘電正接（Ｄｆ）が増加する傾向があることが分かった。
本発明者らが検討したところ、硬化性組成物に、Ｓｉと極性原子である酸素原子（Ｏ）との結合を含むシランカップリング剤を添加した場合、得られるコンポジット基材は誘電正接（Ｄｆ）が増加する傾向があることが分かった。
本発明者らは、２つ以上の反応性ビニル基を含み、Ｓｉと極性原子との結合を含まない特定の化学構造を有する有機ケイ素化合物が、硬化性組成物の架橋剤として使用でき、これを含む硬化性組成物を用いて得られるコンポジット基材は、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）が効果的に低減され、熱膨張係数（ＣＴＥ）が充分に低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が充分に高く、高周波領域で用いられる配線基板用として良好な特性を有することを見出した。
なお、特許文献１では、シランカップリング剤を用いることで、コンポジット基材と金属箔との密着性を高めており、有機ケイ素化合物の架橋剤としての使用については、記載および示唆がない。
なお、特許文献１では、シランカップリング剤を用いることで、コンポジット基材と金属箔との密着性を高めており、有機ケイ素化合物の架橋剤としての使用については、記載および示唆がない。
その他の本発明の本発明の関連技術として、非特許文献１、２および特許文献２が挙げられる。
非特許文献１では、Ｓｉに２つの４－ビニルフェニル基と２つのアルキル基（具体的には、－Ｃ８Ｈ１７）とが結合した有機ケイ素化合物が合成されている。反応スキームは、以下の通りである。非特許文献１では、合成された有機ケイ素化合物を重合し、得られた直鎖ポリマーについて蛍光特性の評価が行われている。非特許文献１では、有機ケイ素化合物はモノマーとして使用されており、架橋剤としての使用について記載および示唆がなく、誘電特性についても記載がない。
非特許文献１では、Ｓｉに２つの４－ビニルフェニル基と２つのアルキル基（具体的には、－Ｃ８Ｈ１７）とが結合した有機ケイ素化合物が合成されている。反応スキームは、以下の通りである。非特許文献１では、合成された有機ケイ素化合物を重合し、得られた直鎖ポリマーについて蛍光特性の評価が行われている。非特許文献１では、有機ケイ素化合物はモノマーとして使用されており、架橋剤としての使用について記載および示唆がなく、誘電特性についても記載がない。
非特許文献２では、Ｓｉに２つの２－ビニルフェニル基と２つのアルキル基（具体的には、－Ｍｅ、－Ｅｔまたは－Ｐｈ）とが結合した有機ケイ素化合物が合成されている。非特許文献２では、合成された有機ケイ素化合物を閉環メタセシス（Ｒｉｎｇ－ｃｌｏｓｉｎｇ ｍｅｔａｔｈｅｓｉｓ）し、ジベンゾヘテロピン類を合成している。反応スキームは、以下の通りである。非特許文献２には、有機ケイ素化合物の用途について記載がなく、架橋剤としての使用について記載および示唆がなく、誘電特性についても記載がない。
特許文献２では、Ｓｉに２つの２－、３－または４－ビニルフェニル基および２つのアルキル基が置換した複数の有機ケイ素化合物が合成されている。以下の［化３］に、特許文献２で合成された有機ケイ素化合物の例を示す。特許文献２では、有機ケイ素化合物はガスバリア用途であり、架橋剤としての使用について記載および示唆がなく、誘電特性についても記載がない。
上記以外にも、Ｓｉと結合した４つの原子がすべて非極性原子であり、２つ以上の反応性ビニル基を有する有機ケイ素化合物はいくつか報告されている。しかしながら、過去には、Ｓｉと結合した４つの原子がすべて非極性原子であり、２つ以上の反応性ビニル基を有する有機ケイ素化合物の架橋剤としての使用について報告がない。Ｓｉと結合した４つの原子がすべて非極性原子であり、２つ以上の反応性ビニル基を有する有機ケイ素化合物はすべて、架橋剤として新規である。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、硬化性組成物に用いて好適で、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）が効果的に低減され、熱膨張係数（ＣＴＥ）が充分に低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が充分に高い（半）硬化物を得ることが可能な新規な架橋剤およびこれを用いた硬化性組成物の提供を目的とする。
本発明の新規な架橋剤は、プリプレグ、金属張積層板および配線基板等の用途に用いられる硬化性組成物に用いて好適なものであるが、任意の用途に使用可能なものである。
本発明の新規な架橋剤は、プリプレグ、金属張積層板および配線基板等の用途に用いられる硬化性組成物に用いて好適なものであるが、任意の用途に使用可能なものである。
本発明は、以下の新規な架橋剤、硬化性組成物、プリプレグ、積層体、金属張積層板および配線基板を提供する。
［１］ 下式（Ｘ）で表される架橋剤。
（上式中、Ｌは単結合、置換基を有していてもよい芳香環、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキレン基、または、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキレン基と置換基を有していてもよい芳香環との組合せである。ｎは２～４の整数である。Ｒは水素原子、水酸基または有機基であり、Ｒが有機基であるとき、Ｓｉと結合した原子はＣである。）
［１］ 下式（Ｘ）で表される架橋剤。
［２］ 下式（１）で表される、［１］の架橋剤。
（上式中、Ｍは、単結合または置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキレン基である。ベンゼン環は置換基を有していてもよい。ベンゼン環上のビニル基の置換位置は任意である。ｎは２～４の整数である。Ｒは水素原子、水酸基または有機基であり、Ｒが有機基であるとき、Ｓｉと結合した原子はＣである。）
［３］ ［１］または［２］の架橋剤と、当該架橋剤と架橋し得る２つ以上の架橋性官能基を有する硬化性化合物とを含む硬化性組成物。
［４］ 繊維基材と、［３］の硬化性組成物の半硬化物または硬化物とを含むプリプレグ。
［５］ 基材と、［３］の硬化性組成物からなる硬化性組成物層とを含む、積層体。
［６］ 基材と、［３］の硬化性組成物の半硬化物または硬化物を含む（半）硬化物含有層とを含む、積層体。
［７］ 前記基材が樹脂フィルムまたは金属箔である、［５］または［６］の積層体。
［８］ ［３］の硬化性組成物の硬化物を含む絶縁層と、金属箔とを含む、金属張積層板。
［９］ ［３］の硬化性組成物の硬化物を含む絶縁層と、配線とを含む、配線基板。
［４］ 繊維基材と、［３］の硬化性組成物の半硬化物または硬化物とを含むプリプレグ。
［５］ 基材と、［３］の硬化性組成物からなる硬化性組成物層とを含む、積層体。
［６］ 基材と、［３］の硬化性組成物の半硬化物または硬化物を含む（半）硬化物含有層とを含む、積層体。
［７］ 前記基材が樹脂フィルムまたは金属箔である、［５］または［６］の積層体。
［８］ ［３］の硬化性組成物の硬化物を含む絶縁層と、金属箔とを含む、金属張積層板。
［９］ ［３］の硬化性組成物の硬化物を含む絶縁層と、配線とを含む、配線基板。
本発明によれば、硬化性組成物に用いて好適で、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）が効果的に低減され、熱膨張係数（ＣＴＥ）が充分に低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が充分に高い（半）硬化物を得ることが可能な新規な架橋剤およびこれを用いた硬化性組成物を提供できる。
本明細書において、（半）硬化は、半硬化および硬化の総称である。
本明細書において、特に分けて記載しない限り、「配線基板」は、多層配線基板を含むものとする。
本明細書において、「高周波領域」は、周波数１ＧＨｚ以上の領域と定義する。
本明細書において、特に明記しない限り、「数平均分子量（Ｍｎ）」はゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により求められるポリスチレン換算の数平均分子量である。
本明細書において、特に明記しない限り、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
本明細書において、特に分けて記載しない限り、「配線基板」は、多層配線基板を含むものとする。
本明細書において、「高周波領域」は、周波数１ＧＨｚ以上の領域と定義する。
本明細書において、特に明記しない限り、「数平均分子量（Ｍｎ）」はゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により求められるポリスチレン換算の数平均分子量である。
本明細書において、特に明記しない限り、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
［新規な架橋剤］
本発明の架橋剤は、下式（Ｘ）で表される。
（上式中、Ｌは単結合、置換基を有していてもよい芳香環、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキレン基、または、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキレン基と置換基を有していてもよい芳香環との組合せである。ｎは２～４の整数である。Ｒは水素原子、水酸基または有機基であり、Ｒが有機基であるとき、Ｓｉと結合した原子はＣである。）
本発明の架橋剤は、下式（Ｘ）で表される。
本発明の架橋剤は、好ましくは、下式（１）で表される。
（上式中、Ｍは、単結合または置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキレン基である。ベンゼン環は置換基を有していてもよい。ベンゼン環上のビニル基の置換位置は任意である。ｎは２～４の整数である。Ｒは水素原子、水酸基または有機基であり、Ｒが有機基であるとき、Ｓｉと結合した原子はＣである。）
本発明の架橋剤は任意の用途に使用でき、硬化性組成物、プリプレグ、積層体、金属張積層板および配線基板等に好適である。
［硬化性組成物］
本発明の硬化性組成物は、本発明の架橋剤と、この架橋剤と架橋し得る２つ以上の架橋性官能基を有する硬化性化合物とを含む。
硬化性組成物は、熱硬化性でも活性エネルギー線硬化性でもよい。活性エネルギー線硬化性組成物は、紫外線および電子線等の活性エネルギー線の照射によって硬化する組成物である。金属張積層板および配線基板等の用途では、熱硬化性が好ましい。
本発明の硬化性組成物は、本発明の架橋剤と、この架橋剤と架橋し得る２つ以上の架橋性官能基を有する硬化性化合物とを含む。
硬化性組成物は、熱硬化性でも活性エネルギー線硬化性でもよい。活性エネルギー線硬化性組成物は、紫外線および電子線等の活性エネルギー線の照射によって硬化する組成物である。金属張積層板および配線基板等の用途では、熱硬化性が好ましい。
硬化性化合物としては、モノマー、オリゴマーおよびプレポリマー等が挙げられる。これらは、１種以上用いることができる。
硬化性化合物の硬化物としては、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ）、ビスマレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、炭化水素エラストマー、ベンゾオキサジン樹脂、活性エステル樹脂、シアネートエステル樹脂、ブタジエン樹脂、水添または非水添スチレンブタジエン樹脂、ビニル系樹脂、シクロオレフィンポリマー、芳香族重合体、ジビニル芳香族重合体およびこれらの組合せ等が挙げられる。
硬化性化合物の硬化物としては、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ）、ビスマレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、炭化水素エラストマー、ベンゾオキサジン樹脂、活性エステル樹脂、シアネートエステル樹脂、ブタジエン樹脂、水添または非水添スチレンブタジエン樹脂、ビニル系樹脂、シクロオレフィンポリマー、芳香族重合体、ジビニル芳香族重合体およびこれらの組合せ等が挙げられる。
金属張積層板および配線基板等の用途では、硬化性化合物の硬化物は、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ）を含むことが好ましい。
本明細書において、「ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ）」は、特に明記しない限り、非変性ポリフェニレンエーテル樹脂および変性ポリフェニレンエーテル樹脂を含むものとする。
本明細書において、「ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ）」は、特に明記しない限り、非変性ポリフェニレンエーテル樹脂および変性ポリフェニレンエーテル樹脂を含むものとする。
上記用途において、硬化性化合物としては例えば、下式（Ｐ）で表されるポリフェニレンエーテルオリゴマーが好ましい。
式（Ｐ）の両端のＸはそれぞれ独立に、下式（ｘ１）または下式（ｘ２）で表される基である。これら式中、「＊」は酸素原子との結合手を示す。
ｍは、好ましくは１～２０、より好ましくは３～１５である。
ｎは、好ましくは１～２０、より好ましくは３～１５である。
ｎは、好ましくは１～２０、より好ましくは３～１５である。
硬化性組成物の（半）硬化物は、硬化性化合物と本発明の架橋剤との反応生成物を含む。
オリゴマーの数平均分子量（Ｍｎ）は特に制限されず、好ましくは１０００～５０００、より好ましくは１０００～４０００である。
硬化性組成物は、１種以上の重合開始剤を含むことが好ましい。重合開始剤としては、有機過酸化物、アゾ系化合物、その他の公知の重合開始剤、およびこれらの組合せを用いることができる。具体例としては、ジクミルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、２，５－ジメチルヘキサン－２，５－ジハイドロパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキシン－３、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド、ｔ－ブチルクミルパーオキサイド、α，α’－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ－ｔ－ブチルパーオキシイソフタレート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、２，２－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ブタン、２，２－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）オクタン、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ジ（トリメチルシリル）パーオキサイド、トリメチルシリルトリフェニルシリルパーオキサイドおよびアゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。
硬化性組成物は必要に応じて、１種以上の添加剤を含むことができる。添加剤としては、無機充填材（フィラーとも言う。）、相溶化剤および難燃剤等が挙げられる。
無機充填材としては、例えば、球状シリカ等のシリカ、アルミナ、酸化チタンおよびマイカ等の金属酸化物；水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウム等の金属水酸化物；タルク；ホウ酸アルミニウム；硫酸バリウム；炭酸カルシウム等が挙げられる。これらは、１種以上用いることができる。中でも、低熱膨張性の観点から、シリカ、マイカおよびタルク等が好ましく、球状シリカがより好ましい。
無機充填材は、エポキシシランタイプ、ビニルシランタイプ、メタクリルシランタイプ、またはアミノシランタイプのシランカップリング剤で表面処理されたものでもよい。シランカップリング剤による表面処理のタイミングは、特に制限されない。予め、シランカップリング剤で表面処理された無機充填材を用意してもよいし、硬化性組成物の調製時にインテグラルブレンド法でシランカップリング剤を添加してもよい。
無機充填材としては、例えば、球状シリカ等のシリカ、アルミナ、酸化チタンおよびマイカ等の金属酸化物；水酸化アルミニウムおよび水酸化マグネシウム等の金属水酸化物；タルク；ホウ酸アルミニウム；硫酸バリウム；炭酸カルシウム等が挙げられる。これらは、１種以上用いることができる。中でも、低熱膨張性の観点から、シリカ、マイカおよびタルク等が好ましく、球状シリカがより好ましい。
無機充填材は、エポキシシランタイプ、ビニルシランタイプ、メタクリルシランタイプ、またはアミノシランタイプのシランカップリング剤で表面処理されたものでもよい。シランカップリング剤による表面処理のタイミングは、特に制限されない。予め、シランカップリング剤で表面処理された無機充填材を用意してもよいし、硬化性組成物の調製時にインテグラルブレンド法でシランカップリング剤を添加してもよい。
難燃剤としては、例えば、ハロゲン系難燃剤およびリン系難燃剤等が挙げられる。これらは、１種以上用いることができる。ハロゲン系難燃剤としては、例えば、ペンタブロモジフェニルエーテル、オクタブロモジフェニルエーテル、デカブロモジフェニルエーテル、テトラブロモビスフェノールＡおよびヘキサブロモシクロドデカン等の臭素系難燃剤；塩素化パラフィン等の塩素系難燃剤等が挙げられる。リン系難燃剤としては、例えば、縮合リン酸エステルおよび環状リン酸エステル等のリン酸エステル；環状ホスファゼン化合物等のホスファゼン化合物；ジアルキルホスフィン酸アルミニウム塩等のホスフィン酸塩系難燃剤；リン酸メラミンおよびポリリン酸メラミン等のメラミン系難燃剤；ジフェニルホスフィンオキサイド基を有するホスフィンオキサイド化合物等が挙げられる。
