JP2022053221A - ハニカム構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】 加熱時のハニカム構造体の均熱性が高いハニカム構造体を提供すること。【解決手段】 多数のセルを区画形成する隔壁を有するハニカム基材と、上記ハニカム基材に形成された電極部と、を備えるハニカム構造体であって、上記電極部は正極部と負極部とからなり、上記正極部と上記負極部のうち一方の電極部である第１電極部は、上記ハニカム基材を長手方向に垂直な方向に切断した、いずれかの断面において、上記ハニカム基材の断面を横切り上記ハニカム基材の外周もしくはその近傍まで直線状に配置されており、上記正極部と上記負極部のうち他方の電極部である第２電極部は、上記ハニカム構造体の長手方向に沿って上記第１電極部と上記第２電極部を投影した投影面において上記第１電極部を挟むように配置されていることを特徴とするハニカム構造体。【選択図】 図１

Description

本発明は、ハニカム構造体に関する。

エンジンから排出された排ガス中に含まれる有害物質を浄化するため、排気管の経路には、排ガス浄化が可能な触媒を担持したハニカム基材を備える排ガス浄化装置が設けられている。
排ガス浄化装置による有害物質の浄化効率を高めるためには、排ガス浄化装置の内部の温度を触媒活性化に適した温度（以下、触媒活性化温度ともいう）に維持する必要がある。

しかし、排ガス浄化装置を構成するハニカム基材を直接加熱する手段を備えていない車両では、車両が運転を開始した直後には、排ガスの温度が低いため、排ガス浄化装置の内部の温度が触媒活性化温度まで達せず、有害物質の排出を有効に防止することが難しかった。
また、ハイブリッド車両で、上記ハニカム基材を直接加熱する手段を備えていないものでは、モータが稼働し、エンジンが停止している際には、排ガス浄化装置内部の温度が低下し、触媒活性化温度より低い温度になってしまうことがある。この場合も有害物質の排出を有効に防止することが難しかった。

このような問題を解消するために、ハニカム基材自体を通電により発熱する発熱体とし、必要な場合に、排ガス浄化装置内部の温度を触媒活性化温度以上の温度とする発明が、特許文献１に開示されている。
すなわち、特許文献１には、複数の貫通孔が長手方向に並設された導電性ハニカムユニットを有する略円柱状のハニカム構造体であって、当該ハニカム構造体は、外周と当該ハニカム構造体の中心軸近傍とに、対となる電極を有することを特徴とするハニカム構造体が開示されている。

特許文献２にはセルの延びる方向に直交する断面において、一対の電極部における一方の電極部が、一対の電極部における他方の電極部に対して、ハニカム構造部の中心を挟んで反対側に配設された構造が提案されている。

国際公開第２０１１／１２５２２８号 国際公開第２０１１／１２５８１５号

特許文献１では、ハニカム構造体の外周とハニカム構造体の中心軸近傍とに、対となる電極を有することで、通電加熱が可能となるハニカム構造体が開示されている。
しかしながら、中心軸近傍の電極付近で電流密度が高くなりすぎて、異常発熱することがあり、均熱性が不充分であった。

特許文献２では、一対の電極部が向かい合う方向に電流が流れる。そのため、電極部が向かい合っていない部位において電流密度が低くなり、昇温速度が遅くなることがあった。そのため、加熱時のハニカム構造体の均熱性が不充分となることがあった。

本発明は、上記問題を解決するためになされた発明であり、加熱時のハニカム構造体の均熱性が高いハニカム構造体を提供することを目的とする。

本発明のハニカム構造体は、多数のセルを区画形成する隔壁を有するハニカム基材と、上記ハニカム基材に形成された電極部と、を備えるハニカム構造体であって、上記電極部は正極部と負極部とからなり、上記正極部と上記負極部のうち一方の電極部である第１電極部は、上記ハニカム基材を長手方向に垂直な方向に切断した、いずれかの断面において、上記ハニカム基材の断面を横切り上記ハニカム基材の外周もしくはその近傍まで直線状に配置されており、上記正極部と上記負極部のうち他方の電極部である第２電極部は、上記ハニカム構造体の長手方向に沿って上記第１電極部と上記第２電極部を投影した投影面において上記第１電極部を挟むように配置されていることを特徴とする。ハニカム構造体の長手方向に沿って上記第１電極部と上記第２電極部を投影した投影面において上記第１電極部を挟むように配置されている。

本発明のハニカム構造体では、ハニカム基材を長手方向に垂直な方向に切断したいずれかの断面において、第１電極部がハニカム基材の外周もしくはその近傍まで直線状に配置され、ハニカム構造体の長手方向に沿って第１電極部と第２電極部を投影した投影面に上記投影面において第１電極部を挟むように第２電極部が配置されている。
このような配置であると、第１電極部と第１電極部の上側にある第２電極部（上側第２電極部）との間に電流が流れ、第１電極部と第１電極部の下側にある第２電極部（下側第２電極部）との間に電流が流れる。
第１電極部がハニカム基材の断面を横切り、外周もしくはその近傍まで直線状に配置されているため、直線状の第１電極部と第２電極部の間で電流が流れ、電流密度が極端に低くなる部位が生じにくくなる。そのため、加熱時のハニカム構造体の均熱性が高くなる。

本発明のハニカム構造体において、上記第１電極部では、上記ハニカム基材の上記断面において複数の電極が直線状に並べて配置されていることが好ましい。
第１電極部における直線状の電極構造は、複数の電極が直線状に並べて配置されることによって達成されていてもよい。

本発明のハニカム構造体において、上記第１電極部では、上記ハニカム基材の上記断面において、上記ハニカム基材の上記断面を横切る直線から当該直線の中心付近を除いた箇所に複数の電極が並べて配置されていることが好ましい。
当該直線の中心付近は電流密度が高くなりやすく、温度が高くなりやすい。そのため、電極を形成する際に意図的にその部分だけ電極を配置しないようにすると、その部分の電流密度を下げることができる。その結果、加熱時のハニカム構造体の均熱性をより高くすることができる。加えて、直線状に第１電極部を形成することで、第１電極部の熱膨張によりハニカム構造体が破損することがあるが、電極を形成する際に、ハニカム基材の上記断面を横切る直線から当該直線の中心付近を除くことで、熱膨張による破損を抑えることができる。

本発明のハニカム構造体においては、上記セルの内部に電極が形成されて、上記第１電極部を構成する複数の電極が直線状に配置されていることが好ましい。
セルの内部に電極を形成して第１電極部とする場合、ハニカム基材の構造は従来のハニカム基材と同じにすることができる。また、セルを使用して電極の位置決めをすることができる。

本発明のハニカム構造体においては、上記セルの内部に形成された電極が上記ハニカム基材の端面の外側に引き出し配線によって引き出され、上記ハニカム基材の外部で各引き出し配線が接続されて、各電極同士が接続されることが好ましい。
また、上記各セルの内部に形成された電極同士が上記ハニカム基材の端面で直列に接続され、上記ハニカム基材の外周からハニカム基材の外部に引き出されることも好ましい。
電極の引き出し配線の形態は特に限定されるものではないが、ハニカム基材の外周から引きだす場合は引き出し配線が排ガスの流れを阻害しないのでより好ましい。

