JP2022067076A

JP2022067076A - 電界発光表示装置

Info

Publication number: JP2022067076A
Application number: JP2021168505A
Authority: JP
Inventors: 錫顯洪; Seokhyun Hong; 聖恩李; Seion Ri; 廷 ▲ヒョン▼ 金; Junghyun Kim
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2020-10-19
Filing date: 2021-10-14
Publication date: 2022-05-02
Also published as: CN114446220A; US20220122545A1; TW202217787A; US11699398B2; JP2023130434A; JP7568790B2; TWI816198B; KR20220051550A; EP3985654A1

Abstract

【課題】センシングライン間の充電電圧維持能力の差を補償して画像品位を高めるようにした電界発光表示装置を提供する。【解決手段】ディスプレイ用データ電圧（ＶＤＩＳ）と第１基準電圧（ＶＰＲＥＲ）との間の電圧差に基づいて画像を表示するピクセル（ＰＸＬ）と、データライン（１４０）を介して前記ピクセルに前記ディスプレイ用データ電圧を供給する駆動電圧生成回路（２３）と、センシングライン（ＳＩＯ、１５０）を介して前記ピクセルに前記第１基準電圧を供給するセンシング回路（２２）とを含み、前記センシング回路（２２）は、前記センシングラインに連結されたセンシングチャネル端子（ＳＣＨ）と、前記センシングチャネル端子と前記第１基準電圧の入力端子との間に連結されたスイッチ（ＲＰＲＥ）と、前記スイッチ（ＲＰＲＥ）がオフになる垂直ブランク区間で、前記ピクセルの駆動特性に関係なく前記第１基準電圧から変化した前記センシングラインの電圧をセンシングするサンプリング部（Ｓ／Ｈ）とを含む。【選択図】図１３

Description

本発明は電界発光表示装置に関するものである。

アクティブマトリックスタイプの電界発光表示装置は発光素子と駆動素子をそれぞれ含むピクセルをマトリックス状に配列し、映像データの階調によってピクセルで具現される映像の輝度を調節する。駆動素子は自分のゲート電極とソース電極との間にかかる電圧（以下、“ゲート・ソース間の電圧”という）によって発光素子に流れるピクセル電流を制御する。ピクセル電流によって発光素子の発光量と画面の輝度が決定される。

駆動素子の閾値電圧及び電子移動度、発光素子の動作点電圧（又はターンオン電圧）などはピクセルの駆動特性を決定するので、全てのピクセルで同一でなければならないが、工程及び劣化特性などの多様な原因によってピクセルの間に駆動特性が変わることができる。このような駆動特性の違いは輝度偏差をもたらし、所望の画像を具現するのに制約になる。

ピクセル間の輝度偏差を補償するために、センシングラインを介してピクセルの駆動特性差をセンシング及び補償する補償技術が知られている。しかし、センシングラインに不良が発生した場合、当該センシングラインを共有するピクセルのセンシング値と補償値が歪んで輝線又は暗線が発生することがある。

特開２０１７－１２０４０９号公報

したがって、本発明はセンシングライン間の充電電圧維持能力の差を補償して画像品位を高めるようにした電界発光表示装置を提供する。

本発明の実施例による電界発光表示装置は、ディスプレイ用データ電圧と第１基準電圧との間の電圧差に基づいて画像を表示するピクセルと、データラインを介して前記ピクセルに前記ディスプレイ用データ電圧を供給する駆動電圧生成回路と、センシングラインを介して前記ピクセルに前記第１基準電圧を供給するセンシング回路とを含み、前記センシング回路は、前記センシングラインに連結されたセンシングチャネル端子と、前記センシングチャネル端子と前記第１基準電圧の入力端子との間に連結されたスイッチと、前記スイッチがオフになる垂直ブランク区間で、前記ピクセルの駆動特性に関係なく前記第１基準電圧から変化した前記センシングラインの電圧をセンシングするサンプリング部とを含む。

本発明の実施例による電界発光表示装置は、センシングライン間の充電電圧維持能力差を補償して画像品位を高めることができる。

本発明の実施例による電界発光表示装置は、センシング回路内に非反転増幅回路をさらに含み、センシングラインの電圧変動量検出時間を縮めることができ、センシング分別力を向上させることができる。

本発明による効果は以上で例示した内容に制限されなく、より多様な効果が本明細書内に含まれている。

本発明の実施例による電界発光表示装置を示す図である。図１の表示パネルが備えるピクセルアレイの一例を示す図である。図２のピクセルアレイに連結されたデータ駆動回路の一構成を示す図である。図３に示したピクセルの等価回路図である。ＳＩＯセンシング駆動が必要な理由を説明するための図である。ＳＩＯセンシング駆動が必要な理由を説明するための図である。ホストシステムとタイミングコントローラとの間で可変フレーム周波数による信号をやり取りすることを示す図である。入力映像によってフレーム周波数を可変するＶＲＲ技術を説明するための図である。入力映像によってフレーム周波数を可変するＶＲＲ技術を説明するための図である。垂直ブランク区間の長さによるＲＴ（ＲｅａｌＴｉｍｅ）センシングの設定例を示す図である。垂直ブランク区間の長さによるＲＴ（ＲｅａｌＴｉｍｅ）センシングの設定例を示す図である。垂直ブランク区間の長さによるＲＴ（ＲｅａｌＴｉｍｅ）センシングの設定例を示す図である。本発明の第１実施例を示すもので、ピクセルの駆動特性変化及びセンシングラインの電圧変化をセンシングするための回路を示す図である。図１３の回路の駆動波形図である。本発明の第２実施例を示すもので、ピクセルの駆動特性変化及びセンシングラインの電圧変化をセンシングするための回路を示す図である。図１３の回路の駆動波形図である。本発明の第３実施例を示すもので、ピクセルの駆動特性変化及びセンシングラインの電圧変化をセンシングするための回路を示す図である。図１７の回路の駆動波形図である。本発明の第４実施例を示すもので、ピクセルの駆動特性変化及びセンシングラインの電圧変化をセンシングするための回路を示す図である。図１９の回路に関する駆動波形図である。

本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付図面に基づいて詳細に後述する実施例を参照すると明らかになるであろう。しかし、本発明は以下で開示する実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態に具現され得る。ただ、本実施例は本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を知らせるために提供するものである。本発明は請求項の範疇によって定義されるだけである。

本発明の実施例を説明するための図面に開示した形状、サイズ、縮尺、角度、個数などは例示的なものであるので、本発明が図面に示した事項に限定されるものではない。明細書全般にわたって同じ構成要素は同じ参照符号で指称する。本発明で言及する‘含む’、‘有する’、‘なる’などを使う場合、‘～のみ’という表現を使わない限り、他の部分をさらに含むことができる。構成要素を単数で表現する場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素の解釈において、別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むものとして解釈する。

位置関係についての説明の場合、例えば、‘～の上に’、‘～の上部に’、‘～の下部に’、‘～のそばに’などで２つの部分の位置関係を説明する場合、‘すぐ’又は‘直接’という表現を使わない限り、２つの部分の間に２つ以上の他の部分が位置することができる。

第１、第２などを多様な構成要素を敍述するために使うが、これらの構成要素はこれらの用語に制限されない。これらの用語はただ一構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。よって、以下で言及する第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもできる。

