JP2022066900A - 近接検出回路、近接検出方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】温度の影響を低減可能な近接検出回路を提供する。【解決手段】近接検出回路２００は、センサ電極１０２の静電容量Ｃｓを示すデジタルの容量検出値ＳＥＮＳＥにもとづいて、近接状態、非近接状態を判定する。フィルタ２４０は、容量検出値ＳＥＮＳＥのドリフト成分ＢＡＳＥを抽出する。差分検出器２５０は、容量検出値ＳＥＮＳＥとドリフト成分ＢＡＳＥの差分にもとづく差分検出値ＤＩＦＦを生成する。判定器２６０は、差分検出値ＤＩＦＦとしきい値ＴＨ＿ＯＮ，ＴＨ＿ＯＦＦの比較に応じて、近接状態、非近接状態を判定する。第１補正器２７０は、判定器２６０によって非近接状態から近接状態への変化、または近接状態から非近接状態への変化が検出されると、容量検出値ＳＥＮＳＥを取り込み、取り込んだ容量値Ｓ０にもとづいて、フィルタ２４０をリセットする。【選択図】図１

Description

本発明は、静電容量の検出回路に関する。

人体に対する電波の影響が危惧されており、その影響度（ＳＡＲ：Specific Absorption Rate）に対する対策が求められ、主要国においてＳＡＲの基準が規格化されている。そのために、スマートフォンをはじめとする電子機器には、人体が近接を検出し、検出結果に応じて電波強度を制御する機能が要求される。

特開２０１７－２０４０５９号公報

本発明者らは、人体の近接に、静電容量センサを利用することを検討し、以下の課題を認識するに至った。静電容量センサは、センサ電極が周囲（人体）との間に形成する静電容量の変化を検出する。センサ電極が形成される薄膜は、温度の影響を受けて膨張、収縮する。これにより、センサ電極が形成する静電容量は、温度に応じて変化する。温度のほか湿度などによっても、静電容量が変化する可能性がある。温度変動に起因する静電容量変化量は、人体の近接に起因する静電容量変化量に比べて、無視できない程度に大きい。したがって、温度変動によって、人体の近接が誤検出される可能性がある。

本発明は係る状況においてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、温度の影響を低減可能な近接検出回路の提供にある。

本開示のある態様の近接検出回路／近接検出方法では、センサ電極の静電容量を示すデジタルの容量検出値にもとづいて、近接状態、非近接状態が判定される。この回路／方法では、フィルタによって容量検出値のドリフト成分を抽出する。そして容量検出値とドリフト成分の差分にもとづく差分検出値を生成する。そして、差分検出値としきい値の比較に応じて、近接状態、非近接状態を判定する。非近接状態から近接状態への変化、または近接状態から非近接状態への変化が検出されると、容量検出値を取り込み、取り込んだ容量検出値にもとづいて、フィルタをリセットする。

本開示において、「近接」とは、接触した状態を含みうる。つまり、近接検出回路／方法は、タッチ検出にも適用可能である。

なお、以上の構成要素を任意に組み合わせたもの、あるいは本発明の表現を、方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。

本開示によれば、温度変動の影響を低減できる。

実施形態１に係る近接センサのブロック図である。 フィルタの構成例を示すブロック図である。 図３（ａ）、（ｂ）は、比較技術１に係る近接検出回路の動作を示す波形図である。 図４（ａ）、（ｂ）は、比較技術２に係る近接検出回路の動作を示す波形図である。 図５（ａ）、（ｂ）は、実施形態１に係る近接センサの動作を示す波形図である。 実施形態２に係る近接センサのブロック図である。 図７（ａ）、（ｂ）は、実施形態２に係る近接センサの動作を示す波形図である。 近接センサを備える電子機器のブロック図である。

（実施形態の概要）
本開示のいくつかの例示的な実施形態の概要を説明する。この概要は、後述する詳細な説明の前置きとして、実施形態の基本的な理解を目的として、１つまたは複数の実施形態のいくつかの概念を簡略化して説明するものであり、発明あるいは開示の広さを限定するものではない。またこの概要は、考えられるすべての実施形態の包括的な概要ではなく、実施形態の欠くべからざる構成要素を限定するものではない。便宜上、「一実施形態」は、本明細書に開示するひとつの実施形態または複数の実施形態を指すものとして用いる場合がある。

