JP2022110388A - 電力合成器及び送信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波側の通過特性を改善可能な電力合成器を提供すること。【解決手段】第１絶縁部に設けられた第１配線及び第２配線を有し、出力端に接続される第１結合線路と、第２絶縁部に設けられた第３配線及び第４配線を有し、第１入力端に接続される第２結合線路と、第３絶縁部に設けられた第５配線及び第６配線を有し、第２入力端に接続される第３結合線路と、を備え、前記第３配線の端部は、前記第１配線の端部に接続され、前記第５配線の端部は、前記第４配線の端部に接続され、前記第６配線の端部は、前記２配線の端部に接続され、前記第２絶縁部及び前記第３絶縁部は、前記絶縁層の厚さ方向において、前記第１絶縁部よりも薄い、電力合成器。【選択図】図４

Description

本開示は、電力合成器及び送信装置に関する。

誘電体基板を挟んで対向する一対のインピーダンス変換ラインを有する結合線路を備え、インピーダンス整合によって低損失を実現する電力分配器が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０００－１５１２２７号公報

しかしながら、結合線路の構造によっては、高周波帯域における損失が増大し、高周波側の通過特性が低下する場合がある。

本開示は、高周波側の通過特性を改善可能な電力合成器及び送信装置を提供する。

本開示は、
絶縁層と、
前記絶縁層に設けられ、出力端に接続される第１結合線路と、
前記絶縁層に設けられ、第１入力端に接続される第２結合線路と、
前記絶縁層に設けられ、第２入力端に接続される第３結合線路と、を備え、
前記第１結合線路は、第１配線と、前記第１配線に対向する第２配線と、を有し、
前記第２結合線路は、第３配線と、前記第３配線に対向する第４配線と、を有し、
前記第３結合線路は、第５配線と、前記第５配線に対向する第６配線と、を有し、
前記第３配線の端部は、前記第１配線の端部に接続され、
前記第５配線の端部は、前記第４配線の端部に接続され、
前記第６配線の端部は、前記第２配線の端部に接続され、
前記絶縁層は、前記第１配線及び前記第２配線が設けられた第１絶縁部と、前記第３配線及び前記第４配線が設けられた第２絶縁部と、前記第５配線及び前記第６配線が設けられた第３絶縁部とを含み、
前記第２絶縁部及び前記第３絶縁部は、前記絶縁層の厚さ方向において、前記第１絶縁部よりも薄い、電力合成器を提供する。また、本開示は、前記電力合成器を備える送信装置を提供する。

本開示によれば、高周波側の通過特性を改善可能な電力合成器及び送信装置を提供できる。

一実施形態における増幅装置を備える送信装置の構成例を示す図である。 第１実施形態における電力合成器の回路例を示す図である。 第１実施形態における電力合成器の構造例を示す平面図である。 第１実施形態における電力合成器の構造例の一部を拡大して示す斜視図である。 第１実施形態における電力合成器の構造例の一部を拡大して示す平面図である。 第１実施形態における電力合成器の構造例を断面Ａ－Ａ'で示す断面図である。 第１実施形態における電力合成器の構造例を断面Ｂ－Ｂ'で示す断面図である。 第１実施形態における電力合成器の構造例を断面Ｃ－Ｃ'又は断面Ｄ－Ｄ'で示す断面図である。 第２実施形態における電力合成器の回路例を示す図である。 第２実施形態における電力合成器の構造例を部分的に示す斜視図である。 第２実施形態における電力合成器の構造例を部分的に示す平面図である。 第２実施形態における電力合成器の構造例を断面Ｅ－Ｅ'で示す断面図である。 第２実施形態における電力合成器の構造例を断面Ｆ－Ｆ'で示す断面図である。 第２実施形態における電力合成器の構造例を断面Ｇ－Ｇ'又は断面Ｈ－Ｈ'で示す断面図である。 一比較形態における電力合成器の構造例を示す平面図である。 一比較形態における電力合成器の構造例の一部を拡大して示す斜視図である。 反射係数Ｓ_１１のシミュレーション結果の一例を示す図である。 透過係数Ｓ_１２，Ｓ_１３のシミュレーション結果の一例を示す図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、理解の容易のため、図面における各部の縮尺は、実際とは異なる場合がある。平行、直角、直交、水平、垂直、上下、左右などの方向には、実施形態の効果を損なわない程度のずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、弓状に丸みを帯びてもよい。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は、それぞれ、Ｘ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向を表す。Ｘ軸方向とＹ軸方向とＺ軸方向は、互いに直交する。ＸＹ平面、ＹＺ平面、ＺＸ平面は、それぞれ、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に平行な仮想平面、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に平行な仮想平面、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に平行な仮想平面を表す。

図１は、一実施形態における増幅装置を備える送信装置の構成例を示す図である。図１に示す送信装置３００は、例えば、通信用又は電波妨害用の電波を送信する送信機である。送信装置３００は、電波を送信するアンテナ３０１と、増幅した電力をアンテナ３０１に供給する電力増幅装置２００と、を備える。

電力増幅装置２００は、高周波信号を増幅する複数の電力増幅器１１１，１１２，１１３，１１４と、複数の電力増幅器１１１，１１２，１１３，１１４のそれぞれから出力されるＲＦ（Radio Frequency）信号を合成する電力合成回路１００と、を備える。例えば、複数の電力増幅器１１１，１１２，１１３，１１４は、それぞれ、ＧａＮ ＨＥＭＴ（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor）などのトランジスタＴｒを含む。複数の電力増幅器１１１，１１２，１１３，１１４は、それぞれ、当該トランジスタＴｒによって高周波信号を増幅してＲＦ信号を出力する。

通信用又は電波妨害用の送信装置３００には、様々な周波数の電波をアンテナ３０１から送信できるように、広い周波数にわたって出力電力が得られる広帯域性が要求される。また、送信装置３００の最終段に使用される電力増幅装置２００にも、広帯域性が要求される。複数の電力増幅器１１１，１１２，１１３，１１４のそれぞれから出力されるＲＦ信号が広帯域な電力合成回路１００によって合成されることによって、電力増幅装置２００の広帯域性は実現される。

図１に示す例では、電力合成回路１００は、複数の電力合成器１００ａ，１００ｂ，１００ｃを有する。電力合成器１００ａは、電力増幅器１１１から出力されるＲＦ信号と電力増幅器１１２から出力されるＲＦ信号とを合成する。電力合成器１００ｂは、電力増幅器１１３から出力されるＲＦ信号と電力増幅器１１４から出力されるＲＦ信号とを合成する。電力合成器１００ｃは、電力合成器１００ａから出力される信号と電力合成器１００ｂから出力される信号とを合成することによって、アンテナ３０１に電力を出力する。

