JP2022085816A - 基板保持盤 - Google Patents

Abstract

【課題】粗面の摩耗を抑制することが可能な基板保持盤を提供する。【解決手段】基板保持面を有している基板保持盤１であり、この基板保持盤は、基部２と基部に対して基板保持面の側に設けられた基板を支持する突部３を有している。少なくともその突部の最上面は粗面であり、基部または突部が低硬度部分３１を有している。突部は、低硬度部分３１よりも硬度の高い高硬度部分５を有している。高硬度部分は、粗面の頂部５１から距離Ｄの範囲に設けられる。距離Ｄは、頂部と頂部に隣接した底部５２の高低差Ｈよりも小さい。【選択図】図７

Description

本発明は、基板保持盤に関する。

種々の電子デバイスの製造において用いられるガラスやシリコンなどの基板は、基板保持盤の保持面上に配置され、基板保持盤によって保持される。

基板保持盤の保持面を粗面にすることが有用である。

特許文献１には、基板保持盤において、基板を支持する支持面と、基板を支持しない非支持面が粗面であり、粗面がアルミナからなる形態が開示されている。

特開２００６－６４９９２号公報

特許文献１の基板保持盤では、基板保持盤の支持面に形成された粗面が基板との接触によって摩耗し、平坦化してしまうという問題があった。

そこで本発明では、粗面の摩耗を抑制することが可能な基板保持盤を提供することを第一の目的とする。

また、基板保持盤の表面における光の反射を低減することを第二の目的とする。

第一の目的を達成するための手段は、基板保持面を有する基板保持盤であって、基部と、前記基部に対して前記基板保持面の側に設けられた、基板を支持する突部と、を有し、前記基部および前記突部の最上面は算術平均粗さＲａが０．４μｍ以上である粗面であり、前記基部または前記突部が第一部分を有しており、前記突部が、前記第一部分よりも硬度の高い第二部分を有し、前記第二部分が、前記粗面の頂部から距離Ｄの範囲に設けられ、前記距離Ｄは、前記頂部と、前記頂部に隣接した底部の高低差Ｈよりも小さいことを特徴とする。

第二の目的を達成するための手段は、基板保持面を有する基板保持盤であって、第一部分を有する基材と、前記第一部分に対して前記基板保持面の側に設けられた、前記第一部分よりも硬度の高い第二部分と、前記第二部分に対して前記基板保持面の側に設けられた、前記第二部分よりも屈折率の低い第三部分と、を有し、前記第二部分の屈折率ｎ_２と前記第一部分の屈折率ｎ_１との差ｎ_２－ｎ_１は、前記第二部分の屈折率ｎ_２と前記第三部分の屈折率ｎ_３との差ｎ_２－ｎ_３よりも小さいことを特徴とする。

第二の目的を達成するための他の手段は、基板保持面を有する基板保持盤であって、第一部分を有する基材と、前記第一部分に対して前記基板保持面の側に設けられた、前記第一部分よりも硬度の高い第二部分と、前記第二部分に対して前記基板保持面の側に設けられた、多孔質材料からなる第三部分と、を有することを特徴とする。

第一の目的を達成するための手段は、基板保持面を有する基板保持盤であって、第一部分を有する基材と、前記第一部分に対して前記基板保持面の側に設けられた、前記第一部分よりも硬度の高い第二部分と、を有し、前記第一部分の材料は、酸素含有量が２５ａｔ％以上であり、前記第二部分の材料は、炭素含有量または窒素含有量が２５ａｔ％以上であり、前記第一部分は、前記第二部分から１００ｎｍ以内の範囲に、窒素含有量が１ａｔ％以上である窒素含有領域を有することを特徴とする。

本発明によれば、基板保持盤の粗面の摩耗を抑制する上で有利な技術を提供することができる。

基板保持盤の斜視図。 基板保持盤を説明する模式図。 基板保持盤を説明する模式図。 基板保持盤を説明する模式図。 基板保持盤を説明する模式図。 基板保持盤を説明する模式図。 基板保持盤を説明する模式図。 基板保持盤を説明する模式図。 露光装置の模式図。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、以下に説明する形態は、発明の１つの実施形態であって、これに限定されるものではない。なお、以下の説明および図面において、複数の図面に亘って共通の構成については共通の符号を付している。そして、共通する構成を複数の図面を相互に参照して説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。

図１（ａ）に、本実施形態に係る第１例の基板保持盤の斜視図を示す。本実施形態における基板保持盤１は、基部２と、基部２の上に、突部３を有している。基板保持盤１の２つの主面（表面と裏面）のうちの一方の面（便宜的に表面とする）が、基板保持面であり、基板保持面に突部３が設けられている。少なくとも突部３の最上面と側面とが基板保持面を構成する。

図１（ｂ）に、図１（ａ）の基板保持盤１に基板７を載置する際の斜視図を示す。基板保持盤１の保持面の上に基板７が載置される。基部２と、基部２の上に設けられた突部３が、基板７の保持を行う。とりわけ、保持面の突部３が、基板７の支持を行う。突部３で基板７を支持することで、基板保持盤１と基板７との接触面積が小さくなり、突部３が設けられていない場合に比べて、基板７の損傷を抑制することができる。保持面の上に基板７が載置されている場合には、突部３の最上面は基板保持盤１と基板７との接触面である。保持面の上に基板７が載置されていない場合には、突部３の最上面は基板保持盤１の雰囲気（例えば空気や不活性ガス）と接触している。第１例の基板保持盤１に載置する基板７は、電子デバイスの製造に用いられる基板７である。この基板７は、電子デバイスの一部を構成しうるが、電子デバイスの製造の途中で除去されて、電子デバイスを構成しない場合もある。基板７は、例えば有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ、太陽電池パネルなどの製造に用いられるガラス基板や樹脂基板でありうる。

本例の基板保持盤１には吸引孔部４が設けられており、吸引孔部４を介して基板７の真空吸着を行うが、吸引孔部４は、省略しても良い。

図１（ｃ）に、本実施形態に係る第２例の基板保持盤の斜視図を示す。図１（ｄ）に、図１（ｃ）の基板保持盤１に基板７を載置する際の斜視図を示す。第２例の基板保持盤１は、その外形が円形である点で、図１（ａ）と異なるが、その他の構成は同じである。第２例の基板保持盤１に載置する基板７は、例えばＳｉウェーハやＳｉＣウェーハなどの半導体基板、ガラスウェーハやプラスチックウェーハなどの絶縁体基板でありうる。

図１（ａ）～（ｄ）に示した基板保持盤１は、様々な電子デバイスの製造装置に用いることができる。例えば、基板７の上に塗布されたフォトレジストを露光する露光装置において、基板７を保持する際に用いることができる。露光装置用だけではなく、成膜装置用やエッチング装置用などにも用いることができる。

