JP2022148980A

JP2022148980A - 多層配線基板及び多層配線基板の製造方法

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Publication number: JP2022148980A
Application number: JP2021050875A
Authority: JP
Inventors: 義樹河合; Yoshiki Kawai
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2021-03-24
Filing date: 2021-03-24
Publication date: 2022-10-06

Abstract

【課題】多層配線基板のスタックビアの近傍の劣化を抑制することが可能な多層配線基板の提供。【解決手段】多層配線基板は、先細り形状の複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有する多層配線基板であって、前記スタックビアに含まれる第１と第２のビアのうち前記第２のビアの先端面が重なる前記第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている。【選択図】図３

Description

本開示は、複数のビアを有する多層配線基板及びその製造方法に関する。

従来、この種の多層配線基板として、複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１３－１３１７２７号公報（図１等）

しかしながら、単独のビアに比べてスタックビアは長い分、スタックビアとその周りの絶縁層との間で熱変形による応力が大きくなり、多層配線基板の劣化が起こることが考えられる。そのため、多層配線基板のスタックビアの近傍の劣化を抑制することが可能な技術の開発が求められている。

上記課題を解決するためになされた多層配線基板は、先細り形状の複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有する多層配線基板であって、前記スタックビアに含まれる第１と第２のビアのうち前記第２のビアの先端面が重なる前記第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている。

上記課題を解決するためになされた多層配線基板の製造方法は、第１の絶縁層に先細り形状の第１の貫通孔をレーザー光にて穿孔しかつ前記第１の貫通孔を導電体で満たして第１のビアを形成することと、前記第１のビアの形成の後に、前記第１のビアの基端面を覆う第２の絶縁層に、前記第１のビアの基端面に到達する先細り形状の第２の貫通孔をレーザー光にて穿孔しかつ前記第２の貫通孔を導電体で満たして第２のビアを形成することと、前記第１及び第２のビアを含むスタックビアを形成することと、を含む多層配線基板の製造方法であって、前記第１のビアを、その基端面が凹状又は凸状に湾曲する形状になるように形成することと、前記第１のビアの基端面のうち中心からずれた位置を焦点にしてレーザー光を照射して、前記第２の貫通孔を形成することと、を含む。

第１実施形態の多層配線基板の側断面図多層配線基板のスタックビアの側断面図スタックビアの拡大側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図多層配線基板の製造工程を示す側断面図第２実施形態の多層配線基板におけるスタックビアの拡大側断面図

図１には、本開示の一実施形態の多層配線基板１０が示されている。多層配線基板１０は、コア基板１１の表裏の一方の面である第１面１１Ｆ上に第１ビルドアップ部１５Ａが積層され、コア基板１１の表裏の他方の面である第２面１１Ｓ上に第２ビルドアップ部１５Ｂが積層されている構造を有する。

コア基板１１は、絶縁性基材１１Ｋ上に、表裏の両側から（即ち、第１面１１Ｆ側と第２面１１Ｓ側とから）、導電層１２が積層されている構造になっている。絶縁性基材１１Ｋは、導電体であるビア２５に貫通されている。第１面１１Ｆ側の導電層１２と、第２面１１Ｓ側の導電層１２とは、それぞれ所定パターンに形成され、絶縁性基材１１Ｋを貫通するビア２５によって接続されている。本実施形態の例では、このビア２５は、コア基板１１の第２面１１Ｓ側に先細りする先細り形状（例えばテーパー状）になっている。なお、絶縁性基材１１Ｋは、例えば、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂と、ガラスクロスとを含んでなる。

第１ビルドアップ部１５Ａと第２ビルドアップ部１５Ｂは、それぞれコア基板１１側から層間絶縁層２１と導電層２２とが交互に積層されている構造を有する。層間絶縁層２１は、複数のビア２５に貫通されている。導電層２２は、所定パターンに形成され、隣り合う導電層２２同士は、層間絶縁層２１を貫通する導電体であるビア２５によって接続されている。また、第１ビルドアップ部１５Ａ及び第２ビルドアップ部１５Ｂにおいて、最も内側の（即ち、コア基板１１に最も近い）導電層２２が、層間絶縁層２１を貫通するビア２５により、コア基板１１の各導電層１２に接続されている。層間絶縁層２１を貫通するビア２５は、コア基板１１側に先細りする先細り形状になっている。

