JP2022054148A - Electronic component mounting method and manufacturing method for micro-led display - Google Patents

Electronic component mounting method and manufacturing method for micro-led display Download PDF

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Abstract

To improve the yield when mounting an electronic component.SOLUTION: An electronic component mounting method for mounting an electronic component on a substrate having a circuit mounted thereon includes the steps of: attaching a first transfer member 3 whose adhesion force decreases by irradiation with UV ray to a light-transmitting substrate 2 where a plurality of electronic components 1 are formed in accordance with a predetermined arrangement on one surface; transferring the electronic components 1 to one surface of the first transfer member 3 by laser lift-off for separating the electronic components 1 from the light-transmitting substrate 2; after performing processing for preventing exposure to oxygen on the first transfer member 3, to which the electronic components 1 have been transferred, irradiating the first transfer member 3 with UV rays so as to decrease the adhesive force of the first transfer member 3; by the use of a second transfer member 5 whose adhesive force is higher than that of the first transfer member 3 with the decreased adhesive force, transferring the electronic components 1 from the first transfer member 3 to the second transfer member 5 by using a difference in adhesive force; and mounting the electronic components 1 from the second transfer member 5 to a substrate 6.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、マイクロLED(Light Emitting Diode)等の電子部品の実装技術に関し、特に、電子部品の実装時の歩留りを向上し得るようにした電子部品実装方法及びこの方法を採用したマイクロLEDディスプレイの製造方法に係るものである。 The present invention relates to a technique for mounting an electronic component such as a micro LED (Light Emitting Diode), and in particular, an electronic component mounting method capable of improving the yield at the time of mounting the electronic component and a micro LED display adopting this method. It is related to the manufacturing method.

従来、マイクロLEDからなる半導体チップを回路基板に実装する実装方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1の実装方法によれば、第1の転写工程と、粘着力低減工程と、第2の転写工程と、実装工程と、を順次実行することを特徴としている。 Conventionally, a mounting method for mounting a semiconductor chip made of micro LEDs on a circuit board has been proposed (see, for example, Patent Document 1). According to the mounting method of Patent Document 1, the first transfer step, the adhesive force reducing step, the second transfer step, and the mounting step are sequentially executed.

具体的には、第1の転写工程では、先ず、複数の半導体チップを有するキャリア基板と、第1の粘着シートとを準備する。そして、第1の転写工程では、半導体チップにレーザ光を照射することにより、半導体チップをキャリア基板から剥離させ、該半導体チップを第1の粘着シートへ転写させる。 Specifically, in the first transfer step, first, a carrier substrate having a plurality of semiconductor chips and a first pressure-sensitive adhesive sheet are prepared. Then, in the first transfer step, the semiconductor chip is irradiated with laser light to peel off the semiconductor chip from the carrier substrate, and the semiconductor chip is transferred to the first pressure-sensitive adhesive sheet.

次に、粘着力低減工程では、半導体チップ及び第1の粘着シートを加熱することにより、第1の粘着シートの粘着力を低減させる。さらに、第2の転写工程では、第1の粘着シートを透過させて半導体チップの一方の面にレーザ光を照射することにより、半導体チップを第1の粘着シートから剥離して第2の粘着シートに転写させる。そして、実装工程では、第2の粘着シートに転写された半導体チップと回路基板とを熱圧着させることにより半導体チップを回路基板に実装する。 Next, in the adhesive force reducing step, the adhesive force of the first adhesive sheet is reduced by heating the semiconductor chip and the first adhesive sheet. Further, in the second transfer step, the semiconductor chip is peeled off from the first pressure-sensitive adhesive sheet by transmitting the first pressure-sensitive adhesive sheet and irradiating one surface of the semiconductor chip with a laser beam to peel off the semiconductor chip from the first pressure-sensitive adhesive sheet. Transfer to. Then, in the mounting step, the semiconductor chip transferred to the second adhesive sheet is thermocompression bonded to the circuit board to mount the semiconductor chip on the circuit board.

ここで、上記粘着力低減工程では、詳細には、第1の粘着シートの粘着膜を所定温度に加熱することにより、粘着膜の粘着力を低減する方法を採用している。なお、特許文献1では、UV(Ultra Violet)光の照射によって粘着力が変化する粘着膜が使用されている場合には、粘着膜に向かってUV光を照射することによって粘着力を低減させる方法を実施してもよいことが記載されている。 Here, in the above-mentioned adhesive force reducing step, in detail, a method of reducing the adhesive force of the adhesive film by heating the adhesive film of the first adhesive sheet to a predetermined temperature is adopted. In Patent Document 1, when an adhesive film whose adhesive force changes by irradiation with UV (Ultra Violet) light is used, a method of reducing the adhesive force by irradiating the adhesive film with UV light. It is stated that may be carried out.

特開2019―114660号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-114660

しかし、特許文献1では、UV光(紫外線)の照射によって粘着力が変化する粘着膜が使用された場合の具体的な内容については、上記以外に開示されていない。これに対し、紫外線照射により粘着力が低下する転写部材(例えばUV剥離用のテープ)を用いて、電子部品としてマイクロLEDの転写に関する実験を独自に実行したところ、マイクロLEDが正常に転写されないことが起こり得ることが分かった。 However, Patent Document 1 does not disclose specific contents other than the above when an adhesive film whose adhesive strength changes by irradiation with UV light (ultraviolet rays) is used. On the other hand, when we independently conducted an experiment on the transfer of micro LEDs as an electronic component using a transfer member whose adhesive strength is reduced by UV irradiation (for example, tape for UV peeling), the micro LEDs are not transferred normally. Turned out to be possible.

そこで、本発明は、このような問題に対処し、紫外線照射により粘着力が低下する転写部材を採用した場合について、電子部品の実装時の歩留りを向上し得るようにした電子部品実装方法及びその電子部品実装方法を適用したマイクロLEDディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention addresses such a problem, and in the case of adopting a transfer member whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays, an electronic component mounting method capable of improving the yield at the time of mounting the electronic component and the method thereof. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a micro LED display to which an electronic component mounting method is applied.

上記目的を達成するために、第1の発明は、回路を搭載した基板に電子部品を実装する電子部品実装方法であって、一方の面に予め定められた配列に従って複数の電子部品が形成されている光透過性基板に、紫外線照射により粘着力が低下する第1の転写部材を貼り付ける工程と、上記光透過性基板から電子部品を剥離させるレーザリフトオフにより、上記第1の転写部材の一方の面に上記電子部品を転写する工程と、上記電子部品が転写された上記第1の転写部材に対して、酸素に対する暴露を防ぐ処理を施した後、紫外線を上記第1の転写部材に照射して、該第1の転写部材の粘着力を低下させる工程と、上記粘着力を低下させた第1の転写部材よりも粘着力が強い第2の転写部材を用いて、上記粘着力の差を利用して上記電子部品を上記第1の転写部材から上記第2の転写部材に転写する工程と、上記第2の転写部材から上記電子部品を上記基板に実装する工程と、を含む。 In order to achieve the above object, the first invention is an electronic component mounting method for mounting an electronic component on a substrate on which a circuit is mounted, and a plurality of electronic components are formed on one surface according to a predetermined arrangement. One of the first transfer members by the step of attaching the first transfer member whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays to the light transmissive substrate and the laser lift-off for peeling the electronic components from the light transmissive substrate. After the step of transferring the electronic component to the surface and the treatment of preventing the exposure to oxygen to the first transfer member to which the electronic component is transferred, the first transfer member is irradiated with ultraviolet rays. Then, the difference in the adhesive force between the step of reducing the adhesive force of the first transfer member and the second transfer member having a stronger adhesive force than the first transfer member having the reduced adhesive force is used. The present invention includes a step of transferring the electronic component from the first transfer member to the second transfer member, and a step of mounting the electronic component from the second transfer member on the substrate.

上記目的を達成するために、第2の発明は、フルカラー表示が可能なマイクロLEDディスプレイの製造方法であって、一方の面に予め定められた配列に従って複数のマイクロLEDが形成されている光透過性基板に、紫外線照射により粘着力が低下する第1の転写部材を貼り付ける工程と、上記光透過性基板から上記マイクロLEDを剥離させるレーザリフトオフにより、上記第1の転写部材の一方の面に上記マイクロLEDを転写する工程と、上記マイクロLEDが転写された上記第1の転写部材に対して、酸素に対する暴露を防ぐ処理を施した後、紫外線を上記第1の転写部材に照射して、該第1の転写部材の粘着力を低下させる工程と、上記粘着力を低下させた第1の転写部材よりも粘着力が強い第2の転写部材を用いて、上記粘着力の差を利用して上記マイクロLEDを上記第1の転写部材から上記第2の転写部材に転写する工程と、上記第2の転写部材から上記マイクロLEDを、回路を搭載した基板に実装する工程と、上記マイクロLEDが実装された基板上に、平板状の平坦化膜を形成する工程と、上記平坦化膜が形成された基板上に、上記マイクロLEDの配列に応じて配置が定まる蛍光体セルを複数有する蛍光体セルアレイを形成する工程と、を含む。 In order to achieve the above object, the second invention is a method for manufacturing a micro LED display capable of full-color display, in which a plurality of micro LEDs are formed according to a predetermined arrangement on one surface. By the step of attaching the first transfer member whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays to the sex substrate and the laser lift-off for peeling the micro LED from the light transmissive substrate, the transfer member is attached to one surface of the first transfer member. After the step of transferring the micro LED and the treatment of preventing the exposure to oxygen to the first transfer member to which the micro LED is transferred, the first transfer member is irradiated with ultraviolet rays. The difference in the adhesive strength is utilized by using the step of reducing the adhesive strength of the first transfer member and the second transfer member having a stronger adhesive strength than the first transfer member having the reduced adhesive strength. The step of transferring the micro LED from the first transfer member to the second transfer member, the step of mounting the micro LED from the second transfer member on a substrate on which a circuit is mounted, and the micro LED. A step of forming a flat plate-shaped flattening film on a substrate on which the above-mentioned is mounted, and fluorescence having a plurality of phosphor cells whose arrangement is determined according to the arrangement of the microLEDs on the substrate on which the flattening film is formed. Includes a step of forming a body cell array.

第1の発明に係る電子部品実装方法によれば、上記第1の転写部材の粘着力を低下させる工程において、酸素に対する暴露を防ぐ処理を施した後、上記紫外線を上記第1の転写部材に照射して、該第1の転写部材の粘着力を低下させているので、酸素に対する暴露による悪影響を受けずに済み、電子部品が容易に上記第1の転写部材に転写され、電子部品の実装時の歩留りを向上させることができる。 According to the electronic component mounting method according to the first invention, in the step of reducing the adhesive force of the first transfer member, after the treatment for preventing exposure to oxygen is performed, the ultraviolet rays are applied to the first transfer member. Since the adhesive strength of the first transfer member is reduced by irradiation, the electronic component is not adversely affected by exposure to oxygen, and the electronic component is easily transferred to the first transfer member, and the electronic component is mounted. It is possible to improve the yield of time.

また、第2の発明に係るマイクロLEDディスプレイの製造方法によれば、第1の発明に係る電子部品実装方法を採用しているので、電子部品としてマイクロLEDを採用した場合、マイクロLEDの実装時の歩留りを向上させたマイクロLEDディスプレイを製造することができる。 Further, according to the method for manufacturing a micro LED display according to the second invention, the electronic component mounting method according to the first invention is adopted. Therefore, when the micro LED is adopted as an electronic component, when the micro LED is mounted. It is possible to manufacture a micro LED display with improved yield.

本発明による電子部品実装方法の第1実施形態の全工程を示す流れ図である。It is a flow chart which shows the whole process of 1st Embodiment of the electronic component mounting method by this invention. 本発明による電子部品実装方法の第1実施形態の前半の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process of the first half of the 1st Embodiment of the electronic component mounting method by this invention. 本発明による電子部品実装方法の第1実施形態の後半の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the latter half process of 1st Embodiment of the electronic component mounting method by this invention. 光透過性基板の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the light transmissive substrate. 第1の転写部材の構成を示す概略断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the structure of the 1st transfer member. 第2の転写部材の構成を示す概略断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the structure of the 2nd transfer member. 基板の構成を示す概略断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the structure of a substrate. 電子部品が実装された後の基板の平面図である。It is a top view of the board after the electronic component is mounted. 酸素に対する暴露を防ぐ処理の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the process which prevents the exposure to oxygen. 酸素に対する暴露を防ぐ処理の他の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the other example of the treatment which prevents the exposure to oxygen. 本発明による電子部品実装方法の第2実施形態における第2の転写部材による第2の転写の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process of the 2nd transfer by the 2nd transfer member in 2nd Embodiment of the electronic component mounting method by this invention. 本発明による電子部品実装方法の第2実施形態における電子部品の実装の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process of mounting an electronic component in 2nd Embodiment of the electronic component mounting method by this invention. 本発明によるマイクロLEDディスプレイの製造方法の工程を示す流れ図である。It is a flow chart which shows the process of the manufacturing method of the micro LED display by this invention. 平坦化膜の形成の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process of forming a flattening film. 蛍光体セルアレイの形成の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process of forming a fluorescent substance cell array. 蛍光体セルアレイの平面図である。It is a top view of a fluorescent substance cell array. マイクロLEDディスプレイの形成の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process of forming a micro LED display. マイクロLEDディスプレイの平面図である。It is a top view of the micro LED display.

