JP2022143676A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシング起因のクラックが回路領域に到達することを防止可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】回路領域７０１とこれに隣接して設けられたチップ外周領域８０２とを含む半導体基板１００と、半導体基板１００に形成された半導体素子４０１の外周を取り囲むように、回路領域７０１に設けられたシールリング５０１と、シールリング５０１の外周を取り囲み、チップ外周領域８０２に設けられた、半導体基板１００上に形成されたダミー膜１３１とこれを覆う半導体保護膜１０４からなるダミー構造６０１と、シールリング５０１とダミー構造６０１の間に、半導体保護膜１０４が延在されて前記半導体基板に直接接する防湿領域３０１と、を備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置に関するものである。

一般的に、半導体ウェハ上には複数のチップ領域が設けられ、複数のチップ領域の間は格子状に設けられたスクライブ領域（スクライブライン）によって隔てられている。半導体ウェハはその表面に複数のチップ領域が形成された後、スクライブ領域に沿って回転ブレードを用いてダイシングされて個々のチップに分割される。しかし、ダイシング時の機械的ダメージによってダイシング断面にクラックを発生する場合がある。該クラックはチップ領域に進行してチップ領域に形成された素子を破壊することがある。そこで、クラックの進行を抑制するための構造が各種提案されている。

その一つとして、特許文献１では、半導体基板上に形成された多層配線構造内で、素子形成領域の外周に形成されたシールリングと、シールリングのさらに外周に形成されたダミーメタル構造を設けている。ダミーメタル構造は、多層配線構造の最下層から上面まで、ダミーメタル配線を外周側から素子形成領域の方向に、素子形成領域に近づくにつれて上層となるようにダミーメタル配線を繰り返し階段状に配置したものである。これにより、クラックをダミーメタル構造の側面および上面に沿った経路に伝播させて上方へ誘導させるようにしている。

特開２００８－９８６０５号公報

しかしながら、クラックがダミーメタル構造の側面および下面に沿った経路を伝播した場合、クラックが絶縁膜間の界面に沿って進行してシールリングに達し、このシールリングを破壊して信頼性の低下に繋がるという問題がある。
したがって、本発明の目的は、信頼性を維持しつつ、ダイシングによるクラックが半導体チップの回路領域に到達することを防止することが可能な半導体装置を提供することである。

本発明の半導体装置は、半導体基板上に設けられた回路領域と、前記回路領域に隣接して、前記半導体基板上に設けられたチップ外周領域と、前記回路領域に設けられたシールリングと、前記シールリングの外周を取り囲み、前記チップ外周領域に設けられたダミー膜と、前記ダミー膜および前記シールリングを覆う半導体保護膜と、を有し、前記シールリングと前記ダミー膜の間に、前記半導体保護膜が前記半導体基板に直接接する防湿領域を備えることを特徴とする。

本発明によれば、ダイシングにより発生したクラックが、回路領域に到達することを防止することができる。

本発明の実施形態にかかるウェハ状態の半導体装置の平面図である。 本発明の実施形態にかかるウェハ状態の半導体装置が複数の半導体チップに個片化された状態を示す平面図である。 本発明の実施形態にかかる半導体装置の断面図である。 ダミー構造の拡大断面図である。 本発明の実施形態にかかる半導体装置の効果を説明する断面図である。 ダイシングの切断深さと基板クラックの起点の最大深さとの関係を示す図である。 基板クラックの起点の深さと基板クラックの進行した幅との関係を示す図である。 本発明の実施形態の半導体装置におけるダミー構造の変形例を示す平面図である。 本発明の実施形態にかかる半導体装置の変形例の断面図である。

以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態にかかるウェハ状態の半導体装置の平面図である。本実施形態の半導体装置は、ウェハ状態において、破線８０１ｃで分けられた複数のチップ領域１ｃを備えており、チップ領域１ｃには、矩形形状の回路領域７０１が配置されている。回路領域７０１には半導体素子４０１とシールリング５０１を備え、シールリング５０１は半導体素子４０１の外側を環状に囲むように設けられている。そして、シールリング５０１の外周を囲むように、ダミー構造６０１が設けられ、シールリング５０１とダミー構造６０１の間には防湿領域３０１が設けられている。また、ダミー構造６０１の外側にはスクライブ領域８０１が設けられている。スクライブ領域８０１の中心に図示される破線は、スクライブセンタ８０１ｃであって、スクライブセンタ８０１ｃに沿ってダイシングされることで個々の半導体チップに分割される。