一方、複数の電力増幅器１１１，１１２，１１３，１１４は、並列に配置された多数のトランジスタにより形成されているので、複数の電力増幅器１１１，１１２，１１３，１１４の出力側の出力インピーダンスは、数Ω程度まで小さくなってしまう。電力合成回路１００は、電力増幅器の出力側に接続される入力端の数Ω程度のインピーダンスを、アンテナ３０１に接続される出力端のインピーダンス（例えば５０Ω）にインピーダンス変換する機能を有する。

本開示に係る各実施形態における電力合成器は、上述のようなインピーダンス変換機能を併せ持つ。次に、本開示に係る各実施形態における電力合成器について説明する。

図２は、第１実施形態における電力合成器の回路例を示す図である。図２に示す電力合成器１０１は、伝送線路変成器を利用する広帯域電力合成器であり、図１に示す電力合成器１００ａ，１００ｂ，１００ｃのそれぞれに適用できる。図２に示す電力合成器１０１は、互いに電磁界結合する（電磁的に結合する）２本の配線をそれぞれ有する３つの結合線路（Coupled Lines）と、差動信号が入力されるポートＰ１，Ｐ２と、シングルエンド信号を出力するポートＰ３とを備える。図２には、３つの結合線路として、配線１，２を有する結合線路６１と、配線３，４を有する結合線路６２と、配線５，６を有する結合線路６３とが例示されている。

結合線路６１は、ポートＰ３に接続される伝送線路変成器であり、図２に示す例では、ポートＰ３は、配線１の端部１１に電気的に接続されている。結合線路６１は、第１結合線路の一例であり、ポートＰ３は、出力端の一例である。

結合線路６２は、ポートＰ１に接続される伝送線路変成器であり、図２に示す例では、ポートＰ１は、配線４の端部１７に電気的に接続されている。結合線路６２は、第２結合線路の一例であり、ポートＰ１は、第１入力端の一例である。

結合線路６３は、ポートＰ２に接続される伝送線路変成器であり、図２に示す例では、ポートＰ２は、配線５の端部１９に電気的に接続されている。結合線路６３は、第３結合線路の一例であり、ポートＰ２は、第２入力端の一例である。

一対の入力端であるポートＰ１，Ｐ２は、差動信号が入力される端部である。差動信号のうちの一方の信号（正相信号）は、ポートＰ１に入力され、差動信号のうちの他方の信号（逆相信号）は、ポートＰ２に入力される。逆相信号は、正相信号に対して位相が反転した信号である。

配線１は、ポートＰ３に接続された端部１１と、端部１１とは反対側の端部１２と、を有する線路である。配線１は、第１配線の一例である。端部１１は、第１端部の一例である。端部１２は、第２端部の一例である。

配線２は、接地部５０に接続された端部１３と、端部１３とは反対側の端部１４と、を有する線路である。配線２は、配線１と電磁的に結合するように配線１に対向する。配線２は、第２配線の一例である。端部１３は、第３端部の一例である。端部１４は、第４端部の一例である。

配線３は、端部１２に接続された端部１５と、端部１５とは反対側で接地部５０に接続された端部１６と、を有する線路である。配線３は、第３配線の一例である。端部１５は、第５端部の一例である。端部１６は、第６端部の一例である。

配線４は、ポートＰ１に接続された端部１７と、端部１７とは反対側の端部１８と、を有する線路である。配線４は、配線３と電磁的に結合するように配線３に対向する。配線４は、第４配線の一例である。端部１７は、第７端部の一例である。端部１８は、第８端部の一例である。

配線５は、ポートＰ２に接続された端部１９と、端部１９とは反対側で端部１８に接続された端部２０と、を有する線路である。配線５は、第５配線の一例である。端部１９は、第９端部の一例である。端部２０は、第１０端部の一例である。

配線６は、端部１４に接続された端部２１と、端部２１とは反対側で接地部５０に接続された端部２２と、を有する線路である。配線６は、配線５と電磁的に結合するように配線５に対向する。配線６は、第６配線の一例である。端部２１は、第１１端部の一例である。端部２２は、第１２端部の一例である。

結合線路６１，６２，６３のそれぞれが有する一対の配線は、絶縁基板上の一表面に並走するように配置された対向配線対でも、絶縁基板上の多層配線技術を用いて形成された対向配線対でも、絶縁基板の上面及び下面に形成された対向配線対でもよい。絶縁基板は、後述の絶縁層３０の一例である。

次に、図２に示す電力合成器１０１の動作例、具体的には、一対のポートＰ１，Ｐ２に差動信号が入力された時の動作例について説明する。配線間が電磁界結合した結合線路構造では、Transverse Electric Magnetic Mode (ＴＥＭモード)で信号が伝搬するので、２本の配線に流れる電流が逆方向になる。

電力合成器１０１で電力合成がされる時、入力電流"＋Ｉ"と"－Ｉ"の差動信号が一対のポートＰ１，Ｐ２に入力されると、合成されたシングルエンドの出力電流"－Ｉ"がポートＰ３から出力される。つまり、差動入力－シングルエンド出力の合成器が得られる。入力電流"＋Ｉ"が配線４に流れると、配線４と配線３との電磁的な結合によって、配線４に流れる入力電流"＋Ｉ"とは逆向きの電流"－Ｉ"が配線３に流れる。配線１は配線３に直列に接続されているので、配線１には、配線３と同じ向きの電流"－Ｉ"が流れる。同様に、入力電流"－Ｉ"が配線５に流れると、配線５と配線６との電磁的な結合によって、配線５に流れる入力電流"－Ｉ"とは逆向きの電流"＋Ｉ"が配線６に流れる。配線６は配線２に直列に接続されているので、配線２には、配線６と同じ向きの電流"＋Ｉ"が流れる。配線１と配線２には互いに逆向きの電流が流れ、配線１と配線２は電磁的に結合するので、電流"－Ｉ"がポートＰ３から出力される。

このように、電力合成器１０１での電力合成は、配線間の電磁的結合に基づいているため、広い周波数範囲にわたって成り立つ。したがって、電力合成器１０１は広帯域電力合成器として機能する。

図３は、第１実施形態における電力合成器の構造例を示す平面図である。図４は、第１実施形態における電力合成器の構造例の一部を拡大して示す斜視図である。図５は、第１実施形態における電力合成器の構造例の一部を拡大して示す平面図である。図６は、第１実施形態における電力合成器の構造例を断面Ａ－Ａ'で示す断面図である。図７は、第１実施形態における電力合成器の構造例を断面Ｂ－Ｂ'で示す断面図である。図８は、第１実施形態における電力合成器の構造例を断面Ｃ－Ｃ'又は断面Ｄ－Ｄ'で示す断面図である。

