JP2022105255A - シリカ熱反射板 - Google Patents
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Abstract
Description
図1及び図2を参照して、本実施形態に係るシリカ熱反射板について説明する。本実施形態に係るシリカ熱反射板100は、シリカ板1と、シリカ板1の内部に配置されてシリカ板1によって外周囲が完全に覆われてなり、かつ、シリカ板1の一方の表面に入射した赤外線を反射する反射体5と、を有する。図1においては、紙面に向かう方向が赤外線の入射方向である。図2においては、上から下に向かう方向が赤外線の入射方向である。反射体5は薄膜であり、反射体5の少なくとも反射面を含む表面層は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf又はMoからなるか、又は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及びMoから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなる。図2では、反射体5が積層膜である形態が示されており、下地膜3の上に反射面を含む表面層としての反射膜4が形成されている。
本実施形態に係るシリカ熱反射板では、キャビティを少なくとも第1シリカ板側に有し、第1シリカ板のキャビティ内の表面上に反射体として形成した薄膜を有し、薄膜は、Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であることが好ましい。Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であるときは、反射体として形成した薄膜が単層膜であってもよい。本実施形態に係るシリカ熱反射板は、図2、図5、図8又は図12において、積層膜である反射体5をMo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜に置換した構造を有する。また、 図3、図6、図10又は図13のシリカ板1のように、キャビティ12が、第1シリカ板1a側及び第2シリカ板1b側の両側にわたって設けられた形態であってもよい。この形態では、第1シリカ板1aの一方の表面に凹部が設けられており、第2シリカ板1bの一方の表面に凹部が設けられており、凹部同士が合わさるように、第1シリカ板1a及び第2シリカ板1bの合わせ板の構造とする。その結果、キャビティ12は、第1シリカ板1a及び第2シリカ板1bの対向し合う面の第1シリカ板1a側及び第2シリカ板1b側の両方に設けられる。なお、本実施形態に係るシリカ熱反射板の赤外線の入射方向は、上から下に向かう方向又は下から上に向かう方向のいずれでもよい。
本実施形態に係るシリカ熱反射板では、第1シリカ板が平板であり、キャビティを第2シリカ板側に有し、第1シリカ板の表面上に反射体として形成した薄膜を有し、薄膜は、Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であることが好ましい。Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であるときは、反射体として形成した薄膜が単層膜であってもよい。本実施形態に係るシリカ熱反射板は、図4、図7、図11又は図14において、積層膜である反射体5をMo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜に置換した構造を有する。なお、本実施形態に係るシリカ熱反射板の赤外線の入射方向は、上から下に向かう方向又は下から上に向かう方向のいずれでもよい。
本実施形態に係るシリカ熱反射板では、第1シリカ板及び第2シリカ板の対向し合う面は互いに平坦面であり、反射体は、第2シリカ板側の第1シリカ板の表面のうち周縁部同士の環状の接合部の内側の領域に形成された薄膜であり、薄膜は、Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であることが好ましい。Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であるときは、反射体として形成した薄膜が単層膜であってもよい。本実施形態に係るシリカ熱反射板は、図20において、反射体5をMo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜に置換した構造を有する。なお、本実施形態に係るシリカ熱反射板の赤外線の入射方向は、上から下に向かう方向又は下から上に向かう方向のいずれでもよい。
本実施形態に係るシリカ熱反射板では、キャビティを第1シリカ板側及び第2シリカ板側に有し、第1シリカ板のキャビティ内の表面上に反射体として形成した薄膜を有し、薄膜は、Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であることが好ましい。Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であるときは、反射体として形成した薄膜が単層膜であってもよい。本実施形態に係るシリカ熱反射板は、図3、図6、図10又は図13において、積層膜である反射体5をMo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜に置換した構造を有する。なお、本実施形態に係るシリカ熱反射板の赤外線の入射方向は、上から下に向かう方向又は下から上に向かう方向のいずれでもよい。
