JP2022121653A - Light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2022121653A
JP2022121653A JP2022106900A JP2022106900A JP2022121653A JP 2022121653 A JP2022121653 A JP 2022121653A JP 2022106900 A JP2022106900 A JP 2022106900A JP 2022106900 A JP2022106900 A JP 2022106900A JP 2022121653 A JP2022121653 A JP 2022121653A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
conductive
substrate
electrode
conductive portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022106900A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
綾子 吉田
Ayako Yoshida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
Priority to JP2022106900A priority Critical patent/JP2022121653A/en
Publication of JP2022121653A publication Critical patent/JP2022121653A/en
Priority to JP2023217910A priority patent/JP2024023850A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce emission unevenness while improving design of an organic EL.
SOLUTION: A light-emitting device 10 includes a light emitting portion 140 and a conductive layer 170. The light emitting portion 140 is located on a first surface 101 side of a substrate 100. In addition, the light emitting portion 140 has a stacked structure including a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. The conductive layer 170 includes a first conductive portion 171 and a second conductive portion 172. The conductive layer 170 includes a material having a higher conductivity than the material of the first electrode 110. The first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 are located between the light emitting portion 140 and an end portion 109 of the substrate 100.
SELECTED DRAWING: Figure 1
COPYRIGHT: (C)2022,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to light emitting devices.

近年は有機ELを利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第1電極と第2電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。有機ELはたとえば薄膜化やフレキシブル化、面発光等が可能であり、様々なデザインへの応用可能性がある。 In recent years, development of light-emitting devices using organic EL has progressed. This light-emitting device is used as a lighting device or a display device, and has a structure in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode. Organic EL can be made thin, flexible, surface-emitting, etc., and can be applied to various designs.

特許文献1には、画素領域の外周部分が曲線部分等の異形部分である場合に、異形部分に沿って駆動回路を配置することが記載されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200000 describes that when the peripheral portion of a pixel region is an irregular-shaped portion such as a curved portion, a driver circuit is arranged along the irregular-shaped portion.

特開2009-122636号公報JP 2009-122636 A

しかし、一つの発光部が大きい場合に、発光部内の電位ムラに起因する発光ムラが生じるおそれがある。電位ムラを抑制する方法としては、電極に接続されたバスラインを設ける方法があるが、デザイン性の観点からは発光エリア内にバスラインを設けることは好ましくない。 However, when one light emitting portion is large, there is a possibility that uneven light emission may occur due to potential unevenness in the light emitting portion. As a method for suppressing the potential unevenness, there is a method of providing a bus line connected to the electrode, but from the viewpoint of design, it is not preferable to provide the bus line within the light emitting area.

本発明が解決しようとする課題としては、有機ELのデザイン性を高めつつ発光ムラを抑制することが一例として挙げられる。 One example of the problem to be solved by the present invention is to suppress uneven light emission while improving the design of the organic EL.

第1の発明は、
基板の第1面側に位置し、第1電極、有機層、及び第2電極を含む積層構造からなる発光部と、
第1導電部及び第2導電部を有し、前記第1電極の材料より導電率の高い材料を含む導電層とを備え、
前記第1導電部および前記第2導電部は、前記発光部と前記基板の端部との間に位置する発光装置である。
The first invention is
a light-emitting portion located on the first surface side of the substrate and having a laminated structure including a first electrode, an organic layer, and a second electrode;
A conductive layer having a first conductive portion and a second conductive portion and containing a material having a higher conductivity than the material of the first electrode,
The first conductive part and the second conductive part are light emitting devices located between the light emitting part and the edge of the substrate.

実施形態に係る発光装置の構造を例示する断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating the structure of a light emitting device according to an embodiment; FIG. 実施例1に係る発光装置の第1の構成例を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing a first configuration example of a light emitting device according to Example 1; FIG. 実施例1に係る発光装置の第2の構成例を示す断面図である。4 is a cross-sectional view showing a second configuration example of the light emitting device according to Example 1. FIG. 実施例1に係る発光装置の第3の構成例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a third configuration example of the light emitting device according to Example 1; 実施例2に係る発光装置の構成を例示する断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating the configuration of a light-emitting device according to Example 2; 実施例3に係る発光装置の導電層の構成を例示する平面図である。FIG. 11 is a plan view illustrating the configuration of a conductive layer of a light-emitting device according to Example 3; (a)~(c)は、実施例3に係る発光装置の導電層の構成を例示する平面図である。(a) to (c) are plan views illustrating the configuration of a conductive layer of a light-emitting device according to Example 3. FIG. (a)および(b)は、実施例3に係る発光装置の導電層の構成を例示する平面図である。(a) and (b) are plan views illustrating the configuration of a conductive layer of a light-emitting device according to Example 3. FIG. (a)および(b)は、実施例4に係る発光装置の導電層の構成を例示する平面図である。(a) and (b) are plan views illustrating the configuration of a conductive layer of a light-emitting device according to Example 4. FIG. 実施例5に係る発光装置の構成を例示する平面図である。FIG. 11 is a plan view illustrating the configuration of a light emitting device according to Example 5; 実施例5に係る発光装置の構成を例示する平面図である。FIG. 11 is a plan view illustrating the configuration of a light emitting device according to Example 5; 実施例5に係る発光装置の構成を例示する平面図である。FIG. 11 is a plan view illustrating the configuration of a light emitting device according to Example 5; 実施例5に係る発光装置の構成を例示する平面図である。FIG. 11 is a plan view illustrating the configuration of a light emitting device according to Example 5;

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in all the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.

図1は、実施形態に係る発光装置10の構造を例示する断面図である。発光装置10は、発光部140および導電層170を備える。発光部140は、基板100の第1面101側に位置している。また、発光部140は第1電極110、有機層120、及び第2電極130を含む積層構造からなる。導電層170は、第1導電部171及び第2導電部172を有する。導電層170は、第1電極110の材料より導電率の高い材料を含む。そして、第1導電部171および第2導電部172は、発光部140と基板100の端部109との間に位置する。以下に詳しく説明する。 FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating the structure of a light emitting device 10 according to an embodiment. The light-emitting device 10 includes a light-emitting section 140 and a conductive layer 170 . The light emitting section 140 is located on the first surface 101 side of the substrate 100 . Also, the light emitting part 140 has a stacked structure including the first electrode 110 , the organic layer 120 and the second electrode 130 . The conductive layer 170 has a first conductive portion 171 and a second conductive portion 172 . Conductive layer 170 includes a material with higher conductivity than the material of first electrode 110 . The first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 are located between the light emitting portion 140 and the edge portion 109 of the substrate 100 . A detailed description is given below.

発光装置10は照明装置、または表示装置である。発光装置10は、たとえば車両に取り付けられ、ブレーキランプ等として用いられてもよい。 The light emitting device 10 is a lighting device or a display device. Light-emitting device 10 may be attached to a vehicle, for example, and used as a brake lamp or the like.

発光装置10では、導電層170により、発光部140へ電力を供給する。ここで、発光装置10のデザイン性を高めるために、導電層170の配置が限られる場合がある。その場合、発光部140の輝度の均一性を向上させるためには、導電層170をある程度厚くする必要がある。ここで、導電層170が第1導電部171と第2導電部172とを有する構造にすることにより、応力を分散させて導電層170での応力集中を低減し、クラックの発生を抑制できる。また、クラックが発生した場合でも、第1導電部171と第2導電部172との間でクラックの延伸が防がれる。さらに、導電層170よりも第1電極110の方が基板100に対する密着性が高い。したがって第1電極110と基板100との間に導電層170を設ける場合には、第1導電部171と第2導電部172との間で第1電極110が基板100に接することにより、導電層170全体の基板100への密着性を高めることができる。 In the light-emitting device 10 , electric power is supplied to the light-emitting section 140 through the conductive layer 170 . Here, in order to improve the design of the light emitting device 10, the arrangement of the conductive layer 170 may be limited. In that case, in order to improve the uniformity of luminance of the light emitting section 140, the conductive layer 170 needs to be thickened to some extent. Here, the structure in which the conductive layer 170 has the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 disperses the stress, reduces the stress concentration in the conductive layer 170, and suppresses the occurrence of cracks. Moreover, even if a crack occurs, the crack is prevented from extending between the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 . Furthermore, the first electrode 110 has higher adhesion to the substrate 100 than the conductive layer 170 . Therefore, when the conductive layer 170 is provided between the first electrode 110 and the substrate 100, the conductive layer The adhesion of the entire 170 to the substrate 100 can be enhanced.

基板100の材料は特に限定されないが、基板100は例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板100は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板100の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。基板100の形状は特に限定されず、例えば矩形などの多角形や円形である。基板100の端部109は、第1面101に垂直な方向から見て曲線状であり得る。基板100が樹脂基板である場合、基板100は、例えばPEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルサルホン)、PET(ポリエチレンテレフタラート)、ポリイミド、PC(ポリカーボネート)、又はオレフィン系樹脂を用いて形成されている。基板100は、無機材料と有機材料とを複合した無機有機ハイブリッド基板であっても良い。また、基板100が樹脂基板である場合、水分が基板100を透過することを抑制するために、基板100の少なくとも一面(好ましくは両面)に、無機バリア膜が形成されているのが好ましい。無機バリア膜としてはたとえば、SiN膜、SiON膜、SiO、SiOC、SiOCN等の酸化シリコン系膜、Al等の酸化アルミナ系膜、TiO等の酸化チタン系膜、ZTO膜、およびこれらの組み合わせが挙げられる。基板100は平板状であっても良いし、第1面101が湾曲していても良い。なお、基板100の端部とは、第1面101に垂直な方向から見た基板100の縁であり、外周である。 Although the material of the substrate 100 is not particularly limited, the substrate 100 is, for example, a translucent substrate such as a glass substrate or a resin substrate. The substrate 100 may have flexibility. When flexible, the thickness of the substrate 100 is, for example, 10 μm or more and 1000 μm or less. The shape of the substrate 100 is not particularly limited, and may be, for example, a polygon such as a rectangle, or a circle. The edge 109 of the substrate 100 may be curved when viewed in a direction perpendicular to the first surface 101 . When the substrate 100 is a resin substrate, the substrate 100 is made of, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), polyimide, PC (polycarbonate), or olefin resin. formed. The substrate 100 may be an inorganic-organic hybrid substrate in which an inorganic material and an organic material are combined. Further, when the substrate 100 is a resin substrate, it is preferable that an inorganic barrier film is formed on at least one surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress permeation of moisture through the substrate 100 . Examples of inorganic barrier films include SiN x films, SiON films, silicon oxide films such as SiO x , SiOC, and SiOCN, alumina oxide films such as Al 2 O 3 , titanium oxide films such as TiO 2 , ZTO films, and combinations thereof. The substrate 100 may be flat, or the first surface 101 may be curved. Note that the edge of the substrate 100 is the edge of the substrate 100 seen from the direction perpendicular to the first surface 101, and is the outer periphery.

基板100の第1面101には発光部140が形成されている。発光部140は、透光性の第1電極110、有機層120、および遮光性の第2電極130がこの順に積層された積層構造からなる。そして、第1電極110は、基板100と第2電極130との間に位置する。したがって、発光部140が発する光のうち、第1電極110側に出力される光は、第2電極130側に出力される光よりも高強度になる。すなわち、基板100の第1面101とは反対側の第2面102が光の出力面となる。 A light-emitting portion 140 is formed on the first surface 101 of the substrate 100 . The light-emitting section 140 has a laminated structure in which a translucent first electrode 110, an organic layer 120, and a light-shielding second electrode 130 are laminated in this order. The first electrode 110 is positioned between the substrate 100 and the second electrode 130 . Therefore, among the light emitted from the light emitting section 140, the light output to the first electrode 110 side has a higher intensity than the light output to the second electrode 130 side. That is, the second surface 102 opposite to the first surface 101 of the substrate 100 serves as a light output surface.