図２は、図１のウェハ状態の半導体装置が複数の半導体チップに個片化された状態を示す平面図であり、ダイシングにて分割された状態を図示している。ダイシングされた領域は切り代領域８０３に相当し、回転ブレードで破砕されて無くなった領域である。そして、残った領域が半導体チップ１となり、隣接する半導体チップ１との間は切り代領域８０３で隔てられている。回路領域７０１を囲むようにチップ外周領域８０２が位置し、切り代領域８０３と接するチップ外周領域８０２の端面がダイシング面ＤＳになる。

ダイシングして分割された半導体チップ１は、最も内側に半導体素子４０１を備え、その外側を環状に取り囲むようにシールリング５０１が配置され、さらにシールリング５０１の外側をチップ外周領域８０２が取り囲むように備える構成である。チップ外周領域８０２に含まれるダミー構造６０１は、防湿領域３０１を介してシールリング５０１の外側を環状に取り囲むように配置されている。

図３は、本実施形態の半導体装置の構造を示す図であり、図２のＸ－Ｘ線に沿った断面図である。図３に示すように、本実施形態の半導体装置は、回路領域７０１と、回路領域７０１と隣接して設けられたチップ外周領域８０２を備える。そして、回路領域７０１は多層配線構造であって、半導体素子４０１とシールリング５０１を備え、半導体素子４０１とシールリング５０１は、半導体基板１００上に積層された層間絶縁膜１０１、１０２、１０３と、層間絶縁膜１０３上に形成されたシリコン窒化膜等からなる非透湿膜である半導体保護膜１０４と、半導体保護膜１０４上に形成されたポリイミド等からなる有機絶縁膜１０５とを備えている。なお、本図では回路領域７０１を多層配線構造で図示しているが、単層配線構造であってもよい。

シールリング５０１は、半導体基板１００に接続されて層間絶縁膜１０１に設けられた金属プラグ１２１と、金属プラグ１２１に接続されて層間絶縁膜１０１上に設けられた金属膜１１１と、金属膜１１１に接続されて層間絶縁膜１０２に設けられた金属プラグ１２２と、金属プラグ１２２に接続されて層間絶縁膜１０２上に設けられた金属膜１１２と、金属膜１１２に接続されて層間絶縁膜１０３に設けられた金属プラグ１２３と、金属プラグ１２３に接続されて層間絶縁膜１０３上に設けられた金属膜１１３とにより構成されている。最上層の金属膜１１３は、半導体保護膜１０４、および有機絶縁膜１０５によって覆われている。図示したシールリング５０１は、複数の金属プラグ１２１、１２２、１２３が平面視的に重畳し、さらに複数の金属膜１１１，１１２、１１３が重畳する構造であるが、水分の侵入を防ぐ機能を有するものであれば、構造はこの限りではない。

チップ外周領域８０２は、回路領域７０１側から順に、防湿領域３０１とダミー構造６０１、およびダミー構造６０１の外側端部からダイシング面ＤＳまでの間に位置する切り代側部領域８０４とを備える。チップ外周領域８０２が回路領域７０１と接する領域には、半導体保護膜１０４が半導体基板１００と直接接する防湿領域３０１が設けられている。防湿領域３０１はシールリング５０１とダミー構造６０１の間に位置し、シールリング５０１の外周を取り囲んで設けられていると言い換えることもできる。防湿領域３０１における半導体保護膜１０４は、ダミー構造６０１における半導体保護膜と同一層で、これらを延在したものである。そして、半導体保護膜１０４には、例えばシリコン窒化膜、半導体基板には、例えばシリコンという非透湿材料を用いている。

また、ダミー構造６０１は単層配線構造で、半導体基板１００上に形成されたダミー膜１３１と、ダミー膜１３１の上面および側面を覆う半導体保護膜１０４とを備えている。なお、この半導体保護膜１０４は回路領域７０１を覆う半導体保護膜１０４と同一層の非透湿膜である。ダミー構造６０１におけるダミー膜１３１は、シールリング５０１における金属膜１１１、１１２、１１３のいずれかと同一層である。つまり、金属膜１１１，１１２，１１３のいずれかとダミー膜１３１が同時に成膜されるものである。以上のように、ダミー膜１３１および半導体保護膜１０４を備えるダミー構造６０１形成は、回路領域７０１形成と同時に行えるものである。

