JP2022059517A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体モジュールにおいて、封止樹脂における破壊を抑制することが好ましい。【解決手段】半導体モジュール100は、半導体チップ40と、半導体チップが載置される回路基板20と、半導体チップおよび回路基板を封止する、エポキシ樹脂を含む封止樹脂12と、封止樹脂の少なくとも一部の上方に、封止樹脂と密着して設けられ、封止樹脂よりヤング率が高い補強材120と、半導体チップを収容する空間を囲む樹脂ケース10を備える。封止樹脂は、樹脂ケースの内部に設けられてよい。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体モジュールに関する。
従来から、半導体チップを回路基板に搭載し、半導体チップと回路基板の回路パターンとをリードフレーム等の配線部で接続した半導体モジュールが知られている。このような半導体モジュールでは、半導体チップ等を保護するために、封止樹脂が用いられている。(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1 実開平6-34256
特許文献1 実開平6-34256
半導体モジュールにおいて、封止樹脂における破壊を抑制することが好ましい。
上記課題を解決するために、本発明の一つの態様においては、半導体モジュールを提供する。半導体モジュールは、半導体チップを備えてよい。半導体モジュールは、回路基板を備えてよい。回路基板は、半導体チップが載置されてよい。半導体モジュールは、封止樹脂を備えてよい。封止樹脂は、半導体チップおよび回路基板を封止してよい。封止樹脂は、エポキシ樹脂を含んでよい。半導体モジュールは、補強材を備えてよい。補強材は、封止樹脂の少なくとも一部の上方に、封止樹脂と密着して設けられてよい。補強材は、封止樹脂よりヤング率が高くてよい。
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、又、本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。また、1つの図面において、同一の機能、構成を有する要素については、代表して符合を付し、その他については符合を省略する場合がある。
本明細書においては半導体チップの深さ方向と平行な方向における一方の側を「上」、他方の側を「下」と称する。基板、層またはその他の部材の2つの主面のうち、一方の面を上面、他方の面を下面と称する。「上」、「下」の方向は、重力方向または半導体モジュールの実装時における方向に限定されない。
本明細書では、X軸、Y軸およびZ軸の直交座標軸を用いて技術的事項を説明する場合がある。直交座標軸は、構成要素の相対位置を特定するに過ぎず、特定の方向を限定するものではない。例えば、Z軸は地面に対する高さ方向を限定して示すものではない。なお、+Z軸方向と-Z軸方向とは互いに逆向きの方向である。正負を記載せず、Z軸方向と記載した場合、+Z軸および-Z軸に平行な方向を意味する。本明細書では、半導体チップの上面および下面に平行な直交軸をX軸およびY軸とする。また、半導体基板の上面および下面と垂直な軸をZ軸とする。本明細書では、Z軸の方向を深さ方向と称する場合がある。また、本明細書では、X軸およびY軸を含めて、半導体基板の上面および下面に平行な方向を、水平方向と称する場合がある。
本明細書において「同一」または「等しい」のように称した場合、製造ばらつき等に起因する誤差を有する場合も含んでよい。当該誤差は、例えば10%以内である。
図1は、本発明の一つの実施形態に係る半導体モジュール100の一例を示す図である。図1では、理解を容易にするために、補強材120を点線で示すと共に、封止樹脂12を省略して示している。
半導体モジュール100は、インバータ等の電力変換装置として機能してよい。半導体モジュール100は、1つ以上の回路基板160を備える。本明細書では、1つ以上の回路基板160が設けられる面における直交軸をX軸およびY軸とし、XY面と垂直な軸をZ軸とする。図1においては、XY面における各部材の配置例を示している。
本例の半導体モジュール100は、それぞれがU相、V相、W相のアームを構成する3つの回路基板160を備えている。図1の例では、半導体モジュール100は、回路基板160-1、回路基板160-2および回路基板160-3を備えている。回路基板160には、1つ以上の半導体チップ40が載置される。半導体チップ40は、回路基板160を囲む樹脂ケース10や樹脂ケース10に充填される封止樹脂12(図3参照)といった樹脂パッケージにより保護される。