なお、層間絶縁層２１は、例えば、プリプレグ（ガラスクロス等の繊維からなる心材を樹脂含浸してなるＢステージのシート）又はビルドアップ基板用の絶縁フィルム（心材を有さず例えば無機フィラーを含む熱硬化性樹脂からなるフィルム）で構成されている。

第１ビルドアップ部１５Ａ及び第２ビルドアップ部１５Ｂの導電層２２のうち最も外側（最もコア基板１１から離れた側）に配置される最外の導電層２２上には、ソルダーレジスト層２７が形成されている。ソルダーレジスト層２７は、多層配線基板１０の最外層を構成する。ソルダーレジスト層２７には、開口部２７Ａが形成され、上記最外の導電層２２のうち開口部２７Ａによってソルダーレジスト層２７から露出する部分により、パッド２８が形成されている。なお、例えば、多層配線基板１０の表裏の面のうち第１ビルドアップ部１５Ａ側の面である第１面１０Ｆに露出するパッド２８上には、半田バンプ（図示せず）が形成され、半田バンプを介して多層配線基板１０が第１面１０Ｆに搭載される電子部品（図示せず）と接続される。また、例えば、多層配線基板１０の表裏の面のうち第２ビルドアップ部１５Ｂ側の面である第２面１０Ｓに露出するパッド２８上にも、半田バンプ（図示せず）が形成され、この半田バンプを介して多層配線基板１０がマザーボード（図示せず）に接続される。

多層配線基板１０には、多層配線基板１０の厚み方向に複数のビア２５が積み重なるスタックビア３０が形成されている。例えば、スタックビア３０は、多層配線基板１０の絶縁層の全てを貫通して多層配線基板１０の厚み方向全体に形成されていてもよいし、多層配線基板１０の一部の絶縁層のみ貫通して多層配線基板１０の厚み方向の一部にのみ形成されていてもよい。

図２に示されるように、スタックビア３０には、多層配線基板１０の厚み方向の同じ側に先細りするように配置され、連続して積み重なっている複数のビア２５（以下、「同じ向きのビア群」と適宜いうこととする。）が設けられている。上述のように、層間絶縁層２１を貫通するビア２５は、コア基板１１側に先細りする形状になっているので、同じ向きのビア群では、ビア２５の先端面２５Ｓ（先細りしている側の端面）が、そのビア２５よりもコア基板１１側に配置されるビア２５の基端面２５Ｋ（先端面２５Ｓと反対側の面）に重ねられる（図３参照）。なお、以下では、同じ向きのビア群において、コア基板１１側を「下側」、コア基板１１と反対側を「上側」、と適宜いうこととする。

図３に示されるように、本実施形態では、ビア２５の基端面２５Ｋは、凸状に湾曲していて、例えば、凸球面状になっている。そして、下側のビア２５の基端面２５Ｋの中心Ｋに対して、その基端面２５Ｋに重ねられる上側のビア２５の先端面２５Ｓの中心Ｓがずれている。

互いに隣り合って重なるビア２５同士において、上側のビア２５の中心軸Ｊは、下側のビア２５の中心軸Ｊに対して傾斜している。これらビア２５同士において、上側のビア２５の中心軸Ｊは、下側のビア２５の基端面２５Ｋから離れるに従って下側のビア２５の中心軸Ｊから離れるように傾斜している。また、スタックビア３０において、ビア２５の凸状に湾曲した基端面２５Ｋに重ねられる上側のビア２５は、非軸対称形状になっていると共に、そのビア２５（上側のビア２５）の中心軸Ｊは、多層配線基板１０の厚み方向に対して傾斜している。なお、本実施形態の例では、ビア２５の中心軸Ｊは、ビア２５の先端面２５Ｓと基端面２５Ｋの中心Ｓ，Ｋ同士を通る軸のことである。

