JP2022128838A - 電力供給装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電流の回り込みを防止できる、電力供給装置を提供する。【解決手段】電源１０の電力を負荷２０に供給する電力供給装置であって、電源１０と負荷２０との間に接続される遮断器と、信号発生器及び接続回路２０２を有し、信号線４０を介して負荷２０に接続される電装品２００とを備え、接続回路２０２は、信号発生器により発生された信号を、信号線４０を介して負荷２０に出力し、遮断器の下流側から動作電圧をとる。【選択図】 図３

Description

本発明は、電力供給装置、電源制御装置、及び電装品に関するものである。

電源と負荷との間に接続された半導体スイッチを備えた車両用電源供給装置が知られている。この車両電源制御装置は、半導体スイッチに並列に接続され、半導体スイッチを迂回して電源から負荷へ電源を供給するバイパス回路と、バイパス回路に設けられたＰＴＣ素子と、半導体スイッチの開閉および異常な電流を検出する機能を有する制御部とを備えている。半導体スイッチと負荷との間は、制御部を介して信号線で接続されている。そして、電源と負荷間の電線において、異常電流が発生した場合には、ＰＴＣ素子に異常電流が流れることによって瞬間的に発熱し、ＰＴＣ自体の電気抵抗が大きくなり、瞬時に電流を遮断し、電線の保護を図る（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１０－３６６４６号

上記の技術では、異常電流が発生した場合に、ＰＴＣ素子によりパイパス回路に流れる電流は遮断されるが、電源から半導体スイッチ及び制御部を介して負荷までの電流経路が遮断されず、信号線から負荷に電流が流れる回り込みが生じるおそれがある。

本発明が解決しようとする課題は、電流の回り込みを防止できる、電力供給装置、電源制御装置、及び電装品を提供することである。

［１］本発明に係る電力供給装置は、電源と負荷との間に接続される遮断器と、信号発生器及び接続回路を有し、信号線を介して負荷に接続されている電装品とを備え、接続回路は、信号発生器により発生された信号を、信号線を介して負荷に出力し、遮断器の下流側から動作電圧をとる。
［２］上記発明において、電装品は遮断器を含む。
［３］上記発明において、電源に接続される電力供給線を備え、遮断器は、所定以上の電流が流れた場合に溶断するヒューズであり、複数の電力供給線のうち一の電力供給線は、遮断器を介して負荷に接続され、複数の電力供給線のうち他の電力供給線は電装品に接続される。
［４］本発明に係る電源制御装置は、負荷に電力を供給する電源を制御する電源制御装置であって、電源と負荷との間に接続される半導体スイッチと、信号発生器と、信号発生器と負荷との間を接続する信号線に接続される接続回路とを備え、接続回路は、信号発生器により発生された信号を、信号線を介して負荷に出力し、半導体スイッチの下流側から動作電圧をとる。
［５］本発明に係る電装品は、信号を発生する信号発生器と、信号発生器と負荷との間を、信号線で電気的に接続する接続回路と備え、接続回路は、信号発生器により発生された信号を、信号線を介して負荷に出力し、電源と負荷との間に接続された遮断器の下流側から動作電圧をとる。

本発明によれば、遮断器が遮断されると、信号線に接続される接続回路が停止するため、信号線から負荷に流れる電流が遮断され、回り込みを防止できる。

図１は、本発明の一実施の形態に係る電力供給システムを示すブロック図である。 図２は、変形例に係る電力供給システムを示すブロック図である。 図３は、本発明の他の実施の形態に係る電力供給システムを示すブロック図である。 図４は、変形例に係る電力供給システムを示すブロック図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

＜第１実施形態＞
図１は本実施形態における電力供給システムを示すブロック図である。本実施形態における電力供給システムは、バッテリなどの電源から出力される電力を、負荷に供給するシステムである。電力供給システムは、例えば電気自動車等の車両に搭載されており、車両に設けられたバッテリの電力を、ランプ、パワーウィンド、ナビゲーションシステム、又は、エアーコンデョナ等の負荷に供給する。この電力供給システムは、図１に示すように、電源１０、負荷２０、電力供給線３０、信号線４０、ヒューズ５０、及び電源制御装置１００を備えている。

電源１０は、例えば、車両に搭載される直流電源である、このような電源１０としては、鉛電池、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池等の２次電池（バッテリ）や、電気二重層キャパシタ等を用いることができる。

