JP2022112884A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 23
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 78
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 40
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 40
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical group [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 169
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 169
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 133
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 133
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 125
- 239000000463 material Substances 0.000 description 68
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 37
- 230000006870 function Effects 0.000 description 27
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 101150009920 MCA2 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- -1 etc. Chemical compound 0.000 description 3
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUOITRGULIVMPC-UHFFFAOYSA-N azanylidynescandium Chemical compound [Sc]#N CUOITRGULIVMPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N azanylidynevanadium Chemical compound [V]#N SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N azanylidyneyttrium Chemical compound [Y]#N AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0097—Erasing, e.g. resetting, circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
- H10B63/24—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes of the Ovonic threshold switching type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
- H10B63/845—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays the switching components being connected to a common vertical conductor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/10—Resistive cells; Technology aspects
- G11C2213/15—Current-voltage curve
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Abstract
【課題】微細化の容易な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、第1電極及び第2電極と、第1電極及び第2電極の間に設けられた相変化層と、第1電極及び相変化層の間に設けられた第1の層とを備える。相変化層は、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、及びテルル(Te)の少なくとも1つを含み、第1の層は、アルミニウム(Al)及びアンチモン(Sb)、又は、テルル(Te)、並びに、亜鉛(Zn)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)の少なくとも一つを含む。
【選択図】図3
【解決手段】半導体記憶装置は、第1電極及び第2電極と、第1電極及び第2電極の間に設けられた相変化層と、第1電極及び相変化層の間に設けられた第1の層とを備える。相変化層は、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、及びテルル(Te)の少なくとも1つを含み、第1の層は、アルミニウム(Al)及びアンチモン(Sb)、又は、テルル(Te)、並びに、亜鉛(Zn)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)の少なくとも一つを含む。
【選択図】図3
Description
本実施形態は、半導体記憶装置に関する。
第1電極及び第2電極と、第1電極及び第2電極の間に設けられた相変化層と、を備える半導体記憶装置が知られている。相変化層は、例えば、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)及びテルル(Te)等を含む。
微細化の容易な半導体記憶装置を提供する。
一の実施形態に係る半導体記憶装置は、第1電極及び第2電極と、第1電極及び第2電極の間に設けられた相変化層と、第1電極及び相変化層の間に設けられた第1の層とを備える。相変化層は、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、及びテルル(Te)の少なくとも1つを含み、第1の層は、アルミニウム(Al)及びアンチモン(Sb)、又は、テルル(Te)、並びに、亜鉛(Zn)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)の少なくとも一つを含む。
一の実施形態に係る半導体記憶装置は、第1電極及び第2電極と、第1電極及び第2電極の間に設けられた相変化層と、第1電極及び相変化層の間に設けられた第1の層とを備える。相変化層は、立方晶の結晶を含み、第1の層は、閃亜鉛鉱型構造または面心立方格子の結晶を含む。
次に、実施形態に係る半導体記憶装置を、図面を参照して詳細に説明する。尚、以下の実施形態はあくまでも一例であり、本発明を限定する意図で示されるものではない。また、以下の図面は模式的なものであり、説明の都合上、一部の構成等が省略される場合がある。また、複数の実施形態について共通する部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
また、本明細書においては、基板の表面に対して平行な所定の方向をX方向、基板の表面に対して平行で、X方向と垂直な方向をY方向、基板の表面に対して垂直な方向をZ方向と呼ぶ。
また、本明細書においては、所定の面に沿った方向を第1方向、この所定の面に沿って第1方向と交差する方向を第2方向、この所定の面と交差する方向を第3方向と呼ぶことがある。これら第1方向、第2方向及び第3方向は、X方向、Y方向及びZ方向のいずれかと対応していても良いし、対応していなくても良い。
