JP2022137280A - 光スキャンデバイス、光受信デバイス、および光検出システム - Google Patents
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Abstract
Description
以下、一例として、2次元スキャンを行う光スキャンデバイスの構成を説明する。
図2は、1つの導波路素子10の断面の構造および伝搬する光の例を模式的に示す図である。図2では、図1に示すX方向およびY方向に垂直な方向をZ方向とし、導波路素子10のXZ面に平行な断面が模式的に示されている。導波路素子10において、一対のミラー30とミラー40が光導波層20を挟むように配置されている。光導波層20のX方向における一端から導入された光22は、光導波層20の上面(図2における上側の表面)に設けられた第1のミラー30および下面(図2における下側の表面)に設けられた第2のミラー40によって反射を繰り返しながら光導波層20内を伝搬する。第1のミラー30の光透過率は第2のミラー40の光透過率よりも高い。このため、主に第1のミラー30から光の一部を出力することができる。
第1の導波路と、
前記第1の導波路に繋がる第2の導波路と、
を備え、
前記第2の導波路は、
多層反射膜を有する第1のミラーと、
前記第1のミラーの前記多層反射膜に対向する多層反射膜を有する第2のミラーと、
前記第1のミラーおよび前記第2のミラーの間に位置し、前記第1の導波路に入力され前記第1の導波路を伝搬した光を伝搬させる光導波層と、
を有し、
前記第1のミラーは、前記第2のミラーよりも高い光透過率を有し、前記光導波層内を伝搬する光の一部を、前記光導波層の外部に出射し、
前記光導波層の屈折率および厚さの少なくとも一方を変化させることにより、前記第2の導波路から出射される光の方向を変化させる調整素子をさらに備える、
光スキャンデバイス。
前記光導波層は、電圧が印加された場合に、前記光導波層を伝搬する光に対する屈折率が変化する材料を含み、
前記調整素子は、前記光導波層に電圧を印加することにより、前記光導波層の屈折率を変化させることで、前記第2の導波路から出射される光の方向を変化させる、
項目1に記載の光スキャンデバイス。
前記第1の導波路は、対向する2つの多層反射膜と、前記2つの多層反射膜に挟まれた光導波層とを有する、項目1または2に記載の光スキャンデバイス。
前記対向する2つの多層反射膜の光透過率は、前記第1のミラーの光透過率よりも低い、項目3に記載の光スキャンデバイス。
前記第1の導波路の屈折率をnw1、前記第2の導波路における前記光導波層の屈折率をnw2とするとき、
|nw1-nw2|/nw1<0.4
である、項目1から4のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第2の導波路における前記光導波層の屈折率をnw2、前記第2の導波路における前記光導波層の厚さをd2、前記第1の導波路に入力される光の波長をλとするとき、
0.95×mλ/(2nw2)<d2<1.5×mλ/(2nw2)
を満たす、項目1から5のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第1の導波路は、前記第1の導波路に入力された光を全反射によって伝搬させ、
1.2×mλ/(2nw2)<d2<1.5×mλ/(2nw2)
をさらに満たす、項目1から6のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第1の導波路の屈折率をnw1、前記第2の導波路における前記光導波層の屈折率をnw2とするとき、nw1>nw2である、項目1から7のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第2の導波路における前記光導波層は、ギャップを介して前記第1の導波路に繋がり、
前記第1の導波路に入力される光の波長をλとするとき、
前記ギャップの屈折率と前記ギャップの幅との積は、λ/6.5以下である、
項目1から8のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第1の導波路の厚さ方向の中心と、前記第2の導波路の厚さ方向の中心とのずれの大きさをΔzとし、前記第1の導波路における光導波層の厚さと前記第2の導波路における前記光導波層の厚さとの差をΔdとするとき、
-Δd/2<Δz<Δd/2
を満たす、項目1から9のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第1の導波路は、対向する2つの多層反射膜と、前記2つの多層反射膜に挟まれた光導波層とを有し、
前記2つの多層反射膜の一方は、隣接する部位よりも膜厚が薄い箇所を有し、