電源１０は、電力供給線３０を介して負荷２０に対して電力を供給している。負荷２０は、負荷回路２１、ダイオード２２、及びバッファ回路２３を有している。負荷回路２１は、等価的に電気抵抗成分と電気容量成分とを含んで構成されている。ダイオード２２は、信号線４０を通るノイズをカットするために設けられている。バッファ回路２３は、ＣＰＵ１０１で発生する信号だけを負荷回路２１に伝達するための回路であって、ボルテージフォロア等の回路で構成されている。

電源１０と負荷２０との間は、電力供給線３０で接続されている。電力供給線３０は、電源１０の電力を負荷２０に供給するための配線である。電力供給線３０の形状（主に配線系）は、電源１０から負荷２０に流れる電流の許容値に応じて設計されている。信号線４０は、ＣＰＵ１０１で発生する信号を負荷２０に流すための配線である。信号線４０は、ＣＰＵ１０１と負荷２０との間に接続されている。なお、電力供給線３０及び信号線４０は束になりハーネスとして構成されていてもよい。

ヒューズ５０は、所定の定格以上の電流が流れた場合に溶断され、電源１０から電源制御装置１００及び負荷２０への電力供給を遮断する。ヒューズ５０は、電源１０と電源制御装置１００との間で、電力供給線３０に接続されている。

電源制御装置１００は、電源１０と負荷２０との間の電気的な導通と遮断とを切り替えるスイッチング機能（ドライブ機能）を有している。電源制御装置１００は、電源１０と負荷２０との間に接続されている。電源制御装置１００は、ＣＰＵ１０１、半導体スイッチ１０２、及び接続回路１０３を備えている。

ＣＰＵ１０１は、負荷２０に信号を発信する信号発生回路を有しており、負荷２０を制御する演算処理装置である。ＣＰＵ１０１は電力供給線３０に接続されている。ＣＰＵ１０１は、電源１０から動作電圧をとるために、電源レギュレータを有してもよい。電源レギュレータは、電圧変換回路で構成されており、電源１０からの出力電圧を、ＣＰＵ１０１を動作させるための弱電電圧に変換する。ＣＰＵ１０１は、信号線４０と接続回路１０３を介して負荷２０に接続されている。また、ＣＰＵ１０１はアースに接地されている。なお、ＣＰＵ１０１と電力供給線３０との間には、フィルタ等の他の回路が接続されてもよい。

半導体スイッチ１０２は、電力供給線３０に接続されており、電源１０と負荷２０との間の電気的な導通と遮断を切り替え、いわゆる半導体ヒューズである。半導体スイッチ１０２には、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の半導体素子を用いることができる。本実施形態では、ＰＮＰトランジスタを用いているが、ＮＰＮトランジスタでもよい。

半導体スイッチ１０２は、エミッタ端子と、コレクタ端子と、ベース端子とを有している。半導体スイッチ１０２のエミッタ端子は、電力供給線３０及びヒューズ５０を介して電源１０に接続されている。半導体スイッチ１０２のコレクタ端子は、接続回路１０３及び負荷２０に接続されている。半導体スイッチ１０２は、ＣＰＵ１０１から出力されるスイッチング信号によりオン、オフを切り替える。電源制御装置１００は、半導体スイッチ１０２のエミッタ－コレクタ間の電流をセンサ（図示しない）により検出する。センサの電流検出値はＣＰＵ１０１に出力される。ＣＰＵ１０１には、電力供給線３０を流れる電流の上限値が電流閾値として設定されている。電流閾値は、例えば電力供給線３０の許容電流より低い値に設定されている。そして、ＣＰＵ１０１は、センサの電流検出値が電流閾値以上になった場合には、半導体スイッチ１０２をオンからオフに切り替えるためのスイッチング信号を半導体スイッチ１０２に出力する。半導体スイッチ１０２は、オンからオフに切り替わる。これにより、本実施形態に係る電源制御装置１００は、過電流が半導体スイッチ１０２、負荷２０又は電力供給線３０に流れることを防止できる。

半導体スイッチ１０２は、ＩＰＤ（Intelligent Power Device）等のＩＣにより構成されてもよい。以下、半導体スイッチ１０２をＩＰＤで構成した場合の例を説明する。半導体スイッチ１０２は、トランジスタ、駆動回路、制御回路、電流検出回路等を含んだモジュールで構成されている。半導体スイッチ１０２は、自己診断機能と、負荷２０、電力供給線３０、及び信号線４０を保護する保護機能とを有している。