第1電極110は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IWZO(Indium Tungsten Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide)等の金属酸化物である。第1電極110の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。第1電極110は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第1電極110は、カーボンナノチューブ、又はPEDOT/PSSなどの導電性有機材料であってもよい。 The first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency. The material of the transparent electrode is a metal-containing material, such as metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), and ZnO (Zinc Oxide). The thickness of the first electrode 110 is, for example, 10 nm or more and 500 nm or less. The first electrode 110 is formed using, for example, sputtering or vapor deposition. The first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT/PSS.

有機層120は発光層を有している。有機層120は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層120は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層120のうち少なくとも一つの層、例えば第1電極110と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層120の残りの層は、蒸着法によって形成されていてもよく、また、有機層120のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。有機層120のすべての層が、蒸着法を用いて形成されていてもよい。 The organic layer 120 has a light-emitting layer. The organic layer 120 has, for example, a structure in which a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are laminated in this order. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. An electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. The organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method. At least one layer of the organic layer 120, for example, the layer in contact with the first electrode 110, may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method, or all the layers of the organic layer 120 may be formed by using a coating method. All layers of the organic layer 120 may be formed using a vapor deposition method.

第2電極130は、例えば、Al、Au、Ag、Pt、Mg、Sn、Zn、及びInからなる群の中から選択される金属、又はこの群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第2電極130は遮光性を有している。第2電極130の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。第2電極130は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。本図に示す例において、第2電極130は、第1電極110よりも広くなっている。このため、基板100の第1面101に垂直な方向から見た場合、幅方向において第1電極110の全体が第2電極130と重なっており、また第2電極130に覆われている。なお、第1電極110は、第2電極130よりも幅が広く、基板100の第1面101に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第2電極130の全体が第1電極110に重なっていてもよい。 The second electrode 130 is, for example, a metal layer made of a metal selected from the group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of metals selected from this group. contains. In this case, the second electrode 130 has light shielding properties. The thickness of the second electrode 130 is, for example, 10 nm or more and 500 nm or less. The second electrode 130 is formed using, for example, sputtering or vapor deposition. In the example shown in this figure, the second electrode 130 is wider than the first electrode 110 . Therefore, when viewed from a direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100 , the entire first electrode 110 overlaps and is covered with the second electrode 130 in the width direction. Note that the first electrode 110 is wider than the second electrode 130, and when viewed from a direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100, the entire second electrode 130 is the first electrode 110 in the width direction. They may overlap.

本図の例において、第1電極110は複数の領域に分かれており、基板100の第1面101には複数の発光部140が設けられているが、第1電極110は第1面101上で一体であっても良い。その場合、第1面101には一つの発光部140が形成されていても良い。また、本図の例において、第1電極110は発光部140毎に形成されているが、第1電極110は複数の発光部140にわたって連続して形成されていても良い。本図の例において、有機層120および第2電極130は複数の発光部140にわたって連続して形成されている。ただし、本図の例に限定されず、有機層120および第2電極130の少なくとも一方は、発光部140毎に形成されていても良い。 In the example of this figure, the first electrode 110 is divided into a plurality of regions, and a plurality of light emitting units 140 are provided on the first surface 101 of the substrate 100. The first electrode 110 is located on the first surface 101. , and may be one. In that case, one light emitting part 140 may be formed on the first surface 101 . Also, in the example of this figure, the first electrode 110 is formed for each light emitting section 140 , but the first electrode 110 may be formed continuously over a plurality of light emitting sections 140 . In the example of this figure, the organic layer 120 and the second electrode 130 are continuously formed over the plurality of light emitting portions 140 . However, the present invention is not limited to this example, and at least one of the organic layer 120 and the second electrode 130 may be formed for each light emitting section 140 .

第1電極110の縁は、少なくとも一部が絶縁膜150によって覆われている。絶縁膜150は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第1電極110のうち発光部140となる部分を囲っている。絶縁膜150は、無機絶縁材料を含んでも良い。無機絶縁材料としては、たとえばSiO等のシリコン酸化物、SiON等のシリコン酸窒化物、SiN等のシリコン窒化物が挙げられる。なお、複数の発光部140の間には絶縁膜150が形成されていても良いし形成されていなくても良い。また、本図の例では、基板100の第1面101に垂直な方向から見た場合において、絶縁膜150の一部は第2電極130からはみ出ている。そして、本図に示す例において、第2電極130は絶縁膜150の上にも形成されている。また、基板100の第1面101に垂直な方向から見た場合において、有機層120の一部は絶縁膜150と重なっている。そして、本図に示す例において、有機層120は絶縁膜150の上にも形成されている。 At least a portion of the edge of the first electrode 110 is covered with an insulating film 150 . The insulating film 150 is made of, for example, a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds a portion of the first electrode 110 that serves as the light emitting portion 140 . The insulating film 150 may contain an inorganic insulating material. Examples of inorganic insulating materials include silicon oxides such as SiOx , silicon oxynitrides such as SiON, and silicon nitrides such as SiNx . Note that the insulating film 150 may or may not be formed between the plurality of light emitting portions 140 . In addition, in the example of this figure, a part of the insulating film 150 protrudes from the second electrode 130 when viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100 . In the example shown in this figure, the second electrode 130 is also formed on the insulating film 150 . In addition, when viewed from a direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100 , a portion of the organic layer 120 overlaps the insulating film 150 . In the example shown in this figure, the organic layer 120 is also formed on the insulating film 150 .

本実施例に係る発光装置10は、封止膜180をさらに備える。封止膜180は、発光部140の全体を覆うよう形成されている。発光部140は封止膜180と基板100との間に位置する。封止膜180としては、例えば、SiN、SiON、Al、TiO、SiO、SiOC、SiOCNなどの無機バリア膜や、それらを含むバリア積層膜、またはそれらの混合膜を用いることができる。これらは、例えば、スパッタリング法、CVD法、ALD法、EB蒸着法などの真空成膜法で形成することができる。本図の例において、封止膜180の一部は第1面101に接している。なお、発光装置10は、封止膜180の代わりにまたは、封止膜180に加えて、板状の封止部材を用いて封止されていても良い。その場合、封止部材は接着層を介して基板100に固定される。また、封止部材と接着剤の間には乾燥剤が挿入されていても良い。 The light emitting device 10 according to this embodiment further includes a sealing film 180 . The sealing film 180 is formed so as to cover the entire light emitting section 140 . The light emitting part 140 is positioned between the sealing film 180 and the substrate 100 . As the sealing film 180, for example, an inorganic barrier film such as SiNx , SiON, Al2O3 , TiO2 , SiOx , SiOC, or SiOCN, a barrier laminated film containing them, or a mixed film thereof may be used. can be done. These can be formed, for example, by a vacuum film forming method such as a sputtering method, a CVD method, an ALD method, or an EB vapor deposition method. In the example of this figure, part of the sealing film 180 is in contact with the first surface 101 . The light-emitting device 10 may be sealed using a plate-shaped sealing member instead of or in addition to the sealing film 180 . In that case, the sealing member is fixed to the substrate 100 via the adhesive layer. Also, a desiccant may be inserted between the sealing member and the adhesive.

導電層170は第1電極110の補助電極として機能し得る。上記した通り、導電層170は第1電極110の材料より導電率の高い材料を含む。そして、導電層170の電気抵抗率は、第1電極110の電気抵抗率よりも低い。導電層170はたとえば、Al、Ag、Moおよびこれらを含む合金から成る群から選択される金属を含む。具体的には、導電層170はAPC(AgPdCu)等であり得る。また導電層170は、例えばMo又はMo合金などの第1金属層、Al又はAl合金などの第2金属層、及びMo又はMo合金などの第3金属層をこの順に積層させた構成を有していてもよい。 Conductive layer 170 may function as an auxiliary electrode for first electrode 110 . As noted above, the conductive layer 170 comprises a material with a higher electrical conductivity than the material of the first electrode 110 . Also, the electrical resistivity of the conductive layer 170 is lower than the electrical resistivity of the first electrode 110 . Conductive layer 170 includes, for example, a metal selected from the group consisting of Al, Ag, Mo, and alloys containing these. Specifically, the conductive layer 170 can be APC (AgPdCu) or the like. The conductive layer 170 has a structure in which a first metal layer such as Mo or Mo alloy, a second metal layer such as Al or Al alloy, and a third metal layer such as Mo or Mo alloy are laminated in this order. may be

導電層170の厚さはたとえば100nm以上3000nm以下であり、剥離やクラックを防ぐ観点から好ましくは1000nm以下である。発光装置10が導電層170を備えることにより、第1電極110の電気抵抗が比較的高い場合であっても、発光部140全体に充分な電力を供給し、発光ムラを抑制することができる。本図の例において、導電層170は基板100と第1電極110との間に位置している。すなわち、発光部140と第1導電部171との間、第1導電部171と第2導電部172との間、および、第2導電部172と基板100の端部109との間において、第1電極110は基板100に接する。なお、導電層170と第1電極110との積層順は、本図の例に限定されない。導電層170は、第1電極110を基準に基板100とは反対側に位置していてもよい。 The thickness of conductive layer 170 is, for example, 100 nm or more and 3000 nm or less, and preferably 1000 nm or less from the viewpoint of preventing peeling and cracking. By including the conductive layer 170 in the light emitting device 10, even when the electrical resistance of the first electrode 110 is relatively high, it is possible to supply sufficient power to the entire light emitting section 140 and suppress uneven light emission. In the example of this figure, the conductive layer 170 is located between the substrate 100 and the first electrode 110 . That is, between the light-emitting portion 140 and the first conductive portion 171 , between the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 , and between the second conductive portion 172 and the edge portion 109 of the substrate 100 , One electrode 110 contacts the substrate 100 . Note that the stacking order of the conductive layer 170 and the first electrode 110 is not limited to the example shown in this figure. The conductive layer 170 may be located on the opposite side of the substrate 100 with respect to the first electrode 110 .

導電層170は、第1電極110と電気的に繋がっている。第1面101に垂直な方向から見て、導電層170の少なくとも一部は第1電極110と重なっており、より好ましくは導電層170の全体が第1電極110と重なっている。 The conductive layer 170 is electrically connected with the first electrode 110 . At least a portion of the conductive layer 170 overlaps the first electrode 110 , and more preferably, the entire conductive layer 170 overlaps the first electrode 110 when viewed in a direction perpendicular to the first surface 101 .

導電層170は発光部140と基板100の端部との間に位置する。具体的には、基板100の第1面101に垂直な方向から見て、発光部140の外周と基板100の外周とは離れている。そして、導電層170は、発光部140の外周と基板100の外周との間に位置し、発光部140の外周および基板100の外周に沿って延在している。本図の例において詳しくは、導電層170は、複数の発光部140の外周のうち最も端部109側で端部109に沿っている部分と端部109との間に位置する。 The conductive layer 170 is located between the light emitting part 140 and the edge of the substrate 100 . Specifically, when viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100, the outer circumference of the light emitting section 140 and the outer circumference of the substrate 100 are separated from each other. The conductive layer 170 is located between the outer circumference of the light emitting section 140 and the outer circumference of the substrate 100 and extends along the outer circumference of the light emitting section 140 and the outer circumference of the substrate 100 . More specifically, in the example of this figure, the conductive layer 170 is positioned between the end portion 109 and the portion along the end portion 109 closest to the end portion 109 among the outer peripheries of the plurality of light emitting portions 140 .

