JP2022050928A - Substrate holding device and substrate holding method - Google Patents

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Abstract

To provide a technique for properly holding even a curved substrate in a vacuum chamber.SOLUTION: A substrate holding method includes the steps of placing a substrate on the top surface of a stage curved along a first direction in a vacuum chamber and holding both ends of the substrate in the first direction using a pair of clamps provided on the top surface of the stage.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本願明細書に開示される技術は、基板保持装置、および、基板保持方法に関するものである。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ(ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ、すなわち、ＦＥＤ）用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。 The techniques disclosed in the present specification relate to a substrate holding device and a substrate holding method. The substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal displays, flat panel display (FPD) substrates such as organic EL (field emission) display devices, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and optomagnetic disks. It includes a substrate for a photomask, a glass substrate for a photomask, a ceramic substrate, a substrate for a field emission display (that is, FED), a substrate for a solar cell, and the like.

従来より、基板の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が行われている。 Conventionally, in the substrate manufacturing process, various treatments have been performed on the substrate using a substrate processing apparatus.

基板処理の際に基板を保持する方法としては、真空吸着による真空チャックなどが採用されている。 As a method of holding the substrate during substrate processing, a vacuum chuck by vacuum suction or the like is adopted.

特開２０１６－０４０８０５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-040805

しかしながら、真空チャンバ内で基板処理を行う場合には、上記のような真空チャックを用いて基板を適切に保持することは困難である。 However, when the substrate is processed in the vacuum chamber, it is difficult to properly hold the substrate by using the vacuum chuck as described above.

また、基板処理に用いられる基板には湾曲しているものも含まれるため、そのような基板も含めて適切に保持することが望まれる。 Further, since some of the substrates used for substrate processing are curved, it is desired to appropriately hold such substrates as well.

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、真空チャンバ内において、湾曲している基板であっても適切に保持するための技術である。 The technique disclosed in the present specification has been made in view of the above-mentioned problems, and is a technique for appropriately holding a curved substrate in a vacuum chamber. ..

本願明細書に開示される技術の第１の態様である基板保持方法は、真空チャンバ内において、少なくとも中央部が凸に湾曲されたステージの上面に基板を配置する工程と、前記基板の両端部を、前記ステージの前記上面に設けられる少なくとも一対のクランプを用いて保持する工程とを備える。 The substrate holding method, which is the first aspect of the technique disclosed in the present specification, is a step of arranging the substrate on the upper surface of a stage having at least a convexly curved central portion in a vacuum chamber, and both ends of the substrate. Is provided with a step of holding the stage using at least a pair of clamps provided on the upper surface of the stage.

本願明細書に開示される技術の第２の態様である基板保持方法は、第１の態様である基板保持方法に関連し、前記基板を配置する工程は、前記真空チャンバ内において、第１の方向に沿って湾曲する前記ステージの前記上面に前記基板を配置する工程であり、前記基板の前記両端部を保持する工程は、前記基板の、前記第１の方向における前記両端部を、前記ステージの前記上面に設けられる前記少なくとも一対のクランプを用いて保持する工程である。 The substrate holding method according to the second aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the substrate holding method according to the first aspect, and the step of arranging the substrate is the first aspect in the vacuum chamber. The step of arranging the substrate on the upper surface of the stage curved along the direction, and the step of holding the both ends of the substrate, is the step of holding the both ends of the substrate in the first direction on the stage. It is a step of holding by using at least a pair of clamps provided on the upper surface of the above.

本願明細書に開示される技術の第３の態様である基板保持装置は、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ、かつ、少なくとも中央部が凸に湾曲するステージと、前記ステージの上面に設けられ、かつ、前記上面に配置される基板の両端部を保持するための少なくとも一対のクランプとを備える。 The substrate holding device according to the third aspect of the technique disclosed in the present specification is a vacuum chamber, a stage provided in the vacuum chamber and at least the central portion of which is convexly curved, and an upper surface of the stage. It is provided with at least a pair of clamps for holding both ends of the substrate provided and arranged on the upper surface.

本願明細書に開示される技術の第４の態様である基板保持装置は、第３の態様である基板保持装置に関連し、前記ステージは、第１の方向に沿って湾曲し、前記少なくとも一対のクランプは、前記上面に配置される前記基板の、前記第１の方向における前記両端部を保持する。 The substrate holding device according to the fourth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the substrate holding device according to the third aspect, in which the stage is curved along the first direction and the at least pair thereof. Clamps hold both ends of the substrate placed on the top surface in the first direction.

本願明細書に開示される技術の第５の態様である基板保持装置は、第４の態様である基板保持装置に関連し、前記クランプは、前記ステージの前記上面において、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向において延びて設けられる。 The substrate holding device according to the fifth aspect of the technique disclosed herein relates to the substrate holding device according to the fourth aspect, wherein the clamp is on the upper surface of the stage with the first direction. It is provided so as to extend in the second direction, which is the intersecting direction.

本願明細書に開示される技術の第６の態様である基板保持装置は、第４の態様である基板保持装置に関連し、前記クランプは、前記ステージの前記上面において、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向において複数に離間して設けられる。 The substrate holding device according to the sixth aspect of the technique disclosed herein relates to the substrate holding device according to the fourth aspect, wherein the clamp is on the upper surface of the stage with the first direction. It is provided at a plurality of distances in the second direction, which is the intersecting direction.

本願明細書に開示される技術の第７の態様である基板保持装置は、第３から６のうちのいずれか１つの態様である基板保持装置に関連し、前記基板の上面には、薄膜が形成されており、前記真空チャンバ内に光を照射することによって前記薄膜を部分的に除去する少なくとも１つの照射部をさらに備える。 The substrate holding device according to the seventh aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the substrate holding device according to any one of the third to six aspects, and a thin film is formed on the upper surface of the substrate. It is further provided with at least one irradiation unit which is formed and which partially removes the thin film by irradiating the vacuum chamber with light.

本願明細書に開示される技術の第８の態様である基板保持装置は、第７の態様である基板保持装置に関連し、前記照射部は複数設けられ、それぞれの前記照射部から照射される前記光の光軸は、前記ステージの前記上面と直交する。 The substrate holding device according to the eighth aspect of the technique disclosed in the present specification is related to the substrate holding device according to the seventh aspect, and a plurality of the irradiation units are provided, and irradiation is performed from each of the irradiation units. The optical axis of the light is orthogonal to the upper surface of the stage.