本発明のハニカム構造体においては、上記第１電極部は板状電極であって、上記板状電極は分割されたハニカム基材により挟まれていることが好ましい。
板状電極を分割されたハニカム基材により挟むことで、電極の形成が容易になる。

本発明のハニカム構造体において、上記第２電極部を構成する電極は、上記セルの内部に形成された電極であることが好ましい。
セルの内部に電極を形成して第２電極部とする場合、ハニカム基材の構造は従来のハニカム基材と同じにすることができる。また、セルを使用して電極の位置決めをすることができる。

本発明のハニカム構造体においては、上記セルの内部に形成された電極が上記ハニカム基材の端面の外側に引き出し配線によって引き出され、上記ハニカム基材の外部で各引き出し配線が接続されて、各電極同士が接続されることが好ましい。
また、上記セルの内部に形成された電極同士がハニカム基材の端面で直列に接続され、上記ハニカム基材の外周からハニカム基材の外部に引き出されることが好ましい。

本発明のハニカム構造体において、上記第２電極部は、上記ハニカム基材の外周に設けられた面電極であることが好ましい。
第２電極部の構造は従来のハニカム構造体において用いられる、外周に設けられた電極であってもよい。

本発明のハニカム構造体においては、上記電極部が、上記第１電極部と極性が同じである第３電極部をさらに備え、上記第３電極部は、上記ハニカム構造体の上記投影面において、上記第３電極部と上記第１電極部とで上記第２電極部を挟むように配置されており、上記第１電極部と上記第３電極部は並列に接続されていることが好ましい。
このような構造であると第１電極部と第２電極部の間で電流が流れ、さらに第２電極部と第３電極部の間で電流が流れる。このような形態であっても加熱時のハニカム構造体の均熱性を高めることができる。また、第３電極部のように電極部を多数形成することで、より低電圧でもハニカム構造体を昇温することが可能となる。これにより、漏電時の危険性を低減することができる。

本発明のハニカム構造体においては、上記ハニカム基材が正温度係数を有する抵抗発熱体であることが好ましい。
ハニカム基材が正温度係数を有する抵抗発熱体であると、温度が上昇するとともに抵抗値が上昇して電流が流れにくくなるので、均熱性の高いハニカム構造体となる。

図１Ａは、本発明のハニカム構造体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１Ｂは、図１Ａに示すハニカム構造体の長手方向に沿った投影図である。 図２は、セルの内部に形成された第１電極部の形態の例を模式的に示す拡大斜視図である。 図３は、セルの内部に形成された第１電極部の別の形態の例を模式的に示す拡大斜視図である。 図４は、本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示す斜視図である。 図５は、セルの内部に形成された第２電極部の形態の例を模式的に示す拡大斜視図である。 図６は、本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示す斜視図である。 図７Ａは、本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示す斜視図であり、図７Ｂは、図７Ａに示すハニカム構造体の長手方向に沿った投影図であり、図７Ｃは、図７Ａに示すハニカム構造体の左右方向から見た投影図である。 図８Ａは、本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示す斜視図であり、図８Ｂは、図８Ａに示すハニカム構造体の長手方向に沿った投影図であり、図８Ｃは、図８Ａに示すハニカム構造体の左右方向から見た投影図である。 図９Ａは、本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示す斜視図であり、図９Ｂは、図９Ａに示すハニカム構造体の長手方向に沿った投影図であり、図９Ｃは、図９Ａに示すハニカム構造体の左右方向から見た投影図である。 図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、図１０Ｄ、図１０Ｅ及び図１０Ｆは、本発明のハニカム構造体の別の一例の長手方向に沿った投影図である。 図１１Ａ及び図１１Ｂは、本発明のハニカム構造体の別の一例の長手方向に沿った投影図である。 図１２は、本発明のハニカム構造体の別の一例の長手方向に沿った投影図である。

（発明の詳細な説明）
［ハニカム構造体］
以下、本発明のハニカム構造体について説明する。
本発明のハニカム構造体は、
多数のセルを区画形成する隔壁を有するハニカム基材と、上記ハニカム基材に形成された電極部と、を備えるハニカム構造体であって、
上記電極部は正極部と負極部とからなり、
上記正極部と上記負極部のうち一方の電極部である第１電極部は、上記ハニカム基材を長手方向に垂直な方向に切断した、いずれかの断面において、上記ハニカム基材の断面を横切り上記ハニカム基材の外周もしくはその近傍まで直線状に配置されており、
上記正極部と上記負極部のうち他方の電極部である第２電極部は、上記ハニカム構造体の長手方向に沿って上記第１電極部と上記第２電極部を投影した投影面において上記第１電極部を挟むように配置されていることを特徴とする。

図１Ａは、本発明のハニカム構造体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１Ｂは、図１Ａに示すハニカム構造体の長手方向に沿った投影図である。
本明細書において、図１Ａのようなハニカム構造体の斜視図においては、ハニカム基材内の電極部の配置の様子をハニカム基材を透過させて示している。
また、本明細書における長手方向とは、セルが伸びる方向であり、図１Ａのようなハニカム構造体の斜視図において、両矢印Ｌで示す方向である。セルの長さが短くてハニカム構造体の端面の径に対してセルの長さが短い場合であっても、セルが伸びる方向を長手方向と定める。
図１Ａに示すハニカム構造体１は、ハニカム基材１０と、ハニカム基材１０に形成された電極部とを備える。
電極部は、正極部と負極部とからなる。図１に示すハニカム構造体１では、第１電極部２０を正極部、第２電極部３０を負極部とする。第１電極部２０を負極部、第２電極部３０を正極部としてもよい。

第１電極部２０はハニカム基材１０を長手方向に垂直な方向に切断した、いずれかの断面において、ハニカム基材１０の断面を横切りハニカム基材１０の外周まで直線状に配置されている。
第２電極部３０は、ハニカム構造体の長手方向に沿って第１電極部と第２電極部を投影した投影面において第１電極部を挟むように配置されている。
図１Ｂが、ハニカム構造体の長手方向に沿って第１電極部と第２電極部を投影した投影面を示す投影図であるが、この図において第２電極部３０は上側第２電極部３０ａと下側第２電極部３０ｂの２か所に配置されている。上側第２電極部３０ａと下側第２電極部３０ｂで第１電極部２０を挟んでいる。
図１Ａに示すハニカム構造体１では、第１電極部２０、上側第２電極部３０ａ及び下側第２電極部３０ｂはともにハニカム基材１０の長手方向の全体にわたって一様に形成されている。

このような配置であると、第１電極部２０と上側第２電極部３０ａとの間に電流が流れ、第１電極部２０と下側第２電極部３０ｂとの間に電流が流れる。
第１電極部２０がハニカム基材１０の断面を横切り、ハニカム基材１０の外周まで直線状に配置されているため、直線状の第１電極部２０と第２電極部３０の間で電流が流れ、電流密度が極端に低くなる部位が生じにくくなる。そのため、加熱時のハニカム構造体１の均熱性が高くなる。

ハニカム基材１０は、多数のセル１２を区画形成するセル隔壁１３と外周壁１４とを有する。ハニカム基材１０の形状は特に限定されるものではなく、円柱状に限られず、角柱状、楕円柱状、長円柱状、丸面取りされている角柱状（例えば、丸面取りされている三角柱状）等が挙げられる。
なお、ハニカム基材１０に外周壁１４が設けられていなくてもよい。

ハニカム基材のセル隔壁の厚さは、均一であることが好ましい。具体的には、セル隔壁の厚さは、０．３０ｍｍ未満であることが好ましい。また、０．０５ｍｍ以上であることが好ましい。

ハニカム基材を構成するセルの形状としては、四角柱状に限定されず、三角柱状、六角柱状等が挙げられる。
セルの形状はそれぞれ異なっていてもよいが、全て同じであることが好ましい。すなわち、ハニカム基材の長手方向に垂直な断面において、セル隔壁に囲まれたセルのサイズが同じであることが好ましい。

ハニカム基材の気孔率は、５０％以下であることが望ましい。
ハニカム基材の気孔率が５０％以下であると、高い機械的強度と排ガス浄化性能を両立させることができる。

ハニカム基材の気孔率が５０％を超えると、気孔率が高くなりすぎるため、ハニカム基材の機械的特性が低下し、ハニカム基材を使用中、クラックや破壊等が発生し易くなる。

ハニカム基材の材質は特に限定されるものではないが、ＳｉＣ、Ｓｉ含浸ＳｉＣ、ＳｉＯ_２又はホウケイ酸塩を含む材料であることが望ましい。
ホウケイ酸塩を含む材料とは、ホウケイ酸塩とＳｉ含有粒子からなるセラミックである。ＳｉＣの場合は、ハニカム基材を構成するＳｉＣにドーパントをドープすることにより、ハニカム基材を導電性とすることができ、通電によりハニカム基材を発熱させることができる。
さらに、上記材料は、ＮｉもしくはＣｒを全体に対して５重量％以下の割合で含むことが望ましい。

また、ハニカム基材が正温度係数を有する抵抗発熱体（ＰＴＣ材料）であることが好ましい。
ハニカム基材が正温度係数を有する抵抗発熱体であると、温度が上昇するとともに抵抗値が上昇して電流が流れにくくなるので、均熱性の高いハニカム構造体となる。
ＰＴＣ材料の例としては、不純物がドープされたシリコン、ＭｏＳｉ_２等が挙げられる。

第１電極部は、ハニカム基材を長手方向に垂直な方向に切断したいずれかの断面において、ハニカム基材の断面を横切り直線状に配置される電極部である。
ここで着目するハニカム基材の断面は、第１電極部がハニカム基材の断面を横切り直線状に配置される断面であれば、ハニカム基材の長手方向に垂直な断面のどこであってもよい。第１電極部がハニカム基材の長手方向の全体にわたって一様に形成されている場合はどこの断面に着目してもよい。また、第１電極部がハニカム基材の端面に露出している場合はハニカム基材の端面において第１電極部がハニカム基材の端面を横切り直線状に配置されていてもよい。

第１電極部は、ハニカム基材の外周もしくはその近傍まで直線状に配置されている。第１電極部がハニカム基材の外周もしくはその近傍まで直線状に配置されることによって、ハニカム基材の外周もしくはその近傍の領域にも電流が流れる。そして、電流密度がこれらの領域において低くなることが防止されるので加熱時のハニカム構造体の均熱性が高くなる。

ハニカム基材の外周は、ハニカム基材に外周壁が設けられている場合はその外周壁の表面である。ハニカム基材に外周壁が設けられておらずセルの一部が露出している場合はその露出したセルに外周壁が設けられていると仮想した場合の仮想面を意味する。
ハニカム基材の外周の近傍とは、上記定義により定めたハニカム基材の外周から、ハニカム基材の長手方向に垂直な断面における内接円の直径に対して１０％分内側に入った領域を意味する。
すなわち、ハニカム基材の外周から上記規定による１０％分内側に入った領域までに第１電極部が設けられていない部位があったとしても、全体としてハニカム基材の断面を横切りハニカム基材の外周の近傍まで第１電極部が直線状に配置されている場合、本発明で定める第１電極部が設けられているとする。
ハニカム基材の外周から上記規定による１０％分内側に入った領域までに第１電極部が設けられていなかったとしても、ハニカム基材の外周近傍の領域まで電流が流れればハニカム基材の外周まで加熱がされるので、加熱時のハニカム構造体の均熱性を高くするという効果は発揮される。

第１電極部は複数の電極からなっていてもよく、１つの電極からなっていてもよい。
第１電極部が複数の電極からなる場合、複数の電極がハニカム基材の断面において直線状に並べて配置されている。
第１電極部が複数の電極からなる場合、セルの内部に電極が形成されて、第１電極部を構成する複数の電極が直線状に配置されていることが好ましい。

図２は、セルの内部に形成された第１電極部の形態の例を模式的に示す拡大斜視図である。
図２は図１Ａに示すハニカム構造体の端面の拡大斜視図でもある。
図２には、セル１２の内部に棒状電極２１が挿入されて形成された第１電極部２０を示している。棒状電極２１が隣り合うセル１２のそれぞれに挿入されることによって、第１電極部２０を構成する複数の電極が直線状に配置される。
棒状電極２１はセル１２のそれぞれに全て挿入されている必要はなく、一部のみ挿入されていてもよい。また、ハニカム基材の端面のみで棒状電極がセルと接触するだけでもよい。
セル１２の内部には棒状電極２１に加えて導電ペースト２２が充填されている。導電ペースト２２が充填されることにより棒状電極２１とセル隔壁１３の間の導電性が向上する。

セル１２の内部に形成された棒状電極２１はハニカム基材１０の端面の外側に引き出し配線２３によって引き出されている。そして、ハニカム基材１０の端面の外部で各引き出し配線２３が接続されて、セル１２の内部に形成された棒状電極２１同士が接続される。
図２にはセル１２の内部に形成された棒状電極２１同士が並列に接続されている形態を示している。
なお、図２にはセル１２の内部に形成された棒状電極２１のそれぞれに引き出し配線２３が接続された形態を示しているが、引き出し配線２３は棒状電極２１のいくつかおきに接続されていてもよい。
また、セル１２の内部に形成された電極は、引き出し配線２３による接続以外の方法で接続されていてもよい。例えば、導電ペーストを用いて、セル１２同士を接続させてよく、その導電ペーストはハニカム構造体の端面上に形成されてもよく、ハニカム構造体の当該部分のセル隔壁を一部除去して導電ペーストを充填することで接続されていてもよい。

また、図２にはセルの内部に形成された電極として棒状電極を示している。棒状電極はセルの長手方向に延び、セルに挿入可能な寸法の金属および導電性セラミック製の棒（金属線、ワイヤー）からなる。棒状電極の材質は金属および導電性セラミックであれば特に限定されず、銅、銀、Ｎｉ／Ｃｒ、ＳｉＣ－Ｓｉ、ＭｏＳｉ_２、Ｆｅ／Ｃｒ等であることが好ましい。
また、セルの内部に形成された電極は棒状電極でなくてもよく、導電ペーストからなるペースト電極であってもよい。導電ペーストには金属フィラー、導電性セラミックフィラー及びガラス等の接着材が含まれることが好ましく、金属フィラーとしては銅、銀、白金等の粉末を使用することができる。導電セラミックフィラーとしては、ＳｉＣ、ＭｏＳｉ_２等を使用することができる。