基板100の第1面101に複数の発光部140が設けられている場合、互いに隣り合う発光部140の間には導電層170は設けられていなくても良い。そうすることで、発光装置10のデザイン性を向上させることができる。 When a plurality of light emitting units 140 are provided on the first surface 101 of the substrate 100, the conductive layer 170 may not be provided between the light emitting units 140 adjacent to each other. By doing so, the design of the light emitting device 10 can be improved.

第1電極110が第1面101上で一体である場合、第1面101に交わる断面において、第1電極110の両端に導電層170が設けられていても良い。すなわち、発光装置10が発光部140を一つのみ有する場合、導電層170は、発光部140の外周に沿って発光部140を囲うように設けられればよい。 When the first electrode 110 is integrated on the first surface 101 , conductive layers 170 may be provided on both ends of the first electrode 110 in a cross section intersecting the first surface 101 . That is, when the light-emitting device 10 has only one light-emitting section 140 , the conductive layer 170 may be provided along the outer circumference of the light-emitting section 140 so as to surround the light-emitting section 140 .

導電層170は、第1導電部171および第2導電部172を含む。第1導電部171と第2導電部172とは、並列に配置されている。本図の例において具体的には、第1導電部171および第2導電部172は、それぞれ発光部140の外周に沿って延在している。また、第1導電部171及び第2導電部172は、互いに離間している。第2導電部172は第1導電部171と基板100の端部109との間に位置する。ただし、第1導電部171および第2導電部172の構造は本図の例に限定されない。 Conductive layer 170 includes a first conductive portion 171 and a second conductive portion 172 . The first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 are arranged in parallel. Specifically, in the example of this figure, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 each extend along the outer periphery of the light emitting portion 140 . Also, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 are separated from each other. The second conductive portion 172 is located between the first conductive portion 171 and the edge 109 of the substrate 100 . However, the structures of the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 are not limited to the example shown in this figure.

第1導電部171と第2導電部172とは一体に繋がっていても良い。ただし、第1導電部171と第2導電部172との間の少なくとも一部には導電層が形成されていない領域173が設けられている。基板100と導電層170と第1電極110とがこの順に積層された本図の例において、第1電極110と基板100とは領域173において互いに接している。言い換えると、本図のように、導電層170の一方の面が基板100と接し、他方の面が第1電極110と接している例において、第1電極110と基板100とは領域173において互いに接している。 The first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 may be integrally connected. However, a region 173 in which no conductive layer is formed is provided at least partly between the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 . In the example of this figure in which the substrate 100 , the conductive layer 170 , and the first electrode 110 are laminated in this order, the first electrode 110 and the substrate 100 are in contact with each other at the region 173 . In other words, in an example where one surface of the conductive layer 170 is in contact with the substrate 100 and the other surface is in contact with the first electrode 110 as shown in this figure, the first electrode 110 and the substrate 100 are in contact with each other in the region 173. in contact with

次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず、基板100に導電層170を、例えばスパッタリング法などによる成膜およびエッチング等によるパターニングを行って形成する。次いで、第1電極110を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。そして、第1電極110を例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。次いで、第1電極110の縁の上に絶縁膜150を形成する。例えば絶縁膜150が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁膜150は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。次いで、有機層120及び第2電極130をこの順に形成する。有機層120が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第2電極130も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。次いで、封止膜180を形成して発光部140を封止する。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, the conductive layer 170 is formed on the substrate 100 by, for example, film formation by sputtering and patterning by etching. Next, the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method. Then, the first electrode 110 is formed into a predetermined pattern using, for example, photolithography. An insulating layer 150 is then formed on the edge of the first electrode 110 . For example, when the insulating film 150 is made of a photosensitive resin, the insulating film 150 is formed into a predetermined pattern through exposure and development processes. Next, the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed in this order. When the organic layer 120 includes a layer formed by vapor deposition, this layer is formed in a predetermined pattern, for example using a mask. The second electrode 130 is also formed in a predetermined pattern by using a mask, for example. Next, a sealing film 180 is formed to seal the light emitting section 140 .

図1の例のように、基板100、導電層170および第1電極110がこの順に積層されている場合、導電層170のエッチングによる第1電極110へのダメージが避けられる。たとえば、基板の耐熱性を考慮して第1電極110の成膜温度を低くする場合、導電層170のエッチングプロセスに対する第1電極110の耐性が低下する可能性があるが、導電層170のパターニング後に第1電極110を形成することにより、第1電極110へのダメージが避けられる。 When the substrate 100, the conductive layer 170 and the first electrode 110 are stacked in this order as in the example of FIG. 1, damage to the first electrode 110 due to etching of the conductive layer 170 can be avoided. For example, when the film formation temperature of the first electrode 110 is lowered in consideration of the heat resistance of the substrate, the resistance of the first electrode 110 to the etching process of the conductive layer 170 may be reduced, but the patterning of the conductive layer 170 is possible. By forming the first electrode 110 later, damage to the first electrode 110 is avoided.

なお、本実施形態ではボトムエミッション型の発光装置10の例を示したが、それに限定されない。たとえば発光装置10はトップエミッション型でもよい。 In addition, although the example of the bottom emission type light-emitting device 10 was shown in this embodiment, it is not limited to it. For example, light emitting device 10 may be of a top emission type.

以上、本実施形態によれば、導電層170が第1導電部171及び第2導電部172を有する。したがって、導電層170での応力が分散されてクラックの発生が低減されるとともに、クラックの延伸が抑制される。ひいては、デザイン性向上等のために導電層170の配置が限られた場合であっても、導電層170を厚膜化して発光部140の発光ムラを抑制することができる。 As described above, according to the present embodiment, the conductive layer 170 has the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 . Therefore, the stress in the conductive layer 170 is dispersed, the occurrence of cracks is reduced, and the extension of the cracks is suppressed. Furthermore, even if the arrangement of the conductive layer 170 is limited for the purpose of improving the design, etc., the conductive layer 170 can be made thicker to suppress uneven light emission of the light emitting section 140 .

(実施例1)
図2は、実施例1に係る発光装置10の第1の構成例を示す断面図である。図3は、実施例1に係る発光装置10の第2の構成例を示す断面図である。図4は、実施例1に係る発光装置10の第3の構成例を示す断面図である。図2から図4は、図1に示した断面において、第1導電部171および第2導電部172の周辺を拡大した図である。
(Example 1)
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a first configuration example of the light emitting device 10 according to the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a second configuration example of the light emitting device 10 according to the first embodiment. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a third configuration example of the light emitting device 10 according to the first embodiment. 2 to 4 are enlarged views of the periphery of the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 in the cross section shown in FIG.

本実施例に係る発光装置10は、実施形態に係る発光装置10と同様の構成を有する。また、本実施例に係る発光装置10は、基板100と第1導電部171の間に位置する下地層174をさらに備える。下地層174は第1電極110に含まれる材料と同一の材料を含む。また、図2から図4の例において、基板100と第2導電部172との間にも下地層174が位置している。ただし、基板100と第1導電部171との間、および基板100と第2導電部172との間のうち少なくとも一方には下地層174が設けられていなくても良い。下地層174は基板100と導電層170との密着性を向上させる接着層として機能しうる。 The light emitting device 10 according to this example has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment. In addition, the light emitting device 10 according to this embodiment further includes an underlying layer 174 located between the substrate 100 and the first conductive portion 171 . The underlying layer 174 contains the same material as the material contained in the first electrode 110 . In addition, in the examples of FIGS. 2 to 4, the underlying layer 174 is also located between the substrate 100 and the second conductive portion 172 . However, at least one of between the substrate 100 and the first conductive portion 171 and between the substrate 100 and the second conductive portion 172 may not be provided with the base layer 174 . The base layer 174 can function as an adhesive layer that improves adhesion between the substrate 100 and the conductive layer 170 .

下地層174の材料としては、第1電極110の材料と同様、金属を含む材料、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IWZO(Indium Tungsten Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide)等の金属酸化物が挙げられる。下地層174の厚さは、例えば5nm以上50nm以下である。下地層174は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、下地層174は、カーボンナノチューブ、又はPEDOT/PSSなどの導電性有機材料であってもよい。なお、下地層174は第1電極110に含まれる材料と同一材料が含まれれば良く、たとえば、不純物等がさらに含まれても良い。下地層174が第1電極110に含まれる材料と同一材料を含むことにより、基板100に対する導電層170の密着性が向上する。 As the material of the underlying layer 174, similar to the material of the first electrode 110, a material containing a metal, such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide), can be used. ) and other metal oxides. The thickness of the underlying layer 174 is, for example, 5 nm or more and 50 nm or less. The underlying layer 174 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. Note that the underlayer 174 may be carbon nanotubes or a conductive organic material such as PEDOT/PSS. Note that the underlying layer 174 may contain the same material as the material contained in the first electrode 110, and may further contain impurities, for example. Since the base layer 174 contains the same material as the material contained in the first electrode 110, the adhesion of the conductive layer 170 to the substrate 100 is improved.

下地層174は例えばスパッタリング法を用いて成膜される。そして下地層174は、導電層170と同一または異なるレジストパターンにより所定のパターンに形成される。 The underlying layer 174 is deposited using, for example, a sputtering method. The base layer 174 is formed in a predetermined pattern with a resist pattern that is the same as or different from that of the conductive layer 170 .

図2を参照して本実施例に係る発光装置10の第1の構成例について詳しく説明する。基板100の第1面101に垂直な方向から見て、下地層174の端部は第1導電部171の端部と重なっている。また、下地層174の端部は第2導電部172の端部と重なっている。すなわち、第1面101に垂直な方向から見て下地層174の輪郭と導電層170の輪郭とは一致する。本構成例の場合、下地層174と導電層170とは同一のレジストパターン等を用いてパターニングして形成できる。したがって、発光装置10の製造が容易である。 A first configuration example of the light emitting device 10 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. When viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100 , the edge of the underlying layer 174 overlaps the edge of the first conductive portion 171 . Also, the edge of the underlying layer 174 overlaps the edge of the second conductive portion 172 . That is, the contour of the base layer 174 and the contour of the conductive layer 170 match when viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 . In the case of this configuration example, the base layer 174 and the conductive layer 170 can be formed by patterning using the same resist pattern or the like. Therefore, it is easy to manufacture the light emitting device 10 .