本願明細書に開示される技術の第９の態様である基板保持装置は、第８の態様である基板保持装置に関連し、それぞれの前記照射部と前記ステージの前記上面との間の距離が等しい。 The substrate holding device according to the ninth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the substrate holding device according to the eighth aspect, and the distance between the irradiation unit and the upper surface of the stage is different. equal.

本願明細書に開示される技術の少なくとも第１、３の態様によれば、湾曲している基板であっても、ステージの上面に沿って湾曲しつつ適切に保持される。 According to at least the first and third aspects of the technique disclosed herein, even a curved substrate is appropriately held while being curved along the upper surface of the stage.

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。 Also, the objectives, features, aspects and advantages associated with the art disclosed herein will be further clarified by the detailed description and accompanying drawings set forth below.

実施の形態に関する、真空処理装置の構成の例を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the example of the structure of the vacuum processing apparatus with respect to embodiment. 実施の形態に関する真空処理装置の、真空チャンバの内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of the internal structure and the peripheral structure of the vacuum chamber of the vacuum processing apparatus which concerns on embodiment. 変形例としての真空処理装置の、真空チャンバの内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of the internal structure and the peripheral structure of the vacuum chamber of the vacuum processing apparatus as a modification. 基板がステージに配置される際の動作の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the example of the operation when a substrate is arranged on a stage. 基板がステージに配置される際の動作の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the example of the operation when a substrate is arranged on a stage. 基板がステージに配置される際の動作の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the example of the operation when a substrate is arranged on a stage. ステージに備えられるクランプの変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification of the clamp provided in the stage. 変形例としての真空処理装置の、真空チャンバの内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of the internal structure and the peripheral structure of the vacuum chamber of the vacuum processing apparatus as a modification.

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the attached drawings. In the following embodiments, detailed features and the like are also shown for the purpose of explaining the technique, but they are examples, and not all of them are necessarily essential features in order for the embodiments to be feasible.

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。 It should be noted that the drawings are shown schematically, and for convenience of explanation, the configuration is omitted or the configuration is simplified in the drawings as appropriate. Further, the interrelationship between the sizes and positions of the configurations and the like shown in different drawings is not always accurately described and can be changed as appropriate. Further, even in a drawing such as a plan view which is not a cross-sectional view, hatching may be added to facilitate understanding of the contents of the embodiment.

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。 Further, in the description shown below, similar components are illustrated with the same reference numerals, and their names and functions are the same. Therefore, detailed description of them may be omitted to avoid duplication.

また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。 Further, in the description described below, when it is described that a certain component is "equipped", "included", or "has", the existence of another component is excluded unless otherwise specified. Not an expression.

また、以下に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。 Also, even if ordinal numbers such as "first" or "second" may be used in the description described below, these terms facilitate the understanding of the content of the embodiments. It is used for convenience, and is not limited to the order that can be generated by these ordinal numbers.

また、以下に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合を含むものとする。 Also, in the description described below, expressions indicating relative or absolute positional relationships, for example, "in one direction", "along one direction", "parallel", "orthogonal", "center", etc. Unless otherwise specified, "concentric" or "coaxial" shall include cases where the positional relationship is strictly indicated, and cases where the angle or distance is displaced within the range where tolerance or similar function can be obtained. ..

また、以下に記載される説明において、等しい状態であることを示す表現、たとえば、「同一」、「等しい」、「均一」または「均質」などは、特に断らない限りは、厳密に等しい状態であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において差が生じている場合を含むものとする。 Further, in the description described below, expressions indicating equality, such as "same", "equal", "uniform" or "homogeneous", are strictly equal unless otherwise specified. It shall include the case where it indicates that there is, and the case where there is a difference within the range where tolerance or similar function can be obtained.

また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。 Also, in the description described below, it means a specific position or direction such as "top", "bottom", "left", "right", "side", "bottom", "front" or "back". Although terms may be used, these terms are used for convenience to facilitate understanding of the content of the embodiments, and are the positions or directions when they are actually implemented. It doesn't matter.

また、以下に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体または下面自体に加えて、対象となる構成要素の上面または下面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「甲の上面に設けられる乙」と記載される場合、甲と乙との間に別の構成要素「丙」が介在することを妨げるものではない。 Further, in the description described below, when "the upper surface of ..." or "the lower surface of ..." is described, in addition to the upper surface itself or the lower surface itself of the target component, the upper surface of the target component. Alternatively, it shall include a state in which other components are formed on the lower surface. That is, for example, when the description "B provided on the upper surface of the instep" is described, it does not prevent another component "Hei" from intervening between the instep and the second.

＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板保持装置、および、基板保持方法について説明する。 <Embodiment>
Hereinafter, a substrate holding device and a substrate holding method according to the present embodiment will be described.

＜基板保持装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する真空処理装置１の構成の例を概略的に示す斜視図である。図１においては、真空チャンバ１２を支持するチャンバフレーム、または、実際に接続される配線などは、便宜のため図示が省略されている。なお、本実施の形態における「真空」とは、基板Ｗの特性劣化を防止するために高真空（たとえば、０．００００１Ｐａ）であることが望ましいが、当該高真空に達しない真空度である場合も含むものとする。 <About the configuration of the board holding device>
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an example of the configuration of the vacuum processing apparatus 1 according to the present embodiment. In FIG. 1, the chamber frame supporting the vacuum chamber 12, the wiring actually connected, and the like are not shown for convenience. The "vacuum" in the present embodiment is preferably a high vacuum (for example, 0.00001 Pa) in order to prevent deterioration of the characteristics of the substrate W, but is a vacuum degree that does not reach the high vacuum. Also included.

図１に例が示されるように、真空処理装置１は、真空チャンバ１２と、石定盤などの外部固定部１４と、真空チャンバ１２と外部固定部１４とを接続する、たとえばステンレスなどで形成された伸縮性部材であるベローズ１６Ａと、真空チャンバ１２内に光を照射する照射機構１８と、真空チャンバ１２内を減圧して真空状態にする真空ポンプ２０と、真空処理装置１のそれぞれの駆動部を制御する制御部２２とを備える。上記では、伸縮性部材の例として、ステンレスなどで形成されたベローズが示されているが、求められる仕様に応じて、ステンレス以外の金属で形成された伸縮性部材が採用されてもよいし、樹脂などで形成された伸縮性部材が採用されてもよい。また、伸縮性部材の形状は、上記のベローズ１６Ａのような蛇腹形状でなくてもよい。 As an example is shown in FIG. 1, the vacuum processing apparatus 1 is formed of, for example, stainless steel, which connects the vacuum chamber 12, the external fixing portion 14 such as a stone platen, and the vacuum chamber 12 and the external fixing portion 14. The bellows 16A, which is a stretchable member, the irradiation mechanism 18 that irradiates the inside of the vacuum chamber 12, the vacuum pump 20 that depressurizes the inside of the vacuum chamber 12, and the vacuum processing device 1 are driven. A control unit 22 for controlling the unit is provided. In the above, a bellows made of stainless steel or the like is shown as an example of the stretchable member, but a stretchable member made of a metal other than stainless steel may be adopted depending on the required specifications. An elastic member made of resin or the like may be adopted. Further, the shape of the elastic member does not have to be a bellows shape like the bellows 16A described above.

