JP7491119B2 - 画像光生成装置および画像表示装置 - Google Patents
画像光生成装置および画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7491119B2 JP7491119B2 JP2020126766A JP2020126766A JP7491119B2 JP 7491119 B2 JP7491119 B2 JP 7491119B2 JP 2020126766 A JP2020126766 A JP 2020126766A JP 2020126766 A JP2020126766 A JP 2020126766A JP 7491119 B2 JP7491119 B2 JP 7491119B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- transistor
- panel
- image light
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 24
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/12—Beam splitting or combining systems operating by refraction only
- G02B27/126—The splitting element being a prism or prismatic array, including systems based on total internal reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
- G02B27/017—Head mounted
- G02B27/0172—Head mounted characterised by optical features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/1006—Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
- G02B27/102—Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths for generating a colour image from monochromatic image signal sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1237—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a different composition, shape, layout or thickness of the gate insulator in different devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Projection Apparatus (AREA)
Description
以下、本発明の第1実施形態について、図1~図6を用いて説明する。
図1は、第1実施形態の画像光生成装置の概略構成図である。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
パネルの全体構成については、第1パネル11B、第2パネル11G、および第3パネル11Rの基本構成は共通であるため、以下では第1パネル11Bで代表して、パネルの全体構成について説明する。
図2において、第1パネル11Bの水平方向をX方向とし、第1パネル11Bの垂直方向をY方向とする。
図3は、画素回路110の構成を示す等価回路図である。
複数の画素回路110の各々は、電気的には互いに同一の構成を有しているため、ここでは、i行j列に位置する画素回路110を例に挙げて説明する。
なお、iは、画素回路110が配列される行を一般的に示す記号であって、1以上、m以下の整数である。jは、画素回路110が配列される列を一般的に示す記号であって、1以上、n以下の整数である。
一つの形態として、各トランジスターのソースとドレインとの間の距離をソース-ドレイン間距離LSDと称する。このとき、第1トランジスターのソース-ドレイン間距離LSDは、第2トランジスターのソース-ドレイン間距離LSD、および第3トランジスターのソース-ドレイン間距離LSDよりも長い。なお、第2トランジスターのソース-ドレイン間距離LSDと、第3トランジスターのソース-ドレイン間距離LSDとは、同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
なお、第1パネル11B、第2パネル11G、および第3パネル11Rの各々は、有機EL材料からなる発光層および電荷注入層等の構成材料は異なるが、パネルの基本構成は同一である。したがって、以下では第1パネル11Bで代表して、パネルの基本構成について説明する。
図5に示すように、第1発光素子17Bは、基板19と、反射電極20と、陽極21と、発光機能層22と、陰極23と、封止膜24と、カラーフィルター25と、カバーガラス26と、を有する。具体的には、基板19の第1面19aに、基板19側から順に、反射電極20、陽極21、発光機能層22、および陰極23が設けられている。基板19は、例えばシリコン等の半導体基板で構成されている。反射電極20は、例えばアルミニウム、銀等を含有する光反射性の導電性材料で構成されている。より具体的には、反射電極20は、例えばアルミニウム、銀等の単体材料で構成されていてもよいし、チタン(Ti)/AlCu(アルミニウム・銅合金)の積層膜などで構成されていてもよい。
比較例1および2のように、青色光用パネルについても、緑色光用パネルおよび赤色光用パネルに合わせたトランジスター耐圧を有するパネルを使用した場合、3つの色光を合成して白色光を生成する際に、青色光用パネルでの電圧制限の影響によって駆動電圧の増大に限界が生じ、高輝度の画像光を出力することができない。そこで、実施例1に示すように、青色光用パネルのみトランジスター耐圧を上げることにより青色光用パネルの電圧制限を回避することができるため、高輝度の画像光を出力することが可能となる。一方、赤色光用パネルおよび緑色光用パネルにも、青色光用パネルと同じ高いトランジスター耐圧を有するパネルを使用した場合、一定輝度を出力する際の消費電力が増大するため、画像光生成装置として好ましくない。
以下、本発明の第2実施形態について、図6を用いて説明する。
第2実施形態の画像光生成装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、発光素子の構成が第1実施形態と異なる。そのため、画像光生成装置の全体構成の説明は省略する。
図6は、本実施形態の画像光生成装置における第1パネルの発光素子の断面図である。
図6において、第1実施形態で用いた図5と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
図6に示すように、本実施形態の第1発光素子18Bは、基板19と、反射電極20と、陽極21と、発光機能層28と、陰極23と、封止膜24と、カラーフィルター25と、カバーガラス26と、を有する。発光機能層28は、陽極21側から順に積層された、正孔注入層281、有機EL材料を含む第1青色発光層282、電子輸送層283、リチウムを含む電荷発生層(中間層)284、正孔輸送層285、有機EL材料を含む第2青色発光層286、および電子注入層287から構成されている。