一実施形態に係る近接検出回路は、センサ電極の静電容量を示すデジタルの容量検出値にもとづいて、近接状態、非近接状態を判定する。近接検出回路は、容量検出値のドリフト成分を抽出するフィルタと、容量検出値とドリフト成分の差分にもとづく差分検出値を生成する差分検出器と、差分検出値としきい値の比較に応じて、近接状態、非近接状態を判定する判定器と、判定器によって非近接状態から近接状態への変化、または近接状態から非近接状態への変化が検出されると、容量検出値を取り込み、取り込んだ容量検出値にもとづいて、フィルタをリセットする第１補正器と、を備える。

この構成によると、温度変動にもとづく容量検出値のドリフトの影響を低減し、近接の有無を判定できる。

第１補正器を設けない構成では、近接状態が長時間にわたり持続する用途において、ドリフト成分が最終的に近接時の容量検出値に収束する。そのため、差分検出値がゼロに近づいていき、近接状態であるにもかかわらず、非近接状態と誤判定される可能性がある。第１補正器を設けることにより、近接状態が長時間にわたり持続する用途において、近接状態を正しく判定することができる。

一実施形態において、フィルタはＩＩＲ（Infinite Impulse Response）フィルタであってもよい。

一実施形態において、近接検出回路は、判定器により近接状態と判定される間、差分検出値に基準値を重畳して補正し、補正後の差分検出値を判定器に出力する第２補正器をさらに備えてもよい。第２補正器は、判定器によって非近接状態から近接状態への変化が検出されると、それ自身の出力である補正後の差分検出値を取り込んで保持し、近接状態と判定される期間、保持した値にもとづく基準値を、差分検出値に重畳する。これにより、判定器におけるしきい値を、絶対値として規定することが可能となる。

一実施形態において、近接検出回路は、センサ電極が接続されるセンスピンと、センサ電極の静電容量を電気信号に変換するアナログフロントエンド回路と、アナログフロントエンド回路の出力信号を、容量検出値に変換するＡ／Ｄコンバータと、をさらに備えてもよい。

一実施形態において、近接回路は、ひとつの半導体集積回路上に一体集積化されてもよい。「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。回路を１つのチップ上に集積化することにより、回路面積を削減することができるとともに、回路素子の特性を均一に保つことができる。

（実施形態）
以下、本発明を好適な実施形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。

本明細書において、「部材Ａが、部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂが物理的に直接的に接続される場合や、部材Ａと部材Ｂが、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。

同様に、「部材Ｃが、部材Ａと部材Ｂの間に設けられた状態」とは、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃが直接的に接続される場合のほか、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る近接センサ１００Ａのブロック図である。近接センサ１００Ａは、センサ電極１０２および近接検出回路２００Ａを備える。センサ電極１０２は、近接検出回路２００Ａのセンスピン（ＳＮＳ端子）と接続される。センサ電極１０２の周囲には、静電容量Ｃｓが形成され、センサ電極１０２に人体２が近接すると、静電容量Ｃｓが増加する。近接検出回路２００Ａは、センサ電極１０２の静電容量Ｃｓを検出し、静電容量Ｃｓの変化にもとづいて、人体２の近接状態／非近接状態を判定する。図１では、人体２として指を例示するが、検出対象となる人体２の部位は特に限定されず、頭部や掌などでありうる。

近接検出回路２００Ａは、フロントエンド回路２１０、Ａ／Ｄコンバータ２２０、信号処理部２３０を備え、ひとつの半導体基板に集積化された機能ＩＣ（Integrated Circuit）である。

アナログフロントエンド回路２１０は、センサ電極１０２の静電容量Ｃｓを電気信号Ｖｓに変換する。フロントエンド回路２１０の構成は特に限定されず、自己容量方式あるいは相互容量方式の容量検出回路で構成することができる。

信号処理部２３０は、容量検出値ＳＥＮＳＥにもとづいて、人体２の近接の有無を検出する。信号処理部２３０は、デジタル信号処理回路である。信号処理部２３０は、ハードウェアロジックとして実装してもよいし、プロセッサとソフトウェアプログラムの組み合わせとして実装してもよい。

フィルタ２４０は、容量検出値ＳＥＮＳＥのドリフト成分（ベースライン）ＢＡＳＥを抽出する。ドリフト成分ＢＡＳＥは、主としてセンサ電極１０２を含むフィルムの温度変動に起因する成分であり、人体２の接近、離反に比べて、長い時間スケールで変化する。たとえばフィルタ２４０は、ローパスフィルタとして構成することができる。