図１（ｅ）に示すように複数個の基板保持盤１を並べて、基板保持具１１として使用することができる。

＜第一の実施形態＞
次に、図２を用いて、第一の実施形態の説明を行う。

図２（ａ）は、図１（ａ）あるいは図１（ｃ）の円１０で囲んだ範囲を拡大した断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の円１１で囲んだ範囲を拡大した図である。図２（ｃ）は、図２（ｂ）の円１２で囲んだ範囲を拡大した図である。

本実施形態の基板保持盤１は、図１（ａ）あるいは図１（ｃ）で説明したように、基部２と、突部３とを有している。保持面のうち、少なくとも突部３の最上面が粗面である。以下の説明における「粗面」は、算術平均粗さＲａが０．４μｍ以上である面であることが好ましい。突部３は、基部２より硬度の高い部分である高硬度部分５を有している。この点は、本実施形態だけでなく、他の実施形態でも同様でありうる。本実施形態では、保持面のうち、突部３の最上面が粗面であるものとして説明する。また高硬度部分５は、保持面のうち、突部３の最上面に設けられているものとして説明する。

基部２について説明する。基部２は、構成部２１、構成部２２、構成部２３から構成されている。構成部２１、構成部２２、構成部２３のそれぞれは、互いに同じ材料からなる。少なくとも共通の材料で構成されている構成部２１、２２、２３を基材と呼び、前記材料と共通の材料で構成されている部分も基材と呼ぶ。構成部２１、２２、２３はそれぞれ、同一平面上に位置している。また、構成部２１、２２，２３の下面もそれぞれ、同一平面上に位置しており、基板保持面の反対側である裏面２４を構成している。構成部２２は、構成部２１と構成部２３の間に位置している。

突部３について説明する。突部３は、基部２のうち構成部２２の上に存在しており、構成部２１、構成部２３の上には、突部３は存在しておらず、空間が設けられている。突部３は、構成部２１の上の空間と、構成部２３の上の空間との間に存在しており、空間は２つの突部３の間に存在している。

突部３は、基部２と同じ材料からなる部分である低硬度部分３１と高硬度部分５から構成されている。低硬度部分３１も基材である。

次に、高硬度部分５について説明する。高硬度部分５は、基部２より硬度が高い部分であればよい。高硬度部分５は、低硬度部分３１より硬度が高い部分でありうる。

図２（ｃ）について説明する。本実施形態は、保持面のうち、少なくとも突部３の最上面が粗面であり、突部３が高硬度部分５を有している。高硬度部分５が、粗面の頂部５１から距離Ｄの範囲に設けられている。距離Ｄは、頂部５１と、頂部５１に隣接した底部５２の高低差Ｈよりも小さい（Ｄ＜Ｈ）。

最上面における粗面の頂部５１は、少なくともひとつでも設けられていればよいが、最上面には複数の頂部が設けられていることが好ましく、最上面には５個以上の頂部が設けられていることが好ましい。５個以上の頂部５１のそれぞれについて、隣接した底部５２との高低差Ｈよりも小さい範囲に、高硬度部分５が設けられていることが好ましい。また、最上面における粗面の最高の頂部５１と隣接する底部５２との高低差Ｈｍａｘを定義することができる。５個以上の頂部５１のそれぞれについて、高硬度部分５が、粗面の頂部５１から距離Ｄｍａｘの範囲に設けられていてもよい。ここで、距離Ｄｍａｘは高低差Ｈｍａｘよりも小さい（Ｄｍａｘ＜Ｈｍａｘ）ものとする。

また、高低差Ｈｍａｘは、頂部から低硬度部分３１までの距離よりも大きいことが好ましい。

本実施形態では、高硬度部分５が、粗面の頂部から隣接する底部までの高低差Ｈよりも小さい距離Ｄの範囲に設けられていることで、最上面の粗面が高硬度部分５で形成され、粗面の摩耗を抑制することができる。

少なくとも最上面の少なくとも一部が、高硬度部分５であればよいが、粗面の頂部が高硬度部分５で構成されていれば、より好適である。このような構成により、基板７と最上面の粗面との接触による摩耗が、高硬度部分５によって抑制できる。本実施形態では、保持面のうち、突部３の最上面のみが粗面化されており、突部３の最上面の粗面は、高硬度部分５で構成されている。少なくとも基板７との接触面である突部３の最上面の粗面が、高硬度部分５で構成されていれば、最上面の粗面が高硬度部分５で構成されていない場合に比べて、粗面の摩耗を抑制する上でより好適である。

突部３の最上面を粗面にすることで、露光処理を行う際に、基板保持盤の表面における反射率を低減することが可能となる。それにより、照射強度の変動が減少し、露光ムラを抑制することができる。

ほかにも、基部２と高硬度部分５の密着力を向上させる効果や、基板との接触面積が、突部３の最上面が粗面でない場合に比べて、小さくなることで、基板へのダメージも少なくなるといった効果もある。

本実施形態における基材（基部２及び低硬度部分３１）を構成する材料は、ブラックアルミナである。ブラックアルミナの硬度はたとえば、約１６００Ｈｖである。基材（基部２及び低硬度部分３１）の厚さは、基板保持盤１としての機械的強度を確保するための厚さが必要となり、例えば１０～１００ｍｍであり、６０ｍｍ以下であることが好ましい。基材（基部２及び低硬度部分３１）の厚さは、３０ｍｍ以下であってもよい。

基材を構成する材料は、ブラックアルミナに限定されるものではなく、アルミナやセラミックス、ジルコニア、ガラス、プラスチック、金属などでもよい。低硬度部分３１の硬度は、１０００～２０００Ｈｖであれば好ましい。

本実施形態において、突部３のうち、低硬度部分３１の上面も粗面であり、低硬度部分３１の上面の粗面は、低硬度部分３１に対するブラスト加工によって形成されている。突部３の最上面の粗面は、低硬度部分３１の上面の粗面の形状を反映した形状を有しうる。高硬度部分５の厚さが小さいほど、低硬度部分３１の上面の粗面の形状と、突部３の最上面の粗面の形状の相関関係は大きくなる。

突部３の最上面の算術平均粗さＲａは、例えば０．４～１０μｍの範囲である。突部３の最上面の算術平均粗さＲａは、０．６μｍ以上であってよく、０．８μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよい。突部３の最上面の算術平均粗さＲａは、８．０μｍ以下であってもよく、６．０μｍ以下であってもよく、４．０μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以下であってもよい。低硬度部分３１の上面の粗面の形状を反映した突部３の最上面の算術平均粗さＲａを０．４μｍ以上とするには、低硬度部分３１の上面の算術平均粗さＲａは０．４μｍよりも大きいことが好ましく、例えば０．６μｍ以上とすることができる。基部２と突部３の最上面の算術平均粗さＲａは０．４～４．０μｍの範囲とすることが良い。