図３には、スタックビア３０の同じ向きのビア群のうち、コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋを貫通する第１ビア２５Ａと、第１ビルドアップ部１５Ａにおいてその第１ビア２５Ａのすぐ上側に配置される第２ビア２５Ｂと、が示されている。第１ビア２５Ａは、同じ向きのビア群においてビア２５の積み重ねの最も下側に配置されている。第１ビア２５Ａは、多層配線基板１０の厚み方向に略平行な中心軸Ｊを有して、テーパー状になっている。なお、第１ビア２５Ａの先端面２５Ｓは、コア基板１１の第２面１１Ｓ側の平坦な導電層１２に重なっている。

コア基板１１の第１面１１Ｆ上の層間絶縁層２１を貫通し、第１ビア２５Ａにすぐ上側から重なる第２ビア２５Ｂは、第１ビア２５Ａの形状に対して、第１ビア２５Ａの中心軸Ｊから離れる側に拡径される形状を有している。第２ビア２５Ｂは、上述のように非軸対称形状になっていて、本実施形態では、第２ビア２５Ｂの基端面２５Ｋの面積は、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋの面積よりも大きくなっている。なお、第２ビア２５Ｂの基端面２５Ｋの面積が、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋの面積よりも小さくなっていてもよい。

図１及び図２に示されるように、本実施形態の例では、同じ向きのビア群において第１ビア２５Ａに上側から積み重なる複数のビア２５は、非軸対称形状になっていると共に、それら複数のビア２５の中心軸が多層配線基板１０の厚み方向に対して交互に反対側に傾斜するように積み重なっている。例えば、これら複数のビア２５は、第１面１０Ｆのパッド２８まで連なっている。

なお、図１に示されるように、本実施形態の例では、平坦な導電層（導電層１２又は導電層２２）上に形成されるビア２５は、上述の第１ビア２５Ａと同様に、多層配線基板１０の厚み方向と略平行な中心軸を有してテーパー状になっている。このようなビア２５の例として、第２ビルドアップ部１５Ｂにおいてコア基板１１の第２面１１Ｓ上に積層されるビア２５Ｃが挙げられる（図２参照）。このビア２５Ｃは、第２面１１Ｓ側の平坦な導電層１２上に形成され、この導電層１２を第１ビア２５Ａとの間に挟むように配置されている。本実施形態の例では、第２ビルドアップ部１５Ｂにおいて、このビア２５Ｃに上側から（第２面１０Ｓ側から）複数のビア２５が積み重なることで、スタックビア３０（具体的には、同じ向きのビア群）が形成されている。なお、これら複数のビア２５は、これら複数のビア２５の中心軸が多層配線基板１０の厚み方向に対して交互に反対側に傾斜するように積み重なっている。例えば、これら複数のビア２５は、第２面１０Ｓのパッド２８まで連なっている。

本実施形態の多層配線基板１０は、例えば、以下のようにして製造される。
（１）図４（Ａ）に示される銅張積層板１１Ｄが準備される。銅張積層板１１Ｄは、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に銅箔１２Ｃが積層されたものである。

（２）図４（Ｂ）に示されるように、銅張積層板１１Ｄに表裏の一方側からレーザー加工が行われて、銅張積層板１１Ｄを貫通するビアホール２５Ｈが形成される。ビアホール２５Ｈは、レーザー光により、銅張積層板１１Ｄの表裏の一方側から他方側に向かって先細りする形状（例えば、テーパー状）に穿孔される。

（３）無電解めっき処理が行われ、銅箔１２Ｃ上とビアホール２５Ｈの内面に無電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、電解めっき処理が行われ、銅箔１２Ｃ上の無電解めっき膜（図示せず）の上に電解めっき膜１２Ｄが形成される（図４（Ｃ）参照）。また、この電解めっき処理により、電解めっきでビアホール２５Ｈ内が満たされて複数のビア２５が形成される。これら複数のビア２５は、銅張積層板１１Ｄの表裏の他方側（図４（Ｃ）における下側）に先細りする形状（例えば、テーパー状）となる。これら複数のビア２５の中には、層間絶縁層２１を貫通するビア２５が積み重なる第１ビア２５Ａも含まれる。ここで、この電解めっき処理では、銅張積層板１１Ｄの表裏の一方側の面において、電解めっきがビアホール２５Ｈ上に盛り上がるように形成される。これにより、ビア２５の基端面２５Ｋ（図４（Ｃ）における上側の面）が、凸状に膨出するように形成される。