以下、本発明の第3実施形態について、図7を用いて説明する。
第3実施形態の画像光生成装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、パネルの構成が第1実施形態と異なる。そのため、画像光生成装置の全体構成の説明は省略する。
図7は、本実施形態の画像光生成装置の概略構成図である。
図7において、第1実施形態で用いた図1と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
以下、本発明の第4実施形態について、図面を用いて説明する。
上記第1実施形態で説明した画像光生成装置10は、以下に説明する画像表示装置に用いられる。
図8は、第4実施形態の頭部装着型表示装置1000の説明図である。図9は、図8に示す虚像表示部1010の光学系の構成を模式的に示す斜視図である。図10は、図9に示す光学系の光路を示す説明図である。
図9および図10に示すように、頭部装着型表示装置1000において、左眼用表示部1101は、画像光生成装置10と、画像光生成装置10から射出された合成画像光LWを射出部1058に導く導光系1030と、を備える。画像光生成装置10と導光系1030との間には、投写レンズ系1070が配置されている。画像光生成装置10から射出された合成画像光LWは、投写レンズ系1070を介して導光系1030に入射する。投写レンズ系1070は、正のパワーを有する1つのコリメートレンズによって構成されている。
以下、本発明の第5実施形態について、図11を用いて説明する。
上記第1実施形態で説明した画像光生成装置10は、以下に説明する表示装置に用いられる。
図11は、第5実施形態の投写型表示装置2000の概略構成図である。
例えば上記実施形態では、1つの画素回路を構成する複数のトランジスターのうち、全ての同一個所のトランジスター同士を比較したとき、第1トランジスターのサイズが、第2トランジスターおよび第3トランジスターのサイズよりも大きいという関係を満たしていた。ただし、本発明の一つの態様は、上記の構成に限ることなく、画素回路を構成する複数のトランジスターのうち、少なくとも一つの個所のトランジスター同士を比較したとき、第1トランジスターのサイズが、第2トランジスターおよび第3トランジスターのサイズよりも大きいという関係を満たしていてもよい。
本実施形態の一つの態様の画像光生成装置は、青色の第1画像光を射出する第1パネルと、青色以外の色の第2画像光を射出する第2パネルと、前記第1画像光と前記第2画像光とを合成する色合成プリズムと、を備え、前記第1パネルは、複数の第1画素を有し、前記複数の第1画素の各々は、青色光を発光する第1発光素子と、前記第1発光素子を駆動する第1トランジスターと、を有し、前記第2パネルは、複数の第2画素を有し、前記複数の第2画素の各々は、前記青色光以外の色光を発光する第2発光素子と、前記第2発光素子を駆動する第2トランジスターと、を有し、前記第1トランジスターのサイズは、前記第2トランジスターのサイズよりも大きい。
Claims (8)
- 青色光を発光する第1発光素子と、前記第1発光素子を駆動する第1駆動トランジスターと、前記第1駆動トランジスターの電流値を設定する第1電流値設定トランジスターと、前記第1駆動トランジスターの閾値電圧の補償を行うための第1補償用トランジスターと、前記第1発光素子の発光期間を制御する第1発光制御トランジスターと、前記第1発光素子に接続された第1放電トランジスターと、を含む複数の第1トランジスターと、を有し、第1画像光を射出する第1パネルと、
青色光以外の色光を発光する第2発光素子と、前記第2発光素子を駆動する第2駆動トランジスターと、前記第2駆動トランジスターの電流値を設定する第2電流値設定トランジスターと、前記第2駆動トランジスターの閾値電圧の補償を行うための第2補償用トランジスターと、前記第2発光素子の発光期間を制御する第2発光制御トランジスターと、前記第2発光素子に接続された第2放電トランジスターと、を含む複数の第2トランジスターと、を有し、第2画像光を射出する第2パネルと、
前記第1画像光と前記第2画像光とを合成する色合成プリズムと、
を備え、
前記第1駆動トランジスターのサイズは、前記前記第2駆動トランジスターのサイズよりも大きく、
前記第1電流値設定トランジスターのサイズは、前記第2電流値設定トランジスターのサイズよりも大きく、
前記第1補償用トランジスターのサイズは、前記第2補償用トランジスターのサイズよりも大きく、
前記第1発光制御トランジスターのサイズは、前記第2発光制御トランジスターのサイズよりも大きく、
前記第1放電トランジスターのサイズは、前記第2放電トランジスターのサイズよりも大きい、画像光生成装置。 - 前記第1駆動トランジスターのソース-ドレイン間距離は、前記前記第2駆動トランジスターのソース-ドレイン間距離よりも長く、
前記第1電流値設定トランジスターのソース-ドレイン間距離は、前記第2電流値設定トランジスターのソース-ドレイン間距離よりも長く、
前記第1補償用トランジスターのソース-ドレイン間距離は、前記第2補償用トランジスターのソース-ドレイン間距離よりも長く、
前記第1発光制御トランジスターのソース-ドレイン間距離は、前記第2発光制御トランジスターのソース-ドレイン間距離よりも長く、
前記第1放電トランジスターのソース-ドレイン間距離は、前記第2放電トランジスターのソース-ドレイン間距離よりも長い、請求項1に記載の画像光生成装置。 - 前記第1駆動トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚は、前記前記第2駆動トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第1電流値設定トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第2電流値設定トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第1補償用トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第2補償用トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第1発光制御トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第2発光制御トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第1放電トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第2放電トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚い、請求項1または請求項2に記載の画像光生成装置。 - 第1色の色光を発光する第1発光素子と、前記第1発光素子を駆動する第1駆動トランジスターと、前記第1駆動トランジスターの電流値を設定する第1電流値設定トランジスターと、前記第1駆動トランジスターの閾値電圧の補償を行うための第1補償用トランジスターと、前記第1発光素子の発光期間を制御する第1発光制御トランジスターと、前記第1発光素子に接続された第1放電トランジスターと、を含む複数の第1トランジスターと、を有し、第1画像光を射出する第1パネルと、
