JP2022096107A - Liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents

Liquid crystal device and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2022096107A
JP2022096107A JP2020209030A JP2020209030A JP2022096107A JP 2022096107 A JP2022096107 A JP 2022096107A JP 2020209030 A JP2020209030 A JP 2020209030A JP 2020209030 A JP2020209030 A JP 2020209030A JP 2022096107 A JP2022096107 A JP 2022096107A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
insulating layer
recess
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020209030A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
翔太 飯塚
Shota Iizuka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2020209030A priority Critical patent/JP2022096107A/en
Publication of JP2022096107A publication Critical patent/JP2022096107A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

To provide a liquid crystal device that prevents the occurrence of corner stains and has high display characteristics.SOLUTION: A liquid crystal device 100 comprises a liquid crystal layer 15 between an element substrate 10 and a counter substrate 20. The counter substrate 20 includes: a substrate 20a as a first substrate; an insulating layer 33 arranged between the first substrate 20a and the liquid crystal layer 15; and a counter electrode 31 arranged between the insulating layer 33 and the liquid crystal layer 15. The element substrate 10 includes: a substrate 10a as a second substrate; a plurality of pixel electrodes 27 arranged between the second substrate 10a and the liquid crystal layer 15; and wiring layers 41 arranged at positions overlapping between the pixel electrode 27 and the pixel electrode 27 adjacent to each other in plan view among the plurality of pixel electrodes 27. The counter electrode 31 of the counter substrate 20 has concave parts 60 as first concave parts recessed toward the first substrate 20a at positions overlapping the wiring layers 41 in plan view, and the depth of the concave parts 60 is 100 Å or more and less than 1,500 Å.SELECTED DRAWING: Figure 12

Description

本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display and an electronic device.

液晶装置として、画素にスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。このような液晶装置は、例えば、電子機器としてのプロジェクターのライトバルブとして用いられる。 As a liquid crystal device, an active drive type liquid crystal device having a switching element in a pixel is known. Such a liquid crystal device is used, for example, as a light bulb of a projector as an electronic device.

液晶装置は、例えば、プロジェクターのレーザー光源などから強い光が照射されると、液晶層に含まれる液晶分子が分解され、液晶層の中にイオン性不純物が生成されることがある。このイオン性不純物は、画像表示領域の角に凝集して焼き付き、シミとして視認される、いわゆる角シミを発生させ、液晶装置の表示特性を劣化させる要因となっている。 When a liquid crystal device is irradiated with strong light from, for example, a laser light source of a projector, liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer may be decomposed and ionic impurities may be generated in the liquid crystal layer. This ionic impurity aggregates at the corners of the image display area and burns, causing so-called corner spots that are visually recognized as spots, which is a factor that deteriorates the display characteristics of the liquid crystal display.

このようなイオン性不純物に起因する表示特性の劣化を抑制することを目的として、特許文献1では、液晶装置の画素電極ないし対向電極に、深さが150nm以上の凹部を形成している。凹部の形成により、液晶分子の流動が阻害され、イオン性不純物が拡散されることで、表示に影響を及ぼさないようにする技術が開示されている。 For the purpose of suppressing deterioration of display characteristics due to such ionic impurities, in Patent Document 1, a recess having a depth of 150 nm or more is formed in a pixel electrode or a counter electrode of a liquid crystal device. A technique is disclosed in which the formation of recesses inhibits the flow of liquid crystal molecules and diffuses ionic impurities so as not to affect the display.

また、特許文献2では、液晶装置の対向基板に、深さが数100μm程度の凹部からなる液晶貯留部が設けられている。この液晶貯留部が設けられることで、光変調領域に加えて液晶の封入量を増加させ、液晶全体が劣化するまでの時間を延長させる技術が開示されている。 Further, in Patent Document 2, a liquid crystal storage portion having a recess having a depth of about several 100 μm is provided on the facing substrate of the liquid crystal device. A technique is disclosed in which the liquid crystal display storage portion is provided to increase the encapsulation amount of the liquid crystal in addition to the optical modulation region and prolong the time until the entire liquid crystal is deteriorated.

特開2013-3286号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-3286 特開2007-139926号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-139926

しかしながら、特許文献1、及び特許文献2の液晶装置では、形成された凹部の深さが150nm以上、または数100μm程度と深くなっているため、この段差により凹部の内面の側面、および底部に配向膜が成膜できにくい。このため、凹部の形成によって液晶の配向不良が発生し、液晶装置の表示特性を劣化させてしまうという課題があった。 However, in the liquid crystal displays of Patent Document 1 and Patent Document 2, since the depth of the formed recess is as deep as 150 nm or more or several hundred μm, this step is oriented toward the side surface and the bottom of the inner surface of the recess. It is difficult to form a film. For this reason, there is a problem that the formation of the concave portion causes the liquid crystal to be misaligned and deteriorates the display characteristics of the liquid crystal device.

液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶層を備える液晶装置であって、前記対向基板は、第一基板と、前記第一基板と前記液晶層との間に配置された絶縁層と、前記絶縁層と前記液晶層との間に配置された対向電極と、を備え、前記素子基板は、第二基板と、前記第二基板と前記液晶層との間に配置された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のうち、平面視で隣り合う画素電極と画素電極との間に重なる位置に配置された配線層と、を備え、前記対向基板の前記対向電極は、平面視で前記配線層と重なる位置に前記第一基板側に向けて凹んだ第一凹部を有し、前記第一凹部の深さは、100Å以上1500Å未満である。 The liquid crystal device is a liquid crystal device provided with a liquid crystal layer between the element substrate and the facing substrate, and the facing substrate is an insulating layer arranged between the first substrate and the first substrate and the liquid crystal layer. And a counter electrode arranged between the insulating layer and the liquid crystal layer, and the element substrate includes a second substrate and a plurality of electrodes arranged between the second substrate and the liquid crystal layer. A pixel electrode and a wiring layer arranged at a position overlapping between the pixel electrodes adjacent to each other in a plan view among the plurality of pixel electrodes are provided, and the counter electrode of the facing substrate is viewed in a plan view. The first recess is recessed toward the first substrate side at a position overlapping the wiring layer, and the depth of the first recess is 100 Å or more and less than 1500 Å.

電子機器は、上述の液晶装置を備える。 The electronic device includes the above-mentioned liquid crystal device.

第1実施形態の液晶装置の構成を示す平面図。The plan view which shows the structure of the liquid crystal apparatus of 1st Embodiment. 図1に示す液晶装置のH-H線断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line HH of the liquid crystal display shown in FIG. 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。An equivalent circuit diagram showing the electrical configuration of a liquid crystal display. 液晶装置の具体的な構造を示す断面図。The cross-sectional view which shows the concrete structure of the liquid crystal apparatus. 素子基板の表示領域Eの構成を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the structure of the display area E of an element substrate. 図5のA-A線断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 対向基板の表示領域Eの構成を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the structure of the display area E of the facing substrate. 図7のB-B線断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 図8のC部を示す部分断面図。FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing a portion C in FIG. 斜方蒸着膜の状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state of an orthorhombic vapor-deposited film. 液晶分子の配向状態と速度分布とを示す断面図。Sectional drawing which shows the orientation state and velocity distribution of a liquid crystal molecule. 対向する複数の凹部を示す部分断面図。A partial cross-sectional view showing a plurality of facing recesses. 第2実施形態の電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図。The schematic diagram which shows the structure of the projector as the electronic device of 2nd Embodiment.