また、本明細書において、「上」や「下」等の表現は、基板を基準とする。例えば、上記第1方向が基板の表面と交差する場合、この第1方向に沿って基板から離れる向きを上と、第1方向に沿って基板に近付く向きを下と呼ぶ。また、ある構成について下面や下端と言う場合には、この構成の基板側の面や端部を意味する事とし、上面や上端と言う場合には、この構成の基板と反対側の面や端部を意味する事とする。また、第2方向又は第3方向と交差する面を側面等と呼ぶ。
また、本明細書において、第1の構成が第2の構成に「電気的に接続されている」と言った場合、第1の構成は第2の構成に直接接続されていても良いし、第1の構成が第2の構成に配線、半導体部材又はトランジスタ等を介して接続されていても良い。例えば、3つのトランジスタを直列に接続した場合には、2つ目のトランジスタがOFF状態であったとしても、1つ目のトランジスタは3つ目のトランジスタに「電気的に接続」されている。
また、本明細書において、第1の構成が第2の構成から「電気的に絶縁されている」と言った場合には、例えば、第1の構成と第2の構成との間に絶縁層等が設けられており、第1の構成と第2の構成とを接続するコンタクトや配線等が設けられていない状態を意味することとする。
また、本明細書において、回路等が2つの配線等を「導通させる」と言った場合には、例えば、この回路等がトランジスタ等を含んでおり、このトランジスタ等が2つの配線の間の電流経路に設けられており、このトランジスタ等がON状態となることを意味する事がある。
以下、図面を参照して、実施形態に係る半導体記憶装置の回路構成について説明する。尚、以下の図面は模式的なものであり、説明の都合上、一部の構成を省略することがある。
[第1実施形態]
[概略構成]
図1は、第1実施形態に係る半導体記憶装置の一部の構成を示す模式的な回路図である。図2は、同半導体記憶装置の一部の構成を示す模式的な斜視図である。
[概略構成]
図1は、第1実施形態に係る半導体記憶装置の一部の構成を示す模式的な回路図である。図2は、同半導体記憶装置の一部の構成を示す模式的な斜視図である。
本実施形態に係る半導体記憶装置は、メモリセルアレイMCAと、メモリセルアレイMCAを制御する周辺回路PCと、を備える。
メモリセルアレイMCAは、例えば、図2に示す通り、Z方向に並ぶ複数のメモリマットMMを備える。メモリマットMMは、ビット線BLと、ワード線WLと、メモリセルMCと、を備える。ビット線BLは、X方向に複数配列され、Y方向に延伸する。ワード線WLは、Y方向に複数配列され、X方向に延伸する。メモリセルMCは、ビット線BL及びワード線WLに対応して、X方向及びY方向に複数並ぶ。図示の様に、Z方向に並ぶ2つのメモリマットMMについては、ビット線BL又はワード線WLが共通に設けられていても良い。図1の例において、メモリセルMCの陰極ECはビット線BLに接続される。また、メモリセルMCの陽極EAはワード線WLに接続される。メモリセルMCは、抵抗変化素子VR及び非線形素子NOを備える。
周辺回路PCは、ビット線BL及びワード線WLに接続されている。周辺回路PCは、例えば、降圧回路、選択回路、センスアンプ回路、及びこれらを制御するシーケンサ等を備える。降圧回路は、電源電圧等を降圧して電圧供給線に出力する。選択回路は、選択アドレスに対応するビット線BL及びワード線WLを、対応する電圧供給線と導通させる。センスアンプ回路は、ビット線BLの電圧又は電流に応じて0又は1のデータを出力する。
[メモリセルMCの構成]
図3は、本実施形態に係るメモリセルMCの模式的な断面図である。図3(a)は下方にビット線BLが設けられ上方にワード線WLが設けられるものに対応している。図3(b)は下方にワード線WLが設けられ上方にビット線BLが設けられるものに対応している。
図3は、本実施形態に係るメモリセルMCの模式的な断面図である。図3(a)は下方にビット線BLが設けられ上方にワード線WLが設けられるものに対応している。図3(b)は下方にワード線WLが設けられ上方にビット線BLが設けられるものに対応している。
図3(a)に示すメモリセルMCは、ビット線BL上面のバリア導電層101に順に積層された導電層102、カルコゲン層103、導電層104、バリア導電層105、結晶化促進層106、カルコゲン層107、バリア導電層108及び導電層109を備える。導電層109には、ワード線WL下面のバリア導電層110が設けられている。
バリア導電層101は、ビット線BLの一部として機能する。バリア導電層101は、例えば、窒化タングステン(WN)、窒化チタン(TiN)等であっても良いし、炭窒化タングステン(WCN)又は炭窒化タングステンシリサイド(WCNSi)等、その他の導電層であっても良い。
導電層102は、メモリセルMCの直下に設けられるビット線BLに接続され、メモリセルMCの陰極ECとして機能する。導電層102は、例えば、炭素(C)、窒化炭素(CN)等であっても良いし、タングステン(W)、窒化タングステン(WN)、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、バナジウム(V)、窒化バナジウム(VN)、ジルコニウム(Zr)、窒化ジルコニウム(ZrN)、ハフニウム(Hf)、窒化ハフニウム(HfN)、イットリウム(Y)、窒化イットリウム(YN)、スカンジウム(Sc)、窒化スカンジウム(ScN)、タンタル(Ta)、窒化タンタル(TaN)、モリブデン(Mo)、レニウム(Re)、ニオブ(Nb)、アルミニウム(Al)等であっても良い。また、導電層102は、例えば、リン(P)等のN型の不純物が注入された多結晶シリコン等でも良いし、炭化タングステン(WC)、炭窒化タングステン(WCN)又は炭窒化タングステンシリサイド(WCNSi)等、その他の導電層であっても良い。
カルコゲン層103は、非線形素子NOとして機能する。例えば、カルコゲン層103に所定のしきい値よりも低い電圧が印加された場合、カルコゲン層103は高抵抗状態である。カルコゲン層103に印加される電圧が所定のしきい値に達すると、カルコゲン層103は低抵抗状態となり、カルコゲン層103に流れる電流は複数桁増大する。カルコゲン層103に印加される電圧が一定の時間所定の電圧を下回ると、カルコゲン層103は再度高抵抗状態となる。
カルコゲン層103は、例えば、少なくとも1種以上のカルコゲンを含む。カルコゲン層103は、例えば、カルコゲンを含む化合物であるカルコゲナイドを含んでも良い。また、カルコゲン層103は、B、N、Al、Zn、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、As、P、Sbからなる群より選択された少なくとも1種の元素を含んでも良い。
尚、ここで言うカルコゲンとは、周期表の第16族に属する元素のうち、酸素(O)を除くものである。カルコゲンは、例えば、硫黄(S)、セレン(Se)、テルル(Te)等を含む。
導電層104は、非線形素子NO及び抵抗変化素子VRを接続する電極として機能する。導電層104は、例えば、導電層102と同様の材料を含んでも良い。
バリア導電層105は、例えば、バリア導電層101と同様の材料を含んでも良い。
結晶化促進層106は、カルコゲン層107の陰極EC側の面と接し、カルコゲン層107の結晶構造を制御可能な結晶下地(テンプレート)として機能する。結晶化促進層106は、例えば、立方晶の結晶を含む。立方晶の結晶は、例えば、閃亜鉛鉱構造の結晶、fcc(Face-Centered Cubic;面心立方)格子構造の結晶(以下、「fcc結晶」と呼ぶ。)等である。結晶化促進層106は、後述する構成原子からなる層を少なくとも1層以上有する。
また、結晶化促進層106は、後述するセット動作、リセット動作に必要な熱をカルコゲン層107へ供給するヒーターとしても機能する。効果的なヒーターとして機能するよう、結晶化促進層106は、後述する比較的大きなバンドギャップを有する、即ち比較的低い電気伝導性を示す材料を含む。