硬化性組成物は必要に応じて、１種以上の有機溶媒を含むことができる。有機溶媒としては特に制限されず、メチルエチルケトン等のケトン類；ジブチルエーテル等のエーテル類；酢酸エチル等のエステル類；ジメチルホルムアミド等のアミド類；ベンゼン、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素類；トリクロロエチレン等の塩素化炭化水素等が挙げられる。
硬化性組成物において、固形分濃度および配合組成は、用途等に応じて設計できる。
プリプレグ等の用途では、固形分濃度は、好ましくは５０～９０質量％である。
プリプレグ等の用途では、固形分濃度は、好ましくは５０～９０質量％である。
［プリプレグ］
本発明のプリプレグは、繊維基材と、本発明の硬化性組成物の（半）硬化物とを含む。（半）硬化物は必要に応じて、無機充填材（フィラー）等の添加剤を含むことができる。
プリプレグは、硬化性組成物を繊維基材に含浸させ、熱硬化等により（半）硬化させることで、製造できる。
本発明のプリプレグは、繊維基材と、本発明の硬化性組成物の（半）硬化物とを含む。（半）硬化物は必要に応じて、無機充填材（フィラー）等の添加剤を含むことができる。
プリプレグは、硬化性組成物を繊維基材に含浸させ、熱硬化等により（半）硬化させることで、製造できる。
繊維基材の材料としては特に制限されず、ガラス繊維、シリカ繊維および炭素繊維等の無機繊維；アラミド繊維およびポリエステル繊維等の有機繊維；これらの組合せ等が挙げられる。金属張積層板および配線基板等の用途では、ガラス繊維等が好ましい。ガラス繊維基材の形態としては、ガラスクロス、ガラスペーパーおよびガラスマット等が挙げられる。
硬化性組成物の硬化条件は、硬化性組成物の組成に応じて設定でき、半硬化条件（完全硬化しない条件）が好ましい。
上式（Ｐ）で表されるポリフェニレンエーテルオリゴマーを含む硬化性組成物を用いる場合、例えば、８０～１８０℃で１～１０分間加熱する熱硬化が好ましい。
金属張積層板および配線基板等の用途では、得られるプリプレグ中の樹脂含有量が４０～８０質量％の範囲内となるように、硬化性組成物の組成および硬化条件を調整することが好ましい。
上式（Ｐ）で表されるポリフェニレンエーテルオリゴマーを含む硬化性組成物を用いる場合、例えば、８０～１８０℃で１～１０分間加熱する熱硬化が好ましい。
金属張積層板および配線基板等の用途では、得られるプリプレグ中の樹脂含有量が４０～８０質量％の範囲内となるように、硬化性組成物の組成および硬化条件を調整することが好ましい。
［積層体］
本発明の第１の積層体は、基材と、上記の本発明の硬化性組成物からなる硬化性組成物層とを含む。
本発明の第２の積層体は、基材と、上記の本発明の硬化性組成物の（半）硬化物を含む（半）硬化物含有層とを含む。
本発明の第１、第２の積層体において、基材としては特に制限されず、樹脂フィルム、金属箔およびこれらの組合せ等が挙げられる。
（半）硬化物含有層は、繊維基材と本発明の硬化性組成物の（半）硬化物とを含む層であってもよい。
樹脂フィルムとしては特に制限されず、公知のものを用いることができる。樹脂フィルムの構成樹脂としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマーおよびポリエーテルサルファイド等が挙げられる。
電気抵抗が低いことから、金属箔としては、銅箔、銀箔、金箔、アルミニウム箔およびこれらの組合せ等が好ましく、銅箔等がより好ましい。
本発明の第１の積層体は、基材と、上記の本発明の硬化性組成物からなる硬化性組成物層とを含む。
本発明の第２の積層体は、基材と、上記の本発明の硬化性組成物の（半）硬化物を含む（半）硬化物含有層とを含む。
本発明の第１、第２の積層体において、基材としては特に制限されず、樹脂フィルム、金属箔およびこれらの組合せ等が挙げられる。
（半）硬化物含有層は、繊維基材と本発明の硬化性組成物の（半）硬化物とを含む層であってもよい。
樹脂フィルムとしては特に制限されず、公知のものを用いることができる。樹脂フィルムの構成樹脂としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマーおよびポリエーテルサルファイド等が挙げられる。
電気抵抗が低いことから、金属箔としては、銅箔、銀箔、金箔、アルミニウム箔およびこれらの組合せ等が好ましく、銅箔等がより好ましい。
［金属張積層板］
本発明の金属張積層板は、本発明の硬化性組成物の硬化物を含む絶縁層と、金属箔とを含む。
絶縁層は、繊維基材と本発明の硬化性組成物の硬化物とを含む層であってもよい。
電気抵抗が低いことから、金属箔としては、銅箔、銀箔、金箔、アルミニウム箔およびこれらの組合せ等が好ましく、銅箔等がより好ましい。金属箔は、表面に金属メッキ層を有するものでもよい。金属箔は、極薄金属箔とそれを支持するキャリア金属箔とを含むキャリア付き金属箔であってもよい。金属箔は、少なくとも一方の表面に、防錆処理、シラン処理、粗面化処理およびバリア形成処理等の表面処理が施されたものでもよい。
金属箔の厚みは特に制限されず、配線等の導体パターン（回路パターンとも言う。）の形成に好適であることから、好ましくは０．１～１００μｍ、より好ましくは０．２～５０μｍ、特に好ましくは１．０～４０μｍである。
本発明の金属張積層板は、本発明の硬化性組成物の硬化物を含む絶縁層と、金属箔とを含む。
絶縁層は、繊維基材と本発明の硬化性組成物の硬化物とを含む層であってもよい。
電気抵抗が低いことから、金属箔としては、銅箔、銀箔、金箔、アルミニウム箔およびこれらの組合せ等が好ましく、銅箔等がより好ましい。金属箔は、表面に金属メッキ層を有するものでもよい。金属箔は、極薄金属箔とそれを支持するキャリア金属箔とを含むキャリア付き金属箔であってもよい。金属箔は、少なくとも一方の表面に、防錆処理、シラン処理、粗面化処理およびバリア形成処理等の表面処理が施されたものでもよい。
金属箔の厚みは特に制限されず、配線等の導体パターン（回路パターンとも言う。）の形成に好適であることから、好ましくは０．１～１００μｍ、より好ましくは０．２～５０μｍ、特に好ましくは１．０～４０μｍである。
金属張積層板は、片面に金属箔を有する片面金属張積層板であってもよいし、両面に金属箔を有する両面金属張積層板であってもよく、両面金属張積層板であることが好ましい。
片面金属張積層板は、１つ以上の上記のプリプレグと金属箔とを重ね、得られた第１の仮積層体を加熱加圧することで、製造できる。
両面金属張積層板は、１つ以上の上記のプリプレグを一対の金属箔で挟み、得られた第１の仮積層体を加熱加圧することで、製造できる。
金属箔として銅箔を使用した金属張積層板は、銅張積層板（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ：ＣＣＬ）と呼ばれる。
片面金属張積層板は、１つ以上の上記のプリプレグと金属箔とを重ね、得られた第１の仮積層体を加熱加圧することで、製造できる。
両面金属張積層板は、１つ以上の上記のプリプレグを一対の金属箔で挟み、得られた第１の仮積層体を加熱加圧することで、製造できる。
金属箔として銅箔を使用した金属張積層板は、銅張積層板（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ：ＣＣＬ）と呼ばれる。
絶縁層は好ましくは、プリプレグの加熱加圧物からなる。プリプレグの加熱加圧物は、繊維基材と樹脂とを含み、必要に応じて無機充填材および難燃剤等の１種以上の添加剤を含むことができる。プリプレグの加熱加圧物は、コンポジット基材とも呼ばれる。
第１の仮積層体の加熱加圧条件は特に制限されず、例えば、温度１７０～２５０℃、圧力０．３～３０ＭＰａ、時間３～２４０分間が好ましい。
第１の仮積層体の加熱加圧条件は特に制限されず、例えば、温度１７０～２５０℃、圧力０．３～３０ＭＰａ、時間３～２４０分間が好ましい。
図１および図２に、本発明に係る第１、第２の実施形態の金属張積層板の模式断面図を示す。
図１に示す金属張積層板１は、プリプレグの加熱加圧物からなり、本発明の硬化性組成物の硬化物を含むコンポジット基材（硬化物含有層）１１の片面に、金属箔（金属層）１２が積層された片面金属張積層板（積層体）である。
図２に示す金属張積層板２は、プリプレグの加熱加圧物からなり、本発明の硬化性組成物の硬化物を含むコンポジット基材（硬化物含有層）１１の両面に、金属箔（金属層）１２が積層された両面金属張積層板である。
図１に示す金属張積層板１は、プリプレグの加熱加圧物からなり、本発明の硬化性組成物の硬化物を含むコンポジット基材（硬化物含有層）１１の片面に、金属箔（金属層）１２が積層された片面金属張積層板（積層体）である。
図２に示す金属張積層板２は、プリプレグの加熱加圧物からなり、本発明の硬化性組成物の硬化物を含むコンポジット基材（硬化物含有層）１１の両面に、金属箔（金属層）１２が積層された両面金属張積層板である。
金属張積層板１、２は、上記以外の層を有していてもよい。
金属張積層板１、２は、コンポジット基材（硬化物含有層）１１と金属箔（金属層）１２との間に、これらの接着性を高めるために、接着層を有することができる。接着層の材料としては公知のものを用いることができ、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、接着性フッ素樹脂およびこれらの組合せ等が挙げられる。市販の接着性フッ素樹脂としては、ＡＧＣ社製の「Ｆｌｕｏｎ ＬＭ‐ＥＴＦＥ ＬＨ－８０００」、「ＡＨ－５０００」、「ＡＨ－２０００」および「ＥＡ－２０００」等が挙げられる。
金属張積層板１、２は、コンポジット基材（硬化物含有層）１１と金属箔（金属層）１２との間に、これらの接着性を高めるために、接着層を有することができる。接着層の材料としては公知のものを用いることができ、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、接着性フッ素樹脂およびこれらの組合せ等が挙げられる。市販の接着性フッ素樹脂としては、ＡＧＣ社製の「Ｆｌｕｏｎ ＬＭ‐ＥＴＦＥ ＬＨ－８０００」、「ＡＨ－５０００」、「ＡＨ－２０００」および「ＥＡ－２０００」等が挙げられる。
コンポジット基材の厚みは、用途に応じて適宜設計できる。配線基板の断線予防の観点から、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは７０μｍ以上、特に好ましくは１００μｍ以上である。配線基板の柔軟性、小型化および軽量化の観点から、好ましくは、３００μｍ以下、より好ましくは２５０μｍ以下、特に好ましくは２００μｍ以下である。
［配線基板］
本発明の配線基板は、本発明の硬化性組成物の硬化物を含む絶縁層と、配線とを含む。
配線基板は、上記の本発明の金属張積層板の最表面にある金属箔を用いて配線等の導体パターン（回路パターン）を形成することで、製造できる。配線等の導体パターンを形成する方法としては、金属箔をエッチングして配線等を形成するサブトラクティブ法、および、金属箔の上にメッキで配線を形成するＭＳＡＰ（Modified Semi Additive Process）法等が挙げられる。
本発明の配線基板は、本発明の硬化性組成物の硬化物を含む絶縁層と、配線とを含む。
配線基板は、上記の本発明の金属張積層板の最表面にある金属箔を用いて配線等の導体パターン（回路パターン）を形成することで、製造できる。配線等の導体パターンを形成する方法としては、金属箔をエッチングして配線等を形成するサブトラクティブ法、および、金属箔の上にメッキで配線を形成するＭＳＡＰ（Modified Semi Additive Process）法等が挙げられる。
図３に、本発明に係る一実施形態の配線基板の模式断面図を示す。図３に示す配線基板３は、図２に示した第２の実施形態の金属張積層板２の少なくとも一方の最表面にある金属箔１２を用いて配線２２Ｗ等の導体パターン（回路パターン）２２を形成したものである。
配線基板３は、プリプレグの加熱加圧物からなり、本発明の硬化性組成物の硬化物を含むコンポジット基材（硬化物含有層、絶縁層）１１の少なくとも片面に、配線２２Ｗ等の導体パターン（回路パターン）２２が形成されたものである。
配線基板３は、プリプレグの加熱加圧物からなり、本発明の硬化性組成物の硬化物を含むコンポジット基材（硬化物含有層、絶縁層）１１の少なくとも片面に、配線２２Ｗ等の導体パターン（回路パターン）２２が形成されたものである。
得られた配線基板に対してさらに、１つ以上のプリプレグを重ね、これを一対の金属箔で挟み、得られた第２の仮積層体を加熱加圧し、最表面の金属箔を用いて配線等の導体パターンを形成することで、多層配線基板（多層プリント配線板とも言う。）を製造してもよい。最表面の金属箔は、仮積層体の片面側にのみ配置してもよい。
本発明の配線基板は、高周波領域（周波数１０ＧＨｚ以上の領域）で用いて好適である。
本発明の配線基板は、高周波領域（周波数１０ＧＨｚ以上の領域）で用いて好適である。
近年、携帯用電子機器等の用途では、通信の高速化と大容量化が進み、信号の高周波化が進んでいる。この用途に用いられる配線基板には、高周波領域での伝送損失の低減が求められる。このため、上記用途に用いられる配線基板のコンポジット基材に含まれる樹脂には、高周波領域での誘電損失の低減が求められる。一般的に、誘電正接（Ｄｆ）は周波数に依存し、同じ材料であれば、周波数が高くなる程、誘電正接（Ｄｆ）が大きくなる傾向がある。コンポジット基材に含まれる樹脂は、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）が低いことが好ましい。
プリプレグまたはコンポジット基材と金属箔との熱膨張係数（ＣＴＥ）の差が大きいと、プリプレグと金属箔とを含む第１の仮積層体、またはコンポジット基材とプリプレグと金属箔とを含む第２の仮積層体を加熱加圧する際に、金属箔のずれまたは剥離が生じる恐れがある。プリプレグまたはコンポジット基材と金属箔との熱膨張係数（ＣＴＥ）の差は、小さい方が好ましい。一般的に、樹脂は金属箔より熱膨張係数（ＣＴＥ）が大きいので、プリプレグおよびコンポジット基材の熱膨張係数（ＣＴＥ）は小さい方が好ましい。
配線基板は、比較的高温の環境下で使用される場合がある。この場合でも、配線基板の信頼性を確保するために、プリプレグおよびコンポジット基材に含まれる樹脂は、充分な高さのガラス転移温度（Ｔｇ）を有することが好ましい。
本発明の架橋剤は、［背景技術］の項で挙げた特許文献１で使用されているシランカップリング剤とは異なり、Ｓｉと結合した４つの原子はすべて、非極性原子（具体的には、水素原子または炭素原子）である。
本発明者らが検討したところ、硬化性組成物に、式（Ｘ）、好ましくは式（１）で表される有機ケイ素化合物を添加した場合、この有機ケイ素化合物は、２つ以上の架橋性官能基を有する硬化性化合物を架橋する架橋剤として機能し、かつ、硬化性組成物の（半）硬化物の誘電正接（Ｄｆ）を効果的に低減できることが分かった。
また、架橋剤として式（Ｘ）、好ましくは式（１）で表される有機ケイ素化合物を含む硬化性組成物の（半）硬化物は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が充分に低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が充分に高いことが分かった。
また、架橋剤として式（Ｘ）、好ましくは式（１）で表される有機ケイ素化合物を含む硬化性組成物の（半）硬化物は、銅箔等の金属との密着性も実用的に良好であることが分かった。
本発明者らが検討したところ、硬化性組成物に、式（Ｘ）、好ましくは式（１）で表される有機ケイ素化合物を添加した場合、この有機ケイ素化合物は、２つ以上の架橋性官能基を有する硬化性化合物を架橋する架橋剤として機能し、かつ、硬化性組成物の（半）硬化物の誘電正接（Ｄｆ）を効果的に低減できることが分かった。
また、架橋剤として式（Ｘ）、好ましくは式（１）で表される有機ケイ素化合物を含む硬化性組成物の（半）硬化物は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が充分に低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が充分に高いことが分かった。
また、架橋剤として式（Ｘ）、好ましくは式（１）で表される有機ケイ素化合物を含む硬化性組成物の（半）硬化物は、銅箔等の金属との密着性も実用的に良好であることが分かった。
硬化性組成物に、架橋剤として式（Ｘ）、好ましくは式（１）で表される有機ケイ素化合物を添加することで、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）が効果的に低減され、熱膨張係数（ＣＴＥ）が充分に低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が充分に高い（半）硬化物を得ることができる。この（半）硬化物は、高周波領域で用いられる配線基板用として好適なコンポジット基材および絶縁層等に好適である。
本発明の硬化性組成物の（半）硬化物およびこれを含むコンポジット基材の高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）は、例えば、以下のような範囲内であることが好ましい。
周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接（Ｄｆ）は小さい方が好ましく、好ましくは０．０１以下、より好ましくは０．００５以下、特に好ましくは０．００３以下である。下限値は特に制限されず、例えば０．０００１である。