（４）図５（Ａ）に示されるように、銅張積層板１１Ｄの表裏の銅箔１２Ｃ上の電解めっき膜１２Ｄの上に、所定パターンのエッチングレジスト４０が形成される。

（５）エッチングが行われ、電解めっき膜１２Ｄ、無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔１２Ｃにおいてエッチングレジスト４０に覆われていない部分が除去される。その後、エッチングレジスト４０が除去される（図５（Ｂ）参照）。そして、残された電解めっき膜１２Ｄ、無電解めっき膜及び銅箔１２Ｃにより、絶縁性基材１１Ｋの表裏の両面に導電層１２が形成され、それら導電層１２同士がビア２５によって接続される（図５（Ｂ）参照）。これにより、コア基板１１が形成される。

（６）図６（Ａ）に示されるように、コア基板１１の表裏の両面（第１面１１Ｆ及び第２面１１Ｓ）の導電層１２の上に、層間絶縁層２１としてのプリプレグと、銅箔２６と、が積層される。そして、その積層体が、加熱プレスされ、コア基板１１の表裏の両面上に層間絶縁層２１が形成される。なお、この加熱プレスの際、コア基板１１の表裏の両面において、導電層１２のパターンの非形成部分がプリプレグの樹脂により埋められる。層間絶縁層２１としては、プリプレグの代わりにビルドアップ基板用の絶縁フィルムを用いてもよい（後述の（１１）の工程でも同様）。この場合は、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの上に、銅箔２６を積層することなく、直接、後述の（８）の工程における無電解めっき処理により無電解めっき膜を形成することができる。

（７）図６（Ｂ）に示されるように、コア基板１１の表裏の両側の銅箔２６上からレーザー光が照射されることで、銅箔２６及び層間絶縁層２１を貫通するビアホール２５Ｈが穿孔される。レーザー光は、絶縁性基材１１Ｋを貫通する第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋ上にも照射され、層間絶縁層２１に覆われていた基端面２５Ｋがビアホール２５Ｈによって露出する。ビアホール２５Ｈは、コア基板１１側に先細りする形状に形成される。

図７に示されるように、第１ビア２５Ａ上にビアホール２５Ｈを形成するにあたっては、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋのうち中心Ｋからずれた位置を焦点にしてレーザー光が照射される。そして、基端面２５Ｋに到達したレーザー光の一部は、反射される。ここで、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋは、凸状に湾曲しているので、基端面２５Ｋの中心Ｋから一側方に（図７の例では右側に）ずれた位置を焦点にして照射されたレーザー光は、基端面２５Ｋで反射されるときには、一側方側に（図７の例では右側に）反射され易くなる。そして、この反射したレーザー光によってビアホール２５Ｈの内面が偏って除去され、ビアホール２５Ｈが非軸対称形状に形成される。詳細には、ビアホール２５Ｈは、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋに照射されるレーザー光が第１ビア２５Ａの中心軸Ｊから離れる側に反射することで非軸対称形状に形成される。このビアホール２５Ｈの中心軸は、第１ビア２５Ａの中心軸Ｊに対して傾斜する。なお、層間絶縁層２１をプリプレグで構成する場合には、例えば、プリプレグのガラス繊維が少なくなっている部分が、上述の反射したレーザー光により特に大きく除去され易い。なお、例えば、レーザー光は、コア基板１１の第２面１１Ｓ側の平坦な導電層１２（例えば、第１ビア２５Ａが接続される部分）にも、第２面１１Ｓ側から照射される。これにより、略軸対称となったテーパー状のビアホール２５Ｈも形成される（図６（Ｂ）参照）。

（８）無電解めっき処理が行われ、銅箔２６上とビアホール２５Ｈの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、電解めっき処理が行われ、無電解めっき膜（図示せず）の上に電解めっき膜２２Ｄが形成される（図８（Ａ）参照）。また、この電解めっき処理により、電解めっきでビアホール２５Ｈ内が満たされてビア２５（第２ビア２５Ｂ）が形成され、第２ビア２５Ｂが第１ビア２５Ａに積み重なることでスタックビア３０が形成される。第２ビア２５Ｂは、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋに向かって先細り形状に形成されると共に、第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊが、第１ビア２５Ａの中心軸Ｊに対して傾斜するように形成される（図８（Ｂ）参照）。第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊは、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋから離れるに従って第１ビア２５Ａの中心軸Ｊから離れるように傾斜する。また、この電解めっき処理では、電解めっきがビアホール２５Ｈ上に盛り上がるように形成される。これにより、ビア２５の基端面２５Ｋが、凸状に膨出するように形成される。

