JP2022069414A - Slit copper material, component for electronic/electric devices, bus bar, and heat dissipation substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、バスバー、放熱基板等の電子・電気機器用部品に適したスリット銅材、このスリット銅材を用いて作られた電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板に関するものである。 The present invention relates to a slit copper material suitable for parts for electronic / electrical equipment such as a bus bar and a heat dissipation board, parts for electronic / electrical equipment made by using the slit copper material, a bus bar, and a heat dissipation board.
従来、バスバー、放熱基板等の電子・電気機器用部品には、導電性の高い銅又は銅合金が用いられている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
しかしながら、従来の純銅材においては、電子機器や電気機器等に成形する際に必要となる曲げ加工性が不十分であり、特にエッジワイズ曲げなどの厳しい加工を施した際に割れが生じるなどの問題があった。
Conventionally, highly conductive copper or copper alloy has been used for electronic / electrical equipment parts such as bus bars and heat dissipation boards.
Here, in order to reduce the current density and dissipate heat due to Joule heat generation due to the increase in current of electronic devices and electric devices, the electronic and electric device parts used in these electronic devices and electric devices are used. , Pure copper material such as oxygen-free copper having excellent conductivity is applied.
However, the conventional pure copper material has insufficient bending workability required for molding into electronic devices, electric devices, etc., and cracks occur especially when severe processing such as edgewise bending is performed. There was a problem.
そこで、特許文献１には、０．２％耐力を１５０ＭＰa以下とした無酸素銅で形成された平角銅線を備えた絶縁平角銅線が開示されている。
特許文献１に記載された銅圧延板においては、０．２％耐力を１５０ＭＰａ以下に抑えているので、エッジワイズ曲げ加工を施した際の曲げ加工部分における耐電圧特性の低下を抑制することが可能であった。
Therefore, Patent Document 1 discloses an insulated flat copper wire including a flat copper wire formed of oxygen-free copper having a 0.2% proof stress of 150 MPa or less.
In the copper rolled plate described in Patent Document 1, since the 0.2% proof stress is suppressed to 150 MPa or less, it is possible to suppress the deterioration of the withstand voltage characteristic in the bent portion when the edgewise bending process is performed. It was possible.
ところで、最近では、上述の電子・電気機器用部品を構成する銅材においては、大電流が流された際の発熱を十分に抑制するために、また、純銅材が用いられていた用途に使用可能なように、導電率をさらに向上させることが求められている。
また、最近では、上述の電子・電気機器用部品において、さらに複雑な曲げ加工を行うことがあり、従来よりもさらに曲げ加工性を向上させる必要があった。
By the way, recently, in the copper material constituting the above-mentioned electronic / electrical equipment parts, it is used in order to sufficiently suppress heat generation when a large current is passed, and also in applications where pure copper material is used. It is required to further improve the conductivity so as to be possible.
Further, recently, in the above-mentioned electronic / electrical equipment parts, more complicated bending may be performed, and it is necessary to further improve the bending workability as compared with the conventional case.
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、高い導電率、および、優れた曲げ加工性を有するスリット銅材、このスリット銅材を用いて作られた電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and is a slit copper material having high conductivity and excellent bending workability, and parts for electronic and electrical equipment made by using the slit copper material. , Busbars, heat dissipation boards.
この課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、スリット銅材において、さらに曲げ加工性を向上させるためには、結晶組織を適正に制御することが必要であることが明らかになった。すなわち、ＥＢＳＤ法による集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角で表したとき、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値を適正に制御することで、従来よりも高い水準で曲げ加工性を向上させることが可能となるとの知見を得た。 As a result of diligent studies by the present inventors in order to solve this problem, it is clear that it is necessary to appropriately control the crystal structure of the slit copper material in order to further improve the bending workability. became. That is, when the crystal orientation distribution function obtained from the texture analysis by the EBSD method is expressed by Euler angles, the average value of the orientation densities in the ranges of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° is calculated. It was found that it is possible to improve bending workability at a higher level than before by controlling it properly.
本発明は、上述の知見に基づいてなされたものであって、本発明の一態様に係るスリット銅材は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上であり、板幅Ｗと板厚ｔとの比Ｗ／ｔが１０以上とされたスリット銅材であって、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされ、板厚中心部において、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値が２．０以上３０．０未満であることを特徴としている。 The present invention has been made based on the above findings, and the slit copper material according to one aspect of the present invention has a Cu purity of 99.96 mass% or more, and has a plate width W and a plate thickness t. A slit copper material having a ratio W / t of 10 or more, having a conductivity of 97.0% IACS or more, and having φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, Φ = at the center of the plate thickness. It is characterized in that the average value of the azimuth density in the range of 0 ° is 2.0 or more and less than 30.0.
なお、スリット銅材とは、銅板条材を所定の幅にスリット加工したものである。
また、本明細書において、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。
The slit copper material is a copper plate strip processed into a predetermined width.
Further, in the present specification, the central portion of the plate thickness is a region from the surface in the plate thickness direction to 25% to 75% of the total thickness.
この構成のスリット銅材によれば、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上とされているので、導電性を確保することができ、導電率を９７．０％ＩＡＣＳ以上とすることが可能となる。
そして、板厚中心部において、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値が２．０以上３０．０未満とされているので、曲げ加工性を十分に向上させることが可能となる。
According to the slit copper material having this configuration, the purity of Cu is 99.96 mass% or more, so that the conductivity can be ensured and the conductivity can be 97.0% IACS or more. ..
At the center of the plate thickness, the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° is 2.0 or more and less than 30.0. It is possible to sufficiently improve the sex.
ここで、本発明の一態様に係るスリット銅材においては、前記板厚中心部の平均結晶粒径Ａが５０μｍ以下とされていることが好ましい。
この場合、前記板厚中心部の平均結晶粒径Ａが５０μｍ以下とされているので、曲げ加工性をさらに向上させることが可能となる。また、スリット時のバリの発生を抑制でき、曲げ加工時におけるバリを起点とした割れの発生を抑制することができる。
Here, in the slit copper material according to one aspect of the present invention, it is preferable that the average crystal grain size A at the center of the plate thickness is 50 μm or less.
In this case, since the average crystal grain size A at the center of the plate thickness is 50 μm or less, it is possible to further improve the bending workability. Further, the generation of burrs at the time of slitting can be suppressed, and the generation of cracks starting from burrs at the time of bending can be suppressed.
また、本発明の一態様に係るスリット銅材においては、前記板厚中心部の平均結晶粒径Ａと板厚表層部の平均結晶粒径Ｂとの比Ｂ／Ａが０．８０以上１．２０以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、板厚中心部の平均結晶粒径Ａと板厚表層部の平均結晶粒径Ｂとの比Ｂ／Ａが０．８０以上１．２０以下の範囲内とされているので、加工時に応力が局所的に集中することを抑制でき、曲げ加工性をさらに向上させることができる。
なお、本明細書において、板厚表層部とは、板厚方向における表面から全厚の２０％までの領域とする。
Further, in the slit copper material according to one aspect of the present invention, the ratio B / A of the average crystal grain size A at the center of the plate thickness and the average crystal grain size B at the surface layer of the plate thickness is 0.80 or more. It is preferably within the range of 20 or less.
In this case, the ratio B / A of the average crystal grain size A at the center of the plate thickness and the average crystal grain size B at the surface layer of the plate thickness is in the range of 0.80 or more and 1.20 or less. It is possible to suppress the local concentration of stress and further improve the bending workability.
In the present specification, the plate thickness surface layer portion is a region from the surface in the plate thickness direction to 20% of the total thickness.
さらに、本発明の一態様に係るスリット銅材においては、圧延方向に平行な方向における０．２％耐力が１５０ＭＰａ未満であることが好ましい。
この場合、圧延方向に平行な方向における０．２％耐力が１５０ＭＰａ未満に抑えられているので、曲げ加工性をさらに向上させることができる。
Further, in the slit copper material according to one aspect of the present invention, it is preferable that the 0.2% proof stress in the direction parallel to the rolling direction is less than 150 MPa.