前記光導波層は、前記箇所に入射した光を伝搬させ、前記第2の導波路における前記光導波層の端面に入力する、
項目1から10のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第1の導波路は、表面の一部にグレーティングを有し、前記グレーティングに入射した光を伝搬させ、前記第2の導波路における前記光導波層の端面に入力する、
項目1から10のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第1の導波路は、前記第1の導波路の端面から入射した光を伝搬させ、前記第2の導波路における前記光導波層の端面に入力する、
項目1から10のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第1の導波路に繋がり、外部から入射した光を伝搬させて前記第1の導波路に入力する第3の導波路をさらに備える、項目1から10のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第1の導波路は、対向する2つの多層反射膜と、前記2つの多層反射膜に挟まれた光導波層とを有し、
前記第3の導波路は、全反射によって光を伝搬させて前記第1の導波路に前記光を入力する、項目14に記載の光スキャンデバイス。
前記第3の導波路は、表面の一部にグレーティングを有し、前記グレーティングに入射した光を伝搬させ、前記第1の導波路の端面に入力する、
項目14または15に記載の光スキャンデバイス。
前記第3の導波路は、前記第3の導波路の端面から入射した光を伝搬させ、前記第1の導波路の端面に入力する、
項目14または15に記載の光スキャンデバイス。
第1の方向に配列された複数の導波路ユニットを備え、
前記複数の導波路ユニットの各々は、
第1の導波路と、
前記第1の導波路に繋がり、前記第1の方向に交差する第2の方向に光を伝搬させる第2の導波路と、
を有し、
前記第2の導波路は、
多層反射膜を有する第1のミラーと、
前記第1のミラーの前記多層反射膜に対向する多層反射膜を有する第2のミラーと、
前記第1のミラーおよび前記第2のミラーの間に位置し、前記第1の導波路に入力され前記第1の導波路を伝搬した光を伝搬させる光導波層と、
を有し、
前記第1のミラーは、前記第2のミラーよりも高い光透過率を有し、前記光導波層内を伝搬する光の一部を、前記光導波層の外部に出射し、
各第2の導波路における前記光導波層の屈折率および厚さの少なくとも一方を変化させることにより、各第2の導波路から出射される光の方向を変化させる第1調整素子をさらに備える、
光スキャンデバイス。
前記複数の導波路ユニットにおける前記第1の導波路から前記第2の導波路へ伝搬する光の位相の差を調整することにより、各第2の導波路から出射される光の方向を変化させる第2調整素子をさらに備える、項目18に記載の光スキャンデバイス。
前記複数の導波路ユニットにおける前記第1の導波路にそれぞれ接続された導波路を有する複数の位相シフタをさらに備え、
各位相シフタにおける前記導波路は、電圧の印加または温度変化に応じて屈折率が変化する材料を含み、
前記第2調整素子は、各位相シフタにおける前記導波路に電圧を印加する、または前記導波路の温度を変化させることにより、前記導波路内の屈折率を変化させ、前記複数の位相シフタから前記複数の導波路素子に伝搬する光の位相の差をそれぞれ変化させる、
項目19に記載の光スキャンデバイス。
各第2の導波路から出射する光の波数ベクトルの、前記第2の方向の成分をX成分、前記第1の方向の成分をY成分とするとき、
前記第1調整素子は、前記波数ベクトルのX成分を変化させ、
前記第2調整素子は、前記波数ベクトルのY成分を変化させる、
項目19または20に記載の光スキャンデバイス。
自由空間における波長がλの光を出射する光源と、
前記光源からの前記光を分岐して前記複数の位相シフタにおける前記導波路に導入する光分岐器と、
をさらに備える、項目19から20のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
第1の導波路と、
前記第1の導波路に繋がる第2の導波路と、
を備え、
前記第2の導波路は、
多層反射膜を有する第1のミラーと、
前記第1のミラーの前記多層反射膜に対向する多層反射膜を有する第2のミラーと、
前記第1のミラーおよび前記第2のミラーの間に位置し、光を伝搬させる光導波層と、を有し、
前記第1のミラーは、前記第2のミラーよりも高い光透過率を有し、前記第1のミラーに入射した光の一部を、前記光導波層内に導入し、
前記第1のミラーから前記光導波層に入射した光の一部は、前記第1の導波路に入力され、