半導体チップ40は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)、FWD(Free Wheel Diode)等のダイオードおよびこれらを組み合わせたRC(Reverse Conducting)-IGBT、並びにMOSトランジスタ等を含んでよい。
樹脂ケース10は、半導体チップ40および回路基板160を収容する空間94を囲むように設けられる。樹脂ケース10は、側壁18を有する。側壁18は、半導体チップ40および回路基板160を収容する空間94を分割する。図1において、側壁18は、空間94を空間94-1、空間94-2および空間94-3に分割する。空間94-1、空間94-2および空間94-3には、回路基板160がそれぞれ設けられる。
1つ以上の端子86が、樹脂ケース10から突出して設けられてよい。端子86は、端子接続部198を介して、回路基板160と電気的に接続されてよい。また、樹脂ケース10には、冷却部16(図3参照)等を固定するねじ等の締結部材が挿入される貫通孔84が設けられてよい。
本例において、樹脂ケース10は、射出成形により形成可能な熱硬化型樹脂、または、UV成形により形成可能な紫外線硬化型樹脂、等の樹脂により成形される。当該樹脂は、例えばポリフェニレンサルファイド(PPS)樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)樹脂、ポリアミド(PA)樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)樹脂およびアクリル樹脂等から選択される1又は複数の高分子材料を含んでよい。
本例において、封止樹脂12は、樹脂ケース10の内部に設けられる。封止樹脂12は、エポキシ樹脂を含む。また、封止樹脂12は、硬化剤を含む。封止樹脂12は、半導体チップ40および回路基板160を封止する。封止樹脂12により、半導体チップ40および回路基板160を保護できる。本例において、封止樹脂12は、側壁18によって、封止樹脂12-1、封止樹脂12-2および封止樹脂12-3に分割される。
本例における封止樹脂12は、無機フィラーとしてのシリカフィラーを含む。シリカフィラーとは、樹脂の機能性を高める無機物微粒子である。シリカフィラーには、SiO2が含まれる。封止樹脂12には、シリカフィラーが40wt%以上含まれてよい。封止樹脂12には、シリカフィラーが50wt%以上含まれてもよい。封止樹脂12には、シリカフィラーが60wt%以上含まれてもよい。封止樹脂12には、シリカフィラーが70wt%以上含まれてもよい。封止樹脂12には、シリカフィラーが80wt%以上含まれてもよい。封止樹脂12には、シリカフィラーが90wt%以下含まれてよい。本例において、封止樹脂12には、シリカフィラーが70wt%程度含まれる。封止樹脂12にシリカフィラーを含めることにより、封止樹脂12の耐熱性を高めることができる。例えば、封止樹脂12にシリカフィラーを含めることにより、175℃以上の温度における耐熱性を保証することができる。なお、封止樹脂12は、その他、硬化促進剤、離型剤、着色剤、難燃剤等の添加材を含んでもよい。
封止樹脂12にシリカフィラーが多量に含まれる場合、封止樹脂12には破壊が生じやすくなる。つまり、半導体モジュール100が熱等により全体変形すると、封止樹脂12に亀裂が入りやすくなる。封止樹脂12に破壊が生じると、半導体チップ40の保護が弱まり、耐圧不良や信頼性低下の原因となりうる。
本例における半導体モジュール100は、板状の補強材120を備える。補強材120は、封止樹脂12の少なくとも一部の上方に、封止樹脂12と密着して設けられている。密着とは、例えば、上下方向を逆にした場合、補強材120が封止樹脂12から離れないということである。また、密着とは、外部から振動を与えても封止樹脂12と補強材120の相対位置が変わらないことであってもよい。図1の例では、封止樹脂12-1、封止樹脂12-2および封止樹脂12-3のそれぞれに密着して、補強材120(補強材120-1、補強材120-2および補強材120-3)が設けられている。なお、本実施形態において、密着とは、材料的接合あるいは化学的接合を指し、ねじ固定や圧入、焼嵌め、カシメといった機械的接合を含まないものとしてよい。
補強材120は、封止樹脂12よりヤング率が高い。ヤング率とは、フックの法則から算出される、ひずみと応力の比例定数である。つまり、ヤング率は、材料の硬さの尺度である。封止樹脂12に密着して、封止樹脂12よりヤング率が高い補強材120が設けられることにより、半導体モジュール100が全体変形しても、封止樹脂12の変形を抑制することができる。したがって、封止樹脂12における破壊を抑制することができる。