（９）図９（Ａ）に示されるように、コア基板１１の表裏の両側の電解めっき膜２２Ｄ上に、所定パターンのエッチングレジスト４０が形成される。

（１０）エッチングが行われ、電解めっき膜２２Ｄ、無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔２６においてエッチングレジスト４０に覆われていない部分が除去される。その後、エッチングレジスト４０が除去される（図９（Ｂ）参照）。そして、残された電解めっき膜２２Ｄ、無電解めっき膜及び銅箔２６により、層間絶縁層２１上に導電層２２が形成される（図９（Ｂ）参照）。導電層２２と導電層１２とは、ビア２５によって接続される。

（１１）図１０に示されるように、層間絶縁層２１上の導電層２２の上に、層間絶縁層２１としてのプリプレグと、銅箔２６と、が積層される。そして、その積層体が、加熱プレスされ、コア基板１１の表裏の両面上に層間絶縁層２１が形成される。なお、この加熱プレスの際、コア基板１１の表裏の両側の導電層２２のパターンの非形成部分がプリプレグの樹脂により埋められる。

（１２）図１１に示されるように、コア基板１１の表裏の両側の銅箔２６上からレーザー光が照射されることで、銅箔２６及び層間絶縁層２１を貫通するビアホール２５Ｈが形成される。レーザー光は、第１ビア２５Ａに積み重なっている第２ビア２５Ｂの基端面２５Ｋ上にも照射され、層間絶縁層２１に覆われていた基端面２５Ｋがビアホール２５Ｈによって露出する。ビアホール２５Ｈは、コア基板１１側に先細りする形状に形成される。

図１２に示されるように、第２ビア２５Ｂ上にビアホール２５Ｈを形成するにあたっては、第２ビア２５Ｂの基端面２５Ｋのうち中心Ｋからずれた位置を焦点にしてレーザー光が照射される。そして、基端面２５Ｋに到達したレーザー光の一部は、反射される。ここで、第２ビア２５Ｂの基端面２５Ｋは、凸状に湾曲しているので、基端面２５Ｋの中心から他側方に（図１２の例では左側に）ずれた位置を焦点にして照射されたレーザー光は、基端面２５Ｋで反射されるときには、他側方側に（図１２の例では左側に）反射され易くなる。そして、この反射したレーザー光によってビアホール２５Ｈの内面が偏って除去され、ビアホール２５Ｈが非軸対称形状に形成される。詳細には、ビアホール２５Ｈは、第２ビア２５Ｂの基端面２５Ｋに照射されるレーザー光が第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊから離れる側に反射することで非軸対称形状に形成される。このビアホール２５Ｈの中心軸は、第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊに対して傾斜すると共に、コア基板１１の厚み方向に対して第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊとは反対側に傾斜する。なお、レーザー光は、ビア２５上以外にも、導電層２２の平坦な部分の上にも照射され、これにより、略軸対称となったテーパー状のビアホール２５Ｈも形成される（図１１参照）。

（１３）無電解めっき処理が行われ、銅箔２６上とビアホール２５Ｈの内面とに無電解めっき膜（図示せず）が形成される。次いで、電解めっき処理が行われ、無電解めっき膜（図示せず）の上に電解めっき膜２２Ｄが形成される（図１３参照）。また、この電解めっき処理により、電解めっきでビアホール２５Ｈ内が満たされてビア２５が形成される。図１４に示されるように、このビア２５の中心軸は、第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊに対して、第２ビア２５Ｂの基端面２５Ｋから離れるに従って第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊから離れるように傾斜し、コア基板１１の厚み方向に対して第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊとは反対側に傾斜する。また、この電解めっき処理においては、電解めっきがビアホール２５Ｈ上に盛り上がるように形成される。これにより、ビア２５の基端面２５Ｋ（図１４における上側の面）が、凸状に膨出するように形成される。