In this case, since the 0.2% proof stress in the direction parallel to the rolling direction is suppressed to less than 150 MPa, the bending workability can be further improved.
また、本発明の一態様に係るスリット銅材においては、板厚中心部において、φ２＝４０°、φ１＝０°～１５°、Φ＝０°～１５°の範囲における方位密度の平均値が１０．０未満であることが好ましい。
この場合、圧延集合組織が少なくなり、曲げ加工性をさらに向上させることが可能となる。
Further, in the slit copper material according to one aspect of the present invention, the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 40 °, φ1 = 0 ° to 15 °, and Φ = 0 ° to 15 ° at the center of the plate thickness. It is preferably less than 10.0.
In this case, the rolling texture is reduced, and the bending workability can be further improved.
また、本発明の一態様に係るスリット銅材においては、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内であってもよい。
この場合、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内であることから、このスリット銅材に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、バスバー、放熱基板等の電子・電気機器用部品を成形することができる。
Further, in the slit copper material according to one aspect of the present invention, the thickness may be within the range of 0.1 mm or more and 10 mm or less.
In this case, since the thickness is within the range of 0.1 mm or more and 10 mm or less, by punching or bending this slit copper material, parts for electronic / electrical equipment such as bus bars and heat dissipation boards can be obtained. Can be molded.
さらに、本発明の一態様に係るスリット銅材においては、表面に金属めっき層を有することが好ましい。
この場合、スリット銅材は、スリット銅材本体と、スリット銅材本体の表面に設けられた金属めっき層とを有すると言うこともできる。スリット銅材本体は、前述した本発明の一態様に係るスリット銅材と同一の特徴を有する。表面に金属めっき層を有しているので、バスバー、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
なお、金属めっき層としては、例えば、Ｓｎめっき、Ａｇめっき、Ｎｉめっき等が挙げられる。また、本発明の一態様においては、「Ｓｎめっき」は純Ｓｎめっき又はＳｎ合金めっきを含み、「Ａｇめっき」は純Ａｇめっき又はＡｇ合金めっきを含み、「Ｎｉめっき」は純Ｎｉめっき又はＮｉ合金めっき、を含む。
Further, in the slit copper material according to one aspect of the present invention, it is preferable to have a metal plating layer on the surface.
In this case, it can be said that the slit copper material has a slit copper material main body and a metal plating layer provided on the surface of the slit copper material main body. The slit copper material main body has the same characteristics as the slit copper material according to one aspect of the present invention described above. Since it has a metal plating layer on its surface, it is particularly suitable as a material for parts for electronic and electrical equipment such as bus bars and heat dissipation boards.
Examples of the metal plating layer include Sn plating, Ag plating, Ni plating and the like. Further, in one aspect of the present invention, "Sn plating" includes pure Sn plating or Sn alloy plating, "Ag plating" includes pure Ag plating or Ag alloy plating, and "Ni plating" includes pure Ni plating or Ni. Including alloy plating.
本発明の一態様に係る電子・電気機器用部品は、上述のスリット銅材を用いて作られたことを特徴としている。なお、本発明の一態様における電子・電気機器用部品とは、バスバー、放熱基板等を含むものである。
この構成の電子・電気機器用部品は、上述のように優れた曲げ加工性を有するスリット銅材を用いて製造されているので、複雑な曲げ加工を行うことができ、部品の小型化を図ることが可能となる。
The component for electronic / electrical equipment according to one aspect of the present invention is characterized in that it is made by using the above-mentioned slit copper material. The electronic / electrical equipment component in one aspect of the present invention includes a bus bar, a heat dissipation substrate, and the like.
Since the parts for electronic and electrical equipment having this configuration are manufactured using the slit copper material having excellent bending workability as described above, complicated bending processing can be performed and the parts can be miniaturized. It becomes possible.
本発明の一態様に係るバスバーは、上述のスリット銅材からなることを特徴としている。
この構成のバスバーは、上述のように優れた曲げ加工性を有するスリット銅材を用いて製造されているので、複雑な曲げ加工を行うことができ、バスバーの小型化を図ることが可能となる。
The bus bar according to one aspect of the present invention is characterized by being made of the above-mentioned slit copper material.
Since the bus bar having this configuration is manufactured using the slit copper material having excellent bending workability as described above, it is possible to perform complicated bending processing and to reduce the size of the bus bar. ..
本発明の一態様に係る放熱基板は、上述のスリット銅材を用いて作られたことを特徴としている。
この構成の放熱基板は、上述のように優れた曲げ加工性を有するスリット銅材を用いて製造されているので、複雑な曲げ加工を行うことができ、放熱基板の小型化を図ることが可能となる。
The heat radiating substrate according to one aspect of the present invention is characterized in that it is made by using the above-mentioned slit copper material.
Since the heat radiating substrate having this configuration is manufactured using the slit copper material having excellent bending workability as described above, complicated bending processing can be performed and the heat radiating board can be miniaturized. Will be.
本発明の一態様によれば、高い導電率、および、優れた曲げ加工性を有するスリット銅材、このスリット銅材を用いて作られた電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板を提供することが可能となる。 According to one aspect of the present invention, there is provided a slit copper material having high conductivity and excellent bending workability, parts for electronic / electrical equipment made by using the slit copper material, a bus bar, and a heat dissipation substrate. It becomes possible.
以下に、本発明の一実施形態であるスリット銅材について説明する。
本実施形態であるスリット銅材においては、銅板条材を所定の幅にスリット加工して得られたものである。本実施形態であるスリット銅材においては、板幅Ｗと板厚ｔとの比Ｗ／ｔが１０以上とされている。
Hereinafter, the slit copper material according to the embodiment of the present invention will be described.
The slit copper material of the present embodiment is obtained by slitting a copper plate strip material to a predetermined width. In the slit copper material of the present embodiment, the ratio W / t of the plate width W and the plate thickness t is set to 10 or more.
本実施形態であるスリット銅材は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上とされている。従って、スリット銅材は、Ｃｕ：９９．９６ｍａｓｓ％以上を含有し、残部は不可避不純物であると言うこともできる。
また、本実施形態であるスリット銅材においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされている。
そして、本実施形態であるスリット銅材においては、板厚中心部において、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値が２．０以上３０．０未満とされている。
The slit copper material of the present embodiment has a Cu purity of 99.96 mass% or more. Therefore, it can be said that the slit copper material contains Cu: 99.96 mass% or more, and the balance is an unavoidable impurity.
Further, in the slit copper material of the present embodiment, the conductivity is 97.0% IACS or more.
In the slit copper material of the present embodiment, the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° is 2.0 or more and 30 at the center of the plate thickness. It is said to be less than 0.0.
また、本実施形態であるスリット銅材においては、板厚中心部の平均結晶粒径Ａが５０μｍ以下とされていることが好ましい。
さらに、本実施形態であるスリット銅材においては、板厚中心部の平均結晶粒径Ａと板厚表層部の平均結晶粒径Ｂとの比Ｂ／Ａが０．８０以上１．２０以下の範囲内とされていることが好ましい。
なお、本実施形態において、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。また、板厚表層部とは、板厚方向における表面から全厚の２０％までの領域とする。
Further, in the slit copper material of the present embodiment, it is preferable that the average crystal grain size A at the center of the plate thickness is 50 μm or less.
Further, in the slit copper material of the present embodiment, the ratio B / A of the average crystal grain size A at the center of the plate thickness and the average crystal grain size B at the surface layer of the plate thickness is 0.80 or more and 1.20 or less. It is preferably within the range.
In the present embodiment, the central portion of the plate thickness is a region from the surface in the plate thickness direction to 25% to 75% of the total thickness. Further, the plate thickness surface layer portion is a region from the surface in the plate thickness direction to 20% of the total thickness.
さらに、本実施形態であるスリット銅材においては、圧延方向に平行な方向における０．２％耐力が１５０ＭＰａ未満であることが好ましい。 Further, in the slit copper material of the present embodiment, it is preferable that the 0.2% proof stress in the direction parallel to the rolling direction is less than 150 MPa.