1.第1実施形態
1-1.液晶装置100の概略構造
本実施形態にかかる液晶装置100について、図1及び図2を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置100は、素子基板10と、素子基板10に対向配置された対向基板20と、一対の素子基板10と対向基板20との間に液晶層15を備える。素子基板10を構成する第二基板としての基板10aと、対向基板20を構成する第一基板としての基板20aは、石英基板、又はガラス基板を用いることができる。本実施形態では、石英基板によって構成されている。
1. 1. First Embodiment 1-1. Schematic Structure of Liquid Crystal Display 100 The liquid crystal display 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
The liquid crystal display 100 of the present embodiment includes a liquid crystal layer 15 between the element substrate 10, the opposed substrate 20 arranged to face the element substrate 10, and the pair of element substrates 10 and the opposed substrate 20. A quartz substrate or a glass substrate can be used as the substrate 10a as the second substrate constituting the element substrate 10 and the substrate 20a as the first substrate constituting the facing substrate 20. In this embodiment, it is composed of a quartz substrate.

素子基板10と対向基板20は、対向基板20の外周に沿って配置されたシール材14を介して接合されている。対向して接合された素子基板10と対向基板20の間には、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されており、液晶層15を構成している。 The element substrate 10 and the facing substrate 20 are joined via a sealing material 14 arranged along the outer periphery of the facing substrate 20. A liquid crystal having positive or negative dielectric anisotropy is enclosed between the element substrate 10 and the opposed substrate 20 bonded to each other to form a liquid crystal layer 15.

シール材14は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材14には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。 As the sealing material 14, for example, an adhesive such as a thermosetting or ultraviolet curable epoxy resin is adopted. A spacer for keeping the distance between the pair of substrates constant is mixed in the sealing material 14.

液晶装置100は、シール材14が配置された内側に、表示に寄与する複数の画素Pが配列された表示領域Eが設けられている。表示領域Eの周囲には、表示に寄与しない周辺回路などが設けられた周辺領域E1が配置されている。 The liquid crystal display 100 is provided with a display area E in which a plurality of pixels P contributing to display are arranged inside the sealing material 14 arranged. Around the display area E, a peripheral area E1 provided with a peripheral circuit or the like that does not contribute to the display is arranged.

素子基板10は、平面視において対向基板20よりも大きく、一辺部がせり出している。素子基板10の一辺部側に設けられたシール材14と一辺部との間には、データ線駆動回路22が設けられている。 The element substrate 10 is larger than the facing substrate 20 in a plan view, and one side thereof protrudes. A data line drive circuit 22 is provided between the sealing material 14 provided on one side of the element substrate 10 and one side.

また、一辺部に対向する他の一辺部に沿ったシール材14と表示領域Eとの間には、検査回路25が設けられている。さらに、一辺部と直交し互いに対向する他の二辺部に沿ったシール材14と表示領域Eとの間には、走査線駆動回路24が設けられている。一辺部と対向する他の一辺部に沿ったシール材14と検査回路25との間には、2つの走査線駆動回路24を繋ぐ複数の配線29が設けられている。 Further, an inspection circuit 25 is provided between the sealing material 14 along the other side portion facing the one side portion and the display area E. Further, a scanning line drive circuit 24 is provided between the sealing material 14 and the display area E along the other two sides that are orthogonal to one side and face each other. A plurality of wirings 29 for connecting the two scanning line drive circuits 24 are provided between the sealing material 14 and the inspection circuit 25 along the other side portion facing the one side portion.

対向基板20側における額縁状に配置されたシール材14の内側には、同じく額縁状に遮光膜18が設けられている。遮光膜18は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜18の内側が複数の画素Pを有する表示領域Eとなっている。遮光膜18としては、例えば、タングステンシリサイド(WSi)を用いることができる。 A light-shielding film 18 is also provided in the shape of a frame inside the sealing material 14 arranged in the shape of a frame on the side of the facing substrate 20. The light-shielding film 18 is made of, for example, a light-reflecting metal or a metal oxide, and the inside of the light-shielding film 18 is a display region E having a plurality of pixels P. As the light-shielding film 18, for example, tungsten silicide (WSi) can be used.

これらデータ線駆動回路22、走査線駆動回路24に繋がる配線は、一辺部に沿って配列された複数の外部接続用端子70に接続されている。以降、一辺部に沿った方向をX方向とし、一辺部と直交し互いに対向する他の二辺部に沿った方向をY方向として説明する。また、Z方向から対象物を見ることを平面視という。 The wiring connected to the data line drive circuit 22 and the scanning line drive circuit 24 is connected to a plurality of external connection terminals 70 arranged along one side. Hereinafter, the direction along one side portion will be referred to as the X direction, and the direction along the other two side portions orthogonal to the one side portion and facing each other will be described as the Y direction. Also, viewing an object from the Z direction is called a plan view.

図2に示すように、素子基板10は、基板10aと液晶層15との間に配置された複数の画素電極27と、スイッチング素子である複数の薄膜トランジスター30と、図示しないデータ線と、これらを覆う第1配向膜28とが配置されている。素子基板10は、基板10aから第1配向膜28までを含むものである。 As shown in FIG. 2, the element substrate 10 includes a plurality of pixel electrodes 27 arranged between the substrate 10a and the liquid crystal layer 15, a plurality of thin film films 30 which are switching elements, and data lines (not shown). A first alignment film 28 is arranged to cover the surface. The element substrate 10 includes the substrate 10a to the first alignment film 28.

画素電極27は、基板10aと液晶層15との間において画素Pごとに設けられている。また、画素電極27は電気伝導性を有し、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜で形成されている。 The pixel electrode 27 is provided for each pixel P between the substrate 10a and the liquid crystal layer 15. Further, the pixel electrode 27 has electrical conductivity and is formed of, for example, a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide).

対向基板20は、基板20aの液晶層15側の面に、遮光膜18と、これを覆うように成膜された絶縁層33と、絶縁層33を覆うように設けられた対向電極31と、対向電極31を覆う第2配向膜32とが設けられている。対向基板20は、基板20aから第2配向膜32までを含むものである。 The facing substrate 20 includes a light-shielding film 18, an insulating layer 33 formed to cover the light-shielding film 18, and a facing electrode 31 provided to cover the insulating layer 33 on the surface of the substrate 20a on the liquid crystal layer 15 side. A second alignment film 32 that covers the counter electrode 31 is provided. The facing substrate 20 includes the substrate 20a to the second alignment film 32.

遮光膜18は、図1に示すように表示領域Eを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路24、検査回路25と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮光して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Eに入射しないように遮光して、表示領域Eの表示における高いコントラストを確保している。 As shown in FIG. 1, the light-shielding film 18 surrounds the display area E and is provided at a position where it planely overlaps with the scanning line drive circuit 24 and the inspection circuit 25. As a result, the light incident on the peripheral circuits including these drive circuits is shielded from the opposite board 20 side, and the peripheral circuits are prevented from malfunctioning due to the light. Further, the display area E is shielded from light so that unnecessary stray light does not enter the display area E, thereby ensuring high contrast in the display of the display area E.

絶縁層33は、例えば、光透過性を有する酸化シリコンなどの無機材料からなり、基板20aと液晶層15との間に配置されている。
図示は省略するが、絶縁層33と基板20aとの間には、SiON膜で形成されたマイクロレンズアレイ34が形成されている。マイクロレンズアレイ34は複数の画素Pに対応する複数の凸レンズ(図8参照)からなり、画素Pごとに透過する光を集光する。
The insulating layer 33 is made of, for example, an inorganic material such as silicon oxide having light transmittance, and is arranged between the substrate 20a and the liquid crystal layer 15.
Although not shown, a microlens array 34 formed of a SiON film is formed between the insulating layer 33 and the substrate 20a. The microlens array 34 is composed of a plurality of convex lenses (see FIG. 8) corresponding to the plurality of pixels P, and collects the light transmitted through each pixel P.