真空チャンバ１２は、内部に基板Ｗが収容される空間を有する。なお、当該基板Ｗは、たとえば、上面に薄膜が形成された状態の基板である。また、真空チャンバ１２の側面には、基板Ｗを搬入および搬出する際に基板Ｗが通過するための開口部１２Ａが形成されている。開口部１２Ａは、真空チャンバ１２が真空状態となる際に適宜閉じられる。真空チャンバ１２の内部に収容される他の構成については、後述する。 The vacuum chamber 12 has a space inside which the substrate W is housed. The substrate W is, for example, a substrate in which a thin film is formed on the upper surface. Further, an opening 12A is formed on the side surface of the vacuum chamber 12 for the substrate W to pass through when the substrate W is carried in and out. The opening 12A is appropriately closed when the vacuum chamber 12 is in a vacuum state. Other configurations housed inside the vacuum chamber 12 will be described later.

照射機構１８は、真空チャンバ１２内に収容された基板Ｗの上面に向けて光を照射する。照射機構１８は、たとえばレーザー光を照射する。なお、照射機構１８は、加工などの目的に応じて、たとえば電子線などの光を照射するものであってもよい。照射機構１８は、図示しない照射窓（石英などの透明板）を介して、真空チャンバ１２の外部から真空チャンバ１２内に収容された基板Ｗの上面に光を照射する。そして、真空チャンバ１２内の基板Ｗが照射機構１８に対して相対的に移動することによって、または、照射機構１８における光学系の制御によって、光が基板Ｗの上面を走査する。また、照射機構１８は、外部固定部１４に固定された架台２４の上面に配置される。 The irradiation mechanism 18 irradiates light toward the upper surface of the substrate W housed in the vacuum chamber 12. The irradiation mechanism 18 irradiates, for example, a laser beam. The irradiation mechanism 18 may irradiate light such as an electron beam depending on the purpose of processing or the like. The irradiation mechanism 18 irradiates the upper surface of the substrate W housed in the vacuum chamber 12 with light from the outside of the vacuum chamber 12 through an irradiation window (transparent plate such as quartz) (not shown). Then, the light scans the upper surface of the substrate W by moving the substrate W in the vacuum chamber 12 relative to the irradiation mechanism 18 or by controlling the optical system in the irradiation mechanism 18. Further, the irradiation mechanism 18 is arranged on the upper surface of the gantry 24 fixed to the external fixing portion 14.

制御部２２は、たとえば、ハードディスクドライブ（Ｈａｒｄ ｄｉｓｋ ｄｒｉｖｅ、すなわち、ＨＤＤ）、ランダムアクセスメモリ（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、揮発性または不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク、フレキシブルディスク、光ディスク、コンパクトディスク、ミニディスクまたはＤＶＤなどを含むメモリ（記憶媒体）を含む記憶装置と、たとえば、当該記憶装置、外部のＣＤ－ＲＯＭ、外部のＤＶＤ－ＲＯＭ、または、外部のフラッシュメモリなどに格納されたプログラムを実行する中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）などの処理回路と、マウス、キーボード、タッチパネル、または、各種スイッチなどの、情報を入力することができる入力装置と、ディスプレイ、液晶表示装置、または、ランプなどの、情報を出力することができる出力装置とを含むことができる。 The control unit 22 may, for example, have a hard disk drive (that is, HDD), a random access memory (that is, RAM), a read-only memory (that is, ROM), a flash memory, and a volatile property. Alternatively, a storage device including a memory (storage medium) including a non-volatile semiconductor memory, a magnetic disk, a flexible disk, an optical disk, a compact disk, a mini disk, a DVD, or the like, and, for example, the storage device, an external CD-ROM, or an external device. Processing circuits such as a central processing unit (that is, a CPU) that executes a program stored in a DVD-ROM or an external flash memory, and a mouse, keyboard, touch panel, or various switches, etc. , An input device capable of inputting information and an output device capable of outputting information such as a display, a liquid crystal display device, or a lamp can be included.

制御部２２は、照射機構１８における光源の出力および照射領域の制御、または、真空ポンプ２０の出力制御、さらには、後述するそれぞれの駆動部（たとえば、リニアモータ機構の駆動部またはリフトピン機構の駆動部）の駆動制御などを行う。 The control unit 22 controls the output and irradiation area of the light source in the irradiation mechanism 18, controls the output of the vacuum pump 20, and further drives each drive unit (for example, a drive unit of a linear motor mechanism or a lift pin mechanism) described later. The drive control of the part) is performed.

図２は、本実施の形態に関する真空処理装置１の、真空チャンバ１２の内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。図２に例が示されるように、真空チャンバ１２の内部には、基板Ｗが上面に配置されるステージ４２と、Ｙ軸方向に移動可能であり、かつ、ステージ４２を下方から支持するスライダー４４と、真空チャンバ１２とは独立して外部固定部１４に固定されたベース４６と、ベース４６に固定され、かつ、Ｙ軸方向に延びるリニアガイド４８と、スライダー４４をリニアガイド４８に沿ってＹ軸方向に移動させるリニアモータ機構５０と、ステージ４２に形成された貫通孔（ここでは図示せず）を貫通して基板Ｗを支持するリフトピン５２Ａを有するリフトピン機構５２とを備える。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the internal configuration and peripheral configuration of the vacuum chamber 12 of the vacuum processing apparatus 1 according to the present embodiment. As an example shown in FIG. 2, inside the vacuum chamber 12, there is a stage 42 in which the substrate W is arranged on the upper surface, and a slider 44 that is movable in the Y-axis direction and supports the stage 42 from below. A base 46 fixed to the external fixing portion 14 independently of the vacuum chamber 12, a linear guide 48 fixed to the base 46 and extending in the Y-axis direction, and a slider 44 Y along the linear guide 48. It includes a linear motor mechanism 50 that moves in the axial direction, and a lift pin mechanism 52 having a lift pin 52A that supports the substrate W through a through hole (not shown here) formed in the stage 42.

