JP2022108485A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の品質向上。【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１絶縁層２と、第１絶縁層２上に形成されている第１導体層３と、第１絶縁層２上及び第１導体層３上に形成されているソルダーレジスト層４と、ソルダーレジスト層４上に形成されている導体パッド５ａと、を含み、部品が実装される部品実装面である第１面１１及び第１面１１の反対面である第２面１２を有している。導体パッド５ａは、矩形の平面形状を有し、上面及び側面がソルダーレジスト層４から第２面１２に露出し、ソルダーレジスト層４を貫通する導体ポスト５ｐを介して第１導体層３と接続されている。【選択図】図１

Description

本発明は配線基板に関する。

特許文献１には、絶縁層上に形成されていて半導体素子に接合されるパッド部を有する多層配線基板が開示されている。絶縁層上にはソルダーレジストが設けられており、パッド部は、ソルダーレジストの開口中にソルダーレジストから離れた状態となるように配置されている。

特開２００４－２２７１３号公報

特許文献１に開示のパッド部のように絶縁層上に形成された導体パッド及びその下層の絶縁層には、導体パッドと絶縁層との熱膨張率の相違や、導体パッドに接続される外部の部品から加わる外力などによって応力が生じることがある。そのため、導体パッド及びその近傍の絶縁層では、この応力によるクラックなどの不具合が生じ易いと考えられる。

本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されている第１導体層と、前記第１絶縁層上及び前記第１導体層上に形成されている第２ソルダーレジスト層と、前記第２ソルダーレジスト層上に形成されている導体パッドと、を含み、部品が実装される部品実装面である第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有している。前記導体パッドは、矩形の平面形状を有し、上面及び側面が前記第２ソルダーレジスト層から前記第２面に露出し、前記第２ソルダーレジスト層を貫通する導体ポストを介して前記第１導体層と接続されている。

本発明の実施形態によれば、配線基板に設けられる導体パッドにおいて必要な大きさの露出部分を確保しながら、その周辺部におけるクラックなどの不具合の発生を抑制できることがある。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す平面図。 図１のIII部の拡大図。 図３に示される配線基板の異なる例を示す断面図。 図３に示される配線基板のさらに異なる例を示す断面図。 図１に示される配線基板の製造方法の一例を示す断面図。 図１に示される配線基板の製造方法の一例を示す断面図。 図１に示される配線基板の製造方法の一例を示す断面図。 図１に示される配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

次に、図面を参照しながら本発明の一実施形態である配線基板について説明する。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。

図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されており、図２には、図１における紙面下側から見た配線基板１の平面図が示されている。図２のＩ－Ｉ線での断面図が図１である。

図１に示されるように、配線基板１は、絶縁層２０と、絶縁層２０の両面それぞれに交互に積層された導体層及び絶縁層とを含んでいる。絶縁層２０の表面２０ａ上には、３つの導体層３１のそれぞれと２つの絶縁層２１のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層（第２絶縁層）２３が積層され、絶縁層２３上に導体層３３が形成されている。同様に、絶縁層２０の表面２０ａの反対面である表面２０ｂ上には、３つの導体層３２のそれぞれと２つの絶縁層２２のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層（第１絶縁層）２が積層され、絶縁層２上に導体層（第１導体層）３が形成されている。

なお、本実施形態の配線基板の説明においては、配線基板１を構成する各要素における、絶縁層２０から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、絶縁層２０に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。

絶縁層２３及び導体層３３上には、ソルダーレジスト層４０が形成されている。絶縁層２及び導体層３上にはソルダーレジスト層４が形成されている。ソルダーレジスト層４上には、導体パッド５ａが形成されている。導体パッド５ａは、ソルダーレジスト層４を貫通する開口４ａ内に形成される導体ポスト５ｐを介して導体層３と接続されている。このように、実施形態の配線基板１は、第１絶縁層２と、第１絶縁層２上に形成されている第１導体層３と、第１絶縁層２上及び第１導体層３上に形成されているソルダーレジスト層４と、ソルダーレジスト層４上に形成され導体ポスト５ｐによって第１導体層３と接続されている導体パッド５ｐと、を少なくとも含んでいる。

