JP2022133809A - 基板製造装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】インゴットから分離して形成した基板の表面粗さを小さくする技術を提供すること。【解決手段】基板製造装置は、半導体基板を配置可能なステージを備える。基板製造装置は、ステージに配置された半導体基板に所定パルス周期のパルスレーザを照射可能な照射部を備える。基板製造装置は、ステージと照射部との相対位置を制御可能な制御部を備える。照射部は、所定ピッチで直線上に並んでいる複数の集光点を生成することが可能である。制御部は、ステージと照射部との相対位置を、複数の集光点が並んでいる直線と並行に所定速度で移動させることが可能である。所定速度は、複数の集光点が所定パルス周期の１周期で移動する距離が所定ピッチと同一となる速度である。【選択図】図１

Description

本明細書では、基板製造装置に関する技術を開示する。
特許文献１は、窒化ガリウムインゴットから窒化ガリウム基板を生成する方法を開示している。具体的には、窒化ガリウムのインゴット内部の一定深さにおいて、パルスレーザの集光点を一定速度で走査させながら照射することで、ガリウムと窒素とを析出させた改質領域を形成する。改質領域を平面上に多数形成することで、界面を形成する。インゴットをガリウムが溶融する温度に加熱するとともに、第１の保持部材と第２の保持部材を互いに離反する方向に移動させることで、インゴットを界面から分離して窒化ガリウム基板を生成する。
特開２０１７－５７１０３号公報
改質領域を確実に形成するためには、照射点に与えるエネルギの総量を大きくする必要がある。しかしレーザの出力を高くすると、大きなエネルギが１回の照射で照射点に与えられてしまうため、意図しないクラック等が発生してしまう場合がある。分離した窒化ガリウム基板の表面粗さが大きくなってしまう。
本明細書では、基板製造装置を開示する。基板製造装置は、半導体基板を配置可能なステージを備える。基板製造装置は、ステージに配置された半導体基板に所定パルス周期のパルスレーザを照射可能な照射部を備える。基板製造装置は、ステージと照射部との相対位置を制御可能な制御部を備える。照射部は、所定ピッチで直線上に並んでいる複数の集光点を生成することが可能である。制御部は、ステージと照射部との相対位置を、複数の集光点が並んでいる直線と並行に所定速度で移動させることが可能である。所定速度は、複数の集光点が所定パルス周期の１周期で移動する距離が所定ピッチと同一となる速度である。
本明細書の基板製造装置では、複数の集光点を、複数の集光点が並んでいる直線方向に移動させている。そして、複数の集光点が所定パルス周期の１周期で移動する距離が、所定ピッチと同一となっている。これにより、パルスレーザの複数の集光点を、同一の照射点に照射することができる。従って、複数の集光点によって複数回に分けて、エネルギを同一照射点に与えることができる。１回の照射で照射点にエネルギを与える場合に比して、与えるエネルギの総量を同等以上としながら、１回の照射当たりのレーザ出力を低減することができる。意図しないクラック等の発生を抑制することが可能となる。
照射部は複数のレーザ光源を備えていてもよい。複数のレーザ光源によって複数の集光点が生成されていてもよい。
複数の集光点のうちの一部の集光点のパルスエネルギが、他の集光点のパルスエネルギと異なっていてもよい。
複数の集光点のうち、制御部によって複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点のパルスエネルギが、進行方向の後側の集光点のパルスエネルギよりも小さくてもよい。
複数の集光点のうち、制御部によって複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点のパルスエネルギが、進行方向の後側の集光点のパルスエネルギよりも大きくてもよい。
複数の集光点のうちの一部の集光点のパルス幅が、他の集光点のパルス幅と異なっていてもよい。