また、結晶化促進層106は、熱遮蔽部材としても機能する。結晶化促進層106において発生したジュール熱がカルコゲン層103側へ逃げにくくなるよう、結晶化促進層106は、後述する比較的低い熱伝導性を有する材料を含む。
カルコゲン層107は、抵抗変化素子VRとして機能する。カルコゲン層107は、例えば、溶融温度以上の加熱と急速な冷却によりアモルファス状態(リセット状態:高抵抗状態)となる。また、カルコゲン層107は、例えば、溶融温度よりも低く結晶化温度よりも高い温度の加熱により結晶状態(セット状態:低抵抗状態)となる。
カルコゲン層107は、例えば、少なくとも1種以上のカルコゲンを含む。カルコゲン層107は、例えば、カルコゲンを含む化合物であるカルコゲナイドを含んでも良い。カルコゲン層107は、例えば、GeSbTe、GeCuTe、GeTe、SbTe、SiTe等でも良い。また、カルコゲン層107は、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)及びテルル(Te)のうちから選ばれた少なくとも1種の元素を含んでも良い。また、カルコゲン層107は、窒素(N)、炭素(C)、ホウ素(B)等を含んでも良い。
バリア導電層108は、例えば、バリア導電層101と同様の材料を含んでも良い。
導電層109は、メモリセルMCの直上に設けられるワード線WLに接続され、メモリセルMCの陽極EAとして機能する。導電層109は、例えば、導電層102と同様の材料を含んでも良い。
バリア導電層110は、ワード線WLの一部として機能する。バリア導電層110は、例えば、バリア導電層101と同様の材料を含んでも良い。
図3(b)に示すメモリセルMCは、基本的には図3(a)に示すメモリセルMCと同様に構成されている。しかしながら、図3(b)に示すメモリセルMCにおいては、バリア導電層101ではなくバリア導電層110がビット線BLの一部として機能し、バリア導電層110ではなくバリア導電層101がワード線WLの一部として機能する。また、導電層102ではなく導電層109が陰極ECとして機能し、導電層109ではなく導電層102が陽極EAとして機能する。
[メモリセルMCの電気的特性]
図4は、本実施形態に係るメモリセルMCの電流-電圧特性を示す模式的なグラフである。横軸は、メモリセルMCの陰極ECの電圧を基準とした場合の陽極EAの電圧(以下、「セル電圧Vcell」と呼ぶ。)を示している。縦軸は、メモリセルMCに流れる電流(以下、「セル電流Icell」と呼ぶ。)を対数軸で示している。
図4は、本実施形態に係るメモリセルMCの電流-電圧特性を示す模式的なグラフである。横軸は、メモリセルMCの陰極ECの電圧を基準とした場合の陽極EAの電圧(以下、「セル電圧Vcell」と呼ぶ。)を示している。縦軸は、メモリセルMCに流れる電流(以下、「セル電流Icell」と呼ぶ。)を対数軸で示している。
セル電流Icellの値が所定の電流値I1の値よりも小さい範囲では、セル電流Icellの増大に応じてセル電圧Vcellが単調に増大する。セル電流Icellが電流値I1に達した時点で、低抵抗状態のメモリセルMCのセル電圧Vcellは電圧V1に達する。また、高抵抗状態のメモリセルMCのセル電圧Vcellは電圧V2に達する。電圧V2は、電圧V1よりも大きい。
セル電流Icellの値が電流値I1の値より大きく電流値I2より小さい範囲では、セル電流Icellの増大に応じてセル電圧Vcellが単調に減少する。この範囲において、高抵抗状態のメモリセルのセル電圧Vcellは、低抵抗状態のメモリセルMCのセル電圧Vcellよりも大きい。
セル電流Icellが電流値I2より大きく電流値I3より小さい範囲では、セル電流Icellの増大に応じてセル電圧Vcellが一時的に減少し、その後増大する。この範囲では、セル電流Icellの増大に応じて高抵抗状態のメモリセルMCのセル電圧Vcellが急激に減少して、低抵抗状態のメモリセルMCのセル電圧Vcellと同程度となる。
セル電流Icellが電流値I3より大きい範囲では、セル電流Icellの増大に応じてセル電圧Vcellが一時的に減少し、その後増大する。
この状態から、セル電流Icellを電流値I1よりも小さい大きさまで急速に減少させた場合、カルコゲン層107は高抵抗状態となる。また、セル電流Icellを所定の大きさまで減少させ、一定時間この状態を維持した後にセル電流Icellを減少させた場合、カルコゲン層107は低抵抗状態となる。
[動作]
図5は、本実施形態に係るメモリセルMCの書込動作について説明するための模式的な断面図である。図5には、書込動作として、セット動作及びリセット動作を例示している。セット動作は、メモリセルMCを高抵抗状態から低抵抗状態に遷移させる動作である。リセット動作は、メモリセルMCを低抵抗状態から高抵抗状態に遷移させる動作である。
図5は、本実施形態に係るメモリセルMCの書込動作について説明するための模式的な断面図である。図5には、書込動作として、セット動作及びリセット動作を例示している。セット動作は、メモリセルMCを高抵抗状態から低抵抗状態に遷移させる動作である。リセット動作は、メモリセルMCを低抵抗状態から高抵抗状態に遷移させる動作である。
図5(a)はリセット動作を行った後、図5(b)はセット動作を行った後のメモリセルMCの状態をそれぞれ示す。
尚、以下の説明においては、カルコゲン層107の主成分がGe2Sb2Te5である場合の例について説明する。
図5(b)に示すメモリセルMCに対してリセット動作を実行すると、図5(a)に示す様に、カルコゲン層107には、アモルファス状態のカルコゲン層107_aが形成される。リセット動作に際しては、例えば、セル電圧Vcellを、電圧V2(図4)より大きいリセット電圧Vresetに調整する。これにより、メモリセルMCに電流が流れてカルコゲン層107にジュール熱が発生する。また、ジュール熱は結晶化促進層106からも多く発生し、カルコゲン層107へ供給される。結晶化促進層106が、カルコゲン層107よりも高い電気抵抗を有するためである。この時のジュール熱は、カルコゲン層107全体が溶融する程度の大きさである。次に、セル電圧Vcellを0Vまで減少させる。これにより、カルコゲン層107にジュール熱が供給されなくなり、溶融したカルコゲン層107が急速に冷却される。この間、カルコゲン層107には結晶化に必要な時間が与えられない。これにより、カルコゲン層107がアモルファス状態(リセット状態:高抵抗状態)として固相化し、アモルファス状態のカルコゲン層107_aが形成される。
図5(a)に示すメモリセルMCに対してセット動作を実行すると、図5(b)に示す様に、アモルファス状態のカルコゲン層107_aが結晶状態のカルコゲン層107_cとなる。セット動作に際しては、例えば、セル電圧Vcellをリセット電圧Vresetより小さいセット電圧Vsetに調整して、一定時間その状態を保持する。これにより、メモリセルMCに電流が流れ、カルコゲン層107_aにジュール熱が供給される。この時のジュール熱は、カルコゲン層107_aが結晶化するものの、溶融は起こらない程度の大きさを有する。また、セット電圧Vsetは、カルコゲン層107_aが結晶化する際に必要な時間保持される。その後、セル電圧Vcellを0Vにする。これにより、アモルファス状態のカルコゲン層107_aは結晶状態(セット状態:低抵抗状態)のカルコゲン層107_cとなる。
尚、セット動作において、カルコゲン層107中のGe2Sb2Te5の結晶は、結晶化促進層106に含まれる立方晶の結晶、例えば、閃亜鉛鉱構造の結晶、fcc結晶等の結晶面を基準として成長する。これにより、カルコゲン層107_c中のGe2Sb2Te5は、主として立方晶であるfcc結晶として生成される。
以下同様に、図5(b)に示すメモリセルMCに対してリセット動作を行うと結晶状態のカルコゲン層107_cがアモルファス状態のカルコゲン層107_aとなる。また、図5(a)に示すメモリセルMCに対してセット動作を行うとアモルファス状態のカルコゲン層107_aが結晶状態のカルコゲン層107_cとなる。
