JP2022149555A - 光学モジュールおよび画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】消費電力を低減可能な光学モジュールを提供する。【解決手段】本発明の光学モジュールは、第1の発光素子と、第1の電源配線と、第2の電源配線と、を有する第1のパネルと、単位電流あたりの発光輝度が第1の発光素子より低い第2の発光素子と、第3の電源配線と、第4の電源配線と、を有する第2のパネルと、第1のパネルから出射される第1の画像光と第2のパネルから出射される第2の画像光とを合成するプリズムと、を備え、第1の電源配線に印加される電位と第2の電源配線に印加される電位との差である第1の電位差は、第3の電源配線に印加される電位と第4の電源配線に印加される電位との差である第2の電位差より小さい。【選択図】図1
Description
本発明は、光学モジュールおよび画像表示装置に関する。
下記特許文献1には、互いに異なる色の画像光を出射する3つのパネルと、3つのパネルから出射される画像光を合成するプリズムと、を備える光学モジュールが開示されている。画像光を出射するパネルとして、有機EL(Electro Luminescence)パネルなどの自発光型の電気光学装置が知られている。この種の光学モジュールは、ヘッドマウントディスプレイ及びプロジェクタ等の画像表示装置に従来から用いられている。
上記特許文献1の光学モジュールは、赤色光を出射する発光素子を有するパネルと、緑色光を出射する発光素子を有するパネルと、青色光を出射する発光素子を有するパネルとを備える。各発光素子は、単位電流あたりの発光輝度が異なる。そのため、3つのパネルにおいて、発光素子の陽極側の電源配線と発光素子の陰極側の電源配線との間の電源電位差が同一である場合、最大電流印加時における発光輝度がパネルごとに異なる。その結果、3つのパネルのうち、特定のパネルの定常的な駆動電力が必要以上に大きくなるケースがあった。
上記の課題を解決するために、本発明の一つの態様の光学モジュールは、第1の発光素子と、前記第1の発光素子の一方の電極側に設けられる第1の電源配線と、前記第1の発光素子の他方の電極側に設けられる第2の電源配線と、を有する第1のパネルと、単位電流あたりの発光輝度が前記第1の発光素子より低い第2の発光素子と、前記第2の発光素子の一方の電極側に設けられる第3の電源配線と、前記第2の発光素子の他方の電極側に設けられる第4の電源配線と、を有する第2のパネルと、前記第1のパネルから出射される第1の画像光と前記第2のパネルから出射される第2の画像光とを合成するプリズムと、を備え、前記第1の電源配線に印加される電位と前記第2の電源配線に印加される電位との差である第1の電位差は、前記第3の電源配線に印加される電位と前記第4の電源配線に印加される電位との差である第2の電位差より小さい。
本発明の一つの態様の画像表示装置は、本発明の一つの態様の光学モジュールを備える。
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
〔光学モジュール〕
図1は、本発明の一実施形態における光学モジュール1の概略構成図である。図1に示すように、光学モジュール1は、第1のパネル10Gと、第2のパネル10Bと、第3のパネル10Rと、ダイクロイックプリズム20(プリズム)と、を備える。
図1は、本発明の一実施形態における光学モジュール1の概略構成図である。図1に示すように、光学モジュール1は、第1のパネル10Gと、第2のパネル10Bと、第3のパネル10Rと、ダイクロイックプリズム20(プリズム)と、を備える。
第1のパネル10Gは、第1の画像光LGをダイクロイックプリズム20に出射する自発光型の電気光学装置である。第2のパネル10Bは、第2の画像光LBをダイクロイックプリズム20に出射する自発光型の電気光学装置である。第3のパネル10Rは、第3の画像光LRをダイクロイックプリズム20に出射する自発光型の電気光学装置である。自発光型の電気光学装置とは、バックライトなどの光源を必要とせずに、外部から与えられた電気的エネルギーによって自ら光を発生する装置である。本実施形態において、第1のパネル10G、第2のパネル10B及び第3のパネル10Rは、例えば有機ELパネルである。
第1のパネル10Gは、第1の画像光LGとして緑色の波長域に対応する色光を出射する。緑色の波長域は、例えば495nmから570nmまでの波長を含む。以下の説明において、緑色の波長域に対応する色光を「緑色光」と呼称する場合がある。第1のパネル10Gは、複数の第1の画素11Gを有する。複数の第1の画素11Gは、第1のパネル10Gの基板上においてマトリクス状に配置されている。第1の画素11Gは、緑色光を出射する。第1のパネル10Gから出射される第1の画像光LGは、複数の第1の画素11Gの各々から出射される緑色光を含む。
第1のパネル10Gは、マトリクス状に配置された複数の第1の画素11Gを含む第1の画素領域12Gと、第1の画素領域12Gの周囲を囲む第1の非画素領域13Gと、を有する。第1のパネル10Gは、ダイクロイックプリズム20の緑色光入射面22に対向する状態で、透光性を有する第1の接着剤層40Gを介して緑色光入射面22に貼り合わされている。言い換えれば、第1の画像光LGが緑色光入射面22に対して垂直に入射されるように、第1のパネル10Gは配置されている。
第2のパネル10Bは、第2の画像光LBとして青色の波長域に対応する色光を出射する。青色の波長域は、例えば450nmから490nmまでの波長を含む。以下の説明において、青色の波長域に対応する色光を「青色光」と呼称する場合がある。第2のパネル10Bは、複数の第2の画素11Bを有する。複数の第2の画素11Bは、第2のパネル10Bの基板上においてマトリクス状に配置されている。第2の画素11Bは、青色光を出射する。第2のパネル10Bから出射される第2の画像光LBは、複数の第2の画素11Bの各々から出射される青色光を含む。
第2のパネル10Bは、マトリクス状に配置された複数の第2の画素11Bを含む第2の画素領域12Bと、第2の画素領域12Bの周囲を囲む第2の非画素領域13Bと、を有する。第2のパネル10Bは、ダイクロイックプリズム20の青色光入射面21に対向する状態で、透光性を有する第2の接着剤層40Bを介して青色光入射面21に貼り合わされている。言い換えれば、第2の画像光LBが青色光入射面21に対して垂直に入射されるように、第2のパネル10Bは配置されている。
第3のパネル10Rは、第3の画像光LRとして赤色の波長域に対応する色光を出射する。赤色の波長域は、例えば610nmから680nmまでの波長を含む。以下の説明において、赤色の波長域に対応する色光を「赤色光」と呼称する場合がある。第3のパネル10Rは、複数の第3の画素11Rを有する。複数の第3の画素11Rは、第3のパネル10Rの基板上においてマトリクス状に配置されている。第3の画素11Rは、赤色光を出射する。第3のパネル10Rから出射される第3の画像光LRは、複数の第3の画素11Rの各々から出射される赤色光を含む。
第3のパネル10Rは、マトリクス状に配置された複数の第3の画素11Rを含む第3の画素領域12Rと、第3の画素領域12Rの周囲を囲む第3の非画素領域13Rと、を有する。第3のパネル10Rは、ダイクロイックプリズム20の赤色光入射面23に対向する状態で、透光性を有する第3の接着剤層40Rを介して赤色光入射面23に貼り合わされている。言い換えれば、第3の画像光LRが赤色光入射面23に対して垂直に入射されるように、第3のパネル10Rは配置されている。
第1の画像光LG、第2の画像光LB、および第3の画像光LRのそれぞれは、偏光特性を有していない。すなわち、第1の画像光LG、第2の画像光LB、および第3の画像光LRのそれぞれは、特定の振動方向を有していない無偏光の光である。なお、無偏向の光、すなわち偏光特性を有していない光は、完全に無偏光の状態ではなく、ある程度の偏光成分は含まれているが、例えばダイクロイックミラー等の光学部品に対して光学性能には積極的に影響を及ぼさないとみなされる範囲の偏光度、例えば20%以下の偏光度を有する光のことである。
ダイクロイックプリズム20は、四角柱状の形状をなす透光性部材から構成されている。また、四角柱状の透光性部材は、4個の三角柱状の透光性部材が組み合わされて構成されている。ダイクロイックプリズム20は、青色光入射面21と、青色光入射面21に対向する赤色光入射面23と、青色光入射面21および赤色光入射面23と垂直に接する緑色光入射面22と、緑色光入射面22に対向する合成光出射面24と、を有する。