図３～８は、図２に示す回路構成を有する電力合成器１０１の構造図を示す。配線１～６は、絶縁層３０の平面視（この例では、Ｚ軸方向からの視点）でＴ字状の配置形態となるように配置されている。なお、符号から伸びる実線は、絶縁層３０の平面視で手前側の部位を表し、符号から伸びる破線は、絶縁層３０の平面視で手前側の部位に隠れる部位を表す。次に、図２～８を参照して、その構造について説明する。

電力合成器１０１は、ポートＰ１，Ｐ２，Ｐ３、絶縁層３０、結合線路６１，６２，６３及び接地部５０を備える。なお、図３及び図５は、絶縁層３０を透過的に示す。

絶縁層３０（図３，６，７，８参照）は、正のＺ軸方向に向く第１主面３１と、負のＺ軸方向に向く第２主面３２とを有する。第１主面３１は、第１面の一例であり、第２主面３２は、第１面とは反対側の第２面の一例である。絶縁層３０は、例えば、誘電体を主成分とする少なくとも一つの誘電体基板である。

結合線路６１，６２，６３は、絶縁層３０に設けられている。配線１，４，５は、第１主面３１に設けられた線路であり、例えば、第１主面３１に接するように設けられた第１導電層に形成されている。配線２，３，６は、第２主面３２に設けられた線路であり、例えば、第２主面３２に接するように設けられた第２導電層に形成されている。導電層は、例えば、導電性の金属層である。

接地部５０は、配線２，３，６と同じ第２主面３２に設けられた導電層であり、例えば、第２主面３２に接するように設けられた第２導電層に枠状に形成されている。接地部５０は、絶縁層３０に対して第２主面３２側にあり且つ配線２，３，６とは異なる層に配置されてもよい。

配線１は、ポートＰ３に電気的に接続された端部１１と、配線３の端部１５に電気的に接続された端部１２とを有する帯状導体である。配線１は、端部１２から端部１１へ向かう正のＸ軸方向に延伸する。正のＸ軸方向は、第１方向の一例である。

配線１の端部１２は、配線３の端部１５に導電性の接続部４１（図４，５，６参照）を介して電気的に接続される。接続部４１は、例えば、第１主面３１と第２主面３２との間に設けられた少なくとも一つのビア４４を含む。第１主面３１に設けられた端部１２と第２主面３２に設けられた端部１５は、少なくとも一つのビア４４を介して電気的に接続される。接続部４１は、例えば、半田、導電性のペースト、ワイヤなどを含んでもよい。

配線２は、接地部５０に接地された端部１３と、配線６の端部２１に電気的に接続された端部１４とを有する帯状導体である。配線２は、端部１４から端部１３に向かう正のＸ軸方向に延伸し、絶縁層３０を介して対向する配線１に沿って延伸する。

配線２の端部１４は、配線６の端部２１に導電性の接続部４３（図５，７参照）を介して電気的に接続される。接続部４３は、絶縁層３０に対して第２主面３２の側に設けられ、例えば、半田、導電性のペースト、ワイヤなどを含んでもよい。

配線３は、配線１の端部１２に電気的に接続された端部１５と、接地部５０に接地された端部１６とを有する帯状導体である。配線３は、端部１５から端部１６へ向かう正のＹ軸方向に延伸する。正のＹ軸方向は、第１方向とは異なる第２方向の一例である。

配線４は、ポートＰ１に電気的に接続された端部１７と、配線５の端部２０に電気的に接続された端部１８とを有する帯状導体である。配線４は、端部１８から端部１７へ向かう正のＹ軸方向に延伸し、絶縁層３０を介して対向する配線３に沿って延伸する。

配線４の端部１８は、配線５の端部２０に導電性の接続部４２（図４，５，６参照）を介して電気的に接続される。接続部４２は、絶縁層３０に対して第１主面３１の側に設けられ、例えば、半田、導電性のペースト、ワイヤなどを含んでもよい。

配線５は、ポートＰ２に電気的に接続された端部１９と、配線４の端部１８に電気的に接続された端部２０とを有する帯状導体である。配線５は、端部２０から端部１９へ向かう負のＹ軸方向に延伸する。負のＹ軸方向は、第１方向及び第２方向とは異なる第３方向の一例である。

配線６は、配線２の端部１４に電気的に接続された端部２１と、接地部５０に接地された端部２２とを有する帯状導体である。配線６は、端部２１から端部２２へ向かう負のＹ軸方向に延伸し、絶縁層３０を介して対向する配線５に沿って延伸する。

絶縁層３０は、配線１及び配線２が設けられた第１絶縁部３３（図６，７，８参照）と、配線３及び配線４が設けれた第２絶縁部３４（図８参照）と、配線５及び配線６が設けられた第３絶縁部３５（図８参照）とを含む。図６，７において、配線２は、第１絶縁部３３の厚さ方向に第１絶縁部３３を介して配線１に対向する。図８において、配線４は、第２絶縁部３４の厚さ方向に第２絶縁部３４を介して配線３に対向し、配線６は、第３絶縁部３５の厚さ方向に第３絶縁部３５を介して配線５に対向する。

第１絶縁部３３は、絶縁層３０の平面視で配線１と配線２の少なくとも一方が重なる部分としてもよい。第２絶縁部３４は、絶縁層３０の平面視で配線３と配線４の少なくとも一方が重なる部分としてもよい。第３絶縁部３５は、絶縁層３０の平面視で配線５と配線６の少なくとも一方が重なる部分としてもよい。

電力合成器１０１は、上述のような構成を有することより、ポートＰ１，Ｐ２の各々の入力インピーダンスがＺ_１のとき、ポートＰ３の出力インピーダンスをＺ_２（＝２×Ｚ_１）に変換するインピーダンス変換機能を併せ持つ。このようなインピーダンス変換機能を効果的に実現するには、配線３，４の各々の奇モード特性インピーダンス、及び、配線５，６の各々の奇モード特性インピーダンスは、配線１，２の各々の奇モード特性インピーダンスよりも小さいことが好ましい。配線３，４の各々の奇モード特性インピーダンスは、配線５，６の各々の奇モード特性インピーダンスと等しいことが、より好ましい。