絶縁層33と液晶層15との間には対向電極31が配置されている。対向電極31は、例えば、ITOなどの透明導電膜からなり、絶縁層33を覆うと共に、図1に示す対向基板20の四隅に設けられた上下導通部26により素子基板10側の配線に電気的に接続されている。 A counter electrode 31 is arranged between the insulating layer 33 and the liquid crystal layer 15. The counter electrode 31 is made of a transparent conductive film such as ITO, covers the insulating layer 33, and is electrically connected to the wiring on the element substrate 10 side by the vertical conductive portions 26 provided at the four corners of the counter substrate 20 shown in FIG. It is connected to the.

画素電極27を覆う第1配向膜28、及び対向電極31を覆う第2配向膜32は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。第1配向膜28及び第2配向膜32としては、気相成長法を用いてSiOx(酸化シリコン)などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。 The first alignment film 28 that covers the pixel electrode 27 and the second alignment film 32 that covers the counter electrode 31 are selected based on the optical design of the liquid crystal device 100. As the first alignment film 28 and the second alignment film 32, an inorganic material such as SiOx (silicon oxide) is formed into a film by using a vapor phase growth method, and the first alignment film 28 and the second alignment film 32 are abbreviated with respect to liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy. Examples thereof include a vertically oriented inorganic alignment film.

このような液晶装置100は、透過型であって、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。 Such a liquid crystal device 100 is a transmissive type, and the transmittance of the pixel P when no voltage is applied is larger than the transmittance when the voltage is applied. A normally black mode optical design is adopted in which the rate is smaller than the transmittance when a voltage is applied. Polarizing elements are arranged and used on the incident side and the emitted side of light according to the optical design.

1-2.液晶装置100の等価回路
液晶装置100の電気的な構成を示す等価回路を図3を示して説明する。
液晶装置100は、少なくとも表示領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線3a及び複数のデータ線6aと、容量線3bとを有する。例えば、走査線3aは、X方向に沿って延在し、データ線6aは、Y方向に沿って延在する。
1-2. Equivalent Circuit of Liquid Crystal Device 100 An equivalent circuit showing the electrical configuration of the liquid crystal device 100 will be described with reference to FIG.
The liquid crystal display 100 has a plurality of scanning lines 3a and a plurality of data lines 6a isolated from each other and orthogonal to each other at least in the display region E, and a capacitance line 3b. For example, the scanning line 3a extends along the X direction and the data line 6a extends along the Y direction.

走査線3a、データ線6a、及び容量線3bの信号線と、これらの信号線等により区分された領域に、画素電極27と、薄膜トランジスター30と、容量素子16とが設けられており、これらによって画素Pの画素回路が構成されている。 A pixel electrode 27, a thin film film 30 and a capacitance element 16 are provided in a region divided by the signal lines of the scanning line 3a, the data line 6a, and the capacitance line 3b, and these signal lines and the like. The pixel circuit of the pixel P is configured by the above.

走査線3aは薄膜トランジスター30のゲートに電気的に接続され、データ線6aは薄膜トランジスター30のソース領域に電気的に接続されている。画素電極27は、薄膜トランジスター30のドレイン領域に電気的に接続されている。 The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the thin film-30, and the data line 6a is electrically connected to the source region of the thin film-30. The pixel electrode 27 is electrically connected to the drain region of the thin film-30.

データ線6aは、データ線駆動回路22(図1参照)に接続されており、データ線駆動回路22から供給される画像信号D1,D2,…,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは、走査線駆動回路24(図1参照)に接続されており、走査線駆動回路24から供給される走査信号SC1,SC2,…,SCmを各画素Pに供給する。 The data line 6a is connected to the data line drive circuit 22 (see FIG. 1), and supplies the image signals D1, D2, ..., Dn supplied from the data line drive circuit 22 to the pixel P. The scanning line 3a is connected to the scanning line driving circuit 24 (see FIG. 1), and supplies scanning signals SC1, SC2, ..., SCm supplied from the scanning line driving circuit 24 to each pixel P.

データ線駆動回路22からデータ線6aに供給される画像信号D1~Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路24は、走査線3aに対して、走査信号SC1~SCmを所定のタイミングでパルスで線順次に供給する。 The image signals D1 to Dn supplied from the data line drive circuit 22 to the data lines 6a may be supplied in this order in a line-sequential manner, or may be supplied in groups to a plurality of data lines 6a adjacent to each other. good. The scanning line drive circuit 24 sequentially supplies the scanning signals SC1 to SCm to the scanning line 3a in a pulsed manner at a predetermined timing.

液晶装置100は、スイッチング素子である薄膜トランジスター30が走査信号SC1~SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1~Dnが所定のタイミングで画素電極27に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極27を介して液晶層15に書き込まれた所定レベルの画像信号D1~Dnは、液晶層15を介して対向配置された画素電極27と対向電極31との間で一定期間保持される。 In the liquid crystal display device 100, the thin film film 30 as a switching element is turned on for a certain period of time by inputting the scanning signals SC1 to SCm, so that the image signals D1 to Dn supplied from the data line 6a are pixels at a predetermined timing. It is configured to be written on the electrode 27. Then, the predetermined level image signals D1 to Dn written in the liquid crystal layer 15 via the pixel electrode 27 are held between the pixel electrodes 27 and the facing electrodes 31 which are opposed to each other via the liquid crystal layer 15 for a certain period of time. To.

保持された画像信号D1~Dnがリークするのを防止するため、画素電極27と対向電極31との間に形成される液晶容量と並列して容量素子16が接続されている。容量素子16は、2つの容量電極の間に容量膜としての誘電体層を有するものである。 In order to prevent the held image signals D1 to Dn from leaking, the capacitance element 16 is connected in parallel with the liquid crystal capacitance formed between the pixel electrode 27 and the counter electrode 31. The capacitive element 16 has a dielectric layer as a capacitive film between two capacitive electrodes.

1-3.表示領域E、及び周辺領域E1の積層構造
液晶装置100の表示領域E、及び周辺領域E1の積層構造について、図4を示して説明する。
液晶装置100は、素子基板10と、これに対向配置される対向基板20と、を備えている。素子基板10は、基板10aの液晶層15側に、配線絶縁層40及び配線層41と、画素電極27と、第1配向膜28と、を備えている。
1-3. Laminated Structure of Display Region E and Peripheral Region E1 The laminated structure of the display region E and the peripheral region E1 of the liquid crystal device 100 will be described with reference to FIG.
The liquid crystal display 100 includes an element substrate 10 and a facing substrate 20 arranged to face the element substrate 10. The element substrate 10 includes a wiring insulating layer 40, a wiring layer 41, a pixel electrode 27, and a first alignment film 28 on the liquid crystal layer 15 side of the substrate 10a.

基板10aと画素電極27との間に配置された配線絶縁層40は、例えば、酸化シリコンで構成されており、第1絶縁層40aと、第2絶縁層40bと、第3絶縁層40cと、第4絶縁層40dと、第5絶縁層40eと、第6絶縁層40fと、第7絶縁層40gと、第8絶縁層40hと、を有する。第1絶縁層40aと第2絶縁層40bとの間には、平面視で四角形の枠状に形成された遮光膜42が配置されている。 The wiring insulating layer 40 arranged between the substrate 10a and the pixel electrode 27 is made of, for example, silicon oxide, and includes a first insulating layer 40a, a second insulating layer 40b, and a third insulating layer 40c. It has a fourth insulating layer 40d, a fifth insulating layer 40e, a sixth insulating layer 40f, a seventh insulating layer 40g, and an eighth insulating layer 40h. A light-shielding film 42 formed in a rectangular frame shape in a plan view is arranged between the first insulating layer 40a and the second insulating layer 40b.