引き出し配線は、金属材料（導線、ワイヤー）であることが好ましい。
また、棒状電極、導電ペースト及び引き出し配線の接着がろう材等の導電性接合剤によりされていることが好ましい。また、棒状電極、導電ペーストが引き出し配線と直接、接合されていてもよい。

セルの内部に形成された電極同士の接続及び電極の引き出しの形態は上記形態に限定されるものではない。
図３は、セルの内部に形成された第１電極部の別の形態の例を模式的に示す拡大斜視図である。
図３に示す形態では、セル１２の内部に形成された棒状電極２１同士がハニカム基材１０の端面で直列に接続され、ハニカム基材１０の外周からハニカム基材１０の外部に引き出されている。棒状電極２１同士を直列に接続する配線が接続配線２４であり、ハニカム基材１０の外周に最も近いセル１２の棒状電極２１には引き出し配線２３が接続されている。
なお、図３にはセル１２の内部に形成された棒状電極２１の全てに接続配線２４が接続された形態を示しているが、接続配線２４は棒状電極２１のいくつかおきに接続されていてもよい。
接続配線の材料は引き出し配線と同様にすることができる。また、棒状電極、導電ペースト及び接続配線並びに引き出し配線の接着がろう材等の導電性接合剤によりされていることが好ましい。

第１電極部は、板状電極であって、板状電極は分割されたハニカム基材により挟まれていてもよい。
図４は、本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示す斜視図である。
図４に示すハニカム構造体２では、ハニカム基材１１０が２つに分割されており、ハニカム基材は上部ハニカム基材１１０ａと下部ハニカム基材１１０ｂからなる。
第１電極部１２０は板状電極であって、板状電極は上部ハニカム基材１１０ａと下部ハニカム基材１１０ｂにより挟まれている。
第１電極部１２０はハニカム構造体２の端面で引き出し配線１２３に接続されている。
板状電極としては金属板、金属箔（銅板、銅箔等）を使用することができる。
また、板状電極としてはセラミックを含む導電ペーストを用いて形成されたものでもよい。
板状電極の厚さは０．０１～２ｍｍであることが好ましい。
板状電極である第１電極部１２０と上部ハニカム基材１１０ａは導電性接着剤により接合されていることが好ましく、第１電極部１２０と下部ハニカム基材１１０ｂも導電性接着剤により接合されていることが好ましい。

第２電極部は、ハニカム構造体の長手方向に沿って第１電極部と第２電極部を投影した投影面において第１電極部を挟むように配置されている電極部である。
図１Ａに示すハニカム構造体１では、第１電極部２０、上側第２電極部３０ａ及び下側第２電極部３０ｂはともにハニカム基材１０の長手方向の全体にわたって一様に形成されているので、ハニカム構造体１を、ハニカム基材１０の長手方向に垂直な断面のどこで切断したとしても、その切断面において上側第２電極部３０ａと下側第２電極部３０ｂで第１電極部２０を挟んでいる状態となる。

第２電極部を構成する電極は、セルの内部に形成された電極であることが好ましい。
図５は、セルの内部に形成された第２電極部の形態の例を模式的に示す拡大斜視図である。
図５は図１Ａに示すハニカム構造体の端面の拡大斜視図でもある。
図５には、セル１２の内部に棒状電極３１が挿入されて形成された第２電極部３０（上側第２電極部３０ａ）を示している。棒状電極３１が隣り合うセル１２のそれぞれに挿入されることによって、第２電極部３０を構成する複数の電極が配置される。
セル１２の内部には棒状電極３１に加えて導電ペースト３２が充填されている。導電ペースト３２が充填されることにより棒状電極３１とセル隔壁１３の間の導電性が向上する。

セル１２の内部に形成された棒状電極３１はハニカム基材１０の端面の外側に引き出し配線３３によって引き出されている。そして、ハニカム基材１０の端面の外部で各引き出し配線３３が接続されて、セル１２の内部に形成された棒状電極３１同士が接続される。
図５にはセル１２の内部に形成された棒状電極３１同士が並列に接続されている形態を示している。
なお、図５にはセル１２の内部に形成された棒状電極３１のそれぞれに引き出し配線３３が接続された形態を示しているが、引き出し配線３３は棒状電極３１のいくつかおきに接続されていてもよい。

図５において第２電極部３０はハニカム基材１０の最も外周に位置するセルに形成されている。ハニカム基材１０においてセルの形状は原則として断面正方形であるが、最も外周に位置するセルはその形状が正方形ではない。

第２電極部がセルの内部に形成される場合、その位置はハニカム基材の最も外周に位置するセルでなくてもよく、第２電極部で第１電極部を挟むことができる場所に位置するセルであればよい。
また、第２電極部が形成されるセルが一列に並んでいなくてもよい。

第２電極部がセルの内部に形成される場合に、セルの内部に形成された電極同士がハニカム基材の端面で直列に接続され、ハニカム基材の外周からハニカム基材の外部に引き出されてもよい。このような電極同士の接続形態は、図３を参照して説明した、第１電極部がセルの内部に形成されて電極同士がハニカム基材の端面で直列に接続された形態と同様である。

第２電極部がセルの内部に形成される場合の好ましい形態は第１電極部がセルの内部に形成される場合と同様にすることができ、棒状電極及び導電ペーストの材料としても同様のものを使用することができる。

第２電極部は、ハニカム基材の外周に設けられた面電極であってもよい。
図６は、本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示す斜視図である。
図６に示すハニカム構造体３では、第２電極部１３０である上側第２電極部１３０ａと下側第２電極部１３０ｂがいずれもハニカム基材１０の外周に設けられた面電極である。
第２電極部１３０には給電部１３１がそれぞれ設けられている。

面電極を構成する材料は、ハニカム基材と同様の材料や金属、導電性セラミック等が挙げられる。面電極として、例えば、ＳｉＣを使用した面電極では、両者の間に不純物がドープされたＳｉの粉末を介在させ、Ｓｉが溶融する温度まで、加熱することにより、ハニカム基材と面電極とを接着させることができる。また、導電性を有する耐熱性の金属を含むペーストをハニカム基材の外周に塗布し、焼成することにより、面電極を形成してもよい。

給電部は棒状電極とすることが好ましい。棒状電極の材料は特に限定されるものではないが、例えば、ＳｉＣ、Ｓｉ又はホウケイ酸塩を含む材料からなることが望ましい。上記したＳｉＣにドーパントをドープすることにより棒状電極を導電性とすることができ、また、ホウケイ酸塩にＳｉ等の導電性物質を混入させることにより、導電性とすることができ、これらの材料を棒状電極として使用することができる。

棒状電極を面電極と接着する際には、導電性接着剤で接着することにより、接合することができる。
このような面電極の構造は従来のハニカム構造体において用いられる、外周に設けられた電極と同様にすることができる。

本発明のハニカム構造体では、第２電極部は、ハニカム構造体の長手方向に沿って第１電極部と第２電極部を投影した投影面において第１電極部を挟むように配置されていればよい。以下に、投影面に着目することで定められる第２電極部の形態について説明する。

図７Ａは、本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示す斜視図であり、図７Ｂは、図７Ａに示すハニカム構造体の長手方向に沿った投影図であり、図７Ｃは、図７Ａに示すハニカム構造体の左右方向から見た投影図である。