複数の集光点のうち、制御部によって複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点のパルス幅が、進行方向の後側の集光点のパルス幅よりも小さくてもよい。
複数の集光点のうち、制御部によって複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点のパルス幅が、進行方向の後側の集光点のパルス幅よりも大きくてもよい。
複数の集光点のうちの一部の集光点の波長が、他の集光点の波長と異なっていてもよい。
複数の集光点のうち、制御部によって複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点の波長が、進行方向の後側の集光点の波長よりも大きくてもよい。
複数の集光点のうち、制御部によって複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点の波長が、進行方向の後側の集光点の波長よりも小さくてもよい。
複数の集光点によってステージ上の半導体基板に形成された改質領域を測定する測定部をさらに備えていてもよい。照射部は、測定部による測定結果に応じて、複数の集光点の数を制御してもよい。
測定部は、改質領域の大きさを測定可能であってもよい。照射部は、改質領域の大きさが小さいほど複数の集光点の数が多くなるように制御してもよい。
実施例１の基板製造装置１の概略構成図である。 集光点Ｐ１～Ｐ６を示す断面図である。 走査線ＳＬ１～ＳＬ６の概略図である。 集光点Ｐ１～Ｐ６の移動する様子を示す図である。 実施例１に係る基板製造方法を示すフロー図である。 改質層が形成されたインゴット３０の一例を示す図である。 実施例２の基板製造装置１ａの概略構成図である。
（基板製造装置１の構成）
図１に、基板製造装置１の概略構成図を示す。基板製造装置１は、ステージ駆動部１１、ステージ１２、照射部１３、測定部１４、制御部１５、を備えている。ステージ駆動部１１、照射部１３、測定部１４は、制御部１５によって制御可能である。制御部１５は例えば、ＰＣである。ステージ１２上には、加工対象であるインゴット３０を配置可能である。
照射部１３は、ステージ１２に配置されたインゴット３０に、所定パルス周期のパルスレーザを照射可能な部位である。照射部１３は、レーザ光源２１、空間光変調器２３、集光レンズ２４、を備えている。レーザ光源２１は、インゴット３０に対して透過性を有するレーザ光を出力する装置である。本実施例では、発振周波数が５０ｋＨｚ（すなわちパルス周期が０．０２ｍｓ）のパルスレーザを用いた。波長は５３２ｎｍとした。
空間光変調器２３は、レーザ光源２１から出力されたパルスレーザＰＬの位相を変調する装置である。本実施例では、反射型液晶（ＬＣＯＳ：Liquid Crystal on Silicon）による空間光変調器２３を用いた。空間光変調器２３により、光ビームパターンを自由に成形することができる。また空間光変調器２３は、複数の集光点のうちの一部の集光点のパルスエネルギが、他の集光点のパルスエネルギと異なるように、パルスレーザＰＬの変調を行うことができる。本実施例では、後述する６つの集光点Ｐ１～Ｐ６が形成されるように、パルスレーザＰＬの変調が行われている。なお、集光点の数は自在に変更可能であり、６つに限られない。また、各集光点におけるパルスエネルギも、個別に設定可能である。
集光レンズ２４は、空間光変調器２３によって変調されたパルスレーザを集光する。これにより、集光レンズ２４から集光距離ＦＤ離れた位置において、６つの集光点Ｐ１～Ｐ６を形成することができる。図２に、インゴット３０の集光点Ｐ１～Ｐ６が位置する深さにおける断面図を示す。すなわち図２は、改質層Ｌ１が形成される面での断面図である。集光点Ｐ１～Ｐ６は、Ｘ方向に延びる直線ＬＸ上に並んでいる。集光点Ｐ１～Ｐ６は、所定ピッチＰＰで等間隔に並んでいる。本実施例では、所定ピッチＰＰは５μｍである。また集光点Ｐ１～Ｐ６の各々のピーク出力は、０．０２５Ｗで同一である。