図3を参照して本実施例に係る発光装置10の第2の構成例について詳しく説明する。本構成例では、基板100の第1面101に垂直な方向から見て、下地層174の端部は第1導電部171とは重ならない。また、基板100の第1面101に垂直な方向から見て、下地層174の端部は第2導電部172とは重ならない。そして、下地層174は第1電極110と接する。言い換えると、下地層174は第1面101に垂直な方向から見て、第1導電部171および第2導電部172からはみ出している。本図の例において、第1導電部171および第2導電部172は、延在方向に垂直な断面、すなわち本図に示す断面において第1電極110と下地層174とで囲まれる。本構成例の場合、下地層174のうち第1面101側とは反対側の面は少なくとも一部が第1電極110と接している。したがって、第1電極110と下地層174とがより強く密着し、第1導電部171や第2導電部172の基板100からの剥離がさらに抑制される。ただし、本例に限定されず、下地層174の端部は第1導電部171の一部と重なっても良い。 A second configuration example of the light emitting device 10 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. In this configuration example, when viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100 , the end portion of the underlying layer 174 does not overlap the first conductive portion 171 . In addition, when viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100 , the end portion of the base layer 174 does not overlap the second conductive portion 172 . The underlying layer 174 is in contact with the first electrode 110 . In other words, the underlying layer 174 protrudes from the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 when viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 . In the example of this figure, the first conductive part 171 and the second conductive part 172 are surrounded by the first electrode 110 and the base layer 174 in the cross section perpendicular to the extending direction, that is, the cross section shown in this figure. In the case of this configuration example, at least part of the surface of the underlying layer 174 opposite to the first surface 101 side is in contact with the first electrode 110 . Therefore, the first electrode 110 and the base layer 174 are more strongly adhered to each other, and the separation of the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 from the substrate 100 is further suppressed. However, the present invention is not limited to this example, and the end portion of the underlying layer 174 may overlap with a portion of the first conductive portion 171 .

図4を参照して本実施例に係る発光装置10の第3の構成例について詳しく説明する。本構成例において、下地層174は導電層170よりも狭くなっている。具体的には、基板100の第1面101に垂直な方向から見て、下地層174の端部は第1導電部171と重なっている。また、下地層174の端部は第2導電部172と重なっている。一方、導電層170の端部は下地層174とは重なっていない。下地層174と導電層170とを同一のレジストパターン等を用いてパターニングし場合において、導電層170のエッチング耐性が下地層174のエッチング耐性よりも高い場合、下地層174と導電層170がこの様な構造になり得る。 A third configuration example of the light emitting device 10 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. In this configuration example, the underlying layer 174 is narrower than the conductive layer 170 . Specifically, when viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100 , the end portion of the base layer 174 overlaps the first conductive portion 171 . Also, the end of the underlying layer 174 overlaps the second conductive portion 172 . On the other hand, the end portion of the conductive layer 170 does not overlap with the underlying layer 174 . When the underlying layer 174 and the conductive layer 170 are patterned using the same resist pattern or the like, and the etching resistance of the conductive layer 170 is higher than the etching resistance of the underlying layer 174, the underlying layer 174 and the conductive layer 170 are formed in this manner. structure.

なお、第1導電部171と基板100との間の少なくとも一部には下地層174が形成されていなくても良い。また、第2導電部172と基板100との間の少なくとも一部には下地層174が形成されていなくても良い。また、下地層174は、第1導電部171と基板100との間、および第2導電部172と基板100との間にわたって連続して設けられていても良い。その場合、下地層174と第1電極110とが領域173において互いに接する。 Note that the underlying layer 174 may not be formed at least partly between the first conductive portion 171 and the substrate 100 . Also, the base layer 174 may not be formed at least partly between the second conductive part 172 and the substrate 100 . Further, the base layer 174 may be continuously provided between the first conductive portion 171 and the substrate 100 and between the second conductive portion 172 and the substrate 100 . In that case, the underlying layer 174 and the first electrode 110 are in contact with each other in the region 173 .

以上、本実施例によれば、実施形態と同様、導電層170が第1導電部171及び第2導電部172を有する。したがって、導電層170での応力が分散されてクラックの発生が低減されるとともに、クラックの延伸が抑制される。ひいては、デザイン性向上等のために導電層170の配置が限られた場合であっても、導電層170を厚膜化して発光部140の発光ムラを抑制することができる。 As described above, according to the present example, the conductive layer 170 has the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 as in the embodiment. Therefore, the stress in the conductive layer 170 is dispersed, the occurrence of cracks is reduced, and the extension of the cracks is suppressed. Furthermore, even if the arrangement of the conductive layer 170 is limited for the purpose of improving the design, etc., the conductive layer 170 can be made thicker to suppress uneven light emission of the light emitting section 140 .

くわえて、本実施例によれば、発光装置10は、第1電極110に含まれる材料と同一の材料を含む下地層174をさらに備える。したがって、導電層170の基板100に対する密着性を高めることができる。 In addition, according to this embodiment, the light emitting device 10 further comprises an underlying layer 174 containing the same material as the material contained in the first electrode 110 . Therefore, the adhesion of the conductive layer 170 to the substrate 100 can be enhanced.

(実施例2)
図5は、実施例2に係る発光装置10の構成を例示する断面図である。本図は、図2から図4と同様に、第1導電部171および第2導電部172の周辺を拡大した図である。
(Example 2)
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the configuration of the light emitting device 10 according to the second embodiment. Similar to FIGS. 2 to 4, this figure is an enlarged view of the periphery of the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172. FIG.

本実施例に係る発光装置10は、実施形態に係る発光装置10と同様の構成を有する。また、本実施例において、基板100と第1電極110と導電層170とはこの順に積層されている。すなわち、導電層170と基板100の間に第1電極110が位置する。基板100、第1電極110、導電層170、および絶縁膜150がこの順に積層された本図の例において、絶縁膜150と第1電極110とは領域173において互いに接している。 The light emitting device 10 according to this example has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment. Also, in this embodiment, the substrate 100, the first electrode 110, and the conductive layer 170 are laminated in this order. That is, the first electrode 110 is positioned between the conductive layer 170 and the substrate 100 . In the example of this figure in which the substrate 100 , the first electrode 110 , the conductive layer 170 , and the insulating film 150 are laminated in this order, the insulating film 150 and the first electrode 110 are in contact with each other in the region 173 .

導電層170の第1電極110に対する密着性は比較的高いことから、基板100と第1電極110と導電層170とをこの順に積層することにより導電層170の剥離等が抑制される。 Since the adhesion of the conductive layer 170 to the first electrode 110 is relatively high, peeling of the conductive layer 170 is suppressed by laminating the substrate 100, the first electrode 110, and the conductive layer 170 in this order.

以上、本実施例によれば、実施形態と同様、導電層170が第1導電部171及び第2導電部172を有する。したがって、導電層170での応力が分散されてクラックの発生が低減されるとともに、クラックの延伸が抑制される。ひいては、デザイン性向上等のために導電層170の配置が限られた場合であっても、導電層170を厚膜化して発光部140の発光ムラを抑制することができる。 As described above, according to the present example, the conductive layer 170 has the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 as in the embodiment. Therefore, the stress in the conductive layer 170 is dispersed, the occurrence of cracks is reduced, and the extension of the cracks is suppressed. Furthermore, even if the arrangement of the conductive layer 170 is limited for the purpose of improving the design, etc., the conductive layer 170 can be made thicker to suppress uneven light emission of the light emitting section 140 .

(実施例3)
図6、図7(a)~(c)、図8(a)、および(b)は、実施例3に係る発光装置10の導電層170の構成を例示する平面図である。これらの図は、第1面101に垂直な方向から見た状態を示している。また、これらの図においては、基板100、導電層170および発光部140のみが示されている。
(Example 3)
6, 7(a) to 7(c), 8(a), and 8(b) are plan views illustrating the configuration of the conductive layer 170 of the light emitting device 10 according to Example 3. FIG. These figures show the state seen from the direction perpendicular to the first surface 101 . In addition, only the substrate 100, the conductive layer 170 and the light emitting section 140 are shown in these figures.

本実施例に係る発光装置10は、実施形態、実施例1、および実施例2の少なくともいずれかに係る発光装置10と同様の構成を有している。発光装置10において導電層170は少なくとも第1導電部171および第2導電部172を有していればよく、様々な形状パターンを取り得る。 The light-emitting device 10 according to this example has the same configuration as the light-emitting device 10 according to at least one of the embodiment, the first example, and the second example. In the light-emitting device 10, the conductive layer 170 only needs to have at least the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172, and can take various shapes and patterns.

導電層170は基板100の端部109および発光部140の端部に沿って、第1面101上に延在している。また、第1導電部171と第2導電部172とは、並列に配置されている。図6および図7(a)~(c)の例では、第1導電部171および第2導電部172は導電層170の延在方向に平行に延在している。すなわち、第1導電部171および第2導電部172は、それぞれ発光部140の外周に沿って延在している。したがって、発光部140の外周に沿った経路により電力を安定して発光部140に供給できる。また、発光部140の外周に垂直な方向の応力に対して耐久性が向上する。一方、図8(a)および(b)の例では、第1導電部171および第2導電部172は導電層170の延在方向に垂直な方向に延在している。したがって、発光部140の外周に平行な方向の応力に対して耐久性が向上する。なお、図7(a)~(c)の導電層170は、導電層170の延在方向に垂直な方向に延在する複数の導電部を同時に有しており、これらの導電部を第1導電部171aおよび第2導電部172aととらえることもできる。 Conductive layer 170 extends on first surface 101 along edge 109 of substrate 100 and edge of light emitting section 140 . Also, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 are arranged in parallel. 6 and FIGS. 7A to 7C, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 extend parallel to the direction in which the conductive layer 170 extends. That is, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 each extend along the outer circumference of the light emitting portion 140 . Therefore, power can be stably supplied to the light emitting section 140 through the path along the outer periphery of the light emitting section 140 . In addition, the durability against stress in the direction perpendicular to the outer circumference of the light emitting section 140 is improved. On the other hand, in the examples of FIGS. 8A and 8B, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 extend in a direction perpendicular to the direction in which the conductive layer 170 extends. Therefore, durability against stress in a direction parallel to the outer circumference of the light emitting section 140 is improved. Note that the conductive layer 170 in FIGS. 7A to 7C simultaneously has a plurality of conductive portions extending in a direction perpendicular to the extending direction of the conductive layer 170, and these conductive portions are arranged in the first direction. It can also be regarded as the conductive portion 171a and the second conductive portion 172a.

第1導電部171の幅と第2導電部172の幅とは同じであっても良いし、互いに異なっていても良い。また、第1導電部171の幅、および第2導電部172の幅は、それぞれ一定であっても良いし、一定でなくても良い。なおここで、第1導電部171の幅は第1導電部171の延在方向に垂直な方向の幅であり、第2導電部172の幅は第2導電部172の延在方向に垂直な方向の幅である。 The width of the first conductive portion 171 and the width of the second conductive portion 172 may be the same, or may be different from each other. Also, the width of the first conductive portion 171 and the width of the second conductive portion 172 may or may not be constant. Here, the width of the first conductive portion 171 is the width in the direction perpendicular to the extending direction of the first conductive portion 171, and the width of the second conductive portion 172 is the width in the direction perpendicular to the extending direction of the second conductive portion 172. Width in direction.

図6および図8(a)の例において、第1導電部171及び第2導電部172は、互いに離間している。すなわち、第1導電部171と第2導電部172とは導電層170の他の部分を介して繋がっていない。一方、図7(a)~(c)および図8(b)の例において、第1導電部171および第2導電部172は、導電層170の他の部分により互いに接続されている。 In the examples of FIGS. 6 and 8A, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 are separated from each other. That is, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 are not connected through other portions of the conductive layer 170 . On the other hand, in the examples of FIGS. 7A to 7C and 8B, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 are connected to each other by other portions of the conductive layer 170. FIG.

