JP2022072356A - Copper alloy, copper alloy plastic working material, component for electronic/electric apparatus, terminal, bus bar, lead frame and heat dissipation substrate - Google Patents

Copper alloy, copper alloy plastic working material, component for electronic/electric apparatus, terminal, bus bar, lead frame and heat dissipation substrate Download PDF

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Abstract

To provide a copper alloy having high conductivity, excellent heat resistance and a small anisotropy of heat resistance.SOLUTION: There is provided a copper alloy in which a content of Mg is more than 10 mass ppm and less than 100 ppm, a content of S is set to 10 mass ppm or less, a content of P is set to 10 mass ppm or less, a content of Se is set to 5 mass ppm or less, a content of Te is set to 5 mass ppm or less, a content of Sb is set to 5 mass ppm or less, a content of Bi is set to 5 mass ppm or less and a content of As is set to 5 mass ppm or less and the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi and As is set to 30 mass ppm or less, wherein the mass ratio, [Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As] is 0.6 or more and 50 or less, the conductivity is 97%IACS or more and the ratio TLD/TTD between the semi-softening temperature TLD in the parallel direction to the rolling direction and the semi-softening temperature TTD in the orthogonal direction to the rolling direction is in the range of more than 0.95 and less than 1.108 and the semi-softening temperature TLD is 210°C or more.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品に適した銅合金、この銅合金からなる銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板に関するものである。 The present invention relates to a copper alloy suitable for electronic / electrical equipment parts such as terminals, bus bars, lead frames, and heat dissipation substrates, copper alloy plastic processed materials made of this copper alloy, electronic / electrical equipment parts, terminals, bus bars, and leads. It is related to the frame and heat dissipation board.

従来、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品には、導電性の高い銅又は銅合金が用いられている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
Conventionally, highly conductive copper or copper alloy has been used for electronic / electrical equipment parts such as terminals, bus bars, lead frames, and heat dissipation boards.
Here, in order to reduce the current density and dissipate heat due to Joule heat generation due to the increase in current of electronic devices and electric devices, the electronic and electric device parts used in these electronic devices and electric devices are used. , Pure copper material such as oxygen-free copper having excellent conductivity is applied.

近年、電気・電子用部品に用いられる電流量の増大に伴い、用いられる銅材は厚肉化している。通電時の発熱や使用環境の高温化に伴い、高温での硬度低下のしにくさを表す耐熱性に優れた銅材が求められている。さらに、大電流が負荷される大型端子やバスバー、リードフレームにおいては、異方性の少ない圧延材を用いる必要がある。しかしながら、純銅材においては、高温での硬度低下のしにくさを表す耐熱性が不十分であり、高温環境下での使用ができないといった問題があった。
そこで、特許文献1には、Mgを0.005mass%以上0.1mass%未満の範囲で含む銅圧延板が開示されている。
In recent years, with the increase in the amount of current used for electrical and electronic parts, the copper material used has become thicker. With the heat generation during energization and the high temperature of the usage environment, there is a demand for a copper material having excellent heat resistance, which indicates that the hardness does not easily decrease at high temperatures. Further, in a large terminal, a bus bar, and a lead frame to which a large current is loaded, it is necessary to use a rolled material having less anisotropy. However, the pure copper material has a problem that it cannot be used in a high temperature environment due to insufficient heat resistance, which indicates that the hardness does not easily decrease at a high temperature.
Therefore, Patent Document 1 discloses a rolled copper plate containing Mg in a range of 0.005 mass% or more and less than 0.1 mass%.

特許文献1に記載された銅圧延板においては、Mgを0.005mass%以上0.1mass%未満の範囲で含み、残部がCu及び不可避不純物からなる組成を有しているので、Mgを銅の母相中に固溶させることで、導電率を大きく低下させることなく、耐応力緩和特性を向上させることが可能であった。 In the copper rolled plate described in Patent Document 1, Mg is contained in the range of 0.005 mass% or more and less than 0.1 mass%, and the balance is composed of Cu and unavoidable impurities. By solid-dissolving in the matrix, it was possible to improve the stress relaxation resistance without significantly reducing the conductivity.

特開2016-056414号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-056414

ところで、最近では、上述の電子・電気機器用部品を構成する銅材においては、大電流が流された際の発熱を十分に抑制するために、また、純銅材が用いられていた用途に使用可能なように、導電率をさらに向上させることが求められている。特許文献1に記載された銅合金においては、耐応力緩和特性を溶質元素の添加により改善させているため、導電率は純銅と比較して劣っていた。そのため、さらに高い導電率を持ちつつ、大電流化による発熱に対応できる、高い耐熱性を持つ材料の開発が望まれていた。
また、上述の電子・電気機器用部品は、エンジンルーム等の高温環境下で使用されることが多く、電子・電気機器用部品を構成する銅材においては、従来にも増して耐熱性を向上させる必要がある。
さらに、様々な形状の電子・電気機器用部品を安定して使用するために、耐熱性の異方性が小さい銅合金が求められている。
By the way, recently, in the copper material constituting the above-mentioned electronic / electrical equipment parts, it is used in order to sufficiently suppress heat generation when a large current is passed, and also in applications where pure copper material is used. It is required to further improve the conductivity so as to be possible. In the copper alloy described in Patent Document 1, since the stress relaxation resistance is improved by adding a solute element, the conductivity is inferior to that of pure copper. Therefore, it has been desired to develop a material having high heat resistance, which has higher conductivity and can cope with heat generation due to an increase in current.
In addition, the above-mentioned electronic / electrical equipment parts are often used in high-temperature environments such as engine rooms, and the copper materials that make up the electronic / electrical equipment parts have improved heat resistance more than ever before. I need to let you.
Further, in order to stably use parts for electronic and electrical equipment having various shapes, a copper alloy having a small anisotropy of heat resistance is required.

この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、高い導電率と優れた耐熱性を有し、耐熱性の異方性が小さい銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and is a copper alloy having high conductivity and excellent heat resistance and having a small anisotropy of heat resistance, a copper alloy plastically processed material, and electronic / electrical equipment. It is an object of the present invention to provide components, terminals, bus bars, lead frames, and heat dissipation boards.

この課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、高い導電率と優れた耐熱性をバランス良く両立させるためには、Mgを微量添加するとともに、Mgと化合物を生成する元素の含有量を規制することが必要であることが明らかになった。すなわち、Mgと化合物を生成する元素の含有量を規制して、微量添加したMgを適正な形態で銅合金中に存在させることにより、従来よりも高い水準で導電率と耐熱性とをバランス良く向上させることが可能となるとの知見を得た。 As a result of diligent studies by the present inventors in order to solve this problem, in order to achieve both high conductivity and excellent heat resistance in a well-balanced manner, a small amount of Mg is added and the element that forms the compound with Mg is added. It became clear that it was necessary to regulate the content. That is, by regulating the content of Mg and the element that forms the compound and allowing a trace amount of Mg to be present in the copper alloy in an appropriate form, the conductivity and heat resistance are well-balanced at a higher level than before. We obtained the knowledge that it is possible to improve it.

本発明は、上述の知見に基づいてなされたものであって、本発明の銅合金は、Mgの含有量が10massppm超え100massppm未満の範囲内、残部がCu及び不可避不純物とした組成を有し、前記不可避不純物のうち、Sの含有量が10massppm以下、Pの含有量が10massppm以下、Seの含有量が5massppm以下、Teの含有量が5massppm以下、Sbの含有量が5massppm以下、Biの含有量が5masppm以下、Asの含有量が5masppm以下とされるとともに、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量が30massppm以下とされており、 Mgの含有量を〔Mg〕とし、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量を〔S+P+Te+Sb+Bi+As〕とした場合に、これらの質量比〔Mg〕/〔S+P+Te+Sb+Bi+As〕が0.6以上50以下の範囲内とされており、導電率が97%IACS以上とされ、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行い得られた半軟化温度TTDから算出される半軟化温度比TLD/TTDが0.95を超え、1.08未満の範囲内とされるとともに、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDが210℃以上とされていることを特徴としている。
なお、本発明において、半軟化温度比TLD/TTDは、ケルビンでの温度比である。
The present invention has been made based on the above findings, and the copper alloy of the present invention has a composition in which the Mg content is in the range of more than 10 mass ppm and less than 100 mass ppm, and the balance is Cu and unavoidable impurities. Among the unavoidable impurities, the S content is 10 mass ppm or less, the P content is 10 mass ppm or less, the Se content is 5 mass ppm or less, the Te content is 5 mass ppm or less, the Sb content is 5 mass ppm or less, and the Bi content. Is 5 mass ppm or less, the As content is 5 mass ppm or less, and the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi and As is 30 mass ppm or less, and the Mg content is [Mg]. When the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi, and As is [S + P + Te + Sb + Bi + As], these mass ratios [Mg] / [S + P + Te + Sb + Bi + As] are within the range of 0.6 or more and 50 or less. The conductivity was 97% IACS or higher, and the semi-softening temperature TLD obtained by conducting a tensile test in the direction parallel to the rolling direction and the tensile test obtained in the direction orthogonal to the rolling direction were obtained. The semi-softening temperature ratio T LD / T TD calculated from the semi-softening temperature T TD is in the range of more than 0.95 and less than 1.08, and a tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction. The obtained semi-softening temperature TLD is 210 ° C. or higher.
In the present invention, the semi-softening temperature ratio T LD / T TD is the temperature ratio in Kelvin.