制御部１５によってステージ駆動部１１を制御することにより、ステージ１２を、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向に移動させることが可能である。すなわち制御部１５は、ステージ駆動部１１によって、ステージ１２と照射部１３との相対位置を制御可能である。測定部１４は、インゴット３０の内部に形成された多数の改質領域ＭＡを測定する部位である。改質領域ＭＡについては後述する。本実施例は、測定部１４はカメラである。
（集光点の走査処理）
図３に示すように、制御部１５によってステージ駆動部１１を制御することにより、集光点Ｐ１～Ｐ６を走査線ＳＬ１～ＳＬ６上に走査させることができる。走査線ＳＬ１～ＳＬ６の各々では、ステージ１２を－Ｘ方向へ移動させることにより、図２の集光点Ｐ１～Ｐ６を＋Ｘ方向の進行方向ＴＤへ移動させることができる。すなわち走査線ＳＬ１～ＳＬ６の各々では、集光点Ｐ１～Ｐ６が、集光点Ｐ１～Ｐ６が並んでいる直線ＬＸ上を移動する。
走査線ＳＬ１～ＳＬ６の走査は、所定速度で行われる。所定速度は、集光点Ｐ１～Ｐ６がパルスレーザの１周期（０．０２ｍｓ）で移動する距離が、所定ピッチＰＰ（５μｍ）と同一となる速度である。本実施例では、所定速度は、２５０ｍｍ／ｓとした。
図４を用いて説明する。図４（ａ）～（ｆ）では、集光点Ｐ１～Ｐ６が進行方向ＴＤへ移動する様子を、パルスレーザの１周期ごとに示している。ここで、ある１つの照射点ＩＰに着目する。図４（ａ）では、集光点Ｐ１によって、照射点ＩＰに１回目のパルスレーザの照射が行われる。１周期（０．０２ｍｓ）の経過後の図４（ｂ）では、集光点Ｐ２によって、照射点ＩＰに２回目のパルスレーザの照射が行われる。以下同様にして、５周期（０．１０ｍｓ）の経過後の図４（ｆ）では、集光点Ｐ６によって、照射点ＩＰに６回目のパルスレーザの照射が行われる。これにより、６個の集光点Ｐ１～Ｐ６によって６回に分けてエネルギを与えることで、照射点ＩＰに改質領域ＭＡを形成することが可能となる。すなわち、微小な改質領域ＭＡ（改質領域ＭＡの種）を形成する種形成ステップと、形成された改質領域ＭＡを拡大する拡大ステップと、に分けて改質領域ＭＡを形成することができる。そして照射点ＩＰを、走査線ＳＬ１～ＳＬ６上に所定ピッチＰＰ（５μｍ）で並んだ状態で形成することができる。
前述したように、空間光変調器２３によって、集光点Ｐ１～Ｐ６の各々におけるパルスエネルギは、個別に設定可能である。従って、様々なパルスエネルギ設定が可能である。例えば、集光点Ｐ１～Ｐ６のパルスエネルギを等しくしてもよい（第１のエネルギ設定）。進行方向ＴＤの前側の集光点のパルスエネルギを、進行方向ＴＤの後側の集光点のパルスエネルギよりも小さくしてもよい（第２のエネルギ設定）。進行方向ＴＤの前側の集光点のパルスエネルギを、進行方向ＴＤの後側の集光点のパルスエネルギよりも大きくしてもよい（第３のエネルギ設定）。ピーク出力［Ｗ］はパルスエネルギ［Ｊ］をパルス幅［ｓ］で除して算出されるため、パルス幅が一定の場合には、パルスエネルギを大きくするほどピーク出力を大きくすることができる。第１のエネルギ設定では、複数の照射点ＩＰの各々において、エネルギの積算量をリニアに増加させることができる。第２のエネルギ設定では、照射の前半ではエネルギ積算量を小さくし、後半で大きくすることができる。第３のエネルギ設定では、照射の前半ではエネルギ積算量を大きくし、後半で小さくすることができる。
なお、第２および第３のエネルギ設定では、パルスエネルギの変化する態様は様々であって良い。例えば、進行方向ＴＤの前側に行くに従ってリニアにパルスエネルギが変化してもよいし、複数の集光点ごとにステップ状にパルスエネルギが変化してもよい。
（基板製造方法）
実施例１に係る基板製造方法を、図５のフローを用いて説明する。基板製造方法は、ステップＳ１０の照射工程、ステップＳ３０の分離工程、ステップＳ４０の研磨工程、を備えている。