上記した通り、第1導電部171と第2導電部172との間の少なくとも一部には導電層が形成されていない領域173が設けられている。そうすることにより、導電層170への応力が緩和され、導電層170の剥離やクラックが抑制される。また、導電層170が視認されにくくなり、発光装置10のデザイン性が向上する。第1導電部171の延在方向に沿った全長をLとしたとき、第1導電部171の第2導電部172側の端部のうち0.2×L以上の長さ部分において、第1導電部171は領域173に面していることが好ましい。第2導電部172の延在方向に沿った全長をLとしたとき、第2導電部172の第1導電部171側の端部のうち0.2×L以上の長さ部分において、第2導電部172は領域173に面していることが好ましい。 As described above, the region 173 where no conductive layer is formed is provided at least partly between the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 . By doing so, stress on the conductive layer 170 is relieved, and peeling and cracking of the conductive layer 170 are suppressed. In addition, the conductive layer 170 becomes less visible, and the design of the light emitting device 10 is improved. Assuming that the total length along the extending direction of the first conductive portion 171 is L1, at the end portion of the first conductive portion 171 on the second conductive portion 172 side that has a length of 0.2×L1 or more, Preferably, the first conductive portion 171 faces the region 173 . When the total length along the extending direction of the second conductive portion 172 is L2, at the end of the second conductive portion 172 on the first conductive portion 171 side, the length of 0.2×L2 or more is: Second conductive portion 172 preferably faces region 173 .

図7(a)~(c)の例において、導電層170には、第1導電部171と第2導電部172との間に開口175が設けられている。開口175の形状は特に限定されず、たとえば、円、楕円、または矩形である。図7(a)~(c)の例において、導電層170には複数の開口175が設けられている。複数の開口175の形状は全て同じであっても良いし、一つ以上の開口175の形状が他の一つ以上の開口175の形状と異なっていても良い。複数の開口175はたとえば周期的に配置されている。具体的には複数の開口175は図7(a)の例では一列に配列されており、図7(b)の例ではジグザグ状に配置されており、図7(c)の例では2列に、また、格子状に配列されている。各開口175の外周は第1面101に垂直な方向から見て導電層170で囲われている。導電層170に開口175が設けられていることにより応力が緩和され、導電層170における剥離やクラックの発生が抑制される。 In the examples of FIGS. 7A to 7C, the conductive layer 170 is provided with an opening 175 between the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 . The shape of opening 175 is not particularly limited, and may be circular, elliptical, or rectangular, for example. In the example of FIGS. 7(a)-(c), the conductive layer 170 is provided with a plurality of openings 175. FIG. The shapes of the plurality of openings 175 may all be the same, or the shape of one or more openings 175 may be different from the shape of the other one or more openings 175 . A plurality of openings 175 are arranged, for example, periodically. Specifically, the plurality of openings 175 are arranged in a row in the example of FIG. 7(a), are arranged in a zigzag pattern in the example of FIG. 7(b), and are arranged in two rows in the example of FIG. 7(c). , and are arranged in a grid. The periphery of each opening 175 is surrounded by the conductive layer 170 when viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 . Since the conductive layer 170 is provided with the opening 175 , stress is relieved, and peeling and cracking of the conductive layer 170 are suppressed.

以上、本実施例によれば、実施形態と同様、導電層170が第1導電部171及び第2導電部172を有する。したがって、導電層170での応力が分散されてクラックの発生が低減されるとともに、クラックの延伸が抑制される。ひいては、デザイン性向上等のために導電層170の配置が限られた場合であっても、導電層170を厚膜化して発光部140の発光ムラを抑制することができる。 As described above, according to the present example, the conductive layer 170 has the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 as in the embodiment. Therefore, the stress in the conductive layer 170 is dispersed, the occurrence of cracks is reduced, and the extension of the cracks is suppressed. Furthermore, even if the arrangement of the conductive layer 170 is limited for the purpose of improving the design, etc., the conductive layer 170 can be made thicker to suppress uneven light emission of the light emitting section 140 .

(実施例4)
図9(a)および(b)は、実施例4に係る発光装置10の導電層170の構成を例示する平面図である。図9(a)および(b)は、第1面101に垂直な方向から見た状態を示している。また、図9(a)および(b)においては、基板100、導電層170および発光部140のみが示されている。
(Example 4)
9A and 9B are plan views illustrating the configuration of the conductive layer 170 of the light emitting device 10 according to Example 4. FIG. FIGS. 9A and 9B show the state seen from the direction perpendicular to the first surface 101. FIG. 9A and 9B, only the substrate 100, the conductive layer 170 and the light emitting section 140 are shown.

本実施例に係る発光装置10は、実施形態、実施例1~実施例3の少なくともいずれかに係る発光装置10と同様の構成を有している。本実施例において、第1導電部171および第2導電部172は、それぞれ発光部140の外周に沿って延在している。 The light-emitting device 10 according to this example has the same configuration as the light-emitting device 10 according to at least one of the embodiments and examples 1 to 3. FIG. In this embodiment, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 each extend along the outer periphery of the light emitting portion 140 .

発光装置10において発光部140の形状は特に限定されず、デザイン性を考慮して設計される。そして、発光部140には、幅の広い部分と細い部分等が生じ得る。その場合、発光部140の幅とは無関係に発光部140と第1導電部171との距離、第1導電部171と第2導電部172との距離、および第2導電部172と基板100の端部109との距離を設定したり、これらの距離を一定にしたりすることができる。一方、発光部140の幅との関係でこれらの距離を調整することで、発光装置10のデザイン性をさらに向上させることができる。 The shape of the light-emitting portion 140 in the light-emitting device 10 is not particularly limited, and is designed in consideration of design. A wide portion and a thin portion may be generated in the light emitting portion 140 . In that case, regardless of the width of the light-emitting portion 140, the distance between the light-emitting portion 140 and the first conductive portion 171, the distance between the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172, and the distance between the second conductive portion 172 and the substrate 100 The distance to the edge 109 can be set, or these distances can be made constant. On the other hand, by adjusting these distances in relation to the width of the light emitting section 140, the design of the light emitting device 10 can be further improved.

図9(a)は、発光部140と導電層170との関係の第1例を示す図である。第2導電部172は第1導電部171と基板100の端部109との間に位置する。本例の発光装置10において、発光部140は、第1領域141と第2領域142とを有する。第1領域141の幅は第1幅wL1であり、第2領域142の幅は第2幅wL2である。ここで、第2幅wL2は第1幅wL1よりも大きい。そして、第2領域142に最も近い第1導電部171と第2領域142に最も近い第2導電部172との間の距離dは、第1領域141に最も近い第1導電部171と第1領域141に最も近い第2導電部172との間の距離dよりも大きい。詳しくは、発光部140の幅が大きい程、その幅の領域の最も近くに位置する第1導電部171と第2導電部172との間の距離が大きくなっている。なお、第1幅wL1および第2幅wL2は、それぞれ導電層170の延在方向に垂直な方向の幅である。 FIG. 9A is a diagram showing a first example of the relationship between the light emitting section 140 and the conductive layer 170. FIG. The second conductive portion 172 is located between the first conductive portion 171 and the edge 109 of the substrate 100 . In the light emitting device 10 of this example, the light emitting section 140 has a first region 141 and a second region 142 . The width of the first region 141 is the first width wL1 , and the width of the second region 142 is the second width wL2 . Here, the second width wL2 is greater than the first width wL1 . The distance d2 between the first conductive portion 171 closest to the second region 142 and the second conductive portion 172 closest to the second region 142 is the distance d2 between the first conductive portion 171 closest to the first region 141 and the second It is larger than the distance d 1 between the second conductive portion 172 closest to the 1 area 141 . Specifically, the greater the width of the light emitting portion 140, the greater the distance between the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 located closest to the region of that width. Note that the first width w L1 and the second width w L2 are widths in a direction perpendicular to the extending direction of the conductive layer 170, respectively.

図9(b)は、発光部140と導電層170との関係の第2例を示す図である。本例の発光装置10は、距離dが、距離dよりも小さい点を除いて第1例に係る発光装置10と同じである。詳しくは、発光部140の幅が大きい程、その幅の領域の最も近くに位置する第1導電部171と第2導電部172との間の距離が小さくなっている。 FIG. 9B is a diagram showing a second example of the relationship between the light emitting section 140 and the conductive layer 170. As shown in FIG. The light emitting device 10 of this example is the same as the light emitting device 10 of the first example except that the distance d2 is smaller than the distance d1. Specifically, the larger the width of the light-emitting portion 140, the smaller the distance between the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 located closest to the region of that width.

上記した第1例および第2例では、いずれも発光部140の幅に応じて第1導電部171と第2導電部172との間の距離が変化している。したがって、発光装置10のデザイン性が向上する。 In both the first example and the second example described above, the distance between the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 changes according to the width of the light emitting portion 140 . Therefore, the design of the light emitting device 10 is improved.

また、第1例において、第2領域142に最も近い第1導電部171と第2領域142との間の距離di2は、第1領域141に最も近い第1導電部171と第1領域141との間の距離di1よりも大きい。こうすることによっても、発光装置10のデザイン性を向上させることができる。くわえて、第2領域142に最も近い第2導電部172と基板100の端部109との間の距離do2は、第1領域141に最も近い第2導電部172と第1領域141との間の距離do1よりも大きい。こうすることによっても、発光装置10のデザイン性を向上させることができる。 Further, in the first example, the distance d i2 between the first conductive portion 171 closest to the second region 142 and the second region 142 is is greater than the distance d i1 between Also by doing so, the design of the light emitting device 10 can be improved. In addition, the distance d o2 between the second conductive portion 172 closest to the second region 142 and the edge 109 of the substrate 100 is the distance between the second conductive portion 172 closest to the first region 141 and the first region 141 . greater than the distance d o1 between Also by doing so, the design of the light emitting device 10 can be improved.

第2例において、距離di2は、距離di1よりも小さい。こうすることによっても、発光装置10のデザイン性を向上させることができる。くわえて、距離do2は、距離do1よりも小さい。こうすることによっても、発光装置10のデザイン性を向上させることができる。 In a second example, distance d i2 is smaller than distance d i1 . Also by doing so, the design of the light emitting device 10 can be improved. In addition, the distance do2 is smaller than the distance do1 . Also by doing so, the design of the light emitting device 10 can be improved.

なお、発光部140と第1導電部171との距離、第1導電部171と第2導電部172との距離、第2導電部172と端部109との距離のうち、少なくともいずれかを発光部140の幅によらず一定としても良いし、発光部140の幅と無関係に変化させても良い。 At least one of the distance between the light-emitting portion 140 and the first conductive portion 171, the distance between the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172, and the distance between the second conductive portion 172 and the end portion 109 is used to emit light. It may be constant regardless of the width of the portion 140 or may be varied regardless of the width of the light emitting portion 140 .

本実施例において、第1導電部171の幅は発光部140の幅によらずほぼ一定である。したがって、第1導電部171の特定の場所に応力が集中することでクラック等が発生するのを防ぐことができる。具体的には、第1領域141に最も近い第1導電部171の幅をwc11とし、第2領域142に最も近い第1導電部171の幅をwc12としたとき、|wc11-wc12|/wc11が0以上0.1以下であることが好ましい。なお、第1導電部171の幅は第1導電部171の延在方向に垂直な方向の幅である。 In this embodiment, the width of the first conductive portion 171 is substantially constant regardless of the width of the light emitting portion 140 . Therefore, it is possible to prevent cracks or the like from occurring due to concentration of stress on a specific location of the first conductive portion 171 . Specifically, when the width of the first conductive portion 171 closest to the first region 141 is w c11 and the width of the first conductive portion 171 closest to the second region 142 is w c12 , |w c11 −w c12 |/w c11 is preferably 0 or more and 0.1 or less. The width of the first conductive portion 171 is the width in the direction perpendicular to the extending direction of the first conductive portion 171 .