例えば、電力合成器１０１は、Ｚ_１が１２．５Ωのとき、ポートＰ３の出力インピーダンスを２５Ωに変換できる。この場合、配線３，４の各々の奇モード特性インピーダンス及び配線５，６の各々の奇モード特性インピーダンスは、Ｚ_１／２（具体例では、６．２５Ω）であり、配線１，２の各々の奇モード特性インピーダンスは、Ｚ_１（具体例では、１２．５Ω）である。

ここで、配線の特性インピーダンスは、配線間の容量Ｃと配線のインダクタンスＬとの比で決定される。配線間の容量Ｃは、配線が設けられる絶縁層（例えば、配線間の絶縁層）の厚さと、配線の線幅（配線幅）で決定される。絶縁層の厚さが薄くなると、配線間の容量Ｃが増加し、配線の特性インピーダンスは低下する。また、配線幅が広くなると、配線間の容量Ｃが増加し、配線の特性インピーダンスは低下する。

したがって、配線３，４の各々の配線幅ｗ２及び配線５，６の各々の配線幅ｗ３を、例えば、配線１，２の各々の配線幅ｗ１よりも広くすると、配線３，４，５，６の特性インピーダンスを配線１，２の特性インピーダンスよりも低くすることができる。

しかしながら、配線３の配線幅ｗ２が配線１の配線幅ｗ１よりも広いと、配線３と配線１との間で配線構造の対称性が失われる。そのため、配線３と配線１との間を伝搬する電力において、配線３に流れる電流の配線幅方向の分布と配線１に流れる電流の配線幅方向の分布との間に偏りが生ずる。同様に、配線６の配線幅ｗ３が配線２の配線幅ｗ１よりも広いと、配線６と配線２との間で配線構造の対称性が失われる。そのため、配線６と配線２との間を伝搬する電力において、配線６に流れる電流の配線幅方向の分布と配線２に流れる電流の配線幅方向の分布との間に偏りが生する。このような配線構造の非対称性によって電流分布の偏りが生ずると、電流が最短の電流経路で流れにくくなるので、高周波帯域における損失が増大する原因となりうる。

そこで、第１実施形態における電力合成器１０１では、第２絶縁部３４及び第３絶縁部３５は、絶縁層３０の厚さ方向において、第１絶縁部３３よりも薄い。つまり、第２絶縁部３４及び第３絶縁部３５の厚さをｄ２、第１絶縁部３３の厚さをｄ１とすると、ｄ２は、ｄ１よりも小さい。厚さｄ２を厚さｄ１よりも薄くすると、配線３，４，５，６の特性インピーダンスを配線１，２の特性インピーダンスよりも低くすることができる。また、厚さｄ２を厚さｄ１よりも薄くすることで、配線３，４，５，６の特性インピーダンスを変えずに、配線幅ｗ２，ｗ３を狭くすることもできる。また、配線幅ｗ２，ｗ３を広げなくても、厚さｄ２を厚さｄ１よりも薄くすることで、配線３，４，５，６の特性インピーダンスを配線１，２の特性インピーダンスよりも低くすることができる。よって、配線幅ｗ２，ｗ３の拡幅による配線構造の非対称性は小さくなり、配線１，３間および配線２，６間に生じる上記の電流分布の偏りは抑制されるので、ポートＰ１，Ｐ２とポートＰ３との間の高周波帯域における損失を低減できる。その結果、ポートＰ１，Ｐ２とポートＰ３との間の高周波側の通過特性を改善することができる。

なお、第２絶縁部３４及び第３絶縁部３５は、絶縁層３０の厚さ方向において同じ厚さｄ２を有するが、厚さｄ１よりも薄ければ、異なる厚さでもよい。

また、厚さｄ２は、厚さｄ１よりも薄く、且つ、配線３の配線幅ｗ２は、配線１の配線幅ｗ１と同じであり、且つ、配線６の配線幅ｗ３は、配線２の配線幅ｗ１と同じであると、配線１，３間および配線２，６間に生じる上記の電流分布の偏りは更に抑制される。よって、ポートＰ１，Ｐ２とポートＰ３との間の高周波帯域における損失は更に低減するので、ポートＰ１，Ｐ２とポートＰ３との間の高周波側の通過特性を更に改善することができる。

絶縁層３０は、絶縁層３０の厚さ方向に直角な平面に沿って配置された複数の基板を含んでもよい。図３～８に示す例では、絶縁層３０は、Ｚ軸方向に直角なＸＹ平面に沿って配置された２つの基板３６，３７を含む。基板３６と基板３７は、Ｘ軸方向で隣接した状態で接合する。図３，６～８に示すように、基板３６は、第１絶縁部３３を有し、基板３７は、第２絶縁部３４及び第３絶縁部３５を有する。このように、第２絶縁部３４及び第３絶縁部３５を有する基板と、第１絶縁部３３を有する基板とが相違することで、異なる厚さの基板を容易に形成できるので、厚さｄ２を厚さｄ１よりも容易に薄くできる。

基板３６は、表面３１ａと、表面３１ａとは反対側の裏面３２ａとを有する誘電体基板である。厚さｄ１は、表面３１ａと裏面３２ａとの間の距離に相当する。表面３１ａは、第１主面３１の一部であり、裏面３２ａは、第２主面３２の一部である。

基板３７は、表面３１ｂと、表面３１ｂとは反対側の裏面３２ｂとを有する誘電体基板である。厚さｄ２は、表面３１ｂと裏面３２ｂとの間の距離に相当する。表面３１ｂは、第１主面３１の一部であり、裏面３２ｂは、第２主面３２の一部である。

なお、絶縁層３０は、絶縁層３０の厚さ方向に直角な平面に沿って配置された３つ以上の基板を含んでもよい。例えば、絶縁層３０は、第１絶縁部３３を有する第１基板と、第２絶縁部３４を有する第２基板と、第３絶縁部３５を有する第３基板と、を含んでもよい。つまり、第１絶縁部３３、第２絶縁部３４及び第３絶縁部３５は、互いに異なる基板に形成されてもよい。あるいは、絶縁層３０は、厚さｄ１の第１絶縁部３３と厚さｄ２の第２絶縁部３４及び第３絶縁部３５とを有する一つの基板でもよい。

次に、第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同様の構成についての説明は、上述の説明を援用することで省略する。

図９は、第２実施形態における電力合成器の回路例を示す図である。図９に示す電力合成器１０２は、伝送線路変成器を利用する広帯域電力合成器であり、図１に示す電力合成器１００ａ，１００ｂ，１００ｃのそれぞれに適用できる。図９に示す電力合成器１０２は、互いに電磁界結合する（電磁的に結合する）２本の配線をそれぞれ有する３つの結合線路（Coupled Lines）と、同相信号が入力されるポートＰ１，Ｐ２と、シングルエンド信号を出力するポートＰ３とを備える。電力合成器１０２（図９）は、配線３の端部１６がポートＰ１に接続され且つ配線４の端部１７が接地部５０に接続される点で、電力合成器１０１（図２）と異なる。