周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接（Ｄｆ）は小さい方が好ましく、好ましくは０．０１以下、より好ましくは０．００５以下、特に好ましくは０．００３以下である。下限値は特に制限されず、例えば０．０００１である。
本発明の硬化性組成物の（半）硬化物およびこれを含むコンポジット基材の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、例えば、以下のような範囲内であることが好ましい。
熱膨張係数（ＣＴＥ）は小さい方が好ましく、好ましくは７０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは６０ｐｐｍ／℃以下、特に好ましくは５０ｐｐｍ／℃以下、最も好ましくは４０ｐｐｍ／℃以下である。下限値は特に制限されず、例えば１ｐｐｍ／℃である。
熱膨張係数（ＣＴＥ）は小さい方が好ましく、好ましくは７０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは６０ｐｐｍ／℃以下、特に好ましくは５０ｐｐｍ／℃以下、最も好ましくは４０ｐｐｍ／℃以下である。下限値は特に制限されず、例えば１ｐｐｍ／℃である。
本発明の硬化性組成物の（半）硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１８０℃以上、特に好ましくは２００℃以上である。上限値は特に制限されず、例えば３００℃である。
誘電正接（Ｄｆ）、熱膨張係数（ＣＴＥ）およびガラス転移温度（Ｔｇ）は、後記［実施例］の項に記載の方法にて測定することができる。
式（Ｘ）で表される有機ケイ素化合物において、Ｌは単結合、置換基を有していてもよい芳香環、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキレン基、または、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキレン基と置換基を有していてもよい芳香環との組合せである。
芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、キノリン環、およびイソキノリン環等が挙げられ、ベンゼン環およびナフタレン環等が好ましい。
芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、インドール環、キノリン環、およびイソキノリン環等が挙げられ、ベンゼン環およびナフタレン環等が好ましい。
式（１）で表される有機ケイ素化合物において、ベンゼン環は置換基を有していてもよい。ベンゼン環が有していてもよい置換基としては例えば、炭素数１～１８のアルキル基およびアリール基が挙げられ、原料入手性の観点から、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、フェニル基およびトリル基が好ましい。ベンゼン環は、置換基を有さないことが好ましい。
式（１）で表される有機ケイ素化合物において、ベンゼン環上のビニル基の置換位置としては、オルト位、メタ位およびパラ位があり、いずれでもよい。上記置換位置は、オルト位またはパラ位であることができる。架橋反応時の立体障害が小さく、原料入手および合成が容易である観点から、上記置換位置はパラ位であることができる。
式（１）で表される有機ケイ素化合物において、反応性官能基の数（単に、官能基数とも言う。）ｎは、２～４である。
官能基数ｎは、２であることができる。
官能基数ｎは、３または４であることができる。
官能基数ｎは、２であることができる。
官能基数ｎは、３または４であることができる。
式（１）で表される有機ケイ素化合物において、Ｒは水素原子、水酸基または有機基であり、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数１～１８のアルキル基である。硬化性組成物の（半）硬化物の高周波条件での誘電正接（Ｄｆ）をより効果的に低減できることから、Ｒは、酸素原子（Ｏ）等の極性原子を含まないことが好ましい。Ｒは、置換基を有さない炭素数１～１８のアルキル基であることが好ましい。より好ましくは炭素数１～１８の直鎖のアルキル基である。
Ｒは、炭素数が多い方が、架橋構造の極性が低下し、硬化性組成物の（半）硬化物の高周波条件での誘電正接（Ｄｆ）をより効果的に低減でき、好ましい。合成容易性の観点から、炭素数の上限は、１８である。硬化性組成物の（半）硬化物の高周波条件での誘電正接（Ｄｆ）の低減効果および合成容易性の観点から、Ｒの炭素数は、より好ましくは３～１８、特に好ましくは８～１８である。
式（Ｘ）で表される有機ケイ素化合物のＲの好ましい態様は、式（１）で表される有機ケイ素化合物のＲの好ましい態様と同様である。
Ｒは、炭素数が多い方が、架橋構造の極性が低下し、硬化性組成物の（半）硬化物の高周波条件での誘電正接（Ｄｆ）をより効果的に低減でき、好ましい。合成容易性の観点から、炭素数の上限は、１８である。硬化性組成物の（半）硬化物の高周波条件での誘電正接（Ｄｆ）の低減効果および合成容易性の観点から、Ｒの炭素数は、より好ましくは３～１８、特に好ましくは８～１８である。
式（Ｘ）で表される有機ケイ素化合物のＲの好ましい態様は、式（１）で表される有機ケイ素化合物のＲの好ましい態様と同様である。
式（１）で表される有機ケイ素化合物において、Ｍは、単結合または置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキレン基である。合成容易性の観点から、炭素数の上限は、２０である。有機ケイ素化合物の合成容易性の観点から、Ｍは、好ましくは単結合または炭素数１～４のアルキレン基であり、より好ましくは単結合またはメチレン基である。
式（Ｘ）、好ましくは式（１）で表される有機ケイ素化合物は、公知の合成法により、合成することができる。具体的な合成例については、［実施例］の項を参照されたい。
以上説明したように、本発明によれば、硬化性組成物に用いて好適で、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）が効果的に低減され、熱膨張係数（ＣＴＥ）が充分に低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が充分に高い（半）硬化物を得ることが可能な新規な架橋剤およびこれを用いた硬化性組成物を提供できる。
本発明の新規な架橋剤は、プリプレグ、金属張積層板および配線基板等の用途に用いられる硬化性組成物に用いて好適なものであるが、任意の用途に使用可能なものである。
本発明の新規な架橋剤は、プリプレグ、金属張積層板および配線基板等の用途に用いられる硬化性組成物に用いて好適なものであるが、任意の用途に使用可能なものである。
［用途］
本発明の新規な有機ケイ素化合物は、架橋剤等として好適である。
本発明の架橋剤は、モノマー、オリゴマーおよびプレポリマー等の硬化性化合物を含む硬化性組成物に好適である。
本発明の新規な有機ケイ素化合物および新規な架橋剤は、プリプレグ、金属張積層板および配線基板等の用途に用いられる硬化性組成物に好適である。
本発明の架橋剤を含む硬化性組成物は、プリプレグ、金属張積層板および配線基板等の用途に用いられる硬化性組成物に好適である。
本発明の金属張積層板は、各種電気機器および各種電子機器等に使用される配線基板等に好適である。
本発明の配線基板は、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末およびノートパソコン等の携帯用電子機器；携帯電話基地局および自動車等のアンテナ；サーバー、ルーターおよびバックプレーン等の電子機器；無線インフラ；衝突防止用等のレーダー；各種センサ（例えば、エンジンマネージメントセンサ等の自動車用センサ）等に好適である。
本発明の配線基板は特に、高周波信号を用いて通信を行う用途に好適であり、高周波領域において伝送損失の低減が求められる様々な用途に好適である。
本発明の新規な有機ケイ素化合物は、架橋剤等として好適である。
本発明の架橋剤は、モノマー、オリゴマーおよびプレポリマー等の硬化性化合物を含む硬化性組成物に好適である。
本発明の新規な有機ケイ素化合物および新規な架橋剤は、プリプレグ、金属張積層板および配線基板等の用途に用いられる硬化性組成物に好適である。
本発明の架橋剤を含む硬化性組成物は、プリプレグ、金属張積層板および配線基板等の用途に用いられる硬化性組成物に好適である。
本発明の金属張積層板は、各種電気機器および各種電子機器等に使用される配線基板等に好適である。
本発明の配線基板は、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末およびノートパソコン等の携帯用電子機器；携帯電話基地局および自動車等のアンテナ；サーバー、ルーターおよびバックプレーン等の電子機器；無線インフラ；衝突防止用等のレーダー；各種センサ（例えば、エンジンマネージメントセンサ等の自動車用センサ）等に好適である。
本発明の配線基板は特に、高周波信号を用いて通信を行う用途に好適であり、高周波領域において伝送損失の低減が求められる様々な用途に好適である。
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。例１～１０、１０１が実施例であり、例３１、３２が比較例である。特に明記しない限り、室温は２５℃程度である。
［市販試薬］
［実施例］の項において、触媒および試薬は、特に明記しない限り、市販品をそのまま反応に用いた。溶媒は、脱水および脱酸素された市販品を用いた。
［実施例］の項において、触媒および試薬は、特に明記しない限り、市販品をそのまま反応に用いた。溶媒は、脱水および脱酸素された市販品を用いた。
［有機ケイ素化合物の評価項目と評価方法］
（構造）
合成した有機ケイ素化合物の構造は、核磁気共鳴装置（日本電子株式会社製「ＪＮＭ－ＡＬ３００」）を用い、１Ｈ－ＮＭＲ測定を行うことで同定した。
（構造）
合成した有機ケイ素化合物の構造は、核磁気共鳴装置（日本電子株式会社製「ＪＮＭ－ＡＬ３００」）を用い、１Ｈ－ＮＭＲ測定を行うことで同定した。
（分子量）
合成した有機ケイ素化合物の分子量は、ガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ－ＨＲＭＳ）（Ａｇｉｌｅｎｔ社製「７８９０Ａ／ＪＥＯＬ社ＪＭＳ－Ｔ２００ ＡｃｃｕＴＯＦ ＧＣｘ－ｐｌｕｓ」）を用いて、電子衝撃法（ＥＩ）により求めた。
合成した有機ケイ素化合物の分子量は、ガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ－ＨＲＭＳ）（Ａｇｉｌｅｎｔ社製「７８９０Ａ／ＪＥＯＬ社ＪＭＳ－Ｔ２００ ＡｃｃｕＴＯＦ ＧＣｘ－ｐｌｕｓ」）を用いて、電子衝撃法（ＥＩ）により求めた。
［評価用サンプル（フィルム状硬化物）の作製方法］
硬化性化合物として、以下の２種類のポリフェニレンエーテルオリゴマーを用意した。
（ＳＡ９０００）２官能メタクリル変性ＰＰＥ（ＳＡＢＩＣ社製「ＳＡ９０００」）、
（ＯＰＥ－２ｓｔ）２官能クロロメチルスチレン変性ＰＰＥ（三菱ガス化学社製「ＯＰＥ－２ｓｔ」）。
硬化性化合物として、以下の２種類のポリフェニレンエーテルオリゴマーを用意した。
（ＳＡ９０００）２官能メタクリル変性ＰＰＥ（ＳＡＢＩＣ社製「ＳＡ９０００」）、
（ＯＰＥ－２ｓｔ）２官能クロロメチルスチレン変性ＰＰＥ（三菱ガス化学社製「ＯＰＥ－２ｓｔ」）。
ＳＡ９０００およびＯＰＥ－２ｓｔは、下式で表される。
上記の２官能メタクリル変性ＰＰＥ（ＳＡ９０００）または２官能クロロメチルスチレン変性ＰＰＥ（ＯＰＥ－２ｓｔ）と、各例で合成したまたは用意した有機ケイ素化合物と、ラジカル重合開始剤としてのジクミルパーオキサイドと、トルエンとを、質量比７：３：０．１：７で混合し、室温で攪拌して、トルエン溶液（硬化性組成物）を調製した。
次に、アプリケータ（ヨシミツ精機社製）を用いて、厚み１２５μｍのポリイミドフィルム上に、上記トルエン溶液を塗布して、厚さ２５０μｍの塗布膜を形成した。
オーブンにて、空気雰囲気下、８０℃で３０分間加熱乾燥させた後、窒素雰囲気下、２００℃で２時間加熱することで、塗布膜を熱硬化（熱架橋反応）させて、厚み約１００μｍの評価用サンプル（フィルム状硬化物）を得た。得られた評価用サンプルに対して、下記の評価を行った。
次に、アプリケータ（ヨシミツ精機社製）を用いて、厚み１２５μｍのポリイミドフィルム上に、上記トルエン溶液を塗布して、厚さ２５０μｍの塗布膜を形成した。
オーブンにて、空気雰囲気下、８０℃で３０分間加熱乾燥させた後、窒素雰囲気下、２００℃で２時間加熱することで、塗布膜を熱硬化（熱架橋反応）させて、厚み約１００μｍの評価用サンプル（フィルム状硬化物）を得た。得られた評価用サンプルに対して、下記の評価を行った。
［フィルム状硬化物の評価項目と評価方法］
（比誘電率（Ｄｋ）および誘電正接（Ｄｆ））
評価用サンプル（フィルム状硬化物）の１０ＧＨｚにおける比誘電率（Ｄｋ）および誘電正接（Ｄｆ）を、室温で、ベクトルネットワークアナライザ（アジレントテクノロジー社製「Ｅ８３６１Ｃ」）を用い、ＳＰＤＲ法により測定した。
（比誘電率（Ｄｋ）および誘電正接（Ｄｆ））
評価用サンプル（フィルム状硬化物）の１０ＧＨｚにおける比誘電率（Ｄｋ）および誘電正接（Ｄｆ）を、室温で、ベクトルネットワークアナライザ（アジレントテクノロジー社製「Ｅ８３６１Ｃ」）を用い、ＳＰＤＲ法により測定した。
（ガラス転移温度Ｔｇ）
動的粘弾性測定装置（アイティー計測制御株式会社製「ＤＶＡ－２００」）を用いて、評価用サンプル（フィルム状硬化物）の動的粘弾性測定（ＤＭＡ）を行い、ガラス転移温度（Ｔｇ）（℃）を測定した。測定は、周波数１０Ｈｚ、昇温速度２℃／ｍｉｎ、温度範囲２５～３００℃の条件で行った。
動的粘弾性測定装置（アイティー計測制御株式会社製「ＤＶＡ－２００」）を用いて、評価用サンプル（フィルム状硬化物）の動的粘弾性測定（ＤＭＡ）を行い、ガラス転移温度（Ｔｇ）（℃）を測定した。測定は、周波数１０Ｈｚ、昇温速度２℃／ｍｉｎ、温度範囲２５～３００℃の条件で行った。
（熱膨張係数（ＣＴＥ））
熱機械分析装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製「ＴＭＡ／ＳＳ７１００」）を用い、ガラス転移温度（Ｔｇ）未満における、評価用サンプル（フィルム状硬化物）の熱膨張係数（ＣＴＥ）を測定した。測定は、昇温速度５℃／ｍｉｎ、温度範囲－５０～３４０℃の条件で行った。
熱機械分析装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製「ＴＭＡ／ＳＳ７１００」）を用い、ガラス転移温度（Ｔｇ）未満における、評価用サンプル（フィルム状硬化物）の熱膨張係数（ＣＴＥ）を測定した。測定は、昇温速度５℃／ｍｉｎ、温度範囲－５０～３４０℃の条件で行った。
［例１］ドデシルトリス（３－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１２－Ｔ－ｍ－Ｓｔ－Ｓｉ）の合成
＜ドデシルトリス（３－ホルミルフェニル）シランの合成＞
窒素雰囲気下、５００ｍＬの四ツ口フラスコに、３－ブロモベンズアルデヒドジエチルアセタール（２４．０ｇ、９０．８ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－６５℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３５ｍＬ、９１ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－７０℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にドデシルトリクロロシラン（７．２０ｍＬ、２４．２ｍｍｏｌ）を４０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、室温で１時間攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相に酢酸エチル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を真空下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝１：１（体積比））を用いて精製し、無色液体のドデシルトリス（３－ホルミルフェニル）シランを１０．５ｇ得た（収率：８５％）。
＜ドデシルトリス（３－ホルミルフェニル）シランの合成＞
窒素雰囲気下、５００ｍＬの四ツ口フラスコに、３－ブロモベンズアルデヒドジエチルアセタール（２４．０ｇ、９０．８ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－６５℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３５ｍＬ、９１ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－７０℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にドデシルトリクロロシラン（７．２０ｍＬ、２４．２ｍｍｏｌ）を４０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、室温で１時間攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相に酢酸エチル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を真空下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝１：１（体積比））を用いて精製し、無色液体のドデシルトリス（３－ホルミルフェニル）シランを１０．５ｇ得た（収率：８５％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１０．０１（ｓ，３Ｈ，ＣＨＯ），８．００（ｂｒｓ，３Ｈ，ｓ，Ａｒ－Ｈ）， ７．９７（ｔｄ，３Ｈ，Ｊ＝７．６８，１．７１ Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．７６（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．５８（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），１．５６～１．３３（ｍ，６Ｈ，－ＣＨ２－），１．２２（ｂｒｓ，１６Ｈ，－ＣＨ２－），０．８７（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝６．８３ Ｈｚ，ＣＨ３）．