本実施形態に係るシリカ熱反射板112では、図15に示すように、反射体8が板であり、かつ、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf又はMoからなるか、又は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及びMoから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなることが好ましい。Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及びMoから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金としては、これらの元素のいずれか一種を最多質量にて含む合金であることが好ましく、より好ましくはIr、Pt、Rh、Ru、Re、Hf又はMoを50質量%以上含有する合金、さらに好ましくは60質量%以上含有する合金、最も好ましくは70質量%以上含有する合金であり、例えば、Ir‐Pt系合金、Ir‐Rh系合金又はPt‐Ru系合金である。キャビティ12内に反射体としての板が収容された状態となっており、板の腐食が生じにくい。さらに、周縁部同士の接合部に、板に起因する剥がす方向の応力がかかりにくい。板である反射体8は、凹部の底面の全面積に対して50~100%の面積で形成されていることが好ましく、80~100%の面積で形成されていることがより好ましい。
本実施形態に係るシリカ熱反射板では、反射体が箔であり、かつ、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf又はMoからなるか、又は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及びMoから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなることが好ましい(不図示)。Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及びMoから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金としては、これらの元素のいずれか一種を最多質量にて含む合金であることが好ましく、より好ましくはIr、Pt、Rh、Ru、Re、Hf又はMoを50質量%以上含有する合金、より好ましくは60質量%以上含有する合金、最も好ましくは70質量%以上含有する合金であり、例えば、Ir‐Pt系合金、Ir‐Rh系合金又はPt‐Ru系合金である。図15において、反射体8が板である代わりに箔がキャビティ12内に収容された状態となっており、箔の腐食が生じにくい。さらに、周縁部同士の接合部に、箔に起因する剥がす方向の応力がかかりにくい。箔である反射体は、凹部の底面の全面積に対して50~100%の面積で形成されていることが好ましく、80~100%の面積で形成されていることがより好ましい。
(反射体が積層膜である形態)
図2に示したシリカ熱反射板を作製する。まず、外周300mm、厚み1.2mmのシリカ板2枚を準備し、それぞれ第1シリカ板、第2シリカ板とした。次に、第1シリカ板の外周から幅10mmを第2シリカ板との接合部として残し、それ以外の箇所についてはエッチングを行い、深さ1μmのキャビティのための凹部を設けた。次に、第1シリカ板の凹部の底面に下地膜としてTaをスパッタリング法によって50nm成膜し、下地膜の上に反射膜としてIrをスパッタリング法によって150nm成膜し、反射体を形成した。次に、紫外可視分光光度計((株)島津製作所製 型式:UV-3100PC)を用いて反射体の反射率を測定した。測定した反射率の結果を図16に示す。測定は、反射体の表面に測定のための光を直接当てて行った。また、(数1)を用いて1000℃における物質が放射する黒体放射の波長と放射量の関係を算出した。算出結果を図17に示す。
(反射体が積層膜である形態)
まず、外周300mm、厚み1.2mmのシリカ板2枚を準備し、それぞれ第1シリカ板、第2シリカ板とした。次に、第1シリカ板の外周から幅5mm分を第2シリカ板との接合部としてマスキングした。次に、マスキングした第1シリカ板の面に下地膜としてTaをスパッタリング法によって50nm成膜し、下地膜の上に反射膜としてIrをスパッタリング法によって150nm成膜し、反射体を形成した。次に、マスキングを除去した。反射体は実施例1の反射体と同じであり、図16に示した反射特性と同じ特性を有していた。次に、反射体を形成した平板状の第1シリカ板と平板状の第2シリカ板を接合するために、真空度10-2Pa以下の真空中で、高速原子ビームを第1シリカ板の接合部に照射して表面活性化し、第1シリカ板に第2シリカ板を押し付けることでシリカ熱反射板を作製した。
(反射体が積層膜である形態)