差分検出器２５０は、容量検出値ＳＥＮＳＥとドリフト成分ＢＡＳＥの差分にもとづく差分検出値ＤＩＦＦを生成する。ドリフト成分ＢＡＳＥは、温度依存の成分であるから、差分検出値ＤＩＦＦは、温度変動の影響が小さくなっている。

判定器２６０は、差分検出値ＤＩＦＦにもとづいて、近接の有無の判定を行う。具体的には判定器２６０は、差分検出値ＤＩＦＦとしきい値の比較に応じて、近接状態、非近接状態を判定し、判定結果を示す判定信号ＪＵＤＧＥを出力する。たとえば判定信号ＪＵＤＧＥは、近接状態において第１レベル（ハイ）、非近接状態において第２レベル（ロー）をとるものとする。

判定器２６０にはヒステリシスを持たせるとよい。具体的には判定器２６０は、差分検出値ＤＩＦＦがしきい値ＴＨ＿ＯＮを超えると、近接状態と判定し、差分検出値ＤＩＦＦが、しきい値ＴＨ＿ＯＮより低く定められたしきい値ＴＨ＿ＯＦＦを下回ると、非近接状態と判定する。

第１補正器２７０には、判定信号ＪＵＤＧＥと、容量検出値ＳＥＮＳＥが入力されている。第１補正器２７０は、判定器２６０によって非近接状態から近接状態への変化、または近接状態から非近接状態への変化が検出されると、そのとき（変化直後）の容量値Ｓ_０を取り込み、取り込んだ容量値Ｓ_０にもとづいて、フィルタ２４０をリセットする。具体的には第１補正器２７０は、判定信号ＪＵＤＧＥのエッジに応答して、容量検出値ＳＥＮＳＥを取り込み、その値Ｓ_０を利用してフィルタ２４０をリセットする。フィルタ２４０のリセットにより、ドリフト成分ＢＡＳＥは、瞬時に容量値Ｓ_０までジャンプすることとなる。

図２は、フィルタ２４０の構成例を示すブロック図である。ｘ（ｎ）はフィルタ２４０の入力であり、図１の容量検出値ＳＥＮＳＥを表し、ｙ（ｎ）はフィルタ２４０の出力であり、図１のドリフト成分ＢＡＳＥを表す。

このフィルタ２４０は、ＩＩＲ（Infinite Impulse Response）フィルタであり、遅延器として機能する複数のレジスタ（ｚ^－１）と、複数の係数乗算器ｂ_０，ｂ_１，ｂ_２，ａ_１，ａ_２を含む。レジスタおよび係数乗算器の個数は、フィルタの次数に応じて設計される。

ＩＩＲフィルタの構成は、図２のそれに限定されず、直接型あるいはカスケード型のさまざまな構成を採り得る。

図１に戻る。第１補正器２７０は、非近接状態から近接状態への変化、または近接状態から非近接状態への変化が検出されると、フィルタ２４０の複数のレジスタ（遅延器）の値を、変化後の容量値Ｓ_０に書き換える。これにより、フィルタ２４０の出力であるドリフト成分ＢＡＳＥは、容量値Ｓ_０にリセットされ、その後は、フィルタ２４０の入力である容量検出値ＳＥＮＳＥに応じて変化する。

以上が近接検出回路２００Ａの構成である。続いて近接検出回路２００Ａの動作を説明する。近接検出回路２００Ａの動作を説明する前に、第１補正器２７０を設けない構成（比較技術１、比較技術２という）において生ずる問題を説明する。

（比較技術１）
図３（ａ）、（ｂ）は、比較技術１に係る近接検出回路の動作を示す波形図である。ここでは、温度が時間の経過とともに一定の傾きで上昇する状況を説明する。温度上昇にともない、静電容量Ｃｓに含まれる温度依存の容量成分が時間とともに単調増加する。時刻ｔ_０に人体がセンサ電極１０２に近接すると、静電容量Ｃｓが増加する。図３（ａ）は、近接時間が短い場合を、図３（ｂ）は近接時間が長い場合を示す。

容量検出値ＳＥＮＳＥは、静電容量Ｃｓと実質的に同じ波形を有しており、ベースラインが右肩上がりで増加しながら、人体の近接期間中は、増加する。

容量検出値ＳＥＮＳＥの低周波数成分であるドリフト成分ＢＡＳＥは、容量検出値ＳＥＮＳＥに遅れて増大する。差分検出値ＤＩＦＦは、ＤＩＦＦ＝ＳＥＮＳＥ－ＢＡＳＥである。