ダイクロイックプリズム20は、偏光分離特性を有していない第1のダイクロイックミラー25と、偏光分離特性を有していない第2のダイクロイックミラー26と、を有する。第1のダイクロイックミラー25と第2のダイクロイックミラー26とは、互いに90°の角度で交差している。第1のダイクロイックミラー25は、青色光入射面21を介して入射される第2の画像光LBを合成光出射面24に向けて反射し、緑色光入射面22を介して入射される第1の画像光LGを合成光出射面24に向けて透過する。第2のダイクロイックミラー26は、赤色光入射面23を介して入射される第3の画像光LRを合成光出射面24に向けて反射し、緑色光入射面22を介して入射される第1の画像光LGを合成光出射面24に向けて透過する。これら第1のダイクロイックミラー25及び第2のダイクロイックミラー26の特性により、第1の画像光LGと、第2の画像光LBと、第3の画像光LRとが合成されて得られた合成画像光LWが合成光出射面24から出射される。
図2は、第1のパネル10Gの全体構成を示す概略構成図である。
第1のパネル10G、第2のパネル10B及び第3のパネル10Rの基本構成は共通であるため、以下では代表的に第1のパネル10Gの全体構成について説明する。図2において、第1のパネル10Gの水平方向をX方向とし、第1のパネル10Gの垂直方向をY方向とする。
第1のパネル10G、第2のパネル10B及び第3のパネル10Rの基本構成は共通であるため、以下では代表的に第1のパネル10Gの全体構成について説明する。図2において、第1のパネル10Gの水平方向をX方向とし、第1のパネル10Gの垂直方向をY方向とする。
図2に示すように、第1のパネル10Gの基板14の第1面14aには、第1の画素領域12Gと、第1の非画素領域13Gとが設けられている。また、第1の非画素領域13Gは、周辺領域15と、実装領域16とを含む。第1の画素領域12Gは、複数の第1の画素11Gがマトリクス状に配置された矩形状の領域である。第1の画素領域12Gには、X方向に延在する複数の走査線31と、X方向と交差するY方向に延在する複数のデータ線33と、が設けられている。第1の画素11Gは、複数の走査線31と複数のデータ線33との各交差に対応した領域である。したがって、複数の第1の画素11Gは、X方向およびY方向にわたってマトリクス状に配列されている。第1の画素11Gは、図3に示すような画素回路を有する。第1の画素11Gが有する画素回路の構成については後述する。
周辺領域15は、第1の画素領域12Gを囲む矩形枠状の領域である。3つの駆動回路35は、周辺領域15内に設けられている。3つの駆動回路35は、第1の画素領域12G内の各第1の画素11Gを駆動する回路である。駆動回路35は、2つの走査線駆動回路36と、データ線駆動回路37とを含む。第1のパネル10Gは、駆動回路35が基板14の第1面14a上に形成されたトランジスタ等の能動素子で構成される回路内蔵型の電気光学装置である。
実装領域16は、周辺領域15を挟んで第1の画素領域12Gとは反対側、すなわち、周辺領域15の外側に設けられている。実装領域16には、複数の実装端子39が設けられている。詳細は後述するが、実装端子39には、第1のパネル10Gの第1の画素11Gを駆動するのに必要な映像信号及び電源電圧等が入力される。
図3は、第1の画素11Gが有する画素回路の構成を示す等価回路図である。
複数の第1の画素11Gの各々が有する画素回路の構成は共通しているため、以下ではi行j列に位置する第1の画素11Gが有する画素回路を例に挙げて説明する。なお、「i」は、第1の画素11Gが配置される行の番号を一般的に示す記号であって、1以上且つm以下の整数である。「j」は、第1の画素11Gが配置される列の番号を一般的に示す記号であって、1以上且つn以下の整数である。
複数の第1の画素11Gの各々が有する画素回路の構成は共通しているため、以下ではi行j列に位置する第1の画素11Gが有する画素回路を例に挙げて説明する。なお、「i」は、第1の画素11Gが配置される行の番号を一般的に示す記号であって、1以上且つm以下の整数である。「j」は、第1の画素11Gが配置される列の番号を一般的に示す記号であって、1以上且つn以下の整数である。
図3に示すように、第1の画素11Gの画素回路は、第1の選択トランジスタ51Gと、第1の駆動トランジスタ52Gと、第1の発光素子54Gと、第1の保持容量55Gと、を有する。本実施形態において、第1の選択トランジスタ51Gおよび第1の駆動トランジスタ52Gは、それぞれ、Pチャネル型のMOS-FETである。
第1の選択トランジスタ51Gのゲート電極は、i行目の走査線31と電気的に接続されている。第1の選択トランジスタ51Gのソース/ドレイン領域の他方は、j列目のデータ線33と電気的に接続されている。第1の選択トランジスタ51Gのソース/ドレイン領域の一方は、第1の駆動トランジスタ52Gのゲート電極、および第1の保持容量55Gの一方の電極と電気的に接続されている。第1の選択トランジスタ51Gのバックゲートは、電源電位が印加される第1の電源配線61Gと電気的に接続されている。
第1の駆動トランジスタ52Gのゲート電極は、第1の選択トランジスタ51Gのソース/ドレイン領域の一方、および第1の保持容量55Gの一方の電極と電気的に接続されている。第1の駆動トランジスタ52Gのソース/ドレイン領域の一方は、第1の電源配線61Gと電気的に接続されている。第1の駆動トランジスタ52Gのソース/ドレイン領域の他方は、第1の発光素子54Gの一方の電極(アノード)と電気的に接続されている。第1の駆動トランジスタ52Gのバックゲートは、第1の電源配線61Gと電気的に接続されている。
第1の発光素子54Gは、緑色光を出射する発光素子である。第1の発光素子54Gは、発光層がアノードとカソードとによって挟持される構成であり、例えば有機ELダイオードである。第1の発光素子54Gの一方の電極(アノード)は、第1の駆動トランジスタ52Gのソース/ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第1の発光素子54Gの他方の電極(カソード)は、電源電位が印加される第2の電源配線62Gと電気的に接続されている。
第1の保持容量55Gは、第1の駆動トランジスタ52Gのゲート電極と第1の電源配線61Gに電気的に接続されている第1の駆動トランジスタ52Gのソース/ドレイン領域の一方との間の電圧を保持するためのコンデンサである。第1の保持容量55Gの一方の電極は、第1の選択トランジスタ51Gのソース/ドレイン領域の一方、および第1の駆動トランジスタ52Gのゲート電極と電気的に接続されている。第1の保持容量55Gの他方の電極は、第1の電源配線61Gと電気的に接続されている。なお、第1の保持容量55Gとして、第1の駆動トランジスタ52Gのゲート電極に寄生する容量を用いてもよいし、またはシリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。
上記のように構成された第1の画素11Gの画素回路において、i行目の走査線31に供給される走査信号GWR(i)がハイレベルのとき、第1の選択トランジスタ51Gはオフ状態である。一方、走査信号GWR(i)がローレベルのとき、第1の選択トランジスタ51Gはオン状態となる。第1の選択トランジスタ51Gがオン状態にあるとき、データ線33の電位と第1の電源配線61Gの電位との電位差Vd1に応じて第1の保持容量55Gに充電電流が流れることにより、第1の保持容量55Gの電極間電圧が電位差Vd1となるまで第1の保持容量55Gは充電される。
第1の駆動トランジスタ52Gのゲート電位が、第1の駆動トランジスタ52Gの閾値電圧を越えると、第1の駆動トランジスタ52G及び第1の発光素子54Gを介して、第1の電源配線61Gから第2の電源配線62Gへ向かって駆動電流が流れる。駆動電流の値は、第1の駆動トランジスタ52Gのゲート電位によって制御される。第1の駆動トランジスタ52Gのゲート電極と第1の電源配線61Gに電気的に接続されている第1の駆動トランジスタ52Gのソース/ドレイン領域の一方との間の電圧は、第1の保持容量55Gによって保持される電圧、すなわち第1の保持容量55Gの電極間電圧と等しい。従って、第1の保持容量55Gによって保持される電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第1の発光素子54Gに流れることにより、第1の発光素子54Gは、駆動電流に応じた強度を有する緑色光を出射する。