また、本実施形態であるスリット銅材においては、板厚中心部において、φ２＝４０°、φ１＝０°～１５°、Φ＝０°～１５°の範囲における方位密度の平均値が１０．０未満であることが好ましい。 Further, in the slit copper material of the present embodiment, the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 40 °, φ1 = 0 ° to 15 °, and Φ = 0 ° to 15 ° is 10. It is preferably less than 0.
ここで、本実施形態のスリット銅材において、上述のように成分組成、組織、各種特性を規定した理由について以下に説明する。 Here, in the slit copper material of the present embodiment, the reasons for defining the component composition, the structure, and various characteristics as described above will be described below.
（Ｃｕ）
Ｃｕの含有量が高く、相対的に不純物濃度が少ない程、導電率が高くなる。このため、本実施形態では、Ｃｕの含有量を９９．９６ｍａｓｓ％以上としている。
なお、本実施形態のスリット銅材において、さらに導電率を向上させるためには、Ｃｕの含有量を９９．９７ｍａｓｓ％以上とすることが好ましく、９９．９８ｍａｓｓ％以上とすることがより好ましく、９９．９９ｍａｓｓ％以上とすることがさらに好ましい。Ｃｕの含有量の上限は特に制限はないが、製造コストが増加するため９９．９９９５ｍａｓｓ％未満とする。
(Cu)
The higher the Cu content and the relatively lower the impurity concentration, the higher the conductivity. Therefore, in this embodiment, the Cu content is 99.96 mass% or more.
In the slit copper material of the present embodiment, in order to further improve the conductivity, the Cu content is preferably 99.97 mass% or more, more preferably 99.98 mass% or more, 99. It is more preferably .99 mass% or more. The upper limit of the Cu content is not particularly limited, but is set to less than 99.9995 mass% because the manufacturing cost increases.
（その他の不可避不純物）
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ａｇ, Ａｓ, Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｂｉ, Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｇ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｐ, Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓ, Ｓｂ, Ｓｅ, Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｅ , Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で０．０４ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０２ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、さらには０．０１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
(Other unavoidable impurities)
Other unavoidable impurities other than the above-mentioned elements include Al, Ag, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Cr, Sc, rare earth elements, V, Nb, Ta, Mg, Mo, Ni, W, Mn, Re, Ru, Sr, Ti, Os, P, Co, Rh, Ir, Pb, Pd, Pt, Au, Zn, Zr, Hf, Hg, Ga, In, Ge, Y, Tl, N, Examples thereof include S, Sb, Se, Si, Sn, Te, and Li. These unavoidable impurities may be contained within a range that does not affect the characteristics.
Here, since these unavoidable impurities may lower the conductivity, the total amount is preferably 0.04 mass% or less, more preferably 0.03 mass% or less, and 0.02 mass% or less. It is more preferable to set it to 0.01 mass% or less.
The upper limit of the content of each of these unavoidable impurities is preferably 30 mass ppm or less, more preferably 20 mass ppm or less, and even more preferably 15 mass ppm or less.
（φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値）
オイラー角は試料座標系と個々の結晶粒の結晶軸との関係により結晶方位を表しており、結晶軸（Ｘ－Ｙ－Ｚ）が一致した状態から、（Ｚ－Ｘ－Ｚ）軸周りにそれぞれ（φ１，Φ，φ２）回転させることで結晶方位が表現される。３次元オイラー空間に級数展開法によりＯＤＦ（crystal orientation distribution function）を表示することで、測定範囲の結晶方位密度の分布を確認することが可能となる。この方位密度分布は標準粉末試料等で得られる完全にランダムな配向状態を１としており、例えばある方位の方位密度が２である場合、その方位はランダムな配向の２倍存在しているという意味になる。
(Average value of directional density in the range of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, Φ = 0 °)
Euler angles represent the crystal orientation by the relationship between the sample coordinate system and the crystal axis of each crystal grain, and from the state where the crystal axes (XYZ) match, around the (ZXZ) axis. Crystal orientation is expressed by rotating each (φ1, Φ, φ2). By displaying the ODF (crystal orientation distribution function) in the three-dimensional Euler space by the series expansion method, it is possible to confirm the distribution of the crystal orientation density in the measurement range. This azimuth density distribution has a completely random orientation state obtained from a standard powder sample or the like as 1, and for example, when the azimuth density of a certain orientation is 2, it means that the orientation exists twice as much as the random orientation. become.
板厚中心部において、オイラー角（φ１，Φ，φ２）で表した際にφ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の集合組織は特定の熱処理と圧延加工の組み合わせによって形成される再結晶組織であり、この集合組織の方位密度の平均値が２．０以上と高い場合には、良好な曲げ加工性を得ることができる。一方、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の方位密度の平均値が過剰に高い場合には、同じ結晶方位を持つ結晶粒同士が隣接する可能性高まり、必然的に大角粒界が減少する。すなわち結晶粒は粗大化するため、曲げ加工性が劣化するおそれがある。
よって、本実施形態では、板厚中心部において、ＥＢＳＤ法による集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角で表したとき、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の方位密度の平均値を２．０以上３０．０未満の範囲内とする。
なお、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の方位密度の平均の下限は、２．５以上とすることが好ましく、３．０以上とすることがより好ましく、３．５以上とすることがさらに好ましい。一方、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の方位密度の平均の上限は、２０．０未満とすることが好ましい。
At the center of the plate thickness, when expressed in terms of oiler angles (φ1, Φ, φ2), the texture of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° is formed by a specific combination of heat treatment and rolling. It is a recrystallized structure to be formed, and when the average value of the orientation density of this texture is as high as 2.0 or more, good bending workability can be obtained. On the other hand, when the average value of the orientation densities of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° is excessively high, the possibility that crystal grains having the same crystal orientation are adjacent to each other increases, which is inevitable. The large-angle grain boundaries are reduced. That is, since the crystal grains become coarse, the bending workability may deteriorate.
Therefore, in the present embodiment, when the crystal orientation distribution function obtained from the texture analysis by the EBSD method is expressed by Euler angles in the central portion of the plate thickness, φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, Φ = The average value of 0 ° azimuth density shall be within the range of 2.0 or more and less than 30.0.
The lower limit of the average directional density of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° is preferably 2.5 or more, more preferably 3.0 or more, 3 It is more preferably 5.5 or more. On the other hand, the upper limit of the average directional density of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° is preferably less than 20.0.
（φ２＝４０°、φ１＝０°～１５°、Φ＝０°～１５°の範囲における方位密度の平均値）
板厚中心部において、φ２＝４０°、φ１＝０°～１５°、Φ＝０°～１５°の集合組織は圧延加工で形成される圧延集合組織であり、曲げ加工性を劣化させる。
このため、本実施形態においては、板厚中心部において、ＥＢＳＤ法による集合組織解析から得られた結晶方位分布関数をオイラー角で表したとき、φ２＝４０°、φ１＝０°～１５°、Φ＝０°～１５°の範囲における方位密度の平均値を１０未満とすることが好ましい。
ここで、φ２＝４０°、φ１＝０°～１５°、Φ＝０°～１５°の範囲における方位密度の平均値は５．０未満とすることがより好ましく、３．０未満とすることがさらに好ましい。φ２＝４０°、φ１＝０°～１５°、Φ＝０°～１５°の範囲における方位密度の平均値の下限は特に制限はないが、０．１超えが好ましい。
(Average value of directional density in the range of φ2 = 40 °, φ1 = 0 ° to 15 °, Φ = 0 ° to 15 °)
At the center of the plate thickness, the texture of φ2 = 40 °, φ1 = 0 ° to 15 °, and Φ = 0 ° to 15 ° is a rolled texture formed by rolling, which deteriorates bending workability.
Therefore, in the present embodiment, when the crystal orientation distribution function obtained from the texture analysis by the EBSD method is expressed by Euler angles at the center of the plate thickness, φ2 = 40 °, φ1 = 0 ° to 15 °, It is preferable that the average value of the azimuth density in the range of Φ = 0 ° to 15 ° is less than 10.