（１４）図１５に示されるように、コア基板１１の表裏の両側の電解めっき膜２２Ｄ上に、所定パターンのエッチングレジスト４０が形成される。

（１５）エッチングが行われ、電解めっき膜２２Ｄ、無電解めっき膜（図示せず）及び銅箔２６においてエッチングレジスト４０に覆われていない部分が除去される。その後、エッチングレジスト４０が除去される（図１６参照）。そして、残された電解めっき膜２２Ｄ、無電解めっき膜及び銅箔２６により、層間絶縁層２１上に導電層２２が形成される（図１６参照）。積層方向で隣り合う導電層２２同士は、ビア２５によって接続される。

（１６）上記した（１１）～（１５）と同様の工程が繰り返され、コア基板１１上の導電層１２の上に、層間絶縁層２１と導電層２２とが交互に所定の層数ずつ積層される（図１７参照）。また、積層方向で隣り合う導電層２２同士が、層間絶縁層２１を貫通するビア２５によって接続される。これにより、コア基板１１の第１面１１Ｆ上に、第１ビルドアップ部１５Ａが形成されると共に、コア基板１１の第２面１１Ｓ上に、第２ビルドアップ部１５Ｂが形成される。

（１７）図１８に示されるように、コア基板１１から表裏の両側で最も離れている最外の導電層２２上に、それぞれソルダーレジスト層２７が積層される。

（１８）コア基板１１の表裏の両側のソルダーレジスト層２７の所定箇所に、例えば、レーザー加工やフォトリソグラフィー処理等により、開口部２７Ａが形成される（図１参照）。そして、最外の導電層２２のうち開口部２７Ａによりソルダーレジスト層２７から露出した部分でパッド２８が形成される。以上により、多層配線基板１０が完成する。

本実施形態の多層配線基板１０の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次に多層配線基板１０の作用効果について説明する。本実施形態の多層配線基板１０では、第２ビア２５Ｂの先端面２５Ｓが重ねられる第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋが湾曲していて、第２ビア２５Ｂの先端面２５Ｓの中心Ｓが、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋとの中心Ｋに対してずれている。従って、第１ビア２５Ａと第２ビア２５Ｂを含むスタックビア３０の複数のビア２５の熱変形量を、一方向に加算され難くすることが可能となり、多層配線基板１０におけるスタックビア３０の近傍の熱変形による劣化を抑制することが可能となる。また、第１ビア２５Ａと第２ビア２５Ｂは、それらの中心軸Ｊ同士が単にずれるだけではなく、中心軸Ｊ同士が互いに傾斜している。従って、第１ビア２５Ａと第２ビア２５Ｂを含むスタックビア３０が直線状に配置される場合に比べて、スタックビア３０の近傍の熱変形量を、より一方向に加算され難くすることが可能となる。これにより、多層配線基板１０におけるスタックビア３０の近傍の熱変形による劣化をより抑制可能となる。

また、スタックビア３０を構成する複数のビア２５がずれているので、これら複数のビアが直線状に積み重なる構成に比べて、スタックビア３０に応力が集中することを抑制可能となる。

本実施形態の多層配線基板１０の製造方法では、第２ビア２５Ｂ用のビアホール２５Ｈを形成するにあたって、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋのうち中心Ｋからずれた位置を焦点にしてレーザー光が照射される。従って、凸状に湾曲する基端面２５Ｋで、レーザー光を一側方に反射させ易くすることが可能となる。これにより、第２ビア２５Ｂを非軸対称形状に容易に形成することが可能となると共に、第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊが、第１ビア２５Ａの中心軸Ｊに対して傾斜するように、第２ビア２５Ｂを形成することが容易となる。

［第２実施形態］
図１８には、第２実施形態の多層配線基板１０Ｖが示されている。本実施形態においても、スタックビア３０の第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋの中心Ｋと、第２ビア２５Ｂの先端面２５Ｓの中心Ｓとが、ずれている。ここで、本実施形態の多層配線基板１０は、ビア２５の基端面２５Ｋが、凹状に湾曲している点が、上記第１実施形態の多層配線基板１０とは異なる。例えば、ビア２５の基端面２５Ｋは、凹球面状になっている。なお、第２ビア２５Ｂの基端面２５Ｋの断面積は、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋの断面積よりも大きくなっていてもよいし、小さくなっていてもよい。