前記第1色の色光以外の色光を発光する第2発光素子と、前記第2発光素子を駆動する第2駆動トランジスターと、前記第2駆動トランジスターの電流値を設定する第2電流値設定トランジスターと、前記第2駆動トランジスターの閾値電圧の補償を行うための第2補償用トランジスターと、前記第2発光素子の発光期間を制御する第2発光制御トランジスターと、前記第2発光素子に接続された第2放電トランジスターと、を含む複数の第2トランジスターと、を有し、第2画像光を射出する第2パネルと、
前記第1画像光と前記第2画像光とを合成する色合成プリズムと、
を備え、
前記第1発光素子は、発光層を含むタンデム構造を有し、
前記第1駆動トランジスターのサイズは、前記前記第2駆動トランジスターのサイズよりも大きく、
前記第1電流値設定トランジスターのサイズは、前記第2電流値設定トランジスターのサイズよりも大きく、
前記第1補償用トランジスターのサイズは、前記第2補償用トランジスターのサイズよりも大きく、
前記第1発光制御トランジスターのサイズは、前記第2発光制御トランジスターのサイズよりも大きく、
前記第1放電トランジスターのサイズは、前記第2放電トランジスターのサイズよりも大きい、画像光生成装置。 - 前記第1駆動トランジスターのソース-ドレイン間距離は、前記前記第2駆動トランジスターのソース-ドレイン間距離よりも長く、
前記第1電流値設定トランジスターのソース-ドレイン間距離は、前記第2電流値設定トランジスターのソース-ドレイン間距離よりも長く、
前記第1補償用トランジスターのソース-ドレイン間距離は、前記第2補償用トランジスターのソース-ドレイン間距離よりも長く、
前記第1発光制御トランジスターのソース-ドレイン間距離は、前記第2発光制御トランジスターのソース-ドレイン間距離よりも長く、
前記第1放電トランジスターのソース-ドレイン間距離は、前記第2放電トランジスターのソース-ドレイン間距離よりも長い、請求項4に記載の画像光生成装置。 - 前記第1駆動トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚は、前記前記第2駆動トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第1電流値設定トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第2電流値設定トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第1補償用トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第2補償用トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第1発光制御トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第2発光制御トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第1放電トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第2放電トランジスターのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚い、請求項4または請求項5に記載の画像光生成装置。 - 前記第1色は青色である、請求項4から請求項6までのいずれか一項に記載の画像光生成装置。
- 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の画像光生成装置を備える、画像表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020126766A JP7491119B2 (ja) | 2020-07-27 | 2020-07-27 | 画像光生成装置および画像表示装置 |
CN202110842890.0A CN113990256A (zh) | 2020-07-27 | 2021-07-26 | 图像光生成装置以及图像显示装置 |
US17/384,813 US11644679B2 (en) | 2020-07-27 | 2021-07-26 | Image light generation device and image display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020126766A JP7491119B2 (ja) | 2020-07-27 | 2020-07-27 | 画像光生成装置および画像表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022023666A JP2022023666A (ja) | 2022-02-08 |
JP2022023666A5 JP2022023666A5 (ja) | 2023-05-26 |
JP7491119B2 true JP7491119B2 (ja) | 2024-05-28 |
Family
ID=79689278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020126766A Active JP7491119B2 (ja) | 2020-07-27 | 2020-07-27 | 画像光生成装置および画像表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11644679B2 (ja) |
JP (1) | JP7491119B2 (ja) |
CN (1) | CN113990256A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115047705B (zh) * | 2022-08-17 | 2022-10-25 | 北京数字光芯集成电路设计有限公司 | 基于微显示芯片的微投影系统及智能眼镜 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001109399A (ja) | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | カラー表示装置 |
JP2009080258A (ja) | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Konica Minolta Holdings Inc | Tftアレイ |
JP2012237931A (ja) | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Japan Display Central Co Ltd | アクティブマトリクス型有機発光表示装置 |
US20180197934A1 (en) | 2017-01-10 | 2018-07-12 | Yang-Chen Chen | Display device |