次に、図９に示す電力合成器１０２の動作例、具体的には、一対のポートＰ１，Ｐ２に同相信号が入力された時の動作例について説明する。配線間が電磁界結合した結合線路構造では、Transverse Electric Magnetic Mode (ＴＥＭモード)で信号が伝搬するので、２本の配線に流れる電流が逆方向になる。

電力合成器１０２で電力合成がされる時、入力電流"＋Ｉ"と"＋Ｉ"の同相信号が一対のポートＰ１，Ｐ２に入力されると、合成されたシングルエンドの出力電流"＋Ｉ"がポートＰ３から出力される。つまり、同相入力－シングルエンド出力の合成器が得られる。入力電流"＋Ｉ"が配線３に流れると、配線４と配線３との電磁的な結合によって、配線３に流れる入力電流"＋Ｉ"とは逆向きの電流"－Ｉ"が配線４に流れる。配線１は配線３に直列に接続されているので、配線１には、配線３と同じ向きの電流"＋Ｉ"が流れる。同様に、入力電流"＋Ｉ"が配線５に流れると、配線５と配線６との電磁的な結合によって、配線５に流れる入力電流"＋Ｉ"とは逆向きの電流"－Ｉ"が配線６に流れる。配線６は配線２に直列に接続されているので、配線２には、配線６と同じ向きの電流"－Ｉ"が流れる。配線１と配線２には互いに逆向きの電流が流れ、配線１と配線２は電磁的に結合するので、電流"＋Ｉ"がポートＰ３から出力される。

このように、電力合成器１０２での電力合成は、配線間の電磁的結合に基づいているため、広い周波数範囲にわたって成り立つ。したがって、電力合成器１０２は広帯域電力合成器として機能する。

図１０は、第２実施形態における電力合成器の構造例を部分的に示す斜視図である。図１１は、第２実施形態における電力合成器の構造例を部分的に示す平面図である。図１２は、第２実施形態における電力合成器の構造例を断面Ｅ－Ｅ'で示す断面図である。図１３は、第２実施形態における電力合成器の構造例を断面Ｆ－Ｆ'で示す断面図である。図１４は、第２実施形態における電力合成器の構造例を断面Ｇ－Ｇ'又は断面Ｈ－Ｈ'で示す断面図である。

図１０～１４は、図９に示す回路構成を有する電力合成器１０２の構造図を示す。第１実施形態（図３）と同様に、配線１～６は、絶縁層３０の平面視（この例では、Ｚ軸方向からの視点）でＴ字状の配置形態となるように配置されている。なお、符号から伸びる実線は、絶縁層３０の平面視で手前側の部位を表し、符号から伸びる破線は、絶縁層３０の平面視で手前側の部位に隠れる部位を表す。次に、図９～１４を参照して、その構造について説明する。

電力合成器１０２は、ポートＰ１，Ｐ２，Ｐ３、絶縁層３０、結合線路６１，６２，６３及び接地部５０を備える。なお、図１１は、絶縁層３０を透過的に示す。

絶縁層３０（図１０，１２，１３，１４参照）は、正のＺ軸方向に向く第１主面３１と、負のＺ軸方向に向く第２主面３２とを有する。

配線１，３，５は、第１主面３１に設けられた線路であり、例えば、第１主面３１に接するように設けられた第１導電層に形成されている。配線２，４，６は、第２主面３２に設けられた線路であり、例えば、第２主面３２に接するように設けられた第２導電層に形成されている。

配線１の端部１２は、配線３の端部１５に導電性の接続部４１（図１０，１１，１２参照）を介して電気的に接続される。接続部４１は、絶縁層３０に対して第１主面３１の側に設けられ、例えば、半田、導電性のペースト、ワイヤなどを含んでもよい。

配線３は、配線１の端部１２に電気的に接続された端部１５と、ポートＰ１に電気的に接続された端部１６とを有する帯状導体である。

配線４は、接地部５０に接地された端部１７と、端部１７とは反対側で配線５の端部２０に電気的に接続された端部１８とを有する帯状導体である。

配線４の端部１８は、配線５の端部２０に導電性の接続部４２（図１０，１１，１２参照）を介して電気的に接続される。接続部４２は、例えば、第１主面３１と第２主面３２との間に設けられた少なくとも一つのビア４５を含む。第１主面３１に設けられた端部２０と第２主面３２に設けられた端部１８は、少なくとも一つのビア４５を介して電気的に接続される。接続部４２は、例えば、半田、導電性のペースト、ワイヤなどを含んでもよい。

絶縁層３０は、配線１及び配線２が設けられた第１絶縁部３３（図１２，１３，１４参照）と、配線３及び配線４が設けれた第２絶縁部３４（図１４参照）と、配線５及び配線６が設けられた第３絶縁部３５（図１４参照）とを含む。図１２，１３において、配線２は、第１絶縁部３３の厚さ方向に第１絶縁部３３を介して配線１に対向する。図１４において、配線４は、第２絶縁部３４の厚さ方向に第２絶縁部３４を介して配線３に対向し、配線６は、第３絶縁部３５の厚さ方向に第３絶縁部３５を介して配線５に対向する。

電力合成器１０２は、上述のような構成を有することより、ポートＰ１，Ｐ２の各々の入力インピーダンスがＺ_１のとき、ポートＰ３の出力インピーダンスをＺ_２（＝２×Ｚ_１）に変換するインピーダンス変換機能を併せ持つ。

第２実施形態における電力合成器１０２では、第２絶縁部３４及び第３絶縁部３５は、絶縁層３０の厚さ方向において、第１絶縁部３３よりも薄い。したがって、第１実施形態と同様、ポートＰ１，Ｐ２とポートＰ３との間の高周波側の通過特性を改善することができる。

次に、本実施形態における電力合成器のシミュレーション結果を、図１５，１６に示す構造を有する一比較形態における電力合成器と比較して説明する。

図１５は、一比較形態における電力合成器の構造例を示す平面図である。図１６は、一比較形態における電力合成器の構造例の一部を拡大して示す斜視図である。電力合成器４００（図１５，１６）では、配線３，４の各々の配線幅ｗ１２及び配線５，６の各々の配線幅ｗ１３が、配線１，２の各々の配線幅ｗ１１よりも広く形成されている。また、電力合成器４００（図１５，１６）では、配線１～６が設けられた絶縁層３０の厚さは、一定である。一比較形態は、配線３と配線１との間に流れる電流ｉ１の配線幅方向の分布が配線３と配線１との間で偏りが生じ、且つ、配線６と配線２との間に流れる電流ｉ２の配線幅方向の分布が配線６と配線２との間で偏りが生じることを想定した形態である。