ステップＳ１０の照射工程を説明する。照射工程は、インゴット内にＮ個（Ｎは１以上の自然数）の改質層を形成する工程である。図６に、照射工程によって改質層が形成されたインゴット３０の一例を示す。図６は、インゴット３０の上面図および側面図を示している。本実施例では、改質層の数が４個である場合を説明する。インゴット３０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）の単結晶で形成されている。ＧａＮ単結晶は無色である。インゴット３０は、表面３０ｓからの深さが各々異なる４個の改質層Ｌ１～Ｌ４が形成されている。４個の改質層Ｌ１～Ｌ４によって、インゴット３０は、５個の基板層３１～３５に分断されている。
改質層は、多数の改質領域がＸ－Ｙ平面内に存在している層である。改質領域は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が、初期状態のＧａＮ結晶とは異なっている領域である。後述するように、改質領域は、パルスレーザの集光点により局所的に加熱されることで、ＧａＮの窒素がガスとなり蒸発することで形成される領域である。改質領域にはガリウムが析出しており、黒色を有している。
ステップＳ１０の照射工程は、ステップＳ１１～Ｓ１９を備えている。ステップＳ１１において、Ｋ層目（Ｋは１以上Ｎ以下の自然数）の改質層ＬＫを形成する深さに集光点Ｐが位置するように、ステージ１２のＺ方向高さを調整する。図１の例では、最下層の改質層Ｌ１は、表面３０ｓから深さＤ１の位置に形成される改質層である。
ステップＳ１２において、走査線を１本走査する（図３参照）。ステップＳ１３において、全ての走査線の走査が完了したか否かが判断される。否定判断される場合（Ｓ１３：ＮＯ）には、ステップＳ１４へ進む。ステップＳ１４において、予め定められた所定数の走査線（例：３本）が走査されたか否かが判断される。否定判断される場合（Ｓ１４：ＮＯ）には、ステップＳ１２へ戻り、次の走査が行われる。肯定判断される場合（Ｓ１４：ＹＥＳ）には、ステップＳ１５へ進み、改質領域の測定が行われる。これにより、所定数の走査が行われる度に、改質領域の測定を行うことができる。
ステップＳ１５の測定は、測定部１４を用いて行われる。例えば、カメラによって複数の改質領域ＭＡを撮影し、制御部１５で画像処理することで複数の改質領域の各々の大きさを求め、平均値を算出してもよい。
ステップＳ１６において、改質領域ＭＡの大きさが予め定められた許容範囲内であるか否かの判断が行われる。許容範囲内である場合には、改質領域ＭＡが適切に形成されていると判断され、ステップＳ１２へ戻る。そして次の走査が行われる。
一方、改質領域ＭＡの大きさが許容範囲よりも小さい場合（Ｓ１６：小さい）には、ステップＳ１７へ進む。ステップＳ１７では、空間光変調器２３を調整することで、各集光点におけるパルスエネルギを変化させることなく、集光点の数を増加させる。そしてステップＳ１２へ戻り、次の走査が行われる。これにより、次回以降の走査において、改質領域ＭＡに与えられるエネルギの積算量を増加させることができるため、改質領域ＭＡの大きさを拡大することが可能となる。
また、改質領域ＭＡの大きさが許容範囲よりも大きい場合（Ｓ１６：大きい）には、ステップＳ１８へ進む。ステップＳ１８では、空間光変調器２３を調整することで、各集光点におけるパルスエネルギを変化させることなく、集光点の数を減少させる。そしてステップＳ１２へ戻り、次の走査が行われる。これにより、次回以降の走査において、改質領域ＭＡに与えられるエネルギの積算量を減少させることができるため、改質領域ＭＡの大きさ縮小することが可能となる。
なお、集光点の増加数や減少数は、１つに限られない。例えば、測定された改質領域ＭＡの大きさと許容範囲との差分値に応じて、２つ以上増減してもよい。
全ての走査線の走査が完了すると、ステップＳ１３において終了判断され（Ｓ１３：ＹＥＳ）、ステップＳ１９へ進む。
ステップＳ１９において、最上層の改質層が形成されたか否かを判断する。否定判断される場合（Ｓ１９：ＮＯ）には、Ｓ２０へ進み、Ｋ＋１層目の改質層ＬＫ＋１を形成する深さに集光点Ｐが移動するように、ステージ１２を－Ｚ方向へ移動させる。そしてＳ１２へ戻り、次の改質層ＬＫ＋１を形成する。これにより、改質層Ｌ１～Ｌ４が下から順番に１層ずつ形成されていく。すなわち、表面３０ｓから最も深い位置にある改質層Ｌ１から、最も浅い位置にある改質層Ｌ４までを順番に１つずつ形成する。これにより、先に形成した改質層の存在によって、その後の改質層の形成が妨げられないようにすることができる。