この構成の銅合金によれば、Mgと、Mgと化合物を生成する元素であるS,P,Se,Te,Sb,Bi,Asの含有量が上述のように規定されているので、微量添加したMgが銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく耐熱性を向上させることができ、具体的には導電率を97%IACS以上、および、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDを210℃以上とすることができる。
そして、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行い得られた半軟化温度TTDから算出される半軟化温度比TLD/TTDが0.95を超え、1.08未満の範囲内とされているので、耐熱性について異方性が小さく、例えば大電流用の端子やバスバーのように、圧延方向に対して平行な方向、および、圧延方向に対して直交する方向のどちらにも耐熱性が必要な場合にも、高温環境化での十分な強度が確保される。
According to the copper alloy having this configuration, the contents of Mg and the elements S, P, Se, Te, Sb, Bi, and As that form a compound with Mg are defined as described above, so a small amount is added. By solidifying the resulting Mg in the copper matrix, heat resistance can be improved without significantly reducing the conductivity. Specifically, the conductivity is 97% IACS or higher, and the conductivity is relative to the rolling direction. The semi-softening temperature TLD obtained by conducting a tensile test in the parallel direction can be set to 210 ° C. or higher.
Then, the semi-softening calculated from the semi- softening temperature T LD obtained by performing the tensile test in the direction parallel to the rolling direction and the semi-softening temperature T T D obtained by performing the tensile test in the direction orthogonal to the rolling direction. Since the temperature ratio T LD / T TD exceeds 0.95 and is within the range of less than 1.08, the anisotropy of heat resistance is small, for example, in the rolling direction, such as terminals and bus bars for large currents. Sufficient strength in a high temperature environment is ensured even when heat resistance is required in both the direction parallel to the rolling direction and the direction orthogonal to the rolling direction.

ここで、本発明の銅合金においては、Agの含有量が5massppm以上20massppm以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、Agを上述の範囲で含有しているので、Agが粒界近傍に偏析し、粒界拡散が抑制され、耐熱性を向上させることが可能となる。
Here, in the copper alloy of the present invention, it is preferable that the Ag content is in the range of 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less.
In this case, since Ag is contained in the above range, Ag segregates in the vicinity of the grain boundaries, diffusion of grain boundaries is suppressed, and heat resistance can be improved.

また、本発明の銅合金においては、Brass方位{110}〈112〉に対して10°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が30%以下とされていることが好ましい。
この場合、Brass方位{110}〈112〉に対して10°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が30%以下に制限されているので、耐熱性の異方性を抑制することが可能となる。また、圧延方向に対して直交する方向の強度が優先的に高くなることが抑制され、強度の異方性が生じることを抑制できる。
Further, in the copper alloy of the present invention, it is preferable that the area ratio of crystals having a crystal orientation within 10 ° with respect to the Brass orientation {110} <112> is 30% or less.
In this case, since the area ratio of the crystal having a crystal orientation within 10 ° with respect to the Brass orientation {110} <112> is limited to 30% or less, it is possible to suppress the anisotropy of heat resistance. Become. In addition, it is possible to prevent the strength in the direction orthogonal to the rolling direction from increasing preferentially, and to prevent the anisotropy of the strength from occurring.

さらに、本発明の銅合金においては、圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度TSTDと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDと、から算出される強度比TSTD/TSLDが0.93を超え、1.10未満の範囲内とされるとともに、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDが200MPa以上であることが好ましい。
この場合、圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度TSTDと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDと、から算出される強度比TSTD/TSLDが0.93を超え、1.10未満の範囲内とされているので、強度の異方性が小さく、大電流用の端子やバスバーのように、圧延方向に対して平行な方向、および、圧延方向に対して直交する方向のどちらにも強度が必要な場合にも十分な強度が確保される。
また、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDが200MPa以上とされているので、強度が十分に優れている。
Further, in the copper alloy of the present invention, the tensile strength TS TD when the tensile test is conducted in the direction orthogonal to the rolling direction and the tensile strength TS LD when the tensile test is conducted in the direction parallel to the rolling direction. The strength ratio TS TD / TS LD calculated from The LD is preferably 200 MPa or more.
In this case, the strength calculated from the tensile strength TS TD when the tensile test is performed in the direction orthogonal to the rolling direction and the tensile strength TS LD when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction. Since the ratio TS TD / TS LD exceeds 0.93 and is within the range of less than 1.10, the strength anisotropy is small and the strength is small with respect to the rolling direction like terminals and bus bars for large currents. Sufficient strength is ensured when strength is required in both the parallel direction and the direction orthogonal to the rolling direction.
Further, since the tensile strength TS LD when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction is 200 MPa or more, the strength is sufficiently excellent.

本発明の銅合金塑性加工材は、上述の銅合金からなることを特徴としている。
この構成の銅合金塑性加工材によれば、上述の銅合金で構成されていることから、導電性、耐熱性に優れ、耐熱性の異方性が小さく、大電流用途、高温環境下で使用される端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
The copper alloy plastically processed material of the present invention is characterized by being made of the above-mentioned copper alloy.
According to the copper alloy plastic working material having this configuration, since it is composed of the above-mentioned copper alloy, it has excellent conductivity and heat resistance, has a small heat resistance anisotropy, and is used in high current applications and high temperature environments. It is particularly suitable as a material for parts for electronic and electrical equipment such as terminals, bus bars, lead frames, and heat dissipation boards.

ここで、本発明の銅合金塑性加工材においては、厚さが0.1mm以上10mm以下の範囲内の圧延板であってもよい。
この場合、厚さが0.1mm以上10mm以下の範囲内の圧延板であることから、この銅合金塑性加工材(圧延板)に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品を成形することができる。
Here, in the copper alloy plastic working material of the present invention, a rolled plate having a thickness in the range of 0.1 mm or more and 10 mm or less may be used.
In this case, since the rolled plate has a thickness of 0.1 mm or more and 10 mm or less, the terminal, bus bar, and the like can be obtained by punching or bending the copper alloy plastically processed material (rolled plate). It is possible to mold parts for electronic and electrical equipment such as lead frames and heat dissipation boards.

また、本発明の銅合金塑性加工材においては、表面にSnめっき層又はAgめっき層を有することが好ましい。
この場合、表面にSnめっき層又はAgめっき層を有しているので、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。なお、本発明において、「Snめっき」は、純Snめっき又はSn合金めっきを含み、「Agめっき」は、純Agめっき又はAg合金めっきを含む。
Further, in the copper alloy plastic working material of the present invention, it is preferable to have a Sn plating layer or an Ag plating layer on the surface.
In this case, since it has a Sn plating layer or an Ag plating layer on the surface, it is particularly suitable as a material for parts for electronic and electrical equipment such as terminals, bus bars, lead frames, and heat dissipation boards. In the present invention, "Sn plating" includes pure Sn plating or Sn alloy plating, and "Ag plating" includes pure Ag plating or Ag alloy plating.

本発明の電子・電気機器用部品は、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。なお、本発明における電子・電気機器用部品とは、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等を含むものである。
この構成の電子・電気機器用部品は、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
The parts for electronic and electrical equipment of the present invention are characterized by being made of the above-mentioned copper alloy plastically processed material. The parts for electronic / electrical equipment in the present invention include terminals, bus bars, lead frames, heat dissipation boards, and the like.
Since the parts for electronic and electrical equipment having this configuration are manufactured using the above-mentioned copper alloy plastic working material, they can exhibit excellent characteristics even in high current applications and high temperature environments.

本発明の端子は、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。
この構成の端子は、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
The terminal of the present invention is characterized by being made of the above-mentioned copper alloy plastically worked material.
Since the terminal having this configuration is manufactured by using the above-mentioned copper alloy plastic working material, it can exhibit excellent characteristics even in a large current application and a high temperature environment.

本発明のバスバーは、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。
この構成のバスバーは、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
The bus bar of the present invention is characterized by being made of the above-mentioned copper alloy plastically worked material.
Since the bus bar having this configuration is manufactured by using the above-mentioned copper alloy plastic working material, it can exhibit excellent characteristics even in a large current application and a high temperature environment.

本発明のリードフレームは、上述の銅合金塑性加工材からなることを特徴としている。
この構成のリードフレームは、上述の銅合金塑性加工材を用いて製造されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
The lead frame of the present invention is characterized by being made of the above-mentioned copper alloy plastically worked material.
Since the lead frame having this configuration is manufactured by using the above-mentioned copper alloy plastic working material, it can exhibit excellent characteristics even in a large current application and a high temperature environment.

本発明の放熱基板は、上述の銅合金を用いて作製されたことを特徴としている。
この構成の放熱基板は、上述の銅合金を用いて作製されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。
The heat radiating substrate of the present invention is characterized in that it is manufactured by using the above-mentioned copper alloy.
Since the heat dissipation substrate having this configuration is manufactured by using the above-mentioned copper alloy, it can exhibit excellent characteristics even in a large current application and a high temperature environment.

本発明によれば、高い導電率と優れた耐熱性を有し、耐熱性の異方性が小さい銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板を提供することが可能となる。 According to the present invention, copper alloys, copper alloy plastic processed materials, electronic / electrical equipment parts, terminals, bus bars, lead frames, heat dissipation, which have high conductivity and excellent heat resistance and low heat resistance anisotropy. It becomes possible to provide a substrate.

本実施形態である銅合金の製造方法のフロー図である。It is a flow chart of the manufacturing method of the copper alloy which is this embodiment.

以下に、本発明の一実施形態である銅合金について説明する。
本実施形態である銅合金は、Mgの含有量が10massppm超え100massppm未満の範囲内、残部がCu及び不可避不純物とした組成を有し、前記不可避不純物のうち、Sの含有量が10massppm以下、Pの含有量が10massppm以下、Seの含有量が5massppm以下、Teの含有量が5massppm以下、Sbの含有量が5massppm以下、Biの含有量が5masppm以下、Asの含有量が5masppm以下とされるとともに、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量が30massppm以下とされている。
Hereinafter, a copper alloy according to an embodiment of the present invention will be described.
The copper alloy of the present embodiment has a composition in which the Mg content is in the range of more than 10 mass ppm and less than 100 mass ppm, and the balance is Cu and unavoidable impurities. Among the unavoidable impurities, the S content is 10 mass ppm or less, P. The content of is 10 mass ppm or less, the content of Se is 5 mass ppm or less, the content of Te is 5 mass ppm or less, the content of Sb is 5 mass ppm or less, the content of Bi is 5 mass ppm or less, and the content of As is 5 mass ppm or less. , S, P, Se, Te, Sb, Bi, and As have a total content of 30 mass ppm or less.

