JP2022151059A - 半導体製造用部材 - Google Patents
半導体製造用部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022151059A JP2022151059A JP2021053956A JP2021053956A JP2022151059A JP 2022151059 A JP2022151059 A JP 2022151059A JP 2021053956 A JP2021053956 A JP 2021053956A JP 2021053956 A JP2021053956 A JP 2021053956A JP 2022151059 A JP2022151059 A JP 2022151059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- corrosion resistance
- film
- boron carbide
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 28
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 28
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 abstract description 6
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 3
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 52
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 27
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910033181 TiB2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010342 TiF4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J titanium tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXELGNKCCDGMMN-UHFFFAOYSA-N [F].[Cl] Chemical compound [F].[Cl] HXELGNKCCDGMMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052576 carbides based ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】アルゴンスパッタリングによるArイオン衝撃やフルオロカーボン系プラズマに対して高い耐食性を有する半導体製造用部材として、チタン化合物を含む炭化ホウ素セラミックスまたは溶射膜を提供する。【解決手段】本発明の半導体製造用部材は、チタン化合物、好ましくは炭化チタンを含有する炭化ホウ素セラミックスからなることを特徴とする。前記チタン化合物を含む炭化ホウ素セラミックスは、耐食性に優れるため、半導体製造用部材に好適である。また、前記チタン化合物を含む炭化ホウ素からなる溶射膜も耐食性に優れる。【選択図】なし
Description
本発明は、Arスパッタリング(Arガスプラズマ)、フッ素系プラズマおよび酸素プラズマに対して高い耐食性を有する半導体製造用部材に関する。
炭化ケイ素や炭化ホウ素等の炭化物系セラミックスは、レーザー照射によるアブレーションとともに発生するプラズマに対しても耐性を有することから、集積回路(IC)素子の製造等に際して、半導体ウエハに回路形成またはエッチング等の処理を施すためのウエハの支持部材や、半導体製造装置の内壁部材として使用される。
ドライエッチング技術でIC素子に異方性加工を行う前には、リソグラフィ技術によりレジストパターンを形成する。193nmのArF液浸装置の解像度は38nmであるが、ダブルパターニングやマルチパターニングと呼ばれる技術によりその解像限界を超える10~7nmのパターンが実現されている。
ダブルパターニングの一般的な方法として、ドライエッチング後に形成されるパターン側壁の残渣を利用するサイドウォールプロセスが採用されている。例えば、ラインパターンを形成しようとするSiN膜基板上に、まず、アモルファスカーボン層、SiON層、および反射防止膜層を形成し、ArF液浸露光によるレジストパターンを形成する。次いで、酸素プラズマによる等方性エッチングによりレジストパターンをシュリンクし、反射防止膜、SiON膜、およびアモルファスカーボン層の順にドライエッチングを行い、カーボンパターンを形成する。カーボンパターンに原子層堆積(ALD)膜を堆積後、ドライエッチングを行うと、カーボンパターンの側壁にエッチング残りであるサイドウォールが生じる。カーボンを除去すると、サイドウォールだけが残る。このサイドウォールをマスクしてSiN膜のドライエッチングを行い、マスクを除去すると極めて微細なラインパターンが形成される。
また、DRAMのキャパシタや三次元NANDのメモリホールの用途では、非常に深い穴を加工する必要がある。これらの高アスペクト比の微細孔を形成するために、高精度の異方性形状と、エッチング用のマスクと下地膜となるSiO2等の誘電体との高い選択比やマスク選択比が要求される。これに応えるエッチャントガスとして、フルオロカーボン(CF)系のガスが用いられ、CFxラジカルによりマスクおよび下地膜の孔の側壁に重合膜を側壁保護膜として堆積させながら、高周波バイアスによりCFx