ステージ４２は、基板Ｗの加工面を上方に向けつつ、基板Ｗを保持する。ステージ４２の上面は、Ｘ軸方向に沿って凸形状（すなわち、Ｚ軸正方向に凸形状）に湾曲しており、当該上面に沿って基板Ｗを湾曲させて保持する。なお、ステージ４２の上面は、Ｘ軸方向に沿って凹形状（すなわち、Ｚ軸正方向に凹形状）に湾曲していてもよい。また、ステージ４２に保持される基板Ｗは、ステージ４２に保持されない状態（たとえば、ステージ４２に保持される前の乾燥工程などの影響を受けた状態）において湾曲していてもよいし、湾曲していなくてもよい。 The stage 42 holds the substrate W while facing the machined surface of the substrate W upward. The upper surface of the stage 42 is curved in a convex shape (that is, a convex shape in the positive direction of the Z axis) along the X-axis direction, and the substrate W is curved and held along the upper surface. The upper surface of the stage 42 may be curved in a concave shape (that is, a concave shape in the positive direction of the Z axis) along the X-axis direction. Further, the substrate W held on the stage 42 may or may not be curved in a state where it is not held on the stage 42 (for example, a state affected by a drying step before being held on the stage 42). It does not have to be.

また、ステージ４２は、基板Ｗが保持される位置の、Ｘ軸方向における両端部において、一対のクランプ４２Ｂを備える。クランプ４２Ｂは、ステージ４２の上面に配置される基板ＷのＸ軸方向における両端部を押さえることによって、基板Ｗをステージ４２の上面に保持する。なお、クランプは少なくとも一対あればよく、二対以上あってもよい。 Further, the stage 42 includes a pair of clamps 42B at both ends in the X-axis direction at a position where the substrate W is held. The clamp 42B holds the substrate W on the upper surface of the stage 42 by pressing both ends of the substrate W arranged on the upper surface of the stage 42 in the X-axis direction. The number of clamps may be at least one pair, and may be two or more.

ステージ４２を支持するスライダー４４がリニアモータ機構５０によってＹ軸方向に移動し、また、照射機構１８から照射される光がＸ軸方向に走査されることによって、平面視において基板Ｗの加工領域の全面を光によって走査することが可能となる。なお、リフトピン機構５２は、ベース４６に固定される。 The slider 44 that supports the stage 42 is moved in the Y-axis direction by the linear motor mechanism 50, and the light emitted from the irradiation mechanism 18 is scanned in the X-axis direction, so that the processing region of the substrate W is formed in a plan view. The entire surface can be scanned by light. The lift pin mechanism 52 is fixed to the base 46.

リニアモータ機構５０は、真空チャンバ１２の側面に形成された開口部１２Ｂを介して、真空チャンバ１２の側方に位置する外部固定部１４に固定される。具体的には、リニアモータ機構５０は、開口部１２Ｂに溶接されるベローズ１６Ａの中を通る中空の柱状部材１４Ａの端部に固定される。この際、リニアモータ機構５０に接続される配線などは、柱状部材１４Ａの内部を通って真空チャンバ１２の外部に導出される。なお、外部固定部１４に含まれる柱状部材１４Ａは、外部固定部１４に含まれる外部部材１４Ｂに固定される。また、柱状部材１４Ａは、真空チャンバ１２の側面に接続されたベローズ１６Ａとは接触しない。 The linear motor mechanism 50 is fixed to the external fixing portion 14 located on the side of the vacuum chamber 12 via the opening 12B formed on the side surface of the vacuum chamber 12. Specifically, the linear motor mechanism 50 is fixed to the end of the hollow columnar member 14A passing through the bellows 16A welded to the opening 12B. At this time, the wiring and the like connected to the linear motor mechanism 50 are led out to the outside of the vacuum chamber 12 through the inside of the columnar member 14A. The columnar member 14A included in the external fixing portion 14 is fixed to the external member 14B included in the external fixing portion 14. Further, the columnar member 14A does not come into contact with the bellows 16A connected to the side surface of the vacuum chamber 12.

ベース４６は、真空チャンバ１２の底面に形成された開口部１２Ｃを介して、真空チャンバ１２の下方に位置する外部固定部１４に固定される。具体的には、ベース４６は、開口部１２Ｃに溶接されるベローズ１６Ｂの中を通る柱状部材１４Ｃの端部に固定される。なお、外部固定部１４に含まれる柱状部材１４Ｃは、外部固定部１４に含まれる外部部材１４Ｂに固定される。また、柱状部材１４Ｃは、真空チャンバ１２の底面に接続されたベローズ１６Ｂとは接触しない。 The base 46 is fixed to the external fixing portion 14 located below the vacuum chamber 12 via the opening 12C formed in the bottom surface of the vacuum chamber 12. Specifically, the base 46 is fixed to the end of the columnar member 14C passing through the bellows 16B welded to the opening 12C. The columnar member 14C included in the external fixing portion 14 is fixed to the external member 14B included in the external fixing portion 14. Further, the columnar member 14C does not come into contact with the bellows 16B connected to the bottom surface of the vacuum chamber 12.

図２では、外部固定部１４は、真空チャンバ１２の側方および下方に渡って配置されるが、これらの位置における外部固定部１４が連続していることは必須ではなく、これらの位置に分散して設けられていてもよいし、いずれかの位置のみに設けられていてもよい。また、真空チャンバ１２は、ベローズ１６Ｂとは別にチャンバフレーム（図示せず）によって鉛直方向下方から支持されて固定されるが、当該チャンバフレームは、外部固定部１４とは独立して設けられる。 In FIG. 2, the external fixation portions 14 are arranged laterally and below the vacuum chamber 12, but it is not essential that the external fixation portions 14 at these positions are continuous and are dispersed in these positions. It may be provided at any position, or it may be provided only at any position. Further, the vacuum chamber 12 is supported and fixed from below in the vertical direction by a chamber frame (not shown) separately from the bellows 16B, but the chamber frame is provided independently of the external fixing portion 14.