図７Ａに示すハニカム構造体４では、第１電極部２２０がハニカム基材１０の両端面近傍の２カ所に設けられている。図面左側の第１電極部を左側第１電極部２２０ａ、図面右側の第１電極部を右側第１電極部２２０ｂとする。ハニカム基材１０の長手方向中央付近には第１電極部が設けられていない。
第２電極部２３０はハニカム基材１０の長手方向中央付近で上側と下側の２か所に設けられている。図面上側の第２電極部を上側第２電極部２３０ａ、下側の第２電極部を下側第２電極部２３０ｂとする。
各第１電極部及び第２電極部にはそれぞれ引き出し配線が接続されている。

図７Ｂが、ハニカム構造体の長手方向に沿って第１電極部と第２電極部を投影した投影面を示す投影図であるが、この図において第２電極部２３０は上側第２電極部２３０ａと下側第２電極部２３０ｂの２か所に配置されている。第１電極部２２０を投影図としてみると左側第１電極部２２０ａと右側第１電極部２２０ｂは重なっている。
そして、この投影図においては上側第２電極部２３０ａと下側第２電極部２３０ｂで第１電極部２２０（２２０ａ、２２０ｂ）を挟んでいる。

図７Ｃに示す投影図を見ると理解できるが、ハニカム構造体４においては、ハニカム基材１０の長手方向に垂直な断面のどこで切断したとしても、その切断面において第１電極部２２０と第２電極部２３０が同時に存在しない。すなわち、ハニカム基材の長手方向に垂直な切断面においては第２電極部は第１電極部を挟んでいるとはいえない。
しかし、このような場合でも、図７Ｂに示すような投影面において第２電極部が第１電極部を挟んでいる場合には、本発明のハニカム構造体となる。

図８Ａは、本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示す斜視図であり、図８Ｂは、図８Ａに示すハニカム構造体の長手方向に沿った投影図であり、図８Ｃは、図８Ａに示すハニカム構造体の左右方向から見た投影図である。
図８Ａに示すハニカム構造体５も、図７Ａに示すハニカム構造体４と同様に、ハニカム基材の長手方向に垂直な切断面においては第２電極部は第１電極部を挟んでいないが、ハニカム構造体の長手方向に沿って第１電極部と第２電極部を投影した投影面において第２電極部は第１電極部を挟んでいる場合の例である。

ハニカム構造体５では、第１電極部３２０はハニカム基材１０の長手方向中央付近で、上下方向の中央付近にハニカム基材の断面を横切るように直線状に配置されている。
第２電極部３３０はハニカム基材１０の両端面近傍で上側と下側の計４カ所に設けられている。
図面左側の第２電極部をそれぞれ左上側第２電極部３３０ａａ、左下側第２電極部３３０ｂａとし、図面右側の第２電極部をそれぞれ右上側第２電極部３３０ａｂ、右下側第２電極部３３０ｂｂとする。

図８Ｂが、ハニカム構造体の長手方向に沿って第１電極部と第２電極部を投影した投影面を示す投影図であるが、この図においては上側第２電極部（３３０ａａ、３３０ａｂ）と下側第２電極部（３３０ｂａ、３３０ｂｂ）で第１電極部３２０を挟んでいる。

また、図８Ｃに示すように、ハニカム構造体５においては、ハニカム基材１０の長手方向に垂直な断面のどこで切断したとしても、その切断面において第１電極部３２０と第２電極部３３０が同時に存在しない。すなわち、ハニカム基材の長手方向に垂直な切断面においては第２電極部は第１電極部を挟んでいるとはいえない。
しかし、このような場合でも、図８Ｂに示すような投影面において第２電極部が第１電極部を挟んでいる場合には、本発明のハニカム構造体となる。

図９Ａは、本発明のハニカム構造体の別の一例を模式的に示す斜視図であり、図９Ｂは、図９Ａに示すハニカム構造体の長手方向に沿った投影図であり、図９Ｃは、図９Ａに示すハニカム構造体の左右方向から見た投影図である。
図９Ａに示すハニカム構造体６は、ハニカム基材の長手方向に垂直な切断面として特定の切断面を選択した場合は当該切断面において第２電極部は第１電極部を挟んでいるが、その他の切断面においては第２電極部は第１電極部を挟んでいない場合の例である。
また、ハニカム構造体の長手方向に沿って第１電極部と第２電極部を投影した投影面において第２電極部は第１電極部を挟んでいる場合の例である。

ハニカム構造体６では、第１電極部４２０はハニカム基材１０の長手方向中央の右側及び左側の２か所に設けられている。図面左側の第１電極部を左側第１電極部４２０ａ、図面右側の第１電極部を右側第１電極部４２０ｂとする。
ハニカム基材１０の両端面近傍には第１電極部が設けられていない。
第２電極部４３０はハニカム基材１０の両端面近傍及び長手方向中央で上側と下側の計６カ所に設けられている。
図面左側の第２電極部をそれぞれ左上側第２電極部４３０ａａ、左下側第２電極部４３０ｂａとし、図面右側の第２電極部をそれぞれ右上側第２電極部４３０ａｂ、右下側第２電極部４３０ｂｂとする。図面中央（長手方向中央）の第２電極部をそれぞれ中央上側第２電極部４３０ａｃ、中央下側第２電極部４３０ｂｃとする。

図９Ｂが、ハニカム構造体の長手方向に沿って第１電極部と第２電極部を投影した投影面を示す投影図であるが、この図においては上側第２電極部（４３０ａａ、４３０ａｂ、４３０ａｃ）と下側第２電極部（４３０ｂａ、４３０ｂｂ、４３０ｂｃ）で第１電極部４２０（４２０ａ、４２０ｂ）を挟んでいる。

図９Ｃからは、特定の切断面（例えば図９ＣにおけるＡ－Ａ線）を選択した場合には当該切断面において第２電極部が第１電極部を挟むことが分かる。一方、他の切断面（例えば図９ＣにおけるＢ－Ｂ線やＣ－Ｃ線）を選択した場合には当該切断面において第２電極部が第１電極部を挟んでいないことが分かる。
このような場合でも、図９Ｂに示すような投影面において第２電極部が第１電極部を挟んでいる場合には、本発明のハニカム構造体となる。

これまでに説明した形態以外の、本発明のハニカム構造体の例について投影図を参照して説明する。
図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ、図１０Ｄ、図１０Ｅ及び図１０Ｆは、本発明のハニカム構造体の別の一例の長手方向に沿った投影図である。
これらの図にはハニカム基材１０と、第１電極部５２０及び第２電極部（上側第２電極部５３０ａ及び下側第２電極部５３０ｂ）が設けられている領域のみを示している。
第２電極部についてはセルの内部に電極が形成された場合の位置で示しているが、ハニカム基材１０の外周に設けられた面電極であってもよい。
また、第１電極部はセルの内部に電極が形成されたものであってもよく、板状電極であってもよい。