配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する方向に広がる２つの表面として第１面１１、及び第１面１１の反対面である第２面１２を有している。配線基板１において、絶縁層２３、導体層３３、及びソルダーレジスト層４０は配線基板１の第１面１１側に形成されており、配線基板１の第１面１１側の表層部を形成している。第１面１１は、導体層３３、及びソルダーレジスト層４０それぞれの露出面によって構成されている。また、第１絶縁層２、第１導体層３、ソルダーレジスト層４、及び導体パッド５ａは、配線基板１の第２面１２側に形成されており、配線基板１の第２面１２側の表層部を形成している。第２面１２は、ソルダーレジスト層４及び導体パッド５ａそれぞれの露出面によって構成されている。なお、本実施形態の説明においては、第１面１１を構成するソルダーレジスト層４０は第１ソルダーレジスト層４０とも称され、第２面１２を構成するソルダーレジスト層４は第２ソルダーレジスト層４とも称される。

絶縁層２０には、導体層３１と導体層３２とを接続するスルーホール導体２０ｃが形成されている。絶縁層２０、表面２０ａ上の導体層３１、及び表面２０ｂ上の導体層３２は、配線基板１のコア基板を構成している。絶縁層２及び絶縁層２１～２３それぞれには、絶縁層２及び絶縁層２１～２３それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体２ｖが形成されている。

絶縁層２及び絶縁層２０～２３は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材（芯材）及び／又はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

導体層３及び導体層３１～３３、ビア導体２ｖ、スルーホール導体２０ｃ、導体ポスト５ｐ、及び導体パッド５ａは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。従って、導体層３及び導体層３１～３３、ビア導体２ｖ、スルーホール導体２０ｃ、導体ポスト５ｐ、及び導体パッド５ｐは、図１では単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。例えば、絶縁層２０の表面２０ａ及び表面２０ｂそれぞれに形成されている導体層３１及び導体層３２は、金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含む３層構造を有し得る。また、導体層３、導体層３３、絶縁層２１又は絶縁層２２上に形成されている導体層３１及び導体層３２、ビア導体２ｖ、スルーホール導体２０ｃ、導体ポスト５ｐ、並びに導体パッド５ａは、例えば無電解めっき膜及び電解めっき膜を含む２層構造を有し得る。

配線基板１が有する各導体層は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。図１の例の配線基板１では、導体層３３は複数の部品実装パッド３３ａを有するようにパターニングされている。すなわち配線基板１は第１面１１に形成されている複数の部品実装パッド３３ａを含んでいる。複数の部品実装パッド３３ａは絶縁層２３上に形成されている。各部品実装パッド３３ａの表面には、配線基板１の使用時に配線基板１に実装される部品Ｅ１がその表面に載置される。すなわち第１面１１は配線基板１の部品実装面である。部品実装パッド３３ａには、例えばはんだなどの接合材（図示せず）を介して部品Ｅ１の電極Ｅ１１が電気的及び機械的に接続される。

部品Ｅ１としては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品、及び、電気抵抗などの受動部品のような電子部品が例示される。部品Ｅ１は、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。しかし、部品Ｅ１はこれらに限定されない。

本実施形態では、配線基板１は第２面１２に、第１導体層３と導体ポスト５ｐを介して接続される複数の導体パッド５ａを備えている。導体パッド５ａは、図２に示されるように、矩形の平面形状を有している。「平面形状」は、導体パッド５ａのような対象物の平面視における形状であり、「平面視」は、対象物を配線基板１の厚さ方向と平行な視線で見ることを意味している。

上記及び下記の説明において「矩形」は、互いに平行な２つの辺（線分）と、その２つの辺に直交する互いに平行な２つの辺（線分）とによって囲まれる形状を意味している。この「矩形」において、互いに隣接すると共に直交する二辺は、その交点において必ずしも直角の交角をなすように接していなくてもよく、その交点付近の部分（角部）が、Ｃ面取り又はＲ面取りなどで面取りされた形状を有していてもよい。その場合、上記及び下記の説明における「矩形」の各一辺の直線部分は、好ましくは、その一辺と直交する他の二辺間の距離の１／３以上の長さを有している。