＜ドデシルトリス（３－ビニルフェニル）シランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下でメチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２２．６ｇ、６３．３ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１４４ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（７．９８ｇ、７１．１ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ドデシルトリス（３－ホルミルフェニル）シラン（９．００ｇ、１７．６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１４４ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、１時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（２．５５ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）を加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（赤色のオイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、淡黄色液体のドデシルトリス（３－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１２－Ｔ－ｍ－Ｓｔ－Ｓｉ）を６．３２ｇ得た（収率：７１％）。
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下でメチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２２．６ｇ、６３．３ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１４４ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（７．９８ｇ、７１．１ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ドデシルトリス（３－ホルミルフェニル）シラン（９．００ｇ、１７．６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１４４ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、１時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（２．５５ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）を加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（赤色のオイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、淡黄色液体のドデシルトリス（３－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１２－Ｔ－ｍ－Ｓｔ－Ｓｉ）を６．３２ｇ得た（収率：７１％）。
反応スキーム、ＮＭＲ分析結果およびＨＲＭＳ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）７．５４（ｂｒｓ，３Ｈ，Ａｒ－Ｈ），７．４８（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．８３Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．４０（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．８３Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．３２（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝６．８３Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），６．６９（ｄｄ，３Ｈ，Ｊ＝１１．１０，１７．９３Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．６９（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１７．９３Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．２１（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１１．１０Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），１．５２－１．４２（ｍ，２Ｈ，－ＣＨ２－），１．４２－１．３２（ｍ，４Ｈ，－ＣＨ２－），１．３２－１．１１（ｍ，１６Ｈ，－ＣＨ２－），０．８７（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝６．８３Ｈｚ，ＣＨ３）．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３６Ｈ４６Ｓｉ：（Ｍ＋）５０６．３３７，ｆｏｕｎｄ ５０６．３２９．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３６Ｈ４６Ｓｉ：（Ｍ＋）５０６．３３７，ｆｏｕｎｄ ５０６．３２９．
［例２］ドデシルトリス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１２－Ｔ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）の合成
＜ドデシルトリス（４－ホルミルフェニル）シランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、４－ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタール（２４．０ｇ、１０２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－６６℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３９ｍＬ、１００ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－７０℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にドデシルトリクロロシラン（８．０８ｍＬ、２７．２ｍｍｏｌ）を４０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、ジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝１：１（体積比））を用いて精製し、無色液体のドデシルトリス（４－ホルミルフェニル）シランを９．５３ｇ得た（収率：６８％）。
＜ドデシルトリス（４－ホルミルフェニル）シランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、４－ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタール（２４．０ｇ、１０２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－６６℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３９ｍＬ、１００ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－７０℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にドデシルトリクロロシラン（８．０８ｍＬ、２７．２ｍｍｏｌ）を４０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、ジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝１：１（体積比））を用いて精製し、無色液体のドデシルトリス（４－ホルミルフェニル）シランを９．５３ｇ得た（収率：６８％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１０．０６（ｓ，３Ｈ，ＣＨＯ），７．８９（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．６７（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），１．４７～１．３９（ｍ，６Ｈ，－ＣＨ２－），１．２３（ｂｒｓ，１６Ｈ，－ＣＨ２－），０．８７（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝６．８３ Ｈｚ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
＜ドデシルトリス（４－ビニルフェニル）シランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２１．３ｇ、５９．６ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１３６ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（７．５３ｇ、６７．１ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ドデシルトリス（４－ホルミルフェニル）シラン（８．５０ｇ、１６．６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１３６ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、１時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（２．５５ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（黄色のオイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）にてを用いて精製し、淡黄色液体のドデシルトリス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１２－Ｔ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）を４．７３ｇ得た（収率：５６％）。
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２１．３ｇ、５９．６ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１３６ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（７．５３ｇ、６７．１ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ドデシルトリス（４－ホルミルフェニル）シラン（８．５０ｇ、１６．６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１３６ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、１時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（２．５５ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（黄色のオイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）にてを用いて精製し、淡黄色液体のドデシルトリス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１２－Ｔ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）を４．７３ｇ得た（収率：５６％）。
反応スキーム、ＮＭＲ分析結果およびＨＲＭＳ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）７．４７（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．３９（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），６．７２（ｄｄ，３Ｈ，Ｊ＝１０．７，１７．５Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．７９（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１７．９Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．２７（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），１．４９～１．２２（ｍ，２２Ｈ，－ＣＨ２－），０．８６（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝６．４０Ｈｚ，ＣＨ３）．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３６Ｈ４６Ｓｉ：（Ｍ＋）５０６．３３７，ｆｏｕｎｄ ５０６．３３１．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３６Ｈ４６Ｓｉ：（Ｍ＋）５０６．３３７，ｆｏｕｎｄ ５０６．３３１．
［例３］メチルトリス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｔ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）の合成
＜トリス（４－ホルミルフェニル）メチルシランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、４－ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタール（２４．０ｇ、１０２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－７０℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３９ｍＬ、１００ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－７０℃以下で２時間攪拌した。得られた懸濁液にトリクロロ（メチル）シラン（３．１７ｍＬ、２７．１ｍｍｏｌ）を４０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、ジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、アセタール／アルデヒドの粗混合物を得た。粗混合物にテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）と塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１００ｍＬ）とを加え、２時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（４００ｍＬ）を滴下した。反応液にジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を３回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（黄色のオイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：酢酸エチル／ｎ－ヘキサン＝１：４（体積比））を用いて精製し、無色液体のトリス（４－ホルミルフェニル）メチルシランを９．９５ｇ得た（収率：９８％、純度９６％）。