配線層41は、走査線を兼ねる遮光膜43と、薄膜トランジスター30と、走査線3aと、容量線3bと、データ線6aと、その他の中継電極を含み、遮光領域となっている。配線層41は、平面視で隣り合う画素電極27と画素電極27との間と、重なる位置に設けられている。
遮光膜43は、薄膜トランジスター30と重なる位置に設けられていることにより、基板10a側から薄膜トランジスター30に入射する光Lを遮光し、薄膜トランジスター30が光Lによって誤動作することを防止する役目を果たしている。
The wiring layer 41 includes a light-shielding film 43 that also serves as a scanning line, a thin film film 30, a scanning line 3a, a capacitance line 3b, a data line 6a, and other relay electrodes, and is a light-shielding region. The wiring layer 41 is provided at a position where it overlaps between the pixel electrodes 27 and the pixel electrodes 27 that are adjacent to each other in a plan view.
Since the light-shielding film 43 is provided at a position overlapping with the thin film-30, it has a role of blocking light L incident on the thin-film 30 from the substrate 10a side and preventing the thin film-30 from malfunctioning due to the light L. I'm playing.

配線絶縁層40の対向基板20側には、画素電極27が配置されている。画素電極27の対向基板20側には、酸化シリコンなどの無機材料を画素電極面に対して鉛直方向から蒸着した垂直蒸着膜と、さらに、その上に画素電極面に対して斜め方向から蒸着した斜方蒸着膜を積層した2層構造の第1配向膜28が設けられている。第1配向膜28の対向基板20側には、シール材14により囲まれた領域に液晶等が封入された液晶層15が配置されている。 A pixel electrode 27 is arranged on the opposite substrate 20 side of the wiring insulation layer 40. On the facing substrate 20 side of the pixel electrode 27, an inorganic material such as silicon oxide was vapor-deposited vertically with respect to the pixel electrode surface, and further, an inorganic material was deposited on the vertical vapor deposition film from an oblique direction with respect to the pixel electrode surface. A first alignment film 28 having a two-layer structure in which an oblique thin-film film is laminated is provided. On the facing substrate 20 side of the first alignment film 28, a liquid crystal layer 15 in which a liquid crystal or the like is enclosed is arranged in a region surrounded by the sealing material 14.

一方、対向基板20は、基板20aの液晶層15側に、絶縁層33と、対向電極31と、第2配向膜32と、を備えている。対向電極31は、例えば、ITO等の透明導電性膜からなる。第2配向膜32は、第1配向膜28と同様に、酸化シリコンなどの無機材料を画素電極面に対して鉛直方向から蒸着した垂直蒸着膜と、さらに、その上に画素電極面に対して斜め方向から蒸着した斜方蒸着膜を積層した2層構造からなる。 On the other hand, the facing substrate 20 includes an insulating layer 33, a facing electrode 31, and a second alignment film 32 on the liquid crystal layer 15 side of the substrate 20a. The counter electrode 31 is made of, for example, a transparent conductive film such as ITO. Similar to the first alignment film 28, the second alignment film 32 is a vertical vapor deposition film in which an inorganic material such as silicon oxide is vapor-deposited from the vertical direction with respect to the pixel electrode surface, and further, with respect to the pixel electrode surface. It has a two-layer structure in which diagonal vapor deposition films vapor-deposited from an oblique direction are laminated.

液晶層15は、画素電極27と対向電極31との間で電界が生じていない状態で第1配向膜28、第2配向膜32によって所定の配向状態をとる。後述するプロジェクター1000の光Lは、素子基板10側から入射する。 The liquid crystal layer 15 takes a predetermined alignment state by the first alignment film 28 and the second alignment film 32 in a state where no electric field is generated between the pixel electrode 27 and the counter electrode 31. The light L of the projector 1000, which will be described later, is incident from the element substrate 10 side.

また、液晶装置100の表示領域Eには、配線絶縁層40に図示しない凹部50が形成され、絶縁層33に図示しない凹部60が形成されている。凹部50,60は、液晶層15で発生したイオン性不純物が凝集されるイオントラップとして機能する。 Further, in the display area E of the liquid crystal device 100, a recess 50 (not shown) is formed in the wiring insulating layer 40, and a recess 60 (not shown) is formed in the insulating layer 33. The recesses 50 and 60 function as ion traps in which ionic impurities generated in the liquid crystal layer 15 are aggregated.

1-4.凹部の構成
次に、表示領域Eに設けられた凹部50、および凹部60について図5~図9を参照して説明する。
まず、素子基板10の表示領域Eの構成について説明する。図5は液晶層15側から素子基板10を見た概略平面図であり、図6は、図5のA-A線断面図である。図5、図6においては、第1配向膜28の図示を省略する。
図5に示すように、素子基板10の表示領域Eでは、画素Pを構成する複数の画素電極27を備え、画素電極27の角部にはコンタクトホール27cが形成されている。隣り合う画素電極27と画素電極27との間には、図示しない配線層41と、第二凹部としての凹部50が配置されている。凹部50は、コンタクトホール27cを避けた位置において、平面視が略L字型となるように形成されている。
1-4. Configuration of Recesses Next, the recesses 50 and the recesses 60 provided in the display area E will be described with reference to FIGS. 5 to 9.
First, the configuration of the display area E of the element substrate 10 will be described. FIG. 5 is a schematic plan view of the element substrate 10 as viewed from the liquid crystal layer 15 side, and FIG. 6 is a sectional view taken along line AA of FIG. In FIGS. 5 and 6, the first alignment film 28 is not shown.
As shown in FIG. 5, in the display area E of the element substrate 10, a plurality of pixel electrodes 27 constituting the pixels P are provided, and contact holes 27c are formed at the corners of the pixel electrodes 27. A wiring layer 41 (not shown) and a recess 50 as a second recess are arranged between the adjacent pixel electrodes 27 and the pixel electrodes 27. The recess 50 is formed so as to have a substantially L-shape in a plan view at a position avoiding the contact hole 27c.

図6に示すように、第8絶縁層40hは、TEOS(Tetraethoxysilane)膜である絶縁層40h1と、BSG(Borosilicate Glass)膜である絶縁層40h2との積層膜である。隣り合う画素電極27と画素電極27との間に設けられた凹部50は、第8絶縁層40hの絶縁層40h1に形成されている。 As shown in FIG. 6, the eighth insulating layer 40h is a laminated film of an insulating layer 40h1 which is a TEOS (Tetraethoxysilane) film and an insulating layer 40h2 which is a BSG (Borosilicate Glass) film. The recess 50 provided between the adjacent pixel electrodes 27 and the pixel electrodes 27 is formed in the insulating layer 40h1 of the eighth insulating layer 40h.

凹部50の製造方法としては、例えば、TEOS膜である絶縁層40h1を成膜した後、フォトリソグラフィーにより絶縁層40h1に凹部501を形成する。その後、絶縁層40h1にBSG膜である絶縁層40h2を成膜し凹部50が形成される。画素電極27は、絶縁層40h2にITO膜を成膜した後、フォトリソグラフィー等により形成される。
BSG膜に形成された凹部50の深さH1は、例えば、100Å以上であればよく、1000Åが好ましい。また、画素電極27間における、凹部50の幅W1は、例えば、0.5μm~0.8μmが好ましい。
As a method for manufacturing the recess 50, for example, after forming the insulating layer 40h1 which is a TEOS film, the recess 501 is formed in the insulating layer 40h1 by photolithography. After that, the insulating layer 40h2, which is a BSG film, is formed on the insulating layer 40h1 to form the recess 50. The pixel electrode 27 is formed by photolithography or the like after forming an ITO film on the insulating layer 40h2.
The depth H1 of the recess 50 formed in the BSG film may be, for example, 100 Å or more, preferably 1000 Å. Further, the width W1 of the recess 50 between the pixel electrodes 27 is preferably, for example, 0.5 μm to 0.8 μm.