また、本実施例において、第2導電部172の幅は発光部140の幅によらずほぼ一定である。したがって、第2導電部172の特定の場所に応力が集中することでクラック等が発生するのを防ぐことができる。具体的には、第1領域141に最も近い第2導電部172の幅をwc21とし、第2領域142に最も近い第2導電部172の幅をwc22としたとき、|wc21-wc22|/wc21が0以上0.1以下であることが好ましい。なお、第2導電部172の幅は第2導電部172の延在方向に垂直な方向の幅である。 Also, in this embodiment, the width of the second conductive portion 172 is substantially constant regardless of the width of the light emitting portion 140 . Therefore, it is possible to prevent cracks or the like from occurring due to concentration of stress on a specific location of the second conductive portion 172 . Specifically, when the width of the second conductive portion 172 closest to the first region 141 is w c21 and the width of the second conductive portion 172 closest to the second region 142 is w c22 , |w c21 −w c22 |/w c21 is preferably 0 or more and 0.1 or less. The width of the second conductive portion 172 is the width in the direction perpendicular to the extending direction of the second conductive portion 172 .

以上、本実施例によれば、実施形態と同様、導電層170が第1導電部171及び第2導電部172を有する。したがって、導電層170での応力が分散されてクラックの発生が低減されるとともに、クラックの延伸が抑制される。ひいては、デザイン性向上等のために導電層170の配置が限られた場合であっても、導電層170を厚膜化して発光部140の発光ムラを抑制することができる。 As described above, according to the present example, the conductive layer 170 has the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 as in the embodiment. Therefore, the stress in the conductive layer 170 is dispersed, the occurrence of cracks is reduced, and the extension of the cracks is suppressed. Furthermore, even if the arrangement of the conductive layer 170 is limited for the purpose of improving the design, etc., the conductive layer 170 can be made thicker to suppress uneven light emission of the light emitting section 140 .

(実施例5)
図10~図13は、実施例5に係る発光装置10の構成を例示する平面図である。図10~図13は発光装置10を基板100の第1面101側、すなわち光の出力面とは逆側から見た状態を示している。図10において、封止膜180は破線で示されている。図11は、図10から封止膜180および第2電極130を除いた図であり、有機層120の外周が破線で示されている。図12は、図11から有機層120および絶縁膜150を除いた図である。図13は、図12から第1電極110を除いた図であり、発光部140の外周が破線で示されている。図1は、図10のA-A断面に相当する。
(Example 5)
10 to 13 are plan views illustrating the configuration of the light emitting device 10 according to Example 5. FIG. 10 to 13 show the light emitting device 10 viewed from the first surface 101 side of the substrate 100, that is, the side opposite to the light output surface. In FIG. 10, the sealing film 180 is indicated by broken lines. FIG. 11 is a diagram excluding the sealing film 180 and the second electrode 130 from FIG. 10, and the outer periphery of the organic layer 120 is indicated by a dashed line. FIG. 12 is a diagram of FIG. 11 with the organic layer 120 and the insulating film 150 removed. FIG. 13 is a diagram of FIG. 12 with the first electrode 110 removed, and the outer periphery of the light emitting section 140 is indicated by a dashed line. FIG. 1 corresponds to the AA section of FIG.

本実施例において、基板100は第3領域106を囲っている。そして、第3領域106に繋がる第4領域107において、基板100が途切れている。 In this embodiment, substrate 100 surrounds third region 106 . Further, the substrate 100 is cut off in a fourth region 107 connected to the third region 106 .

言い換えると、第4領域107は、基板100の内側に位置する第3領域106と、基板100の外側に位置する外部領域108とを繋いでいる。さらに言い換えると、第3領域106は基板100の中空部であり、第4領域107は基板100の切り欠き部である。 In other words, the fourth region 107 connects the third region 106 located inside the substrate 100 and the external region 108 located outside the substrate 100 . In other words, the third region 106 is the hollow portion of the substrate 100 and the fourth region 107 is the notch portion of the substrate 100 .

また、本実施例において、基板100の端部109には、第1端部103、第2端部104、および第3端部105が含まれる。基板100の端部109のうち第3領域106を介して互いに対向する第1端部103間の最大距離は第3距離dである。基板100の端部109のうち第4領域107を介して互いに対向する第2端部104間の距離は第4距離dである。そして、第4距離dは第3距離dよりも小さい。 Also, in this embodiment, the edge 109 of the substrate 100 includes a first edge 103 , a second edge 104 and a third edge 105 . The maximum distance between the first ends 103 of the ends 109 of the substrate 100 that face each other with the third region 106 therebetween is the third distance d3. The distance between the second ends 104 of the ends 109 of the substrate 100 facing each other with the fourth region 107 therebetween is a fourth distance d4. And the fourth distance d4 is smaller than the third distance d3.

さらに、本実施例において、基板100は、第1端部103a、第1端部103bおよび第3端部105aを有し、第1端部103aと第3端部105aとが基板100の縁に沿って連続している。ここで、第1端部103aは基板100の一の端部であり、第1端部103bは、第1端部103aと第3領域106を介して対向する端部である。そして、第3端部105aは、基板100の第1端部103aとは反対側の端部である。 Further, in this embodiment, the substrate 100 has a first end 103a, a first end 103b and a third end 105a, and the first end 103a and the third end 105a are at the edges of the substrate 100. continuous along the Here, the first end portion 103a is one end portion of the substrate 100, and the first end portion 103b is an end portion facing the first end portion 103a with the third region 106 interposed therebetween. The third end 105a is the end of the substrate 100 opposite to the first end 103a.

このように本実施形態に係る発光装置10は、第3領域106を囲う基板100が第4領域107で途切れている。したがって、基板100をたとえば曲面に沿うように配置した場合であっても、寸法の過不足を第4領域107が吸収することにより、発光装置10にヨレやシワが生じにくくなる。また、デザイン性に優れる発光装置10を得られる。 Thus, in the light-emitting device 10 according to this embodiment, the substrate 100 surrounding the third region 106 is cut off at the fourth region 107 . Therefore, even if the substrate 100 is arranged along a curved surface, for example, the fourth region 107 absorbs excess or deficiency in size, so that the light emitting device 10 is less likely to be twisted or wrinkled. Also, the light-emitting device 10 with excellent design can be obtained.

本実施例において、導電層170は発光部140の外周に沿っている。より詳しくは、第1導電部171および第2導電部172は、発光部140の外周に沿っている。したがって、複数の発光部140の間に導電部を設けない場合でも、発光部140に充分な電力を供給でき、発光ムラを抑えることができる。 In this embodiment, the conductive layer 170 is along the periphery of the light emitting section 140 . More specifically, the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 are along the outer circumference of the light emitting portion 140 . Therefore, even when no conductive portion is provided between the plurality of light emitting portions 140, sufficient power can be supplied to the light emitting portions 140, and uneven light emission can be suppressed.

くわえて、有機層120や第2電極130を所定のパターンに形成するためにマスクを用いる場合、マスクのうち第1端部103に対応する部分を蒸着装置に固定するための支持部が、第4領域107に重なるようにすることができる。したがって、基板100に中空部がある場合でも容易にパターニングをして発光装置10を製造することができる。 In addition, when a mask is used to form the organic layer 120 and the second electrode 130 in a predetermined pattern, the supporting portion for fixing the portion of the mask corresponding to the first end portion 103 to the vapor deposition apparatus is the second electrode. 4 area 107 can be overlapped. Therefore, even if the substrate 100 has a hollow portion, the light emitting device 10 can be manufactured by patterning easily.

本実施例に係る発光装置10では、基板100は、互いに対向する一組以上の第1端部103を有している。すなわち第1端部103は、互いに対向する第1端部103aと第1端部103bとを含む。第1端部103は基板100の内周の縁である。第1端部103aと第1端部103bは直接、または他の端部を介して互いに繋がっている。基板100の第1面101に垂直な方向から見て、第1端部103aと第1端部103bとは、互いに平行であっても良いし、非平行であっても良い。また、第1端部103aおよび第1端部103bはそれぞれ直線であっても良いし曲線であっても良い。第1端部103aおよび第1端部103bは、いずれも第3領域106に面している。 In the light emitting device 10 according to this embodiment, the substrate 100 has one or more sets of first end portions 103 facing each other. That is, the first end portion 103 includes a first end portion 103a and a first end portion 103b facing each other. The first end 103 is the edge of the inner circumference of the substrate 100 . The first end 103a and the first end 103b are connected to each other directly or via another end. When viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100, the first end 103a and the first end 103b may be parallel or non-parallel to each other. Also, the first end portion 103a and the first end portion 103b may be straight or curved. Both the first end 103 a and the first end 103 b face the third region 106 .

基板100は、第3端部105を有している。第3端部105は基板100の外周の縁である。本図の例において、第3端部105は第3端部105aと第3端部105bとを含む。第3端部105aは基板100の第1端部103aとは反対側の端部であり、第3端部105bは、基板100の第1端部103bとは反対側の端部である。第3端部105aと第3端部105bは直接、または他の端部を介して互いに繋がっている。基板100の第1面101に垂直な方向から見て、第3端部105aと第3端部105bとは、互いに平行であっても良いし、非平行であっても良い。また、第3端部105aおよび第3端部105bはそれぞれ直線であっても良いし曲線であっても良い。第3端部105aおよび第3端部105bは、いずれも外部領域108に面している。本図の例において、第1端部103と第3端部105とは互いに略相似であるが、第1端部103と第3端部105とは互いに異なる形状であっても良い。 Substrate 100 has a third end 105 . The third end 105 is the outer edge of the substrate 100 . In the example of this figure, the third end 105 includes a third end 105a and a third end 105b. The third end 105a is the end of the substrate 100 opposite to the first end 103a, and the third end 105b is the end of the substrate 100 opposite to the first end 103b. The third end 105a and the third end 105b are connected to each other directly or via another end. When viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100, the third end 105a and the third end 105b may be parallel or non-parallel to each other. Further, the third end portion 105a and the third end portion 105b may be straight or curved. Both the third end 105 a and the third end 105 b face the external region 108 . In the example of this figure, the first end portion 103 and the third end portion 105 are substantially similar to each other, but the first end portion 103 and the third end portion 105 may have different shapes.

基板100は、互いに対向する一組以上の第2端部104を有している。すなわち第2端部104は、互いに対向する第2端部104aと第2端部104bとを含む。本図の例において第2端部104は第1端部103と第3端部105とを繋いでいる。具体的には、第2端部104aは第1端部103aと第3端部105aとを繋いでおり、第2端部104bは第1端部103bと第3端部105bとを繋いでいる。また、第2端部104aの一端と第2端部104bの一端とは、少なくとも第1端部103aおよび第1端部103bを介して繋がっており、第2端部104aの他端と第2端部104bの他端とは、少なくとも第3端部105aおよび第3端部105bを介して繋がっている。そして、第1端部103、第2端部104、および第3端部105は合わせて、一つの閉じた領域を形成しており、この領域は基板100が存在する領域に一致する。基板100の第1面101に垂直な方向から見て、第2端部104aと第2端部104bとは、互いに平行であっても良いし、非平行であっても良い。また、第2端部104aおよび第2端部104bはそれぞれ直線であっても良いし、曲線であっても良いし、基板100の頂点であっても良い。第2端部104aおよび第2端部104bは、いずれも第4領域107に面している。 The substrate 100 has one or more sets of second ends 104 facing each other. That is, the second end portion 104 includes a second end portion 104a and a second end portion 104b that face each other. In the example of this figure, the second end 104 connects the first end 103 and the third end 105 . Specifically, the second end 104a connects the first end 103a and the third end 105a, and the second end 104b connects the first end 103b and the third end 105b. . One end of the second end portion 104a and one end of the second end portion 104b are connected via at least the first end portion 103a and the first end portion 103b, and the other end of the second end portion 104a and the second end portion are connected to each other. The other end of the end portion 104b is connected via at least the third end portion 105a and the third end portion 105b. Together, the first end 103, the second end 104, and the third end 105 form one closed area, which coincides with the area where the substrate 100 resides. When viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 of the substrate 100, the second end 104a and the second end 104b may or may not be parallel to each other. Further, the second end portion 104a and the second end portion 104b may be straight lines, curved lines, or vertices of the substrate 100, respectively. Both the second end 104 a and the second end 104 b face the fourth region 107 .