上記のように、第1のパネル10Gは、緑色の波長域に対応する色光である緑色光を出射する第1の発光素子54Gと、第1の発光素子54Gの一方の電極側(アノード側)に設けられる第1の電源配線61Gと、第1の発光素子54Gの他方の電極側(カソード側)に設けられる第2の電源配線62Gと、を有する。以下では、第1の電源配線61Gに印加される電源電位と、第2の電源配線62Gに印加される電源電位との差を「第1の電源電位差(第1の電位差)」と呼称する場合がある。
図示は省略するが、第1の画素11Gと同様に、第2のパネル10Bに配置されている第2の画素11Bの画素回路は、第2の選択トランジスタ51Bと、第2の駆動トランジスタ52Bと、第2の発光素子54Bと、第2の保持容量55Bと、を有する。第2の選択トランジスタ51Bおよび第2の駆動トランジスタ52Bは、それぞれ、Pチャネル型のMOS-FETである。
第2の選択トランジスタ51Bのゲート電極は、i行目の走査線31と電気的に接続されている。第2の選択トランジスタ51Bのソース/ドレイン領域の他方は、j列目のデータ線33と電気的に接続されている。第2の選択トランジスタ51Bのソース/ドレイン領域の一方は、第2の駆動トランジスタ52Bのゲート電極、および第2の保持容量55Bの一方の電極と電気的に接続されている。第2の選択トランジスタ51Bのバックゲートは、電源電位が印加される第3の電源配線61Bと電気的に接続されている。
第2の駆動トランジスタ52Bのゲート電極は、第2の選択トランジスタ51Bのソース/ドレイン領域の一方、および第2の保持容量55Bの一方の電極と電気的に接続されている。第2の駆動トランジスタ52Bのソース/ドレイン領域の一方は、第3の電源配線61Bと電気的に接続されている。第2の駆動トランジスタ52Bのソース/ドレイン領域の他方は、第2の発光素子54Bの一方の電極(アノード)と電気的に接続されている。第2の駆動トランジスタ52Bのバックゲートは、第3の電源配線61Bと電気的に接続されている。
第2の発光素子54Bは、単位電流あたりの発光輝度が第1の発光素子54Gより低い発光素子である。第2の発光素子54Bは、青色の波長域に対応する色光である青色光を出射する。第2の発光素子54Bは、発光層がアノードとカソードとによって挟持される構成であり、例えば有機ELダイオードである。第2の発光素子54Bの一方の電極(アノード)は、第2の駆動トランジスタ52Bのソース/ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第2の発光素子54Bの他方の電極(カソード)は、電源電位が印加される第4の電源配線62Bと電気的に接続されている。
第2の保持容量55Bは、第2の駆動トランジスタ52Bのゲート電極と第3の電源配線61Bに電気的に接続されている第2の駆動トランジスタ52Bのソース/ドレイン領域の一方との間の電圧を保持するためのコンデンサである。第2の保持容量55Bの一方の電極は、第2の選択トランジスタ51Bのソース/ドレイン領域の一方、および第2の駆動トランジスタ52Bのゲート電極と電気的に接続されている。第2の保持容量55Bの他方の電極は、第3の電源配線61Bと電気的に接続されている。なお、第2の保持容量55Bとして、第2の駆動トランジスタ52Bのゲート電極に寄生する容量を用いてもよいし、またはシリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。
上記のように構成された第2の画素11Bの画素回路において、第2の選択トランジスタ51Bがオン状態にあるとき、データ線33の電位と第3の電源配線61Bの電位との電位差Vd2に応じて第2の保持容量55Bに充電電流が流れることにより、第2の保持容量55Bの電極間電圧が電位差Vd2となるまで第2の保持容量55Bは充電される。
第2の駆動トランジスタ52Bのゲート電位が、第2の駆動トランジスタ52Bの閾値電圧を越えると、第2の駆動トランジスタ52B及び第2の発光素子54Bを介して、第3の電源配線61Bから第4の電源配線62Bへ向かって駆動電流が流れる。駆動電流の値は、第2の駆動トランジスタ52Bのゲート電位によって制御される。第2の駆動トランジスタ52Bのゲート電極と第3の電源配線61Bに電気的に接続されている第2の駆動トランジスタ52Bのソース/ドレイン領域の一方との間の電圧は、第2の保持容量55Bによって保持される電圧、すなわち第2の保持容量55Bの電極間電圧と等しい。従って、第2の保持容量55Bによって保持される電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第2の発光素子54Bに流れることにより、第2の発光素子54Bは、駆動電流に応じた強度を有する青色光を出射する。
上記のように、第2のパネル10Bは、単位電流あたりの発光輝度が第1の発光素子54Gより低く且つ青色光を出射する第2の発光素子54Bと、第2の発光素子54Bの一方の電極側(アノード側)に設けられる第3の電源配線61Bと、第2の発光素子54Bの他方の電極側(カソード側)に設けられる第4の電源配線62Bと、を有する。以下では、第3の電源配線61Bに印加される電源電位と、第4の電源配線62Bに印加される電源電位との差を「第2の電源電位差(第2の電位差)」と呼称する場合がある。
また、図示は省略するが、第1の画素11G及び第2の画素11Bと同様に、第3のパネル10Rに配置されている第3の画素11Rの画素回路は、第3の選択トランジスタ51Rと、第3の駆動トランジスタ52Rと、第3の発光素子54Rと、第3の保持容量55Rと、を有する。第3の選択トランジスタ51Rおよび第3の駆動トランジスタ52Rは、それぞれ、Pチャネル型のMOS-FETである。
第3の選択トランジスタ51Rのゲート電極は、i行目の走査線31と電気的に接続されている。第3の選択トランジスタ51Rのソース/ドレイン領域の他方は、j列目のデータ線33と電気的に接続されている。第3の選択トランジスタ51Rのソース/ドレイン領域の一方は、第3の駆動トランジスタ52Rのゲート電極、および第3の保持容量55Rの一方の電極と電気的に接続されている。第3の選択トランジスタ51Rのバックゲートは、電源電位が印加される第5の電源配線61Rと電気的に接続されている。
第3の駆動トランジスタ52Rのゲート電極は、第3の選択トランジスタ51Rのソース/ドレイン領域の一方、および第3の保持容量55Rの一方の電極と電気的に接続されている。第3の駆動トランジスタ52Rのソース/ドレイン領域の一方は、第5の電源配線61Rと電気的に接続されている。第3の駆動トランジスタ52Rのソース/ドレイン領域の他方は、第3の発光素子54Rの一方の電極(アノード)と電気的に接続されている。第3の駆動トランジスタ52Rのバックゲートは、第5の電源配線61Rと電気的に接続されている。
第3の発光素子54Rは、単位電流あたりの発光輝度が第1の発光素子54Gより低い発光素子である。第3の発光素子54Rは、赤色の波長域に対応する色光である赤色光を出射する。第3の発光素子54Rは、発光層がアノードとカソードとによって挟持される構成であり、例えば有機ELダイオードである。第3の発光素子54Rの一方の電極(アノード)は、第3の駆動トランジスタ52Rのソース/ドレイン領域の他方と電気的に接続されている。第3の発光素子54Rの他方の電極(カソード)は、電源電位が印加される第6の電源配線62Rと電気的に接続されている。
第3の保持容量55Rは、第3の駆動トランジスタ52Rのゲート電極と第5の電源配線61Rに電気的に接続されている第3の駆動トランジスタ52Rのソース/ドレイン領域の一方との間の電圧を保持するためのコンデンサである。第3の保持容量55Rの一方の電極は、第3の選択トランジスタ51Rのソース/ドレイン領域の一方、および第3の駆動トランジスタ52Rのゲート電極と電気的に接続されている。第3の保持容量55Rの他方の電極は、第5の電源配線61Rと電気的に接続されている。なお、第3の保持容量55Rとして、第3の駆動トランジスタ52Rのゲート電極に寄生する容量を用いてもよいし、またはシリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。
上記のように構成された第3の画素11Rの画素回路において、第3の選択トランジスタ51Rがオン状態にあるとき、データ線33の電位と第5の電源配線61Rの電位との電位差Vd3に応じて第3の保持容量55Rに充電電流が流れることにより、第3の保持容量55Rの電極間電圧が電位差Vd3となるまで第3の保持容量55Rは充電される。