[第1実施形態]
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明による電子部品実装方法の第1実施形態の全工程を示す流れ図である。図2は、本発明による電子部品実装方法の第1実施形態の前半の工程を示す説明図である。図3は、本発明による電子部品実装方法の第1実施形態の後半の工程を示す説明図である。本発明による電子部品実装方法により基板に実装する電子部品としては、例えば、半導体プロセスでサファイア基板等のウェハ上に形成される電子部品であればよく、以下、マイクロLED1を例にして説明をする。なお、前半の工程と後半の工程とは、説明の便宜上、分けたのであって、これに限定されない。
[First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a flow chart showing all the steps of the first embodiment of the electronic component mounting method according to the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram showing a process of the first half of the first embodiment of the electronic component mounting method according to the present invention. FIG. 3 is an explanatory diagram showing a process of the latter half of the first embodiment of the electronic component mounting method according to the present invention. The electronic component to be mounted on the substrate by the electronic component mounting method according to the present invention may be, for example, an electronic component formed on a wafer such as a sapphire substrate in a semiconductor process, and will be described below by taking the micro LED 1 as an example. .. The first half process and the second half process are separated for convenience of explanation, and are not limited thereto.

先ず、図1に示す第1の転写部材の貼り付け(工程S1)では、図2(a)に示すとおり、一方の面(以下、単に「表面」という)に予め定められた配列に従って複数のマイクロLED1が形成されている光透過性基板2に、紫外線照射により粘着力が低下する第1の転写部材3を貼り付ける処理を実行する。光透過性基板2は、後述するレーザリフトオフに使用するレーザ光を透過させる基板であって、例えば、サファイア基板である。第1の転写部材3は、例えば、UV剥離用のテープである。 First, in the pasting of the first transfer member shown in FIG. 1 (step S1), as shown in FIG. 2A, a plurality of plurality of members are attached to one surface (hereinafter, simply referred to as “surface”) according to a predetermined arrangement. A process of attaching the first transfer member 3 whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation is executed on the light transmissive substrate 2 on which the micro LED 1 is formed. The light transmissive substrate 2 is a substrate that transmits laser light used for laser lift-off, which will be described later, and is, for example, a sapphire substrate. The first transfer member 3 is, for example, a tape for UV peeling.

図4は、光透過性基板2の構成を示す説明図である。図4(a)は、光透過性基板2の平面図である。但し、光透過性基板2(以下、単に「基板2」という)は、円形状のウェハがダイシングされ、その一部が取り出されたものである。図4(b)は、マイクロLED1の拡大平面図である。各々のマイクロLED1は、図4(a)に示すとおり、予め定められた配列ピッチの2次元配列により、基板2の表面に行列状に形成されている。図4(a)において、一例として、各々のマイクロLED1は、5行12列の配列で形成されている。この場合、例えば、行方向の配列ピッチの間隔はP1であり、列方向の配列ピッチの間隔はP2である。 FIG. 4 is an explanatory diagram showing the configuration of the light transmissive substrate 2. FIG. 4A is a plan view of the light transmissive substrate 2. However, the light transmissive substrate 2 (hereinafter, simply referred to as “substrate 2”) is a circular wafer obtained by dicing and a part thereof being taken out. FIG. 4B is an enlarged plan view of the micro LED 1. As shown in FIG. 4A, each micro LED 1 is formed in a matrix on the surface of the substrate 2 by a two-dimensional arrangement having a predetermined arrangement pitch. In FIG. 4A, as an example, each micro LED1 is formed in an array of 5 rows and 12 columns. In this case, for example, the spacing of the array pitches in the row direction is P1, and the spacing of the array pitches in the column direction is P2.

また、マイクロLED1は、図4(b)に示すとおり、一対の電極部1a、1b(以下、電極部1a、1bをまとめて「電極部10」ということがある)と、LED本体部1cとを備える。一対の電極部1a、1bは、例えば、外部回路からマイクロLED1へ通電を可能とする電極パッドであって、電極部1aがn側電極パッド(カソード電極)、電極部1bがp側電極パッド(アノード電極)である。 Further, as shown in FIG. 4B, the micro LED 1 includes a pair of electrode portions 1a and 1b (hereinafter, the electrode portions 1a and 1b may be collectively referred to as “electrode portion 10”) and an LED main body portion 1c. To prepare for. The pair of electrode portions 1a and 1b are, for example, electrode pads that enable energization from an external circuit to the micro LED 1, in which the electrode portion 1a is an n-side electrode pad (cathode electrode) and the electrode portion 1b is a p-side electrode pad (. Anode electrode).

マイクロLED1は、LED本体部1cが例えば窒化ガリウム(GaN)を主材料として製造されたものである。具体的には、マイクロLED1は、紫外光発光ダイオード(UV-LED)であっても青色光を発光するLEDであってもよい。本実施形態では、例えば、後述するマイクロLEDディスプレイの製造方法で使用されるRGB蛍光体の変換効率等を考慮して、例えばピーク波長が385nmに対応する光を発光する紫外光発光ダイオード(UV-LED)を選択してもよい。なお、図4において、マイクロLED1は、例えば、外形サイズが横(15~20μm)×縦(30~45μm)程度の範囲内で選択されたものであればよい。また、マイクロLED1の厚みは、例えば10~30μm程度の範囲内で選択されたものであればよい。 In the micro LED 1, the LED main body 1c is manufactured using, for example, gallium nitride (GaN) as a main material. Specifically, the micro LED 1 may be an ultraviolet light emitting diode (UV-LED) or an LED that emits blue light. In the present embodiment, for example, in consideration of the conversion efficiency of the RGB phosphor used in the method for manufacturing a micro LED display described later, for example, an ultraviolet light emitting diode (UV-) that emits light corresponding to a peak wavelength of 385 nm. LED) may be selected. In FIG. 4, the micro LED 1 may be selected, for example, with an external size within a range of horizontal (15 to 20 μm) × vertical (30 to 45 μm). Further, the thickness of the micro LED 1 may be selected within the range of, for example, about 10 to 30 μm.

図5は、第1の転写部材3の構成を示す概略断面図である。第1の転写部材3は、下層から基材フィルム31、粘着剤層32の順番に設けられている。さらに、第1の転写部材3の上層には繰り返し貼り付けが可能な着脱式の保護フィルム4が貼り付けられている。第1の転写部材3及び保護フィルム4としては、例えば、ELP UB-3103AC(日東電工株式会社製)が用いられている。基材フィルム31及び保護フィルム4は、ポリエチレンテレフタレート(PET)で構成されている。この基材フィルム31の厚みは約50μmである。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the first transfer member 3. The first transfer member 3 is provided in the order of the base film 31 and the pressure-sensitive adhesive layer 32 from the lower layer. Further, a removable protective film 4 that can be repeatedly attached is attached to the upper layer of the first transfer member 3. As the first transfer member 3 and the protective film 4, for example, ELP UB-3103AC (manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) is used. The base film 31 and the protective film 4 are made of polyethylene terephthalate (PET). The thickness of the base film 31 is about 50 μm.

粘着剤層32は、アクリル系のポリマー、オリゴマー(比較的少数のモノマーが結合した重合体)等の成分を有するものである。この粘着剤層32の厚みは約50μmである。なお、粘着剤層32には、紫外線照射により光重合を開始させる光重合開始剤も含まれている。粘着剤層32は、紫外線照射により粘着剤層32の成分が光重合を引き起こし、粘着剤層32の柔軟性が失われ、粘着力が低下することになる。 The pressure-sensitive adhesive layer 32 has components such as an acrylic polymer and an oligomer (a polymer in which a relatively small number of monomers are bonded). The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 32 is about 50 μm. The pressure-sensitive adhesive layer 32 also contains a photopolymerization initiator that initiates photopolymerization by irradiation with ultraviolet rays. In the pressure-sensitive adhesive layer 32, the components of the pressure-sensitive adhesive layer 32 cause photopolymerization by irradiation with ultraviolet rays, the flexibility of the pressure-sensitive adhesive layer 32 is lost, and the adhesive strength is lowered.

保護フィルム4は、粘着剤層32の保護用のラミネートフィルム(「セパレータ」ともいう)であって、使用時に第1の転写部材3から剥離されるものである。この保護フィルム4の厚みは約40μmである。本実施形態では、この保護フィルム4を、図1に示す第1の転写部材の粘着力の低下(工程S3)で再利用している(詳細については、図2(d)を用いて後述する)。 The protective film 4 is a protective laminated film (also referred to as “separator”) for the pressure-sensitive adhesive layer 32, and is peeled off from the first transfer member 3 during use. The thickness of the protective film 4 is about 40 μm. In the present embodiment, the protective film 4 is reused in the reduction of the adhesive strength of the first transfer member shown in FIG. 1 (step S3) (details will be described later with reference to FIG. 2 (d)). ).

工程S1では、例えば、図2(a)に示す基板2にテープ状の第1の転写部材3を貼り付ける貼付装置(図示省略)を使用する。貼付装置は、図5に示す保護フィルム4が剥がされた後の第1の転写部材3を載置して保持する載置台と、その載置台の上方に設けられ、基板2の外周端部を支持する支持具と、その支持具を昇降させる駆動機構と、基板2の他方の面(以下、単に「裏面」という)から加圧する加圧手段とを備える。この場合、基板2の表面と、第1の転写部材3の粘着剤層32とが一定の距離を隔てて対向することになる。 In step S1, for example, a sticking device (not shown) for sticking the tape-shaped first transfer member 3 to the substrate 2 shown in FIG. 2A is used. The affixing device is provided with a mounting table for mounting and holding the first transfer member 3 after the protective film 4 shown in FIG. 5 has been peeled off, and an outer peripheral end portion of the substrate 2 provided above the mounting table. It includes a support for supporting, a drive mechanism for raising and lowering the support, and a pressurizing means for pressurizing from the other surface of the substrate 2 (hereinafter, simply referred to as “back surface”). In this case, the surface of the substrate 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 32 of the first transfer member 3 face each other with a certain distance.

工程S1において、貼付装置は、支持具を下降させることにより、基板2の表面に形成されているマイクロLED1の電極部10(図4(b)参照)を第1の転写部材3の粘着剤層32に当接させる。そして、貼付装置は、基板2の裏面から加圧させることにより、基板2に第1の転写部材3を貼り付ける。貼り合わせ荷重は、例えば、1つのマイクロLED1に対して、1~100MPaの範囲の力のうちで選択された力を、10~300秒間のうちで選択された時間だけ加えることが好ましい。本実施形態では、貼り合わせ荷重が最適値になるように実験により、その最適値を予め求めている。貼付装置は、圧力センサの検出値をモニターして、貼り合わせ荷重が最適値になるように調整している。 In step S1, the sticking apparatus attaches the electrode portion 10 (see FIG. 4B) of the micro LED1 formed on the surface of the substrate 2 by lowering the support, and the adhesive layer of the first transfer member 3. It is brought into contact with 32. Then, the pasting device attaches the first transfer member 3 to the substrate 2 by applying pressure from the back surface of the substrate 2. As the bonding load, for example, it is preferable to apply a force selected in the range of 1 to 100 MPa to one micro LED 1 for a selected time in 10 to 300 seconds. In the present embodiment, the optimum value is obtained in advance by an experiment so that the bonding load becomes the optimum value. The sticking device monitors the detection value of the pressure sensor and adjusts the sticking load to the optimum value.

なお、基板2に第1の転写部材3を貼り付けるとは、第1の転写部材3が、マイクロLED1の電極部10側の面にも貼り付くことを意味している。 The fact that the first transfer member 3 is attached to the substrate 2 means that the first transfer member 3 is also attached to the surface of the micro LED 1 on the electrode portion 10 side.

図2(a)は、工程S1において、基板2に第1の転写部材3を貼り付けた状態を示している。図2(a)では、説明の便宜上、マイクロLED1が第1の転写部材3に貼り付いている状態を示している。本実施形態では、第1の転写部材3がマイクロLED1を介して基板2に貼り付いている箇所があっても、全体視で基板2に第1の転写部材3を貼り付けた状態としている。 FIG. 2A shows a state in which the first transfer member 3 is attached to the substrate 2 in the step S1. FIG. 2A shows a state in which the micro LED 1 is attached to the first transfer member 3 for convenience of explanation. In the present embodiment, even if there is a portion where the first transfer member 3 is attached to the substrate 2 via the micro LED 1, the first transfer member 3 is attached to the substrate 2 as a whole.

次に、図1に示す第1の転写部材による第1の転写(工程S2)では、図2(a)に示す状態で基板2からマイクロLED1を剥離させるレーザリフトオフにより、第1の転写部材3の一方の面(以下、単に「第1面」という)にマイクロLED1を転写する処理を実行する。 Next, in the first transfer (step S2) by the first transfer member shown in FIG. 1, the first transfer member 3 is subjected to laser lift-off to peel off the micro LED 1 from the substrate 2 in the state shown in FIG. 2 (a). The process of transferring the micro LED 1 to one surface (hereinafter, simply referred to as “first surface”) is executed.

レーザリフトオフは、基板2の表面に形成されたマイクロLED1に対して、基板2の裏面からパルス発振によるレーザ光Lを照射し、各々のマイクロLED1を基板2から剥離させる手段である。具体的には、レーザリフトオフでは、剥離させたい箇所の界面領域(例えば剥離層)にレーザ光Lをフォーカスして照射することによって、例えばGaNの窒素が気化する現象(アブレーション)に伴って、界面領域でマイクロLED1が基板2から剥離される。 The laser lift-off is a means for irradiating the micro LEDs 1 formed on the surface of the substrate 2 with laser light L by pulse oscillation from the back surface of the substrate 2 and peeling each micro LED 1 from the substrate 2. Specifically, in laser lift-off, when the laser beam L is focused and irradiated on the interface region (for example, the peeling layer) of the portion to be peeled off, for example, the interface is accompanied by the phenomenon (ablation) in which nitrogen of GaN is vaporized. The micro LED 1 is detached from the substrate 2 in the region.