まず、外周300mm、厚み1.2mmのシリカ板2枚を準備し、それぞれ第1シリカ板、第2シリカ板とした。次に、第1シリカ板の外周から幅5mm分を第2シリカ板との接合部としてマスキングした。次に、マスキングした第1シリカ板の面に下地膜としてTaをスパッタリング法によって50nm成膜し、前記下地膜の上に反射膜としてIrをスパッタリング法によって150nm成膜し、反射体を形成した。次に、マスキングを除去した。反射体は実施例1の反射体と同じであり、図16に示した反射特性と同じ特性を有していた。次に、反射体を形成した平板状の第1シリカ板と平板状の第2シリカ板を接合するために、酸素プラズマを第1シリカ板の接合部に接触させて表面活性化し、第1シリカ板に第2シリカ板を押し付けることでシリカ熱反射板を作製した。
(反射体が積層膜であり、ハニカム形状の支柱部がある形態)
図12に示したシリカ熱反射板を作製する。まず、外周300mm、厚み1.2mmのシリカ板2枚を準備し、それぞれ第1シリカ板、第2シリカ板とした。次に、第1シリカ板の外周から幅10mm分をマスキングし、その後、それ以外の箇所で、正六角形の幅10mm(1辺の長さは5.77mm)、壁柱厚み0.3mmのハニカム形状の支柱部に相当する箇所にマスキングをした後、エッチングを行い、深さ1μmのキャビティのための凹部を設けた。次に、マスキングした第1シリカ板の凹部の底面に下地膜としてTaをスパッタリング法によって50nm成膜し、下地膜の上に反射膜としてIrをスパッタリング法によって150nm成膜し、反射体を形成した。次に、マスキングを除去した。本実施例の反射体は実施例1の反射体に対してハニカム構造を持たせたものである。図16に示した反射率は、全面が反射膜である形態の値を示しているところ、本実施例のハニカム構造を有する反射膜は、全面に対して反射膜部分の面積比率が94.34%であるため、本実施例の反射特性は図16に示す反射率に対して、0.9434を乗じた反射率を有するものと考えられる。次に、反射体を形成した第1シリカ板と平板状の第2シリカ板を接合するために、真空度10-2Pa以下の真空中で、高速原子ビームを第1シリカ板の接合部2及び支柱部に照射して表面活性化し、第1シリカ板に第2シリカ板を押し付けることで接合し、シリカ熱反射板を作製した。
(反射体がPt箔である形態)
図15に示したシリカ熱反射板を作製する。まず、外周300mm、厚み1.2mmのシリカ板2枚を準備し、それぞれ第1シリカ板、第2シリカ板とした。次に、第1シリカ板の外周から幅7mmを第2シリカ板との接合部として残し、それ以外の箇所については切削加工を行い、深さ0.2mmのキャビティのための凹部を設けた。次に、第1シリカ板の凹部の底面に、外周284mm、厚み100μmのPt箔を配置し、反射体を形成した。次に、紫外可視分光光度計((株)島津製作所製 型式:UV-3100PC)を用いて前記反射体の反射率を測定した。測定した反射率を図18に示す。測定は、反射体の表面に測定のための光を直接当てて行った。図18の結果、1000℃のときに本実施例における反射体では2000nm以上の波長において80%以上の反射率を有することが確認できた。次に、反射体を配置した第1シリカ板と平板状の第2シリカ板を接合するために、真空度10-2Pa以下の真空中で、高速原子ビームを第1シリカ板の接合部に照射して表面活性化し、第1シリカ板に第2シリカ板を押し付けることで接合し、シリカ熱反射板を作製した。
(反射体がMo膜である形態)
まず、外周300mm、厚み1.2mmのシリカ板2枚を準備し、それぞれ第1シリカ板、第2シリカ板とした。次に、第1シリカ板の外周から幅5mm分を第2シリカ板との接合部としてマスキングした。次に、マスキングした第1シリカ板の面に反射体としてMoをスパッタリング法によって200nm成膜した。次に、マスキングを除去した。次に、紫外可視分光光度計((株))島津製作所製 型式:UV-3100PC)を用いて反射体の反射率を測定した。測定した反射率の結果を図19に示す。測定は、反射体の表面に測定のための光を直接当てて行った。また、図19の結果、1000℃のときに本実施例における反射体では2000nm以上の波長において80%以上の反射率を有することが確認できた。次に、反射体を形成した第1シリカ板と平板状の第2シリカ板を接合するために、真空度10‐2Pa以下の真空中で、高速原子ビームを第1シリカ板の接合部に照射して表面活性化し、第1シリカ板に第2シリカ板を押し付けることでシリカ熱反射板を作製した。
1 シリカ板
1a 第1シリカ板
1b 第2シリカ板
2 周縁部同士の接合部
3 下地膜
4 反射膜
5 反射体
6 支柱部
7 支柱部を含む接合部
8 反射体
11 土手部
12 キャビティ
Claims (19)
- シリカ板と、
該シリカ板の内部に配置されて該シリカ板によって外周囲が完全に覆われてなり、かつ、該シリカ板の一方の表面に入射した赤外線を反射する反射体と、を有するシリカ熱反射板であって、
前記反射体は、薄膜、板又は箔であり、
前記反射体の少なくとも反射面を含む表面層は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf又はMoからなるか、又は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及びMoから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなることを特徴とするシリカ熱反射板。 - 前記シリカ板は、第1シリカ板と第2シリカ板とが対向して配置されて周縁部同士が周縁に沿って環状に連続して接合された合わせ板の構造を有することを特徴とする請求項1に記載のシリカ熱反射板。