[比較例]
図6は、比較例に係るメモリセルMCの書込動作について説明するための模式的な断面図である。比較例に係るメモリセルMCは、基本的には第1実施形態に係るメモリセルMCと同様に構成されている。しかしながら、比較例に係るメモリセルMCは、結晶化促進層106を有していない。
図6は、比較例に係るメモリセルMCの書込動作について説明するための模式的な断面図である。比較例に係るメモリセルMCは、基本的には第1実施形態に係るメモリセルMCと同様に構成されている。しかしながら、比較例に係るメモリセルMCは、結晶化促進層106を有していない。
図6(a)はリセット動作を行った後、図6(b)はセット動作を行った後のメモリセルMCの状態をそれぞれ示す。
図6に示す様に、比較例に係るメモリセルMCのセット動作及びリセット動作は、第1実施形態に係るメモリセルMCのセット動作及びリセット動作と同様に行われる。しかしながら、比較例に係るメモリセルMCは、セット動作後に、カルコゲン層107_cではなくカルコゲン層107_c´が形成される。
比較例に係るメモリセルMCは、セット動作に際して、第1実施形態と比較して、カルコゲン層107_aからカルコゲン層107_c´へと結晶化が完了するまでの時間が長い。この際、カルコゲン層107_c´に接する結晶化促進層106が無いため、カルコゲン層107_aが結晶成長する際の基準面が無く、カルコゲン層107の構成原子が相互に自由に動いてしまう。この様な状態では、結晶化の種となる結晶核が、カルコゲン層107内部で生成・消滅を繰り返してしまい、結果、結晶化が完了するまでの時間が長くなるためである。また、カルコゲン層107_c´へと結晶成長する際の配向を制御する結晶化促進層106が無いため、カルコゲン層107_c´にはfcc結晶が生成されにくい。
また、比較例に係るメモリセルMCは、ヒーターとして機能する結晶化促進層106を有さない。よって、セット動作、リセット動作に必要な熱を効率的にカルコゲン層107へ供給することができず、第1実施形態と比較して、セット動作及びリセット動作が完了するまでの時間が長くなってしまう。
また、比較例に係るメモリセルMCは、熱遮蔽部材としても機能する結晶化促進層106を有さない。よって、カルコゲン層107において発生したジュール熱がカルコゲン層103側へ逃げやすく、第1実施形態と比較して、セット動作及びリセット動作が完了するまでの時間が長くなってしまう。
[効果]
高速な書込動作を行うためには、セット動作及びリセット動作の両方を高速化する必要がある。
高速な書込動作を行うためには、セット動作及びリセット動作の両方を高速化する必要がある。
高速なセット動作を行うためには、特に、カルコゲン層107の結晶化が完了するまでの時間が短い方が好ましい。
そこで、本実施形態においては、例えば図3等を参照して説明した様に、カルコゲン層107の陰極EC側に、立方晶の結晶を含む結晶化促進層106を設ける。この様な構造では、上述の通り、セット動作において、カルコゲン層107中に、立方晶であるfcc構造の結晶を、高速に生成することができる。
次に、高速なリセット動作を行うためには、結晶化したカルコゲン層107_cの溶融に必要な総熱量自体が小さいこと、及び、カルコゲン層107_cへ効果的に溶融熱を供給できること、が好ましい。
カルコゲン層107_cの溶融に必要な総熱量は、カルコゲン層107_cの結晶構造、組成等によって異なる。そこで、以下、カルコゲン層107の一例として、Ge2Sb2Te5を挙げる。
Ge2Sb2Te5は、結晶構造の安定状態としてhcp(Hexagonal close-packed;六方最密)格子構造を有し、準安定状態としてfcc格子構造を有する。ここで、fcc格子構造のGe2Sb2Te5は、hcp格子構造のGe2Sb2Te5よりも少ない熱エネルギーで溶融することが知られている。従って、fcc構造の結晶がカルコゲン層107_cに多量に含まれる方が、溶融に必要な総熱量を小さくすることができる。
しかしながら、カルコゲン層107_cにfcc格子構造の結晶を生成することは、困難な場合がある。特に、長時間の使用によって半導体記憶装置全体の温度が高くなってしまった場合等にセット動作を行うと、hcp格子構造の結晶の割合が多くなってしまう場合がある。
そこで、本実施形態においては、上述の通り、立方晶の結晶を含む結晶化促進層106を設ける。この様な構造では、上述の通り、セット動作において、カルコゲン層107_cにfcc格子構造のGe2Sb2Te5を安定して生成することができる。これにより、リセット動作時、カルコゲン層107_cの溶融に必要な総熱量を低くして、高速なリセット動作を実現することができる。
[結晶化促進層106の構成]
[結晶化促進層106の結晶構造]
図3等を参照して説明した様に、結晶化促進層106は立方晶である、閃亜鉛鉱構造の結晶、fcc結晶等を含む。
[結晶化促進層106の結晶構造]
図3等を参照して説明した様に、結晶化促進層106は立方晶である、閃亜鉛鉱構造の結晶、fcc結晶等を含む。
閃亜鉛鉱構造の結晶を構成する材料としては、AlSb(0.614nm)、ZnTe(0.611nm)等が挙げられる(かっこ内は各材料が構成する閃亜鉛鉱構造の結晶の格子定数)。結晶化促進層106は、例えば、これら材料を構成する、アルミニウム(Al)及びアンチモン(Sb)、又は、テルル(Te)及び亜鉛(Zn)を含んでも良い。
fcc結晶を構成する材料としては、LaTe(0.642nm)、CeTe(0.636nm)、PrTe(0.632nm)、NdTe(0.626nm)、SmTe(0.659nm)、EuTe(0.659nm)、GdTe(0.614nm)、TbTe(0.610nm)、DyTe(0.609nm)、HoTe(0.605nm)、ErTe(0.606nm)、TmTe(0.604nm)、YbTe(0.635nm)、LuTe(0.595nm)等が挙げられる(かっこ内は各材料が構成するfcc結晶の格子定数)。結晶化促進層106は、例えば、これら材料を構成する、テルル(Te)、並びに、亜鉛(Zn)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)の少なくとも一つを含んでも良い。
また、結晶化促進層106に含まれる閃亜鉛鉱構造の結晶又はfcc結晶の格子定数は、カルコゲン層107_cに含まれるfcc結晶の格子定数に近い方が望ましい。これらの結晶が互いに近い格子定数を有する方が、カルコゲン層107_cに含まれる結晶の結晶構造をより好適に制御できるためである。特に、結晶化促進層106に含まれる結晶の格子定数は、カルコゲン層107に含まれる結晶の格子定数の90%より大きく110%より小さいことが好ましい。
カルコゲン層107がGe2Sb2Te5を含む場合を例に挙げる。Ge2Sb2Te5のfcc結晶の格子定数は0.598nmなので、結晶化促進層106に含まれる結晶もこれと同程度の格子定数を有することが好ましい。結晶化促進層106の材料としては、例えば、AlSb(0.614nm)、ZnTe(0.611nm)、LaTe(0.642nm)、CeTe(0.636nm)、PrTe(0.632nm)、NdTe(0.626nm)、GdTe(0.614nm)、TbTe(0.610nm)、DyTe(0.609nm)、HoTe(0.605nm)、ErTe(0.606nm)、TmTe(0.604nm)、YbTe(0.635nm)、LuTe(0.595nm)等が好ましい(かっこ内は各材料の格子定数)。