そして、Mgの含有量を〔Mg〕とし、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量を〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕とした場合に、これらの質量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕が0.6以上50以下の範囲内とされている。
なお、本実施形態である銅合金においては、Agの含有量が5massppm以上20massppm以下の範囲内であってもよい。
When the content of Mg is [Mg] and the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi and As is [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As], the mass ratios [Mg] / [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As] are It is within the range of 0.6 or more and 50 or less.
In the copper alloy of this embodiment, the Ag content may be in the range of 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less.

また、本実施形態である銅合金においては、導電率が97%IACS以上とされている。
さらに、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDが210℃以上とされている。
そして、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TTDから算出される半軟化温度比TLD/TTDが0.95を超え、1.08未満の範囲内とされている。
なお、本実施形態における半軟化温度比TLD/TTDは、ケルビンでの温度比である。
Further, in the copper alloy of this embodiment, the conductivity is 97% IACS or more.
Further, in the copper alloy of the present embodiment, the semi-softening temperature TLD obtained by conducting a tensile test in a direction parallel to the rolling direction is 210 ° C. or higher.
Then, in the copper alloy of the present embodiment, the semi-softening temperature TLD obtained by performing a tensile test in the direction parallel to the rolling direction and the tensile test obtained by performing a tensile test in the direction orthogonal to the rolling direction. The semi-softening temperature ratio T LD / T TD calculated from the semi-softening temperature T TD exceeds 0.95 and is within the range of less than 1.08.
The semi-softening temperature ratio T LD / T TD in this embodiment is a temperature ratio in Kelvin.

また、本実施形態である銅合金においては、Brass方位{110}〈112〉に対して10°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が30%以下とされていることが好ましい。
さらに、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度TSTDと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDと、から算出される強度比TSTD/TSLDが0.93を超え、1.10未満の範囲内とされていることが好ましい。
また、本実施形態である銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDが200MPa以上であることが好ましい。
Further, in the copper alloy of the present embodiment, it is preferable that the area ratio of crystals having a crystal orientation within 10 ° with respect to the Brass orientation {110} <112> is 30% or less.
Further, in the copper alloy of the present embodiment, the tensile strength TSTD when the tensile test is performed in the direction orthogonal to the rolling direction and the tensile strength when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction. It is preferable that the intensity ratio TS TD / TS LD calculated from TS LD is in the range of more than 0.93 and less than 1.10.
Further, in the copper alloy of the present embodiment, it is preferable that the tensile strength TS LD when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction is 200 MPa or more.

ここで、本実施形態の銅合金において、上述のように成分組成、組織、各種特性を規定した理由について以下に説明する。 Here, in the copper alloy of the present embodiment, the reasons for defining the component composition, structure, and various characteristics as described above will be described below.

(Mg)
Mgは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Mgの含有量が10massppm以下の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Mgの含有量が100massppmを超える場合には、導電率が低下するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Mgの含有量を10massppm超え100massppm未満の範囲内に設定している。
(Mg)
Mg is an element having an action effect of improving strength and heat resistance without significantly lowering the conductivity by being dissolved in the parent phase of copper.
Here, when the Mg content is 10 mass ppm or less, there is a possibility that the action and effect cannot be fully exerted. On the other hand, if the Mg content exceeds 100 mass ppm, the conductivity may decrease.
From the above, in the present embodiment, the Mg content is set within the range of more than 10 mass ppm and less than 100 mass ppm.

なお、耐熱性をさらに向上させるためには、Mgの含有量の下限を20massppm以上とすることが好ましく、30massppm以上とすることがさらに好ましく、40massppm以上とすることがより好ましい。
また、導電率の低下をさらに抑制するためには、Mgの含有量の上限を90massppm未満とすることが好ましく、80massppm未満とすることがさらに好ましく、70massppm未満とすることがより好ましい。
In order to further improve the heat resistance, the lower limit of the Mg content is preferably 20 mass ppm or more, more preferably 30 mass ppm or more, and even more preferably 40 mass ppm or more.
Further, in order to further suppress the decrease in conductivity, the upper limit of the Mg content is preferably less than 90 mass ppm, more preferably less than 80 mass ppm, and even more preferably less than 70 mass ppm.

(S,P,Se,Te,Sb,Bi,As)
上述のS,P,Se,Te,Sb,Bi,Asといった元素は、一般的に銅合金に混入しやすい元素である。そして、これらの元素は、Mgと反応し化合物を形成しやすく、微量添加したMgの固溶効果を低減するおそれがある。このため、これらの元素の含有量は厳しく制御する必要がある。
そこで、本実施形態においては、Sの含有量を10massppm以下、Pの含有量を10massppm以下、Seの含有量を5massppm以下、Teの含有量を5massppm以下、Sbの含有量を5massppm以下、Biの含有量を5masppm以下、Asの含有量を5masppm以下に制限している。
さらに、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量を30massppm以下に制限している。
(S, P, Se, Te, Sb, Bi, As)
The above-mentioned elements such as S, P, Se, Te, Sb, Bi, and As are generally elements that are easily mixed in the copper alloy. Then, these elements easily react with Mg to form a compound, and there is a possibility that the solid solution effect of Mg added in a small amount may be reduced. Therefore, it is necessary to strictly control the content of these elements.
Therefore, in the present embodiment, the S content is 10 mass ppm or less, the P content is 10 mass ppm or less, the Se content is 5 mass ppm or less, the Te content is 5 mass ppm or less, the Sb content is 5 mass ppm or less, and Bi. The content is limited to 5 mass ppm or less, and the content of As is limited to 5 mass ppm or less.
Further, the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi and As is limited to 30 mass ppm or less.

なお、Sの含有量は、9massppm以下であることが好ましく、8massppm以下であることがさらに好ましい。
Pの含有量は、6massppm以下であることが好ましく、3massppm以下であることがさらに好ましい。
Seの含有量は、4massppm以下であることが好ましく、2massppm以下であることがさらに好ましい。
Teの含有量は、4massppm以下であることが好ましく、2massppm以下であることがさらに好ましい。
Sbの含有量は、4massppm以下であることが好ましく、2massppm以下であることがさらに好ましい。
Biの含有量は、4massppm以下であることが好ましく、2massppm以下であることがさらに好ましい。
Asの含有量は、4massppm以下であることが好ましく、2massppm以下であることがさらに好ましい。
さらに、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量は、24massppm以下であることが好ましく、18massppm以下であることがさらに好ましい。
The content of S is preferably 9 mass ppm or less, and more preferably 8 mass ppm or less.
The content of P is preferably 6 mass ppm or less, and more preferably 3 mass ppm or less.
The content of Se is preferably 4 mass ppm or less, and more preferably 2 mass ppm or less.
The content of Te is preferably 4 mass ppm or less, and more preferably 2 mass ppm or less.
The content of Sb is preferably 4 mass ppm or less, and more preferably 2 mass ppm or less.
The Bi content is preferably 4 mass ppm or less, and more preferably 2 mass ppm or less.
The content of As is preferably 4 mass ppm or less, and more preferably 2 mass ppm or less.
Further, the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi and As is preferably 24 mass ppm or less, and more preferably 18 mass ppm or less.

(〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕)
上述のように、S,P,Se,Te,Sb,Bi,Asといった元素は、Mgと反応して化合物を形成しやすいことから、本実施形態においては、Mgの含有量と、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量との比を規定することで、Mgの存在形態を制御している。
Mgの含有量を〔Mg〕とし、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量を〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕とした場合に、これらの質量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕が50を超えると、銅中にMgが過剰に固溶状態で存在しており、導電率が低下するおそれがある。一方、質量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕が0.6未満では、Mgが十分に固溶しておらず、耐熱性が十分に向上しないおそれがある。
よって、本実施形態では、質量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕を0.6以上50以下の範囲内に設定している。
([Mg] / [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As])
As described above, elements such as S, P, Se, Te, Sb, Bi, and As easily react with Mg to form a compound. Therefore, in the present embodiment, the Mg content and S and P are used. By defining the ratio of Se, Te, Sb, Bi, and the total content of As, the existence form of Mg is controlled.
When the content of Mg is [Mg] and the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi and As is [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As], these mass ratios [Mg] / [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As] are 50. If it exceeds, Mg is present in the copper in an excessively solid-dissolved state, and the conductivity may decrease. On the other hand, if the mass ratio [Mg] / [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As] is less than 0.6, Mg is not sufficiently solid-solved and the heat resistance may not be sufficiently improved.
Therefore, in the present embodiment, the mass ratio [Mg] / [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As] is set within the range of 0.6 or more and 50 or less.

なお、導電率の低下をさらに抑制するためには、質量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕の上限を35以下とすることが好ましく、25以下とすることがさらに好ましい。
また、耐熱性をさらに向上させるためには、質量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕の下限を0.8以上とすることが好ましく、1.0以上とすることがさらに好ましい。
In order to further suppress the decrease in conductivity, the upper limit of the mass ratio [Mg] / [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As] is preferably 35 or less, and more preferably 25 or less.
Further, in order to further improve the heat resistance, the lower limit of the mass ratio [Mg] / [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As] is preferably 0.8 or more, and more preferably 1.0 or more.