図３は、変形例としての真空処理装置の、真空チャンバ１１２の内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。図３に例が示されるように、真空チャンバ１１２の内部には、ステージ４２と、スライダー４４と、真空チャンバ１１２とは独立して外部固定部１１４に固定されたベース４６と、リニアガイド４８と、スライダー４４をリニアガイド４８に沿ってＹ軸方向に移動させるリニアモータ機構１５０と、リフトピン機構５２とを備える。リニアモータ機構１５０は、柱状部材１４Ｄの端部に固定されるコイルモジュールと、コイルモジュールに対してＹ軸方向に移動可能なマグネットモジュールと、コイルモジュールに電流を流すための配線とを備える。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the internal configuration and peripheral configuration of the vacuum chamber 112 of the vacuum processing apparatus as a modification. As shown in FIG. 3, inside the vacuum chamber 112, a stage 42, a slider 44, a base 46 fixed to an external fixing portion 114 independently of the vacuum chamber 112, and a linear guide 48 are provided. A linear motor mechanism 150 for moving the slider 44 in the Y-axis direction along the linear guide 48, and a lift pin mechanism 52 are provided. The linear motor mechanism 150 includes a coil module fixed to the end of the columnar member 14D, a magnet module that can move in the Y-axis direction with respect to the coil module, and wiring for passing a current through the coil module.

リニアモータ機構１５０は、真空チャンバ１１２の底面に形成された開口部１２Ｄを介して、真空チャンバ１１２の下方に位置する外部固定部１１４に固定される。具体的には、リニアモータ機構１５０は、開口部１２Ｄに溶接されるベローズ１６Ｃの中を通る中空の柱状部材１４Ｄの端部に固定される。この際、リニアモータ機構１５０に接続される配線などは、柱状部材１４Ｄの内部を通って真空チャンバ１１２の外部に導出される。なお、外部固定部１１４に含まれる柱状部材１４Ｄは、外部固定部１１４に含まれる外部部材１４Ｅに固定される。また、柱状部材１４Ｄは、真空チャンバ１１２の底面に接続されたベローズ１６Ｃとは接触しない。 The linear motor mechanism 150 is fixed to the external fixing portion 114 located below the vacuum chamber 112 via the opening 12D formed in the bottom surface of the vacuum chamber 112. Specifically, the linear motor mechanism 150 is fixed to the end of a hollow columnar member 14D passing through the bellows 16C welded to the opening 12D. At this time, the wiring and the like connected to the linear motor mechanism 150 are led out to the outside of the vacuum chamber 112 through the inside of the columnar member 14D. The columnar member 14D included in the external fixing portion 114 is fixed to the external member 14E included in the external fixing portion 114. Further, the columnar member 14D does not come into contact with the bellows 16C connected to the bottom surface of the vacuum chamber 112.

ベース４６は、真空チャンバ１１２の底面に形成された開口部１２Ｃを介して、真空チャンバ１１２の下方に位置する外部固定部１１４に固定される。具体的には、ベース４６は、開口部１２Ｃに溶接されるベローズ１６Ｂの中を通る柱状部材１４Ｃの端部に固定される。なお、外部固定部１１４に含まれる柱状部材１４Ｃは、外部固定部１１４に含まれる外部部材１４Ｅに固定される。また、柱状部材１４Ｃは、真空チャンバ１１２の底面に接続されたベローズ１６Ｂとは接触しない。 The base 46 is fixed to the external fixing portion 114 located below the vacuum chamber 112 via the opening 12C formed in the bottom surface of the vacuum chamber 112. Specifically, the base 46 is fixed to the end of the columnar member 14C passing through the bellows 16B welded to the opening 12C. The columnar member 14C included in the external fixing portion 114 is fixed to the external member 14E included in the external fixing portion 114. Further, the columnar member 14C does not come into contact with the bellows 16B connected to the bottom surface of the vacuum chamber 112.

図３では、外部固定部１１４は、真空チャンバ１１２の下方全体に渡って配置されるが、当該範囲に外部固定部１１４が連続していることは必須ではなく、分散して設けられていてもよいし、いずれかの位置のみに設けられていてもよい。また、真空チャンバ１１２は、ベローズ１６Ｂおよびベローズ１６Ｃとは別にチャンバフレーム（図示せず）によって鉛直方向下方から支持されて固定されるが、当該チャンバフレームは、外部固定部１１４とは独立して設けられる。 In FIG. 3, the external fixing portions 114 are arranged over the entire lower part of the vacuum chamber 112, but it is not essential that the external fixing portions 114 are continuous in the range, and even if the external fixing portions 114 are provided dispersedly. Alternatively, it may be provided only at any position. Further, the vacuum chamber 112 is supported and fixed from below in the vertical direction by a chamber frame (not shown) separately from the bellows 16B and the bellows 16C, but the chamber frame is provided independently of the external fixing portion 114. Be done.

上記のような構成によれば、真空チャンバ１１２内が真空状態となって真空チャンバ１１２が縮むなどの変形が生じる場合であっても、柱状部材１４Ｄを介して外部部材１４Ｅに固定されているリニアモータ機構１５０の位置ずれは抑制される。 According to the above configuration, even if the inside of the vacuum chamber 112 becomes a vacuum state and the vacuum chamber 112 is deformed such as shrinking, the linear is fixed to the external member 14E via the columnar member 14D. The misalignment of the motor mechanism 150 is suppressed.

また、上記のような構成によれば、真空チャンバ１１２の側面にはベローズが接続されない。そのため、たとえば、真空チャンバ１１２の上面および側面と、真空チャンバ１１２の底面とを切り離し可能に構成すれば、真空チャンバ１１２の上面および側面を取り去り、かつ、真空チャンバ１１２の底面にベローズ１６Ｂおよびベローズ１６Ｃを接続した状態で、真空チャンバ１１２内に収容されるそれぞれの構成の配置調整などを容易に行うことができる。 Further, according to the above configuration, the bellows is not connected to the side surface of the vacuum chamber 112. Therefore, for example, if the upper surface and the side surface of the vacuum chamber 112 and the bottom surface of the vacuum chamber 112 are configured to be separable, the upper surface and the side surface of the vacuum chamber 112 can be removed, and the bellows 16B and the bellows 16C are placed on the bottom surface of the vacuum chamber 112. Can be easily arranged and adjusted for each configuration housed in the vacuum chamber 112 in a state where the vacuum chamber 112 is connected.

また、ベース４６およびリニアモータ機構１５０は、図３においては別々のベローズ内における柱状部材を介して外部部材１４Ｅに固定されているが、これらが同一のベローズおよびその内部の同一または別々の柱状部材などを介して、同一または別々の外部部材に固定されてもよい。 Further, in FIG. 3, the base 46 and the linear motor mechanism 150 are fixed to the external member 14E via the columnar members in separate bellows, but these are the same bellows and the same or separate columnar members inside the bellows. It may be fixed to the same or different external members via such means.