前記光導波層の屈折率および厚さの少なくとも一方を変化させる調整素子をさらに備える、
光受信デバイス。
項目1から22のいずれかに記載の光スキャンデバイスと、
前記光スキャンデバイスから出射され、対象物から反射された光を検出する光検出器と、
前記光検出器の出力に基づいて、距離分布データを生成する信号処理回路と、
を備えるライダーシステム。
第1の方向に配列され、各々が前記第1の方向に交差する第2の方向に光を伝搬させる複数の導波路素子を含む導波路アレイであって、前記複数の導波路素子から、前記第1および第2の方向によって形成される平面に交差する第3の方向に光を出射する、導波路アレイと、
前記複数の導波路素子から出射される光の前記第3の方向を変化させる第1調整素子と、
を備え、
前記複数の導波路素子のそれぞれは、
前記第3の方向に交差する反射面を有する第1のミラーであって、前記第2の方向に延びる第1のミラーと、
前記第1のミラーの前記反射面に対向する反射面を有し、前記第2の方向に延びる第2のミラーと、
前記第1のミラーおよび前記第2のミラーの間に位置し、前記第2の方向に光を伝搬させる光導波層と、
を有し、
前記第1のミラーは、前記第2のミラーよりも高い光透過率を有し、前記光導波層内を伝搬する光の一部を、前記光導波層の外部に出射し、
前記第1調整素子は、各導波路素子における前記光導波層の屈折率および厚さの少なくとも一方を変化させることにより、前記複数の導波路素子から出射される光の前記第3の方向を変化させる、
光スキャンデバイス。
前記第3の方向に出射する光の波数ベクトルの、前記第2の方向の成分をX成分、前記第1の方向の成分をY成分とするとき、
前記第1調整素子は、各導波路素子における前記光導波層の前記屈折率および前記厚さの少なくとも一方を変化させることにより、前記波数ベクトルのX成分を変化させ、
前記複数の導波路素子のうちの隣接する2つの導波路素子に供給される光の位相差が変化した場合に、前記波数ベクトルのY成分が変化する、
項目25に記載の光スキャンデバイス。
前記第1の方向および前記第2の方向は直交する、項目25または26に記載の光スキャンデバイス。
前記複数の導波路素子は、前記第1の方向に等間隔に配列されている、項目25から27のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記複数の導波路素子のうちの隣接する2つの導波路素子の前記第1の方向における中心間距離をpとし、
各導波路素子における前記光導波層を伝搬する光の自由空間における中心波長をλとするとき、
λ/2≦p≦λ/sin10o
の関係を満たす、項目25から28のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記第1および第2のミラーの少なくとも一方は、誘電体多層膜を含む、項目25から29のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記複数の導波路素子にそれぞれ接続された複数の位相シフタであって、それぞれが、前記複数の導波路素子の対応する1つにおける前記光導波層に直接的にまたは他の導波路を介して繋がる導波路を含む複数の位相シフタと、
前記複数の位相シフタから前記複数の導波路素子へ伝搬する光の位相の差をそれぞれ変化させることにより、前記複数の導波路素子から出射される光の前記第3の方向を変化させる第2調整素子と、
をさらに備える、項目25から30のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
各位相シフタにおける前記導波路は、電圧の印加または温度変化に応じて屈折率が変化する材料を含み、
前記第2調整素子は、各位相シフタにおける前記導波路に電圧を印加する、または前記導波路の温度を変化させることにより、前記導波路内の屈折率を変化させ、前記複数の位相シフタから前記複数の導波路素子に伝搬する光の位相の差をそれぞれ変化させる、
項目31に記載の光スキャンデバイス。
前記第3の方向に伝搬する光の波数ベクトルの、前記第2の方向の成分をX成分、前記第1の方向の成分をY成分とするとき、
前記第1調整素子は、前記波数ベクトルのX成分を変化させ、
前記第2調整素子は、前記波数ベクトルのY成分を変化させる、
項目31または32に記載の光スキャンデバイス。
前記複数の位相シフタは、前記第2の方向に関して、前記複数の導波路素子の両側に位置している、項目31から33のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
自由空間における波長がλの光を出射する光源と、
前記光源からの前記光を分岐して前記複数の位相シフタにおける前記導波路に導入する光分岐器と、