工程S2では、具体的には、レーザリフトオフを行なう装置(図示省略)を利用して、レーザパワー、レーザ光Lの照射領域、パルス照射に基づく照射回数等のパラメータを調節することによって、基板2からマイクロLED1を剥離させる。ここで、パラメータとしては、1Hz~100kHzのパルスレーザ(パルス幅:1psec~10nsec)、100~1000mJ/cm程度のエネルギー密度の中から最適な条件が選択される。 In step S2, specifically, the substrate 2 is formed by adjusting parameters such as laser power, irradiation area of laser light L, and number of irradiations based on pulse irradiation by using a device for performing laser lift-off (not shown). The micro LED 1 is peeled off from. Here, as the parameters, the optimum conditions are selected from a pulse laser of 1 Hz to 100 kHz (pulse width: 1 psec to 10 nsec) and an energy density of about 100 to 1000 mJ / cm 2 .

工程S2において、レーザリフトオフを行なう場合、例えば、固体UV領域のYAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザ発振器により、第4高調波(FHG:Fourth-Harmonic Generation)である波長266nmのピコ秒パルスレーザを使用することが好ましい。 When performing laser lift-off in step S2, for example, a picosecond pulse laser having a wavelength of 266 nm, which is a fourth harmonic generation (FHG), is used by a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser oscillator in the solid UV region. Is preferable.

図2(b)は、レーザリフトオフの状態を模式的に例示している。パルスレーザのレーザ光Lが、基板2の表面とマイクロLED1の底面との境界領域に照射されている。 FIG. 2B schematically illustrates a laser lift-off state. The laser beam L of the pulse laser irradiates the boundary region between the surface of the substrate 2 and the bottom surface of the micro LED 1.

次に、工程S2では、レーザ照射後、基板2を持ち上げることにより、基板2が第1の転写部材3から剥離される。これにより、マイクロLED1が第1の転写部材3に転写される。 Next, in step S2, the substrate 2 is peeled off from the first transfer member 3 by lifting the substrate 2 after the laser irradiation. As a result, the micro LED 1 is transferred to the first transfer member 3.

図2(c)は、マイクロLED1が第1の転写部材3に転写された状態を例示している。この場合、マイクロLED1の電極部10(図4(b)参照)が第1の転写部材3の第1面に貼り付いているので、この状態で基板6にマイクロLED1を転写することができない。電極部10が露出していないからである。そこで、電極部10が露出するように後述する第2の転写の処理が必要となる。 FIG. 2C illustrates a state in which the micro LED 1 is transferred to the first transfer member 3. In this case, since the electrode portion 10 of the micro LED1 (see FIG. 4B) is attached to the first surface of the first transfer member 3, the micro LED1 cannot be transferred to the substrate 6 in this state. This is because the electrode portion 10 is not exposed. Therefore, a second transfer process, which will be described later, is required so that the electrode portion 10 is exposed.

次に、第1の転写部材の粘着力の低下(工程S3)では、マイクロLED1が転写された第1の転写部材3に対して、酸素に対する暴露を防ぐ処理を施した後、紫外線を第1の転写部材3に照射して、その第1の転写部材3の粘着力を低下させる。 Next, in the reduction of the adhesive strength of the first transfer member (step S3), the first transfer member 3 to which the micro LED 1 is transferred is subjected to a treatment for preventing exposure to oxygen, and then ultraviolet rays are applied to the first transfer member 3. Irradiates the transfer member 3 of the above to reduce the adhesive strength of the first transfer member 3.

具体的には、工程S3では、酸素に対する暴露を防ぐ処理を施すため、マイクロLED1が転写された後の第1の転写部材3の第1面に上記の保護フィルム4を貼り付ける処理を実行する。 Specifically, in step S3, in order to perform a process of preventing exposure to oxygen, a process of attaching the protective film 4 to the first surface of the first transfer member 3 after the micro LED 1 is transferred is executed. ..

図2(d)は、第1の転写部材3の第1面に保護フィルム4を貼り付けた状態を例示している。つまり、本実施形態では、保護フィルム4を再利用している。これにより、生産コストを抑制することができる。ここで、第1の転写部材3の第1面に保護フィルム4を貼り付けるとは、マイクロLED1にも保護フィルム4が貼り付けられていることを含んでいる。図2(d)では、説明の便宜上、マイクロLED1に保護フィルム4が貼り付いている状態を示している。マイクロLED1の厚みは上述したとおり、ミクロンオーダであるので、保護フィルム4は、全体視で、第1の転写部材3にも貼り付いていることになる。 FIG. 2D illustrates a state in which the protective film 4 is attached to the first surface of the first transfer member 3. That is, in this embodiment, the protective film 4 is reused. As a result, the production cost can be suppressed. Here, attaching the protective film 4 to the first surface of the first transfer member 3 includes attaching the protective film 4 to the micro LED 1. FIG. 2D shows a state in which the protective film 4 is attached to the micro LED 1 for convenience of explanation. As described above, the thickness of the micro LED 1 is on the order of microns, so that the protective film 4 is also attached to the first transfer member 3 in the whole view.

次に、工程S3では、第1の転写部材3の粘着力を低下させるために、紫外線UVを第1の転写部材3に照射すると、粘着剤層32において光重合による紫外線硬化反応が起きる。紫外線硬化反応では、光重合開始剤の存在下、先ず、光重合開始剤が紫外線照射によりラジカル(不対電子を持つ化学種)になる。続いて、そのラジカルは、粘着剤層32の成分として重合性基を有するポリマー、オリゴマーに反応し活性化される。そして、これらのポリマー、オリゴマー同士が連鎖的に結合することにより、その粘着剤層32が硬化することになる。これにより、第1の転写部材3の粘着力は低下する。 Next, in step S3, when the first transfer member 3 is irradiated with ultraviolet UV rays in order to reduce the adhesive force of the first transfer member 3, an ultraviolet curing reaction by photopolymerization occurs in the pressure-sensitive adhesive layer 32. In the ultraviolet curing reaction, in the presence of the photopolymerization initiator, the photopolymerization initiator first becomes a radical (a chemical species having an unpaired electron) by irradiation with ultraviolet rays. Subsequently, the radical is activated by reacting with a polymer or oligomer having a polymerizable group as a component of the pressure-sensitive adhesive layer 32. Then, the pressure-sensitive adhesive layer 32 is cured by the chain-bonding of these polymers and oligomers. As a result, the adhesive strength of the first transfer member 3 is reduced.

図2(e)は、保護フィルム4が貼り付けられた第1の転写部材3に紫外線UVを照射している状態を例示している。なお、図2(e)では、紫外線UVを第1の転写部材3の他方の面に向けて照射しているが、これに限られない。すなわち、保護フィルム4及び基材フィルム31(図5参照)は、PETで構成されているので、共に紫外線UVを透過させることができる。したがって、紫外線UVを保護フィルム4に向けて照射してもよいし、両方向から照射してもよいので、装置設計の自由度が向上する。 FIG. 2E illustrates a state in which the first transfer member 3 to which the protective film 4 is attached is irradiated with ultraviolet UV rays. In FIG. 2 (e), the ultraviolet UV is irradiated toward the other surface of the first transfer member 3, but the present invention is not limited to this. That is, since the protective film 4 and the base film 31 (see FIG. 5) are made of PET, both of them can transmit ultraviolet UV rays. Therefore, the ultraviolet UV may be irradiated toward the protective film 4 or may be irradiated from both directions, so that the degree of freedom in device design is improved.

工程S3では、例えば、紫外線照射装置(図示省略)を使用して、中心波長が365nmの紫外線を第1の転写部材3に照射する。最適な紫外線の照射条件は、使用するUV剥離用のテープやUVランプの種類等によって異なる。UV照射量は、積算光量として求められる値であって、積算光量(mJ/cm)=照度(mW/cm)×照射時間(sec)によって算出される。ここで、単位の換算として、1(mW・h/cm)=3600(mJ/cm)の関係を有している。本実施形態では、実験から最適な紫外線の照射条件を求め、例えば、積算光量を1000(mJ/cm)とし、照度を170(mW/cm)としている。一例として、いわゆる180度剥離試験では、粘着力は、紫外線照射により、9(N/25mm)から0.2(N/25mm)まで低下した。 In step S3, for example, an ultraviolet irradiation device (not shown) is used to irradiate the first transfer member 3 with ultraviolet rays having a center wavelength of 365 nm. The optimum UV irradiation conditions differ depending on the type of UV peeling tape and UV lamp used. The UV irradiation amount is a value obtained as the integrated light amount, and is calculated by the integrated light amount (mJ / cm 2 ) = illuminance (mW / cm 2 ) × irradiation time (sec). Here, as a unit conversion, there is a relationship of 1 (mW · h / cm 2 ) = 3600 (mJ / cm 2 ). In the present embodiment, the optimum ultraviolet irradiation conditions are obtained from the experiment, and for example, the integrated light amount is 1000 (mJ / cm 2 ) and the illuminance is 170 (mW / cm 2 ). As an example, in the so-called 180 degree peeling test, the adhesive strength decreased from 9 (N / 25 mm) to 0.2 (N / 25 mm) by ultraviolet irradiation.

ここで、第1の転写部材3の第1面に保護フィルム4を貼り付けずに紫外線UVを照射した場合、空気中の酸素が、紫外線硬化反応を引き起こしている粘着剤層32内のラジカルを失活させる作用を及ぼすため、光重合が阻害されることになる。光重合が阻害されると粘着力の低下が抑制されるので、後述する第2の転写部材による第2の転写(工程S4)で、例えば、全てのマイクロLED1が転写されず、一部のマイクロLED1が基板2に残存することが起こる。これが、歩留りが低くなることに繋がる。本実施形態では、酸素に対する暴露を防ぐ処理として、第1の転写部材3の第1面に保護フィルム4を貼り付けることにより、粘着剤層32への酸素の侵入を遮断するので、光重合が阻害されることを防いでいる。 Here, when ultraviolet UV is irradiated without attaching the protective film 4 to the first surface of the first transfer member 3, oxygen in the air causes radicals in the pressure-sensitive adhesive layer 32 causing the ultraviolet curing reaction. Since it exerts an inactivating action, photopolymerization is inhibited. When the photopolymerization is inhibited, the decrease in adhesive strength is suppressed. Therefore, in the second transfer (step S4) by the second transfer member described later, for example, all the micro LEDs 1 are not transferred and some micros are not transferred. It happens that the LED 1 remains on the substrate 2. This leads to lower yields. In the present embodiment, as a treatment for preventing exposure to oxygen, the protective film 4 is attached to the first surface of the first transfer member 3 to block the invasion of oxygen into the pressure-sensitive adhesive layer 32, so that photopolymerization occurs. It prevents it from being hindered.

なお、保護フィルム4側から紫外線UVを照射した場合、マイクロLED1が紫外線UVを遮光し、紫外線UVが粘着剤層32に照射されずに粘着力が低下しない懸念があった。しかし、実験により、マイクロLED1の外形の面積について、1辺を50μm以下にすれば、マイクロLED1の周辺に照射された紫外線UVにより、上記の紫外線硬化化学反応が進行することが見出された。 When the ultraviolet UV was irradiated from the protective film 4 side, there was a concern that the micro LED 1 shielded the ultraviolet UV from light and the ultraviolet UV was not irradiated to the adhesive layer 32 and the adhesive strength did not decrease. However, by experiments, it was found that if the outer area of the micro LED 1 is set to 50 μm or less on one side, the above-mentioned ultraviolet curing chemical reaction proceeds by the ultraviolet UV irradiated around the micro LED 1.

次に、工程S3では、第1の転写部材3から保護フィルム4を剥離する処理を実行する。図2(f)は、第1の転写部材3から保護フィルム4が剥離された状態を例示している。保護フィルム4の粘着力は、紫外線照射後の第1の転写部材3の粘着力よりも低い素材を使用しているので、工程S3では、第1の転写部材3から保護フィルム4を容易に剥離することができる。以上より、図2に示す前半の工程が終了する。 Next, in step S3, a process of peeling the protective film 4 from the first transfer member 3 is executed. FIG. 2 (f) illustrates a state in which the protective film 4 is peeled off from the first transfer member 3. Since a material whose adhesive strength of the protective film 4 is lower than that of the first transfer member 3 after irradiation with ultraviolet rays is used, the protective film 4 can be easily peeled off from the first transfer member 3 in step S3. can do. From the above, the first half process shown in FIG. 2 is completed.

次に、後半の工程として、図1に示す第2の転写部材による第2の転写(工程S4)の処理を実行する。図3(a)、(b)は、第2の転写部材による第2の転写(工程S4)を模式的に示す説明図である。工程S4では、具体的には、図3(a)、(b)に示すとおり、紫外線照射により粘着力を低下させた第1の転写部材3よりも粘着力が強い面を有する第2の転写部材5を用いて、粘着力の差を利用してマイクロLED1を第1の転写部材3から第2の転写部材5に転写する処理を実行する。工程S4では、第2の転写部材5として平板状の粘着シート5aを用いて、第1の転写部材3に粘着シート5aを貼り付けた後、粘着力の差を利用してマイクロLED1を第1の転写部材3から粘着シート5aに転写する。これにより、工程S4では、容易にマイクロLED1を第1の転写部材3から、第2の転写部材5の一例である粘着シート5aに転写することができる。 Next, as the latter half of the process, the process of the second transfer (step S4) by the second transfer member shown in FIG. 1 is executed. 3 (a) and 3 (b) are explanatory views schematically showing the second transfer (step S4) by the second transfer member. Specifically, in step S4, as shown in FIGS. 3A and 3B, a second transfer having a surface having a stronger adhesive force than the first transfer member 3 whose adhesive force is reduced by ultraviolet irradiation. Using the member 5, a process of transferring the micro LED 1 from the first transfer member 3 to the second transfer member 5 is executed by utilizing the difference in adhesive strength. In step S4, a flat plate-shaped adhesive sheet 5a is used as the second transfer member 5, the adhesive sheet 5a is attached to the first transfer member 3, and then the micro LED 1 is first attached by utilizing the difference in adhesive strength. Is transferred from the transfer member 3 of the above to the adhesive sheet 5a. Thereby, in the step S4, the micro LED 1 can be easily transferred from the first transfer member 3 to the pressure-sensitive adhesive sheet 5a which is an example of the second transfer member 5.