JP2019174515A (ja) | 2018-03-27 | 2019-10-10 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
JP2020004970A (ja) | 2018-06-29 | 2020-01-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子、これを用いた有機発光表示装置及び車両用表示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000275732A (ja) | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Seiko Epson Corp | 光源および表示装置 |
CN101123282A (zh) * | 2006-08-08 | 2008-02-13 | 上海广电电子股份有限公司 | 无机电致发光显示器绝缘介质及其制造方法 |
JP2008256827A (ja) | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Seiko Epson Corp | 画素回路の駆動方法、発光装置、および電子機器 |
JP4636164B2 (ja) * | 2008-10-23 | 2011-02-23 | ソニー株式会社 | 頭部装着型ディスプレイ |
JP2014212071A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 発光素子表示装置 |
CN106102236A (zh) * | 2016-07-05 | 2016-11-09 | 成都颉盛科技有限公司 | 一种过流保护型冷光led用电压增幅电源电路 |
US10770482B2 (en) * | 2018-06-06 | 2020-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP6939727B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2021-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 画像表示モジュールおよび画像表示装置 |
JP6947143B2 (ja) * | 2018-09-19 | 2021-10-13 | セイコーエプソン株式会社 | 画像表示モジュールおよび画像表示装置 |
-
2020
- 2020-07-27 JP JP2020126766A patent/JP7491119B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-26 CN CN202110842890.0A patent/CN113990256A/zh active Pending
- 2021-07-26 US US17/384,813 patent/US11644679B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001109399A (ja) | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | カラー表示装置 |
JP2009080258A (ja) | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Konica Minolta Holdings Inc | Tftアレイ |
JP2012237931A (ja) | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Japan Display Central Co Ltd | アクティブマトリクス型有機発光表示装置 |
US20180197934A1 (en) | 2017-01-10 | 2018-07-12 | Yang-Chen Chen | Display device |
JP2019174515A (ja) | 2018-03-27 | 2019-10-10 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
JP2020004970A (ja) | 2018-06-29 | 2020-01-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子、これを用いた有機発光表示装置及び車両用表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113990256A (zh) | 2022-01-28 |
US11644679B2 (en) | 2023-05-09 |
JP2022023666A (ja) | 2022-02-08 |
US20220026726A1 (en) | 2022-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7067185B2 (ja) | 表示装置 | |
US11460700B2 (en) | Image display module and image display device | |
JP6922813B2 (ja) | 光学ユニット、および表示装置 | |
JP7491119B2 (ja) | 画像光生成装置および画像表示装置 | |
US11029526B2 (en) | Optical unit and display device | |
CN114822390B (zh) | 光学模块、电光装置以及图像显示装置 | |
US11665928B2 (en) | Optical module and image display device | |
CN115128808B (zh) | 光学模块以及图像显示装置 | |
JP2022152159A (ja) | 光学モジュールおよび画像表示装置 | |
US11308869B2 (en) | Image light generation module and image display device | |
US11756508B2 (en) | Electronic device having improved display efficiency on some areas | |
US20240306467A1 (en) | Display device and electronic apparatus | |
US20240074292A1 (en) | Display device and electronic apparatus | |
US20220069257A1 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
JP2024130666A (ja) | 表示装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230518 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240429 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7491119 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |