JP2022169430A - 透明導電膜としての機能を有する積層体及びその製造方法並びに当該積層体製造用の酸化物スパッタリングターゲット - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 title 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 56
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910008649 Tl2O3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QTQRFJQXXUPYDI-UHFFFAOYSA-N oxo(oxothallanyloxy)thallane Chemical compound O=[Tl]O[Tl]=O QTQRFJQXXUPYDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 207
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
Description
で9mol%以上100mol%以下含有し、SiをSiO2換算で0mol%以上60mol%未満含有し、前記酸化膜の膜厚が90nm未満であり、ITO膜の膜厚と前記酸化膜との膜厚との比(ITO膜の膜厚/酸化膜の膜厚)が15未満であることを特徴とする積層体である。
好ましくは、ZnをZnO換算で10mol%を超え60mol%未満含有し、GaをGa2O3換算で10mol%以上60mol%以下含有し、SiをSiO2換算で25mol%以上50mol%未満含有するものである。
(スパッタリングの条件)
スパッタ装置:ANELVA製C-7500L
スパッタパワー:DC500~1000W
(DCスパッタ不可なターゲットはRF500~1000W)
ガス圧:0.5Pa
基板加熱:室温
酸素濃度:0%、1%、2%
るためである。0.5wt%以上、3.0wt%以下であれば、酸化膜の良好な特性を維持したまま低温焼結が可能となる。
(膜の表面抵抗について)
ITO膜に酸化膜を積層した積層体において、酸化膜側から表面抵抗を測定した。
方式:定電流印加方式
装置:NPS社製 抵抗率測定器 Σ-5+
方法:直流4探針法
高抵抗(100kΩ/sq.以上)の場合
方式:定電圧印加方式
装置:三菱化学アナリテック社製 高抵抗率計 ハイレスタ-UX
方法:MCC-A法(JIS K 6911)
リング電極プローブ:URS
測定電圧:1~1000V
ITO膜に酸化膜を積層した積層体において、酸化膜側から透過率を測定した。
可視光平均透過率
装置:SHIMADZU社製 分光光度計 UV-2450、UV-2600
リファレンス:未成膜ガラス基板(EagleXG)
測定波長:380~780nm
ステップ:5nm
装置:BRUKER製 触針式薄膜段差計 Dektak XT
装置:SHIMADZU社製 分光光度計 UV-2450
方法:透過率、表裏面反射率から算出
ITO膜に酸化膜を積層した積層体において、酸化膜側からキャリア濃度及びキャリア移動度を測定した。
原理:ホール測定
装置:Lake Shore 8400型
X線回折スペクトルにおいて、膜材料に起因する明瞭な回折ピークが確認された場合に結晶質膜と判断し、明瞭な回折ピークが見られず、ハローパターンのみの場合には、アモルファス膜と判断した。
原理:X線回折法
装置:リガク社製UltimaIV
管球:Cu-Kα線
管電圧:40kV
管電流:30mA
測定方法:2θ-θ反射法
測定範囲:20~90°
スキャン速度:8°/min
サンプリング間隔:0.02°
測定サンプル:膜厚300nm以上の単膜の膜面を測定した。
In2O3:90wt%(83mol%)、SnO2:10wt%(17mol%)から構成されるITO焼結体スパッタリングターゲットをスパッタ装置に取り付け、上記条件でスパッタリングを実施し、基板上に膜厚が100nmのITO膜を形成した。その後、220℃と550℃の異なる温度で、大気中、30分間アニールを実施した。以上により得られたITO膜について、表面抵抗及び可視光の平均透過率を測定した。その結果を表1に示す。なお、表中「as-depo」とあるのは、成膜後アニールを実施していない膜を意味する。
Zn-Ga-Si-O焼結体からなるスパッタリングターゲットをスパッタ装置に取り付けて、上記条件にてスパッタリングを実施し、参考例と同様の条件で作製したITO膜(膜厚100nm)上に膜厚が20nmの酸化膜(Zn-Ga-Si-O)を積層した。スパッタリングターゲットの組成(酸化物換算)はZnO:Ga2O3、SiO2=40:20:40(mol%)とした。その後、220℃と550℃の異なる温度で、大気中、30分間アニールを実施した。以上により得られた積層体について、表面抵抗及び可視光の平均透過率を測定した。その結果を表1に示す。
実施例1と同様に、ITO膜(膜厚100nm)上に膜厚が20nmの酸化膜(Zn-Ga-Si-O)を積層した。各実施例では、表1の通り、スパッタリングターゲットの組成(酸化物換算)及び成膜時の酸素濃度を調整した。また、実施例22、23においてスパッタリングターゲットに焼結助剤としてB2O3を1.0wt%添加した。その後、220℃と550℃の異なる温度で、大気中、30分間アニールを実施した。以上により得られた積層体について、表面抵抗及び可視光の平均透過率を測定した。その結果を表1に示す。
表面抵抗が急激に低下した。一方、ITO膜(単膜)とは異なり、550℃でアニールすると表面抵抗が低下した。R2/R1は1.0を大きく下回り、高温アニール(550℃)によって、表面抵抗が大幅に低下することが分かる。また、アニールの温度を550℃とすると、透過率は90%以上まで向上した。また、いずれの積層体においても、酸化膜はアモルファスを維持していた。このようにITO膜と酸化膜を積層した積層体とすることにより、ITO膜(単膜)では得られなかった低抵抗率かつ高透過率の実現を可能とした。
実施例1と同様に、ITO膜(膜厚100nm)上に膜厚が20nmの酸化膜(Zn-Ga-Si-O)を積層した。各比較例では、表1の通りにスパッタリングターゲットの組成(酸化物換算)及び成膜時の酸素濃度を調整した。その後、220℃と550℃の異なる温度で、大気中、30分間アニールを実施した。以上により得られた積層体について、表面抵抗及び可視光の平均透過率を測定した。その結果を表1に示す。
表2の各種酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットをスパッタ装置に取り付けて、上記条件にてスパッタリングを実施し、参考例と同様の条件で作製したITO膜(膜厚100nm)上に膜厚が20nmの酸化膜を積層した。このとき、表2に示すように、スパッタリングターゲットの組成(酸化物換算)を変化させた。その後、温度を変えて大気中にて30分間アニールを実施した。以上により得られた積層体について、表面抵抗及