本明細書で表示パネルの基板上に形成されるピクセル回路はｎタイプＭＯＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造のＴＦＴから具現されるか又はｐタイプＭＯＳＦＥＴ構造のＴＦＴから具現されることもできる。ＴＦＴはゲート（ｇａｔｅ）、ソース（ｓｏｕｒｃｅ）及びドレイン（ｄｒａｉｎ）を含む３電極素子である。ソースはキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）をトランジスタに供給する電極である。ＴＦＴ内でキャリアはソースから流れ始める。ドレインはＴＦＴからキャリアが外部に出る電極である。すなわち、ＭＯＳＦＥＴにおけるキャリアはソースからドレインに流れる。ｎタイプＴＦＴ（ＮＭＯＳ）の場合、キャリアが電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）であるため、ソースからドレインに電子が流れるようにソース電圧がドレイン電圧より低い電圧を有する。ｎタイプＴＦＴで電子がソースからドレイン側に流れるから、電流はドレインからソース側に流れる。これに対し、ｐタイプＴＦＴ（ＰＭＯＳ）の場合、キャリアが正孔（ｈｏｌｅ）であるため、ソースからドレインに正孔が流れるようにソース電圧がドレイン電圧より高い。ｐタイプＴＦＴで正孔がソースからドレイン側に流れるから、電流がソースからドレイン側に流れる。ＭＯＳＦＥＴのソースとドレインは固定されたものではないことに気を付けなければならない。例えば、ＭＯＳＦＥＴのソースとドレインは印加電圧によって変更されることができる。

一方、本発明で、ＴＦＴの半導体層は、オキシド素子、アモルファスシリコン素子、及びポリシリコン素子の少なくとも１つから具現されることができる。

以下、添付図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明する。以下の説明で、本発明に関連した公知の技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにする可能性があると判断される場合、その詳細な説明を省略する。

図１は本発明の実施例による電界発光表示装置を示す図である。そして、図２は図１の表示パネルが備えるピクセルアレイの一例を示す図である。

図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による電界発光表示装置は、表示パネル１０、ドライバー集積回路２０、補償集積回路３０、ホストシステム４０、保存メモリ５０、及び電源回路６０を含むことができる。表示パネル１０を駆動するためのパネル駆動回路は、表示パネル１０が備えるゲート駆動回路１５と、ドライバー集積回路２０に内蔵されたデータ駆動回路２５とを含む。

表示パネル１０は多数のピクセルラインＰＮＬ１～ＰＮＬ４を備え、各ピクセルラインは多数のピクセルＰＸＬと複数の信号ラインとを備える。本明細書で説明する“ピクセルライン”は物理的な信号ラインではなく、ゲートラインの延長方向に沿って互いに隣り合うピクセルＰＸＬと信号ラインの集合体を意味する。信号ラインは、ピクセルＰＸＬにディスプレイ用データ電圧ＶＤＩＳとセンシング用データ電圧ＶＳＥＮを供給するためのデータライン１４０、ピクセルＰＸＬに基準電圧ＶＰＲＥＲ又はＶＰＲＥＳを供給するための基準電圧ライン１５０、ピクセルＰＸＬにゲート信号ＳＣＡＮ、ＳＥＮを供給するゲートライン対１６０、１６２、及びピクセルＰＸＬに高電位ピクセル電圧を供給するための高電位電源ラインＰＷＬを含むことができる。

表示パネル１０のピクセルＰＸＬはマトリックス状に配置されてピクセルアレイ（Ｐｉｘｅｌａｒｒａｙ）を構成する。図２のピクセルアレイに含まれた各ピクセルＰＸＬは、データライン１４０のいずれか１つ、基準電圧ライン１５０のいずれか１つ、高電位電源ラインＰＷＬのいずれか１つ、及びゲートライン対１６０、１６２のいずれか１つに連結されることができる。図２のピクセルアレイに含まれた各ピクセルＰＸＬは電源回路６０から低電位ピクセル電圧をさらに受けることができる。電源回路６０は低電位電源ライン又はパッド部を介して低電位ピクセル電圧をピクセルＰＸＬに供給できる。

表示パネル１０にはゲート駆動回路１５が内蔵されることができる。ゲート駆動回路１５はピクセルアレイが形成された表示領域の外の非表示領域に位置することができる。

ゲート駆動回路１５はピクセルアレイのゲートライン対１６０、１６２に連結された複数のゲートステージを含むことができる。ゲートステージは、ピクセルＰＸＬのスイッチ素子を制御するための第１ゲート信号ＳＣＡＮを生成して第１ゲートライン１６０に供給し、ピクセルＰＸＬのスイッチ素子を制御するための第２ゲート信号ＳＥＮを生成して第２ゲートライン１６２に供給できる。

ドライバー集積回路２０はタイミング制御部２１及びデータ駆動回路２５を含むことができるが、これに限定されない。タイミング制御部２１はドライバー集積回路２０内に含まれず、ドライバー集積回路２０とともにコントロールボードに実装されることもできる。データ駆動回路２５はセンシング回路２２及び駆動電圧生成回路２３を含むことができるが、これに限定されない。

タイミング制御部２１は、ホストシステム４０から入力されるタイミング信号、例えば垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、ドットクロック信号ＤＣＬＫ及びデータイネーブル信号ＤＥなどを参照してゲート駆動回路１５の動作タイミングを制御するためのゲートタイミング制御信号ＧＤＣと、データ駆動回路２５の動作タイミングを制御するためのデータタイミング制御信号ＤＤＣとを生成することができる。

データタイミング制御信号ＤＤＣは、ソーススタートパルス（ＳｏｕｒｃｅＳｔａｒｔＰｕｌｓｅ）、ソースサンプリングクロック（ＳｏｕｒｃｅＳａｍｐｌｉｎｇＣｌｏｃｋ）、及びソース出力イネーブル信号（ＳｏｕｒｃｅＯｕｔｐｕｔＥｎａｂｌｅ）などを含むことができるが、これに限定されない。ソーススタートパルスは駆動電圧生成回路２３のデータサンプリング開始タイミングを制御する。ソースサンプリングクロックは立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジに基づいてデータのサンプリングタイミングを制御するクロック信号である。ソース出力イネーブル信号は駆動電圧生成回路２３の出力タイミングを制御する。

ゲートタイミング制御信号ＧＤＣはゲートスタートパルス（ＧａｔｅＳｔａｒｔＰｕｌｓｅ）、ゲートシフトクロック（ＧａｔｅＳｈｉｆｔＣｌｏｃｋ）などを含むことができるが、これに限定されない。ゲートスタートパルスは一番目ゲート出力を生成するゲートステージに印加されてそのステージの動作を活性化する。ゲートシフトクロックはゲートステージに共通して入力されるもので、ゲートスタートパルスをシフトさせるためのクロック信号である。

タイミング制御部２１は、パネル駆動回路の動作タイミングを制御することにより、各フレームの垂直ブランク期間にピクセルＰＸＬの駆動特性をセンシングすることができる。また、タイミング制御部２１はパネル駆動回路の動作タイミングを制御することにより、複数の垂直ブランク期間の少なくとも１つ以上で、ピクセルＰＸＬの駆動特性をセンシングするに先立ちセンシングラインの電圧維持能力をさらにセンシングすることができる。一方、タイミング制御部２１はパネル駆動回路の動作タイミングを制御することにより、パワーオン期間又はパワーオフ期間にピクセルＰＸＬの駆動特性をさらにセンシングすることもできる。

ここで、パワーオン期間はシステム電源が印加された後から画面がオンになるまでの期間であり、パワーオフ期間は画面がオフになった後からシステム電源が解除されるまでの期間である。垂直ブランク期間は隣接した垂直アクティブ期間の間に位置し、映像データの書込みが中止される期間である。垂直アクティブ期間は画面再生のために映像データが表示パネル１０に書き込まれる期間である。ピクセルＰＸＬの駆動特性はピクセルＰＸＬに含まれた駆動素子の閾値電圧及び電子移動度、及び発光素子の動作点電圧の中で少なくとも１つ以上を含むことができる。そして、センシングラインは基準電圧ライン１５０であることができる。