図４、図５および図６は、基板Ｗがステージ４２に配置される際の動作の例を示す斜視図である。 4, 5 and 6 are perspective views showing an example of operation when the substrate W is arranged on the stage 42.

図４、図５および図６に例が示されるように、ステージ４２には一対のクランプ４２Ｂが設けられている。それぞれのクランプ４２Ｂは、支持部１４２と、支持部１４２を中心にＹ軸回りに回動する板部１４４とを備える。クランプ４２Ｂは、Ｙ軸方向に延びて設けられる。 As shown in FIGS. 4, 5 and 6, the stage 42 is provided with a pair of clamps 42B. Each clamp 42B includes a support portion 142 and a plate portion 144 that rotates about a support portion 142 about a Y axis. The clamp 42B is provided so as to extend in the Y-axis direction.

まず、図４に例が示されるように、図示しないロボットアームなどによって基板Ｗが真空チャンバ１２内のステージ４２の上方に配置される。次に、図５に例が示されるように、基板Ｗがステージ４２の上面に配置される。 First, as shown in FIG. 4, the substrate W is arranged above the stage 42 in the vacuum chamber 12 by a robot arm or the like (not shown). Next, as shown in FIG. 5, the substrate W is arranged on the upper surface of the stage 42.

次に、図６に例が示されるように、ステージ４２のＸ軸方向の両端部に設けられているクランプ４２Ｂが、支持部１４２を中心にして板部１４４を回動させ、ステージ４２のＸ軸方向の両端部において基板Ｗの端部を保持する。こうすることによって、基板Ｗがステージ４２の上面に沿って湾曲しつつ、ステージ４２の上面に保持される。 Next, as shown in FIG. 6, clamps 42B provided at both ends of the stage 42 in the X-axis direction rotate the plate portion 144 around the support portion 142, and X of the stage 42. The ends of the substrate W are held at both ends in the axial direction. By doing so, the substrate W is held on the upper surface of the stage 42 while being curved along the upper surface of the stage 42.

図７は、ステージに備えられるクランプの変形例を示す斜視図である。図７に例が示されるように、ステージ２４２には、複数のクランプ４２Ｃが設けられている。クランプ４２Ｃは、基板Ｗが保持される位置の、Ｘ軸方向における両端部において、それぞれ少なくとも１つ設けられている。図７においては、それぞれの端部で３つのクランプ４２ＣがＹ軸方向において互いに離間して設けられている。クランプ４２Ｃは、ステージ２４２の上面の法線軸回りに回動する。 FIG. 7 is a perspective view showing a modified example of the clamp provided on the stage. As an example is shown in FIG. 7, the stage 242 is provided with a plurality of clamps 42C. At least one clamp 42C is provided at both ends in the X-axis direction at a position where the substrate W is held. In FIG. 7, three clamps 42C are provided at each end so as to be separated from each other in the Y-axis direction. The clamp 42C rotates about the normal axis of the upper surface of the stage 242.

クランプ４２Ｃが回動することによって、クランプ４２Ｃの爪部２４３が基板Ｗの端部に接触するか接触しないかを切り替えることができるため、基板Ｗの保持およびその解除を行うことができる。 By rotating the clamp 42C, it is possible to switch whether the claw portion 243 of the clamp 42C is in contact with or not in contact with the end portion of the substrate W, so that the substrate W can be held and released.

図８は、変形例としての真空処理装置の、真空チャンバ１２の内部構成および周辺構成の例を示す断面図である。 FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of the internal configuration and peripheral configuration of the vacuum chamber 12 of the vacuum processing apparatus as a modification.

図８に例が示される真空処理装置では、図２に示される場合とは異なり、基板Ｗに光を照射する照射機構１８Ａが、複数の照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６を備えており、それぞれの照射部から照射される光の光軸１８２Ａ、光軸１８４Ａ、光軸１８６Ａが異なっている。 In the vacuum processing apparatus shown in FIG. 8, unlike the case shown in FIG. 2, the irradiation mechanism 18A for irradiating the substrate W with light includes a plurality of irradiation units 182, irradiation units 184, and irradiation units 186. The optical axis 182A, the optical axis 184A, and the optical axis 186A of the light emitted from each irradiation unit are different.

具体的には、照射部１８２から照射される光の光軸１８２Ａは、ステージ４２の湾曲する上面の法線方向に沿う。同様に、照射部１８４から照射される光の光軸１８４Ａは、ステージ４２の湾曲する上面の法線方向に沿う。同様に、照射部１８６から照射される光の光軸１８６Ａは、ステージ４２の湾曲する上面の法線方向に沿う。ステージ４２の上面の湾曲形状に合わせて光の光軸が設定されることによって、たとえば、基板Ｗの上面に形成された薄膜の除去精度を維持することができる。 Specifically, the optical axis 182A of the light emitted from the irradiation unit 182 is along the normal direction of the curved upper surface of the stage 42. Similarly, the optical axis 184A of the light emitted from the irradiation unit 184 is along the normal direction of the curved upper surface of the stage 42. Similarly, the optical axis 186A of the light emitted from the irradiation unit 186 is along the normal direction of the curved upper surface of the stage 42. By setting the optical axis of the light according to the curved shape of the upper surface of the stage 42, for example, the removal accuracy of the thin film formed on the upper surface of the substrate W can be maintained.

なお、基板Ｗにおける光の照射分布の均一性を高めるために、それぞれの照射部から基板Ｗ（または、ステージ４２）の上面までの距離が等しくなるように、照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６が配置されてもよい。 In addition, in order to improve the uniformity of the irradiation distribution of light on the substrate W, the irradiation unit 182, the irradiation unit 184, and the irradiation unit are arranged so that the distances from the respective irradiation units to the upper surface of the substrate W (or the stage 42) are equal. The unit 186 may be arranged.

また、照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６は、照射機構１８Ａに内蔵される光学系によって、１つの光源から分岐する光で実質的に実現されるものであってもよい。 Further, the irradiation unit 182, the irradiation unit 184, and the irradiation unit 186 may be substantially realized by the light branched from one light source by the optical system built in the irradiation mechanism 18A.

＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。 <Effects caused by the above-described embodiments>
Next, an example of the effect caused by the above-described embodiment will be shown. In the following description, the effect is described based on the specific configuration shown in the embodiment described above, but to the extent that the same effect occurs, the examples are described in the present specification. May be replaced with other specific configurations indicated by.