Here, the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 40 °, φ1 = 0 ° to 15 °, and Φ = 0 ° to 15 ° is more preferably less than 5.0, and more preferably less than 3.0. Is even more preferable. The lower limit of the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 40 °, φ1 = 0 ° to 15 °, and Φ = 0 ° to 15 ° is not particularly limited, but is preferably more than 0.1.
（導電率：９７．０％ＩＡＣＳ以上）
本実施形態である銅合金においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされている。
導電率を９７．０％ＩＡＣＳ以上とすることにより、通電時の発熱を抑えて、純銅材の代替として端子、バスバー、放熱基板等の電子・電気機器用部品として良好に使用することが可能となる。
なお、導電率は９７．５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、９８．０％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、９８．５％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、９９．０％ＩＡＣＳ以上であることが一層好ましい。導電率の上限値は、特に限定されないが、１０３．０％ＩＡＣＳ以下が好ましい。
(Conductivity: 97.0% IACS or higher)
In the copper alloy of this embodiment, the conductivity is 97.0% IACS or more.
By setting the conductivity to 97.0% IACS or higher, it is possible to suppress heat generation during energization and use it satisfactorily as a component for electronic and electrical equipment such as terminals, bus bars, and heat dissipation boards as a substitute for pure copper material. Become.
The conductivity is preferably 97.5% IACS or higher, more preferably 98.0% IACS or higher, more preferably 98.5% IACS or higher, and 99.0% IACS or higher. It is more preferable to have. The upper limit of the conductivity is not particularly limited, but is preferably 103.0% IACS or less.
（板厚中心部の平均結晶粒径Ａ）
本実施形態であるスリット銅材において、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径Ａが微細であると、優れた曲げ加工性を得られる。また、スリット加工時にバリの発生を抑制できるため、曲げ加工の際に、バリを起点として発生する割れを抑制することも可能となる。
このため、本実施形態では、板厚中心部の平均結晶粒径Ａを５０μｍ以下とすることが好ましい。
ここで、本実施形態のスリット銅材において、さらに優れた曲げ加工性を得るためには、板厚中心部の平均結晶粒径Ａを４０μｍ以下とすることがさらに好ましく、３０μｍ以下とすることがより好ましい。また、板厚中心部の平均結晶粒径Ａの下限に特に制限はないが、実質的には１μｍ以上となる。
(Average crystal grain size A at the center of plate thickness)
In the slit copper material of the present embodiment, when the average crystal grain size A in the central portion of the plate thickness (the region from the surface in the plate thickness direction to 25% to 75% of the total thickness) is fine, excellent bending workability is achieved. Can be obtained. Further, since the generation of burrs can be suppressed during the slit processing, it is also possible to suppress the cracks generated from the burrs during the bending process.
Therefore, in the present embodiment, it is preferable that the average crystal grain size A at the center of the plate thickness is 50 μm or less.
Here, in the slit copper material of the present embodiment, in order to obtain further excellent bending workability, the average crystal grain size A at the center of the plate thickness is more preferably 40 μm or less, and more preferably 30 μm or less. More preferred. Further, the lower limit of the average crystal grain size A at the center of the plate thickness is not particularly limited, but is substantially 1 μm or more.
（板厚中心部の平均結晶粒径Ａと板厚表層部の平均結晶粒径Ｂとの比Ｂ／Ａ）
本実施形態であるスリット銅材において、結晶粒径が不均一であると、加工時に粗大粒の粒界に応力集中が発生し、局所的な変形が起こり、割れの発生が加速されるおそれがある。
このため、本実施形態では、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）の平均結晶粒径Ａと板厚表層部（板厚方向における表面から全厚の２０％までの領域）の平均結晶粒径Ｂとの比Ｂ／Ａを、０．８０以上１．２０以下の範囲内とすることが好ましい。
ここで、本実施形態のスリット銅材において、板厚中心部の平均結晶粒径Ａと板厚表層部の平均結晶粒径Ｂとの比Ｂ／Ａの下限は０．８２以上であることがより好ましく、０．８５以上であることがさらに好ましい。一方、板厚中心部の平均結晶粒径Ａと板厚表層部の平均結晶粒径Ｂとの比Ｂ／Ａの上限は１．１８以下であることがより好ましく、１．１５以下であることがさらに好ましい。
なお、板厚中心部の平均結晶粒径Ａと板厚表層部の平均結晶粒径Ｂは、後述する実施例に記載されたように同一の方法で測定される。
(Ratio B / A of the average crystal grain size A at the center of the plate thickness and the average crystal grain size B at the surface layer of the plate thickness)
In the slit copper material of the present embodiment, if the crystal grain size is non-uniform, stress concentration may occur at the grain boundaries of coarse grains during processing, local deformation may occur, and the occurrence of cracks may be accelerated. be.
Therefore, in the present embodiment, the average crystal grain size A of the central portion of the plate thickness (the region from the surface in the plate thickness direction to 25% to 75% of the total thickness) and the surface layer portion of the plate thickness (the entire surface from the surface in the plate thickness direction). The ratio B / A to the average crystal grain size B in the region up to 20% of the thickness) is preferably in the range of 0.80 or more and 1.20 or less.
Here, in the slit copper material of the present embodiment, the lower limit of the ratio B / A between the average crystal grain size A at the center of the plate thickness and the average crystal grain size B at the surface layer of the plate thickness is 0.82 or more. More preferably, it is more preferably 0.85 or more. On the other hand, the upper limit of the ratio B / A between the average crystal grain size A at the center of the plate thickness and the average crystal grain size B at the surface layer of the plate thickness is more preferably 1.18 or less, and more preferably 1.15 or less. Is even more preferable.
The average crystal grain size A at the center of the plate thickness and the average crystal grain size B at the surface layer of the plate thickness are measured by the same method as described in Examples described later.
（圧延方向に平行な方向における０．２％耐力：１５０ＭＰａ未満）
本実施形態であるスリット銅材において、圧延方向に平行な方向における０．２％耐力が１５０ＭＰａ未満である場合には、曲げ加工時の割れを抑制できる。
ここで、圧延方向に平行な方向における０．２％耐力は１４０ＭＰａ未満であることがより好ましく、１３０ＭＰａ未満であることがさらに好ましい。
なお、０．２％耐力の下限は７０ＭＰａ以上であることが好ましい。
(0.2% proof stress in the direction parallel to the rolling direction: less than 150 MPa)
In the slit copper material of the present embodiment, when the 0.2% proof stress in the direction parallel to the rolling direction is less than 150 MPa, cracking during bending can be suppressed.
Here, the 0.2% proof stress in the direction parallel to the rolling direction is more preferably less than 140 MPa, further preferably less than 130 MPa.
The lower limit of the 0.2% proof stress is preferably 70 MPa or more.
次に、このような構成とされた本実施形態であるスリット銅材の製造方法について、図１に示すフロー図を参照して説明する。 Next, a method for manufacturing the slit copper material according to the present embodiment having such a configuration will be described with reference to the flow chart shown in FIG.
（溶解・鋳造工程Ｓ０１）
まず、銅原料を溶解して銅溶湯を製出する。ここで、銅原料は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
溶解時においては、水素濃度の低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気での溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、得られた銅溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
(Melting / Casting Step S01)
First, the copper raw material is melted to produce a molten copper. Here, the copper raw material is preferably a so-called 4NCu having a purity of 99.99 mass% or more, or a so-called 5 NCu having a purity of 99.999 mass% or more.
At the time of dissolution, in order to reduce the hydrogen concentration, it is preferable to perform the dissolution in an atmosphere of an inert gas (for example, Ar gas) having a low vapor pressure of H2O , and to keep the retention time at the time of dissolution to a minimum. ..
Then, the obtained molten copper is poured into a mold to produce an ingot. When mass production is considered, it is preferable to use a continuous casting method or a semi-continuous casting method.