補強材120の上面視における面積は、封止樹脂12の上面視における面積より小さくてよい。本例において、補強材120-1の上面視における面積は、封止樹脂12-1の上面視における面積より小さい。また、補強材120-2の上面視における面積は、封止樹脂12-2の上面視における面積より小さい。また、補強材120-3の上面視における面積は、封止樹脂12-3の上面視における面積より小さい。補強材120の上面視における面積を、封止樹脂12の上面視における面積より小さくすることにより、封止樹脂12に上方に補強材120が設けられない箇所を設けることができる。後述する封止樹脂12の硬化工程において、封止樹脂12からガスが発生する。封止樹脂12において上方に補強材120が設けられない箇所を設けることにより、封止樹脂12からガスを抜くことができる。補強材120の面積は、封止樹脂12の面積の半分以下であってよい。
補強材120は、ガラスを含んでよい。補強材120がガラスを含むことにより、補強材120のヤング率を封止樹脂12のヤング率より高くすることができる。
補強材120は、上面視における樹脂ケース10と封止樹脂12の界面14近傍に設けられてよい。補強材120は、上面視における樹脂ケース10と封止樹脂12の界面14のうち、X軸方向およびY軸方向のそれぞれの界面14近傍に設けられてよい。補強材120が、樹脂ケース10と封止樹脂12の界面14近傍に設けられるとは、補強材120と、樹脂ケース10と封止樹脂12の界面14の最短距離が5mm以内であってよい。補強材120が、樹脂ケース10と、封止樹脂12の界面14近傍に設けられるとは、補強材120と、樹脂ケース10と封止樹脂12の界面14の最短距離が3mm以内であってもよい。補強材120が、樹脂ケース10と、封止樹脂12の界面14近傍に設けられるとは、補強材120と、樹脂ケース10と封止樹脂12の界面14の最短距離が1mm以内であってもよい。また、補強材120が、樹脂ケース10と、封止樹脂12の界面14近傍に設けられるとは、補強材120と、樹脂ケース10と封止樹脂12の界面14の最短距離が、樹脂ケース10の上面視における縁の横幅L1、または縁の縦幅L2のいずれかよりも短いことであってもよい。補強材120と、樹脂ケース10と封止樹脂12の界面14の最短距離が、横幅L1および縦幅L2のそれぞれよりも短いことであってもよい。補強材120が樹脂ケース10と封止樹脂12の界面14近傍に設けられることにより、封止樹脂12の変形をさらに抑制することができる。
図2は、回路基板160-1の一例を示す図である。図2でも、理解を容易にするために、補強材120を点線で示すと共に、封止樹脂12を省略して示している。ここでは、代表して1つの相のアームを構成する回路基板160-1を例示するが、その他の相の回路基板160も同様の構成である。本例の回路基板160-1は、絶縁基板20のいずれか一方の面に回路パターン26を設け、他方の面に放熱板22(図3参照)を設けたものである。回路パターン26および放熱板22は、銅板またはアルミ板、あるいはこれらの材料にめっきを施した板を、窒化ケイ素セラミックスや窒化アルミニウムセラミックス等の絶縁基板20に直接接合あるいはろう材層を介して接合することで、構成されてよい。なお、回路基板160は、銅板やアルミ板等の導電部材に、絶縁シートを貼り合わせたものであってもよい。すなわち、導電部材と絶縁部材とが一体となった板状部材であってよい。
本例の半導体チップ40は、絶縁基板20の上面に設けられた回路パターン26に半田等の接合層30(図3参照)を介して接合されている。また、半導体チップ40は、その上面がはんだ等の接合層32(図3参照)を介して配線部と接続される。本例の配線部は、リードフレーム50である。リードフレーム50は、半導体チップ40をはんだ等の接合層34(図3参照)を介して回路パターン26に接続する。リードフレーム50は、銅またはアルミニウム等の金属材料で形成された部材である。リードフレーム50は、ニッケル等により表面の少なくとも一部がメッキされていてもよい。また、リードフレーム50は、樹脂等により表面の少なくとも一部がコーティングされていてもよい。リードフレーム50は、板状の部分を有してよい。板状とは、対向して配置された2つの主面の面積が、他の面の面積よりも大きい形状を指す。リードフレーム50は、少なくとも、半導体チップ40と接続する部分が板状であってよい。リードフレーム50は、1枚の金属板を折り曲げることで、形成されてよい。