時刻ｔ_０に差分検出値ＤＩＦＦがしきい値ＴＨ＿ＯＮを超えると判定信号ＪＵＤＧＥが近接状態を示すレベルに遷移する。

時刻ｔ_１に、人体がセンサ電極１０２から離れ、容量検出値ＳＥＮＳＥが低下する。図３（ａ）と（ｂ）とでは、時刻ｔ_０～ｔ_１の近接期間の長さが異なっている。近接期間の間も、温度は上昇し続けるため、容量検出値ＳＥＮＳＥのベースラインは上昇する。比較技術１では、近接期間の間も、ドリフト成分ＢＡＳＥが更新され、時間とともに増加する。

図３（ｂ）に示すように、近接期間がある程度長い場合には、時刻ｔ_１において容量検出値ＳＥＮＳＥが低下すると、差分検出値ＤＩＦＦがしきい値ＴＨ＿ＯＦＦを下回るため、非近接状態を正しく検出することができる。

一方、図３（ａ）に示すように、近接期間の長さが短い場合には、時刻ｔ_１において容量検出値ＳＥＮＳＥが低下しても、差分検出値ＤＩＦＦがしきい値ＴＨ＿ＯＦＦを下回らないため、近接状態と誤判定される。

この問題を解決するために、近接状態と判定されている間は、ドリフト成分ＢＡＳＥの更新を停止する方法も考えられる（比較技術２）。

図４（ａ）、（ｂ）は、比較技術２に係る近接検出回路の動作を示す波形図である。この例でも、温度が時間の経過とともに一定の傾きで上昇する状況を説明する。図４（ａ）は、近接時間が短い場合を、図４（ｂ）は近接時間が長い場合を示す。

時刻ｔ_０に差分検出値ＤＩＦＦがしきい値ＴＨ＿ＯＮを超えると判定信号ＪＵＤＧＥが近接状態を示すレベルに遷移する。

比較技術２では、近接判定される間、ドリフト成分ＢＡＳＥの更新が停止される。したがって、時刻ｔ_０～ｔ_１の間、ドリフト成分ＢＡＳＥは一定値となる。

時刻ｔ_１に、人体がセンサ電極１０２から離れ、容量検出値ＳＥＮＳＥが低下する。図４（ａ）に示すように、近接期間が短い場合には、時刻ｔ_１において容量検出値ＳＥＮＳＥが低下すると、差分検出値ＤＩＦＦがしきい値ＴＨ＿ＯＦＦを下回るため、非近接状態を正しく検出することができる。

一方、図４（ｂ）に示すように、近接期間が長い場合には、時刻ｔ_１において容量検出値ＳＥＮＳＥが低下しても、差分検出値ＤＩＦＦがしきい値ＴＨ＿ＯＦＦを下回らないため、近接状態と誤判定される。

このように、比較技術１や２では、近接状態において温度変化が生じている場合に、誤判定となる場合がある。

続いて、実施形態１に係る近接センサ１００Ａの動作を説明する。図５（ａ）、（ｂ）は、実施形態１に係る近接センサ１００Ａの動作を示す波形図である。この例でも、温度が時間の経過とともに一定の傾きで上昇する状況を説明する。図５（ａ）は、近接時間が短い場合を、図５（ｂ）は近接時間が長い場合を示す。

時刻ｔ_０に差分検出値ＤＩＦＦがしきい値ＴＨ＿ＯＮを超えると判定信号ＪＵＤＧＥが近接状態を示すレベルに遷移する。

近接状態と判定されると、ドリフト成分ＢＡＳＥの値が、近接状態と判定されたときの容量値Ｓ_０にリセットされる。この容量値Ｓ_０は、回路の応答速度に依存するが、しきい値ＴＨ＿ＯＮと容量検出値ＳＥＮＳＥのピークの間となる。

時刻ｔ_１に、人体がセンサ電極１０２から離れ、容量検出値ＳＥＮＳＥが低下する。実施形態１では、比較技術１（図３（ａ）、（ｂ））と同様に、近接期間ｔ_０～ｔ_１の間も、ドリフト成分ＢＡＳＥが更新されるが、時刻ｔ_０におけるドリフト成分ＢＡＳＥの値が異なっている。

図５（ａ）のように近接状態が短い場合でも、時刻ｔ_１の直前におけるドリフト成分ＢＡＳＥが、容量検出値ＳＥＮＳＥに十分に近づいている。その結果、時刻ｔ_１に近接状態が解除されると、差分検出値ＤＩＦＦは、しきい値ＴＨ＿ＯＦＦを下回ることとなり、非近接状態を正しく判定することができる。