また、カルコゲン層107がGeCu2Te3を含む場合を例に挙げる。GeCu2Te3のfcc結晶の格子定数は0.599nmなので、結晶化促進層106に含まれる結晶もこれと同程度の格子定数を有することが好ましい。結晶化促進層106の材料としては、例えば、AlSb(0.614nm)、ZnTe(0.611nm)、LaTe(0.642nm)、CeTe(0.636nm)、PrTe(0.632nm)、NdTe(0.626nm)、SmTe(0.659nm)、EuTe(0.659nm)、GdTe(0.614nm)、TbTe(0.610nm)、DyTe(0.609nm)、HoTe(0.605nm)、ErTe(0.606nm)、TmTe(0.604nm)、YbTe(0.635nm)、LuTe(0.595nm)等が好ましい(かっこ内は格子定数)。
尚、カルコゲン層107がその他の材料を含む場合であっても同様に、結晶化促進層106に含まれる結晶の格子定数は、カルコゲン層107に含まれる結晶の格子定数の90%より大きく110%より小さいことが好ましい。
尚、カルコゲン層107及び結晶化促進層106における各材料の組成比は、例えば、EDS(Energy Dispersive X-raySpectrometry)等の方法によって観察可能である。また、EDS等の方法によって取得した組成比に、最小二乗法等による近似線の設定や移動平均処理等を行い、その結果に基づいて組成比の判断を行うことも可能である。
また、カルコゲン層107及び結晶化促進層106に含まれる結晶の結晶構造及び格子定数等は、例えば、NBD(Nano Beam Diffraction)法等の方法によって解析可能である。
[結晶化促進層106の融点]
上述の通り、リセット動作においては、カルコゲン層107を溶融させる。ここで、結晶化促進層106をヒーターとして機能させる場合、リセット動作において、結晶化促進層106における熱がカルコゲン層107における熱よりも大きくなる。ここで、カルコゲン層107が溶融した際、結晶化促進層106も同時に溶融してしまうと、相互に構成元素が混入して各層の特性が変化し、その後の書込動作に不良が生じてしまう恐れがある。従って、結晶化促進層106の融点は、結晶化促進層106がリセット動作において溶融しない様、十分に高い方が好ましい。例えば、結晶化促進層106の融点は、カルコゲン層107の融点よりも300℃程度高い方が好ましい。少なくとも、結晶化促進層106の融点は、カルコゲン層107の融点よりも高い方が好ましい。
上述の通り、リセット動作においては、カルコゲン層107を溶融させる。ここで、結晶化促進層106をヒーターとして機能させる場合、リセット動作において、結晶化促進層106における熱がカルコゲン層107における熱よりも大きくなる。ここで、カルコゲン層107が溶融した際、結晶化促進層106も同時に溶融してしまうと、相互に構成元素が混入して各層の特性が変化し、その後の書込動作に不良が生じてしまう恐れがある。従って、結晶化促進層106の融点は、結晶化促進層106がリセット動作において溶融しない様、十分に高い方が好ましい。例えば、結晶化促進層106の融点は、カルコゲン層107の融点よりも300℃程度高い方が好ましい。少なくとも、結晶化促進層106の融点は、カルコゲン層107の融点よりも高い方が好ましい。
カルコゲン層107がGe2Sb2Te5を含む場合を例に挙げる。Ge2Sb2Te5のfcc結晶の融点は630℃であるため、結晶化促進層106の融点は630℃よりも高い方が好ましい。より好ましくは、結晶化促進層106の融点が930℃よりも高い方が好ましい。条件を満たす結晶化促進層106の材料としては、例えば、AlSb(1060℃)、ZnTe(1295℃)、LaTe(1720℃)、CeTe(1820℃)、PrTe(1950℃)、NdTe(2025℃)、SmTe、EuTe(1526℃)、GdTe(1825℃)、TbTe、DyTe(1850℃)、HoTe(1370℃)、ErTe(1500℃)、TmTeYbTe(1730℃)、LuTe等が好ましい(かっこ内は各材料の融点)。
尚、カルコゲン層107がその他の材料を含む場合であっても同様に、結晶化促進層106に含まれる材料の融点は、カルコゲン層107に含まれる材料の融点よりも高いことが好ましい。より好ましくは、結晶化促進層106の融点がカルコゲン層107の融点よりも300℃程度高い方が好ましい。
尚、カルコゲン層107及び結晶化促進層106に含まれる材料の融点は、例えば、メモリセルMCを昇温した状態における断面TEM(Transmission ElectronMicroscope)観察等により、結晶構造が維持されない温度を測定する等の方法によって解析可能である。また、各材料の融点は、文献値等からも推定可能である。
[結晶化促進層106のバンドギャップ及び電気伝導性]
前述の通り、結晶化促進層106がヒーターとして機能する際、結晶化促進層106の電気伝導性が低い、即ち、結晶化促進層106のバンドギャップがより大きい方が好ましい。特に、結晶化促進層106のバンドギャップが、カルコゲン層107のバンドギャップよりも大きい方が好ましい。結晶化促進層106とカルコゲン層107は直列に配置され、動作時に同量の電流が流れる。カルコゲン層107に対して結晶化促進層106の電気伝導性がより低いことで、カルコゲン層107よりも結晶化促進層106の温度上昇幅が大きくなる。よって、結晶化促進層106がより効果的にヒーターとして機能する。
前述の通り、結晶化促進層106がヒーターとして機能する際、結晶化促進層106の電気伝導性が低い、即ち、結晶化促進層106のバンドギャップがより大きい方が好ましい。特に、結晶化促進層106のバンドギャップが、カルコゲン層107のバンドギャップよりも大きい方が好ましい。結晶化促進層106とカルコゲン層107は直列に配置され、動作時に同量の電流が流れる。カルコゲン層107に対して結晶化促進層106の電気伝導性がより低いことで、カルコゲン層107よりも結晶化促進層106の温度上昇幅が大きくなる。よって、結晶化促進層106がより効果的にヒーターとして機能する。
カルコゲン層107がGe2Sb2Te5を含む場合を例に挙げる。Ge2Sb2Te5のバンドギャップは0.4eVであるため、結晶化促進層106のバンドギャップは0.4eVより高い方が好ましい。条件を満たす結晶化促進層106の材料としては、例えば、AlSb(1.58eV)、ZnTe(2.26eV)、等が好ましい(かっこ内は各材料の融点)。
尚、カルコゲン層107がその他の材料を含む場合であっても同様に、結晶化促進層106に含まれる材料のバンドギャップは、カルコゲン層107に含まれる材料のバンドギャップよりも高いことが好ましい。
尚、結晶化促進層106に含まれる材料のバンドギャップは、例えば、光吸収スペクトル測定等の方法によって解析可能である。
[結晶化促進層106の熱伝導率]
前述の通り、結晶化促進層106は、書込動作に必要な熱を効率的に利用するための、熱遮蔽部材としても機能する。熱遮蔽部材として機能するためには、結晶化促進層106の熱伝導率が低い方が好ましい。特に、結晶化促進層106の熱伝導率が、カルコゲン層107の熱伝導率よりも低い方が好ましい。結晶化促進層106において発生したジュール熱が、カルコゲン層103側へ逃げにくくなるためである。
前述の通り、結晶化促進層106は、書込動作に必要な熱を効率的に利用するための、熱遮蔽部材としても機能する。熱遮蔽部材として機能するためには、結晶化促進層106の熱伝導率が低い方が好ましい。特に、結晶化促進層106の熱伝導率が、カルコゲン層107の熱伝導率よりも低い方が好ましい。結晶化促進層106において発生したジュール熱が、カルコゲン層103側へ逃げにくくなるためである。
尚、カルコゲン層107及び結晶化促進層106に含まれる材料の熱伝導率は、それらを構成する材料の組成、結晶構造等の測定値を基に、文献値等からその熱伝導率を推定可能である。
[第1実施形態の変形例1]
[メモリセルMCの構成]
図7は、第1実施形態の変形例1に係るメモリセルMCの模式的な断面図である。図7(a)は下方にビット線BLが設けられ上方にワード線WLが設けられるものに対応している。図7(b)は下方にワード線WLが設けられ上方にビット線BLが設けられるものに対応している。
[メモリセルMCの構成]