そして最上層の改質層Ｌ４が形成された場合には、ステップＳ１９において肯定判断（Ｓ１９：ＹＥＳ）され、ステップＳ１０の照射工程が終了し、ステップＳ３０へ進む。
ステップＳ３０の分離工程では、熱や応力をインゴット３０に印加することにより、改質層Ｌ１～Ｌ４に多数形成されている改質領域ＭＡから伸びるクラックを面内方向に進展させる。これにより、改質層Ｌ１～Ｌ４が形成されていた位置を境界として、インゴットの基板層３１～３５を互いに分離することができる。
ステップＳ４０の研磨工程へ進み、分離された基板層３１～３５の各々について、表面および裏面を研磨する。これにより、ダメージ層を除去するとともに、平坦化することができる。研磨工程は、例えばＣＭＰ（化学的機械的研磨法）を用いて行われてもよい。
（効果）
分離により形成された基板表面の平坦度を高めるために、改質領域ＭＡの巨大化が検討されている。レーザの１回照射により改質領域ＭＡを形成するような従来技術では、改質領域ＭＡの巨大化のためには、レーザ出力を高める（与えるエネルギを大きくする）必要がある。しかし１回の照射で与えるエネルギを大きくすると、ガリウムの大量析出や、析出位置の上昇などが発生しやすくなる。これは、クラックの発生や、基板表面の平坦度の悪化の原因となってしまう。本明細書の基板製造装置では、図４で説明したように、複数の集光点によって複数回の照射に分けて、エネルギを与えることができる。１回の照射でエネルギを与える場合に比して、与えるエネルギの総量を同等以上としながら、１回の照射当たりのエネルギを低減することができる。従って、複数の集光点の各々のエネルギを、ガリウム大量析出が発生しない程度に低減することができる。そして、複数の集光点によって同一地点に繰り返しエネルギを与えることで、改質領域ＭＡを徐々に形成することができる。ガリウムの大量析出や析出位置の上昇などを抑制しながら、改質領域ＭＡを巨大化することが可能となる。
従来技術においても、パルスレーザを同一の照射点に所定回数照射したら、次の照射点に移動させる、というテーブルの制御を行えば、複数回の照射によって改質領域ＭＡを形成することができる。しかし一般的には、そのようなテーブルの位置制御は困難である。例えば本実施例のように、パルス周期が０．０２ｍｓ、照射点間のピッチが５μｍ、１つの照射点あたり６回のパルスレーザを照射する場合を考える。この場合、０．１ｍｓ経過するごとに、５μｍ移動するようにテーブルを繰り返し制御する必要がある。また移動時間は０．０２ｍｓである。このような位置制御は困難であるとともに、振動や位置ずれも発生してしまう。一方、本明細書の基板製造装置では、テーブルは一定速度で移動させればよい。テーブルを一定速度に制御することは、前述したような繰り返し制御に比して、十分に位置精度を高めることができる。従って、同一照射点への複数回のレーザ照射を、高精度に行うことが可能となる。
複数回のレーザ照射に分けてＧａＮにエネルギを与える場合には、前述したように、微小な改質領域ＭＡ（改質領域ＭＡの種）を形成する種形成ステップと、形成された改質領域ＭＡを拡大する拡大ステップと、に分けて加工することができる。また、１回のレーザ照射で与えられるエネルギが、あるエネルギ閾値を超えると、ガリウムの大量析出や析出位置の上昇などが発生しやすくなる場合がある。そして、エネルギ閾値が、種形成ステップと拡大ステップとの両方において同等である場合が存在する。この場合、集光点Ｐ１～Ｐ６のパルスエネルギを等しくすればよい（第１のエネルギ設定）。これにより、６回に分けて与えられるエネルギの各々を等しくすることができる。ガリウムの大量析出等を抑制することが可能となる。また、エネルギ閾値が、種形成ステップよりも拡大ステップの方が高い場合も存在する。例えば、改質領域ＭＡの種を形成するまでは不安定な状態であるが、改質領域ＭＡの種が形成されてしまえば変化が安定する場合である。