JP2022104485A - 白色発光装置及びled照明装置 - Google Patents
白色発光装置及びled照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022104485A JP2022104485A JP2021028482A JP2021028482A JP2022104485A JP 2022104485 A JP2022104485 A JP 2022104485A JP 2021028482 A JP2021028482 A JP 2021028482A JP 2021028482 A JP2021028482 A JP 2021028482A JP 2022104485 A JP2022104485 A JP 2022104485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- white light
- light
- emitting device
- range
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 claims description 4
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 11
- YJPIGAIKUZMOQA-UHFFFAOYSA-N Melatonin Natural products COC1=CC=C2N(C(C)=O)C=C(CCN)C2=C1 YJPIGAIKUZMOQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 229960003987 melatonin Drugs 0.000 description 9
- DRLFMBDRBRZALE-UHFFFAOYSA-N melatonin Chemical compound COC1=CC=C2NC=C(CCNC(C)=O)C2=C1 DRLFMBDRBRZALE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229940088597 hormone Drugs 0.000 description 5
- 239000005556 hormone Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000028327 secretion Effects 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000027288 circadian rhythm Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005887 NiSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- -1 or the like Substances 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033764 rhythmic process Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
Abstract
Description
21 駆動信号制御部
25 光源駆動部
25A、25B 第1、第2駆動部
30 光源ユニット
30A、100’ 第1LED光源(LEDチップ)
30B、200’ 第2LED光源(LEDチップ)
31 基板
32 バッファー層
34、36 第1、第2導電型半導体層
35 活性層
39a、42、150a 第1電極
39b、44、150b 第2電極
40 電源供給部
41 絶縁部
42a 連結電極部
42b、44b 第1、第2電極パッド
44a オーミックコンタクト層
100、100A (第1)白色発光装置
101、210 パッケージ基板
110 (青色)LEDチップ
111、112 リードフレーム
120 側壁反射部
130 青色LED
150、150A、170、250 波長変換部
152 透明樹脂
154、154b’、254 第1波長変換物質
156、256 第2波長変換物質
154’ 波長変換フィルム
154a’ 透明樹脂
160 反射層
200 (第2)白色発光装置
211、212 第1、第2リードフレーム
220 側壁反射部
230、240 第1、第2発光ダイオード(LED)
252 透光性樹脂
1000 LEDモジュール
1100 回路基板
1120a、1120b 第1、第2電極パターン
1150 端子部
1155 金属パターン
1200 ダム
1300 封止部
1400 駆動制御チップ
4100 平板照明装置
4110 光源モジュール
4120 電源供給装置
4130 ハウジング
4200 照明装置
4210 ソケット
4220 電源部
4221、4222 第1、第2電源部
4230 放熱部
4231、4232 内部、外部放熱部4232
4240 光源モジュール
4241 光源
4242 回路基板
4243 コントローラ
4300 電球型照明装置
4310 反射板
4320 通信モジュール
4330 レンズ型光学部
Claims (20)
- 440nm~455nmの範囲のピーク波長を有する青色光を放出する青色発光ダイオードと、
前記青色光により励起されて535nm~550nmの範囲のピーク波長及び60nm以下の半値幅を有する第1光を放出する第1波長変換物質と、
前記青色光により励起されて620nm~660nmの範囲のピーク波長を有する第2光を放出する第2波長変換物質と、を有する白色発光装置であって、
前記白色発光装置から放出される白色光のメラノピック・フォトピック比(melanopic photopic ratio)は0.65以下であり、前記白色光の演色指数(CRI)は80以上であることを特徴とする白色発光装置。 - 前記第1光のスペクトルにおいて、480nmでの強度は、前記第1光のピーク波長の強度の2%以下であることを特徴とする請求項1に記載の白色発光装置。
- 前記第1波長変換物質は、β-SiAlON蛍光体を含むことを特徴とする請求項1に記載の白色発光装置。
- 前記第2波長変換物質は、(Sr、Ca)AlSiN3:Eu2+、CaAlSiN3:Eu2+、及びKxSiFy:Mn4+(2≦x≦3、4≦y≦7)で構成されるグループから選択される少なくとも一つの赤色蛍光体を含むことを特徴とする請求項1に記載の白色発光装置。
- 前記第2波長変換物質から放出される前記第2光は、70nm以上の半値幅を有することを特徴とする請求項1に記載の白色発光装置。
- 前記白色光の色温度(Correlated Color Temperature、CCT)は、1800K~4200Kの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の白色発光装置。
- 前記白色光のメラノピック・フォトピック比は、0.1~0.65の範囲であることを特徴とする請求項6に記載の白色発光装置。
- 前記白色光のスペクトルにおいて、440nm~460nm帯域の積分光量は、380nm~500nm帯域の積分光量の50%~65%範囲であることを特徴とする請求項6に記載の白色発光装置。
- 前記白色光のスペクトルにおいて、480nm~500nm帯域の積分光量は、540nm~560nm帯域の積分光量の26%以下の範囲であることを特徴とする請求項6に記載の白色発光装置。
- 前記白色光の演色指数(CRI)は、85以上であることを特徴とする請求項1に記載の白色発光装置。
- 440nm~455nmの範囲のピーク波長を有する青色光を放出する青色発光ダイオードと、
前記青色光の一部を変換し、その変換された光と変換されていない他の一部とを結合して白色光を提供する波長変換部と、を備え、
前記波長変換部は、
前記青色光により励起されて535nm~550nmの範囲のピーク波長を有する第1光を放出する第1波長変換物質と、
前記青色光により励起されて620nm~660nmの範囲のピーク波長を有する第2光を放出する第2波長変換物質と、を含み、
前記第1光のスペクトルにおいて、480nmでの強度は、前記第1光のピーク波長の強度の2%以下であり、
前記白色光のメラノピック・フォトピック比は0.65以下であり、前記白色光の演色指数(CRI)は80以上であることを特徴とする白色発光装置。 - 前記第1波長変換物質は、β-SiAlON蛍光体及び量子ドットのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項11に記載の白色発光装置。
- 前記白色光の色温度は、1800K~4200Kの範囲であることを特徴とする請求項11に記載の白色発光装置。