図6は、第2の転写部材5の概略断面図である。第2の転写部材5の一例である粘着シート5aは、基材51aと、その基材51aの両面に各々積層された粘着剤層52a、53aとを備える。さらに、粘着シート5aにおいて、粘着剤層52aには、保護フィルム4aが貼り付けられている。また、粘着剤層53aには、保護するフィルム4bが貼り付けられている。この粘着シート5aと保護フィルム4a、4bとしては、一例として、繰り返し使用可能な高耐熱粘着シート(京写株式会社製)を採用している。この粘着シート5aの粘着力は、例えば1N/25mmである。 FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the second transfer member 5. The pressure-sensitive adhesive sheet 5a, which is an example of the second transfer member 5, includes a base material 51a and pressure-sensitive adhesive layers 52a and 53a laminated on both sides of the base material 51a, respectively. Further, in the pressure-sensitive adhesive sheet 5a, a protective film 4a is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 52a. Further, a protective film 4b is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 53a. As the adhesive sheet 5a and the protective films 4a and 4b, as an example, a highly heat-resistant adhesive sheet (manufactured by Kyosha Co., Ltd.) that can be used repeatedly is adopted. The adhesive strength of the adhesive sheet 5a is, for example, 1N / 25 mm.

基材51aは、合成樹脂フィルム等のシート材料を用いることができる。合成樹脂フィルムとしては、耐熱性の観点から例えばポリイミドフィルムであることが好ましい。粘着剤層52a、53aは、シリコーン系粘着樹脂で構成されている。保護フィルム4a、4bは、粘着剤層32の保護用のラミネートフィルムであって、使用時に粘着剤層52a、53aから剥離されるものである。そのため、粘着シート5aは、保護フィルム4a、4bの何れか一方を剥がした場合には、片面粘着タイプのものとして機能し、保護フィルム4a、4bの両方を剥がすと、両面粘着タイプのものとして機能する。基材51aの膜厚は、例えば50μmであり、粘着剤層52a、53aの膜厚は、例えば75μmであり、保護フィルム4a、4bの膜厚は、数μm程度である。 As the base material 51a, a sheet material such as a synthetic resin film can be used. As the synthetic resin film, for example, a polyimide film is preferable from the viewpoint of heat resistance. The pressure-sensitive adhesive layers 52a and 53a are made of a silicone-based pressure-sensitive adhesive resin. The protective films 4a and 4b are laminating films for protecting the pressure-sensitive adhesive layer 32, and are peeled off from the pressure-sensitive adhesive layers 52a and 53a during use. Therefore, the adhesive sheet 5a functions as a single-sided adhesive type when any one of the protective films 4a and 4b is peeled off, and functions as a double-sided adhesive type when both the protective films 4a and 4b are peeled off. do. The film thickness of the base material 51a is, for example, 50 μm, the film thickness of the pressure-sensitive adhesive layers 52a and 53a is, for example, 75 μm, and the film thickness of the protective films 4a and 4b is about several μm.

工程S4では、例えば、図3(a)に示すようにして第1の転写部材3に粘着シート5aを貼り付ける。続いて、工程S4では、粘着シート5aを持ち上げると、粘着シート5aのマイクロLED1への粘着力が、第1の転写部材3のマイクロLED1への粘着力よりも5倍程度強いため、図3(b)に示すようにして第1の転写部材3を剥離させることができる。 In step S4, for example, the adhesive sheet 5a is attached to the first transfer member 3 as shown in FIG. 3A. Subsequently, in step S4, when the adhesive sheet 5a is lifted, the adhesive force of the adhesive sheet 5a to the micro LED1 is about 5 times stronger than the adhesive force of the first transfer member 3 to the micro LED1. The first transfer member 3 can be peeled off as shown in b).

次に、図1に示す電子部品の実装(工程S5)では、第2の転写部材5の一例である粘着シート5aからマイクロLED1を基板6に実装する処理を実行する。 Next, in the mounting of the electronic component shown in FIG. 1 (step S5), a process of mounting the micro LED 1 on the substrate 6 from the adhesive sheet 5a, which is an example of the second transfer member 5, is executed.

図7は、基板6の概略断面図である。この概略断面図は、マイクロLED1が実装される前の構成を示している。基板6は、例えば、フレキシブルプリント回路基板(FPC:Flexible Printed Circuits)であって、下層から順番に、ポリイミドフィルムのベース基板61と、TFT駆動回路62と、そのTFT駆動回路62の画素パターンの所定位置に設けられているバンプ電極(突起状の端子)63とを備える。バンプ電極63は、図4(b)に示すマイクロLED1の一対の電極部1a、1b(電極部10)に対応して、一対の電極部(図示省略)を有している。 FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the substrate 6. This schematic cross-sectional view shows the configuration before the micro LED 1 is mounted. The substrate 6 is, for example, a flexible printed circuit board (FPC), in order from the lower layer, a polyimide film base substrate 61, a TFT drive circuit 62, and a predetermined pixel pattern of the TFT drive circuit 62. It is provided with a bump electrode (protruding terminal) 63 provided at a position. The bump electrode 63 has a pair of electrode portions (not shown) corresponding to the pair of electrode portions 1a and 1b (electrode portion 10) of the micro LED1 shown in FIG. 4 (b).

図7において、バンプ電極63は、一方の方向(図8に示す列方向)の画素ピッチ(バンプ電極ピッチ)としてP3の間隔としている。基板6上に規定される画素ピッチは、バンプ電極63同士の距離で定められている。マイクロLED1を基板6に転写した場合、各バンプ電極63とマイクロLED1の電極部10とは電気的に接続する。なお、バンプ電極63の周囲には、マイクロLED1を接着固定するために予め異方性導電接着剤からなる接着層64(図8参照)を形成しておく。 In FIG. 7, the bump electrodes 63 are spaced P3 as the pixel pitch (bump electrode pitch) in one direction (column direction shown in FIG. 8). The pixel pitch defined on the substrate 6 is determined by the distance between the bump electrodes 63. When the micro LED 1 is transferred to the substrate 6, each bump electrode 63 and the electrode portion 10 of the micro LED 1 are electrically connected to each other. An adhesive layer 64 (see FIG. 8) made of an anisotropic conductive adhesive is previously formed around the bump electrode 63 in order to bond and fix the micro LED 1.

図3(c)~(e)は、電子部品の実装(工程S5)を模式的に示す説明図である。工程S5では、例えば、基板貼り合わせ装置(図示省略)を使用し、粘着シート5aと基板6とを位置合わせして、基板6に粘着シート5aを貼り付けて、基板6にマイクロLED1を接着固定した後に、粘着シート5aを基板6から剥がす処理を実行する。これにより、容易にマイクロLED1の実装が行われる。その結果、基板6はマイクロLED1を実装した実装基板となる。 3 (c) to 3 (e) are explanatory views schematically showing the mounting of electronic components (step S5). In step S5, for example, a substrate bonding device (not shown) is used to align the adhesive sheet 5a and the substrate 6, attach the adhesive sheet 5a to the substrate 6, and bond and fix the micro LED 1 to the substrate 6. After that, the process of peeling the adhesive sheet 5a from the substrate 6 is executed. As a result, the micro LED 1 can be easily mounted. As a result, the substrate 6 becomes a mounting substrate on which the micro LED 1 is mounted.

基板貼り合わせ装置は、基板上にマイクロLED等のチップを実装するものである。チップ表面と基板とを電気的に接続する際,ワイヤ・ボンディングのようにワイヤによって接続するのではなく,アレイ状に並んだ突起状の端子(バンプ電極)によって接続するのに適している。 The board bonding device mounts a chip such as a micro LED on the board. When electrically connecting the chip surface and the substrate, it is suitable for connecting by protruding terminals (bump electrodes) arranged in an array, instead of connecting by wires as in wire bonding.

具体的には、工程S5において、基板貼り合わせ装置等の実装装置を使用することにより、図3(c)に示すように、粘着シート5aと基板6とを位置合わせを行なう。ここで、基板6については、各バンプ電極63の位置が重要であるので、図7に示すベース基板61、TFT駆動回路62の図示を省略する(以下、同様)。この位置合わせを行なうことは、詳細には、粘着シート5aの一方の面上に貼り付けられた複数のマイクロLED1の電極部10と、基板6上でマイクロLED1を実装する位置に設けられているバンプ電極63とを各々接続するように位置決めすることを意味する。この位置決めは、一例としてアライメント用の撮像カメラを用いて、各マイクロLED1の位置と、各バンプ電極63の位置とを画像解析して行われる。 Specifically, in step S5, by using a mounting device such as a board bonding device, the adhesive sheet 5a and the board 6 are aligned as shown in FIG. 3 (c). Here, since the position of each bump electrode 63 is important for the substrate 6, the illustration of the base substrate 61 and the TFT drive circuit 62 shown in FIG. 7 is omitted (hereinafter, the same applies). In detail, this alignment is provided at a position where the electrode portions 10 of the plurality of micro LEDs 1 attached on one surface of the adhesive sheet 5a and the micro LEDs 1 are mounted on the substrate 6. It means positioning so as to connect each of the bump electrodes 63. This positioning is performed by image analysis of the position of each micro LED 1 and the position of each bump electrode 63 using an image pickup camera for alignment as an example.

続いて、工程S5において、図3(d)に示すように、粘着シート5aと基板6とを貼り合わせる。工程S5では、圧力センサの検出値をモニターして、貼り合わせ荷重が予め定めた最適値になるように調整している。そして、工程S5では、予めバンプ電極63の表面にSnやInの半田層を形成しておき、マイクロLED1の電極部10側には、化学的に安定な金属であるAuを形成しておく。これにより、マイクロLED1の電極部10と、基板6のバンプ電極63とは、当接後に、AuとSn又はAuとInによる合金が界面で形成される半田付けにより電気的に接続される。また、加熱により、異方性導電接着剤の作用により、マイクロLED1が基板6に機械的に接着固定される。 Subsequently, in step S5, the adhesive sheet 5a and the substrate 6 are bonded together as shown in FIG. 3D. In step S5, the detection value of the pressure sensor is monitored and adjusted so that the bonding load becomes a predetermined optimum value. Then, in step S5, a solder layer of Sn or In is formed in advance on the surface of the bump electrode 63, and Au, which is a chemically stable metal, is formed on the electrode portion 10 side of the micro LED1. As a result, the electrode portion 10 of the micro LED 1 and the bump electrode 63 of the substrate 6 are electrically connected to each other by soldering in which an alloy of Au and Sn or Au and In is formed at the interface after abutting. Further, the micro LED 1 is mechanically adhered and fixed to the substrate 6 by the action of the anisotropic conductive adhesive by heating.

さらに、工程S5において、図3(d)に示す粘着シート5aを剥離することにより、マイクロLED1が基板6に実装される(図3(e)参照)。以上より、図3に示す後半の工程が終了する。 Further, in step S5, the micro LED 1 is mounted on the substrate 6 by peeling off the adhesive sheet 5a shown in FIG. 3 (d) (see FIG. 3 (e)). From the above, the latter half of the process shown in FIG. 3 is completed.

図8は、マイクロLED1が実装された後の基板6の平面図である。工程S5では、マイクロLED1の電極部10(図4参照)と、基板6のバンプ電極63(図7参照)とを接続しているので、図8において、マイクロLED1は光放出面が露出していることになる。各々のマイクロLED1は、接着層64により基板6に接着固定されている。なお、図8において、一例として、各々のマイクロLED1は、5行12列の配列で形成されている。また、基板6のバンプ電極63は隠れて見えないが、5行12列の配列で形成されている。基板6において、行方向の画素ピッチの間隔はP4であり、列方向の画素ピッチの間隔はP3である。 FIG. 8 is a plan view of the substrate 6 after the micro LED 1 is mounted. In step S5, since the electrode portion 10 of the micro LED1 (see FIG. 4) and the bump electrode 63 of the substrate 6 (see FIG. 7) are connected, in FIG. 8, the light emitting surface of the micro LED1 is exposed. Will be there. Each micro LED 1 is adhesively fixed to the substrate 6 by an adhesive layer 64. In FIG. 8, as an example, each micro LED 1 is formed in an array of 5 rows and 12 columns. Further, although the bump electrodes 63 of the substrate 6 are hidden and invisible, they are formed in an arrangement of 5 rows and 12 columns. In the substrate 6, the pixel pitch interval in the row direction is P4, and the pixel pitch interval in the column direction is P3.

ここで、図4(a)に示すマイクロLED1の行方向の配列ピッチ(間隔P1)と、図8に示すバンプ電極63の行方向の画素ピッチ(間隔P4)とは、一致する。また、図4(a)に示すマイクロLED1の列方向の配列ピッチ(間隔P2)と、図8に示すバンプ電極63の列方向の画素ピッチ(間隔P3)とは一致する。マイクロLED1の配列ピッチとバンプ電極63の画素ピッチとが一致することは、図4(b)に示すマイクロLED1の一対の電極部1a、1bにそれぞれ対応するバンプ電極63の一対の電極部の位置が一致することを意味する。つまり、第1実施形態では、マイクロLED1の配列ピッチとバンプ電極63の画素ピッチとを1対1の関係としている。 Here, the array pitch (spacing P1) of the micro LEDs 1 in the row direction shown in FIG. 4A and the pixel pitch (spacing P4) in the row direction of the bump electrode 63 shown in FIG. 8 coincide with each other. Further, the arrangement pitch (spacing P2) of the micro LEDs 1 in the row direction shown in FIG. 4A coincides with the pixel pitch (spacing P3) in the row direction of the bump electrode 63 shown in FIG. The fact that the array pitch of the micro LED1 and the pixel pitch of the bump electrode 63 match is the position of the pair of electrode portions of the bump electrode 63 corresponding to the pair of electrode portions 1a and 1b of the micro LED1 shown in FIG. 4 (b). Means that they match. That is, in the first embodiment, the arrangement pitch of the micro LEDs 1 and the pixel pitch of the bump electrode 63 have a one-to-one relationship.

