JP2022071081A - 電子ビーム・イオン発生装置および電子ビーム・イオン発生方法 - Google Patents
電子ビーム・イオン発生装置および電子ビーム・イオン発生方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022071081A JP2022071081A JP2022031150A JP2022031150A JP2022071081A JP 2022071081 A JP2022071081 A JP 2022071081A JP 2022031150 A JP2022031150 A JP 2022031150A JP 2022031150 A JP2022031150 A JP 2022031150A JP 2022071081 A JP2022071081 A JP 2022071081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- sample
- electrons
- electron
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 155
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 56
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 21
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000006391 Ion Pumps Human genes 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
ここでサンプルの帯電は以下のようにして起こる。
2:コンデンサレンズ
3:ブランキング電極
4:ブランキングアパチャー
5:対物アパチャー
6:電子検出器
7:偏向電極
8:対物レンズ
9:差動排気アパチャー
10:真空チャンバー
11:サンプル
12:XYステージ
121:ホルダー
21:高圧電源
22:電子ビーム制御回路
23:PC(パソコン)
24:ディスプレイ
25:ガス
26:真空制御装置
27:マスフロー
28:圧力センサ
29:ステージ制御装置
31:電子銃
32:電子ビーム
33:イオン加速電圧
34:ファラデーカップ
35:イオン流
41:イオン発生装置
42:電界制御装置
43:イオン流
51:DUV-LED
52:電子発生材料
53:電子
54:電子加速電圧
55:イオン加速電極
56:イオン流制御回路
A1,A2:差動排気アパチャー
Claims (6)
- 電子ビームをガスに照射してイオンを発生する電子ビーム・イオン発生装置において、
光を照射して励起し、電子を発生する電子発生素子と、
前記発生された電子を加速する、電圧の印加された加速電極と、
前記加速された電子を、ガスに衝突させて正および負のイオンを発生させるイオン発生手段および衝突しないで通過した電子を捕捉する捕捉手段を設けたイオン発生装置と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム・イオン発生装置。 - 前記発生された正および負のイオンを出力するイオン加速電極を備えたことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム・イオン発生装置。
- 前記発生された正および負のイオンの一方あるいは交互に両者を出力するイオン加速電極を備えたことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム・イオン発生装置。
- 前記電子発生素子は、UV-LEDとしたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の電子ビーム・イオン発生装置。
- 走査型電子顕微鏡の試料室に真空的に接続し、前記発生された正および負のイオンを、該試料室内のサンプルの表面に照射し、当該サンプルの表面に照射された走査用の細い電子ビームにより発生した正あるいは負の電荷を中和することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の電子ビーム・イオン発生装置。
- 電子ビームをガスに照射してイオンを発生する電子ビーム・イオン発生方法において、
光を照射して励起し、電子を発生する電子発生素子と、
前記発生された電子を加速する、電圧の印加された加速電極と、
前記加速された電子を、ガスに衝突させて正および負のイオンを発生させるイオン発生手段および衝突しないで通過した電子を捕捉する捕捉手段を設けたイオン発生装置とを設け、
光を照射して励起して電子を発生させ、該電子を用いて正および負のイオンを発生させる電子ビーム・イオン発生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022031150A JP7253647B2 (ja) | 2017-04-21 | 2022-03-01 | 電子ビーム・イオン発生装置および電子ビーム・イオン発生方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017084263A JP2018181790A (ja) | 2017-04-21 | 2017-04-21 | 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法 |
JP2022031150A JP7253647B2 (ja) | 2017-04-21 | 2022-03-01 | 電子ビーム・イオン発生装置および電子ビーム・イオン発生方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017084263A Division JP2018181790A (ja) | 2017-04-21 | 2017-04-21 | 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022071081A true JP2022071081A (ja) | 2022-05-13 |
JP7253647B2 JP7253647B2 (ja) | 2023-04-06 |
Family
ID=87852569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022031150A Active JP7253647B2 (ja) | 2017-04-21 | 2022-03-01 | 電子ビーム・イオン発生装置および電子ビーム・イオン発生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7253647B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03504653A (ja) * | 1988-03-18 | 1991-10-09 | アプリコット ソシエテ アノニム | コヒーレントクラスタ形成のための方法及び装置 |
JP2010262930A (ja) * | 2002-06-26 | 2010-11-18 | Semequip Inc | 水素化ホウ素クラスターイオンの注入によるイオン注入装置及び半導体製造方法 |
US20150162178A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Korean Basic Science Institute | Ion trap mass spectrometer using cold electron souce |
JP2018181790A (ja) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | 株式会社ホロン | 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法 |
-
2022
- 2022-03-01 JP JP2022031150A patent/JP7253647B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03504653A (ja) * | 1988-03-18 | 1991-10-09 | アプリコット ソシエテ アノニム | コヒーレントクラスタ形成のための方法及び装置 |
JP2010262930A (ja) * | 2002-06-26 | 2010-11-18 | Semequip Inc | 水素化ホウ素クラスターイオンの注入によるイオン注入装置及び半導体製造方法 |
US20150162178A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Korean Basic Science Institute | Ion trap mass spectrometer using cold electron souce |
JP2018181790A (ja) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | 株式会社ホロン | 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7253647B2 (ja) | 2023-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10522327B2 (en) | Method of operating a charged particle beam specimen inspection system | |
US7601953B2 (en) | Systems and methods for a gas field ion microscope | |
JP5586118B2 (ja) | 荷電粒子ビームシステムの操作方法 | |
JP6012191B2 (ja) | 荷電粒子顕微鏡に用いられる検出方法 | |
US7629578B2 (en) | Charged particle beam device | |
JP4176159B2 (ja) | 改善された2次電子検出のための磁界を用いた環境制御型sem | |
JP2017152366A (ja) | 荷電粒子顕微鏡における動的試料挙動の調査 | |
JP4796791B2 (ja) | 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法 | |
US9070533B2 (en) | Environmental scanning electron microscope (ESEM/SEM) gas injection apparatus with anode integrated with gas concentrating structure | |
TW201942943A (zh) | 帶電粒子束裝置、試料加工觀察方法 | |
JP2005174591A (ja) | 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法 | |
US20160225575A1 (en) | Ion Beam Device and Emitter Tip Adjustment Method | |
US10304657B2 (en) | Mirror ion microscope and ion beam control method | |
JP2018181790A (ja) | 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法 | |
JP7253647B2 (ja) | 電子ビーム・イオン発生装置および電子ビーム・イオン発生方法 | |
JP7313499B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法 | |
US9754772B2 (en) | Charged particle image measuring device and imaging mass spectrometry apparatus | |
JP2002025492A (ja) | 静電ミラーを含む荷電粒子ビーム画像化装置用低プロフィル電子検出器を使用して試料を画像化するための方法および装置 | |
US9245709B1 (en) | Charged particle beam specimen inspection system and method for operation thereof | |
US8987692B2 (en) | High brightness electron gun, system using the same, and method of operating thereof | |
EP4306945A1 (en) | Method of assessing a sample, apparatus for assessing a sample | |
JP4380782B2 (ja) | 試料検査装置 | |
JP2000182557A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2005121635A (ja) | パターン検査装置 | |
JP2005121634A (ja) | パターン検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7253647 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |