JP2021179490A - Liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display and an electronic device.
液晶装置として、画素にスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。このような液晶装置は、例えば、電子機器としてのプロジェクターのライトバルブとして用いられる。 As a liquid crystal device, an active drive type liquid crystal device having a switching element in a pixel is known. Such a liquid crystal device is used, for example, as a light bulb of a projector as an electronic device.
液晶装置は、例えば、プロジェクターのレーザー光源などから強い光が照射されると、液晶層に含まれる液晶分子が分解され、液晶層の中に表示不良の原因となる不純物イオンが生成されることがある。例えば、特許文献1には、表示領域を囲む遮光領域に切り込みを設けることにより、切り込みに不純物イオンを集積させて、表示に影響を及ぼさないようにする技術が開示されている。 When a liquid crystal device is irradiated with strong light from, for example, a laser light source of a projector, liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer may be decomposed and impurity ions causing display defects may be generated in the liquid crystal layer. be. For example, Patent Document 1 discloses a technique of providing a notch in a light-shielding region surrounding a display region to accumulate impurity ions in the notch so as not to affect the display.
しかしながら、特許文献1に記載の液晶装置では、集積される不純物イオンの量が増えると、切り込みから溢れた不純物イオンによって、表示不良、即ち、角シミが発生するという課題がある。 However, the liquid crystal display described in Patent Document 1 has a problem that when the amount of accumulated impurity ions increases, display defects, that is, corner stains, occur due to the impurity ions overflowing from the notch.
液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶層を備える液晶装置であって、前記素子基板を構成する基板と前記液晶層との間に配置された絶縁層と、前記絶縁層と前記液晶層との間に配置された複数の画素電極と、前記絶縁層に設けられ、平面視で、前記画素電極と、前記画素電極に隣り合う画素電極との間に、前記液晶層につながる開口を有する凹部と、を備え、前記凹部の深さは、100Å以上である。 The liquid crystal display is a liquid crystal device having a liquid crystal layer between the element substrate and the facing substrate, and is an insulating layer arranged between the substrate constituting the element substrate and the liquid crystal layer, and the insulating layer and the above. A plurality of pixel electrodes arranged between the liquid crystal layer and an opening connected to the liquid crystal layer between the pixel electrode and the pixel electrode adjacent to the pixel electrode in a plan view provided on the insulating layer. The recess is provided with a recess having a depth of 100 Å or more.
電子機器は、上記に記載の液晶装置を備える。 The electronic device includes the liquid crystal display described above.
第1実施形態
図1及び図2に示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された素子基板10及び対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層15とを有する。素子基板10を構成する基板としての第1基材10a、及び対向基板20を構成する第2基材20aは、例えば、ガラス又は石英などである。
First Embodiment As shown in FIGS. 1 and 2, the
素子基板10は対向基板20よりも大きく、両基板は、対向基板20の外周に沿って配置されたシール材14を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層15を構成している。
The
シール材14は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材14には、例えば、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。
As the
シール材14の内側には、表示に寄与する複数の画素Pを配列した表示領域Eが設けられている。表示領域Eの周囲には、表示に寄与しない周辺回路などが設けられた周辺領域E1が配置されている。
Inside the sealing
素子基板10の1辺部に沿ったシール材14と1辺部との間には、データ線駆動回路22が設けられている。また、1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材14と表示領域Eとの間には、検査回路25が設けられている。さらに、1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材14と表示領域Eとの間には、走査線駆動回路24が設けられている。1辺部と対向する他の1辺部に沿ったシール材14と検査回路25との間には、2つの走査線駆動回路24を繋ぐ複数の配線29が設けられている。
A data