半導体スイッチ１０２は、例えば以下の要領で自己診断を行う。半導体スイッチ１０２は、エミッタ－コレクタ間の電流を検出する機能を有している。半導体スイッチ１０２は、スイッチをオンにするためのスイッチング信号を受信し、スイッチをターンオンした後に、エミッタ－コレクタ間の電流特性を検出する。例えば、半導体スイッチ１０２のオープン故障が発生している場合には、エミッタ－コレクタ間の検出電流がゼロ又はゼロに近い値で推移するため、エミッタ－コレクタ間の電流特性からオープン故障を特定できる。すなわち、半導体スイッチ１０２は、エミッタ－コレクタ間の検出電流から、半導体スイッチ１０２がスイッチング信号で示される指令どおりに動作しているか否かを判定する。そして、半導体スイッチ１０２が指令どおりに動作していない場合には、異常が生じていると判定する。これにより自己診断機能が実行される。なお、半導体スイッチ１０２は、温度センサを有する場合には、温度センサの検出値を用いて、半導体スイッチ１０２の過熱による異常を診断してもよい。

半導体スイッチ１０２は、例えば以下の要領で保護機能を実行する。半導体スイッチ１０２は、エミッタ－コレクタ間の電流を検出し、予め設定された電流閾値と検出された電流を比較する。電流閾値は、半導体スイッチ１０２、電力供給線３０、及び負荷２０に許容される電流の上限値を示している。そして、検出された電流が電流閾値以上である場合には、半導体スイッチ１０２は、エミッタ－コレクタ間をオフにして、半導体スイッチ１０２等に異常電流が流れないようにする。一方、検出された電流が電流閾値より低い場合には、半導体スイッチ１０２は、エミッタ－コレクタ間をオン状態で維持する。これにより、半導体スイッチ１０２は、保護機能を実行する。

接続回路１０３は、信号線４０に接続されており、ＣＰＵ１０１で発生された信号を、信号線４０を介して負荷２０に出力する。また、接続回路１０３は、ＣＰＵ１０１で発生された信号を負荷２０に出力するか否かを切り替えるスイッチング機能も有している。つまり、接続回路１０３は、ＣＰＵ１０１と負荷２０とをつなげるための中継回路である。図１に示すように、接続回路１０３は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦＥＴを対にして接続し、ゲートドライブで駆動するよう構成されている。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦＥＴはゲート同士で接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン端子は接続点Ｐで電力供給線３０に接続され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのソース端子とＮチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン端子が互いに接続され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのソース端子はアースに接地されている。接続点Ｐは、半導体スイッチ１０２の下流側に位置し、半導体スイッチ１０２の低電位側の端子に接続されている電力供給線３０上に位置する。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦＥＴは、信号線４０でＣＰＵ１０１に接続されており、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのソース端子とＮチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン端子との接続点は、信号線４０を介して負荷２０に接続されている。

接続回路１０３は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン端子の電位をＰチャネルＭＯＳＦＥＴのソース端子より高くした状態で、ゲート電圧が加わると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴがオンになり、ＣＰＵ１０１からの信号が接続回路１０３を介して負荷２０に出力される。このとき、接続回路１０３を動作させるためには、半導体スイッチ１０２がオンになっている必要がある。一方、半導体スイッチ１０２がオフになっているときには、接続回路１０３のＰチャネルＭＯＳＦＥＴには、ドレイン電圧が加わっていない状態となる。この状態では、ＣＰＵ１０１からゲート信号が接続回路１０３に入力したとしても、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴはオンにならず、接続回路１０３は動作しない。このように、接続回路１０３は、半導体スイッチ１０２の下流側から動作電圧をとっており、半導体スイッチ１０２のターンオフと連動して、接続回路１０３のスイッチング動作が停止するように構成されている。なお、接続回路１０３に含まれる回路素子は、ＭＯＳＦＥＴに限らず、ゲート抵抗又はプルアップ抵抗等を有していてもよい。また接続回路１０３の回路構成は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦＥＴとを対に接続した構成にかぎらず、少なくとも半導体スイッチ１０２の下流側から動作電圧をとる回路であれば、他の回路構成でもよい。

次に、接続回路１０３の動作について説明する。図２は、変形例に係る電力供給システムを示すブロック図である。変形例に係る電力供給システムにおいて、接続回路１０３のＰチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン端子は、半導体スイッチ１０２の上流側に位置する電力供給線３０とＣＰＵ１０１との間を接続する配線に接続されている。つまり、接続回路１０３は、半導体スイッチ１０２の上流側から動作電圧をとっている。