（均質化／溶体化工程Ｓ０２）
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程において不純物が偏析で濃縮することにより発生した金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行う。これにより、鋳塊内において、不純物を均質に拡散させる。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
(Homogenization / solution step S02)
Next, heat treatment is performed for homogenization and solution formation of the obtained ingot. Inside the ingot, intermetallic compounds and the like generated by the concentration of impurities by segregation in the process of solidification may be present. Therefore, in order to eliminate or reduce these segregation and intermetallic compounds, a heat treatment is performed in which the ingot is heated to 300 ° C. or higher and 1080 ° C. or lower. As a result, impurities are uniformly diffused in the ingot. The homogenization / solution step S02 is preferably carried out in a non-oxidizing or reducing atmosphere.
ここで、加熱温度が３００℃未満では、溶体化が不完全となり、母相中に金属間化合物が多く残存するおそれがある。一方、加熱温度が１０８０℃を超えると、銅素材の一部が液相となり、組織や表面状態が不均一となるおそれがある。よって、加熱温度を３００℃以上１０８０℃以下の範囲に設定している。
なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間圧延を実施してもよい。熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
Here, if the heating temperature is less than 300 ° C., solution formation may be incomplete and a large amount of intermetallic compounds may remain in the matrix. On the other hand, if the heating temperature exceeds 1080 ° C., a part of the copper material becomes a liquid phase, and the structure and surface condition may become non-uniform. Therefore, the heating temperature is set in the range of 300 ° C. or higher and 1080 ° C. or lower.
In order to improve the efficiency of rough rolling and to make the structure uniform, which will be described later, hot rolling may be carried out after the above-mentioned homogenization / solution step S02. The hot working temperature is preferably in the range of 300 ° C. or higher and 1080 ° C. or lower.
（粗圧延工程Ｓ０３）
所定の形状に加工するために、粗加工を行う。なお、この粗圧延工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。ここで、材料中に均一にひずみが導入されることで、後述する中間熱処理工程Ｓ０４で均一な再結晶粒が得られる。また、中間熱処理工程Ｓ０４での再結晶によって形成されるφ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値を２．０以上３０．０未満とするためには、総加工率は８５％以上とすることが好ましく、９０％以上がさらに好ましく、９５％以上とすることがより好ましい。また、板厚中心部の平均結晶粒径Ａと板厚表層部の平均結晶粒径Ｂとの比Ｂ／Ａを１に近づけるために、また生産性を向上させるために、１パス当たりの加工率は２０％以上とすることが好ましく、３０％以上がさらに好ましく、４０％以上とすることがより好ましい。
(Rough rolling process S03)
Roughing is performed in order to process into a predetermined shape. The temperature conditions in this rough rolling step S03 are not particularly limited, but are within the range of −200 ° C. to 200 ° C. for cold or warm rolling in order to suppress recrystallization or improve dimensional accuracy. Is preferable, and room temperature is particularly preferable. Here, by uniformly introducing strain into the material, uniform recrystallized grains can be obtained in the intermediate heat treatment step S04 described later. Further, the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° formed by recrystallization in the intermediate heat treatment step S04 is set to 2.0 or more and less than 30.0. Therefore, the total processing ratio is preferably 85% or more, more preferably 90% or more, and even more preferably 95% or more. Further, in order to bring the ratio B / A of the average crystal grain size A at the center of the plate thickness to the average crystal grain size B at the surface layer of the plate thickness close to 1, and to improve the productivity, processing per pass is performed. The rate is preferably 20% or more, more preferably 30% or more, and even more preferably 40% or more.
（中間熱処理工程Ｓ０４）
粗圧延工程Ｓ０３後に、再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、粗圧延工程Ｓ０３と中間熱処理工程Ｓ０４は繰り返し実施しても良い。
ここで、この中間熱処理工程Ｓ０４が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程Ｓ０４では、板厚中心の平均結晶粒径が５０μｍ以下となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。
また、再結晶によって形成されるφ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値を２．０以上３０．０未満とするためには、中間熱処理工程Ｓ０４の昇温速度を１℃／秒以上５０℃／秒以下、到達温度を２００℃以上７００℃以下、保持時間を１０秒以上５００秒以下、降温速度を１℃／秒以上５０℃／秒以下とすることが好ましい。
(Intermediate heat treatment step S04)
After the rough rolling step S03, a heat treatment is performed to obtain a recrystallized structure. The rough rolling step S03 and the intermediate heat treatment step S04 may be repeated.
Here, since this intermediate heat treatment step S04 is substantially the final recrystallization heat treatment, the crystal grain size of the recrystallized structure obtained in this step is substantially equal to the final crystal grain size. Therefore, in this intermediate heat treatment step S04, it is preferable to appropriately select the heat treatment conditions so that the average crystal grain size at the center of the plate thickness is 50 μm or less.
Further, in order to make the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° formed by recrystallization to be 2.0 or more and less than 30.0, an intermediate heat treatment is performed. The temperature rise rate of step S04 is 1 ° C./sec or more and 50 ° C./sec or less, the ultimate temperature is 200 ° C. or more and 700 ° C. or less, the holding time is 10 seconds or more and 500 seconds or less, and the temperature decrease rate is 1 ° C./sec or more and 50 ° C./sec or less. The following is preferable.
（仕上圧延工程Ｓ０５）
中間熱処理工程Ｓ０４後の銅素材を所定の形状に加工するため、仕上圧延を行う。なお、この仕上圧延工程Ｓ０５における温度条件は、圧延時の再結晶を抑制するため、冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。
また、圧延率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、ここでの圧延率が高すぎると、中間熱処理工程Ｓ０４の再結晶によって形成されたφ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度が減少してしまう。また、圧延集合組織であるφ２＝４０°、φ１＝０°～１５°、Φ＝０°～１５°の範囲における方位密度も過剰に増加する。このため、圧延率を６０％以下とすることが好ましく、圧延率を５０％以下とすることがより好ましい。
(Finishing rolling process S05)
Finish rolling is performed in order to process the copper material after the intermediate heat treatment step S04 into a predetermined shape. The temperature condition in the finish rolling step S05 is preferably in the range of −200 ° C. to 200 ° C., which is cold or warm processing, in order to suppress recrystallization during rolling, and is particularly preferably normal temperature. ..
Further, the rolling ratio is appropriately selected so as to approximate the final shape, but if the rolling ratio here is too high, φ2 = 5 °, φ1 = formed by recrystallization in the intermediate heat treatment step S04. The orientation density in the range of 0 ° to 90 ° and Φ = 0 ° decreases. Further, the azimuth density in the range of φ2 = 40 °, φ1 = 0 ° to 15 °, and Φ = 0 ° to 15 °, which are rolled textures, also increases excessively. Therefore, the rolling ratio is preferably 60% or less, and more preferably 50% or less.
（機械的表面処理工程Ｓ０６）
仕上圧延工程Ｓ０５後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、所望の形状がほぼ得られた後に表面近傍に圧縮応力を与える処理であり、表面近傍の圧縮応力によって曲げ加工時に発生する割れを抑制させ、曲げ加工性を向上させる効果がある。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１～１０％とし３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
(Mechanical surface treatment step S06)
After the finish rolling step S05, a mechanical surface treatment is performed. Mechanical surface treatment is a treatment that applies compressive stress to the vicinity of the surface after the desired shape is almost obtained, and has the effect of suppressing cracks that occur during bending due to the compressive stress near the surface and improving bending workability. be.
Mechanical surface treatment includes shot peening treatment, blasting treatment, lapping treatment, polishing treatment, buffing, grinder polishing, sandpaper polishing, tension leveler treatment, and light rolling with low reduction rate per pass (reduction rate per pass). Various commonly used methods such as 1 to 10% and repeated 3 times or more can be used.
（仕上熱処理工程Ｓ０７）
次に、機械的表面処理工程Ｓ０６によって得られた銅材に対して、残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を実施してもよい。
この際、熱処理温度が高すぎると再結晶により、中間熱処理工程Ｓ０４で形成された集合組織や結晶粒径が変化するため、熱処理温度は、１００℃以上８００℃以下の範囲内とすることが好ましい。例えば２００℃では０．１秒から１００秒程度保持することが好ましく、１００℃では１分から１００時間保持することが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
さらに、上述の仕上圧延工程Ｓ０５、機械的表面処理工程Ｓ０６、仕上熱処理工程Ｓ０７を、繰り返し実施してもよい。
また、仕上熱処理工程Ｓ０７の後に金属めっき（Ｓｎめっき、Ｎｉめっき、又はＡｇめっき等）を施してもよい。
(Finishing heat treatment step S07)
Next, the copper material obtained in the mechanical surface treatment step S06 may be subjected to a finish heat treatment in order to remove residual strain.