突部３の形状および配列ピッチは、基板７の支持が可能であればよく、ここでは、円錐台形状又は円柱形状の突部である。突部３のピッチは、例えば１ｍｍ以上１００ｍｍ以下であり、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下が好ましい。突部３のピッチは、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。また突部３の高さは、例えば１０μｍ以上１ｍｍ以下であり、０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下が好ましい。突部３の高さは、例えば５０μｍ以上０．５ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以下であってもよい。

高硬度部分５の材質としては摩耗抑制効果を向上させるため、プラズマＣＶＤ法により成膜されたＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を用いている。ＤＬＣは水素を含有していてもよい。ＤＬＣの水素含有量が低いほど、硬度が高くなり、脆性が高くなりやすい。ＤＬＣの水素含有量が高いほど、硬度が低くなり、靱性が高くなりやすい。ＤＬＣの硬度は、例えば６～１６ＧＰａになりうるが、水素含有量を調整することで９～１３ＧＰａとすることができる。例えば、ＤＬＣの水素含有量が２１～２６ａｔ％であれば、粗面を有する高硬度部分５を成す上で、良好な膜質（高い硬度と高い靭性）を得ることができる。ＤＬＣの水素含有量が２３～２６ａｔ％であってもよい。ＤＬＣ中の水素含有量は、成膜条件、例えば、原料ガスの流量や基板バイアスで制御することができる。ＤＬＣ中の水素含有量は、弾性反跳検出分析（ＥＲＤＡ）によって分析することができる。ＤＬＣはアルゴンを含有していてもよい。ＤＬＣのアルゴン含有量が高いほどＤＬＣの屈折率が低くなりうるため、反射抑制に有効である。ＤＬＣのアルゴン含有量は１０ａｔ％未満であってよい。なお、元素の含有量を示すａｔ％とは、ａｔｏｍ％あるいは原子％のことである。元素の含有量（濃度）は、本明細書で言及する分析方法の他に、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）でも分析が可能である。

高硬度部分５の材質は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）に限らず、ＳｉＣ（シリコンカーバイド、炭化シリコン）や、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＴｉＣ（炭化チタン）、セラミックスや超硬合金でも良い。基材の硬度が約１６００Ｈｖであれば、高硬度部分５の硬度は２０００～４０００Ｈｖが好ましい。

最上面の粗面を高硬度部分５で構成することで、粗面の摩耗を抑制することができる。高硬度部分５の厚さは、基板７との接触によって粗面が摩耗することを抑制するための厚さが必要となり、例えば０．４μｍ以上であり、１μｍ以上が好ましい。ただし、１０μｍ以上となると、高硬度部分５にクラックが生じる可能性が高くなるため、１０μｍ以下が好ましい。

高硬度部分５の膜厚は、突部３の最上面の粗面の高低差Ｈよりも厚いことが好ましい。また、高硬度部分５は、底部５２から高低差Ｈより小さい範囲に設けられていてもよい。粗面の頂部５１から隣接する粗面の底部５２までの高低差Ｈは、０．１μｍ以上１．２μｍ以下が好ましい。

低硬度部分３１は、第一部分と呼ぶことができ、高硬度部分５は、第二部分と呼ぶことができる。

低硬度部分３１の上面の粗面の形状を、突部３の最上面の粗面の形状に反映させる上では、高硬度部分５の厚さは小さい方が好ましい。具体的には、高硬度部分５の厚さμｍは、低硬度部分３１の上面の粗面の算術平均粗さＲａの４倍以下であることが好ましく、２倍以下であることがより好ましい。低硬度部分３１の上面の粗面の算術平均粗さＲａと、突部３の最上面の粗面の算術平均粗さＲａとが、等しいと近似できる。そうすると、高硬度部分５の厚さは、突部３の最上面の粗面の算術平均粗さＲａの４倍以下であることが好ましく、２倍以下であることがより好ましいといえる。突部３の最上面の粗面の高低差Ｈは、突部３の最上面の粗面の算術平均粗さＲａのおおむね２倍程度と近似することができる。従って、高硬度部分５の厚さは、突部３の最上面の粗面の高低差Ｈの２倍以下であることが好ましく、１倍以下であることがより好ましいといえる。また、突部３の最上面の算術平均粗さＲａが０．４μｍ以上であれば、高低差Ｈは０．８μｍ以上であることが好ましい。高硬度部分５の厚さが、突部３の最上面の粗面の算術平均粗さＲａの２倍以下であれば、突部３の最上面の粗面の底部５２の位置が、突部３の最上面の粗面の頂部５１に対応する低硬度部分３１の上面の粗面の頂部よりも、低い位置に配置されやすくなる。このことは、突部３の最上面の粗面の形状を、高硬度部分５の下地である低硬度部分３１の上面の粗面の形状で制御するうえで有利である。低硬度部分３１の上面の粗面の粗さが小さいほど、高硬度部分５の厚さは小さくした方がよく、低硬度部分３１の上面の粗面の粗さが大きいほど、高硬度部分５の厚さを大きくした方がよい。

次に本実施形態に係る吸引孔部４の説明を行う。吸引孔部４は、突部３上に載置した基板７を吸着保持するため、吸引孔部４の下側開口部を真空ポンプ（図示略）に接続し、突部３の周辺の空気を吸引減圧できるようにした。突部３を設けることで、設けない場合に比べて、より多くの空気を吸引することができる。吸引孔部４の側面は、本例では高硬度部分５によってコーティングされているが、基板７と対向する面ではないため、高硬度部分５でコーティングされていなくても良い。同様にして、高硬度部分５は、基部２の裏面２４、基部２の側面２４０にコーティングされている必要はない。

＜第二の実施形態＞
次に、図３（ａ）および図３（ｂ）および図３（ｃ）を用いて第二の実施形態を説明する。

図３（ａ）は、本実施形態における基板保持盤１の一例を表す断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の円１１で囲まれた範囲の拡大図である。また図３（ｃ）は、図３（ａ）の円１３に囲まれた範囲の拡大図である。なお、図３（ｂ）の円１２に囲まれた範囲における突部３の最上面の構造は、図２（ｂ）の円１２で囲まれた範囲の拡大図である図２（ｃ）で説明した構造と同じ構造であってよいため、説明を省略する。

本実施形態の基板保持盤１は、基板保持盤１の保持面において、突部３の最上面だけでなく、突部３の側面、構成部２１、構成部２３（上に突部がない部位である第一部位）の上にも高硬度部分５で構成された粗面が設けられている点で第一の実施形態と異なる。