回路パターン26は、半導体チップ40またはリードフレーム50と電気的に接続されることで、信号または電力を伝送する。回路パターン26は、複数の島状領域26A、26B、26Cを含んで構成されてよい。また、半導体チップ40が回路パターン26の1つの島状領域に複数配置されてよい。図2の例では、島状領域26A、26Bのそれぞれに、複数の半導体チップ40が配置されている。また、1つの島状領域に配置された複数の半導体チップ40が、リードフレーム50により、同一の島状領域に接続されてよい。図2の例では、島状領域26Aに配置された複数の半導体チップ40が、Y軸方向に並んだ2つのリードフレーム50により同一の島状領域26Bに並列に接続されている。また、島状領域26Bに配置された複数の半導体チップ40が、Y軸方向に並んだ2つのリードフレーム50により同一の島状領域26Cに並列に接続されている。当該2つのリードフレーム50において、同一の島状領域26Bまたは26Cに接続される接続部分のY軸方向の距離Y1が、2つの半導体チップ40のY軸方向の距離Y2より小さくてよい。これにより、離れて配置された2つの半導体チップ40を通る電流の経路長の差異を低減できる。
本例の半導体チップ40は、上面および下面に電極(例えば、エミッタ電極とコレクタ電極)が形成された縦型のチップである。半導体チップ40は、下面に形成された電極により接合層30を介して回路パターン26と接続され、上面に形成された電極により接合層32を介してリードフレーム50と接続される。なお、半導体チップ40は縦型のチップに限定されない。半導体チップ40は、回路パターン26と接続される電極を上面に有していてもよい。この場合、回路パターン26と当該電極は、ワイヤ等により接続されてよい。
端子接続部198は、回路パターン26と、図1に示した端子86とを直接的または間接的に接続する。端子接続部198は、金属で形成された板または棒状の部材であってよく、ワイヤ状の部材であってもよい。これにより、半導体チップ40と端子86とが電気的に接続される。
補強材120は、上面視において、半導体チップ40の少なくとも一部の上方に設けられてよい。本例において、上面視において、4つの半導体チップ40の少なくとも一部の上方にそれぞれ補強材120-1が設けられている。半導体チップ40近傍では熱応力等が発生し、変形がしやすい。したがって、補強材120が、上面視において、半導体チップ40の少なくとも一部の上方に設けられていることにより、半導体チップ40近傍における封止樹脂12の破壊を抑制することができる。
図2の例において、2つの半導体チップ40を結ぶように補強材120が設けられている。つまり、補強材120は、上面視において2つの半導体チップ40と重なるように配置されている。補強材120は、それぞれの半導体チップ40の一部分と重なっていてよく、全体と重なっていてもよい。また、補強材120は、一方の半導体チップ40の上方から、他方の半導体チップ40の上方まで、上面視において直線状に設けられてよい。他の例では、補強材120は、上面視において曲線状に設けられてもよい。図2では、半導体チップ40-1および半導体チップ40-4を結ぶように補強材120が設けられている。また、図2では、半導体チップ40-2および半導体チップ40-3を結ぶように補強材120が設けられている。このような構成にすることで、補強材120を半導体チップ40の上方に設けつつ、補強材120の面積を小さくすることができる。なお、2つの半導体チップ40を結ぶ例は、上記に限定されない。発熱による温度差が大きい2つの半導体チップ40を結ぶように補強材120は設けられてもよい。
図3は、図2のA-A断面図の一例である。なお、図1、図2と異なり、補強材120、封止樹脂12も実線で図示している。図3は、XZ面に対して各部材を投影した場合の、各部材の配置例を示している。当該断面において、半導体モジュール100は、絶縁基板20、放熱板22、接合層24、冷却部16、回路パターン26、接合層30、32、34、半導体チップ40、リードフレーム50、封止樹脂12および補強材120を備える。
放熱板22は、絶縁基板20の下面の少なくとも一部または全体を覆っていてよい。接合層24は、放熱板22を冷却部16に接合する。接合層24は、はんだ等である。冷却部16は、内部に水等の冷媒を含む。冷却部16は、放熱板22等を介して樹脂ケース10の下面に直接的または間接的に接続され、半導体チップ40を冷却する。
回路パターン26は、絶縁基板20の上面に配置されている。回路パターン26は、本例では銅等の放熱板22と同一の材料で形成されてよく、異なる材料で形成されてもよい。本例の半導体チップ40は、回路パターン26の島状領域26A、26Bの上面に、接合層30により接続されている。接合層30は、はんだ等の導電材料により、半導体チップ40を接合する。