タイミング制御部２１は、表示パネル１０のピクセルラインＰＮＬ１～ＰＮＬ４に対するセンシング駆動タイミング及びディスプレイ駆動タイミングを所定のシーケンスで制御することにより、ディスプレイ駆動及びセンシング駆動を具現することができる。

タイミング制御部２１は、ディスプレイ駆動のためのタイミング制御信号ＧＤＣ、ＤＤＣとセンシング駆動のためのタイミング制御信号ＧＤＣ、ＤＤＣを互いに異なるように生成することができる。センシング駆動はピクセルセンシング駆動及びＳＩＯセンシング駆動を含む。ピクセルセンシング駆動は、センシング対象ピクセルＰＸＬにセンシング用データ電圧ＶＳＥＮを書き込んで当該ピクセルＰＸＬの駆動特性をセンシングし、センシング結果、データＳＤＡＴＡに基づいて当該ピクセルＰＸＬの駆動特性変化を補償するための第１補償値をアップデートすることを意味する。ＳＩＯセンシング駆動は、センシングラインの電圧維持能力をセンシングし、センシングラインの電圧偏差を補償するための第２補償値をアップデートすることを意味する。そして、ディスプレイ駆動は、アップデートされた第１及び第２補償値に基づき、当該ピクセルＰＸＬに入力されるデジタル映像データを補正し、補正された映像データＣＤＡＴＡに対応するディスプレイ用データ電圧ＶＤＩＳを当該ピクセルＰＸＬに印加して入力映像を表示することを意味する。

駆動電圧生成回路２３はデジタル信号をアナログ信号に変換するデジタル／アナログ変換器（ＤｉｇｉｔａｌｔｏＡｎａｌｏｇｃｏｎｖｅｒｔｅｒ、以下ＤＡＣという）から具現されることができる。駆動電圧生成回路２３はデータライン１４０を介してピクセルＰＸＬに連結されることができる。駆動電圧生成回路２３は、ピクセルセンシング駆動に必要なセンシング用データ電圧ＶＳＥＮとディスプレイ駆動に必要なディスプレイ用データ電圧ＶＤＩＳを生成してデータライン１４０に供給する。ディスプレイ用データ電圧ＶＤＩＳは補償集積回路３０で補正されたデジタル映像データＣＤＡＴＡに対するデジタル／アナログ変換結果であり、階調値及び補償値によってピクセル単位でその大きさを変えることができる。センシング用データ電圧ＶＳＥＮは、カラー別に駆動素子の駆動特性が違うことを考慮し、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）及びＷ（白色）ピクセルで互いに異なるように設定することができる。

センシング回路２２は基準電圧ライン１５０から具現されるセンシングラインを介してピクセルＰＸＬに連結され得る。センシング回路２２は、ディスプレイ駆動に必要な第１基準電圧ＶＰＲＥＲをセンシングライン１５０に供給し、ピクセルセンシング駆動に必要な第２基準電圧ＶＰＲＥＳをセンシングライン１５０に供給する。センシング回路２２は、ピクセルセンシング駆動の際、ピクセルＰＸＬの駆動特性を示すピクセルＰＸＬの特定のノード電圧を、センシングライン１５０を介してセンシングすることができる。センシング回路２２は、ＳＩＯセンシング駆動の際、第１基準電圧ＶＰＲＥＲから低くなるセンシングライン１５０の放電特性をセンシングすることができる。

センシング回路２２は、複数のアナログセンシング値を複数のＡＤＣ（Ａａｎｌｏｇ－ＤｉｇｉｔａｌＣｏｎｖｅｔｅｒ）を用いて同時に並列処理することもでき、複数のアナログセンシング値を１個のＡＤＣを用いて順次直列処理することもできる。ＡＤＣは、予め決定されたセンシングレンジによってアナログセンシング値をデジタルセンシング結果データＳＤＡＴＡに変換した後、保存メモリ５０に供給する。

保存メモリ５０は、センシング駆動の際、センシング回路２２から入力されるデジタルセンシング結果データＳＤＡＴＡを保存する。保存メモリ５０はフラッシュメモリで具現化可能であるが、これに限定されない。

補償集積回路３０は、補償回路３１及び補償メモリ３２を含むことができる。補償メモリ３２は保存メモリ５０から読み込んだデジタルセンシング結果データＳＤＡＴＡを補償回路３１に伝達する。補償メモリ３２はＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、例えばＤＤＲＳＤＲＡＭ（ＤｏｕｂｌｅＤａｔｅＲａｔｅＳｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓＤｙｎａｍｉｃＲＡＭ）であってもよいが、これに限定されない。補償回路３１は保存メモリ５０から読み込んだデジタルセンシング結果データＳＤＡＴＡに基づいて各ピクセル別に補償オフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）及び補償ゲイン（Ｇａｉｎ）を演算し、演算された補償オフセットと補償ゲインによってホストシステム４０から受けた映像データを補正し、補正された映像データＣＤＡＴＡをドライバー集積回路２０に供給する。

電源回路６０は、ピクセルＰＸＬに供給される高電位ピクセル電圧及び低電位ピクセル電圧を生成することができる。また、電源回路６０は、センシング回路２２に供給される第１基準電圧ＶＰＲＥＲ、第２基準電圧ＶＰＲＥＳ、第３基準電圧ＶＰＲＥＲ２、基底電圧ＧＮＤなどを生成することができる。ピクセルＰＸＬの駆動特性とセンシング回路２２のセンシングレンジなどを満たすように、第１基準電圧ＶＰＲＥＲは第２基準電圧ＶＰＲＥＳより高く生成され得る。センシング回路２２でのセンシング分別力が高くなるように、第３基準電圧ＶＰＲＥＲ２は第１基準電圧ＶＰＲＥＲより高く生成され得る。第２基準電圧ＶＰＲＥＳは基底電圧ＧＮＤと同じ電圧レベルを有することができる。

図３は図２のピクセルアレイに連結されたデータ駆動回路２５の一構成を示す図である。

図３を参照すると、データ駆動回路２５はデータライン１４０を介してピクセルＰＸＬの第１ノード（駆動素子のゲート電極に連結される）に接続され、センシングライン１５０を介してピクセルＰＸＬの第２ノード（駆動素子のソース電極に連結される）に接続され得る。ピクセルＰＸＬの駆動特性によって第２ノードにセットされる電圧を変えることができる。

データ駆動回路２５は駆動電圧生成回路ＤＡＣ、２３及びセンシング回路２２を含むことができる。駆動電圧生成回路ＤＡＣ、２３はデータチャネルＤＣＨを介して表示パネル１０のデータライン１４０に連結され、センシング回路２２はセンシングチャネルＳＣＨを介して表示パネル１０のセンシングライン１５０に連結される。駆動電圧生成回路ＤＡＣ、２３はセンシング用データ電圧ＶＳＥＮ及びディスプレイ用データ電圧ＶＤＩＳを生成する。

ディスプレイ駆動の際、センシングチャネルＳＣＨは第１基準電圧ＶＰＲＥＲがセンシングライン１５０に充電される経路を提供する。ＳＩＯセンシング駆動の際、センシングチャネルＳＣＨは、センシングライン１５０に充電された第１基準電圧ＶＰＲＥＲがセンシング回路２２を介して放電及びセンシングされる経路を提供する。ピクセルセンシング駆動の際、センシングチャネルＳＣＨは第２基準電圧ＶＰＲＥＳがセンシングライン１５０に充電される経路を提供した後、ピクセルＰＸＬの第２ノード電圧がセンシング回路２２によってセンシングされる経路を提供する。