+やAr+等のイオンをSiO2膜の孔の中に垂直に引き込んで垂直エッチングを行う技法が採られている。
孔が深くなると反応生成物がうまく排気されず、金属残渣(削り滓)が孔底に溜まってしまいエッチストップが起きる場合がある。その場合、酸素プラズマエッチングにより反応生成物を除去する「O2フラッシュ」という方法が採られている。SiO2膜のエッチング速度を高くするためには、イオン入射量の増加、ラジカル中のF総量の増加、および高エネルギーイオンビームが必要である。そのために、プラズマ生成用高周波電力、CF系ガスの流量、およびイオン引き込み用の高周波電力等の調整等が行われている。このように最近のドライエッチング技術では、酸素プラズマ、CF系プラズマ、およびアルゴンスパッタが使用されており、さらには非常に高い高周波電力が投入されている。
前記のような最近のドライエッチング技術に対して高い耐性を有する半導体製造用部材の開発が望まれている。ハロゲン系の腐食ガス或いはそのプラズマに対して高い耐食性を有する半導体製造用装置の内壁部材や被処理物を支持部材として、相対密度が98%以上の炭化ホウ素(B4C)焼結体が報告されている(特許文献1)。
特許文献1で報告されるように、B4C材料は、酸素を含まないフッ素および塩素系の腐食ガス或いはプラズマとは反応し難いことが知られている。しかしながら、B4C材料でも非常に高い高周波電力が投入された場合、エッチングやスパッタリングにより粒子の微細化が起こる。このため、B4C材料について、ArスパッタリングやCF系プラズマに対する耐食性を向上させる要望が強まっている。
本発明は、アルゴンスパッタリングによるArイオン衝撃やCF系プラズマに対して高い耐食性を有する半導体製造用部材として、チタン化合物を含む炭化ホウ素セラミックスまたは溶射膜を提供することを目的とする。
本発明の半導体製造用部材は、チタン化合物および炭化ホウ素を含有する炭化ホウ素セラミックスからなる。前記チタン化合物は、炭化チタンであることが好ましい。
前記炭化ホウ素セラミックスにおいて、炭化チタンの含有量は、5~10%であることが好ましい。
前記炭化ホウ素セラミックスは、膜からなることが好ましく、前記膜は、溶射膜であることが好ましい。
前記膜はシリコン基材上に形成されていることが好ましい。
前記炭化ホウ素セラミックスにおいて、炭化チタンの含有量は、5~10%であることが好ましい。
前記炭化ホウ素セラミックスは、膜からなることが好ましく、前記膜は、溶射膜であることが好ましい。
前記膜はシリコン基材上に形成されていることが好ましい。
本発明に係るTi化合物を含む炭化ホウ素セラミックスは、耐食性に優れるため、半導体製造用部材に好適である。また、前記Ti化合物を含む炭化ホウ素からなる溶射膜も耐食性に優れる。
本発明の半導体製造用部材は、チタン化合物および炭化ホウ素を含有する炭化ホウ素セラミックスからなる。以下、前記半導体製造用部材について詳細に説明する。
前記半導体製造用部材を構成するセラミックスには、炭化ホウ素が用いられる。炭化ホウ素は、フッ素や塩素と反応した場合においても、蒸気圧の高い反応物を生成するため、パーティクルを発生することなく、ガスとして系外に放出される。また、酸素を含まないフッ素系および塩素系腐食ガス或いはプラズマとは反応しにくいため、耐食性にも優れ、セラミックスの材料として好適である。
炭化ホウ素(B4C)は、平均粒径が5μm以下、好ましくは0.5~2μmの粉末である。平均粒径が5μmを超えると、セラミックスの強度が低くなるため、実用に適さないことがある。
前記半導体製造用部材を構成するセラミックスには、炭化ホウ素が用いられる。炭化ホウ素は、フッ素や塩素と反応した場合においても、蒸気圧の高い反応物を生成するため、パーティクルを発生することなく、ガスとして系外に放出される。また、酸素を含まないフッ素系および塩素系腐食ガス或いはプラズマとは反応しにくいため、耐食性にも優れ、セラミックスの材料として好適である。
炭化ホウ素(B4C)は、平均粒径が5μm以下、好ましくは0.5~2μmの粉末である。平均粒径が5μmを超えると、セラミックスの強度が低くなるため、実用に適さないことがある。
チタン化合物は、Ti元素を含むものであれば限定されるものではないが、容易に入手可能な点で炭化チタン(TiC)、ホウ化チタン(TiB2)および酸化チタン(IV)(TiO2)などが用いられる。
前記セラミックスにおいて、B4CとTi化合物との混合比率は、炭化ホウ素-チタン化合物を重量比で概ね90~95:10~5、好ましくは94~92:6~8で混合したものを主成分とし、さらに必要に応じて、焼結助剤、バインダーおよび分散剤等を添加する。焼結助剤には、炭化粉末やその他の炭素を生成する有機樹脂が用いられ、B4CおよびTi化合物の合計に対して、0~5重量%添加することができる。
前記セラミックスは、B4CおよびTi化合物に、焼結助剤の他に、バインダーおよび分散剤等を添加してスラリーを作製し、スプレードライヤーにより造粒して製造することができる。バインダーには、例えば、ポリビニルアルコール等が用いられる。分散剤には、界面活性剤や高分子型等の公知の分散剤が用いられる。前記セラミックスは、造粒後の粉末を金型に充填し、公知の成形手段、例えば、ホットプレス(熱間プレス)により、真空中で2100~2300℃の温度で非酸化性雰囲気下にホットプレスすることにより得られる。
公知の成形手段としては、ホットプレス以外に、冷間静水圧プレス(CIP)、射出成形、および押出成形などを用いてもよく、成形後、不活性雰囲気中、1400~2250℃の温度で1000気圧以上の加圧下に焼成することにより、相対密度98%以上の緻密化されたセラミックスを製造することができる。前記セラミックスが低密度で多量の気孔を有する場合は、それだけ腐食ガスやプラズマとの接触面積が増加し、消耗が速くなる。よって、前記セラミックスの相対密度は99%以上が好ましく、さらに開気孔率を0.2%以下とするのがより好ましい。
また、シリコンウエハの大口径化に伴い、半導体製造用部材である製造装置や構成部品自体も大型化が進んでいる。部品としての耐久性を維持するため、前記セラミックスの抗折強度は300MPa以上が好ましい。抗折強度とは、破壊強度や変形の程度を表す指標であり、JIS R 1601に準拠した曲げ試験により測定する。
前記セラミックスは、アルゴン(Ar)スパッタリング、酸素(O2)またはフルオロカーボン(CF)系のプラズマを用いた微細加工(エッチング反応)に高い耐性を有する。以下、前記セラミックスから試験片を作製し、該試験片の表面にArプラズマ、F2プラズマ、O2プラズマ、およびCF系プラズマをそれぞれ照射したときの前記セラミックスのプラズマに対する耐食性を評価する。
Arスパッタリングは、試験片を物理腐食するAr+イオンのスパッタリングのことであり、耐食性は原子結合の強さと関係する。Ti化合物としては、B4Cより結合エネルギーの大きいTiCおよびTiB2をB4Cに添加した場合に耐食性に優位性が認められる(図1(a))。Ti化合物の含有量が多くなると耐食性が向上する。
O2プラズマに対する試験片の耐食性は、O2プラズマと試験片との酸化反応が寄与する。そのため、Ti化合物としては、図1(b)に示すように、酸化物であるTiO2がエッチングレートが低く、O2プラズマに対して有利であるが、TiCおよびTiB2も酸化されるとTiO2となるため、これらのTi化合物のいずれも含有量が多くなると耐食性が向上する。
O2プラズマの照射により、Ti化合物およびB4Cは以下のように反応する。
TiC+2O2→TiO2+CO2
2TiB2+5O2→2TiO2+2B2O3
B4C+4O2→2B2O3+CO2
TiC+2O2→TiO2+CO2
2TiB2+5O2→2TiO2+2B2O3
B4C+4O2→2B2O3+CO2
CF系プラズマに対する試験片の耐食性は、CF系プラズマと試験片とのフッ化反応が寄与する。CF系プラズマに対しては、Ti化合物として、TiCを用いた場合、含有量が増加すると耐食性が向上するが、TiB2およびTiO2を用いた場合、含有量が増加すると、耐食性は逆に低下する。
これらの原理については、予想の範囲であるが、半導体のメモリホール用に非常に深い穴を加工する場合、CFxラジカルにより孔の側壁に重合膜を側壁保護膜として堆積させながら、エッチングする方法が採られていることから、今回も場合も同じような現象が生じていると思われる。前記のとおり、Ti化合物として、TiCを用いる場合、含有量が多くなると耐食性が向上し、炭素を含まないTiB2およびTiO2の場合は、含有量が多くなると耐食性が低下する。
CF系プラズマの照射により、Ti化合物およびB4Cは以下のように反応する。
TiC+8F→TiF4+CF4
TiB2+8F→TiF4+B2F4
TiO2+4F→TiF4+O2
B4C+12F→2B2F4+CF4
TiC+8F→TiF4+CF4
TiB2+8F→TiF4+B2F4
TiO2+4F→TiF4+O2
B4C+12F→2B2F4+CF4
前記のとおり、使用するエッチング用のプラズマに応じて、Ti化合物を選択することで、耐食性を向上させることができる。
エッチング工程ではプラズマを混合して使用することも少なくない。プラズマを混合して使用する場合、Ti化合物としてはTiCが望ましいと言える。Arプラズマおよび酸素プラズマに対しては、耐食性の差がそれほど大きくなく、CF系プラズマに対しては顕著な差が見られるためである。この場合、TiCおよびB4Cの合計中、TiCの含有量は5~10%が好ましい。TiCの含有量が5%未満であると、スパッタおよびプラズマ耐食性の効果が得られず、B4Cのみの場合とほぼ同等の性能になってしまう。一方、TiC含有量が10%を超えると、プラズマ点火およびプラズマ曝露時の急激な温度上昇による熱衝撃により、大型で異形形状になるほど破損する確率が上がってしまう。これは、元々、B4C自体の熱伝導率もそれほど高くなく、さらに熱伝導率が小さいTiCの含有量が増すと耐熱衝撃特性が低下してしまうためと考えられる。
エッチング工程ではプラズマを混合して使用することも少なくない。プラズマを混合して使用する場合、Ti化合物としてはTiCが望ましいと言える。Arプラズマおよび酸素プラズマに対しては、耐食性の差がそれほど大きくなく、CF系プラズマに対しては顕著な差が見られるためである。この場合、TiCおよびB4Cの合計中、TiCの含有量は5~10%が好ましい。TiCの含有量が5%未満であると、スパッタおよびプラズマ耐食性の効果が得られず、B4Cのみの場合とほぼ同等の性能になってしまう。一方、TiC含有量が10%を超えると、プラズマ点火およびプラズマ曝露時の急激な温度上昇による熱衝撃により、大型で異形形状になるほど破損する確率が上がってしまう。これは、元々、B4C自体の熱伝導率もそれほど高くなく、さらに熱伝導率が小さいTiCの含有量が増すと耐熱衝撃特性が低下してしまうためと考えられる。