対向基板20側における額縁状に配置されたシール材14の内側には、同じく額縁状に遮光膜18が設けられている。遮光膜18は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜18の内側が複数の画素Pを有する表示領域Eとなっている。遮光膜18としては、例えば、タングステンシリサイド(WSi)を用いることができる。
A light-
これらデータ線駆動回路22、走査線駆動回路24に繋がる配線は、1辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子70に接続されている。以降、1辺部に沿った方向をX方向とし、1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。また、Z方向から見ることを平面視という。
The wiring connected to the data
図2に示すように、第1基材10aの液晶層15側の表面には、画素Pごとに設けられた光反射性を有する画素電極27と、スイッチング素子である薄膜トランジスター(以降、「トランジスター30」と呼称する)と、データ線(図示せず)と、これらを覆う第1配向膜28とが形成されている。
As shown in FIG. 2, on the surface of the
画素電極27は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜で形成されている。本発明における素子基板10は、少なくとも画素電極27、トランジスター30、第1配向膜28を含むものである。
The
対向基板20の液晶層15側の表面には、遮光膜18と、これを覆うように成膜された絶縁層33と、絶縁層33を覆うように設けられた対向電極31と、対向電極31を覆う第2配向膜32とが設けられている。本発明における対向基板20は、少なくとも遮光膜18、対向電極31、第2配向膜32を含むものである。
On the surface of the facing
遮光膜18は、図1に示すように表示領域Eを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路24、検査回路25と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮光して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Eに入射しないように遮光して、表示領域Eの表示における高いコントラストを確保している。
As shown in FIG. 1, the light-
絶縁層33は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜18を覆うように設けられている。このような絶縁層33の形成方法としては、例えばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
The
対向電極31は、例えば、ITOなどの透明導電膜からなり、絶縁層33を覆うと共に、図1に示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部26により素子基板10側の配線に電気的に接続されている。
The
画素電極27を覆う第1配向膜28および対向電極31を覆う第2配向膜32は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。第1配向膜28及び第2配向膜32としては、気相成長法を用いてSiOx(酸化シリコン)などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
The
このような液晶装置100は、透過型であって、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
Such a
図3に示すように、液晶装置100は、少なくとも表示領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、容量線3bとを有する。例えば、走査線3aが延在する方向がX方向であり、データ線6aが延在する方向がY方向である。
As shown in FIG. 3, the
走査線3aとデータ線6aならびに容量線3bと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極27と、トランジスター30と、容量素子16とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。
A
走査線3aはトランジスター30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはトランジスター30のソース領域に電気的に接続されている。画素電極27は、トランジスター30のドレイン領域に電気的に接続されている。
The
データ線6aは、データ線駆動回路22(図1参照)に接続されており、データ線駆動回路22から供給される画像信号D1,D2,…,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは、走査線駆動回路24(図1参照)に接続されており、走査線駆動回路24から供給される走査信号SC1,SC2,…,SCmを各画素Pに供給する。
The
データ線駆動回路22からデータ線6aに供給される画像信号D1〜Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路24は、走査線3aに対して、走査信号SC1〜SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
The image signals D1 to Dn supplied from the data
液晶装置100は、スイッチング素子であるトランジスター30が走査信号SC1〜SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1〜Dnが所定のタイミングで画素電極27に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極27を介して液晶層15に書き込まれた所定レベルの画像信号D1〜Dnは、画素電極27と液晶層15を介して対向配置された対向電極31との間で一定期間保持される。
In the
保持された画像信号D1〜Dnがリークするのを防止するため、画素電極27と対向電極31との間に形成される液晶容量と並列に容量素子16が接続されている。容量素子16は、2つの容量電極の間に容量膜としての誘電体層を有するものである。
In order to prevent the held image signals D1 to Dn from leaking, the
図4に示すように、液晶装置100は、素子基板10と、これに対向配置される対向基板20と、を備えている。素子基板10を構成する第1基材10aは、例えば、石英である。素子基板10は、第1基材10aの上に、絶縁層40及び配線層41と、画素電極27と、第1配向膜28と、を備えている。
As shown in FIG. 4, the
絶縁層40は、例えば、酸化シリコンで構成されており、第1絶縁層40aと、第2絶縁層40bと、第3絶縁層40cと、第4絶縁層40dと、第5絶縁層40eと、第6絶縁層40fと、第7絶縁層40gと、絶縁層としての第8絶縁層40hと、を有する。第1絶縁層40aと第2絶縁層40bとの間には、平面視で四角形の枠状に形成された遮光膜42が配置されている。配線層41は、遮光膜43と、トランジスター30と、走査線3aと、容量線3bと、データ線6aと、を備えている。