図１７は、第１実施形態における電力合成器１０１と一比較形態における電力合成器４００について、反射係数Ｓ_１１のシミュレーション結果の一例を示す図である。図１８は、第１実施形態における電力合成器１０１と一比較形態における電力合成器４００について、透過係数Ｓ_１２，Ｓ_１３のシミュレーション結果の一例を示す図である。

図１７，１８に示すシミュレーション時の条件は、
絶縁層３０の比誘電率：３．４
絶縁層３０の誘電正接：０．００４
配線１，２の各々の奇モード特性インピーダンス：１２．５Ω
配線３，４の各々の奇モード特性インピーダンス：６．２５Ω
配線５，６の各々の奇モード特性インピーダンス：６．２５Ω
電力合成器１０１の厚さｄ１：０．５ｍｍ
電力合成器１０１の厚さｄ２：０．２５ｍｍ
電力合成器４００の絶縁層３０の厚さ：０．５ｍｍ
電力合成器１０１の配線幅ｗ１，ｗ２，ｗ３：２．８ｍｍ
電力合成器４００の配線幅ｗ１１：２．８ｍｍ
電力合成器４００の配線幅ｗ１２，ｗ１３：６．５ｍｍ
である。

図１７において、反射係数Ｓ_１１は、ポートＰ１から見たときの反射利得を表し、Ｓ_１１が低いほど、ポートＰ１から入力された信号がポートＰ２，Ｐ３に効率的に分配されていることを表す。図１７に示すように、電力合成器１０１は、電力合成器４００に比べて、反射係数Ｓ１１が高周波側まで低く保たれているので、広帯域化されている。

図１８において、透過係数Ｓ_１２は、ポートＰ２からポートＰ１への通過特性、透過係数Ｓ_１３は、ポートＰ３からポートＰ１への通過特性を表す。図１８に示すように、電力合成器１０１は、電力合成器４００に比べて、高周波側の通過特性が改善されている。

このように、本実施形態によれば、広い周波数範囲にわたって、電力増幅器からの出力電力を合成する機能と、インピーダンス変換機能とを併せ持ち、高周波側の良好な通過特性を有する広帯域電力合成器を実現できる。