び可視光の平均透過率を測定した。その結果を表2に示す。なお、表中「as-depo」とあるのは、成膜後、アニールを実施していない膜を意味する。
各種の酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットをスパッタ装置に取り付けて、上記条件にてスパッタリングを実施し、参考例と同様の条件で作製したITO膜(膜厚100nm)上に膜厚が20nmの酸化膜を積層した。このとき、表2に示すように、スパッタリングターゲットの組成(酸化物換算)を変化させた。その後、温度を変えて大気中にて30分間アニールを実施した。以上により得られた積層体について、表面抵抗及び可視光の平均透過率を測定した。その結果を表2に示す。
Zn-Ga-Si焼結体からなるスパッタリングターゲットをスパッタ装置に取り付けて、上記条件にてスパッタリングを実施し、参考例と同様の条件で作製したITO膜上に酸化膜を積層した。このとき、各実施例において、ITO膜の膜厚と酸化膜の膜厚を変化させた。スパッタリングターゲットの組成(酸化物換算)はZnO:Ga2O3、SiO2=40:20:40(mol%)とした。
その後、温度を変えて大気中にて30分間アニールを実施した。以上により得られた積層体について、表面抵抗及び可視光の平均透過率を測定した。その結果を表3に示す。なお、表中「as-depo」とあるのは、成膜後、アニールを実施していない膜を意味する。
り、ITO膜(単膜)では得られなかった低抵抗かつ高透過率の実現を可能とした。
Zn-Ga-Si焼結体からなるスパッタリングターゲットをスパッタ装置に取り付けて、上記条件にてスパッタリングを実施し、参考例と同様の条件で作製したITO膜上に酸化膜を積層した。このとき、各比較例において、ITO膜の膜厚と酸化膜の膜厚を変化させた。なお、スパッタリングターゲットの組成(酸化物換算)はZnO:Ga2O3、SiO2=40:20:40(mol%)とした。
その後、温度を変えて大気中にて30分間アニールを実施した。以上により得られた積層体について、表面抵抗及び可視光の平均透過率を測定した。その結果を表3に示す。
Claims (14)
- ITO膜と酸化膜が積層した積層体であって、表面抵抗が40Ω/sq.以下であり、可視光平均透過率が90%以上であって、前記酸化膜の膜厚が90nm未満であり、ITO膜の膜厚と前記酸化膜との膜厚との比(ITO膜の膜厚/酸化膜の膜厚)が15未満であることを特徴とする積層体。
- ITO膜と酸化膜が積層した積層体であって、220℃で大気アニールを実施した場合の当該積層体の表面抵抗をR1とし、550℃で大気アニールを実施した場合の当該積層体の表面抵抗をR2としたとき、R2/R1≦1.0であることを特徴とする積層体。
- 前記の表面抵抗R1と表面抵抗R2との比R2/R1≦0.5であることを特徴とする請求項2に記載の積層体。
- 220℃の大気アニールを実施した場合の当該積層体の可視光平均透過率が85%以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の積層体。
- 550℃の大気アニールを実施した場合の当該積層体の可視光平均透過率が90%以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の積層体。
- 前記ITO膜の屈折率をn1とし、前記酸化膜の屈折率をn2としたとき、n1>n2であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の積層体。
- 前記酸化膜は、Zn、Ga、Siのいずれか1種以上を含むことを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の積層体。
- ITO膜と酸化膜が積層した積層体であって、前記酸化膜は、ZnをZnO換算で0mol%以上69mol%未満含有し、GaをGa2O3換算で9mol%以上100mol%以下含有し、SiをSiO2換算で0mol%以上60mol%未満含有し、前記酸化膜の膜厚が90nm未満であり、ITO膜の膜厚と前記酸化膜との膜厚との比(ITO膜の膜厚/酸化膜の膜厚)が15未満であることを特徴とする積層体。
- 前記酸化膜は、ZnをZnO換算で10mol%を超え60mol%未満含有し、GaをGa2O3換算で10mol%以上60mol%以下含有し、SiをSiO2換算で25mol%以上50mol%未満含有することを特徴とする請求項8に記載の積層体。
- 前記酸化膜は、アモルファスであることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の積層体。
- 請求項1~10のいずれか一項に記載の積層体の製造方法であって、ITO膜に酸化膜を積層し、得られた積層体を200℃以上でアニールすることを特徴とする積層体の製造方法。
- 請求項1~10のいずれ一項に記載の積層体を製造するための酸化物スパッタリングターゲットであって、ZnをZnO換算で0mol%以上69mol%未満含有し、GaをGa2O3換算で9mol%以上100mol%以下含有し、SiをSiO2換算で0mol%以上60mol%未満含有する酸化物スパッタリングターゲット。
- ZnをZnO換算で10mol%を超え60mol%未満含有し、GaをGa2O3換算で10mol%以上60mol%以下含有し、SiをSiO2換算で25mol%以上
50mol%未満含有することを特徴とする請求項12に記載の酸化物スパッタリングターゲット。 - さらに、焼結助剤として、B2O3、P2O5、V2O5、Sb2O3、TeO2、Tl2O3、PbO、Bi2O3、MoO3のいずれか一種以上を含有する請求項12又は13に記載の酸化物スパッタリングターゲット。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2022/018417 WO2022230754A1 (ja) | 2021-04-27 | 2022-04-21 | 透明導電膜としての機能を有する積層体及びその製造方法並びに当該積層体製造用の酸化物スパッタリングターゲット |
EP22795667.9A EP4332995A1 (en) | 2021-04-27 | 2022-04-21 | Layered body having function as transparent electroconductive film and method for producing same, and oxide sputtering target for said layered body production |
KR1020237040238A KR20240001183A (ko) | 2021-04-27 | 2022-04-21 | 투명 도전막으로서의 기능을 갖는 적층체 및 그 제조 방법 그리고 당해 적층체 제조용의 산화물 스퍼터링 타깃 |
CN202280031068.9A CN117280428A (zh) | 2021-04-27 | 2022-04-21 | 具有作为透明导电膜的功能的层叠体及其制造方法以及该层叠体制造用氧化物溅射靶 |