以上より、本発明の電子部品実装方法の第1実施形態によれば、第1の転写部材3の粘着力を低下させる工程において、酸素に対する暴露を防ぐ処理を施した後、紫外線を第1の転写部材3に照射して、その第1の転写部材3の粘着力を低下させているので、酸素に対する暴露による悪影響を受けずに済み、マイクロLED1等の電子部品が容易に第1の転写部材3に転写され、マイクロLED1等の電子部品の実装時の歩留りを向上させることができる。 From the above, according to the first embodiment of the electronic component mounting method of the present invention, in the step of reducing the adhesive force of the first transfer member 3, after the treatment for preventing exposure to oxygen is performed, the ultraviolet rays are first emitted. Since the transfer member 3 is irradiated to reduce the adhesive strength of the first transfer member 3, it is not adversely affected by exposure to oxygen, and electronic components such as the micro LED 1 can easily be used as the first transfer member. It is transferred to No. 3 and can improve the yield at the time of mounting an electronic component such as a micro LED 1.

また、本発明の電子部品実装方法の第1実施形態によれば、比較例として、基板2と基板6とを対向させて位置合わせした後、貼り合わせて、レーザリフトオフにより基板2を剥離させると共に、マイクロLED1を基板6に実装する方式と比べて以下の点が優れている。 Further, according to the first embodiment of the electronic component mounting method of the present invention, as a comparative example, the substrate 2 and the substrate 6 are aligned so as to face each other, then bonded, and the substrate 2 is peeled off by laser lift-off. The following points are superior to the method of mounting the micro LED 1 on the substrate 6.

第1に、比較例の方式では、サファイア基板のような基板2に反りがあると、レーザ光の焦点位置にずれが生じ、レーザリフトオフがうまくいかないマイクロLED1は基板2に残存し、基板6に実装されないことが起こり得る。これに対し、上記第1実施形態によれば、粘着シート5aと基板6とを貼り合わせるので、基板2の反りの問題を回避できる。 First, in the method of the comparative example, if the substrate 2 such as the sapphire substrate is warped, the focal position of the laser beam shifts, and the micro LED 1 whose laser lift-off does not work remains on the substrate 2 and is mounted on the substrate 6. It can happen that it is not done. On the other hand, according to the first embodiment, since the adhesive sheet 5a and the substrate 6 are bonded together, the problem of warpage of the substrate 2 can be avoided.

第2に、比較例の方式では、基板2のマイクロLED1の配列ピッチは、基板6上に規定される画素ピッチと同じにする必要が生じる。これに対し、上記第1実施形態の場合、第1の転写部材3や粘着シート5aのようなキャリア材を使用すると、転写するマイクロLED1の配列ピッチをバンプ電極63の画素ピッチと同じにする必要がない。すなわち、上記第1実施形態の場合、基板2のマイクロLED1の配列ピッチを、バンプ電極63の画素ピッチよりも、2以上の整数倍になるように間隔を狭めていくことで精細化することができる。 Secondly, in the method of the comparative example, the arrangement pitch of the micro LEDs 1 of the substrate 2 needs to be the same as the pixel pitch defined on the substrate 6. On the other hand, in the case of the first embodiment, when a carrier material such as the first transfer member 3 or the adhesive sheet 5a is used, the arrangement pitch of the micro LEDs 1 to be transferred needs to be the same as the pixel pitch of the bump electrode 63. There is no. That is, in the case of the first embodiment, the arrangement pitch of the micro LEDs 1 on the substrate 2 can be refined by narrowing the interval so as to be an integral multiple of 2 or more than the pixel pitch of the bump electrode 63. can.

例えば、図8に示す画素ピッチの間隔P3に対して、図4(a)に示す配列ピッチの間隔P2を、2倍になるように間隔を狭めた場合、P2=P3/2であれば、配列ピッチの間隔P2が画素ピッチの間隔P3よりも2倍狭まるので、間隔P2は、間隔P3の半分(ハーフピッチ)になり、その分、集積度が上がることになる。 For example, when the interval P2 of the array pitch shown in FIG. 4A is narrowed so as to be double the interval P3 of the pixel pitch shown in FIG. 8, if P2 = P3 / 2, then. Since the interval P2 of the arrangement pitch is twice narrower than the interval P3 of the pixel pitch, the interval P2 becomes half of the interval P3 (half pitch), and the degree of integration is increased by that amount.

図4(a)では、図面上、間隔P2を間隔P3の半分(ハーフピッチ)にした場合、これ以上、間隔を狭めることができないが、実際の基板2において、例えば、画素ピッチの間隔P3の値に応じて、配列ピッチの間隔P2を、P3/2、P3/3、P3/4というように2以上の整数倍になるように間隔を狭めていくことで精細化を図ることができる。 In FIG. 4A, when the interval P2 is set to half the interval P3 (half pitch) in the drawing, the interval cannot be further narrowed, but in the actual substrate 2, for example, the pixel pitch interval P3 Depending on the value, the spacing P2 of the array pitch can be refined by narrowing the spacing so that it is an integral multiple of 2 or more, such as P3 / 2, P3 / 3, and P3 / 4.

詳細には、上記電子部品実装方法は、上記工程S1~S5を含み、複数枚の基板6にマイクロLED1等の電子部品を実装できるようにするため、基板6上に規定される画素ピッチに応じて、配列ピッチを画素ピッチよりも2以上の整数倍になるように間隔を狭めて形成された電子部品を一方の面に有する基板2を使用することを特徴としてもよい。この場合、工程S1を、この基板2に紫外線照射により粘着力が低下する第1の転写部材3を貼り付けるようにすることを特徴としてもよい。 Specifically, the electronic component mounting method includes the steps S1 to S5, and corresponds to a pixel pitch defined on the substrate 6 so that electronic components such as micro LEDs 1 can be mounted on a plurality of substrates 6. Further, it may be characterized in that the substrate 2 having electronic components formed on one surface thereof is formed by narrowing the interval so that the arrangement pitch is an integral multiple of 2 or more than the pixel pitch. In this case, the step S1 may be characterized in that the first transfer member 3 whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays is attached to the substrate 2.

この基板2を用いた場合、工程S2を、上記画素ピッチに基づいて定められる上記電子部品の実装位置に応じて、上記基板2から剥離させる電子部品を決定し、基板2から決定された電子部品を剥離させる選択的なレーザリフトオフにより、第1の転写部材3の一方の面に電子部品を転写することを特徴としてもよい。 When this substrate 2 is used, in step S2, the electronic component to be peeled from the substrate 2 is determined according to the mounting position of the electronic component determined based on the pixel pitch, and the electronic component determined from the substrate 2 is determined. The electronic component may be transferred to one surface of the first transfer member 3 by selective laser lift-off.

これにより、上記工程S2において、電子部品として実装に使うマイクロLED1だけをリフトオフして、余ったマイクロLED1を次に実装する基板用に使用することができるので、コストダウンに繋がる。また、基板2上に形成されるマイクロLED1は可能な限り集積度を上げることができる。 As a result, in the above step S2, only the micro LED1 used for mounting as an electronic component can be lifted off, and the surplus micro LED1 can be used for the substrate to be mounted next, which leads to cost reduction. Further, the micro LED 1 formed on the substrate 2 can increase the degree of integration as much as possible.

また、上記第1実施形態では、酸素に対する暴露を防ぐ処理として、マイクロLED1が転写された第1の転写部材3の第1面に着脱式の保護フィルム4を貼り付けた後に、紫外線UVを第1の転写部材3に照射するようにしたが、本発明は、これに限定されない。 Further, in the first embodiment, as a process for preventing exposure to oxygen, ultraviolet UV is applied after the removable protective film 4 is attached to the first surface of the first transfer member 3 to which the micro LED 1 is transferred. Although the transfer member 3 of 1 is irradiated, the present invention is not limited to this.

図9は、酸素に対する暴露を防ぐ処理の一例を示す説明図である。この一例では、図1に示す電子部品実装方法の工程S3を以下のように変更することを特徴とする。この一例では、予め設定した真空度の真空チャンバー7内で、紫外線UVを第1の転写部材3に照射するようにしている。図9に示す真空チャンバー7内において、例えば、酸素濃度は、5%以下が好ましく、2%以下がより好ましい。この程度の酸素濃度になるようにすれば、図2(c)に示すような保護フィルム4を利用せずに、酸素に対する暴露を防ぐ効果が得られる。 FIG. 9 is an explanatory diagram showing an example of a process for preventing exposure to oxygen. This example is characterized in that the process S3 of the electronic component mounting method shown in FIG. 1 is changed as follows. In this example, the first transfer member 3 is irradiated with ultraviolet UV rays in a vacuum chamber 7 having a preset degree of vacuum. In the vacuum chamber 7 shown in FIG. 9, for example, the oxygen concentration is preferably 5% or less, more preferably 2% or less. If the oxygen concentration is set to this level, the effect of preventing exposure to oxygen can be obtained without using the protective film 4 as shown in FIG. 2 (c).

したがって、図9に示すような酸素に対する暴露を防ぐ処理の一例を採用した場合であっても、マイクロLED1が容易に第1の転写部材3に転写され、マイクロLED1等の電子部品の実装時の歩留りを向上させることができる。 Therefore, even when an example of the treatment for preventing exposure to oxygen as shown in FIG. 9 is adopted, the micro LED 1 is easily transferred to the first transfer member 3, and when the electronic component such as the micro LED 1 is mounted. Yield can be improved.

但し、この一例では、予め設定した真空度の真空チャンバー7内で、さらに、マイクロLED1が転写された第1の転写部材3の第1面に保護フィルム4を貼り付けた後に、紫外線UVを第1の転写部材3に照射するようにしてもよい。保護フィルム4を貼り付ける際に気泡の混入を防ぐことができ、より、酸素に対する暴露を防ぐ効果が得られる。 However, in this example, in the vacuum chamber 7 having a preset degree of vacuum, after the protective film 4 is attached to the first surface of the first transfer member 3 to which the micro LED 1 is transferred, the ultraviolet UV is applied. The transfer member 3 of 1 may be irradiated. It is possible to prevent air bubbles from being mixed when the protective film 4 is attached, and it is possible to obtain an effect of further preventing exposure to oxygen.

図10は、酸素に対する暴露を防ぐ処理の他の例を示す説明図である。この他の例では、図1に示す電子部品実装方法の工程S3を以下のように変更することを特徴とする。この他の例では、窒素で充填された窒素ガスチャンバー8内で、紫外線UVを第1の転写部材3に照射するようにしている。図10において、窒素ガスチャンバー8内に示す各ドットが窒素(N)の気体(窒素ガス)を模式的に表している。図10に示す窒素ガスチャンバー8内は、例えば、窒素で充填されるため、酸素に対する暴露を防ぐことが可能になり、工程S3の保護フィルム4の貼り付けが不要になる。 FIG. 10 is an explanatory diagram showing another example of the treatment for preventing exposure to oxygen. Another example is characterized in that the process S3 of the electronic component mounting method shown in FIG. 1 is changed as follows. In another example, the first transfer member 3 is irradiated with ultraviolet UV rays in a nitrogen gas chamber 8 filled with nitrogen. In FIG. 10, each dot shown in the nitrogen gas chamber 8 schematically represents a nitrogen (N 2 ) gas (nitrogen gas). Since the inside of the nitrogen gas chamber 8 shown in FIG. 10 is filled with nitrogen, for example, it is possible to prevent exposure to oxygen, and it is not necessary to attach the protective film 4 in step S3.

したがって、酸素に対する暴露を防ぐ処理の他の例を採用した場合であっても、マイクロLED1が容易に第1の転写部材3に転写され、マイクロLED1等の電子部品の実装時の歩留りを向上させることができる。 Therefore, even when another example of the treatment for preventing exposure to oxygen is adopted, the micro LED 1 is easily transferred to the first transfer member 3, and the yield at the time of mounting an electronic component such as the micro LED 1 is improved. be able to.

[第2実施形態]
次に、本発明による電子部品実装方法の第2実施形態について説明する。なお、電子部品実装方法の第1実施形態で説明した同一の構成については、同じ符号を付して説明を省略又は簡略化する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the electronic component mounting method according to the present invention will be described. The same configurations described in the first embodiment of the electronic component mounting method are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted or simplified.

電子部品実装方法の第2実施形態では、第1実施形態の工程に示す流れ図(図1参照)において、工程S4~S5の処理が、第1実施形態と異なる。したがって、上述した工程S1~工程S3の処理については説明を省略し、図1に示す流れ図を流用して、工程S4~S5の処理について説明する。 In the second embodiment of the electronic component mounting method, the processes of steps S4 to S5 are different from those of the first embodiment in the flow chart (see FIG. 1) shown in the process of the first embodiment. Therefore, the description of the processes of steps S1 to S3 described above will be omitted, and the processes of steps S4 to S5 will be described by diverting the flow chart shown in FIG.