本実施例に係る発光装置10は、複数を組み合わせて用いることができる。詳しくは、一の発光装置10の基板100を他の発光装置10の第3領域106に通して連結させることができる。そうすることで、複数の発光装置10を用いて全体のデザイン性をさらに高めることができる。 A plurality of light emitting devices 10 according to this embodiment can be used in combination. Specifically, the substrate 100 of one light emitting device 10 can be connected through the third region 106 of another light emitting device 10 . By doing so, it is possible to further improve the overall design by using a plurality of light emitting devices 10 .

本実施例に係る発光装置10は、第1端子112、および第2端子132さらに備える。図13を参照して第1端子112および第2端子132について詳しく説明する。第1端子112および第2端子132はいずれも基板100のうち発光部140と同一面側に形成されている。第1端子112及び第2端子132の少なくとも一部は封止膜180の外部に位置している。第1端子112は第1端子112aから第1端子112dを含み、第2端子132は第2端子132aから第2端子132cを含む。 The light emitting device 10 according to this embodiment further includes a first terminal 112 and a second terminal 132 . First terminal 112 and second terminal 132 will be described in detail with reference to FIG. Both the first terminal 112 and the second terminal 132 are formed on the same surface of the substrate 100 as the light emitting section 140 . At least a portion of the first terminal 112 and the second terminal 132 are positioned outside the sealing film 180 . The first terminals 112 include first terminals 112a to 112d, and the second terminals 132 include second terminals 132a to 132c.

第1端子112は、第1電極110と電気的に接続されている。本図に示す例において、第1端子112は導電層170と繋がっている。また、第1端子112aは、導電層170aの延在方向の両端に位置する。ここで導電層170aは、複数の発光部140の外周のうち最も第3端部105側で第3端部105に沿っている部分と第3端部105との間に位置する導電層170である。第1端子112bは、導電層170bの延在方向の両端に位置する。ここで、導電層170bは、複数の発光部140の外周のうち最も第1端部103側で第1端部103に沿っている部分と第1端部103との間に位置する導電層170である。第1端子112aおよび第1端子112bは第2端部104に配置されている。二つの第1端子112aは対向しており、二つの第1端子112bは対向している。第1端子112cは、導電層170aの途中に接続されており、導電層170aと第3端部105との間に位置する。第1端子112dは、導電層170bの途中に接続されており、導電層170bと第1端部103との間に位置する。なお、発光装置10は、第1端子112aから第1端子112dのうち少なくともいずれかを含まなくても良い。 The first terminal 112 is electrically connected to the first electrode 110 . In the example shown in this figure, the first terminal 112 is connected to the conductive layer 170 . The first terminals 112a are located at both ends of the conductive layer 170a in the extending direction. Here, the conductive layer 170a is the conductive layer 170 positioned between the third end portion 105 and the portion along the third end portion 105 closest to the third end portion 105 among the outer circumferences of the plurality of light emitting portions 140. be. The first terminals 112b are located at both ends in the extending direction of the conductive layer 170b. Here, the conductive layer 170b is positioned between the first end portion 103 and the portion along the first end portion 103 closest to the first end portion 103 among the outer circumferences of the plurality of light emitting portions 140. is. First terminal 112 a and first terminal 112 b are located at second end 104 . The two first terminals 112a face each other, and the two first terminals 112b face each other. The first terminal 112 c is connected in the middle of the conductive layer 170 a and positioned between the conductive layer 170 a and the third end portion 105 . The first terminal 112 d is connected in the middle of the conductive layer 170 b and positioned between the conductive layer 170 b and the first end portion 103 . Note that the light emitting device 10 may not include at least one of the first terminals 112a to 112d.

第2端子132は、第2電極130と電気的に接続されている。本図に示す例において、第2電極130の少なくとも一部は絶縁膜150を乗り越えて第2端子132に接続されている。第2端子132aは、第2端部104にそれぞれ配置されており、二つの第2端子132aは互いに対向している。第2端子132bは、導電層170aと第3端部105との間に位置する。第2端子132cは、導電層170bと第1端部103との間に位置する。第2端子132bは第1端子112cと並んでおり、第2端子132cは第1端子112dと並んでいる。第2端子132aは、第1端子112aと第1端子112bとの間に位置する。なお、発光装置10は、第2端子132aから第2端子132cのうち少なくともいずれかを含まなくても良い。 The second terminal 132 is electrically connected to the second electrode 130 . In the example shown in this figure, at least part of the second electrode 130 is connected to the second terminal 132 over the insulating film 150 . The second terminals 132a are respectively arranged at the second ends 104, and the two second terminals 132a face each other. A second terminal 132 b is located between the conductive layer 170 a and the third end 105 . A second terminal 132 c is located between the conductive layer 170 b and the first end 103 . The second terminal 132b is aligned with the first terminal 112c, and the second terminal 132c is aligned with the first terminal 112d. The second terminal 132a is located between the first terminal 112a and the first terminal 112b. Note that the light emitting device 10 may not include at least one of the second terminals 132a to 132c.

第1端子112、および第2端子132は、たとえば、導電層170と同一の材料で形成された層、および、第1電極110と同一の材料で形成された層の少なくとも一方を有している。第1端子112および第2端子132のうち導電層170と同一の材料で形成された層は、導電層170と同一工程で形成することができる。このため、導電層170は、第1端子112の少なくとも一部の層と一体になっていてもよい。 The first terminal 112 and the second terminal 132 have, for example, at least one of a layer made of the same material as the conductive layer 170 and a layer made of the same material as the first electrode 110. . A layer formed of the same material as the conductive layer 170 in the first terminal 112 and the second terminal 132 can be formed in the same process as the conductive layer 170 . Therefore, the conductive layer 170 may be integrated with at least part of the layers of the first terminal 112 .

本図の例において、基板100の第1面101には複数の発光部140が設けられている。具体的には、発光装置10は、二つの発光部140のセグメントを有している。複数の発光部140は全体として基板100と同様の形状を有している。ただし、本図の例に限定されず、基板100の第1面101には発光部140が一つのみ設けられていても良い。また、発光部140の形状は第1面101に垂直な方向から見て基板100の形状とは異なっていても良い。 In the example of this figure, a plurality of light-emitting portions 140 are provided on the first surface 101 of the substrate 100 . Specifically, the light-emitting device 10 has two segments of the light-emitting portion 140 . The plurality of light emitting units 140 have the same shape as the substrate 100 as a whole. However, the present invention is not limited to this example, and only one light emitting unit 140 may be provided on the first surface 101 of the substrate 100 . Also, the shape of the light emitting part 140 may be different from the shape of the substrate 100 when viewed from the direction perpendicular to the first surface 101 .

本図に示す例において、導電層170は、一つの発光部140について一つずつ形成されている。具体的には、導電層170は発光部140の一方の縁に沿って形成されている。ただし、本例に限定されず、導電層170は一つの発光部140の両側に形成されていても良い。 In the example shown in this figure, one conductive layer 170 is formed for each light emitting section 140 . Specifically, the conductive layer 170 is formed along one edge of the light emitting section 140 . However, the present invention is not limited to this example, and the conductive layers 170 may be formed on both sides of one light emitting section 140 .

第1端子112には、フレキシブルケーブル、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の正極端子が接続され、第2端子132には、フレキシブルケーブル、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。 A positive terminal of the control circuit is connected to the first terminal 112 via a conductive member such as a flexible cable, a bonding wire or a lead terminal, and a conductive member such as a flexible cable, a bonding wire or a lead terminal is connected to the second terminal 132. is connected to the negative terminal of the control circuit.

本実施例において、基板100は全体として、中がくり抜かれたハート型をしている。くり抜かれた部分が第3領域106である。ただし、基板100および発光部140の形状は本例に限定されず、円形、矩形、多角形、星形等であっても良い。ただし、発光部140の縁の少なくとも一部は基板100の縁に沿っていることが好ましい。また、基板100は環状に閉じてはおらず、上記した通り第4領域107で途切れていることが好ましい。 In this embodiment, the substrate 100 as a whole has a hollow heart shape. The hollowed out portion is the third region 106 . However, the shapes of the substrate 100 and the light emitting section 140 are not limited to this example, and may be circular, rectangular, polygonal, star-shaped, or the like. However, at least part of the edge of the light emitting section 140 is preferably along the edge of the substrate 100 . Moreover, it is preferable that the substrate 100 is not closed in a circular shape, but is discontinued at the fourth region 107 as described above.

以上、本実施例によれば、実施形態と同様、導電層170が第1導電部171及び第2導電部172を有する。したがって、導電層170での応力が分散されてクラックの発生が低減されるとともに、クラックの延伸が抑制される。ひいては、デザイン性向上等のために導電層170の配置が限られた場合であっても、導電層170を厚膜化して発光部140の発光ムラを抑制することができる。 As described above, according to the present example, the conductive layer 170 has the first conductive portion 171 and the second conductive portion 172 as in the embodiment. Therefore, the stress in the conductive layer 170 is dispersed, the occurrence of cracks is reduced, and the extension of the cracks is suppressed. Furthermore, even if the arrangement of the conductive layer 170 is limited for the purpose of improving the design, etc., the conductive layer 170 can be made thicker to suppress uneven light emission of the light emitting section 140 .