この場合、進行方向ＴＤの前側の集光点のパルスエネルギを、進行方向ＴＤの後側の集光点のパルスエネルギよりも小さくすればよい（第２のエネルギ設定）。これにより、前半の種形成ステップよりも後半の拡大ステップにおいて、ピーク出力を大きくすることができる。効率よく改質領域ＭＡを拡大することが可能となる。また、エネルギ閾値が、拡大ステップよりも種形成ステップの方が高い場合も存在する。例えば、改質領域ＭＡの拡大よりも、改質領域ＭＡの種を形成する方が高いエネルギを必要とする場合である。この場合、進行方向ＴＤの前側の集光点のパルスエネルギを、進行方向ＴＤの後側の集光点のパルスエネルギよりも大きくすればよい（第３のエネルギ設定）。これにより、後半の拡大ステップよりも前半の種形成ステップにおいて、ピーク出力を大きくすることができる。効率よく改質領域ＭＡの種を形成することが可能となる。
本明細書の基板製造装置では、１つの改質層の形成中に、改質領域ＭＡの大きさを測定することができる（図５、ステップＳ１５）。そして、改質領域ＭＡの大きさが許容範囲よりも小さい場合には、集光点の数を増加させることで、改質領域ＭＡに与えられるエネルギの積算量を増加させることができる（ステップＳ１７）。一方、改質領域ＭＡの大きさが許容範囲よりも大きい場合には、集光点の数を減少させることで、改質領域ＭＡに与えられるエネルギの積算量を減少させることができる（ステップＳ１８）。ｉｎ－ｓｉｔｕのフィードバック制御により、適切な大きさの改質領域ＭＡを形成することが可能となる。
実施例２の基板製造装置１ａ（図７）は、実施例１の基板製造装置１（図１）に比して、複数のレーザ光源２１ａおよび２２ａを備えている点が異なっている。実施例１の基板製造装置１と共通する部位には同一の符号を付すことで、説明を省略する。
照射部１３ａはレーザ光源２１ａおよび２２ａを備えている。レーザ光源２１ａから出力されるパルスレーザＰＬ１を変調することによって、集光点Ｐ１～Ｐ３が形成されている。レーザ光源２２ａから出力されるパルスレーザＰＬ２を変調することによって、集光点Ｐ４～Ｐ６が形成されている。パルスレーザＰＬ１とパルスレーザＰＬ２とは、発振周波数および波長は同一であるが、パルス幅が異なっている。従って、集光点Ｐ１～Ｐ３と集光点Ｐ４～Ｐ６とは、パルス幅が異なっている。また空間光変調器２３は、集光点Ｐ１～Ｐ６の各々のパルスエネルギが同一となるように、パルスレーザＰＬ１およびＰＬ２を変調している。
パルス幅は様々に設定することが可能である。例えば、集光点Ｐ１～Ｐ６のパルス幅を等しくしてもよい（第１のパルス幅設定）。進行方向ＴＤの前側の集光点Ｐ１～Ｐ３のパルス幅を、後側の集光点Ｐ４～Ｐ６のパルス幅よりも小さくしてもよい（第２のパルス幅設定）。集光点Ｐ１～Ｐ３のパルス幅を、集光点Ｐ４～Ｐ６のパルス幅よりも大きくしてもよい（第３のパルス幅設定）。ピーク出力［Ｗ］はパルスエネルギ［Ｊ］をパルス幅［ｓ］で除して算出されるため、パルスエネルギが一定の場合には、パルス幅を小さくするほどピーク出力を大きくすることができる。
（効果）
前述したように、１回のレーザ照射で与えられるエネルギがエネルギ閾値を超えると、ガリウムの大量析出などが発生しやすくなる。そして、エネルギ閾値が、種形成ステップと拡大ステップとの両方において同等である場合が存在する。この場合、集光点Ｐ１～Ｐ６のパルス幅を等しくすればよい（第１のパルス幅設定）。これにより、６回に分けて与えられるエネルギの各々を等しくすることができる。
また、エネルギ閾値が、拡大ステップよりも種形成ステップの方が高い場合も存在する。この場合、進行方向ＴＤの前側の集光点Ｐ１～Ｐ３のパルス幅を、後側の集光点Ｐ４～Ｐ６のパルス幅よりも小さくすればよい（第２のパルス幅設定）。これにより、後半の拡大ステップよりも前半の種形成ステップにおいて、ピーク出力を大きくすることができる。効率よく改質領域ＭＡの種を形成することが可能となる。
また、エネルギ閾値が、種形成ステップよりも拡大ステップの方が高い場合も存在する。この場合、前側の集光点Ｐ１～Ｐ３のパルス幅を後側のＰ４～Ｐ６のパルス幅よりも大きくすればよい（第３のパルス幅設定）。これにより、前半の種形成ステップよりも後半の拡大ステップにおいて、ピーク出力を大きくすることができる。効率よく改質領域ＭＡを拡大することが可能となる。