図１の例の配線基板１において、第２面１２は、第１面１１と同様に、半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。また第２面１２は、外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素Ｓ１に配線基板１自体が実装される場合に、外部要素Ｓ１に接続される接続面であってもよい。すなわち、配線基板１は、例えば第１面１１に実装される半導体集積回路などの部品Ｅ１のパッケージの一部を構成してもよい。その場合、配線基板１は、図１に示されるように第２面１２を外部要素Ｓ１に向けて外部要素Ｓ１に部品Ｅ１と共に実装されてもよい。

第２面１２が外部要素Ｓ１との接続面である場合、第２面１２は、外部要素Ｓ１との接続部を備え得る。図１の例の配線基板１は、導体パッド５ａにおいて外部要素Ｓ１と接続される。従って、図１の例の導体パッド５ａは、配線基板１において外部要素Ｓ１に接続される接続パッドであり、図１の配線基板１における外部要素Ｓ１との接続パッドは導体パッド５ａからなる。

導体パッド５ａは、例えば、はんだなどの接合材によって外部要素Ｓ１の電極Ｓ１１に電気的及び機械的に接続され得る。外部要素Ｓ１は、前述したように、任意の電気機器を構成するマザーボードであってもよく、配線基板１よりも大きなパッケージサイズを有する任意の電子部品であってもよい。導体パッド５ａは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。

図１の例では、導体パッド５ａは、第１面１１側に設けられている導体層３３が有する複数の部品実装パッド３３ａのいずれよりも大きい。部品Ｅ１よりも大きな外部要素Ｓ１と配線基板１とが、大きな面積で強固に接続されると考えられる。

ソルダーレジスト層４、４０は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成されている。第１ソルダーレジスト層４０は、部品実装パッド３３ａを露出させる開口４０ａを有している。図１の例では、ソルダーレジスト層４０は、各部品実装パッド３３ａの周縁部を覆っており、開口４０ａには、各部品実装パッド３３ａの周縁部以外の部分が露出している。

一方、図示の例においては、ソルダーレジスト層４は凹部ＲＣを有している。導体パッド５ａは凹部ＲＣの内側に位置しており、導体パッド５ａの主面である上側の面（第１導体層３と反対側の面）及び側面は凹部ＲＣ内に露出している。換言すれば、第２ソルダーレジスト層４は、導体パッド５ａの下面よりも第１絶縁層２側の部分を構成するソルダーレジスト層４１と、ソルダーレジスト層４１の上側の、凹部ＲＣの深さと等しい厚さを有するソルダーレジスト層４２との２つの部分から構成されている。

導体パッド５ａの厚さは凹部ＲＣの深さよりも小さい。すなわち、導体パッド５ａはその主面の全域を凹部ＲＣ内に露出している。配線基板１と外部要素Ｓ１とが比較的大きな面積で強固に接続され得る。導体パッド５ａの下側の面はソルダーレジスト層４における絶縁層２側の部分（ソルダーレジスト層４１）と接している。このような構成を有することで、詳しくは後述するように、配線基板１の第２面１２側の表層部において、クラックなどの不良の発生が抑制されることがある。

ソルダーレジスト層４１における導体パッド５ａの直下の部分には、ソルダーレジスト層４１を貫通して第１導体層３に接続する導体ポスト５ｐが形成されている。図示される例の配線基板１においては、導体ポスト５ｐを介して導体パッド５ａに接続されている第１導体層３の部分は、導体パッド５ａと略同形（矩形状）の平面形状を有するランド部３ａとして形成されている。図示の例では、導体パッド５ａと第１導体層３が有するランド部３ａとは略同寸法に形成され、平面視においてランド部３ａの全体が導体パッド５ａと重なる位置に形成されている。しかしながら、ランド部３ａは、その全体が導体パッド５ａと重なる位置に形成されていなくともよい。ランド部３ａと導体パッド５ａとは、平面視において部分的に重なる構成を有してもよい。