次に、対向基板20の表示領域Eの構成について説明する。図7は液晶層15側から対向基板20を見た概略平面図である。また、図8は、図7のB-B線断面図であり、図9は、図8のC部を示す部分断面図である。図8においては、第2配向膜32の図示を省略する。 Next, the configuration of the display area E of the facing substrate 20 will be described. FIG. 7 is a schematic plan view of the facing substrate 20 as viewed from the liquid crystal layer 15 side. 8 is a sectional view taken along line BB of FIG. 7, and FIG. 9 is a partial sectional view showing a portion C of FIG. In FIG. 8, the second alignment film 32 is not shown.

図7に示すように、対向基板20には、対向電極31と、第一凹部としての凹部60と、が設けられている。凹部60は、平面視で遮光膜43と重なる位置の絶縁層33に、マス目状に形成され、一つに繋がっている。 As shown in FIG. 7, the facing substrate 20 is provided with a facing electrode 31 and a recess 60 as a first recess. The recesses 60 are formed in a grid pattern on the insulating layer 33 at a position overlapping the light-shielding film 43 in a plan view, and are connected to one.

図8に示すように絶縁層33は、第一絶縁層としての絶縁層331と、絶縁層331に積層され、凹部60が設けられた第二絶縁層としての絶縁層332とからなる。 As shown in FIG. 8, the insulating layer 33 includes an insulating layer 331 as a first insulating layer and an insulating layer 332 as a second insulating layer laminated on the insulating layer 331 and provided with a recess 60.

凹部60の製造方法としては、例えば、SiON膜で形成されたマイクロレンズアレイ34の凸レンズ側の面に、二層からなる絶縁層33を成膜する。絶縁層33の二層は酸素添加量が違うことで膜密度が異なっている。絶縁層33の形成方法としては、例えばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて成膜する方法が挙げられる。詳しくは、SiO膜である絶縁層331を成膜した面上に、高密度プラズマによって二酸化ケイ素:SiO2膜である絶縁層332が成膜される。なお、絶縁層331には、マイクロレンズアレイ34の凸レンズ間と重なる部分に、空気を含む空間であるボイド33aが形成される。また、絶縁層33は、三層以上の複数層としてもよい。 As a method for manufacturing the concave portion 60, for example, an insulating layer 33 composed of two layers is formed on the surface of the microlens array 34 formed of a SiON film on the convex lens side. The two layers of the insulating layer 33 have different film densities due to the different amount of oxygen added. Examples of the method for forming the insulating layer 33 include a method of forming a film by using a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like. Specifically, the insulating layer 332, which is a silicon dioxide: SiO 2 film, is formed by high-density plasma on the surface on which the insulating layer 331, which is a SiO film, is formed. In the insulating layer 331, a void 33a, which is a space containing air, is formed in a portion overlapping between the convex lenses of the microlens array 34. Further, the insulating layer 33 may be a plurality of layers having three or more layers.

その後、絶縁層332に凹部60を形成する。凹部60は、フォトリソグラフィーなどにより形成することができる。絶縁層332に形成された凹部60の深さH2は、例えば、100Å以上1500Å未満であればよく、1000Å程度が好ましい。また、凹部60の幅W2は、例えば、0.8μmが好ましい。絶縁層332の凹部60が形成された面には、ITO膜が成膜され対向電極31が形成される。ITO膜の膜厚は、10~140nm程であり、絶縁層332に形成された凹部60の形状に沿って成膜される。 After that, the recess 60 is formed in the insulating layer 332. The recess 60 can be formed by photolithography or the like. The depth H2 of the recess 60 formed in the insulating layer 332 may be, for example, 100 Å or more and less than 1500 Å, preferably about 1000 Å. Further, the width W2 of the recess 60 is preferably 0.8 μm, for example. An ITO film is formed on the surface of the insulating layer 332 on which the recess 60 is formed, and the counter electrode 31 is formed. The film thickness of the ITO film is about 10 to 140 nm, and the film is formed along the shape of the recess 60 formed in the insulating layer 332.

また、対向基板20は、図9に示すように、対向電極31と、液晶層15と、の間には、第2配向膜32が設けられている。第2配向膜32は、垂直蒸着膜(図示しない)と斜方蒸着膜とからなり、凹部60と液晶層15と、の間には、斜方蒸着した際に蒸着方向の影となる部分に斜方蒸着膜が付いていない部分Nがある。
凹部60では、凹部60の底面の対向電極31には第2配向膜32が形成されているが、凹部60の側面Nにおいては、片側の側面の部分に第2配向膜32が形成されていない。これは斜方蒸着膜が付いていない部分Nである。
Further, as shown in FIG. 9, the facing substrate 20 is provided with a second alignment film 32 between the facing electrode 31 and the liquid crystal layer 15. The second alignment film 32 is composed of a vertical thin-film deposition film (not shown) and an orthorhombic thin-film deposition film, and is a portion between the recess 60 and the liquid crystal layer 15 that becomes a shadow in the vapor-film deposition direction when the orthorhombic vapor deposition is performed. There is a portion N without an orthorhombic vapor film.
In the recess 60, the second alignment film 32 is formed on the facing electrode 31 on the bottom surface of the recess 60, but on the side surface N of the recess 60, the second alignment film 32 is not formed on one side surface portion. .. This is the portion N without the orthorhombic vapor film.

1-5.斜方蒸着膜
次に、斜方蒸着膜について図10、図11を参照して説明する。
図10に示すように、素子基板10、及び対向基板20の対向面には、例えば、酸化シリコンを物理気相成長法の一例である真空蒸着法により、基板面の鉛直方向から蒸着した垂直蒸着膜(図示しない)と、垂直蒸着膜上に基板面に対して斜め方向から蒸着した斜方蒸着膜の2層構造を有する第1配向膜28及び第2配向膜32が形成されている。
1-5. Orthal vapor deposition film Next, the orthorhombic vapor deposition film will be described with reference to FIGS. 10 and 11.
As shown in FIG. 10, vertical vapor deposition of silicon oxide on the facing surfaces of the element substrate 10 and the facing substrate 20 from the vertical direction of the substrate surface by, for example, a vacuum vapor deposition method which is an example of a physical vapor deposition method. A first alignment film 28 and a second alignment film 32 having a two-layer structure of a film (not shown) and an oblique vapor deposition film deposited from an oblique direction with respect to the substrate surface are formed on the vertical vapor deposition film.

第1配向膜28及び第2配向膜32として形成される斜方蒸着膜は、第1方向に傾斜した複数の柱状構造体よりなる。斜方蒸着する蒸着角度θbは、例えば、45°である。蒸着により、素子基板10及び対向基板20の対向面には、第1方向に傾斜した酸化シリコンの結晶体が柱状に成長し、柱状構造体となる。この、柱状構造体をカラム28a,32aと称する。第1配向膜28は、カラム28aの集合体である。第2配向膜32は、カラム32aの集合体である。 The oblique vapor deposition film formed as the first alignment film 28 and the second alignment film 32 is composed of a plurality of columnar structures inclined in the first direction. The vapor deposition angle θb for orthorhombic vapor deposition is, for example, 45 °. By the vapor deposition, a crystal of silicon oxide inclined in the first direction grows in a columnar shape on the facing surface of the element substrate 10 and the facing substrate 20, and becomes a columnar structure. This columnar structure is referred to as columns 28a and 32a. The first alignment film 28 is an aggregate of columns 28a. The second alignment film 32 is an aggregate of columns 32a.