The insulating
絶縁層40の上には、画素電極27が配置されている。画素電極27の上には、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着した第1配向膜28が設けられている。第1配向膜28の上には、シール材14により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層15が配置されている。
A
一方、対向基板20は、第2基材20aを備えている。第2基材20aは、例えば、石英である。対向基板20は、第2基材20aの上(液晶層15側)に、絶縁層33と、対向電極31と、第2配向膜32と、を備えている。対向電極31は、例えば、ITO等の透明導電性膜からなる。第2配向膜32は、第1配向膜28と同様に、例えば、酸化シリコンなどの無機材料が斜方蒸着されている。
On the other hand, the facing
液晶層15は、画素電極27と対向電極31との間で電界が生じていない状態で配向膜28,32によって所定の配向状態をとる。後述するプロジェクター1000の光Lは、素子基板10側から入射する。次に、図5及び図6を参照しながら、画素Pの一部の構成について説明する。
The
図5に示すように、画素Pは、隣り合う画素電極27と画素電極27との間に、データ線6aや走査線3aが配置されている。また、データ線6aと走査線3aとが交差する部分にトランジスター30が配置されている。
As shown in FIG. 5, in the pixel P, a
図6は、素子基板10における第8絶縁層40hから画素電極27までの構造を示す断面図である。図6に示すように、第8絶縁層40hは、例えば、TEOS(Tetraethoxysilane)膜である絶縁層40h1と、例えば、BSG(Borosilicate Glass)膜である絶縁層40h2との積層膜である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of the
隣り合う画素電極27と画素電極27との間の絶縁層40h2には、液晶層15側に開口し、液晶層15につながる凹部50が設けられている。具体的には、凹部50は、絶縁層40h2に設けられている。凹部50の深さHは、例えば、100Å以上である。凹部50の製造方法としては、例えば、マスクを用いて画素電極27をパターニングした後、ドライエッチング処理を追加して形成する。画素電極27と画素電極27との間、即ち、凹部50の開口50aの幅Wは、例えば、0.3μm〜0.6μmである。
The insulating layer 40h2 between the
このように、画素電極27と画素電極27との間の絶縁層40h2に100Å以上の深さの凹部50が設けられているので、例えば、液晶層15から生成された不純物イオンを凹部50の開口50aを介して凹部50の中に留めることが可能となる。言い換えれば、表示領域Eの中に設けられた複数の凹部50に不純物イオンを分散させて留めることができる。よって、不純物イオンによる表示不良、言い換えれば、角シミが発生することを抑えることができる。また、BSG膜である絶縁層40h2に凹部50が設けられているので、BSG膜の吸湿性を利用することが可能となり、イオントラップ効果を高めることができる。
As described above, since the insulating layer 40h2 between the
図7に示すように、素子基板10の表面、及び対向基板20の表面には、例えば、酸化シリコンを物理気相成長法の一例である真空蒸着法により、斜方蒸着して得られた第1配向膜28及び第2配向膜32が形成されている。斜方蒸着する蒸着角度θbは、例えば、45°である。これにより、素子基板10及び対向基板20の表面には、酸化シリコンの結晶体が柱状に成長する。柱状に成長した柱状結晶体を、カラム28a,32aと称する。第1配向膜28は、カラム28aの集合体である。第2配向膜32は、カラム32aの集合体である。
As shown in FIG. 7, the surface of the
カラム28a,32aの成長角度θcは、蒸着角度θbと必ずしも一致せず、例えば、70°となっている。第1配向膜28及び第2配向膜32の表面において、略垂直配向する液晶分子LCのプレチルト角θpは、例えば、85°である。また、素子基板10及び対向基板20の基板面から見た液晶分子LCのプレチルトの方向、即ち方位角方向は、第1配向膜28及び第2配向膜32における斜方蒸着における平面的な蒸着方向と同じである。
The growth angles θc of the
図8に示すように、画素電極27と対向電極31との間に駆動電圧を印加して液晶層15を駆動すると、液晶分子LCがプレチルトの方位角方向に倒れる。液晶層15の駆動(ON/OFF)を繰り返すと、液晶分子LCは、プレチルトの方位角方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。
As shown in FIG. 8, when a driving voltage is applied between the
このとき、液晶分子LCの向きが変わることで、液晶層15の中の液晶分子LCが循環される。この循環に伴って、液晶層15に生成された不純物イオンを、表示領域Eの全体に亘って分散させ、凹部50の中にトラップすることができる。
At this time, the liquid crystal molecule LC in the
図9に示すように、本実施形態のプロジェクター1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投写レンズ1207とを備えている。
As shown in FIG. 9, the
偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。
The
ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光(R)を反射させ、緑色光(G)と青色光(B)とを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光(G)を反射させ、青色光(B)を透過させる。
The
ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光(R)は、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。
The red light (R) reflected by the
液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報(映像信号)に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。
The liquid
このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ1207によってスクリーン1300上に投写され、画像が拡大されて表示される。