(Ag:5massppm以上20massppm以下)
Agは、250℃以下の通常の電子・電気機器の使用温度範囲ではほとんどCuの母相中に固溶することができない。このため、銅中に微量に添加されたAgは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより粒界での原子の移動は妨げられ、粒界拡散が抑制されるため、耐熱性が向上することになる。
ここで、Agの含有量が5massppm以上の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることが可能となる。一方、Agの含有量が20massppm以下である場合には、導電率が確保されるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
以上のことから、本実施形態では、Agの含有量を5massppm以上20massppm以下の範囲内に設定している。
(Ag: 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less)
Ag can hardly be dissolved in the matrix of Cu in the operating temperature range of ordinary electronic / electrical equipment of 250 ° C. or lower. Therefore, Ag added in a small amount to copper will segregate in the vicinity of the grain boundaries. As a result, the movement of atoms at the grain boundaries is hindered and the diffusion of the grain boundaries is suppressed, so that the heat resistance is improved.
Here, when the content of Ag is 5 mass ppm or more, the action and effect can be fully exerted. On the other hand, when the Ag content is 20 mass ppm or less, the conductivity can be ensured and the increase in manufacturing cost can be suppressed.
From the above, in the present embodiment, the Ag content is set within the range of 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less.

なお、耐熱性をさらに向上させるためには、Agの含有量の下限を6massppm以上とすることが好ましく、7massppm以上とすることがさらに好ましく、8massppm以上とすることがより好ましい。また、導電率の低下およびコストの増加を確実に抑制するためには、Agの含有量の上限を18massppm以下とすることが好ましく、16massppm以下とすることがさらに好ましく、14massppm以下とすることがより好ましい。
また、Agを意図的に含まずに不純物として含む場合には、Agの含有量が5massppm未満であってもよい。
In order to further improve the heat resistance, the lower limit of the Ag content is preferably 6 mass ppm or more, more preferably 7 mass ppm or more, and further preferably 8 mass ppm or more. Further, in order to surely suppress the decrease in conductivity and the increase in cost, the upper limit of the Ag content is preferably 18 mass ppm or less, more preferably 16 mass ppm or less, and more preferably 14 mass ppm or less. preferable.
Further, when Ag is not intentionally contained but contained as an impurity, the content of Ag may be less than 5 mass ppm.

(その他の不可避不純物)
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Al,B,Ba,Be,Ca,Cd,Cr,Sc,希土類元素,V,Nb,Ta,Mo,Ni,W,Mn,Re,Ru,Sr,Ti,Os,Co,Rh,Ir,Pb,Pd,Pt,Au,Zn,Zr,Hf,Hg,Ga,In,Ge,Y,Tl,N,Si,Sn,Li等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で0.1mass%以下とすることが好ましく、0.05mass%以下とすることがさらに好ましく、0.03mass%以下とすることがより好ましく、さらには0.01mass%以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、10massppm以下とすることが好ましく、5massppm以下とすることがさらに好ましく、2massppm以下とすることがより好ましい。
(Other unavoidable impurities)
Other unavoidable impurities other than the above-mentioned elements include Al, B, Ba, Be, Ca, Cd, Cr, Sc, rare earth elements, V, Nb, Ta, Mo, Ni, W, Mn, Re, Ru, Examples thereof include Sr, Ti, Os, Co, Rh, Ir, Pb, Pd, Pt, Au, Zn, Zr, Hf, Hg, Ga, In, Ge, Y, Tl, N, Si, Sn, Li and the like. These unavoidable impurities may be contained within a range that does not affect the characteristics.
Here, since these unavoidable impurities may lower the conductivity, the total amount is preferably 0.1 mass% or less, more preferably 0.05 mass% or less, and 0.03 mass% or less. It is more preferable to set it to 0.01 mass% or less.
The upper limit of the content of each of these unavoidable impurities is preferably 10 mass ppm or less, more preferably 5 mass ppm or less, and even more preferably 2 mass ppm or less.

(半軟化温度比TLD/TTD:0.95を超え、1.08未満)
本実施形態では、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TTDから算出される半軟化温度比TLD/TTDが0.95を超え、1.08未満の範囲内とされており、耐熱性の異方性が小さく、圧延方向に対して平行方向および圧延方向に対して直交方向のいずれにおいても、高温環境化での十分な強度が確保されることになる。
ここで、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、半軟化温度比TLD/TTDDの下限を0.97以上とすることが好ましく、0.98以上とすることがより好ましい。一方、半軟化温度比TLD/TTDの上限を1.06以下とすることが好ましく、1.04以下とすることがより好ましい。
(Semi-softening temperature ratio T LD / T TD : more than 0.95 and less than 1.08)
In this embodiment, it is calculated from the semi-softening temperature T LD obtained by performing a tensile test in the direction parallel to the rolling direction and the semi-softening temperature T TD obtained by performing a tensile test in the direction perpendicular to the rolling direction. The semi-softening temperature ratio T LD / T T D is more than 0.95 and within the range of less than 1.08, the anisotropy of heat resistance is small, and it is parallel to the rolling direction and in the rolling direction. On the other hand, sufficient strength in a high temperature environment is ensured in any of the orthogonal directions.
Here, in order to ensure that the above-mentioned effects are effective, the lower limit of the semi-softening temperature ratio T LD / T TDD is preferably 0.97 or more, and more preferably 0.98 or more. On the other hand, the upper limit of the semi-softening temperature ratio T LD / T TD is preferably 1.06 or less, and more preferably 1.04 or less.

(導電率:97%IACS以上)
本実施形態である銅合金においては、導電率が97%IACS以上とされている。導電率を97%IACS以上とすることにより、通電時の発熱を抑えて、純銅材の代替として端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品として良好に使用することが可能となる。
なお、導電率は97.5%IACS以上であることが好ましく、98.0%IACS以上であることがさらに好ましく、98.5%IACS以上であることがより好ましく、99.0%IACS以上であることがより一層好ましい。
(Conductivity: 97% IACS or higher)
In the copper alloy of this embodiment, the conductivity is 97% IACS or more. By setting the conductivity to 97% IACS or higher, it is possible to suppress heat generation during energization and use it as a substitute for pure copper materials as parts for electronic and electrical equipment such as terminals, bus bars, lead frames, and heat dissipation boards. It becomes.
The conductivity is preferably 97.5% IACS or higher, more preferably 98.0% IACS or higher, more preferably 98.5% IACS or higher, and 99.0% IACS or higher. It is even more preferable to have.

(圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLD:210℃以上)
本実施形態である銅合金において、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDが高い場合には、高温でも銅材の回復、再結晶による軟化現象が起きにくいことから、高温環境下で使用される通電部材への適用が可能となる。
このため、本実施形態においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDが210℃以上とされている。
なお、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDは、225℃以上であることがさらに好ましく、250℃以上であることがより好ましく、275℃以上であることが一層好ましい。
(Semi-softening temperature T LD obtained by conducting a tensile test in the direction parallel to the rolling direction: 210 ° C or higher)
In the copper alloy of the present embodiment, when the semi-softening temperature TLD obtained by performing a tensile test in the direction parallel to the rolling direction is high, the copper material recovers and softens due to recrystallization occurs even at a high temperature. Since it is difficult, it can be applied to an energizing member used in a high temperature environment.
Therefore, in the present embodiment, the semi-softening temperature TLD obtained by performing a tensile test in the direction parallel to the rolling direction is 210 ° C. or higher.
The semi-softening temperature T LD obtained by conducting a tensile test in a direction parallel to the rolling direction is more preferably 225 ° C. or higher, more preferably 250 ° C. or higher, and 275 ° C. or higher. Is even more preferable.

(強度比TSTD/TSLD:0.93を超え、1.10未満)
圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度TSTDと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDと、から算出される強度比TSTD/TSLDが0.93を超え、1.10未満の範囲内である場合には、強度の異方性が小さく、大電流用の端子やバスバーのようにLD方向、TD方向ともに強度が必要な場合にも十分な強度が確保される。
ここで、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、強度比TSTD/TSLDの下限を0.95以上とすることがより好ましく、0.98以上とすることがさらに好ましい。また、強度比TSTD/TSLDの上限を1.08以下とすることがより好ましく、1.06以下とすることがさらに好ましい。
(Intensity ratio TS TD / TS LD : Exceeds 0.93 and less than 1.10)
The strength ratio TS TD calculated from the tensile strength TS TD when the tensile test is performed in the direction orthogonal to the rolling direction and the tensile strength TS LD when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction. When / TS LD exceeds 0.93 and is within the range of less than 1.10, the strength anisotropy is small, and strength is required in both the LD direction and TD direction like terminals for large currents and bus bars. Sufficient strength is ensured even in such cases.
Here, in order to ensure that the above-mentioned effects are effective, the lower limit of the intensity ratio TSTD / TSLD is more preferably 0.95 or more, and further preferably 0.98 or more. Further, the upper limit of the intensity ratio TS TD / TS LD is more preferably 1.08 or less, and further preferably 1.06 or less.

(圧延方向に平行な方向における引張強度TSLD:200MPa以上)
本実施形態である銅合金において、圧延方向に平行な方向における引張強度TSLDが200MPa以上である場合には、端子、バスバー、リードフレーム等の電子・電気機器用部品の素材として特に適するものとなる。なお、特に圧延方向に平行な方向における引張強度TSLDの上限は定めないが、コイル巻きされた条材を用いる際のコイルの巻き癖による生産性低下を回避するため、引張強度TSLDは500MPa以下とすることが好ましい。
なお、圧延方向に平行な方向における引張強度TSLDの下限は、275MPa以上であることがより好ましく、300MPa以上であることがさらに好ましい。
(Tensile strength TS LD in the direction parallel to the rolling direction: 200 MPa or more)
In the copper alloy of the present embodiment, when the tensile strength TS LD in the direction parallel to the rolling direction is 200 MPa or more, it is particularly suitable as a material for electronic / electrical equipment parts such as terminals, bus bars, and lead frames. Become. Although the upper limit of the tensile strength TS LD in the direction parallel to the rolling direction is not set, the tensile strength TS LD is 500 MPa in order to avoid a decrease in productivity due to the winding habit of the coil when using a coil-wound strip. The following is preferable.
The lower limit of the tensile strength TS LD in the direction parallel to the rolling direction is more preferably 275 MPa or more, further preferably 300 MPa or more.