図４は図３に示したピクセルの等価回路図の例である。図４は基準電圧ライン１５０をセンシングラインとして活用するピクセルＰＸＬを示している。しかしながら、本発明の技術的思想は図４のピクセル構造には限定されない。

図４を参照すると、ピクセルＰＸＬは、発光素子ＥＬ、駆動ＴＦＴＤＴ、スイッチＴＦＴＳＴ１、ＳＴ２、及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。駆動ＴＦＴＤＴとスイッチＴＦＴＳＴ１、ＳＴ２はＮＭＯＳから具現化可能であるが、これに限定されない。

発光素子ＥＬは駆動ＴＦＴＤＴから受けたピクセル電流によって発光する。発光素子ＥＬは有機発光層を含む有機発光ダイオードから具現化可能であり、無機発光層を含む無機発光ダイオードから具現化可能である。発光素子ＥＬのアノード電極は第２ノードＮ２に接続され、カソード電極は低電位ピクセル電圧ＥＶＳＳの入力端に接続される。

駆動ＴＦＴＤＴはゲート・ソース間の電圧に対応してピクセル電流を生成する駆動素子である。駆動ＴＦＴＤＴのゲート電極は第１ノードＮ１に接続され、第１電極は高電位電源ラインＰＷＬを介して高電位ピクセル電圧ＥＶＤＤの入力端に接続され、第２電極は第２ノードＮ２に接続される。

スイッチＴＦＴＳＴ１、ＳＴ２は駆動ＴＦＴＤＴのゲート・ソース間の電圧を設定し、駆動ＴＦＴＤＴの第１電極とデータライン１４を連結するか、又は駆動ＴＦＴＤＴの第２電極とセンシングライン１５０を連結するスイッチ素子である。

第１スイッチＴＦＴＳＴ１はデータライン１４０と第１ノードＮ１との間に接続され、ゲートライン１６０からの第１ゲート信号ＳＣＡＮに応じてターンオンになる。第１スイッチＴＦＴＳＴ１はディスプレイ駆動又はピクセルセンシング駆動のためのプログラミングの際にターンオンになる。第１スイッチＴＦＴＳＴ１がターンオンになるとき、ディスプレイ用データ電圧ＶＤＩＳ又はセンシング用データ電圧ＶＳＥＮが第１ノードＮ１に印加される。第１スイッチＴＦＴＳＴ１のゲート電極は第１ゲートライン１６０に接続され、第１電極はデータライン１４０に接続され、第２電極は第１ノードＮ１に接続される。

第２スイッチＴＦＴＳＴ２はセンシングライン１５０と第２ノードＮ２との間に接続され、第２ゲートライン１６２からの第２ゲート信号ＳＥＮに応じてターンオンになる。第２スイッチＴＦＴＳＴ２はディスプレイ駆動又はピクセルセンシング駆動のためのプログラミングの際にターンオンされ第１基準電圧ＶＰＲＥＲ又は第２基準電圧ＶＰＲＥＳを第２ノードＮ２に印加する。第２スイッチＴＦＴＳＴ２はピクセルセンシング駆動のためのセンシング期間にターンオンされ第２ノードＮ２とセンシングライン１５０は連結することにより、駆動ＴＦＴＤＴ又は発光素子ＥＬの駆動特性が反映された第２ノードＮ２の電圧をセンシングライン１５０に充電させる。一方、第２スイッチＴＦＴＳＴ２はＳＩＯセンシング駆動の際にオフ状態を維持して第２ノードＮ２とセンシングライン１５０との間の電気的連結を遮断する。第２スイッチＴＦＴＳＴ２のゲート電極はゲートライン１６０に接続され、第１電極はセンシングライン１５０に接続され、第２電極は第２ノードＮ２に接続される。

ストレージキャパシタＣｓｔは第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に接続されて駆動ＴＦＴＤＴのゲート・ソース間の電圧を一定期間維持する。

このようなピクセルＰＸＬは、ディスプレイ駆動の際、ディスプレイ用データ電圧ＶＤＩＳと第１基準電圧ＶＰＲＥＲとの間の電圧差に基づく第１ピクセル電流によって画像を表示し、ピクセルセンシング駆動の際、センシング用データ電圧ＶＳＥＮと第２基準電圧ＶＰＲＥＳとの間の電圧差に基づく第２ピクセル電流によって第２ノードＮ２とセンシングライン１５０を充電する。一方、ピクセルＰＸＬは、ＳＩＯセンシング駆動の際、センシングライン１５０から電気的に分離される。

図５及び図６はＳＩＯセンシング駆動が必要な理由を説明するための図である。

前述したように、ピクセルセンシング駆動は、ピクセルの駆動特性変化をセンシングし、そのセンシング結果に基づいてデジタル映像データを補正することにより、ピクセルの駆動特性変化による輝度偏差を補償するためのものである。ピクセルの駆動特性はセンシングラインによってセンシングされる。特定のセンシングチャネル（例えば、ＳＣＨ２）に連結されたセンシングラインに不良が発生した場合、当該センシングラインＳＣＨ２を共有するピクセルのセンシング値と補償値が歪み、図５のように表示パネルで輝線又は暗線を視認することができる。センシングラインに不良が発生する代表的現象として、水分透湿によるセンシングラインと基底電圧との間のショート、異物によるセンシングラインと特定電圧源（基底電圧より高い）との間のショートなどがある。ピクセルセンシング駆動の際、センシングラインに充電された第２ノードの電圧はセンシングラインの不良によって歪んで誤センシング及び誤補償を引き起こすことがある。

例えば、図６のように、水分透湿によってセンシングラインの漏洩抵抗が正常値より低くなる場合、ピクセルの駆動特性を示すセンシングライン電圧ＶＳＩＯが自然放電値より大きく下降し、センシング値がアンダーフロー（ｕｎｄｅｒｆｌｏｗ）形態に歪むことがある。一方、異物によってセンシングラインが高電圧の特定電圧源とショートした場合、ピクセルの駆動特性を示すセンシングライン電圧ＶＳＩＯは前記特定電圧に上昇し、センシング値がオーバーフロー（ｏｖｅｒｆｌｏｗ）形態に歪むことがある。

ＳＩＯセンシング駆動は、センシングラインの電圧維持能力をセンシングし、ピクセルの駆動特性に関係ないセンシングライン間の電圧偏差を捜し出すためのものである。ＳＩＯセンシング駆動は垂直ブランク区間内でピクセルセンシング駆動に先立って遂行することができる。ＳＩＯセンシング駆動による第２補償値はピクセルセンシング駆動による第１補償値とは別個にアップデートされ得る。デジタル映像データは前記第１補償値及び第２補償値に基づいて補正されるから、ピクセル間の駆動特性偏差及びセンシングライン間の電圧偏差が補償され得る。

ＳＩＯセンシング駆動は入力映像によってフレーム周波数が変更されるＶＲＲ（ＶａｒｉａｂｌｅＲｅｆｒｅｓｈＲａｔｅ）の環境で有用に適用可能である。ＶＲＲ技術については図７～図９で説明する。

図７～図９は入力映像によってフレーム周波数を可変するＶＲＲ技術を説明するための図である。そして、図１０～図１２は垂直ブランク区間の長さによるＲＴ（ＲｅａｌＴｉｍｅ）センシングの設定例を示す図である。