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、参考形態の例を付記する。
1.
基板の第1面側に位置し、第1電極、有機層、及び第2電極を含む積層構造からなる発光部と、
第1導電部及び第2導電部を有し、前記第1電極の材料より導電率の高い材料を含む導電層とを備え、
前記第1導電部および前記第2導電部は、前記発光部と前記基板の端部との間に位置する発光装置。
2.
1.に記載の発光装置において、
前記発光部と前記第1導電部との間、前記第1導電部と前記第2導電部との間、および、前記第2導電部と前記基板の端部との間において、前記第1電極は前記基板に接する発光装置。
3.
2.に記載の発光装置において、
前記導電層の一方の面は前記基板と接しており、他方の面は前記第1電極と接している発光装置。
4.
2.または3.に記載の発光装置において、
前記第1電極に含まれる材料と同一の材料を含み、前記基板と前記第1導電部の間に位置する下地層をさらに備える発光装置。
5.
4.に記載の発光装置において、
前記第1面に垂直な方向から見て、前記下地層の端部は前記第1導電部の端部と重なる発光装置。
6.
4.に記載の発光装置において、
前記第1面に垂直な方向から見て、前記下地層の端部は前記第1導電部とは重ならず、
前記下地層は前記第1電極と接する発光装置。
7.
1.から6.のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記第1導電部および前記第2導電部は、それぞれ前記発光部の外周に沿って延在している発光装置。
8.
1.から7.のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記導電層には、前記第1導電部と前記第2導電部との間に開口が設けられており、前記開口は、円、楕円、または矩形である発光装置。
9.
1.から7.のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記第1導電部及び前記第2導電部は、互いに離間している発光装置。
10.
1.から9.のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記発光部は、第1領域と第2領域とを有し、
前記第1領域の幅は第1幅であり、
前記第2領域の幅は前記第1幅よりも大きな第2幅であり、
前記第2領域に最も近い前記第1導電部及び前記第2導電部の間の距離は、前記第1領域に最も近い前記第1導電部及び前記第2導電部の間の距離よりも大きい発光装置。
11.
1.から9.のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記発光部は、第1領域と第2領域とを有し、
前記第1領域の幅は第1幅であり、
前記第2領域の幅は前記第1幅よりも大きな第2幅であり、
前記第2領域に最も近い前記第1導電部及び前記第2導電部の間の距離は、前記第1領域に最も近い前記第1導電部及び前記第2導電部の間の距離よりも小さい発光装置。
12.
10.または11.に記載の発光装置において、
前記第1領域に最も近い前記第1導電部の幅をwc11とし、前記第2領域に最も近い前記第1導電部の幅をwc12としたとき、|wc11-wc12|/wc11が0以上0.1以下である発光装置。
13.
1.から12.のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記基板の端部のうち第3領域を介して互いに対向する第1端部間の最大距離は第3距離であり、前記基板の端部のうち第4領域を介して互いに対向する第2端部間の距離は前記第3距離よりも小さな第4距離であり、
前記基板は前記第3領域を囲っており、かつ、前記第3領域に繋がる前記第4領域において前記基板は途切れており、
前記第1導電部および前記第2導電部は、前記発光部の外周に沿っている発光装置。
14.
1.から13.のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記第1電極は透光性を有し、
前記導電層は、前記第1電極と電気的に繋がっている発光装置。
15.
1.から14.のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記第1導電部と前記第2導電部とは、並列に配置されている発光装置。
Although the embodiments and examples have been described above with reference to the drawings, these are examples of the present invention, and various configurations other than those described above can be adopted.
Examples of reference forms are added below.
1.
a light-emitting portion located on the first surface side of the substrate and having a laminated structure including a first electrode, an organic layer, and a second electrode;
A conductive layer having a first conductive portion and a second conductive portion and containing a material having a higher conductivity than the material of the first electrode,
The light-emitting device, wherein the first conductive portion and the second conductive portion are positioned between the light-emitting portion and an end portion of the substrate.
2.
1. In the light emitting device according to
between the light-emitting portion and the first conductive portion, between the first conductive portion and the second conductive portion, and between the second conductive portion and the edge of the substrate, the first electrode is a light-emitting device in contact with the substrate;
3.
2. In the light emitting device according to
A light-emitting device in which one surface of the conductive layer is in contact with the substrate and the other surface is in contact with the first electrode.
4.
2. or 3. In the light emitting device according to
The light emitting device further comprising an underlying layer that includes the same material as the material included in the first electrode and that is positioned between the substrate and the first conductive portion.
5.
4. In the light emitting device according to
A light-emitting device in which an end portion of the underlayer overlaps an end portion of the first conductive portion when viewed from a direction perpendicular to the first surface.
6.
4. In the light emitting device according to
When viewed from a direction perpendicular to the first surface, an end portion of the underlying layer does not overlap the first conductive portion,
The light emitting device, wherein the base layer is in contact with the first electrode.
7.
1. to 6. In the light emitting device according to any one of
The light-emitting device, wherein the first conductive portion and the second conductive portion each extend along the outer periphery of the light-emitting portion.
8.
1. to 7. In the light emitting device according to any one of
The light-emitting device according to claim 1, wherein the conductive layer is provided with an opening between the first conductive portion and the second conductive portion, and the opening is circular, elliptical, or rectangular.
9.
1. to 7. In the light emitting device according to any one of
The light emitting device, wherein the first conductive portion and the second conductive portion are separated from each other.
10.
1. to 9. In the light emitting device according to any one of
The light emitting unit has a first region and a second region,
The width of the first region is a first width,
The width of the second region is a second width larger than the first width,
The distance between the first conductive portion and the second conductive portion closest to the second region is larger than the distance between the first conductive portion and the second conductive portion closest to the first region. Device.
11.
1. to 9. In the light emitting device according to any one of
The light emitting unit has a first region and a second region,
The width of the first region is a first width,
The width of the second region is a second width larger than the first width,
A distance between the first conductive part and the second conductive part closest to the second region is smaller than a distance between the first conductive part and the second conductive part closest to the first region. Device.
12.
10. or 11. In the light emitting device according to
When the width of the first conductive portion closest to the first region is w c11 and the width of the first conductive portion closest to the second region is w c12 , |w c11 −w c12 |/w c11 is 0 or more and 0.1 or less.
13.
1. to 12. In the light emitting device according to any one of
A maximum distance between first end portions of the edge portions of the substrate that face each other through a third region is a third distance, and second ends of the edge portions of the substrate that face each other through a fourth region are the maximum distance. the distance between the parts is a fourth distance that is smaller than the third distance;
the substrate surrounds the third region, and the substrate is discontinued in the fourth region connected to the third region;
The light emitting device, wherein the first conductive portion and the second conductive portion are along the periphery of the light emitting portion.
14.
1. to 13. In the light emitting device according to any one of
The first electrode has translucency,
The light emitting device, wherein the conductive layer is electrically connected to the first electrode.
15.
1. to 14. In the light emitting device according to any one of
The light emitting device, wherein the first conductive portion and the second conductive portion are arranged in parallel.

10 発光装置
100 基板
101 第1面
102 第2面
103,103a,103b 第1端部
104,104a,104b 第2端部
105,105a,105b 第3端部
106 第3領域
107 第4領域
108 外部領域
109 端部
110 第1電極
112,112a,112b,112c,112d 第1端子
120 有機層
130 第2電極
132,132a,132b,132c 第2端子
140 発光部
141 第1領域
142 第2領域
150 絶縁膜
170,170a,170b 導電層
171,171a 第1導電部
172,172a 第2導電部
174 下地層
175 開口
180 封止膜
10 Light emitting device 100 Substrate 101 First surface 102 Second surface 103, 103a, 103b First end 104, 104a, 104b Second end 105, 105a, 105b Third end 106 Third region 107 Fourth region 108 Outside Region 109 Edge 110 First electrode 112, 112a, 112b, 112c, 112d First terminal 120 Organic layer 130 Second electrode 132, 132a, 132b, 132c Second terminal 140 Light emitting part 141 First region 142 Second region 150 Insulation Films 170, 170a, 170b Conductive layers 171, 171a First conductive portions 172, 172a Second conductive portion 174 Base layer 175 Opening 180 Sealing film

Claims (1)

基板の第1面側に位置し、第1電極、有機層、及び第2電極を含む積層構造からなる発光部と、
第1導電部及び第2導電部を有し、前記第1電極の材料より導電率の高い材料を含む導電層とを備え、
前記第1導電部および前記第2導電部は、前記発光部と前記基板の端部との間に位置する発光装置。
a light-emitting portion located on the first surface side of the substrate and having a laminated structure including a first electrode, an organic layer, and a second electrode;
A conductive layer having a first conductive portion and a second conductive portion and containing a material having a higher conductivity than the material of the first electrode,
The light-emitting device, wherein the first conductive portion and the second conductive portion are positioned between the light-emitting portion and an end portion of the substrate.
JP2022106900A 2017-02-17 2022-07-01 Light-emitting device Pending JP2022121653A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022106900A JP2022121653A (en) 2017-02-17 2022-07-01 Light-emitting device
JP2023217910A JP2024023850A (en) 2017-02-17 2023-12-25 light emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017027598A JP2018133274A (en) 2017-02-17 2017-02-17 Light-emitting device
JP2022106900A JP2022121653A (en) 2017-02-17 2022-07-01 Light-emitting device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017027598A Division JP2018133274A (en) 2017-02-17 2017-02-17 Light-emitting device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023217910A Division JP2024023850A (en) 2017-02-17 2023-12-25 light emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022121653A true JP2022121653A (en) 2022-08-19

Family

ID=63248561

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017027598A Pending JP2018133274A (en) 2017-02-17 2017-02-17 Light-emitting device
JP2022106900A Pending JP2022121653A (en) 2017-02-17 2022-07-01 Light-emitting device
JP2023217910A Pending JP2024023850A (en) 2017-02-17 2023-12-25 light emitting device

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017027598A Pending JP2018133274A (en) 2017-02-17 2017-02-17 Light-emitting device

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023217910A Pending JP2024023850A (en) 2017-02-17 2023-12-25 light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (3) JP2018133274A (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1787546A (en) * 2004-12-10 2006-06-14 上海宏力半导体制造有限公司 Personal movable apparatus with luminous assembly and mfg. method thereof
JP2014002960A (en) * 2012-06-20 2014-01-09 Mitsubishi Chemicals Corp Surface emitting panel
JP2014225356A (en) * 2013-05-15 2014-12-04 パイオニア株式会社 Light-emitting element

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4428502B2 (en) * 2002-10-23 2010-03-10 出光興産株式会社 Electrode substrate for organic electroluminescent element, method for producing the same, and organic EL light emitting device
JP4114551B2 (en) * 2003-06-06 2008-07-09 株式会社豊田自動織機 Planar light emitting device using auxiliary electrode
JP5603897B2 (en) * 2012-03-23 2014-10-08 株式会社東芝 Organic electroluminescence device and lighting device
JP6211873B2 (en) * 2013-09-30 2017-10-11 株式会社ジャパンディスプレイ Organic EL display device and method of manufacturing organic EL display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1787546A (en) * 2004-12-10 2006-06-14 上海宏力半导体制造有限公司 Personal movable apparatus with luminous assembly and mfg. method thereof
JP2014002960A (en) * 2012-06-20 2014-01-09 Mitsubishi Chemicals Corp Surface emitting panel
JP2014225356A (en) * 2013-05-15 2014-12-04 パイオニア株式会社 Light-emitting element

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018133274A (en) 2018-08-23
JP2024023850A (en) 2024-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170057336A (en) Light emitting device
JP2016062767A (en) Light-emitting device
JP2022121653A (en) Light-emitting device
JP6617024B2 (en) Light emitting device
JP6378769B2 (en) Optical device
WO2016157321A1 (en) Light emitting device
WO2018151026A1 (en) Light emission device
WO2018151027A1 (en) Light emission device
JP7198882B2 (en) light emitting device
WO2017163331A1 (en) Light emitting device, electronic device, and manufacturing method for light emitting device
JP6124058B2 (en) Organic EL panel
JP6725732B2 (en) Light emitting device
WO2017119068A1 (en) Light emitting device
JP6700013B2 (en) Light emitting device
JP6644486B2 (en) Light emitting device
JP2016072283A (en) Light emission device
JP2017123238A (en) Light-emitting device
WO2017154207A1 (en) Light-emitting device
JP2016186911A (en) Light emission device
JP2022174312A (en) Light-emitting device
JP2016062766A (en) Light emitting device
WO2018025576A1 (en) Light emitting device
JP2023181527A (en) Light-emitting device
WO2017119069A1 (en) Light emitting device
JP2019201004A (en) Light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220701

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230328

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230926