第3の駆動トランジスタ52Rのゲート電位が、第3の駆動トランジスタ52Rの閾値電圧を越えると、第3の駆動トランジスタ52R及び第3の発光素子54Rを介して、第5の電源配線61Rから第6の電源配線62Rへ向かって駆動電流が流れる。駆動電流の値は、第3の駆動トランジスタ52Rのゲート電位によって制御される。第3の駆動トランジスタ52Rのゲート電極と第5の電源配線61Rに電気的に接続されている第3の駆動トランジスタ52Rのソース/ドレイン領域の一方との間の電圧は、第3の保持容量55Rによって保持される電圧、すなわち第3の保持容量55Rの電極間電圧と等しい。従って、第3の保持容量55Rによって保持される電圧に応じた電流値を有する駆動電流が第3の発光素子54Rに流れることにより、第3の発光素子54Rは、駆動電流に応じた強度を有する赤色光を出射する。
上記のように、第3のパネル10Rは、単位電流あたりの発光輝度が第1の発光素子54Gより低く且つ赤色光を出射する第3の発光素子54Rと、第3の発光素子54Rの一方の電極側(アノード側)に設けられる第5の電源配線61Rと、第3の発光素子54Rの他方の電極側(カソード側)に設けられる第6の電源配線62Rと、を有する。以下では、第5の電源配線61Rに印加される電源電位と、第6の電源配線62Rに印加される電源電位との差を「第3の電源電位差(第3の電位差)」と呼称する場合がある。
本実施形態の光学モジュール1において、第1の画素11Gが有する第1の発光素子54Gの面積と、第2の画素11Bが有する第2の発光素子54Bの面積と、第3の画素11Rが有する第3の発光素子54Rの面積とは同じである。なお、各発光素子54の面積は、平面視でアノードと発光層とカソードとが重なる領域の面積、もしくは、アノードと発光層とが接する領域の面積とも言える。
なお、本発明における各電源配線に印加される電位の極性については限定されない。例えば第1の電源配線に印加される電位が正極性で、第2の電源配線に印加される電位が負極性でも良いし、第1の電源配線および第2の電源配線に印加される電位が共に正極性、もしくは負極性でも良い。言い換えれば、第1の電源配線に印加される電位と第2の電源配線に印加される電位との電位差である電源電位差が所定の電位差であれば、各電源配線に印加される電位の極性は限定されない。
なお、本発明における各電源配線に印加される電位の極性については限定されない。例えば第1の電源配線に印加される電位が正極性で、第2の電源配線に印加される電位が負極性でも良いし、第1の電源配線および第2の電源配線に印加される電位が共に正極性、もしくは負極性でも良い。言い換えれば、第1の電源配線に印加される電位と第2の電源配線に印加される電位との電位差である電源電位差が所定の電位差であれば、各電源配線に印加される電位の極性は限定されない。
図4に示すように、第1のパネル10Gの実装端子39には、フレキシブルフラットケーブル70Gの一方のコネクタ部が接続されている。図5に示すように、フレキシブルフラットケーブル70Gの他方のコネクタ部は、第1の子基板80Gと接続されている。第1の子基板80Gは、フレキシブルフラットケーブル90Gを介して親基板100と接続されている。
図5に示すように、第1のパネル10Gと同様に、第2のパネル10Bの実装端子39は、フレキシブルフラットケーブル70Bを介して第2の子基板80Bと接続されている。第2の子基板80Bは、フレキシブルフラットケーブル90Bを介して親基板100と接続されている。第1のパネル10Gと同様に、第3のパネル10Rの実装端子39は、フレキシブルフラットケーブル70Rを介して第3の子基板80Rと接続されている。第3の子基板80Rは、フレキシブルフラットケーブル90Rを介して親基板100と接続されている。
親基板100には、映像信号Sと外部電源電圧VINとが入力される。親基板100は、外部から入力される映像信号Sを、第1のパネル10G用の緑色映像信号SGと、第2のパネル10B用の青色映像信号SBと、第3のパネル10R用の赤色映像信号SRとに分離する信号処理回路を有する。また、親基板100は、外部から入力される外部電源電圧VINから基準電圧VREFを生成するDC/DCコンバータ等の電源回路を有する。
親基板100は、フレキシブルフラットケーブル90Gを介して、緑色映像信号SG及び基準電圧VREFを第1の子基板80Gに出力する。親基板100は、フレキシブルフラットケーブル90Bを介して、青色映像信号SB及び基準電圧VREFを第2の子基板80Bに出力する。親基板100は、フレキシブルフラットケーブル90Rを介して、赤色映像信号SR及び基準電圧VREFを第3の子基板80Rに出力する。
第1の子基板80Gは、親基板100から入力される基準電圧VREFから、第1の電源配線61Gの電位と第2の電源配線62Gの電位とが生成され、それらの電位差が第1の電源電圧VDGとなるように生成するDC/DCコンバータ等の電源回路を有する。第1の子基板80Gは、フレキシブルフラットケーブル70Gを介して、第1の電源配線61Gに供給する電位および第2の電源配線62Gに供給する電位を第1のパネル10Gの実装端子39に出力する。また、第1の子基板80Gは、親基板100から入力される緑色映像信号SGを、フレキシブルフラットケーブル70Gを介して第1のパネル10Gの実装端子39に出力する。
第1のパネル10Gの第1の電源電位差は、第1の電源電圧VDGと等しい。言い換えれば、第1のパネル10Gの第1の電源電位差は、第1の子基板80Gに設けられたDC/DCコンバータ等の電源回路によって任意の値に個別に設定され得る。
第1のパネル10Gにおいて、走査線駆動回路36及びデータ線駆動回路37は、第1の子基板80Gから第1のパネル10Gに入力される緑色映像信号SGに基づいて、走査線31に供給される走査信号と、データ線33に印加される電位とを生成する。
第2の子基板80Bは、親基板100から入力される基準電圧VREFから、第3の電源配線61Bの電位と第4の電源配線62Bの電位とが生成され、それらの電位差が第2の電源電圧VDBとなるように生成するDC/DCコンバータ等の電源回路を有する。第2の子基板80Bは、フレキシブルフラットケーブル70Bを介して、第3の電源配線61Bに供給する電位および第4の電源配線62Bに供給する電位を第2のパネル10Bの実装端子39に出力する。また、第2の子基板80Bは、親基板100から入力される青色映像信号SBを、フレキシブルフラットケーブル70Bを介して第2のパネル10Bの実装端子39に出力する。
第2のパネル10Bの第2の電源電位差は、第2の電源電圧VDBと等しい。言い換えれば、第2のパネル10Bの第2の電源電位差は、第2の子基板80Bに設けられたDC/DCコンバータ等の電源回路によって任意の値に個別に設定され得る。
第2のパネル10Bにおいて、走査線駆動回路36及びデータ線駆動回路37は、第2の子基板80Bから第2のパネル10Bに入力される青色映像信号SBに基づいて、走査線31に供給される走査信号と、データ線33に印加される電位とを生成する。
第3の子基板80Rは、親基板100から入力される基準電圧VREFから、第5の電源配線61Rの電位と第6の電源配線62Rの電位とが生成され、それらの電位差が第3の電源電圧VDRとなるように生成するDC/DCコンバータ等の電源回路を有する。第3の子基板80Rは、フレキシブルフラットケーブル70Rを介して、第5の電源配線61Rに供給する電位および第6の電源配線62Rに供給する電位を第3のパネル10Rの実装端子39に出力する。また、第3の子基板80Rは、親基板100から入力される赤色映像信号SRを、フレキシブルフラットケーブル70Rを介して第3のパネル10Rの実装端子39に出力する。
第3のパネル10Rの第3の電源電位差は、第3の電源電圧VDRと等しい。言い換えれば、第3のパネル10Rの第3の電源電位差は、第3の子基板80Rに設けられたDC/DCコンバータ等の電源回路によって任意の値に個別に設定され得る。
第3のパネル10Rにおいて、走査線駆動回路36及びデータ線駆動回路37は、第3の子基板80Rから第3のパネル10Rに入力される赤色映像信号SRに基づいて、走査線31に供給される走査信号と、データ線33に印加される電位とを生成する。
上記のように構成された光学モジュール1において、第1のパネル10Gの第1の電源電位差、第2のパネル10Bの第2の電源電位差、および第3のパネル10Rの第3の電源電位差は、以下のように個別に設定される。
図6は、各パネル10の電源電位差が、それぞれ基本設定値である6.0(V)に設定されたときの、各パネル10の単色最大輝度の一例を示す。図6に示すように、第1のパネル10Gの第1の電源電位差が6.0(V)に設定されたとき、第1のパネル10Gから出射される緑色の第1の画像光LGの最大輝度は、一例として34880(cd/m2)である。第2のパネル10Bの第2の電源電位差が6.0(V)に設定されたとき、第2のパネル10Bから出射される青色の第2の画像光LBの最大輝度は、一例として2640(cd/m2)である。第3のパネル10Rの第3の電源電位差が6.0(V)に設定されたとき、第3のパネル10Rから出射される赤色の第3の画像光LRの最大輝度は、一例として6000(cd/m2)である。