ダミー構造６０１を覆う半導体保護膜１０４の端部、すなわちダミー構造６０１と切り代側部領域８０４との境界には段差ＳＴ１が形成されている。そして、切り代側部領域８０４では、多層配線構造のシールリングに用いられる層間絶縁膜などの膜形成はされておらず、半導体基板１００の表面が露出されている。また、ダミー膜１３１をコンフォーマルに覆う半導体保護膜１０４の表面には段差ＳＴ２ａ、ＳＴ２ｂが形成されている。段差ＳＴ２ａ、ＳＴ２ｂは、半導体基板１００の上表面に堆積された水平膜とダミー膜１３１の側面を反映する垂直膜が交差することで形成されるものであり、これらの段差は、半導体基板１００内に発生した基板クラックが集中する応力集中点、そして応力を解放する応力解放点として働く。なお、符合Ｄ１は、切り代側部領域８０４の水平距離、符号Ｄ２は、ダミー膜１３１の回路領域７０１側の側面下端からダイシング面ＤＳまでの水平距離を示している。

図４は、ダミー構造６０１の領域の拡大断面図である。半導体保護膜１０４の端面下の半導体基板１００には段差ＳＴ１が設けられている。半導体保護膜１０４の下の半導体基板１００の表面が切り代側部領域８０４の半導体基板１００の表面よりも高くなるように構成されている。つまり、ダミー構造６０１の外側からダイシング面ＤＳ（図３参照）の間に位置する領域における半導体基板１００の表面高さは、半導体保護膜１０４で被覆されたダミー構造６０１における半導体基板１００の表面高さよりも低い構成となっている。この半導体基板１００の表面高さの違いは、半導体保護膜１０４のパターン形成時のオーバーエッチングに起因するものである。

ダミー膜１３１は断面視的に矩形形状であって、その周囲を覆い、半導体基板１００にも接するように設けられた半導体保護膜１０４は下地のダミー膜１３１および半導体基板１００の形状を反映して突出部１０４ａを有する断面形状となる。突出部１０４ａの段差ＳＴ２ａ上方の側面はダミー膜１３１の回路領域７０１と反対側の側面を反映したものであり、突出部１０４ａの段差ＳＴ２ｂ上方の側面はダミー膜１３１の回路領域７０１に近い側の側面を反映したものである。また、突出部１０４ａの側面の下方、すなわち、ダミー膜１３１の上方には、段差ＳＴ２ａからダミー膜１３１の回路領域７０１と反対側の側面の下端部までに至る破線で示した膜内段差ＲＳ１ａや段差ＳＴ２ｂからダミー膜１３１の回路領域７０１側に近い側の側面の下端部までに至る破線で示した膜内段差ＲＳ１ｂが形成される。膜内段差ＲＳ１ａ、ＲＳ１ｂは、半導体基板１００の上表面と矩形のダミー膜１３１の側面に沿って半導体保護膜１０４が形成される際の半導体基板１００の上表面に形成される水平膜とダミー膜１３１の側面に形成される垂直膜が交差する部分であって、成膜中に生成されるものである。そして、この交差する部分は、耐力が小さく、この部分に何らかの力が加わった場合に破壊されやすい領域である。
なお、本例では、ダミー構造６０１は半導体基板１００上にダミー膜１３１と、ダミー膜１３１を直接覆う半導体保護膜１０４を設ける構成としているが、ダミー膜１３１と半導体保護膜１０４の間に酸化膜を挟んだ構成としても良い。

また、本図では、突出部１０４ａの側面が上面に対し垂直であるように図示しているが、半導体保護膜１０４の成膜において、ステップカバレージが悪い場合には逆テーパ形状となって、段差ＳＴ２ａ、ＳＴ２ｂとダミー膜１３１の各々の側面下端部との距離が異常に短くなる場合もある。そのような形状では、段差ＳＴ２ａ、ＳＴ２ｂからダミー膜１３１の側面下端に至る破線で示した領域には極微小な断層であるナノスリットが形成され、より破壊されやすい領域となる。ただし、ダミー構造６０１における突出部１０４ａの側面が順テーパ形状であっても、段差ＳＴ２ａ、ＳＴ２ｂからダミー膜１３１に至る破線で示した膜内段差ＲＳ１ａ、ＲＳ１ｂに沿って破壊されやすいことの確認が出来ている。