をさらに備える、項目31から34のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記複数の位相シフタの各々は、
前記第3の方向に交差する反射面を有する第5のミラーであって、前記第2の方向に延び、前記複数の導波路素子の対応する1つにおける前記第1のミラーに接続された第5のミラーと、
前記第3のミラーの前記反射面に対向する反射面を有し、前記第2の方向に延び、前記複数の導波路素子の対応する前記1つにおける前記第2のミラーに接続された第6のミラーと、
を有し、
各位相シフタにおける前記導波路は、前記複数の導波路素子の対応する前記1つにおける前記光導波路に直接的に繋がり、
前記第5および第6のミラーの光透過率は、前記第1のミラーの光透過率よりも低い、項目31から35のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
各導波路素子における前記光導波層は、電圧が印加された場合に、前記光導波層を伝搬する光に対する屈折率が変化する材料を含み、
前記第1調整素子は、前記光導波層を挟む一対の電極を有し、前記一対の電極に電圧を印加することにより、前記光導波層の屈折率を変化させる、
項目25から36のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
各導波路素子における前記光導波層は、半導体材料を含み、
前記一対の電極の一方、または前記電極の前記一方と前記光導波層との間には、p型半導体が含まれ、
前記一対の電極の他方、または前記電極の前記他方と前記光導波層との間には、n型半導体が含まれ、
前記第1調整素子は、前記一対の電極に電圧を印加することにより、前記半導体材料にキャリアを注入し、前記光導波層の屈折率を変化させる、
項目37に記載の光スキャンデバイス。
各導波路素子における前記光導波層は、電気光学材料を含み、
前記第1調整素子は、前記一対の電極に電圧を印加することにより、前記電気光学材料の屈折率を変化させる、
項目37に記載の光スキャンデバイス。
各導波路素子における前記光導波層は、液晶材料を含み、
前記第1調整素子は、前記一対の電極に電圧を印加することにより、前記液晶材料の屈折率異方性を変化させ、前記光導波層の屈折率を変化させる、
項目37に記載の光スキャンデバイス。
各導波路素子における前記光導波層は、温度変化に伴って屈折率が変化する熱光学材料を含み、
前記第1調整素子は、前記光導波層を挟む一対の電極を有し、前記一対の電極に電圧を印加して前記熱光学材料を加熱することにより、前記光導波層の屈折率を変化させる、
項目25から36のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
各導波路素子における前記光導波層は、温度変化に伴って屈折率が変化する熱光学材料を含み、
前記第1調整素子は、前記光導波層に接触してまたは前記光導波層の近傍に配置されたヒーターを有し、
前記ヒーターによって前記熱光学材料を加熱することにより、前記光導波層の屈折率を変化させる、
項目25から36のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
各導波路素子における前記光導波層は、気体または液体の材料を含み、
前記第1調整素子は、各導波路素子における前記第1のミラーおよび前記第2のミラーの少なくとも一方に接続されたアクチュエータを有し、
前記アクチュエータは、前記第1のミラーと前記第2のミラーとの距離を変化させることにより、前記光導波層の厚さを変化させる、
項目25から36のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
前記アクチュエータは、一対の電極を有し、
前記一対の電極の一方は前記第1のミラーに固定され、
前記一対の電極の他方は前記第2のミラーに固定され、
前記一対の電極に電圧を印加することにより、電極間に静電気力を発生させ、前記第1のミラーと前記第2のミラーとの距離を変化させる、
項目43に記載の光スキャンデバイス。
前記アクチュエータは、圧電材料を含み、前記圧電材料を変形させることにより、前記第1のミラーと前記第2のミラーとの距離を変化させる、
項目43に記載の光スキャンデバイス。
前記アクチュエータは、各導波路素子における前記第1のミラーまたは前記第2のミラーを支持する支持部材を有し、前記支持部材を移動させることにより、前記第1のミラーと前記第2のミラーとの距離を変化させる、項目43に記載の光スキャンデバイス。
各導波路素子における前記第1のミラーおよび前記第2のミラーの少なくとも一方は、1つのプレート状のミラーの部分であり、
前記アクチュエータは、前記プレート状のミラーを移動させることにより、前記第1のミラーと前記第2のミラーとの距離を変化させる、項目43に記載の光スキャンデバイス。