図11は、第1の発光素子54G、第2の発光素子54Bおよび第3の発光素子54Rのそれぞれについて、電流密度と発光輝度との関係を示す特性図である。図11に示すように、第2の発光素子54Bは、単位電流あたりの発光輝度が第1の発光素子54Gより低い。第3の発光素子54Rは、単位電流あたりの発光輝度が第1の発光素子54Gより低く、且つ第2の発光素子54Bより大きい。従って、図6に示すように、各パネル10の電源電位差が同一の値に設定されたとき、最大電流印加時における発光輝度がパネルごとに異なる。具体的には、第2のパネル10Bの最大輝度は、第1のパネル10Gの最大輝度より低くなり、第3のパネル10Rの最大輝度は、第1のパネル10Gの最大輝度より低く、且つ第2のパネル10Bの最大輝度より高くなる。その結果、各パネル10の電源電位差が同一の値に設定される場合、3つのパネル10のうち、特定のパネルの定常的な駆動電力が必要以上に大きくなるケースがある。
本実施形態の光学モジュール1では、一般的なディスプレイと同等の色再現度を確保するために、図6に示す最大輝度を上限として、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように、各パネル10の目標輝度が設定される。なお、「R」は、第3のパネル10Rから出射される赤色の第3の画像光LRの輝度を表す。「G」は、第1のパネル10Gから出射される緑色の第1の画像光LGの輝度を表す。「B」は、第2のパネル10Bから出射される青色の第2の画像光LBの輝度を表す。
なお、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように制御するのは、一例であり、RGBの輝度比率はこれに限定されない。
なお、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように制御するのは、一例であり、RGBの輝度比率はこれに限定されない。
図7に示すように、各パネル10の目標輝度の設定パターンとして3つのパターンが考えられる。第1の設定パターンは、第3のパネル10Rの最大輝度を基準として、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように、各パネル10の目標輝度が設定されるパターンである。第2の設定パターンは、第1のパネル10Gの最大輝度を基準として、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように、各パネル10の目標輝度が設定されるパターンである。第3の設定パターンは、第2のパネル10Bの最大輝度を基準として、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように、各パネル10の目標輝度が設定されるパターンである。
図7において、第3のパネル10Rの最大輝度を基準とする第1の設定パターンに着目すると、第1のパネル10Gに関して最大輝度が目標輝度より高くなる。そのため、仮に第1のパネル10Gの第1の電源電位差を6.0(V)に設定すると、第1のパネル10Gの目標輝度に対して過剰な第1の電源電圧VDGが第1のパネル10Gに供給されることになる。同様に、図7において第1の設定パターンに着目すると、第2のパネル10Bに関しても最大輝度が目標輝度より高くなる。そのため、仮に第2のパネル10Bの第2の電源電位差を6.0(V)に設定すると、第2のパネル10Bの目標輝度に対して過剰な第2の電源電圧VDBが第2のパネル10Bに供給されることになる。
そこで、本実施形態の光学モジュール1では、第3のパネル10Rの最大輝度を基準とする第1の設定パターンを用いる場合、第1のパネル10Gの目標輝度を確保できる最小限の値に第1の電源電位差が設定され、第2のパネル10Bの目標輝度を確保できる最小限の値に第2の電源電位差が設定される。
図8は、第3のパネル10Rの最大輝度を基準とする第1の設定パターンを用いる場合に、各パネル10の目標輝度を確保できる値に設定された各電源電位差と、設定された各電源電位差によって得られる各パネル10の最大輝度との関係を示す。図8に示すように、本実施形態の光学モジュール1では、第1の設定パターンを用いる場合、第1のパネル10Gの第1の電源電位差が5.5(V)に設定され、第2のパネル10Bの第2の電源電位差が5.9(V)に設定され、第3のパネル10Rの第3の電源電位差が6.0(V)に設定される。
この場合、第1の電源電圧VDG(第1の電源電位差)が5.5(V)となるように、各電源配線に第1の子基板80Gから第1のパネル10Gへ供給され、第2の電源電圧VDB(第2の電源電位差)が5.9(V)となるように、各電源配線に第2の子基板80Bから第2のパネル10Bへ供給され、第3の電源電圧VDR(第3の電源電位差)が6.0(V)となるように、各電源配線に第3の子基板80Rから第3のパネル10Rへ供給される。その結果、図8に示すように、各パネル10のそれぞれについて目標輝度以上の最大輝度が得られ、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように設定された各パネル10の目標輝度が確保される。
このように、第3のパネル10Rの最大輝度を基準とする第1の設定パターンを用いる場合には、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように設定された各パネル10の目標輝度を確保しながら、第1のパネル10Gの第1の電源電位差と第2のパネル10Bの第2の電源電位差とを最小限の値に設定することにより、ホワイトバランスの最適化を図りながら、第3のパネル10Rと比較して第1のパネル10G及び第2のパネル10Bの消費電力を低減することができる。
第1の設定パターンを用いる場合、第1のパネル10Gの第1の電源電位差は、第2のパネル10Bの第2の電源電位差より小さく、且つ第3のパネル10Rの第3の電源電位差より小さい。従って、第1のパネル10Gの消費電力は、第2のパネル10B及び第3のパネル10Rより小さい。また、第2のパネル10Bの第2の電源電位差は、第3のパネル10Rの第3の電源電位差より小さく、且つ第1のパネル10Gの第1の電源電位差より大きい。従って、第2のパネル10Bの消費電力は、第3のパネル10Rより小さく、且つ第1のパネル10Gより大きい。第1の設定パターンを用いる場合において、第3のパネル10Rの最大輝度は、第2のパネル10Bの最大輝度より高く且つ第1のパネル10Gの最大輝度より低い。
図7において、第1のパネル10Gの最大輝度を基準とする第2の設定パターンに着目すると、第2のパネル10Bに関して最大輝度が目標輝度より低くなる。そのため、仮に第2のパネル10Bの第2の電源電位差を6.0(V)に設定すると、第2のパネル10Bの目標輝度に対して不十分な第2の電源電圧VDBが第2のパネル10Bに供給されることになる。同様に、図7において第2の設定パターンに着目すると、第3のパネル10Rに関しても最大輝度が目標輝度より低くなる。そのため、仮に第3のパネル10Rの第3の電源電位差を6.0(V)に設定すると、第3のパネル10Rの目標輝度に対して不十分な第3の電源電圧VDRが第3のパネル10Rに供給されることになる。
そこで、本実施形態の光学モジュール1では、第1のパネル10Gの最大輝度を基準とする第2の設定パターンを用いる場合、第2のパネル10Bの目標輝度を確保するために基本設定値より大きな値に第2の電源電位差が設定され、第3のパネル10Rの目標輝度を確保するために基本設定値より大きな値に第3の電源電位差が設定される。
図9は、第1のパネル10Gの最大輝度を基準とする第2の設定パターンを用いる場合に、各パネル10の目標輝度を確保できる値に設定された各電源電位差と、設定された各電源電位差によって得られる各パネル10の最大輝度との関係を示す。図9に示すように、本実施形態の光学モジュール1では、第2の設定パターンを用いる場合、第1のパネル10Gの第1の電源電位差が6.0(V)に設定され、第2のパネル10Bの第2の電源電位差が6.3(V)に設定され、第3のパネル10Rの第3の電源電位差が6.4(V)に設定される。