Ti化合物を含む炭化ホウ素セラミックスは、基板上に成膜した膜でも構わない。成膜方法は、化学蒸着(CVD)法または溶射法等が用いられる。CVD法は、高純度膜を容易に形成できるのに対して、溶射法は、種々の基材に容易に膜を形成できる特長がある。これらの方法により膜を厚く形成し、基材を取り除くことで膜のみからなる半導体製造装置用部材としてもよい。
溶射による成膜過程では、基材に堆積するセラミックス原料粒子の温度と衝突速度が、被膜の緻密性や基材との密着性を左右する重要な因子となるため、原料粒子の加熱能力や加速能力に優れる方法など、種々の溶射方法が開発され、被膜材料の物性やその用途に応じて使い分けられている。
例えば、TiCを用いる場合、B4Cの融点は2763℃、TiCの融点も3160℃であり、どちらも酸素雰囲気中では酸化されるため、減圧プラズマ溶射法が好ましい。ただし、CVD法でも成膜することはできる。一般的なプラズマ溶射では、粒径10~45μmのセラミックス粉体が用いられるが、B4CおよびTiCは、融点が高いため、粒径は小さい方が溶融しやすい。ただし、10μm未満の粒径になると、粉体の流動性が低下しダマになりやすく、プラズマガンが目詰まりすることがある。
基材は、耐プラズマ性を有するものであればよく、例えば、アルミナ(Al2O3)やシリコン(Si)などである。このうち、Siは、フォーカスリングなどの基材として、広く実用化されており、高純度な素材を高精度に加工する技術もあるため好ましい。既存のシリコン製フォーカスリングに溶射層を設けることができると、基材の入手容易になるとともに、製造後に改めて形状加工をする手間を大幅に簡略化することができる。
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。
[実施例1]
Ti化合物として、TiC、TiB2またはTiO2を含むB4Cセラミックスを作製し、Arイオン衝撃によるエッチングレートと、O2プラズマおよびF2プラズマによるエッチングレートとを測定した。
Ti化合物として、TiC、TiB2またはTiO2を含むB4Cセラミックスを作製し、Arイオン衝撃によるエッチングレートと、O2プラズマおよびF2プラズマによるエッチングレートとを測定した。
Arイオン衝撃によるエッチングレートの測定条件は、高エネルギーを発生できるArイオンビームを用いて、電圧3kV、ビーム電流25μAで、照射時間3時間とした。照射後、B4Cセラミックスの消耗量を測定した。
図1(a)に示すように、TiCおよびTiB2を含むB4Cセラミックスでは、その含有量が増すとスパッタ量が低下したが、TiO2を含むB4Cセラミックスでは、含有量が増すとスパッタ量が増加した。
O2プラズマによるエッチングレートは、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング装置を用いて、2.66Paの減圧下で、高周波電力はソース側800W、バイアス側300Wで、O2=20sccmで3時間酸素プラズマに暴露し、プラズマ暴露後に、B4Cセラミックスの消耗量を測定した。図1(b)に示すように、いずれもTi化合物の含有量が増すと、エッチングレートは低下した。
F2プラズマによるエッチングレートは、同じくICPエッチング装置を用いて、2.66Paの減圧下、高周波電力はソース側800W、バイアス側100W、CF4=100sccmで4時間フッ素プラズマに暴露し、その後、B4Cセラミックスの消耗量を測定した。
図1(c)に示すように、TiCを含むB4Cセラミックスでは、含有量が増すとエッチングレートは減少したが、TiB2およびTiO2を含むB4Cセラミックスでは、含有量が増すとエッチングレートも増加した。
[実施例2]
次に、プラズマジェットを用いて、Ti化合物を含むB4Cの粉末を基材に吹き付けた溶射膜について、実施例1と同様の試験を実施した。
次に、プラズマジェットを用いて、Ti化合物を含むB4Cの粉末を基材に吹き付けた溶射膜について、実施例1と同様の試験を実施した。
実施例2では、図2(a)~(c)に示すように、数%~10%程度、実施例1の焼結体に比べてエッチングレートが高く、耐食性に劣る結果を示したが、全体として実施例1と同じ傾向を示した。
焼結体よりも耐食性が劣る理由として、プラズマに対する耐食性は、その組織または構造の緻密さも影響を及ぼすことが分かっており、その影響が現れたためと思われる。焼結体は、ホットプレスにより作製したため、気孔率が1~3%であったが、溶射膜は、5%前後の気孔率を持っていた。
本発明のTi化合物を含有するB4Cセラミックスからなる半導体製造用部材は、ArスパッタリングやCF系のガスを用いたプラズマに加えて、酸素系プラズマに対しても高い耐食性を有するため、半導体製造装置の内壁部材や被処理物を支持する支持体などの治具として好適に用いられる。
Claims (6)
- チタン化合物を含有する炭化ホウ素セラミックスからなることを特徴とする半導体製造用部材。
- 前記チタン化合物が、炭化チタンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造用部材。
- 前記炭化ホウ素セラミックス中、炭化チタンの含有量が5~10%であることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造用部材。
- 前記炭化ホウ素セラミックスが、膜からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体製造用部材。
- 前記膜が、溶射膜であることを特徴とする請求項4に記載の半導体製造用部材。