At this time, if the heat treatment temperature is too high, the texture and crystal grain size formed in the intermediate heat treatment step S04 will change due to recrystallization. Therefore, the heat treatment temperature is preferably in the range of 100 ° C. or higher and 800 ° C. or lower. .. For example, it is preferably held at 200 ° C. for about 0.1 to 100 seconds, and at 100 ° C. for 1 minute to 100 hours. This heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere or a reducing atmosphere. The heat treatment method is not particularly limited, but a short-time heat treatment using a continuous annealing furnace is preferable from the viewpoint of reducing the manufacturing cost.
Further, the above-mentioned finish rolling step S05, mechanical surface treatment step S06, and finish heat treatment step S07 may be repeated.
Further, metal plating (Sn plating, Ni plating, Ag plating, etc.) may be performed after the finish heat treatment step S07.
（スリット加工工程Ｓ０８）
仕上熱処理工程Ｓ０７によって得られた銅材に対して、所望の形状に加工するためにスリット加工を行う。スリット加工はスリットカッタによるせん断加工で行われるが、この際に銅材に発生するバリは、その後のエッジワイズ曲げ等の加工時に、応力集中の起点となり、加工性を大きく劣化させる。スリット加工時のクリアランスが大きくなれば、バリも大きくなる傾向にある。しかし、スリット加工時のクリアランスが過剰に小さい場合はスリットの切口面の全面がせん断面となってしまい、破断面が形成されないため、塑性バリと呼ばれる大きなバリが発生してしまう。そのため、スリット加工時のクリアランスは適切な値を取る必要があり、クリアランスと板厚との比（クリアランス／板厚）は０．５％以上、１２％以下とすることが好ましく、１％以上、１０％以下とすることがさらに好ましく、２％以上、８％以下とすることが最も好ましい。
なお、スリット加工後に、スリット加工時に発生したバリを取り除くために、バリ取りを行ってもよい。バリ取りはサンドペーパー、研磨シート、ロータリーバー、研磨ディスク、研磨ベルト、ブラスト処理など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
また、バリのない切口面を得るために精密せん断法のスリット加工を用いてもよい。具体的には、半せん断と逆せん断で材料を分離するカウンタカット法や、半せん断とロールによる押圧で材料を分離するロールスリット法など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
(Slit processing step S08)
The copper material obtained in the finish heat treatment step S07 is slit-processed in order to process it into a desired shape. Slit processing is performed by shearing with a slit cutter, and the burrs generated in the copper material at this time become the starting point of stress concentration during subsequent processing such as edgewise bending, which greatly deteriorates workability. The larger the clearance during slit processing, the larger the burr tends to be. However, if the clearance at the time of slit processing is excessively small, the entire surface of the cut surface of the slit becomes a sheared surface and a fracture surface is not formed, so that large burrs called plastic burrs are generated. Therefore, it is necessary to take an appropriate value for the clearance at the time of slit processing, and the ratio of the clearance to the plate thickness (clearance / plate thickness) is preferably 0.5% or more and 12% or less, preferably 1% or more. It is more preferably 10% or less, and most preferably 2% or more and 8% or less.
After the slit processing, deburring may be performed in order to remove the burrs generated during the slit processing. For deburring, various commonly used methods such as sandpaper, polishing sheet, rotary bar, polishing disc, polishing belt, and blasting can be used.
Further, in order to obtain a burr-free cut surface, slit processing by a precision shearing method may be used. Specifically, various commonly used methods such as a counter cut method for separating materials by semi-shear and reverse shear and a roll slit method for separating materials by pressing with semi-shear and roll can be used.
このようにして、本実施形態であるスリット銅材が製出されることになる。
ここで、スリット銅材の板厚を０．１ｍｍ以上とした場合には、大電流用途での導体としての使用に適している。また、スリット銅材の板厚を１０．０ｍｍ以下とすることにより、プレス機の荷重の増大を抑制し、単位時間あたりの生産性を確保することができ、製造コストを抑えることができる。
このため、スリット銅材の板厚は０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、スリット銅材の板厚の下限は０．５ｍｍ以上とすることが好ましく、１．０ｍｍ以上とすることがより好ましい。一方、スリット銅材の板厚の上限は９．０ｍｍ未満とすることが好ましく、８．０ｍｍ未満とすることがより好ましい。
In this way, the slit copper material according to the present embodiment is produced.
Here, when the plate thickness of the slit copper material is 0.1 mm or more, it is suitable for use as a conductor in a large current application. Further, by setting the plate thickness of the slit copper material to 10.0 mm or less, it is possible to suppress an increase in the load of the press machine, secure productivity per unit time, and suppress manufacturing costs.
Therefore, the plate thickness of the slit copper material is preferably in the range of 0.1 mm or more and 10.0 mm or less.
The lower limit of the plate thickness of the slit copper material is preferably 0.5 mm or more, and more preferably 1.0 mm or more. On the other hand, the upper limit of the plate thickness of the slit copper material is preferably less than 9.0 mm, more preferably less than 8.0 mm.
以上のような構成とされた本実施形態であるスリット銅材においては、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上とされているので、導電性を確保することができ、導電率を９７．０％ＩＡＣＳ以上とすることが可能となる。
そして、板厚中心部において、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値が２．０以上３０．０未満とされているので、曲げ加工性を十分に向上させることが可能となる。
In the slit copper material of the present embodiment having the above configuration, the purity of Cu is 99.96 mass% or more, so that conductivity can be ensured and the conductivity is 97.0%. It is possible to set it to IACS or higher.
At the center of the plate thickness, the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° is 2.0 or more and less than 30.0. It is possible to sufficiently improve the sex.
また、本実施形態であるスリット銅材において、板厚中心部の平均結晶粒径Ａが５０μｍ以下とされている場合には、曲げ加工性をさらに向上させることが可能となる。また、スリット時のバリの発生を抑制でき、曲げ加工時におけるバリを起点とした割れの発生を抑制することができる。 Further, in the slit copper material of the present embodiment, when the average crystal grain size A at the center of the plate thickness is 50 μm or less, the bending workability can be further improved. Further, the generation of burrs at the time of slitting can be suppressed, and the generation of cracks starting from burrs at the time of bending can be suppressed.
さらに、本実施形態であるスリット銅材において、板厚中心部の平均結晶粒径Ａと板厚表層部の平均結晶粒径Ｂとの比Ｂ／Ａが０．８０以上１．２０以下の範囲内とされている場合には、加工時に応力が局所的に集中することを抑制でき、曲げ加工性をさらに向上させることができる。 Further, in the slit copper material of the present embodiment, the ratio B / A of the average crystal grain size A at the center of the plate thickness and the average crystal grain size B at the surface layer of the plate thickness is in the range of 0.80 or more and 1.20 or less. When it is set to the inside, it is possible to suppress the local concentration of stress during machining, and it is possible to further improve the bending workability.
また、本実施形態であるスリット銅材において、圧延方向に平行な方向における０．２％耐力が１５０ＭＰａ未満である場合には、曲げ加工性をさらに向上させることが可能となる。 Further, in the slit copper material of the present embodiment, when the 0.2% proof stress in the direction parallel to the rolling direction is less than 150 MPa, the bending workability can be further improved.
さらに、本実施形態であるスリット銅材において、板厚中心部において、φ２＝４０°、φ１＝０°～１５°、Φ＝０°～１５°の範囲における方位密度の平均値が１０．０未満である場合には、圧延集合組織が少なくなり、曲げ加工性をさらに向上させることが可能となる。 Further, in the slit copper material of the present embodiment, the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 40 °, φ1 = 0 ° to 15 °, and Φ = 0 ° to 15 ° is 10.0 at the center of the plate thickness. When it is less than, the rolling texture is reduced and the bending workability can be further improved.