- 440nm~455nmの範囲のピーク波長を有する青色光を放出する青色発光ダイオードと、
前記青色光により励起されて535nm~550nmの範囲のピーク波長及び60nm以下の半値幅を有する第1光を放出する第1波長変換物質と、
前記青色光により励起されて620nm~660nmの範囲のピーク波長を有する第2光を放出する第2波長変換物質と、を有する白色発光装置であって、
前記白色発光装置から放出される白色光のメラノピック・フォトピック比は、0.65以下であり、
前記白色光のスペクトルにおいて、440nm~460nm帯域の積分光量は380nm~500nm帯域の積分光量の50%~65%の範囲であり、480nm~500nm帯域の積分光量は540nm~560nm帯域の積分光量の26%以下の範囲であることを特徴とする白色発光装置。 - 前記白色光の色温度は、1800K~4200Kの範囲であることを特徴とする請求項14に記載の白色発光装置。
- 前記白色光の色温度は、1800K~2800Kの範囲であり、
前記白色光のスペクトルにおいて、480nm~500nm帯域の積分光量は、540nm~560nm帯域の積分光量の10%以下の範囲であることを特徴とする請求項14に記載の白色発光装置。 - 前記白色光の色温度は、2800K~4200Kの範囲であり、
前記白色光のスペクトルにおいて、480nm~500nm帯域の積分光量は、540nm~560nm帯域の積分光量の10%~26%の範囲であることを特徴とする請求項14に記載の白色発光装置。 - 第1メラノピック・フォトピック比を有する第1白色光を放出するように構成された第1LED光源と、
前記第1メラノピック・フォトピック比よりも高い第2メラノピック・フォトピック比を有する第2白色光を放出するように構成された第2LED光源と、
前記第1LED光源及び第2LED光源にそれぞれ印加される電流を制御する駆動制御部と、を備え、
前記第1LED光源は、
440nm~455nmの範囲のピーク波長を有する青色光を放出する青色発光ダイオードと、
前記青色光により励起されて535nm~550nmの範囲のピーク波長及び60nm以下の半値幅を有する第1光を放出する第1波長変換物質と、
前記青色光により励起されて620nm~660nmの範囲のピーク波長を有する第2光を放出する第2波長変換物質と、を含むことを特徴とするLED照明装置。 - 前記第1及び第2白色光の演色指数は、それぞれ80以上であることを特徴とする請求項18に記載のLED照明装置。
- 前記第1メラノピック・フォトピック比は0.65以下であり、前記第2メラノピック・フォトピック比は0.5以上であることを特徴とする請求項18に記載のLED照明装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200185082A KR20220094290A (ko) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 백색 발광장치 및 조명 장치 |
KR10-2020-0185082 | 2020-12-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022104485A true JP2022104485A (ja) | 2022-07-08 |
Family
ID=82119656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021028482A Pending JP2022104485A (ja) | 2020-12-28 | 2021-02-25 | 白色発光装置及びled照明装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11990570B2 (ja) |
JP (1) | JP2022104485A (ja) |
KR (1) | KR20220094290A (ja) |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1758169A3 (en) | 1996-08-27 | 2007-05-23 | Seiko Epson Corporation | Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same |
USRE38466E1 (en) | 1996-11-12 | 2004-03-16 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
US7208725B2 (en) | 1998-11-25 | 2007-04-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Optoelectronic component with encapsulant |
JP3906654B2 (ja) | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
US6818465B2 (en) | 2001-08-22 | 2004-11-16 | Sony Corporation | Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element |
JP2003218034A (ja) | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Sony Corp | 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3815335B2 (ja) | 2002-01-18 | 2006-08-30 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
KR100499129B1 (ko) | 2002-09-02 | 2005-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
US7002182B2 (en) | 2002-09-06 | 2006-02-21 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit |
KR100714639B1 (ko) | 2003-10-21 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 |
KR100506740B1 (ko) | 2003-12-23 | 2005-08-08 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100664985B1 (ko) | 2004-10-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 소자 |
KR100665222B1 (ko) | 2005-07-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
KR100661614B1 (ko) | 2005-10-07 | 2006-12-26 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100723247B1 (ko) | 2006-01-10 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 칩코팅형 led 패키지 및 그 제조방법 |
KR100735325B1 (ko) | 2006-04-17 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
KR100930171B1 (ko) | 2006-12-05 | 2009-12-07 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈 |
KR100855065B1 (ko) | 2007-04-24 | 2008-08-29 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
KR100982980B1 (ko) | 2007-05-15 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 면 광원 장치 및 이를 구비하는 lcd 백라이트 유닛 |
KR101164026B1 (ko) | 2007-07-12 | 2012-07-18 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100891761B1 (ko) | 2007-10-19 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지 |