US18/285,411 US20240183022A1 (en) | 2021-04-27 | 2022-04-21 | Layered body having function as transparent electroconductive film and method for producing same, and oxide sputtering target for said layered body production |
TW111115859A TW202332581A (zh) | 2021-04-27 | 2022-04-26 | 具有作為透明導電膜之功能的積層體及其製造方法,以及該積層體製造用之氧化物濺鍍靶 |
JP2022109298A JP7428753B2 (ja) | 2021-04-27 | 2022-07-06 | 透明導電膜としての機能を有する積層体及びその製造方法並びに当該積層体製造用の酸化物スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021074650 | 2021-04-27 | ||
JP2021074650 | 2021-04-27 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022109298A Division JP7428753B2 (ja) | 2021-04-27 | 2022-07-06 | 透明導電膜としての機能を有する積層体及びその製造方法並びに当該積層体製造用の酸化物スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022169430A true JP2022169430A (ja) | 2022-11-09 |
JP7257562B2 JP7257562B2 (ja) | 2023-04-13 |
Family
ID=83944167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022014394A Active JP7257562B2 (ja) | 2021-04-27 | 2022-02-01 | 透明導電膜としての機能を有する積層体及びその製造方法並びに当該積層体製造用の酸化物スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7257562B2 (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0528925A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマデイスプレイ |
JPH09176841A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP2003021703A (ja) * | 2001-05-01 | 2003-01-24 | Nidek Co Ltd | 導電性を有する多層反射防止膜付透明基板 |
JP2008226581A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、およびこれを用いた透明導電性基板、透明導電性フィルム、並びに近赤外線遮断フィルター |
CN101841003A (zh) * | 2010-03-30 | 2010-09-22 | 鲁东大学 | 双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法 |
WO2014112209A1 (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 低屈折率のアモルファス透明導電膜作製用焼結体及び低屈折率のアモルファス透明導電膜 |
JP2016018288A (ja) * | 2014-07-07 | 2016-02-01 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
WO2016136855A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | Jx金属株式会社 | 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 |
JP2016164302A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層透明導電膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法 |
-
2022
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0528925A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマデイスプレイ |
JPH09176841A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP2003021703A (ja) * | 2001-05-01 | 2003-01-24 | Nidek Co Ltd | 導電性を有する多層反射防止膜付透明基板 |
JP2008226581A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜、およびこれを用いた透明導電性基板、透明導電性フィルム、並びに近赤外線遮断フィルター |
CN101841003A (zh) * | 2010-03-30 | 2010-09-22 | 鲁东大学 | 双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法 |
WO2014112209A1 (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 低屈折率のアモルファス透明導電膜作製用焼結体及び低屈折率のアモルファス透明導電膜 |
JP2016018288A (ja) * | 2014-07-07 | 2016-02-01 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
JP2016164302A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層透明導電膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法 |
WO2016136855A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | Jx金属株式会社 | 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 |
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