以上に記載された実施の形態によれば、基板保持方法において、真空チャンバ１２（または、真空チャンバ１１２。以下では便宜上、これらのうちのいずれか１つを対応させて記載する場合がある）内において、第１の方向（たとえば、Ｘ軸方向）に沿って湾曲するステージ４２（または、ステージ２４２。以下では便宜上、これらのうちのいずれか１つを対応させて記載する場合がある）の上面に基板Ｗを配置する。そして、基板Ｗの、第１の方向における両端部を、ステージ４２の上面に設けられる一対のクランプ４２Ｂ（または、クランプ４２Ｃ。以下では便宜上、これらのうちのいずれか１つを対応させて記載する場合がある）を用いて保持する。 According to the embodiment described above, in the substrate holding method, in the vacuum chamber 12 (or the vacuum chamber 112. In the following, for convenience, any one of these may be described in association with each other). In, the upper surface of the stage 42 (or stage 242, which may be described below for convenience, any one of them may be associated with each other) curved along the first direction (for example, the X-axis direction). The substrate W is placed on the surface. Then, both ends of the substrate W in the first direction are described as a pair of clamps 42B (or clamps 42C. Hereinafter, for convenience, any one of them is associated with each other) provided on the upper surface of the stage 42. May be held).

このような構成によれば、真空チャンバ１２内において、基板Ｗがステージ４２の上面に沿って湾曲しつつ、ステージ４２の上面に適切に保持される。 According to such a configuration, in the vacuum chamber 12, the substrate W is appropriately held on the upper surface of the stage 42 while being curved along the upper surface of the stage 42.

なお、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。 If there are no particular restrictions, the order in which each process is performed can be changed.

また、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。 In addition, when other configurations shown in the present specification are appropriately added to the above configurations, that is, when other configurations in the present specification not mentioned as the above configurations are appropriately added. Even if there is, the same effect can be produced.

以上に記載された実施の形態によれば、基板保持装置は、真空チャンバ１２と、ステージ４２と、一対のクランプ４２Ｂとを備える。ステージ４２は、真空チャンバ１２内に設けられる。また、ステージ４２は、第１の方向に沿って湾曲する。クランプ４２Ｂは、ステージ４２の上面に設けられる。また、クランプ４２Ｂは、上面に配置される基板Ｗの、第１の方向における両端部を保持する。 According to the embodiments described above, the substrate holding device includes a vacuum chamber 12, a stage 42, and a pair of clamps 42B. The stage 42 is provided in the vacuum chamber 12. Further, the stage 42 is curved along the first direction. The clamp 42B is provided on the upper surface of the stage 42. Further, the clamp 42B holds both ends of the substrate W arranged on the upper surface in the first direction.

このような構成によれば、真空チャンバ１２内において、基板Ｗがステージ４２の上面に沿って湾曲しつつ、ステージ４２の上面に適切に保持される。 According to such a configuration, in the vacuum chamber 12, the substrate W is appropriately held on the upper surface of the stage 42 while being curved along the upper surface of the stage 42.

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。 In addition, when other configurations shown in the present specification are appropriately added to the above configurations, that is, when other configurations in the present specification not mentioned as the above configurations are appropriately added. Even if there is, the same effect can be produced.

また、以上に記載された実施の形態によれば、クランプ４２Ｂは、ステージ４２の上面において、第１の方向と交差する方向である第２の方向（たとえば、Ｙ軸方向）において延びて設けられる。このような構成によれば、クランプ４２Ｂによって基板Ｗの第１の方向における端部を全面的に保持することもできるため、基板Ｗの保持が安定する。 Further, according to the embodiment described above, the clamp 42B is provided on the upper surface of the stage 42 so as to extend in a second direction (for example, the Y-axis direction) which is a direction intersecting the first direction. .. According to such a configuration, the clamp 42B can completely hold the end portion of the substrate W in the first direction, so that the holding of the substrate W is stable.

また、以上に記載された実施の形態によれば、クランプ４２Ｃは、ステージ２４２の上面において、第１の方向と交差する方向である第２の方向（たとえば、Ｙ軸方向）において複数に離間して設けられる。このような構成によれば、第２の方向に延びて設けられる場合に比べてクランプ４２Ｃの構成を小型化かつ軽量化することができる。 Further, according to the embodiment described above, the clamps 42C are separated from each other in a plurality of directions on the upper surface of the stage 242 in a second direction (for example, the Y-axis direction) which is a direction intersecting the first direction. Is provided. According to such a configuration, the configuration of the clamp 42C can be made smaller and lighter than the case where the clamp 42C is provided so as to extend in the second direction.

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板Ｗの上面には、薄膜が形成される。そして、基板保持装置は、少なくとも１つの照射部（たとえば、照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６）を備える。照射部１８２（または、照射部１８４、照射部１８６）は、真空チャンバ１２内に光を照射することによって、薄膜を部分的に除去する。このような構成によれば、真空チャンバ１２内において、基板Ｗの上面に形成された薄膜を照射部から照射される光を用いて除去することができる。 Further, according to the embodiment described above, a thin film is formed on the upper surface of the substrate W. The substrate holding device includes at least one irradiation unit (for example, an irradiation unit 182, an irradiation unit 184, and an irradiation unit 186). The irradiation unit 182 (or the irradiation unit 184, the irradiation unit 186) partially removes the thin film by irradiating the inside of the vacuum chamber 12 with light. According to such a configuration, in the vacuum chamber 12, the thin film formed on the upper surface of the substrate W can be removed by using the light emitted from the irradiation unit.

また、以上に記載された実施の形態によれば、照射部は複数設けられる。そして、それぞれの照射部（たとえば、照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６）から照射される光の光軸は、ステージ４２の上面と直交する。このような構成によれば、それぞれの照射部から照射される光が、湾曲して保持されている基板Ｗの上面に対して直交して（すなわち、入射角が０度で）入射するため、それぞれの光の基板Ｗの上面における照射範囲が楕円形などに歪むことがない。よって、基板Ｗの上面に対して均一な光を照射することができる。 Further, according to the embodiment described above, a plurality of irradiation units are provided. The optical axis of the light emitted from each irradiation unit (for example, the irradiation unit 182, the irradiation unit 184, and the irradiation unit 186) is orthogonal to the upper surface of the stage 42. According to such a configuration, the light emitted from each irradiation unit is orthogonal to the upper surface of the substrate W held in a curved shape (that is, the incident angle is 0 degrees), so that the light is incident. The irradiation range on the upper surface of the substrate W of each light is not distorted into an elliptical shape or the like. Therefore, it is possible to irradiate the upper surface of the substrate W with uniform light.