以上の説明においては、ダミー構造６０１における、半導体保護膜１０４で覆われた膜が金属のダミー膜１３１である例を示しているが、ダミー膜１３１の存在によって半導体保護膜１０４内に膜内段差ＲＳ１ａ、ＲＳ１ｂ、ＲＳ２ａ、ＲＳ２ｂを設けるのであれば、金属のダミー膜１３１に代えて、ダミー酸化膜やダミーポリシリコン膜などの他の材質のダミー膜を用いても良い。そして、ダミー酸化膜を用いる場合は層間絶縁膜１０１、１０２、１０３のいずれかと同一の層を利用することができる。

以上のように構成された本実施形態の半導体装置によれば、以下のような効果が得られる。
図５に示すように、ダイシングを行うと、チップ外周領域８０２における回路領域７０１と反対側の端面である半導体基板１００のダイシング面ＤＳに基板クラックが発生する。基板クラックは、そこからおよそ４５度の角度で上方へ進行し、半導体基板１００の上表面に到達する。基板クラック起点ＣＲ１のように、ダイシング面ＤＳの比較的浅い領域で基板クラックが生じた場合は、基板クラックが斜め上方へ進行し、ダミー構造６０１の外側からダイシング面ＤＳまでの間に位置する領域に向かって直線的に進行して、切り代側部領域８０４における半導体基板１００の上表面に到達する。そして、到達した基板クラックから半導体基板１００のチッピング発生に至ることもある。

基板クラック起点ＣＲ２のように、ダイシング面ＤＳの比較的深い領域で基板クラックが生じた場合は、基板クラックが斜め上方へ進行し、ダミー構造６０１のダミー膜１３１に向かって直線的に進行してダミー膜１３１の下端に到達する、または、応力集中点である段差ＳＴ１へ誘導されることもある。そして、基板クラックが段差ＳＴ１へ誘導された場合は半導体基板１００のチッピング発生に至ることがある。一方、基板クラックがダミー膜１３１に到達した場合は、クラックはダミー膜１３１の側面下端部から膜内段差ＲＳ１ａ、ＲＳ１ｂに沿って伝播し、段差ＳＴ２ａやＳＴ２ｂにて解放される。図示した破壊部ＢＲはクラックが伝播して半導体保護膜１０４が破壊された部分であり、図４に図示する膜内段差ＲＳ１ａ、ＲＳ１ｂに沿って形成されるものである。

以上のように、ダミー構造６０１はそれ自身がダメージを受けることで破壊して、それ以上、他の領域へのクラック伝播を防止する働きをする。したがって、ダミー構造６０１より内側に位置する回路領域７０１へクラックは伝播されない。また、ダミー構造６０１とシールリング５０１の間には、半導体保護膜１０４を半導体基板１００と接するように防湿領域３０１を設けたことで、ダミー構造６０１が破壊された場合であっても、回路領域７０１は非透湿性の半導体保護膜１０４によって覆われて、耐湿性の良好な半導体装置を維持することができる。

特許文献１に記載の従来の半導体装置では、クラックがダミーメタル構造の側面および下面に沿った経路を伝播して、クラックが絶縁膜間の界面に沿って進行してシールリングに達し、このシールリングを破壊して信頼性の低下に繋がるという懸念があったが、本発明の実施形態にかかる半導体装置では、ダミー構造６０１自身が破壊されることで、シールリング５０１などの回路領域７０１へのクラック伝播を防止している。また、ダミー構造６０１が破壊されて残った回路領域７０１の外側には半導体保護膜１０４と半導体基板１００が直に接してなす防湿領域３０１が存在するため耐湿面での信頼性に優れた半導体装置とすることができる。