図７を参照すると、ホストシステム４０は多様なインターフェース回路を介して補償集積回路に連結され、パネル駆動に必要な入力映像データＤＡＴＡとデータイネーブル信号ＤＥなどを補償集積回路に伝送する。ホストシステム４０はグラフィックプロセッサユニットとフレームメモリを含み、入力映像データを予め決定されたアプリケーションによってレンダリングしてから補償集積回路に伝送することができる。グラフィックプロセッサユニットは、多様な映像処理コマンドによって映像データを１フレーム単位で映像処理し、映像処理されたフレームデータをドロー（ｄｒａｗ）コマンドを使ってフレームメモリに保存する方式でレンダリング動作を遂行する。

ホストシステム４０は、入力映像のデータレンダリング時間を考慮してフレーム周波数を変更することができる。フレーム周波数を変更すれば、急激な映像変化による画面切断、画面揺れ、入力遅延などの問題を解決することができる。ホストシステム４０は入力映像のデータレンダリング時間によってフレーム周波数を４０Ｈｚ～２４０Ｈｚの周波数範囲内で調整することができる。静止映像の場合、ホストシステム４０はフレーム周波数を１Ｈｚ～１０Ｈｚの周波数範囲内で調整することもできるが、これに限定されない。可変フレーム周波数の範囲はモデル及びスペックによって違うように設定することができる。

ホストシステム４０は、図８のように、垂直アクティブ区間Ｖａｃｔｉｖｅの長さを固定し、入力映像のデータレンダリング時間によって垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋの長さを調整することにより、フレーム周波数を変更することができる。例えば、図９のように、ホストシステム４０は、１４４Ｈｚモードを具現するために、第１垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋ１を含むことができる。ホストシステム４０は、１００Ｈｚモードを具現するために、第１垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋ１より“Ｘ”区間の分だけ増加した第２垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋ２を含むことができる。ホストシステム４０は、８０Ｈｚモードを具現するために、第１垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋ１より“Ｙ”区間の分だけ増加した第３垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋ３を含むことができる。ホストシステム４０は、６０Ｈｚモードを具現するために、第１垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋ１より“Ｚ”区間の分だけ増加した第４垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋ４を含むことができる。

このようなＶＲＲ技術は、入力映像によって垂直ブランク区間の長さを可変して垂直アクティブ区間の長さを固定することにより、フレーム周波数を変更するものである。ＶＲＲ環境で、フレーム周波数が早いほど垂直ブランク区間の長さは短く、反対にフレーム周波数が遅いほど垂直ブランク区間の長さは長くなる。フレーム周波数が早い場合には垂直ブランク区間の長さが短いから、ＳＩＯセンシング駆動を除いてピクセルセンシング駆動のみ遂行される。フレーム周波数が長い場合には垂直ブランク区間の長さが長いから、ＳＩＯセンシング駆動及びピクセルセンシング駆動が全部遂行され得る。

例えば、図１０のように、６０Ｈｚ及び１２０Ｈｚのフレーム周波数から映像フレームが構成される場合、フレーム周波数１２０Ｈｚによる垂直ブランク区間ＢＫ１ではピクセルセンシング駆動のみ遂行され、フレーム周波数６０Ｈｚによる垂直ブランク区間ＢＫ２ではＳＩＯセンシング駆動及びピクセルセンシング駆動が全部遂行され得る。図１０で、Ｖｓｙｎｃは１フレームを定義する垂直同期信号であり、ＤＥはデータイネーブル信号である。データイネーブル信号ＤＥはディスプレイ用データ電圧の書込タイミングに同期されるから、垂直アクティブ区間のみでトランジションされ、垂直ブランク区間ではトランジションされない。図１１及び図１２で、ＲＴ（ＲｅａｌＴｉｍｅ）センシングとは垂直ブランク区間でセンシング動作が行われることを意味する。

以下、ＳＩＯセンシング駆動とピクセルセンシング駆動を具現することができるセンシング回路２２に対する多様な実施例を説明する。

［第１実施例］
図１３は本発明の第１実施例を示すもので、ピクセルの駆動特性変化及びセンシングラインの電圧変化をセンシングするための回路を示す図である。そして、図１４は図１３の回路の駆動波形図である。

図１３を参照すると、センシング回路２２はセンシングライン１５０に連結されたセンシングチャネル端子ＳＣＨ、センシングチャネル端子ＳＣＨと第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子との間に連結されたスイッチＲＰＲＥ、センシングチャネル端子ＳＣＨと第２基準電圧ＶＰＲＥＳの入力端子との間に連結されたスイッチＳＰＲＥ、及びサンプリング部Ｓ／Ｈを含むことができる。図１３で、Ｒはセンシングライン１５０の漏洩抵抗を等価的に表現したものである。漏洩抵抗Ｒの大きさはセンシングライン１５０で違うことができ、図６のように、正常値、不良値、及び正常値と不良値との間の中間値のいずれか１つであってよい。図１３で、Ｃｘはセンシングライン１５０に存在する寄生キャパシタである。

サンプリング部Ｓ／Ｈは、スイッチＲＰＲＥがオフになる垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋで、ピクセルＰＸＬの駆動特性に関係なく、第１基準電圧ＶＰＲＥＲから変化したセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯをセンシングすることにより、ＳＩＯセンシング駆動を具現することができる。

図１４を参照すると、センシング回路２２は垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋに先立つ垂直アクティブ区間Ｖａｃｔｉｖｅでディスプレイ駆動のためにセンシングライン１５０の寄生キャパシタＣｘに第１基準電圧ＶＰＲＥＲを充電する。

垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋ内でＳＩＯセンシング区間を割り当てることができる。

ＳＩＯセンシング区間の間にセンシングライン１５０は、ピクセルＰＸＬ、第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子、及び第２基準電圧ＶＰＲＥＳの入力端子との電気的連結が遮断される。このような疑似フローティング状態で、センシングライン１５０には漏洩抵抗Ｒを介して基底電圧ＧＮＤに連結される放電経路が形成されることができる。正常の場合にはセンシングライン１５０の漏洩抵抗Ｒが高いため、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯの減少量が少ない（自然放電）。一方、疑似ショートのような異常の場合にはセンシングライン１５０の漏洩抵抗Ｒが低くなるから、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯの減少量が大きくなる（過放電）。サンプリング部Ｓ／Ｈは放電によって変動したセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯを複数回サンプリングすることにより、センシングライン１５０間の電圧偏差を検出することができる。

垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋ内でＳＩＯセンシング区間に引き続きピクセルセンシング区間を割り当てることができる。

ピクセルセンシング区間の間にセンシングライン１５０はピクセルＰＸＬの第２ノードに続いて連結される。ピクセルセンシング区間はプログラミング区間及びサンプリング区間を含むことができる。プログラミング区間で、スイッチＳＰＲＥがオンになり、第２基準電圧ＶＰＲＥＳ、０Ｖがセンシングライン１５０を介してピクセルＰＸＬの第２ノードに印加される。ここで、ピクセルＰＸＬの第１ノードにはデータライン１４０を介してセンシング用データ電圧が印加される。サンプリング区間で、ピクセルＰＸＬはピクセル電流を生成する定電流源になる。このようなピクセル電流によって第２ノードの電圧が上昇し、ピクセルＰＸＬの駆動特性によって電圧の上昇傾きが変わる。サンプリング区間で、ピクセルＰＸＬとセンシングライン１５０は連結状態を維持するので、第２ノードの電圧変化がセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯにそのまま反映される。サンプリング部Ｓ／Ｈはセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯをサンプリングすることにより、第２ノードの電圧に対するピクセル間の電圧偏差を検出することができる。