この場合、第1の電源電圧VDG(第1の電源電位差)が6.0(V)となるように、各電源配線に第1の子基板80Gから第1のパネル10Gへ供給され、第2の電源電圧VDB(第2の電源電位差)が6.3(V)となるように、各電源配線に第2の子基板80Bから第2のパネル10Bへ供給され、第3の電源電圧VDR(第3の電源電位差)が6.4(V)となるように、各電源配線に第3の子基板80Rから第3のパネル10Rへ供給される。その結果、図9に示すように、各パネル10のそれぞれについて目標輝度以上の最大輝度が得られ、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように設定された各パネル10の目標輝度が確保される。
このように、第1のパネル10Gの最大輝度を基準とする第2の設定パターンを用いる場合には、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように設定された各パネル10の目標輝度を確保しながら、第2のパネル10Bの第2の電源電位差と第3のパネル10Rの第3の電源電位差とを基本設定値より大きな値に設定することにより、ホワイトバランスの最適化を図りながら、第3のパネル10Rと比較して第1のパネル10G及び第2のパネル10Bの消費電力を低減することができる。
第1の設定パターンを用いる場合と同様に、第2の設定パターンを用いる場合においても、第1のパネル10Gの第1の電源電位差は、第2のパネル10Bの第2の電源電位差より小さく、且つ第3のパネル10Rの第3の電源電位差より小さい。従って、第1のパネル10Gの消費電力は、第2のパネル10B及び第3のパネル10Rより小さい。また、第2のパネル10Bの第2の電源電位差は、第3のパネル10Rの第3の電源電位差より小さく、且つ第1のパネル10Gの第1の電源電位差より大きい。従って、第2のパネル10Bの消費電力は、第3のパネル10Rより小さく、且つ第1のパネル10Gより大きい。第2の設定パターンを用いる場合においても、第3のパネル10Rの最大輝度は、第2のパネル10Bの最大輝度より高く且つ第1のパネル10Gの最大輝度より低い。
また、図8に示すように、第1の設定パターンを用いる場合の白色の最大輝度が約20000(cd/m2)であるのに対して、図9に示すように、第2の設定パターンを用いる場合の白色の最大輝度は約58000(cd/m2)にまで増大する。従って、第1の設定パターンと比較して、第2の設定パターンを用いることにより光学モジュール1の高輝度化を実現できる。
図7において、第2のパネル10Bの最大輝度を基準とする第3の設定パターンに着目すると、第1のパネル10Gに関して最大輝度が目標輝度より高くなる。そのため、仮に第1のパネル10Gの第1の電源電位差を6.0(V)に設定すると、第1のパネル10Gの目標輝度に対して過剰な第1の電源電圧VDGが第1のパネル10Gに供給されることになる。また、図7において第3の設定パターンに着目すると、第3のパネル10Rに関して最大輝度が目標輝度より低くなる。そのため、仮に第3のパネル10Rの第3の電源電位差を6.0(V)に設定すると、第3のパネル10Rの目標輝度に対して不十分な第3の電源電圧VDRが第3のパネル10Rに供給されることになる。
そこで、本実施形態の光学モジュール1では、第2のパネル10Bの最大輝度を基準とする第3の設定パターンを用いる場合、第1のパネル10Gの目標輝度を確保できる最小限の値に第1の電源電位差が設定され、第3のパネル10Rの目標輝度を確保するために基本設定値より大きな値に第3の電源電位差が設定される。
図10は、第2のパネル10Bの最大輝度を基準とする第3の設定パターンを用いる場合に、各パネル10の目標輝度を確保できる値に設定された各電源電位差と、設定された各電源電位差によって得られる各パネル10の最大輝度との関係を示す。図10に示すように、本実施形態の光学モジュール1では、第3の設定パターンを用いる場合、第1のパネル10Gの第1の電源電位差が5.6(V)に設定され、第2のパネル10Bの第2の電源電位差が6.0(V)に設定され、第3のパネル10Rの第3の電源電位差が6.1(V)に設定される。
この場合、第1の電源電圧VDG(第1の電源電位差)が5.6(V)となるように、各電源配線に第1の子基板80Gから第1のパネル10Gへ供給され、第2の電源電圧VDB(第2の電源電位差)が6.0(V)となるように、各電源配線に第2の子基板80Bから第2のパネル10Bへ供給され、第3の電源電圧VDR(第3の電源電位差)が6.1(V)となるように、各電源配線に第3の子基板80Rから第3のパネル10Rへ供給される。その結果、図10に示すように、各パネル10のそれぞれについて目標輝度以上の最大輝度が得られ、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように設定された各パネル10の目標輝度が確保される。
このように、第2のパネル10Bの最大輝度を基準とする第3の設定パターンを用いる場合には、RGBの輝度比率が「R:G:B=3:6:1」に近づくように設定された各パネル10の目標輝度を確保しながら、第1のパネル10Gの第1の電源電位差を最小限の値に設定し、第3のパネル10Rの第3の電源電位差を基本設定値より大きな値に設定することにより、ホワイトバランスの最適化を図りながら、第3のパネル10Rと比較して第1のパネル10G及び第2のパネル10Bの消費電力を低減することができる。
第1の設定パターンを用いる場合と同様に、第3の設定パターンを用いる場合においても、第1のパネル10Gの第1の電源電位差は、第2のパネル10Bの第2の電源電位差より小さく、且つ第3のパネル10Rの第3の電源電位差より小さい。従って、第1のパネル10Gの消費電力は、第2のパネル10B及び第3のパネル10Rより小さい。また、第2のパネル10Bの第2の電源電位差は、第3のパネル10Rの第3の電源電位差より小さく、且つ第1のパネル10Gの第1の電源電位差より大きい。従って、第2のパネル10Bの消費電力は、第3のパネル10Rより小さく、且つ第1のパネル10Gより大きい。第3の設定パターンを用いる場合においても、第3のパネル10Rの最大輝度は、第2のパネル10Bの最大輝度より高く且つ第1のパネル10Gの最大輝度より低い。
また、図8に示すように、第1の設定パターンを用いる場合の白色の最大輝度が約20000(cd/m2)であるのに対して、図10に示すように、第3の設定パターンを用いる場合の白色の最大輝度は約26000(cd/m2)にまで増大する。従って、第1の設定パターンと比較して、第3の設定パターンを用いることにより光学モジュール1の高輝度化を実現できる。なお、上記のように、3つの設定パターンのうち、第2の設定パターンを用いることにより、光学モジュール1の高輝度化の効果を最も大きく得ることができる。
以上のように、本実施形態の光学モジュール1では、第1のパネル10Gの第1の電源電位差と、第2のパネル10Bの第2の電源電位差と、第3のパネル10Rの第3の電源電位差とを、各パネル10の目標輝度を確保できる値に個別に設定することにより、単位電流あたりの発光輝度が異なる発光素子54が各パネル10に設けられている場合であっても、ホワイトバランスの最適化を図りながら、第3のパネル10Rと比較して第1のパネル10G及び第2のパネル10Bの消費電力を低減することができる。
〔光学モジュールを備える画像表示装置〕
以下、上記実施形態の光学モジュール1を備える画像表示装置について説明する。
図12は、光学モジュール1を備える画像表示装置の一例である頭部装着型表示装置(ヘッドマウントディスプレイ)1000の説明図である。図13は、図12に示す虚像表示部1010の光学系の構成を模式的に示す斜視図である。図14は、図13に示す光学系の光路を示す説明図である。
以下、上記実施形態の光学モジュール1を備える画像表示装置について説明する。
図12は、光学モジュール1を備える画像表示装置の一例である頭部装着型表示装置(ヘッドマウントディスプレイ)1000の説明図である。図13は、図12に示す虚像表示部1010の光学系の構成を模式的に示す斜視図である。図14は、図13に示す光学系の光路を示す説明図である。
図12に示すように、頭部装着型表示装置1000は、シースルー型のアイグラスディスプレイとして構成されており、テンプル1111及び1112を左右に備えたフレーム1110を有する。頭部装着型表示装置1000において、虚像表示部1010は、フレーム1110に支持され、虚像表示部1010から射出された画像を使用者に虚像として認識させる。本実施形態において、頭部装着型表示装置1000は、虚像表示部1010として、左眼用表示部1101と、右眼用表示部1102と、を備えている。左眼用表示部1101と右眼用表示部1102とは、同一の構成を有し、左右対称に配置されている。