基板保持盤１において、基部２は突部３ではない部分の全体を意味しうる。基部２の最上面は突部３の両側の空間に接する。第一実施形態において突部３が高硬度部分５と低硬度部分３１を含んでいたのと同様に、第二実施形態において基部２は高硬度部分５と低硬度部分とを含みうる。第一実施形態において基部２は構成部２１～２３と同義でありえたが、第二実施形態において基部２は、高硬度部分と、構成部２１～２３以外の低硬度部分と、を含みうる。したがって、このような基部２のうちのの、高硬度部分と、構成部２１～２３以外の低硬度部分とを、特に、遷移部９と称するが、遷移部９は基部２の一部である。

本実施形態の基板保持盤１は、基部２が構成部２１～２３の他に遷移部９を有している。遷移部９について説明する。遷移部９は、基部２のうち、構成部２２から突部３へ遷移する部分、又は、基部２のうち、構成部２１，２３から構成部２１，２３の上に設けられた空間へ遷移する部分である。本実施形態では、遷移部９は、構成部２１～２３と同じ材料（基材）からなる部分（低硬度部分）と、高硬度部分５で構成されている。

遷移部９は、構成部２２から、低硬度部分を介して突部３へ遷移する位置、又は構成部２１，２３から高硬度部分５を介して構成部２１，２３の上に設けられた空間へ遷移する位置に存在している。詳細には、構成部２２と突部３の間の遷移部９は、低硬度部分（基材）で構成された部分と、この部分の両側の高硬度部分５で構成された部分とを含む。

図３（ｃ）について説明する。図３（ｃ）は、図３（ａ）の円１３に囲まれた範囲の拡大図である。本実施形態は、図３（ｂ）に示されているように、保持面のうち、突部３の側面が粗面である。基材である構成部２１、２３の上面も粗面である。また、構成部２１、２３の上には、高硬度部分５で構成された第二部位５５が設けられ、高硬度部分５で構成された第二部位５５の基板保持面の側の上面は粗面である。基板と接触しない面である、第二部位５５の基板保持面の側の上面が粗面である構成は、反射率の低減に好適である。

また、突部３の側面、構成部２１、２３の上が高硬度部分５で構成されることで、基板保持盤１と高硬度部分５との接触面積が増加し、基板保持盤１と高硬度部分５との膜剥がれを抑制することができる。

本実施形態における、図３（ｃ）に示された距離Ｄは、高低差Ｈより小さい範囲に存在しているが、少なくとも突部３の最上面における距離Ｄが、高低差Ｈより小さい範囲に存在していればよい。

その他、高硬度部分５（第二部位５５）や、その下地である低硬度部分（構成部２１、２３）の表面形状については、第一の実施形態における高硬度部分５や低硬度部分３１の表面形状と同様であってよい。基部２の最上面の算術平均粗さＲａは、例えば０．４～１０μｍの範囲である。基部２の最上面の算術平均粗さＲａは、０．６μｍ以上であってよく、０．８μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよい。基部２の最上面の算術平均粗さＲａは、８．０μｍ以下であってもよく、６．０μｍ以下であってもよく、４．０μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以下であってもよい。構成部２１、２３の上面の粗面の形状を反映した基部２の最上面の算術平均粗さＲａを０．４μｍ以上とするには、構成部２１、２３の上面の算術平均粗さＲａは０．４μｍよりも大きいことが好ましく、例えば０．６μｍ以上とすることができる。基部２と突部３の最上面の算術平均粗さＲａは０．４～４．０μｍの範囲とすることが良い。

＜第三の実施形態＞
次に図４（ａ）および図４（ｂ）を用いて第三の実施形態を説明する。本実施形態と第二の実施形態とは、低硬度部分３１の上面が、突部３の最上面の粗面に比べ、平坦である点が異なる。この場合、第一の実施形態、第二の実施形態と同様に、突部３の最上面の粗面に、高硬度部分５が含まれているため、粗面の摩耗を抑制することができる。

＜第四の実施形態＞
次に図５（ａ）および図５（ｂ）を用いて第四の実施形態を説明する。本実施形態は、第二の実施形態のうち、突部３が高硬度部分５のみで構成されている形態を示している。この場合、反射率を低減させるための粗面に、高硬度部分５が含まれているため、粗面の摩耗を抑制することができる。本実施形態では、遷移部９は高硬度部分５で構成されている。

＜第五の実施形態＞
次に図６（ａ）および図６（ｂ）を用いて第五の実施形態を説明する。本実施形態は、基部２が高硬度部分５、低硬度部分３１とは異なる部分５０で構成され、突部３の上部が高硬度部分５で構成されており、突部３の下部が、低硬度部分３１で構成されている。この場合、最上面の粗面が高硬度部分５で構成されているため、粗面の摩耗を抑制することができる。

本実施形態においては、低硬度部分３１は第一部分と呼ぶことができ、高硬度部分５は第二部分と呼ぶことができる。

＜第六の実施形態＞
次に図７（ａ）および図７（ｂ）を用いて、第六の実施形態の説明を行う。

図７の（ａ）は、本実施形態における基板保持盤の一例を表す断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の円１１で囲まれた範囲の拡大図である。

本実施形態の構成は、構成部２１、２３の上、突部３の最上面、突部３の側面、のうち少なくとも一部が、高硬度部分５に比べて屈折率が低い部分である低屈折率部分６で構成されている点で、第二の実施形態と異なる。

図７（ｂ）について説明する。図７（ｂ）に示すように、本実施形態では、最上面の粗面の底部は、低屈折率部分６で構成されている。最上面の粗面は、高硬度部分５と低屈折率部分６で構成されている。

この構成の場合、最上面の粗面の底部に入射した光が、低屈折率部分６を介して高硬度部分５に入射することで、基板保持盤１の保持面上における反射率を低減することができる。

本実施形態では、最上面の粗面が高硬度部分５で構成され、頂部５１から底部６２までの高低差Ｈは維持されるため、基板７との接触による粗面の摩耗を抑制することができる。

低屈折率部分６について説明する。低屈折率部分６は、高硬度部分５に比べて屈折率が低い。そのため、高硬度部分５の基板保持面の側に、低屈折率部分６を設けることで、空気との屈折率を緩やかにし、反射率を低減している。低屈折率部分６は高硬度部分５に比べて、屈折率だけではなく硬度も低い部分である。

ここで、基板保持盤の表面における反射について説明する。微細パタ－ンを形成する露光装置では、波長３６５ｎｍ（ｉ線）、４０５ｎｍ（ｈ線）、４３６ｎｍ（ｇ線）の光線が使用される。基板保持盤表面での反射は、主にフレネル反射であり、以下の式から求められる。
Ｒ＝｛（Ｎ_０－Ｎ_１）／（Ｎ_０＋Ｎ_１）｝^２＋｛（Ｎ_１－Ｎ_２）／（Ｎ_１＋Ｎ_２）｝^２
Ｒ：反射率
Ｎ_０：空気の屈折率
Ｎ_１：低屈折率部分の屈折率
Ｎ_２：高硬度部分の屈折率