変形例に係る電力供給システムにおいて、例えば異常電流が負荷２０に流れ、半導体スイッチ１０２が、負荷２０を保護するために、オフになったとする。半導体スイッチ１０２から負荷２０に流れる電流は遮断されるため、負荷２０を保護できる。変形例に係る電源制御装置１００では、接続回路１０３は、半導体スイッチ１０２の上流側から動作電圧をとっている。そのため、異常電流を検出し半導体スイッチ１０２がオフになったとしても、電源１０の電圧が接続回路１０３に供給される。そして、ＣＰＵ１０１が信号線４０を介して負荷２０に接続されているため、電源１０から出力された電流が、接続回路１０３から負荷２０に流れる、いわゆる回り込みが発生する。そして電流の回り込みにより電力が供給された場合に、負荷２０には使用範囲外の電圧が供給されるおそれがあり、誤動作等を引き起こす可能性がある。

一方、本実施形態に係る電力供給システムでは、半導体スイッチ１０２から接続回路１０３に電源を供給する回路構成とするため、例えば、異常電流の検出時に、半導体スイッチ１０２がオフになると、接続回路１０３は停止する。そのため、電流が接続回路１０３から信号線４０を介して負荷２０に流れ込む、電流の回り込みを防止できる。すなわち、半導体スイッチ１０２がオフになると、電源制御装置１００の内部と負荷２０が接続回路１０３で隔てて電気的に分離される。そのため、電源制御装置１００の接続先となる負荷２０の仕様に関わらず、回り込みを防止できる。

以上のように、本実施形態では、電源１０と負荷２０との間に接続される半導体スイッチ１０２と、信号を発生するＣＰＵ１０１と、ＣＰＵ１０１と負荷２０との間を接続する信号線４０に接続される接続回路１０３を備えている。接続回路１０３は、ＣＰＵ１０１で発生された信号を、信号線４０を介して負荷２０に出力し、半導体スイッチ１０２の下流側から動作電圧ととる。これにより、半導体スイッチ１０２が電力供給を遮断した場合に、接続回路１０３も停止するため、電流が接続回路１０３から信号線４０を介して負荷２０に流れ込む電流の回り込みを防止できる。そして、接続回路１０３の前後を電気的に分離できるため、電源制御装置１００の接続先の回路仕様や制御仕様に依存せずに、電流の回り込みを防止できる。

なお、本実施形態において、半導体スイッチ１０２は、必ずしも電源制御装置１００内に設ける必要はなく、電源制御装置１００の外部に設けられてもよい。また、電源制御装置１００の代わりに、半導体スイッチ１０２と、信号発生器及び接続回路１０３を有する電装品を用いてもよい。電装品について、以下説明する。電装品に含まれる信号発生器はＣＰＵ１０１に相当し、少なくとも信号を発生する機能を有していればよい。そして、半導体スイッチ１０２と、電装品に含まれる信号発生器及び接続回路１０３との接続形態は、図１と同様である。そして、信号発生器及び接続回路１０３を有する電装品は信号線４０を介して負荷２０に接続されており、接続回路１０３は、信号発生器により発生された信号を、信号線４０を介して負荷２０に出力する。さらに、接続回路１０３は、半導体スイッチ１０２の下流側から動作電圧をとる。半導体スイッチ１０２がオフになると、接続回路１０３は停止する。電装品と負荷２０との間は、信号線４０により接続されているが、接続回路１０３が停止することで、電装品と負荷２０との間が接続回路１０３で隔てて電気的に分離される。これにより、電流の回り込みを防止できる。

なお、ＣＰＵ１０１で発生する信号は、必ずしも負荷２０を制御するための信号である必要はなく、例えば、負荷２０の先に接続された別の負荷を制御するための信号であってもよい。またＣＰＵ１０１は電源１０以外の電源から動作電圧を得てもよい。また、半導体スイッチ１０２は、ＣＰＵ１０１に限らず、他の制御装置により制御されてもよい。

本実施形態におけるＣＰＵ１０１が本発明の「信号発生器」の一例に相当し、本実施形態における半導体スイッチ１０２が本発明の「遮断器」又は「半導体スイッチ」の一例に相当し、本実施形態における接続回路１０３が本発明の「接続回路」の一例に相当し、本実施形態における電源制御装置１００が本発明の「電源制御装置」又は「電装品」の一例に相当する。