本例のリードフレーム50は、半導体チップ40と、回路パターン26の島状領域26B、26Cとを接続する。本例のリードフレーム50は、チップ接続部52、回路パターン接続部56および架橋部54を有する。チップ接続部52は、半導体チップ40の上面に接合層32により接合される部分である。回路パターン接続部56は、回路パターン26の島状領域26B、26Cの上面に接合層34により接続される部分である。チップ接続部52および回路パターン接続部56は、XY面とほぼ平行な板状の部分であってよい。なお、ほぼ平行とは、例えば角度が10度以下の状態を指す。本例では、チップ接続部52の面積が、回路パターン接続部56の面積より大きく構成される。チップ接続部52の面積、回路パターン接続部56の面積は、例えば、半導体チップ40や回路パターン26の島状領域26B,26Cに接続される板状の部分の上面の面積としてよい。
架橋部54は、チップ接続部52および回路パターン接続部56を接続する。架橋部54は、回路パターン26等の導電部材から離れて配置されている。本例の架橋部54は、回路パターン26等の上方に配置されており、チップ接続部52から回路パターン接続部56まで、回路パターン26等を跨ぐように設けられている。
架橋部54には、架橋部54の下方に封止樹脂12を注入するための開口部74(図2参照)が設けられている。本例の架橋部54には、XY面における架橋部54の内側で、且つ、X軸方向における架橋部54の中央付近に複数の開口部74が設けられている。複数の開口部74は、X軸方向における架橋部54の中央付近でない領域に設けられてもよい。なお、開口部74は、架橋部54に限らず、チップ接続部52や回路パターン接続部56といった、リードフレーム50のその他の部位に設けられてもよい。これにより、封止樹脂12をリードフレーム50の上下に確実に行きわたらせる事ができる。
封止樹脂12は、樹脂ケース10の内部に設けられる。封止樹脂12は、半導体チップ40、リードフレーム50および回路パターン26が露出しないように、樹脂ケース10の空間94に充填されてよい。
補強材120は、封止樹脂12の上方に、封止樹脂12と密着して設けられている。本例において、補強材120は、封止樹脂12の上面21に設けられる。補強材120が、封止樹脂12の上面21に設けられることにより、封止樹脂12の破壊を抑制することができる。
図4は、図2のA-A断面図の他の例である。図4の半導体モジュール100は、補強材120が、封止樹脂12に埋め込まれている点で図3の半導体モジュール100と異なる。図4のそれ以外の構成は、図3と同一であってよい。
図3のように補強材120が封止樹脂12の上面21に設けられると、段差が生じる。補強材120が封止樹脂12に埋め込まれていることにより、生じる段差を解消することができる。したがって、半導体モジュール100を装置等に組み込む際に、容易に組み立てることができる。補強材120は、一部が封止樹脂12から露出してよく、全体が封止樹脂12に囲まれていてもよい。また、補強材120の上方に、封止樹脂12が設けられてもよい。
図5は、半導体モジュール100の他の例を示す図である。図5の半導体モジュール100は、補強材120の構成が図1の半導体モジュール100と異なる。図5のそれ以外の構成は、図1と同一であってよい。
図5の補強材120は、X軸方向とY軸方向にそれぞれ突出している十字型の形状である。このような形状でも、封止樹脂12の破壊を抑制することができる。また、容易に補強材120を加工することができる。
図6は、半導体モジュール100の他の例を示す図である。図6の半導体モジュール100は、補強材120の構成が図1の半導体モジュール100と異なる。図6のそれ以外の構成は、図1と同一であってよい。
図6の補強材120は、Y軸方向に長手を有する。2つの補強材120-1は、封止樹脂12-1の上方において、X軸方向に並んでいる。2つの補強材120-2は、封止樹脂12-2の上方において、X軸方向に並んでいる。2つの補強材120-3は、封止樹脂12-3の上方において、X軸方向に並んでいる。このような形状でも、封止樹脂12の破壊を抑制することができる。また、容易に補強材120を加工することができる。
図7は、半導体モジュール100の他の例を示す図である。図7の半導体モジュール100は、補強材120の構成が図1の半導体モジュール100と異なる。図7のそれ以外の構成は、図1と同一であってよい。
図7の補強材120は、X軸方向に長手を有する。2つの補強材120-1は、封止樹脂12-1の上方において、Y軸方向に並んでいる。2つの補強材120-2は、封止樹脂12-2の上方において、Y軸方向に並んでいる。2つの補強材120-3は、封止樹脂12-3の上方において、Y軸方向に並んでいる。このような形状でも、封止樹脂12の破壊を抑制することができる。また、容易に補強材120を加工することができる。
図8は、半導体モジュール100の他の例を示す図である。図8の半導体モジュール100は、補強材120の構成が図1の半導体モジュール100と異なる。図8のそれ以外の構成は、図1と同一であってよい。