カラム28a,32aの成長角度θcは、蒸着角度θbと必ずしも一致せず、例えば、70°となっている。第1配向膜28及び第2配向膜32の表面において、略垂直配向する液晶分子LCのプレチルト角θpは、例えば、85°である。また、素子基板10及び対向基板20の基板面から見た液晶分子LCのプレチルトの方向、即ち方位角方向は、第1配向膜28及び第2配向膜32における斜方蒸着における平面的な蒸着方向と同じである。 The growth angles θc of the columns 28a and 32a do not always match the vapor deposition angles θb, and are, for example, 70 °. On the surfaces of the first alignment film 28 and the second alignment film 32, the pretilt angle θp of the liquid crystal molecule LC that is substantially vertically oriented is, for example, 85 °. Further, the direction of pretilt of the liquid crystal molecule LC seen from the substrate surfaces of the element substrate 10 and the facing substrate 20, that is, the azimuth angle direction is the planar vapor deposition direction in the oblique vapor deposition of the first alignment film 28 and the second alignment film 32. Is the same as.

図11に示すように、画素電極27と対向電極31との間に駆動電圧を印加して液晶層15を駆動すると、液晶分子LCがプレチルトの方位角方向に倒れる。液晶層15の駆動(ON/OFF)を繰り返すと、液晶分子LCは、プレチルトの方位角方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。 As shown in FIG. 11, when a driving voltage is applied between the pixel electrode 27 and the counter electrode 31 to drive the liquid crystal layer 15, the liquid crystal molecule LC collapses in the azimuth angle direction of the pretilt. When the liquid crystal layer 15 is repeatedly driven (ON / OFF), the liquid crystal molecule LC repeats the behavior of tilting in the azimuth direction of the pretilt and returning to the initial orientation state.

このとき、液晶分子LCの向きが変わることで、液晶層15の中の液晶分子LCが循環される。この循環に伴って、液晶層15に生成されたイオン性不純物を、表示領域Eの全体に亘って分散させ、凹部50,60の中にトラップすることができる。 At this time, the liquid crystal molecule LC in the liquid crystal layer 15 is circulated by changing the direction of the liquid crystal molecule LC. Along with this circulation, the ionic impurities generated in the liquid crystal layer 15 can be dispersed over the entire display region E and trapped in the recesses 50 and 60.

図12に示すように、素子基板10には、配線絶縁層40の第8絶縁層40hにおいて、隣り合う画素電極27の間に第二凹部としての凹部50が設けられ、対向基板20には、平面視で遮光膜43と重なる位置の絶縁層33に第一凹部としての凹部60が設けられている。凹部50と凹部60は、液晶層15を介して向かいあって配置されており、平面視において、遮光膜43と、凹部50と、凹部60と、は重なって配置される。なお、図12においては、第1配向膜28、第2配向膜32は図示を省略する。 As shown in FIG. 12, the element substrate 10 is provided with a recess 50 as a second recess between adjacent pixel electrodes 27 in the eighth insulating layer 40h of the wiring insulating layer 40, and the facing substrate 20 is provided with a recess 50. A recess 60 as a first recess is provided in the insulating layer 33 at a position overlapping the light-shielding film 43 in a plan view. The recess 50 and the recess 60 are arranged so as to face each other via the liquid crystal layer 15, and the light-shielding film 43, the recess 50, and the recess 60 are arranged so as to overlap each other in a plan view. In FIG. 12, the first alignment film 28 and the second alignment film 32 are not shown.

上述したように、第1実施形態の液晶装置100は、素子基板10と対向基板20との間に液晶層15を備える液晶装置であって、対向基板20を構成する第一基板としての基板20aと液晶層15との間に配置された絶縁層33と、絶縁層33と液晶層15との間に配置された対向電極31と、素子基板10を構成する第二基板としての基板10aと液晶層15との間に配置された複数の画素電極27と、平面視で隣り合う複数の画素電極27の間に位置する遮光領域としての遮光膜43と、平面視で遮光膜43と重なる位置の、絶縁層33に設けられた第一凹部としての凹部60と、を備え、凹部60の深さH2は、100Å以上1500Å未満である。 As described above, the liquid crystal display 100 of the first embodiment is a liquid crystal device including a liquid crystal layer 15 between the element substrate 10 and the facing substrate 20, and the substrate 20a as the first substrate constituting the facing substrate 20. The insulating layer 33 arranged between the insulating layer 33 and the liquid crystal layer 15, the counter electrode 31 arranged between the insulating layer 33 and the liquid crystal layer 15, the substrate 10a as the second substrate constituting the element substrate 10, and the liquid crystal display. A plurality of pixel electrodes 27 arranged between the layers 15, a light-shielding film 43 as a light-shielding region located between a plurality of adjacent pixel electrodes 27 in a plan view, and a position overlapping the light-shielding film 43 in a plan view. A recess 60 as a first recess provided in the insulating layer 33 is provided, and the depth H2 of the recess 60 is 100 Å or more and less than 1500 Å.

このような液晶装置100では、画素電極27と画素電極27との間の絶縁層40h2に凹部50が設けられ、絶縁層33に凹部60が設けられているため、例えば、液晶層15から生成されたイオン性不純物を凹部50,60の中に留めることが可能となる。言い換えれば、表示領域Eの中に設けられた複数の凹部50,60に、イオン性不純物を留めることができる。よって、イオン性不純物による表示不良、言い換えれば、角シミの発生を抑えることができ、表示特性の高い液晶装置100を提供することができる。 In such a liquid crystal device 100, the recess 50 is provided in the insulating layer 40h2 between the pixel electrode 27 and the pixel electrode 27, and the recess 60 is provided in the insulating layer 33. Therefore, the liquid crystal device 100 is generated from, for example, the liquid crystal layer 15. It is possible to retain the ionic impurities in the recesses 50 and 60. In other words, ionic impurities can be retained in the plurality of recesses 50 and 60 provided in the display area E. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of display defects due to ionic impurities, in other words, the occurrence of angular stains, and it is possible to provide the liquid crystal apparatus 100 having high display characteristics.

また、上記実施形態の液晶装置100では、凹部60は深さH2が100Å以上1500Å未満であるため、従来の凹部の深さに比べると、凹部60の内面に配向膜が付けやすい。そのため、配向膜に起因した配向不良などを減少させ表示特性を向上させることができる。 Further, in the liquid crystal display device 100 of the above embodiment, since the depth H2 of the recess 60 is 100 Å or more and less than 1500 Å, it is easier to attach an alignment film to the inner surface of the recess 60 as compared with the depth of the conventional recess. Therefore, it is possible to reduce misalignment caused by the alignment film and improve the display characteristics.

さらに、凹部50、または凹部60と、液晶層15と、の間においては、斜方蒸着膜が付いていない部分があるため、凹部50,60にイオン性不純物を留めやすくなり、角シミ発生の減少と、配向不良の減少と、を両立した効果を得ることができる。 Further, since there is a portion without the oblique vapor deposition film between the recess 50 or the recess 60 and the liquid crystal layer 15, it becomes easy to retain ionic impurities in the recesses 50 and 60, and corner stains occur. It is possible to obtain an effect that achieves both a reduction and a reduction in misalignment.