- 前記合わせ板の構造は、前記第1シリカ板及び前記第2シリカ板の対向し合う面の間に設けられ、かつ、前記第1シリカ板側及び前記第2シリカ板側の少なくとも一方に前記周縁部同士の接合部によって密閉されているキャビティを有し、
該キャビティ内に前記反射体が配置されていることを特徴とする請求項2に記載のシリカ熱反射板。 - 前記キャビティを少なくとも前記第1シリカ板側に有し、
前記第1シリカ板の前記キャビティ内の表面上に前記反射体として形成した薄膜を有し、
該薄膜は、前記第1シリカ板の前記キャビティ内の表面側から順に、下地膜と、前記反射面を含む表面層としての反射膜と、を有する積層膜であり、
前記下地膜は、Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co又はNiからなるか、又は、Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及びNiから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなり、
前記反射膜は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf又はMoからなるか、又は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及びMoから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなり、
前記下地膜と前記反射膜とが異なる組成を有していることを特徴とする請求項3に記載のシリカ熱反射板。 - 前記第1シリカ板が平板であり、
前記キャビティを前記第2シリカ板側に有し、
前記第1シリカ板の表面上に前記反射体として形成した薄膜を有し、
該薄膜は、前記第1シリカ板の表面側から順に、下地膜と、前記反射面を含む表面層としての反射膜と、を有する積層膜であり、
前記下地膜は、Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co又はNiからなるか、又は、Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及びNiから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなり、
前記反射膜は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf又はMoからなるか、又は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及びMoから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなり、
前記下地膜と前記反射膜とが異なる組成を有していることを特徴とする請求項3に記載のシリカ熱反射板。 - 前記反射体が、板又は箔であり、かつ、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf又はMoからなるか、又は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及びMoから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなることを特徴とする請求項3に記載のシリカ熱反射板。
- 前記キャビティ内の圧力は、大気圧未満の減圧となっていることを特徴とする請求項3~6のいずれか一つに記載のシリカ熱反射板。
- (1)前記第1シリカ板は、前記周縁部に設けられた土手部と該土手部で取り囲まれて前記キャビティを構成する凹部とを有し、前記第2シリカ板は、平板状であるか、又は、
(2)前記第1シリカ板は、平板状であり、前記第2シリカ板は、前記周縁部に設けられた土手部と該土手部で取り囲まれて前記キャビティを構成する凹部とを有することを特徴とする請求項3~7のいずれか一つに記載のシリカ熱反射板。 - 前記シリカ熱反射板は、前記キャビティ内で前記合わせ板の構造の対向する面同士の間を立設する少なくとも1本の支柱部を有することを特徴とする請求項3~8の少なくとも1つに記載のシリカ熱反射板。
- 前記支柱部が、柱状又は筒状であることを特徴とする請求項9に記載のシリカ熱反射板。
- 前記シリカ熱反射板は、前記支柱部を複数有し、
該支柱部は筒状であり、かつ、各支柱部は互いに筒壁の一部を共有した3次元空間充填構造を有することを特徴とする請求項10に記載のシリカ熱反射板。 - 前記3次元空間充填構造は、ハニカム構造、矩形格子構造、方形格子構造又はひし形格子構造であることを特徴とする請求項11に記載のシリカ熱反射板。
- 前記第1シリカ板及び前記第2シリカ板の対向し合う面は互いに平坦面であり、
前記反射体は、前記第2シリカ板側の前記第1シリカ板の表面のうち前記周縁部同士の環状の接合部の内側の領域に形成された薄膜であり、
該薄膜は、前記第1シリカ板の表面側から順に、下地膜と、前記反射面を含む表面層としての反射膜と、を有する積層膜であり、