図５（ｂ）のように近接状態が長い場合も、近接状態・非近接状態を正しく判定できる。
程度長い場合には、時刻ｔ_１において容量検出値ＳＥＮＳＥが低下すると、差分検出値ＤＩＦＦがしきい値ＴＨ＿ＯＦＦを下回るため、非近接状態を正しく検出することができる。

このように実施形態１に係る近接センサ１００Ａによれば、さまざまな状況において、近接状態、非近接状態を正しく判定できるようになる。

（実施形態２）
図６は、実施形態２に係る近接センサ１００Ｂのブロック図である。近接検出回路２００Ｂは、第１補正器２７０に加えて第２補正器２８０を備える。

第２補正器２８０は、差分検出値ＤＩＦＦを受け、それに基準値ＲＥＦを重畳し、補正後の差分検出値ＤＩＦＦ＿ＣＯＭＰを出力する。第２補正器２８０は、判定器２６０によって非近接状態から近接状態への変化が検出されると、それ自身の出力である補正後の差分検出値ＤＩＦＦ＿ＣＯＭＰを取り込んで保持し、近接状態と判定される期間、取り込んだ差分検出値ＤＩＦＦ＿ＣＯＭＰにもとづく基準値ＲＥＦを、差分検出値ＤＩＦＦに重畳する。非近接状態と判定される状態（ＪＵＤＧＥ＝Ｌ）では、基準値ＲＥＦは０とされる。判定器２６０は、補正後の差分検出値ＤＩＦＦ＿ＣＯＭＰをしきい値ＴＨ＿ＯＮ，ＴＨ＿ＯＦＦと比較することにより、判定信号ＪＵＤＧＥを生成する。

この例では、第２補正器２８０は、加算器２８２、セレクタ２８４、ホールド回路２８６を含む。この実施例では、ホールド回路２８６は、判定信号ＪＵＤＧＥのポジティブエッジに応答して、補正後の差分検出値ＤＩＦＦ＿ＣＯＭＰを取り込み、ホールドする。ホールド回路２８６がホールドする値Ｓ_１がセレクタ２８４に入力される。

セレクタ２８４は、値０とＳ_１のうち、判定信号ＪＵＤＧＥに応じた一方を選択し、基準値ＲＥＦとして出力する。加算器２８２は、差分検出値ＤＩＦＦに基準値ＲＥＦを加算し、補正後の差分検出値ＤＩＦＦ＿ＣＯＭＰを出力する。

なお、第２補正器２８０の構成はこれに限定されず、セレクタ２８４とホールド回路２８６を、リセット可能なメモリで構成してもよい。この場合、メモリには、判定信号ＪＵＤＧＥのポジティブエッジに応答して、補正後の差分検出値ＤＩＦＦ＿ＣＯＭＰが書き込まれる。メモリに書き込まれた値が、基準値ＲＥＦとして加算器２８２に出力される。メモリの値は、判定信号ＪＵＤＧＥのポジティブエッジに応答して、メモリの値は０にリセットされ、したがって基準値ＲＥＦが０となる。

図７（ａ）、（ｂ）は、実施形態２に係る近接センサ１００Ｂの動作を示す波形図である。この例でも、温度が時間の経過とともに一定の傾きで上昇する状況を説明する。図７（ａ）は、近接時間が短い場合を、図７（ｂ）は近接時間が長い場合を示す。

上述の実施形態１では、差分検出値ＤＩＦＦは、ゼロ近傍を中心とした信号となり、人体が近接するときに正方向に変化し、人体が離れるときに負方向に変化していた。これに対して、実施形態２では、補正後の差分検出値ＤＩＦＦ＿ＣＯＭＰは、非近接状態においてゼロ近傍の値をとり、近接状態において、正の値をとることとなり、人体に起因する静電容量を直接的に表すこととなる。その結果、しきい値ＴＨ＿ＯＮ，ＴＨ＿ＯＦＦを、ゼロを基準とする正の値として定めることが可能となる。

（用途）
図８は、近接センサ１００を備える電子機器３００のブロック図である。電子機器３００は、無線通信装置３１０、ホストコントローラ３２０および上述の近接センサ１００を備える。無線通信装置３１０は、外部の基地局あるいは無線通信機器との間で通信を行う。