各導波路素子における前記第1のミラーおよび前記第2のミラーの少なくとも一方は、1つのプレート状のミラーの部分である、項目25から46のいずれかに記載の光スキャンデバイス。
第1の方向に配列され、各々が前記第1の方向に交差する第2の方向に光を伝搬させる複数の導波路素子を含み、前記第1および第2の方向の両方に交差する第3の方向から前記複数の導波路素子に入射した光を、前記第2の方向に伝搬させる導波路アレイと、
受信可能な光の方向を調整する第1調整素子と、
を備える光受信デバイスであって、
前記複数の導波路素子のそれぞれは、
前記第3の方向に交差する反射面を有し、前記第2の方向に延びる第1のミラーと、
前記第1のミラーの前記反射面に対向する反射面を有し、前記第2の方向に延びる第2のミラーと、
前記第1のミラーおよび前記第2のミラーの間に位置し、前記第2の方向に光を伝搬させる光導波層と、
を有し、
前記第1調整素子は、各導波路素子における前記光導波層の屈折率および厚さの少なくとも一方を変化させることにより、受信可能な光の方向を変化させる、
光受信デバイス。
前記複数の導波路素子にそれぞれ接続された複数の位相シフタであって、それぞれが、前記複数の導波路素子の対応する1つにおける前記光導波層に直接的にまたは他の導波路を介して繋がる導波路を含む複数の位相シフタと、
前記複数の導波路素子から前記複数の位相シフタを通過して出力される光の位相の差をそれぞれ変化させることにより、受信可能な光の方向を変化させる第2調整素子と、
をさらに備える、項目49に記載の光受信デバイス。
前記複数の導波路素子に入射する光の波数ベクトルの、前記第2の方向の成分をX成分、前記第1の方向の成分をY成分とするとき、
前記第1調整素子は、受信可能な光の波数ベクトルのX成分を変化させ、
前記第2調整素子は、受信可能な光の波数ベクトルのY成分を変化させる、
項目49または50に記載の光受信デバイス。
項目25から48のいずれかに記載の光スキャンデバイスと、
前記光スキャンデバイスから出射され、対象物から反射された光を検出する光検出器と、
前記光検出器の出力に基づいて、距離分布データを生成する信号処理回路と、
を備えるライダー(LiDAR)システム。
図8は、本開示の例示的な実施形態における光スキャンデバイスの構造の一部を模式的に示す断面図である。この光スキャンデバイスは、導波路1と、第1の導波路に繋がる第2の導波路(導波路素子)10とを備える。導波路10は、多層反射膜を有する第1のミラー30と、第1のミラー30の多層反射膜に対向する多層反射膜を有する第2のミラー40と、第1のミラー30および第2のミラー40の間に位置する光導波層20とを有する。導波路1は、入力された光を導波方向に伝搬させる。光導波層20は、導波路1に入力され導波路1を伝搬した光を伝搬させる。光導波層20は、導波路1の導波方向と同じ方向に光を伝搬させる。第1のミラー30は、第2のミラー40よりも高い光透過率を有し、光導波層20内を伝搬する光の一部を、光導波層20の外部に出射する。図8には示されていないが、光スキャンデバイス100は、光導波層20の屈折率および厚さの少なくとも一方を変化させる調整素子をさらに備える。光導波層20は、例えば、電圧が印加された場合に、光導波層20を伝搬する光に対する屈折率が変化する材料を含む。調整素子は、光導波層20に電圧を印加することにより、光導波層20の屈折率を変化させることで、導波路10から出射される光の方向を変化させる。
以下、図8、9を参照しながら、導波路1、10間の導波光の結合の原理を説明する。簡単のため、導波路1、10内を伝搬する光を近似的に光線であると考える。導波路10の上下の多層反射膜と光導波層20との界面、および導波路1の上下の多層反射膜と光導波層2との界面(または、光導波層2と外部媒質との界面)で、光が完全に反射されると仮定する。導波路1における光導波層2の厚さをd1、導波路10における光導波層20の厚さをd2とする。導波路1、10のそれぞれにおいて、伝播光が存在する条件は、以下の式(5)、(6)で表される。
2d1nw1cosθw1=mλ (5)
2d2nw2cosθw2=mλ (6)
ここで、λは光の波長、mは1以上の整数である。
nw1sin(90°-θw1)=nw2sin(90°-θw2) (7)
nw1cosθw1=nw2cosθw2 (8)
本実施形態の効果を確認するため、本発明者らは、条件を様々に変えて、光の結合効率を計算した。計算には、Photon Design社のFIMMWAVEを用いた。
nw2sinθw2=1 (9)
d2/dcutoff=nw2/√(nw2 2-1) (10)
0.95×dcutoff<d2<1.5×dcutoff