- 前記膜がシリコン基材上に形成されていることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体製造用部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021053956A JP2022151059A (ja) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 半導体製造用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021053956A JP2022151059A (ja) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 半導体製造用部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022151059A true JP2022151059A (ja) | 2022-10-07 |
Family
ID=83464930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021053956A Pending JP2022151059A (ja) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 半導体製造用部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022151059A (ja) |
-
2021
- 2021-03-26 JP JP2021053956A patent/JP2022151059A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4996868B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
TWI483291B (zh) | 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備 | |
TWI328411B (en) | Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor | |
US20090214825A1 (en) | Ceramic coating comprising yttrium which is resistant to a reducing plasma | |
US20030198749A1 (en) | Coated silicon carbide cermet used in a plasma reactor | |
US20210292893A1 (en) | Surface coating for plasma processing chamber components | |
JP2007516921A (ja) | 半導体材料処理装置におけるイットリアでコーティングされたセラミック部品及びその部品を製造する方法 | |
EP3614415B1 (en) | Boron carbide sintered body and etcher including the same | |
Ashizawa et al. | Microstructure and plasma corrosion behavior of yttria coatings prepared by the aerosol deposition method | |
US6670294B2 (en) | Corrosion-resistive ceramic materials and members for semiconductor manufacturing | |
JP2022151059A (ja) | 半導体製造用部材 | |
KR102464219B1 (ko) | 오염입자 발생이 감소되는 코팅용 조성물 및 이의 제조 방법 | |
JP2009280483A (ja) | 耐食性部材およびその製造方法ならびに処理装置 | |
CN114256047B (zh) | 半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置 | |
TWI779071B (zh) | 熱噴塗材料、其熱噴塗皮膜及其製造方法 | |
US20220068614A1 (en) | Semiconductor manufacturing member and manufacturing method therefor | |
JP6586029B2 (ja) | 半導体製造装置用部品およびそれを用いた半導体製造装置 | |
JP2022039956A (ja) | 半導体製造用部材及びその製造方法 | |
KR20220151610A (ko) | 신규한 텅스텐계 용사 피막 및 그것을 얻기 위한 용사용 재료 | |
JP2008195973A (ja) | プラズマ処理装置用セラミックスおよびその製造方法 | |
JP2004244312A (ja) | 半導体製造用チャンバ構成部材 | |
JP2001262347A (ja) | 被膜構造体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231012 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240618 |