パルスレーザを同一の照射点に所定回数照射する際に、パルス幅を変化させることは、困難である。例えば本実施例のように、パルス周期が０．０２ｍｓ、１つの照射点あたり６回のパルスレーザを照射する場合を考える。この場合、０．１ｍｓの周期でパルス幅を変化させる必要があるが、このような制御をレーザ光源に行うことは難しい。一方、本実施例の基板製造装置１ａでは、パルス幅の異なる複数のレーザ光源を備えればよい。これにより、互いに異なるパルス幅を備えた複数の集光点を、同一照射点に照射することが可能となる。
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
（変形例）
実施例２において、レーザ光源２１ａと２２ａとでパルス幅を異ならせる場合を説明したが、この形態に限られず、様々なパラメータを異ならせてもよい。例えば、レーザ光源２１ａと２２ａとで、波長を異ならせてもよい。波長を異ならせることにより、ＧａＮの吸収係数を異ならせることが可能となる。なお、ＧａＮは３６２ｎｍよりも短波長のレーザを吸収するため、この波長よりも長い波長とする必要がある。波長は様々に設定することが可能である。例えば、集光点Ｐ１～Ｐ６の波長を等しくしてもよい（第１の波長設定）。進行方向ＴＤの前側の集光点Ｐ１～Ｐ３の波長を、後側の集光点Ｐ４～Ｐ６の波長よりも大きくしてもよい（第２の波長設定）。集光点Ｐ１～Ｐ３の波長を、集光点Ｐ４～Ｐ６の波長よりも小さくしてもよい（第３の波長設定）。なお、何れの波長設定を用いるかについては、波長に対するＧａＮの吸収係数の変化に応じて、適宜に定めることができる。
本明細書では、複数の集光点の中で、パルスエネルギ、パルス幅、波長の何れか１つを異ならせる場合を説明したが、この形態に限られない。パルスエネルギ、パルス幅、波長のうちの２つ以上を異ならせてもよい。例えば、集光点Ｐ１～Ｐ３のパルスエネルギを集光点Ｐ４～Ｐ６のパルスエネルギよりも小さくするとともに、集光点Ｐ１～Ｐ３のパルス幅を集光点Ｐ４～Ｐ６のパルス幅よりも大きくしてもよい。これにより、前半の種形成ステップよりも後半の拡大ステップにおいて、ピーク出力を大きくすることができる。
また、複数の集光点の中で異ならせるパラメータは、パルスエネルギ、パルス幅、波長に限られず、様々であってよい。例えば、パルス波形を異ならせてもよい。
本明細書に記載の技術は、窒化ガリウム（ＧａＮ）に限らず、様々な化合物半導体の基板形成に適用することが可能である。例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や窒化インジウム（ＩｎＮ）など、他の種類の窒化物半導体の基板の形成に適用することができる。
本明細書に記載した以下の数値は例示であり、この値に限定されない。すなわち、図３の走査線ＳＬ１～ＳＬ６の本数は一例である。図６における改質層や基板層の数は、一例である。パルスレーザの周期、所定ピッチＰＰ、ピーク出力の値は、一例である。実施例２の基板製造装置１ａ（図７）において、レーザ光源の数は２つに限られず、３つ以上であってもよい。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
１、１ａ：基板製造装置 １１：ステージ駆動部 １２：ステージ １３：照射部 １４：測定部 １５：制御部 ２１：レーザ光源 ２３：空間光変調器 ２４：集光レンズ ３０：インゴット ＭＡ：改質領域 Ｐ１～Ｐ６：集光点 ＰＰ：所定ピッチ

Claims (13)

  1. 半導体基板を配置可能なステージと、
    前記ステージに配置された前記半導体基板に所定パルス周期のパルスレーザを照射可能な照射部と、
    前記ステージと前記照射部との相対位置を制御可能な制御部と、
    を備える基板製造装置であって、
    前記照射部は、所定ピッチで直線上に並んでいる複数の集光点を生成することが可能であり、