図11は、本発明による電子部品実装方法の第2実施形態における第2の転写部材による第2の転写の工程を示す説明図である。図11(a)は転写前、(b)は転写開始直後、(c)は転写終了後の状態を例示している。上述した工程S1~工程S3の実行後、第2の転写部材による第2の転写(工程S4)では、第2の転写部材5としてローラ状の粘着ローラ5bを用いて、その粘着ローラ5bを回転させることにより、第1の転写部材3上に転写されたマイクロLED1と粘着ローラ5bとを接触させて、マイクロLED1を第1の転写部材3から粘着ローラ5bに転写する処理を実行する。工程S4では、全体構成の図示を省略した転写用装置により実行される。この転写用装置は、上記処理だけでなく後述する工程S5の処理を行なうために上記粘着ローラ5bや3軸(XYZ)方向に載置物を移動させる機構を有しているステージ9を備えている。載置物は、工程S4で使用する第1の転写部材3や、後述する工程S5で使用する基板6である。 FIG. 11 is an explanatory diagram showing a second transfer process by the second transfer member in the second embodiment of the electronic component mounting method according to the present invention. 11 (a) shows the state before transcription, (b) shows the state immediately after the start of transcription, and (c) shows the state after the end of transcription. After the execution of the above-mentioned steps S1 to S3, in the second transfer by the second transfer member (step S4), the roller-shaped adhesive roller 5b is used as the second transfer member 5, and the adhesive roller 5b is rotated. By causing the micro LED 1 to come into contact with the adhesive roller 5b transferred onto the first transfer member 3, a process of transferring the micro LED 1 from the first transfer member 3 to the adhesive roller 5b is executed. In step S4, the transfer apparatus is used, which is not shown in the overall configuration. This transfer device includes the adhesive roller 5b and the stage 9 having a mechanism for moving the mounted object in the triaxial (XYZ) direction in order to perform not only the above processing but also the processing of the step S5 described later. .. The mounted object is the first transfer member 3 used in the step S4 and the substrate 6 used in the step S5 described later.

具体的には、図11において、工程S4では、粘着ローラ5bと第1の転写部材3とを相対的に移動させて、粘着ローラ5bが予め定めた角度で回転する毎に、ステージ9に載置されている第1の転写部材3からマイクロLED1を粘着ローラ5bに転写することを特徴とする。 Specifically, in FIG. 11, in step S4, the adhesive roller 5b and the first transfer member 3 are relatively moved, and each time the adhesive roller 5b rotates at a predetermined angle, the adhesive roller 5b is placed on the stage 9. It is characterized in that the micro LED 1 is transferred from the placed first transfer member 3 to the adhesive roller 5b.

ここで、粘着ローラ5bと第1の転写部材3とを相対的に移動させるとは、例えば、粘着ローラ5bを回転させながら、(1)第1の転写部材3をステージ9上で静止状態にさせて、粘着ローラ5bを一軸方向(図中左方向)に移動させることと、(2)粘着ローラ5bは回転駆動のみとし、ステージ9上に載置されている第1の転写部材3を一軸方向(図中右方向)に移動させることと、が含まれる。工程S4では、上記(1)を採用している。ここで、上記(1)を採用する場合には、別途、粘着ローラ5bを一軸方向に移動させる機構が転写用装置に組み込まれる。 Here, moving the adhesive roller 5b and the first transfer member 3 relative to each other means, for example, that (1) the first transfer member 3 is made stationary on the stage 9 while rotating the adhesive roller 5b. The adhesive roller 5b is moved in a uniaxial direction (left direction in the figure), and (2) the adhesive roller 5b is driven only by rotation, and the first transfer member 3 mounted on the stage 9 is uniaxially driven. Includes moving in the direction (to the right in the figure). In step S4, the above (1) is adopted. Here, when the above (1) is adopted, a mechanism for moving the adhesive roller 5b in the uniaxial direction is separately incorporated in the transfer device.

図11(a)に示す粘着ローラ5bは、ローラ51bと、そのローラ51bの周面に粘着シート52bが貼り付けられている。粘着ローラ5bは、回転軸53bを軸中心として回転するものである。この粘着シート52bは、上述した粘着シート5aと同じもの(高耐熱粘着シート(京写株式会社製))である。第2実施形態では、粘着シート52bを両面テープとして用いるため、粘着シート52bの一方の粘着剤層(図示省略)がローラ51bに貼り付いており、他方の粘着剤層(図示省略)にマイクロLED1が貼り付くことになる。したがって、粘着シート52bの形状はローラ状になる。 In the adhesive roller 5b shown in FIG. 11A, an adhesive sheet 52b is attached to the roller 51b and the peripheral surface of the roller 51b. The adhesive roller 5b rotates around the rotation shaft 53b. The adhesive sheet 52b is the same as the adhesive sheet 5a described above (high heat resistant adhesive sheet (manufactured by Kyosha Co., Ltd.)). In the second embodiment, since the adhesive sheet 52b is used as a double-sided tape, one adhesive layer (not shown) of the adhesive sheet 52b is attached to the roller 51b, and the micro LED1 is attached to the other adhesive layer (not shown). Will be stuck. Therefore, the shape of the adhesive sheet 52b is a roller shape.

図11(a)において、工程S4では、ステージ9に載置された第1の転写部材3上のマイクロLED1と、粘着ローラ5bとを位置合わせする。工程S4では、第1の転写部材3上のマイクロLED1を撮像カメラで確認して位置を合わせる。 In FIG. 11A, in step S4, the micro LED 1 on the first transfer member 3 mounted on the stage 9 and the adhesive roller 5b are aligned with each other. In step S4, the micro LED 1 on the first transfer member 3 is confirmed by an image pickup camera and aligned.

なお、一例として、図4に示す基板2を使用して各々のマイクロLED1を第1の転写部材3に転写しているため、1回の転写で1列のマイクロLED1として5個単位で粘着ローラ5bに転写されることになる。図4に示すように、基板2のマイクロLED1の配列が5行12列になっており、1列に5個のマイクロLED1が形成されているためである。 As an example, since each micro LED 1 is transferred to the first transfer member 3 using the substrate 2 shown in FIG. 4, the adhesive rollers are used as one row of micro LEDs 1 in a single transfer. It will be transferred to 5b. This is because, as shown in FIG. 4, the arrangement of the micro LEDs 1 on the substrate 2 is 5 rows and 12 columns, and 5 micro LEDs 1 are formed in one column.

工程S4では、図11(b)において、ステージ9を鉛直上向き方向に上昇させ、ローラ状の粘着ローラ5bのローラ面に設けられている粘着シート52bをマイクロLED1に接触させる。この状態下では、粘着シート52bのマイクロLED1への粘着力が、第1の転写部材3に貼り付いているマイクロLED1への粘着力よりも5倍程度強い。そのため、工程S4では、粘着ローラ5bを回転させると共に、粘着ローラ5bを一軸方向(図中左方向)に移動させることにより、マイクロLED1を粘着シート52bに転写することができる。 In step S4, in FIG. 11B, the stage 9 is raised vertically upward, and the adhesive sheet 52b provided on the roller surface of the roller-shaped adhesive roller 5b is brought into contact with the micro LED1. Under this state, the adhesive force of the adhesive sheet 52b to the micro LED 1 is about 5 times stronger than the adhesive force to the micro LED 1 attached to the first transfer member 3. Therefore, in step S4, the micro LED1 can be transferred to the adhesive sheet 52b by rotating the adhesive roller 5b and moving the adhesive roller 5b in the uniaxial direction (left direction in the figure).

このようにして、工程S4では、粘着ローラ5bを回転させながら、図11(b)に示すように一軸方向(図中左方向)に粘着ローラ5bを移動させていくと、図11(c)に示すように、全てのマイクロLED1を、粘着シート52bを介して粘着ローラ5bに容易に転写させることができる。なお、説明を分かりやすくするため、粘着ローラ5bには、30度の角度ピッチでマイクロLED1が一列毎に転写されている。但し、実際には、転写させたいマイクロLED1の数に応じて、角度ピッチが定まる。 In this way, in step S4, while rotating the adhesive roller 5b, the adhesive roller 5b is moved in the uniaxial direction (left direction in the figure) as shown in FIG. 11 (b). As shown in, all the micro LEDs 1 can be easily transferred to the adhesive roller 5b via the adhesive sheet 52b. In order to make the explanation easy to understand, the micro LEDs 1 are transferred to the adhesive roller 5b at an angle pitch of 30 degrees for each row. However, in reality, the angular pitch is determined according to the number of micro LEDs 1 to be transferred.

ここで、工程S4が終了すると、転写用装置は、粘着ローラ5bを図11(a)に示す初期状態の設定位置に戻すと共に、ステージ9を下降させた後、第1の転写部材3を取り除き、次の工程S5で使用する基板6をステージ9上に載置する。 Here, when the step S4 is completed, the transfer device returns the adhesive roller 5b to the set position in the initial state shown in FIG. 11A, lowers the stage 9, and then removes the first transfer member 3. , The substrate 6 used in the next step S5 is placed on the stage 9.

次に、電子部品の実装(工程S5)の処理を実行する。図12は、本発明による電子部品実装方法の第2実施形態における電子部品の実装の工程を示す説明図である。工程S5では、上記転写用装置を用いて、上記粘着ローラ5bを予め定めた角度ずつ回転させると共に、粘着ローラ5b(第2の転写部材5)と基板6とを相対的に移動させて、粘着ローラ5bが予め定めた角度で回転する毎に、マイクロLED1を粘着ローラ5bから基板6に転写する処理を実行する。なお、粘着ローラ5bと基板6とを相対的に移動させるとは、(1)粘着ローラ5bを回転駆動のみとし、基板6を一軸方向(図中右方向)に移動させることと、(2)基板6をステージ9上で静止状態にし、粘着ローラ5bを回転駆動及び一軸方向(図中左方向)に移動させることと、が含まれる。工程S5では、上記(1)を採用している。 Next, the process of mounting the electronic component (process S5) is executed. FIG. 12 is an explanatory diagram showing a process of mounting electronic components in the second embodiment of the electronic component mounting method according to the present invention. In step S5, the adhesive roller 5b is rotated by a predetermined angle by using the transfer device, and the adhesive roller 5b (second transfer member 5) and the substrate 6 are relatively moved to adhere to each other. Every time the roller 5b rotates at a predetermined angle, a process of transferring the micro LED 1 from the adhesive roller 5b to the substrate 6 is executed. The relative movement of the adhesive roller 5b and the substrate 6 means that (1) the adhesive roller 5b is only rotationally driven and the substrate 6 is moved in the uniaxial direction (right direction in the figure), and (2). This includes resting the substrate 6 on the stage 9, driving the adhesive roller 5b to rotate, and moving the adhesive roller 5b in the uniaxial direction (left direction in the figure). In step S5, the above (1) is adopted.

工程S5では、図12(a)に示すとおり、粘着シート52bに転写された1列のマイクロLED1と、基板6の1列のバンプ電極63との位置を合わせる。具体的には、工程S5では、基板6のバンプ電極63と、各マイクロLED1が転写された粘着シート52bとを撮像カメラで確認して位置を合わせる。図12(a)は、位置合わせをした状態を示している。すなわち、基板6の一列のバンプ電極63と、鉛直方向に対向する1列のマイクロLED1の電極部10とが位置合わせされる。なお、図12では、図8に示す接着層64については、図示を省略している。 In step S5, as shown in FIG. 12A, the positions of the one row of micro LEDs transferred to the adhesive sheet 52b and the one row of bump electrodes 63 of the substrate 6 are aligned. Specifically, in step S5, the bump electrode 63 of the substrate 6 and the adhesive sheet 52b to which each micro LED 1 is transferred are confirmed by an image pickup camera and aligned. FIG. 12A shows a state of alignment. That is, the bump electrodes 63 in a row of the substrate 6 and the electrode portions 10 of the micro LEDs 1 in a row facing in the vertical direction are aligned with each other. In FIG. 12, the adhesive layer 64 shown in FIG. 8 is not shown.

続いて、工程S5では、ステージ9を上昇させることにより、最初の1列のマイクロLED1の電極部10(図4(b)参照)と1列のバンプ電極63とを当接させる。この場合、上記第1実施形態と同様にして、工程S5では、予めバンプ電極63の表面にSnやInの半田層を形成しておき、マイクロLED1の電極部10側には、化学的に安定な金属であるAuを形成しておく。その後、工程S5では、マイクロLED1の電極部10とバンプ電極63とに対して、AuとSn又はAuとInによる合金が界面に形成される半田付けを1列毎に実行して電気的に接続する。また、マイクロLED1の周囲には、1列毎に接着させる局所加熱により、接着層64(図8参照)がマイクロLED1の周囲を囲むようにして、そのマイクロLED1を接着固定する。図12(b)は、最初の1列のマイクロLED1が電気的及び機械的に基板6に接続された状態を示している。 Subsequently, in step S5, by raising the stage 9, the electrode portion 10 (see FIG. 4B) of the first row of micro LEDs 1 and the bump electrode 63 of one row are brought into contact with each other. In this case, in the same manner as in the first embodiment, in step S5, a solder layer of Sn or In is formed in advance on the surface of the bump electrode 63, and the electrode portion 10 side of the micro LED 1 is chemically stable. Au, which is a metal, is formed. After that, in step S5, the electrode portion 10 of the micro LED1 and the bump electrode 63 are electrically connected by soldering one row at a time to form an alloy of Au and Sn or Au and In at the interface. do. Further, the adhesive layer 64 (see FIG. 8) surrounds the periphery of the micro LED1 by local heating to be adhered to the periphery of the micro LED 1 in each row, and the micro LED 1 is adhered and fixed. FIG. 12B shows a state in which the first row of micro LEDs 1 are electrically and mechanically connected to the substrate 6.