続いて、図３を参照して、配線基板１の第２面１２側の表層部の構成について詳述される。図３は、図１において一点鎖線で示される領域IIIの拡大図である。

前述したように、導体パッド及びその直下の絶縁層には、両者の間の熱膨張率の相違や外力などによって応力が生じることがある。特に、導体パッドの主面及び側面が露出する構造においては、導体パッドの周縁部と導体パッド直下の絶縁層との接触部付近に応力が集中しやすい。導体パッドの直下の絶縁層の靭性が比較的低い場合には、この応力に耐え切れず、絶縁層にクラックが生じることがある。

図３に示される例においては、上述した応力は、ソルダーレジスト層４の表面上において導体パッド５ａが存在する領域と存在しない領域との境界となる導体パッド５ａの周縁５ａｐ付近に集中し易い。しかしながら、本実施形態の配線基板１においては、第１絶縁層２などの絶縁層と比較して靭性の高いソルダーレジスト層４が導体パッド５ａ直下に位置しており、周縁部５ａｐ付近に応力が集中したとしても、導体パッド直下においてクラックが発生しにくい構成が採用されている。

なお、導体ポスト５ｐは、平面視において、導体パッド５ａの略中心に位置していることが好ましい。具体的には、導体ポスト５ｐの中心軸と導体パッド５ａの中心軸とは略同じであることが好ましい。導体ポスト５ｐ及び導体パッド５ａによって構成される構造が、中心軸に対して対称的な構造を有することによって、導体ポスト５ｐの周縁部５ａｐでの局所的な応力集中が回避され、周縁部５ａｐ近傍でのクラックの発生が効果的に抑制されることがある。

本実施形態において、導体パッド５ａの直下の層を構成するソルダーレジスト層４は、ソルダーレジスト層４の内側に形成されている第１絶縁層２よりも高い靭性を有している。具体的には、ソルダーレジスト層４が有する弾性率は、第１絶縁層２の有する弾性率よりも小さい。例えば、ソルダーレジスト層４が有する弾性率は１０ＧＰａ未満（例えば、７ＧＰａ）であり、第１絶縁層２の有する弾性率は１０ＧＰａ（例えば、１３ＧＰａ）以上である。

従って、図３に示される導体パッド５ａがソルダーレジスト層４上に配置される構成は、第１絶縁層２上の第１導体層３に接続用の導体パッドが配置される構成と比較した場合、クラック耐性が高いと考えられる。すなわち、導体ポスト５ｐ及び導体パッド５ａが形成されず、ランド部３ａがソルダーレジスト層４から離間して露出している接続用の導体パッドである場合、比較的靭性の低い第１絶縁層２におけるランド部３ａの周縁部近傍においてクラックが発生しやすいと考えられる。これと比較して、本実施形態では、図示される構成を採用することによって、配線基板の表層部におけるクラックなどの不良の発生は効果的に抑制され得る。従って、本実施形態によれば、外部要素との接続面積が大きい良好な接続を実現しつつ、表層部におけるクラックの発生も効果的に抑制され得る配線基板が提供され得る。

特に、配線基板１では、前述したように導体パッド５ａは、第１面１１側に設けられている複数の部品実装パッド３３ａのいずれよりも大きい。従って、その平面面積は大きく、導体パッド５ａはその直下の絶縁層（ソルダーレジスト層４）との間に比較的大きな界面を有し得る。従って、周縁５ａｐに集中する応力も過大になり易い。導体パッド５ａのように比較的大きな平面面積を有する導体パッドにおいて本実施形態は特に有益であると考えられる。

配線基板１の第２面１２側は、図４に示されるように、ソルダーレジスト層４が凹部ＲＣを有さない構成とされてもよい。この場合、導体パッド５ａの主面が配線基板１の第２面１２側における最も外側の面を構成することとなり、より寸法の大きい接続部（例えば電極）を有する外部要素との接続が容易になることがある。

なお、本実施形態において、第１導体層３における、導体パッド５ａと接続されているランド部３ａは、導体パッド５ａと略同寸法であることに限定されない。図５に示されるように、ランド部３ａは、導体パッド５ａが有する寸法よりも小さい寸法とされてよい。特に、ランド部３ａを導体パッド５ａよりも小さい寸法に形成し、平面視においてランド部３ａが導体パッド５ａの周縁部５ａｐと重ならない構成とすることで、ソルダーレジスト層４における周縁部５ａｐ付近への応力集中が軽減されることがある。すなわち、ランド部３ａの周縁が平面視において導体パッド５ａの周縁５ａｐの内側に位置していることによって、周縁部５ａｐ近傍でのクラック発生がより効果的に抑制されることがある。