近接センサ１００は、人体、すなわち電子機器３００のユーザの近接を監視する。近接センサ１００は、人体（たとえば頭部）の近接を検出すると、判定信号ＪＵＤＧＥをアサートし、ホストコントローラ３２０に通知する。ホストコントローラ３２０は、判定信号ＪＵＤＧＥにもとづいて、無線通信装置３１０を制御する。たとえばホストコントローラ３２０は、判定信号ＪＵＤＧＥが人体の近接状態を示すとき、無線通信装置３１０の送信電力を低下させる。

なお、近接センサ１００の用途は、図８で説明したものに限定されず、タッチセンサや近接センサとして広く用いることができる。

実施形態にもとづき、具体的な語句を用いて本発明を説明したが、実施形態は、本発明の原理、応用の一側面を示しているにすぎず、実施形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。

１００ 近接センサ
１０２ センサ電極
２００ 近接検出回路
２１０ フロントエンド回路
２２０ Ａ／Ｄコンバータ
２３０ 信号処理部
２４０ フィルタ
２５０ 差分検出器
２６０ 判定器
２７０ 第１補正器
２８０ 第２補正器

Claims (9)

1. センサ電極の静電容量を示すデジタルの容量検出値にもとづいて、近接状態、非近接状態を判定する近接検出回路であって、
   前記容量検出値のドリフト成分を抽出するフィルタと、
   前記容量検出値と前記ドリフト成分の差分にもとづく差分検出値を生成する差分検出器と、
   前記差分検出値としきい値の比較に応じて、前記近接状態、前記非近接状態を判定する判定器と、
   前記判定器によって前記非近接状態から前記近接状態への変化、または前記近接状態から前記非近接状態への変化が検出されると、前記容量検出値を取り込み、取り込んだ前記容量検出値にもとづいて、前記フィルタをリセットする第１補正器と、
   を備えることを特徴とする近接検出回路。
2. 前記フィルタはＩＩＲ（Infinite Impulse Response）フィルタであることを特徴とする請求項１に記載の近接検出回路。
3. 前記判定器により前記近接状態と判定される間、前記差分検出値に基準値を重畳して補正し、補正後の差分検出値を前記判定器に出力する第２補正器をさらに備え、
   前記第２補正器は、前記判定器によって前記非近接状態から前記近接状態への変化が検出されると、それ自身の出力である前記補正後の差分検出値を取り込んで保持し、前記近接状態と判定される期間、保持した値にもとづく前記基準値を、前記差分検出値に重畳することを特徴とする請求項１または２に記載の近接検出回路。
4. 前記センサ電極が接続されるセンスピンと、
   前記センサ電極の前記静電容量を電気信号に変換するアナログフロントエンド回路と、
   前記アナログフロントエンド回路の出力信号を、前記容量検出値に変換するＡ／Ｄコンバータと、
   をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の近接検出回路。
5. ひとつの半導体集積回路上に一体集積化されたことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の近接検出回路。
6. センサ電極と、
   前記センサ電極の静電容量にもとづいて、前記近接状態、前記非近接状態を判定する請求項４に記載の近接検出回路と、
   を備えることを特徴とする電子機器。
7. 無線通信装置と、
   前記近接検出回路による判定結果にもとづいて、前記無線通信装置を制御するコントローラと、
   をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の電子機器。
8. センサ電極の静電容量を示すデジタルの容量検出値にもとづいて、近接状態、非近接状態を判定する近接検出方法であって、
   フィルタによって前記容量検出値のドリフト成分を抽出するステップと、
   前記容量検出値と前記ドリフト成分の差分にもとづく差分検出値を生成するステップと、
   前記差分検出値としきい値の比較に応じて、前記近接状態、前記非近接状態を判定するステップと、
   前記非近接状態から前記近接状態への変化、または前記近接状態から前記非近接状態への変化が検出されると、前記容量検出値を取り込み、取り込んだ容量検出値にもとづいて、前記フィルタをリセットするステップと、
   を備えることを特徴とする近接検出方法。
9. 前記近接状態と判定される間、前記差分検出値に基準値を重畳して補正するステップをさらに備え、
   前記判定するステップは、補正後の前記差分検出値と前記しきい値の比較に応じて、前記近接状態、前記非近接状態を判定するものであり、
   前記補正するステップは、前記非近接状態から前記近接状態への変化が検出されると、前記補正後の差分検出値を取り込んで保持し、前記近接状態と判定される期間、保持した値にもとづく前記基準値を、前記差分検出値に重畳することを特徴とする請求項８に記載の近接検出方法。

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