以下の説明では、左眼用表示部1101を中心に説明し、右眼用表示部1102についての説明は省略する。
図13および図14に示すように、頭部装着型表示装置1000において、左眼用表示部1101は、光学モジュール1と、光学モジュール1から射出された合成画像光LWを射出部1058に導く導光系1030と、を備える。光学モジュール1と導光系1030との間には、投写レンズ系1070が配置されている。光学モジュール1から射出された合成画像光LWは、投写レンズ系1070を介して導光系1030に入射する。投写レンズ系1070は、正のパワーを有する1つのコリメートレンズによって構成されている。
図13および図14に示すように、頭部装着型表示装置1000において、左眼用表示部1101は、光学モジュール1と、光学モジュール1から射出された合成画像光LWを射出部1058に導く導光系1030と、を備える。光学モジュール1と導光系1030との間には、投写レンズ系1070が配置されている。光学モジュール1から射出された合成画像光LWは、投写レンズ系1070を介して導光系1030に入射する。投写レンズ系1070は、正のパワーを有する1つのコリメートレンズによって構成されている。
導光系1030は、合成画像光LWが入射する透光性の入射部1040と、一方端1051側が入射部1040に接続された透光性の導光部1050と、を備えている。本実施形態において、入射部1040と導光部1050とは、一体の透光性部材で構成されている。
入射部1040は、光学モジュール1から射出された合成画像光LWが入射する入射面1041と、入射面1041から入射した合成画像光LWを入射面1041との間で反射する反射面1042と、を備えている。入射面1041は、平面、非球面、または自由曲面等からなり、投写レンズ系1070を介して光学モジュール1と対向している。投写レンズ系1070は、入射面1041の端部1412との間隔が入射面1041の端部1411との間隔より広くなるように斜めに配置されている。
入射面1041には反射膜が形成されていないが、臨界角以上の入射角で入射した光を全反射する。したがって、入射面1041は、光透過性および光反射性を備えている。反射面1042は、入射面1041と対向する面からなり、端部1422が入射面1041の端部1421よりも入射面1041から離間するように斜めに配置されている。したがって、入射部1040は、略三角形状の形状を有している。反射面1042は、平面、非球面、または自由曲面等からなる。反射面1042は、アルミニウム、銀、マグネシウム、クロム等を主成分とする反射性の金属層が形成された構成を有する。
導光部1050は、一方端1051から他方端1052側に向けて延在する第1面1056(第1反射面)と、第1面1056に平行に対向して一方端1051側から他方端1052側に向けて延在する第2面1057(第2反射面)と、第2面1057の入射部1040から離間する部分に設けられた射出部1058と、を備えている。第1面1056と入射部1040の反射面1042とは、斜面1043を介して連続している。第1面1056と第2面1057との厚さは、入射部1040より薄い。第1面1056および第2面1057は、導光部1050と外界(空気)との屈折率差に基づいて、臨界角以上の入射角で入射した光を全反射する。このため、第1面1056および第2面1057には反射膜が形成されていない。
射出部1058は、導光部1050の厚さ方向の第2面1057側の一部に構成されている。射出部1058では、第2面1057に対する法線方向に対して斜めに傾いた複数の部分反射面1055が互いに平行に配置されている。射出部1058は、第2面1057のうち、複数の部分反射面1055に重なる部分であり、導光部1050の延在方向において所定の幅を有する領域である。複数の部分反射面1055は、それぞれ誘電体多層膜から構成されている。また、複数の部分反射面1055のうちの少なくとも1つは、誘電体多層膜と、アルミニウム、銀、マグネシウム、クロム等を主成分とする反射性の金属層(薄膜)との複合層であってもよい。部分反射面1055が金属層を含んでいる場合、部分反射面1055の反射率を高める効果、もしくは、部分反射面1055の透過率および反射率の入射角依存性や偏光依存性を適正化できる、という効果がある。なお、射出部1058については、回折格子やホログラム等の光学素子が設けられた態様であってもよい。
上記構成の頭部装着型表示装置1000において、入射部1040から入射した平行光からなる合成画像光LWは、入射面1041で屈折し、反射面1042に向かう。次に、合成画像光LWは、反射面1042で反射されて再び入射面1041に向かう。その際、合成画像光LWは、入射面1041に臨界角以上の入射角で入射するため、入射面1041で導光部1050に向けて反射され、導光部1050に向かう。なお、入射部1040では、平行光である合成画像光LWが入射面1041に入射する構成になっているが、入射面1041および反射面1042を自由曲面等によって構成し、非平行光である合成画像光LWが入射面1041に入射した後、反射面1042と入射面1041との間で反射する間に平行光に変換される構成を採用してもよい。
導光部1050においては、合成画像光LWが第1面1056と第2面1057との間で反射して進行する。部分反射面1055に入射した合成画像光LWの一部は、部分反射面1055で反射して射出部1058から観察者の眼Eに向けて射出される。また、部分反射面1055に入射した合成画像光LWの残りは、部分反射面1055を透過し、隣り合う次の部分反射面1055に入射する。このため、複数の部分反射面1055の各々において反射した合成画像光LWは、射出部1058から観察者の眼Eに向けて射出される。これにより、観察者は、虚像を認識することができる。
その際、外界から導光部1050に入射した光は、導光部1050に入射した後、部分反射面1055を透過して観察者の眼Eに到達する。このため、観察者は、光学モジュール1から射出されたカラー画像を視認することができるとともに、外界の景色等をシースルーで視認することができる。
以上のような本実施形態の光学モジュール1を備える頭部装着型表示装置1000によれば、観察者の眼Eによって視認されるカラー画像のホワイトバランスの最適化を図りながら、第3のパネル10Rと比較して第1のパネル10G及び第2のパネル10Bの消費電力を低減することができる。
以上のような本実施形態の光学モジュール1を備える頭部装着型表示装置1000によれば、観察者の眼Eによって視認されるカラー画像のホワイトバランスの最適化を図りながら、第3のパネル10Rと比較して第1のパネル10G及び第2のパネル10Bの消費電力を低減することができる。
図15は、本実施形態の光学モジュール1を備える画像表示装置の他の例である投写型表示装置(プロジェクタ)2000の概略構成図である。図15に示すように、投写型表示装置2000は、上記実施形態の光学モジュール1と、光学モジュール1から出射された合成画像光LWをスクリーン等の被投写部材2200に拡大して投写する投写光学系2100と、を備えている。
このような本実施形態の光学モジュール1を備える投写型表示装置2000によれば、被投写部材2200に投射される合成画像光LWのホワイトバランスの最適化を図りながら、第3のパネル10Rと比較して第1のパネル10G及び第2のパネル10Bの消費電力を低減することができる。
このような本実施形態の光学モジュール1を備える投写型表示装置2000によれば、被投写部材2200に投射される合成画像光LWのホワイトバランスの最適化を図りながら、第3のパネル10Rと比較して第1のパネル10G及び第2のパネル10Bの消費電力を低減することができる。
〔変形例〕
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
上記実施形態では、第1の子基板80Gが、親基板100から入力される基準電圧VREFから第1の電源配線61Gの電位と第2の電源配線62Gの電位とが生成され、それらの電位差が第1の電源電圧VDGとなるように生成し、第2の子基板80Bが、親基板100から入力される基準電圧VREFから第3の電源配線61Bの電位と第4の電源配線62Bの電位とが生成され、それらの電位差が第2の電源電圧VDBとなるように生成し、第3の子基板80Rが、親基板100から入力される基準電圧VREFから第5の電源配線61Rの電位と第6の電源配線62Rの電位とが生成され、それらの電位差が第3の電源電圧VDRとなるように生成する形態を例示した。