(0.95×mλ/(2nw2)<d2<1.5×mλ/2nw2))
であればよい。
0.95×dcutoff<d2<1.5×dcutoff
(すなわち、0.95×mλ/(2nw2)<d2<1.5×mλ/2nw2))
であればよい。
複数の導波路素子(第2の導波路)10が一方向に配列された導波路アレイにおいて、それぞれの導波路素子10から出射される光の干渉により、光の出射方向は変化する。各導波路素子10に供給する光の位相を調整することにより、光の出射方向を変化させることができる。以下、その原理を説明する。
導波路アレイからは0次光のほかに高次の回折光も出射され得る。簡単のために、図22においてθ=0oの場合を考える。つまり、回折光の出射方向はYZ平面に平行である。
それぞれの導波路素子10から出射される光の位相を制御するためには、導波路素子10に光を導入する前段に、光の位相を変化させる位相シフタを導入すればよい。本実施形態における光スキャンデバイス100は、複数の導波路素子10のそれぞれに接続された複数の位相シフタと、各位相シフタを伝搬する光の位相を調整する第2調整素子とを備える。各位相シフタは、複数の導波路素子10の対応する1つにおける光導波層20に直接的にまたは他の導波路を介して繋がる導波路を含む。第2調整素子は、複数の位相シフタから複数の導波路素子10へ伝搬する光の位相の差をそれぞれ変化させることにより、複数の導波路素子10から出射される光の方向(第3の方向D3)を変化させる。以下の説明では、導波路アレイと同様に、配列された複数の位相シフタを「位相シフタアレイ」と呼ぶことがある。
次に、導波路素子10における光導波層20の屈折率または厚さを調整する第1調整素子の構成例を説明する。まず、屈折率を調整する場合の構成例を説明する。
次に、第2調整素子による複数の位相シフタ80における位相の調整のための構成を説明する。複数の位相シフタ80における位相の調整は、位相シフタ80における導波路20aの屈折率を変化させることによって実現され得る。この屈折率の調整は、既に説明した、各導波路素子10における光導波層20の屈折率を調整する方法と全く同じ方法によって実現することができる。例えば、図28Aから図29を参照しながら説明した屈折率変調の構成および方法をそのまま適用することができる。図28Aから図29に関する説明において、導波路素子10を位相シフタ80と読み替え、第1調整素子60を第2調整素子と読み替え、光導波層20を導波路20aと読み替え、第1駆動回路110を第2駆動回路210と読み替えればよい。このため、位相シフタ80における屈折率変調についての詳細な説明は省略する。
本実施形態では、第1調整素子は、複数の導波路素子10から出射される光の方向が揃うように、各導波路素子10を駆動する。複数の導波路素子10から出射される光の方向を揃えるためには、例えば各導波路素子10に個別に駆動部を設け、同期駆動すればよい。
導波路アレイ、位相シフタアレイ80A、およびこれらをつなぐ誘電体導波路は、半導体プロセス、3Dプリンター、自己組織化、ナノインプリントなど、高精度の微細加工が可能なプロセスによって製造することができる。これらのプロセスにより、小さい領域に必要な要素を集積することが可能である。
続いて、本実施形態の変形例を説明する。
図46は、回路基板(すなわち、チップ)上に光分岐器90、導波路アレイ10A、位相シフタアレイ80A、および光源130などの素子を集積した光スキャンデバイス100の構成例を示す図である。光源130は、例えば、半導体レーザーなどの発光素子であり得る。この例における光源130は、自由空間における波長がλである単一波長の光を出射する。光分岐器90は、光源130からの光を分岐して複数の位相シフタにおける導波路に導入する。図46の構成例において、チップ上には電極62aと、複数の電極62bとが設けられている。導波路アレイ10Aには、電極62aから制御信号が供給される。位相シフタアレイ80Aにおける複数の位相シフタ80には、複数の電極62bから制御信号がそれぞれ送られる。電極62a、62bは、上記の制御信号を生成する不図示の制御回路に接続され得る。制御回路は、図46に示すチップ上に設けられていてもよいし、光スキャンデバイス100における他のチップに設けられていてもよい。