図7は、第1実施形態の変形例1に係るメモリセルMCの模式的な断面図である。図7(a)は下方にビット線BLが設けられ上方にワード線WLが設けられるものに対応している。図7(b)は下方にワード線WLが設けられ上方にビット線BLが設けられるものに対応している。
図7(a)及び図7(b)に示す様に、本実施形態に係るメモリセルMCは、第1の実施形態と同様に、Z方向に順に積層された導電層102、カルコゲン層103、導電層104、バリア導電層105、カルコゲン層107、バリア導電層108及び導電層109を備える。一方、本実施形態に係るメモリセルMCは、第1の実施形態と異なり、バリア導電層105とカルコゲン層107との間に、結晶化促進層106の代わりに結晶化促進層106_1を備える。また、カルコゲン層107とバリア導電層108との間に、結晶化促進層106_2を備える。
結晶化促進層106_1及び106_2は、カルコゲン層107の下面及び上面に接する。結晶化促進層106_1及び106_2は、カルコゲン層107の結晶構造を制御可能な結晶下地(テンプレート)として機能する。結晶化促進層106_1及び106_2は、上下面両方からカルコゲン層107と接することで、カルコゲン層107の結晶構造をより好適に制御可能である。また、カルコゲン層107の結晶化完了までの時間を、より短縮することができる。
尚、結晶化促進層106_1及び106_2に含まれる材料は、例えば、第1実施形態に係る結晶化促進層106に含まれる材料と同様の材料であっても良い。また、結晶化促進層106_1及び106_2に含まれる材料は、例えば、第1実施形態に係る結晶化促進層106に含まれる材料と同様の特性を備えていても良い。
例えば、結晶化促進層106_1及び106_2に含まれる結晶の格子定数は、カルコゲン層107に含まれる結晶の格子定数の90%より大きく110%より小さいことが好ましい。
また、結晶化促進層106_1及び106_2に含まれる材料の融点は、カルコゲン層107の融点よりも高い方が好ましい。より好ましくは、結晶化促進層106の融点がカルコゲン層107の融点よりも300℃程度高い方が好ましい。
また、結晶化促進層106_1及び106_2に含まれる材料のバンドギャップは、カルコゲン層107に含まれる材料のバンドギャップよりも高いことが好ましい。
また、結晶化促進層106_1及び106_2に含まれる材料の熱伝導率は、カルコゲン層107の熱伝導率よりも低い方が好ましい。
[第1実施形態の変形例2]
[メモリセルMCの構成]
図8は、第1実施形態の変形例2に係るメモリセルMCの模式的な断面図である。図8(a)は下方にビット線BLが設けられ上方にワード線WLが設けられるものに対応している。図8(b)は下方にワード線WLが設けられ上方にビット線BLが設けられるものに対応している。
[メモリセルMCの構成]
図8は、第1実施形態の変形例2に係るメモリセルMCの模式的な断面図である。図8(a)は下方にビット線BLが設けられ上方にワード線WLが設けられるものに対応している。図8(b)は下方にワード線WLが設けられ上方にビット線BLが設けられるものに対応している。
図8(a)及び図8(b)に示す様に、本実施形態に係るメモリセルMCは、第1の実施形態と同様に、Z方向に順に積層された導電層102、カルコゲン層103、導電層104、バリア導電層105、バリア導電層108及び導電層109を備える。一方、本実施形態に係るメモリセルMCは、第1の実施形態と異なり、バリア導電層105とバリア導電層108との間に、交互に積層された複数の結晶化促進層106_3及び複数のカルコゲン層107_1を備える。
複数の結晶化促進層106_3は、複数のカルコゲン層107_1の下面及び上面にそれぞれ接する。複数の結晶化促進層106_3は、カルコゲン層107_1の結晶構造を制御可能な結晶下地(テンプレート)として機能する。
本変形例では、第1の実施形態と比較して、1層ごとのカルコゲン層107_1の厚さを薄くし、カルコゲン層107_1を複数層に分けて設けることで、より短時間で複数のカルコゲン層107_1を溶融することができる。また、薄層化させたカルコゲン層107_1それぞれに対し、上下両面に接する複数の結晶化促進層106_3を設けることで、カルコゲン層107_1の結晶構造をより好適に制御可能である。また、カルコゲン層107_1を薄層化した複数層とすることで、複数のカルコゲン層107_1全ての結晶化完了までの時間を、第1の実施形態と比較して短縮することができる。
尚、結晶化促進層106_3に含まれる材料は、例えば、第1実施形態に係る結晶化促進層106に含まれる材料と同様の材料であっても良い。また、結晶化促進層106_3に含まれる材料は、例えば、第1実施形態に係る結晶化促進層106に含まれる材料と同様の特性を備えていても良い。
例えば、結晶化促進層106_3に含まれる結晶の格子定数は、カルコゲン層107_1に含まれる結晶の格子定数の90%より大きく110%より小さいことが好ましい。
また、結晶化促進層106_3に含まれる材料の融点は、カルコゲン層107_1の融点よりも高い方が好ましい。より好ましくは、結晶化促進層106_3の融点がカルコゲン層107_1の融点よりも300℃程度高い方が好ましい。
また、結晶化促進層106_3に含まれる材料のバンドギャップは、カルコゲン層107_1に含まれる材料のバンドギャップよりも高いことが好ましい。
また、結晶化促進層106_3に含まれる材料の熱伝導率は、カルコゲン層107_1の熱伝導率よりも低い方が好ましい。
[第1実施形態のその他の変形例]
図3、図7及び図8を参照して説明した構成はあくまでも例示に過ぎず、具体的な構成は適宜調整可能である。
図3、図7及び図8を参照して説明した構成はあくまでも例示に過ぎず、具体的な構成は適宜調整可能である。
例えば、図3(a)に示す例において、結晶化促進層106は、カルコゲン層107の陽極EA側の面と接するように設けられていても良い。つまり、図3(a)において、結晶化促進層106は、カルコゲン層107とバリア導電層108との間に設けられていても良い。また、図3(b)に示す例において、結晶化促進層106は、カルコゲン層107の陰極EC側の面と接するように設けられていても良い。つまり、図3(b)において、結晶化促進層106は、カルコゲン層107とバリア導電層108との間に設けられていても良い。
また、図3、図7及び図8を参照して説明した例において、カルコゲン層107,107_1のX方向及びY方向の少なくとも一方の側壁部分に、結晶化促進層106が設けられていても良い。この様な場合、カルコゲン層107,107_1の上面及び下面の少なくとも一方には、結晶化促進層106が設けられていても良いし、設けられていなくても良い。
[第2実施形態]
[概略構成]
次に、図9及び図10を参照して第2実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。図9は、第2実施形態に係る半導体記憶装置の一部の構成を示す模式的な回路図である。図10は、本実施形態に係る抵抗変化素子部VRPの模式的な断面図である。
[概略構成]
次に、図9及び図10を参照して第2実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。図9は、第2実施形態に係る半導体記憶装置の一部の構成を示す模式的な回路図である。図10は、本実施形態に係る抵抗変化素子部VRPの模式的な断面図である。
図9に示す様に、本実施形態に係る半導体記憶装置は、メモリセルアレイMCA2と、メモリセルアレイMCA2を制御する周辺回路PC2と、を備える。メモリセルアレイMCA2は、複数のワード線WL2、複数のプレート線PL、及び複数のビット線BL2を備える。また、メモリセルアレイMCA2は、例えば、複数のメモリセルMC2を備える。
周辺回路PC2は、第1の実施形態と同様に、例えば、降圧回路、選択回路、センスアンプ回路、及びこれらを制御するシーケンサ等を備える。