In this prism, four right-angled prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. Three colored lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and light representing a color image is synthesized. The combined light is projected onto the
液晶ライトバルブ1210は、上述した液晶装置100が適用されたものである。なお、液晶ライトバルブ1210は、後述する液晶装置200,300も適用される。液晶装置100は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。
The liquid
なお、液晶装置100が搭載される電子機器としては、プロジェクター1000の他、ヘッドアップディスプレイ(HUD)、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)、スマートフォン、EVF(Electrical View Finder)、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
In addition to the
以上述べたように、本実施形態の液晶装置100は、素子基板10を構成する第1基材10aと液晶層15との間に配置された第8絶縁層40hと、第8絶縁層40hと液晶層15との間に配置された複数の画素電極27と、第8絶縁層40hに設けられ、平面視で、画素電極27と、該画素電極27に隣り合う画素電極27との間に、液晶層15につながる開口51aを有する凹部50と、を備え、凹部50の深さは、100Å以上である。
As described above, the
この構成によれば、画素電極27と、該画素電極27に隣り合う画素電極27との間に、液晶層15とつながる開口51aを有し、深さが100Å以上の凹部50が設けられているので、例えば、液晶層15から生成された不純物イオンを凹部50の中に留めることが可能となる。言い換えれば、表示領域Eの中の複数の凹部50に不純物イオンを分散させて留めることができる。よって、不純物イオンによる表示不良、言い換えれば、角シミが発生することを抑えることができる。
According to this configuration, a
また、第8絶縁層40hは、異なる2層の絶縁層を積層した構造であり、第1基材10a側からTEOS膜と、TEOS膜上に積層されたBSG膜からなり、凹部50は、BSG膜に設けられている。これによれば、BSG膜の吸湿性を利用することが可能となり、イオントラップ効果を高めることができる。
The eighth insulating
また、上記に記載の液晶装置100を備えるので、表示品質を向上させることが可能なプロジェクター1000を提供することができる。
Further, since the
第2実施形態
第2実施形態の液晶装置200は、図10に示すように、凹部51は、画素電極27と画素電極27との間に開口51aと、開口51aよりも幅広の部分51bとを有し、幅広の部分51bは、平面視で画素電極27と重なり、画素電極27の裏面27aに回り込んで設けられている部分であり、この点が、第1実施形態の液晶装置100と異なっている。その他の構成については概ね同様である。このため第2実施形態では、第1実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
Second Embodiment In the
第2実施形態の液晶装置200は、第1実施形態と同様に、第8絶縁層40hがTEOS膜とBSG膜との2層で構成されている。凹部51は、BSG膜である絶縁層40h2に設けられている。具体的には、凹部51の端部が画素電極27の裏になるように配置されている。凹部51の深さHは、第1実施形態の凹部50と同様に、100Å以上である。
In the
凹部51の製造方法としては、マスクを用いて画素電極27をパターニングした後、ウェットエッチング処理を追加して形成する。凹部51の形状は、例えば、球面形状である。このように、凹部51が画素電極27の裏に回り込んでいるので、凹部51の体積を増やすことが可能となり、不純物イオンのトラップ効果を高めることができる。
As a method for manufacturing the
なお、上記した第1実施形態の凹部50は、以下のような構造でもよい。図11は、変形例の液晶装置300の凹部50の構造を示す断面図である。変形例の液晶装置300の凹部50は、第1配向膜28、即ち、斜方蒸着膜のカラム28aが形成されている部分と、形成されていない部分と、を有する。これによれば、斜方蒸着膜が付いていない部分があるので、凹部50の中に不純物イオンを留めることができる。
また、上記した第2実施形態の凹部51も、図11の変形例と同様に、凹部51が、斜方蒸着膜のカラム28aが形成されている部分と、形成されていない部分とを有する構成としてもよい。
The
Further, the
なお、上記実施形態のように、第8絶縁層40hに凹部50,51を設けたが、これに限定されず、画素電極27の下の膜であればどのような膜でもよい。
Although the
3a…走査線、3b…容量線、6a…データ線、10…素子基板、10a…第1基材、14…シール材、15…液晶層、16…容量素子、18…遮光膜、20…対向基板、20a…第2基材、22…データ線駆動回路、24…走査線駆動回路、25…検査回路、26…上下導通部、27…画素電極、28…第1配向膜、28a…カラム、29…配線、30…トランジスター、31…対向電極、32…第2配向膜、32a…カラム、33…絶縁層、40…絶縁層、40a…第1絶縁層、40b…第2絶縁層、40c…第3絶縁層、40d…第4絶縁層、40e…第5絶縁層、40f…第6絶縁層、40g…第7絶縁層、40h…絶縁層としての第8絶縁層、40h1…絶縁層、40h2…絶縁層、41…配線層、42…遮光膜、43…遮光膜、50…凹部、51…凹部、70…外部接続用端子、100…液晶装置、200…液晶装置、300…液晶装置、1000…プロジェクター、1100…偏光照明装置、1101…ランプユニット、1102…インテグレーターレンズ、1103…偏光変換素子、1104…ダイクロイックミラー、1105…ダイクロイックミラー、1106…反射ミラー、1107…反射ミラー、1108…反射ミラー、1201…リレーレンズ、1202…リレーレンズ、1203…リレーレンズ、1204…リレーレンズ、1205…リレーレンズ、1206…クロスダイクロイックプリズム、1207…投写レンズ、1210…液晶ライトバルブ、1220…液晶ライトバルブ、1230…液晶ライトバルブ、1300…スクリーン。 3a ... Scanning line, 3b ... Capacitive line, 6a ... Data line, 10 ... Element substrate, 10a ... First base material, 14 ... Sealing material, 15 ... Liquid crystal layer, 16 ... Capacitive element, 18 ... Light-shielding film, 20 ... Opposing Substrate, 20a ... 