本開示における光スキャンデバイスは、ほぼ同一の構成で、光受信デバイスとしても用いることができる。光受信デバイスは、光スキャンデバイスと同一の導波路アレイ10Aと、受信可能な光の方向を調整する第1調整素子60とを備える。導波路アレイ10Aの各第1のミラー30は、第3の方向から第1の反射面の反対側に入射する光を透過させる。導波路アレイ10Aの各光導波層20は、第2の方向に第1のミラー30を透過した光を伝搬させる。第1調整素子60が各導波路素子10における前記光導波層20の屈折率および厚さの少なくとも一方を変化させることにより、受信可能な光の方向を変化させることができる。さらに、光受信デバイスが、光スキャンデバイスと同一の複数の位相シフタ80、または80aおよび80bと、複数の導波路素子10から複数の位相シフタ80、または80aおよび80bを通過して出力される光の位相の差をそれぞれ変化させる第2調整素子を備えている場合には、受信可能な光の方向を2次元的に変化させることができる。
2 光導波層
3 多層反射膜
4 多層反射膜
5 グレーティング
6 レーザー光源
7 光ファイバー
10 導波路素子(導波路)
20 光導波層
30 第1のミラー
40 第2のミラー
42 低屈折率層
44 高屈折率層
50 基板
52 支持部材(補助基板)
60 調整素子
62 電極
64 配線
66 電源
68 ヒーター
70 支持部材
71 非圧電素子
72 圧電素子
74a,74b 支持部材
80,80a,80b 位相シフタ
90,90a,90b 光分岐器
92 光スイッチ
100 光スキャンデバイス
110 導波路アレイの駆動回路
130 光源
210 位相シフタアレイの駆動回路
310 ビームスポット
400 光検出器
500 制御回路
600 信号処理回路
Claims (21)
- 第1の導波路と、
第2の導波路と、
を備え、
前記第1の導波路は、外部媒質よりも屈折率の高い高屈折率媒質を含み、前記高屈折率媒質と前記外部媒質との界面の臨界角以上の入射角および反射角で光を全反射させることによって前記光を伝搬させ、
前記第2の導波路は、
第1の反射膜と、
前記第1の反射膜に対向する第2の反射膜と、
前記第1の導波路に直接的またはギャップを持って繋がり、前記第1の反射膜と前記第2の反射膜の間に位置する第1の光導波層と、
を備え、
前記第1の光導波層は、前記第1の導波路の中心線の延長線と重なり、
前記第1の光導波層内を伝搬する前記光の一部を、前記第2の導波路の外部に出射する、または、前記第2の導波路に入射した光の一部を、前記第1の光導波層内に導入する、
光デバイス。 - 第1の導波路と、
第2の導波路と、
第3の導波路と、
を備え、
前記第1の導波路は、外部媒質よりも屈折率の高い高屈折率媒質を含み、前記高屈折率媒質と前記外部媒質との界面の臨界角以上の入射角および反射角で光を全反射させることによって前記光を伝搬させ、
前記第2の導波路は、
第1の反射膜と、
前記第1の反射膜に対向する第2の反射膜と、
前記第1の反射膜と前記第2の反射膜の間に位置する第1の光導波層と、
を備え、
前記第3の導波路は、
第3の反射膜と、
前記第3の反射膜に対向する第4の反射膜と、
前記第3の反射膜と前記第4の反射膜の間に位置する第2の光導波層と、
を備え、
前記第2の光導波層は、前記第1の導波路に直接的またはギャップを持って繋がり、前記第1の導波路を伝搬した前記光を伝搬させ、
前記第1の光導波層は、前記第2の光導波層に直接的に繋がり、前記第2の光導波層を伝搬した前記光を伝搬させ、
前記第1の光導波層は、前記第2の光導波層の中心線の延長線と重なり、
前記第2の光導波層は、前記第1の導波路の中心線の延長線と重なり、
前記第1の光導波層内を伝搬する前記光の一部を、前記第2の導波路の外部に出射する、または、前記第2の導波路に入射した光の一部を、前記第1の光導波層内に導入する、
光デバイス。 - 前記第1の光導波層は、前記第1の導波路の導波方向と同じ方向に前記光を伝搬させる、
請求項1または2に記載の光デバイス。 - 前記第1の導波路と前記第2の導波路をチップ上に集積させる、
請求項1から3のいずれかに記載の光デバイス。 - 前記光に対する前記第1の導波路の前記高屈折率媒質の屈折率をnw1、前記光に対する前記第1の光導波層の前記屈折率をnw2とするとき、nw1およびnw2は、
|nw1-nw2|/nw1<0.4
を満たす、
請求項1から4のいずれかに記載の光デバイス。 - 前記光に対する前記第1の光導波層の前記屈折率をnw2、前記第1の光導波層の厚さをd2、自由空間における前記光の波長をλとし、mを1以上の整数とするとき、nw2およびd2は、
0.95×mλ/(2nw2)<d2<1.5×mλ/(2nw2)
を満たす、
請求項1から5のいずれかに記載の光デバイス。 - nw2およびd2は、
1.2×mλ/(2nw2)<d2<1.5×mλ/(2nw2)
をさらに満たす、
請求項6に記載の光デバイス。 - 前記第1の導波路における前記第1の光導波層の厚さ方向の中心とのずれをΔz、前記第1の光導波層の厚さと前記第1の導波路の光導波層との絶対値の差をΔdとし、Δzは、
-Δd/2<Δz<Δd/2
を満たす、
請求項1から7のいずれかに記載の光デバイス。 - 前記第1の光導波層と前記第1の導波路はギャップを持って繋がり、