メモリセルMC2は、それぞれビット線BL2、ワード線WL2、及びプレート線PLへ接続される。例えば、同一のワード線WL2に接続された複数のメモリセルMC2は、同一のプレート線PLに接続される。一方、同一のワード線WL2に接続された複数のメモリセルMC2は、それぞれ異なるビット線BL2に接続される。メモリセルMC2は、電界効果型のトランジスタTrと、抵抗変化素子部VRPを備える。
トランジスタTrは、ワード線WL2に接続されたゲート端子と、ビット線BL2に接続されたドレイン端子と、抵抗変化素子部VRPの一端であるノードN1に接続されたソース端子と、を含む。トランジスタTrは、動作対象のメモリセルMC2を選択する機能を有する。
抵抗変化素子部VRPは、図10に示す様に、図示しない半導体基板の上方に順に積層された、導電層202、バリア導電層205、結晶化促進層106_4、カルコゲン層107、バリア導電層208及び導電層209を備える。導電層202、バリア導電層205、バリア導電層208及び導電層209は、基本的には、図3(a)及び図3(b)を参照して説明した導電層102、バリア導電層105、バリア導電層108及び導電層109と同様に構成されている。ただし、図3(a)及び図3(b)の例では、導電層102、バリア導電層105、バリア導電層108及び導電層109のX方向及びY方向における幅が、結晶化促進層106及びカルコゲン層107のX方向及びY方向における幅と同程度だった。一方、図10の例では、導電層202、バリア導電層205、バリア導電層208及び導電層209のX方向及びY方向における幅が、結晶化促進層106_4及びカルコゲン層107のX方向及びY方向における幅よりも大きい。また、導電層202は、ビット線BL又はワード線WLではなく、ノードN1に接続される。また、導電層209は、ワード線WL又はビット線BLではなく、プレート線PLに接続される。
結晶化促進層106_4は、カルコゲン層107の下面に接する。結晶化促進層106_4は、カルコゲン層107の結晶構造を制御可能な結晶下地(テンプレート)として機能する。
尚、結晶化促進層106_4に含まれる材料は、例えば、第1実施形態に係る結晶化促進層106に含まれる材料と同様の材料であっても良い。また、結晶化促進層106_4に含まれる材料は、例えば、第1実施形態に係る結晶化促進層106に含まれる材料と同様の特性を備えていても良い。
例えば、結晶化促進層106_4に含まれる結晶の格子定数は、カルコゲン層107に含まれる結晶の格子定数の90%より大きく110%より小さいことが好ましい。
また、結晶化促進層106_4に含まれる材料の融点は、カルコゲン層107の融点よりも高い方が好ましい。より好ましくは、結晶化促進層106の融点がカルコゲン層107の融点よりも300℃程度高い方が好ましい。
また、結晶化促進層106_4に含まれる材料のバンドギャップは、カルコゲン層107に含まれる材料のバンドギャップよりも高いことが好ましい。
また、結晶化促進層106_4に含まれる材料の熱伝導率は、カルコゲン層107の熱伝導率よりも低い方が好ましい。
[動作]
まず、本実施形態に係るメモリセルMC2への書込動作について説明する。書き込み対象である対象メモリセルMC2に接続されたワード線WL2にON電圧を印加し、それ以外のワード線WL2にOFF電圧を印加することで、対象メモリセルMC2のトランジスタTrをON状態とし、それ以外のトランジスタTrをOFF状態とする。次に、例えば、対象メモリセルMC2に接続されたビット線BL2及びプレート線PLに、それぞれ書き込み電圧及び接地電圧を印加する。結果、対象メモリセルMC2の抵抗変化素子部VRPへ電流が供給され、上述したセット動作と同様にデータが書き込まれる。
まず、本実施形態に係るメモリセルMC2への書込動作について説明する。書き込み対象である対象メモリセルMC2に接続されたワード線WL2にON電圧を印加し、それ以外のワード線WL2にOFF電圧を印加することで、対象メモリセルMC2のトランジスタTrをON状態とし、それ以外のトランジスタTrをOFF状態とする。次に、例えば、対象メモリセルMC2に接続されたビット線BL2及びプレート線PLに、それぞれ書き込み電圧及び接地電圧を印加する。結果、対象メモリセルMC2の抵抗変化素子部VRPへ電流が供給され、上述したセット動作と同様にデータが書き込まれる。
次に、本実施形態に係る読出し動作について説明する。書込動作と同様に、対象メモリセルMCのトランジスタTrをON状態とし、それ以外のトランジスタTrをOFF状態とする。次に、例えば、対象メモリセルMCに接続されたプレート線PL及びビット線BL2に、それぞれ読出し電圧及び接地電圧を印加する。次に、ビット線BL2に流れる電流、又はビット線BL2の電圧レベルを検出し、対象メモリセルMCに記憶されたデータを判定する。
[第2実施形態の変形例]
図11は、第2実施形態の変形例に係る抵抗変化素子部VRP2の模式的な断面図である。
図11は、第2実施形態の変形例に係る抵抗変化素子部VRP2の模式的な断面図である。
図11に示す様に、本変形例に係る抵抗変化素子部VRP2は、基本的には第2の実施形態における抵抗変化素子部VRPと同様に構成されている。しかしながら、図11に示す抵抗変化素子部VRP2においては、結晶化促進層106_4のかわりに、2つの結晶化促進層106_5が、カルコゲン層107の上下面に接する様に、それぞれ設けられている。
結晶化促進層106_5は、カルコゲン層107の結晶構造を制御可能な結晶下地(テンプレート)として機能する。
尚、結晶化促進層106_5に含まれる材料は、例えば、第1実施形態に係る結晶化促進層106に含まれる材料と同様の材料であっても良い。また、結晶化促進層106_5に含まれる材料は、例えば、第1実施形態に係る結晶化促進層106に含まれる材料と同様の特性を備えていても良い。
例えば、結晶化促進層106_5に含まれる結晶の格子定数は、カルコゲン層107に含まれる結晶の格子定数の90%より大きく110%より小さいことが好ましい。
また、結晶化促進層106_5に含まれる材料の融点は、カルコゲン層107の融点よりも高い方が好ましい。より好ましくは、結晶化促進層106の融点がカルコゲン層107の融点よりも300℃程度高い方が好ましい。
また、結晶化促進層106_5に含まれる材料のバンドギャップは、カルコゲン層107に含まれる材料のバンドギャップよりも高いことが好ましい。
また、結晶化促進層106_5に含まれる材料の熱伝導率は、カルコゲン層107の熱伝導率よりも低い方が好ましい。
[その他の実施形態]
以上、第1実施形態及び第2実施形態に係る半導体記憶装置について説明した。しかしながら、上述した半導体記憶装置は例示に過ぎず、具体的な構成等は適宜調整可能である。
以上、第1実施形態及び第2実施形態に係る半導体記憶装置について説明した。しかしながら、上述した半導体記憶装置は例示に過ぎず、具体的な構成等は適宜調整可能である。
例えば図1及び図2の例では、2つのメモリマットMMがZ方向に並んでおり、下方のメモリマットMMは下方に位置するビット線BL及び上方に位置するワード線WLを備えており、上方のメモリマットMMは下方に位置するワード線WL及び上方に位置するビット線BLを備えていた。また、ワード線WLは、下方に位置するメモリマットMM及び上方に位置するメモリマットMMについて共通に設けられていた。しかしながら、この様な構成は一例にすぎず、例えば図2に示すビット線BLをワード線WLに入れ替え、図2に示すワード線WLをビット線BLに入れ替えても良い。
[その他]
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
102…導電層、103…カルコゲン層、104…導電層、106…結晶化促進層、107…カルコゲン層、109…導電層、MC…メモリセル、MCA…メモリセルアレイ、PC…周辺回路。
Claims (9)
- 第1電極及び第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極の間に設けられた相変化層と、