基板保持盤の保持面上に設ける低屈折率部分６として、無機酸化物からなる多孔質材料を用いることで、多孔質材料ではない反射防止材料を用いる場合に比べ、低反射率化を実現できる。理由は、無機酸化物からなる多孔質材料の表面には、細かい凹凸が存在しており、空気との界面において、屈折率のグラデーションが形成されるためである。

基板保持盤１の保持面上を低屈折率部分６で構成することで、空気と高硬度部分５との屈折率の変化が緩やかになり、保持面上における反射率を低減することができる。高硬度部分５を設けていない場合においても、空気と低硬度部分３１との屈折率の変化を緩やかにすることで、保持面上における反射率を低減することができる。

低屈折率部分６は、高硬度部分５よりも屈折率の低い材料を用いることにより、基板保持盤１の表面上における反射率を低減する効果を持つ。無機酸化物としては、樹脂材料ではなく、アルミナ材料やシリカ材料が好ましい。

低屈折率部分６は、鎖状粒子又は中空粒子又は中実粒子で構成されており、低屈折率部分６は、例えば０．１～１．０μｍの厚さで形成することができ、０．１～０．４μｍの厚さで形成されていることが好ましい。

低屈折率部分６は、一様に形成されている状態、若しくは、点在している状態で存在している。

本実施形態では、高硬度部分５と低屈折率部分６を、より強固に密着させるために、プライマー８を用いている。プライマー８は、高硬度部分５と低屈折率部分６の接合部に存在している。プライマー８は一様に形成されている状態、若しくは、点在している状態で存在している。ここでは、プライマー８としてシランカップリング剤を用いているが、これに限定されず、高硬度部分５と低屈折率部分６の密着力を向上させるものであれば使用することができる。

第一の実施形態から第五の実施形態は、基板保持盤１の最上面が粗面であることで、入射光を散乱させ、反射率を低減させることができる形態である。しかし、第一の実施形態から第五の実施形態では、高硬度部分５と空気との屈折率の差が大きいため、散乱光が発生しやすい。本実施形態は、基板保持盤１の最上面が粗面であることに加えて、低屈折率部分６が設けられている。よって、空気との界面において、屈折率のグラデーションが形成され、低屈折率部分６が設けられていない場合に比べて、より反射率を低減させることができる。

本実施形態は、粗面の頂部から粗面の頂部に隣接する底部までの高低差Ｈに比べて、粗面の頂部から高硬度部分５までの距離Ｄが小さい。この構成は、ある頂部に隣接するすべての底部に対して成り立つ必要はなく、１つの頂部に対して１つでも満たす底部があればよい。

頂部５１から、距離Ｄの範囲に高硬度部分５が設けられており、この形態では、頂部５１は高硬度部分５で形成されている。しかし、頂部は低屈折率部分６で形成されていても良い。頂部５１が低屈折率部分６で形成されている場合、基板との接触によって低屈折率部分６が距離Ｄの範囲に亘って摩耗する。しかしその後、高硬度部分５が頂部５１を形成し、高硬度部分５によって、突部３の最上面の粗面が構成されることにより、粗面の摩耗を抑制することができる。

本実施形態の基板保持盤１は、高硬度部分５で透過されない波長の光だけではなく、高硬度部分５を透過する波長の光のもとでの使用も想定している。たとえば、高硬度部分５がＤＬＣの場合、紫外光はＤＬＣを透過しないが、赤外光はＤＬＣを透過する。そのため、高硬度部分５の屈折率ｎ_２と、第一部分を有する基材の屈折率ｎ_１、との屈折率の差ｎ_２－ｎ_１は、高硬度部分５の屈折率ｎ_２と低屈折率部分６の屈折率ｎ_３との差ｎ_２－ｎ_３よりも小さい構成としている。

この構成にすることで、高硬度部分５を透過した光が、基材で反射することを抑制することができる。

ｎ_１、ｎ_２、ｎ_３はそれぞれ、高硬度部分５を透過する波長の光における屈折率である。高硬度部分５の屈折率ｎ_２は低硬度部分３１の屈折率ｎ_１よりも高い。

この構成にすることで、高硬度部分５を透過する光を使用した場合でも、高硬度部分５と基材との界面における光の反射を抑制することができる。

本実施形態における吸引孔部４について説明する。本実施形態の吸引孔部４の側面は、基板７と対向する面ではないため、低屈折率部分６を設ける必要はない。

本実施形態における低硬度部分３１は第一部分と呼ぶことができ、高硬度部分５は第二部分と呼ぶことができ、低屈折率部分６は第三部分と呼ぶことができる。

＜第七の実施形態＞
図８（ａ）および図８（ｂ）および図８（ｃ）を用いて第七の実施形態を説明する。

本実施形態は、最上面の粗面を、高硬度部分５ではなく低屈折率部分６のみで構成されている点で、第六の実施形態と異なる。本実施形態は、低屈折率部分６からなる粗面の頂部６１から高硬度部分からなる頂部５１までの距離Ｄが、粗面の頂部６１から底部６２までの高低差Ｈよりも小さい形態を示している。

基板７と接触するのは、最上面の低屈折率部分６となるため、基板の載置直後は、低屈折率部分６が摩耗する。しかし、低屈折率部分６の摩耗が進むと、高硬度部分５が突部３の粗面の頂部となり、頂部５１から底部６２までの距離Ｈ－Ｄは維持される。それにより粗面の摩耗を抑制することができる。

図８（ｃ）について説明する。図８（ｃ）は、距離Ｄが高低差Ｈより大きい点で、図８（ｂ）とは異なる形態を示した図である。この場合、基板７との接触によって、低屈折率部分６が摩耗する。低屈折率部分６は、頂部６１から高硬度部分５からなる頂部５１まで摩耗するため、底部６２も、頂部６１と同様に摩耗する。そのため、突部３の最上面が、低屈折率部分６で構成されることで、保持面における反射率は、低屈折率部分６によって低減されるが、突部３の最上面における粗面は摩耗しやすい。