［第２実施例］
図１５は本発明の第２実施例を示すもので、ピクセルの駆動特性変化及びセンシングラインの電圧変化をセンシングするための回路を示す図である。そして、図１６は図１３の回路の駆動波形図である。

図１５を参照すると、センシング回路２２は、センシングライン１５０に連結されたセンシングチャネル端子ＳＣＨ、センシングチャネル端子ＳＣＨと第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子との間に連結されたスイッチＲＰＲＥ、センシングチャネル端子ＳＣＨと第２基準電圧ＶＰＲＥＳの入力端子との間に連結されたスイッチＳＰＲＥ、及びサンプリング部Ｓ／Ｈを含むことができる。図１５で、Ｒはセンシングライン１５０の漏洩抵抗を等価的に表現したものである。漏洩抵抗Ｒの大きさはセンシングライン１５０で違うことができ、図６のように、正常値、不良値、及び正常値と不良値との間の中間値のいずれか１つであることができる。図１５で、Ｃｘはセンシングライン１５０に存在する寄生キャパシタである。

サンプリング部Ｓ／Ｈは、スイッチＲＰＲＥがオフになる垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋで、ピクセルＰＸＬの駆動特性に関係なく第１基準電圧ＶＰＲＥＲから変化したセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯをセンシングすることにより、ＳＩＯセンシング駆動を具現することができる。

図１５を参照すると、センシング回路２２はセンシングチャネル端子ＳＣＨ、第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子及びサンプリング部Ｓ／Ｈに連結され、ＳＩＯセンシング区間内で動作が活性化する第１非反転増幅回路２２－１をさらに含むことにより、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ変動量検出時間を縮めることができ、センシング分別力を向上させ得る。

第１非反転増幅回路２２－１は反転入力端子（－）、非反転入力端子（＋）及び出力端子を有し、非反転入力端子が第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子に連結されたＯＰアンプＡＭＰ、ＯＰアンプＡＭＰの反転入力端子（－）に連結された第１抵抗Ｒ１、ＯＰアンプＡＭＰの反転入力端子（－）と出力端子との間に連結された第２抵抗Ｒ２、センシングチャネル端子ＳＣＨと第１抵抗Ｒ１との間に連結されたスイッチＳＷ１、及びＯＰアンプＡＭＰの出力端子とサンプリング部Ｓ／Ｈとの間に連結されたスイッチＳＷ１ａを含む。

図１５を参照すると、センシング回路２２は、センシングチャネル端子ＳＣＨとサンプリング部Ｓ／Ｈとの間に連結されたスイッチＳＷ２をさらに含む。スイッチＳＷ２はＳＩＯセンシング区間の間にオフ状態を維持し、ピクセルセンシング区間の間にオン状態を維持することにより、第１非反転増幅回路２２－１の増幅結果をＳＩＯセンシング区間の間にのみサンプリング部Ｓ／Ｈに入力するようにできる。

図１６を参照すると、センシング回路２２は、垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋに先立つ垂直アクティブ区間Ｖａｃｔｉｖｅでディスプレイ駆動のためにセンシングライン１５０の寄生キャパシタＣｘに第１基準電圧ＶＰＲＥＲを充電する。

垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋ内でＳＩＯセンシング区間を割り当てることができる。ＳＩＯセンシング区間の間にセンシングライン１５０は、ピクセルＰＸＬ、第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子、及び第２基準電圧ＶＰＲＥＳの入力端子との電気的連結が遮断される。このような疑似フローティング状態でセンシングライン１５０には漏洩抵抗Ｒを介して基底電圧ＧＮＤに連結される放電経路が形成され得る。正常の場合にはセンシングライン１５０の漏洩抵抗Ｒが高いため、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ減少量が少ない（自然放電）。一方、疑似ショートのような異常の場合にはセンシングライン１５０の漏洩抵抗Ｒが低くなるから、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ減少量が大きくなる（過放電）。

第１非反転増幅回路２２－１は、ＳＩＯセンシング区間内でスイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ１ａがオン状態を維持するうちにセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯと第１基準電圧ＶＰＲＥＲとの間の電圧差を増幅する。すなわち、第１非反転増幅回路２２－１は下記の式１のようにセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ変動量を増幅して出力電圧Ｖｏを生成する。

サンプリング部Ｓ／Ｈは、放電によって変動したセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ、つまり第１非反転増幅回路２２－１の出力電圧Ｖｏをサンプリングすることにより、センシングライン１５０間の電圧偏差を検出することができる。

ピクセルセンシング区間の間にセンシングライン１５０はピクセルＰＸＬの第２ノードに続いて連結される。ピクセルセンシング区間はプログラミング区間及びサンプリング区間を含むことができる。プログラミング区間で、スイッチＳＰＲＥがオンになり、第２基準電圧ＶＰＲＥＳ、０Ｖがセンシングライン１５０を介してピクセルＰＸＬの第２ノードに印加される。ここで、ピクセルＰＸＬの第１ノードにはデータライン１４０を介してセンシング用データ電圧が印加される。サンプリング区間で、ピクセルＰＸＬはピクセル電流を生成する定電流源になる。このようなピクセル電流によって第２ノードの電圧が上昇し、ピクセルＰＸＬの駆動特性によって電圧の上昇傾きが変わる。サンプリング区間で、ピクセルＰＸＬとセンシングライン１５０は連結状態を維持するので、第２ノードの電圧変化がセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯにそのまま反映される。サンプリング部Ｓ／ＨはスイッチＳＷ２を介してセンシングライン１５０に連結されてセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯをサンプリングすることにより、第２ノードの電圧に対するピクセル間の電圧偏差を検出することができる。

［第３実施例］
図１７は本発明の第３実施例を示すもので、ピクセルの駆動特性変化及びセンシングラインの電圧変化をセンシングするための回路を示す図である。そして、図１８は図１７の回路の駆動波形図である。

図１７を参照すると、センシング回路２２は、センシングライン１５０に連結されたセンシングチャネル端子ＳＣＨ、センシングチャネル端子ＳＣＨと第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子との間に連結されたスイッチＲＰＲＥ、センシングチャネル端子ＳＣＨと第２基準電圧ＶＰＲＥＳの入力端子との間に連結されたスイッチＳＰＲＥ、及びサンプリング部Ｓ／Ｈを含むことができる。図１７で、Ｒはセンシングライン１５０の漏洩抵抗を等価的に表現したものである。漏洩抵抗Ｒの大きさはセンシングライン１５０で違うことができ、図６のように、正常値、不良値、及び正常値と不良値との間の中間値のいずれか１つであることができる。図１７で、Ｃｘはセンシングライン１５０に存在する寄生キャパシタである。

図１７を参照すると、センシング回路２２は、第１基準電圧ＶＰＲＥＲより高い第３基準電圧ＶＰＲＥＲ２の入力端子、センシング連結され、ＳＩＯセンシング区間内で動作が活性化する第２非反転増幅回路２２－２をさらに含むことにより、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ変動量検出時間を縮めることができ、センシング分別力を向上させることができる。第２非反転増幅回路２２－２はセンシングライン漏洩による電圧変動量△Ｖ（すなわち、ＶＰＲＥＲ２－ＶＳＩＯ）値をＯＰアンプＡＭＰの（＋）入力値として使い、基底電圧ＧＮＤをＯＰアンプＡＭＰの（－）入力値として使うことにより、センシング分別力をより向上させられる。第３基準電圧ＶＰＲＥＲ２は第１基準電圧ＶＰＲＥＲより高く設定されるから、センシング時間が短い状況でもセンシング分別力を向上させられる。