前記第1電極及び前記相変化層の間に設けられた第1の層と
を備え、
前記相変化層は、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、及びテルル(Te)の少なくとも1つを含み、
前記第1の層は、
アルミニウム(Al)及びアンチモン(Sb)、又は、
テルル(Te)、並びに、亜鉛(Zn)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)の少なくとも一つ
を含む
半導体記憶装置。 - 前記第1の層は、第1の格子定数の結晶を含み、
前記相変化層は、第2の格子定数の結晶を含み、
前記第1の格子定数は、前記第2の格子定数の90%より大きく110%より小さい
請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の層の融点は、前記相変化層の融点よりも高い
請求項1~2のいずれか1項記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の層のバンドギャップは、前記相変化層のバンドギャップよりも大きい
請求項1~3のいずれか1項記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の層の熱伝導率は、前記相変化層の熱伝導率よりも低い
請求項1~4のいずれか1項記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の層は、立方晶の結晶を含む
請求項1~5のいずれか1項記載の半導体記憶装置。 - 前記相変化層は、立方晶の結晶を含む
請求項1~6のいずれか1項記載の半導体記憶装置。 - 第1電極及び第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極の間に設けられた相変化層と、
前記第1電極及び前記相変化層の間に設けられた第1の層と
を備え、
前記相変化層は、立方晶の結晶を含み、
前記第1の層は、閃亜鉛鉱型構造または面心立方格子構造の結晶を含む
半導体記憶装置。 - 第1方向に延伸する第1配線と、
前記第1方向と交差する第2方向に延伸する第2配線と、を含み、
前記第1電極及び前記第2電極は、前記第1配線と前記第2配線との間に設けられている
請求項1~8のいずれか1項記載の半導体記憶装置。
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TW110117207A TWI817117B (zh) | 2021-01-22 | 2021-05-13 | 半導體記憶裝置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022112884A true JP2022112884A (ja) | 2022-08-03 |
Family
ID=82422565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021008890A Pending JP2022112884A (ja) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 半導体記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11678593B2 (ja) |
JP (1) | JP2022112884A (ja) |
CN (1) | CN114784181A (ja) |
TW (1) | TWI817117B (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080055508A (ko) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | 삼성전자주식회사 | 한 층에서 다른 결정 격자 구조를 갖는 상변화층 및 그형성 방법과 Ti 확산 방지 수단을 구비하는 상변화메모리 소자 및 그 제조 방법 |
JP5300839B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | 情報記録再生装置 |
KR101019989B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2011-03-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 |
JP2011018838A (ja) | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | メモリセル |
CN101989547B (zh) * | 2009-08-07 | 2014-05-21 | 旺宏电子股份有限公司 | 电阻式存储体结晶二极管制造方法 |
KR102473660B1 (ko) * | 2016-02-22 | 2022-12-02 | 삼성전자주식회사 | 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
KR20170099214A (ko) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
TWI771597B (zh) * | 2019-02-22 | 2022-07-21 | 日商東芝記憶體股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
US10868245B1 (en) * | 2019-06-05 | 2020-12-15 | Sandisk Technologies Llc | Phase change memory device with crystallization template and method of making the same |
JP2021022711A (ja) | 2019-07-30 | 2021-02-18 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
US20220115590A1 (en) * | 2020-10-09 | 2022-04-14 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Low-power phase-change memory technology with interfacial thermoelectric heating enhancement |
-
2021
- 2021-01-22 JP JP2021008890A patent/JP2022112884A/ja active Pending
- 2021-05-13 TW TW110117207A patent/TWI817117B/zh active
- 2021-05-26 CN CN202110576597.4A patent/CN114784181A/zh active Pending
- 2021-08-12 US US17/400,912 patent/US11678593B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114784181A (zh) | 2022-07-22 |
US11678593B2 (en) | 2023-06-13 |
TWI817117B (zh) | 2023-10-01 |
TW202230723A (zh) | 2022-08-01 |
US20220238801A1 (en) | 2022-07-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230907 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240528 |