図8の補強材120は、図6の補強材120と図7の補強材120を組み合わせた形状である。このような形状でも、封止樹脂12の破壊を抑制することができる。また、図6および図7と比べ広範囲にわたって封止樹脂12の破壊を抑制することが可能である。
図1および図5から図8の半導体モジュール100では、上面視において、側壁18に分割された空間94毎に、補強材120を設けた。これにより、空間94に注入される封止樹脂12毎に補強を施すことが可能となる。また、図6、図7の半導体モジュール100のように、上面視において、側壁18に分割された空間94毎に、複数の補強材120が設けられてもよい。
図9は、半導体モジュール100の他の例を示す図である。図9の半導体モジュール100は、補強材120の構成が図1の半導体モジュール100と異なる。具体的には、補強材120は、上面視において、側壁18にまたがって設けられる。図9のそれ以外の構成は、図1と同一であってよい。
図9の補強材120は、封止樹脂12-1、封止樹脂12-2および封止樹脂12-3の上方において、一体となって設けられている。補強材120は、側壁18の上方に設けられている。このような形状でも、封止樹脂12の破壊を抑制することができる。また、図1および図5から図8の半導体モジュール100と比べ、補強材120の点数を削減することができる。
なお、補強材120の上面視における面積は、封止樹脂12の上面視における面積より小さくてよい。図9の例では、補強材120の上面視における面積は、封止樹脂12-1、封止樹脂12-2および封止樹脂12-3の上面視における面積の総和より小さくてよい。補強材120の上面視における面積を、封止樹脂12の上面視における面積より小さくすることにより、封止樹脂12に上方に補強材120が設けられない箇所を設けることができる。封止樹脂12において上方に補強材120が設けられない箇所を設けることにより、封止樹脂12からガスを抜くことができる。
図10は、半導体モジュール200を備えるインバータ1000の一例を示す図である。インバータ1000は、半導体モジュール200、ゲートドライバ基板300、コンデンサモジュール400、制御基板500およびケース部600を備える。インバータ1000は、電力を変換する電力変換装置である。
図10の半導体モジュール200は、板状の補強材として、板状のゲートドライバ基板300が設けられる点で、図1の半導体モジュール100とは異なる。図10の半導体モジュール200のそれ以外の構成は、図1の半導体モジュール100と同一であってよい。
半導体モジュール200の上方には、ゲートドライバ基板300が設けられる。ゲートドライバ基板300には、1以上のゲートドライバが載置される。ゲートドライバは、半導体モジュール200の半導体チップ40を制御する。ゲートドライバは、半導体モジュール200の半導体チップ40のゲート電極に印加するゲート電圧を制御してよい。ゲートドライバは、配線がパターニングされた配線基板である。
半導体モジュール200の上方には、コンデンサモジュール400および制御基板500が設けられる。コンデンサモジュール400は、半導体モジュール200に印加される電圧を平滑化する。制御基板500は、ゲートドライバ基板300に載置されるゲートドライバを制御する。ケース部600は、半導体モジュール200、ゲートドライバ基板300、コンデンサモジュール400および制御基板500を収容する。
図11は、上面視における半導体モジュール200とゲートドライバ基板300の配置例を示す図である。
図11において、半導体モジュール200の封止樹脂12は、上面視において、ゲートドライバ基板300と重なっている。そして、半導体モジュール200の封止樹脂12をゲートドライバ基板300と密着して配置、すなわち、直接接合している。これにより、ゲートドライバ基板300を封止樹脂12よりヤング率が高い材料にすることにより、ゲートドライバ基板300を補強材として機能させることができる。つまり、補強材は、配線がパターニングされた配線基板であってよい。補強材は、ゲートドライバ基板300であってよい。よって、ゲートドライバ基板300とは別に補強材を設けない場合でも、封止樹脂12における破壊を抑制することができる。この場合、封止樹脂12において上方にゲートドライバ基板300が設けられない箇所を設けることが好ましい。
図12は、補強材120の設置方法の一例を示す図である。設置方法は、封止樹脂導入工程S101、仮硬化工程S102、補強材設置工程S103および本硬化工程S104を備える。
封止樹脂導入工程S101において、樹脂ケース10に封止樹脂12を導入する。封止樹脂導入工程S101において、空間94を満たすように封止樹脂12を導入する。