第２非反転増幅回路２２－２は、反転入力端子（－）、非反転入力端子（＋）及び出力端子を有し、非反転入力端子が第３基準電圧ＶＰＲＥＲ２の入力端子に連結されたＯＰアンプＡＭＰ、ＯＰアンプＡＭＰの反転入力端子（－）に連結された第１抵抗Ｒ１、ＯＰアンプＡＭＰの反転入力端子（－）と出力端子との間に連結された第２抵抗Ｒ２、センシングチャネル端子ＳＣＨと第１抵抗Ｒ１との間に連結されたスイッチＳＷ１、及びＯＰアンプＡＭＰの出力端子とサンプリング部Ｓ／Ｈとの間に連結されたスイッチＳＷ１ａ、一側電極ＢがＯＰアンプＡＭＰの非反転入力端子（＋）に連結されたキャパシタＣｙ、センシングチャネル端子ＳＣＨとキャパシタＣｙの他側電極Ａとの間に連結されたスイッチＳＷ３、及びＯＰアンプＡＭＰの非反転入力端子（＋）と第３基準電圧ＶＰＲＥＲ２の入力端子との間に連結されたスイッチＳＷ４を含む。

図１７を参照すると、センシング回路２２は、センシングチャネル端子ＳＣＨとサンプリング部Ｓ／Ｈとの間に連結されたスイッチＳＷ２をさらに含む。スイッチＳＷ２はＳＩＯセンシング区間の間にオフ状態を維持し、ピクセルセンシング区間の間にオン状態を維持することにより、第２非反転増幅回路２２－２の増幅結果をＳＩＯセンシング区間の間にのみサンプリング部Ｓ／Ｈに入力するようにできる。

図１８を参照すると、センシング回路２２は垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋに先立つ垂直アクティブ区間Ｖａｃｔｉｖｅでディスプレイ駆動のためにセンシングライン１５０の寄生キャパシタＣｘに第１基準電圧ＶＰＲＥＲを充電する。

スイッチＳＷ４がオン状態を維持するうちにスイッチＳＷ３がオンになれば、キャパシタＣｙにはセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯと第３基準電圧ＶＰＲＥＲ２との間の差電圧が貯蔵され、スイッチＳＰＲＥがオンになるタイミングでキャパシタカップリング動作によってＯＰアンプＡＭＰの非反転入力端子（＋）に“ＶＰＲＥＦ２－ＶＳＩＯ”が印加される。

第２非反転増幅回路２２－２は、ＳＩＯセンシング区間内でスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ１ａ及びスイッチＳＷ３がオン状態を維持するうち、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯと第３基準電圧ＶＰＲＥＲ２との間の電圧差を増幅する。すなわち、第２非反転増幅回路２２－２は下記の式２のようにセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ変動量を増幅して出力電圧Ｖｏを生成する。

サンプリング部Ｓ／Ｈは、放電によって変動したセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ、つまり第２非反転増幅回路２２－２の出力電圧Ｖｏをサンプリングすることにより、センシングライン１５０間の電圧偏差を検出することができる。

［第４実施例］
図１９は本発明の第４実施例を示すもので、ピクセルの駆動特性変化及びセンシングラインの電圧変化をセンシングするための回路を示す図である。そして、図２０は図１９の回路の駆動波形図である。

図１９を参照すると、センシング回路２２は、センシングライン１５０に連結されたセンシングチャネル端子ＳＣＨ、センシングチャネル端子ＳＣＨと第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子との間に連結されたスイッチＲＰＲＥ、センシングチャネル端子ＳＣＨと第２基準電圧ＶＰＲＥＳの入力端子との間に連結されたスイッチＳＰＲＥ、及びサンプリング部Ｓ／Ｈを含むことができる。図１９で、Ｒはセンシングライン１５０の漏洩抵抗を等価的に表現したものである。漏洩抵抗Ｒの大きさはセンシングライン１５０で違うことができ、図６のように、正常値、不良値、及び正常値と不良値との間のいずれか一中間値のいずれか１つであることができる。図１９で、Ｃｘはセンシングライン１５０に存在する寄生キャパシタである。

図１９を参照すると、センシング回路２２は、第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子、センシングチャネル端子ＳＣＨ及びサンプリング部Ｓ／Ｈに連結され、ＳＩＯセンシング区間内で動作が活性化する第３非反転増幅回路２２－３をさらに含むことにより、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ変動量検出時間を縮めることができ、センシング分別力を向上させることができる。第３非反転増幅回路２２－３は第１基準電圧ＶＰＲＥＲをＯＰアンプＡＭＰの（＋）入力値として使い、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯをＯＰアンプＡＭＰの（－）入力値として使うことにより、センシング分別力をより向上させることができる。

第３非反転増幅回路２２－３は、反転入力端子（－）、非反転入力端子（＋）及び出力端子を有し、非反転入力端子が第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子に連結されたＯＰアンプＡＭＰ、ＯＰアンプＡＭＰの反転入力端子（－）に連結された第１抵抗Ｒ１、ＯＰアンプＡＭＰの反転入力端子（－）と出力端子との間に連結された第２抵抗Ｒ２、センシングチャネル端子ＳＣＨと第１抵抗Ｒ１との間に連結されたスイッチＳＷ１、及びＯＰアンプＡＭＰの出力端子とサンプリング部Ｓ／Ｈとの間に連結されたスイッチＳＷ１ａ、一側電極ＢがＯＰアンプＡＭＰの非反転入力端子（＋）に連結されたキャパシタＣｙ、センシングチャネル端子ＳＣＨとキャパシタＣｙの他側電極Ａとの間に連結されたスイッチＳＷ３、及びＯＰアンプＡＭＰの非反転入力端子（＋）と第１基準電圧ＶＰＲＥＲの入力端子との間に連結されたスイッチＳＷ５を含む。

図１９を参照すると、センシング回路２２は、センシングチャネル端子ＳＣＨとサンプリング部Ｓ／Ｈとの間に連結されたスイッチＳＷ２をさらに含む。スイッチＳＷ２はＳＩＯセンシング区間の間にオフ状態を維持し、ピクセルセンシング区間の間にオン状態を維持することにより、第３非反転増幅回路２２－３の増幅結果をＳＩＯセンシング区間の間にのみサンプリング部Ｓ／Ｈに入力するようにできる。

図２０を参照すると、センシング回路２２は、垂直ブランク区間Ｖｂｌａｎｋに先立つ垂直アクティブ区間Ｖａｃｔｉｖｅでディスプレイ駆動のためにセンシングライン１５０の寄生キャパシタＣｘに第１基準電圧ＶＰＲＥＲを充電する。

第３非反転増幅回路２２－３は、ＳＩＯセンシング区間内でスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ１ａ、スイッチＳＷ３及びスイッチＳＷ５がオン状態を維持するうち、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯと第１基準電圧ＶＰＲＥＲとの間の電圧差を増幅する。すなわち、第３非反転増幅回路２２－３は、前記式１のように、センシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ変動量を増幅して出力電圧Ｖｏを生成する。

サンプリング部Ｓ／Ｈは放電によって変動したセンシングライン１５０の電圧ＶＳＩＯ、つまり第３非反転増幅回路２２－３の出力電圧Ｖｏをサンプリングすることにより、センシングライン１５０間の電圧偏差を検出することができる。

以上で説明した内容から、当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範疇内で多様な変更及び修正が可能であろう。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって決定されなければならないであろう。