前記下地膜は、Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co又はNiからなるか、又は、Ta、Mo、Ti、Zr、Nb、Cr、W、Co及びNiから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなり、
前記反射膜は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf又はMoからなるか、又は、Ir、Pt、Rh、Ru、Re、Hf及びMoから選ばれる少なくともいずれか1種を含む合金からなり、
前記下地膜と前記反射膜とが異なる組成を有していることを特徴とする請求項2に記載のシリカ熱反射板。 - 前記キャビティを少なくとも前記第1シリカ板側に有し、
前記第1シリカ板の前記キャビティ内の表面上に前記反射体として形成した薄膜を有し、
該薄膜は、Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であることを特徴とする請求項3に記載のシリカ熱反射板。 - 前記第1シリカ板が平板であり、
前記キャビティを前記第2シリカ板側に有し、
前記第1シリカ板の表面上に前記反射体として形成した薄膜を有し、
該薄膜は、Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であることを特徴とする請求項3に記載のシリカ熱反射板。 - 前記第1シリカ板及び前記第2シリカ板の対向し合う面は互いに平坦面であり、
前記反射体は、前記第2シリカ板側の前記第1シリカ板の表面のうち前記周縁部同士の環状の接合部の内側の領域に形成された薄膜であり、
該薄膜は、Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であることを特徴とする請求項2に記載のシリカ熱反射板。 - 前記キャビティを前記第1シリカ板側及び前記第2シリカ板側に有し、
前記第1シリカ板の前記キャビティ内の表面上に前記反射体として形成した薄膜を有し、
該薄膜は、Mo膜又はMoを50質量%以上含む合金膜であることを特徴とする請求項3に記載のシリカ熱反射板。 - 前記反射体の厚さは、0.01μm以上5mm以下であることを特徴とする請求項1~17のいずれか一つに記載のシリカ熱反射板。
- 前記周縁部同士の接合部は、表面活性化接合部であることを特徴とする請求項3~18のいずれか一つに記載のシリカ熱反射板。
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---|---|---|---|---|
JPH0778779A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Fuji Electric Co Ltd | 輻射熱防止板およびその使用方法 |
JPH09148315A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び処理装置 |
JPH11340157A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-10 | Sony Corp | 光照射熱処理装置および光照射熱処理方法 |
JP2000150396A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Sakaguchi Dennetsu Kk | 熱放射リフレクター |
JP2001102319A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2004031846A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 縦型熱処理装置 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0778779A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Fuji Electric Co Ltd | 輻射熱防止板およびその使用方法 |
JPH09148315A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び処理装置 |
JPH11340157A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-10 | Sony Corp | 光照射熱処理装置および光照射熱処理方法 |
JP2000150396A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Sakaguchi Dennetsu Kk | 熱放射リフレクター |
JP2001102319A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2004031846A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 縦型熱処理装置 |
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