さらに、特許文献１に記載の半導体装置では、ダミーメタル構造が階段状の多層配線構造であるため、その形成領域の幅は多層配線が垂直に積層されたシールリングの幅に比べ大きいものである。これに対し、本発明の実施形態にかかる半導体装置では、ダミー構造６０１が単層配線構造であって、その形成領域の幅はシールリング５０１の幅と同等、もしくはそれよりも小さいものである。このように、半導体装置の小型化という点でも効果がある。

次に、図６及び図７を用いて、段差ＳＴ１の好ましい位置について説明する。
図６は、ダイシングの切断深さを変化させたときの基板クラックの起点の最大深さを測定した結果を示す図である。図６から、基板クラックの起点の最大深さは、バラつきはあるものの、ダイシングの切断深さを変化させても、ほぼ一定の値を取ることがわかった。

図７は、基板クラックの起点の深さとそれぞれの深さにおいて基板クラックの進行した幅とを測定した結果を示す図である。図７から、基板クラックの起点の深さと基板クラックの進行する幅との比率は、およそ１：１（角度４５度）となっており、基板クラックの起点の深さをｘ、基板クラックが進行した幅をｙとし、図７のプロットを線形近似すると、ｘとｙの関係は、およそ、ｙ＝１．０６ｘ+１．８となっていることがわかった。

図６より、基板クラックの起点の最大深さの最大値がおよそ１２μｍであったことから、上記式より、ダイシング面から基板クラックが進行する幅は最大で１４．５２μｍとなると推察される。基板クラックが回路領域７０１まで達しないようにするためには、ダイシング面ＤＳからダミー膜１３１の回路領域７０１側の側面下端までの水平距離Ｄ２（図３参照）を１５μｍ以上とすると良い。このような設定とすることで、殆どがダイシング面ＤＳとダミー膜１３１の間でクラックもしくはチッピングとして応力解放されることになる。より安全な設計をしたい場合は、ダイシング面ＤＳから段差ＳＴ１までの水平距離Ｄ１（図３参照）を１５μｍ以上とするのが良い。このような設定とすることで、殆どがダイシング面ＤＳと段差ＳＴ１の間でクラックもしくはチッピングとして応力解放され、ごくまれに基板クラックが段差ＳＴ１よりも内側に進行したとしてもダミー構造６０１の存在によって応力解放され、内側の回路領域７０１に伝播することはない。

次に、本実施形態の半導体装置において、ダミー構造６０１の変形例について、図８を用いて説明する。
図２には、矩形の回路領域７０１の周囲を環状に取り囲むダミー構造６０１が矩形の回路領域７０１に沿った形状となっている例を示したが、ダミー構造６０１の平面形状は、これには限られない。例えば、図８に示すような構造でも良い。

図２では、ダミー構造６０１の４隅角部を直角に図示しているが、図８（ａ）では、ダミー構造６０１を８角形とし、その内角のすべてを鈍角としている。環状のダミー構造６０１の内側に防湿領域３０１を介して環状のシールリング５０１と半導体素子４０１が位置し、その形状もダミー構造６０１に倣って８角形としている。そして、半導体チップ１の角部に８角形のダミー構造６０１の辺部が対向するように配置されている。

シールリング５０１とダミー構造６０１の間隔は等間隔である。ダイシングはマトリックス状に配置された矩形の半導体チップ１の平面形状に合わせて、半導体ウェハに対して縦方向および横方向のダイシングが行われるが、縦方向のダイシングと横方向のダイシングの合流点が半導体チップ１の角部に相当し、この角部が最もダメージを受けやすく、クラックやチッピングが発生しやすい領域である。このような８角形のダミー構造６０１を有する構成とすることで、ダイシング時のクラックやチッピングが発生しやすい半導体チップ１の角部におけるクラック耐性を向上させることが可能となる。なお、ダミー構造６０１は、８角形に限らず、８角形以上の多角形であっても良い。

また、図８（ｂ）では、環状のダミー構造６０１を丸くした四角形とし、４隅部における形状を円弧形状としている。そして、半導体チップ１の角部にダミー構造６０１の円弧形状が対向するように配置されている。ダミー構造６０１の内側には防湿領域３０１を介して環状のシールリング５０１と半導体素子４０１が位置している、そして、環状のシールリング５０１と半導体素子４０１の４隅部もダミー構造６０１に倣って円弧形状である。また、シールリング５０１とダミー構造６０１の間隔は、４隅部と他部のいずれでも一定である。このように、４隅部が円弧形状であるダミー構造６０１を有する構成とすることで、ダイシング時のクラックやチッピングが発生しやすい半導体チップ１の角部におけるクラック耐性を向上させることが可能となる。