また、凹部60は、絶縁層332に設けられているため、凹部60によって絶縁層331のボイド33aを露出させることがない。このため、ボイド33aの露出による透過率、コントラストの低下や配向不良を低減させることができる。また、高密度プラズマで成膜した、二酸化ケイ素からなる絶縁層332は、ITO膜からなる対向電極31のモホロジーを整えるため、透過率を向上させ表示特性の高い液晶装置100を提供することができる。 Further, since the recess 60 is provided in the insulating layer 332, the void 33a of the insulating layer 331 is not exposed by the recess 60. Therefore, it is possible to reduce the decrease in transmittance, contrast, and poor orientation due to the exposure of the void 33a. Further, since the insulating layer 332 made of silicon dioxide formed by high-density plasma adjusts the morphology of the counter electrode 31 made of an ITO film, it is possible to provide a liquid crystal device 100 having high transmittance and high display characteristics. ..

なお、本発明の凹部60は、上述した形態に限定されない。
上述の実施形態では、絶縁層33に溝状につながる一つの凹部60が設けられていたが、連続しない溝状に形成された複数からなる凹部60であっても良い。複数の凹部60であった場合、一つの凹部60に比べ表面積が増えるため、よりイオン性不純物を留めやすくなり、角シミの発生を減少させることができる。
また、凹部60と凹部50とは、向かい合うことなく設けられていても良く、凹部60のみを設けていても良い。このような構成であっても、同様の効果を得られるため、表示特性の高い液晶装置を提供することができる。
The recess 60 of the present invention is not limited to the above-mentioned form.
In the above-described embodiment, the insulating layer 33 is provided with one recess 60 connected in a groove shape, but the recess 60 may be a plurality of recesses 60 formed in a non-continuous groove shape. When there are a plurality of recesses 60, the surface area is larger than that of one recess 60, so that it becomes easier to retain ionic impurities and the occurrence of angular stains can be reduced.
Further, the recess 60 and the recess 50 may be provided without facing each other, or only the recess 60 may be provided. Even with such a configuration, the same effect can be obtained, so that it is possible to provide a liquid crystal device having high display characteristics.

2.第2実施形態
本実施形態の電子機器としてのプロジェクター1000について、図13を参照して説明する。
本実施形態のプロジェクター1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投写レンズ1207とを備えている。
2. 2. Second Embodiment The projector 1000 as an electronic device of the present embodiment will be described with reference to FIG.
The projector 1000 of the present embodiment includes a polarized lighting device 1100 arranged along the system optical axis L, two dichroic mirrors 1104, 1105 as optical separation elements, three reflection mirrors 1106, 1107, 1108, and five. It is equipped with two relay lenses 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, transmissive liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230 as three optical modulation means, a cross dichroic prism 1206 as a photosynthetic element, and a projection lens 1207. ing.

偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。 The polarized lighting device 1100 is roughly composed of a lamp unit 1101 as a light source composed of a white light source such as an ultra-high pressure mercury lamp or a halogen lamp, an integrator lens 1102, and a polarization conversion element 1103.

ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光(R)を反射させ、緑色光(G)と青色光(B)とを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光(G)を反射させ、青色光(B)を透過させる。 The dichroic mirror 1104 reflects the red light (R) of the polarized light flux emitted from the polarized lighting device 1100, and transmits the green light (G) and the blue light (B). The other dichroic mirror 1105 reflects the green light (G) transmitted through the dichroic mirror 1104 and transmits the blue light (B).

ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光(R)は、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と、2つの反射ミラー1107,1108と、からなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。 The red light (R) reflected by the dichroic mirror 1104 is reflected by the reflection mirror 1106 and then incident on the liquid crystal light valve 1210 via the relay lens 1205. The green light (G) reflected by the dichroic mirror 1105 is incident on the liquid crystal light bulb 1220 via the relay lens 1204. The blue light (B) transmitted through the dichroic mirror 1105 is incident on the liquid crystal light valve 1230 via a light guide system including three relay lenses 1201, 1202, 1203 and two reflection mirrors 1107, 1108.

液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報(映像信号)に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。 The liquid crystal light bulbs 1210, 1220, and 1230 are arranged so as to face each of the incident surfaces of the cross dichroic prism 1206 for each color light. The colored light incident on the liquid crystal light bulbs 1210, 1220, 1230 is modulated based on the video information (video signal) and emitted toward the cross dichroic prism 1206.

このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ1207によってスクリーン1300上に投写され、画像が拡大されて表示される。 In this prism, four right-angled prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. Three colored lights are combined by these dielectric multilayer films to synthesize light representing a color image. The combined light is projected onto the screen 1300 by the projection lens 1207, which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、上述した液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。 The liquid crystal light bulbs 1210, 1220, and 1230 are to which the above-mentioned liquid crystal device 100 is applied. The liquid crystal display 100 is arranged with a gap between a pair of polarizing elements arranged on the cross Nicol on the incident side and the emitted side of the colored light.

なお、液晶装置100が搭載される電子機器としては、プロジェクター1000の他、ヘッドアップディスプレイ(HUD)、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)、スマートフォン、EVF(Electrical View Finder)、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器などに用いることができる。 In addition to the projector 1000, the electronic devices on which the liquid crystal device 100 is mounted include a head-up display (HUD), a head-mounted display (HMD), a smartphone, an EVF (Electrical View Finder), a mobile mini-projector, an electronic book, and a mobile phone. It can be used for telephones, mobile computers, digital cameras, digital video cameras, displays, in-vehicle devices, audio devices, exposure devices, lighting devices, and the like.

上述したように、本実施形態のプロジェクター1000は、液晶ライトバルブ1210,1220,1230として上記実施形態の液晶装置100を備えている。 As described above, the projector 1000 of the present embodiment includes the liquid crystal device 100 of the above embodiment as the liquid crystal light bulbs 1210, 1220, 1230.

この構成によれば、上記に記載の液晶装置100を備えるため、表示品質を向上させることが可能なプロジェクター1000を提供することができる。 According to this configuration, since the liquid crystal device 100 described above is provided, it is possible to provide the projector 1000 capable of improving the display quality.