以上、実施形態を説明したが、本開示の技術は上記実施形態に限定されない。他の実施形態の一部又は全部との組み合わせや置換などの種々の変形及び改良が可能である。

例えば、電力合成器は、出力端を入力端、第１入力端を第１出力端、第２入力端を第２出力端とする電力分配器として使用できる。

以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
絶縁層と、
前記絶縁層に設けられ、出力端に接続される第１結合線路と、
前記絶縁層に設けられ、第１入力端に接続される第２結合線路と、
前記絶縁層に設けられ、第２入力端に接続される第３結合線路と、を備え、
前記第１結合線路は、第１配線と、前記第１配線に対向する第２配線と、を有し、
前記第２結合線路は、第３配線と、前記第３配線に対向する第４配線と、を有し、
前記第３結合線路は、第５配線と、前記第５配線に対向する第６配線と、を有し、
前記第３配線の端部は、前記第１配線の端部に接続され、
前記第５配線の端部は、前記第４配線の端部に接続され、
前記第６配線の端部は、前記第２配線の端部に接続され、
前記絶縁層は、前記第１配線及び前記第２配線が設けられた第１絶縁部と、前記第３配線及び前記第４配線が設けられた第２絶縁部と、前記第５配線及び前記第６配線が設けられた第３絶縁部とを含み、
前記第２絶縁部及び前記第３絶縁部は、前記絶縁層の厚さ方向において、前記第１絶縁部よりも薄い、電力合成器。
（付記２）
前記第３配線及び前記第４配線の奇モード特性インピーダンス、及び、前記第５配線及び前記第６配線の奇モード特性インピーダンスは、前記第１配線及び前記第２配線の奇モード特性インピーダンスよりも小さい、付記１に記載の電力合成器。
（付記３）
前記第３配線及び前記第４配線の奇モード特性インピーダンスは、前記第５配線及び前記第６配線の奇モード特性インピーダンスと等しい、付記２に記載の電力合成器。
（付記４）
前記第２配線は、前記第１絶縁部の厚さ方向に前記第１絶縁部を介して前記第１配線に対向し、
前記第４配線は、前記第２絶縁部の厚さ方向に前記第２絶縁部を介して前記第３配線に対向し、
前記第６配線は、前記第３絶縁部の厚さ方向に前記第３絶縁部を介して前記第５配線に対向する、付記１から３のいずれか一項に記載の電力合成器。
（付記５）
前記第１配線は、前記出力端に接続された第１端部と、前記第１端部とは反対側の第２端部と、を有し、
前記第２配線は、第３端部と、前記第３端部とは反対側の第４端部と、を有し、
前記第３配線は、前記第２端部に接続された第５端部と、前記第５端部とは反対側の第６端部と、を有し、
前記第４配線は、前記第１入力端に接続された第７端部と、前記第７端部とは反対側の第８端部と、を有し、
前記第５配線は、前記第２入力端に接続された第９端部と、前記第８端部に接続された第１０端部と、を有し、
前記第６配線は、前記第４端部に接続された第１１端部と、前記第１１端部とは反対側の第１２端部と、を有する、付記１から４のいずれか一項に記載の電力合成器。
（付記６）
前記絶縁層は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、
前記第１配線、前記第４配線及び前記第５配線は、前記第１面に設けられ、
前記第２配線、前記第３配線及び前記第６配線は、前記第２面に設けられた、付記５に記載の電力合成器。
（付記７）
前記第２端部と前記第５端部は、前記第１面と前記第２面との間に設けられた少なくとも一つのビアを介して接続される、付記６に記載の電力合成器。
（付記８）
前記第３端部、前記第６端部及び前記第１２端部は、接地される、付記５から７のいずれか一項に記載の電力合成器。
（付記９）
前記第１配線は、前記出力端に接続された第１端部と、前記第１端部とは反対側の第２端部と、を有し、
前記第２配線は、第３端部と、前記第３端部とは反対側の第４端部と、を有し、
前記第３配線は、前記第２端部に接続された第５端部と、前記第１入力端に接続された第６端部と、を有し、
前記第４配線は、第７端部と、前記第７端部とは反対側の第８端部と、を有し、
前記第５配線は、前記第２入力端に接続された第９端部と、前記第８端部に接続された第１０端部と、を有し、
前記第６配線は、前記第４端部に接続された第１１端部と、前記第１１端部とは反対側の第１２端部と、を有する、付記１から４のいずれか一項に記載の電力合成器。
（付記１０）
前記絶縁層は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、
前記第１配線、前記第３配線及び前記第５配線は、前記第１面に設けられ、
前記第２配線、前記第４配線及び前記第６配線は、前記第２面に設けられた、付記９に記載の電力合成器。
（付記１１）
前記第８端部と前記第１０端部は、前記第１面と前記第２面との間に設けられた少なくとも一つのビアを介して接続される、付記１０に記載の電力合成器。
（付記１２）
前記第３端部、前記第７端部及び前記第１２端部は、接地される、付記９から１１のいずれか一項に記載の電力合成器。
（付記１３）
前記第２端部から前記第１端部へ向かう第１方向と、前記第５端部から前記第６端部へ向かう第２方向と、前記第１０端部から前記第９端部へ向かう第３方向は、互いに異なる、付記５から１２のいずれか一項に記載の電力合成器。
（付記１４）
前記第１方向は、前記第４端部から前記第３端部へ向かう方向であり、
前記第２方向は、前記第８端部から前記第７端部へ向かう方向であり、
前記第３方向は、前記第１１端部から前記第１２端部へ向かう方向である、付記１３に記載の電力合成器。
（付記１５）
前記第１配線、前記第２配線、前記第３配線、前記第４配線、前記第５配線及び前記第６配線は、前記絶縁層の平面視でＴ字状に配置された、付記１４に記載の電力合成器。
（付記１６）
前記絶縁層は、前記絶縁層の厚さ方向に直角な平面に沿って配置された複数の基板を含み、
前記複数の基板は、前記第１絶縁部を有する第１基板と、前記第２絶縁部及び第３絶縁部を有する第２基板と、を含む、付記１から１５のいずれか一項に記載の電力合成器。
（付記１７）
前記絶縁層は、前記絶縁層の厚さ方向に直角な平面に沿って配置された複数の基板を含み、
前記複数の基板は、前記第１絶縁部を有する第１基板と、前記第２絶縁部を有する第２基板と、第３絶縁部を有する第３基板と、を含む、付記１から１５のいずれか一項に記載の電力合成器。
（付記１８）
前記第２絶縁部及び前記第３絶縁部は、前記絶縁層の厚さ方向において同じ厚さを有する、付記１から１７のいずれか一項に記載の電力合成器。
（付記１９）
前記第３配線の配線幅は、前記第１配線の配線幅と同じであり、且つ、前記第６配線の配線幅は、前記第２配線の配線幅と同じである、付記１から１８のいずれか一項に記載の電力合成器。
（付記２０）
第１増幅器と、
第２増幅器と、
前記第１増幅器の出力側に接続される第１入力端と、
前記第２増幅器の出力側に接続される第２入力端と、
出力端と、
絶縁層と、
前記絶縁層に設けられ、出力端に接続される第１結合線路と、
前記絶縁層に設けられ、第１入力端に接続される第２結合線路と、
前記絶縁層に設けられ、第２入力端に接続される第３結合線路と、を備え、
前記第１結合線路は、第１配線と、前記第１配線に対向する第２配線と、を有し、
前記第２結合線路は、第３配線と、前記第３配線に対向する第４配線と、を有し、
前記第３結合線路は、第５配線と、前記第５配線に対向する第６配線と、を有し、
前記第３配線の端部は、前記第１配線の端部に接続され、
前記第５配線の端部は、前記第４配線の端部に接続され、
前記第６配線の端部は、前記第２配線の端部に接続され、
前記絶縁層は、前記第１配線及び前記第２配線が設けられた第１絶縁部と、前記第３配線及び前記第４配線が設けられた第２絶縁部と、前記第５配線及び前記第６配線が設けられた第３絶縁部とを含み、
前記第２絶縁部及び前記第３絶縁部は、前記絶縁層の厚さ方向において、前記第１絶縁部よりも薄い、増幅装置。
（付記２１）
第１増幅器と、
第２増幅器と、
前記第１増幅器の出力側に接続される第１入力端と、
前記第２増幅器の出力側に接続される第２入力端と、
出力端と、
前記出力端に接続されるアンテナと、
絶縁層と、
前記絶縁層に設けられ、出力端に接続される第１結合線路と、
前記絶縁層に設けられ、第１入力端に接続される第２結合線路と、
前記絶縁層に設けられ、第２入力端に接続される第３結合線路と、を備え、
前記第１結合線路は、第１配線と、前記第１配線に対向する第２配線と、を有し、
前記第２結合線路は、第３配線と、前記第３配線に対向する第４配線と、を有し、
前記第３結合線路は、第５配線と、前記第５配線に対向する第６配線と、を有し、
前記第３配線の端部は、前記第１配線の端部に接続され、
前記第５配線の端部は、前記第４配線の端部に接続され、
前記第６配線の端部は、前記第２配線の端部に接続され、
前記絶縁層は、前記第１配線及び前記第２配線が設けられた第１絶縁部と、前記第３配線及び前記第４配線が設けられた第２絶縁部と、前記第５配線及び前記第６配線が設けられた第３絶縁部とを含み、
前記第２絶縁部及び前記第３絶縁部は、前記絶縁層の厚さ方向において、前記第１絶縁部よりも薄い、送信装置。

１～７ 配線
１１～２２ 端部
３０ 絶縁層
３１ 第１主面
３１ａ，３１ｂ 表面
３２ 第２主面
３２ａ，３２ｂ 裏面
３３ 第１絶縁部
３４ 第２絶縁部
３５ 第３絶縁部
３６，３７ 基板
４１，４２，４３ 接続部
４４，４５ ビア
５０ 接地部
６１，６２，６３ 結合線路
１００ 電力合成回路
１０１，１０２ 電力合成器
１１１，１１２，１１３，１１４ 電力増幅器
２００ 電力増幅装置
３００ 送信装置
３０１ アンテナ
４００ 電力合成器