2nd substrate, 22 ... Data line drive circuit, 24 ... Scan line drive circuit, 25 ... Inspection circuit, 26 ... Vertical conduction part, 27 ... Pixel electrode, 28 ... First alignment film, 28a ... Column, 29 ... wiring, 30 ... transistor, 31 ... counter electrode, 32 ... second alignment film, 32a ... column, 33 ... insulating layer, 40 ... insulating layer, 40a ... first insulating layer, 40b ... second insulating layer, 40c ... 3rd insulating layer, 40d ... 4th insulating layer, 40e ... 5th insulating layer, 40f ... 6th insulating layer, 40g ... 7th insulating layer, 40h ... 8th insulating layer as an insulating layer, 40h1 ... insulating layer, 40h2 ... Insulation layer, 41 ... Wiring layer, 42 ... Light-shielding film, 43 ... Light-shielding film, 50 ... Recessed, 51 ... Recessed, 70 ... External connection terminal, 100 ... Liquid crystal device, 200 ... Liquid crystal device, 300 ... Liquid crystal device, 1000 ... Projector, 1100 ... Polarized lighting device, 1101 ... Lamp unit, 1102 ... Integrator lens, 1103 ... Polarized conversion element, 1104 ... Dichroic mirror, 1105 ... Dichroic mirror, 1106 ... Reflection mirror, 1107 ... Reflection mirror, 1108 ... Reflection mirror, 1201 ... Relay lens, 1202 ... Relay lens, 1203 ... Relay lens, 1204 ... Relay lens, 1205 ... Relay lens, 1206 ... Cross dichroic prism, 1207 ... Projection lens, 1210 ... Liquid crystal light valve, 1220 ... Liquid crystal light valve, 1230 ... LCD light valve, 1300 ... screen.
Claims (5)
前記素子基板を構成する基板と前記液晶層との間に配置された絶縁層と、
前記絶縁層と前記液晶層との間に配置された複数の画素電極と、
前記絶縁層に設けられ、平面視で、前記画素電極と、前記画素電極に隣り合う画素電極との間に、前記液晶層につながる開口を有する凹部と、
を備え、
前記凹部の深さは、100Å以上であることを特徴とする液晶装置。 A liquid crystal device having a liquid crystal layer between an element substrate and a facing substrate.
An insulating layer arranged between the substrate constituting the element substrate and the liquid crystal layer, and
A plurality of pixel electrodes arranged between the insulating layer and the liquid crystal layer,
A recess provided in the insulating layer and having an opening connected to the liquid crystal layer between the pixel electrode and the pixel electrode adjacent to the pixel electrode in a plan view.
Equipped with
A liquid crystal display characterized in that the depth of the recess is 100 Å or more.
前記凹部は、平面視で、前記画素電極と重なる部分を有することを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal display according to claim 1.
A liquid crystal display characterized in that the recess has a portion that overlaps with the pixel electrode in a plan view.
前記画素電極と前記液晶層との間に斜方蒸着膜が配置されており、
前記凹部の中に前記斜方蒸着膜が付いていない部分があることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal display according to claim 1 or 2.
An orthorhombic vapor deposition film is arranged between the pixel electrode and the liquid crystal layer.
A liquid crystal display characterized in that there is a portion in the concave portion to which the oblique vapor deposition film is not attached.
前記絶縁層は、第1絶縁層と、前記第1絶縁層に積層され、前記凹部が設けられた第2絶縁層を含み、
前記第2絶縁層は、BSG膜であることを特徴とする液晶装置。 The liquid crystal display according to any one of claims 1 to 3.
The insulating layer includes a first insulating layer and a second insulating layer laminated on the first insulating layer and provided with the recesses.
The second insulating layer is a liquid crystal display characterized by being a BSG film.
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