3a…走査線、3b…容量線、6a…データ線、10…素子基板、10a…基板、14…シール材、15…液晶層、16…容量素子、18…遮光膜、20…対向基板、20a…基板、22…データ線駆動回路、24…走査線駆動回路、25…検査回路、26…上下導通部、27…画素電極、27c…コンタクトホール、28…第1配向膜、28a…カラム、29…配線、30…薄膜トランジスター、31…対向電極、32…第2配向膜、32a…カラム、33…絶縁層、33a…ボイド、34…マイクロレンズアレイ、40…配線絶縁層、40a…第1絶縁層、40b…第2絶縁層、40c…第3絶縁層、40d…第4絶縁層、40e…第5絶縁層、40f…第6絶縁層、40g…第7絶縁層、40h…第8絶縁層、40h1…絶縁層、40h2…絶縁層、41…配線層、42…遮光膜、43…遮光膜、50…凹部、60…凹部、70…外部接続用端子、100…液晶装置、331…絶縁層、332…絶縁層、501…凹部、1000…プロジェクター、1100…偏光照明装置、1101…ランプユニット、1102…インテグレーターレンズ、1103…偏光変換素子、1104…ダイクロイックミラー、1105…ダイクロイックミラー、1106…反射ミラー、1107…反射ミラー、1201…リレーレンズ、1204…リレーレンズ、1205…リレーレンズ、1206…クロスダイクロイックプリズム、1207…投写レンズ、1210…液晶ライトバルブ、1220…液晶ライトバルブ、1230…液晶ライトバルブ、1300…スクリーン、D1…画像信号、E1…周辺領域、H1…深さ、H2…深さ、W1…幅、W2…幅。 3a ... Scanning line, 3b ... Capacitive line, 6a ... Data line, 10 ... Element substrate, 10a ... Substrate, 14 ... Sealing material, 15 ... Liquid crystal layer, 16 ... Capacitive element, 18 ... Light-shielding film, 20 ... Opposing substrate, 20a ... Substrate, 22 ... Data line drive circuit, 24 ... Scan line drive circuit, 25 ... Inspection circuit, 26 ... Vertical conduction part, 27 ... Pixel electrode, 27c ... Contact hole, 28 ... First alignment film, 28a ... Column, 29 ... Wiring, 30 ... Thin film, 31 ... Counter electrode, 32 ... Second alignment film, 32a ... Column, 33 ... Insulation layer, 33a ... Void, 34 ... Microlens array, 40 ... Wiring insulation layer, 40a ... First insulation Layer, 40b ... 2nd insulating layer, 40c ... 3rd insulating layer, 40d ... 4th insulating layer, 40e ... 5th insulating layer, 40f ... 6th insulating layer, 40g ... 7th insulating layer, 40h ... 8th insulating layer , 40h1 ... Insulation layer, 40h2 ... Insulation layer, 41 ... Wiring layer, 42 ... Light-shielding film, 43 ... Light-shielding film, 50 ... Recessed, 60 ... Recessed, 70 ... External connection terminal, 100 ... Liquid crystal device, 331 ... Insulating layer , 332 ... Insulation layer, 501 ... Recessed, 1000 ... Projector, 1100 ... Polarized lighting device, 1101 ... Lamp unit, 1102 ... Integrator lens, 1103 ... Polarized conversion element, 1104 ... Dichroic mirror, 1105 ... Dichroic mirror, 1106 ... Reflective mirror 1,107 ... Reflective mirror, 1201 ... Relay lens, 1204 ... Relay lens, 1205 ... Relay lens, 1206 ... Cross dichroic prism, 1207 ... Projection lens, 1210 ... Liquid crystal light valve, 1220 ... Liquid crystal light valve, 1230 ... Liquid crystal light valve, 1300 ... screen, D1 ... image signal, E1 ... peripheral area, H1 ... depth, H2 ... depth, W1 ... width, W2 ... width.

Claims (6)

素子基板と対向基板との間に液晶層を備える液晶装置であって、
前記対向基板は、
第一基板と、
前記第一基板と前記液晶層との間に配置された絶縁層と、
前記絶縁層と前記液晶層との間に配置された対向電極と、を備え、
前記素子基板は、
第二基板と、
前記第二基板と前記液晶層との間に配置された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のうち、平面視で隣り合う画素電極と画素電極との間に重なる位置に配置された配線層と、を備え、
前記対向基板の前記対向電極は、平面視で前記配線層と重なる位置に前記第一基板側に向けて凹んだ第一凹部を有し、
前記第一凹部の深さは、100Å以上1500Å未満である、
ことを特徴とする液晶装置。
A liquid crystal device having a liquid crystal layer between an element substrate and a facing substrate.
The facing substrate is
With the first board
An insulating layer arranged between the first substrate and the liquid crystal layer,
A counter electrode disposed between the insulating layer and the liquid crystal layer is provided.
The element substrate is
With the second board
A plurality of pixel electrodes arranged between the second substrate and the liquid crystal layer,
Among the plurality of pixel electrodes, a wiring layer arranged at a position overlapping between the adjacent pixel electrodes and the pixel electrodes in a plan view is provided.
The facing electrode of the facing substrate has a first recess recessed toward the first substrate side at a position overlapping the wiring layer in a plan view.
The depth of the first recess is 100 Å or more and less than 1500 Å.
A liquid crystal display characterized by this.
請求項1に記載の液晶装置であって、
前記対向基板は、
前記対向電極と前記液晶層との間に配置された斜方蒸着膜と、を備え、
前記第一凹部には、前記斜方蒸着膜が付いていない部分があることを特徴とする液晶装置。
The liquid crystal display according to claim 1.
The facing substrate is
An orthorhombic thin-film film disposed between the counter electrode and the liquid crystal layer is provided.
A liquid crystal display characterized in that the first recess has a portion to which the oblique vapor deposition film is not attached.
請求項1又は請求項2に記載の液晶装置であって、
前記前記第一凹部は、前記絶縁層に設けられた凹部と、前記凹部に沿って配置された対向電極よりなることを特徴とする液晶装置。
The liquid crystal display according to claim 1 or 2.
A liquid crystal display characterized in that the first recess is composed of a recess provided in the insulating layer and a counter electrode arranged along the recess.
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記絶縁層は、複数層からなり、前記複数層のうちの最も前記対向電極側に位置する絶縁層は、二酸化ケイ素からなることを特徴とする液晶装置。
The liquid crystal display according to any one of claims 1 to 3.
The liquid crystal display is characterized in that the insulating layer is composed of a plurality of layers, and the insulating layer located closest to the counter electrode side among the plurality of layers is made of silicon dioxide.
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記素子基板は、
前記遮光層と前記画素電極との間に配置された第ニ絶縁層、を備え、
前記第二絶縁層は、平面視で前記画素電極の間と重なる位置に第二凹部を有し、
前記第一凹部と、前記第二凹部と、は平面視で重なっている
ことを特徴とする液晶装置。
The liquid crystal display according to any one of claims 1 to 4.
The element substrate is
A second insulating layer arranged between the light-shielding layer and the pixel electrode is provided.
The second insulating layer has a second recess at a position overlapping between the pixel electrodes in a plan view.
A liquid crystal display characterized in that the first recess and the second recess overlap each other in a plan view.
請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。 An electronic device comprising the liquid crystal display according to any one of claims 1 to 5.
JP2020209030A 2020-12-17 2020-12-17 Liquid crystal device and electronic apparatus Pending JP2022096107A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020209030A JP2022096107A (en) 2020-12-17 2020-12-17 Liquid crystal device and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020209030A JP2022096107A (en) 2020-12-17 2020-12-17 Liquid crystal device and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022096107A true JP2022096107A (en) 2022-06-29

Family

ID=82164007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020209030A Pending JP2022096107A (en) 2020-12-17 2020-12-17 Liquid crystal device and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2022096107A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5737037B2 (en) Electro-optical device and projection display device
US10634942B2 (en) Electro-optical device and electronic device having base member, lens member and first and second insulators
US20210286225A1 (en) Optical substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
US10656455B2 (en) Electro-optical device, transmissive liquid crystal display device, and electronic device
JP2014149335A (en) Substrate for electro-optic device, electro-optic device, and electronic equipment
US20130300993A1 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP5003108B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
JP2021184005A (en) Electro-optic device, electronic apparatus and manufacturing method for electro-optic device
JP2022096107A (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP7415725B2 (en) Liquid crystal devices and electronic equipment
JP2021179490A (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP7484222B2 (en) Optical substrate, electro-optical device, electronic device, and method for manufacturing optical substrate
US11480840B2 (en) Electric optical device, electronic device, and manufacturing method of electric optical device
JP2013068874A (en) Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic equipment
JP7409236B2 (en) Electro-optical devices and electronic equipment
US11635652B2 (en) Optical substrate, electro-optical device, electronic apparatus, and method for manufacturing optical substrate
US11204519B2 (en) Liquid crystal apparatus and electronic device
US11624955B2 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP6303283B2 (en) Semiconductor device, electro-optical device, semiconductor device manufacturing method, and electronic apparatus
JP2022188878A (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP2022038106A (en) Electro-optical device and electronic device
JP2022015457A (en) Electro-optic device, electronic apparatus, electro-optic device manufacturing method
JP2022007339A (en) Electro-optic device and electronic apparatus
JP2022188879A (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP2017040847A (en) Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20210914

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20211108