Claims (15)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層に設けられ、出力端に接続される第１結合線路と、
   前記絶縁層に設けられ、第１入力端に接続される第２結合線路と、
   前記絶縁層に設けられ、第２入力端に接続される第３結合線路と、を備え、
   前記第１結合線路は、第１配線と、前記第１配線に対向する第２配線と、を有し、
   前記第２結合線路は、第３配線と、前記第３配線に対向する第４配線と、を有し、
   前記第３結合線路は、第５配線と、前記第５配線に対向する第６配線と、を有し、
   前記第３配線の端部は、前記第１配線の端部に接続され、
   前記第５配線の端部は、前記第４配線の端部に接続され、
   前記第６配線の端部は、前記第２配線の端部に接続され、
   前記絶縁層は、前記第１配線及び前記第２配線が設けられた第１絶縁部と、前記第３配線及び前記第４配線が設けられた第２絶縁部と、前記第５配線及び前記第６配線が設けられた第３絶縁部とを含み、
   前記第２絶縁部及び前記第３絶縁部は、前記絶縁層の厚さ方向において、前記第１絶縁部よりも薄い、電力合成器。
2. 前記第３配線及び前記第４配線の奇モード特性インピーダンス、及び、前記第５配線及び前記第６配線の奇モード特性インピーダンスは、前記第１配線及び前記第２配線の奇モード特性インピーダンスよりも小さい、請求項１に記載の電力合成器。
3. 前記第３配線及び前記第４配線の奇モード特性インピーダンスは、前記第５配線及び前記第６配線の奇モード特性インピーダンスと等しい、請求項２に記載の電力合成器。
4. 前記第２配線は、前記第１絶縁部の厚さ方向に前記第１絶縁部を介して前記第１配線に対向し、
   前記第４配線は、前記第２絶縁部の厚さ方向に前記第２絶縁部を介して前記第３配線に対向し、
   前記第６配線は、前記第３絶縁部の厚さ方向に前記第３絶縁部を介して前記第５配線に対向する、請求項１から３のいずれか一項に記載の電力合成器。
5. 前記第１配線は、前記出力端に接続された第１端部と、前記第１端部とは反対側の第２端部と、を有し、
   前記第２配線は、第３端部と、前記第３端部とは反対側の第４端部と、を有し、
   前記第３配線は、前記第２端部に接続された第５端部と、前記第５端部とは反対側の第６端部と、を有し、
   前記第４配線は、前記第１入力端に接続された第７端部と、前記第７端部とは反対側の第８端部と、を有し、
   前記第５配線は、前記第２入力端に接続された第９端部と、前記第８端部に接続された第１０端部と、を有し、
   前記第６配線は、前記第４端部に接続された第１１端部と、前記第１１端部とは反対側の第１２端部と、を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の電力合成器。
6. 前記絶縁層は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、
   前記第１配線、前記第４配線及び前記第５配線は、前記第１面に設けられ、
   前記第２配線、前記第３配線及び前記第６配線は、前記第２面に設けられた、請求項５に記載の電力合成器。
7. 前記第２端部と前記第５端部は、前記第１面と前記第２面との間に設けられた少なくとも一つのビアを介して接続される、請求項６に記載の電力合成器。
8. 前記第３端部、前記第６端部及び前記第１２端部は、接地される、請求項５から７のいずれか一項に記載の電力合成器。
9. 前記第１配線は、前記出力端に接続された第１端部と、前記第１端部とは反対側の第２端部と、を有し、
   前記第２配線は、第３端部と、前記第３端部とは反対側の第４端部と、を有し、
   前記第３配線は、前記第２端部に接続された第５端部と、前記第１入力端に接続された第６端部と、を有し、
   前記第４配線は、第７端部と、前記第７端部とは反対側の第８端部と、を有し、
   前記第５配線は、前記第２入力端に接続された第９端部と、前記第８端部に接続された第１０端部と、を有し、
   前記第６配線は、前記第４端部に接続された第１１端部と、前記第１１端部とは反対側の第１２端部と、を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の電力合成器。
10. 前記絶縁層は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、
    前記第１配線、前記第３配線及び前記第５配線は、前記第１面に設けられ、
    前記第２配線、前記第４配線及び前記第６配線は、前記第２面に設けられた、請求項９に記載の電力合成器。
11. 前記第８端部と前記第１０端部は、前記第１面と前記第２面との間に設けられた少なくとも一つのビアを介して接続される、請求項１０に記載の電力合成器。
12. 前記第３端部、前記第７端部及び前記第１２端部は、接地される、請求項９から１１のいずれか一項に記載の電力合成器。
13. 前記第２端部から前記第１端部へ向かう第１方向と、前記第５端部から前記第６端部へ向かう第２方向と、前記第１０端部から前記第９端部へ向かう第３方向は、互いに異なり、
    前記第１方向は、前記第４端部から前記第３端部へ向かう方向であり、
    前記第２方向は、前記第８端部から前記第７端部へ向かう方向であり、
    前記第３方向は、前記第１１端部から前記第１２端部へ向かう方向であり、
    前記第１配線、前記第２配線、前記第３配線、前記第４配線、前記第５配線及び前記第６配線は、前記絶縁層の平面視でＴ字状に配置された、請求項５から１２のいずれか一項に記載の電力合成器。
14. 前記第３配線の配線幅は、前記第１配線の配線幅と同じであり、且つ、前記第６配線の配線幅は、前記第２配線の配線幅と同じである、請求項１から１３のいずれか一項に記載の電力合成器。
15. 第１増幅器と、
    第２増幅器と、
    前記第１増幅器の出力側に接続される第１入力端と、
    前記第２増幅器の出力側に接続される第２入力端と、
    出力端と、
    前記出力端に接続されるアンテナと、
    絶縁層と、
    前記絶縁層に設けられ、前記出力端に接続される第１結合線路と、
    前記絶縁層に設けられ、前記第１入力端に接続される第２結合線路と、
    前記絶縁層に設けられ、前記第２入力端に接続される第３結合線路と、を備え、
    前記第１結合線路は、第１配線と、前記第１配線に対向する第２配線と、を有し、
    前記第２結合線路は、第３配線と、前記第３配線に対向する第４配線と、を有し、
    前記第３結合線路は、第５配線と、前記第５配線に対向する第６配線と、を有し、
    前記第３配線の端部は、前記第１配線の端部に接続され、
    前記第５配線の端部は、前記第４配線の端部に接続され、
    前記第６配線の端部は、前記第２配線の端部に接続され、
    前記絶縁層は、前記第１配線及び前記第２配線が設けられた第１絶縁部と、前記第３配線及び前記第４配線が設けられた第２絶縁部と、前記第５配線及び前記第６配線が設けられた第３絶縁部とを含み、
    前記第２絶縁部及び前記第３絶縁部は、前記絶縁層の厚さ方向において、前記第１絶縁部よりも薄い、送信装置。

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