図１０Ａに示すハニカム構造体７Ａでは、第１電極部５２０がハニカム基材１０の断面を横切る直線において不連続に３つの領域に分けて設けられている。
また、第２電極部である上側第２電極部５３０ａ、下側第２電極部５３０ｂはハニカム基材１０の外周面近傍に沿ってそれぞれ２つの領域に分けて設けられている。
このようなハニカム構造体７Ａも、投影面において第２電極部で第１電極部を挟んでいるハニカム構造体の例である。

図１０Ｂに示すハニカム構造体７Ｂでは、第１電極部５２０がハニカム基材１０の断面を横切る直線において、２段になって不連続に設けられている。具体的には、上段に２カ所、下段に３カ所の合計５つの領域に設けられている。
５つの領域に設けられた第１電極部５２０の配置は左右対称である。
第１電極部がこのように配置されている場合でも、全体としては第１電極部がハニカム基材の断面を横切り直線状に配置されているといえる。
また、第２電極部である上側第２電極部５３０ａ、下側第２電極部５３０ｂはハニカム基材１０の外周面近傍に沿ってそれぞれ２つの領域に分けて設けられている。
このようなハニカム構造体７Ｂも、投影面において第２電極部で第１電極部を挟んでいるハニカム構造体の例である。

図１０Ｃに示すハニカム構造体７Ｃでは、第１電極部５２０がハニカム基材１０の断面を横切る直線において不連続に６つの領域に分けて設けられている。
また、第２電極部である上側第２電極部５３０ａ、下側第２電極部５３０ｂはハニカム基材１０の外周面近傍に沿ってそれぞれ３つの領域に分けて設けられている。
このようなハニカム構造体７Ｃも、投影面において第２電極部で第１電極部を挟んでいるハニカム構造体の例である。

図１０Ｄに示すハニカム構造体７Ｄでは、第１電極部５２０がハニカム基材１０の断面を横切る直線において、２段になって不連続に設けられている。具体的には、上段に２カ所、下段に２カ所の合計４つの領域に設けられている。
４つの領域に設けられた第１電極部５２０の配置は左右非対称である。
第１電極部がこのように配置されている場合でも、全体としては第１電極部がハニカム基材の断面を横切り直線状に配置されているといえる。
また、第２電極部である上側第２電極部５３０ａ、下側第２電極部５３０ｂはハニカム基材１０の外周面近傍に沿ってそれぞれ１つの領域として設けられている。
このようなハニカム構造体７Ｄも、投影面において第２電極部で第１電極部を挟んでいるハニカム構造体の例である。

図１０Ｅに示すハニカム構造体７Ｅでは、第１電極部５２０がハニカム基材１０の断面を横切る直線において、１つの領域としてハニカム基材の断面を横切り直線状に配置されている。
第２電極部である上側第２電極部５３０ａ、下側第２電極部５３０ｂは、ハニカム基材１０の外周面近傍に沿って設けられた領域に加えて、ハニカム基材１０の中心に向かって伸びる領域を有している。
このようなハニカム構造体７Ｅも、投影面において第２電極部で第１電極部を挟んでいるハニカム構造体の例である。

図１０Ｆに示すハニカム構造体７Ｆでは、第１電極部５２０として、ハニカム基材１０の断面を横切る直線から当該直線の中心付近を除いた箇所に複数の電極が並べて配置されている。
具体的には、当該断面の左側に２カ所、右側に２カ所の合計４つの領域に電極が配置されている。直線の中心付近には電極が配置されていない。
第１電極部がこのように配置されている場合でも、全体としては第１電極部がハニカム基材の断面を横切り直線状に配置されているといえる。
また、第２電極部である上側第２電極部５３０ａ、下側第２電極部５３０ｂはハニカム基材１０の外周面近傍に沿ってそれぞれ１つの領域として設けられている。
ハニカム基材の断面を横切る直線の中心付近は電流密度が高くなりやすく、温度が高くなりやすい。そのため、電極を並べる際に意図的にその部分だけ電極を配置しないようにすると、その部分の電流密度を下げることができる。その結果、加熱時のハニカム構造体の均熱性をより高くすることができる。
このようなハニカム構造体７Ｆも、投影面において第２電極部で第１電極部を挟んでいるハニカム構造体の例である。

続いて、第１電極部と極性が同じである第３電極部をさらに備える本発明のハニカム構造体の例について投影図を参照して説明する。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、本発明のハニカム構造体の別の一例の長手方向に沿った投影図である。
これらの図にはハニカム基材１０と、第１電極部６２０、第２電極部（上側第２電極部６３０ａ及び下側第２電極部６３０ｂ）及び他の電極部（上側第３電極部６４０ａ、下側第３電極部６４０ｂ及び第４電極部６５０）が設けられている領域のみを示している。
ハニカム基材１０の外周の位置に設けられた電極部については、ハニカム基材１０の外周に設けられた面電極であってもよい。
また、ハニカム基材１０の中に設けられた電極部はセルの内部に電極が形成されたものであってもよく、板状電極であってもよい。

図１１Ａに示すハニカム構造体８Ａでは、第１電極部６２０がハニカム基材１０の断面を横切る直線において、１つの領域としてハニカム基材の断面を横切り直線状に配置されている。
第２電極部である上側第２電極部６３０ａ、下側第２電極部６３０ｂは、ハニカム基材１０の内部において直線状に配置されており、上側第２電極部６３０ａと下側第２電極部６３０ｂで第１電極部６２０を挟んでいる。
さらに、第３電極部（上側第３電極部６４０ａ及び下側第３電極部６４０ｂ）がハニカム基材１０の外周面近傍に沿って設けられている。
第３電極部は第１電極部とともに第２電極部を挟む位置に配置される電極部であり、上側第３電極部６４０ａと第１電極部６２０で上側第２電極部６３０ａを挟んでいる。同様に下側第３電極部６４０ｂと第１電極部６２０で下側第２電極部６３０ｂを挟んでいる。
第３電極部は第１電極部と同じ極性の電極部である。そのため、第３電極部と第２電極部の極性は異なる。従って、第３電極部と第２電極部の間に電圧を印加することによって第３電極部と第２電極部の間に電流が流れる。
また、第１電極部と第３電極部は並列に接続されていることが好ましい。
第３電極部はセルの内部に形成された電極であってもよく、ハニカム基材の外周に設けられた面電極であってもよい。
このようなハニカム構造体８Ａも、投影面において第２電極部で第１電極部を挟んでいるハニカム構造体の例である。

図１１Ｂに示すハニカム構造体８Ｂでは、第１電極部６２０がハニカム基材１０の断面を横切る直線において、１つの領域としてハニカム基材の断面を横切り直線状に配置されている。
第２電極部である上側第２電極部６３０ａ、下側第２電極部６３０ｂは、ハニカム基材１０の内部において直線状に配置されており、上側第２電極部６３０ａと下側第２電極部６３０ｂで第１電極部６２０を挟んでいる。
第３電極部である上側第３電極部６４０ａは、ハニカム基材１０の内部において直線状に配置されており、上側第３電極部６４０ａと第１電極部６２０で上側第２電極部６３０ａを挟んでいる。
第３電極部である下側第３電極部６４０ｂは、ハニカム基材１０の外周面近傍に沿って設けられており、下側第３電極部６４０ｂと第１電極部６２０で下側第２電極部６３０ｂを挟んでいる。
さらに、ハニカム基材１０の外周面近傍に沿って第４電極部６５０が設けられており、下側第２電極部６３０ｂと第４電極部６５０で下側第３電極部６４０ｂを挟んでいる。
第４電極部は第２電極部と同じ極性の電極部である。
そのため、第４電極部と第３電極部の極性は異なる。従って、第４電極部と第３電極部の間に電圧を印加することによって第４電極部と第３電極部の間に電流が流れる。
また、第４電極部と第２電極部は並列に接続されていることが好ましい。
第３電極部及び第４電極部はセルの内部に形成された電極であってもよく、ハニカム基材の外周に設けられた面電極であってもよい。
このようなハニカム構造体８Ｂも、投影面において第２電極部で第１電極部を挟んでいるハニカム構造体の例である。