＜第八の実施形態＞
本実施形態では、基材（低硬度部分３１や構成部２１、２３）が、窒素含有領域を有する。窒素含有領域は、高硬度部分５の近傍、例えば、高硬度部分５から１００ｎｍ以内の範囲に存在することが好ましい。窒素含有領域の窒素含有量は１ａｔ％以上でありうる。窒素含有領域の最高窒素含有量は５ａｔ％以上であることが好ましく、１０ａｔ％以上であることがより好ましい。窒素含有領域の最高窒素含有量は２５ａｔ％未満であってよい。基材のうち、高硬度部分５から離れた位置、例えば高硬度部分５から十分に離れた位置、例えば高硬度部分５から１００μｍの位置での窒素含有量は１ａｔ％未満であってよい。窒素は他の元素に対する拡散抑制機能が高いため、窒素含有領域を設けることにより、基材（低硬度部分）と高硬度部分５との間での不純物の拡散を抑制することができる。また、基材の酸素含有量が２５ａｔ％以上であり、基材の上に設けられる無機材料膜（高硬度部分５）の炭素含有量または窒素含有量が２５ａｔ％以上である場合に、基材に窒素含有領域を設けると、基材と無機材料膜との密着性が向上する。酸素含有量が２５ａｔ％以上である基材は、典型的には、酸化シリコン（シリカ）や酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化ジルコニウム（ジルコニア）などの酸化物である。

炭素含有量または窒素含有量が２５ａｔ％以上である無機材料膜は、ＤＬＣなどの炭素膜や、ＳｉＣ（炭化シリコン）やＴｉＣ（炭化チタン）などの炭化物膜、ＳｉＮ（窒化シリコン）やＴｉＮ（窒化チタン）などの窒化物膜である。無機材料膜は、窒素や炭素の他に窒素や炭素と化合物を成す２５ａｔ％以上の元素（チタンやなどの金属やシリコンなどの半金属）を含む。炭素膜や炭化物膜、窒化物膜は、酸化物との密着性が低い場合が多い。特に、ＤＬＣは下地の基材と凝着もしくは化学反応を起こしにくいため、金属や酸化物との密着性が低いという。しかし、酸化物に窒素含有領域を設けると、窒素含有領域と炭素膜や炭化物膜、窒化物膜との密着性が向上する。窒素含有領域は、基材の上に無機材料膜を成膜する前に、基材の表面に窒素を注入することにより形成することができる。そのため、窒素含有領域は、注入された窒素による１ａｔ％以上（さらには５ａｔ％以上）の窒素と、窒素の注入前から基材に含まれていた２５ａｔ％以上の酸素と、を含みうる。このほか、窒素含有領域は、窒素の注入前から基材に含まれていた酸素と化合物を成す２５ａｔ％以上の元素（アルミニウムやなどの金属やシリコンなどの半金属）を含む。

アルミナなどの基材への窒素注入の代わりに、基材上に密着層としてＳｉＣ層を設け、ＳｉＣ層の上にＤＬＣ膜を設けることもできる。スクラッチ試験で両者の密着性を比較すると、ＳｉＣ層のみを設けるよりも、窒素注入のみを行った方がＤＬＣ膜の密着性が高くなりうる。ＳｉＣ層の下の基材に窒素注入を行うと、ＳｉＣ層とアルミナ基材の密着性が高くなりうる。

基板保持盤の基材の上にＤＬＣを成膜する際、成膜に失敗するとＤＬＣを除膜する必要がある。ＤＬＣは酸素と反応させれば気化することから、例えば大気中で加熱、もしくは酸素プラズマに晒して除膜を行う。密着層がＳｉＣ層の場合、ＤＬＣ除膜工程の影響で、ＳｉＣの表面が酸化してＳｉＯやＳｉＯ２を形成しまう。その上にＤＬＣを成膜するとＳｉＯやＳｉＯ２とＤＬＣの密着性が低いことから、ＤＬＣが容易に剥離してしまうという問題がある。一方で、基板保持盤の基材を窒化した窒素含有領域を密着層に用いると、ＤＬＣ除膜工程による酸化をうけにくい。そのため、ＤＬＣ除膜後に再度ＤＬＣを成膜してもＤＬＣは十分な密着性を有する。

ここでは、基材が酸化物である場合を例示したが、基材が金属である場合にも炭化物膜や窒化物膜と金属は密着性が低いため、金属の基材の表面に窒素含有領域を設けると、金属の基材と炭化物膜や窒化物膜との密着性が向上する。

本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。

図９には、露光装置の模式図を示している。露光装置である光学機器ＥＱＰは、光源１４と、照明光学系を構成するミラー１６、１７を備える。また、光学機器ＥＱＰは、パターン形成手段であるレチクル１８を支持するレチクルステージ１９と、レチクル１８に形成されたパターンを投影する投影光学系２５と、基板７を支持する基板保持盤１とを備える。光源１４からの露光光１５は照明光学系のミラー１６，１７で反射されてレチクル１８へ導かれ、レチクル１８に形成されたパターンを伴った露光光１５は投影光学系２５で集光されて、基板７へ投影される。基板７、基板保持盤１は、基板移動手段２６によって移動し、光源１４によってレチクル１８に形成されたパターンを基板７に投影する。基板７にはフォトレジストが塗布されており、露光光１５によってフォトレジストが露光される。基板７は半導体ウェーハであってもよいし、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用のガラス基板であってもよい。露光装置の露光光は典型的には紫外光である。露光光の波長は、ｇ線光源であれば４３６ｎｍであり、ｉ線光源であれば約３６５ｎｍである。ＫｒＦエキシマレーザー光源であれば約２４８ｎｍであり、ＡｒＦエキシマレーザー光源であれば約１９３ｎｍであり、ＥＵＶ（極端紫外線）光源であれば１０～２０ｎｍである。投影光学系は縮小投影型であってもよいし、等倍投影型であってもよいし、拡大投影型であってもよい。ここでは透過型のレチクル１８を例示したが、反射型のレチクル１８を用いてもよい。投影光学系はレンズを用いた屈折型であってもよいし、ミラーを用いた反射型であってもよい。

次に図７を用いて、具体的な実施例を示す。

本実施例では、縦２００ｍｍ～１５００ｍｍ、横８００ｍｍ～１５００ｍｍの基板を用いた。

本実施例における基板は、ガラス基板であるが、ＳｉＣウェーハや液晶パネル基板でも良い。透明な基板であれば好適であり、ここでいう透明基板とは、様々な波長の光のうちどれかひとつでも透過するような基板である。

まず、基部２について説明する。基部２はデフォーカスによる露光不良を発生させないための性能があればよく、厚さを６０ｍｍのブラックアルミナを用いた。本実施例ではブラスト加工により粗面化を行い、Ｒａの値が約０．８μｍ、Ｒｚの値が５．０μｍであった。表面粗さの測定はサーフテストＳＪ－２１０（ミツトヨ）を用い、評価長さは５ｍｍ、測定速度を０．５ｍｍ／ｓとした。