先に参照した図１及び図２では省略されているが、図３～図５に示されるように、配線基板１は、導体パッド５ａの主面及び側面を覆う表面処理層６を含んでいる。表面処理層６は、例えば導体パッド５ａの主面及び側面などの露出部分の防食処理及び／又は防錆処理によって形成される皮膜である。表面処理層６によって、導体パッド５ａの腐食や酸化などが防がれる。

表面処理層６は、例えば、導体パッド５ａとは異なる金属を含む金属皮膜や、イミダゾール化合物などの有機物を含む有機被膜である。導体パッド５ａが銅で形成されている場合、表面処理層６は、ニッケル、パラジウム、銀、金、若しくはこれらの合金、又ははんだなどによって形成され得る。図３～図５の例では、表面処理層６は、導体パッド５ａの本体側に形成されている下層６１と下層６１上に形成されている上層６２とを含む２層構造を有している。下層６１は、例えばニッケル膜若しくはニッケルとパラジウムとの合金膜であり、上層６２は、例えば金からなる金属膜である。

実施形態の配線基板は、任意の一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。図６Ａ～６Ｄを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、製造方法の一例が概説される。図６Ａに示されるように、コア基板１０が用意され、コア基板１０の一面１０ａ側に絶縁層２１が積層され、その絶縁層２１上に導体層３１が形成される。同様に、コア基板１０の他面１０ｂ側に、絶縁層２２が積層され、その絶縁層２２上に導体層３２が形成される。そしてコア基板１０の両面において、各絶縁層の積層と導体層の形成とが繰り返され、コア基板１０の一面１０ａ側及び他面１０ｂ側に、最表層の絶縁層２３及び最表層の絶縁層２が形成される。

コア基板１０の用意では、例えば、絶縁層２０を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって所定の導体パターンを含む導体層３１、３２を絶縁層２０の両面に形成すると共にスルーホール導体２０ｃを絶縁層２０内に形成することによってコア基板１０が用意される。絶縁層２１、２２、及び、絶縁層２１又は絶縁層２２上の導体層３１、３２は、例えば一般的なビルドアップ基板の製造方法によって、それぞれ形成される。例えば各絶縁層は、フィルム上のエポキシ樹脂を、コア基板１０又は先に形成されている各絶縁層及び各導体層上に熱圧着することによって形成される。また、各導体層は、例えば、めっきレジストの形成及びパターンめっきなどを含むセミアディティブ法やフルアディティブ法などの導体パターンの任意の形成方法を用いて形成される。セミアディティブ法などの導体パターンの形成方法を用いる各導体層の形成では、ビア導体２ｖが各絶縁層内に形成され得る。

図６Ａに示されるように、絶縁層２３上にさらに導体層３３が形成され、絶縁層２上にさらに導体層３が形成される。導体層３３は、部品実装パッド３３ａを含むようにセミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。同様に、導体層３はランド部３ａを含むように、任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。

次いで、図６Ｂに示されるように、ソルダーレジスト層４０が絶縁層２３及び導体層３３上に形成され、ソルダーレジスト層４１が絶縁層２及び導体層３上に形成される。ソルダーレジスト層４１、４０それぞれには、ランド部３ａ、部品実装パッド３３ａを露出する開口４ａ、４０ａが設けられる。ソルダーレジスト層４１、４０は、それぞれ、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを塗布したり噴霧したりフィルム状で積層したりすることによって形成される。そして、例えば露光及び現像、又はレーザー加工などによって、開口４ａ、４０ａが、それぞれ形成される。