＜トリス（４－ホルミルフェニル）メチルシランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、４－ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタール（２４．０ｇ、１０２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－７０℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３９ｍＬ、１００ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－７０℃以下で２時間攪拌した。得られた懸濁液にトリクロロ（メチル）シラン（３．１７ｍＬ、２７．１ｍｍｏｌ）を４０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、ジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、アセタール／アルデヒドの粗混合物を得た。粗混合物にテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）と塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１００ｍＬ）とを加え、２時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（４００ｍＬ）を滴下した。反応液にジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を３回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（黄色のオイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：酢酸エチル／ｎ－ヘキサン＝１：４（体積比））を用いて精製し、無色液体のトリス（４－ホルミルフェニル）メチルシランを９．９５ｇ得た（収率：９８％、純度９６％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１０．０６（ｓ，３Ｈ，ＣＨＯ），７．８９（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．６７（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），０．９７（ｓ，３Ｈ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
＜メチルトリス（４－ビニルフェニル）シランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２７．５ｇ、７７．０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（９．７４ｇ、８６．８ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、トリス（４－ホルミルフェニル）メチルシラン（８．００ｇ、２１．４ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、２時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（０．６０ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（黄色のオイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色液体のメチルトリス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｔ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）を６．４１ｇ得た（収率：８５％）。
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２７．５ｇ、７７．０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（９．７４ｇ、８６．８ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、トリス（４－ホルミルフェニル）メチルシラン（８．００ｇ、２１．４ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、２時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（０．６０ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（黄色のオイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色液体のメチルトリス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｔ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）を６．４１ｇ得た（収率：８５％）。
反応スキーム、ＮＭＲ分析結果およびＨＲＭＳ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）７．４７（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．３９（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝７．６８ Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），６．７２（ｄｄ，３Ｈ，Ｊ＝１１．１，１７．９Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．７８（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１７．９Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．２７（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），０．８１（ｓ，３Ｈ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２５Ｈ２４Ｓｉ：（Ｍ＋）３５２．１６５，ｆｏｕｎｄ ３５２．１６２．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２５Ｈ２４Ｓｉ：（Ｍ＋）３５２．１６５，ｆｏｕｎｄ ３５２．１６２．
［例４］ジメチルビス（３－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｍ－Ｓｔ－Ｓｉ）の合成
＜ビス（３－ホルミルフェニル）ジメチルシランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、３－ブロモベンズアルデヒドジエチルアセタール（２４．０ｇ、９０．８ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－６５℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３５ｍＬ、９１ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－７０℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にジクロロジメチルシラン（４．４０ｍＬ、３６．３ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、室温で１時間攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相に酢酸エチル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝１：２（体積比））を用いて精製し、淡黄色液体のビス（３－ホルミルフェニル）ジメチルシランを８．６１ｇ得た（収率：８８％）。
＜ビス（３－ホルミルフェニル）ジメチルシランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、３－ブロモベンズアルデヒドジエチルアセタール（２４．０ｇ、９０．８ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－６５℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３５ｍＬ、９１ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－７０℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にジクロロジメチルシラン（４．４０ｍＬ、３６．３ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、室温で１時間攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相に酢酸エチル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝１：２（体積比））を用いて精製し、淡黄色液体のビス（３－ホルミルフェニル）ジメチルシランを８．６１ｇ得た（収率：８８％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１０．０２（ｓ，２Ｈ，ＣＨＯ），８．０２（ｓ，２Ｈ，Ａｒ－Ｈ），７．９０（ｔｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６８，１．７１Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．５４（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），０．６６（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
＜ジメチルビス（３－ビニルフェニル）シランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２５．６ｇ、７１．１ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（９．０３ｇ、８０．５ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ビス（３－ホルミルフェニル）ジメチルシラン（８．００ｇ、２９．８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、７時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（０．６０ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（オイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色液体のジメチルビス（３－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｍ－Ｓｔ－Ｓｉ）を７．３９ｇ得た（収率：９４％）。
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２５．６ｇ、７１．１ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（９．０３ｇ、８０．５ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ビス（３－ホルミルフェニル）ジメチルシラン（８．００ｇ、２９．８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、７時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（０．６０ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（オイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色液体のジメチルビス（３－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｍ－Ｓｔ－Ｓｉ）を７．３９ｇ得た（収率：９４％）。
反応スキーム、ＮＭＲ分析結果およびＨＲＭＳ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）８．５３（ｂｒｓ，２Ｈ，Ａｒ－Ｈ），７．４６－７．３７（ｍ，４Ｈ，Ａｒ－Ｈ），７．３２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），６．７１（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１１．１０，１７．０７Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．７３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１７．０７Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．２３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１１．１０Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），０．５６（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１８Ｈ２０Ｓｉ：（Ｍ＋）２６４．１３３，ｆｏｕｎｄ ２６４．１３０．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１８Ｈ２０Ｓｉ：（Ｍ＋）２６４．１３３，ｆｏｕｎｄ ２６４．１３０．
［例５］ジメチルビス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）の合成
＜ビス（４－ホルミルフェニル）ジメチルシランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、４－ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタール（２４．０ｇ、１０２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－６５℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３９ｍＬ、１００ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－７０℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にジクロロジメチルシラン（４．９３ｍＬ、４０．７ｍｍｏｌ）を４０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、ジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。
さらに、水相にジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、アセタール／アルデヒドの粗混合物を得た。粗混合物にテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）と塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１００ｍＬ）とを加え、２時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（２４０ｍＬ）を滴下した。反応液にジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を３回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（淡黄色のオイル）を得た。粗物に酢酸エチル／ｎ－ヘキサン混合溶液（１：７（体積比）、１２０ｍＬ）を加え、加熱還流させた後、０℃までゆっくりと冷却した。懸濁液をろ過して、得られた固体を減圧下で乾燥してビス（４－ホルミルフェニル）ジメチルシランを８．４０ｇ得た（収率：７７％）。
＜ビス（４－ホルミルフェニル）ジメチルシランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、４－ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタール（２４．０ｇ、１０２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－６５℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３９ｍＬ、１００ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－７０℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にジクロロジメチルシラン（４．９３ｍＬ、４０．７ｍｍｏｌ）を４０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、ジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。