本実施形態の多層配線基板１０Ｖの製造方法では、コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋを貫通する第１ビア２５Ａを電解めっきにより形成する際には、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋが、凹状に湾曲するように形成される。

第１ビア２５Ａ上の層間絶縁層２１にビアホール２５Ｈが形成されたら、上記第１実施形態と同様に、無電解めっき処理を経て、ビアホール２５Ｈ内が電解めっきで満たされる。これにより、第１ビア２５Ａに、第２ビア２５Ｂが積み重なり、スタックビア３０が形成される。なお、このとき、第２ビア２５Ｂの基端面２５Ｋも、凹状に湾曲するように形成される。本実施形態の多層配線基板１０Ｖの製造方法のその他の点は、上記第１実施形態と同様である。

本実施形態の多層配線基板１０Ｖ及びその製造方法によっても、上記第１実施形態の配線基板１０と同様の効果を奏することが可能となる。

［他の実施形態］
（１）上記実施形態において、基端面２５Ｋが凸状に湾曲するビア２５と、基端面２５Ｋが凹状に湾曲するビア２５と、が両方設けられていてもよい。

（２）スタックビア３０のうち同じ向きのビア群において、積み重なっているビア２５が、非軸対称形状でなくてもよく、略軸対称形状であってもよい。

（３）コア基板１１の絶縁性基材１１Ｋを、層間絶縁層２１と同様にプリプレグで構成してもよい。

なお、本明細書及び図面には、特許請求の範囲に含まれる技術の具体例が開示されているが、特許請求の範囲に記載の技術は、これら具体例に限定されるものではなく、具体例を様々に変形、変更したものも含み、また、具体例から一部を単独で取り出したものも含む。

１０，１０Ｖ多層配線基板
１０Ｆ第１面
１０Ｓ第２面
１１コア基板
１２導電層
２１層間絶縁層
２２導電層
２５ビア
２５Ａ第１ビア
２５Ｂ第２ビア
２５Ｃビア
２５Ｈビアホール
２５Ｋ基端面
２５Ｓ先端面
３０スタックビア

Claims

先細り形状の複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有する多層配線基板であって、
前記スタックビアに含まれる第１と第２のビアのうち前記第２のビアの先端面が重なる前記第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている。
請求項１に記載の多層配線基板であって、
前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している。
請求項２に記載の多層配線基板であって、
前記第１のビアの基端面は凸状に湾曲し、
前記第２のビアの前記中心軸は、前記第１のビアの基端面から離れるに従って前記第１のビアの前記中心軸から離れるように傾斜している。
請求項１から３の何れか１の請求項に記載の多層配線基板であって、
前記第１のビアの基端面は凸状に湾曲し、
前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径される形状を有する。
請求項１から４の何れか１の請求項に記載の多層配線基板であって、
前記第２のビアの基端面の面積は、前記第１のビアの基端面の面積より大きい。
第１の絶縁層に先細り形状の第１の貫通孔をレーザー光にて穿孔しかつ前記第１の貫通孔を導電体で満たして第１のビアを形成することと、
前記第１のビアの形成の後に、前記第１のビアの基端面を覆う第２の絶縁層に、前記第１のビアの基端面に到達する先細り形状の第２の貫通孔をレーザー光にて穿孔しかつ前記第２の貫通孔を導電体で満たして第２のビアを形成することと、
前記第１及び第２のビアを含むスタックビアを形成することと、を含む多層配線基板の製造方法であって、
前記第１のビアを、その基端面が凹状又は凸状に湾曲する形状になるように形成することと、
前記第１のビアの基端面のうち中心からずれた位置を焦点にしてレーザー光を照射して、前記第２の貫通孔を形成することと、を含む。
請求項６に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記第１のビアを、その基端面が凸状に湾曲する形状になるように形成することと、
前記第１のビアの基端面に照射されるレーザー光が、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に反射して前記第２の貫通孔が非軸対称形状に形成されることと、を含む。