図９は、本発明の実施形態の半導体装置の変形例を示す図である。
本変形例の半導体装置は、図９に示すように、半導体装置の回路領域７０１とチップ外周領域８０２の間において、半導体基板１００に達する溝ＴＲをさらに備えて構成されている。溝ＴＲはシールリング５０１とダミー構造６０１の間の防湿領域３０１に形成された非透湿性の半導体保護膜１０４を上下に貫通するように設けられ、半導体基板１００の表面に達するという構成である。溝ＴＲの両側の側壁は非透湿性の半導体保護膜１０４で構成されている。よって、溝ＴＲを設けた構成であってもシールリング５０１のチップ外周領域８０２側の側面は半導体保護膜１０４であり、回路領域７０１側の側面も非透湿膜である半導体保護膜１０４によって覆われている。

本変形例によれば、以下のような効果が得られる。ダミー構造６０１は、応力によってそれ自身がダメージを受けて破壊され、それより内側に位置する回路領域７０１へのクラック伝播を防止するものであるが、溝ＴＲを設けることで、クラック伝播の防止はより確実なものとなる。

溝ＴＲは、半導体保護膜１０４のエッチングによって形成されるものである。本実施形態の半導体装置では、非透湿性の半導体保護膜としてシリコン窒化膜（ＳｉｘＮｙ）を用いており、シリコン窒化膜を半導体基板（Ｓｉ）１００に対し、高選択比でエッチングすることが困難であり、オーバーエッチング時に、段差ＳＴ３ａ、ＳＴ３ｂが溝ＴＲの下端に形成される。段差ＳＴ３ａ、ＳＴ３ｂの下端の段差深さは段差ＳＴ１の下端の段差深さとほぼ同じである。この段差ＳＴ３ａ、ＳＴ３ｂの存在によって、クラック伝播の防止はさらに確実なものとなる。
しかも、溝ＴＲの内側の回路領域７０１は非透湿膜で覆われているため、耐湿性の良好な半導体装置とすることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは言うまでもない。

１ 半導体チップ
１００ 半導体基板
１０１、１０２、１０３ 層間絶縁膜
１０４ 半導体保護膜
１０４ｃ 突出部
１０５ 有機絶縁膜
１１１、１１２、１１３ 金属膜
１３１ ダミー膜
１２１、１２２、１２３ 金属プラグ
３０１ 防湿領域
４０１ 半導体素子
５０１ シールリング
６０１ ダミー構造
７０１ 回路領域
８０１ スクライブ領域
８０１ｃ スクライブセンタ
８０２ チップ外周領域
８０３ 切り代領域
８０４ 切り代側部領域
ＢＲ 破壊部
ＣＲ１、ＣＲ２ 基板クラック起点
Ｄ１、Ｄ２ 水平距離
ＤＳ ダイシング面
ＲＳ１ａ、ＲＳ１ｂ、ＲＳ２ａ、ＲＳ２ｂ 膜内段差
ＳＴ１、ＳＴ２ａ、ＳＴ２ｂ、ＳＴ３ａ，ＳＴ３ｂ 段差
ＴＲ 溝

Claims (6)

1. 半導体基板上に設けられた回路領域と、
   前記回路領域に隣接して、前記半導体基板上に設けられたチップ外周領域と、
   前記回路領域に設けられたシールリングと、
   前記シールリングの外周を取り囲み、前記チップ外周領域に設けられたダミー膜と、
   前記ダミー膜および前記シールリングを覆う半導体保護膜と、を有し、
   前記シールリングと前記ダミー膜の間に、前記半導体保護膜が前記半導体基板に直接接する防湿領域を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 前記ダミー膜が金属膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記ダミー膜を備えるダミー構造の４隅部における形状が円弧形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記ダミー構造とダイシング面の間に位置する切り代側部領域における半導体基板の表面高さは、前記ダミー構造における半導体基板の表面高さよりも低いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記ダイシング面から前記ダミー構造の前記ダイシング面側の端部までの水平距離が１５μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記防湿領域における前記半導体保護膜を貫通する溝を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。

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