さらに、水相にジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、アセタール／アルデヒドの粗混合物を得た。粗混合物にテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）と塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１００ｍＬ）とを加え、２時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（２４０ｍＬ）を滴下した。反応液にジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を３回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（淡黄色のオイル）を得た。粗物に酢酸エチル／ｎ－ヘキサン混合溶液（１：７（体積比）、１２０ｍＬ）を加え、加熱還流させた後、０℃までゆっくりと冷却した。懸濁液をろ過して、得られた固体を減圧下で乾燥してビス（４－ホルミルフェニル）ジメチルシランを８．４０ｇ得た（収率：７７％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１０．０３（ｓ，２Ｈ，ＣＨＯ），７．８６（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．６８（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），０．６４（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
＜ジメチルビス（４－ビニルフェニル）シランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２５．６ｇ、７１．７ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（９．０３ｇ、８０．５ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ビス（４－ホルミルフェニル）ジメチルシラン（８．００ｇ、２９．８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、２時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（０．６０ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（開溶剤：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色液体のジメチルビス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）を７．２７ｇ得た（収率：９２％）。
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２５．６ｇ、７１．７ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（９．０３ｇ、８０．５ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ビス（４－ホルミルフェニル）ジメチルシラン（８．００ｇ、２９．８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、２時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（０．６０ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（開溶剤：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色液体のジメチルビス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）を７．２７ｇ得た（収率：９２％）。
反応スキーム、ＮＭＲ分析結果およびＨＲＭＳ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）７．４８（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．３８（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），６．７１（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１１．１，１７．９Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．７７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．２５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），０．５４（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１８Ｈ２０Ｓｉ：（Ｍ＋）２６４．１３３，ｆｏｕｎｄ ２６４．１３１．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１８Ｈ２０Ｓｉ：（Ｍ＋）２６４．１３３，ｆｏｕｎｄ ２６４．１３１．
［例６］テトラキス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｑ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）の合成
＜テトラキス（４－ホルミルフェニル）シランの合成＞
３００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、４－ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタール（１２．０ｇ、５０．９ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１５０ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－６５℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、２０ｍＬ、５２ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－６８℃以下で２時間攪拌した。得られた懸濁液にテトラクロロシラン（１．１４ｍＬ、９．８１ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、６０ｍＬ）でクエンチし、ジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、さらに、水相にジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、アセタール／アルデヒドの粗混合物を得た。粗混合物にテトラヒドロフラン（５０ｍＬ）と塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、５０ｍＬ）とを加え、２時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）を滴下した。反応液にジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を３回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（淡黄色のオイル）を得た。粗物に酢酸エチル／ｎ－ヘキサン混合溶液（１：３（体積比）、４０ｍＬ）を加え、加熱還流させた後、０℃までゆっくりと冷却した。懸濁液をろ過して、得られた固体を減圧下で乾燥してテトラキス（４－ホルミルフェニル）シランを２．２５ｇ得た（収率：５１％）。
＜テトラキス（４－ホルミルフェニル）シランの合成＞
３００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、４－ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタール（１２．０ｇ、５０．９ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１５０ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－６５℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、２０ｍＬ、５２ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、反応溶液を－６８℃以下で２時間攪拌した。得られた懸濁液にテトラクロロシラン（１．１４ｍＬ、９．８１ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、６０ｍＬ）でクエンチし、ジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、さらに、水相にジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、アセタール／アルデヒドの粗混合物を得た。粗混合物にテトラヒドロフラン（５０ｍＬ）と塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、５０ｍＬ）とを加え、２時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）を滴下した。反応液にジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を３回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（淡黄色のオイル）を得た。粗物に酢酸エチル／ｎ－ヘキサン混合溶液（１：３（体積比）、４０ｍＬ）を加え、加熱還流させた後、０℃までゆっくりと冷却した。懸濁液をろ過して、得られた固体を減圧下で乾燥してテトラキス（４－ホルミルフェニル）シランを２．２５ｇ得た（収率：５１％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１０．０９（ｓ，４Ｈ，ＣＨＯ），７．９４（ｄ，８Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．７３（ｄ，８Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ）．
＜テトラキス（４－ビニルフェニル）シランの合成＞
１００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（８．０３ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）と、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（３．０３ｇ、２７．０ｍｍｏｌ）と、テトラヒドロフラン（３４ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、反応混合物を５分以上攪拌した。反応混合物に、テトラキス（４－ホルミルフェニル）シラン（２．１０ｇ、４．６８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（３４ｍＬ）溶液を１０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、２時間攪拌した。反応混合物を３０℃、減圧下で濃縮し、得られた混合物に水（５０ｍＬ）とジエチルエーテル（５０ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（４０ｍＬ）とジエチルエーテル（１０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物にメタノール（１０ｍＬ）と４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（０．６ｍｇ）とを加え、室温下で３０分間攪拌した。懸濁液をろ過して、得られた固体を減圧下で乾燥して、テトラキス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｑ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）を０．７４７ｇ得た（収率：３６％）。
１００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（８．０３ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）と、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（３．０３ｇ、２７．０ｍｍｏｌ）と、テトラヒドロフラン（３４ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、反応混合物を５分以上攪拌した。反応混合物に、テトラキス（４－ホルミルフェニル）シラン（２．１０ｇ、４．６８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（３４ｍＬ）溶液を１０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、２時間攪拌した。反応混合物を３０℃、減圧下で濃縮し、得られた混合物に水（５０ｍＬ）とジエチルエーテル（５０ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（５０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（４０ｍＬ）とジエチルエーテル（１０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物にメタノール（１０ｍＬ）と４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（０．６ｍｇ）とを加え、室温下で３０分間攪拌した。懸濁液をろ過して、得られた固体を減圧下で乾燥して、テトラキス（４－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｑ－ｐ－Ｓｔ－Ｓｉ）を０．７４７ｇ得た（収率：３６％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）７．５３（ｄ，８Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．４１（ｄ，８Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），６．７３（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝１０．７，１７．５Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．８０（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝１７．９Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．２９（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２）．
［例７］ジメチルビス（２－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｏ－Ｓｔ－Ｓｉ）の合成
＜ビス（２－ホルミルフェニル）ジメチルシランの合成の合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、２－ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタール（２４．０ｇ、１０２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－７０℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３９ｍＬ、１００ｍｍｏｌ）を１．５時間かけて滴下し、反応溶液を－６９℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にジクロロジメチルシラン（４．９３ｍＬ、４０．７ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、室温で１時間攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相に酢酸エチル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行い、これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を減圧下で濃縮し粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝１：２（体積比））を用いて精製し、液体としてビス（２－ホルミルフェニル）ジメチルシラン（５）を９．５０ｇ得た（収率：８７％）。