＜第２実施形態＞
本発明の他の実施形態を説明する。本実施形態では第１実施形態に対して、半導体スイッチ１０２の代わりに、ヒューズ５１を設ける点が異なる。なお、上述の実施形態と同様の構成には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略して、上述の実施形態においてした説明を援用する。

図３は、本発明の他の実施の形態に係る電力供給システムを示すブロック図である。ヒューズ５１は、所定の定格以上の電流が流れた場合に溶断され、電源１０から負荷２０への電力供給を遮断する。ヒューズ５１は、電源１０と負荷２０との間を接続する電力供給線３１に接続されている。ヒューズ５２は、所定の定格以上の電流が流れた場合に溶断され、電源１０から電装品２００への電力供給を遮断する。ヒューズ５２は、電源１０と電装品２００との間を接続する電力供給線３２に接続されている。電源１０の正極に接続された電力供給線はヒューズ５１の上流側で分岐しており、分岐された複数の電力供給線のうち一方の電力供給線３１はヒューズ５１を介して負荷２０に接続されており、他方の電力供給線３２はヒューズ５２を介して電装品２００に接続されている。

電装品２００は、負荷２０に接続され信号の授受を行う車載電装品である。電装品２００は、ＣＰＵ２０１と接続回路２０２を備えている。

ＣＰＵ２０１は、負荷２０に信号を発信する信号発生回路を有しており、負荷２０を制御する演算処理装置である。ＣＰＵ２０１は電力供給線３２を介してヒューズ５２に接続されている。ＣＰＵ２０１の構成は、第１実施形態におけるＣＰＵ１０１の構成と同様である。

接続回路２０２は、信号線４０に接続されており、ＣＰＵ２０１で発生された信号を、信号線４０を介して負荷２０に出力する。接続回路２０２の構成は、接続回路１０３の構成と同様である。接続回路２０２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン端子は接続点Ｐで電力供給線３１に接続されている。

接続回路２０２は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン端子の電位をＰチャネルＭＯＳＦＥＴのソース端子より高くした状態で、ゲート電圧が加わると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴがオンになり、ＣＰＵ２０１からの信号が接続回路２０２を介して負荷２０に出力される。このとき、接続回路２０２を動作させるためには、ヒューズ５１が溶断しておらず、電源１０から接続回路２０２に電源を供給する必要がある。一方、ヒューズ５１が溶断しているときには、接続回路１０３のＰチャネルＭＯＳＦＥＴには、ドレイン電圧が加わっていない状態となる。この状態では、ＣＰＵ２０１からゲート信号が接続回路２０２に入力したとしても、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴはオンにならず、接続回路２０２は動作しない。このように、接続回路２０２は、ヒューズ５１の下流側から動作電圧をとっており、ヒューズ５１の溶断と連動して、接続回路１０３のスイッチング動作が停止するように構成されている。なお、接続回路２０２に含まれる回路素子は、ＭＯＳＦＥＴに限らず、ゲート抵抗又はプルアップ抵抗等を有していてもよい。また接続回路２０２の回路構成は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦＥＴとを対に接続した構成にかぎらず、少なくともヒューズ５１の下流側から動作電圧をとる回路であれば、他の回路構成でもよい。

次に、接続回路２０２の動作について説明する。図４は、変形例に係る電力供給システムを示すブロック図である。変形例に係る電力供給システムにおいて、接続回路２０２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン端子は、電力供給線３２に接続されている。つまり、接続回路２０２は、電源１０から負荷２０へ電源を供給するラインとは別のラインから動作電圧をとっている。

変形例に係る電力供給システムにおいて、異常電流が電力供給線３１に流れ、ヒューズ５１に定格以上の電流が流れ、ヒューズ５１が溶断したとする。ヒューズ５１から負荷２０に流れる電流は遮断されるため、負荷２０を保護できる。変形例に係る電装品２００では、接続回路２０２は、ヒューズ５１の下流側とは別のところから動作電圧をとっている。そのため、異常電流が流れヒューズ５１が溶断したとしても、電源１０の電圧が接続回路２０２に供給される。そして、ＣＰＵ２０１が信号線４０を介して負荷２０に接続されているため、電源１０から出力された電流が、接続回路２０２から負荷２０に流れる、電流の回り込みが発生する。