    前記制御部は、前記ステージと前記照射部との相対位置を、前記複数の集光点が並んでいる直線と並行に所定速度で移動させることが可能であり、
    前記所定速度は、前記複数の集光点が前記所定パルス周期の１周期で移動する距離が前記所定ピッチと同一となる速度である、基板製造装置。
  2. 前記照射部は複数のレーザ光源を備えており、
    前記複数のレーザ光源によって前記複数の集光点が生成されている、請求項１に記載の基板製造装置。
  3. 前記複数の集光点のうちの一部の集光点のパルスエネルギが、他の集光点のパルスエネルギと異なっている、請求項１または２に記載の基板製造装置。
  4. 前記複数の集光点のうち、前記制御部によって前記複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点のパルスエネルギが、進行方向の後側の集光点のパルスエネルギよりも小さい、請求項３に記載の基板製造装置。
  5. 前記複数の集光点のうち、前記制御部によって前記複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点のパルスエネルギが、進行方向の後側の集光点のパルスエネルギよりも大きい、請求項３に記載の基板製造装置。
  6. 前記複数の集光点のうちの一部の集光点のパルス幅が、他の集光点のパルス幅と異なっている、請求項１～５の何れか１項に記載の基板製造装置。
  7. 前記複数の集光点のうち、前記制御部によって前記複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点のパルス幅が、進行方向の後側の集光点のパルス幅よりも小さい、請求項６に記載の基板製造装置。
  8. 前記複数の集光点のうち、前記制御部によって前記複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点のパルス幅が、進行方向の後側の集光点のパルス幅よりも大きい、請求項６に記載の基板製造装置。
  9. 前記複数の集光点のうちの一部の集光点の波長が、他の集光点の波長と異なっている、請求項１～８の何れか１項に記載の基板製造装置。
  10. 前記複数の集光点のうち、前記制御部によって前記複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点の波長が、進行方向の後側の集光点の波長よりも大きい、請求項９に記載の基板製造装置。
  11. 前記複数の集光点のうち、前記制御部によって前記複数の集光点が移動する進行方向の前側の集光点の波長が、進行方向の後側の集光点の波長よりも小さい、請求項９に記載の基板製造装置。
  12. 前記複数の集光点によって前記ステージ上の前記半導体基板に形成された改質領域を測定する測定部をさらに備え、
    前記照射部は、前記測定部による測定結果に応じて、前記複数の集光点の数を制御する、請求項１～１１の何れか１項に記載の基板製造装置。
  13. 前記測定部は、前記改質領域の大きさを測定可能であり、
    前記照射部は、前記改質領域の大きさが小さいほど前記複数の集光点の数が多くなるように制御する、請求項１２に記載の基板製造装置。
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KR100813350B1 (ko) * 2004-03-05 2008-03-12 올림푸스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
JP6091084B2 (ja) * 2012-05-18 2017-03-08 株式会社アマダミヤチ レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP6594699B2 (ja) * 2015-08-18 2019-10-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置
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