例えば、図16に示すように、第1の子基板80Gの代わりに第1の子基板81Gを設け、第2の子基板80Bの代わりに第2の子基板81Bを設け、第3の子基板80Rの代わりに第3の子基板81Rを設けてもよい。第1の子基板81Gは、親基板100から入力される基準電圧VREF及び緑色映像信号SGを、フレキシブルフラットケーブル70Gを介して第1のパネル10Gに出力する。第2の子基板81Bは、親基板100から入力される基準電圧VREF及び青色映像信号SBを、フレキシブルフラットケーブル70Bを介して第2のパネル10Bに出力する。第3の子基板81Rは、親基板100から入力される基準電圧VREF及び赤色映像信号SRを、フレキシブルフラットケーブル70Rを介して第3のパネル10Rに出力する。
図16に示すように、第1のパネル10Gは、第1の子基板81Gから入力される基準電圧VREFから、第1の電源配線61Gの電位と第2の電源配線62Gの電位とが生成され、それらの電位差が第1の電源電圧VDGとなるように生成するDC/DCコンバータ等の電源回路18Gを有していてもよい。第2のパネル10Bは、第2の子基板81Bから入力される基準電圧VREFから、第3の電源配線61Bの電位と第4の電源配線62Bの電位とが生成され、それらの電位差が第2の電源電圧VDBとなるように生成するDC/DCコンバータ等の電源回路18Bを有していてもよい。第3のパネル10Rは、第3の子基板81Rから入力される基準電圧VREFから、第5の電源配線61Rの電位と第6の電源配線62Rの電位とが生成され、それらの電位差が第3の電源電圧VDRとなるように生成するDC/DCコンバータ等の電源回路18Rを有していてもよい。
図16に示す変形例によっても、第1のパネル10Gの第1の電源電位差と、第2のパネル10Bの第2の電源電位差と、第3のパネル10Rの第3の電源電位差とを、各パネル10の目標輝度を確保できる値に個別に設定することができる。
上記実施形態では、各発光素子が有機ELダイオードである形態を例示したが、本発明はこれに限定されない。各発光素子として、無機EL素子、LEDアレイ、有機LED、レーザーアレイ、および量子ドット発光型素子等の他の自発光素子を用いてよい。
上記実施形態では、光学モジュール1を備える画像表示装置として頭部装着型表示装置1000と投射型表示装置2000とを例示したが、本発明の光学モジュールは様々な形態の画像表示装置に適用することができる。
本発明の一態様の光学モジュールは、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一態様の光学モジュールは、第1の発光素子と、前記第1の発光素子の一方の電極側に設けられる第1の電源配線と、前記第1の発光素子の他方の電極側に設けられる第2の電源配線と、を有する第1のパネルと、単位電流あたりの発光輝度が前記第1の発光素子より低い第2の発光素子と、前記第2の発光素子の一方の電極側に設けられる第3の電源配線と、前記第2の発光素子の他方の電極側に設けられる第4の電源配線と、を有する第2のパネルと、前記第1のパネルから出射される第1の画像光と前記第2のパネルから出射される第2の画像光とを合成するプリズムと、を備え、前記第1の電源配線に印加される電位と前記第2の電源配線に印加される電位との差である第1の電位差は、前記第3の電源配線に印加される電位と前記第4の電源配線に印加される電位との差である第2の電位差より小さい。
本発明の一態様の光学モジュールは、第1の発光素子と、前記第1の発光素子の一方の電極側に設けられる第1の電源配線と、前記第1の発光素子の他方の電極側に設けられる第2の電源配線と、を有する第1のパネルと、単位電流あたりの発光輝度が前記第1の発光素子より低い第2の発光素子と、前記第2の発光素子の一方の電極側に設けられる第3の電源配線と、前記第2の発光素子の他方の電極側に設けられる第4の電源配線と、を有する第2のパネルと、前記第1のパネルから出射される第1の画像光と前記第2のパネルから出射される第2の画像光とを合成するプリズムと、を備え、前記第1の電源配線に印加される電位と前記第2の電源配線に印加される電位との差である第1の電位差は、前記第3の電源配線に印加される電位と前記第4の電源配線に印加される電位との差である第2の電位差より小さい。
本発明の一態様の光学モジュールにおいて、単位電流あたりの発光輝度が前記第1の発光素子より低い第3の発光素子と、前記第3の発光素子の一方の電極側に設けられる第5の電源配線と、前記第3の発光素子の他方の電極側に設けられる第6の電源配線と、を有する第3のパネルを備え、前記プリズムは、前記第1の画像光と、前記第2の画像光と、前記第3のパネルから出射される第3の画像光とを合成し、前記第1の電位差は、前記第5の電源配線に印加される電位と前記第6の電源配線に印加される電位との差である第3の電位差より小さい。
本発明の一態様の光学モジュールにおいて、前記第1のパネルは、前記第1の画像光として緑色の波長域に対応する色光を出射する。
本発明の一態様の光学モジュールにおいて、前記第2のパネルは、前記第2の画像光として青色の波長域に対応する色光を出射し、前記第3のパネルは、前記第3の画像光として赤色の波長域に対応する色光を出射し、前記第2の電位差は、前記第3の電位差より小さく、前記第3のパネルの最大輝度は、前記第2のパネルの最大輝度より高く且つ前記第1のパネルの最大輝度より低い。
本発明の一態様の画像表示装置は、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一態様の画像表示装置は、本発明の一態様の光学モジュールを備える。
本発明の一態様の画像表示装置は、本発明の一態様の光学モジュールを備える。
1…光学モジュール、10G…第1のパネル、10B…第2のパネル、10R…第3のパネル、11G…第1の画素、11B…第2の画素、11R…第3の画素、20…ダイクロイックプリズム(プリズム)、54G…第1の発光素子、54B…第2の発光素子、54R…第3の発光素子、61G…第1の電源配線、62G…第2の電源配線、61B…第3の電源配線、62B…第4の電源配線、61R…第5の電源配線、62R…第6の電源配線、80G、81G…第1の子基板、80B、81B…第2の子基板、80R、81R…第3の子基板、100…親基板、1000…頭部装着型表示装置(画像表示装置)、2000…投写型表示装置(画像表示装置)
Claims (5)
- 第1の発光素子と、前記第1の発光素子の一方の電極側に設けられる第1の電源配線と、前記第1の発光素子の他方の電極側に設けられる第2の電源配線と、を有する第1のパネルと、
単位電流あたりの発光輝度が前記第1の発光素子より低い第2の発光素子と、前記第2の発光素子の一方の電極側に設けられる第3の電源配線と、前記第2の発光素子の他方の電極側に設けられる第4の電源配線と、を有する第2のパネルと、
前記第1のパネルから出射される第1の画像光と前記第2のパネルから出射される第2の画像光とを合成するプリズムと、
を備え、
前記第1の電源配線に印加される電位と前記第2の電源配線に印加される電位との差である第1の電位差は、前記第3の電源配線に印加される電位と前記第4の電源配線に印加される電位との差である第2の電位差より小さい、
光学モジュール。 - 単位電流あたりの発光輝度が前記第1の発光素子より低い第3の発光素子と、前記第3の発光素子の一方の電極側に設けられる第5の電源配線と、前記第3の発光素子の他方の電極側に設けられる第6の電源配線と、を有する第3のパネルを備え、
前記プリズムは、前記第1の画像光と、前記第2の画像光と、前記第3のパネルから出射される第3の画像光とを合成し、
前記第1の電位差は、前記第5の電源配線に印加される電位と前記第6の電源配線に印加される電位との差である第3の電位差より小さい、請求項1に記載の光学モジュール。 - 前記第1のパネルは、前記第1の画像光として緑色の波長域に対応する色光を出射する、請求項2に記載の光学モジュール。
- 前記第2のパネルは、前記第2の画像光として青色の波長域に対応する色光を出射し、
前記第3のパネルは、前記第3の画像光として赤色の波長域に対応する色光を出射し、
前記第2の電位差は、前記第3の電位差より小さく、
前記第3のパネルの最大輝度は、前記第2のパネルの最大輝度より高く且つ前記第1のパネルの最大輝度より低い、請求項2に記載の光学モジュール。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の光学モジュールを備える、画像表示装置。
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