(Brass方位{110}〈112〉:30%以下)
Brass方位が増加することにより、圧延方向に対して直交する方向の強度が高くなる。このため、強度の異方性を抑えるために、Brass方位{110}〈112〉に対して10°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合を30%以下とすることが好ましい。
なお、強度の異方性をさらに抑えるためには、Brass方位{110}〈112〉に対して10°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合を20%以下とすることが好ましく、10%以下とすることがさらに好ましい。
一方、Brass方位の割合が低すぎると、圧延方向に対して直交する方向の強度が低くなりすぎ、必要な強度を確保できないおそれがあるため、Brass方位{110}〈112〉に対して10°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合の下限は0.5%以上が好ましく、1%以上がさらに好ましく、1.5%以上が最も好ましい。
(Brass direction {110} <112>: 30% or less)
As the Brass direction increases, the strength in the direction orthogonal to the rolling direction increases. Therefore, in order to suppress the anisotropy of the strength, it is preferable that the area ratio of the crystal having the crystal orientation within 10 ° with respect to the Brass orientation {110} <112> is 30% or less.
In order to further suppress the anisotropy of the strength, the area ratio of the crystal having the crystal orientation within 10 ° with respect to the Brass orientation {110} <112> is preferably 20% or less, preferably 10% or less. Is more preferable.
On the other hand, if the ratio of the Brass direction is too low, the strength in the direction orthogonal to the rolling direction may become too low and the required strength may not be secured. Therefore, 10 ° with respect to the Brass direction {110} <112>. The lower limit of the area ratio of the crystal having a crystal orientation within is preferably 0.5% or more, more preferably 1% or more, and most preferably 1.5% or more.

次に、このような構成とされた本実施形態である銅合金の製造方法について、図1に示すフロー図を参照して説明する。 Next, a method for manufacturing a copper alloy according to the present embodiment having such a configuration will be described with reference to the flow chart shown in FIG.

(溶解・鋳造工程S01)
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、純度が99.99mass%以上とされたいわゆる4NCu、あるいは99.999mass%以上とされたいわゆる5NCuとすることが好ましい。
(Melting / Casting Step S01)
First, the above-mentioned elements are added to the molten copper obtained by melting the copper raw material to adjust the components to produce a molten copper alloy. In addition, a simple substance of an element, a mother alloy, or the like can be used for adding various elements. Further, the raw material containing the above-mentioned elements may be dissolved together with the copper raw material. Further, the recycled material and the scrap material of the present alloy may be used.
Here, the copper raw material is preferably a so-called 4NCu having a purity of 99.99 mass% or more, or a so-called 5 NCu having a purity of 99.999 mass% or more.

溶解時においては、Mgの酸化を抑制するため、また水素濃度低減のため、HOの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気(例えばArガス)による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
At the time of dissolution, in order to suppress the oxidation of Mg and to reduce the hydrogen concentration, the atmosphere is dissolved in an inert gas atmosphere (for example, Ar gas) having a low vapor pressure of H2O , and the holding time at the time of dissolution is the minimum. It is preferable to keep it to the limit.
Then, a molten copper alloy whose composition has been adjusted is injected into a mold to produce an ingot. When mass production is considered, it is preferable to use a continuous casting method or a semi-continuous casting method.

(均質化/溶体化工程S02)
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程においてMgが偏析で濃縮することにより発生したCuとMgを主成分とする金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を300℃以上1080℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、Mgを均質に拡散させたり、Mgを母相中に固溶させたりする。なお、この均質化/溶体化工程S02は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
(Homogenization / solutionization step S02)
Next, heat treatment is performed for homogenization and solution formation of the obtained ingot. Inside the ingot, there may be an intermetallic compound containing Cu and Mg as main components, which is generated by the concentration of Mg by segregation in the process of solidification. Therefore, in order to eliminate or reduce these segregation and intermetallic compounds, Mg is uniformly diffused in the ingot by performing a heat treatment in which the ingot is heated to 300 ° C. or higher and 1080 ° C. or lower. , Mg is dissolved in the matrix. The homogenization / solution step S02 is preferably carried out in a non-oxidizing or reducing atmosphere.

ここで、加熱温度が300℃未満では、溶体化が不完全となり、母相中にCuとMgを主成分とする金属間化合物が多く残存するおそれがある。一方、加熱温度が1080℃を超えると、銅素材の一部が液相となり、組織や表面状態が不均一となるおそれがある。よって、加熱温度を300℃以上1080℃以下の範囲に設定している。
なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化/溶体化工程S02の後に熱間加工を実施してもよい。この場合、加工方法に特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。また、熱間加工温度は、300℃以上1080℃以下の範囲内とすることが好ましい。
Here, if the heating temperature is less than 300 ° C., solution formation may be incomplete, and a large amount of intermetallic compounds containing Cu and Mg as main components may remain in the matrix phase. On the other hand, if the heating temperature exceeds 1080 ° C., a part of the copper material becomes a liquid phase, and the structure and surface condition may become non-uniform. Therefore, the heating temperature is set in the range of 300 ° C. or higher and 1080 ° C. or lower.
In order to improve the efficiency of rough rolling and to make the structure uniform, which will be described later, hot working may be performed after the above-mentioned homogenization / solutionization step S02. In this case, the processing method is not particularly limited, and for example, rolling, drawing, extrusion, groove rolling, forging, pressing, or the like can be adopted. The hot working temperature is preferably in the range of 300 ° C. or higher and 1080 ° C. or lower.

(粗加工工程S03)
所定の形状に加工するために、粗加工を行う。なお、この粗加工工程S03における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる-200℃から200℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。加工率については、20%以上が好ましく、30%以上がさらに好ましい。また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
(Roughing process S03)
Roughing is performed in order to process into a predetermined shape. The temperature conditions in this roughing step S03 are not particularly limited, but are within the range of −200 ° C. to 200 ° C. for cold or warm rolling in order to suppress recrystallization or improve dimensional accuracy. Is preferable, and room temperature is particularly preferable. The processing rate is preferably 20% or more, more preferably 30% or more. The processing method is not particularly limited, and for example, rolling, drawing, extrusion, groove rolling, forging, pressing, or the like can be adopted.

(中間熱処理工程S04)
粗加工工程S03後に、加工性向上のための軟化、または再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、中間熱処理工程S04と後述する上前加工工程S05を繰り返し実施してもよい。
ここで、この中間熱処理工程S04が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程S04では、平均結晶粒径が5μm以上となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。例えば700℃では1秒から120秒程度保持することが好ましい。
(Intermediate heat treatment step S04)
After the roughing step S03, a heat treatment is performed to soften or recrystallize the workability. The intermediate heat treatment step S04 and the upper preprocessing step S05, which will be described later, may be repeated.
Here, since this intermediate heat treatment step S04 is substantially the final recrystallization heat treatment, the crystal grain size of the recrystallized structure obtained in this step is substantially equal to the final crystal grain size. Therefore, in this intermediate heat treatment step S04, it is preferable to appropriately select the heat treatment conditions so that the average crystal grain size is 5 μm or more. For example, at 700 ° C., it is preferably held for about 1 to 120 seconds.

(上前加工工程S05)
中間熱処理工程S04後の銅素材を所定の形状に加工するため、上前加工を行う。なお、この上前加工工程S05における温度条件は特に限定はないが、加工時の再結晶を抑制するため、または軟化を抑制するために冷間、または温間加工となる-200℃から200℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。
また、加工率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、上前加工工程S05において加工硬化、または圧延集合組織であるBrass方位割合を上昇させ強度を向上させるためには、加工率を5%以上とすることが好ましい。また。さらなる強度の向上を図る場合には、加工率を10%以上とすることがより好ましく、加工率を15%以上とすることがさらに好ましい。
一方、Brass方位の過剰な配向を抑制させるため、加工率を75%以下とすることが好ましく、加工率を70%以下とすることがより好ましい。
また、加工方法については、特に限定はなく、例えば圧延、引抜、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。
(Upper pre-processing process S05)
In order to process the copper material after the intermediate heat treatment step S04 into a predetermined shape, upper preprocessing is performed. The temperature conditions in the pre-processing step S05 are not particularly limited, but cold or warm processing is performed in order to suppress recrystallization during processing or to suppress softening, and the temperature is −200 ° C. to 200 ° C. It is preferable that the temperature is within the above range, and room temperature is particularly preferable.
Further, the machining ratio is appropriately selected so as to be close to the final shape, but in order to increase the work hardening or the brass orientation ratio which is the rolled texture in the upper pre-machining step S05 and improve the strength. The processing rate is preferably 5% or more. Also. When further improving the strength, the processing rate is more preferably 10% or more, and the processing rate is more preferably 15% or more.
On the other hand, in order to suppress excessive orientation of the Brass orientation, the processing rate is preferably 75% or less, and more preferably 70% or less.
The processing method is not particularly limited, and for example, rolling, drawing, extrusion, groove rolling, forging, pressing, or the like can be adopted.

(機械的表面処理工程S06)
上前加工工程S05後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、所望の形状がほぼ得られた後に表面近傍に等方的に圧縮応力を与える処理であり、耐熱性や強度の異方性を低下させる効果がある。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、1パス当りの圧下率が低い軽圧延(1パス当たりの圧下率1~10%とし3回以上繰り返す)など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
なお、Mgを添加した銅合金に、この機械的表面処理を加えることで、耐熱性が大きく向上することになる。
(Mechanical surface treatment step S06)
After the upper pre-processing step S05, a mechanical surface treatment is performed. The mechanical surface treatment is a treatment in which compressive stress is applied isotropically to the vicinity of the surface after the desired shape is almost obtained, and has the effect of reducing the anisotropy of heat resistance and strength.
Mechanical surface treatment includes shot peening treatment, blasting treatment, lapping treatment, polishing treatment, buffing, grinder polishing, sandpaper polishing, tension leveler treatment, and light rolling with low reduction rate per pass (reduction rate per pass). Various commonly used methods such as 1 to 10% and repeated 3 times or more can be used.
By adding this mechanical surface treatment to the copper alloy to which Mg is added, the heat resistance is greatly improved.