次いで、図６Ｃに示されるように、ソルダーレジスト層４１の開口４ａ内に導体ポスト５ｐが形成されると同時に、導体パッド５ａがソルダーレジスト層４１の上面に形成される。導体ポスト５ｐ及び導体パッド５ａは、各絶縁層におけるビア導体２ｖの形成及びビア導体２ｖと一体的に形成される導体パターンの形成と同様に、例えばセミアディティブ法により形成され得る。第１導体層３が有するランド部３ａは導体ポスト５ｐを介して導体パッド５ａと接続される。なお、前述の図６Ｂに示される、開口４ａ、４０ａの形成後、部品実装パッド３３ａの露出面は、例えばＰＥＴフィルムなどを用いて適宜保護され得る。

次いで、図６Ｄに示されるように、ソルダーレジスト層４における外側のソルダーレジスト層４２が形成され、内部に導体パッド５ａの主面及び側面が露出する凹部ＲＣが形成される。ソルダーレジスト層４１上及び導体パッド５ａ上に感光性の樹脂が貼付又は塗布され、凹部ＲＣの形成位置に対応したパターンを有するマスクを使用した露光、及び現像により凹部ＲＣを有するソルダーレジスト層４の形成が完了する。

凹部ＲＣ内に露出する導体パッド５ａの表面上、及び開口４０ａ内に露出する部品実装パッド３３ａの表面上には、表面処理層６（図３参照）が形成され得る。表面処理層６は、導体パッド５ａの表面上及び部品実装パッド３３ａの表面上に、無電解めっき、電解めっきなどによって、ニッケル、パラジウム、金などの金属を析出させること、又はスプレーイングによって耐熱性の有機物を塗布することによって形成され得る。以上の工程を経ることによって配線基板１が完成する。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。実施形態の配線基板は所謂両面基板であってもよく、片面基板であってもよい。導体パッド５ａは表面処理層６を備えなくてもよい。第１面１１に形成されている部品実装パッド３３ａも、第２面１２側の導体パッド５ａと同様に、その側面がソルダーレジスト層４０から離間する構成を有してもよい。また、導体パッド５ａと導体ポスト５ｐを介して接続されているランド部３ａは導体パッド５ａと略同形でなくともよく、矩形以外の平面形状を有し得る。

１ 配線基板
１１ 第１面
１２ 第２面
２ 絶縁層（第１絶縁層）
２３ 絶縁層（第２絶縁層）
３ 導体層（第１導体層）
３１～３３ 導体層
３ａ ランド部
３３ａ 部品実装パッド
４、４０ ソルダーレジスト層
４ａ、４０ａ 開口
５ａ 導体パッド
５ｐ 導体ポスト
５ａｐ 周縁部
６ 表面処理層（金属皮膜）
ＲＣ 凹部
Ｓ１ 外部要素
Ｅ１ 電子部品

Claims (9)

1. 第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されている第１導体層と、前記第１絶縁層上及び前記第１導体層上に形成されている第２ソルダーレジスト層と、前記第２ソルダーレジスト層上に形成されている導体パッドと、を含み、部品が実装される部品実装面である第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する配線基板であって、
   前記導体パッドは、矩形の平面形状を有し、上面及び側面が前記第２ソルダーレジスト層から前記第２面に露出し、前記第２ソルダーレジスト層を貫通する導体ポストを介して前記第１導体層と接続されている。
2. 請求項１記載の配線基板であって、前記第２ソルダーレジスト層は前記導体パッドの厚さよりも大きい深さを有する凹部を有し、前記導体パッドは前記凹部内に形成されている。
3. 請求項１記載の配線基板であって、前記第２ソルダーレジスト層の弾性率が１０ＧＰａ未満である。
4. 請求項１記載の配線基板であって、前記導体ポストの中心軸と前記導体パッド中心軸とは略同じである。
5. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層は、前記導体パッドと略同形のランド部を有し、前記ランド部は前記導体ポストを介して前記導体パッドと接続されている。
6. 請求項５記載の配線基板であって、平面視における前記ランド部の周縁は、前記導体パッドの周縁の内側に位置している。
7. 請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドは表面処理層に覆われている。
8. 請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドは外部要素に接続される接続パッドである。
9. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１面は第１ソルダーレジスト層及び前記第１ソルダーレジスト層の開口から露出する部品実装パッドで構成されており、前記部品実装パッドの周縁部は前記第１ソルダーレジスト層に被覆されている。

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