次に、突部３について説明する。突部３の形状および配列ピッチは、基板７の支持が可能であればよく、本実施例での突部３の形状は、直径０．８ｍｍ、高さ０．５ｍｍの円錐台形状または円柱形状とした。また、隣接する突部３のピッチは２０ｍｍとした。突部３は基部２と同時にブラスト加工されるため、突部３における基材の表面粗さは、基部２における基材の表面粗さと略同じ（±１０％以内）と見なすことができる。

次に、高硬度部分５について説明する。本実施例では、摩耗抑制効果を向上させるため、ＤＬＣを使用した。ＤＬＣは、プラズマＣＶＤ法により成膜され、ＤＬＣを少なくとも突部３の表面にコーティングした。ＤＬＣ膜の膜厚は、摩耗抑制のための厚さが必要となり、１μｍ以上が好ましい。ただし、１０μｍ以上となるとクラックが生じる可能性が高くなる。このため、本実施例ではＤＬＣ膜の膜厚を２μｍとした。また本実施例での成膜条件は、アルゴンガス流量５０ｓｃｃｍ、トルエンガス流量２．５ｓｃｃｍ、圧力５Ｐａ、ＲＦパワー５００Ｗ／１３．５６ＭＨｚ、成膜時間２時間とした。成膜したＤＬＣをエリプソメトリー法により測定したところ、屈折率は２．１であった。また、ナノインデンター法により測定したところ、硬度は約１５ＧＰａであった。ここで、ＤＬＣの硬度は、Ｓｉウエハ上に、上記成膜条件と同じ成膜条件で厚さ１００ｎｍのＤＬＣを成膜し、ナノインテンダー法により測定して３０ｎｍ深さでの応力から求めたＤＬＣの硬度である。ＤＬＣは基材上に一様に成膜されるため、ＤＬＣ膜の上面の表面粗さは、ブラスト加工による基材の表面粗さと略同じ（±１０％以内）と見なすことができる。

次に、低屈折率部分６について説明する。低屈折率部分６は、無機酸化物からなる多孔質材料を用いた。本実施例では無機酸化物を酸化シリコン材料とし、厚さは、３００ｎｍとした。ここで本実施例では、高硬度部分５と低屈折率部分６をより強固に密着させるために、プライマー８を用いた。プライマー８は、高硬度部分５と低屈折率部分６の接合部に設けた。プライマー８は一様に形成されている状態、若しくは、点在している状態で設けた。本実施ではプライマー材料として、シランカップリング剤を用いたが、これに限定されず高硬度部分５と低屈折率部分６との密着力を向上するものであれば使用することができる。

低屈折率部分６及びプライマー８は、無機粒子分散液を用いたスプレイコートにより形成した。本実施例でのスプレイ条件は、プライマー８及び低屈折率部分６ともに液供給量７ｇ／ｍｉｎ、スプレイガン移動速度２０ｍ／ｍｉｎ、霧化圧力０．１ＭＰａであった。

また、塗工液の無機粒子濃度は、それぞれ、プライマー８を０．１ｗｔ．％、低屈折率部分６を２ｗｔ．％とした。形成した低屈折率部分６をエリプソメトリー法により測定したところ、屈折率は１．２であった。低屈折率部分６の厚さは基材の表面粗さに比べて十分に小さいため、低屈折率部分６及びプライマー８の基板保持盤１の最上面の表面粗さは、ブラスト加工による基材の表面粗さと略同じ（±１０％以内）と見なすことができる。

本実施例における基板保持盤１を分光測色計（コニカミノルタ製ＣＭ－２６ｄ）により測定したところ、低屈折率部分６を形成することにより４．５％の反射率を低減する効果が確認された。また突部３の最上面の粗面化により突部３と高硬度部分５の密着力が強固になるとともに、散乱により正反射を大きく低減することができた。

第八の実施形態で説明した窒素含有領域を設けた実施例を説明する。アルミナを主成分とする基板保持盤の基材をプラズマ処理装置に設置する。プラズマ処理装置はプラズマＣＶＤ装置が好ましい。より詳しくは、ＰＳＩＩ（プラズマソースイオン注入）、イオン化蒸着、ＲＦプラズマＣＶＤ装置が好ましい。プラズマ処理装置を所定の圧力まで真空引きした後、窒素ガスを導入しプラズマ発生手段にてプラズマを発生させ窒素イオンを生成させる。基板保持盤の基材側には、ＤＣパルス電源やＤＣ電源でマイナスの電位を与えてもよいし、ＲＦを基板保持部材にかけてセルフバイアスでマイナスの電位を持たせてもよい。基板保持盤の基材に与えたマイナスの電位によって窒素イオンを基板保持盤の基材側に加速、入射させて基板保持盤の基材の表面に窒素イオン注入を行う。

このように処理された基板保持盤の基材をＸＰＳで深さ方向に分析した結果、基材の最表面から２０ｎｍ深さまで窒素の存在が確認されうる。特に最表面から２．５ｎｍ深さまでの窒素含有量が高く（５ａｔ％以上）なりうる。例えば、窒素含有量が最も高い最表面では１５ａｔ％、２．５ｎｍ深さでは５ａｔ％の窒素が確認されうる。窒素は基板保持盤の基材の表面の全体にほぼ均一に分布しうる。このように窒素含有領域が設けられた基板保持盤の上に、ＤＬＣ膜を成膜すると、ＤＬＣ膜とアルミナ基材との密着性が向上する。また、ＤＬＣの除幕後の再成膜も良好である。

以上、説明した実施形態は、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更が可能である。なお、本明細書の開示内容は、本明細書に記載したことのみならず、本明細書および本明細書に添付した図面から把握可能な全ての事項を含む。

なお、例示した具体的な数値範囲について、ｅ～ｆという記載（ｅ、ｆは数字）は、ｅ以上および／またはｆ以下という意味である。また、例示した具体的な数値範囲について、ｉ～ｊという範囲およびｍ～ｎという範囲が併記（ｉ、ｊ、ｍ、ｎは数字））してある場合には、下限と上限の組は、ｉとｊの組またはｍとｎの組に限定されるものではない。例えば、複数の組の下限と上限を組み合わせて検討もよい。すなわち、ｉ～ｊという範囲およびｍ～ｎという範囲が併記してある場合には、矛盾が生じない範囲において、ｉ～ｎという範囲で検討を行ってもよいし、ｍ～ｊという範囲で検討を行ってもよいものである。また、ｅ以上であることは、ｅであるかｅよりも大きい（ｅを超える）ことを意味し、ｅを採用せずにｅよりも大きい値を採用してもよい。また、ｆ以下であることは、ｆであるかｆよりも小さい（ｅ未満）ことを意味し、ｆを採用せずにｆよりも小さい値を採用してもよい。