KR101332794B1 (ko) | 2008-08-05 | 2013-11-25 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법 |
KR20100030470A (ko) | 2008-09-10 | 2010-03-18 | 삼성전자주식회사 | 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템 |
KR101530876B1 (ko) | 2008-09-16 | 2015-06-23 | 삼성전자 주식회사 | 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법 |
US8008683B2 (en) | 2008-10-22 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US10838253B2 (en) | 2012-12-28 | 2020-11-17 | Industrial Technology Research Institute | Light source apparatus and display apparatus |
US9915775B2 (en) | 2013-08-29 | 2018-03-13 | Soraa, Inc. | Circadian-friendly LED light sources |
US9410664B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-08-09 | Soraa, Inc. | Circadian friendly LED light source |
US10632214B2 (en) | 2016-06-24 | 2020-04-28 | Soraa, Inc. | Bactericidal light source with high quality of light |
US10584280B2 (en) * | 2016-10-31 | 2020-03-10 | Intematix Corporation | Coated narrow band green phosphor |
US20180338359A1 (en) | 2017-01-26 | 2018-11-22 | Biological Innovation & Optimization Systems, LLC | Systems and methods of dynamic illumination and temporally coordinated spectral control and biological dimming |
JP6940764B2 (ja) | 2017-09-28 | 2021-09-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10529900B2 (en) * | 2018-05-05 | 2020-01-07 | Ideal Industries Lighting Llc | Solid state lighting device providing spectral power distribution with enhanced perceived brightness |
US10685941B1 (en) | 2019-07-09 | 2020-06-16 | Intematix Corporation | Full spectrum white light emitting devices |
JP7170525B2 (ja) | 2018-12-18 | 2022-11-14 | シチズン時計株式会社 | Led発光装置 |
WO2020210740A1 (en) * | 2019-04-11 | 2020-10-15 | PixelDisplay Inc. | Method and apparatus of a multi-modal illumination and display for improved color rendering, power efficiency, health and eye-safety |
-
2020
- 2020-12-28 KR KR1020200185082A patent/KR20220094290A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-02-25 JP JP2021028482A patent/JP2022104485A/ja active Pending
- 2021-02-25 US US17/185,431 patent/US11990570B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11990570B2 (en) | 2024-05-21 |
KR20220094290A (ko) | 2022-07-06 |
US20220209075A1 (en) | 2022-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100818162B1 (ko) | 색온도 조절이 가능한 백색 led 장치 | |
US9006986B2 (en) | Semiconductor light emitting devices having selectable and/or adjustable color points and related methods | |
US8820950B2 (en) | Light emitting device and illumination apparatus | |
TWI463636B (zh) | 具有增長波長的藍色色調的高現色性指數照明裝置 | |
US8796952B2 (en) | Semiconductor light emitting devices having selectable and/or adjustable color points and related methods | |
US11560986B2 (en) | LED module and lighting apparatus | |
KR102613239B1 (ko) | 백색 led 모듈 및 조명 장치 | |
KR20190038394A (ko) | 백색 발광장치 | |
JP5443959B2 (ja) | 照明装置 | |
US20100134043A1 (en) | Lighting device | |
KR20150094402A (ko) | 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치 | |
JP2008218485A (ja) | 発光装置 | |
JP2009065137A (ja) | 発光装置 | |
JP2011523210A (ja) | ソリッドステート発光部品 | |
US9935086B2 (en) | Package substrate and light emitting device package | |
JP6759556B2 (ja) | 照明装置 | |
KR101093952B1 (ko) | 색온도 조절이 가능한 엘이디 패키지 | |
EP2672513B1 (en) | Multichip package structure for generating a symmetrical and uniform light-blending source | |
KR102244220B1 (ko) | 반도체 발광 소자 | |
KR20160101226A (ko) | 반도체 발광 소자 | |
US11497094B2 (en) | LED lighting apparatus | |
US20200053852A1 (en) | Light emitting device | |
JP2022104485A (ja) | 白色発光装置及びled照明装置 | |
JP7274013B2 (ja) | 照明装置および照明モジュール | |
CN118448405A (zh) | 全光谱白光发光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A80 Effective date: 20210226 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240709 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20241009 |