次に、工程S5では、ステージ9の移動速度と粘着ローラ5bの回転速度とを同期させながら、一列のマイクロLED1を基板6に順次実装していく。具体的には、粘着ローラ5bには、上述した工程S4において、30度の角度ピッチでマイクロLED1が一列毎に転写されているので、粘着ローラ5bを反時計回りに30度回転させる回転速度と、ステージ9の移動速度(図中、右向き)とを同期させる。ここで、粘着ローラ5bを反時計回りに30度回転する毎に、マイクロLED1の配列ピッチが間隔P2の距離だけ移動するので、ステージ9は、基板6のバンプ電極63の画素ピッチとして間隔P3の距離だけ移動させる。これにより、マイクロLED1の配列ピッチとバンプ電極63の画素ピッチとを一致させることができる。 Next, in step S5, a row of micro LEDs 1 are sequentially mounted on the substrate 6 while synchronizing the moving speed of the stage 9 and the rotation speed of the adhesive roller 5b. Specifically, since the micro LEDs 1 are transferred to the adhesive roller 5b in each row at an angle pitch of 30 degrees in the above-mentioned step S4, the rotation speed of rotating the adhesive roller 5b counterclockwise by 30 degrees , Synchronize with the movement speed of stage 9 (pointing to the right in the figure). Here, every time the adhesive roller 5b is rotated counterclockwise by 30 degrees, the arrangement pitch of the micro LEDs 1 moves by the distance of the interval P2, so that the stage 9 has the interval P3 as the pixel pitch of the bump electrode 63 of the substrate 6. Move only the distance. As a result, the arrangement pitch of the micro LED 1 and the pixel pitch of the bump electrode 63 can be matched.

この場合、ステージ9の移動速度と粘着ローラ5bの回転速度とを同期させると、最初の一列のマイクロLED1に対して、粘着ローラ5bの粘着力よりも、基板6の接着力の方が強いため、これらのマイクロLED1は、粘着ローラ5bから基板6に転写されて実装されることになる。 In this case, when the moving speed of the stage 9 and the rotation speed of the adhesive roller 5b are synchronized, the adhesive force of the substrate 6 is stronger than the adhesive force of the adhesive roller 5b with respect to the first row of micro LEDs 1. , These micro LEDs 1 are transferred from the adhesive roller 5b to the substrate 6 and mounted.

そして、粘着ローラ5bが30度回転すると、次の一列のマイクロLED1とが接触し、マイクロLED1の電極部10と、基板6上のバンプ電極63とが位置決めされる。すると、工程S5では、上述したとおり、次の1列のマイクロLED1の電極部10と次の1列のバンプ電極63とを電気的及び機械的に基板6に接続する。図12(c)は、次の1列のマイクロLED1が接着固定により電気的及び機械的に基板6に接続された状態を示している。 Then, when the adhesive roller 5b is rotated by 30 degrees, the next row of micro LEDs 1 comes into contact with each other, and the electrode portion 10 of the micro LEDs 1 and the bump electrode 63 on the substrate 6 are positioned. Then, in step S5, as described above, the electrode portion 10 of the next row of micro LEDs 1 and the bump electrode 63 of the next row are electrically and mechanically connected to the substrate 6. FIG. 12 (c) shows a state in which the next row of micro LEDs 1 are electrically and mechanically connected to the substrate 6 by adhesive fixing.

以後、同様の処理を繰り返していくことにより、全てのマイクロLED1を基板6に実装させることができる。図12(d)は、全てのマイクロLED1を基板6に実装させた状態を示している。なお、図12(d)は、説明の便宜上、ステージ9が一軸方向(図中右方向)に移動を完了した状態を示しており、粘着ローラ5bの位置は、図12(a)~(c)と同じ位置にあることを意味している。 After that, by repeating the same process, all the micro LEDs 1 can be mounted on the substrate 6. FIG. 12D shows a state in which all the micro LEDs 1 are mounted on the substrate 6. Note that FIG. 12 (d) shows a state in which the stage 9 has completed the movement in the uniaxial direction (right direction in the figure) for convenience of explanation, and the positions of the adhesive rollers 5b are shown in FIGS. 12 (a) to 12 (c). ) Means that it is in the same position.

ここで、第1実施形態では、粘着シート5aと基板6とは面的に粘着され貼り合わされた後、マイクロLED1が転写されて基板6に接着固定される。これに対して、第2実施形態では、粘着ローラ5bの一列のマイクロLED1が線的に基板6に接着固定されていくので、第1実施形態のように粘着シート5aを基板6に面的に粘着させる必要がなく、さらに、第1実施形態のように粘着シート5aを基板6から剥がす処理も不要となる。 Here, in the first embodiment, the pressure-sensitive adhesive sheet 5a and the substrate 6 are surface-adhered and bonded to each other, and then the micro LED 1 is transferred and bonded and fixed to the substrate 6. On the other hand, in the second embodiment, the micro LEDs 1 in a row of the adhesive rollers 5b are linearly adhered and fixed to the substrate 6, so that the adhesive sheet 5a is surface-based on the substrate 6 as in the first embodiment. It is not necessary to make them adhere to each other, and it is not necessary to remove the adhesive sheet 5a from the substrate 6 as in the first embodiment.

以上より、本発明の電子部品実装方法の第2実施形態によれば、第1実施形態と同様、第1の転写部材3の粘着力を低下させる工程において、酸素に対する暴露を防ぐ処理を施した後に紫外線を第1の転写部材3に照射して、その第1の転写部材3の粘着力を低下させているので、酸素に対する暴露による悪影響を受けずに済み、マイクロLED1等の電子部品が容易に第1の転写部材3に転写され、マイクロLED1等の電子部品の実装時の歩留りを向上させることができる。 From the above, according to the second embodiment of the electronic component mounting method of the present invention, as in the first embodiment, in the step of reducing the adhesive strength of the first transfer member 3, a treatment for preventing exposure to oxygen was performed. Later, the first transfer member 3 is irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesive strength of the first transfer member 3, so that the first transfer member 3 is not adversely affected by exposure to oxygen, and electronic components such as the micro LED 1 are easy to use. It is transferred to the first transfer member 3 and can improve the yield at the time of mounting an electronic component such as a micro LED 1.

[マイクロLEDディスプレイの製造方法]
次に、マイクロLEDディスプレイの製造方法について説明する。図13は、本発明によるマイクロLEDディスプレイの製造方法の工程を示す流れ図である。マイクロLEDディスプレイの製造方法では、上記電子部品実装方法を採用している点を特徴としている。つまり、本製造方法では、上述した上記電子部品実装方法を実行した後に、基板6の上層に蛍光体セル12aを行列状に配置した蛍光体セルアレイ12を形成することにより、外部からの電力の供給によりフルカラー表示が可能なマイクロLEDディスプレイ(図18参照)を製造する。
[Manufacturing method of micro LED display]
Next, a method of manufacturing a micro LED display will be described. FIG. 13 is a flow chart showing a process of a method for manufacturing a micro LED display according to the present invention. The method for manufacturing a micro LED display is characterized in that the above-mentioned electronic component mounting method is adopted. That is, in the present manufacturing method, after executing the above-mentioned electronic component mounting method described above, power is supplied from the outside by forming a phosphor cell array 12 in which the phosphor cells 12a are arranged in a matrix on the upper layer of the substrate 6. To manufacture a micro LED display (see FIG. 18) capable of full-color display.

本実施形態においては、例えば、紫外光発光ダイオード(UV-LED)等の短波長の光を発光するLEDとRGB蛍光体とを組み合わせてフルカラー表示を実現する方式を採用する。この場合、マイクロLED1の光放出面側には、紫外又は青色波長帯の光を予め定められた対応色に各々変換するRGB蛍光体を有する蛍光体セル12aが設けられる(図17参照)。 In this embodiment, for example, a method of realizing full-color display by combining an LED that emits light having a short wavelength such as an ultraviolet light emitting diode (UV-LED) and an RGB phosphor is adopted. In this case, on the light emitting surface side of the micro LED 1, a phosphor cell 12a having an RGB phosphor that converts light in the ultraviolet or blue wavelength band into a predetermined corresponding color is provided (see FIG. 17).

具体的には、マイクロLEDの実装(工程S11)では、図1を用いて説明した電子部品実装方法の各工程を実行する。これにより、マイクロLED1が基板6に実装される(図8参照)。 Specifically, in the mounting of the micro LED (step S11), each step of the electronic component mounting method described with reference to FIG. 1 is executed. As a result, the micro LED 1 is mounted on the substrate 6 (see FIG. 8).

次に、平坦化膜の形成(工程S12)について説明する。工程S12では、後述する蛍光体セルアレイ12(図16参照)を接着して支持する平板状の平坦化膜11を基板6上に形成する。平板状の平坦化膜11は、感光性熱硬化型の接着層としての機能を有する。 Next, the formation of the flattening film (step S12) will be described. In step S12, a flat plate-shaped flattening film 11 for adhering and supporting a fluorescent material cell array 12 (see FIG. 16), which will be described later, is formed on the substrate 6. The flat plate-shaped flattening film 11 has a function as a photosensitive thermosetting adhesive layer.

図14は、平坦化膜の形成の工程を示す説明図である。(a)は、平坦化膜11をさらに積層した基板6の平面図である。(b)は、(a)の破線で囲む領域R1の3つのマイクロLED1のA-A線断面図である。工程S12では、例えばマイクロディスペンサーを用いて、基板6上に感光性熱硬化型接着剤を高さ方向が一定になるように制御しながら塗布する。 FIG. 14 is an explanatory diagram showing a process of forming a flattening film. (A) is a plan view of the substrate 6 in which the flattening film 11 is further laminated. (B) is a cross-sectional view taken along the line AA of the three micro LEDs 1 in the region R1 surrounded by the broken line in (a). In step S12, for example, a microdispenser is used to apply the photosensitive thermosetting adhesive onto the substrate 6 while controlling the height direction to be constant.

続いて、工程S12では、フォトリソグラフィーにより、感光性熱硬化型接着剤を露光して平坦化膜11を成膜する。図14(b)において、基板6上には、バンプ電極63とマイクロLED1の電極部10とが接続しており、その周囲を接着層64がマイクロLED1を接着固定している。そして、さらに平坦化膜11がその基板6上を平坦化している。この際、図14(b)に示すマイクロLED1の光放出面1dには、感光性熱硬化型接着剤が成膜されないようにすることが好ましい。 Subsequently, in step S12, the photosensitive thermosetting adhesive is exposed by photolithography to form a flattening film 11. In FIG. 14B, the bump electrode 63 and the electrode portion 10 of the micro LED 1 are connected to the substrate 6, and the adhesive layer 64 adheres and fixes the micro LED 1 around the bump electrode 63. Further, the flattening film 11 flattens the substrate 6. At this time, it is preferable that the photosensitive thermosetting adhesive is not formed on the light emitting surface 1d of the micro LED1 shown in FIG. 14 (b).

次に、蛍光体セルアレイの形成(工程S13)について説明する。工程S13では、サファイア基板2a上に、マイクロLED1の配列に応じて配置が定まる蛍光体セル12aを複数有する蛍光体セルアレイ12を形成する。 Next, the formation of the fluorophore cell array (step S13) will be described. In step S13, a phosphor cell array 12 having a plurality of phosphor cells 12a whose arrangement is determined according to the arrangement of the micro LEDs 1 is formed on the sapphire substrate 2a.

図15は、蛍光体セルの形成の工程を示す説明図である。工程S13では、リブ構造の形成及び蛍光材の充填からなる。リブ構造の形成には、図15に示すとおり、隔壁14の形成、金属膜13の形成、金属膜13のレーザ加工が含まれる。詳細には、工程S13では、サファイア基板2a上に蛍光レジストを全面に塗布して、フォトリソグラフィーにより隔壁14のパターンを形成する。 FIG. 15 is an explanatory diagram showing a process of forming a fluorescent substance cell. Step S13 comprises forming a rib structure and filling with a fluorescent material. As shown in FIG. 15, the formation of the rib structure includes the formation of the partition wall 14, the formation of the metal film 13, and the laser processing of the metal film 13. Specifically, in step S13, a fluorescent resist is applied to the entire surface of the sapphire substrate 2a, and a pattern of the partition wall 14 is formed by photolithography.

続いて、工程S13では、混色を防止するために、隔壁14内部を金属膜13でメタルコートし、底面のみをパルスレーザを照射してアブレーションにより金属膜13を剥離する。さらに、工程S13では、赤色の蛍光色素を充填した蛍光材層12R、緑色の蛍光色素を充填した蛍光材層12G、青色の蛍光色素を充填した蛍光材層12Bを形成する。これにより、蛍光体セル12aが形成される。このようにして、サファイア基板2a上に蛍光体セル12aを行列状に複数有する蛍光体セルアレイ12が形成される。 Subsequently, in step S13, in order to prevent color mixing, the inside of the partition wall 14 is metal-coated with a metal film 13, and only the bottom surface is irradiated with a pulse laser to peel off the metal film 13 by ablation. Further, in step S13, a fluorescent material layer 12R filled with a red fluorescent dye, a fluorescent material layer 12G filled with a green fluorescent dye, and a fluorescent material layer 12B filled with a blue fluorescent dye are formed. As a result, the phosphor cell 12a is formed. In this way, a fluorescent material cell array 12 having a plurality of fluorescent material cells 12a in a matrix is formed on the sapphire substrate 2a.

図16は、蛍光体セルアレイ12の平面図である。蛍光体セルアレイ12は、サファイア基板2a上に、蛍光材層12R、蛍光材層12G、蛍光材層12Bで構成される蛍光発光層を有する蛍光体セル12aをマトリクス状に配置したものである。 FIG. 16 is a plan view of the fluorescent material cell array 12. The phosphor cell array 12 is a matrix of fluorescent cell 12a having a fluorescent light emitting layer composed of a fluorescent material layer 12R, a fluorescent material layer 12G, and a fluorescent material layer 12B arranged on a sapphire substrate 2a.