＜ビス（２－ホルミルフェニル）ジメチルシランの合成の合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、２－ブロモベンズアルデヒドジメチルアセタール（２４．０ｇ、１０２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－７０℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３９ｍＬ、１００ｍｍｏｌ）を１．５時間かけて滴下し、反応溶液を－６９℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にジクロロジメチルシラン（４．９３ｍＬ、４０．７ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、１２０ｍＬ）でクエンチし、室温で１時間攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相に酢酸エチル（１００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行い、これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を減圧下で濃縮し粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝１：２（体積比））を用いて精製し、液体としてビス（２－ホルミルフェニル）ジメチルシラン（５）を９．５０ｇ得た（収率：８７％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）９．９２（ｓ，２Ｈ，ＣＨＯ），７．８７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．８４（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．６０（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５４，１．７１Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．５６（ｔｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５４，１７．１Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），０．６７（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
＜ジメチルビス（２－ビニルフェニル）シランの合成＞
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２５．６ｇ、７１．７ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（９．０３ｇ、８０．５ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ビス（２－ホルミルフェニル）ジメチルシラン（８．００ｇ、２９．８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、２時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（０．６０ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（赤色のオイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色固体のジメチルビス（２－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｏ－Ｓｔ－Ｓｉ）を６．６４ｇ得た（収率：８４％）。
５００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（２５．６ｇ、７１．７ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（９．０３ｇ、８０．５ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ビス（２－ホルミルフェニル）ジメチルシラン（８．００ｇ、２９．８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１２８ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、２時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（０．６０ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（２００ｍＬ）とジエチルエーテル（２００ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（２００ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物にｎ－ヘキサン（１６０ｍＬ）とジエチルエーテル（４０ｍＬ）とを加え、３０分間攪拌した。混合物をろ紙を用いてろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物（赤色のオイル）を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色固体のジメチルビス（２－ビニルフェニル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｏ－Ｓｔ－Ｓｉ）を６．６４ｇ得た（収率：８４％）。
反応スキーム、ＮＭＲ分析結果およびＨＲＭＳ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）７．５３（ｄｍ，４Ｈ，Ｊ＝７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．３７（ｔｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６８，１．７１Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．２９～７．２３（ｍ，２Ｈ，Ａｒ－Ｈ），６．８２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１１．１，１７．１Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．５４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．０８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．７１，１１．１Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），０．６１（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１８Ｈ２０Ｓｉ：（Ｍ＋）２６４．１３３，ｆｏｕｎｄ ２６４．１３２．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１８Ｈ２０Ｓｉ：（Ｍ＋）２６４．１３３，ｆｏｕｎｄ ２６４．１３２．
［例８］ジメチルビス（４－ビニルベンジル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｐ－Ｂｎ－Ｓｉ）の合成
５０ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、マグネシウム（切削片状、０．８７８ｇ、３６．１ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（２０ｍＬ）とを仕込み、氷浴で冷却した。懸濁液に、４－（クロロメチル）スチレン（５．０１ｇ、３２．８ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１０ｍＬ）溶液を１．５時間かけて滴下した。上記と同じ温度で１時間攪拌した後、ジクロロジメチルシラン（１．９９ｍＬ、１６．４ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応液に水（１５ｍＬ）を加え１０分間以上攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相にジエチルエーテル（３０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色液体のジメチルビス（４－ビニルベンジル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｐ－Ｂｎ－Ｓｉ）を１．７７ｇ得た（収率：３７％）。
５０ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、マグネシウム（切削片状、０．８７８ｇ、３６．１ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（２０ｍＬ）とを仕込み、氷浴で冷却した。懸濁液に、４－（クロロメチル）スチレン（５．０１ｇ、３２．８ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１０ｍＬ）溶液を１．５時間かけて滴下した。上記と同じ温度で１時間攪拌した後、ジクロロジメチルシラン（１．９９ｍＬ、１６．４ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応液に水（１５ｍＬ）を加え１０分間以上攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相にジエチルエーテル（３０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色液体のジメチルビス（４－ビニルベンジル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｐ－Ｂｎ－Ｓｉ）を１．７７ｇ得た（収率：３７％）。
反応スキーム、ＮＭＲ分析結果およびＨＲＭＳ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）７．２８（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），６．９５（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．５４Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），６．６８（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１０．７，１７．５Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．６８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１７．９Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．１６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），２．１０（ｓ，４Ｈ，Ａｒ－ＣＨ２－Ｓｉ），－０．０５１（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２０Ｈ２４Ｓｉ：（Ｍ＋）２９２．１６５，ｆｏｕｎｄ ２９２．１６４．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２０Ｈ２４Ｓｉ：（Ｍ＋）２９２．１６５，ｆｏｕｎｄ ２９２．１６４．
［例９］ジメチルビス（２－ビニルベンジル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｏ－Ｂｎ－Ｓｉ）の合成
５０ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、マグネシウム（切削片状、０．８７８ｇ、３６．１ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（２０ｍＬ）とを仕込み、氷浴で冷却した。懸濁液に、２－（クロロメチル）スチレン（５．０１ｇ、３２．２ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１０ｍＬ）溶液を４５分かけて滴下した。上記と同じ温度で１時間攪拌した後、ジクロロジメチルシラン（１．９９ｍＬ、１６．４ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応液に水（１５ｍＬ）を加え１０分間以上攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相にジエチルエーテル（３０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色液体のジメチルビス（２－ビニルベンジル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｏ－Ｂｎ－Ｓｉ）を０．４００ｇ得た（収率：８％）。
５０ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、マグネシウム（切削片状、０．８７８ｇ、３６．１ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（２０ｍＬ）とを仕込み、氷浴で冷却した。懸濁液に、２－（クロロメチル）スチレン（５．０１ｇ、３２．２ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル（１０ｍＬ）溶液を４５分かけて滴下した。上記と同じ温度で１時間攪拌した後、ジクロロジメチルシラン（１．９９ｍＬ、１６．４ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応液に水（１５ｍＬ）を加え１０分間以上攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相にジエチルエーテル（３０ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色液体のジメチルビス（２－ビニルベンジル）シラン（Ｃ１－Ｄ－ｏ－Ｂｎ－Ｓｉ）を０．４００ｇ得た（収率：８％）。
反応スキーム、ＮＭＲ分析結果およびＨＲＭＳ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）７．４６（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．７１，７．６８Ｈｚ，Ａｒ－Ｈ），７．１６～６．８９（ｍ，６Ｈ，Ａｒ－Ｈ），６．８１（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１１．１，１７．９Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．５８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．７１，１７．１Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），５．２１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，－ＣＨ＝ＣＨ２），２．２１（ｓ，４Ｈ，Ａｒ－ＣＨ２－Ｓｉ），０．０９１（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ－ＣＨ３）．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２０Ｈ２４Ｓｉ：（Ｍ＋）２９２．１６５，ｆｏｕｎｄ ２９２．１６７．
ＨＲＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ２０Ｈ２４Ｓｉ：（Ｍ＋）２９２．１６５，ｆｏｕｎｄ ２９２．１６７．
［例１０］ジメチルビス（６－ビニル－２－ナフチル）シラン（Ｃ１－Ｄ－Ｎａｐｈ－Ｓｉ）の合成
＜６－ブロモ－２－ナフトアルデヒドジメチルアセタールの合成＞
１００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、６－ブロモ－２－ナフトアルデヒド（４．５０ｇ、１８．８ｍｍｏｌ）とｐ－トルエンスルホン酸一水和物（０．３５７ｇ、１．８８ｍｍｏｌ）とオルトぎ酸トリメチル（３０ｍＬ、２７０ｍｍｏｌ）とを仕込んだ。この溶液を５時間加熱還流した。この溶液を室温まで冷却し、ｐＨが７～８になるように飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１５ｍＬ）を加えた。反応混合物に酢酸エチル（２５ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン／酢酸エチル＝３０：１（体積比））を用いて精製し、固体の６－ブロモ－２－ナフトアルデヒドジメチルアセタールを５．４８ｇ得た（収率：１００％）。
＜６－ブロモ－２－ナフトアルデヒドジメチルアセタールの合成＞