また本明細書の開示内容は、本明細書に記載した個別の概念の補集合を含んでいる。すなわち、本明細書に例えば「ＡはＢよりも大きい」旨の記載があれば、たとえ「ＡはＢよりも大きくない」旨の記載を省略していたとしても、本明細書は「ＡはＢよりも大きくない」旨を開示していると云える。なぜなら、「ＡはＢよりも大きい」旨を記載している場合には、「ＡはＢよりも大きくない」場合を考慮していることが前提だからである。

１ 基板保持盤
２ 基部
３ 突部
５ 高硬度部分
５１ 頂部
５２ 底部

Claims (31)

1. 基板保持面を有する基板保持盤であって、
   基部と、前記基部に対して前記基板保持面の側に設けられた、基板を支持する突部と、を有し、
   前記基部および前記突部の最上面は算術平均粗さＲａが０．４μｍ以上である粗面であり、
   前記基部または前記突部が第一部分を有しており、
   少なくとも前記突部が、前記第一部分よりも硬度の高い第二部分を有し、
   前記第二部分が、前記粗面の頂部から距離Ｄの範囲に設けられ、
   前記距離Ｄは、前記頂部と、前記頂部に隣接した底部の高低差Ｈよりも小さいことを特徴とする基板保持盤。
2. 前記第二部分が、前記底部から前記高低差Ｈより小さい範囲に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持盤。
3. 前記最上面の少なくとも一部が、前記第二部分で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板保持盤。
4. 前記突部が前記第一部分を有しており、前記粗面の最高の頂部と隣接する底部までの高低差Ｈｍａｘは、前記粗面の最高の前記頂部から前記第一部分までの距離よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板保持盤。
5. 前記突部が前記第一部分を有しており、前記第一部分の前記基板保持面の側の上面は粗面であり、前記第二部分の厚さは、前記突部の前記最上面の算術平均粗さＲａの４倍以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板保持盤。
6. 前記基部のうちの前記第一部分と同じ材料からなる第一部位に対して前記基板保持面の側には前記第二部分と同じ材料からなる第二部位が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板保持盤。
7. 前記基部のうちの前記第一部分と同じ材料からなる第一部位の前記基板保持面の側の上面は粗面であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板保持盤。
8. 前記上面の算術平均粗さＲａは、０．４～４．０μｍであることを特徴とする請求項７に記載の基板保持盤。
9. 前記突部は、円錐台形状または円柱形状であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板保持盤。
10. 前記突部は、３０ｍｍ以下のピッチで設けられていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板保持盤。
11. 前記第二部分に対して前記基板保持面の側に、前記第二部分よりも硬度の低い第三部分が設けられていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板保持盤。
12. 前記底部は、前記第二部分よりも硬度の低い第三部分によって構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の基板保持盤。
13. 基板保持面を有する基板保持盤であって、
    第一部分を有する基材と、
    前記第一部分に対して前記基板保持面の側に設けられた、前記第一部分よりも硬度の高い第二部分と、
    前記第二部分に対して前記基板保持面の側に設けられた、前記第二部分よりも屈折率の低い第三部分と、を有し、
    前記第二部分の屈折率ｎ_２と前記第一部分の屈折率ｎ_１との差ｎ_２－ｎ_１は、前記第二部分の屈折率ｎ_２と前記第三部分の屈折率ｎ_３との差ｎ_２－ｎ_３よりも小さいことを特徴とする基板保持盤。
14. 前記第三部分は、多孔質材料からなることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の基板保持盤。
15. 基板保持面を有する基板保持盤であって、
    第一部分を有する基材と、
    前記第一部分に対して前記基板保持面の側に設けられた、前記第一部分よりも硬度の高い第二部分と、
    前記第二部分に対して前記基板保持面の側に設けられた、多孔質材料からなる第三部分と、を有することを特徴とする基板保持盤。
16. 前記第三部分は、主にアルミナまたはシリカからなることを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の基板保持盤。
17. 前記第三部分は、鎖状粒子又は中空粒子又は中実粒子で構成されていることを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の基板保持盤。
18. 前記第三部分の厚さは、０．１～１．０μｍであることを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか１項に記載の基板保持盤。
19. 前記第三部分は、無機材料と、前記無機材料と前記第二部分との間に設けられたシランカップリング剤と、を含むことを特徴とする請求項１１乃至１８のいずれか１項に記載の基板保持盤。
20. 前記第三部分は、樹脂材料を含まないことを特徴とする請求項１１乃至１９のいずれか１項に記載の基板保持盤。
21. 前記第二部分は、前記第一部分よりも屈折率が高いことを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の基板保持盤。
22. 前記第二部分の厚さは０．４μｍ～１０μｍであることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の基板保持盤。
23. 前記基板保持盤は、吸引孔部を有しており、前記吸引孔部の側面は、前記多孔質材料で覆われていないことを特徴とする請求項１４乃至２２のいずれか１項に記載の基板保持盤。
24. 前記基板保持盤は、吸引孔部を有しており、前記吸引孔部の側面は、前記第二部分と同じ材料からなる部分がコーティングされていることを特徴とする請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の基板保持盤。
25. 前記第一部分の材料は、ブラックアルミナであり、前記第二部分の材料はダイヤモンドライクカーボンであることを特徴とする請求項１乃至２４のいずれか１項に記載の基板保持盤。
26. 前記基板保持面とは反対側に存在する裏面には、前記第二部分と同じ材料からなる部分が設けられていないことを特徴とする請求項１乃至２５のいずれか１項に記載の基板保持盤。
27. 前記第一部分は、前記第二部分から１００ｎｍ以内の範囲に、窒素含有量が１ａｔ％以上である窒素含有領域を有することを特徴とする請求項１乃至２６のいずれか１項に記載の基板保持盤。
28. 基板保持面を有する基板保持盤であって、
    第一部分を有する基材と、
    前記第一部分に対して前記基板保持面の側に設けられた、前記第一部分よりも硬度の高い第二部分と、を有し、
    前記第一部分の材料は、酸素含有量が２５ａｔ％以上であり、
    前記第二部分の材料は、炭素含有量または窒素含有量が２５ａｔ％以上であり、
    前記第一部分は、前記第二部分から１００ｎｍ以内の範囲に、窒素含有量が１ａｔ％以上である窒素含有領域を有することを特徴とする基板保持盤。
29. 前記窒素含有領域の最高窒素含有量は１０ａｔ％以上であることを特徴とする請求項２７または２８に記載の基板保持盤。
30. 前記第二部分の材料は、水素含有量が２１～２６ａｔ％であるダイヤモンドライクカーボンであることを特徴とする請求項１乃至２９のいずれか１項に記載の基板保持盤。
31. 請求項１乃至３０のいずれか１項に記載の基板保持盤と、
    光源と、前記光源から発せられた光を基板に照射する光学系と、前記基板保持盤を移動させる移動手段と、を備えていることを特徴とする露光装置。

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