前記ギャップにおける前記光の波長をλとし、前記ギャップの光学長は、λ/6.5以下を満たす、
請求項1から8のいずれかに記載の光デバイス。 - 前記光に対する前記第1の導波路の前記高屈折率媒質の屈折率をnw1、前記光に対する前記第1の光導波層の前記屈折率をnw2とするとき、nw1およびnw2は、nw1>nw2を満たす、
請求項1から9のいずれかに記載の光デバイス。 - 前記第1の導波路は、表面の一部にグレーティングを有し、前記グレーティングに入射した前記光を伝搬させる、
請求項1から10のいずれかに記載の光デバイス。 - 前記第1の導波路は、前記第1の導波路の端面から入射した前記光を伝搬させる、
請求項1から10のいずれかに記載の光デバイス。 - 複数の導波路ユニットを備え、
前記複数の導波路ユニットの各々は、
第1の導波路と、
第2の導波路と、
を備え、
前記第1の導波路は、外部媒質よりも屈折率の高い高屈折率媒質を含み、前記高屈折率媒質と前記外部媒質との界面の臨界角以上の入射角および反射角で光を全反射させることによって前記光を伝搬させ、
前記第2の導波路は、
第1の反射膜と、
前記第1の反射膜に対向する第2の反射膜と、
前記第1の導波路に直接的またはギャップを持って繋がり、前記第1の反射膜と前記第2の反射膜の間に位置する第1の光導波層と、
を備え、
前記第1の光導波層は、前記第1の導波路の中心線の延長線と重なり、
前記第1の光導波層内を伝搬する前記光の一部を、前記第2の導波路の外部に出射する、または、前記第2の導波路に入射した光の一部を、前記第1の光導波層内に導入する、
光デバイス。 - 複数の導波路ユニットを備え、
前記複数の導波路ユニットの各々は、
第1の導波路と、
第2の導波路と、
第3の導波路と、
を備え、
前記第1の導波路は、外部媒質よりも屈折率の高い高屈折率媒質を含み、前記高屈折率媒質と前記外部媒質との界面の臨界角以上の入射角および反射角で光を全反射させることによって前記光を伝搬させ、
前記第2の導波路は、
第1の反射膜と、
前記第1の反射膜に対向する第2の反射膜と、
前記第1の反射膜と前記第2の反射膜の間に位置する第1の光導波層と、
を備え、
前記第3の導波路は、
第3の反射膜と、
前記第3の反射膜に対向する第4の反射膜と、
前記第3の反射膜と前記第4の反射膜の間に位置する第2の光導波層と、
を備え、
前記第2の光導波層は、前記第1の導波路に直接的またはギャップを持って繋がり、前記第1の導波路を伝搬した前記光を伝搬させ、
前記第1の光導波層は、前記第2の光導波層の中心線の延長線と重なり、
前記第2の光導波層は、前記第1の導波路の中心線の延長線と重なり、
前記第1の光導波層内を伝搬する前記光の一部を、前記第2の導波路の外部に出射する、または、前記第2の導波路に入射した光の一部を、前記第1の光導波層内に導入し、
光デバイス。 - 前記複数の導波路ユニットの各々において前記第2の導波路に伝搬する前記光の位相を調整する、
請求項13または14に記載の光デバイス。 - 複数の位相シフタをさらに備え、
前記複数の位相シフタの各々は、対応する前記第1の導波路に繋がる第4の導波路を備え、
各位相シフタの前記第4の導波路は、電圧の印加または温度変化に応じて屈折率が変化する材料を含み、
各位相シフタの前記第4の導波路に電圧を印加することにより、または各位相シフタの前記第4の導波路の温度を変化させることにより、前記第4の導波路の屈折率を変化させ、前記複数の導波路ユニットの各々において前記第2の導波路に伝搬する前記光の位相を調整する、
請求項15に記載の光デバイス。 - 前記光を出射する光源と、
前記光源からの前記光を分岐して前記複数の位相シフタの各々の前記第4の導波路に導入する光分岐器と、
をさらに備える、
請求項16に記載の光デバイス。 - 一体に構成された第5の反射膜をさらに備え、
前記複数の導波路ユニットの各々の前記第1の反射膜は、前記第5の反射膜の一部である、
請求項13から17のいずれかに記載の光デバイス。 - 一体に構成された第6の反射膜をさらに備え、
前記複数の導波路ユニットの各々の前記第2の反射膜は、前記第6の反射膜の一部である、
請求項13から18のいずれかに記載の光デバイス。 - 請求項1から19のいずれかに記載の光デバイスと、
前記光デバイスから出射され、対象物から反射された光を検出する光検出器と、
前記光検出器の出力に基づいて、距離分布データを生成する信号処理回路と、
を備える、
光検出システム。 - 前記第1の光導波層は、前記第1の導波路の端面に直接的に繋がる端面を有する、
請求項1に記載の光デバイス。
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