１０表示パネル
１５ゲート駆動回路
２０ドライバー集積回路
２１タイミング制御部
２２センシング回路

Claims

ディスプレイ用データ電圧（ＶＤＩＳ）と第１基準電圧（ＶＰＲＥＲ）との間の電圧差に基づいて画像を表示するピクセル（ＰＸＬ）と、
データライン（１４０）を介して前記ピクセルに前記ディスプレイ用データ電圧を供給する駆動電圧生成回路（２３）と、
センシングライン（ＳＩＯ、１５０）を介して前記ピクセルに前記第１基準電圧を供給するセンシング回路（２２）とを含み、
前記センシング回路（２２）は、
前記センシングラインに連結されたセンシングチャネル端子（ＳＣＨ）と、
前記センシングチャネル端子と前記第１基準電圧の入力端子との間に連結されたスイッチ（ＲＰＲＥ）と、
前記スイッチ（ＲＰＲＥ）がオフになる垂直ブランク区間で、前記ピクセルの駆動特性に関係なく前記第１基準電圧から変化した前記センシングラインの電圧をセンシングするサンプリング部（Ｓ／Ｈ）とを含む、電界発光表示装置。
前記垂直ブランク区間に先立つ垂直アクティブ区間で、前記センシングラインは前記第１基準電圧で充電される、請求項１に記載の電界発光表示装置。
前記垂直ブランク区間内にはＳＩＯセンシング区間とピクセルセンシング区間が連続的に位置し、
前記サンプリング部は、
前記ＳＩＯセンシング区間の間に前記ピクセルの駆動特性に関係ない前記センシングラインの電圧をセンシングし、次いで前記ピクセルセンシング区間の間に前記ピクセルの駆動特性を示す前記ピクセルの特定のノード電圧をセンシングする、請求項１に記載の電界発光表示装置。
前記ＳＩＯセンシング区間の間に前記センシングラインと前記ピクセルとの間の電気的連結が遮断され、
前記ピクセルセンシング区間の間に前記センシングラインと前記ピクセルとの間の電気的連結がなされる、請求項３に記載の電界発光表示装置。
前記センシングチャネル端子、前記第１基準電圧の入力端子及び前記サンプリング部に連結され、前記ＳＩＯセンシング区間内で動作が活性化する第１非反転増幅回路（２２－１）をさらに含む、請求項３に記載の電界発光表示装置。
前記第１非反転増幅回路は、
反転入力端子（－）、非反転入力端子（＋）及び出力端子を有し、非反転入力端子が前記第１基準電圧の入力端子に連結されたＯＰアンプ（ＡＭＰ）と、
前記ＯＰアンプの反転入力端子に連結された第１抵抗（Ｒ１）と、
前記ＯＰアンプの反転入力端子と出力端子との間に連結された第２抵抗（Ｒ２）と、
前記センシングチャネル端子と前記第１抵抗との間に連結されたスイッチ（ＳＷ１）と、
前記ＯＰアンプの出力端子と前記サンプリング部との間に連結されたスイッチ（ＳＷ１ａ）とを含む、請求項５に記載の電界発光表示装置。
前記第１非反転増幅回路は、
前記ＳＩＯセンシング区間内で前記スイッチ（ＳＷ１）及び前記スイッチ（ＳＷ１ａ）がオン状態を維持するうちに前記センシングラインの電圧と前記第１基準電圧との間の電圧差を増幅する、請求項６に記載の電界発光表示装置。
前記第１基準電圧より高い第２基準電圧（ＶＰＲＥＳ）の入力端子、前記センシングチャネル端子及び前記サンプリング部に連結され、前記ＳＩＯセンシング区間内で動作が活性化する第２非反転増幅回路（２２－２）をさらに含む、請求項３に記載の電界発光表示装置。
前記第２非反転増幅回路は、
反転入力端子（－）、非反転入力端子（＋）及び出力端子を有するＯＰアンプ（ＡＭＰ）と、
前記ＯＰアンプの反転入力端子に連結された第１抵抗（Ｒ１）と、
前記ＯＰアンプの反転入力端子と出力端子との間に連結された第２抵抗（Ｒ２）と、
前記センシングチャネル端子と前記第１抵抗との間に連結されたスイッチ（ＳＷ１）と、
前記ＯＰアンプの出力端子と前記サンプリング部との間に連結されたスイッチ（ＳＷ１ａ）と、
一側電極（Ｂ）が前記ＯＰアンプの非反転入力端子に連結されたキャパシタ（Ｃｙ）と、
前記センシングチャネル端子と前記キャパシタの他側電極（Ａ）との間に連結されたスイッチ（ＳＷ３）と、
前記ＯＰアンプの非反転入力端子と前記第２基準電圧の入力端子との間に連結されたスイッチ（ＳＷ４）とを含む、請求項８に記載の電界発光表示装置。
前記第２非反転増幅回路は、
前記ＳＩＯセンシング区間内で前記スイッチ（ＳＷ１）、前記スイッチ（ＳＷ１ａ）及び前記スイッチ（ＳＷ３）がオン状態を維持するうちに前記センシングラインの電圧と前記第２基準電圧との間の電圧差を増幅する、請求項９に記載の電界発光表示装置。
前記第１基準電圧の入力端子、前記センシングチャネル端子及び前記サンプリング部に連結され、前記ＳＩＯセンシング区間内で動作が活性化する第３非反転増幅回路（２２－３）をさらに含む、請求項３に記載の電界発光表示装置。
前記第３非反転増幅回路は、
反転入力端子（－）、非反転入力端子（＋）及び出力端子を有するＯＰアンプ（ＡＭＰ）と、
前記ＯＰアンプの反転入力端子に連結された第１抵抗（Ｒ１）と、
前記ＯＰアンプの反転入力端子と出力端子との間に連結された第２抵抗（Ｒ２）と、
前記センシングチャネル端子と前記第１抵抗との間に連結されたスイッチ（ＳＷ１）と、
前記ＯＰアンプの出力端子と前記サンプリング部との間に連結されたスイッチ（ＳＷ１ａ）と、
一側電極（Ｂ）が前記ＯＰアンプの非反転入力端子に連結されたキャパシタ（Ｃｙ）と、
前記センシングチャネル端子と前記キャパシタの他側電極Ａとの間に連結されたスイッチ（ＳＷ３）と、
前記ＯＰアンプの非反転入力端子と前記第１基準電圧の入力端子との間に連結されたスイッチ（ＳＷ５）とを含む、請求項１１に記載の電界発光表示装置。
前記第３非反転増幅回路は、
前記ＳＩＯセンシング区間内で前記スイッチ（ＳＷ１）、前記スイッチ（ＳＷ１ａ）、前記スイッチ（ＳＷ３）及び前記スイッチ（ＳＷ５）がオン状態を維持するうちに前記センシングラインの電圧と前記第１基準電圧との間の電圧差を増幅する、請求項１２に記載の電界発光表示装置。
前記センシングチャネル端子と前記サンプリング部との間に連結されたスイッチ（ＳＷ２）をさらに含み、
前記スイッチ（ＳＷ２）はＳＩＯセンシング区間の間にオフ状態を維持し、前記ピクセルセンシング区間の間にオン状態を維持する、請求項５、８及び１１のいずれか一項に記載の電界発光表示装置。
前記垂直ブランク区間に先立つ垂直アクティブ区間の長さが前記フレーム周波数に関係なく固定されるが、前記垂直ブランク区間の長さはフレーム周波数によって変わる、請求項３に記載の電界発光表示装置。
第１フレーム周波数による前記垂直ブランク区間には前記ＳＩＯセンシング区間及び前記ピクセルセンシング区間が全部割り当てられ、
第２フレーム周波数による前記垂直ブランク区間には前記ピクセルセンシング区間のみ全部割り当てられ、
前記第２フレーム周波数は前記第１フレーム周波数より早い、請求項１５に記載の電界発光表示装置。