また、以上に記載された実施の形態によれば、それぞれの照射部（たとえば、照射部１８２、照射部１８４および照射部１８６）とステージ４２の上面との間の距離が等しい。このような構成によれば、光の焦点距離および強度を複数の照射部において統一的に制御することができるため、基板Ｗの上面に対して容易に均一な光を照射することができる。 Further, according to the embodiment described above, the distances between the respective irradiation units (for example, the irradiation unit 182, the irradiation unit 184, and the irradiation unit 186) and the upper surface of the stage 42 are equal. According to such a configuration, since the focal length and the intensity of the light can be controlled uniformly in the plurality of irradiation units, it is possible to easily irradiate the upper surface of the substrate W with uniform light.

＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。 <About the modified example of the embodiment described above>
In the embodiments described above, the materials, materials, dimensions, shapes, relative arrangement relationships, implementation conditions, etc. of each component may also be described, but these are one example in all aspects. However, it shall not be limited.

したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。 Therefore, innumerable variations and equivalents for which examples are not shown are envisioned within the scope of the techniques disclosed herein. For example, it may include transformations, additions, or omissions of at least one component.

また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。 Further, in the above-described embodiment, when the material name or the like is described without being specified, the material contains other additives, for example, an alloy or the like, as long as there is no contradiction. It shall be included.

１ 真空処理装置
１２，１１２ 真空チャンバ
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ 開口部
１４，１１４ 外部固定部
１４Ａ，１４Ｃ，１４Ｄ 柱状部材
１４Ｂ，１４Ｅ 外部部材
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ ベローズ
１８，１８Ａ 照射機構
２０ 真空ポンプ
２２ 制御部
２４ 架台
４２，２４２ ステージ
４２Ｂ，４２Ｃ クランプ
４４ スライダー
４６ ベース
４８ リニアガイド
５０，１５０ リニアモータ機構
５２ リフトピン機構
５２Ａ リフトピン
１４２ 支持部
１４４ 板部
１８２，１８４，１８６ 照射部
１８２Ａ，１８４Ａ，１８６Ａ 光軸
２４３ 爪部 1 Vacuum processing device 12,112 Vacuum chamber 12A, 12B, 12C, 12D Opening 14,114 External fixing part 14A, 14C, 14D Columnar member 14B, 14E External member 16A, 16B, 16C Bellows 18,18A Irradiation mechanism 20 Vacuum pump 22 Control unit 24 Stand 42,242 Stage 42B, 42C Clamp 44 Slider 46 Base 48 Linear guide 50,150 Linear motor mechanism 52 Lift pin mechanism 52A Lift pin 142 Support part 144 Plate part 182,184,186 Irradiation part 182A, 184A, 186A Shaft 243 claw

Claims (9)

真空チャンバ内において、少なくとも中央部が凸に湾曲されたステージの上面に基板を配置する工程と、
前記基板の両端部を、前記ステージの前記上面に設けられる少なくとも一対のクランプを用いて保持する工程とを備える、
基板保持方法。 In the vacuum chamber, the process of placing the substrate on the upper surface of the stage, which is curved at least in the center, and
A step of holding both ends of the substrate by using at least a pair of clamps provided on the upper surface of the stage.
Board holding method. 請求項１に記載の基板保持方法であり、
前記基板を配置する工程は、前記真空チャンバ内において、第１の方向に沿って湾曲する前記ステージの前記上面に前記基板を配置する工程であり、
前記基板の前記両端部を保持する工程は、前記基板の、前記第１の方向における前記両端部を、前記ステージの前記上面に設けられる前記少なくとも一対のクランプを用いて保持する工程である、
基板保持方法。 The substrate holding method according to claim 1.
The step of arranging the substrate is a step of arranging the substrate on the upper surface of the stage curved along the first direction in the vacuum chamber.
The step of holding the both ends of the substrate is a step of holding the both ends of the substrate in the first direction by using at least a pair of clamps provided on the upper surface of the stage.
Board holding method. 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に設けられ、かつ、少なくとも中央部が凸に湾曲するステージと、
前記ステージの上面に設けられ、かつ、前記上面に配置される基板の両端部を保持するための少なくとも一対のクランプとを備える、
基板保持装置。 With a vacuum chamber,
A stage provided in the vacuum chamber and at least centrally curved convexly,
It is provided with at least a pair of clamps provided on the upper surface of the stage and for holding both ends of the substrate arranged on the upper surface.
Board holding device. 請求項３に記載の基板保持装置であり、
前記ステージは、第１の方向に沿って湾曲し、
前記少なくとも一対のクランプは、前記上面に配置される前記基板の、前記第１の方向における前記両端部を保持する、
基板保持装置。 The substrate holding device according to claim 3.
The stage curves along the first direction and
The at least pair of clamps holds the ends of the substrate placed on the top surface in the first direction.
Board holding device. 請求項４に記載の基板保持装置であり、
前記クランプは、前記ステージの前記上面において、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向において延びて設けられる、
基板保持装置。 The substrate holding device according to claim 4.
The clamp is provided on the upper surface of the stage so as to extend in a second direction that intersects the first direction.
Board holding device. 請求項４に記載の基板保持装置であり、
前記クランプは、前記ステージの前記上面において、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向において複数に離間して設けられる、
基板保持装置。 The substrate holding device according to claim 4.
The clamps are provided on the upper surface of the stage at a plurality of distances in a second direction which is a direction intersecting the first direction.
Board holding device. 請求項３から６のうちのいずれか１つに記載の基板保持装置であり、
前記基板の上面には、薄膜が形成されており、
前記真空チャンバ内に光を照射することによって前記薄膜を部分的に除去する少なくとも１つの照射部をさらに備える、
基板保持装置。 The substrate holding device according to any one of claims 3 to 6.
A thin film is formed on the upper surface of the substrate.
Further comprising at least one irradiation unit for partially removing the thin film by irradiating the vacuum chamber with light.
Board holding device. 請求項７に記載の基板保持装置であり、
前記照射部は複数設けられ、
それぞれの前記照射部から照射される前記光の光軸は、前記ステージの前記上面と直交する、
基板保持装置。 The substrate holding device according to claim 7.
A plurality of the irradiation units are provided, and the irradiation unit is provided.
The optical axis of the light emitted from each of the irradiation units is orthogonal to the upper surface of the stage.
Board holding device. 請求項８に記載の基板保持装置であり、
それぞれの前記照射部と前記ステージの前記上面との間の距離が等しい、
基板保持装置。 The substrate holding device according to claim 8.
The distance between each irradiation unit and the upper surface of the stage is equal.
Board holding device.
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