仮硬化工程S102において、封止樹脂12を仮硬化する。仮硬化工程S102において、封止樹脂12は完全には硬化しない。仮硬化工程S102の温度は、一例として、60℃である。仮硬化工程S102において、封止樹脂12からガスが発生する。
補強材設置工程S103において、補強材120を設置する。仮硬化工程S102の後に、補強材120を設置するため、補強材120を封止樹脂12に固定することができる。
本硬化工程S104において、封止樹脂12を本硬化する。本硬化とは、仮硬化よりも高い温度で封止樹脂12を硬化することである。本硬化工程S104の温度は、一例として、185℃である。本硬化工程S104においても、封止樹脂12からガスが発生する。本硬化工程S104を実施することにより、補強材120を封止樹脂12に完全に固定することができる。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
10・・樹脂ケース、12・・封止樹脂、14・・界面、16・・冷却部、18・・側壁、20・・絶縁基板、21・・上面、22・・放熱板、24・・接合層、26・・回路パターン、30・・接合層、32・・接合層、34・・接合層、40・・半導体チップ、50・・リードフレーム、52・・チップ接続部、54・・架橋部、56・・回路パターン接続部、74・・開口部、84・・貫通孔、86・・端子、94・・空間、100・・半導体モジュール、120・・補強材、160・・回路基板、198・・端子接続部、200・・半導体モジュール、300・・ゲートドライバ基板、400・・コンデンサモジュール、500・・制御基板、600・・ケース部、1000・・インバータ、L1・・縁の横幅、L2・・縁の縦幅、Y1・・距離、Y2・・距離
Claims (14)
- 半導体チップと、
前記半導体チップが載置される回路基板と、
前記半導体チップおよび前記回路基板を封止する、エポキシ樹脂を含む封止樹脂と、
前記封止樹脂の少なくとも一部の上方に、前記封止樹脂と密着して設けられ、前記封止樹脂よりヤング率が高い補強材と
を備える半導体モジュール。 - 前記半導体チップを収容する空間を囲む樹脂ケースを更に備え、
前記封止樹脂は、前記樹脂ケースの内部に設けられる
請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記樹脂ケースは、前記空間を分割する側壁を有する
請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記補強材は、上面視において、分割された前記空間毎に設けられる
請求項3に記載の半導体モジュール。 - 前記補強材は、上面視において、前記側壁にまたがって設けられる
請求項3に記載の半導体モジュール。 - 前記補強材は、上面視において、前記樹脂ケースと前記封止樹脂の界面までの最短距離が、前記樹脂ケースの縁の横幅または縦幅のいずれかよりも短い
請求項2から5のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記樹脂ケースの下面に直接的または間接的に接続される冷却部を更に備える
請求項2から6のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記補強材は、前記封止樹脂の上面に設けられる
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記補強材は、前記封止樹脂に埋め込まれている
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記補強材の上面視における面積は、前記封止樹脂の上面視における面積より小さい
請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記補強材は、板状の部材である
請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記補強材は、ガラスを含む
請求項1から11のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記補強材は、上面視において、前記半導体チップの少なくとも一部の上方に設けられる請求項1から12のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 前記封止樹脂は、シリカフィラーを含む
請求項1から13のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
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