続いて、第１電極部と第２電極部が１つずつ設けられている本発明のハニカム構造体の例について投影図を参照して説明する。
図１２は、本発明のハニカム構造体の別の一例の長手方向に沿った投影図である。
図１２に示すハニカム構造体９では、第１電極部７２０は、ハニカム基材１０の外周面近傍に沿って設けられた領域に加えて、ハニカム基材１０の内部に向かって伸び、ハニカム基材１０の断面を横切り外周近傍まで直線状に配置された領域を有している。
第２電極部７３０も、ハニカム基材１０の外周面近傍に沿って設けられた領域に加えて、ハニカム基材１０の内部に向かって伸び、ハニカム基材１０の断面を横切り外周近傍まで直線状に配置された領域を有している。
電極部がハニカム基材１０の外周面近傍に沿って設けられる領域は、第１電極部７２０が上側、第２電極部７３０が下側であり向かい合う形となっている。
電極部がハニカム基材１０の内部に向かって伸び、ハニカム基材１０の断面を横切り外周近傍まで直線状に配置された領域については、第１電極部７２０と第２電極部７３０においてそれぞれ複数箇所設けられていて、第１電極部７２０は第２電極部７３０に挟まれ、第２電極部７３０は第１電極部７２０に挟まれる形態となっている。
このハニカム構造体９では第１電極部７２０と第２電極部７３０はそれぞれ１つずつ設けられているため、複数の第２電極部で第１電極部を挟んでいるわけではない。しかしながら、第１電極部７２０がハニカム基材１０の内部に向かって伸び、ハニカム基材１０の断面を横切り外周近傍まで直線状に配置された領域において、第２電極部７３０の一部により挟まれているので、このようなハニカム構造体９も、投影面において第２電極部で第１電極部を挟んでいるハニカム構造体の例である。

本発明のハニカム構造体の製造方法の一例について説明する。
上記ハニカム構造体は、例えば、公知の製造方法でセラミックからなるハニカム基材を作成した後、ハニカム基材の所定の位置に第１電極部及び第２電極部を設けることにより製造することができる。

電極部として、セルの内部に電極を形成する場合には、セルの内部に棒状電極を挿入する方法、セルの内部に導電ペーストを充填する方法、及び、セルの内部への棒状電極の挿入と導電ペーストの充填を併せて行う方法が例示される。
また、セルの内部に形成した電極と引き出し配線又は接続配線の接続はろう付け等の方法により行うことができる。

電極部としてハニカム基材の外周のセルの内部に電極を形成する場合には、通常のセルの内部に電極を形成する方法を用いることができるが、ハニカム基材の外周壁を削ってハニカム基材の最も外周に位置するセルのセル隔壁を露出させ、セルの内部に棒状電極を挿入（載置）し、導電ペーストを充填するようにしてもよい。
特に、図７Ａに示すように、ハニカム基材の長手方向中央付近の上側及び下側に電極部を設ける場合には、ハニカム基材の外周壁を削ってセルの内部に電極を形成する方法を好ましく用いることができる。
また、セルの内部に形成した電極と引き出し配線又は接続配線の接続はろう付け等の方法により行うことができる。

電極部として板状電極を形成する場合は、ハニカム基材を分割して板状電極を挟み、板状電極とハニカム基材を導電性接着剤により接合する方法が例示される。
板状電極と引き出し配線の接続はろう付け等の方法により行うことができる。

電極部としてハニカム基材の外周に設けられた面電極を形成する場合には、電極部は電極部となる導電ペーストの印刷や転写により設けることができる。
また、ハニカム基材の外周と電極部となる導電ペーストの間にＳｉの粉末を介在させて、Ｓｉが溶融する温度まで加熱することによりハニカム基材と電極部を接着させることができる。
面電極に対して給電部を接着する場合は、棒状電極を導電性接着剤で接着することにより、接合することができる。

なお、ハニカム基材として、各図面には外周壁を有する円柱形のハニカム基材を示しているが、四角柱形状のハニカム焼成体を製造した後、複数のハニカム焼成体を、導電性接着層を介して貼り合わせ、複数個のハニカム焼成体からなるハニカム焼成体集合体を作製し、この後、上記ハニカム焼成体集合体の切削加工を行って円柱形状とし、外周に外周壁を形成して円柱形のハニカム基材を製造してもよい。

ハニカム基材には、触媒が担持されていることが好ましいが、ハニカム構造体に貴金属を担持する方法としては、例えば、貴金属粒子が付着したアルミナ等の高比表面積粒子を含む溶液にハニカム基材又は電極部を形成した後のハニカム構造体を浸漬した後、引き上げて加熱する方法等が挙げられる。

（実施例）
以下、本発明をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されるものではない。

（実施例１）
Ｓｉ粉末（平均粒子径６μｍ）とホウ酸粉末（平均粒子径６μｍ）とシリカ粉末（平均粒子径１０μｍ）を１３：７：８０の質量割合で混合し、得られた混合粉末（７４．４重量％）に有機バインダ（メチルセルロース）６．７重量％、潤滑剤（日油社製 ユニルーブ）４．５重量％、及び水１４．４重量％を添加して混練し、原料組成物を調製した。

得られた原料組成物を押出成形機を用いて成形し、各セルの断面形状が正方形の円柱状のハニカム成形体を得た。ハニカム成形体を高周波誘電加熱乾燥した後、熱風乾燥機を用いて１２０℃で２時間乾燥し、両端面を所定量切断し、ハニカム乾燥体とした。
そしてハニカム乾燥体を、６００℃で２時間、脱脂（仮焼）した後、不活性雰囲気下で１３００℃で３時間焼成することにより円筒状のハニカム基材を製造した。上記ハニカム基材の比抵抗は、１．５Ωｃｍであった。またハニカム基材の直径は１０３ｍｍ、長さ６０ｍ、セル密度は６２セル／ｃｍ^２、隔壁厚みは０．１５ｍｍ、最外周の隔壁厚み（外周壁の厚み）は０．２５ｍｍであった。
比抵抗の測定は四端子法（ＪＩＳ Ｃ ２５２５（１９９４））により行った。

次に、銀粒子（平均粒径１５μｍ）９０重量部に、テルピネオール６重量部、チクソ剤４重量部を加え混練し導電ペーストを得た。
導電ペーストを図１に示すように、第１電極部となるようにハニカム基材の中央の横一列全てのセルに充填し、第２電極部となるようにハニカム基材の上下にそれぞれハニカム基材の外周の１／４に相当する範囲（円周方向に８０．９ｍｍの範囲）の最外周のセルに充填した。さらに、それぞれのセルに充填した導電ペースト同士を接続するために、導電ペーストを充填したセル間の隔壁の端面に同じ導電ペーストを塗布した。