(仕上熱処理工程S07)
次に、機械的表面処理工程S06によって得られた塑性加工材に対して、含有元素の粒界への偏析および残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を実施してもよい。
熱処理温度は、100℃以上500℃以下の範囲内とすることが好ましい。なお、この仕上熱処理工程S07においては、再結晶による強度の大幅な低下を避けるように、熱処理条件を設定する必要がある。例えば450℃では0.1秒から10秒程度保持、250℃では1分から100時間とすることが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
さらに、上述の上前加工工程S05、機械的表面処理工程S06、仕上熱処理工程S07を、繰り返し実施してもよい。
(Finishing heat treatment step S07)
Next, the plastic processed material obtained in the mechanical surface treatment step S06 may be subjected to a finish heat treatment in order to segregate the contained elements into the grain boundaries and remove residual strain.
The heat treatment temperature is preferably in the range of 100 ° C. or higher and 500 ° C. or lower. In this finish heat treatment step S07, it is necessary to set the heat treatment conditions so as to avoid a significant decrease in strength due to recrystallization. For example, it is preferably held at 450 ° C. for about 0.1 to 10 seconds, and at 250 ° C. for 1 minute to 100 hours. This heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere or a reducing atmosphere. The heat treatment method is not particularly limited, but a short-time heat treatment using a continuous annealing furnace is preferable from the viewpoint of reducing the manufacturing cost.
Further, the above-mentioned upper pre-processing step S05, mechanical surface treatment step S06, and finish heat treatment step S07 may be repeatedly performed.

このようにして、本実施形態である銅合金(銅合金塑性加工材)が製出されることになる。なお、圧延により製出された銅合金塑性加工材を銅合金圧延板という。
ここで、銅合金塑性加工材の板厚を0.1mm以上とした場合には、大電流用途での導体としての使用に適している。また、銅合金塑性加工材の板厚を10.0mm以下とすることにより、プレス機の荷重の増大を抑制し、単位時間あたりの生産性を確保することができ、製造コストを抑えることができる。
このため、銅合金塑性加工材(銅合金圧延材)の板厚は0.1mm以上10.0mm以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、銅合金塑性加工材(銅合金圧延材)の板厚の下限は0.5mm以上とすることが好ましく、1.0mm以上とすることがより好ましい。一方、銅合金塑性加工材(銅合金圧延材)の板厚の上限は9.0mm未満とすることが好ましく、8.0mm未満とすることがより好ましい。
In this way, the copper alloy (copper alloy plastically processed material) according to the present embodiment is produced. The copper alloy plastically processed material produced by rolling is called a copper alloy rolled plate.
Here, when the plate thickness of the copper alloy plastic working material is 0.1 mm or more, it is suitable for use as a conductor in a large current application. Further, by setting the plate thickness of the copper alloy plastic working material to 10.0 mm or less, it is possible to suppress an increase in the load of the press machine, secure productivity per unit time, and suppress manufacturing costs. ..
Therefore, the plate thickness of the plastically processed copper alloy material (rolled copper alloy material) is preferably in the range of 0.1 mm or more and 10.0 mm or less.
The lower limit of the plate thickness of the copper alloy plastically worked material (copper alloy rolled material) is preferably 0.5 mm or more, and more preferably 1.0 mm or more. On the other hand, the upper limit of the plate thickness of the copper alloy plastically worked material (copper alloy rolled material) is preferably less than 9.0 mm, more preferably less than 8.0 mm.

以上のような構成とされた本実施形態である銅合金においては、Mgの含有量が10massppm超え100massppm未満の範囲内とされ、Mgと化合物を生成する元素であるSの含有量を10massppm以下、Pの含有量を10massppm以下、Seの含有量を5massppm以下、Teの含有量を5massppm以下、Sbの含有量を5massppm以下、Biの含有量を5masppm以下、Asの含有量を5masppm以下、さらに、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量を30massppm以下に制限しているので、微量添加したMgを銅の母相中に固溶させることができ、導電率を大きく低下させることなく、耐熱性を向上させることが可能となる。 In the copper alloy of the present embodiment having the above-mentioned structure, the Mg content is in the range of more than 10 mass ppm and less than 100 mass ppm, and the content of S, which is an element that forms a compound with Mg, is 10 mass ppm or less. The P content is 10 mass ppm or less, the Se content is 5 mass ppm or less, the Te content is 5 mass ppm or less, the Sb content is 5 mass ppm or less, the Bi content is 5 mass ppm or less, the As content is 5 mass ppm or less, and further. Since the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi and As is limited to 30 mass ppm or less, Mg added in a small amount can be dissolved in the copper matrix, and the conductivity is greatly reduced. It is possible to improve the heat resistance without causing it.

そして、Mgの含有量を〔Mg〕とし、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量を〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕とした場合に、これらの質量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕が0.6以上50以下の範囲内に設定しているので、Mgが過剰に固溶して導電率を低下させることなく耐熱性を十分に向上させることが可能となる。
よって、本実施形態の銅合金によれば、導電率を97%IACS以上、および、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDを210℃以上とすることができ、高い導電率と優れた耐熱性とを両立することが可能となる。
When the content of Mg is [Mg] and the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi and As is [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As], the mass ratios [Mg] / [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As] are Since it is set in the range of 0.6 or more and 50 or less, it is possible to sufficiently improve the heat resistance without excessively dissolving Mg and lowering the conductivity.
Therefore, according to the copper alloy of the present embodiment, the conductivity is 97% IACS or more, and the semi-softening temperature TLD obtained by conducting a tensile test in the direction parallel to the rolling direction is 210 ° C. or more. It is possible to achieve both high conductivity and excellent heat resistance.

そして、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行い得られた半軟化温度TTDから算出される半軟化温度比TLD/TTDが0.95を超え、1.08未満の範囲内とされているので、耐熱性について異方性が小さく、例えば、大電流用の端子やバスバーのように、圧延方向に対して平行な方向、および、圧延方向に対して直交する方向のどちらにも耐熱性が必要な場合にも、高温環境化での十分な強度が確保される。 Then, the semi-softening calculated from the semi- softening temperature T LD obtained by performing the tensile test in the direction parallel to the rolling direction and the semi-softening temperature T T D obtained by performing the tensile test in the direction orthogonal to the rolling direction. Since the temperature ratio T LD / T TD exceeds 0.95 and is within the range of less than 1.08, the anisotropy of heat resistance is small, for example, rolling like terminals and bus bars for large currents. Sufficient strength in a high temperature environment is ensured even when heat resistance is required in both the direction parallel to the direction and the direction orthogonal to the rolling direction.

本実施形態において、Agの含有量が5massppm以上20massppm以下の範囲内とされている場合には、Agが粒界近傍に偏析し、粒界拡散が抑制され、耐熱性を向上させることが可能となる。 In the present embodiment, when the Ag content is in the range of 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less, Ag segregates in the vicinity of the grain boundaries, the grain boundary diffusion is suppressed, and the heat resistance can be improved. Become.

また、本実施形態において、Brass方位{110}〈112〉に対して10°以内の結晶方位を有する結晶の面積割合が30%以下に制限されている場合には、圧延方向に対して直交する方向の強度が優先的に高くなることが抑制され、強度の異方性を確実に抑えることが可能となる。 Further, in the present embodiment, when the area ratio of the crystal having a crystal orientation within 10 ° with respect to the Brass orientation {110} <112> is limited to 30% or less, it is orthogonal to the rolling direction. It is possible to suppress the preferential increase in the strength in the direction, and it is possible to surely suppress the anisotropy of the strength.

さらに、本実施形態において、圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度TSTDと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDと、から算出される強度比TSTD/TSLDが0.93を超え、1.10未満の範囲内とされている場合には、強度の異方性が小さく、大電流用の端子やバスバーのように、圧延方向に対して平行な方向、および、圧延方向に対して直交する方向のどちらにも強度が必要な場合にも十分な強度が確保される。 Further, in the present embodiment, the tensile strength TS TD when the tensile test is performed in the direction orthogonal to the rolling direction and the tensile strength TS LD when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction are obtained. When the calculated intensity ratio TS TD / TS LD exceeds 0.93 and is within the range of less than 1.10, the intensity anisotropy is small, such as a terminal for large current or a bus bar. , Sufficient strength is ensured when strength is required in both the direction parallel to the rolling direction and the direction orthogonal to the rolling direction.

また、本実施形態において、圧延方向に平行な方向における引張強度TSTDが200MPa以上である場合には、圧延方向に平行な方向における引張強度TSTDが十分に高く、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。 Further, in the present embodiment, when the tensile strength TS TD in the direction parallel to the rolling direction is 200 MPa or more, the tensile strength TS TD in the direction parallel to the rolling direction is sufficiently high, and the terminal, bus bar, lead frame, and the like. It is particularly suitable as a material for parts for electronic and electrical equipment such as heat dissipation boards.

本実施形態である銅合金塑性加工材は、上述の銅合金で構成されていることから、導電性、耐熱性に優れ、かつ、耐熱性の異方性が小さく、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
また、本実施形態である銅合金塑性加工材を、厚さが0.1mm以上10mm以下の範囲内の圧延板とした場合には、銅合金塑性加工材(圧延板)に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品を比較的容易に成形することができる。
なお、本実施形態である銅合金塑性加工材の表面にSnめっき層又はAgめっき層を形成した場合には、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
Since the copper alloy plastically processed material of the present embodiment is composed of the above-mentioned copper alloy, it is excellent in conductivity and heat resistance, and has a small heat resistance anisotropy. It is particularly suitable as a material for parts for electronic and electrical equipment such as heat dissipation boards.
Further, when the copper alloy plastically processed material of the present embodiment is a rolled plate having a thickness of 0.1 mm or more and 10 mm or less, the copper alloy plastically processed material (rolled plate) is punched or punched. By bending, parts for electronic and electrical equipment such as terminals, bus bars, lead frames, and heat dissipation boards can be molded relatively easily.
When a Sn plating layer or an Ag plating layer is formed on the surface of the plastically processed copper alloy material of the present embodiment, it is particularly used as a material for parts for electronic and electrical equipment such as terminals, bus bars, lead frames, and heat dissipation substrates. Is suitable.