一方、本実施形態に係る電力供給システムでは、ヒューズ５１から接続回路２０２に電源を供給する回路構成とするため、異常電流が流れヒューズ５１が溶断すると、接続回路２０２は停止する。そのため、電流が接続回路２０２から信号線４０を介して負荷２０に流れ込む、電流の回り込みを防止できる。すなわち、ヒューズ５１が溶断すると、電装品２００の内部と負荷２０が接続回路２０２で隔てて電気的に分離される。そのため、電装品２００の接続先となる負荷２０の仕様に関わらず、回り込みを防止できる。

以上のように、本実施形態では、電源１０と負荷２０との間に接続されるヒューズ５１と、ＣＰＵ２０１と接続回路２０２を有し、信号線４０を介して負荷に接続されている電装品２００とを備えている。接続回路２０２は、ＣＰＵ２０１により発生された信号を、信号線４０を介して負荷２０に出力し、ヒューズ５１の下流側から動作電圧をとる。これにより、ヒューズ５１が溶断した場合に、接続回路２０２も停止するため、電流が接続回路２０２から信号線４０を介して負荷２０に流れ込む電流の回り込みを防止できる。そして、接続回路２０２の前後を電気的に分離できるため、電装品２００の接続先の回路仕様や制御仕様に依存せずに、電流の回り込みを防止できる。

なお、本実施形態において、電源１０の正極に接続された電力供給線は、２つの電力供給線に分岐されているが、分岐の数は２つ限らず、３つ以上でもよい。そして、複数の電力供給線のうち、一の電力供給線３１がヒューズ５１を介して負荷２０に接続されており、他の電力供給線３２が電装品２００に接続されている。

なお、本実施形態において、ヒューズ５１及び／又はヒューズ５２は、電装品２００に含まれていてもよい。

なお、ＣＰＵ２０１で発生する信号は、必ずしも負荷２０を制御するための信号である必要はなく、例えば、負荷２０の先に接続された別の負荷を制御するための信号であってもよい。またＣＰＵ２０１は電源１０以外の電源から動作電圧を得てもよい。

本実施形態におけるＣＰＵ２０１が本発明の「信号発生器」の一例に相当し、本実施形態におけるヒューズ５１が本発明の「遮断器」の一例に相当し、本実施形態における接続回路２０２が本発明の「接続回路」の一例に相当し、本実施形態における電装品２００が本発明の「電装品」の一例に相当する。本実施形態におけるヒューズ５１及び電装品２００を含む装置が、本発明の「電力供給装置」に相当する。

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

１０…電源
２０…負荷
２１…負荷回路
２２…ダイオード
２３…バッファ回路
３０、３１、３２…電力供給線
４０…信号線
５０、５１、５２…ヒューズ
１００…電源制御装置
１０１…ＣＰＵ
１０２…半導体スイッチ
１０３…接続回路
２００…電装品
２０１…ＣＰＵ
２０２…接続回路

Claims (5)

1. 電源の電力を負荷に供給する電力供給装置であって、
   前記電源と前記負荷との間に接続される遮断器と、
   信号発生器及び接続回路を有し、信号線を介して前記負荷に接続される電装品とを備え、
   前記接続回路は、
   前記信号発生器により発生された信号を、前記信号線を介して前記負荷に出力し、
   前記遮断器の下流側から動作電圧をとる電力供給装置。
2. 請求項１記載の電力供給装置であって、
   前記電装品は前記遮断器を含む電力供給装置。
3. 請求項１記載の電力供給装置であって、
   前記電源に接続される電力供給線を備え、
   前記遮断器は、所定以上の電流が流れた場合に溶断するヒューズであり、
   複数の前記電力供給線のうち一の電力供給線は、前記遮断器を介して前記負荷に接続され、
   前記複数の電力供給線のうち他の電力供給線は、前記電装品に接続される電力供給装置。
4. 負荷に電力を供給する電源を制御する電源制御装置であって、
   前記電源と前記負荷との間に接続される半導体スイッチと、
   信号発生器と、
   前記信号発生器と前記負荷との間を接続する信号線に接続される接続回路とを備え、
   前記接続回路は、
   前記信号発生器により発生された信号を、前記信号線を介して前記負荷に出力し、
   前記半導体スイッチの下流側から動作電圧をとる電源制御装置。
5. 電源に接続された負荷に対して、信号を出力する電装品であって、
   前記信号を発生する信号発生器と、
   前記信号発生器と前記負荷との間を、信号線で電気的に接続する接続回路と備え、
   前記接続回路は、
   前記信号発生器により発生された信号を、前記信号線を介して前記負荷に出力し、
   前記電源と前記負荷との間に接続された遮断器の下流側から動作電圧をとる電装品。

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