さらに、第１電極部の両端２か所及び上下の第２電極部の中心各１箇所に、給電線（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０、線径０．８ｍｍ、長さ１２０ｍｍ）を、セル周囲の隔壁を加工しながら５本ずつ挿入した。９００℃で１時間加熱することで、導電ペーストに含まれる溶剤の除去、導電ペーストの焼結およびハニカム基材と給電線の接合をおこなった。なお、導電ペースト自体の比抵抗は５μΩｃｍ、給電線の比抵抗は１２０μΩｃｍであった。

（比較例１）
電極の形成位置として、第１電極部及び第２電極部をハニカム基材の外周にそれぞれ対向する形で形成（実施例１における第２電極部を形成したセルを形成する外周壁の表面）し、給電線をそれぞれの電極の表面に設置した以外は実施例１と同様にしてハニカム構造体を得た。第１電極部の厚みは０．３ｍｍで幅はハニカム基材の外周に沿って８０．９ｍｍであり、第２電極部の厚みは０．３ｍｍで幅はハニカム基材の外周に沿って８０．９ｍｍであった。

（通電試験）
実施例１で製造したハニカム構造体につき、各正極及び各負極となる給電線を束ねて８０Ｖの電圧を６０秒印加し、サーモカメラを用いてハニカム構造体の表面温度を測定し、最高温度と最低温度の差を確認した。なお、１カ所の第１電極部を正極部とし、２カ所の第２電極部をそれぞれ負極部とした。
サーモカメラとしては、赤外線サーモグラフィカメラ （Ｒ３００ＳＲ－Ｈ：日本アビオニクス株式会社製）を使用し、ソフトウエア ＩｎｆＲｅＣ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＮＳ９５００ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｖｅｒｓｉｏｎ２．５を使用して、ハニカム構造体の画像内の最高温度及び最低温度を測定した。
また、比較例１で製造したハニカム構造体につき、各正極及び各負極となる給電線を束ねて１６０Ｖの電圧（正負の電極が各１箇所のため、実施例１に対して２倍の電圧）を６０秒印加し、サーモカメラを用いてハニカム構造体の画像内の最高温度及び最低温度を測定した。なお、１カ所の第１電極部を正極とし、１カ所の第２電極部を負極とした。
温度バラツキを以下の式により求めたところ、実施例１のハニカム構造体では１５％であり、比較例１のハニカム構造体では４６％であったことから、実施例１のハニカム構造体の均熱性が高いことが確認された。
温度バラツキ（％）＝（（最高温度－最低温度）／２）／（最高温度と最低温度の平均値）×１００

１、２、３、４、５、６、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｅ、７Ｆ、８Ａ、８Ｂ、９ ハニカム構造体
１０、１１０ ハニカム基材
１２ セル
１３ セル隔壁
１４ 外周壁
２０、１２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０、７２０ 第１電極部
２１、３１ 棒状電極
２２、３２ 導電ペースト
２３、３３、１２３ 引き出し配線
２４ 接続配線
３０、１３０、２３０、３３０、４３０、７３０ 第２電極部
３０ａ、１３０ａ、２３０ａ、５３０ａ、６３０ａ 上側第２電極部
３０ｂ、１３０ｂ、２３０ｂ、５３０ｂ、６３０ｂ 下側第２電極部
１３１ 給電部
１１０ａ 上部ハニカム基材
１１０ｂ 下部ハニカム基材
２２０ａ、４２０ａ 左側第１電極部
２２０ｂ、４２０ｂ 右側第１電極部
３３０ａａ、４３０ａａ 左上側第２電極部
３３０ｂａ、４３０ｂａ 左下側第２電極部
３３０ａｂ、４３０ａｂ 右上側第２電極部
３３０ｂｂ、４３０ｂｂ 右下側第２電極部
４３０ａｃ 中央上側第２電極部
４３０ｂｃ 中央下側第２電極部
６４０ａ 上側第３電極部
６４０ｂ 下側第３電極部
６５０ 第４電極部

Claims (13)

1. 多数のセルを区画形成する隔壁を有するハニカム基材と、前記ハニカム基材に形成された電極部と、を備えるハニカム構造体であって、
   前記電極部は正極部と負極部とからなり、
   前記正極部と前記負極部のうち一方の電極部である第１電極部は、前記ハニカム基材を長手方向に垂直な方向に切断した、いずれかの断面において、前記ハニカム基材の断面を横切り前記ハニカム基材の外周もしくはその近傍まで直線状に配置されており、
   前記正極部と前記負極部のうち他方の電極部である第２電極部は、前記ハニカム構造体の長手方向に沿って前記第１電極部と前記第２電極部を投影した投影面において前記第１電極部を挟むように配置されていることを特徴とするハニカム構造体。
2. 前記第１電極部では、前記ハニカム基材の前記断面において複数の電極が直線状に並べて配置されている請求項１に記載のハニカム構造体。
3. 前記第１電極部では、前記ハニカム基材の前記断面において、前記ハニカム基材の上記断面を横切る直線から当該直線の中心付近を除いた箇所に複数の電極が並べて配置されている請求項１に記載のハニカム構造体。
4. 前記セルの内部に電極が形成されて、前記第１電極部を構成する複数の電極が直線状に配置されている請求項２又は３に記載のハニカム構造体。
5. 前記セルの内部に形成された電極が前記ハニカム基材の端面の外側に引き出し配線によって引き出され、前記ハニカム基材の外部で各引き出し配線が接続されて、各電極同士が接続される請求項４に記載のハニカム構造体。
6. 前記セルの内部に形成された電極同士が前記ハニカム基材の端面で直列に接続され、前記ハニカム基材の外周からハニカム基材の外部に引き出される請求項４に記載のハニカム構造体。
7. 前記第１電極部は板状電極であって、前記板状電極は分割されたハニカム基材により挟まれている請求項１に記載のハニカム構造体。
8. 前記第２電極部を構成する電極は、前記セルの内部に形成された電極である請求項１～７のいずれか１項に記載のハニカム構造体。
9. 前記セルの内部に形成された電極が前記ハニカム基材の端面の外側に引き出し配線によって引き出され、前記ハニカム基材の外部で各引き出し配線が接続されて、各電極同士が接続される請求項８に記載のハニカム構造体。
10. 前記セルの内部に形成された電極同士がハニカム基材の端面で直列に接続され、前記ハニカム基材の外周からハニカム基材の外部に引き出される請求項８に記載のハニカム構造体。
11. 前記第２電極部は、前記ハニカム基材の外周に設けられた面電極である請求項１～７のいずれか１項に記載のハニカム構造体。
12. 前記電極部が、前記第１電極部と極性が同じである第３電極部をさらに備え、前記第３電極部は、前記ハニカム構造体の前記投影面において、前記第３電極部と前記第１電極部とで前記第２電極部を挟むように配置されており、前記第１電極部と前記第３電極部は並列に接続されている請求項１～１０のいずれか１項に記載のハニカム構造体。
13. 前記ハニカム基材が正温度係数を有する抵抗発熱体である請求項１～１２のいずれか１項に記載のハニカム構造体。

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