また、本実施形態であるスリット銅材において、厚さが０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内である場合には、このスリット銅材に対して打ち抜き加工や曲げ加工を施すことで、バスバー、放熱基板等の電子・電気機器用部品を成形することができる。
さらに、本実施形態であるスリット銅材においては、表面に金属めっき層を有する場合には、バスバー、放熱基板等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
Further, in the slit copper material of the present embodiment, when the thickness is within the range of 0.1 mm or more and 10 mm or less, the slit copper material is punched or bent to dissipate heat from the bus bar. It is possible to mold parts for electronic and electrical equipment such as substrates.
Further, in the slit copper material of the present embodiment, when the surface has a metal plating layer, it is particularly suitable as a material for parts for electronic / electrical equipment such as a bus bar and a heat dissipation substrate.
本実施形態である電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板は、上述のように高い耐力と優れた曲げ加工性を有するスリット銅材を用いて製造されているので、小型化および軽量化を図ることが可能となる。 As described above, the parts for electronic / electrical equipment, the bus bar, and the heat dissipation substrate of the present embodiment are manufactured using the slit copper material having high yield strength and excellent bending workability, so that the size and weight can be reduced. It is possible to plan.
以上、本発明の実施形態であるスリット銅材、電子・電気機器用部品（バスバー、放熱基板等）について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的要件を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、スリット銅材の製造方法の一例について説明したが、銅合金の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
Although the slit copper material and the parts for electronic / electrical equipment (bus bar, heat dissipation substrate, etc.) which are the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to this, and the technical requirements of the present invention are satisfied. It can be changed as appropriate without deviation.
For example, in the above-described embodiment, an example of a method for manufacturing a slit copper material has been described, but the method for manufacturing a copper alloy is not limited to that described in the embodiment, and an existing manufacturing method is appropriately selected. May be manufactured.
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
帯溶融精製法により、純度９９．９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる３ＮＣｕ、もしくは純度９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕからなる原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
得られた銅溶湯を、断熱材（イソウール）鋳型に注湯することにより、表１，２に示す成分組成の鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約７０ｍｍ×幅約５００ｍｍ×長さ約１５０～２００ｍｍとした。
The results of the confirmation experiment conducted to confirm the effect of the present invention will be described below.
By the band melting purification method, a raw material consisting of so-called 3NCu having a purity of 99.9 mass% or more or so-called 5 NCu having a purity of 99.99 mass% or more is charged into a high-purity graphite crucible to create an Ar gas atmosphere. The atmosphere melted at high frequency in the furnace.
The obtained molten copper was poured into a heat insulating material (isowool) mold to produce ingots having the composition shown in Tables 1 and 2. The size of the ingot was about 70 mm in thickness × about 500 mm in width × about 150 to 200 mm in length.
得られた鋳塊に対して、Ａｒガス雰囲気中において、９００℃、１時間の加熱を行い、次いで酸化被膜を除去するために表面研削を実施し、所定の大きさに切断を行った。
その後、適宜最終厚みになる様に厚みを調整して切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表１，２に記載の条件で粗圧延を行った。次いで、表１，２に記載の条件中間熱処理を実施した。
The obtained ingot was heated at 900 ° C. for 1 hour in an Ar gas atmosphere, and then surface grinding was performed to remove the oxide film, and the ingot was cut to a predetermined size.
Then, the thickness was adjusted so as to be the final thickness as appropriate, and cutting was performed. Each of the cut samples was roughly rolled under the conditions shown in Tables 1 and 2. Then, the intermediate heat treatment under the conditions shown in Tables 1 and 2 was carried out.
次に、表１，２に記載された条件にて仕上圧延工程を実施した。
そして、これらの試料に表１，２に記載された手法で機械的表面処理工程を施した。
なお、バフ研磨は、♯１０００の研磨紙を用いて行った。
サンドペーパー研磨は、♯４００の研磨紙を用いて行った。
グラインダー研磨は、番手♯４００の軸受ホイルを用い、１分間に４５００回転の速度で研磨を行った。
その後、表１，２に記載の条件で仕上熱処理を行った。次いで、クリアランス／板厚比が２％から８％となる条件でスリット加工、または精密せん断法のスリット加工（カウンタカット法とロールスリット法）を行い、それぞれ表１，２に記載された板厚ｔ、板幅Ｗと板厚ｔとの比Ｗ／ｔとなるようにスリット銅材を製出した。
Next, the finish rolling process was carried out under the conditions shown in Tables 1 and 2.
Then, these samples were subjected to a mechanical surface treatment step by the methods shown in Tables 1 and 2.
The buffing was performed using # 1000 abrasive paper.
Sandpaper polishing was performed using # 400 abrasive paper.
The grinder was polished using a bearing foil having a count of # 400 at a speed of 4500 rpm.
Then, the finish heat treatment was performed under the conditions shown in Tables 1 and 2. Next, slit processing or precision shear slit processing (counter cut method and roll slit method) was performed under the condition that the clearance / plate thickness ratio was 2% to 8%, and the plate thicknesses shown in Tables 1 and 2 respectively. A slit copper material was produced so as to have a ratio W / t of t, a plate width W and a plate thickness t.
得られた条材について、以下の項目について評価を実施した。 The following items were evaluated for the obtained strips.
（組成分析）
得られた鋳塊から測定試料を採取し、銅電解重量法（ＪＩＳ Ｈ １０５１）を用いて銅成分を測定した。なお、測定は試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、銅成分量の多い方をそのサンプルの銅成分量とした。その結果、表１，２に示す成分組成であることを確認した。
(Composition analysis)
A measurement sample was taken from the obtained ingot, and the copper component was measured using the copper electrolytic weight method (JIS H 1051). The measurement was performed at two points, the center of the sample and the end in the width direction, and the one with the larger amount of copper component was taken as the amount of copper component of the sample. As a result, it was confirmed that the composition was as shown in Tables 1 and 2.
（平均結晶粒径）
得られた特性評価用条材から幅２０ｍｍ×長さ２０ｍｍに切り出し、圧延の幅方向に垂直な面、すなわちＴＤ面（Ｔｒａｎｖｅｒｓｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として樹脂に埋め、観察用サンプルとした。ＳＥＭ－ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎｓ）測定装置によって、下記のように、平均結晶粒径を測定した。表３，４に測定した結晶粒径を示した。
圧延の幅方向に垂直な面を、水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行って測定用サンプルを得た。その後、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１００００μｍ２以上の測定面積にて、０．２５μｍの測定間隔のステップで観察面をＥＢＳＤ法により測定した。測定結果をデータ解析ソフトＯＩＭにより解析して各測定点のＣＩ値を得た。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。そして、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間の境界を大角粒界とし、隣接する測定点間の方位差が１５°未満となる測定点間の境界を小角粒界とした。この際、双晶境界も大角粒界とした。また、各サンプルで１００個以上の結晶粒が含まれるように測定範囲を調整した。得られた方位解析の結果から大角粒界を用いて結晶粒界マップを作成した。ＪＩＳ Ｈ ０５０１の切断法に準拠し、結晶粒界マップに対して、縦、横の所定長さの線分を５本ずつ引き、完全に切られる結晶粒の数を数え、その切断長さ（結晶粒界で切り取られた線分の長さ）の合計を結晶粒の数で割り平均値を得た。この平均値を平均結晶粒径とした。
そして、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）の平均結晶粒径Ａと、板厚表層部（板厚方向における表面から全厚の２０％までの領域）の平均結晶粒径Ｂを算出した。
(Average crystal grain size)
The obtained characteristic evaluation strip was cut into a width of 20 mm and a length of 20 mm, and a surface perpendicular to the width direction of rolling, that is, a TD surface (Transverse Direction) was embedded in a resin as an observation surface to prepare an observation sample. The average crystal grain size was measured by a SEM-EBSD (Electron Backscatter Diffraction Patterns) measuring device as follows. Tables 3 and 4 show the measured crystal grain sizes.