さらに、本実施形態である電子・電気機器用部品(端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等)は、上述の銅合金塑性加工材で構成されているので、大電流用途、高温環境下においても、優れた特性を発揮することができる。 Further, since the electronic / electrical equipment parts (terminals, bus bars, lead frames, heat dissipation boards, etc.) of the present embodiment are made of the above-mentioned copper alloy plastically processed material, they can be used in high currents and in high temperature environments. , Can exhibit excellent characteristics.

以上、本発明の実施形態である銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品(端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板等)について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、銅合金(銅合金塑性加工材)の製造方法の一例について説明したが、銅合金の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
Although the copper alloy, the copper alloy plastic processed material, and the parts for electronic / electrical equipment (terminals, bus bars, lead frames, heat dissipation boards, etc.) which are the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is limited thereto. However, it can be changed as appropriate without departing from the technical idea of the invention.
For example, in the above-described embodiment, an example of a method for manufacturing a copper alloy (copper alloy plastic processed material) has been described, but the method for manufacturing a copper alloy is not limited to that described in the embodiment, and is not limited to the existing method. The production method may be appropriately selected for production.

以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
帯溶融精製法により、純度99.999mass%以上の純銅からなる原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Arガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
The results of the confirmation experiment conducted to confirm the effect of the present invention will be described below.
By the band melting purification method, a raw material made of pure copper having a purity of 99.999 mass% or more was charged into a high-purity graphite crucible and melted at high frequency in an atmosphere furnace having an Ar gas atmosphere.

得られた銅溶湯内に、6N(純度99.9999mass%)以上の高純度銅と2N(純度99mass%)以上の純度を有する純金属を用いて作製した各種0.1mass%母合金を添加して成分調整し、断熱材(イソウール)鋳型に注湯することにより、表1,2に示す成分組成の鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約30mm×幅約60mm×長さ約150~200mmとした。 Various 0.1 mass% mother alloys prepared using high-purity copper having a purity of 6N (purity 99.9999 mass%) or more and a pure metal having a purity of 2N (purity 99 mass%) or more are added to the obtained molten copper. The components were adjusted and poured into a heat insulating material (isowool) mold to produce ingots having the component compositions shown in Tables 1 and 2. The size of the ingot was about 30 mm in thickness × about 60 mm in width × about 150 to 200 mm in length.

得られた鋳塊に対して、Mgの溶体化のため、Arガス雰囲気中において、900℃、1時間の加熱を行い、酸化被膜を除去するために表面研削を実施し、所定の大きさに切断を行った。
その後、適宜最終厚みになる様に厚みを調整して切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表3,4に記載の条件で粗圧延を行った後、再結晶により結晶粒径が30μm程度となる条件で中間熱処理を実施した。
The obtained ingot was heated at 900 ° C. for 1 hour in an Ar gas atmosphere to dissolve Mg, and surface grinding was performed to remove the oxide film to a predetermined size. I made a disconnection.
Then, the thickness was adjusted so as to be the final thickness as appropriate, and cutting was performed. Each of the cut samples was roughly rolled under the conditions shown in Tables 3 and 4, and then subjected to an intermediate heat treatment under the condition that the crystal grain size was about 30 μm by recrystallization.

次に、表3,4に記載された条件にて上前圧延(上前加工工程)を実施した。
そして、これらの試料に表3,4に記載された手法で機械的表面処理工程を施した。
なお、サンドペーパー研磨は♯180の研磨紙を用いて行った。
グラインダー研磨は、番手#400の軸受ホイルを用い、1分間に4500回転の速度で研磨を行った。
ショットピーニング処理は直径0.3mmのステンレスのショットを用い、投射速度10m/秒、投射時間10秒で実施した。
その後、表3,4に記載の条件で仕上熱処理を行い、それぞれ表3,4に記載された厚さ×幅約60mmの条材を製出した。
Next, the upper pre-rolling (upper pre-machining step) was carried out under the conditions shown in Tables 3 and 4.
Then, these samples were subjected to a mechanical surface treatment step by the methods shown in Tables 3 and 4.
The sandpaper polishing was performed using # 180 polishing paper.
For grinding, a bearing foil with a count of # 400 was used, and polishing was performed at a speed of 4500 rotations per minute.
The shot peening treatment was carried out using a stainless steel shot having a diameter of 0.3 mm at a projection speed of 10 m / sec and a projection time of 10 seconds.
Then, the finish heat treatment was performed under the conditions shown in Tables 3 and 4, and the strips having a thickness × width of about 60 mm shown in Tables 3 and 4, respectively, were produced.

得られた条材について、以下の項目について評価を実施した。 The following items were evaluated for the obtained strips.

(組成分析)
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Mgは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、その他の元素はグロー放電質量分析装置(GD-MS)を用いて測定した。なお、測定は試料中央部と幅方向端部の2カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。その結果、表1,2に示す成分組成であることを確認した。
(Composition analysis)
A measurement sample was taken from the obtained ingot, Mg was measured by inductively coupled plasma emission spectroscopy, and other elements were measured using a glow discharge mass spectrometer (GD-MS). The measurement was performed at two points, the center of the sample and the end in the width direction, and the one with the higher content was taken as the content of the sample. As a result, it was confirmed that the composition was as shown in Tables 1 and 2.

(Brass方位割合)
圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちTD面(Transverse direction)を観察面として、EBSD測定装置及びOIM解析ソフトによって、次のようにBrass方位割合を測定した。
耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、EBSD測定装置(FEI社製Quanta FEG 450,EDAX/TSL社製(現 AMETEK社) OIM Data Collection)と、解析ソフト(EDAX/TSL社製(現 AMETEK社)OIM Data Analysis ver.7.3.1)によって、電子線の加速電圧20kV、測定間隔3μmステップで1mm以上の測定面積で、CI値が0.1以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位の解析を行い、各解析点が、対象とするBrass方位(理想方位から10°以内)か否かを判定し、測定領域におけるBrass方位割合(結晶方位の面積率)を求めた。
(Brass direction ratio)
With the plane perpendicular to the width direction of rolling, that is, the TD plane (Transverse direction) as the observation plane, the Brass directional ratio was measured as follows by an EBSD measuring device and OIM analysis software.
After mechanical polishing using water-resistant abrasive paper and diamond abrasive grains, finish polishing was performed using a colloidal silica solution. Then, the EBSD measuring device (Quanta FEG 450 manufactured by FEI, OIM Data Collection manufactured by EDAX / TSL (currently AMETEK)) and the analysis software (EDAX / TSL (currently AMETEK) OIM Data Analysis ver.7.3). According to 1), the orientation of each crystal grain was analyzed except for the measurement points where the electron beam acceleration voltage was 20 kV, the measurement interval was 3 μm, the measurement area was 1 mm 2 or more, and the CI value was 0.1 or less. It was determined whether or not each analysis point was the target Brass orientation (within 10 ° from the ideal orientation), and the Brass orientation ratio (area ratio of the crystal orientation) in the measurement region was obtained.

(導電率)
特性評価用条材から幅10mm×長さ60mmの試験片を採取し、4端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。評価結果を表3,4に示す。
(conductivity)
A test piece having a width of 10 mm and a length of 60 mm was sampled from a strip for character evaluation, and the electrical resistance was determined by the 4-terminal method. In addition, the dimensions of the test piece were measured using a micrometer, and the volume of the test piece was calculated. Then, the conductivity was calculated from the measured electric resistance value and volume. The test pieces were collected so that the longitudinal direction thereof was parallel to the rolling direction of the strip material for character evaluation. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4.

(強度比)
特性評価用条材から、圧延方向に対して平行方向および圧延方向に対して直交方向で、JIS Z 2241に規定される13B号試験片を採取し、JIS Z 2241のオフセット法により、引張強度を測定した。圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度TSTDと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDと、から強度比TSTD/TSLDを算出した。
強度比TSTD/TSLD、および、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDを表3,4に示す。
(Strength ratio)
No. 13B test pieces specified in JIS Z 2241 were collected from the strips for characteristic evaluation in the direction parallel to the rolling direction and in the direction orthogonal to the rolling direction, and the tensile strength was determined by the offset method of JIS Z 2241. It was measured. Tensile strength TS TD when the tensile test is performed in the direction perpendicular to the rolling direction, and tensile strength TS LD when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction, and the strength ratio TS TD / TS LD . Was calculated.
Tables 3 and 4 show the strength ratio TS TD / TS LD and the tensile strength TS LD when the tensile test was performed in the direction parallel to the rolling direction.