１００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、６－ブロモ－２－ナフトアルデヒド（４．５０ｇ、１８．８ｍｍｏｌ）とｐ－トルエンスルホン酸一水和物（０．３５７ｇ、１．８８ｍｍｏｌ）とオルトぎ酸トリメチル（３０ｍＬ、２７０ｍｍｏｌ）とを仕込んだ。この溶液を５時間加熱還流した。この溶液を室温まで冷却し、ｐＨが７～８になるように飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１５ｍＬ）を加えた。反応混合物に酢酸エチル（２５ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン／酢酸エチル＝３０：１（体積比））を用いて精製し、固体の６－ブロモ－２－ナフトアルデヒドジメチルアセタールを５．４８ｇ得た（収率：１００％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）８．００（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．６７Ｈｚ），７．９１（ｓ，１Ｈ），７．７６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．７０Ｈｚ），７．７３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．０６Ｈｚ），７．５８（ｄｍ，１Ｈ，Ｊ＝１．６７Ｈｚ），７．５５（ｄｍ，１Ｈ，Ｊ＝２．０３Ｈｚ），５．５３（ｓ，１Ｈ，－ＣＨ－Ｏ），３．３７（ｓ，６Ｈ，－（ＯＣＨ３）２）．
＜ジメチルビス（６－ホルミル－２－ナフチル）シランの合成＞
２００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、６－ブロモ－２－ナフトアルデヒドジメチルアセタール（５．００ｇ、１７．８ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（６２ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－７０℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、６．８ｍＬ、１７．８ｍｍｏｌ）を２０分間かけて滴下し、反応溶液を－６８℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にジクロロジメチルシラン（０．８６１ｍＬ、７．１１ｍｍｏｌ）を１５分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、２５ｍＬ）でクエンチし、室温で１時間攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相に酢酸エチル（２５ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行い、これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（２５ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝１：１（体積比））を用いて精製し、高粘度な液体のジメチルビス（６－ホルミル－２－ナフチル）シランを２．６０ｇ得た（収率：９９％）。
２００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、６－ブロモ－２－ナフトアルデヒドジメチルアセタール（５．００ｇ、１７．８ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（６２ｍＬ）とを仕込んだ。この溶液を－７０℃以下に冷却し、これに、ｎ－ＢｕＬｉ／ｎ－ヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、６．８ｍＬ、１７．８ｍｍｏｌ）を２０分間かけて滴下し、反応溶液を－６８℃以下で２時間攪拌した。得られた反応溶液にジクロロジメチルシラン（０．８６１ｍＬ、７．１１ｍｍｏｌ）を１５分かけて滴下し、上記と同じ温度で２時間攪拌した。フラスコを室温まで加温し、１２時間以上攪拌した。反応混合物を塩酸（２ｍｏｌ／Ｌ、２５ｍＬ）でクエンチし、室温で１時間攪拌し、有機相を分離した。さらに、水相に酢酸エチル（２５ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を２回行い、これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を飽和食塩水（２５ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗物を得た。粗物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：クロロホルム／ｎ－ヘキサン＝１：１（体積比））を用いて精製し、高粘度な液体のジメチルビス（６－ホルミル－２－ナフチル）シランを２．６０ｇ得た（収率：９９％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１０．１７（ｓ，２Ｈ，－ＣＨＯ），８．３３（ｓ，２Ｈ），８．１１（ｓ，２Ｈ），８．００－７．９１（ｍ，６Ｈ），７．６３（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．０７，８．２３Ｈｚ），０．７６（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ３）２）．
＜ジメチルビス（６－ビニル－２－ナフチル）シランの合成＞
２００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（６．０５ｇ、１６．９ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（４２ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（２．１４ｇ、１９．１ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ジメチルビス（６－ホルミル－２－ナフチル）シラン（２．６０ｇ、７．０６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（４２ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、１時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（１．３０ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（６５ｍＬ）とジエチルエーテル（６５ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（６５ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色固体のジメチルビス（６－ビニル－２－ナフチル）シラン（Ｃ１－Ｄ－Ｎａｐｈ－Ｓｉ）を１．９７ｇ得た（収率：７７％）。
２００ｍＬの四ツ口フラスコに、窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（６．０５ｇ、１６．９ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（４２ｍＬ）とを仕込んだ。フラスコを０℃に冷却し、懸濁液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（２．１４ｇ、１９．１ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を上記と同じ温度で５分以上攪拌した。反応混合物に、ジメチルビス（６－ホルミル－２－ナフチル）シラン（２．６０ｇ、７．０６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（４２ｍＬ）溶液を２０分かけて滴下した。フラスコを室温まで加温し、１時間攪拌した。反応混合物に４－ｔｅｒｔ－ブチルピロカテコール（１．３０ｍｇ）を加えた後、３０℃、減圧下で濃縮した。得られた混合物に水（６５ｍＬ）とジエチルエーテル（６５ｍＬ）とを加え、有機相を分離する抽出を行った。さらに、水相にジエチルエーテル（６５ｍＬ）を加え、有機相を分離する抽出を行った。これら抽出で得られた有機相を合わせた。合わせた有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮して、粗混合物を得た。粗混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ－ヘキサン）を用いて精製し、無色固体のジメチルビス（６－ビニル－２－ナフチル）シラン（Ｃ１－Ｄ－Ｎａｐｈ－Ｓｉ）を１．９７ｇ得た（収率：７７％）。
反応スキームおよびＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）８．００（ｓ，２Ｈ），７．７８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．１１Ｈｚ），７．７６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４６Ｈｚ），７．７３（ｓ，２Ｈ），７．６３（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．６７，８．５８Ｈｚ），７．５９（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．０７，８．１１Ｈｚ），６．８８（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１１．０９，１７．５２Ｈｚ），５．８７（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝０．７２，１７．５２Ｈｚ），５．３４（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝０．６０，１０．８５ Ｈｚ），０．７０（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ３）２）．
［例３１］
比較用の有機ケイ素化合物として、市販のシランカップリング剤であるトリメトキシビニルシラン（ＴＭＶＳ、ＴＣＩ社商品）を用意した。
比較用の有機ケイ素化合物として、市販のシランカップリング剤であるトリメトキシビニルシラン（ＴＭＶＳ、ＴＣＩ社商品）を用意した。
［例３２］
比較用の有機ケイ素化合物として、市販のシランカップリング剤であるトリエトキシビニルシラン（ＴＥＶＳ、ＴＣＩ社商品）を用意した。
比較用の有機ケイ素化合物として、市販のシランカップリング剤であるトリエトキシビニルシラン（ＴＥＶＳ、ＴＣＩ社商品）を用意した。
［評価と結果］
例１～５、１０、３１、３２において、得られたまたは用意した有機ケイ素化合物を用い、上記の［評価用サンプル（フィルム状硬化物）の作製方法］に従って評価用サンプルを作製し、評価した。評価結果を表１～表４に示す。
例１～５、１０、３１、３２において、得られたまたは用意した有機ケイ素化合物を用い、上記の［評価用サンプル（フィルム状硬化物）の作製方法］に従って評価用サンプルを作製し、評価した。評価結果を表１～表４に示す。
［結果のまとめ］
例１～５、１０では、架橋剤として式（Ｘ）または式（１）で表される有機ケイ素化合物を用いて、フィルム状硬化物を得た。
例３１、３２では、比較用の有機ケイ素化合物であるシランカップリング剤を用いて、フィルム状硬化物を得た。
例１～５、１０と例３１、３２との比較から、架橋剤として式（Ｘ）または式（１）で表される有機ケイ素化合物を用いることで、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）を効果的に低減できることが分かった。
例１～５、１０では、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）が効果的に低減され、熱膨張係数（ＣＴＥ）が充分に低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が充分に高いフィルム状硬化物を得ることができた。
例１～５、１０では、架橋剤として式（Ｘ）または式（１）で表される有機ケイ素化合物を用いて、フィルム状硬化物を得た。
例３１、３２では、比較用の有機ケイ素化合物であるシランカップリング剤を用いて、フィルム状硬化物を得た。
例１～５、１０と例３１、３２との比較から、架橋剤として式（Ｘ）または式（１）で表される有機ケイ素化合物を用いることで、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）を効果的に低減できることが分かった。
例１～５、１０では、高周波条件における誘電正接（Ｄｆ）が効果的に低減され、熱膨張係数（ＣＴＥ）が充分に低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）が充分に高いフィルム状硬化物を得ることができた。
［例１０１］
２官能メタクリル変性ＰＰＥ（ＳＡ９０００）と、例１で合成した有機ケイ素化合物と、ラジカル重合開始剤としてのジクミルパーオキサイドと、無機充填材としての球状シリカと、トルエンとを、質量比７：３：０．１：１０：１０で混合し、室温で攪拌して、硬化性組成物（ワニス）を調製した。
得られた硬化性組成物（ワニス）を繊維基材としてのガラスクロス（Ｅガラス、＃２１１６）に含浸させた後、１３０℃で５分間加熱して、硬化性組成物を半硬化させて、プリプレグを得た。
得られたプリプレグを２枚重ね、これらを一対の銅箔で挟み、得られた仮積層体を、２００℃、１．５時間、３ＭＰａの条件で加熱加圧して、金属張積層板を作製した。
２官能メタクリル変性ＰＰＥ（ＳＡ９０００）と、例１で合成した有機ケイ素化合物と、ラジカル重合開始剤としてのジクミルパーオキサイドと、無機充填材としての球状シリカと、トルエンとを、質量比７：３：０．１：１０：１０で混合し、室温で攪拌して、硬化性組成物（ワニス）を調製した。
得られた硬化性組成物（ワニス）を繊維基材としてのガラスクロス（Ｅガラス、＃２１１６）に含浸させた後、１３０℃で５分間加熱して、硬化性組成物を半硬化させて、プリプレグを得た。
得られたプリプレグを２枚重ね、これらを一対の銅箔で挟み、得られた仮積層体を、２００℃、１．５時間、３ＭＰａの条件で加熱加圧して、金属張積層板を作製した。
本発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、適宜設計変更できる。
１、２：金属張積層板、３：配線基板、１１：コンポジット基材、１２：金属箔、２２：導体パターン（回路パターン）、２２Ｗ：配線。
Claims (14)
- 下式（Ｘ）で表される架橋剤。
- 下式（１）で表される、請求項１に記載の架橋剤。
- ベンゼン環上のビニル基の置換位置は、オルト位またはパラ位である、請求項２に記載の架橋剤。
- ｎは２である、請求項２または３に記載の架橋剤。
- Ｒは、置換基を有していてもよい炭素数１～１８のアルキル基である、請求項２～４のいずれか１項に記載の架橋剤。
- Ｍは、単結合または炭素数１～４のアルキレン基である、請求項２～５のいずれか１項に記載の架橋剤。
- プリプレグ、金属張積層板または配線基板の製造に用いられる硬化性組成物用である、請求項１～６のいずれか１項に記載の架橋剤。
- 請求項１～７のいずれか１項に記載の架橋剤と、当該架橋剤と架橋し得る２つ以上の架橋性官能基を有する硬化性化合物とを含む、硬化性組成物。
- 繊維基材と、請求項８に記載の硬化性組成物の半硬化物または硬化物とを含む、プリプレグ。
- 基材と、請求項８に記載の硬化性組成物からなる硬化性組成物層とを含む、積層体。
- 基材と、請求項８に記載の硬化性組成物の半硬化物または硬化物を含む（半）硬化物含有層とを含む、積層体。
- 前記基材が樹脂フィルムまたは金属箔である、請求項１０または１１に記載の積層体。
- 請求項８に記載の硬化性組成物の硬化物を含む絶縁層と、金属箔とを含む、金属張積層板。
- 請求項８に記載の硬化性組成物の硬化物を含む絶縁層と、配線とを含む、配線基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021094385 | 2021-06-04 | ||
| JP2021094385 | 2021-06-04 |
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|---|---|
| JP2022186591A true JP2022186591A (ja) | 2022-12-15 |
Family
ID=84442401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022049261A Pending JP2022186591A (ja) | 2021-06-04 | 2022-03-25 | 新規な架橋剤、硬化性組成物、プリプレグ、積層体、金属張積層板および配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022186591A (ja) |
-
2022
- 2022-03-25 JP JP2022049261A patent/JP2022186591A/ja active Pending
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