The surface perpendicular to the width direction of rolling was mechanically polished using water-polished paper and diamond abrasive grains. Then, finish polishing was performed using a colloidal silica solution to obtain a sample for measurement. After that, the EBSD measuring device (Quanta FEG 450 manufactured by FEI, OIM Data Collection manufactured by EDAX / TSL (currently AMETEK)) and the analysis software (EDAX / TSL (currently AMETEK) OIM Data Analysis ver. Using 1), the observation surface was measured by the EBSD method at a measurement area of 10000 μm 2 or more with an electron beam acceleration voltage of 15 kV and at a step of a measurement interval of 0.25 μm. The measurement results were analyzed by the data analysis software OIM to obtain CI values at each measurement point. The orientation difference of each crystal grain was analyzed by the data analysis software OIM except for the measurement points where the CI value was 0.1 or less. The boundary between the measurement points where the azimuth difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is the large-angle grain boundary, and the boundary between the measurement points where the azimuth difference between the adjacent measurement points is less than 15 ° is the small-angle grain boundary. And said. At this time, the twin boundary was also a large-angle grain boundary. In addition, the measurement range was adjusted so that each sample contained 100 or more crystal grains. From the obtained orientation analysis results, a grain boundary map was created using large-angle grain boundaries. Based on the cutting method of JIS H 0501, draw 5 line segments of predetermined length and width on the grain boundary map, count the number of crystal grains that are completely cut, and cut the length (cutting length). The total length of the line segments cut at the grain boundaries) was divided by the number of crystal grains to obtain the average value. This average value was taken as the average crystal grain size.
Then, the average crystal grain size A of the central portion of the plate thickness (the region from the surface in the plate thickness direction to 25% to 75% of the total thickness) and the surface layer portion of the plate thickness (from the surface in the plate thickness direction to 20% of the total thickness). The average crystal grain size B in the region) was calculated.
（方位密度）
上記の測定用サンプルを用い、電子線の加速電圧１５ｋＶにて、板厚中心部の平均結晶粒径Ａの１０分の１以下となる測定間隔のステップで観察面（ＴＤ面）をＥＢＳＤ測定装置及びＯＩＭ解析ソフトにより測定した。板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％の深さまでの範囲（板厚中心部）において、総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で合計面積が１００００μｍ２以上となる測定面積で、測定結果をデータ解析ソフトＯＩＭにより解析して各測定点のＣＩ（Ｃｏｎｆｉｄｅｎｃｅ Ｉｎｄｅｘ）値を得た。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより集合組織の解析を行い、結晶方位分布関数を得た。
解析により得られた結晶方位分布関数はオイラー角で表示された。得られたφ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値と、φ２＝４０°、φ１＝０°～１５°、Φ＝０°～１５°の範囲における方位密度の平均値を表３、４に示す。
(Orientation density)
Using the above measurement sample, the observation surface (TD surface) is set to the EBSD measuring device at the step of the measurement interval that is 1/10 or less of the average crystal grain size A at the center of the plate thickness at the acceleration voltage of the electron beam of 15 kV. And measured by OIM analysis software. In the range from the surface in the plate thickness direction to a depth of 25% to 75% of the total thickness (center of plate thickness), the total area is 10,000 μm 2 or more in multiple fields so that a total of 1000 or more crystal grains are included. The measurement result was analyzed by the data analysis software OIM in the measurement area, and the CI (Confidence Index) value of each measurement point was obtained. The texture was analyzed by the data analysis software OIM except for the measurement points having a CI value of 0.1 or less, and a crystal orientation distribution function was obtained.
The crystal orientation distribution function obtained by the analysis is displayed by Euler angles. The average values of the directional densities in the obtained ranges of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 °, φ2 = 40 °, φ1 = 0 ° to 15 °, and Φ = 0 ° to 15 °. The average value of the azimuth density in the range of is shown in Tables 3 and 4.
（導電率）
特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。評価結果を表３，４に示す。
(conductivity)
A test piece having a width of 10 mm and a length of 60 mm was sampled from a strip for character evaluation, and the electrical resistance was determined by the 4-terminal method. In addition, the dimensions of the test piece were measured using a micrometer, and the volume of the test piece was calculated. Then, the conductivity was calculated from the measured electric resistance value and volume. The test pieces were collected so that the longitudinal direction thereof was parallel to the rolling direction of the strip material for character evaluation. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4.
（機械的特性）
特性評価用条材からＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ Ｚ ２２４１のオフセット法により、０．２％耐力を測定した。なお、試験片は、圧延方向に平行な方向で採取した。評価結果を表３，４に示す。
(Mechanical characteristics)
No. 13B test piece specified in JIS Z 2241 was collected from the characterization material, and 0.2% proof stress was measured by the offset method of JIS Z 2241. The test piece was collected in a direction parallel to the rolling direction. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4.
（曲げ加工性）
曲率半径（Ｒ）と板幅（Ｗ）の比率（Ｒ／Ｗ）が表３，４に示す値となる条件でエッジワイズ曲げ加工を行い、外周側面の曲げ部を観察した。しわがないものを「Ａ」（excellent）と評価し、しわがあるものを「Ｂ」（good）と評価し、小さな割れがあるものを「Ｃ」（fair）と評価し、曲げ部が破断し、エッジワイズ曲げが出来なかったものを「Ｄ」（poor）と評価した。なお、評価結果Ａ～Ｃまでを許容できる曲げ加工性と判断した。
(Bending workability)
Edgewise bending was performed under the condition that the ratio (R / W) of the radius of curvature (R) and the plate width (W) was the value shown in Tables 3 and 4, and the bent portion on the outer peripheral side surface was observed. Those without wrinkles are evaluated as "A" (excellent), those with wrinkles are evaluated as "B" (good), those with small cracks are evaluated as "C" (fair), and the bent part is broken. However, those that could not be edgewise bent were evaluated as "D" (poor). In addition, it was judged that the bending workability was acceptable from the evaluation results A to C.
比較例１においては、Ｃｕの含有量が９９．７９ｍａｓｓ％と低く、導電率が８３．１％ＩＡＣＳと低くなった。また、０．２％耐力が３３９ＭＰａとなり、曲げ加工性が「Ｄ」（poor）となった。
比較例２においては、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値が１であり、曲げ加工性が「Ｄ」（poor）となった。
比較例３は、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値が３８あり、曲げ加工性が「Ｄ」（poor）となった。
In Comparative Example 1, the Cu content was as low as 99.79 mass%, and the conductivity was as low as 83.1% IACS. Further, the 0.2% proof stress was 339 MPa, and the bending workability was "D" (poor).
In Comparative Example 2, the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° was 1, and the bending workability was “D” (poor).
In Comparative Example 3, the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° was 38, and the bending workability was “D” (poor).
これに対して、本発明例１～２４においては、導電率および曲げ加工性に優れていることが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、高い導電率、および、優れた曲げ加工性を有するスリット銅材を提供可能であることが確認された。
On the other hand, in Examples 1 to 24 of the present invention, it was confirmed that the conductivity and bending workability were excellent.
From the above, it was confirmed that according to the example of the present invention, it is possible to provide a slit copper material having high conductivity and excellent bending workability.
本実施形態のスリット銅材は、電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板に好適に適用される。 The slit copper material of the present embodiment is suitably applied to parts for electronic / electrical equipment, bus bars, and heat dissipation substrates.
Claims (10)
導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされ、
板厚中心部において、φ２＝５°、φ１＝０°～９０°、Φ＝０°の範囲における方位密度の平均値が２．０以上３０．０未満であることを特徴とするスリット銅材。 The purity of Cu is 99.96 mass% or more, and the ratio W / t of the plate width W and the plate thickness t is 10 or more.
Conductivity is 97.0% IACS or higher,
A slit copper material characterized in that the average value of the azimuth density in the range of φ2 = 5 °, φ1 = 0 ° to 90 °, and Φ = 0 ° at the center of the plate thickness is 2.0 or more and less than 30.0. ..
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