次に、マイクロLEDディスプレイの形成(工程S14)について説明する。図17は、マイクロLEDディスプレイの形成の工程を示す説明図である。工程S14では、上記基板貼り合わせ装置等の実装装置を使用することにより、先ず、マイクロLED1を実装した基板6と蛍光体セルアレイ12を有する基板2aとを貼り合わせる。 Next, the formation of the micro LED display (step S14) will be described. FIG. 17 is an explanatory diagram showing a process of forming a micro LED display. In step S14, by using a mounting device such as the substrate bonding device, first, the substrate 6 on which the micro LED 1 is mounted and the substrate 2a having the phosphor cell array 12 are bonded.

図17(a)は、マイクロLED1を実装した基板6と蛍光体セルアレイ12を有する基板2aとを貼り合わせた状態を示している。但し、図17では、説明を分かりやすくするため、蛍光体セルアレイ12の構成単位である蛍光体セル12aに着目し、図16に示すB-B線断面図のうちの1つの蛍光体セル12a及びその下層に位置する3つのマイクロLED1を含む基板6を描いている。この場合、基板6の3つのマイクロLED1と、1つの蛍光体セル12aの各蛍光材層12R,12G,12Bとが各々接続することになる。図17に示す符号については、既に、図14(b)、図15で説明したとおりである。 FIG. 17A shows a state in which the substrate 6 on which the micro LED 1 is mounted and the substrate 2a having the phosphor cell array 12 are bonded together. However, in FIG. 17, for the sake of clarity, the fluorescent cell 12a, which is a constituent unit of the fluorescent cell array 12, is focused on, and the fluorescent cell 12a and one of the cross-sectional views taken along the line BB shown in FIG. A substrate 6 including three micro LEDs 1 located below the micro LED 1 is drawn. In this case, the three micro LEDs 1 of the substrate 6 and the fluorescent material layers 12R, 12G, and 12B of one fluorescent cell 12a are connected to each other. The reference numerals shown in FIG. 17 have already been described with reference to FIGS. 14 (b) and 15.

工程S14では、平坦化膜11を加熱硬化し、蛍光体セルアレイ12を基板6に固着する。続いて、工程S14では、サファイア基板2aから蛍光体セルアレイ12をレーザリフトオフする。図17(b)は、工程S14により、レーザリフトオフを模式的に示している。これにより、マイクロLEDディスプレイ100が形成される。 In step S14, the flattening film 11 is heat-cured and the phosphor cell array 12 is fixed to the substrate 6. Subsequently, in step S14, the phosphor cell array 12 is laser lifted off from the sapphire substrate 2a. FIG. 17B schematically shows the laser lift-off by the step S14. As a result, the micro LED display 100 is formed.

図18は、マイクロLEDディスプレイ100の平面図である。マイクロLEDディスプレイ100は、マイクロLED1を実装した基板2上に、蛍光体セル12aを複数有する蛍光体セルアレイ12を形成したものである。 FIG. 18 is a plan view of the micro LED display 100. In the micro LED display 100, a phosphor cell array 12 having a plurality of phosphor cells 12a is formed on a substrate 2 on which a micro LED 1 is mounted.

以上より、本実施形態では、基板6に複数のマイクロLED1を実装する電子部品実装方法を採用したマイクロLEDディスプレイの製造方法を適用することにより、マイクロLED1等の電子部品の実装時の歩留りを向上させたマイクロLEDディスプレイを製造することができる。 Based on the above, in the present embodiment, the yield at the time of mounting electronic components such as the micro LED 1 is improved by applying the manufacturing method of the micro LED display that employs the electronic component mounting method of mounting the plurality of micro LEDs 1 on the substrate 6. It is possible to manufacture a micro LED display.

これにより、本発明のマイクロLEDディスプレイの製造方法により製造されたマイクロLEDディスプレイを表示パネルとして流通させることができる。さらに、例えば表示部を有する電子機器(一例としてスマートフォン)の製造段階で、表示部として、本発明のマイクロLEDディスプレイの製造方法により製造されたマイクロLEDディスプレイが組み込まれた場合、このマイクロLEDディスプレイは、電力の供給を受けることにより映像をフルカラー表示することができる。 Thereby, the micro LED display manufactured by the method for manufacturing the micro LED display of the present invention can be distributed as a display panel. Further, for example, when a micro LED display manufactured by the method for manufacturing a micro LED display of the present invention is incorporated as a display unit at the manufacturing stage of an electronic device having a display unit (for example, a smartphone), the micro LED display is used. By receiving the power supply, the image can be displayed in full color.

上述した実施形態は、本発明が理解及び実施できる程度に示したものであり、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲を逸脱しない限り種々に変更及び修正をすることができる。 The above-described embodiments are shown to the extent that the present invention can be understood and implemented, and the present invention is not limited thereto. The present invention can be variously modified and modified as long as it does not deviate from the scope of the technical idea shown in the claims.

1…マイクロLED(電子部品)
2…光透過性基板
3…第1の転写部材
4…保護フィルム
5…第2の転写部材
5a…粘着シート
5b…粘着ローラ
6…基板
7…真空チャンバー
8…窒素ガスチャンバー
11…平坦化膜
12…蛍光体セルアレイ
12a…蛍光体セル
100…マイクロLEDディスプレイ
1 ... Micro LED (electronic component)
2 ... Light-transmitting substrate 3 ... First transfer member 4 ... Protective film 5 ... Second transfer member 5a ... Adhesive sheet 5b ... Adhesive roller 6 ... Substrate 7 ... Vacuum chamber 8 ... Nitrogen gas chamber 11 ... Flattening film 12 ... Fluorescent cell array 12a ... Fluorescent cell 100 ... Micro LED display

Claims (9)

回路を搭載した基板に電子部品を実装する電子部品実装方法であって、
一方の面に予め定められた配列に従って複数の電子部品が形成されている光透過性基板に、紫外線照射により粘着力が低下する第1の転写部材を貼り付ける工程と、
前記光透過性基板から電子部品を剥離させるレーザリフトオフにより、前記第1の転写部材の一方の面に前記電子部品を転写する工程と、
前記電子部品が転写された前記第1の転写部材に対して、酸素に対する暴露を防ぐ処理を施した後、紫外線を前記第1の転写部材に照射して、該第1の転写部材の粘着力を低下させる工程と、
前記粘着力を低下させた第1の転写部材よりも粘着力が強い第2の転写部材を用いて、前記粘着力の差を利用して前記電子部品を前記第1の転写部材から前記第2の転写部材に転写する工程と、
前記第2の転写部材から前記電子部品を前記基板に実装する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品実装方法。
It is an electronic component mounting method that mounts electronic components on a board on which a circuit is mounted.
A step of attaching a first transfer member whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation to a light-transmitting substrate in which a plurality of electronic components are formed according to a predetermined arrangement on one surface.
A step of transferring the electronic component to one surface of the first transfer member by a laser lift-off that separates the electronic component from the light transmissive substrate.
The first transfer member to which the electronic component is transferred is subjected to a treatment for preventing exposure to oxygen, and then the first transfer member is irradiated with ultraviolet rays to obtain an adhesive force of the first transfer member. And the process of reducing
Using a second transfer member having a stronger adhesive force than the first transfer member having a reduced adhesive force, the electronic component can be moved from the first transfer member to the second transfer member by utilizing the difference in the adhesive force. The process of transferring to the transfer member of
The step of mounting the electronic component on the substrate from the second transfer member, and
An electronic component mounting method characterized by including.
前記第1の転写部材の粘着力を低下させる工程では、前記電子部品が転写された前記第1の転写部材の一方の面に保護フィルムを貼り付けた後に、紫外線を前記第1の転写部材に照射することを特徴とする請求項1に記載の電子部品実装方法。 In the step of reducing the adhesive strength of the first transfer member, after a protective film is attached to one surface of the first transfer member to which the electronic component is transferred, ultraviolet rays are applied to the first transfer member. The electronic component mounting method according to claim 1, wherein the irradiation is performed. 前記第1の転写部材の粘着力を低下させる工程では、予め設定した真空度の真空チャンバー内で、紫外線を前記第1の転写部材に照射することを特徴とする請求項1に記載の電子部品実装方法。 The electronic component according to claim 1, wherein in the step of reducing the adhesive force of the first transfer member, ultraviolet rays are irradiated to the first transfer member in a vacuum chamber having a preset vacuum degree. Implementation method. 前記第1の転写部材の粘着力を低下させる工程では、窒素を充填した窒素ガスチャンバー内で、紫外線を前記第1の転写部材に照射することを特徴とする請求項1に記載の電子部品実装方法。 The electronic component mounting according to claim 1, wherein in the step of reducing the adhesive strength of the first transfer member, ultraviolet rays are irradiated to the first transfer member in a nitrogen gas chamber filled with nitrogen. Method. 前記第2の転写部材に転写する工程では、前記第2の転写部材として平板状の粘着シートを用いて、前記第1の転写部材に前記粘着シートを貼り付けて、前記第1の転写部材を剥がすことにより、前記電子部品を前記第1の転写部材から前記粘着シートに転写することを特徴とする請求項1に記載の電子部品実装方法。 In the step of transferring to the second transfer member, a flat plate-shaped pressure-sensitive adhesive sheet is used as the second transfer member, the pressure-sensitive adhesive sheet is attached to the first transfer member, and the first transfer member is attached. The method for mounting an electronic component according to claim 1, wherein the electronic component is transferred from the first transfer member to the pressure-sensitive adhesive sheet by peeling off the electronic component. 前記電子部品を前記基板に実装する工程では、前記粘着シートと前記基板とを位置合わせして、前記基板に前記粘着シートを貼り付けて、前記基板に前記電子部品を接着固定した後に、前記粘着シートを前記基板から剥がすことを特徴とする請求項5に記載の電子部品実装方法。 In the step of mounting the electronic component on the substrate, the adhesive sheet and the substrate are aligned, the adhesive sheet is attached to the substrate, the electronic component is bonded and fixed to the substrate, and then the adhesive is attached. The electronic component mounting method according to claim 5, wherein the sheet is peeled off from the substrate. 前記第2の転写部材に転写する工程では、前記第2の転写部材としてローラ状の粘着ローラを用いて、該粘着ローラを回転させることにより、前記第1の転写部材上の前記電子部品と前記粘着ローラとを接触させて、前記電子部品を前記第1の転写部材から前記粘着ローラに転写することを特徴とする請求項1に記載の部品実装方法。 In the step of transferring to the second transfer member, a roller-shaped adhesive roller is used as the second transfer member, and the adhesive roller is rotated to obtain the electronic component on the first transfer member and the electronic component. The component mounting method according to claim 1, wherein the electronic component is transferred from the first transfer member to the adhesive roller by contacting the adhesive roller. 前記電子部品を前記基板に実装する工程では、前記粘着ローラを予め定めた角度ずつ回転させると共に、前記粘着ローラと前記基板とを相対的に移動させて、前記粘着ローラが予め定めた角度で回転する毎に、前記基板上に前記電子部品を接着固定することを特徴とする請求項7に記載の部品実装方法。 In the step of mounting the electronic component on the substrate, the adhesive roller is rotated by a predetermined angle, and the adhesive roller and the substrate are relatively moved so that the adhesive roller rotates at a predetermined angle. The component mounting method according to claim 7, wherein the electronic component is adhesively fixed on the substrate each time. フルカラー表示が可能なマイクロLEDディスプレイの製造方法であって、
一方の面に予め定められた配列に従って複数のマイクロLEDが形成されている光透過性基板に、紫外線照射により粘着力が低下する第1の転写部材を貼り付ける工程と、
前記光透過性基板から前記マイクロLEDを剥離させるレーザリフトオフにより、前記第1の転写部材の一方の面に前記マイクロLEDを転写する工程と、
前記マイクロLEDが転写された前記第1の転写部材に対して、酸素に対する暴露を防ぐ処理を施した後、紫外線を前記第1の転写部材に照射して、該第1の転写部材の粘着力を低下させる工程と、
前記粘着力を低下させた第1の転写部材よりも粘着力が強い第2の転写部材を用いて、前記粘着力の差を利用して前記マイクロLEDを前記第1の転写部材から前記第2の転写部材に転写する工程と、
前記第2の転写部材から前記マイクロLEDを、回路を搭載した基板に実装する工程と、
前記マイクロLEDが実装された基板上に、平板状の平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜が形成された基板上に、前記マイクロLEDの配列に応じて配置が定まる蛍光体セルを複数有する蛍光体セルアレイを形成する工程と、
を含むことを特徴とするマイクロLEDディスプレイの製造方法。
It is a manufacturing method of a micro LED display capable of full-color display.
A step of attaching a first transfer member whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation to a light transmissive substrate in which a plurality of micro LEDs are formed according to a predetermined arrangement on one surface.
A step of transferring the micro LED to one surface of the first transfer member by a laser lift-off that separates the micro LED from the light transmissive substrate.
After the first transfer member to which the micro LED is transferred is subjected to a treatment for preventing exposure to oxygen, the first transfer member is irradiated with ultraviolet rays, and the adhesive force of the first transfer member is obtained. And the process of reducing
Using a second transfer member having a stronger adhesive force than the first transfer member having a reduced adhesive force, the micro LED can be transferred from the first transfer member to the second transfer member by utilizing the difference in the adhesive force. The process of transferring to the transfer member of
The process of mounting the micro LED from the second transfer member on the substrate on which the circuit is mounted, and
The process of forming a flat plate-shaped flattening film on the substrate on which the micro LED is mounted, and
A step of forming a phosphor cell array having a plurality of phosphor cells whose arrangement is determined according to the arrangement of the micro LEDs on the substrate on which the flattening film is formed.
A method for manufacturing a micro LED display, which comprises.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2022230953A1 (en) * 2021-04-27 2022-11-03 昭和電工マテリアルズ株式会社 Led transfer member and method for producing led device
JP7254394B1 (en) * 2022-12-02 2023-04-10 株式会社写真化学 Electronic component transfer roll and electronic component transfer method
WO2023243634A1 (en) * 2022-06-16 2023-12-21 日東電工株式会社 Transfer sheet

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