(半軟化温度比)
半軟化温度は日本伸銅協会のJCBA T325:2013に準拠して、1時間の熱処理での引張強度による等時軟化曲線を取得することで評価した。なお、引張強度は前述の機械的特性と同様に、JIS Z 2241に規定される13B号試験片を採取し、JIS Z 2241のオフセット法により、圧延方向と平行な方向と、圧延方向と直交する方向にそれぞれ測定した。
そして、上記で得た半軟化温度をケルビンに変換し、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行い得られた半軟化温度TTDから算出される半軟化温度比TLD/TTDを算出した。
半軟化温度比TLD/TTD、および、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDを表3,4に示す。
(Semi-softening temperature ratio)
The semi-softening temperature was evaluated in accordance with JCBA T325: 2013 of the Japan Copper and Brass Association by obtaining an isochronous softening curve based on the tensile strength after 1 hour of heat treatment. As for the tensile strength, the 13B test piece specified in JIS Z 2241 is sampled and the direction parallel to the rolling direction and orthogonal to the rolling direction are orthogonal to each other by the offset method of JIS Z 2241, as in the above-mentioned mechanical properties. Measured in each direction.
Then, the semi-softening temperature obtained above is converted into Kelvin, and a tensile test can be performed in a direction orthogonal to the rolling direction and the semi-softening temperature T LD obtained by performing a tensile test in the direction parallel to the rolling direction. The semi-softening temperature ratio T LD / T TD calculated from the obtained semi-softening temperature T TD was calculated.
Tables 3 and 4 show the semi-softening temperature ratio T LD / T TD and the semi-softening temperature T LD obtained by performing a tensile test in the direction parallel to the rolling direction.

Figure 2022072356000001
Figure 2022072356000001

Figure 2022072356000002
Figure 2022072356000002

Figure 2022072356000003
Figure 2022072356000003

Figure 2022072356000004
Figure 2022072356000004

比較例1は、Mgの含有量が本発明の範囲よりも少ないため、半軟化温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例2は、Mgの含有量が本発明の範囲を超えており、導電率が低くなった。
比較例3は、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量が30massppmを超えており、半軟化温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例4は、質量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕が0.6未満であり、半軟化温度が低く、耐熱性が不十分であった。
比較例5は、機械的表面処理工程を実施しておらず、半軟化温度比TLD/TTDが本発明の範囲を外れており、耐熱性の異方性が大きくなった。また、強度比TSTD/TSLDも大きく、強度の異方性も大きくなった。
In Comparative Example 1, since the Mg content was lower than the range of the present invention, the semi-softening temperature was low and the heat resistance was insufficient.
In Comparative Example 2, the Mg content was beyond the range of the present invention, and the conductivity was low.
In Comparative Example 3, the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi and As exceeded 30 mass ppm, the semi-softening temperature was low, and the heat resistance was insufficient.
In Comparative Example 4, the mass ratio [Mg] / [S + P + Se + Te + Sb + Bi + As] was less than 0.6, the semi-softening temperature was low, and the heat resistance was insufficient.
In Comparative Example 5, the mechanical surface treatment step was not carried out, the semi-softening temperature ratio TL D / T TD was out of the scope of the present invention, and the anisotropy of heat resistance became large. In addition, the strength ratio TS TD / TS LD was also large, and the anisotropy of the strength was also large.

これに対して、本発明例1~24においては、導電率と耐熱性とがバランス良く向上されており、耐熱性および強度の異方性が小さいことが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、高い導電率と優れた耐熱性を有し、耐熱性の異方性が小さい銅合金を提供可能であることが確認された。
On the other hand, in Examples 1 to 24 of the present invention, it was confirmed that the conductivity and the heat resistance were improved in a well-balanced manner, and the anisotropy of the heat resistance and the strength was small.
From the above, it was confirmed that according to the example of the present invention, it is possible to provide a copper alloy having high conductivity and excellent heat resistance and having a small anisotropy of heat resistance.

Claims (12)

Mgの含有量が10massppm超え100massppm未満の範囲内、残部がCu及び不可避不純物とした組成を有し、前記不可避不純物のうち、Sの含有量が10massppm以下、Pの含有量が10massppm以下、Seの含有量が5massppm以下、Teの含有量が5massppm以下、Sbの含有量が5massppm以下、Biの含有量が5masppm以下、Asの含有量が5masppm以下とされるとともに、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量が30massppm以下とされており、
Mgの含有量を〔Mg〕とし、SとPとSeとTeとSbとBiとAsの合計含有量を〔S+P+Te+Sb+Bi+As〕とした場合に、これらの質量比〔Mg〕/〔S+P+Te+Sb+Bi+As〕が0.6以上50以下の範囲内とされており、
導電率が97%IACS以上とされ、
圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDと圧延方向に対して直交方向に引張試験を行い得られた半軟化温度TTDから算出される半軟化温度比TLD/TTDが0.95を超え、1.08未満の範囲内とされるとともに、
圧延方向に対して平行方向に引張試験を行って得られた半軟化温度TLDが210℃以上とされていることを特徴とする銅合金。
The composition has a composition in which the Mg content is in the range of more than 10 mass ppm and less than 100 mass ppm, and the balance is Cu and unavoidable impurities. Among the unavoidable impurities, the S content is 10 mass ppm or less, the P content is 10 mass ppm or less, and Se. The content is 5 mass ppm or less, the Te content is 5 mass ppm or less, the Sb content is 5 mass ppm or less, the Bi content is 5 mass ppm or less, the As content is 5 mass ppm or less, and S, P, Se, and Te. The total content of Sb, Bi and As is 30 mass ppm or less.
When the content of Mg is [Mg] and the total content of S, P, Se, Te, Sb, Bi and As is [S + P + Te + Sb + Bi + As], the mass ratios [Mg] / [S + P + Te + Sb + Bi + As] are 0. It is said to be within the range of 6 or more and 50 or less.
Conductivity is 97% IACS or higher,
Semi-softening temperature ratio calculated from the semi-softening temperature TD obtained by conducting a tensile test in the direction parallel to the rolling direction and the semi-softening temperature TTD obtained by performing a tensile test in the direction orthogonal to the rolling direction. T LD / T TD exceeds 0.95 and is within the range of less than 1.08.
A copper alloy characterized in that the semi-softening temperature TLD obtained by conducting a tensile test in a direction parallel to the rolling direction is 210 ° C. or higher.
Agの含有量が5massppm以上20massppm以下の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の銅合金。 The copper alloy according to claim 1, wherein the Ag content is in the range of 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less. Brass方位{110}〈112〉に対して10°以内の結晶方位を有する結晶の割合が30%以下とされていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の銅合金。 The copper alloy according to claim 1 or 2, wherein the proportion of crystals having a crystal orientation within 10 ° with respect to the Brass orientation {110} <112> is 30% or less. 圧延方向に対して直交方向に引張試験を行った際の引張強度TSTDと、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDと、から算出される強度比TSTD/TSLDが0.93を超え、1.10未満の範囲内とされるとともに、
圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の引張強度TSLDが200MPa以上であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の銅合金。
The strength ratio TS TD calculated from the tensile strength TS TD when the tensile test is performed in the direction orthogonal to the rolling direction and the tensile strength TS LD when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction. / TS LD exceeds 0.93 and is within the range of less than 1.10.
The copper alloy according to any one of claims 1 to 3, wherein the tensile strength TS LD when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction is 200 MPa or more.
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の銅合金からなることを特徴とする銅合金塑性加工材。 A copper alloy plastically worked material comprising the copper alloy according to any one of claims 1 to 4. 厚さが0.1mm以上10mm以下の範囲内の圧延板であることを特徴とする請求項5に記載の銅合金塑性加工材。 The copper alloy plastically worked material according to claim 5, wherein the rolled plate has a thickness of 0.1 mm or more and 10 mm or less. 表面にSnめっき層又はAgめっき層を有することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の銅合金塑性加工材。 The copper alloy plastic working material according to claim 5 or 6, wherein the surface thereof has a Sn plating layer or an Ag plating layer. 請求項5から請求項7のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とする電子・電気機器用部品。 A component for electronic / electrical equipment, which comprises the copper alloy plastic working material according to any one of claims 5 to 7. 請求項5から請求項7のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とする端子。 A terminal made of the copper alloy plastically worked material according to any one of claims 5 to 7. 請求項5から請求項7のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とするバスバー。 A bus bar made of the copper alloy plastically worked material according to any one of claims 5 to 7. 請求項5から請求項7のいずれか一項に記載された銅合金塑性加工材からなることを特徴とするリードフレーム。 A lead frame made of the copper alloy plastically worked material according to any one of claims 5 to 7. 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載された銅合金を用いて作製されたことを特徴とする放熱基板。 A heat-dissipating substrate made by using the copper alloy according to any one of claims 1 to 4.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0372041A (en) * 1989-08-09 1991-03-27 Furukawa Electric Co Ltd:The Copper alloy for trolley wire
JPH04280935A (en) * 1991-03-07 1992-10-06 Furukawa Electric Co Ltd:The Metallic gasket material and its production
JP2001152267A (en) * 1999-11-18 2001-06-05 Kobe Steel Ltd Copper alloy rolled foil
JP2008255416A (en) * 2007-04-05 2008-10-23 Hitachi Cable Ltd Method for manufacturing copper material, and copper material
JP2016056414A (en) * 2014-09-10 2016-04-21 三菱マテリアル株式会社 Copper rolled sheet and component for electronic and electrical device
JP2017186623A (en) * 2016-04-06 2017-10-12 三菱マテリアル株式会社 Superconductive stabilization material, superconductive wire and superconductive coil

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4280935B2 (en) 2006-08-01 2009-06-17 日本電気株式会社 Bar code processing apparatus and bar code processing program

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0372041A (en) * 1989-08-09 1991-03-27 Furukawa Electric Co Ltd:The Copper alloy for trolley wire
JPH04280935A (en) * 1991-03-07 1992-10-06 Furukawa Electric Co Ltd:The Metallic gasket material and its production
JP2001152267A (en) * 1999-11-18 2001-06-05 Kobe Steel Ltd Copper alloy rolled foil
JP2008255416A (en) * 2007-04-05 2008-10-23 Hitachi Cable Ltd Method for manufacturing copper material, and copper material
JP2016056414A (en) * 2014-09-10 2016-04-21 三菱マテリアル株式会社 Copper rolled sheet and component for electronic and electrical device
JP2017186623A (en) * 2016-04-06 2017-10-12 三菱マテリアル株式会社 Superconductive stabilization material, superconductive wire and superconductive coil

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